JP4268354B2 - 圧電/電歪素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、厚肉部を周縁部に持つ薄肉部を有する基板上に、圧電/電歪層と、該圧電/電歪層に形成された少なくとも一対の電極とを有する圧電/電歪素子に関し、特に、インクジェットヘッド、ディスプレイ等に用いられる電気エネルギーを機械エネルギーに変換する圧電/電歪素子、あるいは機械エネルギーを電気エネルギーに変換する圧電/電歪素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、サブミクロンのオーダーで微小変位を制御できる素子として、圧電/電歪素子が知られている。特に、圧電セラミックスによる圧電/電歪層と、電圧が印加される電極層を積層して構成した圧電/電歪素子は、微小変位の制御に好適である他、高い電気/機械変換効率、高速応答性、耐久性、少消費電力等の特徴を有する。そして、このような特徴を有する圧電/電歪素子は、圧電型圧力センサ、走査型トンネル顕微鏡のプローブ移動機構、超精密加工装置における直進案内機構、油圧制御用サーボ弁、VTR装置のヘッド、フラットパネル型の画像表示装置を構成する画素、およびインクジェットプリンタのヘッド等として用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、圧電/電歪素子をアクチュエータとして用いる場合に、一方の電極に正又は負の電圧を印加し、他方の電極を接地した場合、圧電/電歪層において圧電/電歪効果が発生し、積層方向への機械的変位が生ずることとなる。
【0004】
そして、より大きい変位量を得るために、圧電/電歪層に印加される実効駆動電界を大きくすることが考えられ、電界のレンジとして負電界から正電界までの広い範囲とすることが試みられている。
【0005】
このような圧電/電歪素子においては、室温で作動させる場合は、問題ないのであるが、温度がキュリー点より遙かに低いが室温より高い環境下において長時間駆動すると、圧電/電歪素子の変位量について著しい低下が生じるおそれがある。
【0006】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、室温より高い環境下において長時間駆動しても、変位量の低下を抑えることができ、信頼性の向上及び耐用期間の長期間化を達成させることができる圧電/電歪素子を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る圧電/電歪素子は、厚肉部を周縁部に持つ薄肉部を有するアクチュエータ基板上に、圧電/電歪層と、該圧電/電歪層に形成された少なくとも一対の電極とを有するアクチュエータ部が形成された圧電/電歪素子において、前記アクチュエータ基板は、下層の基板層と中間層であるスペーサ層と最上層である薄板層の積層体であって、前記スペーサ層のうち、前記アクチュエータ部に対応する箇所に前記薄肉部を構成するための空所が形成され、前記薄板層の厚みは3〜50μmであり、前記スペーサ層の厚みは3〜50μmであり、前記圧電/電歪層は、Pb(Mg 1/3 Nb 2/3 )O 3 −PbZrO 3 −PbTiO 3 系のPbの一部をSrで置換したペロブスカイト型圧電/電歪材料にMnをMnO2換算で0.1〜0.5wt%含み、温度70℃、50時間連続駆動後における前記アクチュエータ部の変位量の初期変位量に対する減少率が15%以下であることを特徴とする。
【0008】
これにより、室温より高い環境下において長時間駆動しても、変位量の低下を抑えることができ、信頼性の向上及び耐用期間の長期間化を達成させることができる。
【0010】
そして、前記連続駆動時において前記圧電/電歪層に印加される最小電界及び最大電界をそれぞれE1(V/mm)及びE2(V/mm)、抗電界をEc(V/mm)としたとき、
−0.8Ec≦E1≦0
1000≦E2≦4000
を満足するように駆動することが好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る圧電/電歪素子の実施の形態例を図1〜図11を参照しながら説明する。
【0012】
本実施の形態に係る圧電/電歪素子10は、図1に示すように、例えばセラミックスにて構成されたアクチュエータ基板12と、電圧印加に伴って変位動作を行うアクチュエータ部14とを有する。
【0013】
アクチュエータ基板12は、その内部のうち、アクチュエータ部14が形成される部分に対応した位置に、それぞれ後述する振動部を形成するための空所16が設けられている。各空所16は、アクチュエータ基板12の他端面に設けられた径の小さい貫通孔18を通じて外部と連通されている。
