JPH08236517A - フッ素化非晶質炭素膜材料およびその製造方法および半導体装置 - Google Patents
フッ素化非晶質炭素膜材料およびその製造方法および半導体装置Info
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- JPH08236517A JPH08236517A JP7035023A JP3502395A JPH08236517A JP H08236517 A JPH08236517 A JP H08236517A JP 7035023 A JP7035023 A JP 7035023A JP 3502395 A JP3502395 A JP 3502395A JP H08236517 A JPH08236517 A JP H08236517A
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線用層間絶縁膜に使用されるフッ素含
有非晶質炭素膜に、窒素またはシリコン原子を含有さ
せ、耐熱性及びエッチング特性を向上させる。 【構成】 フッ化炭素ガスを用いてプラズマを発生さ
せ、フッ素化非晶質炭素膜を成膜する際に、窒素あるい
はシリコンガスを同時に流し、従来のフッ素化非晶質炭
素膜へ窒素原子あるいはシリコン原子を含有させ、膜中
に炭素−窒素結合、あるいは炭素−シリコン結合という
強固な結合を形成させて、膜の架橋度を高め耐熱性を高
める。また同時にこれらの結合は、炭素−炭素結合より
も強固であることを利用してＯ2 プラズマによる膜のエ
ッチング耐性を高める。更にフッ化炭素系のエッチング
の際、膜中にシリコンを含有させることにより、エッチ
ング速度をレジスト材料よりも高め、シリコン含有非晶
質炭素膜のみが選択エッチングされるようにして、パタ
ーン形状に従来のレジストが使用できる。
有非晶質炭素膜に、窒素またはシリコン原子を含有さ
せ、耐熱性及びエッチング特性を向上させる。 【構成】 フッ化炭素ガスを用いてプラズマを発生さ
せ、フッ素化非晶質炭素膜を成膜する際に、窒素あるい
はシリコンガスを同時に流し、従来のフッ素化非晶質炭
素膜へ窒素原子あるいはシリコン原子を含有させ、膜中
に炭素−窒素結合、あるいは炭素−シリコン結合という
強固な結合を形成させて、膜の架橋度を高め耐熱性を高
める。また同時にこれらの結合は、炭素−炭素結合より
も強固であることを利用してＯ2 プラズマによる膜のエ
ッチング耐性を高める。更にフッ化炭素系のエッチング
の際、膜中にシリコンを含有させることにより、エッチ
ング速度をレジスト材料よりも高め、シリコン含有非晶
質炭素膜のみが選択エッチングされるようにして、パタ
ーン形状に従来のレジストが使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に半導体装置の層間
絶縁膜用途の絶縁材料、特に低誘電率絶縁材料及びその
製造方法、また低誘電率絶縁材料を用いて配線遅延を減
少させた高速の半導体装置に関する。
絶縁膜用途の絶縁材料、特に低誘電率絶縁材料及びその
製造方法、また低誘電率絶縁材料を用いて配線遅延を減
少させた高速の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】今後の半導体装置、及びその実装基板等
の配線幅、配線間隔の減少により、配線浮遊容量、及び
配線抵抗が増大するようになる。それにともなう配線遅
延の増大から、半導体装置の高速動作に障害が生じるよ
うになってくる。一般に配線遅延は、絶縁材料の比誘電
率の平方根に比例するので、絶縁材料に比誘電率の低い
ものを用いることによって配線遅延を減少させることが
可能になり、多層配線層における絶縁材料の見直しが行
われている。従来から半導体装置の層間絶縁膜には主と
してＳｉＯ2 が用いられており、プラズマＣＶＤにより
製造する方法が確立されている。しかしこの方法で製造
されるＳｉＯ2 膜の比誘電率は約４程度であり、比誘電
率がそれ以下である膜の堆積方法の開発が望まれてい
る。そこで次世代の低誘電率層間絶縁材料として、比誘
電率が３以下になるフッ素化非晶質炭素材料が有力視さ
れている。
の配線幅、配線間隔の減少により、配線浮遊容量、及び
配線抵抗が増大するようになる。それにともなう配線遅
延の増大から、半導体装置の高速動作に障害が生じるよ
うになってくる。一般に配線遅延は、絶縁材料の比誘電
率の平方根に比例するので、絶縁材料に比誘電率の低い
ものを用いることによって配線遅延を減少させることが
可能になり、多層配線層における絶縁材料の見直しが行
われている。従来から半導体装置の層間絶縁膜には主と
してＳｉＯ2 が用いられており、プラズマＣＶＤにより
製造する方法が確立されている。しかしこの方法で製造
されるＳｉＯ2 膜の比誘電率は約４程度であり、比誘電
率がそれ以下である膜の堆積方法の開発が望まれてい
る。そこで次世代の低誘電率層間絶縁材料として、比誘
電率が３以下になるフッ素化非晶質炭素材料が有力視さ
れている。
【０００３】このフッ素化非晶質炭素材料は従来からプ
ラズマによる成膜が用いられており、例えば特願平０６
−２１７４７０号等に示されているように、主にＣｘＦ
ｙ（ｘ＝１−４，ｙ＝４−８）などのフッ化炭素ガス、
及びそれらに水素系のガスを添加したものが用いられて
いる。
ラズマによる成膜が用いられており、例えば特願平０６
−２１７４７０号等に示されているように、主にＣｘＦ
ｙ（ｘ＝１−４，ｙ＝４−８）などのフッ化炭素ガス、
及びそれらに水素系のガスを添加したものが用いられて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のフッ素化非晶質
炭素膜は比誘電率２．１程度を示すものであり、誘電率
は低い値を示しているが、耐熱温度がＳｉＯ2 よりも低
いため用途が限定されてしまう。例えば特願平０６−２
１７４７０号で示したものは約４２０℃で膜の分解が始
まり、膜厚の減少及びそれに伴うガスの発生が見られ、
この低誘電率材料を使用する場合、熱処理温度を４２０
℃以下に抑える必要があった。またこの非晶質炭素材料
を配線間絶縁材料に適用した場合、公知のリソグラフ技
術によるパターニングが必要となるが、非晶質炭素材料
はリソグラフに使用されるレジスト材料と同様の炭素材
料であるので、ＣＦ4 あるいはＣＨＦ3 ガスでエッチン
グした場合、レジストとのエッチング選択比を大きくす
る事ができず、例えば１μm堆積させた非晶質炭素膜を
パターニングするとすると、レジストは非晶質炭素膜状
上に約２μm 以上塗布しなければならない。また、レジ
ストを除去するときにも、通常は酸素プラズマによるレ
ジスト灰化が行われるが、非晶質炭素膜もそのときに灰
化されてしまうため、酸素プラズマにエッチングされに
くい構造を持った非晶質炭素膜材料が必要とされてい
る。
炭素膜は比誘電率２．１程度を示すものであり、誘電率
は低い値を示しているが、耐熱温度がＳｉＯ2 よりも低
いため用途が限定されてしまう。例えば特願平０６−２
１７４７０号で示したものは約４２０℃で膜の分解が始
まり、膜厚の減少及びそれに伴うガスの発生が見られ、
この低誘電率材料を使用する場合、熱処理温度を４２０
℃以下に抑える必要があった。またこの非晶質炭素材料
を配線間絶縁材料に適用した場合、公知のリソグラフ技
術によるパターニングが必要となるが、非晶質炭素材料
はリソグラフに使用されるレジスト材料と同様の炭素材
