JPH0793344B2 - フイルムキヤリア - Google Patents
フイルムキヤリアInfo
- Publication number
- JPH0793344B2 JPH0793344B2 JP62122912A JP12291287A JPH0793344B2 JP H0793344 B2 JPH0793344 B2 JP H0793344B2 JP 62122912 A JP62122912 A JP 62122912A JP 12291287 A JP12291287 A JP 12291287A JP H0793344 B2 JPH0793344 B2 JP H0793344B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner lead
- film carrier
- length
- bonding
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は各種電子機器に使用されるフィルムキャリアに
関するものである。
関するものである。
従来の技術 従来のフィルムキャリアを第７図に用いて説明する。
第７図において１は、フィルムキャリアのベースとなる
フィルムで、通常ポリイミドやガラスエポキシのような
材質で、厚さは0.1ミリから0.2ミリ程度である。このフ
ィルム１は、その両端にスプロケット穴２を有し、フィ
ルムを走行・固定させることが可能である。また、フィ
ルム１はほぼ中央部にデバイスホール３を持つ。フィル
ム１上に銅箔を接着し、その後エッチングにより配線が
残される。この配線はデバイスホール３の中に残ってい
るインナリード４と配線５と外部接続用のアウタリード
６の３つに区分することができる。
フィルムで、通常ポリイミドやガラスエポキシのような
材質で、厚さは0.1ミリから0.2ミリ程度である。このフ
ィルム１は、その両端にスプロケット穴２を有し、フィ
ルムを走行・固定させることが可能である。また、フィ
ルム１はほぼ中央部にデバイスホール３を持つ。フィル
ム１上に銅箔を接着し、その後エッチングにより配線が
残される。この配線はデバイスホール３の中に残ってい
るインナリード４と配線５と外部接続用のアウタリード
６の３つに区分することができる。
第８図は第７図のインナリード４の部分を拡大したもの
である。第８図においてインナリード４は、ICのバンプ
とボンディングする部分4aと、リードの部分4bに分けら
れる。このときインナリード４全体の長さは、従来次の
ようにして求められる。第９図においてデバイスホール
12の幅を2L,IC13上の第１のパッド上に設けられた第１
のバンプ14aと、これと向いあう辺の第２のパッド上に
設けられた第２のバンプ14b間のリード方向の距離を2l
とすると、リード15の、フィルム16からボンディング部
中心までの長さａは、 ａ＝Ｌ−ｌ ……（１） であらわされる。
である。第８図においてインナリード４は、ICのバンプ
とボンディングする部分4aと、リードの部分4bに分けら
れる。このときインナリード４全体の長さは、従来次の
ようにして求められる。第９図においてデバイスホール
12の幅を2L,IC13上の第１のパッド上に設けられた第１
のバンプ14aと、これと向いあう辺の第２のパッド上に
設けられた第２のバンプ14b間のリード方向の距離を2l
とすると、リード15の、フィルム16からボンディング部
中心までの長さａは、 ａ＝Ｌ−ｌ ……（１） であらわされる。
発明が解決しようとする問題点 従来用いられてきたインナーリードでは、第９図に示し
た様にインナーリード長さａがデバイスホールの大きさ
2LからICチップの電極間長さ2lを引いて２で割った大き
さに等しかった。このため、ボンディング時にバンプが
つぶれた場合、第10図に示すようにインナリード17がIC
のエッジ部18に接触することがおこりやすい。インナリ
ードがICのエッジ部と接触すると、ICが誤動作するため
不良とみなされる。
た様にインナーリード長さａがデバイスホールの大きさ
2LからICチップの電極間長さ2lを引いて２で割った大き
さに等しかった。このため、ボンディング時にバンプが
つぶれた場合、第10図に示すようにインナリード17がIC
のエッジ部18に接触することがおこりやすい。インナリ
ードがICのエッジ部と接触すると、ICが誤動作するため
不良とみなされる。
