KR860000748A - 발진기 혼합기 회로 - Google Patents

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KR860000748A
KR860000748A KR1019850003712A KR850003712A KR860000748A KR 860000748 A KR860000748 A KR 860000748A KR 1019850003712 A KR1019850003712 A KR 1019850003712A KR 850003712 A KR850003712 A KR 850003712A KR 860000748 A KR860000748 A KR 860000748A
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KR
South Korea
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circuit
mixer
modulator circuit
oscillator
microwave
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Application number
KR1019850003712A
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Inventor
펜크 요세프
Original Assignee
드로스트, 후흐스
지멘스 악티엔 게젤샤프트
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    • H03C—MODULATION
    • H03C1/00—Amplitude modulation
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    • H03C—MODULATION
    • H03C1/00—Amplitude modulation
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    • H03C1/54—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
    • H03C1/542—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
    • H03C1/545—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/20—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
    • H03B5/24—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator active element in amplifier being semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

발진기 혼합기 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 구성된 집적 변조기 모둘형태로 발진기-혼합기 조합의 블록개요 회로도.
제2도는 발진기와 혼합기 단 사이의 결합캐패시턴스를 설명해주는 바람직한 실시예의 간단한 단면도.
제3도는 능동발진기회로와 주파수결정수동회로 사이의 출력터미날 및 혼합기의 출력터미날을 갖는 바람직한 실시예의 더욱 상세한 단면도.
* 도면의 주요 부호 설명
1:능동발진기, 2,3,4,6,7,8:터미날, 5:기준전위터미날, 10:버퍼, 11:혼합기(MIXEL), 12:무선주파수출력버퍼, 30:기판

Claims (7)

  1. 집적 초고주파/초단파 회로의 발진기 및 혼합기에 있어서, 능동발진기회로는 주파수 결정 수동회로를 배선함으로써 초고주파 및 다중 챈넬초단파에 적합하며, 혼합기는 하나의 단 혼합기와 반응하지 않도록 결합된 하나의 단 능동발진기회로를 사용함으로써 발진기 신호와 비데오 그리고/또는 음향 신호와 같은 유용한 신호를 혼합하는 것을 특징으로하는 변조기회로.
  2. 제1항에 있어서, 능동발진기와 혼합기 사이의 반응하지 않는 결합이 입력은 능동발진기의 출력에 반응하지 않도록 결합되고 출력은 혼합기의 입력에 결합되는 버퍼 단을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 변조기회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 반응하지 않는 결합이 MOS-캐패시터 및 차단층 캐패시터의 직렬 배열에 의해 형성된 집적 캐패시턴스 배열에 의해 나타나는 것을 특징으로하는 변조기회로.
  4. 어떤 앞선 항에 있어, MOS-캐패시터가 집적회로, 그리고 반도체 몸체위에 부전도성으로써 절연 부동층 및 절연-부동층을 가로질러 확장된 전도체 경로를 포함하는 반도체 몸체로 구성되며, 차단층 캐패시터는 집적회로의 반도체 몸체에 자리잡고 있는 도오프(doped)구역에서 적어도 하나의 pn-접합으로 형성되어 있는 것을 특징으로하는 변조기회로.
  5. 제4항에 있어서, MOS-캐패시터가 능동회로와 주파수 결정수동회로사이의 터미날과 혼합기회로의 출력터미날에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로하는 변조기회로.
  6. 제3항 또는 제4항 또는 제3항에 종속할때의 제5항에 있어서, 차단층 캐패시턴스가 높은 저항지로를 통해 기준전위에 접속되어 있는 것을 특징으로하는 변조기회로.
  7. 집적 초고주파/초단파 변조기회로의 발진기 및 혼합기에 있어서, 실질적으로 제1도에서 제3도에 기술되어 있는 것을 특징으로 하는 변조기회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850003712A 1984-06-07 1985-05-29 발진기 혼합기 회로 KR860000748A (ko)

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DE3421278 1984-06-07

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EP (1) EP0167007B1 (ko)
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0514054A (ja) * 1991-07-02 1993-01-22 Canon Inc 信号発生装置
US5650754A (en) * 1995-02-15 1997-07-22 Synergy Microwave Corporation Phase-loched loop circuits and voltage controlled oscillator circuits
CA2404721C (en) * 2001-10-12 2005-06-07 Research In Motion Limited Integral mixer and oscillator device
CN108717186B (zh) * 2018-08-06 2023-08-29 杰华智感(深圳)科技有限公司 微波感应模块

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3688214A (en) * 1970-01-23 1972-08-29 Harry Goldie Means for generating narrow microwave pulses
JPS584851B2 (ja) * 1975-10-27 1983-01-28 ソニー株式会社 シユウハスウヘンカンキ
US4052682A (en) * 1976-09-20 1977-10-04 National Semiconductor Corporation Multiple oscillator modulator circuit
DE3166196D1 (en) * 1980-11-03 1984-10-25 Siemens Ag Oscillation circuit which may take the form of an integrated circuit
DE3134936A1 (de) * 1981-09-03 1983-03-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierbare signalverarbeitende halbleiterschaltung
FR2544929B1 (fr) * 1983-04-20 1986-03-21 Adret Electronique Oscillateur a quartz a faible bruit

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ATE49832T1 (de) 1990-02-15
EP0167007A1 (de) 1986-01-08
DE3575641D1 (de) 1990-03-01
US4635003A (en) 1987-01-06
EP0167007B1 (de) 1990-01-24

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