JPH09125233A - ＮｉＯ配向膜の製造法 - Google Patents

ＮｉＯ配向膜の製造法

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JPH09125233A
JPH09125233A JP7306718A JP30671895A JPH09125233A JP H09125233 A JPH09125233 A JP H09125233A JP 7306718 A JP7306718 A JP 7306718A JP 30671895 A JP30671895 A JP 30671895A JP H09125233 A JPH09125233 A JP H09125233A
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耕作 田万里
Takanori Doi
孝紀 土井
Toshiro Abe
俊郎 安部
Toshikazu Nishihara
敏和 西原
Teruo Takahashi
輝雄 高橋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度磁気記録媒体用の下地膜として有用
な、Ｘ線回折パターンにおける（２００）面と（１１
１）面とのピーク強度比Ｉ(200) ／Ｉ(111) で表される
配向度が１０以上である（２００）面が基体に対して平
行に優先配向しているＮｉＯ配向膜を工業的に得られる
製造法を提供する。 【解決手段】 スパッタ法により基体上にＮｉＯ配向膜
を作製するにあたって、基体をプラズマからの衝撃を受
けない位置にあらかじめ置き、基体温度１００℃以下に
おいてＮｉＯ膜を形成することにより、Ｘ線回折パター
ンにおける（２００）面と（１１１）面とのピーク強度
比Ｉ(200) ／Ｉ(111) で表される配向度が１０以上であ
る（２００）面が基体に対して平行に優先配向している
ＮｉＯ配向膜を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】高密度磁気記録媒体用の下地
膜として有用な、Ｘ線回折パターンの（２００）面及び
（１１１）面によるピーク強度比Ｉ(200) ／Ｉ(111) で
表される配向度が１０以上である（２００）面が基体に
対して平行に優先配向しているＮｉＯ配向膜を工業的に
得られる製造法を提供する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器、システムは小型化を続
ける一方、記憶容量の大容量化も進行しており、磁気記
録媒体の高密度記録化の要求が益々高まってきている。
このような特性を満たす磁気記録媒体として垂直磁化膜
の開発がさかんであり、実用化されている。即ち、垂直
磁化膜は、膜面に垂直な方向に磁化するため高密度で記
録した際の減磁作用がなく、高密度記録が可能である。
【０００３】垂直磁化膜としては、近時ＣｏＣｒ合金、
ＣｏＰｔ合金等の合金磁性薄膜、コバルトフェライト等
のスピネル型酸化物磁性薄膜（特開昭５１−１１９９９
９号公報、特開昭６３−４７３５９号公報、特開平３−
１７８１３号公報、特開平３−１８８６０４号公報、特
開平４−１０５０９号公報、特開平５−１２７６５号公
報）及びバリウムフェライト等のマグネトプランバイト
型酸化物磁性薄膜（特開昭６２−２６７９４９号公報）
等が提案されている。
【０００４】前述の垂直磁化膜のうち、スピネル型酸化
物磁性薄膜として代表的なコバルトフェライト薄膜及び
コバルト含有マグヘマイト薄膜等は、酸化物であるため
化学的安定性、耐久性に優れており、しかも結晶磁気異
方性が大きいので、垂直磁化膜として特に有望とされて
いる。これらスピネル型酸化物磁性薄膜を垂直磁化膜と
するためには（１００）面を基体に対して平行に配向さ
せることが要求される。
【０００５】垂直磁化膜の配向性を向上させるために、
基体として単結晶を用いたり、垂直磁化膜と基体との間
に各種下地膜を形成させることが行われており、基体と
してＭｇＯ単結晶を使用するもの（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ．Ｍａｇ．ＭＡＧ−１２，Ｎｏ．６，７７３（１９７
