KR100465738B1 - 다층 경질 탄소박막과 그 제조방법 - Google Patents

다층 경질 탄소박막과 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘이 0.025 at.% ~ 10 at.%의 범위로 함유되고, 다이아몬드상 카본으로 이루어지는 제 1 경질 탄소 박막층과; 순수한 다이아몬드상 카본으로만 이루어지는 제 2 경질 탄소 박막층;을 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 경질 탄소 박막층과 제 2 경질 탄소 박막층이 교대로 적층되어 형성된 다층막인 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막을 제공한다. 또한, 본 발명은 양극과 고체상 탄소원이 장착된 음극에 전원을 인가하여 탄소 플라즈마를 발생시키고, 스퍼터 건에 실리콘 타겟을 장착하고 전원을 주기적으로 변화시키면서 인가하여 실리콘을 스퍼터링시키고, 반응 챔버에 설치된 기판상에 실리콘이 함유된 제 1 경질 탄소 박막층과 탄소만으로 이루어진 제 2 경질 탄소박막층을 번갈아 교대로 증착시키는 것를 포함하여 이루어지는 다층 경질 탄소박막의 제조방법을 제공한다.

Description

다층 경질 탄소박막과 그 제조방법{MULTI-LAYERED HARD CARBON FILM AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 경질 탄소 박막에 제삼원소로서 실리콘을 첨가하되 나노미터 규모의 조성 변조(modulation)을 갖게 함으로써, 경도가 크면서 박막의 잔류응력은 매우 작은 비정질 탄소필름을 합성하는 방법에 관한 것이다.
다이아몬드상 카본(Diamond-like Carbon)박막은 높은 경도와 윤활성 그리고 내마모성을 가지고 있으며, 표면이 매우 평활하고 저온에서 합성할 수 있다는 점 때문에 매우 다양한 분야에서 활용되고 있는 코팅 재료이다. 특히 다이아몬드상 카본박막의 종류 중, Filtered Vacuum Arc 증착법, laser ablation, Mass Selected Ion Beam 증착법으로 만들어지는 경질 탄소 박막(수소를 함유하지 않고 sp3분율이 60∼80% 에 달하는 다이아몬드상 카본 박막, tetrahedral amorphous carbon, ta-C)은 다이아몬드상 카본 박막의 장점을 갖는 동시에 다이아몬드에 필적하는 기계적 물성을 보이기 때문에 각광받고 있는 코팅 재료이다.
그러나 다이아몬드상 카본 박막의 경우, 박막의 구조나 기계적 물성과 잔류 응력은 매우 밀접한 관계를 가지고 있다는 것이 잘 알려져 있다. 경질 탄소 박막의 경우, 기계적 물성이 매우 높기 때문에 잔류 응력 또한 매우 높다. 이러한 높은 잔류 응력은 기판과의 접착력을 저하시키고 기판으로부터 박리를 초래한다. 따라서 경질 탄소 박막의 우수한 기계적 물성은 유지하면서, 잔류 응력을 낮추는 방법은 경질 탄소 박막의 응용 분야를 확대하는 데 있어 매우 중요하다. 다이아몬드상 카본 박막의 잔류응력을 감소시키는 방법으로는 열처리를 통한 다층 박막 형성 방법, 제삼원소를 첨가하는 방법 등이 있다. 그러나 대부분의 경우 잔류응력이 감소하면 박막의 구조가 열화 되고 이에 따라 박막의 기계적 물성도 저하되게 된다.
따라서 본 발명의 목적은 잔류응력이 감소되면서도 기계적 물성이 저하되지 않은 경질 탄소 박막을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 탄소박막에 제삼원소를 첨가하면서 박막의 구조를 자유롭게 제어할 수 있는 제조방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다. 기타 본 발명의 목적 및 특징은 후술하는 상세한 설명 및 특허청구범위에서 명확하게 제시될 것이다.
도 1은 본 발명에 사용된 증착 장비의 모식도이다.
도 2는 본 발명에 의한 다층막 합성 중 스퍼터 전압의 변화이다.