【0014】
アクチュエータ基板12のうち、空所16の形成されている部分が薄肉とされ、それ以外の部分が厚肉とされている。薄肉の部分は、外部応力に対して振動を受けやすい構造となって振動部20として機能し、空所16以外の部分は厚肉とされて前記振動部20を支持する固定部22として機能するようになっている。
【0015】
つまり、アクチュエータ基板12は、最下層である基板層12Aと中間層であるスペーサ層12Bと最上層である薄板層12Cの積層体であって、スペーサ層12Bのうち、アクチュエータ部14に対応する箇所に空所16が形成された一体構造体として把握することができる。基板層12Aは、補強用基板として機能するほか、配線用の基板としても機能するようになっている。なお、前記アクチュエータ基板12は、各層同時に焼成一体化してもよいし、各層順次焼成しながら積層して一体化してもよいし、各層個別に焼成した後、積層一体化してもよい。
【0016】
一方、アクチュエータ部14は、振動部20と固定部22のほか、該振動部20上に直接形成された圧電/電歪層24と、該圧電/電歪層24の上面と下面に形成された一対の電極(上部電極26a及び下部電極26b)とからなるアクチュエータ部本体28を有する。
【0017】
一対の電極としては、前記上部電極26a及び下部電極26bのほか、図2で示す第1の変形例に係る圧電/電歪素子10aのように、圧電/電歪層24の上面に例えば図3に示すような櫛型の一対の電極26a及び26bを形成するようにしてもよいし、図4で示す第2の変形例に係る圧電/電歪素子10bのように、圧電/電歪層24と振動部20との間に一対の電極26a及び26bを形成するようにしてもよい。
【0018】
また、図5で示す第3の変形例に係る圧電/電歪素子10cのように、上部電極26aを複数の帯状電極26a1及び26a2にて形成し、下部電極26bを単一の平膜状に形成するようにしてもよい。あるいは、図6で示す第4の変形例に係る圧電/電歪素子10dのように、圧電/電歪層24に櫛型の一対の電極26a及び26bを埋め込んで形成するようにしてもよい。この場合、一対の電極26a及び26bの下面が共に振動部20に接するように形成される。
【0019】
図2〜図5に示す構造の場合、消費電力を低く抑えることができるという利点があり、図6に示す構造は、歪み、発生力の大きな電界方向の逆圧電効果を効果的に利用できる構造であることから、大変位の発生に有利になる。
【0020】
次に、本実施の形態に係る圧電/電歪素子10の各構成部材、特に各構成部材の材料等の選定について説明する。
【0021】
まず、振動部20は、高耐熱性材料であることが好ましい。その理由は、アクチュエータ部本体28を有機接着剤等の特性を劣化させる材料を用いずに振動部20に積層させるには、少なくとも圧電/電歪層24の形成時に熱処理が行われることがあり、このとき、振動部20が変質しないようにするため、振動部20は、高耐熱性材料であることが好ましい。
【0022】
また、振動部20は、アクチュエータ基板12上に形成される上部電極26aに通じる配線と下部電極26bに通じる配線との電気的な分離を行うために、電気絶縁材料であることが好ましい。
【0023】
従って、振動部20は、高耐熱性の金属あるいはその金属表面をガラス等のセラミック材料で被覆したホーロウ等の材料であってもよいが、セラミックスが最適である。
【0024】
振動部20を構成するセラミックスとしては、例えば安定化された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、スピネル、ムライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、ガラス、これらの混合物等を用いることができる。安定化された酸化ジルコニウムは、振動部20の厚みが薄くても機械的強度が高いこと、靭性が高いこと、圧電/電歪層24並びに一対の電極26a及び26bとの化学反応性が小さいこと等のため、特に好ましい。安定化された酸化ジルコニウムとは、安定化酸化ジルコニウム及び部分安定化酸化ジルコニウムを包含する。安定化された酸化ジルコニウムでは、立方晶等の結晶構造をとるため、相転移を起こさない。
【0025】