料であるので、ＣＦ4 あるいはＣＨＦ3 ガスでエッチン
グした場合、レジストとのエッチング選択比を大きくす
る事ができず、例えば１μm堆積させた非晶質炭素膜を
パターニングするとすると、レジストは非晶質炭素膜状
上に約２μm 以上塗布しなければならない。また、レジ
ストを除去するときにも、通常は酸素プラズマによるレ
ジスト灰化が行われるが、非晶質炭素膜もそのときに灰
化されてしまうため、酸素プラズマにエッチングされに
くい構造を持った非晶質炭素膜材料が必要とされてい
る。
【０００５】本発明の課題は、従来の非晶質炭素膜材料
に変えて、耐熱性及びエッチング特性に優れる低誘電率
の絶縁材料及びその製造方法、ならびにそれを層間絶縁
膜に用いた半導体装置を提供することにある。
に変えて、耐熱性及びエッチング特性に優れる低誘電率
の絶縁材料及びその製造方法、ならびにそれを層間絶縁
膜に用いた半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来フッ素化
非晶質炭素膜へ別の原子を導入して上記問題点を解決す
る。通常のフッ素化非晶質炭素膜は、フッ化炭素系のガ
スかあるいはフッ素系ガスへ水素ガスを添加したものが
原料に用いられており、フッ素化非晶質炭素膜内には炭
素、フッ素、及び水素原子が存在していた。このうち炭
素原子は、膜中に炭素−炭素結合を形成し、すなわち膜
の骨格となる構造を形成し、フッ素原子は膜の低誘電率
化の役割を担っている。また水素原子は膜中の未結合軌
道を終端する役割を果たしている。本発明ではこの膜に
窒素原子あるいはシリコン原子を導入することにより、
膜中に炭素−窒素、あるいは炭素−シリコン結合という
強固な結合を出現させて膜中の架橋度を高め、耐熱性の
向上、ならびにエッチング耐性を向上させる。
非晶質炭素膜へ別の原子を導入して上記問題点を解決す
る。通常のフッ素化非晶質炭素膜は、フッ化炭素系のガ
スかあるいはフッ素系ガスへ水素ガスを添加したものが
原料に用いられており、フッ素化非晶質炭素膜内には炭
素、フッ素、及び水素原子が存在していた。このうち炭
素原子は、膜中に炭素−炭素結合を形成し、すなわち膜
の骨格となる構造を形成し、フッ素原子は膜の低誘電率
化の役割を担っている。また水素原子は膜中の未結合軌
道を終端する役割を果たしている。本発明ではこの膜に
窒素原子あるいはシリコン原子を導入することにより、
膜中に炭素−窒素、あるいは炭素−シリコン結合という
強固な結合を出現させて膜中の架橋度を高め、耐熱性の
向上、ならびにエッチング耐性を向上させる。
【０００７】
【作用】一般に炭素系材料の場合、膜の耐熱性を決めて
いる要因は、膜の架橋構造にある。架橋構造とは、炭素
−炭素結合がランダムに膜中に存在する構造である。従
来のフッ素樹脂は（ＣＦ2 ）n という構造、すなわち炭
素−炭素結合が鎖状にのびた構造をしており、この場合
鎖状分子間はファンデルワールス力によって結合が保た
れ、膜は架橋構造を持っていない。そのため約３００℃
で分解が始まり、膜の耐熱性が低い。しかし通常の非晶
質炭素膜では、フッ化水素系のガスを用いてプラズマで
ガスを解離して成膜を行うため、炭素−炭素結合がラン
ダムに膜中に分布し、膜は架橋構造を持つ。そのため耐
熱性はフッ素樹脂よりも高くなり、約４２０℃程度から
膜成分の脱離が始まる。このフッ素化非晶質炭素膜から
の膜成分の脱離は、膜中に存在する−ＣＦ3 あるいは−
（ＣＦ2 ）n −ＣＦ3 といった側鎖の結合が約４２０℃
程度で切れて生じると考えられる。
いる要因は、膜の架橋構造にある。架橋構造とは、炭素
−炭素結合がランダムに膜中に存在する構造である。従
来のフッ素樹脂は（ＣＦ2 ）n という構造、すなわち炭
素−炭素結合が鎖状にのびた構造をしており、この場合
鎖状分子間はファンデルワールス力によって結合が保た
れ、膜は架橋構造を持っていない。そのため約３００℃
で分解が始まり、膜の耐熱性が低い。しかし通常の非晶
質炭素膜では、フッ化水素系のガスを用いてプラズマで
ガスを解離して成膜を行うため、炭素−炭素結合がラン
ダムに膜中に分布し、膜は架橋構造を持つ。そのため耐
熱性はフッ素樹脂よりも高くなり、約４２０℃程度から
膜成分の脱離が始まる。このフッ素化非晶質炭素膜から
の膜成分の脱離は、膜中に存在する−ＣＦ3 あるいは−
（ＣＦ2 ）n −ＣＦ3 といった側鎖の結合が約４２０℃
程度で切れて生じると考えられる。
【０００８】これらの側鎖同士をある新たな結合で束ね
て架橋度を増加させれば、脱離温度を上昇させることが
できる。本発明では膜中に架橋度を高める別の原子を含
有させ、これらの側鎖を束ねる。架橋度を高める原子と
しては、ガスとして供給できしかも炭素原子と共有結合
を形成でき、得られた含有物が絶縁性を保つものであれ
ばよい。本発明では非晶質炭素膜中に３配位の窒素原
子、あるいは４配位のシリコン原子を含有させて、これ
らの原子を炭素原子と結合させて膜中の特に架橋度の低
い側鎖に、新たな架橋構造を形成させる。またこれらの
炭素−シリコン結合、あるいは炭素−窒素結合が、従来
の炭素−炭素結合よりも強固であることを利用して、酸
素プラズマによるエッチング速度を通常の非晶質炭素膜
に比べて低下させ、レジストが灰化しても非晶質炭素膜
を灰化させない。さらにパターニング時にフッ化炭素系
のガスで非晶質炭素膜をエッチングする際、膜中にシリ
コンを含有させることで、通常のＳｉＯ2 のエッチング
と同様にエッチング速度をレジストに比べて高め、従来
のＳｉＯ2 と同様のパターニング工程を使用することが
できるようにする。
て架橋度を増加させれば、脱離温度を上昇させることが
できる。本発明では膜中に架橋度を高める別の原子を含
有させ、これらの側鎖を束ねる。架橋度を高める原子と
しては、ガスとして供給できしかも炭素原子と共有結合
を形成でき、得られた含有物が絶縁性を保つものであれ
ばよい。本発明では非晶質炭素膜中に３配位の窒素原
子、あるいは４配位のシリコン原子を含有させて、これ
らの原子を炭素原子と結合させて膜中の特に架橋度の低
い側鎖に、新たな架橋構造を形成させる。またこれらの
炭素−シリコン結合、あるいは炭素−窒素結合が、従来
の炭素−炭素結合よりも強固であることを利用して、酸
素プラズマによるエッチング速度を通常の非晶質炭素膜
に比べて低下させ、レジストが灰化しても非晶質炭素膜
を灰化させない。さらにパターニング時にフッ化炭素系
のガスで非晶質炭素膜をエッチングする際、膜中にシリ
コンを含有させることで、通常のＳｉＯ2 のエッチング
と同様にエッチング速度をレジストに比べて高め、従来
のＳｉＯ2 と同様のパターニング工程を使用することが
できるようにする。
【０００９】
【実施例】本発明を図面に基づいて説明する。図１は含
フッ素非晶質炭素膜を形成させるための装置の概略図で
ある。装置は支持台１０１に設置した真空槽内に、電極
１０５、１０７を設け、その間に高圧電源装置１０８か
ら直流及び交流電力を印加できるようになっている。ま
た下部電極には試料加熱装置が設けられており、試料を
任意の温度に加熱することが可能である。この装置によ
って非晶質炭素膜を形成させるには、下部電極上にシリ
コン基板等の試料１０６を設置する。下部電極には高周
波が印加されるので、電極には約数百ボルトの負のバイ
アスが印加され、バイアスで加速されたイオンが試料に
照射されて、架橋した非晶質炭素膜が得られる。
