JPH09129578A - 半導体基板の製造装置及び製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造装置及び製造方法Info
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- JPH09129578A JPH09129578A JP7282873A JP28287395A JPH09129578A JP H09129578 A JPH09129578 A JP H09129578A JP 7282873 A JP7282873 A JP 7282873A JP 28287395 A JP28287395 A JP 28287395A JP H09129578 A JPH09129578 A JP H09129578A
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １枚１枚の半導体基板に対して半導体基板の
結晶方位をＸ線回折法等の手法により調べた後、個別に
マーキングを行うため、半導体基板の製造工程の工程数
の増加を招き生産性を悪化させる。 【解決手段】 切断機の治具に半導体結晶２のブレード
５を合わせて装填し、保持をする。半導体結晶２には、
特定の結晶方位に対してブレード５を取り付けている。
レーザーマーキング装置は、レーザー発振装置１０から
のレーザー光をシャッタ１１を介して光学レンズ１２に
より半導体結晶２の真円である表面の特定の場所に収束
させてマーキングさせる。マーキングされた半導体結晶
２は、切断機によりウェーハ状に切断され半導体基板が
得られる。切断後の残りの半導体結晶２に対して、同じ
位置に再度マーキングを行ってから、再びウェーハ状に
切断することが繰り返される。
結晶方位をＸ線回折法等の手法により調べた後、個別に
マーキングを行うため、半導体基板の製造工程の工程数
の増加を招き生産性を悪化させる。 【解決手段】 切断機の治具に半導体結晶２のブレード
５を合わせて装填し、保持をする。半導体結晶２には、
特定の結晶方位に対してブレード５を取り付けている。
レーザーマーキング装置は、レーザー発振装置１０から
のレーザー光をシャッタ１１を介して光学レンズ１２に
より半導体結晶２の真円である表面の特定の場所に収束
させてマーキングさせる。マーキングされた半導体結晶
２は、切断機によりウェーハ状に切断され半導体基板が
得られる。切断後の残りの半導体結晶２に対して、同じ
位置に再度マーキングを行ってから、再びウェーハ状に
切断することが繰り返される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板の製造装
置及び製造方法に係り、特に半導体装置を形成するため
の形状を改良した半導体基板を、効率良く製造するため
の製造装置及びその製造方法に関するものである。
置及び製造方法に係り、特に半導体装置を形成するため
の形状を改良した半導体基板を、効率良く製造するため
の製造装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の平面形状は、図１３
（Ａ）に示すように円板の一端を直線上に切断加工した
直線部分５１を有する形状、若しくは図１３（Ｂ）に示
すように円板の一部分を切り取った切取り部分５２を有
する形状となっている。この直線部分５１はオリエンテ
ーションフラット、また、切り取り部分５２はノッチと
呼ばれ、それぞれ半導体基板１の結晶方位を規定する目
的で形成される。
（Ａ）に示すように円板の一端を直線上に切断加工した
直線部分５１を有する形状、若しくは図１３（Ｂ）に示
すように円板の一部分を切り取った切取り部分５２を有
する形状となっている。この直線部分５１はオリエンテ
ーションフラット、また、切り取り部分５２はノッチと
呼ばれ、それぞれ半導体基板１の結晶方位を規定する目
的で形成される。
【０００３】一方、直線部分（以下、オリエンテーショ
ンフラットという）５１や切り取り部分（以下、ノッチ
という）５２を有する半導体基板１は、形状が真円でな
いため、半導体装置の様々な製造工程中において、不均
一性を生じ歩留りの低下を招く。この不均一性を生じる
幾つかの工程例をつぎに挙げる。
ンフラットという）５１や切り取り部分（以下、ノッチ
という）５２を有する半導体基板１は、形状が真円でな
いため、半導体装置の様々な製造工程中において、不均
一性を生じ歩留りの低下を招く。この不均一性を生じる
幾つかの工程例をつぎに挙げる。
【０００４】１．半導体装置の製造工程中の高温熱処理
を受け、オリエンテーションフラット５１やノッチ５２
に熱応力が働き、結晶欠陥が発生し、歩留りの低下を招
く。
を受け、オリエンテーションフラット５１やノッチ５２
に熱応力が働き、結晶欠陥が発生し、歩留りの低下を招
く。
【０００５】２．半導体装置の製造工程中の熱酸化工程
において、オリエンテーションフラット５１やノッチ５
２での温度不均一性や、ガスの流れの不均一性により、
膜厚ムラが生じる。
において、オリエンテーションフラット５１やノッチ５
２での温度不均一性や、ガスの流れの不均一性により、
膜厚ムラが生じる。
【０００６】３．半導体装置の製造工程中での化学気相
成長（ＣＶＤ）装置における膜の形成工程で、オリエン
テーションフラット５１やノッチ５２でのガスの流れに
おける不均一性が生じて膜厚ムラが生じる。
成長（ＣＶＤ）装置における膜の形成工程で、オリエン
テーションフラット５１やノッチ５２でのガスの流れに
おける不均一性が生じて膜厚ムラが生じる。
【０００７】４．半導体装置の製造工程中でのフォトリ
ソグラフィ工程における感光性樹脂の回転塗布工程にお
いて、オリエンテーションフラット５１若しくはノッチ
５２で塗布膜厚のムラが生じる。
ソグラフィ工程における感光性樹脂の回転塗布工程にお
いて、オリエンテーションフラット５１若しくはノッチ
５２で塗布膜厚のムラが生じる。
【０００８】５．半導体装置の製造工程中におけるドラ
イエッチング工程において、オリエンテーションフラッ
ト５１やノッチ５２でのプラズマ形成状態に不均一性が
生じ、エッチング速度の不均一性が生じる。
イエッチング工程において、オリエンテーションフラッ
ト５１やノッチ５２でのプラズマ形成状態に不均一性が
生じ、エッチング速度の不均一性が生じる。
【０００９】これらの問題は半導体基板を真円にするこ
とで解決することができる。しかしながら、オリエンテ
ーションフラット５１や、ノッチ５２が無い真円の半導
体基板においては、結晶方位を簡便に知ることはできな
いため、結晶方位によって変化するトランジスタ特性の
バラツキの増加を招く。それを防ぐために、半導体装置
の製造工程中に結晶方位の検出をすることは工程数の増
加や、クリーン度の低下につながる。そのため、真円の
半導体基板において、簡便に結晶方位を知ることが重要
な技術課題となる。
とで解決することができる。しかしながら、オリエンテ
ーションフラット５１や、ノッチ５２が無い真円の半導
体基板においては、結晶方位を簡便に知ることはできな
いため、結晶方位によって変化するトランジスタ特性の
バラツキの増加を招く。それを防ぐために、半導体装置
の製造工程中に結晶方位の検出をすることは工程数の増
加や、クリーン度の低下につながる。そのため、真円の
半導体基板において、簡便に結晶方位を知ることが重要
な技術課題となる。
【００１０】そのために、従来より、真円の半導体基板
において、結晶方位を簡便に知ることを目的とし、この
真円の半導体基板にレーザーマーキングを行う技術が知
られている（特開平２−３４９０６号公報：発明の名称
「半導体基板」）。この従来の半導体基板は、図１４に
示すように、真円の半導体基板１の形成面の外周部から
内側１ｍｍの位置に長さ３ｍｍ、深さ１００μｍ、間隔
３ｍｍの３本の溝からなる認識マーク６１がレーザーマ
ーキングにより形成されていることを特徴とする。
において、結晶方位を簡便に知ることを目的とし、この
真円の半導体基板にレーザーマーキングを行う技術が知
