JPH08259323A - 複合置換ランタン−鉛−ジルコニウム−チタンペロブスカイト、セラミック組成物およびアクチュエーター - Google Patents

複合置換ランタン−鉛−ジルコニウム−チタンペロブスカイト、セラミック組成物およびアクチュエーター

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JPH08259323A
JPH08259323A JP7312707A JP31270795A JPH08259323A JP H08259323 A JPH08259323 A JP H08259323A JP 7312707 A JP7312707 A JP 7312707A JP 31270795 A JP31270795 A JP 31270795A JP H08259323 A JPH08259323 A JP H08259323A
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lanthanum
titanium
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Zhien-Chi Chen
チェン ジェン−チー
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 直流条件下で退化することなく低い温度で焼
結できる圧電的にハードなセラミック材料を得る複合置
換ランタン−鉛−ジルコニウム−チタンペロブスカイト
を提供することである。更には、前記ペロブスカイトを
含む圧電素子用セラミック組成物およびアクチュエータ
ーを提供する。 【解決手段】 次の一般式 Pb1-aLaa (Mgx/2 x/2 )Tiy Zrz 3, (式中、 0.01≦a≦0.05, 0.01≦x≦0.06, 0.4 ≦y≦0.5, 0.4 ≦z≦0.5 およびx+y+z=1を示す)で表わされる組成を有
し、ペロブスカイトは0.5〜2モル%のMnO2 でドー
プされているランタン−鉛‐ジルコニウム−チタンペロ
ブスカイトである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合置換ランタン
−鉛−ジルコニウム−チタンペロブスカイト、および圧
電セラミック組成物並びにアクチュエーターに関する。
【0002】
【従来の技術】電子工業においては、現在、例えばイン
クジェットプリンターおよびマトリックスプリンター、
自動車に対する燃料注入、運転装置、カメラ用のオート
フォーカス等に関する微妙な機械的調整を実施するため
に、電子制御できる素子の需要が増大している。かかる
タイプの素子は、「アクチュエーター」と称される。こ
れらは圧電セラミック材料により製造される。アクチュ
エーターは電界の影響により長くなったり短くなったり
する。これを“マイクロエレクトロニクスの筋肉”と比
喩的に称す。
【0003】圧電セラミック材料として複合ポリ置換鉛
−ジルコニウム−チタン−ペロブスカイト(PZT)を
使用することは知られている。例えば欧州特許第042
3822A1号には、強誘電性セラミック、すなわち狭
い意味においては圧電セラミックが開示されており、こ
れはペロブスカイト混合結晶であり、次の式 Pb1-(3/2)a Ma {(Ni1/3Nb2/3)1-b (Zn1/3 Nb2/3)b
x Tiy Zrz O3, (式中、Mは少なくともLaおよびNdから成る群より
選ばれる元素であり、x+y+zは1、aは 0.005〜0.
03、bは 0.5〜0.95、xは 0.1〜0.4 、yは 0.3〜0.5
、zは 0.2〜0.5 を示す)で表わされる混合結晶(固
容体)を含み、前記圧電セラミックは 0.3〜1.0 重量%
の量のMnO2 をペロブスカイト混合結晶に含むもので
ある。
【0004】更にオランダ国特許公開第6714565
号(NL−A−6714565)には圧電セラミック材
料の製造方法が開示されており、該方法においては(P
bZrO3)(1-x-y) を含む(Pb(Mg・W)
1/2 3 x −(PbTiO3 y 組成の材料を、Pb
(Mg・W)1/2 3 −PbTiO3 −PbZrO3
三相ダイアグラムにおける組成が次の表1により規定さ
れるABCDEFGA多角形内に該当するように、xお
よびyに関する値に応じて製造する。
【0005】
【表1】
【0006】上記3成分の混合物を混合し、粉砕し、圧
し、徐々に加熱し、1100〜1200℃で3時間焼成し、その
後1200〜1300℃で1時間焼成して次いで冷却する。出発
混合物には更に、鉄の酸化物、クロムの酸化物、マンガ
ンの酸化物又は、ランタン若しくはニオブのような希土
類金属の酸化物の少なくとも1種を 0.1〜5重量%で含
む。
