JP2003201174A - 積層型圧電体セラミック素子およびそれを用いた積層型圧電体電子部品 - Google Patents
積層型圧電体セラミック素子およびそれを用いた積層型圧電体電子部品Info
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- JP2003201174A JP2003201174A JP2002091697A JP2002091697A JP2003201174A JP 2003201174 A JP2003201174 A JP 2003201174A JP 2002091697 A JP2002091697 A JP 2002091697A JP 2002091697 A JP2002091697 A JP 2002091697A JP 2003201174 A JP2003201174 A JP 2003201174A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層構造に違いがあっても、機械的品質係数
Ｑｍの変化を抑制できる積層型圧電体セラミック素子を
提供する。 【解決手段】 内部電極層を有する圧電体セラミック素
子に用いる圧電体セラミックが、ペロブスカイト型結晶
構造を有し、かつＰｂ，Ｚｒ，およびＴｉの元素と、Ｃ
ｒ元素と、Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｎｄ，
Ｂｉ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｂ，Ｔ
ａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種の元素と、不可避不
純物として含まれる元素とで構成され、この圧電体セラ
ミックの平衡状態に対する電荷のずれをζ＝［（Ａ3−
Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−Ｂ 3−（２×Ｂ2）｝］×
ｅ（Ｃ）（Ｂサイト元素の総数１に対し、Ａ1：Ａサイ
トの１価元素モル比、Ａ3：Ａサイトの３価元素モル
比、Ｂ2：Ｂサイトの２価元素モル比、Ｂ3：Ｂサイトの
３価元素モル比、Ｂ5：Ｂサイトの５価元素モル比、
Ｂ 6：Ｂサイトの６価元素モル比）と定義したとき、Ｃ
ｒを含む場合は０．０１７≦ζ／ｅ≦０．０２８、Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｍｇを含む場合は０．００８≦ζ／ｅ≦０．
０１７とする。
Ｑｍの変化を抑制できる積層型圧電体セラミック素子を
提供する。 【解決手段】 内部電極層を有する圧電体セラミック素
子に用いる圧電体セラミックが、ペロブスカイト型結晶
構造を有し、かつＰｂ，Ｚｒ，およびＴｉの元素と、Ｃ
ｒ元素と、Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｎｄ，
Ｂｉ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｂ，Ｔ
ａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種の元素と、不可避不
純物として含まれる元素とで構成され、この圧電体セラ
ミックの平衡状態に対する電荷のずれをζ＝［（Ａ3−
Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−Ｂ 3−（２×Ｂ2）｝］×
ｅ（Ｃ）（Ｂサイト元素の総数１に対し、Ａ1：Ａサイ
トの１価元素モル比、Ａ3：Ａサイトの３価元素モル
比、Ｂ2：Ｂサイトの２価元素モル比、Ｂ3：Ｂサイトの
３価元素モル比、Ｂ5：Ｂサイトの５価元素モル比、
Ｂ 6：Ｂサイトの６価元素モル比）と定義したとき、Ｃ
ｒを含む場合は０．０１７≦ζ／ｅ≦０．０２８、Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｍｇを含む場合は０．００８≦ζ／ｅ≦０．
０１７とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層型圧電体セラ
ミック素子、特に内部電極と圧電体セラミック層とを一
体焼成することによって得る積層型圧電体セラミック素
子に関する。
ミック素子、特に内部電極と圧電体セラミック層とを一
体焼成することによって得る積層型圧電体セラミック素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、アクチュエータやトランス等
に用いられる圧電体には、チタン酸ジルコン酸鉛（以
下、ＰＺＴとする）を主成分とする圧電体セラミックが
広く知られており、その構造として、この圧電体セラミ
ック内に内部電極を埋設して積層型圧電体セラミック素
子とするものがある。
に用いられる圧電体には、チタン酸ジルコン酸鉛（以
下、ＰＺＴとする）を主成分とする圧電体セラミックが
広く知られており、その構造として、この圧電体セラミ
ック内に内部電極を埋設して積層型圧電体セラミック素
子とするものがある。
【０００３】このようなＰＺＴを主成分とする圧電体セ
ラミックとしては、圧電特性改善のために、Ｐｂの一部
をＣａ，Ｓｒ，Ｂａで置換したり、ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ
ＺｒＯ3−Ｐｂ（Ｃｏ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，ＰｂＴｉＯ3−Ｐ
ｂＺｒＯ3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3となるような３
成分系の複合ペロブスカイト型酸化物がよく用いられて
いる。また、ＰＺＴを主成分とする圧電体セラミックを
積層するときに用いられる内部電極としては、Ａｇまた
はＡｇ−Ｐｄ合金が用いられている。
ラミックとしては、圧電特性改善のために、Ｐｂの一部
をＣａ，Ｓｒ，Ｂａで置換したり、ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ
