JPH06151512A - Ｔａｂテープおよびｔａｂインナーリードの接合方法 - Google Patents
Ｔａｂテープおよびｔａｂインナーリードの接合方法Info
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- JPH06151512A JPH06151512A JP29322492A JP29322492A JPH06151512A JP H06151512 A JPH06151512 A JP H06151512A JP 29322492 A JP29322492 A JP 29322492A JP 29322492 A JP29322492 A JP 29322492A JP H06151512 A JPH06151512 A JP H06151512A
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- bonding
- tab
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の電極とＴＡＢテープのインナー
リードとの安定した接合を可能とする。 【構成】 インナーリード８の長手方向がボンディング
ツール１３の振動方向に対して直交するインナーリード
が配置されている第１辺Ｈ1より接続を開始し、該第１
辺Ｈ1のセンタスリット１１で２分割された半分のイン
ナーリードの接合処理を行い、次に対面する第２辺Ｈ2
のセンタスリット１１で２分割された半分のインナーリ
ードの接合処理を行う。続いて第１辺Ｈ1の未接続のイ
ンナーリードと第２辺Ｈ2の未接続のインナーリードの
接合処理を行う。ボンディングツーの振動方向と長手方
向が一致する第３辺・第４辺のインナーリードも前記第
１辺および第２辺の順番と同様にして接続する。これに
より、接合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現
することができる。
リードとの安定した接合を可能とする。 【構成】 インナーリード８の長手方向がボンディング
ツール１３の振動方向に対して直交するインナーリード
が配置されている第１辺Ｈ1より接続を開始し、該第１
辺Ｈ1のセンタスリット１１で２分割された半分のイン
ナーリードの接合処理を行い、次に対面する第２辺Ｈ2
のセンタスリット１１で２分割された半分のインナーリ
ードの接合処理を行う。続いて第１辺Ｈ1の未接続のイ
ンナーリードと第２辺Ｈ2の未接続のインナーリードの
接合処理を行う。ボンディングツーの振動方向と長手方
向が一致する第３辺・第４辺のインナーリードも前記第
１辺および第２辺の順番と同様にして接続する。これに
より、接合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の実装に用
いられるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ：テープ オートメーテッド ボンディン
グ）用テープキャリアのインナーリードと半導体素子の
電極とを接合する方法及びＴＡＢ用テープに関する。
いられるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ：テープ オートメーテッド ボンディン
グ）用テープキャリアのインナーリードと半導体素子の
電極とを接合する方法及びＴＡＢ用テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＡＢテープは図５に示すよう
に、ポリイミド製の長尺のテープキャリア４上に半導体
素子を搭載するデバイスホール５とＣｕ配線電極を保持
するサポートリング７が形成されている。テープキャリ
ア４の幅方向の両端には、あらかじめテープ位置決め用
と搬送用に等ピッチに規格化されたスプロケットホール
６がプレス加工により形成されている。サポートリング
７には、デバイスホール５の内側に突出したインナーリ
ード８と、外側にＴＡＢテープを実装する基板との電気
的接続のためのアウターリード９とが形成されている。
全てのＣｕ配線電極には、電界メッキにより厚さ１μｍ
のＡｕメッキが施されている。
に、ポリイミド製の長尺のテープキャリア４上に半導体
