JPH072906A - α−アミノ酸残基により６−位で置換された新規なモノ（６−アミノ−６−デオキシ）シクロデキストリン誘導体、その製造方法及び応用 - Google Patents
α−アミノ酸残基により６−位で置換された新規なモノ（６−アミノ−６−デオキシ）シクロデキストリン誘導体、その製造方法及び応用Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 α−アミノ酸残基により６−位で置換された
新規なモノ（６−アミノ−６−デオキシ）シクロデキス
トリン誘導体。この誘導体は次の一般式（Ｉ）： （式中ＣＤはα−，β−又はγ−シクロデキストリンを
表わし、ｎは０又は１であり、Ｚは から選んだ二価の基を表わす）に相当することを特徴と
する。 【効果】 この誘導体は活性物質の包接錯体の形成に応
用されしかも種々の分野で特に化粧料、皮膚の処置及び
医薬の分野で使用できる。
新規なモノ（６−アミノ−６−デオキシ）シクロデキス
トリン誘導体。この誘導体は次の一般式（Ｉ）： （式中ＣＤはα−，β−又はγ−シクロデキストリンを
表わし、ｎは０又は１であり、Ｚは から選んだ二価の基を表わす）に相当することを特徴と
する。 【効果】 この誘導体は活性物質の包接錯体の形成に応
用されしかも種々の分野で特に化粧料、皮膚の処置及び
医薬の分野で使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はα−アミノ酸残基により
６−位で置換された新規なモノ（６−アミノ−６−デオ
キシ）シクロデキストリン誘導体、その製造方法及び種
々の産業分野での応用特に化粧料、医薬及び皮膚処置の
分野での応用に関し、これらの新規誘導体は包接錯体(i
nclusion complex）を形成し得るものである。
６−位で置換された新規なモノ（６−アミノ−６−デオ
キシ）シクロデキストリン誘導体、その製造方法及び種
々の産業分野での応用特に化粧料、医薬及び皮膚処置の
分野での応用に関し、これらの新規誘導体は包接錯体(i
nclusion complex）を形成し得るものである。
【０００２】これらの新規なシクロデキストリン誘導体
はまた別の分野で応用でき特に分析化学で、農場の生産
産業（farm produce industry)で且つまた或る遷移金属
用の金属イオン封鎖剤として応用できる。
はまた別の分野で応用でき特に分析化学で、農場の生産
産業（farm produce industry)で且つまた或る遷移金属
用の金属イオン封鎖剤として応用できる。
【０００３】
【従来の技術及び問題点】親油性物質の水性媒質中での
溶解度を増大させるか又は水性媒質中で不安定と想定さ
れる物質を安定化させることができるキャリヤー分子(c
arrier molecules) あるいは別法として時間の関数とし
て又は周囲雰囲気の関数として活性成分の目標とされる
放出を達成することができるキャリヤー分子を使用する
ことは、化粧料、製薬及び皮膚処置分野できわめて特に
探求されている。
溶解度を増大させるか又は水性媒質中で不安定と想定さ
れる物質を安定化させることができるキャリヤー分子(c
arrier molecules) あるいは別法として時間の関数とし
て又は周囲雰囲気の関数として活性成分の目標とされる
放出を達成することができるキャリヤー分子を使用する
ことは、化粧料、製薬及び皮膚処置分野できわめて特に
探求されている。
【０００４】かくして国際特許出願PCT WO91/13100にお
いては種々の基特にカルボン酸官能基により置換された
シクロデキストリンを用いることが提案されている。
いては種々の基特にカルボン酸官能基により置換された
シクロデキストリンを用いることが提案されている。
【０００５】この特許出願はモノ（６−アミノ−６−デ
オキシ）−β−シクロデキステリンとコハク酸無水物又
はグルタール酸無水物の如きジカルボン酸無水物との反
応から得られるシクロデキストリン誘導体の製造及び使
用を特に記載している。
オキシ）−β−シクロデキステリンとコハク酸無水物又
はグルタール酸無水物の如きジカルボン酸無水物との反
応から得られるシクロデキストリン誘導体の製造及び使
用を特に記載している。
【０００６】遊離のカルボン酸官能基を担持する得られ
る誘導体はより良い溶解度を有するが、或る用途には不
満足なままでありしかも更にカルボン酸官能基の少なく
とも部分的な前もっての中和を必要とする。
る誘導体はより良い溶解度を有するが、或る用途には不
満足なままでありしかも更にカルボン酸官能基の少なく
とも部分的な前もっての中和を必要とする。
【０００７】種々の調査研究をシクロデキストリンにつ
いて実施した後に、新規な種類のシクロデキストリン誘
導体によって今まで出合った欠点特に国際特許出願PCT
WO91/13100のシクロデキストリン誘導体の欠点を克服で
きることが全く予期せぬことには且つ驚くべきことには
見出された。
いて実施した後に、新規な種類のシクロデキストリン誘
導体によって今まで出合った欠点特に国際特許出願PCT
WO91/13100のシクロデキストリン誘導体の欠点を克服で
きることが全く予期せぬことには且つ驚くべきことには
見出された。
【０００８】本発明の新規なシクロデキストリン誘導体
は従来既知の使用された誘導体よりも顕著に多大な溶解
度を有する利点を示すのみならず直接即ち予備中和なし
に使用し得る利点も示し、然るに粘膜及び皮膚には無害
であり十分に耐容性である。
は従来既知の使用された誘導体よりも顕著に多大な溶解
度を有する利点を示すのみならず直接即ち予備中和なし
に使用し得る利点も示し、然るに粘膜及び皮膚には無害
であり十分に耐容性である。
【０００９】これらの主たる利点はシクロデキストリン
分子上にα−アミノ酸残基が存在することにより本質的
に因るものであり、こうして水性媒質中では本発明のシ
クロデキストリン誘導体は双極子形又は双性イオン形で
存在する。
分子上にα−アミノ酸残基が存在することにより本質的
に因るものであり、こうして水性媒質中では本発明のシ
クロデキストリン誘導体は双極子形又は双性イオン形で
存在する。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】それ故本発明は新規な
工業製品として次式（Ｉ）： （式中ＣＤはα−，β−又はγ−シクロデキストリンを
表わし、ｎは０又は１であり、Ｚは から選んだ二価の基を表わす）に対応する、α−アミノ
酸残基により６−位で置換されたモノ（６−アミノ−６
−デオキシ）シクロデキストリン誘導体を要旨とするも
のである。
工業製品として次式（Ｉ）： （式中ＣＤはα−，β−又はγ−シクロデキストリンを
表わし、ｎは０又は１であり、Ｚは から選んだ二価の基を表わす）に対応する、α−アミノ
酸残基により６−位で置換されたモノ（６−アミノ−６
−デオキシ）シクロデキストリン誘導体を要旨とするも
のである。
【００１１】本発明の好ましい具体例によると、ＣＤ基
はβ−シクロデキストリンである。
はβ−シクロデキストリンである。
【００１２】一般式（Ｉ）のシクロデキストリン誘導体
