KR100436565B1 - 실리콘을 함유한 초경질 다이아몬드상 탄소박막 및 그제조방법 - Google Patents

Abstract

발명은 초경질 다이아몬드상 탄소박막(tetrahedral amorphous carbon film) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제삼원소로서 실리콘을 첨가하여 우수한 기계적 물성은 유지하면서 잔류 응력이 감소된 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 제조방법을 제공한다.

Description

실리콘을 함유한 초경질 다이아몬드상 탄소박막 및 그 제조방법{SILICON INCORPORATED TETRAHEDRAL AMORPHOUS CARBON FILM AND PREPARATION METHOD THEREOF}

본 발명은 초경질 다이아몬드상 탄소 (tetrahedral amorphous carbon, ta-C)박막에 제삼원소로서 실리콘을 첨가하여 우수한 기계적 물성은 유지시키면서 잔류 응력을 감소시키는 제조방법에 관한 것이다.

다이아몬드상 탄소 (Diamond-like Carbon, DLC) 박막은 비정질 고상 탄소박막의 일종으로 다이아몬드와 유사한 높은 경도, 윤활성, 내마모성, 전기 절연성, 화학적 안정성 및 광학적 특성을 가지고 있으며, 표면이 매우 평활하고 저온에서 합성할 수 있다는 점 때문에 매우 다양한 분야에서 활용되고 있는 코팅 재료이다. 상기 다이아몬드상 탄소박막은 탄소를 이온화 시킨 후, 이를 가속시켜 모재에 증착 하여 합성하며, 이러한 합성방법으로 기체상의 탄소원(carbon source)을 사용하는 화학기상증착법(Chemical Vapor deposition)과 고체상의 탄소원을 사용하는 스퍼터링법이 대표적이다. 다이아몬드상 탄소박막의 구조는 다이아몬드나 흑연과는 달리 비정질이며, 그 물리 화학적 특성이 넓은 범위에 걸쳐 있으며, 박막내의 결합 형태는 sp³혼성결합과 sp²혼성결합이 혼재되어 있다. sp³/sp²분율이 다이아몬드상 탄소박막의 기계적 물성을 크게 좌우하는데, 다이아몬드 결합인 sp³분율이 높을수록 더욱 다이아몬드와 유사한 물성을 갖게 된다. 보통의 다이아몬상 탄소박막의 sp³분율은 최고 50 % 이하이다.

상기 다이아몬드상 탄소박막의 종류 중 비정질이고, 수소를 함유하지 않고sp³분율이 60 ~ 85 % 에 달하며, 원자 결합 형태가 주로 사면체 구조를 갖는 다이아몬드상 탄소박막 구조를 초경질 다이아몬드상 탄소박막(tetrahedral amorphous carbon film)이라 칭한다. 이러한 초경질 다이아몬드상 탄소박막은 다이아몬드상 탄소박막의 장점을 갖는 동시에 다이아몬드에 필적하는 우수한 기계적 물성을 보이기 때문에 각광받고 있는 코팅 재료이다.

그러나, 상기 다이아몬드상 탄소박막의 경우, 박막의 구조나 기계적 물성이 잔류 응력과 매우 밀접한 관계를 가지고 있다는 것이 이미 알려져 있다. 특히, 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 경우, 기계적 물성이 매우 높기 때문에 잔류 응력 또한 매우 높다. 이러한 높은 잔류 응력은 박막의 기판과의 접착력을 저하시키고 기판으로부터의 박리를 초래한다. 따라서 초경질 탄소박막의 우수한 기계적 물성은 유지하면서 잔류 응력을 낮추는 방법은 그 응용 분야를 확대하는 데 있어서 매우 중요하다.

종래의 다이아몬드상 탄소박막의 잔류 응력을 감소시키는 방법으로, 바이어스 조절로 인하여 연질층 및 다층 구조 형성시키는 방법, 열처리를 통하여 다층 박막을 형성시키는 방법, 제삼원소(텅스텐, 티타늄)를 첨가하는 방법등이 있다. 그러나 이러한 방법을 통하여 잔류 응력을 감소시켜 접착력을 증대시킬 수는 있지만, 잔류 응력이 감소되면 박막의 구조가 열화되고, 이에 따라 박막의 기계적 물성도 함께 저하되는 문제점이 있다. 또한, 다층 박막내에 바이어스 조절이나 열처리 등을 통해 형성된 연질층은 다른 경질층보다 훨씬 낮은 물성을 갖기 때문에 부분적인파괴나 마모가 발생하여 전체적으로 보호층으로서의 신뢰성을 떨어뜨리는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 기술의 문제점을 극복하기 위해, 제삼원소로서 실리콘을 첨가하여 우수한 기계적 물성은 유지하면서 잔류 응력이 감소된 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명에 사용된 증착 장비의 모식도이다.