フッ素非晶質炭素膜を形成させるための装置の概略図で
ある。装置は支持台１０１に設置した真空槽内に、電極
１０５、１０７を設け、その間に高圧電源装置１０８か
ら直流及び交流電力を印加できるようになっている。ま
た下部電極には試料加熱装置が設けられており、試料を
任意の温度に加熱することが可能である。この装置によ
って非晶質炭素膜を形成させるには、下部電極上にシリ
コン基板等の試料１０６を設置する。下部電極には高周
波が印加されるので、電極には約数百ボルトの負のバイ
アスが印加され、バイアスで加速されたイオンが試料に
照射されて、架橋した非晶質炭素膜が得られる。
【００１０】試料を電極に設置後、ＣＦ4 、ＳＦ6 、Ｃ
2 Ｆ4 、ＮＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等のフ
ッ素系ガスと、ＣＨ4 などの炭化水素あるいは水素ガス
を導入し、真空度０．０１−０．５Ｔｏｒｒで、電極間
に高周波あるいは、直流電力を印加してグロー放電さ
せ、フッ化炭素のプラズマを発生させる。このフッ化炭
素プラズマによりフッ素化非晶質炭素膜を堆積させる。
この高周波を利用したプラズマ発生方以外にも、マイク
ロ波、ヘリコン波等を用いた高密度プラズマも同様に使
用できる。以上の場合通常のフッ素化非晶質炭素膜が堆
積されるが、本発明では同時に窒素ガスあるいはシリコ
ンガスを流入させて膜中にフッ素原子あるいはシリコン
原子を含有させて膜質を制御する。窒素ガスとしてはＮ
2 、ＮＨ3、ＮＦ3 、シリコンガスとしては、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 などが使用できる。
2 Ｆ4 、ＮＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等のフ
ッ素系ガスと、ＣＨ4 などの炭化水素あるいは水素ガス
を導入し、真空度０．０１−０．５Ｔｏｒｒで、電極間
に高周波あるいは、直流電力を印加してグロー放電さ
せ、フッ化炭素のプラズマを発生させる。このフッ化炭
素プラズマによりフッ素化非晶質炭素膜を堆積させる。
この高周波を利用したプラズマ発生方以外にも、マイク
ロ波、ヘリコン波等を用いた高密度プラズマも同様に使
用できる。以上の場合通常のフッ素化非晶質炭素膜が堆
積されるが、本発明では同時に窒素ガスあるいはシリコ
ンガスを流入させて膜中にフッ素原子あるいはシリコン
原子を含有させて膜質を制御する。窒素ガスとしてはＮ
2 、ＮＨ3、ＮＦ3 、シリコンガスとしては、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 などが使用できる。
【００１１】まず、窒素原子をフッ素化非晶質炭素膜に
含有させた場合の実施例を説明する。図１に示した高周
波放電を用いて成膜を行った場合について示す。Ｃ
Ｆ4 、ＣＨ4 及びＮ2 ガスを原料に用いて、成膜を行っ
た。基板はＳｉＯ2 ／Ｓｉ（１００）及びＰ+ Ｓｉ（１
００）を用いて高周波が印加される電極に装着して成膜
した。ガス全流量を５０ｓｃｃｍ一定とし、高周波電力
を２００Ｗ、ＣＦ4 ／ＣＨ4 流量比を１６に固定して、
Ｎ2 流量を変化させて成膜を行った。
含有させた場合の実施例を説明する。図１に示した高周
波放電を用いて成膜を行った場合について示す。Ｃ
Ｆ4 、ＣＨ4 及びＮ2 ガスを原料に用いて、成膜を行っ
た。基板はＳｉＯ2 ／Ｓｉ（１００）及びＰ+ Ｓｉ（１
００）を用いて高周波が印加される電極に装着して成膜
した。ガス全流量を５０ｓｃｃｍ一定とし、高周波電力
を２００Ｗ、ＣＦ4 ／ＣＨ4 流量比を１６に固定して、
Ｎ2 流量を変化させて成膜を行った。
【００１２】得られた膜を真空中で５００℃まで加熱
し、膜厚の減少度を見積もることにより耐熱性を評価し
た。膜中の窒素含有量は、Ｘ線光電子分光法を用いて、
得られた信号のＣ1s、Ｆ1s、Ｎ1sピークの面積比を計算
して求めた。またＡｌ／非晶質炭素膜／ｐ+ Ｓｉでキャ
パシタを形成し、容量（１ＭＨｚ）を測定することによ
って膜の比誘電率を求めた。図２に全流量中のＮ2 ガス
流量比に対する膜中の窒素含有量の変化を示す。ガス流
量の増加に伴い、膜中の窒素含有量が増加していくこと
が分かる。次に図３に全流量中のＮ2 ガス流量比に対す
る耐熱性の変化を示す。この場合耐熱性とは膜厚の減少
度で評価し、加熱後の膜厚が加熱前のどれだけに減少し
たかを示している。なお加熱方法は、図示してある温度
で１時間試料を真空中で加熱する事で行った。これら図
２、図３に示すように、Ｎ2 ガスを添加することにより
膜中に窒素が含有され、耐熱性は窒素を含有していない
非晶質炭素膜に比べて向上し、窒素を１５％以上含有さ
せた膜では、４７０℃まで加熱しても膜厚が減少しない
耐熱性の高い膜が形成されることが分かった。
し、膜厚の減少度を見積もることにより耐熱性を評価し
た。膜中の窒素含有量は、Ｘ線光電子分光法を用いて、
得られた信号のＣ1s、Ｆ1s、Ｎ1sピークの面積比を計算
して求めた。またＡｌ／非晶質炭素膜／ｐ+ Ｓｉでキャ
パシタを形成し、容量（１ＭＨｚ）を測定することによ
って膜の比誘電率を求めた。図２に全流量中のＮ2 ガス
流量比に対する膜中の窒素含有量の変化を示す。ガス流
量の増加に伴い、膜中の窒素含有量が増加していくこと
が分かる。次に図３に全流量中のＮ2 ガス流量比に対す
る耐熱性の変化を示す。この場合耐熱性とは膜厚の減少
度で評価し、加熱後の膜厚が加熱前のどれだけに減少し
たかを示している。なお加熱方法は、図示してある温度
で１時間試料を真空中で加熱する事で行った。これら図
２、図３に示すように、Ｎ2 ガスを添加することにより
膜中に窒素が含有され、耐熱性は窒素を含有していない
非晶質炭素膜に比べて向上し、窒素を１５％以上含有さ
せた膜では、４７０℃まで加熱しても膜厚が減少しない
耐熱性の高い膜が形成されることが分かった。
【００１３】次に図４の曲線１に静電容量から計算によ
り求められた窒素含有非晶質炭素膜の比誘電率を示す。
図に示すように膜中の窒素含有量の増加に伴い、比誘電
率は単調に増加していくことが分かった。この様に窒素
含有により比誘電率は上昇することが分かったが、比誘
電率は３以下に留まっている。また真空中３００℃１時
間熱処理による、非晶質炭素膜の比誘電率の変化を曲線
２に示す。従来の窒素の含有されていない非晶質炭素
膜、あるいは含有量の少ない膜は、３００℃の熱処理に
よって比誘電率が上昇するが、非晶質炭素膜に窒素を含
有させることにより、３００℃熱処理による比誘電率の
上昇が抑えられることが分かった。この様に熱処理によ
る膜厚の減少、及び比誘電率の上昇が起こらなかったの
は、膜中にＣ−Ｎによる新たなネットワークが形成され
たためと考えられる。Ｃ−Ｎ結合の結合エネルギーは１
７５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、Ｃ−Ｃ結合の結合エネルギーは
１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、Ｃ−Ｎ結合はＣ−Ｃ結
合よりも安定であるため膜の耐熱性が向上したと考えら
れる。またＸ線光電子分光及び赤外吸収分光法により膜
中の結合状態について調べたところ、膜中の窒素はすべ
てＣ−Ｎ結合を形成して存在しており、Ｎ−Ｆ結合は膜
中には存在しなかった。すなわち窒素はすべて炭素原子
と結合して膜中に存在し、膜の架橋度を高めていると考
