CN110278038A - 光调制器及光传输装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光调制器及光传输装置。在光调制器中，避免电极的变形并适当地对狭小化及厚膜化的光调制元件电极进行引线键合。一种光调制器，使用光调制元件，该光调制元件在基板上形成有光波导和对在该光波导中传输的光波进行控制的多个电极，在所述电极的与所述基板侧的面相对的上表面设置有至少一个应力缓和结构，该应力缓和结构对在对金属引线进行引线键合时的压力施加所引起的应力的产生进行缓和。

Description

光调制器及光传输装置

技术领域

本发明涉及光调制器及使用了光调制器的光传输装置。

背景技术

现在，作为长距离及中距离用的光通信系统的光调制器而成为主流的DP-QPSK调制器使用主要使用了LiNbO3基板(以下称为LN基板)的光调制元件(例如，参照专利文献1)。这样的光调制元件具有形成在LN基板上的光波导和用于对在该光波导内传输的光波进行控制的多个电极。并且，在光调制元件上，上述电极彼此之间的连接、对与设置于光调制器壳体的端子的连接进行中继的中继基板上的导体图案与上述电极之间的连接使用引线键合(Wire bonding)。

引线键合存在球键合和楔键合等方法，但所有的方法都是在键合连接时一边对金属引线与电极的接触点进行加热一边施加压接压力，来使金属引线与电极接合。因此，电极的被键合的部分因由上述压接压力所产生的应力而发生相应的变形。尤其是，在使用LN基板的光调制元件中，一般大多使用难以引起组成变化而稳定但硬度软的金(Au)，与其他原材料的电极相比，可能在键合时易于发生电极变形的情况。作为对策，为了抑制电极变形，考虑缓和键合条件而降低压接压力等，但是在该情况下，可能发生键合剥离等其他问题。

另外，近年来，上述的DP-QPSK调制器的应用领域也逐渐扩大至短距离的地铁(城市用)通信系统用途。在地铁通信系统中，通信系统的设置空间受到严格的制约，光传输装置的小型化和搭载于光传输装置的光调整器的小型化的要求尤为强烈。因此，为了使光调制元件小型化，形成在光调制元件上的电极的狭小化、厚膜化及电极间隔变窄的窄间隔化正在发展。

并且，根据逐年增加的通信容量需要，在中长距离光通信系统中使用的光调制器的光调制元件中，以进一步的宽带化(高速化)为目的，光调制元件上的电极的狭小化、厚膜化、窄间隔化也正在发展。

因此，通过减小电极截面的宽度和增加电极截面的厚度，电极截面的高宽比超过1而大大地增加，成为由上述的在键合时施加的压力(键合压力)引起的电极变形更易于发生的状态。

图11是示出因键合压力引起的电极变形的一个例子的图。在图11中示出在形成有光波导1100、1102的LN基板1110上设置的接地电极1120、1122与被赋予高频信号电位的所谓的“热电极”(即信号电极)1130的截面。如上所述，为了使电极狭小化及厚膜化，接地电极1120、1122及热电极1130具有高宽比例如为3～5左右的图示纵向长的矩形截面。因此，若为了将接地电极1120和1122高频地保持为同电位，而在接地电极1120和1122上实施金属引线1140的键合，则接地电极1120、1122因在该键合工序时施加的键合压力而可能发生变形。在图示的例子中，接地电极1120的图示上部向热电极1130侧倾斜，接地电极1122被向高度减小的方向压扁，其一部分向宽度方向凸出。

这样的变形使接地电极1120、1122与热电极1130之间的间隔局部地变动，使接地电极1120、1122和热电极1130构成的高频传输路的特性阻抗局部地变化，对作为光调制器的光调制特性产生不好影响。另外，上述特性阻抗的变化也使上述高频传输路与外部回路的阻抗不匹配，使上述光调制特性进一步恶化。而且，根据情况，例如产生接地电极1120与热电极1130直接接触而引起的电极间短路和因图11中用标号1150所示的金属引线1140与热电极1130之间的意外接触引起的短路等制造不良。

关于上述那样的特性变化和制造不良，伴随着上述的电极的窄间隔化而上述电极变形的允许量变小，由此其发生概率可能增高。

而且，关于制造时的键合，通常通过自动键合装置，基于预先设定的几个位置识别图案自动检测多个键合位置来进行，但是由于个别位置识别图案的错位、机械精度的问题，使实际的键合位置可能发生稍微的错位。并且，这样的键合位置的错位可能进一步提高电极变形的发生概率。