そこで、ICのエッジ部とリードが接触しないようにする
ために、ICとリードの下面と同一にならないような位置
関係として接合することが考えられるが、インナリード
の長さを（１）式に示した関係に基づいて設計製作した
場合、インナーリードのボンディング位置が、ボンディ
ング中心位置からずれ、接合が不十分になったり、張力
がインナリードにかかり、信頼性を低下させる原因とな
る。
ために、ICとリードの下面と同一にならないような位置
関係として接合することが考えられるが、インナリード
の長さを（１）式に示した関係に基づいて設計製作した
場合、インナーリードのボンディング位置が、ボンディ
ング中心位置からずれ、接合が不十分になったり、張力
がインナリードにかかり、信頼性を低下させる原因とな
る。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明のフィルムキャリ
アは、インナリードのデバイスホール端部からボンディ
ング部中心までの長さを、デバイスホール開口部長さと
ICチップの第１のパッドとこれと向い合うチップ端面側
の第２のパッドとの前記チップ端面に対して垂直な方向
の距離との差の半分と比べて、20〜100μｍ長くしたこ
とを特徴とするものである。
アは、インナリードのデバイスホール端部からボンディ
ング部中心までの長さを、デバイスホール開口部長さと
ICチップの第１のパッドとこれと向い合うチップ端面側
の第２のパッドとの前記チップ端面に対して垂直な方向
の距離との差の半分と比べて、20〜100μｍ長くしたこ
とを特徴とするものである。
作用 本発明の技術的手段による作用は以下のようになる。
すなわち、インナリードのボンディング部中心が従来よ
りデバイスホール中央よりに移動するので、フィルムキ
ャリアの配線面とICチップのパッド面とに段差をつけて
接合した場合に、フィルムキャリアのインナリードのボ
ンディング部中心と、ICチップのバンプ位置を等しくす
ることができる。
りデバイスホール中央よりに移動するので、フィルムキ
ャリアの配線面とICチップのパッド面とに段差をつけて
接合した場合に、フィルムキャリアのインナリードのボ
ンディング部中心と、ICチップのバンプ位置を等しくす
ることができる。
また、フィルムキャリア配線面とICチップのパッド面と
の段差分だけインナリードは変形し、インナリードはデ
バイスホールつけ根側に近づくに従ってICチップのパッ
ド面から離れるのでICのエッジとインナリードの接触が
なくなる。また、インナリードをあらかじめ長くしてボ
ンディングしているためリードとバンプの接合は確実に
行なわれ、更にリードにストレスが残らないため、信頼
性も向上する。
の段差分だけインナリードは変形し、インナリードはデ
バイスホールつけ根側に近づくに従ってICチップのパッ
ド面から離れるのでICのエッジとインナリードの接触が
なくなる。また、インナリードをあらかじめ長くしてボ
ンディングしているためリードとバンプの接合は確実に
行なわれ、更にリードにストレスが残らないため、信頼
性も向上する。
一方インナリードの延長量を100μｍを超える値とする
と、ボンディング時にリードの変形する量にばらつきが
生じ、各リードとバンプの接合強度が一様にならない。
このため初期におけるICのエッジとインナリードとの接
触は減少し不良率も低下するが、信頼性試験における不
良発生率が増加してしまうため、延長量は100μｍ以下
でなければならない。
と、ボンディング時にリードの変形する量にばらつきが
生じ、各リードとバンプの接合強度が一様にならない。
このため初期におけるICのエッジとインナリードとの接
触は減少し不良率も低下するが、信頼性試験における不
良発生率が増加してしまうため、延長量は100μｍ以下
でなければならない。
実 施 例 以下本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図は本発明の第１の実施例で、表１に各々の長さ関係
を示す。同図ａにおいて2LX及び2LYはデバイスホール21
のフィルムキャリア走行方向と垂直な方向と平行な方向
の長さを示す。又、同図ｂにおいて2lX及び2lYはICチッ
プ22上に形成されている第１のバンプ23aとこれと向か
いあう端面側の第２のバンプ23bとのフィルムキャリア
走行方向と垂直な方向の長さ及び第３のバンプ23cとこ
れと向かいあう端面側の第４のバンプ23dとのフィルム
