JPH0878406A - 酸化膜の成膜方法 - Google Patents
酸化膜の成膜方法Info
- Publication number
- JPH0878406A JPH0878406A JP6240592A JP24059294A JPH0878406A JP H0878406 A JPH0878406 A JP H0878406A JP 6240592 A JP6240592 A JP 6240592A JP 24059294 A JP24059294 A JP 24059294A JP H0878406 A JPH0878406 A JP H0878406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- teos
- gas
- wafer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 追加の設備を必要とすることなく、またプロ
セス工程数を増加させることなく、下地依存性を改善し
たＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成膜方法を提供する。 【構成】 ウェハを収容したプラズマＣＶＤ装置に反応
ガスを供給し、かつプラズマ発生用電圧を印加してウェ
ハ上にプラズマシリコン酸化膜を形成する工程と、続い
て、プラズマＣＶＤ装置への反応ガスの供給及びプラズ
マ発生用電力の印加を停止すると共にＴＥＯＳガスを導
入してプロセスチャンバ内をＴＥＯＳガス雰囲気とし、
ウェハ表面上のプラズマシリコン酸化膜とＴＥＯＳガス
とを反応させて疎水化処理を行う工程と、次いで、Ｏ3
とＴＥＯＳガスとを反応させて、疎水化処理されたプラ
ズマシリコン酸化膜上にＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜を成膜
する工程とを備える。
セス工程数を増加させることなく、下地依存性を改善し
たＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成膜方法を提供する。 【構成】 ウェハを収容したプラズマＣＶＤ装置に反応
ガスを供給し、かつプラズマ発生用電圧を印加してウェ
ハ上にプラズマシリコン酸化膜を形成する工程と、続い
て、プラズマＣＶＤ装置への反応ガスの供給及びプラズ
マ発生用電力の印加を停止すると共にＴＥＯＳガスを導
入してプロセスチャンバ内をＴＥＯＳガス雰囲気とし、
ウェハ表面上のプラズマシリコン酸化膜とＴＥＯＳガス
とを反応させて疎水化処理を行う工程と、次いで、Ｏ3
とＴＥＯＳガスとを反応させて、疎水化処理されたプラ
ズマシリコン酸化膜上にＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜を成膜
する工程とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化
膜の成膜方法に関し、更に詳細には、下地依存性を改善
したＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成膜方法に関するもので
ある。
膜の成膜方法に関し、更に詳細には、下地依存性を改善
したＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成膜方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＴＥＯＳ（Tetraethylorthosilicate 、
Si(OC2H5)4）をＯ3 で酸化することにより成膜するＯ3
−ＴＥＯＳ・酸化膜は、膜の平坦化性、段差被覆性、電
気絶縁性等に種々の優れた特性を備え、また４００°Ｃ
以下での低温成長で成膜できる膜として注目されてい
る。しかし、ＴＥＯＳをＯ3 で酸化させてＳｉＯ2 膜を
形成する場合、膜成長速度が基体の下地層の性質によっ
て異なる、いわゆる下地依存性が著しい。即ち、Ｓｉ
膜、Ａｌ膜、ＡＰ−ＣＶＤ膜等の疎水性下地膜（膜中に
取り込まれているＨ2Ｏの量が少ない下地膜）と、Ｓｉ
Ｏ2 膜等の熱酸化膜の親水性下地膜（膜中に取り込まれ
ているＨ2 Ｏの量が多い下地膜）とでは、膜成長速度が
異なり、膜厚が前者では薄く、後者では厚くなる。ま
た、下地膜を構成する成分の末端基の状態によっても膜
成長速度が異なって不安定である。
Si(OC2H5)4）をＯ3 で酸化することにより成膜するＯ3
−ＴＥＯＳ・酸化膜は、膜の平坦化性、段差被覆性、電
気絶縁性等に種々の優れた特性を備え、また４００°Ｃ
以下での低温成長で成膜できる膜として注目されてい
る。しかし、ＴＥＯＳをＯ3 で酸化させてＳｉＯ2 膜を
形成する場合、膜成長速度が基体の下地層の性質によっ
て異なる、いわゆる下地依存性が著しい。即ち、Ｓｉ
膜、Ａｌ膜、ＡＰ−ＣＶＤ膜等の疎水性下地膜（膜中に
取り込まれているＨ2Ｏの量が少ない下地膜）と、Ｓｉ
Ｏ2 膜等の熱酸化膜の親水性下地膜（膜中に取り込まれ
ているＨ2 Ｏの量が多い下地膜）とでは、膜成長速度が
異なり、膜厚が前者では薄く、後者では厚くなる。ま
た、下地膜を構成する成分の末端基の状態によっても膜
成長速度が異なって不安定である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、Ｏ3 −
ＴＥＯＳにより成膜されたＳｉＯ2 膜は、その下地依存
性のため、膜質及び膜厚が不均一になり、後続プロセス
でのマージンが減少し、製品歩留りが低下する。そのた
め、従来は、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン：(Si
(CH3)3)2NH とエタノール(C2H5OH)とを用いて親水性下
地膜の表面を疏水化処理することにより、Ｏ3 −ＴＥＯ
ＳによるＳｉＯ2 膜の下地依存性を改善する試みが行わ
れていた。しかし、この方法を適用しようとすると、下
地膜を表面処理するための処理装置が別途必要となっ
て、設備コストが嵩み、またプロセス工程数が増えるの
