JPH08212132A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

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JPH08212132A
JPH08212132A JP7019214A JP1921495A JPH08212132A JP H08212132 A JPH08212132 A JP H08212132A JP 7019214 A JP7019214 A JP 7019214A JP 1921495 A JP1921495 A JP 1921495A JP H08212132 A JPH08212132 A JP H08212132A
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JP7019214A
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English (en)
Inventor
Mitsuru Sugita
充 杉田
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Renesas Design Corp
Mitsubishi Electric Corp
Mitsubishi Electric Semiconductor Systems Corp
Original Assignee
Renesas Design Corp
Mitsubishi Electric Corp
Mitsubishi Electric Semiconductor Systems Corp
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Publication date
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/16Multiple access memory array, e.g. addressing one storage element via at least two independent addressing line groups

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プログラム効率を低下させない記憶装置を得
る。 【構成】 記憶部100は、R00Hが有意になるとデ
ータ出力バッファ300を介してデータをD0P に出力
するとともに、R03Hが有意になるとデータ出力バッ
ファ500を介してデータをD0Q に出力する。また、
記憶部100は、W00Hが有意になるとトランスミッ
ションゲート200を介してD0P 上の信号を入力し、
W003Hが有意になるとトランスミッションゲート4
00を介してD0Q 上の信号を入力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ワンチップマイクロ
コンピュータ内の周辺装置制御用レジスタ等として用い
られる記憶装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図11は従来のワンチップマイクロコン
ピュータに内蔵されたタイマ制御用レジスタの一例を示
す説明図である。図11において、(A)はアドレス0
0[H]に割り当てられた第1のタイマ制御用のレジス
タ、(B)はアドレス01[H]に割り当てられた第2
のタイマ制御用レジスタを示す。以下、第1のタイマを
タイマA(TA)といい、第2のタイマをタイマB(T
B)という。各レジスタにおいて、C1ビットおよびC
2ビットは、CPUからの動作モード等の設定指示がセ
ットされる制御ビットである。Enビットは、CPUか
らのカウンタの起動や停止の設定がセットされる起動フ
ラグEnを示すビットである。Stビットは、タイマの
状態を示すステータスフラグStを示すビットである。
タイマの状態として、例えば、動作しているか否かがあ
る。
【0003】次に動作について説明する。タイマを動作
させる場合には、CPUは、動作させたいモードに対応
した値を制御ビットC1,C2にセットする。そして、
起動フラグEnをオンにする。TAおよびTBを同時に
制御する場合には、CPUは、TA制御用のレジスタお
よびTB制御用のレジスタのそれぞれの制御ビットすな
わちC1ビットおよびC2ビットをアクセスする。よっ
て、2つのレジスタを別々にアクセスする必要があり、
全く同時にTAとTBとを起動するということはできな
い。
【0004】図12に示すようなプログラムをCPUが
実行する場合を想定する。このプログラムは、TA,T
Bともに動作中の場合には処理Yに移行し(ステップS
T1,ST2)、そうでない場合には処理Xを実行する
(ステップST3)ものである。このようなプログラム
を実行するには、具体的には図13に示すような処理が
実行される。すなわち、CPUは、まず、TA制御用の
レジスタの内容を読み出し(ステップST11)、その
レジスタ中のステータスフラグStの状態を判定する
(ステップST12)。ステータスフラグStの状態が
オフであれば、処理Xを実行する(ステップST3)。
そうでなければ、TB制御用のレジスタの内容を読み出
し(ステップST13)、そのレジスタ中のステータス
フラグStの状態を判定する(ステップST14)。そ
して、ステータスフラグStの状態がオンであれば処理
Yに移行し(ステップST2)、オフであれば処理Xを