られている（特開平２−３４９０６号公報：発明の名称
「半導体基板」）。この従来の半導体基板は、図１４に
示すように、真円の半導体基板１の形成面の外周部から
内側１ｍｍの位置に長さ３ｍｍ、深さ１００μｍ、間隔
３ｍｍの３本の溝からなる認識マーク６１がレーザーマ
ーキングにより形成されていることを特徴とする。
【００１１】この認識マーク６１は従来のオリエンテー
ションフラットに代わるものであり、半導体基板１が
（１００）単結晶シリコンの場合には、通常［００１］
方向端部に円弧状に記入され、半導体装置製造工程中の
フォトリソグラフィ工程における目合わせの基準として
用いられる。
ションフラットに代わるものであり、半導体基板１が
（１００）単結晶シリコンの場合には、通常［００１］
方向端部に円弧状に記入され、半導体装置製造工程中の
フォトリソグラフィ工程における目合わせの基準として
用いられる。
【００１２】真円の半導体基板にマーキングを行う従来
技術はその他にも知られており、例えば、図１５
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、平行線により
構成された認識マーク６２や、点状に形成された認識マ
ーク６３、直線状に形成された認識マーク６４及び６５
が提案されている（特開平５−１３２９０号公報：発明
の名称「半導体ウェーハ」）。
技術はその他にも知られており、例えば、図１５
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、平行線により
構成された認識マーク６２や、点状に形成された認識マ
ーク６３、直線状に形成された認識マーク６４及び６５
が提案されている（特開平５−１３２９０号公報：発明
の名称「半導体ウェーハ」）。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
特開平２−３４９０６号公報や、特開平５−１３２９０
号公報記載の従来の半導体基板では、真円の半導体基板
１にマーキングを行う時期や方法に関しては全く述べら
れていない。
特開平２−３４９０６号公報や、特開平５−１３２９０
号公報記載の従来の半導体基板では、真円の半導体基板
１にマーキングを行う時期や方法に関しては全く述べら
れていない。
【００１４】一方、半導体基板のレーザーマーキング装
置は図１６に示すように、真空チャック７１に吸着され
た半導体基板１に対して、ＹＡＧレーザー等のレーザー
発振装置７０から発振されたレーザー光を光学レンズ７
２、反射ミラー７３、収束レンズ７４を介して半導体基
板１上に収束し、マーキングを行う構成である。
置は図１６に示すように、真空チャック７１に吸着され
た半導体基板１に対して、ＹＡＧレーザー等のレーザー
発振装置７０から発振されたレーザー光を光学レンズ７
２、反射ミラー７３、収束レンズ７４を介して半導体基
板１上に収束し、マーキングを行う構成である。
【００１５】また、制御機構７５により光学レンズ７２
と反射ミラー７３の間のシャッタ７６によりレーザー光
が断続される。なお、半導体基板１表面付近には排気ダ
クト７７が設けられている。この従来のレーザーマーキ
ング装置を用いて半導体基板１にマーキングを行う際に
は、１枚１枚個別にマーキングをする。
と反射ミラー７３の間のシャッタ７６によりレーザー光
が断続される。なお、半導体基板１表面付近には排気ダ
クト７７が設けられている。この従来のレーザーマーキ
ング装置を用いて半導体基板１にマーキングを行う際に
は、１枚１枚個別にマーキングをする。
【００１６】このレーザーマーキング装置を用いて従来
例に従い、真円の半導体基板にレーザーマーキングを行
う場合を考えてみる。
例に従い、真円の半導体基板にレーザーマーキングを行
う場合を考えてみる。
【００１７】真円の半導体基板にレーザーマーキングを
行う従来例では、この半導体基板の特定の結晶方位に対
してレーザーマーキングを行うことを特徴としている。
従って、特定の結晶方位にレーザーマーキングを行うに
は、半導体基板の結晶方位をＸ線回折法等の手法により
調べることが必要となり、又レーザーマーキング装置
が、１枚１枚個別にマーキングを行うために、全ての半
導体基板に対してレーザーマーキングを行う前に半導体
基板の結晶方位をＸ線回折法等の手法により調べること
が必要となる。
行う従来例では、この半導体基板の特定の結晶方位に対
してレーザーマーキングを行うことを特徴としている。
従って、特定の結晶方位にレーザーマーキングを行うに
は、半導体基板の結晶方位をＸ線回折法等の手法により
調べることが必要となり、又レーザーマーキング装置
が、１枚１枚個別にマーキングを行うために、全ての半
導体基板に対してレーザーマーキングを行う前に半導体
基板の結晶方位をＸ線回折法等の手法により調べること
が必要となる。
【００１８】従って、上記の従来例は、１枚１枚の半導
体基板に対して結晶方位をＸ線回折法等の手法により調
べた後、レーザーマーキング装置が１枚１枚個別にマー
キングを行う必要があり、半導体基板の製造工程の工程
数の増加を招き生産性を悪化させるという問題がある。
体基板に対して結晶方位をＸ線回折法等の手法により調
べた後、レーザーマーキング装置が１枚１枚個別にマー
キングを行う必要があり、半導体基板の製造工程の工程
数の増加を招き生産性を悪化させるという問題がある。
【００１９】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
１枚１枚の半導体基板の結晶方位を調べること無く、各
々の真円である半導体基板にマーキングを行うことで、
生産性を悪化させることなく、結晶方位を認識するため
のマーキングを有した真円の半導体基板の製造装置及び
製造方法を提供することを目的とする。
１枚１枚の半導体基板の結晶方位を調べること無く、各
々の真円である半導体基板にマーキングを行うことで、
生産性を悪化させることなく、結晶方位を認識するため
のマーキングを有した真円の半導体基板の製造装置及び
製造方法を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明製造装置は、特定の結晶方位に対応した位置
にブレードが装着された、真円である面を有する円柱状
の半導体結晶の、真円である表面の特定の場所に結晶方
位認識用の認識マークのマーキングを１箇所以上行うマ
ーキング手段と、マーキング手段によりマーキングされ
た半導体結晶をウェーハ状に切り出す切断機とを有し、
マーキング手段によるマーキングと前記切断機による切
断とを交互に繰り返すことを特徴とする。
め、本発明製造装置は、特定の結晶方位に対応した位置
にブレードが装着された、真円である面を有する円柱状
の半導体結晶の、真円である表面の特定の場所に結晶方
位認識用の認識マークのマーキングを１箇所以上行うマ
ーキング手段と、マーキング手段によりマーキングされ
た半導体結晶をウェーハ状に切り出す切断機とを有し、
マーキング手段によるマーキングと前記切断機による切
断とを交互に繰り返すことを特徴とする。
【００２１】また、本発明製造装置は、特定の結晶方位
に対応した位置にブレードが装着された、真円である面
を有する円柱状の半導体結晶からウェーハ状の半導体基
板を切り出す切断機と、ウェーハ状に切り出された半導
体基板を搬送する搬送機構と、搬送機構により搬送され
た前記半導体基板の表面の特定の場所に結晶方位認識用
の認識マークのマーキングを１箇所以上行うマーキング
手段とを有するか、又は、搬送機構に代えてウェーハ状
にブレードと共に切り出された半導体基板の表面の特定
の結晶方位を検出する検出手段を設け、更にこの検出手
段により検出された半導体基板の表面の特定の結晶方位
位置に、結晶方位認識用の認識マークのマーキングを１
箇所以上行う構成としたものである。
に対応した位置にブレードが装着された、真円である面
を有する円柱状の半導体結晶からウェーハ状の半導体基
板を切り出す切断機と、ウェーハ状に切り出された半導
体基板を搬送する搬送機構と、搬送機構により搬送され
た前記半導体基板の表面の特定の場所に結晶方位認識用