で、人件費及び装置間の搬送コストを始めとして運転コ
ストが増加するという問題点を有していた。
ＴＥＯＳにより成膜されたＳｉＯ2 膜は、その下地依存
性のため、膜質及び膜厚が不均一になり、後続プロセス
でのマージンが減少し、製品歩留りが低下する。そのた
め、従来は、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン：(Si
(CH3)3)2NH とエタノール(C2H5OH)とを用いて親水性下
地膜の表面を疏水化処理することにより、Ｏ3 −ＴＥＯ
ＳによるＳｉＯ2 膜の下地依存性を改善する試みが行わ
れていた。しかし、この方法を適用しようとすると、下
地膜を表面処理するための処理装置が別途必要となっ
て、設備コストが嵩み、またプロセス工程数が増えるの
で、人件費及び装置間の搬送コストを始めとして運転コ
ストが増加するという問題点を有していた。
【０００４】そこで、本発明は、追加の設備を必要とす
ることなく、またプロセス工程数を増加させることな
く、下地依存性を改善したＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成
膜方法を提供することである。
ることなく、またプロセス工程数を増加させることな
く、下地依存性を改善したＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成
膜方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、酸化膜の本発明に係る成膜方法は、ウェハを収容し
たプラズマＣＶＤ装置に反応ガスを供給し、かつプラズ
マ発生用電圧を印加してウェハ上にプラズマシリコン酸
化膜を形成する工程と、続いて、プラズマＣＶＤ装置へ
の反応ガスの供給及びプラズマ発生用電力の印加を停止
すると共にＴＥＯＳガスを導入してプロセスチャンバ内
をＴＥＯＳガス雰囲気とし、ウェハ表面上のプラズマシ
リコン酸化膜とＴＥＯＳガスとを反応させて疎水化処理
を行う工程と、次いで、Ｏ3 とＴＥＯＳガスとを反応さ
せて、疎水化処理されたプラズマシリコン酸化膜上にＯ
3 −ＴＥＯＳ・酸化膜を成膜する工程とを備えることを
特徴としている。
に、酸化膜の本発明に係る成膜方法は、ウェハを収容し
たプラズマＣＶＤ装置に反応ガスを供給し、かつプラズ
マ発生用電圧を印加してウェハ上にプラズマシリコン酸
化膜を形成する工程と、続いて、プラズマＣＶＤ装置へ
の反応ガスの供給及びプラズマ発生用電力の印加を停止
すると共にＴＥＯＳガスを導入してプロセスチャンバ内
をＴＥＯＳガス雰囲気とし、ウェハ表面上のプラズマシ
リコン酸化膜とＴＥＯＳガスとを反応させて疎水化処理
を行う工程と、次いで、Ｏ3 とＴＥＯＳガスとを反応さ
せて、疎水化処理されたプラズマシリコン酸化膜上にＯ
3 −ＴＥＯＳ・酸化膜を成膜する工程とを備えることを
特徴としている。
【０００６】本発明の望ましい実施態様では、更に、ウ
ェハをプラズマＣＶＤ装置から取り出して大気と接触さ
せ、プラズマ酸化膜上に付着したＴＥＯＳガスを大気中
の水分によって加水分解してエタノールを生成させ、エ
タノールとプラズマシリコン酸化膜とを反応させて疎水
化処理を行う工程を備えることを特徴としている。
ェハをプラズマＣＶＤ装置から取り出して大気と接触さ
せ、プラズマ酸化膜上に付着したＴＥＯＳガスを大気中
の水分によって加水分解してエタノールを生成させ、エ
タノールとプラズマシリコン酸化膜とを反応させて疎水
化処理を行う工程を備えることを特徴としている。
【０００７】酸化膜表面の疎水化処理とは、酸化膜表面
のSi−OHとＴＥＯＳガス（分子状のSi(OC2H5)4）との縮
合反応により、酸化膜表面にSi−O − Si(OC2H5)n 結合
（ｎ＜４）を形成する処理、更には、酸化膜表面に吸着
したＴＥＯＳガス（分子）が大気中の水分（H2O)により
加水分解されて生じたエタノール(C2H5OH)と、酸化膜表
面のSi−OHとの縮合反応により、酸化膜表面にSi−OC2H
5 結合を形成する処理を言う。かかる疎水化処理は、比
較的低温の温度条件、例えば約４００°C 位で進行する
ので、低温で処理ができるプラズマＣＶＤ装置が使用さ
れる。
のSi−OHとＴＥＯＳガス（分子状のSi(OC2H5)4）との縮
合反応により、酸化膜表面にSi−O − Si(OC2H5)n 結合
（ｎ＜４）を形成する処理、更には、酸化膜表面に吸着
したＴＥＯＳガス（分子）が大気中の水分（H2O)により
加水分解されて生じたエタノール(C2H5OH)と、酸化膜表
面のSi−OHとの縮合反応により、酸化膜表面にSi−OC2H
5 結合を形成する処理を言う。かかる疎水化処理は、比
較的低温の温度条件、例えば約４００°C 位で進行する
ので、低温で処理ができるプラズマＣＶＤ装置が使用さ
れる。
【０００８】本発明方法を適用するに際し、プラズマシ
リコン酸化膜を形成する装置は、プラズマＣＶＤ装置で
あって、その種類は、無電極放電型（誘導結合形）、２
極放電形、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置等のいずれでも良
く、またプラズマ発生用電源は高周波でもマイクロ波で
も良い。Ｏ3 −ＴＥＯＳ 酸化膜を形成する装置は、通
常、プラズマシリコン酸化膜を成膜するプラズマＣＶＤ
装置とは別の装置、例えば常圧ＣＶＤ装置であって、疎
水化処理されたプラズマシリコン酸化膜を有するウェハ
はプラズマＣＶＤ装置からその別の装置に搬送される。
リコン酸化膜を形成する装置は、プラズマＣＶＤ装置で
あって、その種類は、無電極放電型（誘導結合形）、２
極放電形、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置等のいずれでも良
く、またプラズマ発生用電源は高周波でもマイクロ波で
も良い。Ｏ3 −ＴＥＯＳ 酸化膜を形成する装置は、通
常、プラズマシリコン酸化膜を成膜するプラズマＣＶＤ
装置とは別の装置、例えば常圧ＣＶＤ装置であって、疎