【0007】アクチュエーターに関して重要なテクニカ
ルパラメーターは、いわゆる圧電小シグナルパラメータ
ーである。前記パラメーターには、定数dと、これはS
=d* Eに従う相対機械膨張率(relative mechanical e
xpansion) Sと適用する電界強度Eの間の比で示され、
そして結合ファクターKと、その平方K2 は電気エネル
ギーを機械エネルギーに転換する尺度であり、更には比
誘電率ε/ε0 がある。他の重要なファクターは誘電損
率tan δおよびラジアル振動Qm E に関する質ファクタ
ーである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】かかる小シグナルパラ
メーターは材料に依存し、温度にも依存する。“ハー
ド”および“ソフト”圧電酸化物セラミックスがある。
“ソフト”圧電セラミックスはラジアル振動に関して低
い質ファクターを有する。これらは適用した振動を減退
させ、準静的適用に適するものである。ハード圧電セラ
ミックスは低い損失率と、>100 の高い質ファクターを
有する。これらは好ましくは高周波適用に使用される。
【0009】従来のハード圧電セラミックスは直流条件
下(R.Waser, T.Baiatu およびK.H.Hardtl, J.Am. Cera
m. Soc. 73 (1990), 1645)で、その特性を変化させる。
更に、従来のハード圧電酸化物は極めて高い焼結温度を
有する。その結果、これらは電極および圧電セラミック
スをマルチ層スタック(積重ね)として同時に焼結しな
ければならないマルチ層アクチュエーター用としては不
適当である。
【0010】本発明の目的は、直流条件下で退化するこ
となく低い温度で焼結できる圧電的にハードなセラミッ
ク材料を得る複合置換ランタン−鉛−ジルコニウム−チ
タンペロブスカイトを提供することである。更には、前
記ペロブスカイトを含む圧電素子用セラミック組成物お
よびアクチュエーターを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】かかる上記目的は次の組
成 Pb1-a (Mgx/2 x/2 )Tiy Zrz 3, (式中、0.01≦a≦0.05, 0.01≦x≦0.06, 0.4 ≦y≦
0.5, 0.4 ≦z≦0.5 およびx+y+z=1を示す)を
有する鉛−ランタン−ジルコニウム−チタンペロブスカ
イトであって、該ペロブスカイトは 0.5〜2モル%のM
nO2 でドープされているものにより達成される。
【0012】かかる材料は極めて優れたハード圧電特
性、例えば低い損失率 tanδおよび高い質ファクターを
有し、更には直流条件下においても老化することはない
ものである。本発明のものは低い温度で焼結することが
できるので、ハードな圧電特性を有するマルチ層アクチ
ュエーターを製造するのに用いることができる。
【0013】かかる上記特性の望ましいコンビネーショ
ンにより、本発明の材料は更に、サーボモーター、バイ
ブレーター、ハイブリッドモーター並びにソナーおよび
変換器用のシンプルアクチュエーターを製造することに
おいても有利に使用することができる。
【0014】本発明の好適例においては、a=0.03およ
びx=0.5 である。特に好ましい好適例においては、ド
ーパントは 1.6モル%のMnO2 から成る。かかる材料
は極めて高い質ファクターを有する。
【0015】更に本発明は、本発明のランタン−鉛−ジ
ルコニウム−チタンペロブスカイトと 0.1〜20モル%の
鉛含有焼結剤を少なくとも含むセラミック組成物に関す
る。前記鉛含有焼結剤により液相焼結プロセスが実施さ
れる。
【0016】更に本発明は、本発明の複合マンガン置
換、ランタン−鉛−ジルコニウム−チタンペロブスカイ
トを含む少なくとも1つの層を含有するアクチュエータ
ー、特にマルチ層構造のアクチュエーターに関する。本
発明のアクチュエーターはハード圧電特性を有し、極め
て長い期間安定である。
【0017】本発明の上記および他の目的は、後述する
実施例を参照することによって明確に説明されるもので
ある。
【0018】“ペロブスカイト”の語は、鉱物のペロブ
スカイトから導かれるものである。前記語は通常ABO
3 組成および立方晶系又は擬似立方晶系結晶構造を有す
るコンパウンドに使用される。前記結晶構造において、
A−イオンは立方晶のコーナーを占有し、Bイオンは立
方晶の中心に位置する。酸素イオンは立方晶の面中心に
位置する。
【0019】例えば鉱物CaTiO3 自体のような若干
のコンパウンドのみが理想的なペロブスカイト結晶構造
を有する。しかしながら、工業的に製造されるペロブス
カイトの特性の広範な範囲は、ペロブスカイト構造の適
応性を基礎としており、単純体および複合体の双方とも
構造内で多くの変化を可能とする。
