SU1707655A1

SU1707655A1 - Элемент интегральной схемы

Info

Publication number: SU1707655A1
Application number: SU894630777A
Authority: SU
Inventors: Валентин Андреевич Автономов; Владимир Сергеевич Корсаков; Борис Иванович Седунов; Виктор Иванович Мишачев; Валерий Владимирович Уздовский
Original assignee: Московский институт электронной техники
Priority date: 1989-01-02
Filing date: 1989-01-02
Publication date: 1992-01-23

Abstract

Изобретение касаетс микроэлектроники и может быть использовано в системых дл обработки данных в запоминающих устройствах . Цель изобретени - расширение функциональных возможностей и повышение плотности компоновки. Элемент интегральнойсхемы содержит полупроводниковую подложку 1. на поверхности которой размещен первый металлический электрод 2, соединенный емкостной св зью через слой диэлектрика 3 со вторым металлическим электродом 4, размещенным на плате 5. Данный элемент позвол ет осуществить коммутацию интегральных схем, изготовленных как по бипол рной, так и по КМОП-технологии. 1 ил. л С I- XJ О М о ел ел

Description

Изобретение относитс к микроэлектронике и может быть использовано в системах дл обработки данных и в запоминающих устройствах.

Цель изобретени - расширение функциональных возможностей и повышение плотности компоновки.

Нэ чертеже представлен элемент интегральной схемы.

Элемент содержит полупроводниковую подложку 1, на поверхности которой размещен первый металлический электрод 2, соединенный емкостной св зью через спой диэлектрика 3 с вторым металлическим электродом 4, размещенным на плате 5.

В качестве диэлектрика 3 использован полиимид, толщина которого выбрана равной 0,1-15 мкм.

Элемент интегральной схемы работает следующим образом.

На первый металлический электрод 2, расположенный на полупроодниковой подложке 1, подаетс импульсное напр жение Ui, например, значением до 5 В, за счет емкостной св зи между электродами 2 и 4 подложки 1 и платы 5 на втором металлическом электроде 4 платы 5 возникает импуль- сное напр жение, значение которого определ етс отношением емкостей, одна из которых вл етс паразитной емкостью электродом 4 платы 5 и землей (С2), а втора - емкость между электродами 2 и 4 (Ci). В состав емкости С входит и входна емкость приемника сигнала, например затвора МОП-транзистора, подсоединенного к электроду 4 платы 5.

Значение напр жени на электроде 4 платы 5 (U2) равно

or v

В реальных устройствах отношение емкостью -ж- не превышает единицы, поэтому

1)2 может уменьшатьс по отношению к Ui не более, чем а 2 раза.

Частотный диапазон работы элемента ограничен снизу частотой

fn1

2tfRCi

где R - выходное сопротивление приемника сигнала, подсоединенного к электроду 4.

Рекомендуетс использовать приемник с высоким входным сопротивлением, например МОП-тразистор, у которого R 108 Ом. Емкость Ci при размерах основани электрода 410x10 мкм и толщине зазора между

0 площадками 1 мкм составл ет 2 пФ, что дает оценку нижней граничной частоты н 10 Гц. Следовательно, данный элемент при указанных размерах позвол ет передавать импульсные сигналы с частотой выше

5 10МГц.

Увеличение размера основани электрода 4 до 100 х 100 мкм позвол ет снизить граничную частоту до 0.1 МГц, а уменьшение толщины полиимида до 0,1 мкм -до 0,01 МГц.

0 Помимо возможности увеличить (при че- тырехуровней степени интеграции практически на пор док) плотность компоновки элемент интегральной схемы позвол ет осуществл ть коммутацию интегральных схем.

5 изготовленных как по бипол рной, так и по КМОП-технологии, и, кроме того, открывает путь к комбинации подложек из различных материалов, например кремни и арсенида галли , и тем самым расшир ет функцио0 нэльные возможности интегральных схем (например, двухуровнева интегральна схема может содержать электронные и оп- тоэлектронные узлы).

Claims

Формула изобретени

5 Элемент интегральной схемы, содержащий полупроводниковую подложку, на поверхности которой размещен первый металлический электрод, соединенный емкостной св зью через слой диэлектрика с

0 вторым металлическим электродом, отличающийс тем, что, с целью расширени функциональных возможностей и повышени плотности компоновки, второй электрод размещен на плате, пои этом толщины элек5 тродов выбраны равными 2-20 мкм. а в качестве диэлектрика использован полиимид, толщина которого выбрана равной 0,1-15 мкм.