CN100363297C - 谐振频率温度系数近零的高频介电陶瓷及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
谐振频率温度系数接近零的高频介电陶瓷及其制备方法。该陶瓷以组成为Ba6SnNb4O18的六方类钙钛矿晶相为主相,采用相应的方法制备,本陶瓷烧结良好,高频介电损耗低。本陶瓷可广泛用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造,可满足移动通信、卫星通信等系统的技术需要。
Description
技术领域
本发明涉及介电陶瓷材料,特别是涉及在微波频率使用的介质谐振器、介质滤波器等微波元器件,以及陶瓷电容器的介电陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
微波介电陶瓷是指应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷,在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片、介质导波回路等元器件,是现代通信技术的关键基础材料,已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器、军事雷达等方面有着十分重要的应用,在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。
应用于微波频段的介电陶瓷,应满足如下介电特性的要求:(1)高的相对介电常数εr以利于器件的小型化,一般要求εr≥20;(2)高的品质因数Q值或介质损耗tanδ以降低噪音,一般要求Qf≥3000;(3)谐振频率的温度系数τf尽可能小以保证器件具有好的热稳定性,一般要求-10/℃≤τf≤+10ppm/℃。国际上从20世纪30年代末就有人尝试将电介质材料应用于微波技术。
根据相对介电常数εr的大小与使用频段的不同,通常将已被开发和正在开发的微波介质陶瓷分为3类。
(1)低εr和高Q值的微波介电陶瓷,主要是BaO-MgO-Ta2O5,BaO-ZnO-Ta2O5或BaO-MgO-Nb2O5,BaO-ZnO-Nb2O5系统或它们之间的复合系统MWDC材料。其εr=25~30,Q=(1~3)×104(在f≥10GHz下),τf≈0。主要应用于f≥8GHz的卫星直播等微波通信机中作为介质谐振器件。
(2)中等εr和Q值的微波介电陶瓷,主要是以BaTi4O9,Ba2Ti9O20和(Zr、Sn)TiO4等为基的MWDC材料,其εr=35~40,Q=(6~9)×103(在f=3~4GHz下),τf≤5ppm/℃。主要用于4~8GHz频率范围内的微波军用雷达及通信系统中作为介质谐振器件。
(3)高εr而Q值较低的微波介电陶瓷,主要用于0.8~4GHz频率范围内民用移动通讯系统,这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来,Kolar、Kato等人相继发现并研究了类钙钛矿钨青铜型BaO-Ln2O3-TiO2系列(Ln=La,Sm,Nd,Pr等,简称BLT系)、复合钙钛矿结构CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2系列、铅基系列材料及Ca1-xLn2x/3TiO3系等高εr微波介电陶瓷,其中BLT体系的BaO-Nd2O3-TiO2材料介电常数达到90,铅基系列(Pb,Ca)ZrO3介电常数达到105)。
随着信息技术的加速发展,移动通信系统向高频化、小型化、集成化、高可靠性方向发展。由于中等介电常数材料体系中BaTi4O9,Ba2Ti9O20很难获得纯相;(Zr、Sn)TiO4体系则烧结温度太高,因此导致生产过程中重复性与一致性较差。其他一些中等介电常数介电材料的谐振频率温度系数τf都偏大,一般通过掺入谐振频率温度系数相反的材料来调节,导致了材料的品质因数Qf值的降低。
发明内容
本发明的目的是提供一类结构稳定、易于制备,谐振频率温度系数接近零,而且介电损耗低,中等介电常数的介电陶瓷材料及其制备方法。
本发明的介电陶瓷材料由氧化物形式的Ba、Sn和Nb组成,并以组成为Ba6SnNb4O18的六方类钙钛矿晶相为主相。
本介电陶瓷材料按下述方法制备而成。
首先,将纯度为99.9%以上的BaCO3、SnO2与Nb2O5的原始粉末按所述的组成配料,湿式球磨混合12~24小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1080~1300℃大气气氛中预烧4~8小时,然后在预烧粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1420±50℃大气气氛中烧结1小时以上,所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量为粉末总质量的1%~15%。
本介电陶瓷材料或者加有副相,加入副相的目的是为了调整烧结温度,副相为低熔点的氧化物V2O5,CuO和MnO的一种或它们的混合物,掺入量占粉末总质量的0.25%~5%;或副相为B2O3,掺入量占粉末总质量的5%~25%。
本介电陶瓷材料有主相和副相的制备方法,先将纯度为99.9%以上的BaCO3、SnO2与Nb2O5的原始粉末按所述的组成配料,湿式球磨混合12~24小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1080~1300℃大气气氛中预烧4~8小时制成预烧主相粉末,然后将预烧主相粉末与副相组成中所含元素的纯度为99.9%以上的氧化物粉末,按设定的质量百分比湿式球磨混合12~24小时,溶剂为蒸馏水,烘干后添加粘结剂并造粒,再压制成型,最后在1100~1420℃大气气氛中烧结1小时以上。
所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液,剂量为粉末总质量的1%~15%。粘结剂或采用聚乙二醇水溶液。
附图说明
图1是实施例1的Ba6SnNb4O18的X射线衍射图谱
具体实施方式
实施例1:
以纯度为99.9%以上的BaCO3、SnO2与Nb2O5为起始原料,按Ba6SnNb4O18的化学比配料,湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1300℃大气气氛中预烧8小时,然后在预烧粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1420±50℃大气气氛中烧结4小时,所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液,剂量为粉末总质量的3%。粘结剂或采用聚乙二醇水溶液。
图1是烧结后的陶瓷试样的粉末X射线衍射图谱,用圆柱介质谐振器法对烧结后的陶瓷进行微波介电性能测试,在6GHz下介电常数为37,Q值为8000,谐振频率温度系数τf为+0.2ppm/℃。
实施例2:
