JPH0834283B2 - 積層チップ組立体およびその製造方法 - Google Patents
積層チップ組立体およびその製造方法Info
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- JPH0834283B2 JPH0834283B2 JP4204302A JP20430292A JPH0834283B2 JP H0834283 B2 JPH0834283 B2 JP H0834283B2 JP 4204302 A JP4204302 A JP 4204302A JP 20430292 A JP20430292 A JP 20430292A JP H0834283 B2 JPH0834283 B2 JP H0834283B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、回路基体または印刷配
線板上に集積回路またはメモリチップを製造し組立てる
方法に関するものであり、特にそのようなチップを接触
した層の積層としてそれらの平面が回路基体または印刷
配線板の平面と平行に、積層されたチップ組立体を組立
てる方法に関するものである。
線板上に集積回路またはメモリチップを製造し組立てる
方法に関するものであり、特にそのようなチップを接触
した層の積層としてそれらの平面が回路基体または印刷
配線板の平面と平行に、積層されたチップ組立体を組立
てる方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の技術においては集積回路およびメ
モリチップはハーメチックパッケージ中に単独で取付け
られ、パッケージの導線が回路基体または印刷配線板に
接続されている。その代りに、チップはハーメチックハ
イブリッドパッケージ中の回路板上に取付けられ、その
外部導線が印刷配線板に接続される。スペースおよび容
積が重要な場合には、そのような従来の取付け構造の使
用は最適の全体的回路密度を小さくし、低い回路速度と
なる。特に現在使用されている取付け装置は比較的大き
なスペースおよび容積が必要であり、したがって回路密
度も低い。さらに比較的大きいチップ間の間隔により回
路の動作速度が低下し、キャパシタンスを増加させ、そ
れによって回路を伝播する信号の速度を低下させる。
モリチップはハーメチックパッケージ中に単独で取付け
られ、パッケージの導線が回路基体または印刷配線板に
接続されている。その代りに、チップはハーメチックハ
イブリッドパッケージ中の回路板上に取付けられ、その
外部導線が印刷配線板に接続される。スペースおよび容
積が重要な場合には、そのような従来の取付け構造の使
用は最適の全体的回路密度を小さくし、低い回路速度と
なる。特に現在使用されている取付け装置は比較的大き
なスペースおよび容積が必要であり、したがって回路密
度も低い。さらに比較的大きいチップ間の間隔により回
路の動作速度が低下し、キャパシタンスを増加させ、そ
れによって回路を伝播する信号の速度を低下させる。
【0003】これらの問題は例えば米国特許第4,52
5,921号および第4,764,846号明細書中で
もパッケージ技術において認識されている。それにおい
てはチップは基体と直角に積層され、エッジが金属化さ
れた回路と接続されている。積層体の1つの周辺エッジ
または面において回路の配線は金属バンプで終端され、
そのバンプは積層体を直接基体および対応するパターン
の回路パッドに接続するために使用されている。したが
ってチップは回路基板に垂直な平面と平行に配置されて
いる。
5,921号および第4,764,846号明細書中で
もパッケージ技術において認識されている。それにおい
てはチップは基体と直角に積層され、エッジが金属化さ
れた回路と接続されている。積層体の1つの周辺エッジ
または面において回路の配線は金属バンプで終端され、
そのバンプは積層体を直接基体および対応するパターン
の回路パッドに接続するために使用されている。したが
ってチップは回路基板に垂直な平面と平行に配置されて
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これらの明細書に記載
された発明の目的は高密度の積層体を得ることである。
しかしながら例えば米国特許第4,764,846号明
細書中に記載されているように、個々のチップおよびそ
の支持体を積層体支持基体に取付けるためにチップから
