JPH06151512A - Tabテープおよびtabインナーリードの接合方法 - Google Patents
Tabテープおよびtabインナーリードの接合方法Info
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- JPH06151512A JPH06151512A JP29322492A JP29322492A JPH06151512A JP H06151512 A JPH06151512 A JP H06151512A JP 29322492 A JP29322492 A JP 29322492A JP 29322492 A JP29322492 A JP 29322492A JP H06151512 A JPH06151512 A JP H06151512A
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- inner lead
- bonding
- tab
- semiconductor element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子の電極とTABテープのインナー
リードとの安定した接合を可能とする。 【構成】 インナーリード8の長手方向がボンディング
ツール13の振動方向に対して直交するインナーリード
が配置されている第1辺H1より接続を開始し、該第1
辺H1のセンタスリット11で2分割された半分のイン
ナーリードの接合処理を行い、次に対面する第2辺H2
のセンタスリット11で2分割された半分のインナーリ
ードの接合処理を行う。続いて第1辺H1の未接続のイ
ンナーリードと第2辺H2の未接続のインナーリードの
接合処理を行う。ボンディングツーの振動方向と長手方
向が一致する第3辺・第4辺のインナーリードも前記第
1辺および第2辺の順番と同様にして接続する。これに
より、接合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現
することができる。
リードとの安定した接合を可能とする。 【構成】 インナーリード8の長手方向がボンディング
ツール13の振動方向に対して直交するインナーリード
が配置されている第1辺H1より接続を開始し、該第1
辺H1のセンタスリット11で2分割された半分のイン
ナーリードの接合処理を行い、次に対面する第2辺H2
のセンタスリット11で2分割された半分のインナーリ
ードの接合処理を行う。続いて第1辺H1の未接続のイ
ンナーリードと第2辺H2の未接続のインナーリードの
接合処理を行う。ボンディングツーの振動方向と長手方
向が一致する第3辺・第4辺のインナーリードも前記第
1辺および第2辺の順番と同様にして接続する。これに
より、接合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現
することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の実装に用
いられるTAB(Tape Automated Bo
nding:テープ オートメーテッド ボンディン
グ)用テープキャリアのインナーリードと半導体素子の
電極とを接合する方法及びTAB用テープに関する。
いられるTAB(Tape Automated Bo
nding:テープ オートメーテッド ボンディン
グ)用テープキャリアのインナーリードと半導体素子の
電極とを接合する方法及びTAB用テープに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、TABテープは図5に示すよう
に、ポリイミド製の長尺のテープキャリア4上に半導体
素子を搭載するデバイスホール5とCu配線電極を保持
するサポートリング7が形成されている。テープキャリ
ア4の幅方向の両端には、あらかじめテープ位置決め用
と搬送用に等ピッチに規格化されたスプロケットホール
6がプレス加工により形成されている。サポートリング
7には、デバイスホール5の内側に突出したインナーリ
ード8と、外側にTABテープを実装する基板との電気
的接続のためのアウターリード9とが形成されている。
全てのCu配線電極には、電界メッキにより厚さ1μm
のAuメッキが施されている。
に、ポリイミド製の長尺のテープキャリア4上に半導体
素子を搭載するデバイスホール5とCu配線電極を保持
するサポートリング7が形成されている。テープキャリ
ア4の幅方向の両端には、あらかじめテープ位置決め用
と搬送用に等ピッチに規格化されたスプロケットホール
6がプレス加工により形成されている。サポートリング
7には、デバイスホール5の内側に突出したインナーリ