ＺｒＯ3−Ｐｂ（Ｃｏ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，ＰｂＴｉＯ3−Ｐ
ｂＺｒＯ3−Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3となるような３
成分系の複合ペロブスカイト型酸化物がよく用いられて
いる。また、ＰＺＴを主成分とする圧電体セラミックを
積層するときに用いられる内部電極としては、Ａｇまた
はＡｇ−Ｐｄ合金が用いられている。
【０００４】一般的に上記積層型圧電体セラミック素子
を作製するにあたっては、まず仮焼粉末からなる圧電体
セラミック材料とバインダーとを混合し、得られたスラ
リーをシート状に成形してグリーンシートとする。次
に、このグリーンシート上に所望のパターンとなるよう
に内部電極ペーストを印刷し、これらを圧着した後、グ
リーンシートと内部電極ペーストとを一体焼成するとい
う方法が採られている。
を作製するにあたっては、まず仮焼粉末からなる圧電体
セラミック材料とバインダーとを混合し、得られたスラ
リーをシート状に成形してグリーンシートとする。次
に、このグリーンシート上に所望のパターンとなるよう
に内部電極ペーストを印刷し、これらを圧着した後、グ
リーンシートと内部電極ペーストとを一体焼成するとい
う方法が採られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように圧電体セラミック材料と内部電極とを一体焼成さ
せて積層型圧電体セラミック素子を得ると、積層体の層
数や１層あたりの厚さ等の積層構造の違いによって、特
に機械的品質係数Ｑｍが変化するという問題があった。
ように圧電体セラミック材料と内部電極とを一体焼成さ
せて積層型圧電体セラミック素子を得ると、積層体の層
数や１層あたりの厚さ等の積層構造の違いによって、特
に機械的品質係数Ｑｍが変化するという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、積層体の層数や１層あた
りの厚さ等といった積層構造に違いがあっても、機械的
品質係数Ｑｍの変化を抑制できる積層型圧電体セラミッ
ク素子を提供することにある。
りの厚さ等といった積層構造に違いがあっても、機械的
品質係数Ｑｍの変化を抑制できる積層型圧電体セラミッ
ク素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような目
的に鑑みてなされたものである。本願第１の発明の積層
型圧電体セラミック素子は、圧電体セラミック層と、内
部電極層とが積層されてなる積層型圧電体セラミック素
子であって、前記圧電体セラミック層が、ＡＢＯ3で表
されるペロブスカイト型結晶構造を有し、かつＡサイト
に含有されるＰｂ元素と、Ｂサイトに含有されるＺｒ元
素およびＴｉ元素と、Ｂサイトに含有される３価元素と
してのＣｒ元素と、Ａサイトの１価元素としてのＮａ，
Ｋのうち少なくとも１種、Ａサイトの２価元素としての
Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒのうち少なくとも１種、Ａサイトの３
価元素としてのＬａ，Ｎｄ，Ｂｉのうち少なくとも１
種、Ｂサイトの４価元素としてのＳｎ、Ｂサイトの５価
元素としてのＮｂ，Ｓｂ，Ｔａのうち少なくとも１種、
およびＢサイトの６価元素としてのＷから選ばれる少な
くとも１種の元素とを含有する圧電体セラミックからな
り、前記圧電体セラミックにおいて、Ａサイトを２価、
Ｂサイトを４価としたときの平衡状態に対する電荷のず
れを ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−Ｂ3｝］×
ｅ（Ｃ） ただし、Ｂサイト元素の総数を１としたとき、Ａ1：前
記Ａサイトの１価元素の総モル比、Ａ3：前記Ａサイト
の３価元素の総モル比、Ｂ3：前記Ｂサイトの３価元素
の総モル比、Ｂ5：前記Ｂサイトの５価元素の総モル
比、Ｂ6：前記Ｂサイトの６価元素の総モル比、ｅ：素
電荷（１．６０×１０-19（Ｃ））と定義したとき、ζ
／ｅが、０．０１７≦ζ／ｅ≦０．０２８であることを
特徴とする。
的に鑑みてなされたものである。本願第１の発明の積層
型圧電体セラミック素子は、圧電体セラミック層と、内
部電極層とが積層されてなる積層型圧電体セラミック素
子であって、前記圧電体セラミック層が、ＡＢＯ3で表
されるペロブスカイト型結晶構造を有し、かつＡサイト
に含有されるＰｂ元素と、Ｂサイトに含有されるＺｒ元
素およびＴｉ元素と、Ｂサイトに含有される３価元素と
してのＣｒ元素と、Ａサイトの１価元素としてのＮａ，
Ｋのうち少なくとも１種、Ａサイトの２価元素としての
Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒのうち少なくとも１種、Ａサイトの３
価元素としてのＬａ，Ｎｄ，Ｂｉのうち少なくとも１
種、Ｂサイトの４価元素としてのＳｎ、Ｂサイトの５価
元素としてのＮｂ，Ｓｂ，Ｔａのうち少なくとも１種、
およびＢサイトの６価元素としてのＷから選ばれる少な
くとも１種の元素とを含有する圧電体セラミックからな
り、前記圧電体セラミックにおいて、Ａサイトを２価、
Ｂサイトを４価としたときの平衡状態に対する電荷のず
れを ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−Ｂ3｝］×
ｅ（Ｃ） ただし、Ｂサイト元素の総数を１としたとき、Ａ1：前
記Ａサイトの１価元素の総モル比、Ａ3：前記Ａサイト
の３価元素の総モル比、Ｂ3：前記Ｂサイトの３価元素
の総モル比、Ｂ5：前記Ｂサイトの５価元素の総モル
比、Ｂ6：前記Ｂサイトの６価元素の総モル比、ｅ：素
電荷（１．６０×１０-19（Ｃ））と定義したとき、ζ
／ｅが、０．０１７≦ζ／ｅ≦０．０２８であることを
特徴とする。
【０００８】上記のような組成にすることによって、積
層構造に違いがあっても、機械的品質係数Ｑｍの変化率
を３５％以内に抑制できる。
層構造に違いがあっても、機械的品質係数Ｑｍの変化率
を３５％以内に抑制できる。