도 2는 아르곤 유량에 따른 본 발명에 의해 합성된 박막의 조성 변화를 나타낸 것이다.

도 3은 실리콘 첨가량에 따른 본 발명에 의해 합성된 박막의 경도 및 평면 변형 계수의 변화를 나타낸 것이다.

도 4는 실리콘 첨가량에 따른 본 발명에 의해 합성된 박막의 잔류응력 변화를 나타낸 것이다.

도 5는 실리콘 첨가량에 따른 마찰 계수의 변화를 나타낸 것이다.

*** 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***

(11) - 아크 이온 소스부 (12) - 마그네트론 여과 장치 및 래스터 장치

(13) 기판부 (14) - 기판

(15) - 마그네트론 스퍼터 건 (16) - 불활성기체 공급부

(17) - 진공 펌프

본 발명은 실리콘을 함유하는 초경질 다이아몬드상 탄소박막 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

우선, 본 발명은 실리콘을 함유하는 초경질 다이아몬드상 탄소박막을 제공한다. 본 발명에 따른 실리콘을 함유하는 초경질 다이아몬드상 탄소박막은 함유된 실리콘에 의하여 우수한 기계적 물성은 유지하면서 잔류응력이 감소되어, 기판에의 접착력이 증진되고, 기존의 다이아몬드상 탄소박막에 비교하여 마찰계수가 감소하여 향상된 윤활특성 및 증대된 열적안정성을 나타낸다.

기존의 다른 제삼원소(예컨대, 텅스텐 또는 티타늄 등)와는 달리, 실리콘 원자는 sp³결합을 취하기 때문에, 첨가 시 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 결합 형태를 열화시키지 않고 탄소박막의 잔류응력 및 마찰계수을 감소시키고 열적안정성을 증가시킨다는 장점을 갖는다. 따라서, 상기 실리콘이 첨가된 초경질 다이아몬드상 탄소박막은 비정질이며, 수소를 함유하지 않고, sp³/sp²분율이 60 ~ 85 % 에 달하며 원자 결합 형태가 주로 사면체 구조를 갖는 초경질 다이아몬드상 탄소박막 구조를 유지하고 우수한 물성을 보유하면서, 잔류응력이 감소되어 우수한 접착력을 갖고 마찰력이 감소되어 우수한 윤활성을 갖는다.

이 때, 첨가하는 실리콘의 함유량은 0.5 ∼ 10 at.% 인 것이 바람직하다. 실리콘 함유량이 0.5 at.% 이하이면 함유량 조절이 어렵고 잔류응력의 감소효과도 거의 없으며, 10 at.% 이상이면 잔류응력 뿐만 아니라 기계적 물성도 함께 크게 저하시키기 때문에 본 발명의 효과를 기대할 수 없게 된다. 특히, 실리콘의 함유량이 0.5 ~ 5 at.% 일 경우에는, 실리콘이 첨가되지 않은 경우와 비교하여, 경도의 감소 폭은 18 % 인데 비하여, 잔류응력의 감소 폭은 46 % 의 값을 보이는 것으로 나타나, 경도감소율과 비교하여 현저한 잔류응력의 감소율을 나타냈다.

또한, 본 발명은 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 합성단계에 실리콘을 첨가하여 함께 증착시킴으로써, 상기 실리콘을 함유하는 초경질 다이아몬드상 탄소박막을 제조하는 방법을 제공한다.