の導線は一方の側部に延ばされなければならず、それは
比較的大きい面積を必要とし、所望の高密度の目的を阻
害する。
された発明の目的は高密度の積層体を得ることである。
しかしながら例えば米国特許第4,764,846号明
細書中に記載されているように、個々のチップおよびそ
の支持体を積層体支持基体に取付けるためにチップから
の導線は一方の側部に延ばされなければならず、それは
比較的大きい面積を必要とし、所望の高密度の目的を阻
害する。
【0005】またチップに細分される前にウエハの背面
から研磨材料によって研磨して薄いチップとして密度を
増加させることも可能である。しかしながら、この薄く
する処理は費用がかかり、積層体のコストを増加させ
る。バンプ取付け方式の積層体はまた費用がかかり、信
頼性のある接続の形成のための使用は航空機搭載システ
ムのような場合の使用には不安がある。
から研磨材料によって研磨して薄いチップとして密度を
増加させることも可能である。しかしながら、この薄く
する処理は費用がかかり、積層体のコストを増加させ
る。バンプ取付け方式の積層体はまた費用がかかり、信
頼性のある接続の形成のための使用は航空機搭載システ
ムのような場合の使用には不安がある。
【0006】この発明の目的は、これらおよびその他の
問題を克服し、回路基体または印刷配線板に2以上の集
積回路またはメモリチップを積層する前記のような従来
の技術によるものよりも高密度の構造を提供することで
ある。
問題を克服し、回路基体または印刷配線板に2以上の集
積回路またはメモリチップを積層する前記のような従来
の技術によるものよりも高密度の構造を提供することで
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
する本発明の方法においては、チップの平面は回路基体
または印刷配線板に対して垂直ではなく平行に配置され
る。チップは1つのエッジだけではなく、その全周囲に
おいて接続が形成され、好ましくはリボン導体接続によ
って回路基体または印刷配線板に接続される。それから
組立てられた装置は保護被覆および容器によってハーメ
チックシールされる。
する本発明の方法においては、チップの平面は回路基体
または印刷配線板に対して垂直ではなく平行に配置され
る。チップは1つのエッジだけではなく、その全周囲に
おいて接続が形成され、好ましくはリボン導体接続によ
って回路基体または印刷配線板に接続される。それから
組立てられた装置は保護被覆および容器によってハーメ
チックシールされる。
【0008】そのようなチップはやや寸法が大きくされ
ている点でウエハから通常切断されて細分されるチップ
とは異なっている。特に各チップはウエハ中の個々の回
路より大きい。すなわち個々のチップに形成するように
選択された各ウエハ部分は内蔵されるウエハ中の個々の
回路より大きく、したがって隣接する回路とオーバーラ
ップしている。
ている点でウエハから通常切断されて細分されるチップ
とは異なっている。特に各チップはウエハ中の個々の回
路より大きい。すなわち個々のチップに形成するように
選択された各ウエハ部分は内蔵されるウエハ中の個々の
回路より大きく、したがって隣接する回路とオーバーラ
ップしている。
【0009】このような構造によって幾つかの利点が得
られる。通常の設計と比較して、スペースおよび容積の
必要を最小に保持しながら全体の回路密度はさらに増加
させることができ、例えば前記米国特許第4,764,
846号明細書中に記載されたものの約5倍にすること
ができる。チップ間の間隔が最小にされるため、回路の
動作速度は増加し、配線のインピーダンスおよびキャパ
シタンスは対応して小さく成り、それによって回路の高
い信号伝播速度が得られる。製造コストは低下し、バン
プ取付けの使用は回避され、したがって信頼性の高い接
続が得られる。さらに熱放散も改善される。所望ならば
特別のハーメチックパッケージを使用しないでもよい。
本発明のその他の目的および利点並びに本発明の理解は
添付図面を参照にした以下の実施例の説明によって明ら
かにされるであろう。
られる。通常の設計と比較して、スペースおよび容積の
必要を最小に保持しながら全体の回路密度はさらに増加
させることができ、例えば前記米国特許第4,764,
846号明細書中に記載されたものの約5倍にすること
ができる。チップ間の間隔が最小にされるため、回路の