【现有技术文献】

【专利文献】

专利文献1：日本特开2017-173353号说明书

发明内容

【发明要解决的技术问题】

根据上述背景，谋求一种避免狭小化及/或厚膜化的光调制元件电极的变形并且适当地与该电极进行引线键合的技术。

【用于解决技术问题的技术方案】

本发明的一个方式为一种光调制器，使用光调制元件，该光调制元件在基板上形成有光波导和对在该光波导中传输的光波进行控制的多个电极，在所述电极的与所述基板侧的面相对的上表面设置有至少一个应力缓和结构，该应力缓和结构对在对金属引线进行引线键合时的压力施加所引起的应力的产生进行缓和。

根据本发明的其他方式，所述应力缓和结构是形成于所述电极的上表面的至少一个凸部或凹部。

根据本发明的其他方式，所述应力缓和结构是形成于所述电极的上表面的至少一个槽或岛状结构，该岛状结构在周围形成有槽。

根据本发明的其他方式，所述应力缓和结构包括形成于所述电极的上表面的至少一个金属突起。

根据本发明的其他方式，所述金属突起具有曲面部分。

根据本发明的其他方式，所述金属突起在俯视观察时为大致圆形。

根据本发明的其他方式，在所述金属突起上通过球键合连接有所述金属引线。

根据本发明的其他方式，在所述电极的宽度方向上测量到的所述金属突起的长度为所述电极的宽度的1/3以下。

根据本发明的其他方式，所述应力缓和结构由与构成所述电极的材料不同的材料、与构成所述电极的材料相同且硬度不同的材料、或与所述金属引线相同的材料构成。

本发明的其他方式是搭载有上述任一光调制器的光传输装置。

本发明的其他方式是所述金属突起使用球键合而形成于所述电极的上表面的光调制器的制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的光调制器的结构的图。

图2是示出图1所示的光调制器的A部分的局部详细结构的立体图。

图3是示出应力缓和结构的第1变形例的结构的图。

图4是示出应力缓和结构的第2变形例的结构的图。

图5是示出应力缓和结构的第3变形例的结构的图。

图6是示出应力缓和结构的第4变形例的结构的图。

图7是示出第4变形例中的金属突起的希望的尺寸的图。

图8是示出在第4变形例中使用球键合的例子的图。

图9是示出使用第4变形例的结构的情况下的电极间的连接的一个例子的图。

图10是示出本发明的第2实施方式的光传输装置的结构的图。

图11是示出现有的光调制器中的电极变形的一个例子的图。

【标号说明】

100、1002…光调制器，102…光调制元件，104…壳体，106…光路，108、110…光纤，114a…外壳，114b…盖，118…中继基板，120、122、124、126、910、912、1130…热电极，130、132、134、136、138、920、922、924、1120、1122…接地电极，140、142、144、146…引线插针，150…终端器，200、1110…LN基板，202、204、206、208、1100、1102…光波导，230、232、234、240、242、244、320、322、420、422、530、532、620、622、720、722、950、952、954、960、962、964、1140…金属引线，250、252、254、260、262、264、270、272、274…凸部，300、400、500、600…电极，310、312…凹部，410、412、414、510、512…槽部，520、522…岛状结构部，610、612、930、932、934、940、942、944…金属突起，730、732…金属球，1000…光传输装置，1004…光源，1006…调制信号生成部，1008…调制数据生成部。

具体实施方式

下面，参照附图，说明本发明的实施方式。

〔第1实施方式〕

图1是示出本发明的第1实施方式的光调制器的结构的俯视图。该光调制器100具备：光调制元件102；壳体104，收容光调制元件102；光纤108，用于向光调制元件102入射光；及光纤110，将从光调制元件102输出的光引导至壳体104的外部。

光调制元件102例如是DP-QPSK光调制器，其具备：光路106，由设置在LN基板上的4个马赫-增德尔型光波导构成；及多个电极，设置在该光路106上来控制在光波导内传输的光波并进行调制。从光调制元件102输出的两束光例如通过透镜光学系统(未图示)被进行偏振合成，经由光纤110导出到壳体104的外部。此外，在后面进一步说明光调制元件102的结构。