ード8と、外側にTABテープを実装する基板との電気
的接続のためのアウターリード9とが形成されている。
全てのCu配線電極には、電界メッキにより厚さ1μm
のAuメッキが施されている。
【0003】TABテープのインナーリード8と半導体
素子の電極とを逐次方式で接合するシングルボンディン
グ方式では、図4に示すように半導体素子1のAl電極
部2又はTABテープのインナーリード8の先端部のい
ずれか一方にバンプ16となる突起を形成した後、バン
プ16を介してボンディングツール17によって超音波
と熱を併用した方法で接合を行っていた。この時、半導
体素子1は、加熱ステージにより250℃程度に加熱さ
れている。
素子の電極とを逐次方式で接合するシングルボンディン
グ方式では、図4に示すように半導体素子1のAl電極
部2又はTABテープのインナーリード8の先端部のい
ずれか一方にバンプ16となる突起を形成した後、バン
プ16を介してボンディングツール17によって超音波
と熱を併用した方法で接合を行っていた。この時、半導
体素子1は、加熱ステージにより250℃程度に加熱さ
れている。
【0004】ここで一般に、ボンディングの順序は、接
合時間を極力短縮するため隣接するインナーリードを順
次接合していた。例えば図5において、TABテープの
第3辺H3の端から第2辺H2,第4辺H4,第1辺H1の
順序でボンディングを行っていた。
合時間を極力短縮するため隣接するインナーリードを順
次接合していた。例えば図5において、TABテープの
第3辺H3の端から第2辺H2,第4辺H4,第1辺H1の
順序でボンディングを行っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】超音波併用熱圧着によ
るシングルボンディング方法で安定した接合強度を得る
には、超音波振動によりAl電極の表面に存在するAl
の自然酸化膜を十分に破壊し、加熱ステージによる熱エ
ネルギーによりインナーリード表面のAuとAl電極表
面のAlとの十分な合金層を形成することが条件とな
る。ここで、図2に示すように超音波の振動方向は、第
3辺・第4辺に対しては、インナーリードの長手方向に
対して平行であり、第1辺・第2辺に対しては、インナ
ーリードの長手方向に直交する方向である。
るシングルボンディング方法で安定した接合強度を得る
には、超音波振動によりAl電極の表面に存在するAl
の自然酸化膜を十分に破壊し、加熱ステージによる熱エ
ネルギーによりインナーリード表面のAuとAl電極表
面のAlとの十分な合金層を形成することが条件とな
る。ここで、図2に示すように超音波の振動方向は、第
3辺・第4辺に対しては、インナーリードの長手方向に
対して平行であり、第1辺・第2辺に対しては、インナ
ーリードの長手方向に直交する方向である。
【0006】第1辺・第2辺のように超音波振動がイン
ナーリードの長手方向に対して直交する方向に印加され
た場合には、超音波振動を接合界面に十分に伝達するこ
とができず、Al酸化膜を十分に破壊できない。このた
め、第1辺及び第2辺の接合強度は、第3辺・第4辺に
比べて低下するという課題があった。さらに、第3・2
・41辺と順次接合を行った場合、接合されたインナー
リードを通じて熱伝導により半導体素子から熱が放熱す
るため、最終接合辺である第1辺では、接合面の温度が
低下し、各辺間の接合強度にバラツキが発生する問題が
あった。また、ボンディング後に機械的ストレスや熱の
ストレスを受けると、TABテープのベースフィルムで
あるポリイミドテープに変形が発生し、インナーリード
と電極との接合部に、接合強度以上のストレスを受け、
接合強度の劣化による信頼性の低下が問題なっていた。
このような問題は、とくに変形量の大きいサポートリン
グのコーナ部で多発していた。
ナーリードの長手方向に対して直交する方向に印加され
た場合には、超音波振動を接合界面に十分に伝達するこ
とができず、Al酸化膜を十分に破壊できない。このた
め、第1辺及び第2辺の接合強度は、第3辺・第4辺に
比べて低下するという課題があった。さらに、第3・2
・41辺と順次接合を行った場合、接合されたインナー
リードを通じて熱伝導により半導体素子から熱が放熱す
るため、最終接合辺である第1辺では、接合面の温度が
低下し、各辺間の接合強度にバラツキが発生する問題が
あった。また、ボンディング後に機械的ストレスや熱の
ストレスを受けると、TABテープのベースフィルムで
あるポリイミドテープに変形が発生し、インナーリード
と電極との接合部に、接合強度以上のストレスを受け、
接合強度の劣化による信頼性の低下が問題なっていた。
このような問題は、とくに変形量の大きいサポートリン
グのコーナ部で多発していた。
【0007】また一般に、シングルボンディング方式で
