JPH0855363A - 光ヘッド - Google Patents
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- JPH0855363A JPH0855363A JP6190462A JP19046294A JPH0855363A JP H0855363 A JPH0855363 A JP H0855363A JP 6190462 A JP6190462 A JP 6190462A JP 19046294 A JP19046294 A JP 19046294A JP H0855363 A JPH0855363 A JP H0855363A
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- G11B7/1372—Lenses
- G11B2007/13727—Compound lenses, i.e. two or more lenses co-operating to perform a function, e.g. compound objective lens including a solid immersion lens, positive and negative lenses either bonded together or with adjustable spacing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学情報再生装置において、基材厚または対
応波長の異なる光ディスクに記録・再生する。 【構成】 第１の光ディスクを再生するための第１の波
長の半導体レーザ１ａと、第２の光ディスクを再生する
ための第２の波長の半導体レーザ１ｂを含むレーザ検出
器一体モジュール１４を含み、半導体レーザ１ｂの発光
源を半導体レーザ１ａ発光源より光軸方向に偏位するこ
とによって、第１の光ディスクとは基材厚または対応波
長の異なる第２の光ディスクを問題なく再生することが
できる。一組の集光レンズ，対物レンズ系を用いて簡単
な構成で、基材厚または対応波長の異なる光ディスクを
再生することを可能にしている。
応波長の異なる光ディスクに記録・再生する。 【構成】 第１の光ディスクを再生するための第１の波
長の半導体レーザ１ａと、第２の光ディスクを再生する
ための第２の波長の半導体レーザ１ｂを含むレーザ検出
器一体モジュール１４を含み、半導体レーザ１ｂの発光
源を半導体レーザ１ａ発光源より光軸方向に偏位するこ
とによって、第１の光ディスクとは基材厚または対応波
長の異なる第２の光ディスクを問題なく再生することが
できる。一組の集光レンズ，対物レンズ系を用いて簡単
な構成で、基材厚または対応波長の異なる光ディスクを
再生することを可能にしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基材厚または対応波長の
異なる光ディスクを記録再生する光ヘッドに関するもの
である。
異なる光ディスクを記録再生する光ヘッドに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザを用いた一般的な光ヘッド
を図１２に示す。図１２において、半導体レーザ２０１
から出射した光は集光レンズ２０２により平行な光ビー
ム２０３となる。光ビーム２０３は偏光ビームスプリッ
タ２０４にＰ偏光で入射することによりここを直進し
て、１／４波長板２０５を通り、反射ミラー２０６で光
路を曲げられ対物レンズ２０７に入射する。対物レンズ
２０７に入射した光は結像点ｐに絞り込まれ、光ディス
ク２０８の記録面上に光スポット２０９を形成する。次
に、光ディスク２０８で反射した光ビーム２１０は、再
び対物レンズ２０７と反射ミラー２０６および１／４波
長板２０５を通って、偏光ビームスプリッタ２０４に入
射する。光ビーム２１０は１／４波長板２０５の作用に
よりＳ偏光になるため、偏光ビームスプリッタ２０４で
反射して、検出レンズ２１１とシリンドリカルレンズ２
１２を通り、光検出器２１３に受光される。光検出器２
１３は、再生信号を検出すると共に、いわゆる非点収差
法によりフォーカス制御信号を、プッシュプル法により
トラッキング制御信号を検出するように構成されてい
る。
を図１２に示す。図１２において、半導体レーザ２０１
から出射した光は集光レンズ２０２により平行な光ビー
ム２０３となる。光ビーム２０３は偏光ビームスプリッ
タ２０４にＰ偏光で入射することによりここを直進し
て、１／４波長板２０５を通り、反射ミラー２０６で光
路を曲げられ対物レンズ２０７に入射する。対物レンズ
２０７に入射した光は結像点ｐに絞り込まれ、光ディス
ク２０８の記録面上に光スポット２０９を形成する。次
に、光ディスク２０８で反射した光ビーム２１０は、再
び対物レンズ２０７と反射ミラー２０６および１／４波
長板２０５を通って、偏光ビームスプリッタ２０４に入
射する。光ビーム２１０は１／４波長板２０５の作用に
よりＳ偏光になるため、偏光ビームスプリッタ２０４で
反射して、検出レンズ２１１とシリンドリカルレンズ２
１２を通り、光検出器２１３に受光される。光検出器２
１３は、再生信号を検出すると共に、いわゆる非点収差
法によりフォーカス制御信号を、プッシュプル法により
トラッキング制御信号を検出するように構成されてい
る。
【０００３】このような構成の光ヘッドに用いられる対
物レンズ２０７は、光ディスク２０８の基材厚みおよび
その対応波長を考慮して作られており、厚みまたは対応
波長の異なる光ディスクに対しては、球面収差が生じて
記録再生ができなくなる。従来、コンパクトディスクや
ビデオディスクあるいは光磁気ディスク装置等に用いら
れる光ディスクの基材厚は全て１．２ｍｍであり、対応
波長は７８０ｎｍ〜８３０ｎｍであったため、１つの光
ヘッドでこれらの光ディスクを記録再生することが可能
であった。
物レンズ２０７は、光ディスク２０８の基材厚みおよび
その対応波長を考慮して作られており、厚みまたは対応
波長の異なる光ディスクに対しては、球面収差が生じて
記録再生ができなくなる。従来、コンパクトディスクや
ビデオディスクあるいは光磁気ディスク装置等に用いら
れる光ディスクの基材厚は全て１．２ｍｍであり、対応
波長は７８０ｎｍ〜８３０ｎｍであったため、１つの光
ヘッドでこれらの光ディスクを記録再生することが可能
であった。
【０００４】一方、近年、より高密度化を図るために、
対物レンズの開口数を大きする、あるいは使用波長を短
くする等が検討されている。しかし、以下に延べるよう
に高密度化を図った光ディスクと従来の光ディスクを同
一の光ヘッドで記録再生するのは困難であった。
対物レンズの開口数を大きする、あるいは使用波長を短
くする等が検討されている。しかし、以下に延べるよう
に高密度化を図った光ディスクと従来の光ディスクを同
一の光ヘッドで記録再生するのは困難であった。
【０００５】まず、対物レンズの開口数を大きくするこ
とに関しては、光学的な分解能が向上し、記録あるいは
再生可能な周波数帯域を広げることができる反面、光デ
ィスク２０８に傾きがあると、光スポット２０９のコマ
収差が従来以上に増加する。このため、実用的には開口
数を上げても結像性能が向上しないという問題があっ
た。そこで、対物レンズの開口数を大きくしてもコマ収
差が大きくならないように、基材厚の薄い光ディスクを
用いるてコマ収差を低減するのが望ましい。前記光ディ
スク２０８と対物レンズ２０７の傾きによるコマ収差
は、光ディスクの厚みを薄くすると図１３のようにな
る。図１３の横軸は光ディスクの基材厚を、縦軸は開口
数を表しており光ディスクと対物レンズが０．２゜傾い
た場合の、光スポット２０９の光強度分布のピーク値の
劣化が等しくなる点を計算したものである。図から開口
数が０．５で光ディスクの厚みが１．２ｍｍの場合と、
開口数が０．６２で光ディスクの厚みが０．６ｍｍの場
合は前記ピーク値の劣化がほぼ同等であることが判る。
従って、開口数を大きくする場合、光ディスクの基材厚
を薄くすることにより、光ディスクの傾きにより発生す
るコマ収差を従来なみに抑えることができる。しかし、
光ディスクの基材厚を薄くした場合、上記球面収差によ
り基材厚１．２ｍｍの光ディスクを記録再生することが
できなくなり、光ヘッドの互換性はなくなる。このた
め、基材厚の薄い光ディスクと１．２ｍｍの光ディスク
を１つの装置で記録再生するには２個の光ヘッドが必要
であった。
とに関しては、光学的な分解能が向上し、記録あるいは
再生可能な周波数帯域を広げることができる反面、光デ
ィスク２０８に傾きがあると、光スポット２０９のコマ
収差が従来以上に増加する。このため、実用的には開口
数を上げても結像性能が向上しないという問題があっ
た。そこで、対物レンズの開口数を大きくしてもコマ収
差が大きくならないように、基材厚の薄い光ディスクを
用いるてコマ収差を低減するのが望ましい。前記光ディ
スク２０８と対物レンズ２０７の傾きによるコマ収差
は、光ディスクの厚みを薄くすると図１３のようにな
る。図１３の横軸は光ディスクの基材厚を、縦軸は開口
数を表しており光ディスクと対物レンズが０．２゜傾い
た場合の、光スポット２０９の光強度分布のピーク値の
劣化が等しくなる点を計算したものである。図から開口
数が０．５で光ディスクの厚みが１．２ｍｍの場合と、
開口数が０．６２で光ディスクの厚みが０．６ｍｍの場
合は前記ピーク値の劣化がほぼ同等であることが判る。
従って、開口数を大きくする場合、光ディスクの基材厚
を薄くすることにより、光ディスクの傾きにより発生す
るコマ収差を従来なみに抑えることができる。しかし、
光ディスクの基材厚を薄くした場合、上記球面収差によ
り基材厚１．２ｍｍの光ディスクを記録再生することが
できなくなり、光ヘッドの互換性はなくなる。このた
め、基材厚の薄い光ディスクと１．２ｍｍの光ディスク
を１つの装置で記録再生するには２個の光ヘッドが必要
であった。
【０００６】また、使用波長を短くしても対物レンズの
開口数を大きくするのと同様に、光学的な分解能が向上
し、記録あるいは再生可能な周波数帯域を広げることが
できるが、従来の波長（７８０ｎｍ）が対応波長の光デ
ィスクを短波長（たとえば６３５ｎｍ）の半導体レーザ
で再生した場合、記録面の反射率や吸収率等の違いから
十分な再生信号または制御信号が得られないという問題
点が発生する。これは、たとえば書き込み可能なＣＤと
して規格化されたＣＤ−Ｒ等では顕著にみられる。ＣＤ
−Ｒの反射率の波長依存性のデータの一例を、（図１
４）に示す。ＣＤ−Ｒはもともと、７７５−８２０ｎｍ
で反射率が６５％以上と規定されているが、規定範囲外
の波長では極端に反射率が変化し、６３５ｎｍ付近の反
射率は５％程度となるものもある。また、ＣＤ−Ｒの再
生パワーは、０．７ｍＷ以下と規定されている。このた
め、６３５ｎｍの半導体レーザを用いた光ヘッドで上記
データのようなＣＤ−Ｒも再生しようとした場合、再生
パワーを上限の０．７ｍＷとし、再生光学系の効率を仮
に１００％としても再生検出系には３５μＷのパワーし
か得られず、非常にＳ／Ｎの良い、つまり高価な再生信
号系が必要となる。実際には、コスト等を考えた普及型
の光ヘッドでは、再生光学系の効率を５０％以下に設計
する事が望ましく、６３５ｎｍでの光検出器の効率等を
考慮すると再生Ｓ／Ｎを確保するのは非常に困難とな
る。以上の様な理由から、従来の技術では、６３５ｎｍ