【０００９】また、本願第２の発明の積層型圧電体セラ
ミック素子は、第１の発明の積層型圧電体セラミック素
子におけるζ／ｅが、０．０２１≦ζ／ｅ≦０．０２８
であることを特徴とする。
ミック素子は、第１の発明の積層型圧電体セラミック素
子におけるζ／ｅが、０．０２１≦ζ／ｅ≦０．０２８
であることを特徴とする。
【００１０】上記のような組成にすることによって、積
層構造に違いがあっても、機械的品質係数Ｑｍの変化率
をさらに２５％以内に抑制できる。
層構造に違いがあっても、機械的品質係数Ｑｍの変化率
をさらに２５％以内に抑制できる。
【００１１】また、本願第３の発明の積層型圧電体セラ
ミック素子は、圧電体セラミック層と、内部電極層とが
積層されてなる積層型圧電体セラミック素子であって、
前記圧電体セラミック層が、ＡＢＯ3で表されるペロブ
スカイト型結晶構造を有し、かつ Ａサイトに含有され
るＰｂ元素と、Ｂサイトに含有されるＺｒ元素およびＴ
ｉ元素と、Ｂサイトに含有される２価元素としてのＣ
ｏ，Ｎｉ，Ｍｇのうち少なくとも１種の元素と、Ａサイ
トの１価元素としてのＮａ，Ｋのうち少なくとも１種、
Ａサイトの２価元素としてのＣａ，Ｂａ，Ｓｒのうち少
なくとも１種、Ａサイトの３価元素としてのＬａ，Ｎ
ｄ，Ｂｉのうち少なくとも１種、Ｂサイトの４価元素と
してのＳｎ、Ｂサイトの５価元素としてのＮｂ，Ｓｂ，
Ｔａのうち少なくとも１種、およびＢサイトの６価元素
としてのＷ、から選ばれる少なくとも１種の元素と含有
する圧電体セラミックからなり、前記圧電体セラミック
において、Ａサイトを２価、Ｂサイトを４価としたとき
の平衡状態に対する電荷のずれを ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−（２×
Ｂ2）｝］×ｅ（Ｃ） ただし、Ｂサイト元素の総数を１としたとき、Ａ1：前
記Ａサイトの１価元素の総モル比、Ａ3：前記Ａサイト
の３価元素の総モル比、Ｂ2：前記Ｂサイトの２価元素
の総モル比、Ｂ5：前記Ｂサイトの５価元素の総モル
比、Ｂ6：前記Ｂサイトの６価元素の総モル比、ｅ：素
電荷（１．６０×１０-19（Ｃ））と定義したとき、ζ
／ｅが、０．００８≦ζ／ｅ≦０．０１７であることを
特徴とする。
ミック素子は、圧電体セラミック層と、内部電極層とが
積層されてなる積層型圧電体セラミック素子であって、
前記圧電体セラミック層が、ＡＢＯ3で表されるペロブ
スカイト型結晶構造を有し、かつ Ａサイトに含有され
るＰｂ元素と、Ｂサイトに含有されるＺｒ元素およびＴ
ｉ元素と、Ｂサイトに含有される２価元素としてのＣ
ｏ，Ｎｉ，Ｍｇのうち少なくとも１種の元素と、Ａサイ
トの１価元素としてのＮａ，Ｋのうち少なくとも１種、
Ａサイトの２価元素としてのＣａ，Ｂａ，Ｓｒのうち少
なくとも１種、Ａサイトの３価元素としてのＬａ，Ｎ
ｄ，Ｂｉのうち少なくとも１種、Ｂサイトの４価元素と
してのＳｎ、Ｂサイトの５価元素としてのＮｂ，Ｓｂ，
Ｔａのうち少なくとも１種、およびＢサイトの６価元素
としてのＷ、から選ばれる少なくとも１種の元素と含有
する圧電体セラミックからなり、前記圧電体セラミック
において、Ａサイトを２価、Ｂサイトを４価としたとき
の平衡状態に対する電荷のずれを ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−（２×
Ｂ2）｝］×ｅ（Ｃ） ただし、Ｂサイト元素の総数を１としたとき、Ａ1：前
記Ａサイトの１価元素の総モル比、Ａ3：前記Ａサイト
の３価元素の総モル比、Ｂ2：前記Ｂサイトの２価元素
の総モル比、Ｂ5：前記Ｂサイトの５価元素の総モル
比、Ｂ6：前記Ｂサイトの６価元素の総モル比、ｅ：素
電荷（１．６０×１０-19（Ｃ））と定義したとき、ζ
／ｅが、０．００８≦ζ／ｅ≦０．０１７であることを
特徴とする。
【００１２】上記のような組成にすることによって、積
層構造に違いがあっても、機械的品質係数Ｑｍの変化率
を３５％以内に抑制できる。
層構造に違いがあっても、機械的品質係数Ｑｍの変化率
を３５％以内に抑制できる。
【００１３】また、本願第４の発明の積層型圧電体セラ
ミック素子は、第３の発明の積層型圧電体セラミック素
子におけるζ／ｅが、０．０１２≦ζ／ｅ≦０．０１７
であることを特徴とする。
ミック素子は、第３の発明の積層型圧電体セラミック素
子におけるζ／ｅが、０．０１２≦ζ／ｅ≦０．０１７
であることを特徴とする。
【００１４】上記のような組成にすることによって、積
層構造に違いがあっても、機械的品質係数Ｑｍの変化率
をさらに２５％以内に抑制できる。
層構造に違いがあっても、機械的品質係数Ｑｍの変化率
をさらに２５％以内に抑制できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の積層型圧電体セラ
ミック素子について説明する。本発明の積層型圧電体セ
ラミック素子は、圧電体セラミック層と、内部電極層
と、外部電極とからなる。内部電極層は圧電体セラミッ
ク層に埋設されており、積層型圧電体セラミック素子の
側面ないしは端面に引き出されている。なお、異なる極
性に接続される内部電極をそれぞれ異なる面に引き出し
てもよいし、同一面上に引き出してもよい。後者の場
合、外部電極は同一面上に２つ電気的に独立するように
形成されることになる。外部電極は積層型圧電体セラミ
ック素子の端面ないし側面に形成され、内部電極と電気
的に接続されている。外部電極の形状および形成位置
は、その電子部品の実装形態に合わせて決定されればよ
く、特に限定されるものではない。
ミック素子について説明する。本発明の積層型圧電体セ
ラミック素子は、圧電体セラミック層と、内部電極層
と、外部電極とからなる。内部電極層は圧電体セラミッ
ク層に埋設されており、積層型圧電体セラミック素子の
側面ないしは端面に引き出されている。なお、異なる極
性に接続される内部電極をそれぞれ異なる面に引き出し
てもよいし、同一面上に引き出してもよい。後者の場
合、外部電極は同一面上に２つ電気的に独立するように
形成されることになる。外部電極は積層型圧電体セラミ
ック素子の端面ないし側面に形成され、内部電極と電気
的に接続されている。外部電極の形状および形成位置