は、上述したような超音波併用の熱圧着で接合が行われ
るため、超音波振動の機械的作用により、インナーリー
ドと半導体素子の電極との間に微小な位置ズレが生じ、
さらに、TABテープのサポートリングであるポリイミ
ドテープは、半導体素子からインナーリードを通じて流
出する熱により変形を生じるため、熱作用によりインナ
ーリードと半導体素子との間に相対的な位置ズレが生
じ、累積ピッチズレで20μm以上の位置ズレが生じて
いた。
は、上述したような超音波併用の熱圧着で接合が行われ
るため、超音波振動の機械的作用により、インナーリー
ドと半導体素子の電極との間に微小な位置ズレが生じ、
さらに、TABテープのサポートリングであるポリイミ
ドテープは、半導体素子からインナーリードを通じて流
出する熱により変形を生じるため、熱作用によりインナ
ーリードと半導体素子との間に相対的な位置ズレが生
じ、累積ピッチズレで20μm以上の位置ズレが生じて
いた。
【0008】このような機械的及び熱的作用により生じ
るインナーリードと半導体素子の電極との間の相対的な
位置ズレのため、インナーリードのピッチが100μm
以下の狭ピッチになると、インナーリードと半導体素子
の電極との位置精度が高く要求されるため、上記のよう
な位置ズレが無視できなくなり、狭ピッチ化TAB実装
が困難である課題があった。特に大型チップでは、熱的
作用がインナーリードのピッチズレに大きく影響し、マ
イコンチップなどの大型チップのTAB実装が困難であ
った。
るインナーリードと半導体素子の電極との間の相対的な
位置ズレのため、インナーリードのピッチが100μm
以下の狭ピッチになると、インナーリードと半導体素子
の電極との位置精度が高く要求されるため、上記のよう
な位置ズレが無視できなくなり、狭ピッチ化TAB実装
が困難である課題があった。特に大型チップでは、熱的
作用がインナーリードのピッチズレに大きく影響し、マ
イコンチップなどの大型チップのTAB実装が困難であ
った。
【0009】本発明の目的は、このような従来の課題を
解決し、接合強度にバラツキのない安定した接合及び高
信頼性を実現し、かつ大型チップ・狭ピッチ化TAB実
装が可能なTABインナーリードの接合方法およびTA
Bテープを提供することにある。
解決し、接合強度にバラツキのない安定した接合及び高
信頼性を実現し、かつ大型チップ・狭ピッチ化TAB実
装が可能なTABインナーリードの接合方法およびTA
Bテープを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るTABテープは、半導体素子を実装す
るサポートリングの内側に配線電極が突出したインナー
リードを有するTABテープであって、前記サポートリ
ングは、配線電極が突出する内側の辺にスリットを有す
るものである。
め、本発明に係るTABテープは、半導体素子を実装す
るサポートリングの内側に配線電極が突出したインナー
リードを有するTABテープであって、前記サポートリ
ングは、配線電極が突出する内側の辺にスリットを有す
るものである。
【0011】また、前記スリットは、前記サポートリン
グの内辺の四隅と、各辺のほぼ中央付近とに設けられた
ものである。
グの内辺の四隅と、各辺のほぼ中央付近とに設けられた
ものである。
【0012】また、本発明に係るTABインナーリード
の接合方法は、TABテープの対向する内端辺に有する
インナーリード列をセンタスリットで2分割し、インナ
ーリードと半導体素子の電極とを超音波及び熱圧着方式
のボンディングツールを用いて逐次接合するシングルボ
ンディング方式によるTABインナーリードの接合方法
であって、接合工程は、ボンディングツールの振動方向
に対して長さ方向が直交するインナーリードを備えたT
ABテープの対向内端辺の対と、ボンディングツールの
振動方向に長さ方向が一致するインナーリードを備えた
TABテープの対向内端辺の対とに分けて、インナーリ
ードと半導体素子の電極とを接合するものであり、各T
ABテープの対向内端辺の対を単位としたインナーリー
ドと半導体素子の電極との接合は、対向内端辺のセンタ
スリットで2分割された半分のインナーリード群毎に行
い、かつ、その接合手順は、対をなす対向内端辺の対角
線上に位置するインナーリード群を一組として、これら
の組をなすインナーリード群の接合処理を交互に行うも
のである。
の接合方法は、TABテープの対向する内端辺に有する
インナーリード列をセンタスリットで2分割し、インナ
ーリードと半導体素子の電極とを超音波及び熱圧着方式
のボンディングツールを用いて逐次接合するシングルボ
ンディング方式によるTABインナーリードの接合方法
であって、接合工程は、ボンディングツールの振動方向