実行する(ステップST3)。
【0005】以上のように、ステップST1の判断を行
う場合には、CPUは、TA制御用のレジスタおよびT
B制御用のレジスタのそれぞれのステータスフラグSt
をアクセスし、それぞれのステータスフラグStの状態
判定を行わなければならない。従って、ステップST1
の判断に多くのステップを要する。この結果、処理に時
間がかかるとともに、プログラムサイズが増大する。
【0006】そこで、図14に示すように、同一機能の
フラグ等を1つのレジスタに割り当てる方式が採用され
る場合がある。図14において、(A)は、TAの起動
フラグEnとTBの起動フラグEnとを含むアドレス0
0[H]に割り当てられたレジスタを示す。(B)は、
TAのステータスフラグStとTBのステータスフラグ
Stとを含むアドレス01[H]に割り当てられたレジ
スタを示す。さらに、(C)は、TAの制御ビット(C
1ビットおよびC2ビット)とTBの制御ビット(C1
ビットおよびC2ビット)とを含むアドレス02[H]
に割り当てられたレジスタを示す。
【0007】このように構成されたタイマ制御用のレジ
スタ群が設けられている場合に、図12に示すようなプ
ログラムをCPUが実行する場合を想定する。その場
合、CPUは、アドレス01[H]のレジスタの内容を
読み出し、その中の2ビットの状態を判定するだけでス
テップST1の処理を完了できる。また、2つのタイマ
を起動する場合には、モード設定後に、アドレス00
[H]のレジスタに「0011」を書き込むことによっ
て全く同時に2つのタイマを起動できる。なお、ここで
は、記憶装置として4ビットのレジスタを例にとった
が、例えば8ビットレジスタの場合には、さらに多くの
タイマを同時制御することができる。
【0008】しかし、図14に示されたような構成を採
用した場合には、1つのタイマを起動するときに、アド
レス02[H]のレジスタに動作モード等を書き込み、
さらに、アドレス00[H]のレジスタにおける起動フ
ラグEnをオンしなければならない。すなわち、1つの
タイマを起動するために、2つのレジスタをアクセスし
なければならない。この結果、1つのタイマを何回も起
動するようなプログラムでは、プログラムサイズが増大
する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来の記憶装置は以上
のように構成されているので、図11に示すように制御
対象の要素(例えば、タイマA、タイマB、・・・)に
着目したアドレス割り付けを行っても、図13に示すよ
うに制御対象の機能(例えば、起動、制御、状態、・・
・)に着目したアドレス割り付けを行っても、制御プロ
グラムのプログラムサイズが増大するとともに制御に要
する時間が長くなるという問題点があった。また、制御
が複雑化してプログラムの作成が簡略化されないという
問題点もあった。
【0010】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、プログラムサイズを増大させな
いとともに制御に要する時間を長くさせず、かつ、プロ
グラム作成を簡略化できる記憶装置、すなわち、プログ
ラム効率を低下させない記憶装置を得ることを目的とす
る。なお、プログラム効率を問題としたものではない
が、記憶装置のアクセス方法に関する先行技術として、
特開昭61−221841号公報、特開昭61−175
998号公報、特開昭63−239680号公報、特開
平6−19780号公報、特開平5−282869号公
報などがある。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明に係
る記憶装置は、それぞれが記憶部のデータをアクセスす
る手段であって、異なるアドレスに対応した複数のアク
セス手段とを備えたものである。
【0012】請求項2記載の発明に係る記憶装置は、複
数の記憶部のうちの所定数の記憶部を一括してアクセス
する第1のアクセス手段と、第1のアクセス手段によっ
てアクセスされる記憶部と第1のアクセス手段によって
アクセスされない記憶部とを含む所定数の記憶部を一括
してアクセスする第2のアクセス手段とを備えたもので
ある。
【0013】請求項3記載の発明に係る記憶装置は、第
1のアクセス手段が、記憶部へのデータと記憶部からの
データとが通過する第1のデータ線と、記憶部と第1の
データ線とを接続状態にする第1の制御線とを含み、第
2のアクセス手段が、記憶部へのデータと記憶部からの
データとが通過する第2のデータ線と、記憶部と第2の
データ線とを接続状態にする第2の制御線とを含み、デ
ータ線同士および制御線同士がそれぞれ直交する構成に
なっているものである。
【0014】請求項4記載の発明に係る記憶装置は、第
1のアクセス手段が、記憶部へのデータと記憶部からの
データとが通過する第1のデータ線と、記憶部と第1の
データ線とを接続状態にする第1の制御線とを含み、第
2のアクセス手段が、記憶部へのデータと記憶部からの
データとが通過する第2のデータ線と、記憶部からのデ
ータを第2のデータ線に出力させるとともに第2のデー
タ線から記憶部へデータを入力させない第2の制御線と
を含む構成になっているものである。
【0015】請求項5記載の発明に係る記憶装置は、第
1の制御線および第2の制御線が、CPUなどのデータ
アクセス側からのアドレス信号から生成される信号を用
いる構成になっているものである。
【0016】請求項6記載の発明に係る記憶装置は、C
PUなどのデータアクセス側から制御値が設定される制