動作速度は増加し、配線のインピーダンスおよびキャパ
シタンスは対応して小さく成り、それによって回路の高
い信号伝播速度が得られる。製造コストは低下し、バン
プ取付けの使用は回避され、したがって信頼性の高い接
続が得られる。さらに熱放散も改善される。所望ならば
特別のハーメチックパッケージを使用しないでもよい。
本発明のその他の目的および利点並びに本発明の理解は
添付図面を参照にした以下の実施例の説明によって明ら
かにされるであろう。
【0010】
【実施例】図1および図2を参照すると、図1は本発明
の製造および組立て工程のフロー図である。符号12は誘
電体マスクのセットが所望の電子的機能に基いた電気接
続を決定するように設計される製造工程を示し、符号14
はウエハ16(図2参照)が良品回路18(図2に符号
“G”で示されている)および不良回路20の位置を識別
する通常の試験方法によって試験される製造工程を示し
ている。符号“G”で示されるように良品回路にマーク
するよりは不良回路が発見されたウエハの部分にドット
を付けるのが普通である。
の製造および組立て工程のフロー図である。符号12は誘
電体マスクのセットが所望の電子的機能に基いた電気接
続を決定するように設計される製造工程を示し、符号14
はウエハ16(図2参照)が良品回路18(図2に符号
“G”で示されている)および不良回路20の位置を識別
する通常の試験方法によって試験される製造工程を示し
ている。符号“G”で示されるように良品回路にマーク
するよりは不良回路が発見されたウエハの部分にドット
を付けるのが普通である。
【0011】本発明において、ダイ切断方法はウエハ16
に対して決定され(工程22)、図2に示されるようにウ
エハからダイ切断されるべきやや大きいチップ25の位置
24が定められる。切断は2段階で行われることが好まし
い。まず、ウエハは例えば破線27で示されるようにやや
大きいチップ25が切断されないように水平に鋸で切断さ
れ、図2に示されるようにウエハをチップ25の列に分離
する。それから各列はさらに前の図で水平の切断線27に
対して垂直に切断されて個々のやや大きいチップ25が形
成される。
に対して決定され(工程22)、図2に示されるようにウ
エハからダイ切断されるべきやや大きいチップ25の位置
24が定められる。切断は2段階で行われることが好まし
い。まず、ウエハは例えば破線27で示されるようにやや
大きいチップ25が切断されないように水平に鋸で切断さ
れ、図2に示されるようにウエハをチップ25の列に分離
する。それから各列はさらに前の図で水平の切断線27に
対して垂直に切断されて個々のやや大きいチップ25が形
成される。
【0012】工程22(図1)の切断工程中に、ウエハ材
料の利用率を最大にするように必要な位置24をえるため
の切断線は不良回路を横切るように選択されるが、必要
な、或いは不可避な場合には良品回路上を横切ることも
あり得る。本発明において重要な工程(図1の工程26)
として良品回路は入力/出力パッドを保護するためにマ
スクされ、ウエハ16はチップ回路の必要なハーメチック
シールを行うために不浸透性の無機被覆で保護される。
その後さらに適当なマスクとして誘電材料被覆がウエハ
に施される(図1の工程28)。この誘電材料は有機樹脂
の薄い外側被覆からなる。入力/出力再配置金属は導線
32を定め、図2に示された各チップの入力/出力パッド
34を延長するためにウエハに供給される。この工程は図
1の工程30で示されている。
料の利用率を最大にするように必要な位置24をえるため
の切断線は不良回路を横切るように選択されるが、必要
な、或いは不可避な場合には良品回路上を横切ることも
あり得る。本発明において重要な工程(図1の工程26)
として良品回路は入力/出力パッドを保護するためにマ
スクされ、ウエハ16はチップ回路の必要なハーメチック
シールを行うために不浸透性の無機被覆で保護される。
その後さらに適当なマスクとして誘電材料被覆がウエハ
に施される(図1の工程28)。この誘電材料は有機樹脂
の薄い外側被覆からなる。入力/出力再配置金属は導線
32を定め、図2に示された各チップの入力/出力パッド
34を延長するためにウエハに供給される。この工程は図
1の工程30で示されている。
【0013】この点において、ウエハの処理はウエハか
ら切断されるチップが一番上に配置されるチップかそれ
より下方に配置されるチップかにより変化する。この処
