JP2002008258A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

光ピックアップ装置

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JP2002008258A
JP2002008258A JP2000185796A JP2000185796A JP2002008258A JP 2002008258 A JP2002008258 A JP 2002008258A JP 2000185796 A JP2000185796 A JP 2000185796A JP 2000185796 A JP2000185796 A JP 2000185796A JP 2002008258 A JP2002008258 A JP 2002008258A
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laser beam
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light emitting
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Takehiro Matsuda
武浩 松田
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Pioneer Electronic Corp
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 合成プリズムを用いることなく、小型化、部
品点数の削減が可能な２波長対応の光ピックアップ装置
を提供すること。 【解決手段】 波長の異なる第１及び第２レーザビーム
を発する発光部６０と、一対のサブビームを生成するグ
レーティングと、記録媒体で反射されたレーザビームか
ら正及び負の高次光を生成し受光部へ導くホログラムと
を有し、受光部は、読取り信号及びビームサイズ法によ
るフォーカスエラー信号を生成する一対の三分割受光素
子７２，７６と、一対の三分割受光素子の各々に対して
一組ずつ設けられ、３ビーム法によるトラッキングエラ
ー信号を生成するニ組一対のサブビーム受光素子７３，
７７とからなり、三分割受光素子は２本の平行な分割線
により３つの受光領域に分割されてなり、前記発光部
は、前記第１及び第２発光源の各発光点を結ぶ直線が前
記三分割受光素子の分割線と平行となるように設置され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＤＶＤ／ＣＤ用のコン
パチブル光ピックアップ装置等の読取り波長の異なる２
種類以上の記録媒体を読取り可能とした光ピックアップ
装置に関するものであり、特に波長の異なる２つのレー
ザビームを発するワンチップレーザーダイオードで構成
した半導体レーザ素子を用いた光ピックアップ装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＣＤ再生装置とＤＶＤ再生装置
の光ピックアップを共用するＤＶＤ／ＣＤコンパチブル
再生装置が盛んに提案されている。本出願人においても
特開平１０−２５５２７４号公報でＤＶＤとＣＤを共に
再生することができる光ピックアップ装置を開示してい
るので、これらの構成及び動作を図１８を用いて簡単に
説明する。
【０００３】光ピックアップ装置は、ＣＤからの情報読
取りに最適な波長（７８０ｎｍ）のレーザビームを出射
する第１光源１０と、該第１光源１０を駆動する第１駆
動回路１１と、ＤＶＤからの情報読取りに最適な波長
（６５０ｎｍ）のレーザビームを出射する第２光源１４
と、該第２光源１４を駆動する第２駆動回路１５と、第
１光源１０から出射したレーザビームを反射すると共
に、第２光源１４から出射したレーザビームを透過する
第１ビームスプリッタ１２と、第１ビームスプリッタ１
２で反射又は透過したレーザビームを透過すると共に、
光ディスク１８で反射したレーザビームを反射して集光
レンズ１９を介して光検出器２０に導く第２ビームスプ
リッタ１３と、第１ビームスプリッタ１２で反射又は透
過したレーザビームを情報記録面上に集光する対物レン
ズ１６と、光検出器２０に照射された光の光量に対応し
たレベルの電気信号を発生し、これを読取り信号として
出力する情報データ再生回路２１と、光ディスク１８に
レーザビームを照射した際に形成されるビームスポット
の大きさに基づき光ディスク１８の種別を判断し、種別
信号を出力するディスク判別回路２２と、ディスク判別
回路２２の信号に基づき第１及び第２光源１０、１４を
選択的に駆動するコントローラ２３とで構成している。
【０００４】図１８において、第１光源１０は、第１駆
動回路１１からの駆動信号に応じてＣＤからの情報読取
りに最適な波長（７８０ｎｍ）のレーザビーム（破線に
て示す）を出射し、第１ビームスプリッタ１２に照射す
る。第１ビームスプリッタ１２は、第１光源１０からの
レーザビームを反射し、反射光を第２ビームスプリッタ
１３に導く。
【０００５】一方、第１光源１０に対して９０度に配置
された第２光源１４は、第２駆動回路１５からの駆動信
号に応じてＤＶＤからの情報読取りに最適な波長（６５
０ｎｍ）のレーザビーム（実線にて示す）を出射し、第
１ビームスプリッタ１２に照射する。第１ビームスプリ
ッタ１２は、第２光源１４からのレーザビームを透過し
て第２ビームスプリッタ１３に導く。
【０００６】第２ビームスプリッタ１３は、上記第１ビ
ームスプリッタ１２を介して供給されたレーザビーム、
即ち、第１光源１０又は第２光源１４からのレーザビー
ムを対物レンズ１６に導く。対物レンズ１６は、第２ビ
ームスプリッタ１３からのレーザビームを１点に集光し
たものを情報読取光として、これをスピンドルモータ１
７にて回転駆動される光ディスク１８の情報記録面に照
射する。
【０００７】第１光源１０からのレーザビーム（破線に
て示す）は、光ディスク１８の記情報録面Ｃに焦点が合
うように、対物レンズ１６によって集光される。また、
第２光源１４からのレーザビーム（実線にて示す）は、
光ディスク１８の情報記録面Ｄに焦点が合うように、対
物レンズ１６によって集光される。
【０００８】上記対物レンズ１６からの情報読取光が光
ディスク１８に照射されることによって生じた反射光
は、対物レンズ１６を通過して第２ビームスプリッタ１
３で反射され、集光レンズ１９により集光されたビーム
スポットを光検出装置２３に照射する。光検出装置２３
は、照射された光の光量に対応したレベルの電気信号を
発生し、これを読取り信号として情報データ再生回路２
１及びディスク判別回路２２に供給する。
【０００９】情報データ再生回路２１は、得られた読取
信号に基づいたデジタル信号を生成し、更にこのデジタ
ル信号に対して復調、及び誤り訂正を施して情報データ
の再生を行う。ディスク判別回路２２は、例えば光ディ
スク１８にレーザビームを照射した際に形成されるビー
ムスポットの大きさに基づき光ディスク１８の種別を識
別し、これをコントローラ２３に供給する。コントロー
ラ２３は、ディスク識別信号に応じて、第１駆動回路１
１及び第２駆動回路１５の何れか一方を選択的に駆動状