御レジスタをさらに備え、第1の制御線および第2の制
御線が、データアクセス側からのアドレス信号と制御値
とから生成される信号を用いる構成になっているもので
ある。
【0017】請求項7記載の発明に係る記憶装置は、記
憶部へのデータと記憶部からのデータとが通過する第3
のデータ線と、記憶部と第3のデータ線とを接続状態に
する第3の制御線とを含む第3のアクセス手段を備え、
第3の制御線が、第1のアクセス手段もしくは第2のア
クセス手段または双方によってアクセスされる一括デー
タにおけるビット配列とは逆の配列の一括データの形式
でアクセスできるように記憶部と第3のデータ線とを接
続する構成になっているものである。
【0018】請求項8記載の発明に係る記憶装置は、記
憶部へのデータと記憶部からのデータとが通過する第1
のデータ線および記憶部と第1のデータ線とを接続状態
にする第1の制御線を含み、複数の記憶部のうちの所定
数の記憶部を一括してアクセスする第1のアクセス手段
と、記憶部へのデータと記憶部からのデータとが通過す
る第3のデータ線および記憶部と第3のデータ線とを接
続状態にする第3の制御線を含み、第1のアクセス手段
によってアクセスされる一括データにおけるビット配列
とは逆の配列の一括データを各記憶部から出力させる第
3のアクセス手段とを備え、データ線同士および制御線
同士がそれぞれ直交する構成になっているものである。
【0019】
【作用】請求項1記載の発明におけるアクセス手段は、
1つの記憶部を複数の異なる方向からアクセスする。
【0020】請求項2記載の発明における2つのアクセ
ス手段は、1つの記憶部を他の各記憶部とともに一括し
てアクセスする。すなわち、並列データのうちの1ビッ
トとしてアクセスする。しかも、2つのアクセス手段が
アクセスする並列データ間で、ビット構成は一致してい
ない。
【0021】請求項3記載の発明におけるデータ線同士
および制御線同士は、チップ内で直交し、記憶素子を構
成するチップを小型化する。
【0022】請求項4記載の発明における第2のアクセ
ス手段は、第2のデータ線から記憶部へデータ入力をさ
せないようにし、誤アクセスよって記憶部内のデータが
誤って書き換えられてしまうことを防止する。
【0023】請求項5記載の発明における各アクセス手
段は、CPUなどのデータアクセス側からのアドレス信
号にもとづいて記憶部のアクセスを行う。
【0024】請求項6記載の発明における各アクセス手
段は、CPUなどのデータアクセス側からのアドレス信
号と制御値にもとづいて記憶部のアクセスを行い、記憶
部アクセスに要するアドレス数を減らす。
【0025】請求項7記載の発明における第3のアクセ
ス手段は、他のアクセス手段によってアクセスされる並
列データにおけるビット順と逆順の並列データをアクセ
スできる。
【0026】請求項8記載の発明におけるデータ線同士
および交差する制御線同士は、チップ内で直交し、記憶
素子を構成するチップを小型化する。
【0027】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は、記憶装置における各メモリセルの構成を
示す回路図である。図において、1はインバータ1aお
よび高抵抗インバータ1bの入出力が相互に接続されて
構成された記憶部、2はデータ線DP上のデータを制御
線WP上のデータライト信号に応じて記憶部1側に通過
させるトランスミッションゲート(TG)、3は制御線
RP上のデータリード信号に応じて記憶部1のデータを
データ線DPに出力するデータ出力バッファ(RB)、
4はデータ線DQ上のデータを制御線WQ上のデータラ
イト信号に応じて記憶部1側に通過させるTG、5は制
御線RQ上のデータリード信号に応じて記憶部1のデー
タをデータ線DQに出力するRBである。なお、TG
2,4、RB3,5、データ線DP,DQおよび制御線
WP,RP,WQ,RQはアクセス手段を構成する。
【0028】図2は記憶装置の一例であるワンチップマ
イクロコンピュータに内蔵されたタイマ制御用レジスタ
のアドレス割り当ておよびビット割り当てを示す説明図
である。図において、(A)はアドレス00[H]に割
り当てられたTA制御用のレジスタ、(B)はアドレス
01[H]に割り当てられたTB制御用のレジスタ、
(C)はアドレス02[H]に割り当てられたステータ
スフラグSt読み出し用および起動フラグEn設定用の
レジスタ、(D)はアドレス03[H]に割り当てられ
た制御ビットを含むレジスタである。
【0029】レジスタの各ビットは、図1に示すメモリ
セルで構成される。ここで、例えば、アドレス00
[H]のレジスタの第0ビット(TAC1ビット)を実
現するメモリセルは、アドレス03[H]のレジスタの
第0ビットを実現するメモリセルと同一のものである。
図2におけるその他の同一名称が付された2つのビット
も、1つのメモリセルで実現されている。つまり、図2
において4×4=16ビットが示されているが、実際に
は、8つのメモリセルで図2に示すレジスタ群が構成さ
れている。
【0030】図2に示すレジスタ群は、例えば、図3に
示すように構成される。図3に示された構成は、図1に
示すメモリセルが8つ備わったものである。すなわち、
図3において、100〜107はそれぞれ図11におけ
る記憶部1に相当する記憶部、200〜207はそれぞ
れ図11におけるTG2に相当するTG、300〜30
7はそれぞれ図11におけるRB3に相当するRB、4
00〜407はそれぞれ図11におけるTG4に相当す
るTG、500〜507はそれぞれ図11におけるRB