素子を搭載するデバイスホール５とＣｕ配線電極を保持
するサポートリング７が形成されている。テープキャリ
ア４の幅方向の両端には、あらかじめテープ位置決め用
と搬送用に等ピッチに規格化されたスプロケットホール
６がプレス加工により形成されている。サポートリング
７には、デバイスホール５の内側に突出したインナーリ
ード８と、外側にＴＡＢテープを実装する基板との電気
的接続のためのアウターリード９とが形成されている。
全てのＣｕ配線電極には、電界メッキにより厚さ１μｍ
のＡｕメッキが施されている。
【０００３】ＴＡＢテープのインナーリード８と半導体
素子の電極とを逐次方式で接合するシングルボンディン
グ方式では、図４に示すように半導体素子１のＡｌ電極
部２又はＴＡＢテープのインナーリード８の先端部のい
ずれか一方にバンプ１６となる突起を形成した後、バン
プ１６を介してボンディングツール１７によって超音波
と熱を併用した方法で接合を行っていた。この時、半導
体素子１は、加熱ステージにより２５０℃程度に加熱さ
れている。
素子の電極とを逐次方式で接合するシングルボンディン
グ方式では、図４に示すように半導体素子１のＡｌ電極
部２又はＴＡＢテープのインナーリード８の先端部のい
ずれか一方にバンプ１６となる突起を形成した後、バン
プ１６を介してボンディングツール１７によって超音波
と熱を併用した方法で接合を行っていた。この時、半導
体素子１は、加熱ステージにより２５０℃程度に加熱さ
れている。
【０００４】ここで一般に、ボンディングの順序は、接
合時間を極力短縮するため隣接するインナーリードを順
次接合していた。例えば図５において、ＴＡＢテープの
第３辺Ｈ3の端から第２辺Ｈ2，第４辺Ｈ4，第１辺Ｈ1の
順序でボンディングを行っていた。
合時間を極力短縮するため隣接するインナーリードを順
次接合していた。例えば図５において、ＴＡＢテープの
第３辺Ｈ3の端から第２辺Ｈ2，第４辺Ｈ4，第１辺Ｈ1の
順序でボンディングを行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】超音波併用熱圧着によ
るシングルボンディング方法で安定した接合強度を得る
には、超音波振動によりＡｌ電極の表面に存在するＡｌ
の自然酸化膜を十分に破壊し、加熱ステージによる熱エ
ネルギーによりインナーリード表面のＡｕとＡｌ電極表
面のＡｌとの十分な合金層を形成することが条件とな
る。ここで、図２に示すように超音波の振動方向は、第
３辺・第４辺に対しては、インナーリードの長手方向に
対して平行であり、第１辺・第２辺に対しては、インナ
ーリードの長手方向に直交する方向である。
るシングルボンディング方法で安定した接合強度を得る
には、超音波振動によりＡｌ電極の表面に存在するＡｌ
の自然酸化膜を十分に破壊し、加熱ステージによる熱エ
ネルギーによりインナーリード表面のＡｕとＡｌ電極表
面のＡｌとの十分な合金層を形成することが条件とな
る。ここで、図２に示すように超音波の振動方向は、第
３辺・第４辺に対しては、インナーリードの長手方向に
対して平行であり、第１辺・第２辺に対しては、インナ
ーリードの長手方向に直交する方向である。
【０００６】第１辺・第２辺のように超音波振動がイン
ナーリードの長手方向に対して直交する方向に印加され
た場合には、超音波振動を接合界面に十分に伝達するこ
とができず、Ａｌ酸化膜を十分に破壊できない。このた
め、第１辺及び第２辺の接合強度は、第３辺・第４辺に
比べて低下するという課題があった。さらに、第３・２
・４１辺と順次接合を行った場合、接合されたインナー
リードを通じて熱伝導により半導体素子から熱が放熱す
るため、最終接合辺である第１辺では、接合面の温度が
低下し、各辺間の接合強度にバラツキが発生する問題が
あった。また、ボンディング後に機械的ストレスや熱の
ストレスを受けると、ＴＡＢテープのベースフィルムで
あるポリイミドテープに変形が発生し、インナーリード
と電極との接合部に、接合強度以上のストレスを受け、
接合強度の劣化による信頼性の低下が問題なっていた。
このような問題は、とくに変形量の大きいサポートリン
グのコーナ部で多発していた。
ナーリードの長手方向に対して直交する方向に印加され
た場合には、超音波振動を接合界面に十分に伝達するこ