のうち、特に次の化合物： モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン、モノ
〔Ｎ−（３−アミノ ３−カルボキシプロピオニル）ア
ミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリン、モノ
〔Ｎ−４−（２′−アミノ ２′−カルボキシエチル）
１−（フェニルオキシメチルカルボニル）アミノ〕−
６−デオキシ β−シクロデキストリンを挙げ得る。
のうち、特に次の化合物： モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン、モノ
〔Ｎ−（３−アミノ ３−カルボキシプロピオニル）ア
ミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリン、モノ
〔Ｎ−４−（２′−アミノ ２′−カルボキシエチル）
１−（フェニルオキシメチルカルボニル）アミノ〕−
６−デオキシ β−シクロデキストリンを挙げ得る。
【００１３】本発明の別の要旨は一般式（Ｉ）のシクロ
デキストリン誘導体の製造方法であり、本法では次の反
応図式によって表わすことができる： （但しＣＤ、Ｚ及びｎは式（Ｉ）に与えたのと同じ意義
を有し、Ｒ1 はｔ−ブチル基又はベンジル基を表わし、
Ｒ2 はメチル基又はベンジル基を表わす）。
デキストリン誘導体の製造方法であり、本法では次の反
応図式によって表わすことができる： （但しＣＤ、Ｚ及びｎは式（Ｉ）に与えたのと同じ意義
を有し、Ｒ1 はｔ−ブチル基又はベンジル基を表わし、
Ｒ2 はメチル基又はベンジル基を表わす）。
【００１４】この方法は、Ｌ形、Ｄ形又はラセミ形のα
−アミノジカルボン酸（２）（これのα−アミノ酸官能
基は保護されている）を（６−アミノ−６−デオキシ）
シクロデキストリン（１）に対して、保護したα−アミ
ノジカルボン酸（２）に関して２０モル％を越えて過剰
量の１−ヒドロキシベンゾトリアゾール及び保護したα
−アミノジカルボン酸（２）に関して３０モル％を越え
ない過剰量のジシクロヘキシルカルボジイミドの存在下
にジメチルホルムアミドの如き有機溶剤に溶解して反応
させることに在る。この反応は原料が完全に消失するま
で攪拌しながら一般に行ないしかも生成したジシクロヘ
キシル尿素を除去する目的で該混合物を次いで濾過す
る。真空中で濃縮した後に、得られたアミド（３）を好
ましくは水から再結晶させる。
−アミノジカルボン酸（２）（これのα−アミノ酸官能
基は保護されている）を（６−アミノ−６−デオキシ）
シクロデキストリン（１）に対して、保護したα−アミ
ノジカルボン酸（２）に関して２０モル％を越えて過剰
量の１−ヒドロキシベンゾトリアゾール及び保護したα
−アミノジカルボン酸（２）に関して３０モル％を越え
ない過剰量のジシクロヘキシルカルボジイミドの存在下
にジメチルホルムアミドの如き有機溶剤に溶解して反応
させることに在る。この反応は原料が完全に消失するま
で攪拌しながら一般に行ないしかも生成したジシクロヘ
キシル尿素を除去する目的で該混合物を次いで濾過す
る。真空中で濃縮した後に、得られたアミド（３）を好
ましくは水から再結晶させる。
【００１５】好まして具体例によると、化合物（１）と
（２）との間のモル比は一般に１〜１．５である。
（２）との間のモル比は一般に１〜１．５である。
【００１６】次いで化合物（３）の保護した官能基を、
用いた保護基の種類に応じて決まる操作条件下で脱保護
する。
用いた保護基の種類に応じて決まる操作条件下で脱保護
する。
【００１７】即ち、ベンジルオキシカルボニル及びベン
ジル基はＰｄ／Ｃ（５〜１０％）の存在下に水添により
置換され、ｔ−ブチルオキシカルボニル基はトリフルオ
ロ酢酸の存在下に脱離され、メチルエステル官能基は１
Ｎ水酸化ナトリウム溶液の存在下にケン化により脱除さ
れる。
ジル基はＰｄ／Ｃ（５〜１０％）の存在下に水添により
置換され、ｔ−ブチルオキシカルボニル基はトリフルオ
ロ酢酸の存在下に脱離され、メチルエステル官能基は１
Ｎ水酸化ナトリウム溶液の存在下にケン化により脱除さ
れる。
【００１８】（６−アミノ−６−デオキシ）−β−シク
ロデキストリン（１）は既知の方法例えば米国特許第5,
068,227 号に記載された方法により製造される既知の化
合物である。式（２）の化合物の若干、特にベンジル
Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）アスパルテート（ｎ
＝０，Ｒ1 及びＲ2 ＝−ＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ）及びベンジル
Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）グルタメート（Ｚ
＝−ＣＨ2 −、Ｒ1 及びＲ2 ＝−ＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ）はBa
chem社から市販されて入手し得る。
ロデキストリン（１）は既知の方法例えば米国特許第5,
068,227 号に記載された方法により製造される既知の化
合物である。式（２）の化合物の若干、特にベンジル
Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）アスパルテート（ｎ
＝０，Ｒ1 及びＲ2 ＝−ＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ）及びベンジル
Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）グルタメート（Ｚ
＝−ＣＨ2 −、Ｒ1 及びＲ2 ＝−ＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ）はBa
chem社から市販されて入手し得る。
【００１９】式（２）の他の化合物及びそれの前駆体
（但しＺは−ＣＨ2 −以外である）は新規でありしかも
次の一般式（II）： （式中Ｒは水素原子又はベンジル基を表わし、Ｒ1 はｔ
−ブチル基又はベンジル基を表わし、Ｒ2 はメチル基又
はベンジル基を表わし、Ｚ′は から選んだ二価の基を表わす）により表わすことができ
る。
（但しＺは−ＣＨ2 −以外である）は新規でありしかも
次の一般式（II）： （式中Ｒは水素原子又はベンジル基を表わし、Ｒ1 はｔ
−ブチル基又はベンジル基を表わし、Ｒ2 はメチル基又
はベンジル基を表わし、Ｚ′は から選んだ二価の基を表わす）により表わすことができ
る。
【００２０】式（II）の中間体化合物は次の反応図式に
より得られる： （但しＨ−Ｚ′−基は 基を表わし、Ｒ1 及びＲ2 は式（II）について上述した
のと同じ意義を有する）。
より得られる： （但しＨ−Ｚ′−基は 基を表わし、Ｒ1 及びＲ2 は式（II）について上述した
のと同じ意義を有する）。
【００２１】これらの中間体化合物の合成は水素化リチ
ウムの存在下に有機溶剤媒質好ましくはジメチルホルム
アミド中でベンジルブロモアセテート（４）を式（５）
の保護したω−ヒドロキシ−又はω−メルカプト−α−
