JPH0516380B2 - - Google Patents
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- JPH0516380B2 JPH0516380B2 JP62307271A JP30727187A JPH0516380B2 JP H0516380 B2 JPH0516380 B2 JP H0516380B2 JP 62307271 A JP62307271 A JP 62307271A JP 30727187 A JP30727187 A JP 30727187A JP H0516380 B2 JPH0516380 B2 JP H0516380B2
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 14
- FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N (1E)-1-(2,4-dichlorophenyl)-4,4-dimethyl-2-(1,2,4-triazol-1-yl)pent-1-en-3-ol Chemical compound C1=NC=NN1/C(C(O)C(C)(C)C)=C/C1=CC=C(Cl)C=C1Cl FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- -1 Ba 2+ Chemical class 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、アクチユエータ用圧電セラミツク組
成物に関するものである。 ここでアクチユエータとは、圧電逆効果、すな
わち電気的エネルギーから機械的エネルギーへの
交換作用を用いたものであり、電圧の印加により
ミクロンあるいはミクロンアンダーの微少変位を
正確に発生させるものであつて、ブザーやポン
プ、バルブ等の音響あるいは流量の精密コントロ
ール、VTRヘツドのオートトラツキングやオー
トフオーカス、さらにはミクロンアンダーの機械
切削バイトの正確な位置決めや、半導体製造用の
微少位置決め装置等への応用開発が近年急速に進
められている。 （従来の技術およびその課題） 従来よりアクチユエータ用圧電材料としては、
ジルコン酸チタン酸鉛セラミツク組成物（PZT）
が優れた圧電特性を有していることが知られてお
り、使用される用途に応じて種々の改良がなされ
ている。例えばジルコン酸チタン酸鉛の一部を
Ba2+、Sr2+、Ca2+などの２価イオンや、Bi3+や
La3+などの三価イオンで置換する方法、Pb
（Ni1/2W1/2）O3、Pb（Co1/3Nb3/2）O3、Pb（Ni1/3
Nb2/3）O3などの複合ペロブスカイト化合物との
固溶体を合成する方法などによりアクチユエータ
用圧電材料の特性の改善がなされている。微妙変
位をミクロンあるいはミクロンアンダーの精度で
コントロールする圧電アクチユエータ素子にはユ
ニモルフ型、バイモルフ型、積層型のタイプがあ
り、特性として高い圧電歪定数（例えば、横モー
ドの圧電歪定数d31＞300×10-12C／Ｎ）及び高い
キユーリ温度（Tc＞150℃）を持つことが要求さ
れる。 一般に高い圧電歪定数を持つ材料は、キユーリ
温度が低下する。例えば、従来、横モードの圧電
歪定数（d31）が300×10-12C／Ｎを超えるような
高い圧電歪定数を持つ材料は、キユーリTc温度
が100℃近傍に低下してしまい、素子の使用温度
の上限が50〜60℃と限定され、実用素子としての
応用に制約があつた。又キユーリ温度の高い材料
は圧電歪定数が低くなつてしまい、素子の駆動に
高い電圧を必要とする問題点があつた。この様な
理由から横モードの圧電歪定数（d31）が300×
10-12C／Ｎを超える様な高い圧電歪定数及び高い
キユーリ温度（例えばTc＞150℃）を合せもつ材
料の開発が望まれている。 （課題を解決するための手段） 本発明者らは、前記問題点を解決する為、詳細
に組成を検討した結果、一般式Pb(1-x)LAx〔ｚ
｛（Zn〓Mg(1-〓)）1/3Nb2/3｝＋（１−ｚ）｛ZryTi(1-
y)｝〕(1
−ｘ／４）O3であらわされる圧電セラミツク組成物が高
い電気機械結合定数、高い圧電歪定数及び高いキ
ユーリ温度を合せもつた組成物であることを見い
出し本発明を完成した。 すなわち、本発明の要旨は、実質的に一般式
Pb(1-x)LAX〔ｚ｛（Zn〓Mg(1-〓)）1/3Nb2/3｝＋（１−
ｚ）
｛ZryTi(1-y)｝〕(1-y/4)O3（但し、0.03≦ｘ≦0.07、0
.50
≦ｙ≦0.65、０＜ｚ＜0.20、０＜α＜１）で示さ