본 발명의 구체예에서는 상기 실리콘 첨가 방법으로서 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하였고, 동시에 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 합성방법으로는 진공 여과 아크(Filtered Vacuum Arc : FVA) 증착법을 사용하였으나, 본 발명이 이 방법에만 국한되는 것은 아니다. 레이저 어블레이션(laser ablation) 또는 질량 선택적 이온 빔(Mass Selected Ion Beam) 증착법 등을 사용하여 초경질 다이아몬드상 탄소박막을 증착하면서, 동시에 실리콘 마그네트론 스퍼터링, 실리콘 이온 빔 증착법 또는 실리콘 증발법(evaporation) 등으로 실리콘을 첨가할 수도 있다. 즉, 어떠한방법으로든 초경질 다이아몬드상 탄소박막에 실리콘의 첨가하여 그 조성과 구조를 제어할 수 있다면 동일한 발명의 효과를 얻을 수 있다.

이중에서, 특히 진공 여과 아크 증착법은 음극과 양극에 아크전원을 인가하여 아크를 발생시켜 고체상의 타겟물질을 이온화하여 증착하는 방법인데, 아크 발생시 많은 전자가 방출되기 때문에 진공도가 낮은 상태에서도 스퍼터링이 가능하며, 높은 이온화율 및 높은 이온 에너지 때문에 접착력 및 증착률이 우수하여 밀착력이 뛰어나며 치밀한 박막의 합성이 가능하므로, 상기 박막 증착 방법 중 가장 효과적이다. 또한, 실리콘을 첨가하는 방법 중에서 실리콘을 기체(SiH₄)의 상태보다는 고체 상태로 첨가하는 것이 본 발명의 효과를 보다 증진시킬 수 있어서 바람직하다.

이하, 진공 여과 아크 증착법을 사용하여 탄소박막을 증착하는 방법을 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 사용된 증착 장비의 모식도이다. 상기 장비는 진공 여과 아크부, 마그네트론 스퍼터링부 및 반응 챔버부로 구성되어 있다.

진공 여과 아크부는 크게 3 부분으로 구성되어 있다. 즉 아크 촉발을 위하여 고체상의 탄소 타겟이 장착된 음극부와 양극부로 이루어진 아크 이온 소스부(11), 아크젯 플라즈마의 행로를 제어하여 효과적인 여과를 가능케하는 마그네틱 여과부(12), 및 대면적으로 균일한 증착을 가능하게 하는 래스터(raster)(12) 장치로 구성되어 있다. 음극부와 양극부에는 촉발장치가 아킹(arcing)을 유도하도록 되어 있으며, 음극부에는 아크 안정성을 향상시켜 주는 솔레노이드형(solenoidal)의 자기장치가 부착되어 있다. 마그네틱 여과부의 내부에는 거대 입자의 되튀김을 방지하기 위한 수십 개의 배플(baffle)이 설치되어 있다. 이러한 마그네틱 여과부는 자기장을 이용하여 아크 소스로부터 기판으로 나오는 아크 플라즈마 제트의 행로를 꺾어줌으로써, 아크 방전시 생성될 수 있는 불필요한 거대입자가 그들의 관성으로 인해 행로를 이탈하여 기판에 도달하지 못하도록하여 효과적으로 거대입자를 제거하는 역할을 한다. 래스터 장치는 아크 플라즈마 제트를 균일하게 흔들어 줌으로써 균일한 증착을 가능하게 한다.

마그네트론 스퍼터링부의 스퍼터 건(15)은 통상의 마그네트론 스퍼터건으로, 기판과 일정한 각도를 유지하면서 대면하는 위치에 설치되어 있으며, 스퍼터 전원 공급계로부터 전원을 인가받는다. 스퍼터 건내에는 99.99%의 고체 실리콘 타겟이 설치되어 있으며, 그 주변에 스퍼터링을 위한 불활성기체 공급부(16)이 위치하고 있다. 이 때, 증착되는 실리콘의 양은 스퍼터건에 유입되는 불활성기체의 유량으로 조절가능하며, 상기 불활성기체로 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크립톤(Kr)등을 사용할 수 있다. 실리콘의 증착에 있어서, 10^-4torr 이하의 작동압력하에서는 스퍼터링만으로는 실리콘의 증착이 불가능하지만 아크 이온 소스부로부터 유입되는 다량의 전자로 인하여 증착이 가능하다.

반응 챔버부는 로터리 펌프와 터보 펌프 등의 진공 펌프(17)로 10^-6torr까지 진공을 유지시키도록 되어 있다. 또한, 기판은 HF 또는 DC 바이어스를 인가할 수있도록 챔버와 절연되어 있고, 증착시 시편의 급격한 온도 상승을 막기 위해 냉각수가 순환되도록 되어 있다.