に対して長さ方向が直交するインナーリードを備えたT
ABテープの対向内端辺の対と、ボンディングツールの
振動方向に長さ方向が一致するインナーリードを備えた
TABテープの対向内端辺の対とに分けて、インナーリ
ードと半導体素子の電極とを接合するものであり、各T
ABテープの対向内端辺の対を単位としたインナーリー
ドと半導体素子の電極との接合は、対向内端辺のセンタ
スリットで2分割された半分のインナーリード群毎に行
い、かつ、その接合手順は、対をなす対向内端辺の対角
線上に位置するインナーリード群を一組として、これら
の組をなすインナーリード群の接合処理を交互に行うも
のである。
【0013】また、前記インナーリード群を単位とした
インナーリードと半導体素子の電極との接合は、前はセ
ンタスリットに隣接するインナーリードからコーナ部の
インナーリードに向けて順次接合を行うものである。
インナーリードと半導体素子の電極との接合は、前はセ
ンタスリットに隣接するインナーリードからコーナ部の
インナーリードに向けて順次接合を行うものである。
【0014】
【作用】超音波熱圧着併用のシングルボンディングを行
うにあたっては、接合部温度の高いボンディング初期に
サポートリングの第1辺・第2辺のインナーリードを最
初に接合することにより、超音波作用の不足を補い、安
定した良好な接合を実現する。また、第3辺・第4辺に
ついては、インナーリードからの放熱のため、接合部温
度が低下するが、超音波振動を接合面に十分に作用させ
ることができるため、安定した良好な接合を実現するこ
とが可能となる。さらに、各辺のセンタスリットを境に
2分割されたインナーリードを対面する辺同士で交互に
接合することでインナーリードからの放熱で生じた接合
温度の低下による接合強度のバラツキを減少することが
できる。
うにあたっては、接合部温度の高いボンディング初期に
サポートリングの第1辺・第2辺のインナーリードを最
初に接合することにより、超音波作用の不足を補い、安
定した良好な接合を実現する。また、第3辺・第4辺に
ついては、インナーリードからの放熱のため、接合部温
度が低下するが、超音波振動を接合面に十分に作用させ
ることができるため、安定した良好な接合を実現するこ
とが可能となる。さらに、各辺のセンタスリットを境に
2分割されたインナーリードを対面する辺同士で交互に
接合することでインナーリードからの放熱で生じた接合
温度の低下による接合強度のバラツキを減少することが
できる。
【0015】接合時に発生する超音波振動の機械的作用
と熱的作用とによるインナーリードと半導体素子の電極
との相対的なピッチズレについては、サポートリングに
形成されたセンタスリットによって接合時の超音波振動
によるインナーリードのピッチズレを吸収することがで
きる。また、センタスリット付近のインナーリードを最
初に接合することにより、センタスリットを境にして両
側に熱変形の影響が分散し、熱的作用によるピッチズレ
の影響を従来の接合方法に比べ半減でき、大型チップ及
び狭ピッチ化TAB実装が可能となる。
と熱的作用とによるインナーリードと半導体素子の電極
との相対的なピッチズレについては、サポートリングに
形成されたセンタスリットによって接合時の超音波振動
によるインナーリードのピッチズレを吸収することがで
きる。また、センタスリット付近のインナーリードを最
初に接合することにより、センタスリットを境にして両
側に熱変形の影響が分散し、熱的作用によるピッチズレ
の影響を従来の接合方法に比べ半減でき、大型チップ及
び狭ピッチ化TAB実装が可能となる。
【0016】また、接合後の後工程での機械的ストレス
や熱・湿度のストレスによる接合強度の劣化について
は、発生したストレスをサポートリングに形成されたコ
ーナ部のスリットにより吸収し、接合部への影響を緩和
し高信頼性の接合が可能となる。
や熱・湿度のストレスによる接合強度の劣化について
は、発生したストレスをサポートリングに形成されたコ
ーナ部のスリットにより吸収し、接合部への影響を緩和
し高信頼性の接合が可能となる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例に係るTA
Bテープを示す概略図、図2は、インナーリードの接合
方法を示す概略図、図3は、先端に丸みを有するボンデ
ィングツールによる接合状態を説明する概略図を示す。
詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例に係るTA
Bテープを示す概略図、図2は、インナーリードの接合
方法を示す概略図、図3は、先端に丸みを有するボンデ
ィングツールによる接合状態を説明する概略図を示す。
【0018】図において、1は半導体素子、2はAl電
極、3はパシベーション膜、4はテープキャリア、5は