れる複合ペロブスカイト化合物を主体とするアク
チユエータ用圧電セラミツク組成物に存する。本
発明のセラミツク組成物は非常に高い圧電歪定数
を持ち、上記一般式において、0.045≦ｘ≦0.07、
0.02≦ｙ≦0.12の範囲のペロブスカイト結晶の相
境界（MPB＝モロフオトロピツク、フエイズ、
バウンダリー）付近のものは、横モードの圧電歪
定数（d31）が300×10-12C／Ｎを超え且つキユー
リ温度（Tc）が150℃以上あり、前述した問題点
を克服するものであつて、圧電アクチユエータ用
材料として非常に好適なものである。 中でもｘ＝0.045、ｙ＝0.55、ｚ＝0.12；ｘ＝
0.06、ｙ＝0.57、ｚ＝0.02；ｘ＝0.06、ｙ＝0.58、
ｚ＝0.02の組成（実施例５、６、７）のものは、
横モードの圧電歪定数（d31）が300×10-12C／Ｎ
を超え、かつキユーリ温度が200℃以上あり、圧
電アクチユエータ用材料として、広範囲な温度環
境で使用できる利点を有している。又さらには、
ｘ＝0.06、ｙ＝0.565、ｚ＝0.10、α＝0.3；ｘ＝
0.06、ｙ＝0.57、ｚ＝0.10、α＝0.3、；ｘ＝0.06、
ｙ＝0.57、ｚ＝0.10、αは0.5（実施例10、11、14）
の組成のものは、横モードの圧電歪定数（d31）
が350×10-12C／Ｎを超え、かつキユーリ温度が
150℃を超えるものであつて、圧電アクチユエー
タ用材料として非常に優れたものである。 尚、ここでLa量が0.07を超えるものは、Tcが
150℃以下になつてしまい、又d31も250×
10-12C／Ｎ以下と小さく、圧電アクチユエータ用
材料としては適さない。Zr量ｙが0.50未満のもの
および0.65を超えるものは、ペロブスカイト結晶
の相境界より大きくZr／Ti組成物比がずれる為
d31が低下してしまう。また（Zn〓Mg(1-〓)）1/3
Nb2／３量ｚが0.20以上のものは、Tcが150℃以
下になつてしまつたり、パイロクロア相が焼結体
中に混在するようになつてしまい、圧電歪定数が
低下し好ましくない。 圧電アクチユエータのように電界によつて誘起
されれ機械的変位を利用する素子には、機械的強
度が大きいことが要求されるが、セラミツク材料
の機械的強度は、セラミツクスの焼結性、結晶粒
子の大きさに大きく依存するため、一般に緻密で
微細な結晶粒子を持つセラミツク焼結体程、機械
的強度に優れている。 本発明で得られた焼結体の密度をＸ線の回折角
度から計算した理論密度と比較検討した所、すべ
て理論密度97％以上である。 また、得られた焼結体の表面を鏡面をけんま
し、サーマルエツチング処理を行つた後、走査型
電子顕微鏡を用いて微細構造を観察した所、粒径
２〜5μ程度の結晶粒子よりなりたつており、緻
密で均一、微細な組織を有していた。このよう
に、本発明のセラミツク組成物は、焼結性に優れ
微細粒径の均一な焼結体を得ることができ、この
点からも圧電アクチユエータのような機械的変位
を利用する素子に適している。 なお、本発明の組成物において、各成分の量的
関係特にZn、MgとNb及びLaとZn、Mg、Nb、
Zr、Tiの合計量の関係は、前記一般式通りであ
ることが勿論望ましいが、結果として得られた複
合化合物がペロブスカイト構造を主体とし、全体
として該ペロブスカイト構造の性質が全組成物を
実質的に支配する限り、多少前記一般式からはず
れる場合も本発明の範囲に包含されるものと理解
されるべきである。 本発明のセラミツク組成物は、例えば、粉末原
料を所定の配合組成になるように秤量し、ボール
ミルなどで12〜24時間湿式混合した後、850℃〜
950℃で１〜２時間仮焼、得られた仮焼物を再度
12〜24時間ボールミル粉砕した後、100℃〜1200
℃で１〜６時間焼成することによつて得られる。
得られた焼成体は、電極を焼きつけた後、常法に
より分極処理を行うが、本発明の組成物の場合
は、例えば温度20〜80℃、電界強度1.0〜
3.0KV／mm、時間３〜20分程度のソフトな分極処
理により圧電磁気とすることが望ましい。 以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り、実施
例により限定されるものではない。 実施例１〜22、比較例１〜８ PbO、TiO2、ZrO2、La2O3、MgO、ZnO、
Nb2O5（3N試薬、フルウチ化学製）を第一表に示
した組成比となる様に秤量した後、酸化ジルコニ
ウム（ZrO2）製ボールを用いてエタノールとと
もに24時間ボールミルにて湿式混合した。混合終
了後、乾燥し、成型圧1ton／cm2で、１軸プレスし
た後、900℃で２時間仮焼した。その後得られた