とができず、Ａｌ酸化膜を十分に破壊できない。このた
め、第１辺及び第２辺の接合強度は、第３辺・第４辺に
比べて低下するという課題があった。さらに、第３・２
・４１辺と順次接合を行った場合、接合されたインナー
リードを通じて熱伝導により半導体素子から熱が放熱す
るため、最終接合辺である第１辺では、接合面の温度が
低下し、各辺間の接合強度にバラツキが発生する問題が
あった。また、ボンディング後に機械的ストレスや熱の
ストレスを受けると、ＴＡＢテープのベースフィルムで
あるポリイミドテープに変形が発生し、インナーリード
と電極との接合部に、接合強度以上のストレスを受け、
接合強度の劣化による信頼性の低下が問題なっていた。
このような問題は、とくに変形量の大きいサポートリン
グのコーナ部で多発していた。
【０００７】また一般に、シングルボンディング方式で
は、上述したような超音波併用の熱圧着で接合が行われ
るため、超音波振動の機械的作用により、インナーリー
ドと半導体素子の電極との間に微小な位置ズレが生じ、
さらに、ＴＡＢテープのサポートリングであるポリイミ
ドテープは、半導体素子からインナーリードを通じて流
出する熱により変形を生じるため、熱作用によりインナ
ーリードと半導体素子との間に相対的な位置ズレが生
じ、累積ピッチズレで２０μｍ以上の位置ズレが生じて
いた。
は、上述したような超音波併用の熱圧着で接合が行われ
るため、超音波振動の機械的作用により、インナーリー
ドと半導体素子の電極との間に微小な位置ズレが生じ、
さらに、ＴＡＢテープのサポートリングであるポリイミ
ドテープは、半導体素子からインナーリードを通じて流
出する熱により変形を生じるため、熱作用によりインナ
ーリードと半導体素子との間に相対的な位置ズレが生
じ、累積ピッチズレで２０μｍ以上の位置ズレが生じて
いた。
【０００８】このような機械的及び熱的作用により生じ
るインナーリードと半導体素子の電極との間の相対的な
位置ズレのため、インナーリードのピッチが１００μｍ
以下の狭ピッチになると、インナーリードと半導体素子
の電極との位置精度が高く要求されるため、上記のよう
な位置ズレが無視できなくなり、狭ピッチ化ＴＡＢ実装
が困難である課題があった。特に大型チップでは、熱的
作用がインナーリードのピッチズレに大きく影響し、マ
イコンチップなどの大型チップのＴＡＢ実装が困難であ
った。
るインナーリードと半導体素子の電極との間の相対的な
位置ズレのため、インナーリードのピッチが１００μｍ
以下の狭ピッチになると、インナーリードと半導体素子
の電極との位置精度が高く要求されるため、上記のよう
な位置ズレが無視できなくなり、狭ピッチ化ＴＡＢ実装
が困難である課題があった。特に大型チップでは、熱的
作用がインナーリードのピッチズレに大きく影響し、マ
イコンチップなどの大型チップのＴＡＢ実装が困難であ
った。
【０００９】本発明の目的は、このような従来の課題を
解決し、接合強度にバラツキのない安定した接合及び高
信頼性を実現し、かつ大型チップ・狭ピッチ化ＴＡＢ実
装が可能なＴＡＢインナーリードの接合方法およびＴＡ
Ｂテープを提供することにある。
解決し、接合強度にバラツキのない安定した接合及び高
信頼性を実現し、かつ大型チップ・狭ピッチ化ＴＡＢ実
装が可能なＴＡＢインナーリードの接合方法およびＴＡ
Ｂテープを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るＴＡＢテープは、半導体素子を実装す
るサポートリングの内側に配線電極が突出したインナー
リードを有するＴＡＢテープであって、前記サポートリ
ングは、配線電極が突出する内側の辺にスリットを有す
るものである。
め、本発明に係るＴＡＢテープは、半導体素子を実装す
るサポートリングの内側に配線電極が突出したインナー
リードを有するＴＡＢテープであって、前記サポートリ
ングは、配線電極が突出する内側の辺にスリットを有す
るものである。
【００１１】また、前記スリットは、前記サポートリン
グの内辺の四隅と、各辺のほぼ中央付近とに設けられた
ものである。
グの内辺の四隅と、各辺のほぼ中央付近とに設けられた
ものである。
【００１２】また、本発明に係るＴＡＢインナーリード
の接合方法は、ＴＡＢテープの対向する内端辺に有する