対応の高密度光ディスクとＣＤ−Ｒを、１つの光ヘッド
で再生するのは非常に困難で、高密度光ディスク再生用
の６３５ｎｍを用いた光ヘッドとＣＤ、ＣＤ−Ｒ再生用
の光ヘッドをそれぞれ設ける必要があった。
開口数を大きくするのと同様に、光学的な分解能が向上
し、記録あるいは再生可能な周波数帯域を広げることが
できるが、従来の波長（７８０ｎｍ）が対応波長の光デ
ィスクを短波長（たとえば６３５ｎｍ）の半導体レーザ
で再生した場合、記録面の反射率や吸収率等の違いから
十分な再生信号または制御信号が得られないという問題
点が発生する。これは、たとえば書き込み可能なＣＤと
して規格化されたＣＤ−Ｒ等では顕著にみられる。ＣＤ
−Ｒの反射率の波長依存性のデータの一例を、（図１
４）に示す。ＣＤ−Ｒはもともと、７７５−８２０ｎｍ
で反射率が６５％以上と規定されているが、規定範囲外
の波長では極端に反射率が変化し、６３５ｎｍ付近の反
射率は５％程度となるものもある。また、ＣＤ−Ｒの再
生パワーは、０．７ｍＷ以下と規定されている。このた
め、６３５ｎｍの半導体レーザを用いた光ヘッドで上記
データのようなＣＤ−Ｒも再生しようとした場合、再生
パワーを上限の０．７ｍＷとし、再生光学系の効率を仮
に１００％としても再生検出系には３５μＷのパワーし
か得られず、非常にＳ／Ｎの良い、つまり高価な再生信
号系が必要となる。実際には、コスト等を考えた普及型
の光ヘッドでは、再生光学系の効率を５０％以下に設計
する事が望ましく、６３５ｎｍでの光検出器の効率等を
考慮すると再生Ｓ／Ｎを確保するのは非常に困難とな
る。以上の様な理由から、従来の技術では、６３５ｎｍ
対応の高密度光ディスクとＣＤ−Ｒを、１つの光ヘッド
で再生するのは非常に困難で、高密度光ディスク再生用
の６３５ｎｍを用いた光ヘッドとＣＤ、ＣＤ−Ｒ再生用
の光ヘッドをそれぞれ設ける必要があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記技術では光ヘッド
が少なくとも２個必要なことからコスト高になる上に、
装置の小型化にも不都合であるという問題点があった。
本発明の目的は光学系をひとつとした上で、光源および
検出光学系のみを対応ディスクごとに設けることによ
り、１つの光ヘッドで基材厚の異なる光ディスクまた
は、対応波長の異なる光ディスクを記録再生することを
可能とし、低コストで小型の光ヘッドを実現することに
ある。また、対応ディスクごとの光源および検出光学系
のうち少なくとも一方を光源と検出系を一体としたいわ
ゆるＬＤ・ＰＤ一体モジュールとすることにより構成お
よび調整の簡素化を実現することにある。
が少なくとも２個必要なことからコスト高になる上に、
装置の小型化にも不都合であるという問題点があった。
本発明の目的は光学系をひとつとした上で、光源および
検出光学系のみを対応ディスクごとに設けることによ
り、１つの光ヘッドで基材厚の異なる光ディスクまた
は、対応波長の異なる光ディスクを記録再生することを
可能とし、低コストで小型の光ヘッドを実現することに
ある。また、対応ディスクごとの光源および検出光学系
のうち少なくとも一方を光源と検出系を一体としたいわ
ゆるＬＤ・ＰＤ一体モジュールとすることにより構成お
よび調整の簡素化を実現することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の光源
と、第１の光源とは波長の異なる第２の光源と、第１の
光源からの第１の光ビームを第１の光ディスクに収束さ
せ、第２の光源からの第２の光ビームを第１の光ビーム
では基材厚の違いによる球面収差のため通常の手段では
記録，再生が困難な第２の光ディスクに収束させる光収
束手段と、第１の光ビームと第２の光ビームを合成する
光合成分離手段と、第１の光ディスクからの反射光を分
離する光分離手段と、分離された第１の光ディスクから
の反射光を受光する第１の光検出器と、第２の光源と一
体に構成された第２の光検出器とを備え、第２の光ディ
スクからの反射光を前記光合成分離手段で分離し、第２
の光検出器で受光するよう構成したものである。
と、第１の光源とは波長の異なる第２の光源と、第１の
光源からの第１の光ビームを第１の光ディスクに収束さ
せ、第２の光源からの第２の光ビームを第１の光ビーム
では基材厚の違いによる球面収差のため通常の手段では
記録，再生が困難な第２の光ディスクに収束させる光収
束手段と、第１の光ビームと第２の光ビームを合成する
光合成分離手段と、第１の光ディスクからの反射光を分
離する光分離手段と、分離された第１の光ディスクから
の反射光を受光する第１の光検出器と、第２の光源と一
体に構成された第２の光検出器とを備え、第２の光ディ
スクからの反射光を前記光合成分離手段で分離し、第２
の光検出器で受光するよう構成したものである。
【０００９】また、第１の光源と、第１の光源とは波長
の異なる第２の光源と、第１の光源からの第１の光ビー
ムを第１の光ディスクに収束させ、第２の光源からの第
２の光ビームを第１の光ビームの波長では対応波長の違
いにより、記録面の反射率やピット深さ等が異なり、通
常の手段では記録，再生が困難な第２の光ディスクに収
束させる光収束手段と、第１の光ビームと第２の光ビー
ムを合成する光合成分離手段と、第１の光ディスクから
の反射光を分離する光分離手段と、分離された第１の光
ディスクからの反射光を受光する第１の光検出器と、第
２の光源一体に構成された第２の光検出器とを備え、第
２の光ディスクからの反射光を前記光合成分離手段で分
離し、第２の光検出器で受光するよう構成したものであ
る。
の異なる第２の光源と、第１の光源からの第１の光ビー
ムを第１の光ディスクに収束させ、第２の光源からの第
２の光ビームを第１の光ビームの波長では対応波長の違
いにより、記録面の反射率やピット深さ等が異なり、通
常の手段では記録，再生が困難な第２の光ディスクに収
束させる光収束手段と、第１の光ビームと第２の光ビー
ムを合成する光合成分離手段と、第１の光ディスクから
の反射光を分離する光分離手段と、分離された第１の光
ディスクからの反射光を受光する第１の光検出器と、第
２の光源一体に構成された第２の光検出器とを備え、第
２の光ディスクからの反射光を前記光合成分離手段で分
離し、第２の光検出器で受光するよう構成したものであ
る。
【００１０】
【作用】このような構成によって、１つの光ヘッドで基
材厚の異なる光ディスクまたは対応波長の異なる光ディ
スクに対応することができ、対物レンズの開口数を上げ
て高密度化を図った薄型の光ディスクと、従来の１．２
ｍｍの光ディスクあるいは、記録再生用半導体レーザの
波長を短波長化して高密度化した短波長対応ディスク
と、従来の波長対応のディスクに対して記録再生ができ
る。従って、１つの光ヘッドで互換性を犠牲にすること
無く高密度化を図ることができ、小型・低コスト化が可
能になる。
材厚の異なる光ディスクまたは対応波長の異なる光ディ
スクに対応することができ、対物レンズの開口数を上げ
て高密度化を図った薄型の光ディスクと、従来の１．２
ｍｍの光ディスクあるいは、記録再生用半導体レーザの
波長を短波長化して高密度化した短波長対応ディスク
と、従来の波長対応のディスクに対して記録再生ができ
る。従って、１つの光ヘッドで互換性を犠牲にすること
無く高密度化を図ることができ、小型・低コスト化が可
能になる。
【００１１】また、少なくとも一方の半導体レーザ、光
検出系にレーザ検出器一体モジュールを用いることによ
り、基材厚違いあるいは対応波長違いでそれぞれ存在す
る検出光学系の複雑な調整を簡略化することができ、小
型化も可能となる。
検出系にレーザ検出器一体モジュールを用いることによ
り、基材厚違いあるいは対応波長違いでそれぞれ存在す
る検出光学系の複雑な調整を簡略化することができ、小
型化も可能となる。
【００１２】
（実施例１）以下本発明の第１の実施例について、図面
を参照しながら説明する。図１（ａ）は本実施例におい
て基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８ａを再生する
場合、図１（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂ
を再生する場合を示している。図１（ａ）において、発
振波長６３５ｎｍの半導体レーザ１ａから出射した光ビ
ームは図２（ａ）に示す特性を持った第１の波長偏光フ
ィルタ４ａをＰ偏光で透過し、集光レンズ２により略平
行な光ビーム３ａとなり、図２（ａ）に示す特性を持っ
た第２の波長偏光フィルタ４ａに入射する。ここで、第
２の波長偏光フィルタ４ａは第１の波長偏光フィルタ４
ａとは空間的に９０°ねじれた状態で設置されているた
め、前記光ビーム３ａは第２の波長偏光フィルタ４ａに
対してＳ偏光で入射する。このため、前記光ビーム３ａ
はここで反射して、波長板２５を通り、対物レンズ７に
入射する。前記波長板２５は６３５ｎｍに対してπ／２
の位相差を生ずるよう設定されている。対物レンズ７に
入射した光は結像点ｐに絞り込まれ、基材厚０．６ｍｍ
の高密度の光ディスク８ａの記録面上に光スポット９ａ
を形成する。次に、光ディスク８ａで反射した光ビーム
１０ａは、再び対物レンズ７と波長板２５を通って、第
２の波長偏光フィルタ４ａに入射する。光ビーム１０ａ
は波長板２５の作用によりＰ偏光になるため、第２の波
長偏光フィルタ４ａを透過して、検出レンズ１１を通
り、第１の光ディスク用の光検出器１３ａに受光され
る。光検出器１３ａは、再生信号を検出すると共に、い
わゆる非点収差法によりフォーカス制御信号を、プッシ
ュプル法によりトラッキング制御信号を検出するように
構成されている。
を参照しながら説明する。図１（ａ）は本実施例におい
て基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８ａを再生する
場合、図１（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂ
を再生する場合を示している。図１（ａ）において、発
振波長６３５ｎｍの半導体レーザ１ａから出射した光ビ
ームは図２（ａ）に示す特性を持った第１の波長偏光フ
ィルタ４ａをＰ偏光で透過し、集光レンズ２により略平
行な光ビーム３ａとなり、図２（ａ）に示す特性を持っ
た第２の波長偏光フィルタ４ａに入射する。ここで、第
２の波長偏光フィルタ４ａは第１の波長偏光フィルタ４
ａとは空間的に９０°ねじれた状態で設置されているた
め、前記光ビーム３ａは第２の波長偏光フィルタ４ａに
対してＳ偏光で入射する。このため、前記光ビーム３ａ
はここで反射して、波長板２５を通り、対物レンズ７に
入射する。前記波長板２５は６３５ｎｍに対してπ／２
の位相差を生ずるよう設定されている。対物レンズ７に
入射した光は結像点ｐに絞り込まれ、基材厚０．６ｍｍ
の高密度の光ディスク８ａの記録面上に光スポット９ａ
を形成する。次に、光ディスク８ａで反射した光ビーム
１０ａは、再び対物レンズ７と波長板２５を通って、第
２の波長偏光フィルタ４ａに入射する。光ビーム１０ａ
は波長板２５の作用によりＰ偏光になるため、第２の波
長偏光フィルタ４ａを透過して、検出レンズ１１を通
り、第１の光ディスク用の光検出器１３ａに受光され
る。光検出器１３ａは、再生信号を検出すると共に、い
わゆる非点収差法によりフォーカス制御信号を、プッシ
ュプル法によりトラッキング制御信号を検出するように
構成されている。