5に相当するRBである。W00H〜W03Hはそれぞ
れ書き込みの制御線、R00H〜R03Hはそれぞれ読
み出しの制御線である。なお、W××Hは、CPUがア
ドレス××[H]に書き込みを行うときに有意になる。
R××Hは、CPUがアドレス××[H]から読み出し
を行うときに有意になる。ここで、××は、00〜03
のいずれかである。
【0031】また、D0P 〜D3P は制御線W00H,
R00Hまたは制御線W01H,R01Hでアクセスさ
れた記憶部100〜107のデータが通過するデータ
線、D0Q 〜D3Q は制御線W02H,R02Hまたは
制御線W03H,R03Hでアクセスされた記憶部10
0〜107のデータが通過するデータ線である。
【0032】ここで、データ線D0P 〜D3P を第1の
データ線ととらえた場合、制御線W00H,R00Hま
たは制御線W01H,R01Hは第1の制御線であり、
データ線D0Q 〜D3Q は第2のデータ線であり、制御
線W02H,R02Hまたは制御線W03H,R03H
は第2の制御線である。従って、この場合、第1のアク
セス手段は、データ線D0P 〜D3P と制御線W00
H,R00Hまたは制御線W01H,R01Hとを含む
ものである。第2のアクセス手段は、データ線D0Q
D3Q と制御線W02H,R02Hまたは制御線W03
H,R03Hとを含むものである。
【0033】例えば、W00Hが有意になると、各TG
200〜203が導通状態になって、データ線D0P
D1P 、D2P またはD3P 上の信号が、それぞれ対応
する記憶部100〜103に書き込まれる。データ線D
P ,D0Q はCPUのデータバスD0、データ線D1
P ,D1Q はCPUのデータバスD1、データ線D2
P ,D2Q はCPUのデータバスD2、データ線D3
P ,D3Q はCPUのデータバスD3である。よって、
CPUが出力した4ビットのデータが記憶部100〜1
03に書き込まれる。R00Hが有意になると、各RB
300〜303が導通状態になって、記憶部100〜1
03のデータが、それぞれ、対応するデータ線D0P
D3P に出力される。よって、CPUは、記憶部100
〜103のデータを入力する。
【0034】例えば、最右下の記憶部100は、R00
Hが有意になるとRB300を介してデータをデータ線
D0P に出力するとともに、R03Hが有意になるとR
B500を介してデータをデータ線D0Q に出力する。
また、記憶部100は、W00Hが有意になるとTG2
00を介してデータ線D0P 上の信号を入力し、W00
3Hが有意になるとTG400を介してデータ線D0Q
上の信号を入力する。他の記憶部101〜107も同様
に2つのデータ入力経路と2つのデータ出力経路を有す
る。各入出力経路は、図2に示すアドレス割り当ておよ
びビット割り当てを実現するように設定される。
【0035】次に動作について説明する。図12に示す
ようなプログラムをCPUが実行する場合を想定する。
CPUは、まず、アドレス02[H]のレジスタの内容
を読み出すように動作する。すると、図4に示すR02
Hが有意になるので、記憶部102,103,106,
107のデータがデータバスに出力される。すなわち、
TASt、TAEn、TBSt、TBEnの各ビットの
データがデータバスに出力される。このようにして、結
局、図2(C)に示すレジスタの内容がCPUに取り込
まれる。TAStビットはTAステータスフラグを示
し、TBStビットはTBステータスフラグを示してい
るので、CPUは、一時にTAとTBとが動作中である
かどうか確認できる。
【0036】1つのタイマ、例えば、TAを起動する場
合には、CPUは、図2(A)に示すレジスタにおける
制御ビットTAC1,TAC2に所定の値を設定すると
ともに、起動フラグTAEnをオンにするように制御す
る。すなわち、D0,D1に所望の動作モード等を示す
所定の値を出力するとともにD3に「1」を出力し
(「1」を有意とする)、かつ、W00Hが有意になる
ように制御する。具体的には、「1△××」(△:不
定、×:所定値)を、アドレス00[H]に書き込む。
W00Hが有意になることによって、図3に示す回路お
いて、TG200〜203が導通するので、制御ビット
TAC1,TAC2に所定の値が設定され、起動フラグ
TAEnがオンする。このように、1つのタイマを起動
する場合、CPUは、1つのレジスタをアクセスするだ
けでタイマを起動できる。
【0037】以上のように、レジスタを構成する各ビッ
トに対して複数のアクセス形態を設けることによって、
制御プログラムのプログラム効率を低下させないように
することができる。
【0038】なお、集積回路チップ内でも、書き込みま
たは読み出しの制御線やデータ線は、図3に示すように
直交していることが望ましい。直交することによって配
線が整理される。また、チップ内において、この記憶装
置の領域が削減される。
【0039】実施例2.図2に示すようなレジスタの構
成は、各ビットを複数の異なるアドレスでアクセスでき
るものであるが、プログラミング誤りに起因して誤アク
セスを生じさせる可能性がある。タイマのモード設定な
どは、頻繁に実行されるものではない。1つのタイマに
対してモード設定を行った後は、設定のし直しは行われ
ない使い方をする場合が多い。すなわち、制御ビットの
設定状態の監視は必要であるが、モード設定のための制
御ビットの書き込みはそれほど必要とされないという場
合が多い。そのような場合、図4に示すように、アドレ
ス03[H]のレジスタの書き込みを禁止してもさほど
問題は生じない。また、そのレジスタの書き込みを禁止
