JPH0785505B2 - 自己整合によりccdチャンネルを作製する方法 - Google Patents
自己整合によりccdチャンネルを作製する方法Info
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Description
CD)チャンネルを作製する方法に関し、さらに詳しく
は、少量の電荷の伝達効率が高められた自己整合により
CCDチャンネルを作製する方法に関する。
図3には、従来のCCDチャンネルの構成が示されてい
る。これらの図面に示されているように、このCCDチ
ャンネルは、交互に配置された第1のポリシリコン・ゲ
ート2および第2のポリシリコン・ゲート5を含んでい
る。この配列では、電荷は2相クロッキングによって伝
達される。しかしながら、この従来のCCDチャンネル
の構造は、少量の電荷がチャンネル内に存在するとき
に、電荷の伝達効率が貧弱であるという重大な欠点があ
る。即ち、従来のCCDチャンネルの幅が広いことか
ら、図2および図3に示されているように、少量の電荷
が幅広のチャンネル領域全体に拡散される。その結果と
して、電荷の伝達効率が著しく低下することになる。
達効率を高めることができる、自己整合によりCCDチ
ャンネルを作製する方法を提供することにある。
に、本発明によれば、 (a)半導体基板の選定された能動領域内にイオン注入
を行う工程; (b)前記能動領域上にポリシリコンを析着する工程; (c)ポリシリコンの選定された領域をエッチングして
第1のポリシリコン・ゲートを生成する工程; (d)前記第1のポリシリコン・ゲートに対して略直角
にPRプロセスによって第1の選定領域を露出する工
程; (e)前記第1の選定領域に第2のイオン注入を行う工
程; (f)前記第1の選定領域に略平行にかつ第1の選定領
域の全てを実質的に含んで、PRプロセスによって第2
の選定領域を露出する工程; (g)前記第2の選定領域に第3のイオン注入を行う工
程; (h)前記能動領域上にポリシリコンの付加的層を析着
する工程;および (i)ポリシリコンの前記付加的層をエッチングして、
前記第1のポリシリコン・ゲート間にかつこれと平行す
るように第2のポリシリコン・ゲートを生成する工程か
らなることを特徴とする自己整合によりCCDチャンネ
ルを作製する方法が提供される。
つ、本発明についてさらに具体的に説明するが、以下の
実施例は好適な態様の例示であって、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記
載の本発明の範囲から逸脱することなく各種の変更が可
能であることは理解されるべきである。
ンネルの構成を示している。図6乃至図10は、本発明
によるプロセスの種々の工程を示している。
たってイオンの注入が行われて、P型の基板内にN型の
領域が生成される。この能動領域の上にポリシリコンが
析着され、次いで部分的なエッチング処理がなされて、
図7に示されているように第1のポリシリコン・ゲート
2が残される。全能動領域1上にフォトレジストが析着
された後に、図8に示されているように、第1の選定領
域3が前記第1のポリシリコン・ゲート2に対して垂直
になるように露出される。次いで、第1の選定領域3内
に第2のイオン注入が行われ、図5に示されているよう
により深いN型の領域が生成される。この場合に、前記
第1のポリシリコン・ゲート2は、ゲートの自己整合
(self−alignment)を行うために、第2
のイオン注入に対するマスクとして用いられる。
域4がPRプロセスによって露出され、これは前記第1
の選定領域3に平行しており、また、前記第1の選定領
域3の全てを実質的に含んでいる。次いで、前記第2の
選定領域4内に第3のイオン注入が行われ、図5に示さ
れているように最も深いN型の領域が生成される。ここ
でもまた、前記第1のポリシリコン・ゲート2は、第3
のイオン注入に対する自己整合マスクとして用いられ
る。電位分布により多くの階段を生成させるために、P
Rプロセスおよびイオン注入プロセスを繰り返すことが
できる。
着され、エッチング処理がなされて、第2のポリシリコ
ン・ゲート5を生成する。この第2のポリシリコン・ゲ
ート5は、図10に示されているように、第1のポリシ
リコン・ゲート2間にかつこれと平行するように設けら
れている。
り、図4および図5に示されているように、第2のポリ
シリコン・ゲート5の下部だけのチャンネルの中間に、
トレンチ型の多重電位分布を形成することができ、ま
た、少量の電荷をトレンチ内に閉じ込めることができ
る。従って、図10における第2のポリシリコン・ゲー
ト5の領域内に電荷が閉じ込められ、その結果として、
自己誘導フィールドおよび周辺フィールドの増強がもた
らされるが、これはCCDチャンネルにおける電荷の伝
達にとって有利である。
整合によるCCDチャンネルの作製方法は、効率的な電
荷の伝達が必要とされる高忠実度かつ高分解能のカムコ