インナーリード列をセンタスリットで２分割し、インナ
ーリードと半導体素子の電極とを超音波及び熱圧着方式
のボンディングツールを用いて逐次接合するシングルボ
ンディング方式によるＴＡＢインナーリードの接合方法
であって、接合工程は、ボンディングツールの振動方向
に対して長さ方向が直交するインナーリードを備えたＴ
ＡＢテープの対向内端辺の対と、ボンディングツールの
振動方向に長さ方向が一致するインナーリードを備えた
ＴＡＢテープの対向内端辺の対とに分けて、インナーリ
ードと半導体素子の電極とを接合するものであり、各Ｔ
ＡＢテープの対向内端辺の対を単位としたインナーリー
ドと半導体素子の電極との接合は、対向内端辺のセンタ
スリットで２分割された半分のインナーリード群毎に行
い、かつ、その接合手順は、対をなす対向内端辺の対角
線上に位置するインナーリード群を一組として、これら
の組をなすインナーリード群の接合処理を交互に行うも
のである。
の接合方法は、ＴＡＢテープの対向する内端辺に有する
インナーリード列をセンタスリットで２分割し、インナ
ーリードと半導体素子の電極とを超音波及び熱圧着方式
のボンディングツールを用いて逐次接合するシングルボ
ンディング方式によるＴＡＢインナーリードの接合方法
であって、接合工程は、ボンディングツールの振動方向
に対して長さ方向が直交するインナーリードを備えたＴ
ＡＢテープの対向内端辺の対と、ボンディングツールの
振動方向に長さ方向が一致するインナーリードを備えた
ＴＡＢテープの対向内端辺の対とに分けて、インナーリ
ードと半導体素子の電極とを接合するものであり、各Ｔ
ＡＢテープの対向内端辺の対を単位としたインナーリー
ドと半導体素子の電極との接合は、対向内端辺のセンタ
スリットで２分割された半分のインナーリード群毎に行
い、かつ、その接合手順は、対をなす対向内端辺の対角
線上に位置するインナーリード群を一組として、これら
の組をなすインナーリード群の接合処理を交互に行うも
のである。
【００１３】また、前記インナーリード群を単位とした
インナーリードと半導体素子の電極との接合は、前はセ
ンタスリットに隣接するインナーリードからコーナ部の
インナーリードに向けて順次接合を行うものである。
インナーリードと半導体素子の電極との接合は、前はセ
ンタスリットに隣接するインナーリードからコーナ部の
インナーリードに向けて順次接合を行うものである。
【００１４】
【作用】超音波熱圧着併用のシングルボンディングを行
うにあたっては、接合部温度の高いボンディング初期に
サポートリングの第１辺・第２辺のインナーリードを最
初に接合することにより、超音波作用の不足を補い、安
定した良好な接合を実現する。また、第３辺・第４辺に
ついては、インナーリードからの放熱のため、接合部温
度が低下するが、超音波振動を接合面に十分に作用させ
ることができるため、安定した良好な接合を実現するこ
とが可能となる。さらに、各辺のセンタスリットを境に
２分割されたインナーリードを対面する辺同士で交互に
接合することでインナーリードからの放熱で生じた接合
温度の低下による接合強度のバラツキを減少することが
できる。
うにあたっては、接合部温度の高いボンディング初期に
サポートリングの第１辺・第２辺のインナーリードを最
初に接合することにより、超音波作用の不足を補い、安
定した良好な接合を実現する。また、第３辺・第４辺に
ついては、インナーリードからの放熱のため、接合部温
度が低下するが、超音波振動を接合面に十分に作用させ
ることができるため、安定した良好な接合を実現するこ
とが可能となる。さらに、各辺のセンタスリットを境に
２分割されたインナーリードを対面する辺同士で交互に
接合することでインナーリードからの放熱で生じた接合
温度の低下による接合強度のバラツキを減少することが
できる。
【００１５】接合時に発生する超音波振動の機械的作用
と熱的作用とによるインナーリードと半導体素子の電極
との相対的なピッチズレについては、サポートリングに
形成されたセンタスリットによって接合時の超音波振動
によるインナーリードのピッチズレを吸収することがで
きる。また、センタスリット付近のインナーリードを最
初に接合することにより、センタスリットを境にして両
側に熱変形の影響が分散し、熱的作用によるピッチズレ