以纯度为99.9%以上的BaCO3、SnO2与Nb2O5为起始原料,按Ba6SnNb4O18的化学比配料,湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1300℃大气气氛中预烧8小时,然后在预烧粉末中添加副相粉末与粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1200℃大气气氛中烧结1小时;所述的副相为B2O3,掺入量占粉末总质量的15%;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液,剂量为粉末总质量的3%。烧结后的陶瓷进行微波介电性能测试,在6GHz下介电常数为36,Q值为7000,谐振频率温度系数τf为+0.8ppm/℃。
实施例3:
以纯度为99.9%以上的BaCO3、SnO2与Nb2O5为起始原料,按Ba6SnNb4O18的化学比配料,湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1300℃大气气氛中预烧8小时,然后在预烧粉末中添加副相粉末与粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1250℃大气气氛中烧结3小时;所述的副相为V2O5,掺入量占粉末总质量的0.25%;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液,剂量为粉末总质量的3%。烧结后的陶瓷进行微波介电性能测试,在6GHz下介电常数为36.2,Q值为7800,谐振频率温度系数τf为+0.6ppm/℃。
实施例4:
以纯度为99.9%以上的BaCO3、SnO2与Nb2O5为起始原料,按Ba6SnNb4O18的化学比配料,湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1300℃大气气氛中预烧8小时,然后在预烧粉末中添加副相粉末与粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1100℃大气气氛中烧结4小时;所述的副相为V2O5,CuO和MnO的混合物,其中V2O5掺入量占粉末总质量的1.5%,CuO掺入量占粉末总质量的2.5%,MnO掺入量占粉末总质量的1%;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液,剂量为占粉末总质量的3%。烧结后的陶瓷进行微波介电性能测试,在6GHz下介电常数为36.6,Q值为7700,谐振频率温度系数τf为+0.7ppm/℃。
本陶瓷可广泛用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造,可满足移动通信、卫星通信等系统的技术需要。
具有与Sn相似结构与化学性质的元素Zr等,与Ba相似结构与化学性质的元素Ca,Pb,Sr等,与Nb相似结构与化学性质的元素Ta等,也可以做出与本发明类似晶体结构与性能的介电陶瓷。
Claims (1)
1.一种谐振频率温度系数接近零的高频介电陶瓷,其特征是该陶瓷由氧化物形式的Ba、Sn和Nb组成,并以组成为Ba6SnNbO18的六方类钙钛矿晶相为主相,以下述制备方法得到,
首先,将纯度为99.9%以上的BaCO3、SnO2与Nb2O5的原始粉末按所述的组成配料,湿式球磨混合1 2~24小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1080~1300℃大气气氛中预烧4~8小时,然后在预烧粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1420±50℃大气气氛中烧结1小时以上,所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液,剂量为粉末总质量的1%~15%;或者,
先将纯度为99.9%以上的BaCO3、SnO2与Nb2O5的原始粉末按所述的组成配料,湿式球磨混合1 2~24小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在1080~1300℃大气气氛中预烧4~8小时制成预烧主相粉末,然后将预烧主相粉末与副相组成中所含元素的纯度为99.9%以上的氧化物粉末,按设定的质量百分比湿式球磨混合12~24小时,溶剂为蒸馏水,烘干后添加粘结剂并造粒,再压制成型,最后在1100~1420℃大气气氛中烧结1小时以上,所述的副相为低熔点的氧化物V2O5,CuO和MnO的一种或它们的混合物,掺入量占粉末总质量的0.2 5%~5%;或副相为B2O3,掺入量占粉末总质量的5%~25%,所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液,剂量为粉末总质量的1%~15%。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06287154A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-10-11 | Tdk Corp | 金属アルコキシド錯体の製造方法および複合酸化物の製造方法ならびに焼結体、板状体および膜 |
JP2003201174A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-07-15 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型圧電体セラミック素子およびそれを用いた積層型圧電体電子部品 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06287154A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-10-11 | Tdk Corp | 金属アルコキシド錯体の製造方法および複合酸化物の製造方法ならびに焼結体、板状体および膜 |
US20050104265A1 (en) * | 2000-12-20 | 2005-05-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Translucent ceramic, method of producing the same and optical devices |
JP2003201174A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-07-15 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型圧電体セラミック素子およびそれを用いた積層型圧電体電子部品 |
CN1636930A (zh) * | 2004-12-07 | 2005-07-13 | 天津大学 | 一种温度超稳定型电子陶瓷材料的组成及其制造方法 |
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微波介质谐振器陶瓷. 麦久翔,高瑞芳.宇航材料工艺,第8期. 1985 * |
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