JPH08236696A - 垂直方向集積化回路の各チップ層間の誘導による信号伝送用装置 - Google Patents
垂直方向集積化回路の各チップ層間の誘導による信号伝送用装置Info
- Publication number
- JPH08236696A JPH08236696A JP7297072A JP29707295A JPH08236696A JP H08236696 A JPH08236696 A JP H08236696A JP 7297072 A JP7297072 A JP 7297072A JP 29707295 A JP29707295 A JP 29707295A JP H08236696 A JPH08236696 A JP H08236696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- chip layer
- chip
- receiving
- induction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000001550 time effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
- H01L2225/06531—Non-galvanic coupling, e.g. capacitive coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Near-Field Transmission Systems (AREA)
Abstract
信号の接続を誘導により行う。 【解決手段】 集積回路チップを垂直方向に積層した立
体構造の集積回路において,一方のチップ層Ln内の垂
直方向に集積化した回路の一方の部分と別のチップ層L
n+x内の前記垂直方向に集積化した回路の別の部分との
間で、結合インダクタンスMを用いて誘導による信号伝
送を行う。 【効果】 各チップ層の相互調整及び夫々のチップ層の
表面の平坦度に極端に高い必要条件を課さずに、一方の
チップ層の内部から隣接チップ層の内部に直接、確実に
垂直方向に信号を接続することができて、任意に配置す
ることができる多数の信号接続部を構成できる。
Description
れた回路の各チップ層間の誘導による信号伝送用装置に
関する。
製造されるのが主流である。しかし、個別半導体チップ
上に達成できる回路パターンの複雑度は、その寸法及び
製造の際に用いられるプロセス技術によって制約されて
いる。
導体チップの複数の層を垂直方向に集積化する、即ち、
上下に重畳して電気接続することが行われ始めている。
垂直方向に集積化された回路(以下、短縮略語としてV
ICと呼ぶ)の場合、夫々3次元の回路構造は、相互に
独立して処理加工して製造された各個別チップ層(一般
に、接着張り合わせ用の層で結合されている)の積層体
から構成されている。垂直方向の接続部の電気的特性を
良好にして、接続密度を高くするために、組立ての前
に、各個別チップ層を相応の厚みになるように「薄膜
化」、即ち、エッチング又はスライス研磨してもよい。
SOI技術(Silicon on Insulator)の場合、埋め込み
酸化物が、薄膜板の「薄膜」用のエッチングストップと
して提供される。慣用技術のシリコン技術の場合、基板
は、チップ層内に含まれるMOSFETのフィールド酸化膜に
至るまで薄膜化することができ、又は、チップ層の下側
に数μm厚の基板層を設けてもよい。
WSI technology: stacked monolithic WSI", IEEE Tran
sactions on CHMT, Vol. 16, No.7, pp.610-614 から、
例えば、垂直方向に集積化された回路の各チップ層間の
電気的信号伝送用の装置構成が公知である。その際、例
えば、高い接続密度で、垂直方向の信号接続部の電気特
性を良好にするためには、比較的薄いチップ層の厚みを
約10μmにし、微細な金属接続部の直径を約1μmにする
必要がある。しかし、この場合に、各チップ層相互の調
整及びチップ表面の平坦度に極端に高い要求が課せられ
るという著しい欠点がある。
ば、刊行物 Val C., Leroy M., "The3D interconnectio
n -applications for mass memories and microprocess
ors",Proc. 24th Symp. on ISHM, 1991, pp.62-68 に提
案されているように、側面部を介してチップ層からチッ
プ層への接続を行う装置構成が公知であるが、垂直方向
の接続部を任意に配置できなかったり、上述のVICの場
合よりもサイズが大きくなってしまうという欠点があ
る。
ップ層の相互調整(位置合わせ:整合)及び夫々のチップ
層の表面の平坦度に極端に高い必要条件を課さないにも
拘らず、一方のチップ層の内部から隣接チップ層の内部
に直接、確実に垂直方向に信号接続路を形成することが
できて、任意に配置することができる多数の信号接続路
を構成することができる、垂直方向に集積化された回路
の各チップ層間の信号伝送用装置を提供することにあ
る。
ると、垂直方向に集積された回路の各チップ層間の誘導
による信号伝送用装置において、一方のチップ層Ln内
の回路の一方の部分と別のチップ層Ln+x内の前記回路
の別の部分との間の誘導による所定の信号伝送のために
結合インダクタンスMが設けられているように構成した
ことにより解決される。
層を代表して3つのチップ層が示されており、その際、
チップ層Lnには、送信装置Sが設けられており、チッ
プ層Ln+xには、受信装置Eが設けられている。この
際、3つのチップ層は、夫々給電電圧VDDおよびVS
Sが印加されている。送信装置Sは、入力側1を有して
おり、この入力側には、電圧U1が印加されており、2
つの出力側2および2´を有しており、該各出力側間に
は、電圧U2が印加されている。両出力側2および2´
は、チップ層Ln内の送信コイルSPsの各入力側と接続さ
れており、送信コイルSPSを介してコイル電流ILが流れ
る。チップ層Ln+x内にある受信装置Eは、2つの入力
側3及び3´(該各入力側には、電圧U3が印加されて
いる)を有していて、受信コイルSPEの各入力側と接続
されている。更に、受信装置Eは、出力側4を有してお
り、該出力側には、電圧U4が印加されている。両コイ
ルSPS及びSPEは、結合インダクタンスMを介して相互に
誘導的に結合されており、それにより、チップ層Lnか
らチップ層Ln+xへの信号伝送が行われる。
チップ層Ln+x内にあるのかどうか、受信装置Eがチッ
プ層Ln又はチップ層Ln+x内にあるのかどうかは、本発
明にとってはどうでもいいことである。
及びSPSが示されているが、必ずしも、隣接チップ層内
に、このように構成する必要はなく、従って、そのこと
は、チップ層の符号Ln+xによって示されている。しか
し、両コイルの結合度は、両コイルの間隔が増大するに
つれて低減するが、例えば、両コイル間に、場合によっ
ては、チップ層を設け、当該両コイル間に位置してる高
透磁率領域によって両コイルの結合度を大きくすること
もできる。
により設けられる別の送信コイルSPS´が示されてお
り、チップ層Ln+x内に、別の受信コイルSPE´が破線で
示されており、別の送信コイルと送信装置Sとの接続、
並びに、別の受信コイルと受信装置Eとの接続は、同様
に破線で示されている。送信コイルSPS及びSPS´によっ
て、相互に相補的な信号が送信され、コイルSPE及びSPE
´によって受信され、相応の受信ユニット内で差分が評
価される。この際、コイルに障害ノイズが結合された場
合、この障害ノイズは、各受信コイルに極めて均等に作
用し、即ち、各同相成分間の差分を比較評価することに
よって、障害ノイズ量をほぼ完全に抑圧することができ
る。
れており、その際、第1の時間ダイアグラムには、方形
波電圧U1が示されており、第2の時間ダイアグラムに
は、コイル電流ILが示されており、第3の時間ダイア
グラムには、受信装置Eでの入力電圧U3が示されてお
り、第4の時間ダイアグラムには、方形波出力電圧U4
が示されており、その際、出力電圧U4は、一般に、所
定の時間シフトによって、方形波入力電圧U1の定数分
だけ異なっている。その際、コイル電流ILは、電圧U1
の上昇縁で強く降下し、それに続いて、その最小値から