アミノ酸と反応させることに在り、これによって良好な
収率で式（IIａ）のＯ−又はＳ−アルキル化誘導体を得
ることができる。
ウムの存在下に有機溶剤媒質好ましくはジメチルホルム
アミド中でベンジルブロモアセテート（４）を式（５）
の保護したω−ヒドロキシ−又はω−メルカプト−α−
アミノ酸と反応させることに在り、これによって良好な
収率で式（IIａ）のＯ−又はＳ−アルキル化誘導体を得
ることができる。
【００２２】対応の酸（IIｂ）は５％Ｐｄ／Ｃの存在下
にメタノール／塩化メチレン溶液中で水添により得られ
る。
にメタノール／塩化メチレン溶液中で水添により得られ
る。
【００２３】式（５）の保護したω−ヒドロキシ−α−
アミノ酸は若干の場合には既知であり、特にメチル Ｎ
−（ｔ−ブチルオキシカルボニル）チロシネート（Ｈ−
Ｚ′＝ｐ−ＨＯ−Ｃ6 Ｈ4 −ＣＨ2 −、Ｒ1 ＝Ｃ（ＣＨ
3 ）及びＲ2 ＝−ＣＨ3 ）はBachem社により市販され
る。
アミノ酸は若干の場合には既知であり、特にメチル Ｎ
−（ｔ−ブチルオキシカルボニル）チロシネート（Ｈ−
Ｚ′＝ｐ−ＨＯ−Ｃ6 Ｈ4 −ＣＨ2 −、Ｒ1 ＝Ｃ（ＣＨ
3 ）及びＲ2 ＝−ＣＨ3 ）はBachem社により市販され
る。
【００２４】式（５）の他の化合物はα−アミノ酸官能
基を保護する常法によりセリン、トレオニン及びシステ
インの如きα−アミノ酸から容易に得られる。
基を保護する常法によりセリン、トレオニン及びシステ
インの如きα−アミノ酸から容易に得られる。
【００２５】式（II）の新規中間体化合物のうち特にメ
チル Ｎ−（ｔ−ブチルオキシカルボニル）−Ｏ−（ベ
ンジルオキシカルボニルメチル）チロシネート及びメチ
ルＮ−（ｔ−ブチルオキシカルボニル）−Ｏ−（カルボ
キシメチル）チロシネートを挙げることができる。
チル Ｎ−（ｔ−ブチルオキシカルボニル）−Ｏ−（ベ
ンジルオキシカルボニルメチル）チロシネート及びメチ
ルＮ−（ｔ−ブチルオキシカルボニル）−Ｏ−（カルボ
キシメチル）チロシネートを挙げることができる。
【００２６】本発明のシクロデキストリン誘導体は種々
の産業分野で応用される。
の産業分野で応用される。
【００２７】これらのシクロデキストリン誘導体はその
まま即ち活性成分を含有することなく、特に皮膚又は毛
髪を処置するのに化粧料組成物又は皮膚処置組成物にお
いて特に使用でき、その際シクロデキストリン誘導体は
柔軟化効果を有し得る。
まま即ち活性成分を含有することなく、特に皮膚又は毛
髪を処置するのに化粧料組成物又は皮膚処置組成物にお
いて特に使用でき、その際シクロデキストリン誘導体は
柔軟化効果を有し得る。
【００２８】この具体例によると、本発明のシクロデキ
ストリン誘導体は組成物の全重量に関して０．１〜１０
重量％の濃度で一般に存在する。
ストリン誘導体は組成物の全重量に関して０．１〜１０
重量％の濃度で一般に存在する。
【００２９】然しながら、本発明のシクロデキストリン
誘導体の使用は、種々の活性物質の包接錯体の形成に対
して特に指向される。活性物質は好ましくは親油型の物
質であるか又は別の場合には水性媒質に不溶性又は不安
定性である化合物であり、しかも特に化粧料、皮膚処置
及び医薬分野で用いた活性成分から選ばれる。
誘導体の使用は、種々の活性物質の包接錯体の形成に対
して特に指向される。活性物質は好ましくは親油型の物
質であるか又は別の場合には水性媒質に不溶性又は不安
定性である化合物であり、しかも特に化粧料、皮膚処置
及び医薬分野で用いた活性成分から選ばれる。
【００３０】前述した如く、双性イオン形で存在し得る
本発明のシクロデキストリン誘導体の特性によって、今
までは満足に得ることができなかったこれらの活性成分
の溶解度を増大させることができる。
本発明のシクロデキストリン誘導体の特性によって、今
までは満足に得ることができなかったこれらの活性成分
の溶解度を増大させることができる。
【００３１】包接錯体を形成し得るか又は安定化させ得
る活性物質のうちでは特に次の成分を列挙し得る： （イ）抗酸化剤及びフリーラジカルに対して作用する化
合物例えばブチルヒドロキシトルエン(B.H.T）、ブチル
ヒドロキシアニソール(B.H.A）、ビタミンＥ又はパラ−
（ｔ−ブチル）ベンジリデン樟脳の誘導体例えば仏国特
許第2,624,508 号に記載された誘導体及び特に３−
（３′，５′−ジ（ｔ−ブチル）−４′−ヒドロキシ）
ベンジリデン樟脳、（ロ）抗▲ざ▼瘡、老化防止又は光
老化防止剤例えばレチン酸(retinoic acid）及びその異
性体並びに或る誘導体例えば欧州特許出願（EP)465,34
3、国際特許出願（WO）91/00793、仏国特許出願No.91 0
5394 又は別の場合にはEP 514,264 に記載された誘導
体あるいは例えばレチノール及びそのエステル特にアセ
テート又はパルミテート、（ハ）乾癬を防除する薬剤例
えばアントラリン、プソラレン又は芳香族レチノイド例
えばチガソン及びその誘導体又は例えば６−〔３−（１
−アダマンチル）−４−メトキシフェニル〕−２−ナフ
トエ酸、（ニ）防腐剤及び殺菌剤例えば置換イソチアゾ
ロン、（ホ）毛髪の再生を促進するか又は毛髪の減損を
防止する薬剤例えばミノキシジル及びその誘導体又は仏
国特許出願2,606,635, 2,607,505, 2,618,068, 2,654,1
01又は2,663,327 及びEP 304,649, 304,665, 353,323,
303,871, 356,271, 464,034, 177,581, 420,507, 408,4
42及び459,890 に記載された化合物、（ヘ）遮光剤、
（ト）角質層を水和及び／又は可塑化する薬剤例えばα
−ヒドロキシ酸、チアモルホリン誘導体例えば仏国特許
第2,525,106 号及び第2,525,220 号に記載された誘導
体、ピロリドンカルボン酸及びセリン又はサリチル化誘
導体例えばEP 378,336に記載された誘導体及び特に５−
（ｎ−オクタノイル）サリチル酸、（チ）脂質遮断層を
再生する薬剤例えばセラミド及びその誘導体特に仏国特
許第2,588,256 号及びEP 420,722及びEP 500,437に記載
された誘導体、（リ）水性媒質に溶解させるのが困難な
染髪料例えばアントラキノン染料、アゾ染料及びベンゼ
ン列のニトロ誘導体あるいは別の場合には安定化させ得
る染料例えば置換インドリン及びインドール、（ヌ）脱
色剤例えばハイドロキノン、コ−ジ酸又はアルブチン及
びその誘導体、（ル）抗炎症剤例えばリポキシゲナーゼ
及び／又はシクロオキシゲナーゼの抑制剤、（オ）ステ
ロイド例えばハイドロコルチゾン及び17・ヒドロキシコ
ルチコステロン、（ワ）抗ウイルス剤及び抗ガン剤例え
ば５−フルオロウラシル。
る活性物質のうちでは特に次の成分を列挙し得る： （イ）抗酸化剤及びフリーラジカルに対して作用する化
合物例えばブチルヒドロキシトルエン(B.H.T）、ブチル
ヒドロキシアニソール(B.H.A）、ビタミンＥ又はパラ−
（ｔ−ブチル）ベンジリデン樟脳の誘導体例えば仏国特
許第2,624,508 号に記載された誘導体及び特に３−
（３′，５′−ジ（ｔ−ブチル）−４′−ヒドロキシ）