仮焼体を手粉砕した後、再度24時間ボールミル粉
砕し、焼成用の粉末とした。得られた焼成用粉末
は直径20mmの金型により１次成型した後、成型圧
1ton／cm2でラバープレス法により本成型した。 得られた成型体を高アルミナ質るつぼに入れ、
周囲を鉛雰囲気用の粉末でおおつて1200℃で８時
間焼成した。 第１図は焼成して得られた実施例10における焼
結体の表面を鏡面研磨し、サーマルエツチング処
理を行つた後走査型電子顕微鏡（5000）で観察し
た際の粒子構造を示した図である。同図から、こ
のものは組織が緻密で粒径２〜5μ程度の均一な
セラミツク焼結体であることがわかる。 得られた円板状焼結体を厚み１mmに研磨し、両
面に銀ペーストをスクリーン印刷して600℃で焼
き付け、キユーリー温度評価用のサンプルとし
た。 円板状焼結体の同様に厚さ１mmに研磨した後、
超音波カツターを用いて長さ12mm、厚さ１mm、幅
３mmの形状に打ち抜いた。その後同様に銀電極を
焼きつけ横モードの圧電歪定数（d31）測定用の
サンプルとした。キユーリー温度は、測定周波数
100KHzにて誘電率を測定し求めた。 圧電歪定数d31は打ち抜いた横モード用サンプ
ルをシリコンオイルバス中に入れ、70℃にて、
1.5〜3.0KV／mmの電界で分極させ、24時間放置
した後、測定温度20℃にてベクトルインピーダン
スアナライザーを用いて測定した。 圧電特性及びキユーリ温度の測定結果を第１表
に示した。尚、第１表中ε33 T／ε0は誘電率、K31
は電気機械結合係数、d31は横モードの圧電歪定
数（単位×10-12C／Ｎ）、S11 Eは弾性コンプライ
アンス（単位×10-11ｍ2／Ｎ）、Tcはキユーリー
温度を示している。 第２図は、分極処理をほどこしたサンプル分極
方向と順方向に1.0KV／mmの電界を印加し、その
時の縦方向（電界方向）に誘起される歪を、うず
電流的高感度変位センサー（分解能25Å）で測定
して得られた印加電界強度と歪率の関係を示した
図面である。印加電圧波形は、三角波であり４／100 Hz周期でスイーブさせた。測定サンプルは上記円
板状サンプルを上記の条件で分極処理し、24時間
放置後、歪率の測定を行つた。一般に、現在用い
られている圧電アクチユエータ材料の縦方向の歪
率は1.0KV／mm電界下でおよそ0.1％（10×10-4）
程度であることが知られている。比較例として
PLZT（６／58／42）はその一例である。本発明、
例えば実施例(10)の組成の歪率は10×10-4を大きく
上まわり、圧電アクチユエータ用材料として極め
て好ましい。
成物に関するものである。 ここでアクチユエータとは、圧電逆効果、すな
わち電気的エネルギーから機械的エネルギーへの
交換作用を用いたものであり、電圧の印加により
ミクロンあるいはミクロンアンダーの微少変位を
正確に発生させるものであつて、ブザーやポン
プ、バルブ等の音響あるいは流量の精密コントロ
ール、VTRヘツドのオートトラツキングやオー
トフオーカス、さらにはミクロンアンダーの機械
切削バイトの正確な位置決めや、半導体製造用の
微少位置決め装置等への応用開発が近年急速に進
められている。 （従来の技術およびその課題） 従来よりアクチユエータ用圧電材料としては、
ジルコン酸チタン酸鉛セラミツク組成物（PZT）
が優れた圧電特性を有していることが知られてお
り、使用される用途に応じて種々の改良がなされ
ている。例えばジルコン酸チタン酸鉛の一部を
Ba2+、Sr2+、Ca2+などの２価イオンや、Bi3+や
La3+などの三価イオンで置換する方法、Pb
（Ni1/2W1/2）O3、Pb（Co1/3Nb3/2）O3、Pb（Ni1/3
Nb2/3）O3などの複合ペロブスカイト化合物との
固溶体を合成する方法などによりアクチユエータ
用圧電材料の特性の改善がなされている。微妙変
位をミクロンあるいはミクロンアンダーの精度で
コントロールする圧電アクチユエータ素子にはユ
ニモルフ型、バイモルフ型、積層型のタイプがあ
り、特性として高い圧電歪定数（例えば、横モー
ドの圧電歪定数d31＞300×10-12C／Ｎ）及び高い
キユーリ温度（Tc＞150℃）を持つことが要求さ
れる。 一般に高い圧電歪定数を持つ材料は、キユーリ
温度が低下する。例えば、従来、横モードの圧電
歪定数（d31）が300×10-12C／Ｎを超えるような
高い圧電歪定数を持つ材料は、キユーリTc温度
が100℃近傍に低下してしまい、素子の使用温度
の上限が50〜60℃と限定され、実用素子としての
応用に制約があつた。又キユーリ温度の高い材料
は圧電歪定数が低くなつてしまい、素子の駆動に
高い電圧を必要とする問題点があつた。この様な