えられる。
り求められた窒素含有非晶質炭素膜の比誘電率を示す。
図に示すように膜中の窒素含有量の増加に伴い、比誘電
率は単調に増加していくことが分かった。この様に窒素
含有により比誘電率は上昇することが分かったが、比誘
電率は３以下に留まっている。また真空中３００℃１時
間熱処理による、非晶質炭素膜の比誘電率の変化を曲線
２に示す。従来の窒素の含有されていない非晶質炭素
膜、あるいは含有量の少ない膜は、３００℃の熱処理に
よって比誘電率が上昇するが、非晶質炭素膜に窒素を含
有させることにより、３００℃熱処理による比誘電率の
上昇が抑えられることが分かった。この様に熱処理によ
る膜厚の減少、及び比誘電率の上昇が起こらなかったの
は、膜中にＣ−Ｎによる新たなネットワークが形成され
たためと考えられる。Ｃ−Ｎ結合の結合エネルギーは１
７５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、Ｃ−Ｃ結合の結合エネルギーは
１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、Ｃ−Ｎ結合はＣ−Ｃ結
合よりも安定であるため膜の耐熱性が向上したと考えら
れる。またＸ線光電子分光及び赤外吸収分光法により膜
中の結合状態について調べたところ、膜中の窒素はすべ
てＣ−Ｎ結合を形成して存在しており、Ｎ−Ｆ結合は膜
中には存在しなかった。すなわち窒素はすべて炭素原子
と結合して膜中に存在し、膜の架橋度を高めていると考
えられる。
【００１４】次に、膜中へシリコン含有を行った場合の
実施例について説明する。ガスはＳｉＨ4 を用いた。同
様に図１に示した高周波放電装置を用いて成膜を行った
場合について示す。基板はＳｉＯ2 ／Ｓｉ（１００）及
びＰ+ Ｓｉ（１００）を用いて、高周波が印加される電
極に装着して成膜した。ガス全流量を５０ｓｃｃｍ一定
とし、高周波電力を２００Ｗ、ＣＦ4 ／ＣＨ4 流量比を
１６に固定して、シリコンガスの流量を変化させて成膜
を行った。
実施例について説明する。ガスはＳｉＨ4 を用いた。同
様に図１に示した高周波放電装置を用いて成膜を行った
場合について示す。基板はＳｉＯ2 ／Ｓｉ（１００）及
びＰ+ Ｓｉ（１００）を用いて、高周波が印加される電
極に装着して成膜した。ガス全流量を５０ｓｃｃｍ一定
とし、高周波電力を２００Ｗ、ＣＦ4 ／ＣＨ4 流量比を
１６に固定して、シリコンガスの流量を変化させて成膜
を行った。
【００１５】得られた膜を真空中で５００℃で加熱し、
膜厚の減少度を見積もることにより耐熱性を評価した。
膜中のシリコン含有量はＸ線光電子分光法を用いて、得
られた信号のＣ1s、Ｆ1s、Ｓｉ1sピークの面積比を計算
して求めた。またＡｌ／非晶質炭素膜／ｐ+ Ｓｉでキャ
パシタを形成し、容量（１ＭＨｚ）を測定することによ
って膜の比誘電率を求めた。図５にＳｉＨ4 ガス流量に
対する膜中のシリコン含有量の変化を示す。この様に成
膜中にＳｉＨ4 ガスを添加するだけで膜中にシリコンが
含有される事が分かった。図６に耐熱性の変化を示す。
この場合の耐熱性も、１時間の熱処理後に、熱処理前の
どれだけに膜厚が減少したかで表している。これら図
５、図６に示すように、成膜時にＳｉＨ4 ガスを添加す
ることで膜中にシリコンが含有され、耐熱性はシリコン
を含有していない非晶質炭素膜に比べて向上し、シリコ
ンを２０％以上含有させた膜では４７０℃までの耐熱性
が得られることが分かった。
膜厚の減少度を見積もることにより耐熱性を評価した。
膜中のシリコン含有量はＸ線光電子分光法を用いて、得
られた信号のＣ1s、Ｆ1s、Ｓｉ1sピークの面積比を計算
して求めた。またＡｌ／非晶質炭素膜／ｐ+ Ｓｉでキャ
パシタを形成し、容量（１ＭＨｚ）を測定することによ
って膜の比誘電率を求めた。図５にＳｉＨ4 ガス流量に
対する膜中のシリコン含有量の変化を示す。この様に成
膜中にＳｉＨ4 ガスを添加するだけで膜中にシリコンが
含有される事が分かった。図６に耐熱性の変化を示す。
この場合の耐熱性も、１時間の熱処理後に、熱処理前の
どれだけに膜厚が減少したかで表している。これら図
５、図６に示すように、成膜時にＳｉＨ4 ガスを添加す
ることで膜中にシリコンが含有され、耐熱性はシリコン
を含有していない非晶質炭素膜に比べて向上し、シリコ
ンを２０％以上含有させた膜では４７０℃までの耐熱性
が得られることが分かった。
【００１６】図７の曲線１に静電容量から計算により求
められたシリコン含有非晶質炭素膜の比誘電率を示す。
比誘電率は膜中のシリコン含有量が増加するに従って単
調に増加した。シリコンを２０％含有させた非晶質炭素
膜で、比誘電率は２．８であった。この様にシリコン含
有によっても、窒素含有と同様に比誘電率は上昇するこ
とが分かったが、比誘電率は３以下に留まっている。ま
た真空中３００℃１時間熱処理による非晶質炭素膜の比
誘電率の変化を曲線２に示す。図に示すようにシリコン
含有量の少ない非晶質炭素膜では、成膜後の熱処理によ
って比誘電率が上昇するが、非晶質炭素膜にシリコンを
含有させることにより熱処理による比誘電率の上昇が抑
えられることが分かった。シリコン含有非晶質炭素膜の
結合状態について調べた。Ｘ線光電子分光及び赤外吸収
分光法によって調べたところ、シリコンは膜中にＳｉ−
Ｃ結合のみで存在していることが分かった。すなわち膜
中に含まれたシリコン原子がＳｉ−Ｃという強固な結合
を形成して膜の耐熱性を高めていると考えられる。
められたシリコン含有非晶質炭素膜の比誘電率を示す。
比誘電率は膜中のシリコン含有量が増加するに従って単
調に増加した。シリコンを２０％含有させた非晶質炭素
膜で、比誘電率は２．８であった。この様にシリコン含
有によっても、窒素含有と同様に比誘電率は上昇するこ
とが分かったが、比誘電率は３以下に留まっている。ま
た真空中３００℃１時間熱処理による非晶質炭素膜の比
誘電率の変化を曲線２に示す。図に示すようにシリコン
含有量の少ない非晶質炭素膜では、成膜後の熱処理によ
って比誘電率が上昇するが、非晶質炭素膜にシリコンを
含有させることにより熱処理による比誘電率の上昇が抑
えられることが分かった。シリコン含有非晶質炭素膜の
結合状態について調べた。Ｘ線光電子分光及び赤外吸収
分光法によって調べたところ、シリコンは膜中にＳｉ−
Ｃ結合のみで存在していることが分かった。すなわち膜
中に含まれたシリコン原子がＳｉ−Ｃという強固な結合
を形成して膜の耐熱性を高めていると考えられる。
【００１７】続いてエッチング特性について調べた。ま
ず図１の装置にＯ2 ガスを１００ｓｃｃｍ流し、得られ
た膜を高周波電力２００Ｗでエッチングし、耐酸素プラ
ズマ特性を調べた。図８に窒素含有されたフッ素化非晶
質炭素膜、及びシリコン含有させたフッ素化非晶質炭素
膜の酸素プラズマによるエッチング速度をそれぞれの含
有量に対して示している。このように膜に窒素あるいは
シリコンを含有させることで耐酸素プラズマ特性を持つ
非晶質炭素膜が得られた。
ず図１の装置にＯ2 ガスを１００ｓｃｃｍ流し、得られ
た膜を高周波電力２００Ｗでエッチングし、耐酸素プラ
ズマ特性を調べた。図８に窒素含有されたフッ素化非晶
質炭素膜、及びシリコン含有させたフッ素化非晶質炭素
膜の酸素プラズマによるエッチング速度をそれぞれの含
有量に対して示している。このように膜に窒素あるいは
シリコンを含有させることで耐酸素プラズマ特性を持つ