デバイスホール、6はスプロケットホール、7はサポー
トリング、8はインナーリード、9はアウタリード、1
0はコーナスリット、11はセンタスリット、12はト
ランスデューサ、13はボンディングツール、14は超
音波振動、15は窪みである
極、3はパシベーション膜、4はテープキャリア、5は
デバイスホール、6はスプロケットホール、7はサポー
トリング、8はインナーリード、9はアウタリード、1
0はコーナスリット、11はセンタスリット、12はト
ランスデューサ、13はボンディングツール、14は超
音波振動、15は窪みである
【0019】本発明のTABテープは、図1に示すよう
に例えば厚さ100〜125μm,幅が35mmのポリ
イミド製の長尺のテープキャリア4上に、半導体素子を
搭載するデバイスホール5と、例えば厚さ35μmのC
u配線電極を保持するサポートリング7とが形成されて
いる。テープキャリア4の幅方向の両端には、あらかじ
めテープ位置決め用と搬送用に等ピッチに規格化された
スプロケットホール6がプレス加工により形成されてい
る。
に例えば厚さ100〜125μm,幅が35mmのポリ
イミド製の長尺のテープキャリア4上に、半導体素子を
搭載するデバイスホール5と、例えば厚さ35μmのC
u配線電極を保持するサポートリング7とが形成されて
いる。テープキャリア4の幅方向の両端には、あらかじ
めテープ位置決め用と搬送用に等ピッチに規格化された
スプロケットホール6がプレス加工により形成されてい
る。
【0020】サポートリング7の内側には、デバイスホ
ール5側に突出した、例えば幅が60μm,配列ピッチ
が100μmのインナーリード8と、機械的及び熱的ス
トレスを緩和するコーナスリット10と、センタスリッ
ト11とが形成されており、サポートリング7の外側に
は、TABテープを実装する基板との電気的接続のため
の、例えば幅が100μm,配列ピッチが200μmの
アウターリード9が形成されている。全てのCu配線電
極には、電界メッキにより例えば厚さ1μmのAuメッ
キが施されている。
ール5側に突出した、例えば幅が60μm,配列ピッチ
が100μmのインナーリード8と、機械的及び熱的ス
トレスを緩和するコーナスリット10と、センタスリッ
ト11とが形成されており、サポートリング7の外側に
は、TABテープを実装する基板との電気的接続のため
の、例えば幅が100μm,配列ピッチが200μmの
アウターリード9が形成されている。全てのCu配線電
極には、電界メッキにより例えば厚さ1μmのAuメッ
キが施されている。
【0021】本発明のTABインナーリードの接合方法
は、図3に示すよう先端部が円錐状で、かつ丸みを有す
るボンディングツール13を用いて接合を行う。すなわ
ち、図2に示すように、外形寸法が8.8mm角の半導
体素子1のAl電極2とインナーリード8との目合わせ
を行った後、トランスデューサ12の超音波振動14の
方向に対して直交する方向に位置する第1辺H1のセン
タスリット11に近接する左側のインナーリード群の
インナーリード8より第1辺H1のコーナスリット10
に向かって順次接合を行う。
は、図3に示すよう先端部が円錐状で、かつ丸みを有す
るボンディングツール13を用いて接合を行う。すなわ
ち、図2に示すように、外形寸法が8.8mm角の半導
体素子1のAl電極2とインナーリード8との目合わせ
を行った後、トランスデューサ12の超音波振動14の
方向に対して直交する方向に位置する第1辺H1のセン
タスリット11に近接する左側のインナーリード群の
インナーリード8より第1辺H1のコーナスリット10
に向かって順次接合を行う。
【0022】図3に示すように接合の際には、ボンディ
ングツール13に荷重をF=60gf印加し、ボンディ
ングツール13をインナーリード8に押圧する。次い
で、ボンディングツール13に印加する荷重をF=60
gfに保持した状態で、ボンディングツール13に超音
波振動14を印加し、半導体素子1の加熱温度280℃
の下でインナーリード8とAl電極2との接合を行う。
ングツール13に荷重をF=60gf印加し、ボンディ
ングツール13をインナーリード8に押圧する。次い
で、ボンディングツール13に印加する荷重をF=60
gfに保持した状態で、ボンディングツール13に超音
波振動14を印加し、半導体素子1の加熱温度280℃
の下でインナーリード8とAl電極2との接合を行う。
【0023】以上の操作を図2に示す第1辺H1のイン
ナーリード群・第2辺H2のインナーリード群・第
1辺H1のインナーリード群・第2辺H2のインナーリ
ード群・第3辺H3のインナーリード群・第4辺H4
のインナーリード群・第3辺H3のインナーリード群
・第4辺H4のインナーリード群の順に行い、全イ