다음은 도 1의 장비를 이용하여, 실리콘을 함유한 초경질 다이아몬드상 탄소박막을 제조하는 방법을 설명한다.

먼저, 증착하고자 하는 기판을 유기 용매로 세척하여, 진공 반응 챔버내의 기판부에 장착한다. 이어서, 진공 펌프를 이용하여, 반응 챔버내를 진공상태로 만든 후, 진공 여과 아크 장치의 음극부에 고체상 탄소원을 장치하고 음극과 양극에 전원을 인가한다. 일정 범위 이상의 전압이 인가되면 두 전극 사이의 절연공간에 순간적으로 절연파괴가 일어나 높은 전류가 흐르는 아크방전이 발생하며, 이러한 아크방전에 의한 아크방전 부분에서의 가열로 인한 국부적 용융에 의하여 음극부에 위치한 고체 탄소원의 급격한 증발(이온화)이 일어나 플라즈마의 강력한 제트가 형성된다. 이 때, 많은 전류가 흐르면서 가열, 이온화 및 팽창 과정을 계속적으로 발생시켜 아킹(arching)을 유도하여 아크젯 플라즈마를 발생시킨다. 아크가 발생되면 급격한 전하의 흐름이 생기므로 한 쪽 전극에서 반대 전극으로 이온과 전자가 방출되며, 이 때 고속으로 분출되는 이온들이 기판에 증착되어 막을 형성하게 된다. 이와 동시에, 마그네틱 스퍼터링부에 전원을 인가하여 스퍼터 건의 실리콘을 스퍼터링하여 아크 이온 소스부로부터 유입되는 탄소 이온과 함께 기판에 증착시킨다.

이 때, 과도한 이온의 흐름으로 인한 흑연화를 막기 위해서 아크이온 소스부의 전원은 55 ~ 90 V, 22 ~ 30 A 범위가 바람직하며, 안정적인 실리콘의 스퍼터를 위해 마그네틱 스퍼터링부의 스퍼터 전원은 800 ~ 900 V, 0.5 ~ 1 A 범위가 바람직하다. 또한 상기 증착시 바이어스 인가는 실리콘의 재스퍼터 발생을 유발하여 박막의 증착을 방해하기 때문에 기판 바이어스를 인가하지 않은 상태로 탄소박막을 증착시키는 것이 유리하다.

상기 증착과정은 기판을 건식 세척하는 과정을 포함할 수 있다. 실리콘의 스퍼터링 전, 진공 여과 아크 장비를 작동시켜 고체 탄소원의 아크젯 플라즈마를 형성시킨 상태에서, 불활성기체를 공급하면서, 기판부에 전원을 공급한 상태에서 기판을 건식 세척한다. 이 때, 기판부의 전원은 HF 또는 DC를 사용할 수 있고, 기판 바이어스는 -800 ∼ -1000 V 범위가 바람직하며, 세척시간은 10 ∼ 20 분이 바람직하다. 상기 건식 세척이 끝난 다음에, 연속적으로 마그네트론 스퍼터 건에 HF 전원을 공급하여 800 ∼ 900 V 및 0.5 ∼1 A를 인가하여 실리콘을 스퍼터링한다.

이 때, 챔버내의 압력은 10^-3torr ∼ 10^-4torr 정도가 바람직하고, 스퍼터건에 공급되는 불활성기체의 유량을 조절하여 스퍼터링되는 실리콘의 양을 독립적으로 조절 가능하다. 스퍼터 효율을 높이기 위해서는 상기 불활성기체를 챔버내로 광범위하게 유입하는 것보다 스퍼터건 부근에 직접적으로 유입하는 것이 유리하다. 이 때, 유입되는 불활성기체의 유량을 0 ∼ 40 sccm 범위에서 조절하여, 첨가되는 실리콘의 양을 0.5 ∼ 80 at.% 까지 조절할 수 있다.

또한, 상기 증착기판으로서 아래의 실시예에서는 실리콘 웨이퍼를 사용하고 있으나, 이에 국한되지 않고 모든 철계 또는 비철계 금속을 사용할 수 있다.

이하에서, 본 발명의 특징을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명할 것이나,본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.