態にすべく制御する。
【００１０】コントローラ２３は、ディスク判別回路２
２からＣＤを示すディスク種別信号が得られた場合は、
第１駆動回路１１だけを駆動する。従って、第１光源１
０から発射されたレーザビームは、第１ビームスプリッ
タ１２、第２ビームスプリッタ１３及び対物レンズ１６
からなる光学系を介して光ディスク１８に照射される。
また、ディスク判別回路２２からＤＶＤを示すディスク
種別信号が得られた場合は、第２駆動回路１５だけを駆
動する。
【００１１】従って、第２光源１４から発射されたレー
ザビームは、第１ビームスプリッタ１２、第２ビームス
プリッタ１３及び対物レンズ１６からなる光学系を介し
て光ディスク１８に照射される。即ち、ＣＤ等のように
比較的低記録密度の光ディスク１８からの情報読み取り
に最適な波長を有するレーザビームを発生する第１光源
１０と、ＤＶＤのように高記録密度の光ディスク２１か
らの情報読み取りに最適な波長を有するレーザビームを
発生する第２光源１４とを備えておき、再生対象となる
光ディスク１８の種別に対応して選択駆動するようにし
ている。
【００１２】以上説明したように、２つの光源を必要と
するＤＶＤ／ＣＤコンパチブル再生装置は、光源が１つ
の光ピックアップ装置に比して、合成プリズムが必要と
なりコスト高となると共に、第１光源１０を第１ビーム
スプリッタ１２の一方の面から照射した場合は、第２光
源１４は、第１光源１０に対して直角となる他方の面か
ら照射する必要があり、光学系を配置する空間が大きく
なり、光ピックアップ装置が大型化すると云う問題があ
った。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑み成されたものであり、その目的は合成プリズムを
用いることなく、小型化が可能な２波長対応の光ピック
アップ装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に記載の発明は、第１レーザビームを発す
る第１発光源と該第１発光源に近接配置される前記第１
レーザビームとは波長の異なる第２レーザビームを発す
る第２発光源とが一体化され、前記第１または第２レー
ザビームを選択的に発するように制御される発光部と、
前記発光部から出射された前記第１または第２レーザビ
ームから一対のサブビームを生成するグレーティング
と、記録媒体で反射された前記第１または第２レーザビ
ーム、及びその一対のサブビームから正及び負の高次光
を生成するホログラムと、前記高次光を受光する受光部
とを含み、読取り波長の異なる記録媒体の情報を読取り
可能な光ピックアップ装置であって、前記受光部は、記
録媒体で反射された前記第１または第２レーザビームか
ら生成された正または負の前記高次光を受光してビーム
サイズ法によるフォーカスエラー信号を生成する一対の
三分割受光素子と、前記一対の三分割受光素子の各々に
対して一組ずつ設けられ、記録媒体で反射された前記サ
ブビームから生成された高次光を受光して３ビーム法に
よるトラッキングエラー信号を生成するニ組一対のサブ
ビーム受光素子と、からなり、前記三分割受光素子は２
本の平行な分割線により３つの受光領域に分割されてな
り、前記一対のサブビーム受光素子は、前記三分割受光
素子の分割線と直交する方向に整列して設置され、前記
発光部は、前記第１及び第２発光源の各発光点を結ぶ直
線が前記三分割受光素子の分割線と平行となるように設
置されることを特徴とする。
【００１５】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載された光ピックアップ装置において、前記ホログ
ラムは、生成する正及び負の高次光を結ぶ直線が前記三
分割受光素子の分割線と平行となるように設置されるこ
とを特徴とする。
【００１６】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
及び2に記載の光ピックアップ装置において、前記グレ
ーティングは、生成する一対のサブビームを結ぶ直線が
前記三分割受光素子の分割線と直交するように設置され
ることを特徴とする。
【００１７】また、請求項４に記載の発明は、第１レー
ザビームを発する第１発光源と該第１発光源に近接配置
される前記第１レーザビームとは波長の異なる第２レー
ザビームを発する第２発光源とが一体化され、前記第１
または第２レーザビームを選択的に発するように制御さ
れる発光部と、前記発光部から出射された前記第１また
は第２レーザビームから一対のサブビームを生成するグ
レーティングと、記録媒体で反射された前記第１または
第２レーザビーム、及びその一対のサブビームから正及
び負の高次光を生成するホログラムと、前記高次光を受
光する受光部とを含み、読取り波長の異なる記録媒体の
情報を読取り可能な光ピックアップ装置であって、前記
受光部は、前記第１レーザビームの正または負の前記高
次光を受光して読取り信号及びビームサイズ法によるフ
ォーカスエラー信号を生成する第１の一対の三分割受光
素子と、前記第２レーザビームの正または負の前記高次
光を受光して読取り信号及びビームサイズ法によるフォ
ーカスエラー信号を生成する第２の一対の三分割受光素
子と、前記第１レーザビームから生成された一対のサブ
ビームのうちの一方の高次光を受光する第１サブビーム
受光素子と、前記第２レーザビームから生成された一対
のサブビームのうちの一方の高次光を受光する第２サブ
ビーム受光素子と、を含み、前記発光部から前記第１レ
ーザビームが発せられているとき、前記第２の三分割受
光素子は、前記第１レーザビームから生成された一対の
サブビームのうちの前記第１サブビーム受光素子で受光
される一方とは異なる他方の高次光を受光し、３ビーム
法によるトラッキングエラーを生成することを特徴とす
る。
【００１８】また、請求項５に記載の発明は、第１レー
ザビームを発する第１発光源と該第１発光源に近接配置
される前記第１レーザビームとは波長の異なる第２レー
ザビームを発する第２発光源とが一体化され、前記第１
または第２レーザビームを選択的に発するように制御さ
れる発光部と、前記発光部から出射された前記第１また
は第２レーザビームから一対のサブビームを生成するグ
レーティングと、記録媒体で反射された前記第１または
第２レーザビーム、及びその一対のサブビームから正及
び負の高次光を生成するホログラムと、前記高次光を受
光する受光部とを含み、読取り波長の異なる記録媒体の
情報を読取り可能な光ピックアップ装置であって、前記
受光部は、記録媒体で反射された前記第１または第２レ
ーザビームから生成された正または負の前記高次光を受
光してビームサイズ法によるフォーカスエラー信号を生
成する一対の四分割受光素子と、前記一対の三分割受光
素子の各々に対して一組ずつ設けられ、記録媒体で反射
された前記サブビームから生成された高次光を受光して
３ビーム法によるトラッキングエラー信号を生成するニ
組一対のサブビーム受光素子と、からなり、前記第１及
び第２レーザビームは、前記四分割受光素子のうちの連
続した３つの受光領域によって受光され、前記第１及び
第２レーザビームが受光される３つの領域は一部が異な
ることを特徴とする光ピックアップ装置。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、読取波長の異なるＤＶＤとＣＤ又はＣＤＲを再生す