は、その電子部品の実装形態に合わせて決定されればよ
く、特に限定されるものではない。
【００１６】本発明の積層型圧電体セラミック素子にお
ける圧電体セラミック層を構成する圧電体セラミック
は、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3を主成分としており、ペ
ロブスカイト型結晶構造を有している。なお、Ａ／Ｂは
化学量論比である１に限定するものではなく、必要に応
じて適宜変動させることができるが、０．９７〜１．０
３とすることが好ましい。また、このうちＡサイトにあ
たるＰｂは、１価元素としてのＮａ，Ｋ、３価元素とし
てのＬａ，Ｎｄ，Ｂｉから選ばれる元素で置換してもよ
い。
ける圧電体セラミック層を構成する圧電体セラミック
は、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3を主成分としており、ペ
ロブスカイト型結晶構造を有している。なお、Ａ／Ｂは
化学量論比である１に限定するものではなく、必要に応
じて適宜変動させることができるが、０．９７〜１．０
３とすることが好ましい。また、このうちＡサイトにあ
たるＰｂは、１価元素としてのＮａ，Ｋ、３価元素とし
てのＬａ，Ｎｄ，Ｂｉから選ばれる元素で置換してもよ
い。
【００１７】また、ＢサイトにあたるＺｒ，Ｔｉは、２
価元素としてのＣｏ，Ｎｉ，Ｍｇもしくは３価元素とし
てのＣｒの元素で置換されているほか、４価元素として
のＳｎ、５価元素としてのＮｂ，Ｓｂ，Ｔａ、６価元素
としてのＷから選ばれる元素で置換してもよい。ただ
し、積層構造の違いによる機械的品質係数（Ｑｍ）の変
化率を３５％以下に抑えるために、３価元素としてのＣ
ｒを含んで置換した場合は、Ａサイトを２価、Ｂサイト
を４価として考えたときのζ／ｅが０．０１７〜０．０
２８となるように、２価元素としてのＣｏ，Ｎｉ，Ｍｇ
を含んで置換した場合は、Ａサイトを２価、Ｂサイトを
４価として考えたときのζ／ｅが０．００８〜０．０１
７となるように置換しなければならない。また、上記範
囲にあって、Ｂサイトの５価元素としてＳｂを含まない
場合は、上記機械的品質係数（Ｑｍ）の変化率が２５％
にまで抑えることができる。
価元素としてのＣｏ，Ｎｉ，Ｍｇもしくは３価元素とし
てのＣｒの元素で置換されているほか、４価元素として
のＳｎ、５価元素としてのＮｂ，Ｓｂ，Ｔａ、６価元素
としてのＷから選ばれる元素で置換してもよい。ただ
し、積層構造の違いによる機械的品質係数（Ｑｍ）の変
化率を３５％以下に抑えるために、３価元素としてのＣ
ｒを含んで置換した場合は、Ａサイトを２価、Ｂサイト
を４価として考えたときのζ／ｅが０．０１７〜０．０
２８となるように、２価元素としてのＣｏ，Ｎｉ，Ｍｇ
を含んで置換した場合は、Ａサイトを２価、Ｂサイトを
４価として考えたときのζ／ｅが０．００８〜０．０１
７となるように置換しなければならない。また、上記範
囲にあって、Ｂサイトの５価元素としてＳｂを含まない
場合は、上記機械的品質係数（Ｑｍ）の変化率が２５％
にまで抑えることができる。
【００１８】さらに、前者においてζ／ｅが０．０２１
〜０．０２８の範囲にある場合、後者においてζ／ｅが
０．０１２〜０．０１７の範囲にある場合は、例えＢサ
イトの５価元素としてＳｂを含んでいたとしても、積層
構造の違いによる機械的品質係数（Ｑｍ）の変化率が２
５％以下に抑えられ、さらに好ましい。なお、ここでい
う電荷のずれζとは、上記元素群の間における電荷のず
れを指し、平衡状態とはこの電荷のずれζ＝０の状態を
指す。すなわち、上記元素群以外の元素が添加されてい
たとしても、上記元素群以外の元素は、本発明の効果に
直接関係しないものなので、電荷のずれζに影響を及ぼ
す元素として考えないものとする。
〜０．０２８の範囲にある場合、後者においてζ／ｅが
０．０１２〜０．０１７の範囲にある場合は、例えＢサ
イトの５価元素としてＳｂを含んでいたとしても、積層
構造の違いによる機械的品質係数（Ｑｍ）の変化率が２
５％以下に抑えられ、さらに好ましい。なお、ここでい
う電荷のずれζとは、上記元素群の間における電荷のず
れを指し、平衡状態とはこの電荷のずれζ＝０の状態を
指す。すなわち、上記元素群以外の元素が添加されてい
たとしても、上記元素群以外の元素は、本発明の効果に
直接関係しないものなので、電荷のずれζに影響を及ぼ
す元素として考えないものとする。
【００１９】また、圧電体セラミックには、一般的にＭ
ｎ，Ｆｅ等の元素が添加されたり、Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｌ等
の不可避不純物が含まれたりするが、これらの元素は、
電気機械結合係数等の圧電特性に悪影響を与えない程度
に含有していても構わない。なお、ここでいう不可避不
純物とは、一体焼成によって圧電体セラミック層に拡散
した内部電極構成元素およびその含有量が圧電セラミッ
ク全体の２００ｐｐｍ未満の元素を指す。
ｎ，Ｆｅ等の元素が添加されたり、Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｌ等
の不可避不純物が含まれたりするが、これらの元素は、
電気機械結合係数等の圧電特性に悪影響を与えない程度
に含有していても構わない。なお、ここでいう不可避不
純物とは、一体焼成によって圧電体セラミック層に拡散
した内部電極構成元素およびその含有量が圧電セラミッ
ク全体の２００ｐｐｍ未満の元素を指す。
【００２０】本発明の積層型圧電体セラミック素子にお
ける内部電極層は、圧電体セラミック層間に埋設されて
おり、圧電体セラミックと一体的に焼結されてなる。ま
た、その組成はＡｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａ
ｇ−Ｐｔ合金等が挙げられる。なお、Ａｇの融点は約９
６０℃と低いため、セラミックの組成によってはセラミ
ックの焼結温度の方が高くなってしまう。したがって、
より融点の高いＡｇ−Ｐｄ合金を用いることが好まし
い。
ける内部電極層は、圧電体セラミック層間に埋設されて
おり、圧電体セラミックと一体的に焼結されてなる。ま