도 3은 본 발명에 의해 합성된 박막의 투과전자현미경 단면사진이다
도 4는 본 발명에 의해 합성된 박막의 잔류응력 및 경도의 변화이다.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
11:아크 이온 소스부 12:마그네트론 여과 장치 및 래스터 장치
13:기판부 14:기판
15:마그네트론 스퍼터 건 16:불활성기체 공급부
17:진공 펌프
본 발명에서는 탄소박막 형성시 Si을 마그네트론 스퍼터링 방법으로 공급함으로써 Si을 함유하는 코팅층과 순수한 탄소층을 번갈아 코팅함으로써, 나노미터 규모의 조성 변조(modulation)층을 합성한다. 이때, 스퍼터 건에 유입되는 아르곤의 양을 조절하면, Si 함유층의 Si 조성을 조절할 수 있으며, 스퍼터 건의 작동과 중지를 반복함으로써 Si 함유층과 순수 탄소층을 합성할 수 있다.
구체적으로 본 발명은 실리콘이 0.025 at.% ~ 10 at.%의 범위로 함유되고, 다이아몬드상 카본으로 이루어지는 제 1 경질 탄소 박막층과; 순수한 다이아몬드상 카본으로만 이루어지는 제 2 경질 탄소 박막층;을 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 경질 탄소 박막층과 제 2 경질 탄소 박막층이 교대로 적층되어 형성된 다층막인 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막을 제공한다.
최종적인 다층 탄소박막의 기계적 특성, 합성과정의 경제성, 각 층 및 전체 박막의 두께 등을 고려할 때, 상기 제 1 경질 탄소 박막층과 제 2 경질 탄소 박막층은 교대로 1 ~ 50회 적층되어 총 2층 ~ 100층의 범위로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 다층 경질 탄소 박막의 두께는 10nm ~ 수 ㎛의 범위로 형성할 수 있으며, 제 1 경질 탄소 박막층 또는 제 2 경질 탄소 박막층의 두께는 각각 1nm ~ 수 ㎛의 범위로 형성할 수 있다. 박막의 전체 두께 및 각 층의 두께는 합성시의 인가 전압의 크기 시간, 타겟의 크기 등에 따라 변화시킬 수 있다. 따라서, 박막의 총 두께는 사용되는 장치 또는 타겟의 크기에 따라 수십 ㎛ 까지, 예를 들면 20㎛로 형성할 수 있으며, 각 층의 두께도 10㎛ 정도의 범위까지 가능하다.
또한 본 발명은 양극과 고체상 탄소원이 장착된 음극에 전원을 인가하여 탄소 플라즈마를 발생시키고, 스퍼터 건에 실리콘 타겟을 장착하고 전원을 주기적으로 변화시키면서 인가하여 실리콘을 스퍼터링시키고, 반응 챔버에 설치된 기판상에 실리콘이 함유된 제 1 경질 탄소 박막층과 탄소만으로 이루어진 제 2 경질 탄소박막층을 번갈아 교대로 증착시키는 것를 포함하여 이루어지는 다층 경질 탄소박막의 제조방법을 제공한다.
본 발명자들은 Si이 함유된 경질탄소필름의 조성과 구조 그리고 기계적 특성을 연구하여, Si의 첨가량이 10 at.% 이하일 경우 기계적 특성이 향상되며, 바람직하게는 1 at.% 이하일 경우 실리콘이 첨가되지 않은 경우와 비교하여 경도의 감소폭은 18% 인데 비해, 응력의 감소폭은 46 %로 응력의 감소가 경도의 감소보다 두드러진 것을 확인하였다.
본 발명에서는 이러한 결과를 바탕으로 매우 적은 양의 Si이 함유된 경질탄소층과 순수 탄소층을 교대로 형성함으로써, 경도의 감소는 탄소 단일막의 경도의 10% 이하로서 거의 경도의 변화가 없지만 잔류응력은 50%에 이르기까지 감소된 필름의 코팅이 가능하였다.
탄소박막 합성장치
도 1은 본 발명에 사용된 합성장치의 모식도이다. 상기 장비는 진공 여과 아크부, 마그네트론 스퍼터링부 및 반응 챔버부로 구성되어 있다.