る光ピックアップ装置を例として説明する。尚、再生さ
れる記録媒体メディアはこれらに限られることはなく、
読取波長の異なる複数のディスクを再生する光ピックア
ップ装置であれば本発明は適用可能である。
【００２０】図１は、本発明の第１実施形態による光ピ
ックアップ装置２００の要部斜視図であり、図に基づき
光ピックアップ装置２００の構成を説明する。
【００２１】光ピックアップ装置２００は、波長の異な
る第１及び第２レーザビームを出射する発光部である半
導体レーザ素子６０と、該半導体レーザ素子６０から出
射されたレーザビームを反射して光ディスク６５に向か
う方向に導く立ち上げミラー６１と、立ち上げミラー６
１で反射したレーザビームからトラッキングエラー生成
用の一対のサブビームを生成するグレーティング６２
と、立ち上げミラー６１で反射したレーザビームを透過
して光ディスク６５に導くと共に、光ディスク６５の情
報記録面で反射したレーザビームから＋１次光及び−１
次光を生成し、これらを焦点距離を異ならせて受光部で
ある一対の第１及び第２光検出部７０、７５に導くホロ
グラム６３と、レーザビームを集光して情報記録面に適
切なビームスポットを形成する対物レンズ６４とで構成
している。
【００２２】尚、本実施形態の光ピックアップ装置２０
０においては、半導体基板７１上に発光部である半導体
レーザ素子６０と受光部である第１及び第２光検出部７
０、７５等を含んで構成される受発光部８０と、対物レ
ンズの光軸に対して略垂直な面に配されたグレーティン
グ６２及びグレーティング６２と略平行に所定距離隔て
て配されるホログラム６３とを、筐体内に所定の位置関
係で固定してユニット化し、組立工程を容易化すること
もできる。
【００２３】受発光部８０は、半導体基板７１の略中央
に半導体レーザ素子６０を配し、該半導体レーザ素子６
０から図中Ｚ方向に出射したレーザビームを半導体基板
７１に対して垂直方向、つまり、紙面の奥から紙面の手
前に向かう入射光とするため半導体レーザ素子６０の前
方に三角柱状の立ち上げミラー６１を配すると共に、半
導体レーザ素子６０の一方の側面（図中右Ｙ方向）にレ
ーザビームの＋１次光のメインビームを受光し、ビーム
サイズ法によるフォーカスエラー信号を生成する三分割
受光素子である一方の三分割検出器７２と、該三分割検
出器７２の両側（トラックと平行となる図中Ｚ方向）に
＋１次光のサブビームを受光し、３ビーム法によるトラ
ッキングエラー信号を生成する一対の副検出器７３ａ、
７３ｂとからなる第１光検出部７０と、半導体レーザ素
子６０の他方の側面（図中左Ｙ方向）にレーザビームの
−１次光のメインビームを受光する他方の三分割検出器
７６と、該三分割検出器７６の両側（図中Ｚ方向）に−
１次光のサブビームを受光する一対の副検出器７７ａ、
７７ｂとからなる第２光検出部７５とで構成している。
この三分割検出器７２及び、７６は、図示されるように
三分割された受光領域７２ａ、７２ｂ、７２ｃ及び、７
６ａ、７６ｂ、７６ｃで構成され、これらの分割線は、
後述する半導体レーザ素子６０の第１及び第２発光源３
６、４０を結ぶ直線方向（図中Ｙ方向）に対して平行と
なるように配置している。
【００２４】また半導体レーザ素子６０は、ＤＶＤ読取
り用で波長が６５０ｎｍの第１レーザビームと、ＣＤ及
びＣＤＲ読取り用で波長が７８０ｎｍの第２レーザビー
ムの２波長を出射するワンチップレーザーダイオード３
０であり、その構造を図２及び図３を用いて説明する。
図２はワンチップレーザーダイオード３０の断面図であ
り、図３はワンチップレーザーダイオード３０のサブマ
ウント図である。
【００２５】ワンチップレーザーダイオード３０は、図
２に示すように外形寸法が３００μｍ×４００μｍ×１
００〜１２０μｍ程度のＧａＡｓ基板３１上に、ｎ型の
ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＰ層３３と、ＡｌｘＧａＹ
Ｉｎ１−Ｘ−ＹＰ活性層３４と、ｐ型のＡｌＸＧａＹＩ
ｎ１−Ｘ−ＹＰ層３５を積層し、活性層３４の中央に波
長６５０ｎｍの第１レーザビームを発光する第１発光源
３６が形成されると共に、ｎ型のＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ
層３７と、ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ活性層３８と、Ｐ型の
ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層３９を積層し、活性層３８の中
央に波長７８０ｎｍの第２レーザビームを発光する第２
発光源４０が形成され、厚さ４μｍ程度の２つの活性層
３４、３８は分離溝３２により分離された構造になって
いる。従って、第１発光源３６と第２発光源４０は、略
１００μｍ隔てて配置された構造になっている。
【００２６】また、ワンチップレーザーダイオード３０
は、ＧａＡｓ基板３１の底面側に共通電極４１が形成さ
れると共に、第１及び第２発光源３６、４０の天面側に
夫々Ａｕ電極４２、４３が形成され、図３に示すように
第１発光源３６用のＡｕ電極４５と第２発光源４０用の
Ａｕ電極４６が形成されたシリコンウェーハ４４上に載
置したサブマウントの形態で半導体レーザ素子６０とし
て使用される。つまり、シリコンウェーハ４４上に、共
通電極４１を上にしてワンチップレーザーダイオード３
０を載置し、Ａｕ電極４２と第１発光部３６用のＡｕ電
極４５、Ａｕ電極４３と第２発光源４０用のＡｕ電極４
６を夫々半田付けし、共通電極４１及び２つのＡｕ電極
４５、４６に図示しない引出線を半田付けして使用され
る。
【００２７】そして、共通電極４１とＡｕ電極４５間に
所定の電圧が印可されると発光窓４７から波長６５０ｎ
ｍの第１レーザビームが発射され、共通電極４１とＡｕ
電極４６間に所定の電圧が印可されると発光窓４８から
波長７８０ｎｍの第２レーザビームが発射される。
【００２８】また、半導体レーザ素子６０は、ワンチッ
プ上に種類の異なる２つの活性層を選択成長法等で造り
ことで２波長のレーザビームを出力できるようにした上
記ワンチップレーザーダイオード３０以外に、図４に示
すハイブリッド型の２波長レーザ素子で構成しても良
い。ハイブリッド型の２波長レーザ素子は、別々に造っ
た第１発光源５０を有する第１半導体レーザ素子５１
と、第２発光源５２を有する第２半導体レーザ素子５３
を専用の組立装置で電極５４、５５を形成したＳｉ基板
５６上に置き、熱融着などによって固定する。そして、
２つの電極５４、５５と第１半導体レーザ素子５１及び
第２半導体レーザ素子５３の天部に形成された電極５
７、５８にＡｕのワイヤをボンディングして使用され
る。ハイブリッド型の場合、上述したワンチップレーザ
ーダイオード３０に比して第１発光源５０と第２発光源
５２の間隔を狭くすることが難しく、また、間隔の精度
を保つことが難しいが、本発明において、ハイブリッド
型の２波長レーザ素子も対象としている。
【００２９】次に、ホログラムユニット１００を構成す
るグレーティング６２とホログラム６３の構造を図５及
び図６を用いて説明する。グレーティング６２は、図５