【0020】結晶構造中に対称中心を有さないペロブス
カイト構造の変体の場合においては、微結晶を電界にさ
らすことにより双極子モーメントを結晶中に生成するこ
とができる。前記ペロブスカイト構造の変体は、特にチ
タン含有ペロブスカイトATiO3 中に見出される。上
記方法で分極し、更にはその分極方向が電界により変化
し得る材料を強誘電性材料と称す。
【0021】対称中心から飛び出したカチオンによりペ
ロブスカイト構造を有する若干のチタン酸塩の圧電気を
得る。電界がチタン原子を移動する場合には、完全なチ
タンペロブスカイト結晶の形が変化する。即ち、一方向
に沿ってわずかに長くなる。逆に、結晶が機械的に変形
した場合には電界が発生する。かかる圧電特性は、機械
エネルギーを電気エネルギーに、そしてその逆への転換
に、かかるチタンペロブスカイトの使用を可能とする。
チタン酸鉛とジルコン酸鉛の固溶体(混合結晶)並びに
これらから誘導される置換混合結晶は最も優れた圧電特
性を有する。
【0022】鉛ジルコニウムチタネートのA又はB格子
サイトを更に置換することにより、“PZT”と略され
る商業的に重要なペロブスカイトの完全な群を得ること
ができる。特に重要なものは、ランタン置換“LPZT
s”である。
【0023】異なる原子価のイオンを用いたカップル(c
oupled) 置換の結果としての格子サイトにより形成され
るペロブスカイトを“複合ペロブスカイト”と称す。
【0024】本発明の複合酸化ペロブスカイト誘導体
は、付加マンガンカチオンを組み入れることにより、従
来の複合ランタン−鉛−ジルコニウム−チタン相(LP
ZT)から誘導される。これはマグネシウムおよびタン
グステンを用いたカップル置換により得られる。これら
のマンガンカチオンはペロブスカイト格子中のBサイト
に組み込まれると考えられる。
【0025】しかし、かかる理論的な考察は本発明を単
に説明補足するものであって、本発明を限定するもので
はない。
【0026】本発明のペロブスカイトを製造するにあた
り従来の方法を用いることができる。標準的な方法は
“混合酸化物”法である。かかる方法においては、適切
なカチオンの2つの酸化物をその配合に応じてモル比で
秤量し、プレ混合物を形成する。前記酸化物をボールミ
ル中で湿式粉砕する。例えば直径10 mm を有するめのう
ボールを含有するめのうるつぼ中において溶媒としてシ
クロヘキサンを用いて2時間実施する。
【0027】しかし、前記プレ混合物は、対応する出発
コンパウンドから、共沈、ゾルーゲル法又は熱水合成に
よっても得ることができる。乾燥した後、プレ混合物
を、例えば加熱および冷却速度を200 ℃/時として800
℃で10時間焼成する。
【0028】当該粉末は焼結剤を用いなくても焼結緻密
にすることができる。しかし、優れた複合置換ペロブス
カイトをPbOおよびPbZrO3 のような鉛含有焼結
剤と混合したものを含むセラミック組成物を提供するこ
とも本発明の目的の1つである。該焼結剤により出発粉
末は液相焼結操作を呈することになり、最終的な焼結セ
ラミック組成物中にアモルファス質又は結晶質である均
質な分布の第2相を形成する。
【0029】焼結剤を含むセラミック組成物又は焼成粉
末を上記と同様の条件下2時間ボールミル中で再び粉砕
する。次いで、ロール型グラインダーにより粉砕する。
該粉末は、例えばシクロヘキサンを溶媒として、更には
直径2mmのイットリウム安定化ZrO2 ボールを用いて
実施する。
【0030】上記出発粉末をまずブロックプレスで予備
プレスし、次いで圧力320 MPaで最終形状に均衡圧縮
する。その後、得られた成形品を酸素雰囲気中ZrO2
基板上で2時間、1075℃〜1100℃の焼結温度で焼結す
る。
【0031】
【実施例】
実施例1 1.6 モル%MnO2を含むPb0.97La0.03Ti0.44Zr0.46Mg0.05W0.05O3 使用する原料はメルックダルムスタッド(Merck Darmsta
dt) により製造される試薬であり、その純度は“P・
a”で示される。
【0032】次の出発材料 216.49g PbO, 4.88g La2O3, 35.16g TiO2, 56.81g ZrO2, 10.79g WO3 2.02g MgO および 1.39g MnO2 をイソプロパノール中に懸濁させ、めのうボールミル中
で6時間粉砕した。粉砕した後、該懸濁液を表面蒸発装
置を用いて約120 ℃で乾燥し、次いで取りはずし可能な
カバーを有するコランダム焼結るつぼを用い空気中800
℃で12時間、前焼成した。
【0033】800 ℃でプレ反応させた当該粉末混合物を
345.09gのPbZrO3 と混合し、イットリウム−安定
化ZrO2 ボール(直径2mm)を用いてボールミル中で
イソプロパノール懸濁液中での第2回めの粉砕を20時間