壳体104由固定有光调制元件102的外壳114a和盖114b构成。在图1中，为了容易理解壳体104内部的结构，在图的左方仅示出了盖114b的一部分，但实际上，盖114b配置为覆盖箱状的外壳114a的整体来将壳体104的内部气密封闭。

在外壳114a上的图的左侧设置有作为高频信号输入用导体的4个引线插针140、142、144、146。这些引线插针分别经由中继基板118与在构成光调制元件102的光路106的4个马赫-增德尔型光波导上设置的4个热电极120、122、124、126的一端连接。热电极120、122、124、126是与以在光调制元件102的面方向上分别夹着上述的热电极的方式形成的接地电极130、132、134、136、138一起构成4个行波型高频传输路的行波型电极。构成上述的4个行波型电极的热电极120、122、124、126的另一端分别被具有与上述的行波型电极的特性阻抗相等的阻抗(例如，50Ω)的阻抗元件即终端器150终结。

图2是示出从斜上方(垂直于图1纸面的方向)观察图1所示的光调制器100的A部分的图中的左侧的截面所看到的A部分的局部详细结构的立体图。在构成光调制元件102的LN基板200上形成有光波导202、204、206、208，光波导202、204、206、208与构成光路106的4个马赫-增德尔型光波导所包含的8个并列波导中的图1的图上侧的4个并列波导对应。在LN基板200的表面沿着形成有光波导202、204、206、208的部分形成有热电极120、122。另外，在LN基板200的表面以从LN基板200的表面方向夹着热电极120、122的方式形成有接地电极130、132、134。在此，热电极120等及接地电极130等例如使用金(Au)构成。

而且，接地电极130与132之间通过多个金属引线230、232、234等间隔或不等间隔地连接，以使得上述的接地电极间的电位在该接地电极的长度方向的各部分高频地变为同电位。同样地，接地电极132与134之间通过多个金属引线240、242、244等间隔或不等间隔地连接，以使得这些接地电极间的电位在该接地电极的长度方向上的各部分高频地变为同电位。在此，金属引线230、232、234、240、242、244通过引线键合而连接固定于各自对应的电极。

尤其是，在本实施方式的光调制器100中，作为对在金属引线230等的引线键合时的压力施加所引起的接地电极130上的应力产生进行缓和的应力缓和结构，在接地电极130的上表面(与LN基板200相对的面)中的金属引线230、232、234被引线键合的部分设置有俯视观察为矩形的凸部250、252、254。同样地，作为接地电极132上的应力缓和结构，在接地电极132的上表面中的金属引线230与240、232与242及234与244被引线键合的部分设置有俯视观察为矩形的凸部260、262、264，作为对在该引线键合时的压力施加所引起的应力产生进行缓和的应力缓和结构。另外，同样地，作为接地电极134上的应力缓和结构，在接地电极134的上表面中的金属引线240、242、244被引线键合的部分设置有俯视观察为矩形的凸部270、272、274，作为对在该引线键合时的压力施加所引起的应力产生进行缓和的应力缓和结构。

通过形成这样的结构，在金属引线230等的键合时施加于对应的电极的压力(键合压力)通过凸部250和接地电极130等中的凸部250等选择性地变形而被吸收，将对接地电极130等(下面，也称为电极本体部分)的应力的产生缓和。因此，在光调制器100中，抑制图11所示的现有技术中的键合压力所引起的电极本体部分的变形的产生，所以抑制因该变形引起的高频特性的变动、短路故障等制造不良的发生。

上述那样的电极本体部分的变形的抑制效果在热电极及/或接地电极的高宽比为2以上的情况下有效，尤其在3以上的情况下能够获得大的效果。

而且，上述的凸部250等的选择性的变形也具有填埋接地电极130等与金属引线230等之间的间隙来提高紧贴性的效果，金属引线230等相对于凸部250等的附着力得以提高。

此外，凸部250等能够通过通常的晶圆工艺容易地形成。另外，在本实施方式中，凸部250等例如通过镀金(Au)来形成。但是，优选凸部250等由与电极本体部分不同的材料(例如，硬度比电极本体部分低的电镀的银(Ag))、或虽然是与Au等相同的材料但硬度更低的Au层形成，以提高金属引线230等的紧贴性，并且进一步抑制电极本体部分的变形。这样的硬度低的Au层例如能够通过对在通过电镀形成Au层时的电镀液的组成进行调整来实现。此外，从金属引线230等的附着力及电极本体部分的应力缓和的观点出发，作为凸部250等最优选的材料是与用于键合的金属引线230等相同的材料。