一方、酸化ジルコニウムは、1000℃前後で、単斜晶と正方晶とで相転移し、この相転移のときにクラックが発生する場合がある。安定化された酸化ジルコニウムは、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化スカンジウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム又は希土類金属の酸化物等の安定化剤を、1〜30mol%含有する。振動部20の機械的強度を高めるために、安定化剤が酸化イットリウムを含有することが好ましい。このとき、酸化イットリウムは、好ましくは1.5〜6mol%含有し、更に好ましくは2〜4mol%含有することであり、更に0.1〜5mol%の酸化アルミニウムが含有されていることが好ましい。
【0026】
また、結晶相は、立方晶+単斜晶の混合相、正方晶+単斜晶の混合相、立方晶+正方晶+単斜晶の混合相などであってもよいが、中でも主たる結晶相が、正方晶、又は正方晶+立方晶の混合相としたものが、強度、靭性、耐久性の観点から最も好ましい。
【0027】
振動部20がセラミックスからなるとき、多数の結晶粒が振動部20を構成するが、振動部20の機械的強度を高めるため、結晶粒の平均粒径は、0.05〜2μmであることが好ましく、0.1〜1μmであることが更に好ましい。
【0028】
固定部22は、セラミックスからなることが好ましいが、振動部20の材料と同一のセラミックスでもよいし、異なっていてもよい。固定部22を構成するセラミックスとしては、振動部20の材料と同様に、例えば、安定化された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、スピネル、ムライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、ガラス、これらの混合物等を用いることができる。
【0029】
特に、このセラミック素子で用いられるアクチュエータ基板12は、酸化ジルコニウムを主成分とする材料、酸化アルミニウムを主成分とする材料、又はこれらの混合物を主成分とする材料等が好適に採用される。その中でも、酸化ジルコニウムを主成分としたものが更に好ましい。
【0030】
なお、焼結助剤として粘土等を加えることもあるが、酸化珪素、酸化ホウ素等のガラス化しやすいものが過剰に含まれないように、助剤成分を調節する必要がある。なぜなら、これらガラス化しやすい材料は、アクチュエータ基板12と圧電/電歪層24とを接合させる上で有利ではあるものの、アクチュエータ基板12と圧電/電歪層24との反応を促進し、所定の圧電/電歪層24の組成を維持することが困難となり、その結果、素子特性を低下させる原因となるからである。
【0031】
即ち、アクチュエータ基板12中の酸化珪素等は重量比で3%以下、更に好ましくは1%以下となるように制限することが好ましい。ここで、主成分とは、重量比で50%以上の割合で存在する成分をいう。
【0032】
圧電/電歪層24の上面及び下面に形成される上部電極26a及び下部電極26b、あるいは図2に示すように、圧電/電歪層24の上面に形成される一対の電極26a及び26b、あるいは図4に示すように、圧電/電歪層24と振動部20との間に形成される一対の電極26a及び26b、あるいは図5に示すように、上部電極26aを複数の帯状電極26a1及び26a2にて形成し、下部電極26bを単一の平膜状に形成した場合の前記上部電極26a及び下部電極26b、あるいは図6に示すように、圧電/電歪層24に埋め込まれて形成された一対の電極26a及び26bは、用途に応じて適宜な厚さとするが、0.01〜50μmの厚さであることが好ましく、0.1〜5μmが更に好ましい。
【0033】
図1における下部電極26b、あるいは図4における一対の電極26a及び26b、あるいは図5における下部電極26b、あるいは図6における一対の電極26a及び26bについての電極材料としては、白金族の単体、あるいは白金族の単体と金及び/又は銀との合金、白金族の合金、又は白金族の合金と金及び/又は銀との合金を含む。好ましくは、白金を主成分とする材料である。
【0034】
なお、上部電極26aは、室温で固体であって、導電性の金属で構成されていることが好ましい。例えば、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、鉛等を含有する金属単体又は合金が挙げられる。これらの元素を任意の組合せで含有していてもよいことはいうまでもない。
【0035】
下部電極26b及び上部電極26aの形成には、公知の各種の膜形成手法が用いられる。具体的には、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、CVD、イオンプレーティング、メッキ等の薄膜形成手法や、スクリーン印刷、スプレー、ディッピング等の厚膜形成手法が適宜選択される。これらの中でも、特にスパッタリング法およびスクリーン印刷法が好適に選択される。さらに、必要に応じて熱処理が行われる。
