KR900012372A - 절연-게이트 필드 효과트랜지스터를 포함한 집적 반도체 장치 - Google Patents

절연-게이트 필드 효과트랜지스터를 포함한 집적 반도체 장치 Download PDF

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KR900012372A
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델라예 에리엔느
올니 미셀
아귈라 타에리
뼁디아 라므쉬
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프레데릭 얀 스미트
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
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    • H03K19/21—EXCLUSIVE-OR circuits, i.e. giving output if input signal exists at only one input; COINCIDENCE circuits, i.e. giving output only if all input signals are identical
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    • H03K19/217—EXCLUSIVE-OR circuits, i.e. giving output if input signal exists at only one input; COINCIDENCE circuits, i.e. giving output only if all input signals are identical using field-effect transistors using Schottky type FET [MESFET]

Abstract

내용 없음

Description

절연-게이트 필드 효과트랜지스터를 포함한 집적 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 수행하기 적합한 절연-게이트 필드 트랜지스터를 나타내는 도시도, 제2a내지, 제2c도는 동작동안 트랜지스터에서 에너지 레벨을 나타내는 도시도, 제 3도는 게이트 -소스 전압의 함수로써 포화 상태에서의 드레인-소스 전류 특성도, 제 4a도는 본 발명에 따른 배타적-NOR회로도, 제 4b도는 제 4a도에 도시도된 배타적 NOR회로에서의 연속적인 신호를 나타내는 도시도, 제5a도는 본 발명에 따른 주파수 배율기의 도시도. 제 5b도는 제 5a도에 도시된 회로에서 게이트 소스 전압 VE의 함수로써 출력 전압 V6의 곡선도, 제5c도는 제 5a도에 도시된 회로에서 얻어진 출력 신호의 파형도, 제 6도는 위상 변조기를 나타내는 도시도, 제 7도는 0-180。위상 시프터를 나타내는 도시도.

Claims (12)

  1. 일정레벨로 바이어스된 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터를 포함한 집적 반도체 장치에 있어서, 상기 트랜지스터는 최대치를 넘어선 부국성 상호 콘덕턴스 영역을 나타내는 게이트-소스 전압의 함수로서 드레인-소스 전류 특성을 포함하며, 양측상에서의 특성 기울기는 실제로 대칭성으로, 상기 최대치에 대해 대칭인 게이트-소스 전압의 두 값이 드레인-소스 전류의 동일값과 실제로 상응하며, 상기 트랜지스터는 동작 영역이 상기 최대치 정도에서 특정 영역에 위치되어지는 것을 보증해주는 바이어싱 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 바이어싱 수단은 트랜지스터의 소스를 제 1직류 공급 전압에 접속하는 직접 코넥션과, 트랜지스터의 드레인을 부하R1을 통해 제2고정 직류 공급 전압에 접속하는 코넥션과, 상기 드레인-소스 전류 최대치를 얻기에 적합한 평균값을 갖는신호에 트랜지스터의 게이트를 접속하는 수단을 구비하며, 상기 장치의 출력신호는 트랜지스터의 드레인과 부하의 공통 노드상에서 유용한 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 디지털 배타적-NOR 회로를 실현하기 위하여, 게이트 코넥션 수단은 제1신호용 제1입력 E1과 게이트간에 배열된 제 1저항과, 제2신호용 제2입력 E2와 게이트간에 배열된 제2저항을 구비하며, 상기 제1 및, 제1저항을 동일값을 가지며, 논리 레벨 0 및 1의 입력신호 E1및 E2의 전압값은 드레인-소스 전류 최대치를 발생시키는 게이트-소스 전압값에 대하여 대칭인 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  4. 제2항에 있어서, 주파수 2배기 회로를 실현하기 위하여 전체 효과 트랜지스터의 게이트는 직류 전압에 의해 전달된 교류 신호용 입력 E에 접속되며, 상기 직류 전압값은 드레인-소스 회로 최대치를 얻는데 적합한 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  5. 제2항에 있어서, 위성 변조기를 실현하기 위하여, 게이트 코넥션 수단은 "T 바이어싱 소자"로서 참조되며, 드레인-소스 전류 최대치를 발생하는 게이트-소스 전압의 값에 대하여 대칭인 논리 레벨 0 및 1을 갖는 입력 전압용 입력 E1과 게이트간에 배열된 인덕턴스L과, 신호의 상태 0 및 1 각각에 상응하는 출력신호간에서의 위장 편이에 의해서 발생된 주파수F0를 포함한 교류신호용 입력E2와 게이트간에 배열된 캐패시턴스C를 포함한 L-C 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  6. 제 2항에 있어서 0내지 180° 의 시프터를 실현하기 위하여, 장치는 제 5항에서 청구된 바와 같은 두 개의 대칭 회로를 구비하며, 이들 회로중 한 회로는 신호용 입력E1상에서 레벨 0 에 상응하는 전압을 수신하며, 다른 회로는 신호용 입력상에서 레벨 1에 상응하는 전압을 수신하며, 교류신호용 입력E2는 결합되어지며, 서로 역상인 출력신호는 두 회로의 트랜지스터의 드레인상에서 유용한 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  7. 제 1내지 6항중 어느 한 항에 있어서, 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터는 게이트가 산화물층에 의해 채널로부터 절연되어지는 형으로 구성되어진 것을 특징으로 하는 직접 반도체 장치.
  8. 제 1내지 6항중 어느 한 항에 있어서, 게이트의 절연층은 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 채널을 형성하는 층에 관련하여 이형 구조를 구성하는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 게이트는 금속인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  10. 제 8항에 있어서, 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 게이트는 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  11. 제 8내지 10항중 어느 한 항에 있어서, 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 기판은 반절연성인 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
  12. 제 8내지 10항중 어느 한 항에 있어서, 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 기판은 도전성이며, 예를 들어 도핑 반도체 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900000805A 1989-01-24 1990-01-24 절연-게이트 필드 효과트랜지스터를 포함한 집적 반도체 장치 KR900012372A (ko)

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