진공 여과 아크부는 크게 3 부분으로 구성되어 있다. 즉 아크 촉발을 위하여 고체상의 탄소 타겟이 장착된 음극부와 양극부로 이루어진 아크 이온 소스부(11), 아크젯 플라즈마의 행로를 제어하여 효과적인 여과를 가능케하는 마그네틱 여과부(12), 및 대면적으로 균일한 증착을 가능하게 하는 래스터(raster)(12) 장치로 구성되어 있다. 음극부와 양극부에는 촉발장치가 아킹(arcing)을 유도하도록 되어 있으며, 음극부에는 아크 안정성을 향상시켜 주는 솔레노이드형(solenoidal)의 자기장치가 부착되어 있다. 마그네틱 여과부의 내부에는 거대 입자의 되튀김을 방지하기 위한 수십 개의 배플(baffle)이 설치되어 있다. 이러한 마그네틱 여과부는 자기장을 이용하여 아크 소스로부터 기판으로 나오는 아크 플라즈마 제트의 행로를 꺾어줌으로써, 아크 방전시 생성될 수 있는 불필요한 거대입자가 그들의 관성으로 인해 행로를 이탈하여 기판에 도달하지 못하도록 하여 효과적으로 거대입자를 제거하는 역할을 한다. 래스터 장치는 아크 플라즈마 제트를 균일하게 흔들어 줌으로써균일한 증착을 가능하게 한다.
마그네트론 스퍼터링부의 스퍼터 건(15)은 통상의 마그네트론 스퍼터건으로, 기판과 일정한 각도를 유지하면서 대면하는 위치에 설치되어 있으며, 스퍼터 전원 공급계로부터 전원을 인가받는다. 스퍼터 건내에는 99.99%의 고체 실리콘 타겟이 설치되어 있으며, 그 주변에 스퍼터링을 위한 불활성기체 공급부(16)이 위치하고 있다. 이 때, 증착되는 실리콘의 양은 스퍼터건에 유입되는 불활성기체의 유량으로 조절가능하며, 상기 불활성기체로 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크립톤(Kr)등을 사용할 수 있다. 실리콘의 증착에 있어서, 10-4torr 이하의 작동압력하에서는 스퍼터링만으로는 실리콘의 증착이 불가능하지만 아크 이온 소스부로부터 유입되는 다량의 전자로 인하여 증착이 가능하다.
반응 챔버부는 로터리 펌프와 터보 펌프 등의 진공 펌프(17)로 10-6torr까지 진공을 유지시키도록 되어 있다. 또한, 기판은 HF 또는 DC 바이어스를 인가할 수 있도록 챔버와 절연되어 있고, 증착시 시편의 급격한 온도 상승을 막기 위해 냉각수가 순환되도록 되어 있다.
다음은 도 1의 장비를 이용하여, 실리콘을 함유한 초경질 다이아몬드상 탄소박막을 제조하는 방법을 설명한다.
먼저, 증착하고자 하는 기판을 유기 용매로 세척하여, 진공 반응 챔버내의 기판부에 장착한다. 이어서, 진공 펌프를 이용하여, 반응 챔버 내부를 진공상태로 만든 후, 진공 여과 아크 장치의 음극부에 고체상 탄소원을 장치하고 음극과 양극에 전원을 인가한다. 일정 범위 이상의 전압이 인가되면 두 전극 사이의 절연공간에 순간적으로 절연파괴가 일어나 높은 전류가 흐르는 아크방전이 발생하며, 이러한 아크방전에 의한 아크방전 부분에서의 가열로 인하여 음극부에 위치한 고체 탄소원의 급격한 증발(이온화)이 일어나 플라즈마의 강력한 제트가 형성된다. 이 때, 많은 전류가 흐르면서 가열, 이온화 및 팽창 과정을 계속적으로 발생시켜 아킹(arching)을 유도하여 아크젯 플라즈마를 발생시킨다. 아크가 발생되면 급격한 전하의 흐름이 생기므로 한 쪽 전극에서 반대 전극으로 이온과 전자가 방출되며, 이 때 고속으로 분출되는 이온들이 기판에 증착되어 막을 형성하게 된다. 이와 동시에, 마그네틱 스퍼터링부에 전원을 인가하여 스퍼터 건의 실리콘을 스퍼터링하여 아크 이온 소스부로부터 유입되는 탄소 이온과 함께 기판에 증착시킨다.