の影響を従来の接合方法に比べ半減でき、大型チップ及
び狭ピッチ化ＴＡＢ実装が可能となる。
と熱的作用とによるインナーリードと半導体素子の電極
との相対的なピッチズレについては、サポートリングに
形成されたセンタスリットによって接合時の超音波振動
によるインナーリードのピッチズレを吸収することがで
きる。また、センタスリット付近のインナーリードを最
初に接合することにより、センタスリットを境にして両
側に熱変形の影響が分散し、熱的作用によるピッチズレ
の影響を従来の接合方法に比べ半減でき、大型チップ及
び狭ピッチ化ＴＡＢ実装が可能となる。
【００１６】また、接合後の後工程での機械的ストレス
や熱・湿度のストレスによる接合強度の劣化について
は、発生したストレスをサポートリングに形成されたコ
ーナ部のスリットにより吸収し、接合部への影響を緩和
し高信頼性の接合が可能となる。
や熱・湿度のストレスによる接合強度の劣化について
は、発生したストレスをサポートリングに形成されたコ
ーナ部のスリットにより吸収し、接合部への影響を緩和
し高信頼性の接合が可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例に係るＴＡ
Ｂテープを示す概略図、図２は、インナーリードの接合
方法を示す概略図、図３は、先端に丸みを有するボンデ
ィングツールによる接合状態を説明する概略図を示す。
詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例に係るＴＡ
Ｂテープを示す概略図、図２は、インナーリードの接合
方法を示す概略図、図３は、先端に丸みを有するボンデ
ィングツールによる接合状態を説明する概略図を示す。
【００１８】図において、１は半導体素子、２はＡｌ電
極、３はパシベーション膜、４はテープキャリア、５は
デバイスホール、６はスプロケットホール、７はサポー
トリング、８はインナーリード、９はアウタリード、１
０はコーナスリット、１１はセンタスリット、１２はト
ランスデューサ、１３はボンディングツール、１４は超
音波振動、１５は窪みである
極、３はパシベーション膜、４はテープキャリア、５は
デバイスホール、６はスプロケットホール、７はサポー
トリング、８はインナーリード、９はアウタリード、１
０はコーナスリット、１１はセンタスリット、１２はト
ランスデューサ、１３はボンディングツール、１４は超
音波振動、１５は窪みである
【００１９】本発明のＴＡＢテープは、図１に示すよう
に例えば厚さ１００〜１２５μｍ，幅が３５ｍｍのポリ
イミド製の長尺のテープキャリア４上に、半導体素子を
搭載するデバイスホール５と、例えば厚さ３５μｍのＣ
ｕ配線電極を保持するサポートリング７とが形成されて
いる。テープキャリア４の幅方向の両端には、あらかじ
めテープ位置決め用と搬送用に等ピッチに規格化された
スプロケットホール６がプレス加工により形成されてい
る。
に例えば厚さ１００〜１２５μｍ，幅が３５ｍｍのポリ
イミド製の長尺のテープキャリア４上に、半導体素子を
搭載するデバイスホール５と、例えば厚さ３５μｍのＣ
ｕ配線電極を保持するサポートリング７とが形成されて
いる。テープキャリア４の幅方向の両端には、あらかじ
めテープ位置決め用と搬送用に等ピッチに規格化された
スプロケットホール６がプレス加工により形成されてい
る。
【００２０】サポートリング７の内側には、デバイスホ
ール５側に突出した、例えば幅が６０μｍ，配列ピッチ
が１００μｍのインナーリード８と、機械的及び熱的ス
トレスを緩和するコーナスリット１０と、センタスリッ
ト１１とが形成されており、サポートリング７の外側に
は、ＴＡＢテープを実装する基板との電気的接続のため
の、例えば幅が１００μｍ，配列ピッチが２００μｍの
アウターリード９が形成されている。全てのＣｕ配線電
極には、電界メッキにより例えば厚さ１μｍのＡｕメッ
キが施されている。
ール５側に突出した、例えば幅が６０μｍ，配列ピッチ
が１００μｍのインナーリード８と、機械的及び熱的ス
トレスを緩和するコーナスリット１０と、センタスリッ
ト１１とが形成されており、サポートリング７の外側に
は、ＴＡＢテープを実装する基板との電気的接続のため
の、例えば幅が１００μｍ，配列ピッチが２００μｍの