水化処理されたプラズマシリコン酸化膜を有するウェハ
はプラズマＣＶＤ装置からその別の装置に搬送される。
【０００９】Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の下地層となるプ
ラズマシリコン酸化膜を形成するための反応ガスについ
ては、限定はなく、例えば、シラン（SiH4) とN2O 、或
いはＴＥＯＳガスと酸素ガスの組み合わせであるが、後
続の疎水化処理工程でＴＥＯＳガスを使用するので、Ｔ
ＥＯＳガスと酸素ガスとの組み合わせが好適である。Ｔ
ＥＯＳガスのみをプロセスチャンバに導入する時間は、
チャンバの大きさ、構成にもよるが、通常、４０〜１０
０sec 程度であり、ＴＥＯＳガスの流量は、チャンバの
大きさ、構成にもよるが、通常、２５０sccm（バブリン
グＨe 流量を含みＴＥＯＳガス換算１３．５sccm）であ
る。
ラズマシリコン酸化膜を形成するための反応ガスについ
ては、限定はなく、例えば、シラン（SiH4) とN2O 、或
いはＴＥＯＳガスと酸素ガスの組み合わせであるが、後
続の疎水化処理工程でＴＥＯＳガスを使用するので、Ｔ
ＥＯＳガスと酸素ガスとの組み合わせが好適である。Ｔ
ＥＯＳガスのみをプロセスチャンバに導入する時間は、
チャンバの大きさ、構成にもよるが、通常、４０〜１０
０sec 程度であり、ＴＥＯＳガスの流量は、チャンバの
大きさ、構成にもよるが、通常、２５０sccm（バブリン
グＨe 流量を含みＴＥＯＳガス換算１３．５sccm）であ
る。
【００１０】
【作用】請求項１の発明では、酸化膜表面のSi−OHとＴ
ＥＯＳガス（分子状のSi(OC2H5)4）との縮合反応によ
り、酸化膜表面にSi−O − Si(OC2H5)n 結合（ｎ＜４）
が形成されるため、酸化膜表面が疎水面となり、Ｏ3 −
ＴＥＯＳ・酸化膜の下地依存性が改善される。請求項２
の発明では、更に、酸化膜表面に吸着したＴＥＯＳガス
（分子）は、ウェハが次のＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成
膜工程に移送される間に、例えばカセット内で、大気中
の水分（H2O)により加水分解され、エタノール(C2H5OH)
に転換する。このエタノールと酸化膜表面のSi−OHとの
縮合反応により、酸化膜表面にSi−OC2H5 結合が形成さ
れ、酸化膜表面が疎水面となり、Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化
膜の下地依存性が改善される。
ＥＯＳガス（分子状のSi(OC2H5)4）との縮合反応によ
り、酸化膜表面にSi−O − Si(OC2H5)n 結合（ｎ＜４）
が形成されるため、酸化膜表面が疎水面となり、Ｏ3 −
ＴＥＯＳ・酸化膜の下地依存性が改善される。請求項２
の発明では、更に、酸化膜表面に吸着したＴＥＯＳガス
（分子）は、ウェハが次のＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成
膜工程に移送される間に、例えばカセット内で、大気中
の水分（H2O)により加水分解され、エタノール(C2H5OH)
に転換する。このエタノールと酸化膜表面のSi−OHとの
縮合反応により、酸化膜表面にSi−OC2H5 結合が形成さ
れ、酸化膜表面が疎水面となり、Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化
膜の下地依存性が改善される。
【００１１】請求項１及び２の発明では、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ・酸化膜の下地層となるプラズマシリコン酸化膜（Ｐ
−ＴＥＯＳ酸化膜）の成膜後に、同一プロセスチャンバ
内でＴＥＯＳガスによる疎水化処理工程をウェハに施す
ことができるので、処理装置を別途用意することなく、
またプロセス工程数を増加することなく、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ・酸化膜の下地依存性を改善することができる。
Ｓ・酸化膜の下地層となるプラズマシリコン酸化膜（Ｐ
−ＴＥＯＳ酸化膜）の成膜後に、同一プロセスチャンバ
内でＴＥＯＳガスによる疎水化処理工程をウェハに施す
ことができるので、処理装置を別途用意することなく、
またプロセス工程数を増加することなく、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ・酸化膜の下地依存性を改善することができる。
【００１２】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図１は、本発明に係る酸
化膜成膜方法を実施する際に、プラズマシリコン酸化膜
を成膜するために使用するプラズマＣＶＤ装置１０の構
成を示す模式的断面図である。プラズマＣＶＤ装置（以
下、装置と略称する）１０は、ウェハＷを収容するプロ
セスチャンバ（以下、簡単にチャンバと略称する）１２
と、加熱源１４と、高周波電源（図示せず）とから構成
されている。
本発明をより詳細に説明する。図１は、本発明に係る酸
化膜成膜方法を実施する際に、プラズマシリコン酸化膜
を成膜するために使用するプラズマＣＶＤ装置１０の構
成を示す模式的断面図である。プラズマＣＶＤ装置（以
下、装置と略称する）１０は、ウェハＷを収容するプロ
セスチャンバ（以下、簡単にチャンバと略称する）１２
と、加熱源１４と、高周波電源（図示せず）とから構成
されている。
【００１３】チャンバ１２は、プラズマ化された反応ガ
スの導入口１６を上部中央に、余剰反応ガスを吸引して
チャンバ１２内を減圧に維持する真空吸引口１８を側方
に備え、内部中央にウェハＷを保持する昇降自在なサセ
プタ２０と、ウェハＷをサセプタ２０から上に持ち上
げ、またサセプタ２０に下ろすウェハ昇降機構２２とを
内蔵している。図１中、２４はサセプタ２０自体を平行
移動及び昇降させる機構、２６はセラミックシールド、
及び２８はポンピングプレートである。加熱源１４は、