ーダ(camcorder)を作るときに極めて有用な
ものである。
ある。
分布を示す概略構成図である。
本発明のCCDチャンネルの上面図と同じ図1における
線A−Aから見た断面および電位分布を示す概略構成図
である。
係るCCDチャンネルの断面図である。
一工程説明図であって、最初のイオン注入工程における
基板の上面図である。
の上面図である。
る。
る。
板の上面図である。
ト、3 第1の選定領域、4 第2の選定領域、5 第
2のポリシリコン・ゲート。
Claims (5)
- 【請求項1】 (a)半導体基板の選定された能動領域内にイオン注入
を行う工程; (b)前記能動領域上にポリシリコンを析着する工程; (c)ポリシリコンの選定された領域をエッチングして
第1のポリシリコン・ゲートを生成する工程; (d)前記第1のポリシリコン・ゲートに対して略直角
にPRプロセスによって第1の選定領域を露出する工
程; (e)前記第1の選定領域に第2のイオン注入を行う工
程; (f)前記第1の選定領域に略平行にかつ第1の選定領
域の全てを実質的に含んで、PRプロセスによって第2
の選定領域を露出する工程; (g)前記第2の選定領域に第3のイオン注入を行う工
程; (h)前記能動領域上にポリシリコンの付加的層を析着
する工程;および (i)ポリシリコンの前記付加的層をエッチングして、
前記第1のポリシリコン・ゲート間にかつこれと平行す
るように第2のポリシリコン・ゲートを生成する工程か
らなることを特徴とする自己整合によりCCDチャンネ
ルを作製する方法。 - 【請求項2】 前記工程(d)〜(g)を実施すること
により、前記選定された能動領域の不純物濃度は前記第
1の選定領域の不純物濃度よりも低く、前記第1の選定
領域の不純物濃度は前記第2の選定領域の不純物濃度よ
りも低くされている、請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 工程(g)の実施後の電位分布は、前記
第2のポリシリコン・ゲートの下に多重電位を含むチャ
ンネルに沿って長手方向に階段形状を有している、請求
項1に記載の方法。 - 【請求項4】 工程(g)と工程(f)との間で別のP
Rプロセスおよびイオン注入が繰り返されて、電位分布
により多くの階段を生成する、請求項1に記載の方法。 - 【請求項5】 工程(d)〜(g)を実施することによ
り、前記第2のポリシリコン・ゲートの下のチャンネル
の中間にトレンチ型の多重電位が形成される、請求項1
に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019900000948A KR930000720B1 (ko) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 자기정열을 이용한 ccd 채널의 제조방법 |
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JPH04212429A JPH04212429A (ja) | 1992-08-04 |
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US4396438A (en) * | 1981-08-31 | 1983-08-02 | Rca Corporation | Method of making CCD imagers |
JPH0618263B2 (ja) * | 1984-02-23 | 1994-03-09 | 日本電気株式会社 | 電荷転送素子 |
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JP2565257B2 (ja) * | 1987-06-16 | 1996-12-18 | ソニー株式会社 | 電荷転送装置 |
US4992842A (en) * | 1988-07-07 | 1991-02-12 | Tektronix, Inc. | Charge-coupled device channel with countinously graded built-in potential |
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- 1991-01-28 GB GB9101809A patent/GB2240430B/en not_active Expired - Lifetime
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GB2240430B (en) | 1993-11-17 |
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GB9101809D0 (en) | 1991-03-13 |
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