JPH05318460A - 半導体ウエハのスライシング方法 - Google Patents

半導体ウエハのスライシング方法

Info

Publication number
JPH05318460A
JPH05318460A JP4132678A JP13267892A JPH05318460A JP H05318460 A JPH05318460 A JP H05318460A JP 4132678 A JP4132678 A JP 4132678A JP 13267892 A JP13267892 A JP 13267892A JP H05318460 A JPH05318460 A JP H05318460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
displacement
blade
cutting
cut
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4132678A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Tsukada
修一 塚田
Takeshi Doi
健 土井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP4132678A priority Critical patent/JPH05318460A/ja
Priority to EP93108304A priority patent/EP0575757B1/en
Priority to DE69308937T priority patent/DE69308937T2/de
Priority to US08/065,755 priority patent/US5458526A/en
Priority to KR1019930009105A priority patent/KR0185235B1/ko
Publication of JPH05318460A publication Critical patent/JPH05318460A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D59/00—Accessories specially designed for sawing machines or sawing devices
    • B23D59/001—Measuring or control devices, e.g. for automatic control of work feed pressure on band saw blade
    • B23D59/002—Measuring or control devices, e.g. for automatic control of work feed pressure on band saw blade for the position of the saw blade
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 椀形のウエハを加工する。 【構成】 センサ３２がブレード変位を検知すると、制
御装置２６はブレード１６のインゴット１８の外周縁の
変位量を演算する。制御装置２６はエアー圧力調整装置
３６をコントロールしてエアーパッド３０を作動し、外
周縁のブレード変位を零にする。これによりウエハ外周
縁の変位は零となり、椀形のウエハが加工出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハのスライシ
ング方法に係り、特に椀型のウエハを加工できる半導体
ウエハのスライシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スライシングマシンの内周刃又は外周刃
の刃先部分はダイヤモンド砥粒から構成される。これら
の刃先は使用により偏磨耗し、この偏磨耗によりいずれ
かの方向の切断曲線を描く。例えば切断刃が上向きに反
る形状に磨耗していると、切断が進み切断抵抗が大きく
なると徐々にウエハの反り形状も上方に大きくなり、最
大切断長で切断抵抗が最大となるので上方の反り変位も
最大となる。更に切断が進行すると、切断長が除々に小
さくなり切断抵抗が小さくなり、反り変位も徐々に小さ
くなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなスライシ
ング方法では上又は下の反り形状のウエハが加工される