加熱用ランプ３０を格納したランプモジュールで構成さ
れ、加熱用ランプ３０は、チャンバ１２のクォーツラン
プ窓３２を介してチャンバ内部を加熱する。
スの導入口１６を上部中央に、余剰反応ガスを吸引して
チャンバ１２内を減圧に維持する真空吸引口１８を側方
に備え、内部中央にウェハＷを保持する昇降自在なサセ
プタ２０と、ウェハＷをサセプタ２０から上に持ち上
げ、またサセプタ２０に下ろすウェハ昇降機構２２とを
内蔵している。図１中、２４はサセプタ２０自体を平行
移動及び昇降させる機構、２６はセラミックシールド、
及び２８はポンピングプレートである。加熱源１４は、
加熱用ランプ３０を格納したランプモジュールで構成さ
れ、加熱用ランプ３０は、チャンバ１２のクォーツラン
プ窓３２を介してチャンバ内部を加熱する。
【００１４】以下に、本装置１０を使用して、本発明方
法を実施する例を説明する。従来と同様にして、ウェハ
Ｗをチャンバ１２に入れ、サセプタ２０上に載置する。
次に、真空吸引口１８より真空吸引してチャンバ１２内
の圧力を所定の圧力に調節する。次いで、ＴＥＯＳガス
とＯ2 ガスからなる反応ガスを導入し、高周波電圧を印
加してプラズマ化し、プラズマシリコン酸化膜をウェハ
上に成膜する。
法を実施する例を説明する。従来と同様にして、ウェハ
Ｗをチャンバ１２に入れ、サセプタ２０上に載置する。
次に、真空吸引口１８より真空吸引してチャンバ１２内
の圧力を所定の圧力に調節する。次いで、ＴＥＯＳガス
とＯ2 ガスからなる反応ガスを導入し、高周波電圧を印
加してプラズマ化し、プラズマシリコン酸化膜をウェハ
上に成膜する。
【００１５】所定の膜厚がウェハＷ上に形成された時点
で、プラズマシリコン酸化膜の疎水化処理工程に入る。
それには、Ｏ2 ガスの供給と高周波電圧の印加を停止し
て、ＴＥＯＳガスのみを継続してチャンバ１２内に導入
し、チャンバ内をＴＥＯＳガス雰囲気に所定時間維持し
て、ウェハ上のプラズマシリコン酸化膜をＴＥＯＳガス
に接触させ、疎水化処理する。疎水化処理工程における
チャンバ１２の圧力と温度及びＴＥＯＳガスの流量は、
プラズマシリコン酸化膜の形成工程における圧力、温度
及び流量と同じであり、疎水化処理に要する時間は、４
０sec 〜１００sec 程度で、通常は６０sec 程度であ
る。疎水化処理工程が終了後、ウェハＷを装置１０より
取り出し、カセットに収納して、Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化
膜の成膜装置、例えば常圧ＣＶＤ装置に移送し、そこで
従来と同様にしてＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜を成膜する。
で、プラズマシリコン酸化膜の疎水化処理工程に入る。
それには、Ｏ2 ガスの供給と高周波電圧の印加を停止し
て、ＴＥＯＳガスのみを継続してチャンバ１２内に導入
し、チャンバ内をＴＥＯＳガス雰囲気に所定時間維持し
て、ウェハ上のプラズマシリコン酸化膜をＴＥＯＳガス
に接触させ、疎水化処理する。疎水化処理工程における
チャンバ１２の圧力と温度及びＴＥＯＳガスの流量は、
プラズマシリコン酸化膜の形成工程における圧力、温度
及び流量と同じであり、疎水化処理に要する時間は、４
０sec 〜１００sec 程度で、通常は６０sec 程度であ
る。疎水化処理工程が終了後、ウェハＷを装置１０より
取り出し、カセットに収納して、Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化
膜の成膜装置、例えば常圧ＣＶＤ装置に移送し、そこで
従来と同様にしてＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜を成膜する。
【００１６】本発明方法実験例 本発明方法の有効性を評価するために、評価実験を行っ
た。図２に示すように、０．５μm の配線幅で配線相互
の間隔（ｄ、ｄ′）をそれぞれ１μm から５μm の範囲
で変えて層厚０．６５μm の複数のアルミニウム配線層
ALを相互に平行に基板Ｗ上に形成した。次いで、アルミ
ニウム配線層Alを形成した基板Ｗを上述の装置１０に入
れ、ＴＥＯＳガスとＯ2 ガスとを反応ガスとしてアルミ
ニウム配線層AL上に膜厚０．３μm のシリコン酸化膜Ｓ
1 を成膜し、続いてＴＥＯＳガスによる疎水化処理を施
した。次に、常圧ＣＶＤ装置においてＯ3 −ＴＥＯＳ・
酸化膜（ＮＳＧ）Ｓ2 を形成した。
た。図２に示すように、０．５μm の配線幅で配線相互
の間隔（ｄ、ｄ′）をそれぞれ１μm から５μm の範囲
で変えて層厚０．６５μm の複数のアルミニウム配線層
ALを相互に平行に基板Ｗ上に形成した。次いで、アルミ
ニウム配線層Alを形成した基板Ｗを上述の装置１０に入
れ、ＴＥＯＳガスとＯ2 ガスとを反応ガスとしてアルミ
ニウム配線層AL上に膜厚０．３μm のシリコン酸化膜Ｓ
1 を成膜し、続いてＴＥＯＳガスによる疎水化処理を施
した。次に、常圧ＣＶＤ装置においてＯ3 −ＴＥＯＳ・
酸化膜（ＮＳＧ）Ｓ2 を形成した。
【００１７】プラズマシリコン酸化膜の成膜条件 圧力：９Torr 温度：３７０°C 反応ガスの流量：ＴＥＯＳガス，２５０sccm（バブリン
グＨe 流量を含む）Ｏ2,２００sccm 時間：２０sec 電力出力：４００Ｗ 疎水化処理の条件 圧力：９Torr 温度：３７０°C 反応ガスの流量：ＴＥＯＳガス，２５０sccm（バブリン
グＨe 流量を含む） 時間：６０sec Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成膜条件 圧力：常圧 温度：３８０°C 反応ガスの流量：ＴＥＯＳガス，１３．５sccm、Ｏ2 ／
Ｏ3 ，６．６５slm 得たＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の膜厚（図２中、Ｔで表
示）は、アルミニウム配線層AL上で、各配線間隔に対し
て図２に黒丸で示す通りであり、配線間隔に対する膜厚
の近似曲線を曲線１のように表示することができた。