非晶質炭素膜が得られた。
【００１８】次にＣＦ4 ガスによるエッチング特性につ
いて調べた。同様に図１の装置に、ＣＦ4 ガスを１００
ｓｃｃｍ流し、高周波を２００Ｗ印加してプラズマを発
生させてエッチングした。図９にＣＦ4 プラズマによる
エッチング速度を示す。このガスの場合は、膜中にシリ
コンを含有させた場合、エッチング速度を通常の非晶質
炭素膜に比べて高めることができた。これはＣＦ4 等の
フッ化炭素プラズマでは、シリコン原子が炭素原子より
もエッチングされやすいため、非晶質炭素膜中のシリコ
ン原子がまずエッチングされ、そのシリコン成分が抜け
た場所にさらにエッチング物質のフッ素が吸着すること
によって、膜のエッチングが進行していくためであると
考えられる。
いて調べた。同様に図１の装置に、ＣＦ4 ガスを１００
ｓｃｃｍ流し、高周波を２００Ｗ印加してプラズマを発
生させてエッチングした。図９にＣＦ4 プラズマによる
エッチング速度を示す。このガスの場合は、膜中にシリ
コンを含有させた場合、エッチング速度を通常の非晶質
炭素膜に比べて高めることができた。これはＣＦ4 等の
フッ化炭素プラズマでは、シリコン原子が炭素原子より
もエッチングされやすいため、非晶質炭素膜中のシリコ
ン原子がまずエッチングされ、そのシリコン成分が抜け
た場所にさらにエッチング物質のフッ素が吸着すること
によって、膜のエッチングが進行していくためであると
考えられる。
【００１９】以上のＮ2 及びＳｉＨ4 を用いた実施例に
変えて、次に他のガスを原料として窒素及びシリコン含
有フッ素化非晶質炭素膜を成膜した。ＣＦ4 あるいはそ
れにＣＨ4 を添加したガスにＮＯ、ＮＯ2 、ＮＨ3 、Ｎ
Ｆ3 を窒素ガスとして添加して窒素含有膜を成膜したと
ころ、Ｎ2 を添加した場合と同等の耐熱性、及びエッチ
ング特性を示す窒素含有非晶質炭素膜が得られた。また
フッ化炭素ガスをＣ2Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨ
Ｆ3 とし、それらに添加する水素系ガスをＨ2、Ｃ2 Ｈ
6 、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ3 Ｈ8 として、それぞれに
ついてＮ2 、ＮＯ、ＮＯ2 、ＮＨ3 、ＮＦ3 を添加して
成膜したところ、これらの膜も同等の耐熱性、エッチン
グ特性を示した。またシリコン含有膜に関しては、ＣＦ
4 あるいはそれにＣＨ4 を添加したガスにＳｉ2 Ｈ6 及
びＳｉＦ4 をシリコンガスとして添加して成膜したとこ
ろ、ＳｉＨ4 を添加した場合と同等の耐熱性、及びエッ
チング特性を示すシリコン含有非晶質炭素膜が得られ
た。またフッ化炭素ガスをＣ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ
8 、ＣＨＦ3 にし、それらに添加する水素系ガスを
Ｈ2 、Ｃ2 Ｈ6 、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ3 Ｈ8 とし
て、それぞれについてＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＦ4
を添加して成膜したところ、これらの膜も同等の耐熱
性、エッチング特性を示した。本発明の成膜方法はプラ
ズマを用いているのでこの様に窒素あるいはシリコンが
含有されているガスであればどのガスでも使用可能であ
る。さらにマイクロ波、及びヘリコン波放電による高密
度プラズマを用いて成膜を行っても、高周波放電と同様
の効果が得られることを確認した。
変えて、次に他のガスを原料として窒素及びシリコン含
有フッ素化非晶質炭素膜を成膜した。ＣＦ4 あるいはそ
れにＣＨ4 を添加したガスにＮＯ、ＮＯ2 、ＮＨ3 、Ｎ
Ｆ3 を窒素ガスとして添加して窒素含有膜を成膜したと
ころ、Ｎ2 を添加した場合と同等の耐熱性、及びエッチ
ング特性を示す窒素含有非晶質炭素膜が得られた。また
フッ化炭素ガスをＣ2Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨ
Ｆ3 とし、それらに添加する水素系ガスをＨ2、Ｃ2 Ｈ
6 、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ3 Ｈ8 として、それぞれに
ついてＮ2 、ＮＯ、ＮＯ2 、ＮＨ3 、ＮＦ3 を添加して
成膜したところ、これらの膜も同等の耐熱性、エッチン
グ特性を示した。またシリコン含有膜に関しては、ＣＦ
4 あるいはそれにＣＨ4 を添加したガスにＳｉ2 Ｈ6 及
びＳｉＦ4 をシリコンガスとして添加して成膜したとこ
ろ、ＳｉＨ4 を添加した場合と同等の耐熱性、及びエッ
チング特性を示すシリコン含有非晶質炭素膜が得られ
た。またフッ化炭素ガスをＣ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ
8 、ＣＨＦ3 にし、それらに添加する水素系ガスを
Ｈ2 、Ｃ2 Ｈ6 、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ3 Ｈ8 とし
て、それぞれについてＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＦ4
を添加して成膜したところ、これらの膜も同等の耐熱
性、エッチング特性を示した。本発明の成膜方法はプラ
ズマを用いているのでこの様に窒素あるいはシリコンが
含有されているガスであればどのガスでも使用可能であ
る。さらにマイクロ波、及びヘリコン波放電による高密
度プラズマを用いて成膜を行っても、高周波放電と同様
の効果が得られることを確認した。
【００２０】この様に耐熱性が高くエッチング特性に優
れる非晶質炭素膜が得られたので、続いてこの非晶質炭
素膜を層間絶縁膜に使用した図１０に示す構造のＭＯＳ
型ＦＥＴ半導体装置を作製した。なお配線のパターニン
グは公知のリソグラフィ技術を用いた。ＭＯＳ型ＦＥＴ
の第１層アルミニウム１００３と第２層アルミニウム１
００２の間の絶縁膜として本発明の非晶質炭素膜１００
１を用いた。従来の非晶質炭素膜を使用した半導体装置
は、非晶質炭素膜からのガスの発生があるので、４２０
℃までの耐熱性しか得られなかったが、本発明の非晶質
炭素膜を用いた場合、半導体装置の製造過程で４７０℃
までの熱処理を行う行程を使用する事ができ、配線のコ
ンタクト抵抗を低減させることができたので、従来の非
晶質炭素膜を使用した半導体装置に比べて約５％程度の
配線の信号伝搬速度の高速化を行うことができた。また
パターニングの際のエッチングに従来のＳｉＯ2 のエッ
チングと同様のガス及びレジストが使用でき、レジスト
の除去も酸素プラズマによる従来の方法が使用できるの
で、ＳｉＯ2 を層間絶縁膜に用いるときと同様のパター
ニング行程を使用して、非晶質炭素膜を層間絶縁膜に持
つ半導体装置を形成することができた。なお図１０はＭ
ＯＳ型電解効果トランジスタより構成されている半導体
装置に適用した実施例であるが、そのほかにもバイポー
ラトランジスタから構成される半導体装置に関しても、
同等の効果を得ることができた。
れる非晶質炭素膜が得られたので、続いてこの非晶質炭
素膜を層間絶縁膜に使用した図１０に示す構造のＭＯＳ
型ＦＥＴ半導体装置を作製した。なお配線のパターニン
グは公知のリソグラフィ技術を用いた。ＭＯＳ型ＦＥＴ