ほぼ指数関数的にゼロになるまで上昇し、電圧U1の負
の側縁によってコイル電流ILが急俊に上昇し、同様
に、続いて、ほぼ指数関数的に値ゼロになるまで戻る。
その際、電圧U3は、微分商-dIL/dtに比例し、ほぼ電圧
U1の上昇側縁の時点で、短時間、正方向に上昇し、電
圧U1の負の側縁毎に、電圧U3での負のパルスが生じ
る。電圧U4は、電圧U3の正パルスの時点で電圧U4の
最大値に切り替えられ、電圧U3の負のパルスによって
電圧U4の最小値に切り替えられる。
信コイルSPSから構成されている送信装置Sの一実施例
が示されている。その際、入力側1は、インバータI1を
介してインバータI2の入力側と接続されている。情報伝
送のために、送信コイルは、相応の極性の、短い電流パ
ルス(急峻な上昇側縁となだらかな降下経過特性を有し
ている)の各信号側縁毎に導通する。この作用は、図3
に示された送信装置Sによって、直列接続されたインバ
ータI2及びI3による走行時間効果の結果達成される。
されるべき各チップ層の金属化面内で上下方向に配設し
た各スパイラル状部によって形成される。その際、夫々
のコイルは、渦巻状部(金属膜)によって、一つ又は複
数の面内に形成することができる。寄生容量の最小化の
ために、複数面の構成の際、夫々の配線面内に各金属路
をずらして配設するようにされる。インダクタンスは、
寄生容量及びコイルの内部抵抗と共に、寄生LCR振動
回路を形成する。送/受信コイルの内部抵抗は、LCR
振動回路が非周期的な特性を有しているように選定しな
ければならない。
の際、3つのpチャンネル電界効果トランジスタT1…
T3及び3つのnチャンネルトランジスタT4…T6が
設けられており、その際、トランジスタT1及びT4
は、第1のインバータI1を構成し、トランジスタT2及
びT5は、第2のインバータI2を構成し、トランジスタ
T3及びT6は、インバータI3を構成している。各イン
バータ段は、夫々給電電圧VDD及びVSSが印加され
ている。図3に示されている送信コイルSPSは、図4に
おいて、橋絡接続されたπ形回路の形式の等価回路によ
って等価的に示されている。その際、等価回路図は、イ
ンダクタンスL及び該インダクタンスに対して直列接続
された抵抗Rを有しており、この抵抗Rは、寄生容量C
2によって橋絡されており、その際、直列回路の両端
は、寄生容量C1及びC3を介して接地電位VSSと接
続されている。トランジスタT1及びT4とトランジス
タT3及びT6とから構成されたインバータI1及びI3に
よって、送信コイルが制御される。入力側1に加えられ
る送信入力信号の側縁の急峻性及びインバータI1の回路
定数選定によって、コイル電流ILの電流パルスの上昇
側縁の急峻性が制御される。電流パルスの下降側縁、従
って、その持続期間も、インバータI2及びI3を介して調
整される。コイルは、常に、極めて短時間しか、電流I
Lによって導通されないので、送信部は、静的(スタテ
ィック)であって何等電力を消費しない。
…T6のチャンネル幅は、例えば、100μm,2.5μm,100
μm,40μm,1μm,40μmの順序の大きさであり、トランジ
スタT1…T6のチャンネルの長さは、夫々0.5μmの大
きさである。
の原理回路図が示されている。その際、受信装置E´
は、中間タップを有する受信コイルSPMEを有しており、
その際、中間タップは、基準電位Vrefと接続されてい
る。基準電位と接続されていない、コイルSPMEの第1の
部分の端子は、増幅器AMPの非反転入力側と接続されて
おり、基準電位と接続された、コイルSPMEの第2の部分
の端子は、差動増幅器AMPの反転入力側と接続されてお
り、該差動増幅器AMPの出力側は、インバータI4を介し
て、インバータI5の入力側及びインバータI6の出力側と
接続されている。その際、インバータI5及びI6は、相互
に逆向きに並列接続されていて、保持素子を構成してお
り、その際、インバータI5の出力側及びインバータI6の
入力側は、受信装置E´の出力側4と接続されている。
タT6´…T10´及び中間タップを有するコイルSPME
の等価回路図が示されている。トランジスタT1´及び
T6´並びにトランジスタT2´及びT7´は、夫々差
動増幅器AMPの分岐部を構成しており、その際、トラン
ジスタT1´及びT2´の夫々一つの端子は、給電電圧
VDDと接続されており、トランジスタT6´及びT7´
の端子は、給電電圧VSSと接続されている。トランジス
タT1´及びT2´の各ゲート端子は、両トランジスタ
T1´及びT6´の接続点と接続されている。コイルSP
MEの等価回路図は、コイルの各部分に対して、夫々、イ
ンダクタンスLと該インダクタンスに対して直列に接続
されたコイルの直列抵抗分Rとから構成されており、そ
の際、両インダクタンス及び両内部抵抗分は、寄生容量
C2によって橋絡接続されている。橋絡接続された直列
接続体の両端は、差動増幅器の各入力側と接続されてお
り、この差動増幅器の各入力側は、トランジスタT6´
及びT7´のゲート端子に相応しており、コイルSPMEの
等価回路図の寄生容量C1及びC3を介して接地電位VS
Sと接続されている。トランジスタT3´及びT8´
は、インバータI4を構成しており、トランジスタT5´
及びT10´は、インバータI5´を構成しており、トラ
ンジスタT4´及びT9´は、インバータI6を構成して
いる。
チャンネル幅は、例えば、6μm,6μm,7.5μm,2.5μm,7.
5μm,5μm,5μm,3μm,1μm,3μmの順序で選定すること
ができる。トランジスタT1´…T10´のチャンネル
の長さは、例えば、夫々0.5μmに選定することができ
る。
相互に反対方向に誘起される電圧は、差動増幅器段を介
して増幅される。トランジスタT3´及びT8´から成
るインバータI4は、信号の別の増幅及び差動増幅段AMP
の減結合、及び、インバータI5及びI6から構成された保
持素子に使用される。その際、増幅されたパルスは、保
持素子によって、静的CMOSレベルに切替られる。
の原理回路図が示されており、その際、基準電位Vrefと
接続されたコイルSPEの、基準電圧と接続されていない
方の一方の端子は、差動増幅器AMP´の反転入力側と接
続されている。この際、差動増幅器AMP´の非反転入力
側は、抵抗R1を介して基準電位Vref及びコイルの一方
の端子と接続されており、抵抗R2は、差動増幅器AMP
´の出力側から非反転入力側へのフィードバック接続部
を構成しており、この構成は、差動増幅器AMP´のヒス
テリシス特性に作用する正帰還に相応する。差動増幅器
AMP´の出力側は、インバータI7を介して受信装置E´
´の出力側に接続されている。
詳細に示されており、該回路には、2つのpチャンネル
トランジスタT1´´及びT2´´並びに、nチャンネ
ルトランジスタT3´´…T6´´及び中間タップを有
するコイルSPME用の等価回路(図5乃至図6に詳細に記
載されている)が設けられている。トランジスタT1´
´及びT4´´並びにトランジスタT2´´及びT6´
´は、夫々対になって直列に接続されており、給電電圧
VDD及びVSS間に接続されており、その際、トランジスタ
T1´´及びT2´´の各ゲート端子は、両トランジス
タT1´´及びT4´´間の接続点に接続されている。
トランジスタT1´´及びT4´´間の接続点は、トラ
ンジスタT3´´及びT5´´の直列回路を介して給電
電圧VSSに接続されており、その際、トランジスタT3
´´のゲート端子は、トランジスタT2´´及びT6´
´間の接続点(同時に出力側を示す)に接続されてお
り、その際、トランジスタT4´´及びT5´´の各ゲ
ート端子は、コイルSPMEの一方の端に接続されており、
トランジスタT6´´のゲート端子は、コイルSPMEの他
方の端に接続されている。伝送される電圧パルスの、静
的信号への変換は、ここでは、比較回路内のヒステリシ
ス特性によって行われる。トランジスタT4´´,T5
´´及びT6´´は、静的作動状態において、原理的に
電流源として接続されている。トランジスタT1´´及
びT2´´は、所定電流レベルを形成している。ヒステ
リシス特性は、トランジスタT5によって形成された電
流源の、出力信号に依存するオンオフ切換によって形成
され、その際、出力側が低レベルの場合、トランジスタ
T3は遮断され、従って、トランジスタT2に対して鏡
対称の電流は、トランジスタT6´´が直線領域内で小