すれば、誤アクセスによって制御ビットが書き換えられ
てしまう可能性が低減する。
【0040】図5はそのようなレジスタを実現するため
の構成を示す回路図である。図5に示された構成は、図
3に示された構成からW03Hの制御線が除かれたもの
である。つまり、第1の実施例では第2のアクセス手段
の構成要素として制御線W03Hと制御線R03Hがあ
ったが、ここでは、制御線R03Hのみが存在する。ま
た、TG400,401,404,405も除かれてい
る。従って、図4に示すアクセス形態が実現される。こ
の場合、何らかの誤りによってCPUがアドレス03
[H]に書き込みを行おうとした場合でも、制御ビット
TAC1,TAC2,TBC1,TBC2の値が書き換
えられることはない。
【0041】実施例3.上記各実施例では各ビットを複
数の異なるアドレスでアクセスできる構成を示した。し
かし、そのように構成することによって、アドレス数が
増加する。例えば、上記のタイマ制御の場合、従来のは
00[H]と01[H]の2アドレスでタイマ制御でき
たのに対して、図2に示すように4アドレスが必要とさ
れる。アドレスバス幅に制約がある場合には、この点は
不利である。そのような場合には、図6に示すように、
タイマ制御用のレジスタとは別の制御レジスタ10を設
けることによって対処できる。
【0042】図6において、11は制御レジスタ10に
設定された値が「1」のときに制御線R00Hの信号を
制御線R00Bに通過させる論理積回路(ゲート回
路)、12は制御レジスタ10に設定された値が「0」
のときに制御線R00Hの信号を制御線R00Aに通過
させるゲート回路、13は制御レジスタ10に設定され
た値が「1」のときに制御線R01Hの信号を制御線R
01Bに通過させるゲート回路、14は制御レジスタ1
0に設定された値が「0」のときに制御線R01Hの信
号を制御線R01Aに通過させるゲート回路、15は制
御レジスタ10に設定された値が「1」のときに制御線
W00Hの信号を制御線W00Bに通過させるゲート回
路、16は制御レジスタ10に設定された値が「0」の
ときに制御線W00Hの信号を制御線W00Aに通過さ
せるゲート回路、17は制御レジスタ10に設定された
値が「1」のときに制御線W01Hの信号を制御線W0
1Bに通過させるゲート回路、18は制御レジスタ10
に設定された値が「0」のときに制御線W01Hの信号
を制御線W01Aに通過させるゲート回路である。
【0043】そして、制御線R00Aおよび制御線W0
0Aは、記憶部100〜103に関するRBまたはTG
に接続され、制御線R01Aおよび制御線W01Aは、
記憶部104〜107に関するRBまたはTGに接続さ
れる。また、制御線R00Bおよび制御線W00Bは、
記憶部102,103,106,107に関するRBま
たはTGに接続され、制御線R01Bおよび制御線W0
1Bは、記憶部100,101,104,105に関す
るRBまたはTGに接続される。ここでは、制御線W0
0A,W01A,W00B,W01Bがそれぞれ書き込
みの制御線、制御線R00A,R01A,R00B,R
01Bがそれぞれ読み出しの制御線である。また、制御
線W00A,W01A,R00A,R01Aが第1の制
御線(第1のアクセス手段)に対応し、制御線W00
B,W01B,R00B,R01Bが第2の制御線(第
2のアクセス手段)に対応する。
【0044】このような構成によって、図7に示すレジ
スタ群が実現される。図7において、(A)は、制御レ
ジスタ10に設定された値が「0」であって、CPUが
アドレス00[H]をアクセスしたときに、読み書きさ
れうるレジスタである。(B)は、制御レジスタ10に
設定された値が「0」であって、CPUがアドレス01
[H]をアクセスしたときに、読み書きされうるレジス
タである。(C)は、制御レジスタ10に設定された値
が「1」であって、CPUがアドレス00[H]をアク
セスしたときに、読み書きされうるレジスタである。
(D)は、制御レジスタ10に設定された値が「1」で
あって、CPUがアドレス01[H]をアクセスしたと
きに、読み書きされうるレジスタである。
【0045】次に動作について説明する。図12に示す
ようなプログラムをCPUが実行する場合を想定する。
CPUは、まず、制御レジスタ10に「1」を設定す
る。そして、アドレス00[H]のレジスタの内容を読
み出すように動作する。すると、図6に示すR00Hが
有意になる。制御レジスタ10に「1」が設定されてい
るので、ゲート回路11が通過状態となってR00Bが
有意になる。よって、記憶部102,103,106,
107のデータがデータバスに出力される。すなわち、
TASt、TAEn、TBSt、TBEnの各ビットの
データがデータバスに出力される。このようにして、結
局、図7(C)に示すレジスタの内容がCPUに取り込
まれる。TAStビットはTAステータスフラグを示
し、TBStビットはTBステータスフラグを示してい
るので、CPUは、実施例1の場合と同様に、一時にT
AとTBとが動作中であるかどうか確認できる。
【0046】従って、この実施例でも、実施例1による
アドレス割り当てを行った場合と同様の動作を行える。
しかし、この場合には、タイマ制御用のレジスタ群に割
り当てられるアドレスの数は、実施例1の場合の半分で
すむ。
【0047】実施例4.各メモリセルにおける書き込み
や読み出しの経路を増やせばさらに多彩なアクセス方法
を実現できる。図8は図1に示した構成に加えて、読み
出し用の2つのRB6,7を設けたものである。RB6