理由から横モードの圧電歪定数（d31）が300×
10-12C／Ｎを超える様な高い圧電歪定数及び高い
キユーリ温度（例えばTc＞150℃）を合せもつ材
料の開発が望まれている。 （課題を解決するための手段） 本発明者らは、前記問題点を解決する為、詳細
に組成を検討した結果、一般式Pb(1-x)LAx〔ｚ
｛（Zn〓Mg(1-〓)）1/3Nb2/3｝＋（１−ｚ）｛ZryTi(1-
y)｝〕(1
−ｘ／４）O3であらわされる圧電セラミツク組成物が高
い電気機械結合定数、高い圧電歪定数及び高いキ
ユーリ温度を合せもつた組成物であることを見い
出し本発明を完成した。 すなわち、本発明の要旨は、実質的に一般式
Pb(1-x)LAX〔ｚ｛（Zn〓Mg(1-〓)）1/3Nb2/3｝＋（１−
ｚ）
｛ZryTi(1-y)｝〕(1-y/4)O3（但し、0.03≦ｘ≦0.07、0
.50
≦ｙ≦0.65、０＜ｚ＜0.20、０＜α＜１）で示さ
れる複合ペロブスカイト化合物を主体とするアク
チユエータ用圧電セラミツク組成物に存する。本
発明のセラミツク組成物は非常に高い圧電歪定数
を持ち、上記一般式において、0.045≦ｘ≦0.07、
0.02≦ｙ≦0.12の範囲のペロブスカイト結晶の相
境界（MPB＝モロフオトロピツク、フエイズ、
バウンダリー）付近のものは、横モードの圧電歪
定数（d31）が300×10-12C／Ｎを超え且つキユー
リ温度（Tc）が150℃以上あり、前述した問題点
を克服するものであつて、圧電アクチユエータ用
材料として非常に好適なものである。 中でもｘ＝0.045、ｙ＝0.55、ｚ＝0.12；ｘ＝
0.06、ｙ＝0.57、ｚ＝0.02；ｘ＝0.06、ｙ＝0.58、
ｚ＝0.02の組成（実施例５、６、７）のものは、
横モードの圧電歪定数（d31）が300×10-12C／Ｎ
を超え、かつキユーリ温度が200℃以上あり、圧
電アクチユエータ用材料として、広範囲な温度環
境で使用できる利点を有している。又さらには、
ｘ＝0.06、ｙ＝0.565、ｚ＝0.10、α＝0.3；ｘ＝
0.06、ｙ＝0.57、ｚ＝0.10、α＝0.3、；ｘ＝0.06、
ｙ＝0.57、ｚ＝0.10、αは0.5（実施例10、11、14）
の組成のものは、横モードの圧電歪定数（d31）
が350×10-12C／Ｎを超え、かつキユーリ温度が
150℃を超えるものであつて、圧電アクチユエー
タ用材料として非常に優れたものである。 尚、ここでLa量が0.07を超えるものは、Tcが
150℃以下になつてしまい、又d31も250×
10-12C／Ｎ以下と小さく、圧電アクチユエータ用
材料としては適さない。Zr量ｙが0.50未満のもの
および0.65を超えるものは、ペロブスカイト結晶
の相境界より大きくZr／Ti組成物比がずれる為
d31が低下してしまう。また（Zn〓Mg(1-〓)）1/3
Nb2／３量ｚが0.20以上のものは、Tcが150℃以
下になつてしまつたり、パイロクロア相が焼結体
中に混在するようになつてしまい、圧電歪定数が
低下し好ましくない。 圧電アクチユエータのように電界によつて誘起
されれ機械的変位を利用する素子には、機械的強
度が大きいことが要求されるが、セラミツク材料
の機械的強度は、セラミツクスの焼結性、結晶粒
子の大きさに大きく依存するため、一般に緻密で
微細な結晶粒子を持つセラミツク焼結体程、機械
的強度に優れている。 本発明で得られた焼結体の密度をＸ線の回折角
度から計算した理論密度と比較検討した所、すべ
て理論密度97％以上である。 また、得られた焼結体の表面を鏡面をけんま
し、サーマルエツチング処理を行つた後、走査型
電子顕微鏡を用いて微細構造を観察した所、粒径
２〜5μ程度の結晶粒子よりなりたつており、緻
密で均一、微細な組織を有していた。このよう
に、本発明のセラミツク組成物は、焼結性に優れ
微細粒径の均一な焼結体を得ることができ、この
点からも圧電アクチユエータのような機械的変位
を利用する素子に適している。 なお、本発明の組成物において、各成分の量的
関係特にZn、MgとNb及びLaとZn、Mg、Nb、
Zr、Tiの合計量の関係は、前記一般式通りであ
ることが勿論望ましいが、結果として得られた複
合化合物がペロブスカイト構造を主体とし、全体
として該ペロブスカイト構造の性質が全組成物を
実質的に支配する限り、多少前記一般式からはず
れる場合も本発明の範囲に包含されるものと理解
されるべきである。 本発明のセラミツク組成物は、例えば、粉末原
料を所定の配合組成になるように秤量し、ボール
ミルなどで12〜24時間湿式混合した後、850℃〜
950℃で１〜２時間仮焼、得られた仮焼物を再度
12〜24時間ボールミル粉砕した後、100℃〜1200