に示すように半導体レーザ素子６０の第１及び第２発光
源３６、４０を結ぶ直線に対して略平行で、且つ垂直
（図中Ｚ方向）な方向に等間隔（略５μｍ程度）に回折
格子が形成されている。
【００３０】また、ホログラム６３は、図６に示すよう
に第１及び第２発光源３６、４０を結ぶ直線と垂直な方
向に湾曲する回折格子が形成され、その間隔は第１発光
源３６から第２発光源４０に向け（図中左Ｙ方向）て略
１μｍから略２μｍに連続的に変化させている。このよ
うなホログラム６３を用いることで、ホログラム６３に
よって生成された＋１次光と−１次光の焦点距離を互い
に異ならせることができる。よって、図１に示すように
レーザビームの＋１次光はｆ１の位置に焦点を結ぶよう
に集束しビームスポットが第１光検出部７０上に形成さ
れると共に、−１次光はｆ２の位置に焦点を結ぶように
集束してビームスポットがビームスポットが第２光検出
部７５上に形成される。そして、フォーカスサーボ調整
が適正になされたとき、第１光検出部７０上のビームス
ポット径と第２光検出部７５上のビームスポット径は、
同一の大きさに形成している。
【００３１】このように、本実施形態は、フォーカスサ
ーボ調整はビームサイズ法で行ない、トラッキングサー
ボ調整は３ビーム法で行うものである。
【００３２】次に、記録媒体としてＤＶＤ及びＣＤを再
生する場合の動作を図７及び図８を用いて説明する。図
７は本発明の第１実施形態による光ピックアップ装置２
００の構成図であり、半導体レーザ素子６０の駆動回路
やディスク判別回路等の電気回路は、従来と同一であり
省略してある。また、本実施形態の光ピックアップ装置
２００は、従来例と同様にディスク判別を行ない、当該
ディスク判別結果に基づいて半導体レーザ素子６０の一
方の発光源だけを選択駆動するようにしているので、第
１レーザビームの光路と第２レーザビームの光路が同時
に形成されることはない。半導体レーザ素子６０は、上
述したように同一チップ上に波長６５０ｎｍの第１レー
ザビームを発する第１発光源３６と、波長７８０ｎｍの
第２レーザビームを発する第２発光源４０が略１００μ
ｍの間隔で形成されているので、第１レーザビームの光
路（図中破線で示す）と第２レーザビームの光路（図中
実線で示す）は正確には一致せず若干ずれて形成され
る。
【００３３】そこで、本明細書の図面において、第１及
び第２レーザビームの入射光Ｌｄ、Ｌｃの光路と、情報
記録面で反射された第１及び第２レーザビームの戻り光
Ｌｄｒ、Ｌｃｒの光路と、ホログラム６３で＋１次光と
して回折された第１及び第２レーザビームの戻り光Ｌｄ
ｒ１、Ｌｃｒ１の光路と、ホログラム６３で−１次光と
して回折された第１及び第２レーザビームの戻り光Ｌｄ
ｒ２、Ｌｃｒ２の光路を同一図面内に全て記載すること
で説明を分かり易くしている。
【００３４】また、図８は、受発光部８０の平面図であ
り、第１及び第２光検出部７０、７５にＤＶＤを再生し
た際に形成されるビームスポットと、ＣＤを再生する際
に形成されるビームスポットを同一図面上に記載し、第
１レーザビームのビームスポットを斜線の丸印で示すと
共に、第２レーザビームのビームスポットをクロスの丸
印で示すことで説明を分かり易くしている。
【００３５】ＤＶＤの光ディスク５５を再生する場合に
おいて、半導体レーザ素子６０から出射された第１レー
ザビームの入射光Ｌｄ（図中破線で示す）は、立ち上げ
ミラー６１で反射され、グレーティング６２及びホログ
ラム６３を介して対物レンズ６４に入射する。対物レン
ズ６４は、第１レーザビームを光ディスク６５の情報記
録面Ｄ上に集光する。そして、ＤＶＤの情報記録面Ｄで
反射された第１レーザビームの戻り光Ｌｄｒは、対物レ
ンズ６４を介してホログラム６３に入射する。
【００３６】ホログラム６３は、第１レーザビームの＋
１次光を偏向させた戻り光Ｌｄｒ１の内、メインビーム
スポットＭｄ１を第１光検出部７０の三分割検出器７２
上に形成すると共に、戻り光Ｌｄｒ１の内、一対のサブ
ビームスポットＳｄ１ａ、Ｓｄ１ｂを一対の副検出器７
３ａ、７３ｂ上に夫々形成する。また、ホログラム６３
は、第１レーザビームの−１次光を偏向させた戻り光Ｌ
ｄｒ２の内、メインビームスポットＭｄ２を第２光検出
部７５の三分割検出器７７上に形成すると共に、戻り光
Ｌｄｒ２の内、一対のサブビームスポットＳｄ２ａ、Ｓ
ｄ２ｂを一対の副検出器７７ａ、７７ｂに夫々形成す
る。
【００３７】一方、ＣＤの光ディスク５５を再生する場
合において、半導体レーザ素子６０から出射された第２
レーザビームの入射光Ｌｃ（図中実線で示す）は、立ち
上げミラー６１で反射され、グレーティング６２及びホ
ログラム６３を介して対物レンズ６４に入射する。対物
レンズ６４は、第２レーザビームを光ディスク６５の情
報記録面Ｃ上に集光する。そして、ＣＤの情報記録面Ｃ
で反射された第２レーザビームの戻り光Ｌｃｒは、対物
レンズ６４を通過してホログラム６３に入射する。ホロ
グラム６３は、第２レーザビームの＋１次光を偏向させ
た戻り光Ｌｃｒ１の内、メインビームスポットＭｃ１を
第１光検出部７０の三分割検出器７２上に形成すると共
に、戻り光Ｌｃｒ１の内、一対のサブビームスポットＳ
ｃ１ａ、Ｓｃ１ｂを一対の副検出器７３ａ、７３ｂ上に
夫々形成する。また、第２レーザビームの−１次光を偏
向させた戻り光Ｌｃｒ２の内、メインビームスポットＭ
ｃ２を第２光検出部７５の三分割検出器７７上に形成す
ると共に、戻り光Ｌｃｒ２の内、一対のサブビームスポ
ットＳｃ２ａ、Ｓｃ２ｂを一対の副検出器７７ａ、７７
ｂに夫々形成する。図８に示したように、第１レーザビ
ームの＋１次光による各ビームスポットＭｄ１、Ｓｄ１
ａ、Ｓｄ１ｂと第２レーザビームの＋１次光による各ビ
ームスポットＭｃ１、Ｓｃ１ａ、Ｓｃ１ｂは、共に第１
光検出部７０上に形成される。このとき、第１レーザビ
ームと第２レーザビームは波長が異なることから、ホロ
グラム６３における回折角が異なり波長の長い７８０ｎ
ｍが大きな角度で回折され、半導体レーザ素子６０の第
１発光源３６と第２発光源４０の位置がＹ方向に離れて
形成されていることから、第１レーザビームによる各ビ
ームスポットＭｄ１、Ｓｄ１ａ、Ｓｄ１ｂと第２レーザ
ビームによる各ビームスポットＭｃ１、Ｓｃ１ａ、Ｓｃ
１ｂもＹ方向にずれて形成される。同様に、第２レーザ
ビームの−１次光による各ビームスポットＭｄ２、Ｓｄ
２ａ、Ｓｄ２ｂと第２レーザビームの−１次光による各
ビームスポットＭｃ２、Ｓｃ２ａ、Ｓｃ２ｂは、共に第
１光検出部７０上に形成され、何れもＹ方向にずれて形
成される。
【００３８】従って、本実施形態の受発光部８０を構成
する第１及び第２光検出部７０、７５は、光源が１つの
光ピックアップ装置或は合成プリズムを用いて構成した
従来の方式に比べてＹ方向の受光領域を大きくして構成
している。
【００３９】次に、本実施形態に用いられる３ビーム法
及びビームサイズ法について図９及び図１０に基づき説
明する。図９は３ビーム法の動作説明図であり、図１０
はビームサイズ法の動作説明図である。
【００４０】３ビーム法は、図９に示すように２つのサ
ブビームスポットＳ１、Ｓ２をメインビームスポットＭ
に対して夫々逆向きにＱだけオフセットさせる。オフセ
ット量Ｑは、トラックピッチＰの約１／４とされる。各