在上述的实施方式中，应力缓和结构是设置于接地电极130等的上表面的凸部250等，但是不限于此。下面，对能够代替凸部250使用的应力缓和结构的几个变形例进行说明。

＜第1变形例＞

图3是示出能够代替图2所示的凸部250等而使用的应力缓和结构的第1变形例的图。在图3中，电极300例如是图2中的接地电极130，作为应力缓和结构具有设置于电极300的上表面的凹部310、312。并且，将电极300和其他电极连接的金属引线320、322与凹部310、312的底面键合。

在本变形例中，金属引线320等被键合的部分为从电极300的上表面向基板方向下降的凹部310等的底面，所以从作用于电极本体部分的应力的观点出发，在实效性上成为与高度低的电极同样的状态，可抑制电极本体部分的倾倒和压扁等变形的发生。此外，关于凹部310等的深度，从避免电极本体部分变形的观点出发，希望在键合的操作性、及因设置凹部310等引起的电极300等的导体损失的降低等被允许的范围内尽可能地深。

＜第2变形例＞

图4是示出能够代替图2所示的凸部250等而使用的应力缓和结构的第2变形例的图。在图4中，电极400例如是图2中的接地电极130，作为应力缓和结构具有设置于电极400的上表面的槽部410、412、414。并且，将电极400和其他电极连接的金属引线420、422与电极400的上表面中的被槽部410、412、414夹着的部分键合。

在本变形例中，因键合应力引起的电极400的变形以在金属引线420等被键合的部分的附近形成的槽部410等的开口截面变形的方式选择性地发生，所以可抑制电极本体部分的外形发生变形。

此外，槽部410等不是必须形成到电极400与基板的接合面的深度，也可以只形成到其中途的深度。另外，金属引线420等的键合位置只要是电极400的上表面中的槽部410等的附近即可，以通过槽部410等的变形来缓和键合压力，而不是必须是被槽部410、412、414夹着的部分。也就是说，键合位置如果是应力被槽部410等有效地吸收的位置，则能够设为槽部410等与电极400上表面的端部之间等各种各样的位置。

＜第3变形例＞

图5是示出能够代替图2所示的凸部250等而使用的应力缓和结构的第3变形例的图。在图5中，电极500例如是图2中的接地电极130，作为应力缓和结构，在电极500的上表面具有在周围形成有槽部510、512的岛状结构部520、522。并且，将电极500和其他电极连接的金属引线530、532与岛状结构部520、522键合。

在本变形例中，与图2所示的凸部250等同样，岛状结构部520等因键合压力而选择性地变形，并且与图4所示的第2变形例同样，槽部510等选择性地变形，从而能够进一步抑制电极本体部分的外形发生变形。

＜第4变形例＞

图6是示出能够代替图2所示的凸部250等而使用的应力缓和结构的第4变形例的图。在图6中，电极600例如是图2中的接地电极130，作为应力缓和结构，在电极600的上表面设置有使用金属形成的突起部即金属突起610、612。并且，将电极600与其他电极连接的金属引线620、622与金属突起610、612键合。由此，由键合时的键合压力引起的应力通过金属突起610等的变形而被吸收，抑制了电极600上的电极本体部分的变形。

就金属突起610等而言，例如使用进行球键合的引线键合器(引线键合装置)的球形成功能将该球(由用于键合的金属引线形成的球)作为金属突起形成在电极600的上表面。

通过晶圆工艺难以形成金属突起610等，所以与图2所示的凸部250等相比，虽然形成位置精度稍差，但具有如下等优点：能够简便地形成于狭小的区域；能够自由地设定或变更形成位置；能够一边观察包括键合部分的电极600整体的高频特性(例如，作为电极600和其附近的接地电极(未图示)构成的高频传输路的高频特性)一边变更或调整形成位置；及/或，由于能够由与用于键合的金属引线相同的材料形成，所以工序能够简化，且能够确保金属引线与金属突起610等的足够的附着力。

此外，金属突起610等能够形成于电极600的上表面的任意位置。但是，在通过引线键合器等形成金属突起610等的情况下，与能够通过晶圆工艺制成的图2的凸部250等相比，其形成位置的精度差。因此，如图7所示，希望金属突起610等的沿着对应的电极的宽度方向的长度相对于电极600宽度w为w/3以下，以避免金属突起610等的边缘过于接近电极600的边缘。