℃で１〜６時間焼成することによつて得られる。
得られた焼成体は、電極を焼きつけた後、常法に
より分極処理を行うが、本発明の組成物の場合
は、例えば温度20〜80℃、電界強度1.0〜
3.0KV／mm、時間３〜20分程度のソフトな分極処
理により圧電磁気とすることが望ましい。 以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り、実施
例により限定されるものではない。 実施例１〜22、比較例１〜８ PbO、TiO2、ZrO2、La2O3、MgO、ZnO、
Nb2O5（3N試薬、フルウチ化学製）を第一表に示
した組成比となる様に秤量した後、酸化ジルコニ
ウム（ZrO2）製ボールを用いてエタノールとと
もに24時間ボールミルにて湿式混合した。混合終
了後、乾燥し、成型圧1ton／cm2で、１軸プレスし
た後、900℃で２時間仮焼した。その後得られた
仮焼体を手粉砕した後、再度24時間ボールミル粉
砕し、焼成用の粉末とした。得られた焼成用粉末
は直径20mmの金型により１次成型した後、成型圧
1ton／cm2でラバープレス法により本成型した。 得られた成型体を高アルミナ質るつぼに入れ、
周囲を鉛雰囲気用の粉末でおおつて1200℃で８時
間焼成した。 第１図は焼成して得られた実施例10における焼
結体の表面を鏡面研磨し、サーマルエツチング処
理を行つた後走査型電子顕微鏡（5000）で観察し
た際の粒子構造を示した図である。同図から、こ
のものは組織が緻密で粒径２〜5μ程度の均一な
セラミツク焼結体であることがわかる。 得られた円板状焼結体を厚み１mmに研磨し、両
面に銀ペーストをスクリーン印刷して600℃で焼
き付け、キユーリー温度評価用のサンプルとし
た。 円板状焼結体の同様に厚さ１mmに研磨した後、
超音波カツターを用いて長さ12mm、厚さ１mm、幅
３mmの形状に打ち抜いた。その後同様に銀電極を
焼きつけ横モードの圧電歪定数（d31）測定用の
サンプルとした。キユーリー温度は、測定周波数
100KHzにて誘電率を測定し求めた。 圧電歪定数d31は打ち抜いた横モード用サンプ
ルをシリコンオイルバス中に入れ、70℃にて、
1.5〜3.0KV／mmの電界で分極させ、24時間放置
した後、測定温度20℃にてベクトルインピーダン
スアナライザーを用いて測定した。 圧電特性及びキユーリ温度の測定結果を第１表
に示した。尚、第１表中ε33 T／ε0は誘電率、K31
は電気機械結合係数、d31は横モードの圧電歪定
数（単位×10-12C／Ｎ）、S11 Eは弾性コンプライ
アンス（単位×10-11ｍ2／Ｎ）、Tcはキユーリー
温度を示している。 第２図は、分極処理をほどこしたサンプル分極
方向と順方向に1.0KV／mmの電界を印加し、その
時の縦方向（電界方向）に誘起される歪を、うず
電流的高感度変位センサー（分解能25Å）で測定
して得られた印加電界強度と歪率の関係を示した
図面である。印加電圧波形は、三角波であり４／100 Hz周期でスイーブさせた。測定サンプルは上記円
板状サンプルを上記の条件で分極処理し、24時間
放置後、歪率の測定を行つた。一般に、現在用い
られている圧電アクチユエータ材料の縦方向の歪
率は1.0KV／mm電界下でおよそ0.1％（10×10-4）
程度であることが知られている。比較例として
PLZT（６／58／42）はその一例である。本発明、
例えば実施例(10)の組成の歪率は10×10-4を大きく
上まわり、圧電アクチユエータ用材料として極め
て好ましい。
本発明で得られる圧電セラミツク組成物は、高
い電気機械結合係数、高い圧電歪定数（歪率）、
高いキユーリ温度を合わせ持ち、かつ焼結性に優
れたセラミツク組成物であるので種々の圧電材料
として使用が可能である。特に圧電歪定数が大き
く、大きな電界誘起歪みを示し、かつキユーリ温
度が高いので、素子の使用温度範囲が広く、圧電
アクチユエータ用材料として極めて有用であり本
発明の産業上利用上への寄与は極めて大きい。
い電気機械結合係数、高い圧電歪定数（歪率）、
高いキユーリ温度を合わせ持ち、かつ焼結性に優
れたセラミツク組成物であるので種々の圧電材料
として使用が可能である。特に圧電歪定数が大き
く、大きな電界誘起歪みを示し、かつキユーリ温
度が高いので、素子の使用温度範囲が広く、圧電
アクチユエータ用材料として極めて有用であり本
発明の産業上利用上への寄与は極めて大きい。
第１図は本発明のアクチユエータ用圧電セラミ
ツク組成物のサーマルエツチング面を走査型電子
顕微鏡（×5000）で観察した際の粒子構造を示し
た図面である。第２図は、分極処理をほどこした
アクチユエータ用圧電セラミツク組成物に分極処