不具合がある。従来、このような不具合を解消する為に
ウエハの反りコントロールが実施されている。即ち、セ
ンサでブレードの変位を検出し、このセンサの位置のブ
レード変位が零になるようにエアーパッドを作動させて
反りコントロールを行なっている。別の従来の反りコン
トロールとしては、半導体材料の切断位置の中心部の変
位が零になるようにエアパッドを作動させて切断してい
る。
【０００４】しかしながら従来のスライシング方法は、
センサ位置、若しくは中心位置のブレード変位を零にす
るようにエアーパッドをコントロールしているので、図
４に示すように円筒形ウエハ、くら形ウエハになる欠点
がある。このような円筒形ウエハ、くら形ウエハは図５
で示す椀形ウエハと異なってウエハの後処理加工に不利
である。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、椀形のウエハが加工できる半導体ウエハのスラ
イシング方法を提案することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
する為に、回転するスピンドルに切断刃を取付け、切断
刃に半導体材料を押し付け、切断刃又は半導体材料を相
対的に近づくように移動して半導体材料を薄片状に切断
する半導体ウエハのスライシング方法であって、切断刃
の軸方向変位をセンサで検知すると共にその変位をエア
ーパッドで修正しながら切断する半導体ウエハのスライ
シング方法に於いて、切断に伴って変化する半導体材料
の切断周縁に対する前記センサと前記エアーパッドとの
位置関係から、切断されるウエハ周縁の切断刃変位量を
演算し、この変位量が零となるように前記エアパッドを
作動することを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明に係る半導体ウエハのスライシング方法
では、変化する切断位置に対するセンサとエアパッドの
位置関係から、切断されるウエハの周縁のブレード変位
を零にするようにエアパッドの作動量を決定し、これに
より半導体材料の各切断位置で切断されるウエハの周縁
の変位を零にすることが出来る。この結果、椀形のウエ
ハを加工することが出来る。
【０００８】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係る半導体ウ
エハのスライシング方法の好ましい実施例について詳説
する。図１に於いて、スピンドル１０の上端部にはチャ
ックボディ１２が固着されており、更にスピンドル１０
の下端部には図示していないモータが連結され、これに
よりスピンドル１０、チャックボディ１２は回転するよ
うになっている。
【０００９】チャックボディ１２にはドーナツ状のブレ
ード１４の外周縁が張り上げられ、このブレード１４の
内周縁には内周刃１６が形成されている。内周刃１６は
微細なダイヤモンド砥粒などで構成されている。また、
このブレード１４はその外周縁がチャックボディ１２の
図示していない公知の増し張り機構によりその張力が調
整できるようになっている。
【００１０】半導体インゴット１８の上端がワーク支持
台２１に固着されている。また、インゴット１８は切断
送り機構２２により切断送り方向（Ｘ−Ｘ方向）に移動
できるようになっており、更に前記ワーク支持台２１は
ワーク割出し機構２４によりワーク割出し方向（Ｚ−Ｚ
方向）に移動できるようになっている。これら切断送り
機構２２並びにワーク割出し機構２４は制御装置２６か
らの指令信号により駆動されるようになっている。
【００１１】更に、ブレード１４の上面には図１及び図
２に示すように、非接触式の一対のエアーパッド３０、
３０、ブレードセンサ３２、３２が配置されている。こ
のブレードセンサ３２、３２によりブレード１４の変位
を検出し、エアーパッド３０、３０によりブレード１４
の変位を修正することが出来る。更にこのブレードセン
サ３２、３２は制御装置２６と接続され、制御装置２６
はエアー圧力調整装置３６をコントロールしてエアーパ
ッド２０、２０を作動するようになっている。
【００１２】以上の如く構成されたスライシングマシン
により本発明のウエハのスライシングマシンは次の如く
実施される。先ず、インゴット１８を内周刃１６に向け
てＸ方向に移動し、切断を開始する。一般に切断抵抗、
切断長さ、インゴット送りスピードとの関係は、切断長
さが大きくなる程切断抵抗は大きくなり、またインゴッ
ト送りスピードが大きくなる程切断抵抗は大きくなる。
また、切断抵抗が大きくなると、当然のことながらブレ
ード１４の変位が大きくなり、ブレード１４は反り易く