在图6所示的例子中，金属引线620及622通过楔键合分别与金属突起610、612连接。但是，金属引线与金属突起610等的键合不限于楔键合。

在图8中，在图6所示的电极600上的金属突起610、612上通过球键合连接有金属引线720、722。在图8中示出在与金属突起610、612键合时金属引线720、722各自的顶端被热熔融而形成在金属突起610、612上的金属球730、732。

球键合通过对金属引线的顶端进行加热使其热熔融而在该金属引线的顶端形成金属球，使该金属球与电极等的金属(在图8的例中为金属突起610等)热压接来进行连接。因此，球键合与使金属引线与电极等的金属紧贴来通过超声波加热使它们接合的楔键合相比，键合压力小。因此，在图8所示的例子中，与图6的结构相比，能够进一步抑制电极600的电极本体部分的变形。

图9是示出作为应力缓和结构使用金属突起的情况下的电极间的连接的一个例子的图。在图9中，热电极910、912相当于图2中的热电极120、122，接地电极920、922、924相当于图2中的接地电极130、132、134。

在接地电极922及924上作为应力缓和结构分别形成有金属突起930、932、934和金属突起940、942、944。并且，将接地电极920和922连接的金属引线950、952、954的一端通过球键合与接地电极920连接，金属引线950、952、954的另一端分别通过楔键合与形成在接地电极922上的应力缓和结构即金属突起930、932、934连接。

在金属引线的键合时能够使用球键合的情况一般限于在引线键合器的结构上使从引线盘送出的金属引线的顶端与电极等键合的情况(所谓的第一次键合)。因此，在图9的例子中，金属引线950、952、954在通过球键合与接地电极920连接后，通过楔键合与接地电极922的金属突起930、932、934连接。

同样地，将接地电极922和924连接的金属引线960、962、964的一端分别通过球键合与形成在接地电极922上的应力缓和结构即金属突起930、932、934连接。另外，金属引线960、962、964的另一端分别通过楔键合与形成在接地电极924上的应力缓和结构即金属突起940、942、944连接。

在图9所示的例子中，在进行了键合压力比球键合大的楔键合的接地电极922、924上，分别形成有作为应力缓和结构的金属突起930、932、934及940、942、944，对这些金属突起进行楔键合。因此，抑制了接地电极922及924的电极本体部分发生变形。

此外，在金属突起930、932、934中，在能够确保在球键合时形成的两个金属球的面积的情况下，金属引线950、952、954也可以与金属引线960、962、964同样地与金属突起930、932、934进行球键合。在该情况下，与接地电极920连接的金属引线950、952、954的部分成为楔键合，所以希望在接地电极920上形成作为应力缓和结构的金属突起。

此外，本申请的金属突起610等是具有使键合时的应力缓和或分散的作用的应力缓和结构，同时具有提高与键合后的引线间的紧贴性的作用。在其他实施例中，列举通过晶圆工艺将该应力缓和结构构成为长方形形状的例子。

另一方面，在将该金属突起610等形成为大致半球体状的情况下，由于是近似大致半球体的结构，所以易于使引线键合的变形应力向所有方向均等地分散，作为本发明的应力缓和结构为非常合适的结构。

而且，作为该大致半球体状的金属突起610等的制造方法，如果通过球键合形成该金属突起610等，对该金属突起进行该球键合，则与金属突起610等键合的引线为相同的材料，亲和性高，所以键合后的紧贴性也提高。

此外，在此所说的金属突起610等的大致半球体状的形状不仅指大致半球体。只要是在与金属突起6110等键合时变形应力各向同性地分散的形状即可，例如可以是包括任意的曲面部分的球体变形而成的形状或是俯视观察为大致圆形的形状等。

〔第2实施方式〕

接着，说明本发明的第2实施方式。本实施方式是搭载有第1实施方式的光调制器100、或具有与光调制器100同样的结构且具备图3、4、5、6、7、8、9所示的变形例的应力缓和结构的任意一个的光调制器的光传输装置。

图10是示出本实施方式的光传输装置的结构的图。该光传输装置1000具备光调制器1002、向该光调制器1002入射光的光源1004、调制信号生成部1006和调制数据生成部1008。