た、その組成はＡｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａ
ｇ−Ｐｔ合金等が挙げられる。なお、Ａｇの融点は約９
６０℃と低いため、セラミックの組成によってはセラミ
ックの焼結温度の方が高くなってしまう。したがって、
より融点の高いＡｇ−Ｐｄ合金を用いることが好まし
い。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の積層型圧電体セラミック素子
および積層型圧電体セラミック電子部品について、さら
に具体的に説明する。 （実施例１）まず、出発原料として以下のものを準備し
た。 （１）ＰｂＯ，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2（主成分） （２）Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ（Ａサイトに入る１価元素の化合
物） （３）ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3（Ａサイトに
入る２価元素の化合物） （４）Ｌａ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3（Ａサイトに入る
３価元素の化合物） （５）Ｃｒ2Ｏ3（Ｂサイトに入る３価元素の化合物） （６）ＳｎＯ2（Ｂサイトに入る4価元素の化合物） （７）Ｎｂ2Ｏ5，Ｓｂ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5（Ｂサイトに入る
５価元素の化合物） （８）ＷＯ3（Ｂサイトに入る６価元素の化合物） これらを一般式（Ｉ）において、表１〜４に示すように
各出発原料を秤量し、圧電体材料とした。 （Ｐｂvαw）（ＺｒxＴｉyβz）Ｏ3・・・（Ｉ） （αはＡサイトに入るＰｂ以外の元素、βはＢサイトに
入るＺｒ，Ｔｉ以外の元素、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１） それぞれの圧電体材料について、純水を添加してボール
ミルにより湿式混合した後、脱水、乾燥させて混合粉末
とした。
および積層型圧電体セラミック電子部品について、さら
に具体的に説明する。 （実施例１）まず、出発原料として以下のものを準備し
た。 （１）ＰｂＯ，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2（主成分） （２）Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ（Ａサイトに入る１価元素の化合
物） （３）ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3（Ａサイトに
入る２価元素の化合物） （４）Ｌａ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3（Ａサイトに入る
３価元素の化合物） （５）Ｃｒ2Ｏ3（Ｂサイトに入る３価元素の化合物） （６）ＳｎＯ2（Ｂサイトに入る4価元素の化合物） （７）Ｎｂ2Ｏ5，Ｓｂ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5（Ｂサイトに入る
５価元素の化合物） （８）ＷＯ3（Ｂサイトに入る６価元素の化合物） これらを一般式（Ｉ）において、表１〜４に示すように
各出発原料を秤量し、圧電体材料とした。 （Ｐｂvαw）（ＺｒxＴｉyβz）Ｏ3・・・（Ｉ） （αはＡサイトに入るＰｂ以外の元素、βはＢサイトに
入るＺｒ，Ｔｉ以外の元素、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１） それぞれの圧電体材料について、純水を添加してボール
ミルにより湿式混合した後、脱水、乾燥させて混合粉末
とした。
【００２２】次に、得られた混合粉末を８００〜１００
０℃で仮焼し、仮焼粉末を得た。得られた仮焼粉末に、
バインダー、分散剤、界面活性剤、消泡剤、および純水
等を加えて混合し、スラリー状とした後、ドクターブレ
ード法にてグリーンシートとした。
０℃で仮焼し、仮焼粉末を得た。得られた仮焼粉末に、
バインダー、分散剤、界面活性剤、消泡剤、および純水
等を加えて混合し、スラリー状とした後、ドクターブレ
ード法にてグリーンシートとした。
【００２３】得られたグリーンシートに、内部電極用金
属粉末としてＡｇ：Ｐｄ＝７０：３０のＡｇ−Ｐｄ合金
を含む内部電極ペーストを所望のパターンとなるように
スクリーン印刷したものを積み重ねて圧着し、積層体と
した。なお、内部電極３層、内部電極間距離１８０μｍ
としたもの（積層体１）と、内部電極２層、電極間距離
３７０μｍとしたもの（積層体２）の２種類を作製し
た。次に、得られた積層体を１０８０〜１２００℃で焼
成し、焼結体を得た。この焼結体の両主面を研磨し、電
極を形成した後、６０〜１５０℃の絶縁オイル中で分極
処理を施した。この後、１５０〜２８０℃の熱処理を加
え、底面が１５ｍｍ×１５ｍｍの正方形となるようにカ
ットして、積層型圧電体セラミック素子とした。なお、
それぞれの試料における電荷のずれζを以下の式によっ
て算出し、ζ／ｅを表１，２に示した。 ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−Ｂ3｝］×
ｅ（Ｃ） Ｂサイト元素の総数を１としたとき Ａ1：Ａサイトの１価元素の総モル比 Ａ3：Ａサイトの３価元素の総モル比 Ｂ3：Ｂサイトの３価元素の総モル比 Ｂ5：Ｂサイトの５価元素の総モル比 Ｂ6：Ｂサイトの６価元素の総モル比 ｅ：素電荷（１．６０×１０-19（Ｃ）） 上記のようにして得られた積層型圧電体セラミック素子
の機械的品質係数Ｑｍをインピーダンスアナライザによ
って測定し、積層体１および積層体２の機械的品質係数
Ｑｍを比べ、変化率（％）を算出した。なお、機械的品
質係数Ｑｍの変化率は以下の式に基づき算出した。
属粉末としてＡｇ：Ｐｄ＝７０：３０のＡｇ−Ｐｄ合金
を含む内部電極ペーストを所望のパターンとなるように