の認識マークのマーキングを１箇所以上行うマーキング
手段とを有するか、又は、搬送機構に代えてウェーハ状
にブレードと共に切り出された半導体基板の表面の特定
の結晶方位を検出する検出手段を設け、更にこの検出手
段により検出された半導体基板の表面の特定の結晶方位
位置に、結晶方位認識用の認識マークのマーキングを１
箇所以上行う構成としたものである。
【００２２】また、前記目的を達成するため、本発明製
造方法は、真円である面を有する円柱状の半導体結晶の
特定の結晶方位に対応した位置にブレードを装着した
後、半導体結晶の真円である表面の特定の場所に結晶方
位認識用の認識マークのマーキングを１箇所以上施して
から半導体結晶をウェーハ状に切り出すか、あるいは、
半導体結晶からウェーハ状の半導体基板を切り出してか
ら半導体基板の表面の特定の場所に結晶方位認識用の認
識マークのマーキングを１箇所以上施すようにしたもの
である。
造方法は、真円である面を有する円柱状の半導体結晶の
特定の結晶方位に対応した位置にブレードを装着した
後、半導体結晶の真円である表面の特定の場所に結晶方
位認識用の認識マークのマーキングを１箇所以上施して
から半導体結晶をウェーハ状に切り出すか、あるいは、
半導体結晶からウェーハ状の半導体基板を切り出してか
ら半導体基板の表面の特定の場所に結晶方位認識用の認
識マークのマーキングを１箇所以上施すようにしたもの
である。
【００２３】ここで、本発明において、マーキングは、
半導体基板の表面と裏面の両方に行うことが、半導体装
置の製造時に、結晶方位を認識する装置が半導体基板の
表面側及び裏面側のどちらからでも認識ができるため、
望ましい。
半導体基板の表面と裏面の両方に行うことが、半導体装
置の製造時に、結晶方位を認識する装置が半導体基板の
表面側及び裏面側のどちらからでも認識ができるため、
望ましい。
【００２４】本発明製造装置及び製造方法では、半導体
結晶の真円である表面の特定の場所に、結晶方位認識用
の認識マークのマーキングを１箇所以上施してから半導
体結晶をウェーハ状に切り出すようにしたため、１枚１
枚の半導体基板に対して結晶方位をＸ線回折法等の手法
により調べる作業を不要にできる。
結晶の真円である表面の特定の場所に、結晶方位認識用
の認識マークのマーキングを１箇所以上施してから半導
体結晶をウェーハ状に切り出すようにしたため、１枚１
枚の半導体基板に対して結晶方位をＸ線回折法等の手法
により調べる作業を不要にできる。
【００２５】あるいは、本発明製造装置及び製造方法で
は、特定の結晶方位に対応した位置にブレードが装着さ
れた半導体結晶からウェーハ状に半導体基板を切り出し
てから半導体基板の表面の特定の場所に結晶方位認識用
の認識マークのマーキングを１箇所以上施すようにした
ため、切り出した半導体基板の特定結晶方位はブレード
の位置によりわかるから、１枚１枚の半導体基板に対し
て結晶方位をＸ線回折法等の手法により調べる作業を不
要にできる。
は、特定の結晶方位に対応した位置にブレードが装着さ
れた半導体結晶からウェーハ状に半導体基板を切り出し
てから半導体基板の表面の特定の場所に結晶方位認識用
の認識マークのマーキングを１箇所以上施すようにした
ため、切り出した半導体基板の特定結晶方位はブレード
の位置によりわかるから、１枚１枚の半導体基板に対し
て結晶方位をＸ線回折法等の手法により調べる作業を不
要にできる。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図を
用いて説明する。図１から図１２は本発明の実施の形態
を示す半導体基板の製造方法に関するものである。
用いて説明する。図１から図１２は本発明の実施の形態
を示す半導体基板の製造方法に関するものである。
【００２７】図１に示すように丸棒状の両端がそれぞれ
円錐形の外形を有するシリコン（Ｓｉ）単結晶の半導体
結晶２を、図２に示すように、ブロック状に切断し、そ
の切断された半導体結晶２の外径を研削し、真円である
面を有する円柱状の形状にする。
円錐形の外形を有するシリコン（Ｓｉ）単結晶の半導体
結晶２を、図２に示すように、ブロック状に切断し、そ
の切断された半導体結晶２の外径を研削し、真円である
面を有する円柱状の形状にする。
【００２８】次に、この円柱状の半導体結晶２に対し
て、Ｘ線回折法等の手法を用いて結晶方位を測定する。
Ｘ線回折法を用いた場合では、図３に示すように、円柱
状の半導体結晶２の真円である面に対して、Ｘ線源３か
らＸ線を入射して計数管４で計数する。この時、半導体
結晶２の真円を有する面に垂直で、且つ真円の中心を通
る回転軸に対して、半導体結晶２を回転させ、計数管４
の計数値に基づきＸ線の反射強度が最大となるような位
置に回転する。これにより、半導体結晶２の結晶方位を
測定する。
て、Ｘ線回折法等の手法を用いて結晶方位を測定する。
Ｘ線回折法を用いた場合では、図３に示すように、円柱
状の半導体結晶２の真円である面に対して、Ｘ線源３か
らＸ線を入射して計数管４で計数する。この時、半導体
結晶２の真円を有する面に垂直で、且つ真円の中心を通
る回転軸に対して、半導体結晶２を回転させ、計数管４
の計数値に基づきＸ線の反射強度が最大となるような位
置に回転する。これにより、半導体結晶２の結晶方位を
測定する。
【００２９】この測定時のＸ線の入射角度θは、目的と
する結晶方位に垂直な結晶面の面間隔ｄ、Ｘ線の波長を
λとしたとき、２ｄｓｉｎθ＝ｎλ（ｎ＝１，２，３，
・・・・）を満たす値となる。この時測定する結晶方位
は、強い回折強度が得られる＜１１０＞方向の測定を行
うことが有効である。
する結晶方位に垂直な結晶面の面間隔ｄ、Ｘ線の波長を
λとしたとき、２ｄｓｉｎθ＝ｎλ（ｎ＝１，２，３，
・・・・）を満たす値となる。この時測定する結晶方位
は、強い回折強度が得られる＜１１０＞方向の測定を行
うことが有効である。
【００３０】結晶方位を測定した半導体結晶２に対し
て、その結晶方位が簡便に認識できるような位置にブレ
ード５を装着する。このときのブレード５の取り付け位
置は、目標とする結晶方位に対して±２゜程度の誤差範
囲内で取り付けることが望ましい。このブレード５によ
り、真円な面を有する半導体結晶２の結晶方位は簡便に
認識できることになる。
て、その結晶方位が簡便に認識できるような位置にブレ
ード５を装着する。このときのブレード５の取り付け位
置は、目標とする結晶方位に対して±２゜程度の誤差範
囲内で取り付けることが望ましい。このブレード５によ
り、真円な面を有する半導体結晶２の結晶方位は簡便に
認識できることになる。
【００３１】次に、切断機により半導体結晶２を、ウェ
ーハ状に切り出す作業を行う。通常の半導体基板の製造
工程においては、この切断機により、半導体結晶２をウ
ェーハ状に切断し（スライシングし）、その後ブレード
部分を取り外し、面取り作業及び機械研磨を行う。しか
しながら、本発明では、切断機で切断されてから、ブレ
ードを取り外すまでの間に、レーザーマーキング装置等
のマーキング装置を用いて半導体結晶若しくは半導体基
板にマーキングを行う作業工程を含むことを特徴として
いる。
ーハ状に切り出す作業を行う。通常の半導体基板の製造
工程においては、この切断機により、半導体結晶２をウ
ェーハ状に切断し（スライシングし）、その後ブレード
部分を取り外し、面取り作業及び機械研磨を行う。しか
しながら、本発明では、切断機で切断されてから、ブレ
ードを取り外すまでの間に、レーザーマーキング装置等
のマーキング装置を用いて半導体結晶若しくは半導体基
板にマーキングを行う作業工程を含むことを特徴として
いる。
【００３２】切断機の治具に半導体結晶２のブレード５
を合わせて装填し、保持をする。ここで、半導体結晶２
には、特定の結晶方位に対してブレード５を取り付けて
いるため、切断機内においては、真円な面を有する半導
体結晶２は常に特定の結晶方位を向くように配置され
る。このブレード５を装着し、切断機にセットされた半
導体結晶２に対して、以下の実施の形態による手法によ
り、半導体基板を製造する。 （第１の実施の形態）本発明における半導体基板の製造