なる。図３に示すようにセンサ３２がブレード１４の変
位を検知すると、その時の切断位置、センサ３２の位
置、エアーパッド３０の位置、センサ３２の検知するブ
レード変位量の関係から、切断される半導体材料１の切
断周縁の変位量を演算し、エアーパッド３０はこの切断
される半導体材料の切断周縁の変位が零となるように反
りコントロールを行なう。
【００１３】以下、各切断位置でこの反りコントロール
を行いながらインゴット１８を切断すると、内周刃１６
のインゴット１８に対する切断縁の変位は零となるの
で、椀形のウエハを加工することが出来る。前記実施例
では一対のセンサ３２、３２でブレード１４の変位を検
出し、これに基づいて反りコントロールを行なったが、
これに限定されるものではない。即ち、切断位置の中心
にうず電流式センサを設けて切断位置の中心のブレード
変位を検出し、この変位量からウエハ周縁の変位を演算
してもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウエハのスライシング方法によれば、センサが検知す
る切断刃変位量から切断される半導体材料の切断周縁の
切断刃変位量を演算し、エアパッドは切断される半導体
ウエハ周縁の変位量を零とするように作動するので、椀
形のウエハを加工することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】スライシングマシンの概略正面図
【図２】スライシングマシンの概略平面図
【図３】内周刃の局部的変位を示す説明図
【図４】従来のスライシング方法で加工したウエハの説
明図
【図５】本発明のスライシング方法で加工したウエハの
説明図
【符号の説明】
１０…スピンドル １４…ブレード １６…内周刃 １８…インゴット ２６…制御装置 ３０…エアーパッド ３２…センサ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回転するスピンドルに切断刃を取付け、
    切断刃に半導体材料を押し付け、切断刃又は半導体材料
    を相対的に近づくように移動して半導体材料を薄片状に
    切断する半導体ウエハのスライシング方法であって、切
    断刃の軸方向変位をセンサで検知すると共にその変位を
    エアーパッドで修正しながら切断する半導体ウエハのス
    ライシング方法に於いて、 切断に伴って変化する半導体材料の切断周縁に対する前
    記センサと前記エアーパッドとの位置関係から、切断さ
    れるウエハ周縁の切断刃変位量を演算し、この変位量が
    零となるように前記エアパッドを作動することを特徴と
    する半導体ウエハのスライシング方法。
JP4132678A 1992-05-25 1992-05-25 半導体ウエハのスライシング方法 Pending JPH05318460A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4132678A JPH05318460A (ja) 1992-05-25 1992-05-25 半導体ウエハのスライシング方法
EP93108304A EP0575757B1 (en) 1992-05-25 1993-05-21 A method of slicing a semiconductor wafer and an apparatus therefor
DE69308937T DE69308937T2 (de) 1992-05-25 1993-05-21 Verfahren und Vorrichtung zum Abschneiden einer Halbleiterscheibe
US08/065,755 US5458526A (en) 1992-05-25 1993-05-24 Method of slicing a semiconductor wafer and an apparatus
KR1019930009105A KR0185235B1 (ko) 1992-05-25 1993-05-25 반도체 웨이퍼의 슬라이싱 방법 및 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4132678A JPH05318460A (ja) 1992-05-25 1992-05-25 半導体ウエハのスライシング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05318460A true JPH05318460A (ja) 1993-12-03