６））、基体としてＮａＣｌを使用するもの（Ｊ．Ｃｒ
ｙ．Ｇｒｏｗｔｈ，５０，８０１（１９８０））、下地
膜としてＮｉＯ膜を使用するもの（特開平５−１６６１
６７号公報）等がある。
【０００６】（１００）面が優先配向したスピネル型酸
化物磁性薄膜は、（２００）面が優先配向したＮａＣｌ
型結晶構造の下地膜を用いた場合、特に得られ易いこと
が知られている（Ｙ．Ｔｅｒａｓｈｉｍａ ａｎｄ
Ｙ．Ｂａｎｄｏ，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，
１５２，４５５（１９８７）、Ｍ．Ｓａｋａｍｏｔｏｅ
ｔａｌ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ Ｔｈｅ Ｓｉｘ
ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｒｅ
ｎｃｅ ｏｎ Ｆｅｒｒｉｔｅｓ（ＩＣＦ６），Ｔｏｋ
ｙｏ ａｎｄ Ｋｙｏｔｏ Ｊａｐａｎ（１９９２）
ｐ．８７２、Ｄ．Ｍ．Ｌｉｎｄ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｏｆ Ｔｈｅ Ｓｉｘｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎ
ａｌ Ｃｏｎｆｅｒｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｆｅｒｒｉｔｅ
ｓ（ＩＣＦ６），Ｔｏｋｙｏ ａｎｄ Ｋｙｏｔｏ Ｊ
ａｐａｎ（１９９２）ｐ．８６６）。
【０００７】また、一般に、下地膜の結晶配向性が良い
とその上に形成する磁性薄膜の結晶配向性も良くなるこ
とが知られている。
【０００８】ＭｇＯ単結晶やＮａＣｌ単結晶の基体は、
製造コストが高くつき、大面積のものが得られにくいた
め、最近では、ガラス等の基体上にＭｇＯ膜やＮｉＯ膜
等を下地膜として作製することが行われている。この場
合、（１００）面が優先配向したスピネル型酸化物磁性
薄膜を得るために有用な（２００）面が優先配向したＮ
ｉＯ配向膜が求められており、スパッタ法（特開平７−
９７２９６号公報）、ＭＯＣＶＤ法（特公平７−６０７
６８号公報、特開平７−９７２９６号公報）、反応蒸着
法（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５６，３４４５（１９８
４））などによりＮｉＯ配向膜の成膜が行われている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線回折パターンの
（２００）面及び（１１１）面によるピーク強度比Ｉ
(200) ／Ｉ(111) で表される配向度が１０以上である
（２００）面が基体に対して平行に優先配向したＮｉＯ
配向膜が、下地膜として要求されているが、前出各公報
に記載のＮｉＯ配向膜は、これら諸特性を十分満足する
ものとは言いがたいものである。
【００１０】前出特開平７−９７２９６号公報に記載の
ＮｉＯ配向膜は、ＲＦスパッタ法による場合、ターゲッ
トがＮｉＯ粉末で、基体温度が６００℃と高温であり、
しかも成膜速度は約２ｎｍ／ｍｉｎと遅いので、工業的
には好ましくないものである。プラズマ励起ＭＯ−ＣＶ
Ｄ法による場合、原料はニッケルアセチルアセトナート
などの有機金属ガスであり、基体温度が３５０℃と基体
素材を制限するものである。
【００１１】前出特公平７−６０７６８号公報に記載の
ＮｉＯ配向膜は、プラズマＣＶＤ法によるものであり、
原料はニッケルアセチルアセトナートなどの有機金属ガ
スであり、基体温度が４００℃と基体素材を制限するも
のである。
【００１２】前出Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５６，３４
４５（１９８４）に記載のＮｉＯ配向膜は、反応蒸着法
によるものであり、得られたＮｉＯ膜の配向度（Ｉ
(200) ／Ｉ(111) ）は高々２程度である。
【００１３】そこで、本発明は、配向性の高い高密度磁
気記録媒体用の下地膜として有用な、Ｘ線回折パターン