は制御線RR上のデータリード信号に応じて記憶部1の
データをデータ線DRに出力し、RB7は制御線RS上
のデータリード信号に応じて記憶部1のデータをデータ
線DSに出力するRBである。
【0048】このようなメモリセルを用いれば、例え
ば、図9に示すようなレジスタ群を構成できる。この場
合には、4つのタイマが設けられている場合を例にと
る。すなわち、さらに、第3のタイマ(タイマC:T
C)と第4のタイマ(タイマD:TD)が設けられてい
るとする。
【0049】各レジスタの性格は以下のようになってい
る。 アドレス00[H]のレジスタ: TA制御用:TAに
関するC1,C2,St,Enの各ビットを含む(読み
書き可) アドレス01[H]のレジスタ: TB制御用:TBに
関するC1,C2,St,Enの各ビットを含む(読み
書き可) アドレス02[H]のレジスタ: TC制御用:TCに
関するC1,C2,St,Enの各ビットを含む(読み
書き可) アドレス03[H]のレジスタ: TD制御用:TDに
関するC1,C2,St,Enの各ビットを含む(読み
書き可) アドレス04[H]のレジスタ: 各タイマのEnビッ
ト制御用:TA,TB,TC,TDに関する各Enビッ
トを含む(読み書き可) アドレス05[H]のレジスタ: 各タイマのStビッ
ト制御用:TA,TB,TC,TDに関する各Stビッ
トを含む(読み書き可) アドレス06[H]のレジスタ: 各タイマのC2ビッ
ト制御用:TA,TB,TC,TDに関する各C2ビッ
トを含む(読み書き可) アドレス07[H]のレジスタ: 各タイマのC1ビッ
ト制御用:TA,TB,TC,TDに関する各C2ビッ
トを含む(読み書き可)
【0050】また、アドレス08[H]〜0F[H]の
各レジスタは読み出しのみが可能である。そして、各レ
ジスタにおいて、ビット配列は、00[H]〜07
[H]の各レジスタにおける配列と逆になっている。
【0051】このようなレジスタ群は、図10に示す記
憶装置によって実現される。図10に示す記憶装置は、
各タイマのC1,C2,St,Enの各ビットに対応し
たメモリセルで構成される。各メモリセルは、それぞれ
図8に示された構成になっている。レジスタアクセスの
方法は実施例1の場合と同様である。ただし、アドレス
数が増え、かつ、図2(C)に示されたレジスタがEn
制御用のレジスタとSt制御用のレジスタとに分離し、
図2(D)に示されたレジスタがC1制御用のレジスタ
とC2制御用のレジスタとに分離している。
【0052】なお、図10に示された回路では、データ
線DB0P 〜DB3P が第1のデータ線(第1のアクセ
ス手段)に相当し、データ線DB0Q 〜DB3Q が第2
のデータ線(第2のアクセス手段)に相当し、データ線
DB0R 〜DB3R およびデータ線DB0S 〜DB3S
が第3のデータ線(第3のアクセス手段)に相当してい
る。また、制御線W00H4 〜W03H4 ,R00H4
〜R03H4 が第1の制御線(第1のアクセス手段)に
相当し、制御線W04H4 〜W07H4 ,R04H4
R07H4 が第2の制御線(第2のアクセス手段)に相
当し、制御線R08H4 〜R0FH4 が第3の制御線
(第3のアクセス手段)に相当している。ここで、下付
き添字の「4」は単に実施例4であることを示す。各制
御線の機能が上記各実施例におけるものと異なっている
わけではない。
【0053】このような構成によれば、実施例1の場合
と同様に、複数のタイマの同時起動が可能である。つま
り、アドレス04[H]のレジスタの所望の複数ビット
をオンにすればよい。また、1つのタイマを起動する場
合に1つのレジスタをアクセスするのみでよい。たとえ
ば、TAを起動する場合には、アドレス00[H]のレ
ジスタをアクセスするだけで、モード設定と起動処理と
を行うことができる。CPUがアドレス00[H]に所
定のデータを書き込もうとした場合、図10に示す回路
において、制御線W00H4 が有意になる。よって、T
AEn,TASt,TAC2,TAC1の各ビットに書
き込みがなされる。
【0054】さらに、アドレス08[H]〜0F[H]
の各レジスタがあることによって、判定処理等が容易に
なる。例えば、右シフト処理によって状態を判定するよ
うな場合を考える。TBC1ビットの状態を判定すると
きには、アドレス07[H]で読み出しを行い、読み出
されたデータを右に2回シフトすれば判定できる。TC
C1ビットの状態を判定するときには、アドレス0F
[H]で読み出しを行い、読み出されたデータを右に2
回シフトすれば判定できる。アドレス0F[H]が存在
しない場合には、アドレス07[H]で読み出しを行
い、読み出されたデータを右に3回シフトして、TCC
1ビットの状態を判定することになる。
【0055】また、アドレス08[H]〜0F[H]の
存在によって、MSBとLSBとを入れ替えたデータの
読み出しができる。すると、他のCPU等とのインタフ
ェースを容易化できる。例えば、一のマイクロコンピュ
ータに内蔵されたシリアル入出力回路と他のマイクロコ
ンピュータに内蔵されたシリアル入出力回路との間で、
MSBの捉え方が逆になっている場合を考える。また、
各レジスタを、制御用レジスタではなくデータレジスタ
と考える。一のマイクロコンピュータにおいて、その中
でデータ処理を行うときには、あるアドレス(例えば、
00[H])を用いてレジスタアクセスを行う。他のマ
イクロコンピュータにデータを送信するときには、アド
レス00[H]によってアクセスされるレジスタにおけ
るビット配列と逆配列になっているレジスタをアクセス