サブビームスポットＳ１、Ｓ２による反射光は、ホログ
ラム６３に入射する。ホログラム６３は、例えば、第１
レーザビームの＋１次光による各サブビームスポットＳ
ｄ１ａ、Ｓｄ１ｂを副検出器７３ａ、７３ｂで夫々検出
し、第１レーザビームの−１次光による各サブビームス
ポットＳｄ２ａ、Ｓｄ２ｂを副検出器７７ａ、７７ｂで
夫々検出する。そして、各副検出器７３ａ、７３ｂ、７
７ａ、７７ｂの検出信号をＧ、Ｈ、Ｊ、Ｋとすれば、ト
ラッキングエラーＴＥ信号は、（Ｇ＋Ｊ）−（Ｈ＋Ｋ）
で求められる。
【００４１】また、ビームサイズ法を行う三分割検出器
７２、７６は、係る分割線が半導体レーザ素子６０の第
１発光源３６と第２発光源４０を結ぶ直線に対して平行
となるように配置され、三分割検出器７２、７６の中央
にメインビームのビームスポットが形成される。ビーム
サイズ法は、図１０に示すように三分割検出器７２、７
６に形成される一対のビームスポットのビームサイズの
大小でフォーカスエラーＦＥ信号を検出する方式であ
る。
【００４２】例えば、三分割検出器７２、７６の各分割
領域７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７６ａ、７６ｂ、７６ｃ
の検出信号をＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆとすれば、フォー
カスエラーＦＥ信号は、（Ａ＋Ｃ＋Ｅ）−（Ｄ＋Ｆ＋
Ｂ）で求められる。
【００４３】例えば第１レーザビームを例にすると、一
対の三分割検出器７２、７６は、＋１次光のメインビー
ムＭｄ１による分割領域７２ａ、７２ｃの検出信号の和
（Ａ＋Ｃ）と−１次光のメインビームＭｄ２による分割
領域７６ｂの検出信号Ｅが等しくなるように各分割領域
を設定すると共に、−１次光のメインビームＭｄ２によ
る分割領域７６ａ、７６ｃの検出信号の和（Ｄ＋Ｆ）と
＋１次光のメインビームＭｄ１による分割領域７２ｂの
検出信号Ｂが等しくなるように各分割領域を設定するこ
とにより、フォーカスが合っている場合は、図１０
（Ｂ）に示すように一対の三分割検出器７２、７６に等
しい大きさのビームスポットが照射されるので、上記の
（Ａ＋Ｃ＋Ｅ）と（Ｄ＋Ｆ＋Ｂ）は互いに等しくなりフ
ォーカスエラー信号は「０」となる。
【００４４】また、フォーカスが合っていない場合は、
図１０（Ａ）又は図１０（Ｃ）に示すように−１次光の
メインビームＭｄ２のビームスポット径と＋１次光のメ
インビームＭｄ１のビームスポット径が異なる大きさで
照射され、これに伴うスフォーカスエラーＦＥ信号を発
生する。そして三分割検出器７２、７６の各分割領域７
２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７６ａ、７６ｂ、７６ｃに結像
されたビームスポット径に応じて電気信号を復調回路及
びエラー検出回路に供給する。
【００４５】尚、フォーカスエラー信号として、（Ａ＋
Ｃ＋Ｅ）−（Ｄ＋Ｆ＋Ｂ）を用いる理由を説明は次のと
おりである。
【００４６】上述したように、ホログラム６３は、レー
ザビームの＋１次光を焦点距離がｆ１となる位置に焦点
を結ぶビームスポットを第１光検出部７０上に形成する
と共に、レーザビームの−１次光を焦点距離がｆ２とな
る位置に焦点を結ぶビームスポットを第２光検出部７５
上に形成し、夫々のビームスポット径を同一の大きさに
形成するようにしているが、例えばホログラムユニット
１２０と受発光部８０との位置関係や、ホログラム６３
の設定上の誤差等により第１光検出部７０上のビームス
ポット径と第２光検出部７５上のビームスポット径を同
一にできない場合がある。このような場合にも、相反動
作を行う一対の三分割検出器７２、７６の一部の受光領
域の検出信号を互いに取り入れることで、２つのビーム
スポット径が多少異なった場合でもフォーカスエラー信
号のオフセット電圧として設定することができるので、
製造上や設計上のバラツキに対する余裕度を増すことが
できるからである。
【００４７】以上説明したように本実施形態の光ピック
アップ装置２００は、受光部を波長の異なる第１及び第
２レーザビームを出射する半導体レーザ素子６０を用
い、受光部をＹ方向の受光領域を若干大きくした第１及
び第２光検出部７０、７５で構成することで、グレーテ
ィング６２とホログラム６３を含むホログラムユニット
９０とすることが可能と成り、合成プリズムを用いるこ
となく、小型化が可能な２波長対応の光ピックアップ装
置２００とすることができる。
【００４８】次に本発明の第２実施形態による光ピック
アップ装置２００について図１１及び図１２を用いて説
明する。第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、受
発光部８０を構成する半導体レーザ素子６０の例えば第
１発光源３６側を図１２に示すように半導体基板７１に
対してＸ方向に傾けて構成した場合の例であり、その他
の構成は第１実施形態と同一である。第２実施形態によ
る光ピックアップ装置２００は、半導体レーザ素子６０
を半導体基板７１に対してＸ方向に傾けて構成している
ので、図１１に示したように、第１レーザビームの＋１
次光によるメインビームＭｄ１と第２レーザビームの＋
１次光によるメインビームＭｃ１は、三分割検出部７２
の中央からＺ方向に沿って互いに反対方向にずれた位置
にビームスポットを形成する。同様に、第２レーザビー
ムの−１次光によるメインビームＭｄ２と第２レーザビ
ームの−１次光によるメインビームＭｃ２は、三分割検
出部７６の中央からＺ方向に沿って互いに反対方向にず
れた位置にビームスポットを形成する。
【００４９】すなわち、図１１にも示されるように、第
１レーザビームのＭｄ１とＭｄ２は三分割検出部７２、
７６の中央からＺ方向の同じ向きに同じ距離だけずれて
おり、同様に、第２レーザビームのＭｃ１とＭｃ２は三
分割検出部７６の中央からＺ方向に沿って互いに反対方
向にずれた位置にビームスポットを形成する。しかし、
上述したようにフォーカエラー信号は（Ａ＋Ｃ＋Ｅ）−
（Ｄ＋Ｆ＋Ｂ）の演算で生成するので、スポットの位置
ずれによるオフセットは相殺され、適正なフォーカスエ
ラー信号を得ることができる。
【００５０】第２実施形態による光ピックアップ装置２
００は、半導体レーザ素子６０の第１又は第２発光源３
６、４０の位置を立ち上げミラー６１面の対角線上に配
置することができるので、立ち上げミラー６１のＹ方向
の幅を狭めることが可能となり、因って左右の第１及び
第２光検出部７０、７５を半導体レーザ素子６０及び立
ち上げミラー６１側により一層接近させて配置すること
ができるので、受発光部８０の幅（Ｙ方向）を第１実施
形態に比して小型化することが可能となる。
【００５１】次に、本発明の第３実施形態による光ピッ
クアップ装置２００について図１３乃至図１５を用いて
説明する。図１３及び図１４は受発光部１１０の平面図
であり図１３が、第１レーザビームのディスクからの戻
り光の＋１次光及び−１次光による各ビームスポットＭ
ｄ１、Ｓｄ１ａ、Ｓｄ１ｂ、Ｍｄ２、Ｓｄ２ａ、Ｓｄ２
ｂが受光される場合を示しており、図１４は、受発光部
１１０に第２レーザビームのディスクからの戻り光の＋
１次光及び−１次光による各ビームスポットＭｃ１、Ｓ