理の変化は図1において下のチップ36および最上位置の
チップ38に対して別の処理工程として表されている。最
上位置のチップとして機能することを予定されているチ
ップ38は2つの追加処理工程40および42を必要とする。
工程40で示されるようにリボン導体の結合可能な金属が
周辺のパッド34に付着されて工程42に示されるようにそ
れらのパッドはマスクされる。所望ならばワイヤ導線が
リボン導体の代りに使用されてもよいがリボン導体のほ
うが好ましい。最上位置のチップおよびその下方位置の
チップに対して工程46および48が行われ、ウエハはパッ
シベーションされ、続いて最上位置とその下方位置のチ
ップとに切断される。
ら切断されるチップが一番上に配置されるチップかそれ
より下方に配置されるチップかにより変化する。この処
理の変化は図1において下のチップ36および最上位置の
チップ38に対して別の処理工程として表されている。最
上位置のチップとして機能することを予定されているチ
ップ38は2つの追加処理工程40および42を必要とする。
工程40で示されるようにリボン導体の結合可能な金属が
周辺のパッド34に付着されて工程42に示されるようにそ
れらのパッドはマスクされる。所望ならばワイヤ導線が
リボン導体の代りに使用されてもよいがリボン導体のほ
うが好ましい。最上位置のチップおよびその下方位置の
チップに対して工程46および48が行われ、ウエハはパッ
シベーションされ、続いて最上位置とその下方位置のチ
ップとに切断される。
【0014】工程52に示されるように、各電気装置に対
して下方位置の、および最上位置のチップは積重ねら
れ、図3乃至図7に示されているように1つの組立体に
結合される。
して下方位置の、および最上位置のチップは積重ねら
れ、図3乃至図7に示されているように1つの組立体に
結合される。
【0015】図3に示された実施例に対してのみ、図1
に示された括弧60で囲まれた三つの工程54,56,58が組
立て体62を生成するために実行される。例えば工程58に
おいて技術的によく知られているように、もしもウエハ
全体が切断される前に工程46で保護被覆を形成されてい
るならば接続パッドから保護被覆を除去する“清掃”と
呼ばれる工程および必要ならリボン導体結合を容易にす
るために適当な金属を被覆する“金属化”と呼ばれる工
程が行われる。
に示された括弧60で囲まれた三つの工程54,56,58が組
立て体62を生成するために実行される。例えば工程58に
おいて技術的によく知られているように、もしもウエハ
全体が切断される前に工程46で保護被覆を形成されてい
るならば接続パッドから保護被覆を除去する“清掃”と
呼ばれる工程および必要ならリボン導体結合を容易にす
るために適当な金属を被覆する“金属化”と呼ばれる工
程が行われる。
【0016】図3の実施例では組立体62は最上部のチッ
プ64とそれと等しい寸法の下方位置のチップ66とから構
成されている。最上部のチップ64は図2に示されチップ
25の1つで構成され、それは図1の工程38,40,42,4
6,48にしたがって処理され、導線32' および端子パッ
ド34' を備えている。方位置のチップ66は最上部のチッ
プ64と同様に図2に示されチップ25の複数のものであ
り、図1の工程36,46,48にしたがって処理され、導線
(図示しないが端子パッド34' で終端する導線32'と同
様の導線である)を備えている。
プ64とそれと等しい寸法の下方位置のチップ66とから構
成されている。最上部のチップ64は図2に示されチップ
25の1つで構成され、それは図1の工程38,40,42,4
6,48にしたがって処理され、導線32' および端子パッ
ド34' を備えている。方位置のチップ66は最上部のチッ
プ64と同様に図2に示されチップ25の複数のものであ
り、図1の工程36,46,48にしたがって処理され、導線
(図示しないが端子パッド34' で終端する導線32'と同
様の導線である)を備えている。
【0017】全てのチップ64および66は積層され、結合
されて組立体を構成し、それは接続が形成されるべき全
周辺エッジの壁部分68を研磨されて全ての端子パッド
(例えば最上部のチップ64の端子パッド34' および下部
のチップ66の同様の端子パッド)が確実に露出されて図
1の工程54によってそれぞれメッキされることができる
ようにされる。下部のチップ66の端子パッドの金属部分