【００１３】また、本実施例の光ヘッドは、発振波長７
８０ｎｍの半導体レーザを備えた、いわゆるレーザ検出
器一体モジュール１４を備えている。
８０ｎｍの半導体レーザを備えた、いわゆるレーザ検出
器一体モジュール１４を備えている。
【００１４】レーザ検出器一体モジュールとは、図１
（ｂ）の１４の様に半導体レーザ１ｂと、光ディスクか
らの反射光を分離し空間的変化を与えるホログラムと、
その反射光を受光する光検出器１３ｂとが一体に構成さ
れたもので、あらかじめモジュールを組み立てる際に光
検出器１３ｂとホログラムの位置が調整されているもの
である。したがって、このレーザ検出器一体モジュール
は、光学ヘッドの基準面に無調整であるいは、トラッキ
ング検出用のサブビームの回転の調整のみで光学ヘッド
に取り付けることができる。なお、本実施例では光ディ
スクからの反射光を分離する素子をホログラムとした
が、同様の効果をプリズムで得ることもできる。
（ｂ）の１４の様に半導体レーザ１ｂと、光ディスクか
らの反射光を分離し空間的変化を与えるホログラムと、
その反射光を受光する光検出器１３ｂとが一体に構成さ
れたもので、あらかじめモジュールを組み立てる際に光
検出器１３ｂとホログラムの位置が調整されているもの
である。したがって、このレーザ検出器一体モジュール
は、光学ヘッドの基準面に無調整であるいは、トラッキ
ング検出用のサブビームの回転の調整のみで光学ヘッド
に取り付けることができる。なお、本実施例では光ディ
スクからの反射光を分離する素子をホログラムとした
が、同様の効果をプリズムで得ることもできる。
【００１５】図１（ｂ）において、レーザ検出器一体モ
ジュール１４の半導体レーザ１ｂから出射した光ビーム
は基材厚１．２ｍｍの光ディスク（たとえばＣＤ）８ｂ
の再生に最適な集光状態となるように開口６で開口制限
を受け、前記第１の波長偏光フィルタ４ａに入射し図２
（ａ）の特性により偏光状態に関わらず反射する。光ビ
ームは集光レンズ２により前記略平行ビーム３ａに比
べ、少し発散する光ビーム３ｂとなり、第２の波長偏光
フィルタ４ａに入射する。光ビーム３ｂは、図２（ａ）
の特性によりここでも偏光方向に関係なくほぼ１００％
反射して、波長板２５を通り、対物レンズ７に入射す
る。対物レンズ７に入射した光は結像点ｐ’に絞り込ま
れ、基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂの記録面上に光
スポット９ｂを形成する。次に、光ディスク８ｂで反射
した光ビーム１０ｂは、再び対物レンズ７と波長板２５
を通って、第２の波長偏光フィルタ４ａに入射する。光
ビーム１０ｂは波長板２５の作用により偏光状態が変化
しているが、図２（ａ）の特性により、偏光状態に関わ
らずほぼ１００％反射して集光レンズ２を通って、さら
に第１の波長偏光フィルタ４ａでも同様にほぼ１００％
反射してレーザ検出器一体モジュール１４の方向に向か
う。レーザ検出器一体モジュールに入射した光ビーム
は、ホログラム１７で回折され、光検出器１３ｂに入射
し、いわゆるＳＳＤ（ＳＰＯＴ ＳＩＺＥ ＤＥＴＥＣ
ＴＩＯＮ）方式を使って前記対物レンズ７を記録面に追
従させるためのフォーカス制御信号を、いわゆる３ビー
ム方式を使ってトラック面上のトラックに追従させるた
めのトラッキング制御信号を検出するように構成されて
いる。
ジュール１４の半導体レーザ１ｂから出射した光ビーム
は基材厚１．２ｍｍの光ディスク（たとえばＣＤ）８ｂ
の再生に最適な集光状態となるように開口６で開口制限
を受け、前記第１の波長偏光フィルタ４ａに入射し図２
（ａ）の特性により偏光状態に関わらず反射する。光ビ
ームは集光レンズ２により前記略平行ビーム３ａに比
べ、少し発散する光ビーム３ｂとなり、第２の波長偏光
フィルタ４ａに入射する。光ビーム３ｂは、図２（ａ）
の特性によりここでも偏光方向に関係なくほぼ１００％
反射して、波長板２５を通り、対物レンズ７に入射す
る。対物レンズ７に入射した光は結像点ｐ’に絞り込ま
れ、基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂの記録面上に光
スポット９ｂを形成する。次に、光ディスク８ｂで反射
した光ビーム１０ｂは、再び対物レンズ７と波長板２５
を通って、第２の波長偏光フィルタ４ａに入射する。光
ビーム１０ｂは波長板２５の作用により偏光状態が変化
しているが、図２（ａ）の特性により、偏光状態に関わ
らずほぼ１００％反射して集光レンズ２を通って、さら
に第１の波長偏光フィルタ４ａでも同様にほぼ１００％
反射してレーザ検出器一体モジュール１４の方向に向か
う。レーザ検出器一体モジュールに入射した光ビーム
は、ホログラム１７で回折され、光検出器１３ｂに入射
し、いわゆるＳＳＤ（ＳＰＯＴ ＳＩＺＥ ＤＥＴＥＣ
ＴＩＯＮ）方式を使って前記対物レンズ７を記録面に追
従させるためのフォーカス制御信号を、いわゆる３ビー
ム方式を使ってトラック面上のトラックに追従させるた
めのトラッキング制御信号を検出するように構成されて
いる。
【００１６】図３にはレーザ検出器一体モジュール１４
に設けられた、発振波長が７８０ｎｍの半導体レーザ１
ｂからの光ビーム３ｂが基材厚１．２ｍｍの光ディスク
８ｂに焦点を結んだ場合の波面収差と、発振波長が６３
５ｎｍの半導体レーザ１ｂから集光レンズ２まで距離の
関係を示した。なお、対物レンズ７と集光レンズ２は、
それぞれの焦点距離を３ｍｍ、２５ｍｍとして、半導体
レーザ１ａからの光ビーム３ａが基材厚０．６ｍｍの高
密度光ディスクに波面収差１０ｍλ（ｒｍｓ）以下で焦
点を結ぶように設計されている。この図３から半導体レ
ーザ１ｂから集光レンズ２までの距離を適当に設定する
ことにより、波長６３５ｎｍ・基材厚０．６ｍｍで設計
された対物レンズ・集光レンズ系で、発振波長が７８０
ｎｍの半導体レーザ１ｂからの光ビームを基材厚１．２
ｍｍの光ディスク８ｂに波面収差１０ｍλ以下で収束さ
せることができることがわかる。つまり、本実施例で
は、半導体レーザ１ｂから集光レンズ２までの距離を半
導体レーザ１ａから集光レンズ２までの距離より約８ｍ
ｍ短く設定することにより、半導体レーザ１ｂからの光
ビーム３ｂで基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂを問題
なく再生することができる。
に設けられた、発振波長が７８０ｎｍの半導体レーザ１
ｂからの光ビーム３ｂが基材厚１．２ｍｍの光ディスク
８ｂに焦点を結んだ場合の波面収差と、発振波長が６３
５ｎｍの半導体レーザ１ｂから集光レンズ２まで距離の
関係を示した。なお、対物レンズ７と集光レンズ２は、
それぞれの焦点距離を３ｍｍ、２５ｍｍとして、半導体
レーザ１ａからの光ビーム３ａが基材厚０．６ｍｍの高
密度光ディスクに波面収差１０ｍλ（ｒｍｓ）以下で焦
点を結ぶように設計されている。この図３から半導体レ
ーザ１ｂから集光レンズ２までの距離を適当に設定する
ことにより、波長６３５ｎｍ・基材厚０．６ｍｍで設計
された対物レンズ・集光レンズ系で、発振波長が７８０
ｎｍの半導体レーザ１ｂからの光ビームを基材厚１．２
ｍｍの光ディスク８ｂに波面収差１０ｍλ以下で収束さ
せることができることがわかる。つまり、本実施例で
は、半導体レーザ１ｂから集光レンズ２までの距離を半
導体レーザ１ａから集光レンズ２までの距離より約８ｍ
ｍ短く設定することにより、半導体レーザ１ｂからの光
ビーム３ｂで基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂを問題
なく再生することができる。
【００１７】図１６に上記光学系を用いたシステムブロ
ック図を示した。装置に挿入された光ディスクをカート
リッジ形状等から基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
と基材厚１．２ｍｍの光ディスクとを判別する。基材厚
０．６ｍｍの高密度光ディスクと判断された場合は、６
３５ｎｍ半導体レーザ１ａを点灯させ、光ディスク８ａ
に焦点をむすび、その反射光を光検出器１３ａで受光す
ることにより、制御信号および再生信号を得ることがで
きる。また、基材厚１．２ｍｍの光ディスクと判断され
た場合は、半導体レーザ１ｂを点灯させ、光ディスク８
ｂに焦点をむすび、その反射光を光検出器１３ｂで受光
することにより、制御信号および再生信号を得ることが
できる。
ック図を示した。装置に挿入された光ディスクをカート
リッジ形状等から基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
と基材厚１．２ｍｍの光ディスクとを判別する。基材厚
０．６ｍｍの高密度光ディスクと判断された場合は、６
３５ｎｍ半導体レーザ１ａを点灯させ、光ディスク８ａ
に焦点をむすび、その反射光を光検出器１３ａで受光す
ることにより、制御信号および再生信号を得ることがで
きる。また、基材厚１．２ｍｍの光ディスクと判断され
た場合は、半導体レーザ１ｂを点灯させ、光ディスク８
ｂに焦点をむすび、その反射光を光検出器１３ｂで受光
することにより、制御信号および再生信号を得ることが
できる。
【００１８】本実施例の構成にすることにより、波長板
２５は波長６３５ｎｍに対してのみアイソレータの役目
をするだけで、波長７８０ｎｍに対しては規定する必要
がなく、安価な部品を使用することができる。さらに、
第１の波長偏光フィルタと第２の波長偏光フィルタを同
一仕様のものを使用することができコストダウンが可能
である。 また、波長６３５ｎｍの光ビームが基材厚
０．６ｍｍの高密度光ディスク８ａに集光するまでの反
射面の面数を最小にすることができ、結像点ｐにおける
波面収差の精度が上がり良好な再生特性を得ることがで
きる。
２５は波長６３５ｎｍに対してのみアイソレータの役目
をするだけで、波長７８０ｎｍに対しては規定する必要
がなく、安価な部品を使用することができる。さらに、
第１の波長偏光フィルタと第２の波長偏光フィルタを同
一仕様のものを使用することができコストダウンが可能
である。 また、波長６３５ｎｍの光ビームが基材厚
０．６ｍｍの高密度光ディスク８ａに集光するまでの反
射面の面数を最小にすることができ、結像点ｐにおける
波面収差の精度が上がり良好な再生特性を得ることがで
きる。
【００１９】なお、本実施例では第１の波長偏光フィル
タの特性を図２（ａ）に示すものとしたが、６３５ｎｍ
用の通常の偏光ビームスプリッタとしても差し支えない
ため、さらにコストダウンが可能である。
タの特性を図２（ａ）に示すものとしたが、６３５ｎｍ
用の通常の偏光ビームスプリッタとしても差し支えない
ため、さらにコストダウンが可能である。
【００２０】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。図４（ａ）は本
実施例において基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８
ａを再生する場合、図４（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光
ディスク８ｂを再生する場合を示している。図４（ａ）
において、発振波長６３５ｎｍの半導体レーザ１ａから
出射した光はＰ偏光で図２（ａ）に示す特性を有する波
長偏光フィルタ４ａを透過し、さらに図２（ｂ）に示す
特性を有する波長偏光フィルタ４ｂを透過し、集光レン