行なった。粉砕粉末を320 mPaの圧力で、冷間均衡圧
縮操作に課して、6×6×15mm3 の角柱体を形成し
た。
【0034】当該サンプルを320 ℃/時の速度で1100℃
まで加熱し、酸素流中1100℃で2時間焼結した。安定化
ZrO2 プレートおよび同じLPZT材料プレートを基
板に使用する。98%の密度が達成された。
【0035】次の表2に組成が示されている他のマンガ
ン−ドープトLPZT類を同様に製造した。
【表2】
【0036】本発明のセラミック材料の適切な圧電小シ
グナルパラメータを決定するために、直径5mmの円柱を
焼結したセラミック材料から切断した。当該円柱を厚さ
0.4mmのシートに切断して重ねた。次いで電気的測定を
実施するために、Ni/Crの薄い接着層を有するAu
の接続を真空蒸留により上記プレートの両側に堆積し
た。
【0037】誘電特性および圧電特性を分極プロセスの
前後で測定した。該ディスクをシリコンオイル下で、0.
35kV/100 μmの電界に150 ℃で2分間さらすことに
より分極化した。
【0038】適切な圧電小シグナルパラメーターを、イ
ンピーダンスブリッジ手段により軸方向に極化したセラ
ミックディスクの共振挙動により測定した。薄い円形
の、軸方向に極化したディスクのキャパシタンスおよび
共振挙動の測定を可能にしたコンピューターブログラム
をかかる目的に使用した。
【0039】全ての測定は、ヒューレットパッカード−
4194−Aインピーダンス分析装置とHP−9000/−300
コンピューター装置により実施した。得られた測定値は
誘電定数および小シグナルパラメーターを計算するのに
用いた。その結果を次の表3および4に略して示す。
【0040】更に、本発明のセラミック組成物のマイク
ロ構造を粉砕セクションにおいて検査した。
【0041】直流抵抗に関するセラミック組成物の長期
挙動をALT試験(加速寿命試験;Accelerated Life T
est)手段により測定した。かかる目的のため、直流抵抗
を 250℃,1V/μmで測定した。
【0042】0.8 モル%のMnO2 をドープした材料の
場合には、ALT試験において、100 時間後に直流抵抗
が最初の値の10%になることが示された。1.6 モル%の
MnO2 をドープした材料の場合には、ALT条件下で
の 100時間後においても、直流抵抗は変化しなかった。
【0043】
【表3】
【0044】
【表4】
【0045】実施例2 マルチ層アクチュエーターを製造するにあたり、まず最
初にグリーンセラミック箔を製造する。かかる目的のた
め、焼成粉末混合物を上記したような方法で製造した。
必要に応じて、焼結剤を前記粉末混合物に添加する。か
かるセラミック組成物を溶媒、好ましくは水と、適切な
液化剤を用いて粉末し、その後バインダー、可塑剤、湿
潤剤および剥離剤と混合してキャスタブルスラリーを形
成した。
【0046】箔をキャスチングするための装置には、主
に、2個のローラー上を水平方向に移動する連続性のス
チールベンドが備えられている。該スラリーを、キャス
チングバンドの一端にある容器から調整アパーチャを介
してスチールバンド上へ連続的に通過させた。該箔の厚
みは、前記アパーチャの高さに応じて0.2 〜1.5 mmの
ものが得られた。該箔を乾燥し、次いで巻取るか又はす
ぐにカード状に切断した。
【0047】前記グリーンカード上に、スクリーンプリ
ント方法におけるメタライジングペーストにより電極パ
ターンを付与することで内部電極を与えた。前記メタラ
イジングペーストには、通常銀又はパラジウム合金が含
まれる。
【0048】前記メタライズ化カードを積み重ね、300
MPaの圧力に課して積層プレートを形成した。前記プ
レートを温度処理してバインダーを焼却して取り去っ
た。その後該セラミック材料を、これより高い温度で緻
密焼結した。本発明のマンガン含有組成物に対する代表
的な焼結条件は、1150℃、滞留時間2時間、加熱および
冷却速度 320℃/時である。かかる最終焼結工程に課し
た後には、セラミック層は5〜15mmの厚さを有した。
【0049】前記プレートを個々の半完成製品に切断し
た。露出内部電極は端接続を備える。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 次の一般式 Pb1-aLaa (Mgx/2 x/2 )Tiy Zrz 3, (式中、 0.01≦a≦0.05, 0.01≦x≦0.06, 0.4 ≦y≦0.5, 0.4 ≦z≦0.5 およびx+y+z=1を示す)で表わされる組成を有
    し、ペロブスカイトは0.5〜2モル%のMnO2 でドー
    プされていることを特徴とするランタン−鉛−ジルコニ
    ウム−チタンペロブスカイト。
  2. 【請求項2】 a=0.03でx=0.5 であることを特徴と