キャリア走行方向と平行な方向の長さであり、Ｘ及びＹ
は前記ICチップ22の外形の長さである。同図ｃにおい
て、ａはフィルム24のデバイスホール側端24aよりイン
ナリード25のボンディング中心26までの長さである。
１図は本発明の第１の実施例で、表１に各々の長さ関係
を示す。同図ａにおいて2LX及び2LYはデバイスホール21
のフィルムキャリア走行方向と垂直な方向と平行な方向
の長さを示す。又、同図ｂにおいて2lX及び2lYはICチッ
プ22上に形成されている第１のバンプ23aとこれと向か
いあう端面側の第２のバンプ23bとのフィルムキャリア
走行方向と垂直な方向の長さ及び第３のバンプ23cとこ
れと向かいあう端面側の第４のバンプ23dとのフィルム
キャリア走行方向と平行な方向の長さであり、Ｘ及びＹ
は前記ICチップ22の外形の長さである。同図ｃにおい
て、ａはフィルム24のデバイスホール側端24aよりイン
ナリード25のボンディング中心26までの長さである。
ａの値を1.000mm,1.005mm,1.020mm,1.044mm,1.077mm,1.
118mmの６種としたインナリードを持つフィルムキャリ
アを用意し実験を行なった。第１図ｃにおける破線は、
リードが第１式を満たす場合、すなわちａ＝1.000mmの
場合に相当する。その結果、第２図に白丸で示すような
結果が得られた。ボンディングは、150℃に予熱したIC
の金バンプに対して１リードあたり20gfの力で、約１秒
間，さらに80gfの力で約２秒間、380〜390℃に加熱した
ツールで一括圧着している。
118mmの６種としたインナリードを持つフィルムキャリ
アを用意し実験を行なった。第１図ｃにおける破線は、
リードが第１式を満たす場合、すなわちａ＝1.000mmの
場合に相当する。その結果、第２図に白丸で示すような
結果が得られた。ボンディングは、150℃に予熱したIC
の金バンプに対して１リードあたり20gfの力で、約１秒
間，さらに80gfの力で約２秒間、380〜390℃に加熱した
ツールで一括圧着している。
第２図から明らかな様に1.000mmのとき、すなわち
（１）式で表わされる関係でインナリードが作られてい
るときの不良率は約９％であるが、ａの値を５μｍ大き
くすると約３％と不良率は減少し、ａの値を20μｍ大き
くすると約１％の不良率となる。さらに、ａの値を44μ
m,77μｍ大きくした場合には不良率は0.5％まで減少し
た。
（１）式で表わされる関係でインナリードが作られてい
るときの不良率は約９％であるが、ａの値を５μｍ大き
くすると約３％と不良率は減少し、ａの値を20μｍ大き
くすると約１％の不良率となる。さらに、ａの値を44μ
m,77μｍ大きくした場合には不良率は0.5％まで減少し
た。
一方第２図に黒丸で示した値は130℃（６時間）−30
℃（６時間）のヒートサイクル試験1000時間後の不良率
である。ヒートサイクル後、ａの値が（１）式で表され
る場合には不良率は約19％であり、ａの値を1.044mmと
すると約１％の不良率となった。しかし、ａの値を1.11
8mmまで延伸すると再び不良が増加し、約３％まで不良
率は増加した。
℃（６時間）のヒートサイクル試験1000時間後の不良率
である。ヒートサイクル後、ａの値が（１）式で表され
る場合には不良率は約19％であり、ａの値を1.044mmと
すると約１％の不良率となった。しかし、ａの値を1.11
8mmまで延伸すると再び不良が増加し、約３％まで不良
率は増加した。
次に本発明の第２の実施例について第３図に基づいて説
明する。第１の実施例では、第１図ｃにおけるａの値
を、ボンディング部の大きさをそのままにして大きくし
た場合であるが、本実施例では、第３図に示すようにイ
ンナリード27のうち、ボンディング部27aを延伸したも
のである。
明する。第１の実施例では、第１図ｃにおけるａの値
を、ボンディング部の大きさをそのままにして大きくし
た場合であるが、本実施例では、第３図に示すようにイ
ンナリード27のうち、ボンディング部27aを延伸したも
のである。
本実施例においても、表１に示されるようなチップと、
デバイスホールを持つフィルムキャリアによって接合の
実験を行なった。ボンディング条件及びａの値も第１の
実施例と同じ値にして実験を行なったところ、第４図に
示すような不良発生率が得られた。この場合もａ＝1.02
0mmにすると、ａ＝1.000mmのときと比較して不良率約0.