スクリーン印刷したものを積み重ねて圧着し、積層体と
した。なお、内部電極３層、内部電極間距離１８０μｍ
としたもの（積層体１）と、内部電極２層、電極間距離
３７０μｍとしたもの（積層体２）の２種類を作製し
た。次に、得られた積層体を１０８０〜１２００℃で焼
成し、焼結体を得た。この焼結体の両主面を研磨し、電
極を形成した後、６０〜１５０℃の絶縁オイル中で分極
処理を施した。この後、１５０〜２８０℃の熱処理を加
え、底面が１５ｍｍ×１５ｍｍの正方形となるようにカ
ットして、積層型圧電体セラミック素子とした。なお、
それぞれの試料における電荷のずれζを以下の式によっ
て算出し、ζ／ｅを表１，２に示した。 ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−Ｂ3｝］×
ｅ（Ｃ） Ｂサイト元素の総数を１としたとき Ａ1：Ａサイトの１価元素の総モル比 Ａ3：Ａサイトの３価元素の総モル比 Ｂ3：Ｂサイトの３価元素の総モル比 Ｂ5：Ｂサイトの５価元素の総モル比 Ｂ6：Ｂサイトの６価元素の総モル比 ｅ：素電荷（１．６０×１０-19（Ｃ）） 上記のようにして得られた積層型圧電体セラミック素子
の機械的品質係数Ｑｍをインピーダンスアナライザによ
って測定し、積層体１および積層体２の機械的品質係数
Ｑｍを比べ、変化率（％）を算出した。なお、機械的品
質係数Ｑｍの変化率は以下の式に基づき算出した。
【００２４】
【式１】
【００２５】その結果を表３，４に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】表１〜４に示すように、上記元素を用いて
作製した積層型圧電体セラミック素子は、その組み合わ
せや組成比に関係なく、ζ／ｅが０．０１７〜０．０２
８の範囲にあるものは、２種類の積層体間における機械
的品質係数Ｑｍの変化率が３５％以内であることがわか
る。
作製した積層型圧電体セラミック素子は、その組み合わ
せや組成比に関係なく、ζ／ｅが０．０１７〜０．０２
８の範囲にあるものは、２種類の積層体間における機械
的品質係数Ｑｍの変化率が３５％以内であることがわか
る。
【００３１】また、ζ／ｅが０．０２１〜０．０２８の
範囲にあるものは、さらに上記機械的品質係数Ｑｍの変
化率が２５％以下を満足していることがわかる。
範囲にあるものは、さらに上記機械的品質係数Ｑｍの変
化率が２５％以下を満足していることがわかる。
【００３２】一方、試料番号１，６，２０のように、ζ
／ｅが０．０１７より小さい場合、すなわち平衡状態に
対する電荷のずれが小さすぎる場合は、２種類の積層体
間における機械的品質係数Ｑｍの変化率が３５％より大
きくなるため好ましくない。また、試料番号５，１０，
２５のように、ζ／ｅが０．０２８より大きい場合、す
なわち平衡状態に対する電荷のずれが大きすぎる場合
は、圧電体セラミック自体が焼結しにくくなるため好ま
しくない。
／ｅが０．０１７より小さい場合、すなわち平衡状態に
対する電荷のずれが小さすぎる場合は、２種類の積層体
間における機械的品質係数Ｑｍの変化率が３５％より大
きくなるため好ましくない。また、試料番号５，１０，
２５のように、ζ／ｅが０．０２８より大きい場合、す
なわち平衡状態に対する電荷のずれが大きすぎる場合
は、圧電体セラミック自体が焼結しにくくなるため好ま
しくない。
【００３３】また、本発明の範囲内であるものの、ζ／
ｅが０．０２１〜０．０２８の範囲から外れている試料
番号２，７，２１については、Ｓｂを含んでいない試料
番号２を除き、２種類の積層体間における機械的品質係
数Ｑｍの変化率が２５％より大きくなっている。 （実施例２）まず、出発原料として以下のものを準備し
た。 （１）ＰｂＯ，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2（主成分） （２）Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ（Ａサイトに入る１価元素の化合
物） （３）ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3（Ａサイトに
入る２価元素の化合物） （４）Ｌａ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3（Ａサイトに入る
３価元素の化合物） （５）ＣｏＣＯ3，ＮｉＯ，Ｍｇ（ＯＨ）2（Ｂサイトに
入る２価元素の化合物） （６）ＳｎＯ2（Ｂサイトに入る4価元素の化合物） （７）Ｎｂ2Ｏ5，Ｓｂ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5（Ｂサイトに入る
５価元素の化合物） （８）ＷＯ3（Ｂサイトに入る６価元素の化合物） 以下、実施例１と同様にして、２種類の積層型圧電体セ
ラミック素子を得た。なお、それぞれの試料における電
荷のずれζを以下の式を用いて算出し、ζ／ｅを表５，
６に示した。 ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−（２×
Ｂ2）｝］×ｅ（Ｃ） Ｂサイト元素の総数を１としたとき Ａ1：Ａサイトの１価元素の総モル比 Ａ3：Ａサイトの３価元素の総モル比 Ｂ2：Ｂサイトの２価元素の総モル比 Ｂ5：Ｂサイトの５価元素の総モル比 Ｂ6：Ｂサイトの６価元素の総モル比 ｅ：素電荷（１．６０×１０-19（Ｃ）） 次に、得られた積層型圧電体セラミック素子の機械的品
質係数Ｑｍおよび機械的品質係数Ｑｍの変化率を実施例
１と同様に測定、算出した。その結果を表７，８に示
す。
ｅが０．０２１〜０．０２８の範囲から外れている試料
番号２，７，２１については、Ｓｂを含んでいない試料
番号２を除き、２種類の積層体間における機械的品質係
数Ｑｍの変化率が２５％より大きくなっている。 （実施例２）まず、出発原料として以下のものを準備し
た。 （１）ＰｂＯ，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2（主成分） （２）Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ（Ａサイトに入る１価元素の化合