の量を増加することが望ましいので金属被膜69がこれら
の露出された端子パッドに追加的に形成される。選択さ
れた端子パッドおよび金属被膜69間に相互接続体70が通
常の金属化技術を使用して形成され、さらに図1の工程
56,58にしたがって最上部のチップ64の端子パッド34'
は電気機能にしたがって金属化され、清掃される。
されて組立体を構成し、それは接続が形成されるべき全
周辺エッジの壁部分68を研磨されて全ての端子パッド
(例えば最上部のチップ64の端子パッド34' および下部
のチップ66の同様の端子パッド)が確実に露出されて図
1の工程54によってそれぞれメッキされることができる
ようにされる。下部のチップ66の端子パッドの金属部分
の量を増加することが望ましいので金属被膜69がこれら
の露出された端子パッドに追加的に形成される。選択さ
れた端子パッドおよび金属被膜69間に相互接続体70が通
常の金属化技術を使用して形成され、さらに図1の工程
56,58にしたがって最上部のチップ64の端子パッド34'
は電気機能にしたがって金属化され、清掃される。
【0018】積層され、結合された組立体62は工程76で
端子パッド74を有するベース72上に取付けられて固定さ
れ、工程80でリボン導体78がそれぞれ端子パッド34' お
よび端子パッド74に結合されて組立体82が形成される。
端子パッド74を有するベース72上に取付けられて固定さ
れ、工程80でリボン導体78がそれぞれ端子パッド34' お
よび端子パッド74に結合されて組立体82が形成される。
【0019】組立体82は工程84で電気機能が所定のよう
に動作するか否かを決定するために電気的に試験され
る。試験結果が良好であれば、組立体82は工程86および
88においてファインライン等の適当な回路板に取付けら
れリボン導体が接続される。試験結果が不良であれば、
組立体82は適当に別の処理に戻され、或いは廃棄され
る。試験結果が良好であった組立体は必要ならば工程90
に示されるように容器に封入される。
に動作するか否かを決定するために電気的に試験され
る。試験結果が良好であれば、組立体82は工程86および
88においてファインライン等の適当な回路板に取付けら
れリボン導体が接続される。試験結果が不良であれば、
組立体82は適当に別の処理に戻され、或いは廃棄され
る。試験結果が良好であった組立体は必要ならば工程90
に示されるように容器に封入される。
【0020】図4、図5、図6、図7にそれぞれ示され
た組立体92,94,96,98もまた図1に示された工程にし
たがって処理されるが、工程54,54,58は除外される。
図4の組立体92を製造する方法では、基体回路100 は、
互いに積層された個々のチップ104 の回路に直接接続を
可能にする充分な数の端子パッド102 を備えている。チ
ップ間には接続はなく、チップは基体回路100 上の共通
の選択された端子パッドを使用する。この技術は現在使
用されている処理を使用してさらに容易に組立てを行う
ことを可能にし、図3に示されるような垂直エッジ上で
チップの相互接続を行うような新しい技術の開発を必要
としない。
た組立体92,94,96,98もまた図1に示された工程にし
たがって処理されるが、工程54,54,58は除外される。
図4の組立体92を製造する方法では、基体回路100 は、
互いに積層された個々のチップ104 の回路に直接接続を
可能にする充分な数の端子パッド102 を備えている。チ
ップ間には接続はなく、チップは基体回路100 上の共通
の選択された端子パッドを使用する。この技術は現在使
用されている処理を使用してさらに容易に組立てを行う
ことを可能にし、図3に示されるような垂直エッジ上で
チップの相互接続を行うような新しい技術の開発を必要
としない。
【0021】図5に示された組立体94のように、別のチ
ップ108 に非常に近接してチップ106 を取付けることが
必要な場合には、チップ108 上にチップ106 を取付け、
中間の接続路のような基体へ行われる相互接続を必要と
せずに下方のチップ108 に上方のチップ106 を直接接続
する。そのためには、上方のチップ106 からの接続導線
またはリボン導体を接続する下方のチップ108 上の端子
パッドの領域が得られるように、上方のチップ106 は下
方のチップ108 より小さくする必要がある。組立体94は
その後基体(図示せず)に取付けられ、リボン導体112