ズ２により略平行な光ビーム３ａとなる。光ビーム３ａ
はミラー２１で反射し、波長板５に入射し、偏光状態が
円偏光に変換され、対物レンズ７に入射する。ここで、
波長板５は、６３５ｎｍに対してはπ／２の位相差を生
じ、７８０ｎｍに対してはπの位相差を生ずるよう設定
されている。対物レンズ７に入射した光は結像点ｐに絞
り込まれ、基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８ａの
記録面上に光スポット９ａを形成する。光ディスク８ａ
で反射した光ビーム１０ａは、再び対物レンズ７，波長
板５を通って偏光状態がＳ偏光に変換される。さらにミ
ラー２１、集光レンズ２を通って、図２（ｂ）に示す特
性により偏光状態に関わらず第２の波長偏光フィルタ４
ｂを透過し、第１の波長偏光フィルタ４ａに入射する。
光ビーム１０ａは、波長板５によりＳ偏光に変換されて
いるため第１の波長偏光フィルタ４ａで反射し、検出レ
ンズ３１を通り、第１の光検出器１３ａで受光される。
光検出器１３ａは、再生信号を検出すると共に、いわゆ
る非点収差法によりフォーカス制御信号を、プッシュプ
ル法によりトラッキング制御信号を検出するように構成
されている。
ついて、図面を参照しながら説明する。図４（ａ）は本
実施例において基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８
ａを再生する場合、図４（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光
ディスク８ｂを再生する場合を示している。図４（ａ）
において、発振波長６３５ｎｍの半導体レーザ１ａから
出射した光はＰ偏光で図２（ａ）に示す特性を有する波
長偏光フィルタ４ａを透過し、さらに図２（ｂ）に示す
特性を有する波長偏光フィルタ４ｂを透過し、集光レン
ズ２により略平行な光ビーム３ａとなる。光ビーム３ａ
はミラー２１で反射し、波長板５に入射し、偏光状態が
円偏光に変換され、対物レンズ７に入射する。ここで、
波長板５は、６３５ｎｍに対してはπ／２の位相差を生
じ、７８０ｎｍに対してはπの位相差を生ずるよう設定
されている。対物レンズ７に入射した光は結像点ｐに絞
り込まれ、基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８ａの
記録面上に光スポット９ａを形成する。光ディスク８ａ
で反射した光ビーム１０ａは、再び対物レンズ７，波長
板５を通って偏光状態がＳ偏光に変換される。さらにミ
ラー２１、集光レンズ２を通って、図２（ｂ）に示す特
性により偏光状態に関わらず第２の波長偏光フィルタ４
ｂを透過し、第１の波長偏光フィルタ４ａに入射する。
光ビーム１０ａは、波長板５によりＳ偏光に変換されて
いるため第１の波長偏光フィルタ４ａで反射し、検出レ
ンズ３１を通り、第１の光検出器１３ａで受光される。
光検出器１３ａは、再生信号を検出すると共に、いわゆ
る非点収差法によりフォーカス制御信号を、プッシュプ
ル法によりトラッキング制御信号を検出するように構成
されている。
【００２１】また、本実施例の光ヘッドは、発振波長６
３５ｎｍの半導体レーザ１ａとは、発光偏光方向が直行
した方向に設置され、発振波長７８０ｎｍの半導体レー
ザを備えた、いわゆるレーザ検出器一体モジュール１４
を備えている。図４（ｂ）において、レーザ検出器一体
モジュール１４の半導体レーザ１ｂからＳ偏光で出射し
た光ビームは、基材厚１．２ｍｍの光ディスク（たとえ
ばＣＤ）８ｂの再生に最適な集光状態となるように開口
６で開口制限を受け、第２の波長偏光フィルタ４ｂで反
射し、集光レンズ２により少し発散した光ビーム３ｂと
なり、ミラー２１で反射する。波長板５は、７８０ｎｍ
に対してはπの位相差を与えるため光ビーム３ｂは、波
長板５を通って偏光方向を９０°回転させられ、対物レ
ンズ７に入射する。対物レンズ７に入射した光ビーム３
ｂは結像点ｐ’に絞り込まれ、基材厚１．２ｍｍの光デ
ィスク（たとえばＣＤ）８ｂの記録面上に光スポット９
ｂを形成する。光ディスク８ｂで反射した光ビーム１０
ｂは、再び対物レンズ７を通って、波長板５に入射す
る。ここで再び偏光方向を９０°回転させられ元のＳ偏
光となってミラー２１で反射し、集光レンズ２を通って
第２の波長偏光フィルタ４ｂに入射する。図２（ｂ）の
特性により光ビーム１０ｂはレーザ検出器一体モジュー
ル１４の方向にほぼ１００％反射される。レーザ検出器
一体モジュール１４の詳細は実施例１と同様である。
３５ｎｍの半導体レーザ１ａとは、発光偏光方向が直行
した方向に設置され、発振波長７８０ｎｍの半導体レー
ザを備えた、いわゆるレーザ検出器一体モジュール１４
を備えている。図４（ｂ）において、レーザ検出器一体
モジュール１４の半導体レーザ１ｂからＳ偏光で出射し
た光ビームは、基材厚１．２ｍｍの光ディスク（たとえ
ばＣＤ）８ｂの再生に最適な集光状態となるように開口
６で開口制限を受け、第２の波長偏光フィルタ４ｂで反
射し、集光レンズ２により少し発散した光ビーム３ｂと
なり、ミラー２１で反射する。波長板５は、７８０ｎｍ
に対してはπの位相差を与えるため光ビーム３ｂは、波
長板５を通って偏光方向を９０°回転させられ、対物レ
ンズ７に入射する。対物レンズ７に入射した光ビーム３
ｂは結像点ｐ’に絞り込まれ、基材厚１．２ｍｍの光デ
ィスク（たとえばＣＤ）８ｂの記録面上に光スポット９
ｂを形成する。光ディスク８ｂで反射した光ビーム１０
ｂは、再び対物レンズ７を通って、波長板５に入射す
る。ここで再び偏光方向を９０°回転させられ元のＳ偏
光となってミラー２１で反射し、集光レンズ２を通って
第２の波長偏光フィルタ４ｂに入射する。図２（ｂ）の
特性により光ビーム１０ｂはレーザ検出器一体モジュー
ル１４の方向にほぼ１００％反射される。レーザ検出器
一体モジュール１４の詳細は実施例１と同様である。
【００２２】なお、本実施例では光ヘッドを薄型にする
ためにミラー２１を構成にいれたが、光ヘッドの性能上
は無くても良く、集光レンズ２から出射した光ビーム３
ａまたは光ビーム３ｂが直接波長板５を通って対物レン
ズ７に入射する構成でも差し支えない。
ためにミラー２１を構成にいれたが、光ヘッドの性能上
は無くても良く、集光レンズ２から出射した光ビーム３
ａまたは光ビーム３ｂが直接波長板５を通って対物レン
ズ７に入射する構成でも差し支えない。
【００２３】本実施例のような構成により、波長６３５
ｎｍの光ビームが基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
に集光するまでの反射面の面数を最小にすることがで
き、結像点ｐにおける波面収差の精度が上がり良好な再
生特性を得ることができる。
ｎｍの光ビームが基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
に集光するまでの反射面の面数を最小にすることがで
き、結像点ｐにおける波面収差の精度が上がり良好な再
生特性を得ることができる。
【００２４】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。図５（ａ）は本
実施例において基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８
ａを再生する場合、図５（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光
ディスク８ｂを再生する場合を示している。図５
（ａ）、（ｂ）において、第３の実施例は第２の実施例
における波長板５のかわりに、波長板２５とした。波長
板２５は第１の実施例と同様に、波長６３５ｎｍに対し
てπ／２の位相差を生ずるよう設定されており、第１の
波長偏光フィルタ４ａと第２の波長偏光フィルタ４ｂの
間に設けたものである。つまり、偏光方向を変化させる
波長板２５はレーザ検出器一体モジュールからの光ビー
ム３ｂには関与せず、発振波長６３５ｎｍの半導体レー
ザ１ａからの光ビーム３ａの偏光方向のみを変化させる
構成としたものである。 また、本実施例では、レーザ
検出器一体モジュールからの光ビームの開口制限を対物
レンズアクチュエータ２６に一体に取り付けられた可動
開口制限板で行う。つまり、高密度光ディスク８ａを再
生する場合は、対物レンズの開口すべてを使って再生
し、基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂを再生する場合
は、光ディスク８ｂの再生に最適な集光状態となるよう
に可動開口制限板を光ビーム３ｂ中に移動させ、開口制
限を行う。本実施例は、上記光学構成以外は実施例２と
同様である。
ついて、図面を参照しながら説明する。図５（ａ）は本
実施例において基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８
ａを再生する場合、図５（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光
ディスク８ｂを再生する場合を示している。図５
（ａ）、（ｂ）において、第３の実施例は第２の実施例
における波長板５のかわりに、波長板２５とした。波長
板２５は第１の実施例と同様に、波長６３５ｎｍに対し
てπ／２の位相差を生ずるよう設定されており、第１の
波長偏光フィルタ４ａと第２の波長偏光フィルタ４ｂの
間に設けたものである。つまり、偏光方向を変化させる
波長板２５はレーザ検出器一体モジュールからの光ビー
ム３ｂには関与せず、発振波長６３５ｎｍの半導体レー
ザ１ａからの光ビーム３ａの偏光方向のみを変化させる
構成としたものである。 また、本実施例では、レーザ
検出器一体モジュールからの光ビームの開口制限を対物
レンズアクチュエータ２６に一体に取り付けられた可動
開口制限板で行う。つまり、高密度光ディスク８ａを再
生する場合は、対物レンズの開口すべてを使って再生
し、基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂを再生する場合
は、光ディスク８ｂの再生に最適な集光状態となるよう
に可動開口制限板を光ビーム３ｂ中に移動させ、開口制
限を行う。本実施例は、上記光学構成以外は実施例２と
同様である。
【００２５】本実施例の構成により、波長板の特性は波
長７８０ｎｍに対しての制約はなく、波長６３５ｎｍに
対してのみ通常の１／４波長板として作用すれば良く、
安価な部品が使用でき、光ヘッドのコストダウンが可能
である。また、レーザ検出器一体モジュールからの光ビ
ーム３ｂの開口制限を光ディスク８ｂに収束光学系を追
従させる対物レンズアクチュエータ２６に一体にとりつ
けることにより、この対物レンズアクチュエータ２６が
光ディスクの偏心による記録トラックの移動に追従した
場合に発生する収束光量の低下、および収束スポットの
収差増大を低減することができる。
長７８０ｎｍに対しての制約はなく、波長６３５ｎｍに
対してのみ通常の１／４波長板として作用すれば良く、
安価な部品が使用でき、光ヘッドのコストダウンが可能
である。また、レーザ検出器一体モジュールからの光ビ
ーム３ｂの開口制限を光ディスク８ｂに収束光学系を追
従させる対物レンズアクチュエータ２６に一体にとりつ
けることにより、この対物レンズアクチュエータ２６が
光ディスクの偏心による記録トラックの移動に追従した
場合に発生する収束光量の低下、および収束スポットの