실시예 1

초경질 다이아몬드상 탄소박막을 증착하기 위한 진공 여과 아크 전원으로는 55 V, 22 A 를 사용하였다. 스퍼터 건에는 99.99 % 의 실리콘 타겟을 설치하였으며, 스퍼터 전원으로는 HF를 사용하였고, 이 때, HF 전원은 800 V, 500 mA 를 사용하였다. 유기용매로 세척시킨 실리콘 기판을 기판 지지대에 장착하고, 진공 여과 아크를 작동시킨 상태에서 아르곤을 8 sccm 공급하면서, 기판부에 HF 전원을 공급하여 기판 바이어스 -800 V 에서 10 분 동안 기판을 세척하였다. 이어서, 진공 여과 아크 작동하에서 스퍼터에 유입되는 아르곤의 유량을 각 시편에 따라 0 ∼ 20 sccm 씩 일정하게 공급하여 스퍼터링되는 실리콘의 양을 조절하면서 실리콘과 함께 탄소를 증착시켜 0.1 ㎛ 두께의 탄소박막을 합성하였다. 이 때, 기판 바이어스는 인가하지 않은 상태로 증착하였다.

상기 탄소박막의 제조시의 아르곤 유량에 따른 실리콘의 첨가량을 도 2에 나타내었다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 아르곤의 유량의 조절을 통해 실리콘의 첨가량을 체계적으로 조절할 수 있었다. 아르곤의 유량이 9 sccm 이하에서는 실리콘의 스퍼터링이 이루어지지 않다가 이 이상이 되어야 실리콘 첨가가 이루어졌다. 이 때, 10^-4torr의 낮은 압력에서도 스퍼터링이 가능한 이유는 아크젯 플라즈마가 매우 높은 전자 방출원으로 작용하기 때문이다.

실리콘의 첨가량에 따른 경도, 평면 변형 계수 및 잔류응력의 변화값을 각각도 3 및 도 4에 나타내었다. 도 3 및 도 4에서 알 수 있는 바와 같이, 실리콘의 첨가량에 따라 기계적 물성이 저하되었다. 특히, 실리콘의 첨가량이 2 at.% 이하인 경우에는 실리콘이 첨가되지 않은 경질 탄소박막과 비교하여 잔류 응력은 6 GPa 에서 3.3 GPa 로 감소하는데 비하여, 경도 값은 41 GPa 에서 33 GPa 로 감소되었다.

상기와 같은 물성 거동을 보이는 것은, 실리콘 첨가량이 매우 낮은 경우에, 실리콘이 탄소의 sp³사이트를 치환하여 전체적인 3차원적 인터링크를 유지시킴으로써, 경도 감소의 폭은 작지만 약한 Si-C 결합들에 의한 구조 완화를 발생시키기 때문에 응력 감소의 폭이 증가되는 것으로 분석된다. 그러나, 실리콘의 첨가량이 10 at.% 이상에서는 Si-C 상이 증가하여 전체적인 기계적인 물성이 감소하는 것을 확인하였다.

실시예 2

본 실시예는 실리콘을 함유한 초경질 다이아몬드상 탄소박막과 실리콘을 함유하지 않는 다이아몬드상 탄소박막의 마찰계수를 비교하기 위한 것이다.

실시예 1에서와 동일한 방법으로 아르곤 가스 유량을 조절하여, 실리콘의 함유량을 각각 0.5 at.%, 2.5 at.% 로 하여 초경질 다이아몬드상 탄소박막을 합성하였다. 또한, 비교를 위하여, 진공 여과 아크 장치만을 이용하여 실리콘이 함유되지 않은 순수한 다이아몬드상 탄소박막을 합성하였다. 이 때, 각 시편의 두께를 0.1 ㎛ 가 되도록 조절하였다.

마찰계수는 ball on disk 형의 내마모시험기(tribometer)를 사용하여 대기중에서 측정하였다. 상대 습도는 50∼70 % 사이에서 600 gf의 하중과 0.2 m/sec. 회전속도를 유지하였으며, 12000 싸이클 동안 측정하였다. 상대 재료는 AISI 52100(직경 6 ㎜), 베어링 공구강(bearling ball)을 사용하였다.