光调制器1002能够为具有图1及图2所示的结构的光调制器100、或具有与光调制器100同样的结构且具备图3、4、5、6、7、8、9所示的变形例的应力缓和结构的任意一个的光调制器。但是，在下面的说明中，为了避免复杂的记载而容易理解，设定使用光调制器100作为光调制器1002。

调制数据生成部1008接受来自外部的发送数据，并生成用于发送该传输数据的调制数据(例如，将发送数据变换或加工为规定的数据格式后的数据)，将该生成的调制数据输出至调制信号生成部1006。

调制信号生成部1006是输出用于使光调制器1002进行调制动作的电信号的电子电路(驱动电路)，基于调制数据生成部1008输出的调制数据生成用于使光调制器1002进行按照该调制数据的光调制动作的高频信号即调制信号，并输入到光调制器1002。该调制信号由作为光调制器1002的光调制器100具备的光调制元件102的4个热电极120、122、124、126所对应的4个高频信号构成。

由此，从光源1004输出的光被光调制器1002调制，形成为调制光而从光传输装置1000输出。

以上，如所说明的，上述的第1实施方式的光调制器100在接地电极130等的上表面形成有凸部250等，该凸部250等是对由在对金属引线230等进行引线键合时施加的键合压力所引起的应力产生进行缓和的应力缓和结构。因此，在光调制器100中，即使在电极的截面形状的高宽比大于1的情况下，也能够避免该电极(例如，接地电极132)的变形，并且适当地对该电极进行引线键合。其结果是，在光调制器100中，例如能够有效地防止构成行波型电极的各电极的变形，抑制引线键合工序前后的该电极的高频特性的变化，并防止在该工序中可能产生的短路故障等制造不良。

此外，作为应力缓和结构的例子，除了凸部250之外，还示出了第1～第4变形例，但应力缓和结构的结构不限于此。应力缓和结构能够为将上述的例子所示的结构进行组合或变形而成的结构。例如，可以在电极上组合形成凸部250等和槽部410等。另外，例如，槽部410等除了图4所示那样其开口截面为矩形的槽部以外，还能够形成为具有任意形状的开口截面的槽部。

另外，在上述的实施方式及变形例中，都是电极间通过金属引线连接，但不限于此。也可以取代通过金属引线连接，或在通过金属引线连接的基础上，例如通过使用具有带形状的金属带的带键合来将电极间连接。

另外，在上述的实施方式及变形例中，在一个电极上由凸部或凹部等构成的应力缓和结构设置有2个或3个，但应力缓和结构的数量不限于此。能够按照电极相对于键合压力的变形容易度或变形困难度，在该电极上设置至少一个的任意数量的应力缓和结构。

另外，在上述的实施方式中，作为一个例子，光调制元件102为在LN基板200上具有4个热电极的DP-QPSK调制器，但不限于此。也能够同样地适用于具有4个以外的数量的多个RF电极的光调制器及/或以LN以外的材料用作基板的光调制器。

Claims (11)

1.一种光调制器，使用光调制元件，该光调制元件在基板上形成有光波导和对在该光波导中传输的光波进行控制的多个电极，

在所述电极的与所述基板侧的面相对的上表面设置有至少一个应力缓和结构，该应力缓和结构对在对金属引线进行引线键合时的压力施加所引起的应力的产生进行缓和。

2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述应力缓和结构是形成于所述电极的上表面的至少一个凸部或凹部。

3.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述应力缓和结构是形成于所述电极的上表面的至少一个槽或岛状结构，该岛状结构在周围形成有槽。

4.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述应力缓和结构包括形成于所述电极的上表面的至少一个金属突起。

5.根据权利要求4所述的光调制器，其中，

所述金属突起具有曲面部分。

6.根据权利要求5所述的光调制器，其中，

所述金属突起在俯视观察时为大致圆形。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的光调制器，其中，

在所述金属突起上通过球键合连接有所述金属引线。

8.根据权利要求4～7中任一项所述的光调制器，其中，

在所述电极的宽度方向上测量到的所述金属突起的长度为所述电极的宽度的1/3以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的光调制器，其中，

所述应力缓和结构由与构成所述电极的材料不同的材料、与构成所述电极的材料相同且硬度不同的材料、或与所述金属引线相同的材料构成。

10.一种光传输装置，搭载有权利要求1～9中任一项所述的光调制器。

11.一种光调制器的制造方法，该光调制器为权利要求5或6所述的光调制器，其中，

所述金属突起使用球键合而形成于所述电极的上表面。