方法において、効果的に、半導体基板にマーキングを行
うための半導体基板の製造装置を用いた場合の第１の実
施の形態について説明する。
を合わせて装填し、保持をする。ここで、半導体結晶２
には、特定の結晶方位に対してブレード５を取り付けて
いるため、切断機内においては、真円な面を有する半導
体結晶２は常に特定の結晶方位を向くように配置され
る。このブレード５を装着し、切断機にセットされた半
導体結晶２に対して、以下の実施の形態による手法によ
り、半導体基板を製造する。 （第１の実施の形態）本発明における半導体基板の製造
方法において、効果的に、半導体基板にマーキングを行
うための半導体基板の製造装置を用いた場合の第１の実
施の形態について説明する。
【００３３】半導体結晶２をウェーハ状に切り出す切断
機には、図５（Ａ）に示すような回転する内周刃６によ
り切断する切断機、図５（Ｂ）に示すような回転する外
周刃７により切断する切断機、図５（Ｃ）に示すような
バンドソー８で切断する切断機、図５（Ｄ）に示すよう
な往復直線運動するワイヤソー９で切断する切断機など
があり、この切断機はレーザーマーキング装置に組み込
まれている。
機には、図５（Ａ）に示すような回転する内周刃６によ
り切断する切断機、図５（Ｂ）に示すような回転する外
周刃７により切断する切断機、図５（Ｃ）に示すような
バンドソー８で切断する切断機、図５（Ｄ）に示すよう
な往復直線運動するワイヤソー９で切断する切断機など
があり、この切断機はレーザーマーキング装置に組み込
まれている。
【００３４】例えば図５（Ａ）に示した内周刃６を有す
る切断機に対して、上記のレーザーマーキング装置は図
６、図７、あるいは図８に示す構成とされている。図６
に示すレーザーマーキング装置は、レーザー発振装置１
０からのレーザー光をシャッタ１１を介して光学レンズ
１２により半導体結晶２の真円である表面の特定の場所
に収束させてマーキングさせる構成である。このとき、
レーザー発振装置１０はレーザー光を半導体結晶の真円
である面の全ての部分に照射するための駆動装置により
矢印１３方向に移動され、１箇所以上の部分にマーキン
グを行うことができる。
る切断機に対して、上記のレーザーマーキング装置は図
６、図７、あるいは図８に示す構成とされている。図６
に示すレーザーマーキング装置は、レーザー発振装置１
０からのレーザー光をシャッタ１１を介して光学レンズ
１２により半導体結晶２の真円である表面の特定の場所
に収束させてマーキングさせる構成である。このとき、
レーザー発振装置１０はレーザー光を半導体結晶の真円
である面の全ての部分に照射するための駆動装置により
矢印１３方向に移動され、１箇所以上の部分にマーキン
グを行うことができる。
【００３５】図７に示すレーザーマーキング装置は、レ
ーザー発振装置１０からのレーザー光を、光学レンズ１
４、シャッタ１１及び反射ミラー１５を介して光学レン
ズ１２に入射し、これにより半導体結晶２の真円である
表面の特定の場所に収束させてマーキングさせる構成で
ある。このとき、レーザー発振装置１０はレーザー光を
半導体結晶の真円である面の全ての部分に照射するため
の駆動装置により矢印１３方向に移動され、１箇所以上
の部分にマーキングを行うことができる。
ーザー発振装置１０からのレーザー光を、光学レンズ１
４、シャッタ１１及び反射ミラー１５を介して光学レン
ズ１２に入射し、これにより半導体結晶２の真円である
表面の特定の場所に収束させてマーキングさせる構成で
ある。このとき、レーザー発振装置１０はレーザー光を
半導体結晶の真円である面の全ての部分に照射するため
の駆動装置により矢印１３方向に移動され、１箇所以上
の部分にマーキングを行うことができる。
【００３６】図８に示すレーザーマーキング装置は、レ
ーザー発振装置１０からのレーザー光を、光学レンズ１
４、シャッタ１１及び可動反射ミラー１６を介して可動
光学レンズ１７に入射し、これにより半導体結晶２の真
円である表面の特定の場所に収束させてマーキングさせ
る構成である。このとき、光学レンズ１４は駆動装置に
より矢印１３方向に移動され、また、可動反射ミラー１
６及び可動光学レンズ１７は駆動装置により矢印１８方
向に稼働されることにより、１箇所以上の部分にマーキ
ングを行うことができる。
ーザー発振装置１０からのレーザー光を、光学レンズ１
４、シャッタ１１及び可動反射ミラー１６を介して可動
光学レンズ１７に入射し、これにより半導体結晶２の真
円である表面の特定の場所に収束させてマーキングさせ
る構成である。このとき、光学レンズ１４は駆動装置に
より矢印１３方向に移動され、また、可動反射ミラー１
６及び可動光学レンズ１７は駆動装置により矢印１８方
向に稼働されることにより、１箇所以上の部分にマーキ
ングを行うことができる。
【００３７】このようにして、上記の切断機は常に特定
の結晶方位を向くように配置され、固定された半導体結
晶２の真円である表面の特定の場所において、レーザー
マーキング装置により１箇所以上の部分にマーキングさ
せる。
の結晶方位を向くように配置され、固定された半導体結
晶２の真円である表面の特定の場所において、レーザー
マーキング装置により１箇所以上の部分にマーキングさ
せる。
【００３８】マーキングの形状は、半導体装置の製造工
程において、ウェーハの結晶方位を調べるためのセンサ
ーが認識できる形状であればどのような形状であっても
可能である。すなわち、図１１（Ａ）〜（Ｅ）に示すよ
うに、ウェーハ３１上の特定の位置に、直線状の認識マ
ーク３２、平行な直線により構成された認識マーク３
２、点状の認識マーク３３、３本の平行線により構成さ
れた認識マーク３４、１本の直線により構成された認識
マーク３６等の様々な形状がある。
程において、ウェーハの結晶方位を調べるためのセンサ
ーが認識できる形状であればどのような形状であっても
可能である。すなわち、図１１（Ａ）〜（Ｅ）に示すよ
うに、ウェーハ３１上の特定の位置に、直線状の認識マ
ーク３２、平行な直線により構成された認識マーク３
２、点状の認識マーク３３、３本の平行線により構成さ
れた認識マーク３４、１本の直線により構成された認識
マーク３６等の様々な形状がある。
【００３９】この認識マークは特に半導体装置の製造工
程におけるリソグラフィー工程において、半導体基板の
アライメントが簡便に行なえる形状が望ましい。また、
認識マークだけでなく、半導体結晶の製造時における管
理番号をマーキングし、この管理番号をアライメントに
用いることも可能である。
程におけるリソグラフィー工程において、半導体基板の
アライメントが簡便に行なえる形状が望ましい。また、
認識マークだけでなく、半導体結晶の製造時における管
理番号をマーキングし、この管理番号をアライメントに
用いることも可能である。
【００４０】半導体結晶２（ウェーハ３１）に対して、
このような形状の認識マーク３２〜３６を形成する位置
は、結晶方位を簡便に知ることができる位置が望まし
く、よって［１００］、［１１０］、［１１１］、［５
１１］等の結晶方位に形成することが望ましい。また、
１箇所でのマーキングではなく、２箇所でのマーキング
は、アライメント精度を向上させ、更に有効である。
このような形状の認識マーク３２〜３６を形成する位置
は、結晶方位を簡便に知ることができる位置が望まし
く、よって［１００］、［１１０］、［１１１］、［５
１１］等の結晶方位に形成することが望ましい。また、
１箇所でのマーキングではなく、２箇所でのマーキング
は、アライメント精度を向上させ、更に有効である。
【００４１】例えば、点状の認識マーク３４を例にとる
と、図１２（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、もう一つの点
状の認識マーク３７〜４１との間の角度を４５゜、６０
゜、９０゜、１２０゜、１８０゜等の所定の角度とした
り、あるいは、図１２（Ｆ）に示すように、２つの認識
マーク３４と４２が特定の結晶方位に対して線対称な位
置に形成されるようにすることが望ましい。また、これ
