JPH08234459A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH08234459A JPH08234459A JP3663295A JP3663295A JPH08234459A JP H08234459 A JPH08234459 A JP H08234459A JP 3663295 A JP3663295 A JP 3663295A JP 3663295 A JP3663295 A JP 3663295A JP H08234459 A JPH08234459 A JP H08234459A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 繰り返し使用による光疲労、オゾン劣化、及
び前露光疲労を効果的に抑制し、安定性のある電子写真
感光体を提供する。 【構成】 導電性支持体上に電荷発生層、及び電荷輸送
層を積層した電子写真感光体において、上記電荷輸送層
にフェノール系酸化防止剤とベンゾトリアゾール系紫外
線吸収剤とを含有し、両成分の配合比は２０／１〜１／
５重量比で、且つ両成分の組成物は電荷輸送物質に対し
て１〜５０重量％含有させたもの。
び前露光疲労を効果的に抑制し、安定性のある電子写真
感光体を提供する。 【構成】 導電性支持体上に電荷発生層、及び電荷輸送
層を積層した電子写真感光体において、上記電荷輸送層
にフェノール系酸化防止剤とベンゾトリアゾール系紫外
線吸収剤とを含有し、両成分の配合比は２０／１〜１／
５重量比で、且つ両成分の組成物は電荷輸送物質に対し
て１〜５０重量％含有させたもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は積層型電子写真感光体、
特に、有機系電子写真感光体に関するものである。
特に、有機系電子写真感光体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体として、光導電性
顔料を電気絶縁性の結着樹脂中に分散させた組成物の層
を導電性支持体上に設けたもの、導電性支持体上に電荷
発生層その上に電荷輸送物質を含む樹脂層を設けたも
の、又、導電性支持体上に電荷輸送物質を含む樹脂層そ
の上に電荷発生層を設けたもの、更に、上記電荷輸送層
中に電荷発生物質を分散させた組成物を導電性支持体上
に設けたもの等が知られている。これらの電子写真感光
体は光疲労を受けやすく、特に紫外線を含む光に対して
弱い。例えば、蛍光灯下にさらされた感光体を帯電、露
光、現像、転写、クリーニングなどからなるプロセスに
入れ画像出しを行うと、画像濃度が低くカブリのある画
像が得られる。これらの現象は前露光疲労による帯電性
の劣化が原因であり、特に残留電位が上昇しやすくな
る。また、繰り返し使用した場合も光疲労、オゾン劣化
などにより同様な現象が発生する。
顔料を電気絶縁性の結着樹脂中に分散させた組成物の層
を導電性支持体上に設けたもの、導電性支持体上に電荷
発生層その上に電荷輸送物質を含む樹脂層を設けたも
の、又、導電性支持体上に電荷輸送物質を含む樹脂層そ
の上に電荷発生層を設けたもの、更に、上記電荷輸送層
中に電荷発生物質を分散させた組成物を導電性支持体上
に設けたもの等が知られている。これらの電子写真感光
体は光疲労を受けやすく、特に紫外線を含む光に対して
弱い。例えば、蛍光灯下にさらされた感光体を帯電、露
光、現像、転写、クリーニングなどからなるプロセスに
入れ画像出しを行うと、画像濃度が低くカブリのある画
像が得られる。これらの現象は前露光疲労による帯電性
の劣化が原因であり、特に残留電位が上昇しやすくな
る。また、繰り返し使用した場合も光疲労、オゾン劣化
などにより同様な現象が発生する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、繰り返し使
用による光疲労、オゾン劣化、及び前露光疲労、それに
伴う帯電電位の低下、残留電位の上昇が少なく、更に、
油、指紋等の感光体表面への付着によるクラック発生を
抑える電子写真感光体を提供する。
用による光疲労、オゾン劣化、及び前露光疲労、それに
伴う帯電電位の低下、残留電位の上昇が少なく、更に、
油、指紋等の感光体表面への付着によるクラック発生を
抑える電子写真感光体を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、導電性支持体上に電荷発生層、及び
電荷輸送層を積層した電子写真感光体において、上記電
荷輸送層がフェノール系酸化防止剤とベンゾトリアゾー
ル系紫外線吸収剤とを含有し、両成分の配合比が２０／
１〜１／５重量比で、且つ両成分の組成比は電荷輸送物
質に対して１〜５０重量％含有することを特徴とする電
子写真感光体である。即ち、本発明はフェノール系酸化
防止剤とベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤をそれぞれ
単独で所定量混合した場合に比較して、上記酸化防止剤
と紫外線吸収剤を一定量比で併用した方が繰り返し使用
による光疲労、オゾン劣化、及び前露光疲労による帯電
電位の低下、残留電位の上昇の抑制効果が相乗的に改善
されるという発見に基づくものである。
の本発明の構成は、導電性支持体上に電荷発生層、及び
電荷輸送層を積層した電子写真感光体において、上記電
荷輸送層がフェノール系酸化防止剤とベンゾトリアゾー
ル系紫外線吸収剤とを含有し、両成分の配合比が２０／
１〜１／５重量比で、且つ両成分の組成比は電荷輸送物
質に対して１〜５０重量％含有することを特徴とする電
子写真感光体である。即ち、本発明はフェノール系酸化
防止剤とベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤をそれぞれ
単独で所定量混合した場合に比較して、上記酸化防止剤
と紫外線吸収剤を一定量比で併用した方が繰り返し使用
による光疲労、オゾン劣化、及び前露光疲労による帯電
電位の低下、残留電位の上昇の抑制効果が相乗的に改善
されるという発見に基づくものである。
【０００５】本発明で用いる上記フェノール系酸化防止
剤としては、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−４−メトキシフェノール、
２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノー
ル、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、
２，４−ジメチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、
ブチルヒドロキシアニソール、２，２’−メチレンビス
（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、２
−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（３’−ｔｅｒｔ−ブチル−
５’−メチル−２’−ヒドロキシベンジル）−４−メチ
ルフェニルアクリレート、４，４’−ブチリデン−ビス
−（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、
ｎ−オクタデシル−３−（３’−５’−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プヒロネート、
４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）、α−トコフェロール、β−トコフェロ