収差増大を低減することができる。
【００２６】（実施例４）以下本発明の第４の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。
ついて、図面を参照しながら説明する。
【００２７】図６（ａ）は本実施例において基材厚０．
６ｍｍの高密度光ディスク８ａを再生する場合、図６
（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂを再生する
場合を示している。図６（ａ）において、発振波長６３
５ｎｍの半導体レーザ１ａから出射した光ビームは図２
（ａ）に示す特性の平行平板波長偏光フィルタ４４ａ表
面で反射し、図２（ｂ）に示す特性の波長偏光フィルタ
４ｂを透過し、集光レンズ２により略平行な光ビーム３
ａとなる。光ビーム３ａは波長板５を透過して円偏光に
変換され、対物レンズ７に入射し、光は結像点ｐに絞り
込まれ、基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８ａの記
録面上に光スポット９ａを形成する。波長板５は第２の
実施例と同様、６３５ｎｍに対してはπ／２の位相差を
生じ、７８０ｎｍに対してはπの位相差を生ずるよう設
定されている。光ディスク８ａで反射した光ビーム１０
ａは、再び対物レンズ７、波長板５を通って偏光方向が
９０°回転し、波長偏光フィルタ４ｂにＰ偏光で入射す
る。光ビーム１０ａは図２（ｂ）の特性により偏光状態
に関わらず波長偏光フィルタ４ｂを透過して平行平板波
長偏光フィルタ４４ａに入射する。、波長板５によって
偏光方向を９０°回転させられ、Ｐ偏光で入射した光ビ
ーム１０ａは平行平板波長偏光フィルタ４４ａを透過
し、検出レンズ５１を通って第１の光検出器１３ａで受
光される。光検出器１３ａは、再生信号を検出すると共
に、平行平板波長偏光フィルタ４４ａを透過することに
よって生ずる非点収差を検出する、いわゆる非点収差法
によりフォーカス制御信号を、プッシュプル法によりト
ラッキング制御信号を検出するように構成されている。
６ｍｍの高密度光ディスク８ａを再生する場合、図６
（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂを再生する
場合を示している。図６（ａ）において、発振波長６３
５ｎｍの半導体レーザ１ａから出射した光ビームは図２
（ａ）に示す特性の平行平板波長偏光フィルタ４４ａ表
面で反射し、図２（ｂ）に示す特性の波長偏光フィルタ
４ｂを透過し、集光レンズ２により略平行な光ビーム３
ａとなる。光ビーム３ａは波長板５を透過して円偏光に
変換され、対物レンズ７に入射し、光は結像点ｐに絞り
込まれ、基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク８ａの記
録面上に光スポット９ａを形成する。波長板５は第２の
実施例と同様、６３５ｎｍに対してはπ／２の位相差を
生じ、７８０ｎｍに対してはπの位相差を生ずるよう設
定されている。光ディスク８ａで反射した光ビーム１０
ａは、再び対物レンズ７、波長板５を通って偏光方向が
９０°回転し、波長偏光フィルタ４ｂにＰ偏光で入射す
る。光ビーム１０ａは図２（ｂ）の特性により偏光状態
に関わらず波長偏光フィルタ４ｂを透過して平行平板波
長偏光フィルタ４４ａに入射する。、波長板５によって
偏光方向を９０°回転させられ、Ｐ偏光で入射した光ビ
ーム１０ａは平行平板波長偏光フィルタ４４ａを透過
し、検出レンズ５１を通って第１の光検出器１３ａで受
光される。光検出器１３ａは、再生信号を検出すると共
に、平行平板波長偏光フィルタ４４ａを透過することに
よって生ずる非点収差を検出する、いわゆる非点収差法
によりフォーカス制御信号を、プッシュプル法によりト
ラッキング制御信号を検出するように構成されている。
【００２８】また、本実施例の光ヘッドは、発振波長６
３５ｎｍの半導体レーザ１ａとは、発光偏光方向が直行
した方向に設置された発振波長７８０ｎｍの半導体レー
ザを備えた、いわゆるレーザ検出器一体モジュール１４
を備えている。構成を図６（ｂ）に示したが、集光系お
よび検出系は第２の実施例の配置と同様である。
３５ｎｍの半導体レーザ１ａとは、発光偏光方向が直行
した方向に設置された発振波長７８０ｎｍの半導体レー
ザを備えた、いわゆるレーザ検出器一体モジュール１４
を備えている。構成を図６（ｂ）に示したが、集光系お
よび検出系は第２の実施例の配置と同様である。
【００２９】本実施例の構成により、平行平板の波長偏
光フィルタを用いることによって検出光に非点収差を発
生させているため特別の検出光学系を必要とせず部品点
数を削減でき、安価な光ヘッドを実現することができ
る。
光フィルタを用いることによって検出光に非点収差を発
生させているため特別の検出光学系を必要とせず部品点
数を削減でき、安価な光ヘッドを実現することができ
る。
【００３０】なお、本実施例では平行平板波長偏光フィ
ルタの特性を図２（ａ）に示すものとしたが、６３５ｎ
ｍ用の通常の偏光ビームスプリッタとしても差し支えな
いため、さらにコストダウンが可能である。また、平行
平板へのに入射角度は４５°より大きな角度で設計する
のがよい。
ルタの特性を図２（ａ）に示すものとしたが、６３５ｎ
ｍ用の通常の偏光ビームスプリッタとしても差し支えな
いため、さらにコストダウンが可能である。また、平行
平板へのに入射角度は４５°より大きな角度で設計する
のがよい。
【００３１】（実施例５）以下本発明の第５の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。
ついて、図面を参照しながら説明する。
【００３２】図７（ａ）は本実施例において基材厚０．
６ｍｍの高密度光ディスク８ａを再生する場合、図７
（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂを再生する
場合を示している。図７（ａ）において、第１のレーザ
検出器一体モジュール７４の発振波長６３５ｎｍの半導
体レーザ１ａから出射した光ビーム６３ａは、Ｐ偏光で
図２（ａ）に示す特性の波長偏光フィルタ４ａに入射す
る。波長偏光フィルタ４ａを透過した光ビーム６３ａ
は、対物レンズ６７によって結像点ｐに絞り込まれ、高
密度光ディスク８ａの記録面上に光スポット９ａを形成
する。次に、光ディスク８ａで反射した光ビーム７０ａ
は、再び対物レンズ６７を通って、波長偏光フィルタ４
ａに入射する。光ビーム７０ａは波長偏光フィルタ４ａ
を直進して、第１のレーザ検出器一体モジュール７４に
入射する。第１のレーザ検出器一体モジュールに入射し
た光ビームは、第１のホログラム７７で回折され、第１
の光検出器７３に入射し、いわゆるＳＳＤ方式を使って
前記対物レンズ７を記録面に追従させるためのフォーカ
ス制御信号を、いわゆる３ビーム方式を使ってトラック
面上のトラックに追従させるためのトラッキング制御信
号を検出するように構成されている。
６ｍｍの高密度光ディスク８ａを再生する場合、図７
（ｂ）は基材厚１．２ｍｍの光ディスク８ｂを再生する
場合を示している。図７（ａ）において、第１のレーザ
検出器一体モジュール７４の発振波長６３５ｎｍの半導
体レーザ１ａから出射した光ビーム６３ａは、Ｐ偏光で
図２（ａ）に示す特性の波長偏光フィルタ４ａに入射す
る。波長偏光フィルタ４ａを透過した光ビーム６３ａ
は、対物レンズ６７によって結像点ｐに絞り込まれ、高
密度光ディスク８ａの記録面上に光スポット９ａを形成
する。次に、光ディスク８ａで反射した光ビーム７０ａ
は、再び対物レンズ６７を通って、波長偏光フィルタ４
ａに入射する。光ビーム７０ａは波長偏光フィルタ４ａ
を直進して、第１のレーザ検出器一体モジュール７４に
入射する。第１のレーザ検出器一体モジュールに入射し
た光ビームは、第１のホログラム７７で回折され、第１
の光検出器７３に入射し、いわゆるＳＳＤ方式を使って
前記対物レンズ７を記録面に追従させるためのフォーカ
ス制御信号を、いわゆる３ビーム方式を使ってトラック
面上のトラックに追従させるためのトラッキング制御信
号を検出するように構成されている。
【００３３】また、本実施例の光ヘッドは、第１のレー
ザ検出器一体モジュール７４の発振波長６３５ｎｍの半
導体レーザ１ａとは、発光偏光方向が直行した方向に設
置され、発振波長７８０ｎｍの半導体レーザ１ｂを備え
た、第２のレーザ検出器一体モジュール６１を備えてい
る。第２のレーザ検出器一体モジュール６１の詳細を図
８に示す。図８において半導体レーザ１ｂから出射した
光ビーム６３ｂはミラー８２で反射し、円環状のグレー
ティング８３により３ビームトラッキング用のサブビー
ムが生成される。グレーティング８３は、図９で示す溝
深さＤが、グレーティングの屈折率をｎとして、（ｎ−
１）が光ビーム６３ｂの波長のＮ／２倍、また平面部Ｌ
１と溝部Ｌ２の比が１：１となっており理論的には０次
光の効率が０％となっている。つまり、円環状グレーテ
ィング８３の内径は０次光の開口制限となっており、基
材厚１．２ｍｍの光ディスク（たとえばＣＤ）８ｂの再
生に最適な集光状態となるように光ビーム６３ｂを開口
制限している。図７（ｂ）においてＳ偏光で第２のレー
ザ検出器一体モジュール６１から出射した光ビーム６３
ｂは、波長偏光フィルタ４ａで反射し、対物レンズ６７
に入射し、結像点ｐ’に絞り込まれ、光ディスク８ｂの
記録面上に光スポット９ｂを形成する。光ディスク８ｂ
で反射した光ビーム７０ｂは、再び対物レンズ６７を通
って、図２（ｂ）の特性により波長偏光フィルタ４ａで
ほぼ１００％反射され、レーザ検出器一体モジュール６
１に入射する。第２のレーザ検出器一体モジュール６１
に入射した光ビーム７０ｂは、第２のホログラム１７で
回折され、光検出器１３ｂに入射し、いわゆるＳＳＤ方
式を使って前記対物レンズ６７を記録面に追従させるた
めのフォーカス制御信号を、いわゆる３ビーム方式を使
ってトラック面上のトラックに追従させるためのトラッ
キング制御信号を検出するように構成されている。
ザ検出器一体モジュール７４の発振波長６３５ｎｍの半
導体レーザ１ａとは、発光偏光方向が直行した方向に設
置され、発振波長７８０ｎｍの半導体レーザ１ｂを備え
た、第２のレーザ検出器一体モジュール６１を備えてい
る。第２のレーザ検出器一体モジュール６１の詳細を図
８に示す。図８において半導体レーザ１ｂから出射した
光ビーム６３ｂはミラー８２で反射し、円環状のグレー
ティング８３により３ビームトラッキング用のサブビー
ムが生成される。グレーティング８３は、図９で示す溝
深さＤが、グレーティングの屈折率をｎとして、（ｎ−
１）が光ビーム６３ｂの波長のＮ／２倍、また平面部Ｌ
１と溝部Ｌ２の比が１：１となっており理論的には０次
光の効率が０％となっている。つまり、円環状グレーテ
ィング８３の内径は０次光の開口制限となっており、基
材厚１．２ｍｍの光ディスク（たとえばＣＤ）８ｂの再
生に最適な集光状態となるように光ビーム６３ｂを開口
制限している。図７（ｂ）においてＳ偏光で第２のレー
ザ検出器一体モジュール６１から出射した光ビーム６３
ｂは、波長偏光フィルタ４ａで反射し、対物レンズ６７
に入射し、結像点ｐ’に絞り込まれ、光ディスク８ｂの
記録面上に光スポット９ｂを形成する。光ディスク８ｂ
で反射した光ビーム７０ｂは、再び対物レンズ６７を通
って、図２（ｂ）の特性により波長偏光フィルタ４ａで
ほぼ１００％反射され、レーザ検出器一体モジュール６