理方向と順方向に1.0KV／mmの電界を印加させた
時、縦方向（電界方向）に誘起される歪率と印加
した電界強度との関係を示した図面である。
ツク組成物のサーマルエツチング面を走査型電子
顕微鏡（×5000）で観察した際の粒子構造を示し
た図面である。第２図は、分極処理をほどこした
アクチユエータ用圧電セラミツク組成物に分極処
理方向と順方向に1.0KV／mmの電界を印加させた
時、縦方向（電界方向）に誘起される歪率と印加
した電界強度との関係を示した図面である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 実質的に、一般式Pb(1-x)Lax〔ｚ｛（Zn〓
Mg(1-〓)）1/3Nb2/3｝＋（１−ｚ）｛ZryTi(1-y)｝〕(1
-x/4)
O3（但し、0.03≦ｘ≦0.07、0.50≦ｙ≦0.65、０＜
ｚ＜0.20、０＜α＜１）で示される複合ペロブス
カイト化合物を主体とするアクチユエータ用圧電
セラミツク組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307271A JPH01148749A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | アクチュエータ用圧電セラミック組成物 |
| EP88120094A EP0319006B1 (en) | 1987-12-04 | 1988-12-01 | Piezoelectric ceramic composition for actuators |
| DE8888120094T DE3873888T2 (de) | 1987-12-04 | 1988-12-01 | Piezoelektrische keramische zusammensetzung fuer stellmittel. |
| US07/279,052 US4882078A (en) | 1987-12-04 | 1988-12-02 | Piezoelectric ceramic composition for actuators |
| KR1019880016138A KR970007140B1 (ko) | 1987-12-04 | 1988-12-03 | 작동기용 압전 세라믹 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307271A JPH01148749A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | アクチュエータ用圧電セラミック組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01148749A JPH01148749A (ja) | 1989-06-12 |
| JPH0516380B2 true JPH0516380B2 (ja) | 1993-03-04 |
Family
ID=17967111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62307271A Granted JPH01148749A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | アクチュエータ用圧電セラミック組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4882078A (ja) |
| EP (1) | EP0319006B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01148749A (ja) |
| KR (1) | KR970007140B1 (ja) |
| DE (1) | DE3873888T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0413321B1 (en) * | 1989-08-17 | 1995-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multi-layer capacitor |
| JPH04130682A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Mitsubishi Kasei Corp | アクチュエータ用圧電セラミック組成物 |
| US5378382A (en) * | 1993-12-09 | 1995-01-03 | Mitsubishi Kasei Corporation | Piezoelectric ceramic composition for actuator |