の第１層アルミニウム１００３と第２層アルミニウム１
００２の間の絶縁膜として本発明の非晶質炭素膜１００
１を用いた。従来の非晶質炭素膜を使用した半導体装置
は、非晶質炭素膜からのガスの発生があるので、４２０
℃までの耐熱性しか得られなかったが、本発明の非晶質
炭素膜を用いた場合、半導体装置の製造過程で４７０℃
までの熱処理を行う行程を使用する事ができ、配線のコ
ンタクト抵抗を低減させることができたので、従来の非
晶質炭素膜を使用した半導体装置に比べて約５％程度の
配線の信号伝搬速度の高速化を行うことができた。また
パターニングの際のエッチングに従来のＳｉＯ2 のエッ
チングと同様のガス及びレジストが使用でき、レジスト
の除去も酸素プラズマによる従来の方法が使用できるの
で、ＳｉＯ2 を層間絶縁膜に用いるときと同様のパター
ニング行程を使用して、非晶質炭素膜を層間絶縁膜に持
つ半導体装置を形成することができた。なお図１０はＭ
ＯＳ型電解効果トランジスタより構成されている半導体
装置に適用した実施例であるが、そのほかにもバイポー
ラトランジスタから構成される半導体装置に関しても、
同等の効果を得ることができた。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はシリコン
あるいは窒素を含有させた耐熱性及びエッチング特性の
優れる非晶質炭素膜、ならびにそれを製造する手法を提
供した。またこの非晶質炭素膜を半導体装置の層間絶縁
膜に使用することで、信頼性を損ねることなく半導体装
置の高速化を行うことのできる半導体装置を実現させ
た。
あるいは窒素を含有させた耐熱性及びエッチング特性の
優れる非晶質炭素膜、ならびにそれを製造する手法を提
供した。またこの非晶質炭素膜を半導体装置の層間絶縁
膜に使用することで、信頼性を損ねることなく半導体装
置の高速化を行うことのできる半導体装置を実現させ
た。
【図１】窒素あるいはシリコンが含有されたフッ素化非
晶質炭素膜を製造するための装置の概略図である。
晶質炭素膜を製造するための装置の概略図である。
【図２】全ガス流量中のＮ2 ガス流量比に対する膜中の
窒素含有量の変化を示す図である。
窒素含有量の変化を示す図である。
【図３】全ガス流量中のＮ2 ガス流量比に対する耐熱性
の変化を示す図である。
の変化を示す図である。
【図４】窒素が含有されたフッ素化非晶質炭素膜の比誘
電率を示す図である。
電率を示す図である。
【図５】全ガス流量中のＳｉＨ4 ガス流量比に対する膜
中のシリコン含有量の変化を示す図である。
中のシリコン含有量の変化を示す図である。
【図６】全ガス流量中のＳｉＨ4 ガス流量比に対する耐
熱性の変化を示す図である。
熱性の変化を示す図である。
【図７】シリコンが含有されたフッ素化非晶質炭素膜の
比誘電率を示す図である。
比誘電率を示す図である。
【図８】Ｏ2 プラズマによる非晶質炭素膜のエッチング
速度を示す図である。
速度を示す図である。
【図９】ＣＦ4 プラズマによる非晶質炭素膜のエッチン
グ速度を示す図である。
グ速度を示す図である。
【図１０】本発明の非晶質炭素膜を用いた半導体装置の
断面図を示す。
断面図を示す。
１０１ 支持台 １０２ 真空ポンプ １０３ ガスボンベ １０４ 真空容器 １０５ 上部電極 １０６ 試料 １０７ 下部電極 １０８ 高周波電源 １０９ 上蓋 １００１ 非晶質炭素膜 １００２ 第２層アルミニウム １００３ 第１層アルミニウム １００４ ＳｉＯ2 １００５ シリコン基板
Claims (5)
- 【請求項１】膜中に窒素を含有させることを特徴とする
フッ素化非晶質炭素膜材料。 - 【請求項２】膜中にシリコンを含有させることを特徴と
するフッ素化非晶質炭素膜材料。 - 【請求項３】フッ化炭素ガスＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ
8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨＦ3 の少なくとも１つ、あるいはそ
れらに水素ガスＨ2 または炭化水素ガスＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ
6 、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ3 Ｈ8 の少なくとも１つを
添加したガスに、さらにＮ2あるいはＮＯ、ＮＯ2 、Ｎ
Ｈ3 、ＮＦ3 の少なくとも１つを添加したガスを原料と
してプラズマによる化学気相堆積法（プラズマＣＶＤ）
を用いて成膜することを特徴とする請求項１に記載の窒
素が含有されたフッ素化非晶質炭素膜材料の製造方法。 - 【請求項４】フッ化炭素ガスＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ
8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨＦ3 の少なくとも１つ、あるいはそ
れらに水素ガスＨ2 または炭化水素ガスＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ
6 、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ3 Ｈ8 の少なくとも１つを
添加したガスに、さらにＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＦ
4 の少なくとも１つのガスを添加したガスを原料とし
て、プラズマＣＶＤを用いて成膜することを特徴とする
請求項２に記載のシリコンが含有されたフッ素化非晶質
炭素膜材料の製造方法。 - 【請求項５】請求項１または２に記載のフッ素化非晶質
炭素膜材料を層間絶縁膜に使用することを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7035023A JP2748879B2 (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | フッ素化非晶質炭素膜材料の製造方法 |
| CA002157257A CA2157257C (en) | 1994-09-12 | 1995-08-30 | Semiconductor device with amorphous carbon layer and method of fabricating the same |
| EP95114253A EP0701283A3 (en) | 1994-09-12 | 1995-09-11 | Semiconductor device comprising an amorphous carbon layer and manufacturing method |
| KR1019950029566A KR100188573B1 (ko) | 1994-09-12 | 1995-09-11 | 비정질-탄소층을 가지는 반도체 소자 및 그의 제조방법 |
| US08/526,902 US5698901A (en) | 1994-09-12 | 1995-09-12 | Semiconductor device with amorphous carbon layer for reducing wiring delay |
