KR970077338A - 멀티챔버 스퍼터링 장치 - Google Patents

멀티챔버 스퍼터링 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970077338A
KR970077338A KR1019970019773A KR19970019773A KR970077338A KR 970077338 A KR970077338 A KR 970077338A KR 1019970019773 A KR1019970019773 A KR 1019970019773A KR 19970019773 A KR19970019773 A KR 19970019773A KR 970077338 A KR970077338 A KR 970077338A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heating gas
substrate
chamber
heat
heating
Prior art date
Application number
KR1019970019773A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100270459B1 (ko
Inventor
마사히코 고바야시
마사히토 이시하라
노부유키 타카하시
Original Assignee
니시히라 쥰지
아넬바 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니시히라 쥰지, 아넬바 가부시기가이샤 filed Critical 니시히라 쥰지
Publication of KR970077338A publication Critical patent/KR970077338A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100270459B1 publication Critical patent/KR100270459B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

디가스 온도를 높게 하면서도 전체의 생산성을 저하시키지 않도록 하기 위한 것으로 중앙의 반송 챔버(4)의 주변에 스퍼터 챔버(1A, 1B, 1C, 1D)와 디가스 챔버(5)가 기밀하게 접속되어 스퍼터링을 포함하는 처리를 진공중에서 연속적으로 행한다. 디가스 챔버(5)에는 다수의 히트 스테이지(51)가 설치되어 다수의 기판(10)을 동시에 가열할 수 있도록 히트 스테이지(51)에는 기판(10)의 뒷면에 접촉하도록하여 가열용 가스를 도입하는 가열용 가스 도입 수단(513)이나 기판(10)과의 면접촉을 강화하기 위한 밀어붙임 기구(514), 더욱 이 정접 흡착기구 등이 필요에 따라 설치된다.

Description

멀티챔버 스퍼터링 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 스퍼터링 장치이 구성을 설명하는 평면개략도.

Claims (9)

  1. 그곳에서 프로세스가 진공중에서 연속하여 행해지고, 반송챔버에 기밀하게 연결되고 반송 챔버(4) 주위에 배치된 다수의 프로세스 챔버와 반송챔버로 구성된 멀티 챔버 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버가 스퍼터링을 위한 스퍼터 챔버(1A, 1B, 1C, 1D)와 다수의 기판(10)을 동시에 가열하기 위하여 다수의 히트 스테이지(51)를 구비하고 있고, 기판(10)에서 디가스하기 위한 디가스챔버(5)로 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티 챔버 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 히트 스테이지(51)들 각각이 가열 가스로 하여금 기판(10)의 뒷면과 접촉하도록 하면서 가열 가스를 도입하기 위한 가열 가스 도입유니트(513)를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버 스퍼터링 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가열 가스 도입 유니트(513)가 그 안으로 가열 가스가 도입되고, 히트 스테이지(51)의 윗면에 형성된 홈(5131); 상기 홈(5131)과 연통하고 상기 히트 스테이지(51)를 관통하는 연통공(5132)과; 그곳으로 가열가스를 공급하기 위하여 상기 연통공(5132)에 연결된 파이프(5133)로 구성되는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버 스퍼터링 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 가열 가스 도입유니트가 그곳으로 가열 가스가 도입되고, 히트 스테이지(51)의 윗면에 형성된 홈; 상기 홈과 연통되고 히트 스테이지(51)를 관통하는 연통공; 그곳으로 가열 가스를 공급하기 위해 상기 연통공에 연결된 파이프로 구성되는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버 스퍼터링 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 히트 스테이지(51) 각각은 히트 스테이지(51)에 대하여 기계적으로 기판(10)을 압착하기 위한 밀어붙임 기구(514)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버 스퍼터링 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 밀어붙임 기구(514)가 기판(10)의 외경에 대응하는 크기의 원형 압부체(5141)와; 상기 압부체(5141)를 구동하기 위한 구동기구(5142)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버 스퍼터링 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 히트 스테이지(51) 각각이 기판(10)이 정전 흡착에 의해서 히트 스테이지(51)의 표면에 당겨지게 하기 위한 정전 흡착 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버 스퍼터링 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 정전 흡착 기구가 히트 스테이지(51)의 기판 위치면에 형성된 유전체 블록(5153)과; 상기 유전체 블록(5153)에 매설된 한쌍의 흡착 전극(5151) 및; 상기 흡착 전극(5151)에 소정의 전극을 인가하기 위한 흡착용 전원(5152)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버 스퍼터링 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 스퍼터 챔버(1A, 1B, 1C, 1D)가 알루미늄 재료의 타겟(121)과, 알루미늄 재료의 용융점에 거의 동일한 온도에 기판(10)을 가열하기 위한 가열 유니트를 구비하고 있으며, 그에 의해 기판(10)에 도달하는 알루미늄 재료를 유동화하는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버 스퍼터링 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970019773A 1996-05-21 1997-05-21 멀티챔버 스퍼터링 장치 KR100270459B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15004396A JP3537269B2 (ja) 1996-05-21 1996-05-21 マルチチャンバースパッタリング装置
JP96-150043 1996-05-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077338A true KR970077338A (ko) 1997-12-12
KR100270459B1 KR100270459B1 (ko) 2000-12-01