アウターリード９が形成されている。全てのＣｕ配線電
極には、電界メッキにより例えば厚さ１μｍのＡｕメッ
キが施されている。
【００２１】本発明のＴＡＢインナーリードの接合方法
は、図３に示すよう先端部が円錐状で、かつ丸みを有す
るボンディングツール１３を用いて接合を行う。すなわ
ち、図２に示すように、外形寸法が８．８ｍｍ角の半導
体素子１のＡｌ電極２とインナーリード８との目合わせ
を行った後、トランスデューサ１２の超音波振動１４の
方向に対して直交する方向に位置する第１辺Ｈ1のセン
タスリット１１に近接する左側のインナーリード群の
インナーリード８より第１辺Ｈ1のコーナスリット１０
に向かって順次接合を行う。
は、図３に示すよう先端部が円錐状で、かつ丸みを有す
るボンディングツール１３を用いて接合を行う。すなわ
ち、図２に示すように、外形寸法が８．８ｍｍ角の半導
体素子１のＡｌ電極２とインナーリード８との目合わせ
を行った後、トランスデューサ１２の超音波振動１４の
方向に対して直交する方向に位置する第１辺Ｈ1のセン
タスリット１１に近接する左側のインナーリード群の
インナーリード８より第１辺Ｈ1のコーナスリット１０
に向かって順次接合を行う。
【００２２】図３に示すように接合の際には、ボンディ
ングツール１３に荷重をＦ＝６０ｇｆ印加し、ボンディ
ングツール１３をインナーリード８に押圧する。次い
で、ボンディングツール１３に印加する荷重をＦ＝６０
ｇｆに保持した状態で、ボンディングツール１３に超音
波振動１４を印加し、半導体素子１の加熱温度２８０℃
の下でインナーリード８とＡｌ電極２との接合を行う。
ングツール１３に荷重をＦ＝６０ｇｆ印加し、ボンディ
ングツール１３をインナーリード８に押圧する。次い
で、ボンディングツール１３に印加する荷重をＦ＝６０
ｇｆに保持した状態で、ボンディングツール１３に超音
波振動１４を印加し、半導体素子１の加熱温度２８０℃
の下でインナーリード８とＡｌ電極２との接合を行う。
【００２３】以上の操作を図２に示す第１辺Ｈ1のイン
ナーリード群・第２辺Ｈ2のインナーリード群・第
１辺Ｈ1のインナーリード群・第２辺Ｈ2のインナーリ
ード群・第３辺Ｈ3のインナーリード群・第４辺Ｈ4
のインナーリード群・第３辺Ｈ3のインナーリード群
・第４辺Ｈ4のインナーリード群の順に行い、全イ
ンナーリード８をＡｌ電極２に接合した後、接合強度の
測定及びインナーリード８とＡｌ電極２との位置ズレ量
を観察した。その結果、プル強度は、第１辺Ｈ1から第
４辺Ｈ4まで全ての辺で平均５０ｇｆ／リード（σ＝
５）であり、バラツキの小さい十分な強度で接合でき
た。しかもインナーリード８とＡｌ電極２との位置ズレ
量は、１０μｍであり、従来の方法に比べて約半分に減
少することができた。
ナーリード群・第２辺Ｈ2のインナーリード群・第
１辺Ｈ1のインナーリード群・第２辺Ｈ2のインナーリ
ード群・第３辺Ｈ3のインナーリード群・第４辺Ｈ4
のインナーリード群・第３辺Ｈ3のインナーリード群
・第４辺Ｈ4のインナーリード群の順に行い、全イ
ンナーリード８をＡｌ電極２に接合した後、接合強度の
測定及びインナーリード８とＡｌ電極２との位置ズレ量
を観察した。その結果、プル強度は、第１辺Ｈ1から第
４辺Ｈ4まで全ての辺で平均５０ｇｆ／リード（σ＝
５）であり、バラツキの小さい十分な強度で接合でき
た。しかもインナーリード８とＡｌ電極２との位置ズレ
量は、１０μｍであり、従来の方法に比べて約半分に減
少することができた。
【００２４】また、外形寸法が１２ｍｍ角で電極配列ピ
ッチ８０μｍの半導体素子のインナーリード接合におい
て、本発明のＴＡＢテープ及び接合方法を用いることに
より、信頼性の高い安定した接合強度が得られ、かつイ
ンナーリードの位置ズレ量１０μｍ以下の高精度な接合
を行うことができ、大型チップ及び狭ピッチ化ＴＡＢ実
装が可能となる。
ッチ８０μｍの半導体素子のインナーリード接合におい
て、本発明のＴＡＢテープ及び接合方法を用いることに
より、信頼性の高い安定した接合強度が得られ、かつイ
ンナーリードの位置ズレ量１０μｍ以下の高精度な接合
を行うことができ、大型チップ及び狭ピッチ化ＴＡＢ実
装が可能となる。
【００２５】さらに、インナーリードの接合後、環境試