| US08/782,573 US6033979A (en) | 1994-09-12 | 1997-01-10 | Method of fabricating a semiconductor device with amorphous carbon layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7035023A JP2748879B2 (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | フッ素化非晶質炭素膜材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236517A true JPH08236517A (ja) | 1996-09-13 |
| JP2748879B2 JP2748879B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=12430468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7035023A Expired - Lifetime JP2748879B2 (ja) | 1994-09-12 | 1995-02-23 | フッ素化非晶質炭素膜材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748879B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998021745A1 (fr) * | 1996-11-14 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Limited | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
| US5866920A (en) * | 1996-03-07 | 1999-02-02 | Nec Corporation | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| WO1999027575A1 (fr) * | 1997-11-20 | 1999-06-03 | Tokyo Electron Limited | Procede de formation d'un film par plasma |
| WO1999028961A1 (fr) * | 1997-11-27 | 1999-06-10 | Tokyo Electron Limited | Procede de fabrication de film isolant |
| WO1999057760A1 (fr) * | 1998-05-07 | 1999-11-11 | Tokyo Electron Limited | Dispositif a semiconducteurs |
| WO2000019507A1 (fr) * | 1998-09-28 | 2000-04-06 | Tokyo Electron Limited | Depot de film assiste par plasma |
| US6091081A (en) * | 1996-12-02 | 2000-07-18 | Nec Corporation | Insulating film comprising amorphous carbon fluoride, a semiconductor device comprising such an insulating film |
| US6104092A (en) * | 1997-04-02 | 2000-08-15 | Nec Corporation | Semiconductor device having amorphous carbon fluoride film of low dielectric constant as interlayer insulation material |
| WO2001008570A1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Drukker International Bv | A cutting blade for a surgical instrument |
| US6271594B1 (en) | 1997-05-29 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR100382387B1 (ko) * | 1997-11-20 | 2003-05-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 방법 |
| KR100436565B1 (ko) * | 2001-10-31 | 2004-06-19 | 한국과학기술연구원 | 실리콘을 함유한 초경질 다이아몬드상 탄소박막 및 그제조방법 |
| WO2005038896A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Tokyo Electron Limited | プラズマエッチング方法 |
| WO2005069367A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Tokyo Electron Limited | 半導体装置の製造方法および成膜システム |
| JP2007335187A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 光反射体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06208992A (ja) * | 1988-02-01 | 1994-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH0864591A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-03-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法 |
-
1995
- 1995-02-23 JP JP7035023A patent/JP2748879B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06208992A (ja) * | 1988-02-01 | 1994-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH0864591A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-03-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866920A (en) * | 1996-03-07 | 1999-02-02 | Nec Corporation | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US6180531B1 (en) | 1996-03-07 | 2001-01-30 | Nec Corporation | Semiconductor manufacturing method |