ベンジリデン樟脳、（ロ）抗▲ざ▼瘡、老化防止又は光
老化防止剤例えばレチン酸(retinoic acid）及びその異
性体並びに或る誘導体例えば欧州特許出願（EP)465,34
3、国際特許出願（WO）91/00793、仏国特許出願No.91 0
5394 又は別の場合にはEP 514,264 に記載された誘導
体あるいは例えばレチノール及びそのエステル特にアセ
テート又はパルミテート、（ハ）乾癬を防除する薬剤例
えばアントラリン、プソラレン又は芳香族レチノイド例
えばチガソン及びその誘導体又は例えば６−〔３−（１
−アダマンチル）−４−メトキシフェニル〕−２−ナフ
トエ酸、（ニ）防腐剤及び殺菌剤例えば置換イソチアゾ
ロン、（ホ）毛髪の再生を促進するか又は毛髪の減損を
防止する薬剤例えばミノキシジル及びその誘導体又は仏
国特許出願2,606,635, 2,607,505, 2,618,068, 2,654,1
01又は2,663,327 及びEP 304,649, 304,665, 353,323,
303,871, 356,271, 464,034, 177,581, 420,507, 408,4
42及び459,890 に記載された化合物、（ヘ）遮光剤、
（ト）角質層を水和及び／又は可塑化する薬剤例えばα
−ヒドロキシ酸、チアモルホリン誘導体例えば仏国特許
第2,525,106 号及び第2,525,220 号に記載された誘導
体、ピロリドンカルボン酸及びセリン又はサリチル化誘
導体例えばEP 378,336に記載された誘導体及び特に５−
（ｎ−オクタノイル）サリチル酸、（チ）脂質遮断層を
再生する薬剤例えばセラミド及びその誘導体特に仏国特
許第2,588,256 号及びEP 420,722及びEP 500,437に記載
された誘導体、（リ）水性媒質に溶解させるのが困難な
染髪料例えばアントラキノン染料、アゾ染料及びベンゼ
ン列のニトロ誘導体あるいは別の場合には安定化させ得
る染料例えば置換インドリン及びインドール、（ヌ）脱
色剤例えばハイドロキノン、コ−ジ酸又はアルブチン及
びその誘導体、（ル）抗炎症剤例えばリポキシゲナーゼ
及び／又はシクロオキシゲナーゼの抑制剤、（オ）ステ
ロイド例えばハイドロコルチゾン及び17・ヒドロキシコ
ルチコステロン、（ワ）抗ウイルス剤及び抗ガン剤例え
ば５−フルオロウラシル。
【００３２】かかる包接錯体を含有する化粧料、製薬又
は皮膚処置組成物は種々の形状で提供でき特に水性又は
水性／アルコール性ローションの形で、ゲルの形で又は
分散物の形で提供でき、しかも組成物の全重量に関して
包接錯体は０．１〜３０％の割合で存在する。
は皮膚処置組成物は種々の形状で提供でき特に水性又は
水性／アルコール性ローションの形で、ゲルの形で又は
分散物の形で提供でき、しかも組成物の全重量に関して
包接錯体は０．１〜３０％の割合で存在する。
【００３３】本発明のシクロデキストリン誘導体は或る
金属塩と包接錯体を形成しる得ものであり、特に染髪又
は漂白中に又は染色又は皮膚の老化を防止する間に酸化
−還元過程に関与する金属塩と包接錯体を形成し得る誘
導体である。
金属塩と包接錯体を形成しる得ものであり、特に染髪又
は漂白中に又は染色又は皮膚の老化を防止する間に酸化
−還元過程に関与する金属塩と包接錯体を形成し得る誘
導体である。
【００３４】更に本発明のシクロデキストリン誘導体は
遷移金属を介してアミノ酸分子と錯体を形成するのにも
応用され、これによってかくしてこれらの金属を封鎖す
ることができ、本発明のシクロデキストリン誘導体は特
に化粧料製品においてこれらの金属の保護剤又は解毒剤
として作用し得るものである。
遷移金属を介してアミノ酸分子と錯体を形成するのにも
応用され、これによってかくしてこれらの金属を封鎖す
ることができ、本発明のシクロデキストリン誘導体は特
に化粧料製品においてこれらの金属の保護剤又は解毒剤
として作用し得るものである。
【００３５】本発明のシクロデキストリン誘導体には良
好な多数の別の用途が想定され特に毛管電気泳動に、ク
ロマトグラフィーのキラル相として又は別の場合には農
場生産分野での錯体の形成に想定される。
好な多数の別の用途が想定され特に毛管電気泳動に、ク
ロマトグラフィーのキラル相として又は別の場合には農
場生産分野での錯体の形成に想定される。
【００３６】本発明のシクロデキストリン誘導体を製造
する実施例及びこれらの誘導体を使用する実施例多数を
例示として以下に与える。
する実施例及びこれらの誘導体を使用する実施例多数を
例示として以下に与える。
【００３７】製造実施例 シリカ薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）プレートの目
視はＵＶにより又は１０％Ｈ2 ＳＯ4 を噴霧した後に且
つ次いで加熱によりあるいはエタノールに溶解してニン
ヒドリン反応且つ次いで加熱により行なった。ＮＭＲス
ペクトルはブルックナー２７０装置（国際記号ＴＭＳ）
により記録した。
視はＵＶにより又は１０％Ｈ2 ＳＯ4 を噴霧した後に且
つ次いで加熱によりあるいはエタノールに溶解してニン
ヒドリン反応且つ次いで加熱により行なった。ＮＭＲス
ペクトルはブルックナー２７０装置（国際記号ＴＭＳ）
により記録した。
【００３８】実施例１ モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリンの製造 （ａ） モノ〔Ｎ−（４−ベンジルオキシカルボニルア
ミノ−４−ベンジルオキシカルボニルブチリル）アミ
ノ〕−６−デオキシ−β−シクロデキストリン ０．２０９ｇの１−ヒドロキシベンゾトリアゾール及び
０．３８５ｇ（１．８５５・１０-3モル）のジシクロヘ
キシルカルボジイミドを、２０ｍｌのジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）に入れた０．６３５ｇ（１．６・１０-3
モル）のベンジル Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−α
−グルタメートの溶液に添加した。２０℃で３０分間攪
拌した後に、１．５ｇ（１．３２５・１０-3モル）のモ
ノ（６−アミノ−６−デオキシ）−β−シクロデキスト
リンを添加し、該混合物を室温で２４時間攪拌した。ジ
シクロヘキシル尿素を濾過した後に、有機溶液を真空下
に濃縮した。得られた固体を水から再結晶し、乾燥後に
は２４０℃以上の融点を有する無色の固体の形で存在し
た（収率：６８〜７８％）。
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリンの製造 （ａ） モノ〔Ｎ−（４−ベンジルオキシカルボニルア
ミノ−４−ベンジルオキシカルボニルブチリル）アミ
ノ〕−６−デオキシ−β−シクロデキストリン ０．２０９ｇの１−ヒドロキシベンゾトリアゾール及び
０．３８５ｇ（１．８５５・１０-3モル）のジシクロヘ
キシルカルボジイミドを、２０ｍｌのジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）に入れた０．６３５ｇ（１．６・１０-3