Family

ID=15488263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970019773A KR100270459B1 (ko) 1996-05-21 1997-05-21 멀티챔버 스퍼터링 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5925227A (ko)
JP (1) JP3537269B2 (ko)
KR (1) KR100270459B1 (ko)
TW (1) TW329019B (ko)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6197685B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Matsushita Electronics Corporation Method of producing multilayer wiring device with offset axises of upper and lower plugs
JP3523197B2 (ja) * 1998-02-12 2004-04-26 エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド メッキ設備及び方法
JP2000150653A (ja) * 1998-09-04 2000-05-30 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
US6224942B1 (en) * 1999-08-19 2001-05-01 Micron Technology, Inc. Method of forming an aluminum comprising line having a titanium nitride comprising layer thereon
US6440219B1 (en) * 2000-06-07 2002-08-27 Simplus Systems Corporation Replaceable shielding apparatus
US6471830B1 (en) * 2000-10-03 2002-10-29 Veeco/Cvc, Inc. Inductively-coupled-plasma ionized physical-vapor deposition apparatus, method and system
US6599368B1 (en) * 2000-10-05 2003-07-29 Applied Materials, Inc. System architecture of semiconductor manufacturing equipment
KR100421036B1 (ko) * 2001-03-13 2004-03-03 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법
EP1391140B1 (en) * 2001-04-30 2012-10-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US20050211385A1 (en) * 2001-04-30 2005-09-29 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
US6847014B1 (en) * 2001-04-30 2005-01-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
JP2002332570A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Anelva Corp 基板処理装置
JP4695297B2 (ja) * 2001-06-26 2011-06-08 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置及びロードロックチャンバー
JP2003031639A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Canon Inc 基板処理装置、基板の搬送方法及び露光装置
JP2003045947A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板処理装置及び露光装置
US6497734B1 (en) * 2002-01-02 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput
US6632325B2 (en) 2002-02-07 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same
US6770852B1 (en) 2003-02-27 2004-08-03 Lam Research Corporation Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control
US7675174B2 (en) * 2003-05-13 2010-03-09 Stmicroelectronics, Inc. Method and structure of a thick metal layer using multiple deposition chambers
US20050221603A1 (en) * 2003-06-23 2005-10-06 Applied Materials, Inc. System architecture of semiconductor manufacturing equipment
US20050092254A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Infineon Technologies Richmond, Lp PVD transfer robot short blade
US7879209B2 (en) * 2004-08-20 2011-02-01 Jds Uniphase Corporation Cathode for sputter coating
US8038796B2 (en) 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
KR100803726B1 (ko) 2005-08-12 2008-02-15 주식회사 아이피에스 반송챔버의 구조
US20080041716A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Schott Lithotec Usa Corporation Methods for producing photomask blanks, cluster tool apparatus for producing photomask blanks and the resulting photomask blanks from such methods and apparatus
US20100196599A1 (en) * 2007-12-20 2010-08-05 Hari K Ponnekanti Staggered dual process chambers using one single facet on a transfer module
JP2010126789A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Shibaura Mechatronics Corp スパッタ成膜装置
KR101174883B1 (ko) 2009-08-24 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
US8580332B2 (en) * 2009-09-22 2013-11-12 Applied Materials, Inc. Thin-film battery methods for complexity reduction
US8736947B2 (en) 2009-10-23 2014-05-27 Applied Materials, Inc. Materials and device stack for market viable electrochromic devices
US8399809B1 (en) 2010-01-05 2013-03-19 Wd Media, Inc. Load chamber with heater for a disk sputtering system
JP5478280B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法、ならびに基板処理システム
US8517657B2 (en) 2010-06-30 2013-08-27 WD Media, LLC Corner chamber with heater
US8354618B1 (en) 2010-06-30 2013-01-15 Wd Media, Inc. Load chamber with dual heaters
GB201421151D0 (en) * 2014-11-28 2015-01-14 Spts Technologies Ltd Method of degassing
CN107488832B (zh) * 2016-06-12 2019-11-29 北京北方华创微电子装备有限公司 沉积设备以及物理气相沉积腔室