しうるアドレス(例えば、08[H])を用いてレジス
タのアクセスを行う。アクセスの結果得られたデータを
そのまま他のマイクロコンピュータに送信すれば、他の
マイクロコンピュータにおいて、受信データをそのまま
使用できる。この実施例におけるアクセス方法が用意さ
れていない場合には、一のマイクロコンピュータまたは
他のマイクロコンピュータのCPUにおいて、MSB−
LSB入れ替え処理を行わなければならない。従って、
プログラム効率が低下してしまう。
【0056】以上のように、MSBとLSBとを逆にし
たデータのアクセスを、アドレッシングによって可能に
することにより、インタフェース処理や判定処理を容易
化することができる。
【0057】ここでは、異なる方向から記憶部をアクセ
スできる第1のアクセス手段および第2のアクセス手段
と、第3のアクセス手段とを設けた場合について説明し
たが、第1のアクセス手段と第3のアクセス手段のみを
設けてもよい。すなわち、MSBとLSBとを逆にした
データのアクセスのみを可能にするような構成でもよ
い。
【0058】また、集積回路チップ内でも、交差する書
き込みまたは読み出しの制御線やデータ線は、図10に
示すようにそれぞれ直交していることが望ましい。直交
することによって配線が整理される。また、チップ内に
おいて、この記憶装置の領域が削減される。
【0059】
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明によ
れば、記憶装置を、複数のアクセス手段によって異なる
アドレスで記憶部がアクセスされるように構成したの
で、状況に適した記憶部アクセス方式を選択でき、その
結果、プログラム効率を低下させないものが得られる効
果がある。
【0060】請求項2記載の発明によれば、記憶装置
を、第1のアクセス手段によってアクセスされる記憶部
と第1のアクセス手段によってアクセスされない記憶部
とを含む所定数の記憶部を第2のアクセス手段が一括し
てアクセスするように構成したので、状況に適したビッ
ト配列の一括データをアクセスでき、プログラムサイズ
を増大させず、かつ、プログラム作成を簡略化できるも
のが得られる効果がある。
【0061】請求項3記載の発明によれば、記憶装置
を、第1のアクセス手段および第2のアクセス手段にお
けるデータ線同士および制御線同士がそれぞれ直交する
ように構成したので、上記効果が得られるとともに、記
憶装置のチップサイズを小さくできる効果がある。
【0062】請求項4記載の発明によれば、記憶装置
を、記憶部からのデータを第2のデータ線に出力可能に
するとともに第2のデータ線から記憶部へデータの入力
を禁止するように構成したので、誤アクセスによって記
憶部内のデータが書き換えられる可能性が低減し、安全
性の高まったものが得られる効果がある。
【0063】請求項5記載の発明によれば、記憶装置
を、データアクセス側からのアドレス信号から生成され
る信号を用いて記憶部がアクセスされるように構成した
ので、簡単なアクセス方式によって複数のアクセス手段
を実現できる効果がある。
【0064】請求項6記載の発明によれば、記憶装置
を、データアクセス側からのアドレス信号と制御値とか
ら生成される信号を用いて記憶部がアクセスされるよう
に構成したので、制御値に応じたアドレス選択ができ、
その結果、アクセスに要するアドレス数を減らせるもの
が得られる効果がある。
【0065】請求項7記載の発明によれば、記憶装置
を、他のアクセス手段によってアクセスされる一括デー
タにおけるビット配列とは逆の配列の一括データの形式
で第3のアクセス手段が記憶部をアクセスできるように
構成したので、状況に一層適した記憶部アクセス方式を
選択でき、その結果、プログラム効率の低下をより有効
に防止できるものが得られる効果がある。
【0066】請求項8記載の発明によれば、記憶装置
を、第1のアクセス手段、第2のアクセス手段および第
3のアクセス手段におけるデータ線同士および制御線同
士がそれぞれ直交するように構成したので、上記効果が
得られるとともに、記憶装置のチップサイズを小さくで
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 記憶装置におけるメモリセルの構成を示す回
路図である。
【図2】 ワンチップマイクロコンピュータに内蔵され
たタイマ制御用レジスタのアドレス割り当ておよびビッ
ト割り当てを示す説明図である。
【図3】 この発明の実施例1におけるレジスタの構成
を示す回路図である。
【図4】 この発明の実施例2におけるレジスタのアク
セス可能状態を示す説明図である。
【図5】 この発明の実施例2におけるレジスタの構成
を示す回路図である。
【図6】 この発明の実施例3におけるレジスタの構成
を示す回路図である。
【図7】 この発明の実施例3におけるタイマ制御用レ
ジスタのアドレス割り当ておよびビット割り当てを示す
説明図である。
【図8】 記憶装置におけるメモリセルの他の構成を示
す回路図である。
【図9】 この発明の実施例4におけるタイマ制御用レ
ジスタのアドレス割り当ておよびビット割り当てを示す
説明図である。
【図10】 この発明の実施例4におけるレジスタの構
成を示す回路図である。
【図11】 従来のタイマ制御用レジスタのアドレス割
り当ておよびビット割り当てを示す説明図である。
【図12】 タイマの動作チェックプログラムを示すフ
ローチャートである。
【図13】 詳細なタイマの動作チェックプログラムを
示すフローチャートである。