１に入射する。第２のレーザ検出器一体モジュール６１
に入射した光ビーム７０ｂは、第２のホログラム１７で
回折され、光検出器１３ｂに入射し、いわゆるＳＳＤ方
式を使って前記対物レンズ６７を記録面に追従させるた
めのフォーカス制御信号を、いわゆる３ビーム方式を使
ってトラック面上のトラックに追従させるためのトラッ
キング制御信号を検出するように構成されている。
【００３４】本実施例の構成により、二つのレーザ検出
器一体モジュールを用いた簡単な光学構成を実現するこ
とができ、小型で安価な光ヘッドを実現することができ
る。また、基材厚１．２ｍｍの光ディスク再生時の開口
制限を図８のようにグレーティング８の部分で行うこと
により、トラッキング用のサブビームのレンズ開口での
けられを少なくすることができ半導体レーザ１ｂからの
光の利用効率を向上させることができる。
器一体モジュールを用いた簡単な光学構成を実現するこ
とができ、小型で安価な光ヘッドを実現することができ
る。また、基材厚１．２ｍｍの光ディスク再生時の開口
制限を図８のようにグレーティング８の部分で行うこと
により、トラッキング用のサブビームのレンズ開口での
けられを少なくすることができ半導体レーザ１ｂからの
光の利用効率を向上させることができる。
【００３５】また、本実施例の構成により、波長６３５
ｎｍの光ビームが基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
に集光するまでの反射面を皆無にすることができ、結像
点ｐにおける波面収差の精度が上がり良好な再生特性を
得ることができる。
ｎｍの光ビームが基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
に集光するまでの反射面を皆無にすることができ、結像
点ｐにおける波面収差の精度が上がり良好な再生特性を
得ることができる。
【００３６】なお、本実施例では第１のレーザ検出器一
体モジュールから出射した波長６３５ｎｍの偏光方向を
Ｐ偏光としたが、波長偏光フィルタの特性を図２（ｂ）
に示す特性に変更することによって、第１のレーザ検出
器一体モジュールの偏光方向をＳ偏光としても差し支え
ない。この場合、第２のレーザ検出器一体モジュールの
偏光方向はＳ偏光となることはいうまでもない。
体モジュールから出射した波長６３５ｎｍの偏光方向を
Ｐ偏光としたが、波長偏光フィルタの特性を図２（ｂ）
に示す特性に変更することによって、第１のレーザ検出
器一体モジュールの偏光方向をＳ偏光としても差し支え
ない。この場合、第２のレーザ検出器一体モジュールの
偏光方向はＳ偏光となることはいうまでもない。
【００３７】上記の様に、波長偏光フィルタの特性を変
更することによって入射する偏光方向を変えることがで
きる。これによって、各レーザ検出器一体モジュールの
設置方向を任意に変えることができ、立ち上げミラー等
を構成に追加することによって薄型光ヘッドを実現する
ことが可能になる。
更することによって入射する偏光方向を変えることがで
きる。これによって、各レーザ検出器一体モジュールの
設置方向を任意に変えることができ、立ち上げミラー等
を構成に追加することによって薄型光ヘッドを実現する
ことが可能になる。
【００３８】（実施例６）以下本発明の第６の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。図１０（ａ）は
本実施例において基材厚１．２ｍｍ，波長６３５ｎｍ対
応の高密度光ディスク１０８ａを再生する場合、図１０
（ｂ）は基材厚１．２ｍｍ波長７８０ｎｍ対応の光ディ
スク８ｂを再生する場合を示している。図１０（ａ）に
おいて、発振波長６３５ｎｍの半導体レーザ１ａから出
射した光ビームは図２（ａ）に示す特性を持った第１の
波長偏光フィルタ４ａをＰ偏光で通過し、集光レンズ１
０２により略平行な光ビーム１０３ａとなる。光ビーム
１０３ａは図２（ａ）に示す特性を持った第２の波長偏
光フィルタ４ａにＳ偏光で入射することによりここで反
射して、波長板２５を通り、対物レンズ１０７に入射す
る。ここで、波長板２５は第１の実施例と同様、６３５
ｎｍに対してはπ／２の位相差を生ずるよう設定されて
いる。対物レンズ１０７に入射した光は結像点ｐに絞り
込まれ、基材厚１．２ｍｍの高密度の光ディスク１０８
ａの記録面上に光スポット１０９ａを形成する。次に、
光ディスク１０８ａで反射した光ビーム１１０ａは、再
び対物レンズ１０７と波長板２５を通って、第２の波長
偏光フィルタ４ａに入射する。光ビーム１１０ａは波長
板２５の作用によりＰ偏光になるため、第２の波長偏光
フィルタ４ａを直進して、検出レンズ１１１を通り、第
１の光ディスク用の光検出器１３ａで受光される。光検
出器１３ａは、再生信号を検出すると共に、いわゆる非
点収差法によりフォーカス制御信号を、プッシュプル法
によりトラッキング制御信号を検出するように構成され
ている。
ついて、図面を参照しながら説明する。図１０（ａ）は
本実施例において基材厚１．２ｍｍ，波長６３５ｎｍ対
応の高密度光ディスク１０８ａを再生する場合、図１０
（ｂ）は基材厚１．２ｍｍ波長７８０ｎｍ対応の光ディ
スク８ｂを再生する場合を示している。図１０（ａ）に
おいて、発振波長６３５ｎｍの半導体レーザ１ａから出
射した光ビームは図２（ａ）に示す特性を持った第１の
波長偏光フィルタ４ａをＰ偏光で通過し、集光レンズ１
０２により略平行な光ビーム１０３ａとなる。光ビーム
１０３ａは図２（ａ）に示す特性を持った第２の波長偏
光フィルタ４ａにＳ偏光で入射することによりここで反
射して、波長板２５を通り、対物レンズ１０７に入射す
る。ここで、波長板２５は第１の実施例と同様、６３５
ｎｍに対してはπ／２の位相差を生ずるよう設定されて
いる。対物レンズ１０７に入射した光は結像点ｐに絞り
込まれ、基材厚１．２ｍｍの高密度の光ディスク１０８
ａの記録面上に光スポット１０９ａを形成する。次に、
光ディスク１０８ａで反射した光ビーム１１０ａは、再
び対物レンズ１０７と波長板２５を通って、第２の波長
偏光フィルタ４ａに入射する。光ビーム１１０ａは波長
板２５の作用によりＰ偏光になるため、第２の波長偏光
フィルタ４ａを直進して、検出レンズ１１１を通り、第
１の光ディスク用の光検出器１３ａで受光される。光検
出器１３ａは、再生信号を検出すると共に、いわゆる非
点収差法によりフォーカス制御信号を、プッシュプル法
によりトラッキング制御信号を検出するように構成され
ている。
【００３９】また、本実施例の光ヘッドは、発振波長７
８０ｎｍの半導体レーザを備えた、いわゆるレーザ検出
器一体モジュール１４を備えている。図１０（ｂ）にお
いてレーザ検出器一体モジュール１４の詳細および光デ
ィスク８ｂまでの光学構成は実施例１と同様である。
８０ｎｍの半導体レーザを備えた、いわゆるレーザ検出
器一体モジュール１４を備えている。図１０（ｂ）にお
いてレーザ検出器一体モジュール１４の詳細および光デ
ィスク８ｂまでの光学構成は実施例１と同様である。
【００４０】ただし、本実施例では、高密度光ディスク
１０８ａと光ディスク８ｂの基材厚さがともに１．２ｍ
ｍであるが、実施例１同様、７８０ｎｍの半導体レーザ
１ｂから集光レンズ１０２までの距離を適当に設定する
ことにより、光ビーム１０３ｂを基材厚１．２ｍｍの光
ディスク８ｂに波面収差１０ｍλ以下で収束させること
ができる。つまり、波長６３５ｎｍで設計された集光レ
ンズ、対物レンズ系を用いて波長７８０ｎｍの光ビーム
１０３ｂで、光ディスク８ｂを問題なく再生できる。
１０８ａと光ディスク８ｂの基材厚さがともに１．２ｍ
ｍであるが、実施例１同様、７８０ｎｍの半導体レーザ
１ｂから集光レンズ１０２までの距離を適当に設定する
ことにより、光ビーム１０３ｂを基材厚１．２ｍｍの光
ディスク８ｂに波面収差１０ｍλ以下で収束させること
ができる。つまり、波長６３５ｎｍで設計された集光レ
ンズ、対物レンズ系を用いて波長７８０ｎｍの光ビーム
１０３ｂで、光ディスク８ｂを問題なく再生できる。
【００４１】以上の様な光学系を用いることにより、波
長６３５ｎｍ対応の高密度光ディスク１０８ａを再生す
る場合は、半導体レーザ１ａを点灯させ、光ディスク１
０８ａに焦点をむすび、その反射光を光検出器１３ａで
受光することにより、再生信号および制御信号を得るこ
とができる。また、波長７８０ｎｍ対応のの光ディスク
８ｂを再生する場合は、半導体レーザ１ｂを点灯させ、
光ディスク８ｂに焦点をむすび、その反射光を光検出器
１３ｂで受光することにより、再生信号および制御信号
を得ることができる。
長６３５ｎｍ対応の高密度光ディスク１０８ａを再生す
る場合は、半導体レーザ１ａを点灯させ、光ディスク１
０８ａに焦点をむすび、その反射光を光検出器１３ａで
受光することにより、再生信号および制御信号を得るこ
とができる。また、波長７８０ｎｍ対応のの光ディスク
８ｂを再生する場合は、半導体レーザ１ｂを点灯させ、
光ディスク８ｂに焦点をむすび、その反射光を光検出器
１３ｂで受光することにより、再生信号および制御信号
を得ることができる。
【００４２】本実施例の構成により、波長板２５は波長
６３５ｎｍに対してのみアイソレータの役目をするだけ
で、波長７８０ｎｍに対しては規定する必要がなく、安
価な部品を使用することができる。さらに、第１の波長
偏光フィルタと第２の波長偏光フィルタを同一仕様のも
のを使用することができコストダウンが可能である。
６３５ｎｍに対してのみアイソレータの役目をするだけ
で、波長７８０ｎｍに対しては規定する必要がなく、安
価な部品を使用することができる。さらに、第１の波長
偏光フィルタと第２の波長偏光フィルタを同一仕様のも
のを使用することができコストダウンが可能である。
【００４３】また、本実施例の構成により、波長６３５
ｎｍの光ビームが基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
に集光するまでの反射面の面数を最小にすることがで
き、結像点ｐにおける波面収差の精度が上がり良好な再
生特性を得ることができる。
ｎｍの光ビームが基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
に集光するまでの反射面の面数を最小にすることがで
き、結像点ｐにおける波面収差の精度が上がり良好な再
生特性を得ることができる。
【００４４】なお、本実施例では第１の波長偏光フィル
タの特性を図２（ａ）に示すものとしたが、６３５ｎｍ
用の通常の偏光ビームスプリッタとしても差し支えない
ため、さらにコストダウンが可能である。
タの特性を図２（ａ）に示すものとしたが、６３５ｎｍ
用の通常の偏光ビームスプリッタとしても差し支えない
ため、さらにコストダウンが可能である。
【００４５】（実施例７）以下本発明の第７の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。図１１（ａ）は
本実施例において基材厚１．２ｍｍ，波長６３５ｎｍ対
応の高密度光ディスク１０８ａを再生する場合、図１１
（ｂ）は基材厚１．２ｍｍ波長７８０ｎｍ対応の光ディ
スク８ｂを再生する場合を示している。図１１（ａ）に
おいて、第１のレーザ検出器一体モジュール１３５の発
振波長６３５ｎｍの半導体レーザ１ａから出射した光ビ
ーム１２３ａは、Ｐ偏光で波長偏光フィルタ４ａに入射
する。図２（ａ）に示す特性により波長偏光フィルタ４