の（２００）面及び（１１１）面によるピーク強度比Ｉ
(200) ／Ｉ(111) で表される配向度が１０以上と、（２
００）面が基体に対して平行に優先配向しているＮｉＯ
配向膜を提供することを技術的課題とする。
【００１４】
【課題を解決する為の手段】前記技術的課題は、次の通
りの本発明によって達成できる。
【００１５】即ち、スパッタ法により基体上にＮｉＯ配
向膜を作製するにあたって、基体をプラズマからの衝撃
を受けない位置にあらかじめ置き、基体温度１００℃以
下においてＮｉＯ膜を形成することにより、Ｘ線回折パ
ターンにおける（２００）面と（１１１）面とのピーク
強度比Ｉ(200) ／Ｉ(111) で表される配向度が１０以上
である（２００）面が基体に対して平行に優先配向して
いるＮｉＯ配向膜を得ることを特徴とするＮｉＯ配向膜
の製造法及びスパッタ法がＲＦスパッタ法又はＤＣスパ
ッタ法である前記ＮｉＯ配向膜の製造法である。
【００１６】本発明の構成をより詳しく説明すれば次の
通りである。先ず、本発明によって得られるＮｉＯ配向
膜について述べる。
【００１７】本発明によって得られるＮｉＯ配向膜の膜
厚は、１０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上である。
１０ｎｍ未満の場合には、初期層の配向が乱れているこ
とがあり、配向度が十分に得られないことがあり、好ま
しくない。
【００１８】本発明によって得られるＮｉＯ配向膜の配
向度は、Ｘ線回折パターンの（２００）面及び（１１
１）面によるピーク強度比Ｉ(200) ／Ｉ(111) で表さ
れ、１０以上、好ましくは２０以上、さらに好ましくは
３０以上である。
【００１９】次に、本発明に係るＮｉＯ配向膜の製造法
について述べる。
【００２０】本発明は、酸素雰囲気中で金属（Ｎｉ）タ
ーゲットをスパッタリングするスパッタ法により目的と
するＮｉＯ配向膜を製造するものであり、スパッタ法と
しては、極板間に高周波をかけてスパッタリングするＲ
Ｆスパッタ法又は極板間に直流電圧をかけてスパッタリ
ングするＤＣスパッタ法のいずれを採用してもよい。
【００２１】また、安定で高密度なプラズマの生成及び
プラズマの封じ込めのためにターゲット表面に磁場を印
加するマグネトロン方式を併用することが好ましい。
【００２２】本発明においては、基体をプラズマの衝撃
を受けない位置にあらかじめ置かねばならない。通常、
基体位置はターゲットに対向する陽極上であるが、ＲＦ
スパッタ法においては、高周波をかけることにより、陽
極上に置かれた基体もプラズマによる衝撃を受けること
になる。また、ＤＣスパッタ法においては、ＲＦスパッ
タ法に比べてプラズマの衝撃を受けにくいが、それでも
基体位置にプラズマが存在するため、衝撃を受けてい
る。そこで、プラズマの存在する範囲から外れた位置に
基体を置くことによりプラズマの衝撃を受けないように
することができる。この場合、基体位置を変える方法
と、ターゲットの形状をドーナッツ状にして基体がプラ
ズマの衝撃を実質的に受けない位置とする方法とがあ
り、いずれか一方、またはこれらを組み合わせて行うこ
とができる。
【００２３】まず、基体位置を変える方法としては、基
体を陽極から少し離れた位置に置く方法と、極板間の距
離を離す方法がある。
【００２４】陽極から少し離れた位置に置く方法の場合
には、更に、基体が陽極の極板と陰極の極板とにはさま
れた空間にないことが好ましい。尚、ＲＦスパッタ法に
おいては、基体に対するプラズマの衝撃は、ターゲット
に対向した位置から離せば離すほど小さくなる。しか
し、ターゲットに対向した位置から離すにしたがって成
膜速度は急激に小さくなり、膜厚分布も大きくなる。こ
れらの点から、ターゲットに対向した位置から離す距離
は、ターゲット中心からターゲットの大きさ（ターゲッ
トが円板状の場合には直径、ドーナッツ状の場合には外
径）の１倍以内が望ましい。また、基体へのプラズマの
衝撃は投入電力の増加に伴い強くなる。即ち、成膜速度
を増加した場合、基体に対するプラズマの衝撃が強くな
るため、配向性の良い膜を得るためには、基体をターゲ