【0036】
ところで、通常の圧電/電歪素子では、圧電/電歪層24への印加電界に対するアクチュエータ部14の変位パターンは、図7Aに示すように、ヒステリシス特性となっている。これは、電界の極性が異なっていても、電界の大きさの絶対値が等しければ、アクチュエータ部14の圧電/電歪層24において発現する変位は等しいことを示している。
【0037】
そして、アクチュエータ部14においてより大きい変位量を得るために、圧電/電歪層24に印加される実効駆動電界を大きくすることが考えられる。例えば、図7Bに示すように、圧電/電歪層24に印加される最小電界及び最大電界をそれぞれE1(V/mm)及びE2(V/mm)、抗電界をEc(V/mm)としたとき、
−0.8Ec≦E1≦0
1000≦E2≦4000
を満足するように駆動することが考えられる。
【0038】
しかし、この駆動を長時間繰り返して行うと、図7Cに示すように、電界に対するアクチュエータ部14の変位パターンが変化し、アクチュエータ部14の変位量の低下が発生する。特に、温度がキュリー点より遙かに低いが室温より高い環境下(例えば70℃)において長時間駆動すると、アクチュエータ部14の変位量の低下が顕著に現れる。
【0039】
そこで、本実施の形態に係る圧電/電歪素子10は、室温より高い環境下において長時間駆動しても、変位量の低下を抑えることができるようにしたものである。
【0040】
つまり、本実施の形態に係る圧電/電歪素子10は、温度70℃、50時間連続駆動後におけるアクチュエータ部14の変位量の初期変位量に対する減少率を15%以下としている。
【0041】
これを達成するために、本実施の形態では、前記圧電/電歪層24を、Pbを含むペロブスカイト型圧電/電歪材料にMnをMnO2換算で0.1〜0.5wt%含む材料にて構成するようにしている。
【0042】
具体的には、前記圧電/電歪層24は、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)にMnをMnO2換算で0.1〜0.5wt%含む材料、あるいはPb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbZrO3−PbTiO3系のペロブスカイト型圧電/電歪材料にMnをMnO2換算で0.1〜0.5wt%含む材料にて構成されている。これらにあっては、Pbの一部がSr、Ca、Ba、La等で置換されていてもよい。
【0043】
このような圧電/電歪材料の調製は、例えば酸化物混合法を使用することができる。例えばPbO、SrCO3、MgCO3、Nb2O5、ZrO2、TiO2、MnO2等の原料粉末を所定の組成になるように秤量して、混合、仮焼、粉砕する方法によって調製することができる。他の方法としては、共沈法やアルコキシド法等が好適に用いられる。
【0044】
また、振動部20の上に圧電/電歪層24を形成する方法としては、スクリーン印刷法、ディッピング法、塗布法、電気泳動法等の各種厚膜形成法や、イオンビーム法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相蒸着法(CVD)、めっき等の各種薄膜形成法を用いることができる。
【0045】
この実施の形態においては、振動部20上に圧電/電歪層24を形成するにあたっては、スクリーン印刷法やディッピング法、塗布法、電気泳動法等による厚膜形成法が好適に採用される。
【0046】
これらの手法は、平均粒径0.01〜5μm、好ましくは0.05〜3μmの圧電セラミックスの粒子を主成分とするペーストやスラリー、又はサスペンション、エマルジョン、ゾル等を用いて形成することができ、良好な圧電作動特性が得られるからである。
【0047】
特に、電気泳動法は、膜を高い密度で、かつ、高い形状精度で形成することができることをはじめ、「電気化学および工業物理化学 Vol.53,No.1(1985),p63〜68 安斎和夫著」あるいは「第1回電気泳動法によるセラミックスの高次成形法 研究討論会 予稿集(1998),p5〜6,p23〜24」等の技術文献に記載されるような特徴を有する。従って、要求精度や信頼性等を考慮して、適宜、手法を選択して用いるとよい。
【0048】