ａを透過した光ビーム１２３ａは、対物レンズ１０７に
よって結像点ｐに絞り込まれ、基材厚１．２ｍｍの高密
度光ディスク１０８ａの記録面上に光スポット１０９ａ
を形成する。光ディスク１０８ａで反射した光ビーム１
３０ａは、再び対物レンズ１０７を通って、図２（ａ）
に示す特性を持った波長偏光フィルタ４ａに入射する。
光ビーム１３０ａは波長偏光フィルタ４ａを直進して、
第１のレーザ検出器一体モジュール１３５に入射する。
第１のレーザ検出器一体モジュール１３５に入射した光
ビーム１２３ａは、ホログラム７７で回折され、光検出
器７３に入射し、いわゆるＳＳＤ方式を使って前記対物
レンズ１０７を記録面に追従させるためのフォーカス制
御信号を、いわゆる３ビーム方式を使ってトラック面上
のトラックに追従させるためのトラッキング制御信号を
検出するように構成されている。
ついて、図面を参照しながら説明する。図１１（ａ）は
本実施例において基材厚１．２ｍｍ，波長６３５ｎｍ対
応の高密度光ディスク１０８ａを再生する場合、図１１
（ｂ）は基材厚１．２ｍｍ波長７８０ｎｍ対応の光ディ
スク８ｂを再生する場合を示している。図１１（ａ）に
おいて、第１のレーザ検出器一体モジュール１３５の発
振波長６３５ｎｍの半導体レーザ１ａから出射した光ビ
ーム１２３ａは、Ｐ偏光で波長偏光フィルタ４ａに入射
する。図２（ａ）に示す特性により波長偏光フィルタ４
ａを透過した光ビーム１２３ａは、対物レンズ１０７に
よって結像点ｐに絞り込まれ、基材厚１．２ｍｍの高密
度光ディスク１０８ａの記録面上に光スポット１０９ａ
を形成する。光ディスク１０８ａで反射した光ビーム１
３０ａは、再び対物レンズ１０７を通って、図２（ａ）
に示す特性を持った波長偏光フィルタ４ａに入射する。
光ビーム１３０ａは波長偏光フィルタ４ａを直進して、
第１のレーザ検出器一体モジュール１３５に入射する。
第１のレーザ検出器一体モジュール１３５に入射した光
ビーム１２３ａは、ホログラム７７で回折され、光検出
器７３に入射し、いわゆるＳＳＤ方式を使って前記対物
レンズ１０７を記録面に追従させるためのフォーカス制
御信号を、いわゆる３ビーム方式を使ってトラック面上
のトラックに追従させるためのトラッキング制御信号を
検出するように構成されている。
【００４６】また、本実施例の光ヘッドは、第１のレー
ザ検出器一体モジュール１３５の半導体レーザとは、発
光偏光方向が直行した、発振波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザを備えた、第２のレーザ検出器一体モジュール６１
を備えている。図１１（ｂ）において第２のレーザ検出
器一体モジュール６１の詳細は実施例５と同様である。
ザ検出器一体モジュール１３５の半導体レーザとは、発
光偏光方向が直行した、発振波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザを備えた、第２のレーザ検出器一体モジュール６１
を備えている。図１１（ｂ）において第２のレーザ検出
器一体モジュール６１の詳細は実施例５と同様である。
【００４７】ただし、本実施例は、高密度光ディスク１
０８ａと光ディスク８ｂの基材厚さがともに１．２ｍｍ
であるが、実施例１同様、発振波長７８０ｎｍの半導体
レーザ１ｂか対物レンズ１０７までの距離を適当に設定
することにより、光ビーム１２３ｂを基材厚１．２ｍｍ
の光ディスク８ｂに波面収差１０ｍλ以下で収束させる
ことができる。つまり、波長６３５ｎｍで設計された集
光レンズ、対物レンズ系を用いて波長７８０ｎｍの光ビ
ーム１２３ｂで、光ディスク８ｂを問題なく再生でき
る。
０８ａと光ディスク８ｂの基材厚さがともに１．２ｍｍ
であるが、実施例１同様、発振波長７８０ｎｍの半導体
レーザ１ｂか対物レンズ１０７までの距離を適当に設定
することにより、光ビーム１２３ｂを基材厚１．２ｍｍ
の光ディスク８ｂに波面収差１０ｍλ以下で収束させる
ことができる。つまり、波長６３５ｎｍで設計された集
光レンズ、対物レンズ系を用いて波長７８０ｎｍの光ビ
ーム１２３ｂで、光ディスク８ｂを問題なく再生でき
る。
【００４８】以上の様な光学系を用いることにより、波
長６３５ｎｍ対応の高密度光ディスク１０８ａを再生す
る場合は、半導体レーザ１ａを点灯させ、光ディスク１
０８ａに焦点をむすび、その反射光を光検出器７３で受
光することにより、再生信号および制御信号を得ること
ができる。また、波長７８０ｎｍ対応の光ディスク８ｂ
を再生する場合は、半導体レーザ１ｂを点灯させ、光デ
ィスク８ｂに焦点をむすび、その反射光を光検出器１３
ｂで受光することにより、再生信号および制御信号を得
ることができる。
長６３５ｎｍ対応の高密度光ディスク１０８ａを再生す
る場合は、半導体レーザ１ａを点灯させ、光ディスク１
０８ａに焦点をむすび、その反射光を光検出器７３で受
光することにより、再生信号および制御信号を得ること
ができる。また、波長７８０ｎｍ対応の光ディスク８ｂ
を再生する場合は、半導体レーザ１ｂを点灯させ、光デ
ィスク８ｂに焦点をむすび、その反射光を光検出器１３
ｂで受光することにより、再生信号および制御信号を得
ることができる。
【００４９】実施例５同様、本実施例の構成により、二
つのレーザ検出器一体モジュールを用いて簡単な光学構
成を実現することができ、小型で安価な光ヘッドを実現
することができる。
つのレーザ検出器一体モジュールを用いて簡単な光学構
成を実現することができ、小型で安価な光ヘッドを実現
することができる。
【００５０】また、本実施例の構成により、波長６３５
ｎｍの光ビームが基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
に集光するまでの反射面を皆無にすることができ、結像
点ｐにおける波面収差の精度が上がり良好な再生特性を
得ることができる。
ｎｍの光ビームが基材厚０．６ｍｍの高密度光ディスク
に集光するまでの反射面を皆無にすることができ、結像
点ｐにおける波面収差の精度が上がり良好な再生特性を
得ることができる。
【００５１】なお、本実施例では第１のレーザ検出器一
体モジュールから出射した波長６３５ｎｍの偏光方向を
Ｐ偏光としたが、波長偏光フィルタの特性を図２（ｂ）
に示す特性に変更することによって、第１のレーザ検出
器一体モジュールの偏光方向をＳ偏光としても差し支え
ない。この場合、第２のレーザ検出器一体モジュールの
偏光方向はＳ偏光となることはいうまでもない。
体モジュールから出射した波長６３５ｎｍの偏光方向を
Ｐ偏光としたが、波長偏光フィルタの特性を図２（ｂ）
に示す特性に変更することによって、第１のレーザ検出
器一体モジュールの偏光方向をＳ偏光としても差し支え
ない。この場合、第２のレーザ検出器一体モジュールの
偏光方向はＳ偏光となることはいうまでもない。
【００５２】また、実施例５と同様波長偏光フィルタの
特性を変更することによって入射する偏光方向を変える
ことができる。これによって、各レーザ検出器一体モジ
ュールの設置方向を任意に変えることができ、立ち上げ
ミラー等を構成に追加することによって薄型光ヘッドを
実現することが可能になる。
特性を変更することによって入射する偏光方向を変える
ことができる。これによって、各レーザ検出器一体モジ
ュールの設置方向を任意に変えることができ、立ち上げ
ミラー等を構成に追加することによって薄型光ヘッドを
実現することが可能になる。
【００５３】なお、本発明の実施例１から７では波長偏
光フィルタの特性を図２（ａ）または図２（ｂ）に示し
たが、用途に応じて図１５（ａ）または図１５（ｂ）に
示す特性の波長偏光フィルタで代用しても差し支えな
い。
光フィルタの特性を図２（ａ）または図２（ｂ）に示し
たが、用途に応じて図１５（ａ）または図１５（ｂ）に
示す特性の波長偏光フィルタで代用しても差し支えな
い。
【００５４】また、上記実施例はいずれも記録されたデ
ータを再生する場合のことをのべたが、データを記録で
きるシステムの場合にデータを記録する場合にも本技術
は利用できる。
ータを再生する場合のことをのべたが、データを記録で
きるシステムの場合にデータを記録する場合にも本技術
は利用できる。
【００５５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１の光
源と、第１の光源とは波長の異なる第２の光源と、光収
束手段と、光合成分離手段と、レーザ検出器一体モジュ
ールと、第１と第２の光検出器とを設けることにより、
一組の集光光学系を用いた簡単な構成の光ヘッドで、基
材厚の異なるディスクあるいは、対応波長の異なるディ
スクを問題なく再生することが可能となる。
源と、第１の光源とは波長の異なる第２の光源と、光収
束手段と、光合成分離手段と、レーザ検出器一体モジュ
ールと、第１と第２の光検出器とを設けることにより、
一組の集光光学系を用いた簡単な構成の光ヘッドで、基
材厚の異なるディスクあるいは、対応波長の異なるディ
スクを問題なく再生することが可能となる。
【図１】本発明の第一の実施例における光学ヘッドの側
面図
面図
【図２】本発明の実施例における波長偏光フィルタの特
性図
性図
【図３】７８０ｎｍ半導体レーザの出射位置とディスク
上の収差との関係を示す図
上の収差との関係を示す図
【図４】本発明の第二の実施例における光学ヘッドの側
面図
面図
【図５】本発明の第三の実施例における光学ヘッドの側
面図
面図
【図６】本発明の第四の実施例における光学ヘッドの側
面図
面図
【図７】本発明の第五の実施例における光学ヘッドの側
面図
面図
【図８】本発明の第五の実施例におけるレーザ検出器一
体モジュールの詳細図
体モジュールの詳細図
【図９】本発明の第五の実施例におけるレーザ検出器一
体モジュールのグレーティングの断面図
体モジュールのグレーティングの断面図
【図１０】本発明の第六の実施例における光学ヘッドの
側面図
側面図
【図１１】本発明の第七の実施例における光学ヘッドの
側面図
側面図
【図１２】従来技術における光学ヘッドの側面図
【図１３】光学情報記録再生装置におけるレンズの開口
数と光ディスク厚みとの関係図
数と光ディスク厚みとの関係図
【図１４】ＣＤ−Ｒにおける反射率と波長の特性の一例
を示す図
を示す図
【図１５】本発明の実施例における別の特性の波長偏光
フィルタの特性図
フィルタの特性図
【図１６】本発明の実施例におけるシステムブロック図
１ａ 発振波長６３５ｎｍの半導体レーザ １ｂ 発振波長７８０ｎｍの半導体レーザ ２ 集光レンズ ３ａ、ｂ 光ビーム ４ａ，ｂ 波長偏光フィルタ ５ 波長板 ６ 開口 ７ 対物レンズ ８ａ 基材厚０．６ｍｍ高密度光ディスク ８ｂ 基材厚１．２ｍｍ光ディスク ９ａ，ｂ 光スポット １０ａ，ｂ 光ビ−ム １１ 検出レンズ １３ａ、ｂ 光検出器 １４ 発振波長７８０ｎｍのレーザ検出器一体モジュー
ル １７ ホログラム ２１ 反射ミラー ２５ 波長板 ２６ 対物レンズアクチュエータ ２７ 可動開口制限板 ３１ 検出レンズ ４４ 平行平板波長偏光フィルタ ６３ａ，ｂ 光ビーム ６７ 対物レンズ ７３ 光検出器 ７４ 発振波長７８０ｎｍのレーザ検出器一体モジュー
ル ７７ ホログラム １０３ａ，ｂ光ビーム １０７ 対物レンズ １０８ａ 基材厚１．２ｍｍ６３５ｎｍ対応高密度光デ
ィスク １０９ａ，ｂ 光スポット １１０ａ，ｂ 光ビ−ム １２３ａ，ｂ 光ビーム １３５ 発振波長６３５ｎｍのレーザ検出器一体モジュ