    する請求項1記載の複合置換ランタン−鉛−ジルコニウ
    ム−チタンペロブスカイト。
  3. 【請求項3】 ドーパントが 1.6モル%量のMnO2
    あることを特徴とする請求項1又は2記載の複合置換ラ
    ンタン−鉛−ジルコニウム−チタンペロブスカイト。
  4. 【請求項4】 少なくとも請求項1〜3いずれかの項記
    載のペロブスカイトと 0.1〜20モル%の鉛含有焼結剤と
    を含むことを特徴とする圧電素子用セラミック組成物。
  5. 【請求項5】 請求項1〜3いずれかの項記載のランタ
    ン−鉛−ジルコニウム−チタンペロブスカイトを含有す
    る層を少なくとも1層含むことを特徴とするアクチュエ
    ーター。
JP7312707A 1994-11-30 1995-11-30 複合置換ランタン−鉛−ジルコニウム−チタンペロブスカイト、セラミック組成物およびアクチュエーター Abandoned JPH08259323A (ja)

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DE4442598A DE4442598A1 (de) 1994-11-30 1994-11-30 Komplexer, substituierter Lanthan-Blei-Zirkon-Titan-Perowskit, keramische Zusammensetzung und Aktuator
DE4442598:8 1994-11-30

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998046429A1 (fr) * 1997-04-14 1998-10-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Tete a jet d'encre
JP2001068754A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Kyocera Corp アクチュエータ用圧電部材及びその製造方法
JP2003201174A (ja) * 2001-11-02 2003-07-15 Murata Mfg Co Ltd 積層型圧電体セラミック素子およびそれを用いた積層型圧電体電子部品
KR100891872B1 (ko) * 2006-09-19 2009-04-08 삼성전기주식회사 자기콘덴서, 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10249768A (ja) * 1997-03-12 1998-09-22 Tokai Rubber Ind Ltd 力センサー
GB9902188D0 (en) 1999-02-01 1999-03-24 Xaar Technology Ltd Droplet deposition apparatus
US6383675B1 (en) 1999-04-20 2002-05-07 Zinc Air Power Corporation Lanthanum nickel compound/metal mixture as a third electrode in a metal-air battery
JP3783534B2 (ja) * 2000-08-18 2006-06-07 株式会社村田製作所 圧電磁器焼結体および圧電磁器素子
JP3971906B2 (ja) * 2001-09-13 2007-09-05 日本碍子株式会社 圧電/電歪膜型素子及びその駆動方法
JP4268354B2 (ja) * 2001-09-13 2009-05-27 日本碍子株式会社 圧電/電歪素子
CN113800908A (zh) * 2021-08-26 2021-12-17 桂林理工大学 中介电常数双钙钛矿微波介质陶瓷材料及其制备方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1199438A (en) 1966-10-26 1970-07-22 Fujitsu Ltd Piezo-Electric Ceramics Composition
FR2055350A5 (ja) * 1969-07-28 1971-05-07 Siemens Ag
DE2744208C3 (de) * 1977-09-30 1982-01-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Piezokeramik mit extrem niedriger mechanischer Schwinggüte
NL7903964A (nl) * 1979-05-21 1980-11-25 Philips Nv Pieezo-elektrisch lichaam voor een elektromechanisch omvormingselement.