モル）のベンジル Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−α
−グルタメートの溶液に添加した。２０℃で３０分間攪
拌した後に、１．５ｇ（１．３２５・１０-3モル）のモ
ノ（６−アミノ−６−デオキシ）−β−シクロデキスト
リンを添加し、該混合物を室温で２４時間攪拌した。ジ
シクロヘキシル尿素を濾過した後に、有機溶液を真空下
に濃縮した。得られた固体を水から再結晶し、乾燥後に
は２４０℃以上の融点を有する無色の固体の形で存在し
た（収率：６８〜７８％）。
【００３９】ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．３８（溶離液：酢酸エ
チル３６％、イソプロパノール３６％、濃アンモニア水
２１％、水７％） ＮＭＲ（ｄ6 −ＤＭＳＯ）：ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＯ＝１．８
３〜１．９３、ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＯ＝２．２５、ＣＨ−Ｃ
Ｈ2 ＝４．１０、アノマープロトン＝４．８２、ＣＨ2
Ｃ6 Ｈ5 ＝５．０１、ＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ＝５．１０、Ｃ6
Ｈ5 ＝７．３１〜７．３４。
チル３６％、イソプロパノール３６％、濃アンモニア水
２１％、水７％） ＮＭＲ（ｄ6 −ＤＭＳＯ）：ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＯ＝１．８
３〜１．９３、ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＯ＝２．２５、ＣＨ−Ｃ
Ｈ2 ＝４．１０、アノマープロトン＝４．８２、ＣＨ2
Ｃ6 Ｈ5 ＝５．０１、ＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ＝５．１０、Ｃ6
Ｈ5 ＝７．３１〜７．３４。
【００４０】（ｂ） モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カ
ルボキシブチリル）アミノ〕−６−デオキシ−β−シク
ロデキストリン ２００ｍｇのＰｄ／Ｃ（１０％）を、２０ｍｌの水と５
０ｍｌのメタノールとの混合物に溶かした前記（ａ）の
化合物１．５ｇ（１・１０-3モル）の溶液に添加し、該
混合物を６時間水素下に２０℃で激しく攪拌した。水素
の除去後に、該混合物を濾過し、触媒を５ｍｌの水で３
回ゆすぎ、濾液を真空下に濃縮した。８６％の収率で２
４０℃以上の融点を有する無色固体を得た。
ルボキシブチリル）アミノ〕−６−デオキシ−β−シク
ロデキストリン ２００ｍｇのＰｄ／Ｃ（１０％）を、２０ｍｌの水と５
０ｍｌのメタノールとの混合物に溶かした前記（ａ）の
化合物１．５ｇ（１・１０-3モル）の溶液に添加し、該
混合物を６時間水素下に２０℃で激しく攪拌した。水素
の除去後に、該混合物を濾過し、触媒を５ｍｌの水で３
回ゆすぎ、濾液を真空下に濃縮した。８６％の収率で２
４０℃以上の融点を有する無色固体を得た。
【００４１】ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．２０（溶離液：前記の
１（ａ）と同一）。
１（ａ）と同一）。
【００４２】ＮＭＲ（ｄ6 −ＤＭＳＯ）：ＣＨ2 ＣＨ2
ＣＯ＝１．９０、ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＯ＝２．２９、アノマ
ープロトン＝４．８２〜４．８５、β−ＣＤ＝３．２９
〜３．３５及び３．５６〜３．６５。
ＣＯ＝１．９０、ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＯ＝２．２９、アノマ
ープロトン＝４．８２〜４．８５、β−ＣＤ＝３．２９
〜３．３５及び３．５６〜３．６５。
【００４３】１０００ｇ／ｌ以上の水への溶解度。
【００４４】実施例２ モノ〔Ｎ−（３−アミノ ３−カルボキシプロピオニ
ル）アミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリン
の製造 （ａ） モノ〔Ｎ−（３−ベンジルオキシカルボニルア
ミノ ３−ベンジルオキシカルボニルプロピオニル）ア
ミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリン ０．２０９ｇの１−ヒドロキシベンゾトリアゾール及び
０．３８５ｇ（１．８５５・１０-3モル）のジシクロヘ
キシルカルボジイミドを、２０ｍｌのジメチルホルムア
ミド中の０．６１１ｇ（１．６・１０-3モル）のベンジ
ル Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）アスパルテート
の溶液に添加した。２０℃で３０分間攪拌した後に、
１．５ｇ（１．３２５・１０-3モル）のモノ（６−アミ
ノ−６−デオキシ）−β−シクロデキストリンを添加
し、該混合物を次いで室温で２４時間攪拌した。
ル）アミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリン
の製造 （ａ） モノ〔Ｎ−（３−ベンジルオキシカルボニルア
ミノ ３−ベンジルオキシカルボニルプロピオニル）ア
ミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリン ０．２０９ｇの１−ヒドロキシベンゾトリアゾール及び
０．３８５ｇ（１．８５５・１０-3モル）のジシクロヘ
キシルカルボジイミドを、２０ｍｌのジメチルホルムア
ミド中の０．６１１ｇ（１．６・１０-3モル）のベンジ
ル Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）アスパルテート
の溶液に添加した。２０℃で３０分間攪拌した後に、
１．５ｇ（１．３２５・１０-3モル）のモノ（６−アミ
ノ−６−デオキシ）−β−シクロデキストリンを添加
し、該混合物を次いで室温で２４時間攪拌した。
【００４５】生成したジシクロヘキシル尿素を濾過し、
次いで有機溶液を真空下に濃縮した。得られた固体を水
から再結晶した。
次いで有機溶液を真空下に濃縮した。得られた固体を水
から再結晶した。
【００４６】２４０℃以上の融点を有し且つ７１〜８６
％の収率で無色の固体を得た。
％の収率で無色の固体を得た。
【００４７】ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．６２（溶離液：酢酸エ
チル３６％、イソプロパノール３６％、濃アンモニア水
２１％、水７％） ＮＭＲ（ｄ6 −ＤＭＳＯ）：ＣＨ2 ＣＯ＝３．０５及び
３．１５、β−ＣＤ＝３．３０及び３．６８、アノマー
プロトン：４．８２、ヒドロキシルプロトン：５．６１
〜５．７４、Ｃ6 Ｈ5 ：７．３３〜７．３７。
チル３６％、イソプロパノール３６％、濃アンモニア水
２１％、水７％） ＮＭＲ（ｄ6 −ＤＭＳＯ）：ＣＨ2 ＣＯ＝３．０５及び