| WO1998021745A1 (fr) * | 1996-11-14 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Limited | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
| US6727182B2 (en) | 1996-11-14 | 2004-04-27 | Tokyo Electron Limited | Process for the production of semiconductor device |
| US6091081A (en) * | 1996-12-02 | 2000-07-18 | Nec Corporation | Insulating film comprising amorphous carbon fluoride, a semiconductor device comprising such an insulating film |
| US6372628B1 (en) | 1996-12-02 | 2002-04-16 | Nec Corporation | Insulating film comprising amorphous carbon fluoride, a semiconductor device comprising such an insulating film, and a method for manufacturing the semiconductor device |
| US6104092A (en) * | 1997-04-02 | 2000-08-15 | Nec Corporation | Semiconductor device having amorphous carbon fluoride film of low dielectric constant as interlayer insulation material |
| US6329295B1 (en) | 1997-04-02 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Semiconductor device capable of having amorphous carbon fluoride film of low dielectric constant as interlayer insulation material and method of manufacturing the same |
| US6271594B1 (en) | 1997-05-29 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6274417B1 (en) | 1997-05-29 | 2001-08-14 | Nec Corporation | Method of forming a semiconductor device |
| US6770332B2 (en) | 1997-11-20 | 2004-08-03 | Tokyo Electron Limited | Method for forming film by plasma |
| KR100477402B1 (ko) * | 1997-11-20 | 2005-03-22 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 박막 증착 방법 |
| KR100382387B1 (ko) * | 1997-11-20 | 2003-05-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 방법 |
| WO1999027575A1 (fr) * | 1997-11-20 | 1999-06-03 | Tokyo Electron Limited | Procede de formation d'un film par plasma |
| WO1999028961A1 (fr) * | 1997-11-27 | 1999-06-10 | Tokyo Electron Limited | Procede de fabrication de film isolant |
| US6419985B1 (en) | 1997-11-27 | 2002-07-16 | Tokyo Electron Ltd. | Method for producing insulator film |
| KR100374885B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2003-03-06 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 절연막의 제조 방법 |
| WO1999057760A1 (fr) * | 1998-05-07 | 1999-11-11 | Tokyo Electron Limited | Dispositif a semiconducteurs |
| US6720659B1 (en) | 1998-05-07 | 2004-04-13 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device having an adhesion layer |
| WO2000019507A1 (fr) * | 1998-09-28 | 2000-04-06 | Tokyo Electron Limited | Depot de film assiste par plasma |
| WO2001008570A1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Drukker International Bv | A cutting blade for a surgical instrument |
| KR100436565B1 (ko) * | 2001-10-31 | 2004-06-19 | 한국과학기술연구원 | 실리콘을 함유한 초경질 다이아몬드상 탄소박막 및 그제조방법 |
| WO2005038896A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Tokyo Electron Limited | プラズマエッチング方法 |
| WO2005069367A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Tokyo Electron Limited | 半導体装置の製造方法および成膜システム |
| US7803705B2 (en) | 2004-01-13 | 2010-09-28 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method of semiconductor device and film deposition system |
| JP2007335187A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 光反射体 |
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