また、前記振動部20の厚みと圧電/電歪層24の厚みは、同次元の厚みであることが好ましい。なぜなら、振動部20の厚みが極端に圧電/電歪層24の厚みより厚くなると(1桁以上異なると)、圧電/電歪層24の焼成収縮に対して、振動部20がその収縮を妨げるように働くため、圧電/電歪層24とアクチュエータ基板12の界面での応力が大きくなり、はがれ易くなる。反対に、厚みの次元が同程度であれば、圧電/電歪層24の焼成収縮にアクチュエータ基板12(振動部20)が追従し易くなるため、一体化には好適である。具体的には、振動部20の厚みは、1〜100μmであることが好ましく、3〜50μmが更に好ましく、5〜20μmが更になお好ましい。一方、圧電/電歪層24は、その厚みとして5〜100μmが好ましく、5〜50μmが更に好ましく、5〜30μmが更になお好ましい。
【0049】
このように形成された圧電/電歪層24は必要に応じて熱処理され、アクチュエータ基板12上に形成されている下部電極26bと一体化される。
【0050】
ここで、1つの実験例を示す。比較例1〜6並びに実施例1〜10において、それぞれ駆動電界を印加し、そのときの初期変位量と、50時間連続駆動後の変位量の変化挙動を測定した。測定結果を図8A及び図8Bに示す。
【0051】
連続駆動の条件は、約20μmの圧電/電歪層24に対し、駆動電圧の波形をパルス状とし、最低印加電圧を−10V、最高印加電圧を55V、電圧波形のデューティー比(−10Vの印加時間/55Vの印加時間)を1/9、周波数を60Hz、環境温度を70℃とした。各圧電/電歪素子10の変位量の測定は、室温下において60Vを印加した際の変位量を測定することによって行った。
【0052】
そして、比較例1〜3並びに実施例1〜5は、圧電/電歪層24の構成材料としてPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)系のペロブスカイト型圧電/電歪材料を使用したものであって、図8Aに示すように、比較例1は、圧電/電歪層24の構成材料にMnO2を添加しない場合を示し、比較例2は、圧電/電歪層24の構成材料にMnO2を0.05wt%だけ添加した場合を示し、比較例3は、圧電/電歪層24の構成材料にMnO2を1.0wt%だけ添加した場合を示す。
【0053】
実施例1〜5は、圧電/電歪層24の構成材料にMnO2をそれぞれ0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%及び0.5wt%だけ添加した場合を示す。
【0054】
一方、比較例4〜6並びに実施例6〜10は、圧電/電歪層24の構成材料としてPb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbZrO3−PbTiO3系のPbの一部をSrで置換したペロブスカイト型圧電/電歪材料を使用したものであって、図8Bに示すように、MnO2の添加量については、上述した比較例1〜3並びに実施例1〜5と同様である。
【0055】
図8Aの結果からわかるように、圧電/電歪層24の構成材料としてPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)系のペロブスカイト型圧電/電歪材料を使用した場合は、MnO2の添加量が0.1〜0.5wt%の範囲であれば、環境温度70℃、50時間連続駆動後におけるアクチュエータ部14の変位量の初期変位量に対する減少率を15%以下に抑えることができる。
【0056】
また、図8Bの結果から、圧電/電歪層24の構成材料としてPb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbZrO3−PbTiO3系のPbの一部をSrで置換したペロブスカイト型圧電/電歪材料を使用した場合は、MnO2の添加量が0.1〜0.5wt%の範囲であれば、環境温度70℃、50時間連続駆動後におけるアクチュエータ部14の変位量の初期変位量に対する減少率を9%以下に抑えることができ、圧電/電歪層24の構成材料としてPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)系のペロブスカイト型圧電/電歪材料を使用した場合よりも変位量減少率が小さいことがわかる。
【0057】
このように、本実施の形態に係る圧電/電歪素子10においては、温度70℃、50時間連続駆動後におけるアクチュエータ部14の変位量の初期変位量に対する減少率を15%以下に抑えることができ、室温より高い環境下において長時間駆動しても、変位量の低下を抑えることができ、信頼性の向上及び耐用期間の長期間化を達成させることができる。
【0058】
また、本実施の形態では、前記圧電/電歪層24が、Pbを含むペロブスカイト型圧電/電歪材料にMnをMnO2換算で0.1〜0.5wt%含むようにしたので、実効駆動電界として、図7Bに示すように、負電界から正電界にわたる広いレンジにして長期間の駆動を行っても、図7Cに示すような変位量の低下は抑えられ、図7Bの変位特性をほぼ維持させることができる。