３．１５、β−ＣＤ＝３．３０及び３．６８、アノマー
プロトン：４．８２、ヒドロキシルプロトン：５．６１
〜５．７４、Ｃ6 Ｈ5 ：７．３３〜７．３７。
【００４８】（ｂ） モノ〔Ｎ−（３−アミノ ３−カ
ルボキシプロピオニル）アミノ〕−６−デオキシ β−
シクロデキストリン ２００ｍｇのＰｄ／Ｃ（１０％）を、２０ｍｌの水と５
０ｍｌのメタノールとの混合物に入れた前記（ａ）の化
合物１．４８ｇ（１・１０-3モル）の溶液に添加し、次
いで該混合物を６時間水素下で２０℃で激しく攪拌し
た。
ルボキシプロピオニル）アミノ〕−６−デオキシ β−
シクロデキストリン ２００ｍｇのＰｄ／Ｃ（１０％）を、２０ｍｌの水と５
０ｍｌのメタノールとの混合物に入れた前記（ａ）の化
合物１．４８ｇ（１・１０-3モル）の溶液に添加し、次
いで該混合物を６時間水素下で２０℃で激しく攪拌し
た。
【００４９】水素の除去後に、該混合物を濾過し、触媒
を５ｍｌの水で３回ゆすぎ、次いで濾液を真空下に濃縮
した。
を５ｍｌの水で３回ゆすぎ、次いで濾液を真空下に濃縮
した。
【００５０】２４０℃以上の融点を有し且つ９１％の収
率で無色の固体を得た。
率で無色の固体を得た。
【００５１】１０００ｇ／ｌ以上の水への溶解度。
【００５２】ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．３７５（前記の２
（ａ）で用いたのと同一の溶離液）。
（ａ）で用いたのと同一の溶離液）。
【００５３】ＮＭＲ（ｄ6 −ＤＭＳＯ）：ＣＨ2 ＣＯ＝
２．９０、β−ＣＤ：３．３１及び３．７３、アノマー
プロトン＝４．８２、ヒドロキシルプロトン：５．６５
〜５．７９。
２．９０、β−ＣＤ：３．３１及び３．７３、アノマー
プロトン＝４．８２、ヒドロキシルプロトン：５．６５
〜５．７９。
【００５４】実施例３ モノ〔Ｎ−４−（２′−アミノ ２′−カルボキシエチ
ル） １−（フェニルオキシメチルカルボニル）アミ
ノ〕 ６−デオキシ β−シクロデキストリンの製造 Ａ） モノ〔Ｎ−４−（２′−ｔ−ブチルオキシカルボ
ニルアミノ ２′−メトキシカルボニルエチル） １−
（フェニルオキシメチルカルボニル）アミノ〕６−デオ
キシ β−シクロデキストリン （ａ） ０．１６５ｇ（２０．５・１０-3モル）の水素
化リチウムを室温で５．５ｇ（１８．７・１０-3モル）
のメチル Ｎ−（ｔ−ブチルオキシカルボニル）チロシ
ネートの溶液に添加した。１５分間攪拌した後に、４．
７１９ｇ（２０．５・１０-3モル）のベンジルブロモア
セテートを添加した。該混合物を４０℃で５時間攪拌
し、次いで真空下に濃縮し、Ｏ−アルキル化生成物は５
０％の酢酸エチルと５０％の石油エーテルとの混合物を
用いて溶離することによりシリカ上のクロマトグラフィ
ーによって分離した。８２％の収率で無色の固体が得ら
れた。
ル） １−（フェニルオキシメチルカルボニル）アミ
ノ〕 ６−デオキシ β−シクロデキストリンの製造 Ａ） モノ〔Ｎ−４−（２′−ｔ−ブチルオキシカルボ
ニルアミノ ２′−メトキシカルボニルエチル） １−
（フェニルオキシメチルカルボニル）アミノ〕６−デオ
キシ β−シクロデキストリン （ａ） ０．１６５ｇ（２０．５・１０-3モル）の水素
化リチウムを室温で５．５ｇ（１８．７・１０-3モル）
のメチル Ｎ−（ｔ−ブチルオキシカルボニル）チロシ
ネートの溶液に添加した。１５分間攪拌した後に、４．
７１９ｇ（２０．５・１０-3モル）のベンジルブロモア
セテートを添加した。該混合物を４０℃で５時間攪拌
し、次いで真空下に濃縮し、Ｏ−アルキル化生成物は５
０％の酢酸エチルと５０％の石油エーテルとの混合物を
用いて溶離することによりシリカ上のクロマトグラフィ
ーによって分離した。８２％の収率で無色の固体が得ら
れた。
【００５５】ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．９２（溶離液：１００
％酢酸エチル）、Ｒｆ＝０．３０（溶離液：５０％酢酸
エチル、５０％シクロヘキサン）。
％酢酸エチル）、Ｒｆ＝０．３０（溶離液：５０％酢酸
エチル、５０％シクロヘキサン）。
【００５６】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：（ＣＨ3 ）3 Ｃ＝
１．４２、ＣＨ2 −Ｃ6 Ｈ4 ＝３．０５、ＯＣＨ3 ＝
３．７、ＣＨＣＨ2 ＝４．６、ＯＣＨ2 ＣＯ＝４．６
４、ＮＨ＝４．９５、ＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ＝５．２５、ＣＨ
芳香族（アリールオキシ）＝６．８３及び７．０３、芳
香族（ベンジル）＝７．２７〜７．３７。
１．４２、ＣＨ2 −Ｃ6 Ｈ4 ＝３．０５、ＯＣＨ3 ＝
３．７、ＣＨＣＨ2 ＝４．６、ＯＣＨ2 ＣＯ＝４．６
４、ＮＨ＝４．９５、ＣＨ2 Ｃ6 Ｈ5 ＝５．２５、ＣＨ
芳香族（アリールオキシ）＝６．８３及び７．０３、芳
香族（ベンジル）＝７．２７〜７．３７。
【００５７】（ｂ） 得られた生成物を５０％のメタノ
ールと５０％の塩化メチレンとの混合物５０ｍｌに溶解
させ、次いで５０ｍｇのＰｄ／Ｃ（５％）を該溶液に添
加し、該混合物を水素の雰囲気下に攪拌した。
ールと５０％の塩化メチレンとの混合物５０ｍｌに溶解
させ、次いで５０ｍｇのＰｄ／Ｃ（５％）を該溶液に添
加し、該混合物を水素の雰囲気下に攪拌した。
【００５８】水素の吸収が終了した時（出体５０分
後）、該混合物を濾過し、触媒を１０ｍｌの塩化メチレ
ンで２回ゆすぎ、該溶液を次いで蒸発させた。
後）、該混合物を濾過し、触媒を１０ｍｌの塩化メチレ
ンで２回ゆすぎ、該溶液を次いで蒸発させた。
【００５９】黄色油が９６％の収率で得られた。
【００６０】ＴＬＣ：Ｒｆ＝0.45（溶離液：１００％酢
酸エチル） Ｒｆ＝0.15（溶離液：５０％酢酸エチル／５０シクロヘ
キサン）。
酸エチル） Ｒｆ＝0.15（溶離液：５０％酢酸エチル／５０シクロヘ
キサン）。
【００６１】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：（ＣＨ3 ）3 Ｃ＝
１．４５、ＣＨ2 −Ｃ6 Ｈ4 ＝３．０１、ＯＣＨ3 ＝
３．７２、ＣＨＣＨ2 ＝４．５３、ＯＣＨ2 ＣＯ＝４．
６４、ＮＨ＝４．９５、ＣＨ芳香族（アリールオキシ）
＝６．８１及び７．０２。
１．４５、ＣＨ2 −Ｃ6 Ｈ4 ＝３．０１、ＯＣＨ3 ＝
３．７２、ＣＨＣＨ2 ＝４．５３、ＯＣＨ2 ＣＯ＝４．
６４、ＮＨ＝４．９５、ＣＨ芳香族（アリールオキシ）
＝６．８１及び７．０２。
【００６２】（ｃ） かくして得られた酸を次いで実施
例１（ａ）と同じ条件下で（６−アミノ−６−デオキ
シ）−β−シクロデキストリンと反応させた。
例１（ａ）と同じ条件下で（６−アミノ−６−デオキ
シ）−β−シクロデキストリンと反応させた。
【００６３】予期した生成物が７８％の収率で無色固体
の形で得られた。
の形で得られた。
【００６４】ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．３０（溶離液：３６％
酢酸エチル、３６％イソプロパノール、２１％濃アンモ