グＨe 流量を含む）Ｏ2,２００sccm 時間：２０sec 電力出力：４００Ｗ 疎水化処理の条件 圧力：９Torr 温度：３７０°C 反応ガスの流量：ＴＥＯＳガス，２５０sccm（バブリン
グＨe 流量を含む） 時間：６０sec Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の成膜条件 圧力：常圧 温度：３８０°C 反応ガスの流量：ＴＥＯＳガス，１３．５sccm、Ｏ2 ／
Ｏ3 ，６．６５slm 得たＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の膜厚（図２中、Ｔで表
示）は、アルミニウム配線層AL上で、各配線間隔に対し
て図２に黒丸で示す通りであり、配線間隔に対する膜厚
の近似曲線を曲線１のように表示することができた。
【００１８】従来方法実験例 本発明方法と比較するために、従来方法によってＯ3 −
ＴＥＯＳ・酸化膜を形成した。即ち、本発明方法実験例
と同じ条件で、アルミニウム配線層AL上に膜厚００のシ
リコン酸化膜S1を成膜し、次に、疎水化処理工程を行う
ことなく、常圧ＣＶＤ装置においてＯ3 −ＴＥＯＳ・酸
化膜（ＮＳＧ）を形成した。得たＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化
膜の膜厚（図２中、Ｔで表示）は、アルミニウム配線層
AL上で、各配線間隔に対して図２に白抜き正方形で示す
通りであり、配線間隔に対する膜厚の近似曲線を曲線２
のように表示することができた。
ＴＥＯＳ・酸化膜を形成した。即ち、本発明方法実験例
と同じ条件で、アルミニウム配線層AL上に膜厚００のシ
リコン酸化膜S1を成膜し、次に、疎水化処理工程を行う
ことなく、常圧ＣＶＤ装置においてＯ3 −ＴＥＯＳ・酸
化膜（ＮＳＧ）を形成した。得たＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化
膜の膜厚（図２中、Ｔで表示）は、アルミニウム配線層
AL上で、各配線間隔に対して図２に白抜き正方形で示す
通りであり、配線間隔に対する膜厚の近似曲線を曲線２
のように表示することができた。
【００１９】従来方法を適用した場合、Ｏ3 −ＴＥＯＳ
・酸化膜の最も薄い部分の膜厚は、基準となるPad 部分
に対して約１８％程度薄くなっている。それに対して、
本発明方法を適用した場合、Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の
膜厚は、最も薄い部分でも基準となるPad 部分に対して
約１４％程度しか薄くなっていない。以上の結果から、
本発明方法は、従来方法に比べてＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化
膜の下地依存性を著しく改善していると評価できる。
・酸化膜の最も薄い部分の膜厚は、基準となるPad 部分
に対して約１８％程度薄くなっている。それに対して、
本発明方法を適用した場合、Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の
膜厚は、最も薄い部分でも基準となるPad 部分に対して
約１４％程度しか薄くなっていない。以上の結果から、
本発明方法は、従来方法に比べてＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化
膜の下地依存性を著しく改善していると評価できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、酸化膜を成膜した同じ
プラズマＣＶＤ装置において、酸化膜に疎水化処理を施
すことにより、酸化膜上に成膜するＯ3 −ＴＥＯＳ・酸
化膜の下地依存性を著しく改善することができる。本発
明方法を適用することにより、従来の疎水化処理のよう
に、別の下地表面処理装置を必要とすることなく、プロ
セス工程数を増加することなく、下地酸化膜の疎水化処
理を行うことができるので、チップコストの上昇を招く
ことなく、Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の下地依存性を改善
できる。
プラズマＣＶＤ装置において、酸化膜に疎水化処理を施
すことにより、酸化膜上に成膜するＯ3 −ＴＥＯＳ・酸
化膜の下地依存性を著しく改善することができる。本発
明方法を適用することにより、従来の疎水化処理のよう
に、別の下地表面処理装置を必要とすることなく、プロ
セス工程数を増加することなく、下地酸化膜の疎水化処
理を行うことができるので、チップコストの上昇を招く
ことなく、Ｏ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の下地依存性を改善
できる。
【図１】本発明方法を実施する際に、プラズマシリコン
酸化膜を成膜するために使用するプラズマＣＶＤ装置１
０の構成を示す模式的断面図である。
酸化膜を成膜するために使用するプラズマＣＶＤ装置１
０の構成を示す模式的断面図である。
【図２】実験例で得たＯ3 −ＴＥＯＳ・酸化膜の断面を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図３】配線間隔幅とＯ3 −ＴＥＯＳＮＳＧ膜厚との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
１０ プラズマＣＶＤ装置 １２ プロセスチャンバ １４ 加熱源 １６ 反応ガスの導入口 １８ 真空吸引口 ２０ サセプタ ２２ ウェハ昇降機構 ２４ サセプタを昇降させる昇降機構 ２６ セラミックシールド ２８ ポンピングプレート ３０ 加熱用ランプ ３２ クォーツランプ窓
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェハを収容したプラズマＣＶＤ装置に
反応ガスを供給し、かつプラズマ発生用電圧を印加し
て、ウェハ上にプラズマシリコン酸化膜を形成する工程