【0059】
特に、圧電/電歪層24を、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)にMnをMnO2換算で0.1〜0.5wt%含む材料、あるいはPbを含み、Pbの一部をSrで置換したPb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbZrO3−PbTiO3系のペロブスカイト型圧電/電歪材料にMnをMnO2換算で0.1〜0.5wt%含む材料にて構成するようにしたので、温度がキュリー点より遙かに低いが室温より高い環境下(例えば70℃)において長時間駆動しても、アクチュエータ部14の変位量の初期変位量に対する減少率を15%以下に抑えることができる。
【0060】
従って、本実施の形態においては、駆動電界を変位量の低下に応じて調整する特別な回路を不要とすることができると共に、信頼性の向上及び耐用期間の長期間化を達成させることができる。
【0061】
このようなことから、本実施の形態に係る圧電/電歪素子10の使用形態として、例えば図9に示すように、アクチュエータ部14の上部に、このアクチュエータ部14の変位を例えば上方に伝えるための変位伝達部材30を載置、あるいは形成することによって様々な分野に応用させることができる。即ち、前記変位伝達部材30は、本実施の形態に係る圧電/電歪素子10の実施態様に応じて様々なものを使用することができる。
【0062】
例えばこの圧電/電歪素子10をディスプレイの画素として使用する場合は、図10に示すように、光導波板40をアクチュエータ基板12と対向させて配置し、更に、光導波板40とアクチュエータ基板12間に複数の桟42を形成し、各画素に対応させてアクチュエータ部14を配置するという構成を採用することができる。図10では、光導波板40と桟42との間にそれぞれ光遮蔽層44を形成した例を示す。
【0063】
各アクチュエータ部14上には例えば白色散乱体46、着色層48及び透明層50という樹脂による積層体にて構成された画素構成体52が形成され、この画素構成体52は、アクチュエータ部14の変位動作に応じて光導波板40に対して接触離隔することとなる。
【0064】
この光導波板40には、図示しない光源から光が導入されており、アクチュエータ部14の変位動作によって画素構成体52の端面が接触することで、光導波板40の前面(表示面)のうち、前記画素構成体52に対応した位置から光が発することになる。つまり、画素構成体52の光導波板40への接触の有無により、表示面における光の発光(漏れ光)の有無を制御することで、表示面に画像が表示されることになる。
【0065】
ところで、例えば図9及び図10の構成において、前記薄板層12Cの厚みとしては、アクチュエータ部14を大きく変位させるために、通常50μm以下とされ、好ましくは3〜20μm程度とされる。
【0066】
スペーサ層12Bは、アクチュエータ基板12に空所16を構成するものとして存在していればよく、その厚みは特に制限されるものではない。しかし一方で、空所16の利用目的に応じてその厚みを決定してもよく、その中でもアクチュエータ部14が機能する上で必要以上の厚みを有さず、例えば図11に示すように、薄い状態で構成されていることが好ましい。即ち、スペーサ層12Bの厚みは、利用するアクチュエータ部14の変位の大きさ程度であることが好ましい。
【0067】
このような構成により、薄肉の部分(振動部20の部分)の撓みが、その撓み方向に近接する基板層12Aにより制限され、意図しない外力の印加に対して、前記薄肉部分の破壊を防止するという効果が得られる。なお、基板層12Aによる撓みの制限効果を利用して、アクチュエータ部14の変位を特定値に安定させることも可能である。
【0068】
また、スペーサ層12Bを薄くすることで、アクチュエータ基板12自体の厚みが低減し、曲げ剛性を小さくすることができるため、例えばアクチュエータ基板12を別体に接着・固定するにあたって、相手方(例えば光導波板40)に対し、自分自身(この場合、アクチュエータ基板12)の反り等が効果的に矯正され、接着・固定の信頼性の向上を図ることができる。
【0069】
加えて、アクチュエータ基板12が全体として薄く構成されるため、アクチュエータ基板12の製造にあたっての原材料使用量を低減することができ、製造コストの観点からも有利な構造である。従って、スペーサ層12Bの具体的な厚みとしては、3〜50μmの厚みとすることが好ましく、中でも3〜20μmとすることが好ましい。