ニア水、７％水）。
酢酸エチル、３６％イソプロパノール、２１％濃アンモ
ニア水、７％水）。
【００６５】ＮＭＲ（ＤＭＳＯ＋Ｄ2 Ｏ）：Ｃ（Ｃ
Ｈ3 ）3 ＝１．４３、β−Ｃ＋ＯＣＨ3 ＝３．２〜３．
４及び３．５〜３．６、ＣＨＣＨ2 ＝４．５０、ＯＣＨ
2 ＣＯ＝４．６、ＣＨ芳香族（アリールオキシ）＝６．
８３及び７．０８。
Ｈ3 ）3 ＝１．４３、β−Ｃ＋ＯＣＨ3 ＝３．２〜３．
４及び３．５〜３．６、ＣＨＣＨ2 ＝４．５０、ＯＣＨ
2 ＣＯ＝４．６、ＣＨ芳香族（アリールオキシ）＝６．
８３及び７．０８。
【００６６】Ｂ） モノ〔Ｎ−４−（２′−アミノ
２′−カルボキシエチル） １−（フェニルオキシメチ
ルカルボニルアミノ〕 ６−デオキシ β−シクロデキ
ストリン 前記のＡ（ｃ）で得られた化合物を塩化メチレン中のト
リフルオロ酢酸の１：１溶液１０ｍｌに溶解させた。室
温で２時間後に、該混合物を濃縮し、１０ｍｌの水に溶
解させ、次いで３０ｍｌの１Ｎ水酸化ナトリウム溶液を
添加した。室温で３時間攪拌した後に、該混合物を真空
下に濃縮し、固体を再び水に溶解させた。セファデック
スカラム上で精製した後に、生成物を凍結乾燥させた。
２′−カルボキシエチル） １−（フェニルオキシメチ
ルカルボニルアミノ〕 ６−デオキシ β−シクロデキ
ストリン 前記のＡ（ｃ）で得られた化合物を塩化メチレン中のト
リフルオロ酢酸の１：１溶液１０ｍｌに溶解させた。室
温で２時間後に、該混合物を濃縮し、１０ｍｌの水に溶
解させ、次いで３０ｍｌの１Ｎ水酸化ナトリウム溶液を
添加した。室温で３時間攪拌した後に、該混合物を真空
下に濃縮し、固体を再び水に溶解させた。セファデック
スカラム上で精製した後に、生成物を凍結乾燥させた。
【００６７】２４０℃以上の融点を有し且つ７６％の収
率で無色の粉末を得た。
率で無色の粉末を得た。
【００６８】ＮＭＲ（ＤＭＳＯ）：β−ＣＤ＝３．２〜
３．４及び３．５〜３．６、アノマープロトン＝４．８
５、芳香族プロトン＝６．８７及び７．１２。
３．４及び３．５〜３．６、アノマープロトン＝４．８
５、芳香族プロトン＝６．８７及び７．１２。
【００６９】ＴＬＣ：Ｒｆ＝０．２３（溶離液：酢酸エ
チル３６％、イソプロパノール３６％、濃アンモニア水
２１％、水７％）。
チル３６％、イソプロパノール３６％、濃アンモニア水
２１％、水７％）。
【００７０】水中への溶解度：９００ｇ／ｌ。
【００７１】応用実施例 実施例Ａ モノ〔Ｎ−（３−アミノ ３−カルボキシプロピオニ
ル）アミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリン
中のミノキシジルの包接錯体 ０．３ｍｌの水に溶かした実施例２（ｂ）で製造した化
合物１１４ｍｇの溶液に２２ｍｇのミノキシジルを７０
℃で添加した。７０℃で１５分間攪拌した後に、該混合
物を室温に冷却し、次いで濾過した。得られた澄明な溶
液を凍結乾燥した。
ル）アミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリン
中のミノキシジルの包接錯体 ０．３ｍｌの水に溶かした実施例２（ｂ）で製造した化
合物１１４ｍｇの溶液に２２ｍｇのミノキシジルを７０
℃で添加した。７０℃で１５分間攪拌した後に、該混合
物を室温に冷却し、次いで濾過した。得られた澄明な溶
液を凍結乾燥した。
【００７２】ＨＰＬＣ及びＮＭＲにより行なった定量的
な測定によると、この錯体は１５．４％のミノキシジル
を含有し、これは実施例２（ｂ）の化合物の１分子当り
１．１分子のミノキシジルの割合に対応する。
な測定によると、この錯体は１５．４％のミノキシジル
を含有し、これは実施例２（ｂ）の化合物の１分子当り
１．１分子のミノキシジルの割合に対応する。
【００７３】実施例２（ｂ）によるシクロデキストリン
誘導体中にミノキシジルを包接すると、４０の程度の因
子だけ水中へのその溶解度を増大させ、該溶解度はその
時１１０ｇ／ｌである。
誘導体中にミノキシジルを包接すると、４０の程度の因
子だけ水中へのその溶解度を増大させ、該溶解度はその
時１１０ｇ／ｌである。
【００７４】実施例Ｂ モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中のミノ
キシジルの包接錯体 実施例Ａに記載したのと同じ手法により１２８ｍｇの実
施例１（ｂ）で製造した化合物と２１ｍｇのミノキシジ
ルとからモノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチ
リル）アミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリ
ン中のミノキシジルの包接錯体を製造した。
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中のミノ
キシジルの包接錯体 実施例Ａに記載したのと同じ手法により１２８ｍｇの実
施例１（ｂ）で製造した化合物と２１ｍｇのミノキシジ
ルとからモノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチ
リル）アミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリ
ン中のミノキシジルの包接錯体を製造した。
【００７５】ＮＭＲにより行なった定量的な測定による
と、この錯体は実施例１（ｂ）の化合物の１分子当りの
ミノキシジルを含有した。
と、この錯体は実施例１（ｂ）の化合物の１分子当りの
ミノキシジルを含有した。
【００７６】実施例１（ｂ）のシクロデキストリン誘導
体中にミノキシジルを包接させると４０の程度の因子だ
け水中へのその溶解度を増大させ、該溶解度はその時１
１０ｇ／ｌである。
体中にミノキシジルを包接させると４０の程度の因子だ
け水中へのその溶解度を増大させ、該溶解度はその時１
１０ｇ／ｌである。
【００７７】実施例Ｃ モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の５−
フルオロウラシルの包接錯体 モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の５−
フロオロウラシルの包接錯体を実施例Ａに記載したのと
同じ方法により１２８ｍｇの実施例１（ｂ）で製造した
化合物と１３ｍｇの５−フルオロウラシルとから製造し
た。
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の５−
フルオロウラシルの包接錯体 モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の５−
フロオロウラシルの包接錯体を実施例Ａに記載したのと
同じ方法により１２８ｍｇの実施例１（ｂ）で製造した
化合物と１３ｍｇの５−フルオロウラシルとから製造し
た。
【００７８】ＮＭＲによって行なった定量的な測定によ
ると、この錯体は実施例１（ｂ）の化合物の１分子当り
１分子の５−フルオロウラシルを含有した。
ると、この錯体は実施例１（ｂ）の化合物の１分子当り
１分子の５−フルオロウラシルを含有した。