ットに対向した位置から、より離してやる必要がある。
したがって、あまり成膜速度を上げ過ぎると、前記距離
範囲内では（２００）面配向が乱れることがある。
【００２５】極板間の距離を離す場合には、プラズマは
ターゲット上方に広がって分布するので、ターゲットの
形状がドーナッツ状であるのが好ましい。
【００２６】次に、ターゲットの形状をドーナッツ状と
する場合には、前述の通り、プラズマはターゲット上方
に広がって分布するので基体の大きさがドーナッツ内径
以下であることが好ましい。この場合、図２に示すよう
に基体をドーナッツ状のターゲットの中央上方に置くこ
とにより、基体位置にはプラズマが存在しないようにす
ることができる。
【００２７】尚、ＲＦスパッタ法においては、陽極がプ
ラズマの衝撃を受けるため、極板間の距離を離す方法よ
りむしろ陽極から少し離れた位置に置く方法が好まし
い。また、ＤＣスパッタ法においては、ＲＦスパッタ法
に比べて基体はプラズマの衝撃を受けにくいため、成膜
速度を上げても配向性に乱れを生じにくい。また、プラ
ズマをターゲット上に保持して、基体がプラズマの衝撃
を受けにくくするマグネトロン方式を併用することも好
ましい方法である。
【００２８】本発明における基体は、Ａｌ、Ａｌ合金、
ステンレススチール等の金属、ポリイミド、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等の
樹脂、ソーダガラス、硼珪酸ガラス、バリウム硼珪酸ガ
ラス、アルミノ珪酸ガラス等のガラスなどの汎用されて
いる基体材料を使用することができる。
【００２９】本発明における基体温度は室温以上１００
℃以下、好ましくは室温以上８０℃以下であり、更に好
ましくは室温以上５０℃以下である。１００℃を越える
場合には、形成されるＮｉＯ膜の配向性が変化してむし
ろ（１１１）面が優先配向しやすくなる。
【００３０】本発明におけるターゲットは金属Ｎｉであ
って、その形状は円板状、ドーナッツ状、長方形状等の
種々の形状のものを用いることができる。ターゲットの
形状をドーナッツ状のものを用いれば、基体をターゲッ
トに対向する位置に置いた場合にも、基体がプラズマの
衝撃を実質的に受けない位置とすることができ、しか
も、膜厚分布を小さくすることができるため好ましい。
【００３１】本発明におけるスパッタリングガスとして
は、アルゴンなどの不活性ガスをプラズマ化させてスパ
ッタリングガスとして用いることができる。スパッタリ
ング時の不活性ガス分圧は１〜５０ｍＴｏｒｒが好まし
い。
【００３２】本発明における酸素分圧は、採用するスパ
ッタ法の種類によって異なる。ＲＦスパッタ法において
は、０．５ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは０．３ｍＴｏｒ
ｒ以下である。
【００３３】ＤＣスパッタ法においては、成膜速度の設
定により対応する酸素分圧に設定する必要があり、例え
ば、成膜速度が３０ｎｍ／ｍｉｎの場合には、０．０５
〜０．３０ｍＴｏｒｒが好ましく、成膜速度が３００ｎ
ｍ／ｍｉｎの場合には、０．５０〜２．５０ｍＴｏｒｒ
が好ましく、成膜速度が６００ｎｍ／ｍｉｎの場合に
は、１．００〜３．００ｍＴｏｒｒが好ましい。
【００３４】本発明における成膜速度は、採用するスパ
ッタ法の種類によって異なる。ＲＦスパッタ法において
は、好ましくは２５ｎｍ／ｍｉｎ以下、更に好ましくは
２２ｎｍ／ｍｉｎ以下である。ＤＣスパッタ法において
は、１ｎｍ／ｍｉｎから１０００ｎｍ／ｍｉｎ程度まで
と極めて幅広い成膜速度の範囲をとることができ、必要
とする成膜速度で行うことができる。この場合、上記の
通り、成膜速度に対応する酸素分圧に設定しておく。
【００３５】
【作用】（１００）面が優先配向したスピネル型酸化物
磁性薄膜は、（２００）面が基体に対して平行に優先配
向したＮａＣｌ型結晶構造の下地膜を用いた場合が特に
得られ易いことが知られている。
【００３６】ところでＮｉＯ薄膜は、通常行われるスパ
ッタ法における１００℃を越える基体温度の場合には、
（１１１）面が基体に対して平行に優先配向し易く、１
００℃以下で成膜する場合に（２００）面が基体に対し