と、 続いて、プラズマＣＶＤ装置への反応ガスの供給及びプ
ラズマ発生用電力の印加を停止すると共にＴＥＯＳガス
を導入してプロセスチャンバ内をＴＥＯＳガス雰囲気と
し、ウェハ表面上のプラズマシリコン酸化膜とＴＥＯＳ
ガスとを反応させて疎水化処理を行う工程と、 次いで、Ｏ3 とＴＥＯＳガスとを反応させて、疎水化処
理されたプラズマシリコン酸化膜上にＯ3 −ＴＥＯＳ・
酸化膜を成膜する工程とを備えることを特徴とする酸化
膜の成膜方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載した酸化膜の成膜方法に
おいて、更に、ウェハをプラズマＣＶＤ装置から取り出
して大気と接触させ、プラズマ酸化膜上に付着したＴＥ
ＯＳガスを大気中の水分によって加水分解してエタノー
ルを生成させ、エタノールとプラズマシリコン酸化膜と
を反応させて疎水化処理を行う工程を備えることを特徴
とする酸化膜の成膜方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240592A JPH0878406A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 酸化膜の成膜方法 |
| US08/522,658 US5626924A (en) | 1994-09-08 | 1995-09-01 | Method of forming oxide film |
| KR1019950028682A KR960010910A (ko) | 1994-09-08 | 1995-09-02 | 산화막의 성막방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240592A JPH0878406A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 酸化膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878406A true JPH0878406A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=17061802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6240592A Pending JPH0878406A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 酸化膜の成膜方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5626924A (ja) |
| JP (1) | JPH0878406A (ja) |
| KR (1) | KR960010910A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518156B1 (ko) * | 1997-05-05 | 2005-11-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 테트라에틸오르토실란및오존실리콘산화물의표면감도감소방법및장치 |
| JP2013239752A (ja) * | 2007-10-22 | 2013-11-28 | Applied Materials Inc | ボイドフリーギャップ充填に対する誘電体膜品質を向上させる方法及びシステム |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6009827A (en) * | 1995-12-06 | 2000-01-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for creating strong interface between in-situ SACVD and PECVD silicon oxide films |
| KR100430799B1 (ko) * | 1996-05-30 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 컴퓨터가보유하는팩의착탈장치 |
| KR100416696B1 (ko) * | 1996-10-01 | 2004-03-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의평탄화방법 |
| US6551665B1 (en) | 1997-04-17 | 2003-04-22 | Micron Technology, Inc. | Method for improving thickness uniformity of deposited ozone-TEOS silicate glass layers |
| JP2975919B2 (ja) * | 1998-02-27 | 1999-11-10 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 下地表面改質方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6294473B1 (en) * | 1998-06-03 | 2001-09-25 | Rodel Holdings Inc. | Method of polishing substrates comprising silicon dioxide and composition relating thereto |
| US6156597A (en) * | 1998-06-09 | 2000-12-05 | Promos Technologies, Inc. | Additional buffer layer for eliminating ozone/tetraethylorthosilicate sensitivity on an arbitrary trench structure |