験として温湿度サイクル試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３
Ｂの試験方法に準ずる）を行った。環境条件は、温度が
２５±２℃〜６５±２℃，湿度が９０〜９８％，サイク
ル数が１０サイクル（２４Ｈｒ／サイクル）で行った。
本試験後のプル強度試験後にも、強度の低下は生じなか
った。
験として温湿度サイクル試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３
Ｂの試験方法に準ずる）を行った。環境条件は、温度が
２５±２℃〜６５±２℃，湿度が９０〜９８％，サイク
ル数が１０サイクル（２４Ｈｒ／サイクル）で行った。
本試験後のプル強度試験後にも、強度の低下は生じなか
った。
【００２６】なお、本発明は、図４に示すような従来の
バンプを用いたシングルボンディング方法にも同様の効
果があることが確認されている。
バンプを用いたシングルボンディング方法にも同様の効
果があることが確認されている。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＴＡＢテー
プおよびＴＡＢインナーリードの接合方法によれば、接
合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現すること
ができ、さらにインナーリードと半導体素子の電極との
相対的な位置ズレを最小限に抑え、機械的及び熱的スト
レスを防止し、大型チップ及び狭ピッチＴＡＢ実装を実
現できるという効果がある。
プおよびＴＡＢインナーリードの接合方法によれば、接
合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現すること
ができ、さらにインナーリードと半導体素子の電極との
相対的な位置ズレを最小限に抑え、機械的及び熱的スト
レスを防止し、大型チップ及び狭ピッチＴＡＢ実装を実
現できるという効果がある。
【図１】本発明のＴＡＢテープを示す概略図である。
【図２】本発明のインナーリードの接合方法を示す概略
図である。
図である。
【図３】先端に丸みを有するボンディングツールによる
接合状態を説明する概略図である。
接合状態を説明する概略図である。
【図４】従来のＴＡＢインナーリードの接合方法を示す
概略図である。
概略図である。
【図５】従来のＴＡＢテープを示す概略図である。
１ 半導体素子 ２ Ａｌ電極 ３ パシベーション膜 ４ テープキャリア ５ デバイスホール ６ スプロケットホール ７ サポートリング ８ インナーリード ９ アウタリード １０ コーナスリット １１ センタスリット １２ トランスデューサ １３ ボンディングツール １４ 超音波振動 １５ 窪み １６ バンプ １７ 従来のボンディングツール
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子を実装するサポートリングの
内側に配線電極が突出したインナーリードを有するＴＡ
Ｂテープであって、 前記サポートリングは、配線電極が突出する内側の辺に
スリットを有するものであることを特徴とするＴＡＢテ
ープ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＴＡＢテープであっ
て、 前記スリットは、前記サポートリングの内辺の四隅と、
各辺のほぼ中央付近とに設けられたものであることを特
徴とするＴＡＢテープ。 - 【請求項３】 ＴＡＢテープの対向する内端辺に有する
インナーリード列をセンタスリットで２分割し、インナ
ーリードと半導体素子の電極とを超音波及び熱圧着方式
のボンディングツールを用いて逐次接合するシングルボ
ンディング方式によるＴＡＢインナーリードの接合方法
であって、 接合工程は、ボンディングツールの振動方向に対して長
さ方向が直交するインナーリードを備えたＴＡＢテープ
の対向内端辺の対と、ボンディングツールの振動方向に
長さ方向が一致するインナーリードを備えたＴＡＢテー
プの対向内端辺の対とに分けて、インナーリードと半導
体素子の電極とを接合するものであり、 各ＴＡＢテープの対向内端辺の対を単位としたインナー
リードと半導体素子の電極との接合は、対向内端辺のセ
ンタスリットで２分割された半分のインナーリード群毎