ｃ１ａ、Ｓｃ１ｂ、Ｍｃ２、Ｓｃ２ａ、Ｓｃ２ｂが受光
される場合を示した図である。また図１５は、受発光部
１１０上における半導体レーザ素子６０と立ち上げミラ
ー６１を示した図である。
【００５２】第３実施形態が第１実施形態と異なる点
は、半導体レーザ素子６０を半導体基板７１に対して直
角方向に立てて配置したことにより、半導体レーザ素子
６０から出射される第１及び第２レーザビームが立ち上
げミラー６１面に対して縦方向（図中Ｘ方向）に整列し
て配置されたことである。これにより、本実施形態の受
発光部１１０は、第１実施形態の受発光部８０とは異な
る構成となる。
【００５３】本実施形態に用いられる受発光部１１０
は、図１５に示されるように、半導体基板９１の略中央
に半導体レーザ素子６０を９０度傾けて配し、該半導体
レーザ素子６０の前方に三角柱状の立ち上げミラー６１
を配すると共に、図１３または図１４に示されるよう
に、半導体レーザ素子６０の一方の側面（図中右Ｙ方
向）に２つの三分割検出器９２、９３とその両側（Ｘ方
向）に一対の副検出器９４ａ、９４ｂとで構成する第１
光検出部９５と、半導体レーザ素子６０の他方の側面
（図中右Ｙ方向）に２つの三分割検出器９６、９７とそ
の両側（Ｘ方向）に一対の副検出器９８ａ、９８ｂとで
構成する第２光検出部１００を配した構造をしている。
【００５４】例えばＤＶＤが再生された場合において、
図１３に示すようにホログラム６３で回折された第１レ
ーザビームの＋１次光によるメインビームＭｄ１は、一
方の三分割検出器９２上に照射され、一方のサブビーム
Ｓｄ１ａは副検出器９４ａ上に照射され、他方のサブビ
ームＳｄ１ｂは他方の三分割検出器９３上に照射され
る。また、ホログラム６３で回折された第１レーザビー
ムの−１次光によるメインビームＭｄ２は、一方の三分
割検出器９６上に照射されると共に、一方のサブビーム
Ｓｄ２ａは副検出器９８ａ上に照射され、他方のサブビ
ームＳｄ２ｂは他方の三分割検出器９７上に照射され
る。第１レーザビームの＋１次光及び−１次光のメイン
ビームを受光する左右の一対の三分割検出器９２、９６
の分割線は、半導体レーザ素子６０の第１及び第２発光
源３６、４０を結ぶ直線に対して垂直方向に平行となる
ように配置している。従って、第１レーザビームの＋１
次光及び−１次光のメインビームは、三分割検出器９
２、９６の中央にビームスポットを形成する。
【００５５】一方、ＣＤが再生される場合において、図
１４に示すようにホログラム６３で回折された第２レー
ザビームの＋１次光によるメインビームＭｃ１は、一方
の三分割検出器９３上に照射され、一方のサブビームＳ
ｃ１ａは他方の三分割検出器９２に照射され、他方のサ
ブビームＳｃ１ｂは他方の副検出器９４ｂに照射され
る。また、ホログラム６３で回折された第２レーザビー
ムの−１次光によるメインビームＭｃ２は、一方の三分
割検出器９７上に照射されると共に、一方のサブビーム
Ｓｃ２ａは他方の三分割検出器９６に照射され、他方の
サブビームＳｃ２ｂは他方の副検出器９８ｂに照射され
る。第２レーザビームの＋１次光及び−１次光のメイン
ビームを受光する左右の一対の三分割検出器９３、９７
の分割線は、半導体レーザ素子６０の第１及び第２発光
源３６、４０を結ぶ直線に対して垂直方向に平行となる
ように配置している。従って、第２レーザビームの＋１
次光及び−１次光のメインビームは、三分割検出器９
３、９７の中央にビームスポットを形成する。
【００５６】次に、本実施形態における各種信号の演算
方法について説明する。
【００５７】ＤＶＤが再生された場合は、図１３に示す
ように、＋１次光及び−１次光のメインビームＭｄ１、
Ｍｄ２は、第１実施形態で説明したように三分割検出器
９２、９６に照射されるので、三分割検出器９２、９６
の各検出信号Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆにより（Ａ＋Ｃ＋
Ｅ）−（Ｄ＋Ｆ＋Ｂ）をフォーカスエラーＦＥ信号とす
ることができる。
【００５８】また、＋１次光の一方のサブビームＳｄ１
ｂは、一方の三分割検出器９３に照射されるので、三分
割検出器９３の各受光領域９３ａ、９３ｂ、９３ｃの検
出信号Ｌ、Ｍ、Ｎを演算処理して合計することで他方の
サブビームＳｄ１ａを受光する副検出器９４ａと対応す
る副検出器の出力と見なすことができる。同様に、−１
次光の一方のサブビームＳｄ２ｂは、一方の三分割検出
器９７に照射されるので、三分割検出器９７の各受光領
域９７ａ、９７ｂ、９７ｃの検出信号Ｐ、Ｓ、Ｔを演算
処理して合計することで他方のサブビームＳｄ２ａを受
光する副検出器９８ａと対応する副検出器の出力と見な
すことができる。従って、トラッキングエラーＴＥ信号
は、（Ｇ＋Ｊ）−（（Ｌ＋Ｍ＋Ｎ）＋（Ｐ＋Ｓ＋Ｔ））
で求めることができる。
【００５９】一方、ＣＤが再生された場合は、図１４に
示すように＋１次光及び−１次光のメインビームＭｃ
１、Ｍｃ２は、三分割検出器９３、９７に照射されるの
で、三分割検出器９３、９７の各検出信号Ｌ、Ｍ、Ｎ、
Ｐ、Ｓ、Ｔにより（Ｌ＋Ｎ＋Ｓ）−（Ｐ＋Ｔ＋Ｍ）をフ
ォーカスエラーＦＥ信号とすることができる。
【００６０】また、＋１次光の一方のサブビームＳｃ１
ａは、一方の三分割検出器９２に照射されるので、三分
割検出器９２の各受光領域９２ａ、９２ｂ、９２ｃの検
出信号Ａ、Ｂ、Ｃを演算処理して合計することで他方の
サブビームＳｃ１ｂを受光する副検出器９４ｂと対応す
る副検出器の出力と見なすことができる。同様に、−１
次光の一方のサブビームＳｃ２ａは、一方の三分割検出
器９６に照射されるので、三分割検出器９６の各受光領
域９６ａ、９６ｂ、９６ｃの検出信号Ｄ、Ｅ、Ｆを演算
処理して合計することで他方のサブビームＳｃ２ｂを受
光する副検出器９８ｂと対応する副検出器の出力と見な
すことができる。従って、トラッキングエラーＴＥ信号
は、（（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）＋（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ））−（Ｇ＋Ｊ）
で求めることができる。
【００６１】このように第３実施形態の光ピックアップ
装置２００によれば、半導体レーザ素子６０の第１及び
第２発光源３６、４０の位置を立ち上げミラー６１面に
対して縦方向に配置することができるので、立ち上げミ
ラー６１の横幅を第２実施形態よりも更に狭めることが
可能となり、左右の第１及び第２光検出部７０、７５を
半導体レーザ素子６０及び立ち上げミラー６１側により
一層接近させて配置することができるので、受発光部９
０のＹ方向の幅を第１実施形態に比して大幅に小型化す
ることが可能となる。
【００６２】次に、本発明の第４実施形態による光ピッ
クアップ装置２００について図１６乃図１７を用いて説
明する。図１６及び図１７は受発光部１５０の平面図で
あり図１６が、第１レーザビームのディスクからの戻り
光の＋１次光及び−１次光による各ビームスポットＭｄ
１、Ｓｄ１ａ、Ｓｄ１ｂ、Ｍｄ２、Ｓｄ２ａ、Ｓｄ２ｂ
が受光される場合を示しており、図１７は、受発光部１
５０に第２レーザビームのディスクからの戻り光の＋１
次光及び−１次光による各ビームスポットＭｃ１、Ｓｃ
１ａ、Ｓｃ１ｂ、Ｍｃ２、Ｓｃ２ａ、Ｓｃ２ｂが受光さ