| US6245690B1 (en) | 1998-11-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films |
| US9725805B2 (en) * | 2003-06-27 | 2017-08-08 | Spts Technologies Limited | Apparatus and method for controlled application of reactive vapors to produce thin films and coatings |
| US20040261703A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Jeffrey D. Chinn | Apparatus and method for controlled application of reactive vapors to produce thin films and coatings |
| US7638167B2 (en) * | 2004-06-04 | 2009-12-29 | Applied Microstructures, Inc. | Controlled deposition of silicon-containing coatings adhered by an oxide layer |
| US20050271893A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Applied Microstructures, Inc. | Controlled vapor deposition of multilayered coatings adhered by an oxide layer |
| US7695775B2 (en) * | 2004-06-04 | 2010-04-13 | Applied Microstructures, Inc. | Controlled vapor deposition of biocompatible coatings over surface-treated substrates |
| WO2005121397A2 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-22 | Applied Microstructures, Inc. | Controlled vapor deposition of multilayered coatings adhered by an oxide layer |
| US7879396B2 (en) * | 2004-06-04 | 2011-02-01 | Applied Microstructures, Inc. | High aspect ratio performance coatings for biological microfluidics |
| KR20100038211A (ko) | 2007-06-28 | 2010-04-13 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 이산화규소 간극 충전용 전구체 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4872947A (en) * | 1986-12-19 | 1989-10-10 | Applied Materials, Inc. | CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process |
| JP2640174B2 (ja) * | 1990-10-30 | 1997-08-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5426076A (en) * | 1991-07-16 | 1995-06-20 | Intel Corporation | Dielectric deposition and cleaning process for improved gap filling and device planarization |
| US5376590A (en) * | 1992-01-20 | 1994-12-27 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JPH05235184A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-10 | Nec Corp | 半導体装置の多層配線構造体の製造方法 |
| US5271972A (en) * | 1992-08-17 | 1993-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity |
| JPH0795548B2 (ja) * | 1992-09-10 | 1995-10-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 二酸化珪素膜の気相成長法 |
| US5459108A (en) * | 1992-10-06 | 1995-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Normal pressure CVD process for manufacture of a semiconductor device through reaction of a nitrogen containing organic source with ozone |
| US5502006A (en) * | 1993-11-02 | 1996-03-26 | Nippon Steel Corporation | Method for forming electrical contacts in a semiconductor device |