DE3206502A1 (de) * 1982-02-24 1983-09-01 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Dielektrikum auf der basis von bleititanaten sowie verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
JPH0651572B2 (ja) * 1985-11-25 1994-07-06 三菱マテリアル株式会社 高誘電体粉末の製造方法
JPS62138360A (ja) * 1985-12-10 1987-06-22 三菱鉱業セメント株式会社 誘電体磁器組成物
JPS63117959A (ja) * 1986-11-05 1988-05-21 日本電気株式会社 誘電体磁器組成物
JPS63151667A (ja) * 1986-12-16 1988-06-24 京セラ株式会社 圧電磁器組成物
JPH01148749A (ja) * 1987-12-04 1989-06-12 Mitsubishi Kasei Corp アクチュエータ用圧電セラミック組成物
JPH029757A (ja) * 1988-06-27 1990-01-12 Tdk Corp 高誘電率セラミックス組成物
JP2569768B2 (ja) * 1988-10-28 1997-01-08 東レ株式会社 プラスチックフィルムの搬送方法
JPH02123063A (ja) * 1988-11-01 1990-05-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd アクティブ張力変動低減装置
JPH0817054B2 (ja) * 1989-02-23 1996-02-21 株式会社村田製作所 誘電体磁器組成物
CA2027922C (en) 1989-10-20 1993-04-20 Yoshihisa Ushida Ferroelectric ceramics
JP2762309B2 (ja) * 1989-12-22 1998-06-04 マルコン電子株式会社 誘電体磁器組成物及びこれを使用した電子部品
JP2737451B2 (ja) * 1991-06-13 1998-04-08 住友金属工業株式会社 圧電磁器材料
JPH0570225A (ja) * 1991-09-09 1993-03-23 Hitachi Metals Ltd 圧電磁器組成物
US5378382A (en) * 1993-12-09 1995-01-03 Mitsubishi Kasei Corporation Piezoelectric ceramic composition for actuator

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998046429A1 (fr) * 1997-04-14 1998-10-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Tete a jet d'encre
US6347862B1 (en) 1997-04-14 2002-02-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ink-jet head
JP2001068754A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Kyocera Corp アクチュエータ用圧電部材及びその製造方法
JP2003201174A (ja) * 2001-11-02 2003-07-15 Murata Mfg Co Ltd 積層型圧電体セラミック素子およびそれを用いた積層型圧電体電子部品
JP4492022B2 (ja) * 2001-11-02 2010-06-30 株式会社村田製作所 積層型圧電体セラミック素子
KR100891872B1 (ko) * 2006-09-19 2009-04-08 삼성전기주식회사 자기콘덴서, 유전체 자기 조성물 및 그 제조 방법

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Publication number Publication date
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EP0714866A1 (de) 1996-06-05

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