て平行に優先配向し易くなることを本発明者は見出し
た。
【００３７】一方、ＲＦスパッタ法によって成膜する場
合、高周波であるために陽極もアルゴンプラズマによる
衝撃を受け、成膜される膜の配向性が劣化してしまうこ
とがわかった。また、ＤＣスパッタ法においても、基体
位置にプラズマが存在することから若干のプラズマから
の衝撃をうけていることがわかった。
【００３８】そこで、プラズマによる衝撃を受けない位
置に基体を置き、しかも、基体温度を１００℃以下とし
てスパッタリングを行うことにより、膜の配向性を、よ
り向上させることができるのではないかと考え、本発明
を成すに至った。
【００３９】本発明に係るＮｉＯ配向膜のＸ線回折パタ
ーンにおける（２００）面と（１１１）面とのピーク強
度比Ｉ(200) ／Ｉ(111) で表される配向度は、１０以上
と、ＡＳＴＭカード（４−８３５）による多結晶粉体の
場合の１．１０に比べて非常に良好な配向度を有する。
【００４０】
【発明の実施の形態】本発明の代表的な実施の形態は次
の通りである。
【００４１】尚、Ｘ線回折パターンは、Ｘ線回折装置Ｒ
ＡＤ−２Ａ（理学電機（株）製）で測定した。測定条件
は、使用管球：Ｆｅ、管電圧：４０ｋＶ、管電流：２０
ｍＡ、ゴニオメーター：広角ゴニオメーター、サンプリ
ング幅：０．０１０°、走査速度：１．０００°／ｍｉ
ｎ、発散スリット：１°、散乱スリット：１°、受光ス
リット：０．３０ｍｍで、回折角（２θ）が４０．０°
〜６０．０°の領域を測定した。
【００４２】Ｘ線回折パターンにおける（２００）面と
（１１１）面とのピーク強度比Ｉ(200) ／Ｉ(111) をも
って（２００）面の配向度とした。
【００４３】高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５
０Ｈ−Ｔ０６（（株）日本真空製）を用いたＲＦスパッ
タ法により、図１に示すように、直径Ｄ3 ７５ｍｍの円
板状の金属Ｎｉターゲット３の上、高さＤ2 ８０ｍｍで
あって、ターゲット中心からの距離Ｄ1 ５５ｍｍのプラ
ズマ２の衝撃を受けない位置１ａにソーダガラス製の基
体１ａをあらかじめ置き、室温（２５℃）で、酸素分圧
０．０８ｍＴｏｒｒ、全圧５ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸
素とからなる雰囲気中において、前記ターゲット３をス
パッタリングして１５ｎｍ／ｍｉｎの成膜速度で、前記
基体１ａ上に厚さ２００ｎｍのＮｉＯ配向膜を形成し
た。
【００４４】得られたＮｉＯ配向膜は、Ｘ線回折測定の
結果は、図３のＸ線回折パターンの（Ａ）に示す通りで
あり、（２００）面のピーク強度と（１１１）面のピー
ク強度との比が２０であり、（２００）面が基体に対し
て平行に強く優先配向していた。
【００４５】得られたＮｉＯ配向膜は、（２００）面が
基体に対して平行に強く優先配向していることにより、
コバルトフェライト又はコバルト含有マグヘマイト等の
スピネル型酸化物磁性薄膜用の配向性下地膜として使用
することができ、また、人工格子膜用の下地膜としても
使用できる。
【００４６】
【実施例】次に、実施例並びに比較例を挙げる。
【００４７】実施例１〜８、比較例１〜２、参考例１； 実施例１ ＤＣマグネトロンスパッタ装置（ＤＣ電源：ＭＤＸ−１
０Ｋ（アドバンテストエナジー社製））を用いたＤＣマ
グネトロンスパッタ法により、図２に示すように、ドー
ナッツ形状の金属Ｎｉターゲット６からの距離Ｄ6 ７．
６２ｃｍであって、前記ターゲット６がドーナッツ形状
であることからプラズマ５が存在しない位置４に、ソー
ダガラス製の基体４をあらかじめ置き、室温（２５℃）
で、酸素分圧０．１６ｍＴｏｒｒ、全圧７ｍＴｏｒｒの
アルゴンと酸素とからなる雰囲気中において、前記ター
ゲット６（外径Ｄ4 １９０ｍｍφ、内径Ｄ5 １１０ｍｍ
φのドーナッツターゲット）をスパッタリングして３２
ｎｍ／ｍｉｎの成膜速度で、前記基体４上に厚さ２００
ｎｍのＮｉＯ配向膜を形成した。
【００４８】得られたＮｉＯ配向膜は、Ｘ線回折測定の
結果は、図４のＸ線回折パターンに示す通り、（２０
０）面のピーク強度と（１１１）面のピーク強度との比