| US5503882A (en) * | 1994-04-18 | 1996-04-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for planarizing an integrated circuit topography |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP6240592A patent/JPH0878406A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-01 US US08/522,658 patent/US5626924A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-02 KR KR1019950028682A patent/KR960010910A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518156B1 (ko) * | 1997-05-05 | 2005-11-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 테트라에틸오르토실란및오존실리콘산화물의표면감도감소방법및장치 |
| JP2013239752A (ja) * | 2007-10-22 | 2013-11-28 | Applied Materials Inc | ボイドフリーギャップ充填に対する誘電体膜品質を向上させる方法及びシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5626924A (en) | 1997-05-06 |
| KR960010910A (ko) | 1996-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0878406A (ja) | 酸化膜の成膜方法 | |
| TW497368B (en) | Method of reducing plasma-induced damage | |
| US7662728B2 (en) | Substrate processing method | |
| JP3857730B2 (ja) | フッ素添加二酸化ケイ素膜の成膜法 | |
| EP0686680A1 (en) | Isolation film of semiconductor device, coating fluid for forming the film, and process for producing the film | |
| JP2632879B2 (ja) | シリコーン系被膜の形成方法 | |
| JP2003059923A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH098032A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| JP3532830B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0766186A (ja) | 誘電体の異方性堆積法 | |
| KR0138853B1 (ko) | 플라즈마에 의한 SOG(Spin-On Glass) 경화(Curing) 방법 | |
| JP2003174029A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004288979A (ja) | 絶縁膜の成膜方法 | |
| JP3913638B2 (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
| JP2702430B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0964176A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3414934B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH09167766A (ja) | プラズマ化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2636715B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08203891A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI235771B (en) | Method of forming a fluorocarbon polymer film on a substrate using a passivation layer | |
| JPH06295907A (ja) | 成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3225694B2 (ja) | 窒化シリコン膜の形成方法およびｃｖｄ装置 | |
| JPH0964025A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05291415A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100119 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120119 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120119 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130119 Year of fee payment: 12 |