5％とおよそ20分の１まで減少した。しかしながらａ＝
1.118mmとリードが長くなるとやや不良率が上昇し約２
％となった。
デバイスホールを持つフィルムキャリアによって接合の
実験を行なった。ボンディング条件及びａの値も第１の
実施例と同じ値にして実験を行なったところ、第４図に
示すような不良発生率が得られた。この場合もａ＝1.02
0mmにすると、ａ＝1.000mmのときと比較して不良率約0.
5％とおよそ20分の１まで減少した。しかしながらａ＝
1.118mmとリードが長くなるとやや不良率が上昇し約２
％となった。
以上の実施例では、（１）式におけるａの値が1.000mm,
すなわち従来ではインナリードのボンディングの中心か
らリードのつけ根までの長さが1.000mmであった場合に
ついて説明してきたが、これを他の値に変えたときの不
良発生率は第５図のようになった。第５図において白三
角，白丸，白四角は初期における不良率で、黒三角，黒
丸、黒四角はヒートサイクル試験（120℃６時間−30
℃６時間計1000時間）後の不良率である。三角は、イン
ナリードのボンディング中心からつけ根までの従来法に
よる長さが0.500mmのとき、丸は1.000mmのとき四角は1.
500mmのときである。グラフの縦軸は不良率で、横軸は
従来法と比較したリードの延伸量である。
すなわち従来ではインナリードのボンディングの中心か
らリードのつけ根までの長さが1.000mmであった場合に
ついて説明してきたが、これを他の値に変えたときの不
良発生率は第５図のようになった。第５図において白三
角，白丸，白四角は初期における不良率で、黒三角，黒
丸、黒四角はヒートサイクル試験（120℃６時間−30
℃６時間計1000時間）後の不良率である。三角は、イン
ナリードのボンディング中心からつけ根までの従来法に
よる長さが0.500mmのとき、丸は1.000mmのとき四角は1.