【図14】 従来の他のタイマ制御用レジスタのアドレ
ス割り当ておよびビット割り当てを示す説明図である。
【符号の説明】
1,100〜107 記憶部、2,4 トランスミッシ
ョンゲート(アクセス手段)、3,5 データ出力バッ
ファ(アクセス手段)、DP,DQ データ線(アクセ
ス手段)、WP,WQ,RP,RQ 制御線(アクセス
手段)、D0P〜D3P ,DB0P 〜DB3P データ
線(第1のデータ線、第1のアクセス手段)、DB0R
〜DB3R ,DB0S 〜DB3S データ線(第3のデ
ータ線、第3のアクセス手段)、D0Q 〜D3Q ,DB
Q 〜DB3Q データ線(第2のデータ線、第2のア
クセス手段)、W00H,W01H,R00H,R01
H,W00A,W01A,R00A,R01A,W00
4 〜W03H4 ,R00H4 〜R03H4 制御線
(第1の制御線、第1のアクセス手段)、W02H,W
03H,R02H,R03H,W00B,W01B,R
00B,R01B,W04H4 〜W07H4 ,R04H
4 〜R07H4 制御線(第2の制御線、第2のアクセ
ス手段)、R08H4 〜R0FH4 制御線(第3の制
御線、第3のアクセス手段)。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データを記憶しアドレス指定に応じてそ
    のデータの入出力を行う記憶装置において、データを記
    憶する記憶部と、それぞれが前記記憶部のデータをアク
    セスする手段であって、異なるアドレスに対応した複数
    のアクセス手段とを備えたことを特徴とする記憶装置。
  2. 【請求項2】 データを記憶しアドレス指定に応じてそ
    のデータの入出力を行う記憶装置において、それぞれが
    ビットデータを記憶する複数の記憶部と、前記複数の記
    憶部のうちの所定数の記憶部を一括してアクセスする第
    1のアクセス手段と、前記第1のアクセス手段によって
    アクセスされる記憶部と前記第1のアクセス手段によっ
    てアクセスされない記憶部とを含む所定数の記憶部を一
    括してアクセスする第2のアクセス手段とを備えたこと
    を特徴とする記憶装置。
  3. 【請求項3】 第1のアクセス手段は、記憶部へのデー
    タと記憶部からのデータとが通過する第1のデータ線
    と、前記記憶部と前記第1のデータ線とを接続状態にす
    る第1の制御線とを含み、第2のアクセス手段は、前記
    記憶部へのデータと記憶部からのデータとが通過する第
    2のデータ線と、前記記憶部と前記第2のデータ線とを
    接続状態にする第2の制御線とを含み、前記第1のデー
    タ線と前記第2のデータ線と直交するとともに、前記第
    1の制御線と前記第2の制御線と直交する請求項2記載
    の記憶装置。
  4. 【請求項4】 第1のアクセス手段は、記憶部へのデー
    タと記憶部からのデータとが通過する第1のデータ線
    と、前記記憶部と前記第1のデータ線とを接続状態にす
    る第1の制御線とを含み、第2のアクセス手段は、記憶
    部へのデータと記憶部からのデータとが通過する第2の
    データ線と、前記記憶部からのデータを前記第2のデー
    タ線に出力させるとともに前記第2のデータ線から前記
    記憶部へのデータ入力を禁止する第2の制御線とを含む
    請求項2記載の記憶装置。
  5. 【請求項5】 第1の制御線および第2の制御線は、デ
    ータアクセス側からのアドレス信号から生成される信号
    を用いる請求項2記載の記憶装置。
  6. 【請求項6】 データアクセス側から制御値が設定され
    る制御レジスタを備え、第1の制御線および第2の制御
    線は、データアクセス側からのアドレス信号と前記制御
    値とから生成される信号を用いる請求項2記載の記憶装
    置。
  7. 【請求項7】 記憶部へのデータと記憶部からのデータ
    とが通過する第3のデータ線と、第1のアクセス手段も
    しくは第2のアクセス手段または双方によってアクセス
    される一括データにおけるビット配列とは逆の配列の一
    括データがアクセスされるように、前記記憶部と前記第
    3のデータ線とを接続状態にする第3の制御線とを含む
    第3のアクセス手段を備えた請求項2記載の記憶装置。
  8. 【請求項8】 データを記憶しアドレス指定に応じてそ
    のデータの入出力を行う記憶装置において、それぞれが
    ビットデータを記憶する複数の記憶部と、前記記憶部へ
    のデータと記憶部からのデータとが通過する第1のデー
    タ線および前記記憶部と前記第1のデータ線とを接続状
    態にする第1の制御線を含み前記複数の記憶部のうちの
    所定数の記憶部を一括してアクセスする第1のアクセス
    手段と、前記記憶部へのデータと記憶部からのデータと
    が通過する第3のデータ線および前記第1のアクセス手
    段でアクセスされる一括データにおけるビット配列とは
    逆の配列の一括データがアクセスされるように前記記憶
    部と前記第3のデータ線とを接続状態にする第3の制御
    線を含む第3のアクセス手段とを備え、前記第1のデー
    タ線と前記第3のデータ線と直交するとともに、前記第
    1の制御線と前記第3の制御線と直交することを特徴と
    する記憶装置。
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