【0070】
一方、基板層12Aの厚みとしては、上述したスペーサ層12Bを薄く構成することから、アクチュエータ基板12全体の補強目的として、一般に50μm以上、好ましくは80〜300μm程度とされる。
【0071】
上述の実施の形態では、圧電/電歪材料として、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbZrO3−PbTiO3系のペロブスカイト型圧電/電歪材料を用いたが、前記Pb(Mg1/3Nb2/3)O3に代えて、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3、Pb(Yb1/2Nb1/2)O3、Pb(Sc1/2Ta1/2)O3等の複合ペロブスカイト型圧電/電歪材料を用いてもよい。また、これらPbを含むペロブスカイト型圧電/電歪材料には、特性や焼結性等の向上のために、LaやNi等による置換や添加が行われてもよい。
【0072】
なお、この発明に係る圧電/電歪素子は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【0073】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る圧電/電歪素子によれば、室温より高い環境下において長時間駆動しても、変位量の低下を抑えることができ、信頼性の向上及び耐用期間の長期間化を達成させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態に係る圧電/電歪素子を示す断面図である。
【図2】本実施の形態に係る圧電/電歪素子の第1の変形例を示す断面図である。
【図3】第1の変形例に係る圧電/電歪素子の電極構造を平面から見て示す図である。
【図4】本実施の形態に係る圧電/電歪素子の第2の変形例を示す断面図である。
【図5】本実施の形態に係る圧電/電歪素子の第3の変形例を示す断面図である。
【図6】本実施の形態に係る圧電/電歪素子の第4の変形例を示す断面図である。
【図7】図7Aはアクチュエータ部のヒステリシス特性を示す図であり、図7Bは負電界から正電界にわたる広いレンジにして駆動する場合の変位特性を示す図であり、図7Cは変位量の低下した状態の変位特性を示す図である。
【図8】図8A及び図8Bは、実験例(環境温度70℃、50時間連続駆動後のアクチュエータ部の変位量減少率の測定)の結果を示す表図である。
【図9】本実施の形態に係る圧電/電歪素子のアクチュエータ部上に変位伝達部材を載置、又は形成した状態を示す構成図である。
【図10】本実施の形態に係る圧電/電歪素子をディスプレイに適用した例を一部省略して示す構成図である。
【図11】本実施の形態に係る圧電/電歪素子をディスプレイに適用した他の例を一部省略して示す構成図である。
【符号の説明】
10、10a〜10d…圧電/電歪素子
12…アクチュエータ基板 14…アクチュエータ部
20…振動部 22…固定部
24…圧電/電歪層 26a、26b…一対の電極
26a…上部電極 26b…下部電極
30…変位伝達部材
Claims (2)
- 厚肉部を周縁部に持つ薄肉部を有するアクチュエータ基板上に、圧電/電歪層と、該圧電/電歪層に形成された少なくとも一対の電極とを有するアクチュエータ部が形成された圧電/電歪素子において、
前記アクチュエータ基板は、下層の基板層と中間層であるスペーサ層と最上層である薄板層の積層体であって、前記スペーサ層のうち、前記アクチュエータ部に対応する箇所に前記薄肉部を構成するための空所が形成され、
前記薄板層の厚みは3〜50μmであり、
前記スペーサ層の厚みは3〜50μmであり、
前記圧電/電歪層は、Pb(Mg 1/3 Nb 2/3 )O 3 −PbZrO 3 −PbTiO 3 系のPbの一部をSrで置換したペロブスカイト型圧電/電歪材料にMnをMnO2換算で0.1〜0.5wt%含み、
温度70℃、50時間連続駆動後における前記アクチュエータ部の変位量の初期変位量に対する減少率が15%以下であることを特徴とする圧電/電歪素子。 - 請求項1記載の圧電/電歪素子において、
前記連続駆動時に前記圧電/電歪層に印加される最小電界及び最大電界をそれぞれE1(V/mm)及びE2(V/mm)、抗電界をEc(V/mm)としたとき、
−0.8Ec≦E1≦0
1000≦E2≦4000
を満足するように駆動されることを特徴とする圧電/電歪素子。
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