| DE4442598A1 (de) * | 1994-11-30 | 1996-06-05 | Philips Patentverwaltung | Komplexer, substituierter Lanthan-Blei-Zirkon-Titan-Perowskit, keramische Zusammensetzung und Aktuator |
| US5607632A (en) * | 1995-05-30 | 1997-03-04 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating PLZT piezoelectric ceramics |
| US6045431A (en) * | 1997-12-23 | 2000-04-04 | Speedfam Corporation | Manufacture of thin-film magnetic heads |
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| JP2543021B2 (ja) * | 1984-12-17 | 1996-10-16 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | アクチュエ−タ用セラミツク圧電材料 |
| JPS6287456A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | 日本碍子株式会社 | 誘電体磁器用セラミツク組成物 |
| GB2182032A (en) * | 1985-10-24 | 1987-05-07 | Stc Plc | Dielectric compositions |
| GB2182033A (en) * | 1985-10-24 | 1987-05-07 | Stc Plc | Dielectric compositions |
| JPS62159480A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Seiko Epson Corp | 圧電アクチユエ−タ |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP62307271A patent/JPH01148749A/ja active Granted
-
1988
- 1988-12-01 EP EP88120094A patent/EP0319006B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-01 DE DE8888120094T patent/DE3873888T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-02 US US07/279,052 patent/US4882078A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-03 KR KR1019880016138A patent/KR970007140B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363597A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of porcelain piezo material |
| JPS6144764A (ja) * | 1984-08-07 | 1986-03-04 | 宇部興産株式会社 | アクチュエータ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3873888D1 (de) | 1992-09-24 |
| DE3873888T2 (de) | 1993-03-11 |
| EP0319006A1 (en) | 1989-06-07 |
| US4882078A (en) | 1989-11-21 |
| KR890011128A (ko) | 1989-08-12 |
| JPH01148749A (ja) | 1989-06-12 |
| EP0319006B1 (en) | 1992-08-19 |
| KR970007140B1 (ko) | 1997-05-02 |
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