物） （３）ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3（Ａサイトに
入る２価元素の化合物） （４）Ｌａ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3（Ａサイトに入る
３価元素の化合物） （５）ＣｏＣＯ3，ＮｉＯ，Ｍｇ（ＯＨ）2（Ｂサイトに
入る２価元素の化合物） （６）ＳｎＯ2（Ｂサイトに入る4価元素の化合物） （７）Ｎｂ2Ｏ5，Ｓｂ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5（Ｂサイトに入る
５価元素の化合物） （８）ＷＯ3（Ｂサイトに入る６価元素の化合物） 以下、実施例１と同様にして、２種類の積層型圧電体セ
ラミック素子を得た。なお、それぞれの試料における電
荷のずれζを以下の式を用いて算出し、ζ／ｅを表５，
６に示した。 ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−（２×
Ｂ2）｝］×ｅ（Ｃ） Ｂサイト元素の総数を１としたとき Ａ1：Ａサイトの１価元素の総モル比 Ａ3：Ａサイトの３価元素の総モル比 Ｂ2：Ｂサイトの２価元素の総モル比 Ｂ5：Ｂサイトの５価元素の総モル比 Ｂ6：Ｂサイトの６価元素の総モル比 ｅ：素電荷（１．６０×１０-19（Ｃ）） 次に、得られた積層型圧電体セラミック素子の機械的品
質係数Ｑｍおよび機械的品質係数Ｑｍの変化率を実施例
１と同様に測定、算出した。その結果を表７，８に示
す。
【００３４】
【表５】
【００３５】
【表６】
【００３６】
【表７】
【００３７】
【表８】
【００３８】表５〜８に示すように、上記元素を用いて
作製した積層型圧電体セラミック素子は、その組み合わ
せや組成比に関係なく、ζ／ｅが０．００８〜０．０１
７の範囲にあるものは、２種類の積層体間における機械
的品質係数Ｑｍの変化率が３５％以内であることがわか
る。
作製した積層型圧電体セラミック素子は、その組み合わ
せや組成比に関係なく、ζ／ｅが０．００８〜０．０１
７の範囲にあるものは、２種類の積層体間における機械
的品質係数Ｑｍの変化率が３５％以内であることがわか
る。
【００３９】また、ζ／ｅが０．０１２〜０．０１７の
範囲にあるものは、さらに機械的品質係数Ｑｍの変化率
が２５％以下を満足していることがわかる。
範囲にあるものは、さらに機械的品質係数Ｑｍの変化率
が２５％以下を満足していることがわかる。
【００４０】一方、試料番号４９，５４，６８のよう
に、ζ／ｅが０．０１２より小さい場合、すなわち平衡
状態に対する電荷のずれが小さすぎる場合は、２種類の
積層体間における機械的品質係数Ｑｍの変化率が３５％
より大きくなるため好ましくない。また、試料番号５
３，５８，７３，８０のように、ζ／ｅが０．０１７よ
り大きい場合、すなわち平衡状態に対する電荷のずれが
大きすぎる場合は、圧電体セラミック自体が焼結しにく
くなるため好ましくない。
に、ζ／ｅが０．０１２より小さい場合、すなわち平衡
状態に対する電荷のずれが小さすぎる場合は、２種類の
積層体間における機械的品質係数Ｑｍの変化率が３５％
より大きくなるため好ましくない。また、試料番号５
３，５８，７３，８０のように、ζ／ｅが０．０１７よ
り大きい場合、すなわち平衡状態に対する電荷のずれが
大きすぎる場合は、圧電体セラミック自体が焼結しにく
くなるため好ましくない。
【００４１】また、本発明の範囲内であるものの、請求
項４の範囲から外れている試料番号５０，５５，６９に
ついては、Ｓｂを含んでいない試料番号５０を除き、２
種類の積層体間における機械的品質係数Ｑｍの変化率が
２５％より大きくなっている。
項４の範囲から外れている試料番号５０，５５，６９に
ついては、Ｓｂを含んでいない試料番号５０を除き、２
種類の積層体間における機械的品質係数Ｑｍの変化率が
２５％より大きくなっている。
【００４２】
【発明の効果】本発明の積層型圧電体セラミック素子
は、圧電体セラミック層を構成する圧電体セラミックに
Ｃｒ元素を含有し、圧電体セラミック層が有している電
荷のずれをζとしたとき、ζ／ｅを平衡状態から０．０
１７〜０．０２８分ドナー側にずらした組成となってい
るため、積層構造の違いによる機械的品質係数Ｑｍの変
化率を３５％以下にできる。
は、圧電体セラミック層を構成する圧電体セラミックに
Ｃｒ元素を含有し、圧電体セラミック層が有している電
荷のずれをζとしたとき、ζ／ｅを平衡状態から０．０
１７〜０．０２８分ドナー側にずらした組成となってい
るため、積層構造の違いによる機械的品質係数Ｑｍの変
化率を３５％以下にできる。
【００４３】また、上記ζ／ｅを平衡状態から０．０２
１〜０．０２８分ドナー側にずらした組成とすること
で、積層構造の違いによる機械的品質係数Ｑｍの変化率
を２５％以下にできる。
１〜０．０２８分ドナー側にずらした組成とすること
で、積層構造の違いによる機械的品質係数Ｑｍの変化率
を２５％以下にできる。
【００４４】また、本発明の積層型圧電体セラミック素
子は、圧電体セラミック層を構成する圧電体セラミック
にＣｏ，ＮｉまたはＭｇのうち少なくとも１種の元素を
含有し、圧電体セラミック層が有している電荷のずれを
ζとしたとき、ζ／ｅが平衡状態から０．００８〜０．
０１７分ドナー側にずらした組成となっているため、積
層構造の違いによる機械的品質係数Ｑｍの変化率を３５
％以下にできる。
子は、圧電体セラミック層を構成する圧電体セラミック
にＣｏ，ＮｉまたはＭｇのうち少なくとも１種の元素を
含有し、圧電体セラミック層が有している電荷のずれを
ζとしたとき、ζ／ｅが平衡状態から０．００８〜０．
０１７分ドナー側にずらした組成となっているため、積
層構造の違いによる機械的品質係数Ｑｍの変化率を３５
％以下にできる。
【００４５】また、上記ζ／ｅを平衡状態から０．０１
２〜０．０１７分ドナー側にずらした組成とすること
で、積層構造の違いによる機械的品質係数Ｑｍの変化率
を２５％以下にできる。
２〜０．０１７分ドナー側にずらした組成とすること