ール ２０１ 半導体レーザ ２０２ 集光レンズ ２０３ 光ビーム ２０４ 偏光ビームスプリッタ ２０５ １／４波長板 ２０６ 反射ミラー ２０７ 対物レンズ ２０８ 光ディスク ２０９ 光スポット ２１０ 反射光 ２１１ 検出レンズ ２１２ シリンドリカルレンズ ２１３ 光検出器
ル １７ ホログラム ２１ 反射ミラー ２５ 波長板 ２６ 対物レンズアクチュエータ ２７ 可動開口制限板 ３１ 検出レンズ ４４ 平行平板波長偏光フィルタ ６３ａ，ｂ 光ビーム ６７ 対物レンズ ７３ 光検出器 ７４ 発振波長７８０ｎｍのレーザ検出器一体モジュー
ル ７７ ホログラム １０３ａ，ｂ光ビーム １０７ 対物レンズ １０８ａ 基材厚１．２ｍｍ６３５ｎｍ対応高密度光デ
ィスク １０９ａ，ｂ 光スポット １１０ａ，ｂ 光ビ−ム １２３ａ，ｂ 光ビーム １３５ 発振波長６３５ｎｍのレーザ検出器一体モジュ
ール ２０１ 半導体レーザ ２０２ 集光レンズ ２０３ 光ビーム ２０４ 偏光ビームスプリッタ ２０５ １／４波長板 ２０６ 反射ミラー ２０７ 対物レンズ ２０８ 光ディスク ２０９ 光スポット ２１０ 反射光 ２１１ 検出レンズ ２１２ シリンドリカルレンズ ２１３ 光検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金馬 慶明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (20)
- 【請求項１】第１の光源と、第１の光源とは波長の異な
る第２の光源と、第１の光源からの第１の光ビームを第
１の光ディスクに収束させ、第２の光源からの第２の光
ビームを第１の光ビームでは基材厚の違いによる球面収
差のため通常の手段では記録，再生が困難な第２の光デ
ィスクに収束させる光収束手段と、第１の光ビームと第
２の光ビームを合成する光合成分離手段と、第１の光デ
ィスクからの反射光を分離する光分離手段と、分離され
た第１の光ディスクからの反射光を受光する第１の光検
出器と、第２の光源と一体に構成された第２の光検出器
とを備え、第２の光ディスクからの反射光を前記光合成
分離手段で分離し、第２の光検出器で受光するよう構成
した光ヘッド。 - 【請求項２】第１の光源と、第１の光源とは波長の異な
る第２の光源と、第１の光源からの第１の光ビームを第
１の光ディスクに収束させ、第２の光源からの第２の光
ビームを第１の光ビームの波長では対応波長の違いによ
り、記録面の反射率やピット深さ等が異なり、通常の手
段では記録，再生が困難な第２の光ディスクに収束させ
る光収束手段と、第１の光ビームと第２の光ビームを合
成する光合成分離手段と、第１の光ディスクからの反射
光を分離する光分離手段と、分離された第１の光ディス
クからの反射光を受光する第１の光検出器と、第２の光
源と一体に構成された第２の光検出器とを備え、第２の
光ディスクからの反射光を前記光合成分離手段で分離
し、第２の光検出器で受光するよう構成した光ヘッド。 - 【請求項３】第１の光源と、第１の光源とは波長の異な
る第２の光源と、第１の光源からの第１の光ビームを第
１の光ディスクに収束させ、第２の光源からの第２の光
ビームを第１の光ビームでは基材厚の違いによる球面収
差のため通常の手段では記録，再生が困難な第２の光デ
ィスクに収束させる光収束手段と、第１の光ビームと第
２の光ビームを合成する光合成分離手段と、第１の光源
と一体に構成された第１の光検出器と、第２の光源と一
体に構成された第２の光検出器とを備え、前記光合成分
離手段で分離された第１の光ディスクの反射光を第１の
光検出器で受光し、第２の光ディスクで反射した反射光
を第２の光検出器で受光するように構成した光ヘッド。 - 【請求項４】第１の光源と、第１の光源とは波長の異な
る第２の光源と、第１の光源からの第１の光ビームを第
１の光ディスクに収束させ、第２の光源からの第２の光
ビームを第１の光ビームの波長では対応波長の違いによ
り、記録面の反射率やピット深さ等が異なり、通常の手
段では記録，再生が困難な第２の光ディスクに収束させ
る光収束手段と、第１の光ビームと第２の光ビームを合
成する光合成分離手段と、第１の光源と一体に構成され
た第１の光検出器と、第２の光源と一体に構成された第
２の光検出器とを備え、前記光合成分離手段で分離され
た第１の光ディスクの反射光を第１の光検出器で受光
し、第２の光ディスクで反射した反射光を第２の光検出
器で受光するように構成した光ヘッド。 - 【請求項５】請求項１から４において、光合成分離手段
が第１の光源の波長に対しては透過し、第２の光源の波
長に対しては反射することを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項６】請求項１、２において、第１の光ディスク
からの反射光を分離する光分離手段を、光合成分離手段
と第１の光源の間に配置したことを特徴とする光ヘッ
ド。 - 【請求項７】請求項６において、第１の光源の波長に対
しては１／４波長の位相差を生じ第２の光源の波長に対
しては１／２波長の位相差を生じる波長板を光合成分離
手段と第１の光ディスクの間に設け、前記光合成分離手
段を第１の光源の波長に対しては透過し、第２の光源の
波長に対しては偏光分離特性を有するよう構成した光ヘ
ッド。 - 【請求項８】請求項６において、第１の光源の波長に対
しては１／４波長の位相差を生じる波長板を第１の光源
と光合成分離手段との間に設け、光分離手段を第１の光
源の波長に対しては偏光分離特性を有するよう構成し、
前記光合成分離手段を第１の光源の波長に対しては透過
し、第２の光源の波長に対しては反射するよう構成した
光ヘッド。 - 【請求項９】請求項１、２において、第１の光ディスク
からの反射光を分離する光分離手段を、光合成分離手段
と第１の光ディスクの間に配置したことを特徴とする光
ヘッド。 - 【請求項１０】請求項９において、第１の光源の波長に
対しては１／４波長の位相差を生じる波長板を光分離手
段と第１の光ディスクの間に設け、前記光分離手段を第
１の光源の波長に対しては偏光分離特性を有するよう構
成し、光合成分離手段を第１の光源の波長に対しては偏
光分離特性を有し、第２の光源の波長に対しては反射す
るよう構成したことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１１】請求項１から４において、光収束手段が
第１の光源からの光ビームを略平行光に集光する集光レ
ンズと、この略平行光を第１の光ディスクに収束する対
物レンズからなることを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１２】請求項１から４において、第１の光ビー
ムと第２の光ビームの開口を各々制限する開口制限手段
を設けたことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１３】請求項１２記載において、光ディスクに
対して移動する可動部を有し、対物レンズと第１の光ビ
ームと第２の光ビームの開口を各々制限する開口制限手
段を、前記可動部に設けたことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１４】請求項１２において、光収束手段に第１
の光ビームの開口を制限する第１の開口制限手段を設
け、光合成分離手段と第２の光源との間に第２の光ビー
ムの開口を第１の光ビームの開口より小さく制限する第
２の開口制限手段を設けたことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１５】請求項１２、１３、１４において、第１
の光源と第２の光源のうち波長の長い方の光源からの光
ビームの開口数が、波長の短い方の光源からの光ビーム
の開口数より小さいことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１６】光源と、この光源からの光ビームの外周
部より少なくとも２本の回折光ビームを発生する環状の
回折格子と、前記光ビームおよび回折光ビームを光ディ
スクに収束させる光収束手段と、前記光ディスクから反
射光を受光する光検出器とを備えた光ヘッド。 - 【請求項１７】請求項１２、１４において、第２の光源
と光合成分離手段の間に、第２の光ビームの外周部から
少なくとも２本の回折光ビームを発生する環状の回折格
子を設け、第２のディスクからの反射光を第２の光源と
一体に構成された第２の光検出器で受光するよう構成し
た光ヘッド。 - 【請求項１８】請求項１６、１７において、環状の回折
格子の内部の開口が、光収束手段に設けられた開口より
小さいことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１９】請求項１６ら１８において、環状の回折
格子の０次光透過率を１０％以下にしたことを特徴とす
る光ヘッド。 - 【請求項２０】請求項１６から１９において、第２の光
ディスクからの反射光のうち第２の光検出器へ入射する
光ビームが環状の回折格子に入射しないよう構成したこ
とを特徴とする光ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19046294A JP3240846B2 (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 光ヘッド |
| US08/324,262 US5703856A (en) | 1994-08-12 | 1994-10-17 | Optical head and optical data recording and reproducing apparatus having the same |
| US08/918,295 US5912868A (en) | 1994-08-12 | 1997-08-25 | Optical head for reproducing data from first and second optical disks |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19046294A JP3240846B2 (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 光ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855363A true JPH0855363A (ja) | 1996-02-27 |
| JP3240846B2 JP3240846B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=16258526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19046294A Expired - Lifetime JP3240846B2 (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 光ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5703856A (ja) |
| JP (1) | JP3240846B2 (ja) |
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