さなドレイン-ソース電圧で作動されるように小さい。
そうすることによって、出力側4の出力レベルを、小さ
いままにしておくことができる。相応のようにして、出
力側4も高レベルのままにしておくことができる。信号
パルスが伝送されると、受信コイルSPME内に生じる電圧
パルスは、受信装置内の作動過程を開始する。
refは、例えば、約1ボルトの直流電圧で形成すること
ができ、例えば、カレントミラーによって構成すること
ができる。
5nHに至るまで、200MHz以上の周波数で確実に機能する
ことがシミュレーションによって検証されている。
比較的大きく変動しても許容することができるように構
成することができ、そうすることによって、各チップ層
の各表面が波打っていたり、各チップ層間の接着張り合
わせ用の層が均一でなかったりして、コイルの間隔が変
動して結合インダクタンスが変動した場合でも、信号伝
送が確実に機能するようにすることができる。送/受信
装置及び結合インダクタンスを相応に選定した場合、相
互に直接隣接していない各チップ層間でも比較的確実に
信号伝送することができるようになる。誘導により信号
伝送を行うので、送信信号を、種々異なった各チップ層
での種々異なった受信装置によって評価することができ
るようになり、それにより、例えば、クロックパルス又
はバス信号の分配が容易になる。各チップ層が、場合に
よっては、横方向にずれたとしても、適切な装置構成に
よって、そのようなずれに対して許容し得るようにコイ
ルを構成することができる。アダプタ式の構造の使用に
より、送/受信装置を用いて、各個別チップ層を直接、
接触しないで検査することができる。無接触での信号伝
送の際、各チップ層間の電気的接続部の製造・形成のた
めに、特別に革新的でコスト高な処理ステップを用いな
いで済む。
ロセス技術で慣用されている殆ど全ての材料を介して情
報を転送することができるようになり、それにより、垂
直方向のコンタクトの製造・形成を著しく簡単にするこ
とができる。それとは異なり、VICの各チップ層間の
電気的な信号伝送用の装置の場合、伝送される信号が導
電性の半導体基板によって絶縁性を保持しつつ案内され
る必要があるという問題点がある。そのために、誘導性
の信号伝送の場合は、処理の際、導電性基板を使用でき
るので特に有利である。
複数チップ層を示す図である。
グラムを示す図である。
す図である。
回路図を示す図である。
示す図である。
回路図を示す図である。
示す図である。
層、 Ln+x 別のチップ層、 E,E´,E´´ 受
信装置、 S 送信装置、 SPE,SPME 受信コイル、
SPS 送信コイル、 VSS,VDD 給電装置、 M
結合インダクタンス、 I1,I2,I3 インバータ
Claims (6)
- 【請求項1】 一方のチップ層(Ln)内の回路の一方
の部分と、別のチップ層(Ln+x)内の前記回路の別の
部分との間の誘導による所定の信号伝送のために、結合
インダクタンス(M)が設けられていることを特徴とす
る垂直方向に集積された回路の各チップ層間の誘導によ
る信号伝送用装置。 - 【請求項2】 別のチップ層(Ln+x)内に、受信装置
(E)が設けられており、一方のチップ層(Ln)内
に、送信装置(S)が設けられており、前記受信装置
(E)及び前記送信装置(S)は、結合インダクタンス
(M)を介して相互に結合されており、前記結合インダ
クタンス(M)は、横方向に構成された送信コイル(S
PS)及び横方向に構成された受信コイル(SPE)によって構
成されており、前記送信コイル(SPS)は、前記一方のチ
ップ層(Ln)の一構成部分を構成し、前記受信コイル
(SPE)は、前記別のチップ層(Ln+x)の一構成部分を構
成している請求項1記載の装置。 - 【請求項3】 送信装置(S)は、信号遅延ユニット(I
2,I3)及び送信コイル(SPS)を有している請求項2記載の
装置。 - 【請求項4】 受信装置(E´)は、後置接続された保
持素子と共に比較器として構成されていて、該比較器の
各入力側には、各受信コイル(SPE)が接続されている請
求項2記載の装置。 - 【請求項5】 受信装置(E´´)は、ヒステリシス特性
を有する比較器として構成されており、当該受信装置の
各入力側には、受信コイル(SPE)が接続されている請求
項2記載の装置。 - 【請求項6】 一方のチップ層(Ln)は、付加的に、
横方向に構成された別の送信コイル(SP´S)を有してお
り、別のチップ層(Ln+x)は、横方向に構成された別
の送信コイル(SP´E)を有しており、前記送信コイル(SP
S)から前記受信コイル(SPE)に伝送される通常の信号に
対して付加的に、前記別の送信コイル(SPS´)から前記
別の受信コイル(SPE´)に、前記通常の信号に対して相
補的な信号が伝送され、前記通常の信号も前記相補的な
信号も受信装置(E)内で差分が、乃至、区分的に評価
される請求項2〜5までの何れか1項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4440864 | 1994-11-15 | ||
DE4440864.1 | 1994-11-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08236696A true JPH08236696A (ja) | 1996-09-13 |
JP3793265B2 JP3793265B2 (ja) | 2006-07-05 |
Family
ID=6533429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29707295A Expired - Lifetime JP3793265B2 (ja) | 1994-11-15 | 1995-11-15 | 垂直方向集積化回路の各チップ層間の誘導による信号伝送用装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5701037A (ja) |
EP (1) | EP0714131B1 (ja) |
JP (1) | JP3793265B2 (ja) |
DE (1) | DE59504900D1 (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005513824A (ja) * | 2001-05-08 | 2005-05-12 | フォームファクター,インコーポレイテッド | 電磁結合相互接続システム・アーキテクチャ |
WO2007029435A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Nec Corporation | 伝送方法、インターフェース回路、半導体装置、半導体パッケージ、半導体モジュールおよびメモリモジュール |
WO2007145086A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Nec Corporation | 半導体装置、信号伝送装置および信号伝送方法 |
JP2009026792A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2010003907A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
WO2010073884A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
JP2010283817A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | ガルバニックアイソレータ |
US7906846B2 (en) | 2005-09-06 | 2011-03-15 | Nec Corporation | Semiconductor device for implementing signal transmission and/or power supply by means of the induction of a coil |
US7928750B2 (en) | 2004-02-05 | 2011-04-19 | Formfactor, Inc. | Contactless interfacing of test signals with a device under test |