らの認識マークの位置関係を組み合わせることにより、
３箇所以上にマーキングすることも可能である。
と、図１２（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、もう一つの点
状の認識マーク３７〜４１との間の角度を４５゜、６０
゜、９０゜、１２０゜、１８０゜等の所定の角度とした
り、あるいは、図１２（Ｆ）に示すように、２つの認識
マーク３４と４２が特定の結晶方位に対して線対称な位
置に形成されるようにすることが望ましい。また、これ
らの認識マークの位置関係を組み合わせることにより、
３箇所以上にマーキングすることも可能である。
【００４２】半導体基板の製造工程において、切断機に
よって切断された半導体基板（ウェーハ）３１は、その
後機械研磨、機械的科学的研磨等の工程により、４０〜
１５０μｍの厚さが無くなる。従って、マーキングを行
う際には、この厚さ以上のマーキングを行うことが必要
で、おおよそ５０〜２００μｍの深さのレーザーマーキ
ングを行うことが望ましい。
よって切断された半導体基板（ウェーハ）３１は、その
後機械研磨、機械的科学的研磨等の工程により、４０〜
１５０μｍの厚さが無くなる。従って、マーキングを行
う際には、この厚さ以上のマーキングを行うことが必要
で、おおよそ５０〜２００μｍの深さのレーザーマーキ
ングを行うことが望ましい。
【００４３】また、切断時における半導体結晶や、切断
用刃の切り屑がレーザーマーキングを行う部分に残って
いることで、均一なマーキングが行えない場合が生じる
ため、マーキングを行う前に半導体結晶の切断表面を洗
浄することで、均一なマーキングを行うことができ、更
に有効である。
用刃の切り屑がレーザーマーキングを行う部分に残って
いることで、均一なマーキングが行えない場合が生じる
ため、マーキングを行う前に半導体結晶の切断表面を洗
浄することで、均一なマーキングを行うことができ、更
に有効である。
【００４４】上記のようにマーキングされた半導体結晶
２は、切断機によりウェーハ状に切断される。切断後の
残りの半導体結晶２に対して、同じ位置に再度マーキン
グを行い、再びウェーハ状に切断する。以後この繰り返
し作業によって、ウェーハ状に切断された半導体基板
（ウェーハ）３１は、すべて同じ結晶方位にマーキング
されることになる。 （第２の実施の形態）次に、本発明における半導体基板
の製造方法において、効果的に、半導体基板にマーキン
グを行うための半導体基板の製造装置を用いた場合の第
２の実施の形態について説明する。
２は、切断機によりウェーハ状に切断される。切断後の
残りの半導体結晶２に対して、同じ位置に再度マーキン
グを行い、再びウェーハ状に切断する。以後この繰り返
し作業によって、ウェーハ状に切断された半導体基板
（ウェーハ）３１は、すべて同じ結晶方位にマーキング
されることになる。 （第２の実施の形態）次に、本発明における半導体基板
の製造方法において、効果的に、半導体基板にマーキン
グを行うための半導体基板の製造装置を用いた場合の第
２の実施の形態について説明する。
【００４５】この第２の実施の形態では、図５（Ａ）〜
（Ｄ）に示した、内周刃６、外周刃７、バンドソー８、
ワイヤソー９等の切断用の刃を有した切断機は、図９に
示すレーザーマーキング装置が組み込まれている。図９
に示すレーザーマーキング装置は、レーザーマーキング
を行うためのレーザー発振装置１０及びレーザー光の焦
点を半導体結晶２の表面に合わせるための光学レンズ１
２等で構成された光学システムと、レーザー光を遮断す
るためのシャッタ１１と、レーザー光を半導体結晶２の
真円である面の全ての部分に照射するために矢印１３方
向にレーザー発振装置１０などを駆動する駆動装置を有
した構成である。
（Ｄ）に示した、内周刃６、外周刃７、バンドソー８、
ワイヤソー９等の切断用の刃を有した切断機は、図９に
示すレーザーマーキング装置が組み込まれている。図９
に示すレーザーマーキング装置は、レーザーマーキング
を行うためのレーザー発振装置１０及びレーザー光の焦
点を半導体結晶２の表面に合わせるための光学レンズ１
２等で構成された光学システムと、レーザー光を遮断す
るためのシャッタ１１と、レーザー光を半導体結晶２の
真円である面の全ての部分に照射するために矢印１３方
向にレーザー発振装置１０などを駆動する駆動装置を有
した構成である。
【００４６】切断機（図９では図５（Ａ）の切断機を使
用した場合を例にとっている）によりウェーハ状に切断
された半導体基板３１が、真空チャック１９等の吸着機
構を有した搬送機構により、レーザーマーキングを行う
べき場所に搬送される。このとき、搬送機構は結晶方位
が狂うことなく搬送することが重要である。そして、こ
のレーザーマーキング装置は、半導体基板３１の真円で
ある表面の特定の場所において１箇所以上の部分にマー
キングを行う。
用した場合を例にとっている）によりウェーハ状に切断
された半導体基板３１が、真空チャック１９等の吸着機
構を有した搬送機構により、レーザーマーキングを行う
べき場所に搬送される。このとき、搬送機構は結晶方位
が狂うことなく搬送することが重要である。そして、こ
のレーザーマーキング装置は、半導体基板３１の真円で
ある表面の特定の場所において１箇所以上の部分にマー
キングを行う。
【００４７】マーキングの形状は、半導体装置の製造工
程において、ウェーハの結晶方位を調べるためのセンサ
ーが認識できる形状であればどのような形状であっても
可能である。すなわち、図１１（Ａ）〜（Ｅ）に示すよ
うに、ウェーハ３１上の特定の位置に、直線状の認識マ
ーク３２、平行な直線により構成された認識マーク３
２、点状の認識マーク３３、３本の平行線により構成さ
れた認識マーク３４、１本の直線により構成された認識
マーク３６等の様々な形状がある。
程において、ウェーハの結晶方位を調べるためのセンサ
ーが認識できる形状であればどのような形状であっても
可能である。すなわち、図１１（Ａ）〜（Ｅ）に示すよ
うに、ウェーハ３１上の特定の位置に、直線状の認識マ
ーク３２、平行な直線により構成された認識マーク３
２、点状の認識マーク３３、３本の平行線により構成さ
れた認識マーク３４、１本の直線により構成された認識
マーク３６等の様々な形状がある。
【００４８】この認識マークは特に半導体装置の製造工
程におけるリソグラフィー工程において、半導体基板の
アライメントが簡便に行なえる形状が望ましい。また、
認識マークだけでなく、半導体結晶の製造時における管
理番号をマーキングし、この管理番号をアライメントに
用いることも可能である。
程におけるリソグラフィー工程において、半導体基板の
アライメントが簡便に行なえる形状が望ましい。また、
認識マークだけでなく、半導体結晶の製造時における管
理番号をマーキングし、この管理番号をアライメントに
用いることも可能である。
【００４９】半導体結晶２（ウェーハ３１）に対して、
このような形状の認識マーク３２〜３６を形成する位置
は、結晶方位を簡便に知ることができる位置が望まし
く、よって［１００］、［１１０］、［１１１］、［５
１１］等の結晶方位に形成することが望ましい。また、
１箇所でのマーキングではなく、２箇所でのマーキング
は、アライメント精度を向上させ、更に有効である。
このような形状の認識マーク３２〜３６を形成する位置
は、結晶方位を簡便に知ることができる位置が望まし
く、よって［１００］、［１１０］、［１１１］、［５
１１］等の結晶方位に形成することが望ましい。また、
１箇所でのマーキングではなく、２箇所でのマーキング
は、アライメント精度を向上させ、更に有効である。
【００５０】例えば、点状の認識マーク３４を例にとる
と、図１２（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、もう一つの点
状の認識マーク３７〜４１との間の角度を４５゜、６０
゜、９０゜、１２０゜、１８０゜等の所定の角度とした
り、あるいは、図１２（Ｆ）に示すように、２つの認識
マーク３４と４２が特定の結晶方位に対して線対象な位