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0614520B2 (ja) * 1983-12-26 1994-02-23 株式会社日立製作所 低圧雰囲気内の処理装置
JPH02268427A (ja) * 1989-04-11 1990-11-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2756502B2 (ja) * 1989-06-16 1998-05-25 東京エレクトロン株式会社 アッシング処理装置および方法
US4994162A (en) * 1989-09-29 1991-02-19 Materials Research Corporation Planarization method
JP2600399B2 (ja) * 1989-10-23 1997-04-16 富士電機株式会社 半導体ウエーハ処理装置
US5310410A (en) * 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
US5067218A (en) * 1990-05-21 1991-11-26 Motorola, Inc. Vacuum wafer transport and processing system and method using a plurality of wafer transport arms
US5267607A (en) * 1991-05-28 1993-12-07 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JPH05152425A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Tokyo Electron Ltd 処理装置およびスパツタリング装置
US5378660A (en) * 1993-02-12 1995-01-03 Applied Materials, Inc. Barrier layers and aluminum contacts
JPH08264465A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09312262A (ja) 1997-12-02
JP3537269B2 (ja) 2004-06-14
US5925227A (en) 1999-07-20
TW329019B (en) 1998-04-01
KR100270459B1 (ko) 2000-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970077338A (ko) 멀티챔버 스퍼터링 장치
US4430547A (en) Cleaning device for a plasma etching system
KR960042983A (ko) 가스전열플라즈마처리장치
KR920022389A (ko) 기판(基板) 처리 장치
TW469534B (en) Plasma processing method and apparatus
KR970072182A (ko) 플라즈마 처리방법 및 그 장치
KR970013175A (ko) 기판처리장치
WO2004051702A3 (en) Apparatus for treating surfaces of a substrate with atmospheric pressure plasma
EP0348690A3 (en) Apparatus and method for plasma treatment of small diameter tubes
WO2002058093A3 (en) Area lamp apparatus
AU2002368438A1 (en) Susceptor system________________________
WO2006002429A3 (en) Chamberless plasma deposition of coatings
JP2001195983A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造装置とその製造方法
CN101267708A (zh) 等离子处理装置及等离子处理方法
MX9600768A (es) Aparato de exhibicion de cristal liquido dirigido a plasma.
JP2000091328A5 (ko)
JP2019057538A (ja) 吸着装置、真空装置
KR20010101462A (ko) 가스방전패널의 제조방법 및 그 제조장치
US7261610B2 (en) Method for producing a gas discharge vessel at superatmospheric pressure
JP6972386B2 (ja) 吸着装置及び真空処理装置
JP2002343724A (ja) プラズマ処理装置
JPH11233600A (ja) 静電吸着装置、及びその静電吸着装置を用いた真空処理装置
JP2009001898A (ja) 真空処理方法及び真空処理装置
JPH11144891A (ja) プラズマ処理装置
KR100407725B1 (ko) 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130719

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term