で、積層構造の違いによる機械的品質係数Ｑｍの変化率
を２５％以下にできる。
フロントページの続き
(72)発明者 木村 雅典
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA03 AA04 AA05 AA06
AA07 AA09 AA11 AA12 AA14
AA15 AA16 AA18 AA22 AA23
AA31 AA32 AA34 AA35 BA10
CA08 GA01 GA04 GA06 GA11
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電体セラミック層と、内部電極層とが
積層されてなる積層型圧電体セラミック素子であって、 前記圧電体セラミック層が、ＡＢＯ3で表されるペロブ
スカイト型結晶構造を有し、かつＡサイトに含有される
Ｐｂ元素と、 Ｂサイトに含有されるＺｒ元素およびＴｉ元素と、 Ｂサイトに含有される３価元素としてのＣｒ元素と、 Ａサイトの１価元素としてのＮａ，Ｋのうち少なくとも
１種、Ａサイトの２価元素としてのＣａ，Ｂａ，Ｓｒの
うち少なくとも１種、Ａサイトの３価元素としてのＬ
ａ，Ｎｄ，Ｂｉのうち少なくとも１種、Ｂサイトの４価
元素としてのＳｎ、Ｂサイトの５価元素としてのＮｂ，
Ｓｂ，Ｔａのうち少なくとも１種、およびＢサイトの６
価元素としてのＷ、から選ばれる少なくとも１種の元素
と、を含有する圧電体セラミックからなり、 前記圧電体セラミックにおいて、Ａサイトを２価、Ｂサ
イトを４価としたときの平衡状態に対する電荷のずれを ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−Ｂ3｝］×
ｅ（Ｃ） ただし、Ｂサイト元素の総数を１としたとき Ａ1：前記Ａサイトの１価元素の総モル比 Ａ3：前記Ａサイトの３価元素の総モル比 Ｂ3：前記Ｂサイトの３価元素の総モル比 Ｂ5：前記Ｂサイトの５価元素の総モル比 Ｂ6：前記Ｂサイトの６価元素の総モル比 ｅ：素電荷（１．６０×１０-19（Ｃ）） と定義したとき、ζ／ｅが、 ０．０１７≦ζ／ｅ≦０．０２８ であることを特徴とする積層型圧電体セラミック素子。 - 【請求項２】 前記ζ／ｅが、 ０．０２１≦ζ／ｅ≦０．０２８ であることを特徴とする請求項１に記載の積層型圧電体
セラミック素子。 - 【請求項３】 圧電体セラミック層と、内部電極層とが
積層されてなる積層型圧電体セラミック素子であって、 前記圧電体セラミック層が、ＡＢＯ3で表されるペロブ
スカイト型結晶構造を有し、かつＡサイトに含有される
Ｐｂ元素と、 Ｂサイトに含有されるＺｒ元素およびＴｉ元素と、 Ｂサイトに含有される２価元素としてのＣｏ，Ｎｉ，Ｍ
ｇのうち少なくとも１種の元素と、 Ａサイトの１価元素としてのＮａ，Ｋのうち少なくとも
１種、Ａサイトの２価元素としてのＣａ，Ｂａ，Ｓｒの
うち少なくとも１種、Ａサイトの３価元素としてのＬ
ａ，Ｎｄ，Ｂｉのうち少なくとも１種、Ｂサイトの４価
元素としてのＳｎ、Ｂサイトの５価元素としてのＮｂ，
Ｓｂ，Ｔａのうち少なくとも１種、およびＢサイトの６
価元素としてのＷ、から選ばれる少なくとも１種の元素
と、を含有する圧電体セラミックからなり、 前記圧電体セラミックにおいて、Ａサイトを２価、Ｂサ
イトを４価としたときの平衡状態に対する電荷のずれζ
を ζ＝［（Ａ3−Ａ1）＋｛（２×Ｂ6）＋Ｂ5−（２×
Ｂ2）｝］×ｅ（Ｃ） ただし、Ｂサイト元素の総数を１としたとき Ａ1：前記Ａサイトの１価元素の総モル比 Ａ3：前記Ａサイトの３価元素の総モル比 Ｂ2：前記Ｂサイトの２価元素の総モル比 Ｂ5：前記Ｂサイトの５価元素の総モル比 Ｂ6：前記Ｂサイトの６価元素の総モル比 ｅ：素電荷（１．６０×１０-19（Ｃ）） と定義したとき、ζ／ｅが、 ０．００８≦ζ／ｅ≦０．０１７ であることを特徴とする積層型圧電体セラミック素子。 - 【請求項４】 前記ζ／ｅが、 ０．０１２≦ζ≦０．０１７ であることを特徴とする請求項３に記載の積層型圧電体
セラミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002091697A JP4492022B2 (ja) | 2001-11-02 | 2002-03-28 | 積層型圧電体セラミック素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001337598 | 2001-11-02 | ||
| JP2001-337598 | 2001-11-02 | ||
| JP2002091697A JP4492022B2 (ja) | 2001-11-02 | 2002-03-28 | 積層型圧電体セラミック素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003201174A true JP2003201174A (ja) | 2003-07-15 |
| JP4492022B2 JP4492022B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=27666835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002091697A Expired - Lifetime JP4492022B2 (ja) | 2001-11-02 | 2002-03-28 | 積層型圧電体セラミック素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4492022B2 (ja) |
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-
2002
- 2002-03-28 JP JP2002091697A patent/JP4492022B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4492022B2 (ja) | 2010-06-30 |
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