JP2011146934A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Nec Corp | 送信回路、受信回路、送信方法、受信方法及び信号伝達システム |
US8089107B2 (en) | 2006-03-14 | 2012-01-03 | Sony Corporation | Three-dimensional integrated device |
JP4860637B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2012-01-25 | 日本電気株式会社 | 信号伝送方式及び半導体集積回路装置 |
US8399960B2 (en) | 2008-03-13 | 2013-03-19 | Nec Corporation | Semiconductor device |
EP2645589A1 (en) | 2012-03-30 | 2013-10-02 | Renesas Electronics Corporation | Receiver and semiconductor integrated circuit having the same |
US8588681B2 (en) | 2007-02-23 | 2013-11-19 | Nec Corporation | Semiconductor device performing signal transmission by using inductor coupling |
US8633577B2 (en) | 2006-01-24 | 2014-01-21 | Renesas Electronics Corporation | Integrated circuit device |
US8710964B2 (en) | 2009-02-20 | 2014-04-29 | Nec Corporation | Reception circuit and signal reception method |
US9019057B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-04-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Galvanic isolators and coil transducers |
US9105391B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-08-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | High voltage hold-off coil transducer |
US9143205B2 (en) | 2007-09-12 | 2015-09-22 | Nec Corporation | Data transmission device and data transmission method |
US11923598B2 (en) | 2011-05-12 | 2024-03-05 | Molex, Llc | Scalable high-bandwidth connectivity |
Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6873065B2 (en) * | 1997-10-23 | 2005-03-29 | Analog Devices, Inc. | Non-optical signal isolator |
US20030042571A1 (en) * | 1997-10-23 | 2003-03-06 | Baoxing Chen | Chip-scale coils and isolators based thereon |
EP1186039B1 (de) * | 1999-05-03 | 2006-11-08 | Infineon Technologies AG | Verfahren und vorrichtung zur sicherung eines mehrdimensional aufgebauten chipstapels |
US6262600B1 (en) * | 2000-02-14 | 2001-07-17 | Analog Devices, Inc. | Isolator for transmitting logic signals across an isolation barrier |
US6612852B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-09-02 | Molex Incorporated | Contactless interconnection system |
US6362972B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-03-26 | Molex Incorporated | Contactless interconnection system |
DE10243197B4 (de) | 2002-09-18 | 2011-05-05 | Infineon Technologies Ag | Digitales Signalübertragungsverfahren |
US7075329B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-07-11 | Analog Devices, Inc. | Signal isolators using micro-transformers |
JP4131544B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2008-08-13 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
US7460604B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-12-02 | Silicon Laboratories Inc. | RF isolator for isolating voltage sensing and gate drivers |
US7738568B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-06-15 | Silicon Laboratories Inc. | Multiplexed RF isolator |
US8169108B2 (en) * | 2004-06-03 | 2012-05-01 | Silicon Laboratories Inc. | Capacitive isolator |
US8198951B2 (en) | 2004-06-03 | 2012-06-12 | Silicon Laboratories Inc. | Capacitive isolation circuitry |
US7902627B2 (en) | 2004-06-03 | 2011-03-08 | Silicon Laboratories Inc. | Capacitive isolation circuitry with improved common mode detector |
US7737871B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-06-15 | Silicon Laboratories Inc. | MCU with integrated voltage isolator to provide a galvanic isolation between input and output |
US7577223B2 (en) * | 2004-06-03 | 2009-08-18 | Silicon Laboratories Inc. | Multiplexed RF isolator circuit |
US8049573B2 (en) | 2004-06-03 | 2011-11-01 | Silicon Laboratories Inc. | Bidirectional multiplexed RF isolator |