が１５０であり、（２００）面が基体に対して平行に強
く優先配向していた。
【００４９】得られたＮｉＯ配向膜は、（２００）面が
基体に対して平行に非常に強く優先配向している。
【００５０】実施例２〜８ スパッタリング装置の種類、基体位置（図１中１ａ又は
図２中４に示す位置）、基体素材、基体温度、ターゲッ
トの形状、酸素分圧、アルゴン分圧及び成膜速度を種々
変化させた以外は前記本発明の実施の形態又は実施例１
と同様にしてＮｉＯ配向膜を得た。各製造条件及び得ら
れたＮｉＯ配向膜の諸特性については表１に示した。
【００５１】比較例１ 基体位置を図１中１ｂの位置としたこと以外は前記本発
明の実施の形態と同様にしてＮｉＯ配向膜を得た。
【００５２】得られたＮｉＯ配向膜のＸ線回折測定の結
果は、図３のＸ線回折パターンの（Ｂ）に示す通り、
（２００）面のピーク強度と（１１１）面のピーク強度
との比が６．０であった。
【００５３】比較例２ 基体温度を１５０℃としたこと以外は実施例１と同様に
してＮｉＯ配向膜を得た。
【００５４】得られたＮｉＯ配向膜のＸ線回折測定の結
果、（２００）面のピーク強度と（１１１）面のピーク
強度との比が１．０であった。
【００５５】参考例１ 成膜速度を３０ｎｍ／ｍｉｎとした以外は本発明の実施
の形態と同様にしてＮｉＯ配向膜を得た。
【００５６】得られたＮｉＯ配向膜のＸ線回折測定の結
果、（２００）面のピーク強度と（１１１）面のピーク
強度との比が４．０であった。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【発明の効果】本発明によって得られるＮｉＯ配向膜
は、Ｘ線回折パターンの（２００）面及び（１１１）面
によるピーク強度比Ｉ(200) ／Ｉ(111) で表される配向
度が１０以上と、（２００）面が基体に対して平行に優
先配向していることから配向性の高い高密度磁気記録媒
体用の下地膜として最適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明における基体位置の模式図
【図２】 ドーナッツ状ターゲットの場合のプラズマと
基体との模式図
【図３】 本発明の実施の形態及び比較例１のＲＦスパ
ッタ法による基体位置の違いによるＮｉＯ配向膜の（２
００）面と（１１１）面とのピーク対比を示すＸ線回折
パターン
【図４】 実施例１のＤＣマグネトロンスパッタ法によ
るＮｉＯ配向膜の（２００）面と（１１１）面とのピー
ク対比を示すＸ線回折パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安部 俊郎 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地日本ビクター株式会社内 (72)発明者 西原 敏和 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地日本ビクター株式会社内 (72)発明者 高橋 輝雄 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地日本ビクター株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スパッタ法により基体上にＮｉＯ配向膜
    を作製するにあたって、基体をプラズマからの衝撃を受
    けない位置にあらかじめ置き、基体温度１００℃以下に
    おいてＮｉＯ膜を形成することにより、Ｘ線回折パター
    ンにおける（２００）面と（１１１）面とのピーク強度
    比Ｉ(200) ／Ｉ(111) で表される配向度が１０以上であ
    る（２００）面が基体に対して平行に優先配向している
    ＮｉＯ配向膜を得ることを特徴とするＮｉＯ配向膜の製
    造法。
  2. 【請求項２】 スパッタ法がＲＦスパッタ法である請求
    項１記載のＮｉＯ配向膜の製造法。
  3. 【請求項３】 スパッタ法がＤＣスパッタ法である請求
    項１記載のＮｉＯ配向膜の製造法。
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