이 때, 과도한 이온의 흐름으로 인한 흑연화를 막기 위해서 아크이온 소스부의 전원은 22 ~ 30 V, 55 ~ 90 A 범위가 바람직하며, 안정적인 실리콘의 스퍼터를 위해 마그네틱 스퍼터링부의 스퍼터 전원은 800 ~ 900 V, 0.5 ~ 1 A 범위가 바람직하다. 또한 상기 증착시 바이어스 인가는 실리콘의 재스퍼터 발생을 유발하여 박막의 증착을 방해하기 때문에 기판 바이어스를 인가하지 않은 상태로 탄소박막을 증착시키는 것이 유리하다.
상기 증착과정은 기판을 건식 세척하는 과정을 포함할 수 있다. 실리콘의 스퍼터링 전, 진공 여과 아크 장비를 작동시켜 고체 탄소원의 아크젯 플라즈마를 형성시킨 상태에서, 불활성기체를 공급하면서, 기판부에 전원을 공급한 상태에서 기판을 건식 세척한다. 이 때, 기판부의 전원은 HF 또는 DC를 사용할 수 있고, 기판바이어스는 -800 ~ -1000 V 범위가 바람직하며, 세척시간은 10 ~ 20 분이 바람직하다. 상기 건식 세척이 끝난 다음에, 연속적으로 마그네트론 스퍼터 건에 HF 전원을 공급하여 800 ~ 900 V 및 0.5 ~ 1 A를 인가하여 실리콘을 스퍼터링한다.
이 때, 챔버내의 압력은 10-3torr ~ 10-4torr 정도가 바람직하고, 스퍼터건에 공급되는 불활성기체의 유량을 조절하여 스퍼터링되는 실리콘의 양을 독립적으로 조절 가능하다. 스퍼터 효율을 높이기 위해서는 상기 불활성기체를 챔버내로 광범위하게 유입하는 것보다 스퍼터건 부근에 직접적으로 유입하는 것이 유리하다. 이 때, 유입되는 불활성기체의 유량을 0 ~ 40 sccm 범위에서 조절하여, 첨가되는 실리콘의 양을 0.025 ~ 80 at.% 까지 조절할 수 있다.
이하, 본 발명의 특징을 다음의 실시예를 통하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
아래의 실시예에서는 실리콘의 첨가 방법으로서 스퍼터링법을 사용하였고, 경질 탄소 박막의 합성방법으로서 FVA방법을 사용하였으나, 본 발명이 이 방법에만 국한되는 것은 아니다. 어떠한 방법으로든 실리콘이 첨가되는 조성과 막 형성구조를 제어할 수 있다면 동일한 발명의 효과를 얻을 수 있을 것이다.
또한, 아래의 실시예에서 코팅모재로는 실리콘을 사용하고 있으나, 본 발명이 실리콘의 코팅모재에만 국한되는 것이 아니다. 모든 철계, 비철계 금속모재에 이 방법이 사용될 수 있다.
다층 탄소박막의 합성
스퍼터건에 99.99%의 실리콘 타겟을 설치하였으며, 스퍼터에는 250KHz의 고주파 전원을 사용하였다. 스퍼터링시 인가 전원은 800V 500mA 였다. 스퍼터 전원은 PC를 이용하여 전압 및 전류 제한값을 조절되도록 하였다. 경질 탄소 박막을 코팅하기 위한 아크 전원으로는 DC 22 V, 55 A를 사용하였다.
유기용매를 이용하여 세척된 실리콘 기판을 기판 지지대에 장착하고, 아크 건을 작동시킨 상태에서, 아크건으로 아르곤을 8 sccm 공급하면서 압력을 0.1 mTorr로 유지하고, 250 KHz 고주파 전원으로 기판에 바이어스 전압 -800 V를 인가하여 10분 동안 기판을 건식 세척하였다. 아크 건으로의 알곤 공급을 중단하여 탄소를 코팅하면서, 스퍼터 건에 알곤을 14 sccm 유입하고 스퍼터 건을 작동하여 Si을 공급하도록 하였다. 0.1 mTorr의 낮은 압력에서도 스퍼터링이 가능한 이유는 아크 소스에서 충분히 많은 전자가 발생되어 아크건 자체가 우수한 전자 공급원의 역할을 하기 때문이다.