ール、２，２，４−トリメチル−６−ヒドロキシ−７−
ｔｅｒｔ−ブチルクロマン、テトラキス〔メチレン−３
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート〕メタン、１，１，３−トリス
（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）ブタン、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ハイドロキ
ノン等の様々なフェノール系化合物を包含するヒンダー
ド置換フェノールは特に有効である。
剤としては、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−４−メトキシフェノール、
２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノー
ル、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、
２，４−ジメチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、
ブチルヒドロキシアニソール、２，２’−メチレンビス
（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、２
−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（３’−ｔｅｒｔ−ブチル−
５’−メチル−２’−ヒドロキシベンジル）−４−メチ
ルフェニルアクリレート、４，４’−ブチリデン−ビス
−（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、
ｎ−オクタデシル−３−（３’−５’−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プヒロネート、
４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）、α−トコフェロール、β−トコフェロ
ール、２，２，４−トリメチル−６−ヒドロキシ−７−
ｔｅｒｔ−ブチルクロマン、テトラキス〔メチレン−３
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート〕メタン、１，１，３−トリス
（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）ブタン、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ハイドロキ
ノン等の様々なフェノール系化合物を包含するヒンダー
ド置換フェノールは特に有効である。
【０００６】また、本発明で用いるベンゾトリアゾール
系紫外線吸収剤は、２−（５−メチル−２−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾトリアゾール、２−〔２−ヒドロキシ
−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニ
ル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾト
リアゾール、２−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル
−２−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリア
ゾール、２−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒ
ドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、
２−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミル−２−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキ
シ−５’−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリア
ゾール等を用いることができる。
系紫外線吸収剤は、２−（５−メチル−２−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾトリアゾール、２−〔２−ヒドロキシ
−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニ
ル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾト
リアゾール、２−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル
−２−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリア
ゾール、２−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒ
ドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、
２−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミル−２−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキ
シ−５’−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリア
ゾール等を用いることができる。
【０００７】フェノール系酸化防止剤とベンゾトリアゾ
ール系紫外線吸収剤の配合比は２０／１〜１／５重量比
で、好ましくは３／１〜３／９である。また、これら両
成分の含有量は電荷輸送物質に対して５〜５０重量％が
適当であり、好ましくは５〜２５重量％である。
ール系紫外線吸収剤の配合比は２０／１〜１／５重量比
で、好ましくは３／１〜３／９である。また、これら両
成分の含有量は電荷輸送物質に対して５〜５０重量％が
適当であり、好ましくは５〜２５重量％である。
【０００８】電荷発生物質としては下記一般式〔Ｉ〕で
表されるアゾ顔料
表されるアゾ顔料
【化３】
【０００９】（式中、Ｘは水素、ハロゲン原子、アルキ
ル基、アルコキシ基を示す。 Ｙは −ＣＯＮＨ−Ａｒ 〔ＩＩ〕 −ＣＯＮＨＮ＝ＣＨ−Ａｒ 〔ＩＩＩ〕 からなる基を表し、Ａｒは置換基を有しても良い芳香族
炭素環基、又は芳香族複素環基を示す。なお、式〔Ｉ〕
のビスアゾ顔料の具体例を上げると表１の通りであ
る。）
ル基、アルコキシ基を示す。 Ｙは −ＣＯＮＨ−Ａｒ 〔ＩＩ〕 −ＣＯＮＨＮ＝ＣＨ−Ａｒ 〔ＩＩＩ〕 からなる基を表し、Ａｒは置換基を有しても良い芳香族
炭素環基、又は芳香族複素環基を示す。なお、式〔Ｉ〕
のビスアゾ顔料の具体例を上げると表１の通りであ
る。）
【００１０】
【表１】
【００１１】下記一般式〔ＩＶ〕で表されるフタロシア
ニン顔料
ニン顔料
【化４】 （式中、Ｍは金属、又は金属酸化物であり、好ましくは
ＴｉＯである）
ＴｉＯである）
【００１２】下記一般式〔Ｖ〕で表されるチオインジゴ
顔料
顔料
【化５】 （式中、Ｘはハロゲン、好ましくは塩素である）
【００１３】下記一般式〔ＶＩ〕で表されるペリレン顔
料
料
【化６】 （式中、Ｒはアルキル基、好ましくはメチル基である）