に行い、かつ、その接合手順は、対をなす対向内端辺の
対角線上に位置するインナーリード群を一組として、こ
れらの組をなすインナーリード群の接合処理を交互に行
うものであることを特徴とするＴＡＢインナーリードの
接合方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載のＴＡＢインナーリード
の接合方法であって、 前記インナーリード群を単位としたインナーリードと半
導体素子の電極との接合は、前はセンタスリットに隣接
するインナーリードからコーナ部のインナーリードに向
けて順次接合を行うものであることを特徴とするＴＡＢ
インナーリードの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29322492A JPH06151512A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Ｔａｂテープおよびｔａｂインナーリードの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29322492A JPH06151512A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Ｔａｂテープおよびｔａｂインナーリードの接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151512A true JPH06151512A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17792035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29322492A Pending JPH06151512A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Ｔａｂテープおよびｔａｂインナーリードの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151512A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0675533A1 (en) * | 1994-03-30 | 1995-10-04 | Nec Corporation | Single point bonding method |
| KR20020069884A (ko) * | 2001-02-28 | 2002-09-05 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지의 와이어 본딩 방법 |
| CN110278038A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光调制器及光传输装置 |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP29322492A patent/JPH06151512A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0675533A1 (en) * | 1994-03-30 | 1995-10-04 | Nec Corporation | Single point bonding method |
| US5662263A (en) * | 1994-03-30 | 1997-09-02 | Nec Corporation | Single point bonding method |
| KR20020069884A (ko) * | 2001-02-28 | 2002-09-05 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지의 와이어 본딩 방법 |
| CN110278038A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光调制器及光传输装置 |
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