ンナーリード8をAl電極2に接合した後、接合強度の
測定及びインナーリード8とAl電極2との位置ズレ量
を観察した。その結果、プル強度は、第1辺H1から第
4辺H4まで全ての辺で平均50gf/リード(σ=
5)であり、バラツキの小さい十分な強度で接合でき
た。しかもインナーリード8とAl電極2との位置ズレ
量は、10μmであり、従来の方法に比べて約半分に減
少することができた。
ナーリード群・第2辺H2のインナーリード群・第
1辺H1のインナーリード群・第2辺H2のインナーリ
ード群・第3辺H3のインナーリード群・第4辺H4
のインナーリード群・第3辺H3のインナーリード群
・第4辺H4のインナーリード群の順に行い、全イ
ンナーリード8をAl電極2に接合した後、接合強度の
測定及びインナーリード8とAl電極2との位置ズレ量
を観察した。その結果、プル強度は、第1辺H1から第
4辺H4まで全ての辺で平均50gf/リード(σ=
5)であり、バラツキの小さい十分な強度で接合でき
た。しかもインナーリード8とAl電極2との位置ズレ
量は、10μmであり、従来の方法に比べて約半分に減
少することができた。
【0024】また、外形寸法が12mm角で電極配列ピ
ッチ80μmの半導体素子のインナーリード接合におい
て、本発明のTABテープ及び接合方法を用いることに
より、信頼性の高い安定した接合強度が得られ、かつイ
ンナーリードの位置ズレ量10μm以下の高精度な接合
を行うことができ、大型チップ及び狭ピッチ化TAB実
装が可能となる。
ッチ80μmの半導体素子のインナーリード接合におい
て、本発明のTABテープ及び接合方法を用いることに
より、信頼性の高い安定した接合強度が得られ、かつイ
ンナーリードの位置ズレ量10μm以下の高精度な接合
を行うことができ、大型チップ及び狭ピッチ化TAB実
装が可能となる。
【0025】さらに、インナーリードの接合後、環境試
験として温湿度サイクル試験(MIL−STD−883
Bの試験方法に準ずる)を行った。環境条件は、温度が
25±2℃〜65±2℃,湿度が90〜98%,サイク
ル数が10サイクル(24Hr/サイクル)で行った。
本試験後のプル強度試験後にも、強度の低下は生じなか
った。
験として温湿度サイクル試験(MIL−STD−883
Bの試験方法に準ずる)を行った。環境条件は、温度が
25±2℃〜65±2℃,湿度が90〜98%,サイク
ル数が10サイクル(24Hr/サイクル)で行った。
本試験後のプル強度試験後にも、強度の低下は生じなか
った。
【0026】なお、本発明は、図4に示すような従来の
バンプを用いたシングルボンディング方法にも同様の効
果があることが確認されている。
バンプを用いたシングルボンディング方法にも同様の効
果があることが確認されている。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように本発明のTABテー
プおよびTABインナーリードの接合方法によれば、接
合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現すること
ができ、さらにインナーリードと半導体素子の電極との
相対的な位置ズレを最小限に抑え、機械的及び熱的スト
レスを防止し、大型チップ及び狭ピッチTAB実装を実
現できるという効果がある。
プおよびTABインナーリードの接合方法によれば、接
合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現すること
ができ、さらにインナーリードと半導体素子の電極との
相対的な位置ズレを最小限に抑え、機械的及び熱的スト
レスを防止し、大型チップ及び狭ピッチTAB実装を実
現できるという効果がある。
【図1】本発明のTABテープを示す概略図である。
【図2】本発明のインナーリードの接合方法を示す概略
図である。
図である。
【図3】先端に丸みを有するボンディングツールによる
接合状態を説明する概略図である。
接合状態を説明する概略図である。
【図4】従来のTABインナーリードの接合方法を示す
概略図である。
概略図である。
【図5】従来のTABテープを示す概略図である。
1 半導体素子 2 Al電極 3 パシベーション膜 4 テープキャリア 5 デバイスホール 6 スプロケットホール 7 サポートリング 8 インナーリード 9 アウタリード 10 コーナスリット 11 センタスリット 12 トランスデューサ 13 ボンディングツール 14 超音波振動 15 窪み 16 バンプ 17 従来のボンディングツール
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体素子を実装するサポートリングの