도 2는 합성시간 동안 스퍼터 건에 인가되는 전압의 변화를 보여주는 자료이다. 스퍼터 건에 전압이 인가되면 스퍼터 건으로부터 Si이 스퍼터링되어 공급되므로 Si이 함유된 탄소층이 합성되며, 전압이 인가되지 않은 상태에서는 순수한 탄소층만이 코팅되도록 하였다. 도 2에는 전압을 변화시키는 세 가지 방법이 나타나 있다. 맨 위의 전압변화는 전압이 인가되는 시간 보다 인가되지 않는 시간이 더 크고, 가운데 그래프는 전압의 인가 시간과 중단 시간이 동일한 경우를 나타내며, 맨 아래는 전압 인가 시간이 중단 시간보다 큰 경우를 도시한다. 이와 같이 전압의 인가 시간과 중단 시간을 변화시킴으로써 기판 위에 형성되는 Si이 함유된 필름과 Si이 함유되지 않은 순수한 탄소필름의 두께의 비율을 자유롭게 변화시키는 것이 가능하다.
도 3은 0.025at.%의 실리콘이 함유된 탄소층과 순수한 탄소층이 교대로 20번 적층된, 즉 적층쌍이 20인 총 40층의 다층 탄소박막의 투과전자현미경(TEM) 사진이다. 맨위 층은 TEM용 샘플에 필요한 Epoxy층이며, 맨 밑은 기판인 Si층, 가운데 층이 본 발명에 의한 다층 박막에 해당한다. 다층막의 구조가 비정질이기 때문에 각 층의 경계는 명확하지 않으나, 콘트라스트(contrast)의 변화로부터 Si의 함유층과 순수한 탄소층이 반복되고 있음을 보여주고 있다.
적층횟수의 변화
순수 탄소층에 대한 Si 함유층의 두께비와 필름의 전체두께가 일정할 때 교대로 적층되는 회수를 변화시켜 가면서 필름의 잔류응력과 경도를 측정하였다. 필름의 경도는 나노인덴테이션 방법을 사용하여 측정하였으며, 잔류응력은 기판/필름의 곡률변화로부터 계산하였다.
도 4는 순수한 경질탄소박막과 Si가 함유된 단일 탄소박막, 그리고 본 발명에 의한 다층 탄소박막의 기계적 특성 평가결과이다. Si의 함유량은 0025at.%였다.
순수한 경질탄소 필름(적층횟수가 0인 경우)에 비해, Si 함유 탄소 단일층의 잔류응력 감소폭 및 경도 감소폭은 각각 29.4 %, 7.7 % 였다(적층횟수가 ∝ 로 표시된 경우).
이에 비해 매우 적은 양의 Si 이 함유된 경질탄소층과 순수 탄소층으로 이루어진 다층박막의 경우에는 잔류 응력의 감소폭이 커지며, 적층쌍의 수가 20인 경우에는 잔류 응력의 감소폭은 45%로 현저히 저하되는 반면, 경도의 감소는 6.6%로 거의 경질 탄소 박막의 값에 근접하는 것을 알 수 있다.
또한, 도 4의 결과에서 보는 바와 같이, 다층 박막의 적층쌍의 수에 따른 잔류응력의 변화가 보여지는 데, 이를 활용하여 적층횟수를 조절하면 탄소박막의 잔류응력의 조절 또한 가능할 것으로 판단된다.
한편, 각층에 포함된 순수 탄소층과 Si 함유 탄소층의 비율에 따라서도 잔류응력의 조절이 가능하다.