れる場合を示した図である。なお、受発光部１５０上に
おける半導体レーザ素子６０と立ち上げミラー６１の配
置は図１５と同じである。第４実施形態は上述した第３
実施形態の改良であり、第３実施形態と同様に、半導体
レーザ素子６０を半導体基板７１に対して直角方向に立
てて配置して、半導体レーザ素子６０から出射される第
１及び第２レーザビームを立ち上げミラー６１面に対し
て縦方向（図中Ｘ方向）に整列させて配置している。受
発光部１５０は、図１６及び図１７に示されるように、
半導体基板１３１の略中央に半導体レーザ素子６０を９
０度傾けて配し、該半導体レーザ素子６０の前方に三角
柱状の立ち上げミラー６１を配すると共に、半導体レー
ザ素子６０の一方の側面（図中右Ｙ方向）において四分
割検出器１３２とその両側（Ｘ方向）に一対の副検出器
１３３ａ、１３３ｂとで構成する第１光検出部１３０
と、半導体レーザ素子６０の他方の側面（図中右Ｙ方
向）において四分割検出器１３６とその両側（Ｘ方向）
に一対の副検出器１３７ａ、１３７ｂとで構成する第２
光検出部１３５を配した構造をしている。
【００６３】この四分割検出器１３２及び、１３６は、
図示されるように四分割された受光領域１３２ａ、１３
２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ、及び１３６ａ、１３６ｂ、
１３６ｃ、１３６ｄで構成され、これらの分割線は、後
述する半導体レーザ素子６０の第１及び第２発光源３
６、４０を結ぶ直線方向に対して垂直な方向（図中Ｙ方
向）となるように配列している。
【００６４】例えばＤＶＤが再生された場合は、図１６
に示すようにホログラム６３で回折された第１レーザビ
ームの＋１次光によるメインビームＭｄ１は、四分割検
出器１３２のうちの連続して配列する３つの受光領域１
３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ上に照射され、一方のサブ
ビームＳｄ１ａは副検出器１３３ａ上に照射され、他方
のサブビームＳｄ１ｂは副検出器１３３ｂ上に照射され
る。また、ホログラム６３で回折された第１レーザビー
ムの−１次光によるメインビームＭｄ２は、四分割検出
器１３６のうちの連続して配列する３つの受光領域１３
６ａ、１３６ｂ、１３６ｃ上に照射され、一方のサブビ
ームＳｄ２ａは副検出器１３７ａ上に照射され、他方の
サブビームＳｄ２ｂは副検出器１３７ｂ上に照射され
る。
【００６５】一方、ＣＤが再生される場合は、図１７に
示すようにホログラム６３で回折された第１レーザビー
ムの＋１次光によるメインビームＭｃ１は、四分割検出
器１３２のうちの連続して配列する３つの受光領域１３
２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ上に照射され、一方のサブビ
ームＳｃ１ａは副検出器１３３ａ上に照射され、他方の
サブビームＳｃ１ｂは副検出器１３３ｂ上に照射され
る。また、ホログラム６３で回折された第１レーザビー
ムの−１次光によるメインビームＭｃ２は、四分割検出
器１３６のうちの連続して配列する３つの受光領域１３
６ｂ、１３６ｃ、１３６ｄ上に照射され、一方のサブビ
ームＳｃ２ａは副検出器１３７ａ上に照射され、他方の
サブビームＳｃ２ｂは副検出器１３７ｂ上に照射され
る。
【００６６】次に、本実施形態における各種信号の演算
方法について説明する。
【００６７】ＤＶＤが再生された場合は、図１６に示す
ように、メインビームＭｄ１は四分割検出器１３２の３
つの受光領域１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ上に照射さ
れ、メインビームＭｄ２は四分割検出器１３６の３つの
受光領域１３６ａ、１３６ｂ、１３６ｃ上に照射される
ので、四分割検出器１３２、１３６の各検出信号Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｌ、Ｍ、Ｎにより（Ａ＋Ｃ＋Ｍ）−（Ｌ＋Ｎ＋
Ｂ）をフォーカスエラーＦＥ信号とすることができる。
また、トラッキングエラーＴＥ信号は、第１実施形態と
同様に（Ｇ＋Ｊ）−（（Ｈ＋Ｋ）で求めることができ
る。
【００６８】一方、ＣＤが再生された場合は、図１７に
示すように、メインビームＭｃ１は四分割検出器１３２
の３つの受光領域１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ上に照
射され、メインビームＭｃ２は四分割検出器１３６の３
つの受光領域１３６ｂ、１３６ｃ、１３６ｄ上に照射さ
れるので、四分割検出器１３２、１３６の各検出信号
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｌ、Ｍ、Ｎにより（Ｂ＋Ｄ＋Ｎ）−（Ｍ＋
Ｓ＋Ｃ）をフォーカスエラーＦＥ信号とすることができ
る。また、トラッキングエラーＴＥ信号は、第１実施形
態と同様に（Ｇ＋Ｊ）−（（Ｈ＋Ｋ）で求めることがで
きる。このように第４実施形態の光ピックアップ装置２
００によれば、第３実施形態と同様に受発光部１１０の
Ｙ方向の幅を第１実施形態に比して小型化することが可
能となり、更に第３実施形態に比べて、受光領域の面積
も小さくすることができ、更なる小型化を可能にする。
【００６９】
【発明の効果】本発明によれば、各々波長が異なる第１
及び第２レーザビームを発して、読取り波長の異なる記
録媒体の読取りを可能とした光ピックアップ装置に関し
て、光学系をコンパクトに集約しＰＵ全体の小型化を達
成するとともに、受光素子が第１及び第２レーザビーム
の読取りに共用されるようにして部品点数の削減による
コストダウンを達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による光ピックアップ装
置の要部斜視図。
【図２】ワンチップレーザーダイオードの断面図。
【図３】ワンチップレーザーダイオード３０のサブマウ
ント図。
【図４】ハイブリッド型の２波長レーザ素子の構成図。
【図５】グレーティングの構造図
【図６】ホログラムの構造図
【図７】本発明の第１実施形態による光ピックアップ装
置の構成図。
【図８】第１実施形態による光ピックアップ装置を構成
する受発光部の平面図。
【図９】３ビーム法の動作説明図。
【図１０】ビームサイズ法の動作説明図。
【図１１】第２実施形態による光ピックアップ装置を構
成する受発光部の平面図。
【図１２】第２実施形態の立ち上げミラーを示す斜視図
【図１３】第３実施形態による光ピックアップ装置を構
成する受発光部のＤＶＤ再生時を示す平面図。
【図１４】第３実施形態による光ピックアップ装置を構
成する受発光部のＣＤ再生時を示す平面図。
【図１５】第３実施形態の立ち上げミラーを示す斜視図
【図１６】第４実施形態による光ピックアップ装置を構
成する受発光部のＤＶＤ再生時を示す平面図。
【図１７】第４実施形態による光ピックアップ装置を構
成する受発光部のＣＤ再生時を示す平面図。
【図１８】従来例における光ピックアップ装置の構成
図。
【符号の説明】
６０・・・半導体レーザ素子 ６１・・・立ち上げミラー ６２・・・グレーティング ６３・・・ホログラム ６４・・・対物レンズ ６５・・・光ディスク ７０、９５、１３０・・第１光検出部 ７１、９１、１３１・・・半導体基板 ７２、７６、９２、９３、９６、９７・・・三分割検出