置に形成されるようにすることが望ましい。また、これ
らの認識マークの位置関係を組み合わせることにより、
３箇所以上にマーキングすることも可能である。
と、図１２（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、もう一つの点
状の認識マーク３７〜４１との間の角度を４５゜、６０
゜、９０゜、１２０゜、１８０゜等の所定の角度とした
り、あるいは、図１２（Ｆ）に示すように、２つの認識
マーク３４と４２が特定の結晶方位に対して線対象な位
置に形成されるようにすることが望ましい。また、これ
らの認識マークの位置関係を組み合わせることにより、
３箇所以上にマーキングすることも可能である。
【００５１】半導体基板の製造工程において、切断機に
よって切断された半導体基板（ウェーハ）３１は、その
後機械研磨、機械的科学的研磨等の工程により、４０〜
１５０μｍの厚さが無くなる。従って、マーキングを行
う際には、この厚さ以上のマーキングを行うことが必要
で、おおよそ５０〜２００μｍの深さのレーザーマーキ
ングを行うことが望ましい。
よって切断された半導体基板（ウェーハ）３１は、その
後機械研磨、機械的科学的研磨等の工程により、４０〜
１５０μｍの厚さが無くなる。従って、マーキングを行
う際には、この厚さ以上のマーキングを行うことが必要
で、おおよそ５０〜２００μｍの深さのレーザーマーキ
ングを行うことが望ましい。
【００５２】また、切断時における半導体結晶や、切断
用刃の切り屑がレーザーマーキングを行う部分に残って
いることで、均一なマーキングが行えない場合が生じる
ため、マーキングを行う前に半導体結晶の切断表面を洗
浄することで、均一なマーキングを行うことができ、更
に有効である。
用刃の切り屑がレーザーマーキングを行う部分に残って
いることで、均一なマーキングが行えない場合が生じる
ため、マーキングを行う前に半導体結晶の切断表面を洗
浄することで、均一なマーキングを行うことができ、更
に有効である。
【００５３】マーキングされた半導体基板３１は、別の
場所へ搬送され、次に半導体結晶２から切断された半導
体基板３１に対しても、同じ位置に再度マーキングを行
う。以後この繰り返し作業によって、ウェーハ状に切断
された半導体基板３１は、すべて同じ結晶方位にマーキ
ングされる。 （第３の実施の形態）次に、本発明における半導体基板
の製造方法において、効果的に、半導体基板にマーキン
グを行うための第３の実施の形態について説明する。
場所へ搬送され、次に半導体結晶２から切断された半導
体基板３１に対しても、同じ位置に再度マーキングを行
う。以後この繰り返し作業によって、ウェーハ状に切断
された半導体基板３１は、すべて同じ結晶方位にマーキ
ングされる。 （第３の実施の形態）次に、本発明における半導体基板
の製造方法において、効果的に、半導体基板にマーキン
グを行うための第３の実施の形態について説明する。
【００５４】この第３の実施の形態では図５（Ａ）〜
（Ｄ）に示した切断機により、ウェーハ状に切断された
半導体基板３１を、図１０（Ｃ）に示すオリフラ検出機
２７を有したレーザーマーキング装置によりレーザーマ
ーキングする。図１０（Ｃ）において、レーザー発振装
置１０からのレーザー光は、光学レンズ２３、シャッタ
２４及び反射ミラー２５を介して光学レンズ２６に入射
し、これによりウェーハ状に切断された半導体結晶３１
の真円である表面の特定の場所に収束されて１箇所以上
の部分にマーキングする。
（Ｄ）に示した切断機により、ウェーハ状に切断された
半導体基板３１を、図１０（Ｃ）に示すオリフラ検出機
２７を有したレーザーマーキング装置によりレーザーマ
ーキングする。図１０（Ｃ）において、レーザー発振装
置１０からのレーザー光は、光学レンズ２３、シャッタ
２４及び反射ミラー２５を介して光学レンズ２６に入射
し、これによりウェーハ状に切断された半導体結晶３１
の真円である表面の特定の場所に収束されて１箇所以上
の部分にマーキングする。
【００５５】ここで、半導体結晶３１の真円である表面
の特定の場所はオリフラ検出機２７により検出される。
すなわち、オリフラ検出器２７は図１０（Ｂ）に示すよ
うに、光源２１と受光器２２が対向配置された構成であ
り、その光路中に半導体基板３１を配置する。
の特定の場所はオリフラ検出機２７により検出される。
すなわち、オリフラ検出器２７は図１０（Ｂ）に示すよ
うに、光源２１と受光器２２が対向配置された構成であ
り、その光路中に半導体基板３１を配置する。
【００５６】ここで、切断機で切断された半導体基板３
１はブレード５と共に切断されているため、図１０
（Ａ）に示すように、ある特定の結晶方位に切断された
ブレード５が付いたままの状態となっている。従って、
オリフラ検出機２７の設定及び検出装置部分（光源２
１、受光器２２）の位置を調整することで、この切断さ
れたブレード５を検出することができ、これにより真円
状の半導体基板３１の特定の結晶方位を検出することが
できる。
１はブレード５と共に切断されているため、図１０
（Ａ）に示すように、ある特定の結晶方位に切断された
ブレード５が付いたままの状態となっている。従って、
オリフラ検出機２７の設定及び検出装置部分（光源２
１、受光器２２）の位置を調整することで、この切断さ
れたブレード５を検出することができ、これにより真円
状の半導体基板３１の特定の結晶方位を検出することが
できる。
【００５７】マーキングの形状は、半導体装置の製造工
程に於いて、ウェーハの結晶方位を調べるためのセンサ
ーが認識できる形状であればどのような形状であっても
可能である。すなわち、図１１（Ａ）〜（Ｅ）に示すよ
うに、ウェーハ３１上の特定の位置に、直線状の認識マ
ーク３２、平行な直線により構成された認識マーク３
２、点状の認識マーク３３、３本の平行線により構成さ
れた認識マーク３４、１本の直線により構成された認識
マーク３６等の様々な形状がある。
程に於いて、ウェーハの結晶方位を調べるためのセンサ
ーが認識できる形状であればどのような形状であっても
可能である。すなわち、図１１（Ａ）〜（Ｅ）に示すよ
うに、ウェーハ３１上の特定の位置に、直線状の認識マ
ーク３２、平行な直線により構成された認識マーク３
２、点状の認識マーク３３、３本の平行線により構成さ
れた認識マーク３４、１本の直線により構成された認識
マーク３６等の様々な形状がある。
【００５８】この認識マークは特に半導体装置の製造工
程におけるリソグラフィー工程において、半導体基板の
アライメントが簡便に行なえる形状が望ましい。また、
認識マークだけでなく、半導体結晶の製造時における管
理番号をマーキングし、この管理番号をアライメントに
用いることも可能である。
程におけるリソグラフィー工程において、半導体基板の
アライメントが簡便に行なえる形状が望ましい。また、
認識マークだけでなく、半導体結晶の製造時における管
理番号をマーキングし、この管理番号をアライメントに
用いることも可能である。
【００５９】半導体結晶２（ウェーハ３１）に対して、
このような形状の認識マーク３２〜３６を形成する位置
は、結晶方位を簡便に知ることができる位置が望まし
く、よって［１００］、［１１０］、［１１１］、［５
１１］等の結晶方位に形成することが望ましい。また、
１箇所でのマーキングではなく、２箇所でのマーキング
は、アライメント精度を向上させ、更に有効である。
このような形状の認識マーク３２〜３６を形成する位置
は、結晶方位を簡便に知ることができる位置が望まし
く、よって［１００］、［１１０］、［１１１］、［５
１１］等の結晶方位に形成することが望ましい。また、
１箇所でのマーキングではなく、２箇所でのマーキング
は、アライメント精度を向上させ、更に有効である。
【００６０】例えば、点状の認識マーク３４を例にとる
と、図１２（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、もう一つの点
状の認識マーク３７〜４１との間の角度を４５゜、６０
゜、９０゜、１２０゜、１８０゜等の所定の角度とした