500mmのときである。グラフの縦軸は不良率で、横軸は
従来法と比較したリードの延伸量である。
最後にボンディング工程を第６図により説明する。
（１） フィルムキャリア31はICチップ33のバンプ34の
ツール側の面からＤだけ離れたところに保持される（同
図ａ）。
ツール側の面からＤだけ離れたところに保持される（同
図ａ）。
（２） インナリード32はツール30にあたり変形をはじ
める（同図ｂ）。
める（同図ｂ）。
（３） ツール30の移動に伴いバンプ34とインナリード
32は接触し、ツールに加熱及び加圧することにより接合
は完了する（同図ｃ）。
32は接触し、ツールに加熱及び加圧することにより接合
は完了する（同図ｃ）。
このようにしてリードを延長しても一度のツール動作で
ボンディングが可能である。
ボンディングが可能である。
発明の効果 以上のように本発明は、フィルムキャリアにおいて、イ
ンナリードのデバイスホール端部からボンディング部中
心までの長さを、デバイスホール開口部長さと、ICチッ
プの第１のパッドとこれと向いあうチップ端面側の第２
のパッドとの前記チップ端面に対して垂直な方向の距離
との差の半分に比べて20〜100μｍ長くしたことによ
り、インナリードボンディング時における接合の初期不
良を減少し、また、信頼性を向上させることができるも
のである。
ンナリードのデバイスホール端部からボンディング部中
心までの長さを、デバイスホール開口部長さと、ICチッ
プの第１のパッドとこれと向いあうチップ端面側の第２
のパッドとの前記チップ端面に対して垂直な方向の距離
との差の半分に比べて20〜100μｍ長くしたことによ
り、インナリードボンディング時における接合の初期不
良を減少し、また、信頼性を向上させることができるも
のである。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例を示し、第１図
ａはデバイスホールの長さ関係を示すフィルムキャリア
の平面図、同図ｂはチップの長さ関係を示す平面図、同
図ｃはインナリードの平面図、第２図は不良率とインナ
リードの長さ関係を示すグラフ、第３図及び第４図は本
発明の第２実施例を示し、第３図はインナリードの平面
図、第４図は不良率とインナリードの長さの関係を示す
グラフ、第５図はさらにインナリードの基本長さを変え
た実施例における不良率とインナリードの長さの関係を
示すグラフ、第６図は本発明のフィルムキャリアを用い
た場合の工程を示す断面図、第７図〜第10図は従来例を
示し、第７図はフィルムキャリアの平面図、第８図はイ
ンナリードの平面図、第９図はICチップを実装したフィ
ルムキャリアの断面図、第10図は不良実装例を示す要部
断面図である。 24,28,31……フィルム、２……デバイスホール、25,27,
32……インナリード、23a,23b,23c,23d,34……バンプ、
22,33……ICチップ。
ａはデバイスホールの長さ関係を示すフィルムキャリア
の平面図、同図ｂはチップの長さ関係を示す平面図、同
図ｃはインナリードの平面図、第２図は不良率とインナ
リードの長さ関係を示すグラフ、第３図及び第４図は本
発明の第２実施例を示し、第３図はインナリードの平面
図、第４図は不良率とインナリードの長さの関係を示す
グラフ、第５図はさらにインナリードの基本長さを変え
た実施例における不良率とインナリードの長さの関係を
示すグラフ、第６図は本発明のフィルムキャリアを用い
た場合の工程を示す断面図、第７図〜第10図は従来例を
示し、第７図はフィルムキャリアの平面図、第８図はイ
ンナリードの平面図、第９図はICチップを実装したフィ
ルムキャリアの断面図、第10図は不良実装例を示す要部
断面図である。 24,28,31……フィルム、２……デバイスホール、25,27,
32……インナリード、23a,23b,23c,23d,34……バンプ、
22,33……ICチップ。
Claims (1)
- 【請求項１】インナリードのデバイスホール端部からボ
ンディング部中心までの長さを、デバイスホール開口部
長さと、ICチップの第１のパッドとこれと向い合うチッ
プ端面側の第２のパッドとの前記チップ端面に対して垂
直な方向の距離との差の半分に比べて20〜100μｍ長く
したことを特徴とするフィルムキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62122912A JPH0793344B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | フイルムキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62122912A JPH0793344B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | フイルムキヤリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63288033A JPS63288033A (ja) | 1988-11-25 |
| JPH0793344B2 true JPH0793344B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=14847680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62122912A Expired - Lifetime JPH0793344B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | フイルムキヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793344B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3033227B2 (ja) * | 1990-05-08 | 2000-04-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5370766A (en) * | 1976-12-07 | 1978-06-23 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5712529A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Film carrier type semiconductor mounting device |
| JPS59139636A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ボンデイング方法 |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62122912A patent/JPH0793344B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5370766A (en) * | 1976-12-07 | 1978-06-23 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5712529A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Film carrier type semiconductor mounting device |
| JPS59139636A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ボンデイング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63288033A (ja) | 1988-11-25 |
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