경질 탄소 박막은 높은 경도와 윤활성 그리고 내마모성을 가지고 있으며, 표면이 매우 평활하고 저온에서 합성할 수 있다는 점 때문에 매우 다양한 분야에서 활용되고 있는 코팅 재료이다. 그러나 높은 잔류 응력으로 인해 그 응용분야가 제한되어 왔지만, 본 발명에 의하면 이러한 경질 탄소 박막의 높은 기계적 물성은 유지시키면서 잔류 응력을 감소시켜 그 응용 분야를 확대할 수 있다. 또한, 부가적으로 탄소박막의 열적 안정성 및 마찰 특성을 향상시킬 수도 있다.

Claims (16)

  1. 실리콘이 0.025 at.% ~ 10 at.%의 범위로 함유되고, 다이아몬드상 카본으로 이루어지는 제 1 경질 탄소 박막층과;
    순수한 다이아몬드상 카본으로만 이루어지는 제 2 경질 탄소 박막층;을 포함하여 이루어지며,
    상기 제 1 경질 탄소 박막층과 제 2 경질 탄소 박막층이 교대로 적층되어 형성된 다층막인 것을 특징으로 하는
    다층 경질 탄소박막.
  2. 제1항에 있어서, 제 1 경질 탄소 박막층과 제 2 경질 탄소 박막층은 교대로 1 ~ 50회 적층되어 총 2층 ~ 100층의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막.
  3. 제1항에 있어서, 상기 다층 경질 탄소 박막의 두께는 10nm ~ 수 ㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막.
  4. 제1항에 있어서, 제 1 경질 탄소 박막층 또는 제 2 경질 탄소 박막층의 두께는 각각 1nm ~ 수 ㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막.
  5. 제1항에 있어서, 다층 경질 탄소박막름의 경도는 탄소 단일막 보다 10% 이하의 범위로 감소되는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막.
  6. 제1항에 있어서, 다층 경질 탄소박막름의 잔류응력은 탄소 단일막 보다 50%의 범위에 이르기까지 감소되는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막.
  7. 양극과 고체상 탄소원이 장착된 음극에 전원을 인가하여 탄소 플라즈마를 발생시키고,
    스퍼터 건에 실리콘 타겟을 장착하고 전원을 주기적으로 변화시키면서 인가하여 실리콘을 스퍼터링시키고,
    반응 챔버에 설치된 기판상에 실리콘이 함유된 제 1 경질 탄소 박막층과 탄소만으로 이루어진 제 2 경질 탄소박막층을 번갈아 교대로 증착시키는 것를 포함하여 이루어지며,
    상기 제 1 경질 탄소박막층의 실리콘의 양은 0.025 ~10 at.%의 범위인 것을 특징으로 하는
    다층 경질 탄소박막의 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서, 제 1 경질 탄소 박막층과 제 2 경질 탄소 박막층은 교대로 1 ~ 50회 적층되어 총 2층 ~ 100층의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 탄소 플라즈마의 형성은 아크 방전에 의하는 다층 경질 탄소박막 제조방법.
  11. 제7항에 있어서, 탄소 플라즈마 형성시 전극에 인가되는 전원은 22 ~ 30 V, 55 ~ 90 A, 범위인 다층 경질 탄소박막 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 탄소 플라즈마를 형성시킨 상태에서 실리콘을 스퍼터링하기 전에, 반응 챔버에 불활성기체를 유입시키고 기판 바이어스를 인가하여 기판을 건식 세척시키는 단계를 추가적으로 포함하는 다층 경질 탄소박막 제조방법.
  13. 제7항에 있어서, 스퍼터링 전원은 800 ~ 900 V, 0.5 ~ 1 A 범위인 다층 경질 탄소박막 제조방법.
  14. 제7항에 있어서, 다층 탄소박막의 합성시 기판에 바이어스를 인가하지 않고 제 1 층 및 제 2 층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막 제조방법.
  15. 제7항에 있어서, 실리콘 스퍼터링시 반응 챔버내에 불활성기체를 유입시키고, 이 때 유입되는 불활성기체의 양을 조절하여 증착되는 실리콘의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막 제조방법.
  16. 제7항에 있어서, 상기 반응 챔버 내부의 압력이 10-3torr ∼ 10-4torr인 다층 경질 탄소박막 제조방법.
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