り、あるいは、図１２（Ｆ）に示すように、２つの認識
マーク３４と４２が特定の結晶方位に対して線対象な位
置に形成されるようにすることが望ましい。また、これ
らの認識マークの位置関係を組み合わせることにより、
３箇所以上にマーキングすることも可能である。
と、図１２（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、もう一つの点
状の認識マーク３７〜４１との間の角度を４５゜、６０
゜、９０゜、１２０゜、１８０゜等の所定の角度とした
り、あるいは、図１２（Ｆ）に示すように、２つの認識
マーク３４と４２が特定の結晶方位に対して線対象な位
置に形成されるようにすることが望ましい。また、これ
らの認識マークの位置関係を組み合わせることにより、
３箇所以上にマーキングすることも可能である。
【００６１】半導体基板の製造工程において、切断機に
よって切断された半導体基板（ウェーハ）３１は、その
後機械研磨、機械的科学的研磨等の工程により、４０〜
１５０μｍの厚さが無くなる。従って、マーキングを行
う際には、この厚さ以上のマーキングを行うことが必要
で、おおよそ５０〜２００μｍの深さのレーザーマーキ
ングを行うことが望ましい。
よって切断された半導体基板（ウェーハ）３１は、その
後機械研磨、機械的科学的研磨等の工程により、４０〜
１５０μｍの厚さが無くなる。従って、マーキングを行
う際には、この厚さ以上のマーキングを行うことが必要
で、おおよそ５０〜２００μｍの深さのレーザーマーキ
ングを行うことが望ましい。
【００６２】また、切断時における半導体結晶や、切断
用刃の切り屑がレーザーマーキングを行う部分に残って
いることで、均一なマーキングが行えない場合が生じる
ため、マーキングを行う前に半導体結晶の切断表面を洗
浄することで、均一なマーキングを行うことができ、更
に有効である。
用刃の切り屑がレーザーマーキングを行う部分に残って
いることで、均一なマーキングが行えない場合が生じる
ため、マーキングを行う前に半導体結晶の切断表面を洗
浄することで、均一なマーキングを行うことができ、更
に有効である。
【００６３】この作業によって、ウェーハ状に切断され
た半導体基板３１は、すべて同じ結晶方位にマーキング
されることになる。 （第４の実施の形態）次に、本発明の第４の実施の形態
について説明する。この第４の実施の形態は、前記した
第１、第２、第３の実施の形態による半導体基板の製造
方法によりマーキングされた半導体基板の半導体基板の
もう一方の面に対してもマーキングし、両面に同一のマ
ーキングを形成する。
た半導体基板３１は、すべて同じ結晶方位にマーキング
されることになる。 （第４の実施の形態）次に、本発明の第４の実施の形態
について説明する。この第４の実施の形態は、前記した
第１、第２、第３の実施の形態による半導体基板の製造
方法によりマーキングされた半導体基板の半導体基板の
もう一方の面に対してもマーキングし、両面に同一のマ
ーキングを形成する。
【００６４】これにより、半導体装置の製造時に、結晶
方位を認識する装置が、半導体基板の表面側及び裏面側
のどちらからでも認識が可能となる。 （第５の実施の形態）次に、本発明の第５の実施の形態
について説明する。この第５の実施の形態は、前記第１
乃至第４の実施の形態による半導体基板の製造方法にお
いて、レーザーマーキング法により行っていたマーキン
グを、機械的研磨法によりマーキングするものである。
方位を認識する装置が、半導体基板の表面側及び裏面側
のどちらからでも認識が可能となる。 （第５の実施の形態）次に、本発明の第５の実施の形態
について説明する。この第５の実施の形態は、前記第１
乃至第４の実施の形態による半導体基板の製造方法にお
いて、レーザーマーキング法により行っていたマーキン
グを、機械的研磨法によりマーキングするものである。
【００６５】すなわち、第１及び第２の実施の形態のレ
ーザーマーキング装置に代えて、半導体結晶の切断機内
にドリル用の刃及びこの刃を回転させるための回転軸を
有し、これにより、半導体結晶２若しくは半導体基板３
１に対して図１１（Ｃ）に示したような点状のマーキン
グを機械的に行う。また、第３の実施の形態のレーザー
マーキング装置に代えて、オリフラ検出装置を有したド
リル装置により、半導体結晶のある特定の結晶方位に対
して同様に機械的にマーキングを行う。
ーザーマーキング装置に代えて、半導体結晶の切断機内
にドリル用の刃及びこの刃を回転させるための回転軸を
有し、これにより、半導体結晶２若しくは半導体基板３
１に対して図１１（Ｃ）に示したような点状のマーキン
グを機械的に行う。また、第３の実施の形態のレーザー
マーキング装置に代えて、オリフラ検出装置を有したド
リル装置により、半導体結晶のある特定の結晶方位に対
して同様に機械的にマーキングを行う。
【００６６】以上の手法により切り出され、マーキング
された半導体基板は、次に面取り作業されてウェーハ周
辺部の形状を加工し、カケ、チップ等の発生を防ぐ。次
に、機械研磨により半導体基板の表面凹凸を削り、平坦
度及び平行度を高める作業を行う。
された半導体基板は、次に面取り作業されてウェーハ周
辺部の形状を加工し、カケ、チップ等の発生を防ぐ。次
に、機械研磨により半導体基板の表面凹凸を削り、平坦
度及び平行度を高める作業を行う。
【００６７】その後、化学エッチング、ゲッタリング処
理、酸素ドナー消去熱処理、機械的化学的研磨（鏡面研
磨）、洗浄、無欠陥層形成熱処理、析出成長熱処理、エ
ピタキシャル層形成、裏面ゲッタリング層形成等の作業
工程を必要に応じて行い、半導体基板を形成する。
理、酸素ドナー消去熱処理、機械的化学的研磨（鏡面研
磨）、洗浄、無欠陥層形成熱処理、析出成長熱処理、エ
ピタキシャル層形成、裏面ゲッタリング層形成等の作業
工程を必要に応じて行い、半導体基板を形成する。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
１枚１枚の半導体基板に対して結晶方位をＸ線回折法等
の手法により調べる作業を不要にできるため、半導体基
板の製造工程の工程数を従来より簡略化でき、よって、
真円の半導体基板に対してある特定の結晶方位を示すマ
ーキングを従来に比べ簡便に形成することができ、半導
体基板の製造効率を高めることができる。
１枚１枚の半導体基板に対して結晶方位をＸ線回折法等
の手法により調べる作業を不要にできるため、半導体基
板の製造工程の工程数を従来より簡略化でき、よって、
真円の半導体基板に対してある特定の結晶方位を示すマ
ーキングを従来に比べ簡便に形成することができ、半導
体基板の製造効率を高めることができる。
【図１】本発明の第１、第２、第３、第４、第５の実施
の形態における半導体基板の製造方法で用いる半導体結
晶の切断前の形状を示す図である。
の形態における半導体基板の製造方法で用いる半導体結
晶の切断前の形状を示す図である。
【図２】本発明の第１、第２、第３、第４、第５の実施
の形態における半導体基板の製造方法で用いる半導体結
晶のブロック切断後の形状を示す図である。
の形態における半導体基板の製造方法で用いる半導体結
晶のブロック切断後の形状を示す図である。
【図３】本発明の第１、第２、第３、第４、第５の実施
の形態における半導体基板の製造方法における特定結晶
方位測定方法を説明する図である。
の形態における半導体基板の製造方法における特定結晶
方位測定方法を説明する図である。
【図４】本発明の第１、第２、第３、第４、第５の実施
の形態における半導体基板の製造方法で用いるブレード
が装着された半導体結晶を示す図である。
の形態における半導体基板の製造方法で用いるブレード
が装着された半導体結晶を示す図である。
【図５】本発明の第１、第２、第３、第４、第５の実施
の形態における半導体基板の製造方法において、半導体
結晶の切断方法の各例を示す図である。
の形態における半導体基板の製造方法において、半導体
結晶の切断方法の各例を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態におけるマーキング