内側に配線電極が突出したインナーリードを有するTA
Bテープであって、 前記サポートリングは、配線電極が突出する内側の辺に
スリットを有するものであることを特徴とするTABテ
ープ。 - 【請求項2】 請求項1に記載のTABテープであっ
て、 前記スリットは、前記サポートリングの内辺の四隅と、
各辺のほぼ中央付近とに設けられたものであることを特
徴とするTABテープ。 - 【請求項3】 TABテープの対向する内端辺に有する
インナーリード列をセンタスリットで2分割し、インナ
ーリードと半導体素子の電極とを超音波及び熱圧着方式
のボンディングツールを用いて逐次接合するシングルボ
ンディング方式によるTABインナーリードの接合方法
であって、 接合工程は、ボンディングツールの振動方向に対して長
さ方向が直交するインナーリードを備えたTABテープ
の対向内端辺の対と、ボンディングツールの振動方向に
長さ方向が一致するインナーリードを備えたTABテー
プの対向内端辺の対とに分けて、インナーリードと半導
体素子の電極とを接合するものであり、 各TABテープの対向内端辺の対を単位としたインナー
リードと半導体素子の電極との接合は、対向内端辺のセ
ンタスリットで2分割された半分のインナーリード群毎
に行い、かつ、その接合手順は、対をなす対向内端辺の
対角線上に位置するインナーリード群を一組として、こ
れらの組をなすインナーリード群の接合処理を交互に行
うものであることを特徴とするTABインナーリードの
接合方法。 - 【請求項4】 請求項3に記載のTABインナーリード
の接合方法であって、 前記インナーリード群を単位としたインナーリードと半
導体素子の電極との接合は、前はセンタスリットに隣接
するインナーリードからコーナ部のインナーリードに向
けて順次接合を行うものであることを特徴とするTAB
インナーリードの接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29322492A JPH06151512A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Tabテープおよびtabインナーリードの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29322492A JPH06151512A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Tabテープおよびtabインナーリードの接合方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06151512A true JPH06151512A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17792035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29322492A Pending JPH06151512A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Tabテープおよびtabインナーリードの接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06151512A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0675533A1 (en) * | 1994-03-30 | 1995-10-04 | Nec Corporation | Single point bonding method |
KR20020069884A (ko) * | 2001-02-28 | 2002-09-05 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지의 와이어 본딩 방법 |
CN110278038A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 光调制器及光传输装置 |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP29322492A patent/JPH06151512A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5662263A (en) * | 1994-03-30 | 1997-09-02 | Nec Corporation | Single point bonding method |
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