US7447492B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-11-04 | Silicon Laboratories Inc. | On chip transformer isolator |
US7421028B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-09-02 | Silicon Laboratories Inc. | Transformer isolator for digital power supply |
US7302247B2 (en) * | 2004-06-03 | 2007-11-27 | Silicon Laboratories Inc. | Spread spectrum isolator |
US7821428B2 (en) * | 2004-06-03 | 2010-10-26 | Silicon Laboratories Inc. | MCU with integrated voltage isolator and integrated galvanically isolated asynchronous serial data link |
US8441325B2 (en) | 2004-06-03 | 2013-05-14 | Silicon Laboratories Inc. | Isolator with complementary configurable memory |
US7376212B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-05-20 | Silicon Laboratories Inc. | RF isolator with differential input/output |
JP4677598B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2011-04-27 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
JP4124365B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2008-07-23 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
GB0420086D0 (en) * | 2004-09-10 | 2004-10-13 | Ibm | Data processing system and method |
JP5024740B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2012-09-12 | 学校法人慶應義塾 | Lsiチップ試験装置 |
JP2006173986A (ja) | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Keio Gijuku | 電子回路 |
DE102005020615B4 (de) * | 2005-05-03 | 2010-03-11 | Infineon Technologies Austria Ag | Signalübertragungsanordnung mit einem Transformator und einer Empfängerschaltung |
JP4918795B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2012-04-18 | 富士電機株式会社 | パワーエレクトロニクス機器 |
JP2007250891A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | パワーエレクトロニクス機器 |
US7719305B2 (en) * | 2006-07-06 | 2010-05-18 | Analog Devices, Inc. | Signal isolator using micro-transformers |
US7864546B2 (en) * | 2007-02-13 | 2011-01-04 | Akros Silicon Inc. | DC-DC converter with communication across an isolation pathway |
US7923710B2 (en) | 2007-03-08 | 2011-04-12 | Akros Silicon Inc. | Digital isolator with communication across an isolation barrier |
US7701731B2 (en) | 2007-02-13 | 2010-04-20 | Akros Silicon Inc. | Signal communication across an isolation barrier |
US20080181316A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Philip John Crawley | Partitioned Signal and Power Transfer Across an Isolation Barrier |
KR101495823B1 (ko) * | 2007-11-26 | 2015-02-25 | 각고호우징 게이오기주크 | 전자회로 |
US8089311B2 (en) * | 2008-01-22 | 2012-01-03 | Analog Devices, Inc. | Signal amplifier |
JP5600237B2 (ja) * | 2008-02-02 | 2014-10-01 | 学校法人慶應義塾 | 集積回路 |
US8084894B2 (en) * | 2008-02-04 | 2011-12-27 | Analog Devices, Inc. | Solid state relay |
JP5475962B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2014-04-16 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
JP5671200B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2015-02-18 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
US20100054001A1 (en) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | Kenneth Dyer | AC/DC Converter with Power Factor Correction |
US7983059B2 (en) * | 2008-09-02 | 2011-07-19 | Analog Devices, Inc. | High frequency power converter based on transformers |
US8582669B2 (en) * | 2008-10-30 | 2013-11-12 | Analog Devices, Inc. | Noise reduction circuit in a digital isolator system |
US9177715B2 (en) * | 2010-11-23 | 2015-11-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for inductive wireless signaling |
US8451032B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-05-28 | Silicon Laboratories Inc. | Capacitive isolator with schmitt trigger |