方法及び装置構成の一例を示す図である。
方法及び装置構成の一例を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態におけるマーキング
方法及び装置構成の他の例を示す図である。
方法及び装置構成の他の例を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態におけるマーキング
方法及び装置構成の更に他の例を示す図である。
方法及び装置構成の更に他の例を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態におけるマーキング
方法の一例を示す図である。
方法の一例を示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態におけるマーキン
グ方法及び装置構成を説明する図である。
グ方法及び装置構成を説明する図である。
【図１１】本発明の各実施の形態におけるマーキング形
状の各例を示す図である。
状の各例を示す図である。
【図１２】本発明の各実施の形態におけるマーキングを
行う位置関係の各例を示す図である。
行う位置関係の各例を示す図である。
【図１３】オリエンテーションフラット及びノッチを説
明する図である。
明する図である。
【図１４】従来の真円の半導体基板の一例を示す図であ
る。
る。
【図１５】従来の真円の半導体基板の他の例を示す図で
ある。
ある。
【図１６】従来のレーザ−マーキング装置の一例の構成
図である。
図である。
２ 半導体結晶 ３ Ｘ線源 ４ 計数管 ５ ブレード ６ 内周刃 ７ 外周刃 ８ バンドソー ９ ワイヤソー １０ レーザー発振装置 １１、２４ シャッタ １２、２３、２６ 光学レンズ １５、２５ 反射ミラー １６ 可動反射ミラー １７ 可動光学レンズ １９ 真空チャック ２１ 光源 ２２ 受光器 ２７ オリフラ検出機 ３１ 半導体基板（ウェーハ） ３２〜４２ 結晶方位認識用の認識マーク
Claims (7)
- 【請求項１】 特定の結晶方位に対応した位置にブレー
ドが装着された、真円である面を有する円柱状の半導体
結晶の、該真円である表面の特定の場所に結晶方位認識
用の認識マークのマーキングを１箇所以上行うマーキン
グ手段と、 該マーキング手段によりマーキングされた前記半導体結
晶をウェーハ状に切り出す切断機とを有し、前記マーキ
ング手段によるマーキングと前記切断機による切断とを
交互に繰り返すことを特徴とする半導体基板の製造装
置。 - 【請求項２】 特定の結晶方位に対応した位置にブレー
ドが装着された、真円である面を有する円柱状の半導体
結晶からウェーハ状の半導体基板を切り出す切断機と、 前記ウェーハ状に切り出された前記半導体基板を搬送す
る搬送機構と、 前記搬送機構により搬送された前記半導体基板の表面の
特定の場所に結晶方位認識用の認識マークのマーキング
を１箇所以上行うマーキング手段とを有し、前記切断機
による切断と前記マーキング手段によるマーキングとを
交互に繰り返すことを特徴とする半導体基板の製造装
置。 - 【請求項３】 特定の結晶方位に対応した位置にブレー
ドが装着された、真円である面を有する円柱状の半導体
結晶から、前記ブレードと共にウェーハ状の半導体基板
を切り出す切断機と、 前記ウェーハ状に切り出された前記半導体基板の表面の
特定の結晶方位を検出する検出手段と、 前記検出手段により検出された前記半導体基板の表面の
特定の結晶方位位置に、結晶方位認識用の認識マークの
マーキングを１箇所以上行うマーキング手段とを有する
ことを特徴とする半導体基板の製造装置。 - 【請求項４】 前記マーキング手段によるマーキング
は、前記半導体基板の表面と裏面の両方に行うことを特
徴とする請求項２又は３記載の半導体基板の製造装置。 - 【請求項５】 真円である面を有する円柱状の半導体結
晶の特定の結晶方位に対応した位置にブレードを装着す
る第１の工程と、 前記ブレードが装着された前記半導体結晶の真円である
表面の特定の場所に結晶方位認識用の認識マークのマー
キングを１箇所以上行う第２の工程と、 該第２の工程によりマーキングされた前記半導体結晶を
ウェーハ状に切り出す第３の工程とを含むことを特徴と
する半導体基板の製造方法。 - 【請求項６】 真円である面を有する円柱状の半導体結
晶の特定の結晶方位に対応した位置にブレードを装着す
る第１の工程と、 前記ブレードが装着された前記半導体結晶から前記ブレ
ードと共にウェーハ状に半導体基板を切り出す第２の工
程と、 切り出された前記半導体基板の表面の特定の場所に結晶
方位認識用の認識マークのマーキングを１箇所以上行う
第３の工程とを含むことを特徴とする半導体基板の製造
方法。 - 【請求項７】 前記マーキングは、前記半導体基板の表
面と裏面の両方に行うことを特徴とする請求項６記載の
半導体基板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282873A JP2943673B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 半導体基板の製造装置及び製造方法 |
| KR1019960050585A KR100227992B1 (ko) | 1995-10-31 | 1996-10-31 | 완전 원형 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
| US08/739,891 US5716876A (en) | 1995-10-31 | 1996-10-31 | Method for manufacturing completely circular semiconductor wafers |
| TW085114009A TW344093B (en) | 1995-10-31 | 1996-11-15 | Method for manufacturing completely circular semiconductor wafers |
| US08/966,060 US5927263A (en) | 1995-10-31 | 1997-11-07 | Method for manufacturing completely circular semiconductor wafers |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282873A JP2943673B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 半導体基板の製造装置及び製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129578A true JPH09129578A (ja) | 1997-05-16 |
| JP2943673B2 JP2943673B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=17658197
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7282873A Expired - Fee Related JP2943673B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 半導体基板の製造装置及び製造方法 |
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|---|---|
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| KR (1) | KR100227992B1 (ja) |
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-
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