により電気的に接続される。
ップ108 に非常に近接してチップ106 を取付けることが
必要な場合には、チップ108 上にチップ106 を取付け、
中間の接続路のような基体へ行われる相互接続を必要と
せずに下方のチップ108 に上方のチップ106 を直接接続
する。そのためには、上方のチップ106 からの接続導線
またはリボン導体を接続する下方のチップ108 上の端子
パッドの領域が得られるように、上方のチップ106 は下
方のチップ108 より小さくする必要がある。組立体94は
その後基体(図示せず)に取付けられ、リボン導体112
により電気的に接続される。
【0022】図6に示されるように、図4に示されたチ
ップ104 と同様の積層体114 の複数のチップ116 は、そ
れら上方のチップ116 が下方のチップ118 より小さく、
上部のチップ116 の全てに対して下方のチップの端子パ
ッドを接続することを可能にしている。下方のチップは
基体(図示せず)へのリボン導体120 による電気接続を
可能にするためにその周縁に端子パッドを有している。
ップ104 と同様の積層体114 の複数のチップ116 は、そ
れら上方のチップ116 が下方のチップ118 より小さく、
上部のチップ116 の全てに対して下方のチップの端子パ
ッドを接続することを可能にしている。下方のチップは
基体(図示せず)へのリボン導体120 による電気接続を
可能にするためにその周縁に端子パッドを有している。
【0023】さらに別の方法が図7に示されている。上
方のチップ122 は下方のチップ126にバンプパッド124
によって反転チップ方式で取付けられている。この場合
シリコン上のシリコンの整合した熱膨脹係数が利用でき
る利点がある。
方のチップ122 は下方のチップ126にバンプパッド124
によって反転チップ方式で取付けられている。この場合
シリコン上のシリコンの整合した熱膨脹係数が利用でき
る利点がある。
【0024】以上この発明は特定の実施例を参照にして
説明されたが、当業者は特許請求の範囲に記載された本
発明の技術的範囲から逸脱することなく種々の変形、変
更を行うことが可能である。
説明されたが、当業者は特許請求の範囲に記載された本
発明の技術的範囲から逸脱することなく種々の変形、変
更を行うことが可能である。
【図1】本発明を含む典型的な製造および組立工程のフ
ロー図。
ロー図。
【図2】本発明の製造および組立工程の開始段階におけ
るウエハの全体図。
るウエハの全体図。
【図3】本発明の1実施例の回路基体への取付け前の積
層されたチップの斜視図。
層されたチップの斜視図。
【図4】本発明の別の実施例の回路基体への取付け前の
積層されたチップの斜視図。
積層されたチップの斜視図。
【図5】本発明の別の実施例の回路基体への取付け前の
積層されたチップの斜視図。
積層されたチップの斜視図。
【図6】本発明の別の実施例の回路基体への取付け前の
積層されたチップの斜視図。
積層されたチップの斜視図。
【図7】本発明の別の実施例の回路基体への取付け前の
積層されたチップの斜視図。
積層されたチップの斜視図。
16…ウエハ、62,92,94,96,98…チップ組立体、72…
基体。
基体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/18
Claims (2)
- 【請求項1】 回路基板または印刷配線基板支持体にチ
ップが上方および下方に積層される配列で、2以上の集
積回路またはメモリチップを製造し、組立て、接続する
ことによって、積層されたチップ組立体を製造する方法
において、 動作可能な回路部か不可能な回路部かを決定するために
ウエハ全体を試験し、 上方および下方のチップにウエハを切断するための準備
として、これらのチップと選択された回路部に隣接する
回路部のチップとが重複するような方法で、個々のチッ
プの寸法が個々のチップの回路部の寸法よりも大きくな
るようにチップの領域の範囲を設定し、そして動作可能
な回路部のうちから選択された回路部を有するチップの
それぞれのチップの配置を決めるために切断の形状を定
め、 最上部のチップに対してウエハ上の周辺の端子パッドに
リボン導体の結合可能な金属を付着させてパッドを形成
し、 ウエハに保護被膜を施し、 ウエハを上方および下方のチップに切断し、 チップの積層体を形成するようにチップを積重ねて組立