US8558344B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Analog Devices, Inc. | Small size and fully integrated power converter with magnetics on chip |
CN103368535B (zh) * | 2012-03-30 | 2017-10-31 | 瑞萨电子株式会社 | 接收器和具有该接收器的半导体集成电路 |
US9431168B2 (en) | 2012-06-13 | 2016-08-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Contactless interconnect |
US9148975B2 (en) | 2012-06-22 | 2015-09-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electronic interconnect method and apparatus |
US8786393B1 (en) | 2013-02-05 | 2014-07-22 | Analog Devices, Inc. | Step up or step down micro-transformer with tight magnetic coupling |
US9293997B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-22 | Analog Devices Global | Isolated error amplifier for isolated power supplies |
TWI492554B (zh) * | 2013-07-04 | 2015-07-11 | 義守大學 | 訊號傳輸系統與訊號傳輸電路 |
US10270630B2 (en) | 2014-09-15 | 2019-04-23 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
US10536309B2 (en) | 2014-09-15 | 2020-01-14 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
US9660848B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-05-23 | Analog Devices Global | Methods and structures to generate on/off keyed carrier signals for signal isolators |
US9998301B2 (en) | 2014-11-03 | 2018-06-12 | Analog Devices, Inc. | Signal isolator system with protection for common mode transients |
WO2016132518A1 (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | 株式会社PEZY Computing | 信号処理装置 |
EP3293888B1 (en) | 2016-09-13 | 2020-08-26 | Allegro MicroSystems, LLC | Signal isolator having bidirectional communication between die |
US11040639B2 (en) | 2018-05-04 | 2021-06-22 | Lear Corporation | Track assembly |
US10882420B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-01-05 | Lear Corporation | Track assembly |
US10906431B2 (en) | 2018-05-04 | 2021-02-02 | Lear Corporation | Track assembly |
US10850645B2 (en) | 2018-05-04 | 2020-12-01 | Lear Corporation | Track assembly |
US11358497B2 (en) | 2018-05-04 | 2022-06-14 | Lear Corporation | Track system having a rolling member |
US10926667B2 (en) | 2018-05-04 | 2021-02-23 | Lear Corporation | Track assembly |
US11040638B2 (en) | 2018-05-04 | 2021-06-22 | Lear Corporation | Track assembly |
US11440482B2 (en) | 2018-12-10 | 2022-09-13 | Lear Corporation | Track assembly |
US11225201B2 (en) | 2018-12-10 | 2022-01-18 | Lear Corporation | Track assembly |
US11613220B2 (en) | 2018-12-17 | 2023-03-28 | Lear Corporation | Electrical assembly |
US11117538B2 (en) | 2018-12-17 | 2021-09-14 | Lear Corporation | Electrical assembly |
US10855037B2 (en) | 2018-12-17 | 2020-12-01 | Lear Corporation | Support assembly with a support member and a track assembly |
US10950977B2 (en) | 2018-12-18 | 2021-03-16 | Lear Corporation | Track assembly for a vehicle component |
US11975665B2 (en) | 2019-02-20 | 2024-05-07 | Lear Corporation | Electrical assembly |
US11040653B2 (en) | 2019-02-25 | 2021-06-22 | Lear Corporation | Track assembly |
US11299075B2 (en) | 2019-03-06 | 2022-04-12 | Lear Corporation | Electrical assembly |
US11807142B2 (en) | 2019-03-06 | 2023-11-07 | Lear Corporation | Electrical track assembly |
US11115244B2 (en) | 2019-09-17 | 2021-09-07 | Allegro Microsystems, Llc | Signal isolator with three state data transmission |
US11323114B2 (en) | 2019-10-04 | 2022-05-03 | Lear Corporation | Electrical system |
US11634101B2 (en) | 2019-10-04 | 2023-04-25 | Lear Corporation | Removable component system |
US11463083B2 (en) | 2019-10-04 | 2022-10-04 | Lear Corporation | Electrical system |
US11906028B2 (en) | 2020-02-21 | 2024-02-20 | Lear Corporation | Track system with a support member |
US11296750B2 (en) * | 2020-05-12 | 2022-04-05 | Nxp B.V. | Near-field wireless device including a first near-field antenna and a second near-field antenna |