Family

ID=15086954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4132678A Pending JPH05318460A (ja) 1992-05-25 1992-05-25 半導体ウエハのスライシング方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5458526A (ja)
EP (1) EP0575757B1 (ja)
JP (1) JPH05318460A (ja)
KR (1) KR0185235B1 (ja)
DE (1) DE69308937T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102229010A (zh) * 2011-04-01 2011-11-02 浙江恒成硬质合金有限公司 切片机

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5628673A (en) * 1993-11-26 1997-05-13 Seiko Seiki Kabushiki Kaisha Dicing machine with non-contact setup function
US5632666A (en) * 1994-10-28 1997-05-27 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for automated quality control in wafer slicing
JP3195504B2 (ja) * 1994-11-24 2001-08-06 トーヨーエイテック株式会社 スライシング装置のブレード変位検出装置
JP2943673B2 (ja) * 1995-10-31 1999-08-30 日本電気株式会社 半導体基板の製造装置及び製造方法
DE19607695A1 (de) * 1996-02-29 1997-09-04 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
CN102241078B (zh) * 2003-10-16 2014-01-15 日立金属株式会社 工件切断装置和工件切断方法
CN114589824B (zh) * 2021-11-01 2024-02-02 青岛高测科技股份有限公司 硅棒切割系统的切割装置及硅棒切割系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02134213A (ja) * 1988-11-14 1990-05-23 Sumitomo Metal Ind Ltd 硬脆材料の切断装置
JPH0439005A (ja) * 1990-06-06 1992-02-10 Tsusho Sangyo Kenkyusha:Kk スライシングマシン及びその制御方法
JPH04122609A (ja) * 1990-09-13 1992-04-23 Tsusho Sangyo Kenkyusha:Kk スライシングマシン及びその制御方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3327696A (en) * 1964-10-09 1967-06-27 Howard Aiken Ind Saw stabilizing means and method
JPS6147644A (ja) * 1984-08-13 1986-03-08 Hitachi Ltd スライサ−用ブレ−ドのそり制御方法
JPH0818329B2 (ja) * 1986-11-26 1996-02-28 三菱マテリアル株式会社 ウエ−ハの切断不良検出方法
US5025593A (en) * 1988-01-18 1991-06-25 Mazda Motor Corporation Slicing machine and control method thereof
JPH01206006A (ja) * 1988-02-12 1989-08-18 Mazda Motor Corp スライシングマシン切刃変位検出装置
JPH01138565U (ja) * 1988-03-11 1989-09-21
JPH03221411A (ja) * 1990-01-29 1991-09-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd 柱状体材料の切断方法
JPH03221410A (ja) * 1990-01-29 1991-09-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd 柱状体材料の切断方法
JP2505930B2 (ja) * 1990-05-10 1996-06-12 株式会社東京精密 スライシングマシンの切断方法
JPH04122608A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd 内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置
JPH0569436A (ja) * 1991-05-17 1993-03-23 Mitsubishi Materials Corp スライシングマシンのブレード位置補正装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02134213A (ja) * 1988-11-14 1990-05-23 Sumitomo Metal Ind Ltd 硬脆材料の切断装置
JPH0439005A (ja) * 1990-06-06 1992-02-10 Tsusho Sangyo Kenkyusha:Kk スライシングマシン及びその制御方法
JPH04122609A (ja) * 1990-09-13 1992-04-23 Tsusho Sangyo Kenkyusha:Kk スライシングマシン及びその制御方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102229010A (zh) * 2011-04-01 2011-11-02 浙江恒成硬质合金有限公司 切片机

Also Published As

Publication number Publication date
KR0185235B1 (ko) 1999-10-01
EP0575757B1 (en) 1997-03-19
US5458526A (en) 1995-10-17
EP0575757A1 (en) 1993-12-29
DE69308937D1 (de) 1997-04-24
KR930024111A (ko) 1993-12-21
DE69308937T2 (de) 1997-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3292835B2 (ja) 薄板ワークの平面研削方法およびその研削装置
US6113474A (en) Constant force truing and dressing apparatus and method
EP0544256B1 (en) Method of chamfering semiconductor wafer
TWI681842B (zh) 研磨裝置及其控制方法、以及修整條件輸出方法
JP2505930B2 (ja) スライシングマシンの切断方法
JP5886680B2 (ja) 研削方法及び研削装置
JPH05318460A (ja) 半導体ウエハのスライシング方法
EP0315711A1 (en) Method and apparatus for machining hard, brittle and difficulty-machineable workpieces
JP2009078326A (ja) ウェーハ面取り装置、及びウェーハ面取り方法
JPH06106524A (ja) 半導体ウエハのスライシング方法
JP2894906B2 (ja) ダイシング装置及びダイシング装置における切削制御方法
JP2612130B2 (ja) スライシングマシンの内周刃ドレッシング方法
JPH10100138A (ja) 半導体ウエハのスライシング方法
JP2655756B2 (ja) スライシングマシンの切断方法
JP3199355B2 (ja) 内周刃のドレッシング方法
JP2601947B2 (ja) スライシングマシンの切断方法
JPH06114827A (ja) 半導体ウエハのスライシング方法
JPH07108526A (ja) スライシングマシン
JPH06328361A (ja) 研削盤における砥石磨耗補正装置
JPH04216011A (ja) スライシングマシンの切断方法
JP2965087B2 (ja) スライシングマシンの切断方法
JP2005028620A (ja) バンドソーによるワーク切断方法及びワーク切断装置
JPH0372442B2 (ja)
JPH0315504A (ja) スライシングマシンのドレス装置
JPH07148731A (ja) スライシングマシンの切断装置