てて結合し、 電気接触部分を露出させるためにチップの周辺縁部を研
磨し、 接触部分のうち選択された接触部分の縁部に金属被膜を
形成し、 最上部のチップの選択されたパッドに金属被膜を形成
し、 この積層体をベースに取り付け金属被膜を形成した縁部
およびパッドから指定された接触区域にリボン導体を結
合することによって前記積層体をベースへリボン導体で
結合し、 積層され結合されたチップおよびベースを支持体にリボ
ン導体で結合し、 積層され結合されたチップ、ベースおよび支持体を密封
することを特徴とする積層されたチップ組立体を製造す
る方法。 - 【請求項2】 ベース上に平行に組立てられ、ベースに
電気的に相互接続されている、一方が他方の頂部に積層
された2以上の集積回路チップを具備するチップ組立体
であって、前記 各チップは、チップの周辺縁部に完全に延びる縁部
電気接触部分を有し、さらに前記チップ相互の電気的相
互接続のため前記各チップの前記縁部電気接触部分間を
接続する電気的相互接続体を含み、さらに最上部のチッ
プから前記ベースに延びる電気接続部を含み、 ここで、前記各チップは、個々のチップの寸法を個々の
回路部の寸法に比較して大きく設定することによりウエ
ハ上の各チップの領域を選択するような方法で、そし
て、選択された動作可能な回路部を有する個々のチップ
を、選択された回路部に隣接する回路部を有するチップ
と重複するように位置付ける方法で、複数の回路部を有
するウエハから形成されることを特徴とするチップ組立
体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/727,500 US5311401A (en) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | Stacked chip assembly and manufacturing method therefor |
US727500 | 1991-07-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05259375A JPH05259375A (ja) | 1993-10-08 |
JPH0834283B2 true JPH0834283B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=24922916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4204302A Expired - Fee Related JPH0834283B2 (ja) | 1991-07-09 | 1992-07-09 | 積層チップ組立体およびその製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5311401A (ja) |
EP (1) | EP0522518B1 (ja) |
JP (1) | JPH0834283B2 (ja) |
KR (1) | KR960003768B1 (ja) |
AU (1) | AU656595B2 (ja) |
CA (1) | CA2073363A1 (ja) |
DE (1) | DE69232611T2 (ja) |
ES (1) | ES2173861T3 (ja) |
IL (1) | IL102397A (ja) |
Families Citing this family (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2694840B1 (fr) * | 1992-08-13 | 1994-09-09 | Commissariat Energie Atomique | Module multi-puces à trois dimensions. |
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DE69426695T2 (de) * | 1993-04-23 | 2001-08-09 | Irvine Sensors Corp., Costa Mesa | Elektronisches modul mit einem stapel von ic-chips |
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