US11505141B2 (en) | 2020-10-23 | 2022-11-22 | Lear Corporation | Electrical system with track assembly and support assembly |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2902002A1 (de) * | 1979-01-19 | 1980-07-31 | Gerhard Krause | Dreidimensional integrierte elektronische schaltungen |
JPS5837948A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Toshiba Corp | 積層半導体記憶装置 |
JPS61288455A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Fujitsu Ltd | 多層半導体装置の製造方法 |
GB2253308B (en) * | 1986-09-26 | 1993-01-20 | Gen Electric Co Plc | Semiconductor circuit arrangements |
JPH01157896A (ja) * | 1987-09-28 | 1989-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 非接触型icカード及び非接触型カードリーダライタ |
DE4215956C2 (de) * | 1992-05-14 | 1994-04-28 | Siemens Ag | Informationsübertragungssystem, bestehend aus einer Schreib/Leseeinheit und einer tragbaren Datenträgeranordnung |
JP2713529B2 (ja) * | 1992-08-21 | 1998-02-16 | 三菱電機株式会社 | 信号受信用コイルおよびこれを使用した非接触icカード |
DE4314907C1 (de) * | 1993-05-05 | 1994-08-25 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von vertikal miteinander elektrisch leitend kontaktierten Halbleiterbauelementen |
-
1995
- 1995-10-27 US US08/549,068 patent/US5701037A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-06 DE DE59504900T patent/DE59504900D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-06 EP EP95117634A patent/EP0714131B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-15 JP JP29707295A patent/JP3793265B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009124714A (ja) * | 2001-05-08 | 2009-06-04 | Formfactor Inc | 電磁結合相互接続システム・アーキテクチャ |
JP2005513824A (ja) * | 2001-05-08 | 2005-05-12 | フォームファクター,インコーポレイテッド | 電磁結合相互接続システム・アーキテクチャ |
US7889022B2 (en) | 2001-05-08 | 2011-02-15 | Formfactor, Inc. | Electromagnetically coupled interconnect system architecture |
US7612630B2 (en) | 2001-05-08 | 2009-11-03 | Formfactor, Inc. | Electromagnetically coupled interconnect system architecture |
US7928750B2 (en) | 2004-02-05 | 2011-04-19 | Formfactor, Inc. | Contactless interfacing of test signals with a device under test |
JP4784773B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-10-05 | 日本電気株式会社 | 伝送方法、インターフェース回路、半導体装置、半導体パッケージ、半導体モジュールおよびメモリモジュール |
US8190086B2 (en) | 2005-09-02 | 2012-05-29 | Nec Corporation | Transmission method, interface circuit, semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module and memory module |
JPWO2007029435A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2009-03-12 | 日本電気株式会社 | 伝送方法、インターフェース回路、半導体装置、半導体パッケージ、半導体モジュールおよびメモリモジュール |
WO2007029435A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Nec Corporation | 伝送方法、インターフェース回路、半導体装置、半導体パッケージ、半導体モジュールおよびメモリモジュール |
US7906846B2 (en) | 2005-09-06 | 2011-03-15 | Nec Corporation | Semiconductor device for implementing signal transmission and/or power supply by means of the induction of a coil |
US8633577B2 (en) | 2006-01-24 | 2014-01-21 | Renesas Electronics Corporation | Integrated circuit device |
JP4860637B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2012-01-25 | 日本電気株式会社 | 信号伝送方式及び半導体集積回路装置 |
US8477855B2 (en) | 2006-01-30 | 2013-07-02 | Nec Corporation | Signal transmission system and semiconductor integrated circuit device |
KR101350653B1 (ko) * | 2006-03-14 | 2014-01-10 | 소니 주식회사 | 3차원 집적 장치 |
US8089107B2 (en) | 2006-03-14 | 2012-01-03 | Sony Corporation | Three-dimensional integrated device |
WO2007145086A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Nec Corporation | 半導体装置、信号伝送装置および信号伝送方法 |
US9019057B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-04-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Galvanic isolators and coil transducers |