器 １３２、１３６・・・四分割検出器 ７３、７７、９４、９８、１３３、１３７・・・副検出
器 ７５、１００、１３５・・・第２光検出部 ８０、１１０、１５０・・・受発光部 １２０・・ホログラムユニット ２００・・光ピックアップ装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/12 Ｈ０１Ｌ 31/12 Ｇ Ｈ０１Ｓ 5/22 ６１０ Ｈ０１Ｓ 5/22 ６１０ Ｆターム(参考） 5D118 AA04 AA26 BA01 BB02 BF02 BF03 CC12 CC17 CD02 CD03 CD08 CF02 CF04 CF16 CG04 CG07 CG24 DA20 DA33 DC03 5D119 AA04 AA41 BA01 DA01 DA05 EA02 EA03 EC41 EC45 EC47 FA05 FA09 JA14 JA22 KA16 KA18 LB07 5F073 AA13 AB06 AB15 AB21 AB25 AB27 AB29 BA05 CA05 CA14 FA02 FA13 FA30 5F089 BA04 BB01 BC07 BC08 BC25 DA13 GA05

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１レーザビームを発する第１発光源と
    該第１発光源に近接配置される前記第１レーザビームと
    は波長の異なる第２レーザビームを発する第２発光源と
    が一体化され、前記第１または第２レーザビームを選択
    的に発するように制御される発光部と、前記発光部から
    出射された前記第１または第２レーザビームから一対の
    サブビームを生成するグレーティングと、記録媒体で反
    射された前記第１または第２レーザビーム、及びその一
    対のサブビームから正及び負の高次光を生成するホログ
    ラムと、前記高次光を受光する受光部とを含み、読取り
    波長の異なる記録媒体の情報を読取り可能な光ピックア
    ップ装置であって、 前記受光部は、記録媒体で反射された前記第１または第
    ２レーザビームから生成された正または負の前記高次光
    を受光してビームサイズ法によるフォーカスエラー信号
    を生成する一対の三分割受光素子と、前記一対の三分割
    受光素子の各々に対して一組ずつ設けられ、記録媒体で
    反射された前記サブビームから生成された高次光を受光
    して３ビーム法によるトラッキングエラー信号を生成す
    るニ組一対のサブビーム受光素子と、からなり、 前記三分割受光素子は２本の平行な分割線により３つの
    受光領域に分割されてなり、 前記一対のサブビーム受光素子は、前記三分割受光素子
    の分割線と直交する方向に整列して設置され、 前記発光部は、前記第１及び第２発光源の各発光点を結
    ぶ直線が前記三分割受光素子の分割線と平行となるよう
    に設置されることを特徴とする光ピックアップ装置。
  2. 【請求項２】 前記ホログラムは、生成する正及び負の
    高次光を結ぶ直線が前記三分割受光素子の分割線と平行
    となるように設置されることを特徴とする請求項１に記
    載の光ピックアップ装置。
  3. 【請求項３】 前記グレーティングは、生成する一対の
    サブビームを結ぶ直線が前記三分割受光素子の分割線と
    直交するように設置されることを特徴とする請求項１及
    び2に記載の光ピックアップ装置。
  4. 【請求項４】 第１レーザビームを発する第１発光源と
    該第１発光源に近接配置される前記第１レーザビームと
    は波長の異なる第２レーザビームを発する第２発光源と
    が一体化され、前記第１または第２レーザビームを選択
    的に発するように制御される発光部と、前記発光部から
    出射された前記第１または第２レーザビームから一対の
    サブビームを生成するグレーティングと、記録媒体で反
    射された前記第１または第２レーザビーム、及びその一
    対のサブビームから正及び負の高次光を生成するホログ
    ラムと、前記高次光を受光する受光部とを含み、読取り
    波長の異なる記録媒体の情報を読取り可能な光ピックア
    ップ装置であって、 前記受光部は、前記第１レーザビームの正または負の前
    記高次光を受光して読取り信号及びビームサイズ法によ
    るフォーカスエラー信号を生成する第１の一対の三分割
    受光素子と、前記第２レーザビームの正または負の前記
    高次光を受光して読取り信号及びビームサイズ法による
    フォーカスエラー信号を生成する第２の一対の三分割受
    光素子と、前記第１レーザビームから生成された一対の
    サブビームのうちの一方の高次光を受光する第１サブビ
    ーム受光素子と、前記第２レーザビームから生成された
    一対のサブビームのうちの一方の高次光を受光する第２
    サブビーム受光素子と、を含み、 前記発光部から前記第１レーザビームが発せられている
    とき、前記第２の三分割受光素子は、前記第１レーザビ
    ームから生成された一対のサブビームのうちの前記第１
    サブビーム受光素子で受光される一方とは異なる他方の
    高次光を受光し、３ビーム法によるトラッキングエラー
    を生成することを特徴とする光ピックアップ装置。
  5. 【請求項５】 第１レーザビームを発する第１発光源と
    該第１発光源に近接配置される前記第１レーザビームと
    は波長の異なる第２レーザビームを発する第２発光源と
    が一体化され、前記第１または第２レーザビームを選択
    的に発するように制御される発光部と、前記発光部から
    出射された前記第１または第２レーザビームから一対の
    サブビームを生成するグレーティングと、記録媒体で反
    射された前記第１または第２レーザビーム、及びその一
    対のサブビームから正及び負の高次光を生成するホログ
    ラムと、前記高次光を受光する受光部とを含み、読取り
    波長の異なる記録媒体の情報を読取り可能な光ピックア
    ップ装置であって、 前記受光部は、記録媒体で反射された前記第１または第
    ２レーザビームから生成された正または負の前記高次光
    を受光してビームサイズ法によるフォーカスエラー信号
    を生成する一対の四分割受光素子と、前記一対の三分割
    受光素子の各々に対して一組ずつ設けられ、記録媒体で
    反射された前記サブビームから生成された高次光を受光
    して３ビーム法によるトラッキングエラー信号を生成す
    るニ組一対のサブビーム受光素子と、からなり、 前記第１及び第２レーザビームは、前記四分割受光素子
    のうちの連続した３つの受光領域によって受光され、前
    記第１及び第２レーザビームが受光される３つの領域は
    一部が異なることを特徴とする光ピックアップ装置。
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