측정된 마찰계수의 변화를 도 5에 나타내었다. 실리콘을 함유하지 않는 초경질 다이아몬드상 박막의 마찰계수 값은 윤활층으로 쓰이기에는 약간 높은 1.5 ∼ 1.7 의 값을 보이고 있다. 이에 반하여, 실리콘의 함유량이 2.5 at.% 인 경우의 마찰계수는 약 0.07 정도로, 매우 낮고 균일한 값을 보이고 있다. 따라서, 실리콘을 함유한 초경질 다이아몬드상 탄소박막은 실리콘을 함유하지 않는 다이아몬드상 탄소박막에 비하여 낮은 마찰계수를 가지며, 이로 인하여 윤활 보호층으로 매우 높은 활용 가능성을 갖는다.

본 발명은 기존의 초경질 다이아몬드상 탄소박막에 실리콘을 첨가하여, 탄소박막의 다이아몬드에 유사한 높은 경도, 내마모성 및 화학적안정성 등은 유지하면서, 잔류응력을 감소되어 증착률 및 밀착력이 뛰어난 치밀한 박막구조 및 마찰계수가 감소되어 우수항 윤활성을 갖는 새로운 초경질 다이아몬드상 탄소박막 및 이의 제조방법을 제공한다.

Claims (13)

1. 삭제
2. 실리콘을 함유하고 비정질이며 수소를 함유하지 않고 sp³/sp²분율이 60 내지 85 % 이며 원자 결합 형태가 주로 사면체 구조를 갖고,

   상기 실리콘의 함유량이 0.5 내지 10 at.% 인,

   초경질 다이아몬드상 탄소박막.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 실리콘의 함유량이 0.5 내지 5 at.% 인 초경질 다이아몬드상 탄소박막.
4. 진공 여과 아크 증착법을 사용하여 초경질 다이아몬드상 탄소박막을 증착시, 이와 동시에 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 실리콘을 스퍼터링함으로써, 초경질 다이아몬드상 탄소박막이 실리콘을 함유하도록 하는 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법.
5. 제 4 항에 있어서, 아크 이온 소스부, 마그네틱 여과부 및 래스터 장치를 포함하는 진공 여과 아크 장비, 마그네트론 스퍼터 건 및 스퍼터 전원공급계를 포함하는 마그네트론 스퍼터링 부분 및 반응 챔버를 포함하는 합성장비를 사용하여, 진공 여과 아크 장비에 고체상 탄소원을 장착하고 진공 여과 아크 전원을 인가하여 진공 여과 아크 증착법에 의하여 탄소 플라즈마를 발생시키고, 이와 동시에, 마그네트론 스퍼터링부의 스퍼터 건에 실리콘을 장착하고 마그네트론 스퍼터링 전원을 인가하여 실리콘을 스퍼터링하여, 반응 챔버에 장치된 기판상에 탄소와 실리콘을 동시에 증착시키는 단계를 포함하는 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 제조방법.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 진공 여과 아크 전원을 55 ~ 90 V, 22 ~ 30 A 범위로 인가하는 초경질 다이아몬드상 탄소박막의 제조방법.
7. 제 5 항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터링 전원을 800 ~ 900 V, 0.5 ~ 1 A 범위로 인가하는 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법.
8. 제 5 항에 있어서, 상기 초경질 다이아몬드 탄소박막의 합성시 기판에 바이어스를 인가하지 않고 탄소 및 실리콘을 증착시키는 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법.
9. 제 5 항에 있어서, 상기 진공 여과 아크 장비를 작동시키고 탄소 플라즈마를 형성시킨 상태에서 실리콘을 첨가하기 전에, 반응 챔버에 불활성기체를 유입시키고 기판 바이어스를 인가하여 기판을 건식 세척시키는 단계를 추가적으로 포함하는 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 인가되는 기판 바이어스가 -800 ~ -1000 V 이고 세척시간이 10 ~ 20 분인 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법.
11. 제 5 항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터링 건에서의 실리콘 스퍼터링시 반응 챔버내에 불활성기체를 유입시키고, 이 때 유입되는 불활성기체의 양을 조절하여 증착되는 실리콘의 양을 조절하는 단계를 추가적으로 포함하는 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법.
12. 제 5 항에 있어서, 상기 초경질 다이아몬드상 탄소박막에 첨가되는 실리콘의 양이 0.5 ~10 at.% 인 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법.
13. 제 5 항에 있어서, 상기 반응 챔버 내부의 압력이 10^-3torr ∼ 10^-4torr인 초경질 다이아몬드 탄소박막의 제조방법.