【００１４】下記一般式〔ＶＩＩ〕で表されるスレン系
顔料（アントラキノン系顔料）
顔料（アントラキノン系顔料）
【化７】 （式中、Ｘはハロゲン、好ましくは臭素である）
【００１５】などを単独、もしくは、数種類組み合わせ
て使用する。これらの電荷発生物質の中でも上記一般式
〔Ｉ〕で示されるビスアゾ顔料が好ましい。電荷発生層
に用いられる結着剤としては、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、
ポリアミド、ポリウレタン、各種セルロース等が使用さ
れている。電荷発生層としては、電荷発生物質を必要な
らば結着剤とともに溶剤に分散し、塗布、浸漬等の方法
で支持体上に設けたものを用いることができる。また、
電荷発生物質を蒸着により支持体上へ設けることもでき
る。結着剤は電荷発生物質１００重量部当たり、５〜１
５０重量部程度用いることが適当である。電荷発生層の
厚さは０．０５〜２０μｍ、好ましくは０．１〜２μｍ
程度が適当である。
て使用する。これらの電荷発生物質の中でも上記一般式
〔Ｉ〕で示されるビスアゾ顔料が好ましい。電荷発生層
に用いられる結着剤としては、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、
ポリアミド、ポリウレタン、各種セルロース等が使用さ
れている。電荷発生層としては、電荷発生物質を必要な
らば結着剤とともに溶剤に分散し、塗布、浸漬等の方法
で支持体上に設けたものを用いることができる。また、
電荷発生物質を蒸着により支持体上へ設けることもでき
る。結着剤は電荷発生物質１００重量部当たり、５〜１
５０重量部程度用いることが適当である。電荷発生層の
厚さは０．０５〜２０μｍ、好ましくは０．１〜２μｍ
程度が適当である。
【００１６】電荷輸送層については電荷輸送物質、及び
結着剤を含有する。電荷輸送物質は公知の電子供与性化
合物が使用できるが、中でも電子供与性化合物である下
記一般式〔Ａ〕で表されるヒドラゾン化合物が好まし
い。
結着剤を含有する。電荷輸送物質は公知の電子供与性化
合物が使用できるが、中でも電子供与性化合物である下
記一般式〔Ａ〕で表されるヒドラゾン化合物が好まし
い。
【００１７】
【化８】
【００１８】（式中、Ｘ、及びＲ1 〜Ｒ4 は各々水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又は置
換アミノ基、もしくは無置換のアリール基を示す。上記
一般式〔Ａ〕のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、及びＲ4 におけるア
ルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられ、アル
コキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、、ブトキシ基、ペンチルオキシ基など、ハロゲン原
子としては塩素原子、臭素原子など、置換アミノ基とし
てはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基などのアルキル基、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ
基などのアルコキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ
基、ナフチルオキシ基などのアリールオキシ基、フェニ
ル基、ナフチル基などのアリール基などで置換された置
換アミノ基、無置換のアリール基としてはフェニル基、
ナフチル基などが挙げられる。） なお、本発明に用いられるヒドラゾン化合物の見本例を
挙げると表２の通りである。
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又は置
換アミノ基、もしくは無置換のアリール基を示す。上記
一般式〔Ａ〕のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、及びＲ4 におけるア
ルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられ、アル
コキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、、ブトキシ基、ペンチルオキシ基など、ハロゲン原
子としては塩素原子、臭素原子など、置換アミノ基とし
てはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基などのアルキル基、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ
基などのアルコキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ
基、ナフチルオキシ基などのアリールオキシ基、フェニ
ル基、ナフチル基などのアリール基などで置換された置
換アミノ基、無置換のアリール基としてはフェニル基、
ナフチル基などが挙げられる。） なお、本発明に用いられるヒドラゾン化合物の見本例を
挙げると表２の通りである。
【００１９】
【表２】
【００２０】更に、下記に示す公知の電子供与性化合物
も好ましい。
も好ましい。
【００２１】
【化９】
【００２２】
【化１０】
【００２３】
【化１１】
【００２４】
【化１２】
【００２５】
【化１３】
【００２６】
【化１４】
【００２７】更に、下記に示すジアミノジフェニル化合
物も好ましい。
物も好ましい。
【化１５】
【００２８】（式中、Ｒ1 はハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、アラルキル基、フェニル基、あるい
は低級アルキル基、又は低級アルコキシ基を置換基とし
て有すフェニル基を表し、Ｒ2 はハロゲン原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、アラルキル基、シクロアルキル
基、フェニル基、あるいは低級アルキル基、又は低級ア
ルコキシ基を置換基として有すフェニル基を表し、Ｒ3
は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアラ
ルキル基を表し、Ｒ4 は水素原子、クロル原子、メチル
基、あるいはメトキシ基を表す。） なお、本発明に用いられるジアミノジフェニル化合物の
具体例を挙げると表３の通りである。
基、アルコキシ基、アラルキル基、フェニル基、あるい
は低級アルキル基、又は低級アルコキシ基を置換基とし
て有すフェニル基を表し、Ｒ2 はハロゲン原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、アラルキル基、シクロアルキル
基、フェニル基、あるいは低級アルキル基、又は低級ア
ルコキシ基を置換基として有すフェニル基を表し、Ｒ3
は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアラ
ルキル基を表し、Ｒ4 は水素原子、クロル原子、メチル
基、あるいはメトキシ基を表す。） なお、本発明に用いられるジアミノジフェニル化合物の
具体例を挙げると表３の通りである。
【００２９】
【表３】
【００３０】また、上記ヒドラゾン化合物中、化合物
〔Ａ〕と化合物〔Ｃ〕の配合比を１００／１００〜１０
０／１重量比で、好ましくは１００／２０〜１００／５
で更に光疲労が低減される。また、上記ヒドラゾン化合
物中、化合物〔Ｅ〕と化合物〔Ｍ〕の配合比を１０／１
〜１／１０重量比で、好ましくは６／４〜４／６で更に
光疲労が低減される。
〔Ａ〕と化合物〔Ｃ〕の配合比を１００／１００〜１０
０／１重量比で、好ましくは１００／２０〜１００／５
で更に光疲労が低減される。また、上記ヒドラゾン化合
物中、化合物〔Ｅ〕と化合物〔Ｍ〕の配合比を１０／１
〜１／１０重量比で、好ましくは６／４〜４／６で更に
光疲労が低減される。
【００３１】電荷輸送層に用いられる結着剤としては、
ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、
スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイ
ン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化
ビニリデン、ポリアクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリカーボネート、酢酸セルロース、エチルセルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ア
クリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹
脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等
の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等が挙げられる。使用量
は電荷輸送物質との重量比で１０／１〜１／１０、好ま
しくは１／２〜２／１の範囲である。電荷輸送層の厚さ
は２〜２００μｍ、好ましくは５〜３５μｍである。
ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、
スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイ
ン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化
ビニリデン、ポリアクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリカーボネート、酢酸セルロース、エチルセルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ア
クリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹
脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等
の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等が挙げられる。使用量
は電荷輸送物質との重量比で１０／１〜１／１０、好ま
しくは１／２〜２／１の範囲である。電荷輸送層の厚さ
は２〜２００μｍ、好ましくは５〜３５μｍである。
【００３２】導電性支持体としては導電性が付与されれ
ばどのようなものでも良い。具体的には、アルミニウ
ム、ニッケル、クロム、酸化錫、酸化インジウム等を蒸
着したプラスチックのフィルム、又は円筒（プラスチッ
クとしてはポリエステル、ポリプロピレン、酢酸セルロ
ース等が挙げられる）、アルミ箔のような導電性薄膜を
貼り合わせた紙、又はプラスチックフィルム、アルミニ
ウム、ニッケル、ステンレス、銅、鉄等の金属からなる
板、又は円筒等が挙げられる。下引き層は帯電性の向
上、接着剤の改善、モアレ発生の防止などの目的として
設けられるものであり、ポリアミド、ポリ酢酸ビニル、
ポリウレタン、アルコール可溶性ナイロン、ポリビニル
ブチラール、水溶性ポリビニルブチラール等の樹脂を主
成分とし、酸化アルミニウム、酸化錫、導電性カーボ
ン、酸化亜鉛等を分散させることもできる。下引き層の
膜厚は０．０１〜１０μｍ程度が適当であり、好ましく
は０．０１〜５μｍである。
ばどのようなものでも良い。具体的には、アルミニウ
ム、ニッケル、クロム、酸化錫、酸化インジウム等を蒸
着したプラスチックのフィルム、又は円筒（プラスチッ
クとしてはポリエステル、ポリプロピレン、酢酸セルロ
ース等が挙げられる）、アルミ箔のような導電性薄膜を
貼り合わせた紙、又はプラスチックフィルム、アルミニ
ウム、ニッケル、ステンレス、銅、鉄等の金属からなる
板、又は円筒等が挙げられる。下引き層は帯電性の向
上、接着剤の改善、モアレ発生の防止などの目的として
設けられるものであり、ポリアミド、ポリ酢酸ビニル、
ポリウレタン、アルコール可溶性ナイロン、ポリビニル
ブチラール、水溶性ポリビニルブチラール等の樹脂を主
成分とし、酸化アルミニウム、酸化錫、導電性カーボ
ン、酸化亜鉛等を分散させることもできる。下引き層の
膜厚は０．０１〜１０μｍ程度が適当であり、好ましく
は０．０１〜５μｍである。
【００３３】
【実施例】以下、本発明について実施例により更に詳細
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。尚、部、％はいずれも重量基準である。 〔実施例１〕アルミニウムドラム基板上に表１に例示し
たビスアゾ顔料〔Ｉ〕−（３）とポリビニルブチラール
（積水化学社製ＢＨ−３）を２／１の割合で乾式混練し
た後、サンドミルにて１，４ジオキサンとアセトン８／
２を溶媒として、固形分５％、２時間１０分分散し、塗
工液Ａとしてこれを浸漬コーティング法で塗工し、乾燥
して電荷発生層を形成した。この時の膜厚は０．５μｍ
であった。次に、前記表２に例示したヒドラゾン化合物
〔Ａ〕−（１）とポリカーボネート（三菱ガス化学社製
Ｅ−２０００Ｆ）を１／１の割合でジクロロメタンに溶
解し、固形分２５％とし、更に、フェノール系酸化防止
剤２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノー
ルを４％（電荷輸送剤に対して）、ベンゾトリアゾール
系紫外線吸収剤２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェ
ニル）ベンゾトリアゾールを６％（電荷輸送剤に対し
て）、それぞれヒドラゾン化合物に対して溶解させ、塗
工液Ｂとして電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗工
し、乾燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚は２
０μｍであった。
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。尚、部、％はいずれも重量基準である。 〔実施例１〕アルミニウムドラム基板上に表１に例示し
たビスアゾ顔料〔Ｉ〕−（３）とポリビニルブチラール
（積水化学社製ＢＨ−３）を２／１の割合で乾式混練し
た後、サンドミルにて１，４ジオキサンとアセトン８／
２を溶媒として、固形分５％、２時間１０分分散し、塗
工液Ａとしてこれを浸漬コーティング法で塗工し、乾燥
して電荷発生層を形成した。この時の膜厚は０．５μｍ
であった。次に、前記表２に例示したヒドラゾン化合物
〔Ａ〕−（１）とポリカーボネート（三菱ガス化学社製
Ｅ−２０００Ｆ）を１／１の割合でジクロロメタンに溶
解し、固形分２５％とし、更に、フェノール系酸化防止
剤２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノー
ルを４％（電荷輸送剤に対して）、ベンゾトリアゾール
系紫外線吸収剤２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェ
ニル）ベンゾトリアゾールを６％（電荷輸送剤に対し
て）、それぞれヒドラゾン化合物に対して溶解させ、塗
工液Ｂとして電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗工
し、乾燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚は２
０μｍであった。
【００３４】〔比較例１〕実施例１の処方から２，６−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを１％ヒ
ドラゾンに対して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒ
ドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを６％ヒドラゾ
ンに対して溶解させ、全く同様にして感光体を作成し
た。 〔比較例２〕実施例１の処方から２−（５−メチル−２
−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを除く以外
は全く同様にして感光体を作成した。 〔比較例３〕実施例１の処方から２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェノールを１％ヒドラゾンに対
して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェ
ニル）ベンゾトリアゾールを１０％ヒドラゾンに対して
溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。 〔比較例４〕実施例１の処方から２−（５−メチル−２
−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを１％ヒド
ラゾンに対して溶解させ、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−メチルフェノールを２５％ヒドラゾンに対して
溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを１％ヒ
ドラゾンに対して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒ
ドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを６％ヒドラゾ
ンに対して溶解させ、全く同様にして感光体を作成し
た。 〔比較例２〕実施例１の処方から２−（５−メチル−２
−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを除く以外
は全く同様にして感光体を作成した。 〔比較例３〕実施例１の処方から２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェノールを１％ヒドラゾンに対
して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェ
ニル）ベンゾトリアゾールを１０％ヒドラゾンに対して
溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。 〔比較例４〕実施例１の処方から２−（５−メチル−２
−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを１％ヒド
ラゾンに対して溶解させ、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−メチルフェノールを２５％ヒドラゾンに対して
溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。
【００３５】〔実施例２〕実施例１で用いたヒドラゾン
化合物〔Ａ〕−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合
物〔Ｈ〕を用い、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
メチルフェノールを２％ヒドラゾンに対して溶解させ、
２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾト
リアゾールを１０％ヒドラゾンに対して溶解させ、全く
同様にして感光体を作成した。 〔比較例５〕比較例１で用いたヒドラゾン化合物〔Ａ〕
−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合物〔Ｈ〕を用
い、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノ
ールを１％ヒドラゾンに対して溶解させ、２−（５−メ
チル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを
６％ヒドラゾンに対して溶解させ、全く同様にして感光
体を作成した。 〔比較例６〕比較例２で用いたヒドラゾン化合物〔Ａ〕
−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合物〔Ｈ〕を用
いた他は全て同様な方法で感光体を作成した。 〔比較例７〕実施例１の処方からヒドラゾン化合物
〔Ａ〕−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合物
〔Ｈ〕を用い、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メ
チルフェノールを１％ヒドラゾンに対して溶解させ、２
−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリ
アゾールを２０％ヒドラゾンに対して溶解させ、全く同
様にして感光体を作成した。 〔比較例８〕比較例７の処方から２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェノールを２２％ヒドラゾンに
対して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒドロキシフ
ェニル）ベンゾトリアゾールを１％ヒドラゾンに対して
溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。
化合物〔Ａ〕−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合
物〔Ｈ〕を用い、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
メチルフェノールを２％ヒドラゾンに対して溶解させ、
２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾト
リアゾールを１０％ヒドラゾンに対して溶解させ、全く
同様にして感光体を作成した。 〔比較例５〕比較例１で用いたヒドラゾン化合物〔Ａ〕
−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合物〔Ｈ〕を用
い、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノ
ールを１％ヒドラゾンに対して溶解させ、２−（５−メ
チル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを
６％ヒドラゾンに対して溶解させ、全く同様にして感光
体を作成した。 〔比較例６〕比較例２で用いたヒドラゾン化合物〔Ａ〕
−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合物〔Ｈ〕を用
いた他は全て同様な方法で感光体を作成した。 〔比較例７〕実施例１の処方からヒドラゾン化合物
〔Ａ〕−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合物
〔Ｈ〕を用い、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メ
チルフェノールを１％ヒドラゾンに対して溶解させ、２
−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリ
アゾールを２０％ヒドラゾンに対して溶解させ、全く同
様にして感光体を作成した。 〔比較例８〕比較例７の処方から２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェノールを２２％ヒドラゾンに
対して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒドロキシフ
ェニル）ベンゾトリアゾールを１％ヒドラゾンに対して
溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。
【００３６】〔実施例３〕実施例１で用いたヒドラゾン
化合物〔Ａ〕−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合
物〔Ｊ〕を用い、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
メチルフェノールを３％ヒドラゾンに対して溶解させ、
２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾト
リアゾールを９％ヒドラゾンに対して溶解させ、全く同
様にして感光体を作成した。 〔比較例９〕実施例３の処方から２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェノールを除く以外は、全て同
様にして感光体を作成した。 〔比較例１０〕実施例３の処方から、２−（５−メチル
−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを除く
以外は全て同様にして感光体を作成した。 〔比較例１１〕実施例３の処方から、２，６−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを１％ヒドラゾン
に対して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾトリアゾールを１２％ヒドラゾンに対
して溶解させ、全て同様にして感光体を作成した。 〔比較例１２〕実施例３の処方から、２，６−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを１３％ヒドラゾ
ンに対して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒドロキ
シフェニル）ベンゾトリアゾールを０．５％ヒドラゾン
に対して溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。
化合物〔Ａ〕−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化合
物〔Ｊ〕を用い、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
メチルフェノールを３％ヒドラゾンに対して溶解させ、
２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾト
リアゾールを９％ヒドラゾンに対して溶解させ、全く同
様にして感光体を作成した。 〔比較例９〕実施例３の処方から２，６−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェノールを除く以外は、全て同
様にして感光体を作成した。 〔比較例１０〕実施例３の処方から、２−（５−メチル
−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを除く
以外は全て同様にして感光体を作成した。 〔比較例１１〕実施例３の処方から、２，６−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを１％ヒドラゾン
に対して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾトリアゾールを１２％ヒドラゾンに対
して溶解させ、全て同様にして感光体を作成した。 〔比較例１２〕実施例３の処方から、２，６−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを１３％ヒドラゾ
ンに対して溶解させ、２−（５−メチル−２−ヒドロキ
シフェニル）ベンゾトリアゾールを０．５％ヒドラゾン
に対して溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。
【００３７】〔実施例４〕アルミ基板上に一般式〔Ｉ
Ｖ〕に示したフタロシアニン顔料の中心金属をＴｉＯに
した顔料と、ポリビニルブチラール（積水化学社製ＢＨ
−１）を２／１の割合でサンドミルにて１，４ジオキサ
ンとアセトン８／２を溶媒として固形分５％２時間分散
し、塗工液Ｃとしてこれを浸漬コーティング法で塗工
し、乾燥して、電荷発生層を形成した。この時の膜厚は
０．５μｍであった。次に、実施例１で用いたヒドラゾ
ン化合物〔Ａ〕−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化
合物〔Ｅ〕と公知の電荷輸送剤化合物〔Ｍ〕を６／４で
配合し用い、更に、フェノール系酸化防止剤２，６−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェノールを１３％
（電荷輸送剤全体に対して）、ベンゾトリアゾール系紫
外線吸収剤２−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−
ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを１２％用い
た他は全て同様な方法で感光体を作成した。
Ｖ〕に示したフタロシアニン顔料の中心金属をＴｉＯに
した顔料と、ポリビニルブチラール（積水化学社製ＢＨ
−１）を２／１の割合でサンドミルにて１，４ジオキサ
ンとアセトン８／２を溶媒として固形分５％２時間分散
し、塗工液Ｃとしてこれを浸漬コーティング法で塗工
し、乾燥して、電荷発生層を形成した。この時の膜厚は
０．５μｍであった。次に、実施例１で用いたヒドラゾ
ン化合物〔Ａ〕−（１）に代えて、公知の電荷輸送剤化
合物〔Ｅ〕と公知の電荷輸送剤化合物〔Ｍ〕を６／４で
配合し用い、更に、フェノール系酸化防止剤２，６−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェノールを１３％
（電荷輸送剤全体に対して）、ベンゾトリアゾール系紫
外線吸収剤２−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−
ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを１２％用い
た他は全て同様な方法で感光体を作成した。
【００３８】〔比較例１３〕実施例４で用いたヒドラゾ
ン化合物〔Ｅ〕，〔Ｍ〕に代えて、〔Ｍ〕単独で用いた
他は全て同様な方法で感光体を作成した。 〔比較例１４〕実施例４で用いたヒドラゾン化合物
〔Ｅ〕，〔Ｍ〕に代えて、〔Ｅ〕単独で用いた他は全て
同様な方法で感光体を作成した。 〔比較例１５〕実施例４の処方から２−（３，５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾト
リアゾールを除く以外は全く同様にして感光体を作成し
た。 〔比較例１６〕実施例４の処方から２，６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−メトキシフェノールを１％、２−
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシルフ
ェニル）ベンゾトリアゾールを１２％電荷輸送剤に対し
て用いた他は、全て同様にして感光体を作成した。
ン化合物〔Ｅ〕，〔Ｍ〕に代えて、〔Ｍ〕単独で用いた
他は全て同様な方法で感光体を作成した。 〔比較例１４〕実施例４で用いたヒドラゾン化合物
〔Ｅ〕，〔Ｍ〕に代えて、〔Ｅ〕単独で用いた他は全て
同様な方法で感光体を作成した。 〔比較例１５〕実施例４の処方から２−（３，５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾト
リアゾールを除く以外は全く同様にして感光体を作成し
た。 〔比較例１６〕実施例４の処方から２，６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−メトキシフェノールを１％、２−
（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシルフ
ェニル）ベンゾトリアゾールを１２％電荷輸送剤に対し
て用いた他は、全て同様にして感光体を作成した。
【００３９】〔実施例５〕アルミニウムドラム基板上に
〔Ｖ〕に例示したインジゴ顔料とポリビニルブチラール
（積水化学社製ＢＭ−１）を３／１の割合で乾式混練し
た後、サンドミルにて１，４ジオキサンとシクロヘキサ
ノン８／２を溶媒とし、固形分５％、２時間１０分分散
し、塗工液Ｄとしてこれを浸漬コーティング法で塗工
し、乾燥して電荷発生層を形成した。この時の膜厚は
０．８μｍであった。次に、前記表３に例示したジアミ
ノジフェニル化合物〔Ｐ〕−（１）とポリカーボネート
（出光社製Ａ−２７００）を１／１の割合でジクロロメ
タンに溶解し固形分２５％とし、更に、フェノール系酸
化防止剤２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフ
ェノールを１０％（電荷輸送剤に対して）、ベンゾトリ
アゾール系紫外線吸収剤２−（５−メチル−２−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾールを１５％、それぞれ
ジアミノジフェニル化合物に対して溶解させ、塗工液Ｄ
として電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗工し、乾
燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚は２０μｍ
であった。
〔Ｖ〕に例示したインジゴ顔料とポリビニルブチラール
（積水化学社製ＢＭ−１）を３／１の割合で乾式混練し
た後、サンドミルにて１，４ジオキサンとシクロヘキサ
ノン８／２を溶媒とし、固形分５％、２時間１０分分散
し、塗工液Ｄとしてこれを浸漬コーティング法で塗工
し、乾燥して電荷発生層を形成した。この時の膜厚は
０．８μｍであった。次に、前記表３に例示したジアミ
ノジフェニル化合物〔Ｐ〕−（１）とポリカーボネート
（出光社製Ａ−２７００）を１／１の割合でジクロロメ
タンに溶解し固形分２５％とし、更に、フェノール系酸
化防止剤２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフ
ェノールを１０％（電荷輸送剤に対して）、ベンゾトリ
アゾール系紫外線吸収剤２−（５−メチル−２−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾトリアゾールを１５％、それぞれ
ジアミノジフェニル化合物に対して溶解させ、塗工液Ｄ
として電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗工し、乾
燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚は２０μｍ
であった。
【００４０】〔比較例１７〕実施例５の処方から２，６
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを除く
以外は全く同様にして感光体を作成した。 〔比較例１８〕実施例５の処方から２−（５−メチル−
２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを除く以
外は全く同様にして感光体を作成した。 〔比較例１９〕実施例５の処方から２，６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−メチルフェノールを除き、２−（５−
メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール
を２５％ジアミノジフェニル化合物に対して溶解させ、
全く同様にして感光体を作成した。
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを除く
以外は全く同様にして感光体を作成した。 〔比較例１８〕実施例５の処方から２−（５−メチル−
２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾールを除く以
外は全く同様にして感光体を作成した。 〔比較例１９〕実施例５の処方から２，６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−メチルフェノールを除き、２−（５−
メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール
を２５％ジアミノジフェニル化合物に対して溶解させ、
全く同様にして感光体を作成した。
【００４１】〔比較例２０〕実施例５の処方から２−
（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリア
ゾールを除き、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メ
チルフェノールを２５％ジアミノジフェニル化合物に対
して溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。以上
のように作成した電子写真感光体を、感光ドラム評価装
置（山梨電子工業社製）を使用し以下の条件で電子写真
特性を評価した（ダイナミックモード特性）。まず−５
ｋｖのコロナ放電を５秒間行って帯電せしめ、１０秒間
暗所に放置した後、１００Ｌｕｘの白色タングステン光
を照射し、再度−５ｋｖのコロナ放電を２０秒間行った
後の表面電位Ｖo を測定し初期表面電位とした。更に、
白色光を５０Ｌｕｘ照射しながら帯電−除電を繰り返
し、１００サイクル後の除電後を残留電位ＶR とした。
（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリア
ゾールを除き、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メ
チルフェノールを２５％ジアミノジフェニル化合物に対
して溶解させ、全く同様にして感光体を作成した。以上
のように作成した電子写真感光体を、感光ドラム評価装
置（山梨電子工業社製）を使用し以下の条件で電子写真
特性を評価した（ダイナミックモード特性）。まず−５
ｋｖのコロナ放電を５秒間行って帯電せしめ、１０秒間
暗所に放置した後、１００Ｌｕｘの白色タングステン光
を照射し、再度−５ｋｖのコロナ放電を２０秒間行った
後の表面電位Ｖo を測定し初期表面電位とした。更に、
白色光を５０Ｌｕｘ照射しながら帯電−除電を繰り返
し、１００サイクル後の除電後を残留電位ＶR とした。
【００４２】その後、繰り返し疲労加速試験器に移し、
回転させながら１０００Ｌｕｘの白色タングステン光を
照射した状態で感光層を流れる電流が５０μＡになる様
に帯電器の放電電流を調整し、６０分間連続して光照
射、放電を行った。疲労後直ちに感光体を前述の感光ド
ラム評価装置に移し、ＶO ，ＶR を測定し疲労特性とし
た。測定結果は表４及び表５に示す。（疲労試験は光疲
労とオゾン劣化の複合試験になる。） また、前露光疲労試験は上記のように初期（疲労前）特
性を測定し、回転させながら２０００Ｌｕｘの白色光を
１０分間照射し、その後直ちに感光体を前述の感光ドラ
ム評価装置に移し、ＶO ，ＶR を測定し前露光疲労特性
とした。測定結果は表４及び表５に示す。油、指紋等の
感光体表面への付着によるクラック試験は、感光体表面
へ指紋を付着させ、７日後その表面状態を確認した。結
果は表４及び表５に示す。
回転させながら１０００Ｌｕｘの白色タングステン光を
照射した状態で感光層を流れる電流が５０μＡになる様
に帯電器の放電電流を調整し、６０分間連続して光照
射、放電を行った。疲労後直ちに感光体を前述の感光ド
ラム評価装置に移し、ＶO ，ＶR を測定し疲労特性とし
た。測定結果は表４及び表５に示す。（疲労試験は光疲
労とオゾン劣化の複合試験になる。） また、前露光疲労試験は上記のように初期（疲労前）特
性を測定し、回転させながら２０００Ｌｕｘの白色光を
１０分間照射し、その後直ちに感光体を前述の感光ドラ
ム評価装置に移し、ＶO ，ＶR を測定し前露光疲労特性
とした。測定結果は表４及び表５に示す。油、指紋等の
感光体表面への付着によるクラック試験は、感光体表面
へ指紋を付着させ、７日後その表面状態を確認した。結
果は表４及び表５に示す。
【００４３】以上の測定結果に基づき、作成した感光体
について総合評価を行った。クラックの有無、疲労前後
の電位の変化に基づき評価の基準を以下のように定め
た。 総合評価 ◎… ・クラックを生じない ・疲労前後のＶO の変化量が１０ｖ以下 ・疲労前後のＶR の変化量が５ｖ以下 ○… ・クラックを生じない ・疲労前後のＶO の変化量が１０〜２０ｖ ・疲労前後のＶR の変化量が５〜２０ｖ ×… ・クラックが生じる、上記条件（◎、○）を満た
さないもの この総合評価の結果についても表４及び表５に示した。
について総合評価を行った。クラックの有無、疲労前後
の電位の変化に基づき評価の基準を以下のように定め
た。 総合評価 ◎… ・クラックを生じない ・疲労前後のＶO の変化量が１０ｖ以下 ・疲労前後のＶR の変化量が５ｖ以下 ○… ・クラックを生じない ・疲労前後のＶO の変化量が１０〜２０ｖ ・疲労前後のＶR の変化量が５〜２０ｖ ×… ・クラックが生じる、上記条件（◎、○）を満た
さないもの この総合評価の結果についても表４及び表５に示した。
【００４４】
【表４】
【表５】
【００４５】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、以上説明し
たように、繰り返し使用による光疲労、オゾン劣化、及
び前露光疲労それにともなう帯電電位の低下、残留電位
の上昇が少なく、更に、指紋等の感光体表面への付着に
よるクラック発生を抑え、耐キズ性に優れたものである
から、本発明は極めて有用であるといえよう。
たように、繰り返し使用による光疲労、オゾン劣化、及
び前露光疲労それにともなう帯電電位の低下、残留電位
の上昇が少なく、更に、指紋等の感光体表面への付着に
よるクラック発生を抑え、耐キズ性に優れたものである
から、本発明は極めて有用であるといえよう。
【図１】本発明の電子写真感光体を示す断面図（概念
図）である。
図）である。
１ 導電性基板 ２ 電荷発生層 ３ 電荷輸送層 ４ 電荷発生剤 ５ 電荷輸送剤 ６ フェノール系酸化防止剤 ７ ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性支持体上に電荷発生層、及び電荷
輸送層を積層した電子写真感光体において、上記電荷輸
送層がフェノール系酸化防止剤とベンゾトリアゾール系
紫外線吸収剤とを含有し、両成分の配合比が２０／１〜
１／５重量比で、且つ両成分の含有量は電荷輸送物質に
対して５〜５０重量％であることを特徴とする電子写真
感光体。 - 【請求項２】 電荷輸送層がさらに下記一般式〔Ａ〕で
表されるヒドラゾン化合物を含有する請求項１記載の電
子写真感光体。 【化１】 （式中、Ｘ、及びＲ1 〜Ｒ4 は各々水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子、又は置換アミノ基、
もしくは無置換のアリール基を示す。） - 【請求項３】 電荷輸送層がさらに下記一般式〔Ｐ〕で
表されるジアミノジフェニル化合物を含有する請求項１
記載の電子写真感光体。 【化２】 （式中、Ｒ1 はハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ
基、アラルキル基、フェニル基、あるいは低級アルキル
基、又は低級アルコキシ基を置換基として有すフェニル
基を表し、Ｒ2 はハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
シ基、アラルキル基、シクロアルキル基、フェニル基、
あるいは低級アルキル基、又は低級アルコキシ基を置換
基として有すフェニル基を表し、Ｒ3 は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、あるいはアラルキル基を表し、
Ｒ4 は水素原子、塩素原子、メチル基、あるいはメトキ
シ基を表す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03663295A JP3738048B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03663295A JP3738048B2 (ja) | 1995-02-24 | 1995-02-24 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08234459A true JPH08234459A (ja) | 1996-09-13 |
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