US9105391B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-08-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | High voltage hold-off coil transducer |
US8588681B2 (en) | 2007-02-23 | 2013-11-19 | Nec Corporation | Semiconductor device performing signal transmission by using inductor coupling |
JP2009026792A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US9143205B2 (en) | 2007-09-12 | 2015-09-22 | Nec Corporation | Data transmission device and data transmission method |
US8399960B2 (en) | 2008-03-13 | 2013-03-19 | Nec Corporation | Semiconductor device |
US8039936B2 (en) | 2008-06-20 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP2010003907A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US8467256B2 (en) | 2008-12-26 | 2013-06-18 | Keio University | Electronic circuit |
JP2010153754A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Keio Gijuku | 電子回路 |
WO2010073884A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
US8710964B2 (en) | 2009-02-20 | 2014-04-29 | Nec Corporation | Reception circuit and signal reception method |
JP2010283817A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | ガルバニックアイソレータ |
JP2011146934A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Nec Corp | 送信回路、受信回路、送信方法、受信方法及び信号伝達システム |
US11923598B2 (en) | 2011-05-12 | 2024-03-05 | Molex, Llc | Scalable high-bandwidth connectivity |
EP2645589A1 (en) | 2012-03-30 | 2013-10-02 | Renesas Electronics Corporation | Receiver and semiconductor integrated circuit having the same |
US9001901B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-04-07 | Renesas Electronics Corporation | Receiver and semiconductor integrated circuit having the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0714131B1 (de) | 1999-01-20 |
EP0714131A1 (de) | 1996-05-29 |
US5701037A (en) | 1997-12-23 |
DE59504900D1 (de) | 1999-03-04 |
JP3793265B2 (ja) | 2006-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3793265B2 (ja) | 垂直方向集積化回路の各チップ層間の誘導による信号伝送用装置 | |
US8319573B2 (en) | Signal transmission arrangement | |
KR101066128B1 (ko) | 전자회로 | |
US5818112A (en) | Arrangement for capacitive signal transmission between the chip layers of a vertically integrated circuit | |
US6873065B2 (en) | Non-optical signal isolator | |
US6737887B2 (en) | Current mode signal interconnects and CMOS amplifier | |
US6816011B2 (en) | RF power amplifier and method for packaging the same | |
EP1388988A2 (en) | Chip-scale coils and isolators based thereon | |
US7825764B2 (en) | Signal transmitter and signal transmission apparatus | |
JP2018510605A (ja) | レベルシフタ | |
CN1989702A (zh) | 扩展频谱隔离器 | |
JP2013165382A (ja) | 論理信号絶縁伝送回路 | |
US10699995B2 (en) | Isolator with symmetric multi-channel layout | |
US6987412B2 (en) | Sense amplifying latch with low swing feedback | |
US20060276155A1 (en) | Signal transmission arrangement having a transformer and a receiver circuit | |
US10804845B2 (en) | Apparatus for communication across a capacitively coupled channel | |
US11533027B2 (en) | Low power receiver circuit for isolated data communications | |
US20210057330A1 (en) | Single chip signal isolator | |
WO2007145086A1 (ja) | 半導体装置、信号伝送装置および信号伝送方法 | |
JP2008067288A (ja) | 受信器及び半導体装置 | |
US20240170476A1 (en) | Integrated circuit providing galvanic isolation and device including the same | |
Von Daak et al. | Isolated capacitively coupled MOS driver circuit with bidirectional signal transfer | |
SU1707655A1 (ru) | Элемент интегральной схемы | |
JPH0230210A (ja) | クロック二逓倍回路 | |
JPH0230211A (ja) | クロック二逓倍回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110414 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140414 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |