JPH0821519B2 - チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法Info
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- JPH0821519B2 JPH0821519B2 JP1326888A JP32688889A JPH0821519B2 JP H0821519 B2 JPH0821519 B2 JP H0821519B2 JP 1326888 A JP1326888 A JP 1326888A JP 32688889 A JP32688889 A JP 32688889A JP H0821519 B2 JPH0821519 B2 JP H0821519B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はチップ型固体電解コンデンサおよびその製造
方法に関し、特に端子構造の改良に関する。
方法に関し、特に端子構造の改良に関する。
従来のチップ型固体電解コンデンサは第３図に示すよ
うに公知の技術によって製造されたコンデンサ素子を陽
極リード植立面の対向面以外の全外周面を絶縁樹脂を被
着した後、陽極リード植立面、及びその対向面にそれぞ
れ導電体層、めっき層29,30、はんだ層31,32からなる陽
極端子及び陰極端子を形成して組み立てられる（例えば
実公昭62−14673号公報参照）。
うに公知の技術によって製造されたコンデンサ素子を陽
極リード植立面の対向面以外の全外周面を絶縁樹脂を被
着した後、陽極リード植立面、及びその対向面にそれぞ
れ導電体層、めっき層29,30、はんだ層31,32からなる陽
極端子及び陰極端子を形成して組み立てられる（例えば
実公昭62−14673号公報参照）。
上述した従来のチップ型固体電解コンデンサは、陽極
端子形成の際、絶縁樹脂層26上に導電性ペーストを塗
布，硬化させ導電体層27,28を形成した後、順次無電解
めっき層29,30、はんだ層31,32を形成しているため下記
の問題点を見い出した。
端子形成の際、絶縁樹脂層26上に導電性ペーストを塗
布，硬化させ導電体層27,28を形成した後、順次無電解
めっき層29,30、はんだ層31,32を形成しているため下記
の問題点を見い出した。
（イ） 無電解めっき層の下地層として導電性ペースト
に銀ペーストを使用しているので湿気雰囲気中での銀の
マイグレーションによって漏れ電流が増大する。
に銀ペーストを使用しているので湿気雰囲気中での銀の
マイグレーションによって漏れ電流が増大する。
（ロ） 上記下地層としての銀ペーストの熱膨張率がタ
ンタル陽極リード２より１桁以上大きいので、陽極リー
ド２−陽極導電体層27間の接続信頼性が低くはがれ易
く、コンデンサ素子の誘電損失が増大する。
ンタル陽極リード２より１桁以上大きいので、陽極リー
ド２−陽極導電体層27間の接続信頼性が低くはがれ易
く、コンデンサ素子の誘電損失が増大する。
（ハ） （ロ）項のため陽極リード２−陽極端子間の接
続信頼性を保つため、熱膨張率が低く接続信頼性がある
陽極リード22−めっき層29間の接続長をある程度とる必
要があり、その結果陽極リード22が長くなり（第３図3
3,陽極突出部）自動実装時のハンドリング不良が増加す
る。
続信頼性を保つため、熱膨張率が低く接続信頼性がある
陽極リード22−めっき層29間の接続長をある程度とる必
要があり、その結果陽極リード22が長くなり（第３図3
3,陽極突出部）自動実装時のハンドリング不良が増加す
る。
（ニ） 導電性ペーストによって陽極導電体層27を形成
する際、低粘度のペーストを塗布すると、厚さがばらつ
いたり、ペーストが絶縁樹脂層に染みて陽極端子形状が
いびつになったり更には、陰極端子にまで接触してしま
う。そこである程度高粘度のペーストを塗布しなければ
ならないので、陽極導電体層27が陽極リード２付近でか
なり厚くなり陽極端子と実装面との角度θが陰極端子と
実装面との角度に比べて小さくなり（第６図参照）、リ
フローによる表面実装時にツームストーン現象（又はマ
ンハッタン現象）が起こりやすくなる。
する際、低粘度のペーストを塗布すると、厚さがばらつ
いたり、ペーストが絶縁樹脂層に染みて陽極端子形状が
いびつになったり更には、陰極端子にまで接触してしま
う。そこである程度高粘度のペーストを塗布しなければ
ならないので、陽極導電体層27が陽極リード２付近でか
なり厚くなり陽極端子と実装面との角度θが陰極端子と
実装面との角度に比べて小さくなり（第６図参照）、リ
フローによる表面実装時にツームストーン現象（又はマ
ンハッタン現象）が起こりやすくなる。
本発明のチップ型固体電解コンデンサは陽極リードが
植立された弁作用金属からなる陽極体上に誘電体酸化被
膜，半導体酸化物層，陰極層を順次形成した素子と、陽
極リード植立面の対向面以外の素子外周面に被着した絶
縁樹脂層と、陽極リード植立面の絶縁樹脂層上に形成し
た陽極端子と、陽極リード植立面の対向面上に形成した
陰極端子を有するチップ型固体電解コンデンサにおい
て、少なくとも一方の端子を形成する際、端子形成面に
金属触媒の有機化合物溶液を付着させた後加熱し熱分解
させて金属触媒を固着させた後、無電解めっきを行い、
めっき層を形成させ、更にその上にはんだ層を形成して
端子を形成するという特徴を有する。
植立された弁作用金属からなる陽極体上に誘電体酸化被
膜，半導体酸化物層，陰極層を順次形成した素子と、陽
極リード植立面の対向面以外の素子外周面に被着した絶
縁樹脂層と、陽極リード植立面の絶縁樹脂層上に形成し
た陽極端子と、陽極リード植立面の対向面上に形成した
陰極端子を有するチップ型固体電解コンデンサにおい
て、少なくとも一方の端子を形成する際、端子形成面に
金属触媒の有機化合物溶液を付着させた後加熱し熱分解
させて金属触媒を固着させた後、無電解めっきを行い、
めっき層を形成させ、更にその上にはんだ層を形成して
端子を形成するという特徴を有する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明によるチップ型固体電解コンデンサの
一実施例の断面図である。
一実施例の断面図である。
弁作用を有する金属の１つであるタンタル粉末が加圧
成型され真空焼結された陽極体１にはタンタル材の陽極
リード２が植立され陽極リード付近に撥水性樹脂層３を
形成される。陽極体１の外周面には酸化膜層100,半導体
酸化物層4,グラファイト層50,第１の導電体層51,第２の
導電体層52が順次形成される。更に陽極リード２付近に
は被覆樹脂層６が形成された後、陽極体外周面に第３の
導電体層53,第１のめっき層７が順次形成される。
成型され真空焼結された陽極体１にはタンタル材の陽極
リード２が植立され陽極リード付近に撥水性樹脂層３を
形成される。陽極体１の外周面には酸化膜層100,半導体
酸化物層4,グラファイト層50,第１の導電体層51,第２の
導電体層52が順次形成される。更に陽極リード２付近に
は被覆樹脂層６が形成された後、陽極体外周面に第３の
導電体層53,第１のめっき層７が順次形成される。
次に陽極リード植立面の対向面以外の陽極体全外周面
に絶縁樹脂層８が形成された後、陽極リード植立面の対
向面に第４の導電体層９と第２のめっき層10,はんだ層1
2からなる陰極端子13が形成される。更に陽極リード植
立面上の絶縁樹脂層上及び陽極リード２上に第３のめっ
き層11,はんだ層12からなる陽極端子14が形成され、最
後に陽極リード２が切断されチップ型固体電解コンデン
サが構成される。
に絶縁樹脂層８が形成された後、陽極リード植立面の対
向面に第４の導電体層９と第２のめっき層10,はんだ層1
2からなる陰極端子13が形成される。更に陽極リード植
立面上の絶縁樹脂層上及び陽極リード２上に第３のめっ
き層11,はんだ層12からなる陽極端子14が形成され、最
後に陽極リード２が切断されチップ型固体電解コンデン
サが構成される。
次にこのような構成のチップ型タンタル固体電解コン
デンサ（外型寸法長さ5.7mm,幅5.0mm,厚さ2.5mm）の製
造工程についてタンタルからなる陽極リード２を、タン
タル粉末に埋め込みながら加圧・成型した陽極体１を真
空中で高温焼結した後、陽極リード２付近に撥水性樹脂
を塗布・加熱することにより撥水性樹脂層３が形成され
る。次に陽極体１はリン酸水溶液中で化成電圧約40Vに
より陽極酸化され、全外周面にタンタル酸化膜からなる
誘電体酸化被膜層100が形成される（厚さ約0.05〜0.07
μｍ）。更に陽極体１は硝酸マンガン溶液中に浸漬した
後200〜250℃の雰囲気中で熱分解され二酸化マンガンか
らなる半導体酸化物層４が形成される（厚さ約20〜80μ
ｍ）。この浸漬及び加熱は、陽極体１内部の細孔に十分
に二酸化マンガンを充填するためと、陽極体１外周面に
強固かつ均一な二酸化マンガンを形成するために複数回
行われる。前述の撥水性樹脂３は、この工程において硝
酸マンガン溶液が陽極リード２に付着するのを防止する
ために形成されるものである。
デンサ（外型寸法長さ5.7mm,幅5.0mm,厚さ2.5mm）の製
造工程についてタンタルからなる陽極リード２を、タン
タル粉末に埋め込みながら加圧・成型した陽極体１を真
空中で高温焼結した後、陽極リード２付近に撥水性樹脂
を塗布・加熱することにより撥水性樹脂層３が形成され
る。次に陽極体１はリン酸水溶液中で化成電圧約40Vに
より陽極酸化され、全外周面にタンタル酸化膜からなる
誘電体酸化被膜層100が形成される（厚さ約0.05〜0.07
μｍ）。更に陽極体１は硝酸マンガン溶液中に浸漬した
後200〜250℃の雰囲気中で熱分解され二酸化マンガンか
らなる半導体酸化物層４が形成される（厚さ約20〜80μ
ｍ）。この浸漬及び加熱は、陽極体１内部の細孔に十分
に二酸化マンガンを充填するためと、陽極体１外周面に
強固かつ均一な二酸化マンガンを形成するために複数回
行われる。前述の撥水性樹脂３は、この工程において硝
酸マンガン溶液が陽極リード２に付着するのを防止する
ために形成されるものである。
次に陽極体１は、水溶性樹脂とグラファイト粉末との
混合水溶液中に浸漬された後、150〜200℃の雰囲気中で
乾燥されて下地導電体層としてのグラファイト層50が形
成される（厚さ約１〜２μｍ）。この浸漬乾燥は、前述
の半導体酸化物層４と、後述の第１の導電体層51との接
触抵抗を低減させるため複数回行われる。
混合水溶液中に浸漬された後、150〜200℃の雰囲気中で
乾燥されて下地導電体層としてのグラファイト層50が形
成される（厚さ約１〜２μｍ）。この浸漬乾燥は、前述
の半導体酸化物層４と、後述の第１の導電体層51との接
触抵抗を低減させるため複数回行われる。
次にグラファイト粉末，エポキシ樹脂，無機フィラー
等を主成分とする導電性ペーストをブチルセロソルブ等
の有機溶剤で希釈した液に陽極体１を浸漬した後、150
〜200℃の雰囲気で乾燥されて第１の導電体層51が形成
された（約20〜50μｍ）後、グラファイト粉末，アクリ
ル樹脂等を主成分とする導電性ペーストを水で希釈した
液に陽極体１を浸漬した後150〜200℃の雰囲気中で乾燥
され第２の導電体層52が形成される（厚さ約30〜60μ
ｍ）。更にポリブタジエン樹脂をディスペンサによって
陽極リード植立面に塗布後、150〜200℃の雰囲気中で乾
燥されて被覆樹脂層６が形成される。
等を主成分とする導電性ペーストをブチルセロソルブ等
の有機溶剤で希釈した液に陽極体１を浸漬した後、150
〜200℃の雰囲気で乾燥されて第１の導電体層51が形成
された（約20〜50μｍ）後、グラファイト粉末，アクリ
ル樹脂等を主成分とする導電性ペーストを水で希釈した
液に陽極体１を浸漬した後150〜200℃の雰囲気中で乾燥
され第２の導電体層52が形成される（厚さ約30〜60μ
ｍ）。更にポリブタジエン樹脂をディスペンサによって
陽極リード植立面に塗布後、150〜200℃の雰囲気中で乾
燥されて被覆樹脂層６が形成される。
次にグラファイト粉末10〜20％，銅粉末30〜50％，エ
ポキシ樹脂15〜30％，無機フィラー２〜６％からなる導
電性ペーストをブチルセロソルブ等の有機溶剤で希釈し
た液中に、陽極体１を浸漬した後、150〜200℃の雰囲気
中で熱硬化されて第３の導電体層53が形成される（厚さ
約20〜50μｍ）。なお第３の導電体層53中の銅粉末は0.
5μｍ程度の粒径で、めっき触媒として作用する。また
無機フィラーは表面の凹凸をつくりアンカー効果により
後述する第１のめっき層７の密着力を高める効果があ
る。この第３の導電体層53中の銅粉末の量は、少なけれ
ばめっき触媒の作用がなくなるが、過度に多くなっても
層の強度低下につながり、また湿気雰囲気中で銅の酸化
が起こり抵抗が大きくなるという現象につながる。従っ
てグラファイト粉末，銅粉末，エポキシ樹脂，無機フィ
ラーの固形分の割合が、19％,53％,23％,5％という導電
性ペーストを使用した。
ポキシ樹脂15〜30％，無機フィラー２〜６％からなる導
電性ペーストをブチルセロソルブ等の有機溶剤で希釈し
た液中に、陽極体１を浸漬した後、150〜200℃の雰囲気
中で熱硬化されて第３の導電体層53が形成される（厚さ
約20〜50μｍ）。なお第３の導電体層53中の銅粉末は0.
5μｍ程度の粒径で、めっき触媒として作用する。また
無機フィラーは表面の凹凸をつくりアンカー効果により
後述する第１のめっき層７の密着力を高める効果があ
る。この第３の導電体層53中の銅粉末の量は、少なけれ
ばめっき触媒の作用がなくなるが、過度に多くなっても
層の強度低下につながり、また湿気雰囲気中で銅の酸化
が起こり抵抗が大きくなるという現象につながる。従っ
てグラファイト粉末，銅粉末，エポキシ樹脂，無機フィ
ラーの固形分の割合が、19％,53％,23％,5％という導電
性ペーストを使用した。
次に約3.5％の塩酸中に１〜２分浸漬した後、純水洗
浄して無電解めっきを行う。この時陽極体１の外周面
は、第１〜３の導電体層，被覆樹脂層６で覆れているの
で、めっき反応時のガスから二酸化マンガンからなる半
導体酸化物層４や誘電体酸化被膜層は保護されるめっき
液としては例えばジメチルアミノボランを還元剤とする
無電解ニッケルめっき液（PHが６〜７）を使用し、60〜
65℃で30〜40分のめっきを行い約５μｍのニッケルめっ
きが被着し、第１のめっき層７が形成される。めっき終
了後は十分水洗された後、120〜150℃の雰囲気中で水分
の乾燥が行われる。
浄して無電解めっきを行う。この時陽極体１の外周面
は、第１〜３の導電体層，被覆樹脂層６で覆れているの
で、めっき反応時のガスから二酸化マンガンからなる半
導体酸化物層４や誘電体酸化被膜層は保護されるめっき
液としては例えばジメチルアミノボランを還元剤とする
無電解ニッケルめっき液（PHが６〜７）を使用し、60〜
65℃で30〜40分のめっきを行い約５μｍのニッケルめっ
きが被着し、第１のめっき層７が形成される。めっき終
了後は十分水洗された後、120〜150℃の雰囲気中で水分
の乾燥が行われる。
次に陽極リード植立面の対向面にマスキングをした状
態で粉体状エポキシ樹脂を素子外周面に静電塗装し、10
0〜200℃の雰囲気中で約30秒間仮硬化させた後、マスキ
ングを除去し100〜200℃の雰囲気中で30〜60分間加熱し
完全硬化させ絶縁樹脂層８を形成する（厚さ約100μ
ｍ）。
態で粉体状エポキシ樹脂を素子外周面に静電塗装し、10
0〜200℃の雰囲気中で約30秒間仮硬化させた後、マスキ
ングを除去し100〜200℃の雰囲気中で30〜60分間加熱し
完全硬化させ絶縁樹脂層８を形成する（厚さ約100μ
ｍ）。
次に陽極リード２表面と、陽極端子19を形成しようと
する陽極リード植立面と、素子側面の一部の絶縁樹脂層
８の表面に約40〜50μｍの平均粒径のアルミナ粉を吹付
けて表面を粗面化した後、パラジウムのアシン化合物の
酢酸ブチル溶液を含浸したスポンジを粗面化した表面に
接触させることにより塗布した後、180〜200℃の雰囲気
中で熱分解させてパラジウム粉末を付着させる。絶縁樹
脂層８の表面を粗面化するのは、後述の第３のめっき層
11との密着強度を大きくするためである。またパラジウ
ム粉末は絶縁樹脂層上にまばらに付着する程度にすぎ
ず、パラジウム粒径が約0.01μｍ程度で約0.3μg/cm
2（約４×1010個/cm2）付着する。よって粗面化された
絶縁樹脂層８と第３めっき層11との密着力が低下するこ
ともない。この密着力の点で付着したパラジウム粒子同
士が接合して導電層を形成するほどのパラジウム粉末量
を用いることは好ましくない。
する陽極リード植立面と、素子側面の一部の絶縁樹脂層
８の表面に約40〜50μｍの平均粒径のアルミナ粉を吹付
けて表面を粗面化した後、パラジウムのアシン化合物の
酢酸ブチル溶液を含浸したスポンジを粗面化した表面に
接触させることにより塗布した後、180〜200℃の雰囲気
中で熱分解させてパラジウム粉末を付着させる。絶縁樹
脂層８の表面を粗面化するのは、後述の第３のめっき層
11との密着強度を大きくするためである。またパラジウ
ム粉末は絶縁樹脂層上にまばらに付着する程度にすぎ
ず、パラジウム粒径が約0.01μｍ程度で約0.3μg/cm
2（約４×1010個/cm2）付着する。よって粗面化された
絶縁樹脂層８と第３めっき層11との密着力が低下するこ
ともない。この密着力の点で付着したパラジウム粒子同
士が接合して導電層を形成するほどのパラジウム粉末量
を用いることは好ましくない。
陽極リード植立面の対向面はマスキングを行っている
ので、絶縁樹脂層は形成されず第１のめっき層７が露出
しているが、その上に第３のめっき層を形成する際に使
用した導電性ペーストを塗布後シートを押し付け余分な
ペーストを除去した後150〜200℃の雰囲気中で加熱硬化
させることにより第４の導電体層９が形成される（厚さ
約20〜100μｍ）。
ので、絶縁樹脂層は形成されず第１のめっき層７が露出
しているが、その上に第３のめっき層を形成する際に使
用した導電性ペーストを塗布後シートを押し付け余分な
ペーストを除去した後150〜200℃の雰囲気中で加熱硬化
させることにより第４の導電体層９が形成される（厚さ
約20〜100μｍ）。
次に素子を前述の無電解ニッケルめっき液に陽極リー
ド２まで浸漬し、60〜65℃、30〜40分のめっきを行い、
第４の導電体層９上と、表面を粗面化しパラジウムを付
着させた陽極リード２上及び陽極植立面と素子側面の一
部の絶縁樹脂層上とに、それぞれ第２のめっき層10,第
３のめっき層11が形成される。この時第４の導電体層９
上と粗面化しパラジウムを付着させた絶縁樹脂層上（陽
極端子となる面）以外の絶縁樹脂層上には、めっき触媒
となる銅やパラジウムがないため無電解ニッケルめっき
を析出しない。
ド２まで浸漬し、60〜65℃、30〜40分のめっきを行い、
第４の導電体層９上と、表面を粗面化しパラジウムを付
着させた陽極リード２上及び陽極植立面と素子側面の一
部の絶縁樹脂層上とに、それぞれ第２のめっき層10,第
３のめっき層11が形成される。この時第４の導電体層９
上と粗面化しパラジウムを付着させた絶縁樹脂層上（陽
極端子となる面）以外の絶縁樹脂層上には、めっき触媒
となる銅やパラジウムがないため無電解ニッケルめっき
を析出しない。
更に素子をフラックスに浸漬した後、固相線280〜310
℃の銀添加はんだの浴（浴温300〜350℃）に浸漬する。
℃の銀添加はんだの浴（浴温300〜350℃）に浸漬する。
次に230〜280℃の共晶はんだ浴に浸漬し第2,第３のめ
っき層上にはんだ層12が形成され、陰極端子13及び陽極
端子14が形成される。
っき層上にはんだ層12が形成され、陰極端子13及び陽極
端子14が形成される。
最後に余分な陽極リード２をレーザーで切断し、チッ
プ型タンタル固体電解コンデンサが完成される。
プ型タンタル固体電解コンデンサが完成される。
尚本実施例では被覆樹脂層６の材料としてポリブタジ
エン樹脂を使用したが、この材料はめっき反応時に発生
するガス（主に水素）から誘電体酸化被膜層や半導体酸
化物層４を保護するために使用するものであるから、エ
ポキシ，アクリル，ポリエステル，ポリ塩化ビニル，ポ
リプロピレン等の樹脂及びこれらの混合樹脂を使用して
も良い。
エン樹脂を使用したが、この材料はめっき反応時に発生
するガス（主に水素）から誘電体酸化被膜層や半導体酸
化物層４を保護するために使用するものであるから、エ
ポキシ，アクリル，ポリエステル，ポリ塩化ビニル，ポ
リプロピレン等の樹脂及びこれらの混合樹脂を使用して
も良い。
第２図は本発明の実施例２の陰極端子の断面図であ
る。
る。
本実施例は、前述の実施例が陽極端子導出の際に金属
触媒の有機化合物を熱分解させた後無電解ニッケルめっ
きを行っていたのに対し、陰極端子導出の際にもこの方
法を用いて行う。すなわち絶縁樹脂層８形成後、表面を
粗面化した陽極リード及び陽極リード植立面とその対向
面にパラジウムのアシン化合物の酢酸ブチル溶液を実施
例１と同様の方法で塗布し180〜200℃の雰囲気中で熱分
解させてパラジウムを付着させる。次に前述の60〜65℃
無電解ニッケルめっき液に30〜40分間陽極リード２まで
浸漬して無電解ニッケル層すなわち第２のめっき層10,
第３のめっき層11を形成する。本実施例では前述の実施
例で使用した第４の導電体層９を使用しないので陰極端
子13を約20〜100μｍ薄くすることができ、チップ型固
体電解コンデンサを更に小型化するという利点と、工定
数を減らすことにより製造原価を低減させるという利点
がある。
触媒の有機化合物を熱分解させた後無電解ニッケルめっ
きを行っていたのに対し、陰極端子導出の際にもこの方
法を用いて行う。すなわち絶縁樹脂層８形成後、表面を
粗面化した陽極リード及び陽極リード植立面とその対向
面にパラジウムのアシン化合物の酢酸ブチル溶液を実施
例１と同様の方法で塗布し180〜200℃の雰囲気中で熱分
解させてパラジウムを付着させる。次に前述の60〜65℃
無電解ニッケルめっき液に30〜40分間陽極リード２まで
浸漬して無電解ニッケル層すなわち第２のめっき層10,
第３のめっき層11を形成する。本実施例では前述の実施
例で使用した第４の導電体層９を使用しないので陰極端
子13を約20〜100μｍ薄くすることができ、チップ型固
体電解コンデンサを更に小型化するという利点と、工定
数を減らすことにより製造原価を低減させるという利点
がある。
以上説明したように本発明は、陽陰極端子形成の際、
導電性ペーストを使用せず、直接端子形成面層上にめっ
き層，はんだ層を形成するので下記の効果がある。
導電性ペーストを使用せず、直接端子形成面層上にめっ
き層，はんだ層を形成するので下記の効果がある。
（ｉ） 湿気雰囲気中での銀のマイグレーションによる
漏れ電流の増大が抑えられる（第４図（ａ）参照）。
漏れ電流の増大が抑えられる（第４図（ａ）参照）。
（ii） 陽極リード−陽極端子間の接続信頼性が向上
し、温度サイクル試験時の誘電損失増大が抑えられる
（第４図（ｂ）参照）。
し、温度サイクル試験時の誘電損失増大が抑えられる
（第４図（ｂ）参照）。
（iii） 陽極リード長を短くすることが可能になり
（第４図（ｃ）参照）、自動実装時のハンドリング不良
が低減する。
（第４図（ｃ）参照）、自動実装時のハンドリング不良
が低減する。
（iv） 陽極端子形状が陰極端子形状に近くなり、両者
と実装面とのなす角度θをほぼ同程度することができる
のでリフローによる表面実装の際ツームストーン現象
（又はマンハッタン現象）を抑えられる。
と実装面とのなす角度θをほぼ同程度することができる
のでリフローによる表面実装の際ツームストーン現象
（又はマンハッタン現象）を抑えられる。
第１図は本発明のチップ型固体電解コンデンサの基板実
装面に平行な断面図（以下平面断面図と略す）、第２図
は本発明の第２の実施例によるチップ型固体電解コンデ
ンサの陰極端子の平面断面図、第３図は従来のチップ型
固体電解コンデンサの平面断面図、第４図（ａ）は、本
発明の第１の実施例と、従来のチップ型固体電解コンデ
ンサのプレッシャ・クッカー試験（121℃ ２気圧）で
の漏れ電流の変化を比較するためのグラフ、第４図
（ｂ）は温度サイクル試験（−55℃125℃）での誘電
損失の変化を比較するためのグラフ、第４図（ｃ）は陽
極リード長（コンデンサ素子の陽極側肩から陽極リード
先端までの長さ）を比較するためのグラフ、第５図は第
１図の陽極部分の基板実装面に垂直な側面断面図、第６
図は第３図の陽極部分の側面断面図である。 １……陽極体、100……誘電体酸化被膜層、２……陽極
リード、３……撥水性樹脂層、４……半導体酸化物層、
50……グラファイト層、51……第１の導電体層、52……
第２の導電体層、53……第３の導電体層、６……被覆樹
脂層、７……第１のめっき層、８……絶縁樹脂層、９…
…第４の導電体層、10……第２のめっき層、11……第３
のめっき層、12……はんだ層、13……陰極端子、14……
陽極端子、21……陽極体、22……陽極リード、23……誘
電体酸化被膜層、24……半導体酸化物層、25……陰極
層、26……絶縁樹脂層、27……陽極導電体層、28……陰
極導電体層、29……めっき層、30……めっき層、31……
はんだ層、32……はんだ層、33……陽極突出部。
装面に平行な断面図（以下平面断面図と略す）、第２図
は本発明の第２の実施例によるチップ型固体電解コンデ
ンサの陰極端子の平面断面図、第３図は従来のチップ型
固体電解コンデンサの平面断面図、第４図（ａ）は、本
発明の第１の実施例と、従来のチップ型固体電解コンデ
ンサのプレッシャ・クッカー試験（121℃ ２気圧）で
の漏れ電流の変化を比較するためのグラフ、第４図
（ｂ）は温度サイクル試験（−55℃125℃）での誘電
損失の変化を比較するためのグラフ、第４図（ｃ）は陽
極リード長（コンデンサ素子の陽極側肩から陽極リード
先端までの長さ）を比較するためのグラフ、第５図は第
１図の陽極部分の基板実装面に垂直な側面断面図、第６
図は第３図の陽極部分の側面断面図である。 １……陽極体、100……誘電体酸化被膜層、２……陽極
リード、３……撥水性樹脂層、４……半導体酸化物層、
50……グラファイト層、51……第１の導電体層、52……
第２の導電体層、53……第３の導電体層、６……被覆樹
脂層、７……第１のめっき層、８……絶縁樹脂層、９…
…第４の導電体層、10……第２のめっき層、11……第３
のめっき層、12……はんだ層、13……陰極端子、14……
陽極端子、21……陽極体、22……陽極リード、23……誘
電体酸化被膜層、24……半導体酸化物層、25……陰極
層、26……絶縁樹脂層、27……陽極導電体層、28……陰
極導電体層、29……めっき層、30……めっき層、31……
はんだ層、32……はんだ層、33……陽極突出部。
Claims (2)
- 【請求項１】陽極リードが植立された弁作用金属からな
る陽極体上に、誘電体酸化被膜層、半導体酸化物層、陰
極層を順次形成した素子と、陽極リード植立面の対向面
以外の素子外周面に被着した絶縁樹脂層と陽極リード植
立面の絶縁樹脂層上に形成した陽極端子と、陽極リード
植立面の対向面上に形成した陰極端子を有するチップ型
固体電解コンデンサにおいて、前記陽極端子は金属触媒
を含む前記絶縁樹脂層を下地層とする無電解めっき層上
にはんだ層を形成して構成されていることを特徴とする
チップ型固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】陽極リードが植立された弁作用金属からな
る陽極体上に、誘電体酸化被膜層、半導体酸化物層、陰
極層を順次形成する工程と、陽極リード植立面の対向面
以外の素子外周面に絶縁樹脂層を被着させる工程と、少
なくとも一方の端子を形成する際、端子形成面に金属触
媒の有機化合物溶液を付着させた後加熱し熱分解させる
ことにより金属触媒を固着させた後無電解めっきにより
めっき層を形成した後はんだ層を形成する工程を含むこ
とを特徴とするチップ型固体電解コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1326888A JPH0821519B2 (ja) | 1988-12-15 | 1989-12-15 | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31796188 | 1988-12-15 | ||
| JP63-317961 | 1988-12-15 | ||
| JP1326888A JPH0821519B2 (ja) | 1988-12-15 | 1989-12-15 | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263424A JPH02263424A (ja) | 1990-10-26 |
| JPH0821519B2 true JPH0821519B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=18093928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1326888A Expired - Lifetime JPH0821519B2 (ja) | 1988-12-15 | 1989-12-15 | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5036434A (ja) |
| JP (1) | JPH0821519B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2541357B2 (ja) * | 1990-10-29 | 1996-10-09 | 日本電気株式会社 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
| US5390074A (en) * | 1991-09-30 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip-type solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
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| JP2586381B2 (ja) * | 1993-07-05 | 1997-02-26 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP3506733B2 (ja) * | 1993-07-09 | 2004-03-15 | ローム株式会社 | 安全ヒューズ付き面実装型電子部品の構造 |
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| JP2682478B2 (ja) * | 1994-12-12 | 1997-11-26 | 日本電気株式会社 | チップ状固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3231689B2 (ja) * | 1997-12-04 | 2001-11-26 | 富山日本電気株式会社 | 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
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| US6324051B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| US6785124B2 (en) * | 2002-05-20 | 2004-08-31 | Rohm Co., Ltd. | Capacitor element for solid electrolytic capacitor, process of making the same and solid electrolytic capacitor utilizing the capacitor element |
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| JP2007173303A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Nichicon Corp | チップ型固体電解コンデンサ |
| JP4226002B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2009-02-18 | ルビコン株式会社 | 積層形フィルムコンデンサの製造方法 |
| EP1840915A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-03 | Kemet Electronics Corporation | Capacitor element and method for manufacturing the capacitor element |
| US8310816B2 (en) * | 2009-05-21 | 2012-11-13 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitors with improved reliability |
| WO2014188833A1 (ja) * | 2013-05-19 | 2014-11-27 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| WO2015118901A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
| CN107221440A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-09-29 | 苏州圣咏电子科技有限公司 | 一种固态电容 |
| CN110942918B (zh) * | 2018-09-21 | 2022-08-12 | 钰冠科技股份有限公司 | 堆叠型电容器及其制作方法、以及银胶层 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH071410B2 (ja) * | 1985-07-13 | 1995-01-11 | 株式会社リコー | 電子写真複写機における転写方法および装置 |
| JPS62293608A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP1326888A patent/JPH0821519B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-15 US US07/451,173 patent/US5036434A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02263424A (ja) | 1990-10-26 |
| US5036434A (en) | 1991-07-30 |
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