【００７９】実施例１（ｂ）のシクロデキストリン誘導
体中に５−フルオロウラシルを包接させると１００の程
度の因子だけ水中へのその溶解度を増大させ、該溶解度
はその時８０ｇ／ｌである。
体中に５−フルオロウラシルを包接させると１００の程
度の因子だけ水中へのその溶解度を増大させ、該溶解度
はその時８０ｇ／ｌである。
【００８０】実施例Ｄ モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の６−
〔３−（１−アダマンチル）−４−メトキシフェニル〕
−２−ナフトエ酸の包接錯体 モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の６−
〔３−（１−アダマンチル）−４−メトキシフェニル〕
−２−ナフトエ酸の包接錯体を、実施例Ａに記載したの
と同じ方法により１２８ｍｇの実施例１（ｂ）で製造し
た化合物と１０ｍｇの６−〔３−（１−アダマンチル）
−４−メトキシフェニル〕２−ナフトエ酸とから製造し
た。
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の６−
〔３−（１−アダマンチル）−４−メトキシフェニル〕
−２−ナフトエ酸の包接錯体 モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の６−
〔３−（１−アダマンチル）−４−メトキシフェニル〕
−２−ナフトエ酸の包接錯体を、実施例Ａに記載したの
と同じ方法により１２８ｍｇの実施例１（ｂ）で製造し
た化合物と１０ｍｇの６−〔３−（１−アダマンチル）
−４−メトキシフェニル〕２−ナフトエ酸とから製造し
た。
【００８１】ＮＭＲにより行なった定量的な測定による
と、この錯体は実施例１（ｂ）の化合物の８分子当り１
分子の６−〔３−（１−アダマンチル）−４−メトキシ
フェニル〕２−ナフトエ酸を含有した。
と、この錯体は実施例１（ｂ）の化合物の８分子当り１
分子の６−〔３−（１−アダマンチル）−４−メトキシ
フェニル〕２−ナフトエ酸を含有した。
【００８２】実施例１（ｂ）のシクロデキストリン誘導
体中に６−〔３−（１−アダマンチル）−４−メトキシ
フェニル〕−２−ナフトエ酸を包接させると１，０００
の程度の因子だけ水中へのその溶解度を増大させ、該溶
解度はその時４０ｇ／ｌである。
体中に６−〔３−（１−アダマンチル）−４−メトキシ
フェニル〕−２−ナフトエ酸を包接させると１，０００
の程度の因子だけ水中へのその溶解度を増大させ、該溶
解度はその時４０ｇ／ｌである。
【００８３】実施例Ｅ モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の１７
・ヒドロキシコルチコステロンの包接錯体 モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の１７
・ヒドロキシコルチコステロンの包接錯体を、実施例Ａ
に記載したのと同じ方法により１２８ｍｇの実施例１
（ｂ）で製造した化合物と２０ｍｇの１７・ヒドロキシ
コルチコステロンとから製造した。
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の１７
・ヒドロキシコルチコステロンの包接錯体 モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキシブチリル）ア
ミノ〕−６−デオキシβ−シクロデキストリン中の１７
・ヒドロキシコルチコステロンの包接錯体を、実施例Ａ
に記載したのと同じ方法により１２８ｍｇの実施例１
（ｂ）で製造した化合物と２０ｍｇの１７・ヒドロキシ
コルチコステロンとから製造した。
【００８４】ＮＭＲにより行なった定量的な測定による
と、この錯体は実施例１（ｂ）の化合物の２分子当り１
分子の１７・ヒドロキシコルチコステロンを含有した。
と、この錯体は実施例１（ｂ）の化合物の２分子当り１
分子の１７・ヒドロキシコルチコステロンを含有した。
【００８５】実施例１（ｂ）のシクロデキストリン誘導
体中に１７・ヒドロキシコルチコステロンを包接させる
と２００の程度の因子だけ水中へのその溶解度を増大さ
せ、該溶解度はその時１１ｇ／ｌである。
体中に１７・ヒドロキシコルチコステロンを包接させる
と２００の程度の因子だけ水中へのその溶解度を増大さ
せ、該溶解度はその時１１ｇ／ｌである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 229/22 7537−4Ｈ 323/59 7419−4Ｈ (72)発明者 マイナン・ジヤン フランス国．93290・トランブレイ・レ・ ゴネス．リユ・アルビイ．８
Claims (20)
- 【請求項１】 次式（Ｉ）： （式中ＣＤはα−，β−又はγ−シクロデキストリンを
表わし、ｎは０又は１であり、Ｚは から選んだ二価の基である）に相当することを特徴とす
る、α−アミノ酸残基により６−位で置換されたモノ
（６−アミノ−６−デオキシ）シクロデキストリン誘導
体。 - 【請求項２】 シクロデキストリンはβ−シクロデキス
トリンであることを特徴とする、請求項１のシクロデキ
ストリン誘導体。 - 【請求項３】 モノ〔Ｎ−（４−アミノ ４−カルボキ
シブチリル）アミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキ
ストリン、 モノ〔Ｎ−（３−アミノ ３−カルボキシプロピオニ
ル）アミノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリ
ン、 モノ〔Ｎ−４−（２′−アミノ ２′−カルボキシエチ
ル） １−（フェニルオキシメチルカルボニル）アミ
ノ〕−６−デオキシ β−シクロデキストリンから選ば
れることを特徴とする、請求項１及び２の何れかに記載
のシクロデキストリン誘導体。 - 【請求項４】 次式（２） （式中Ｚ及びｎは請求項１に定義した如くであり、Ｒ1
はｔ−ブチル基又はベンジル基を表わし、Ｒ2 はメチル
基又はベンジル基を表わす）のα−アミノ酸官能基保護
済みのα−アミノジカルボン酸を次式：ＣＤＮＨ2（式
中ＣＤは請求項１に定義した如くである）のモノ（６−
アミノ−６−デオキシ）シクロデキストリンと有機溶剤
に溶かして反応させ、その際この反応は１−ヒドロキシ
ベンゾトリアゾール及びジシクロヘキシルカルボジイミ
ドの存在下で行なうものとし、次いで保護したα−アミ
ノ酸官能基を脱保護することを特徴とする、請求項１〜
３の何れかに記載のモノ（６−アミノ−６−デオキシ）
シクロデキストリンの製造方法。 - 【請求項５】 有機溶剤はジメチルホルムアミドである
ことを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 １−ヒドロキシベンゾトリアゾールは保
護したα−アミノジカルボン酸に関して２０％を越えな
いモル過剰量で使用し、ジシクロヘキシルカルボジイミ
ドは保護したα−アミノジカルボン酸に関して３０％を
越えないモル過剰量で使用することを特徴とする請求項
４又は５記載の方法。 - 【請求項７】 モノ（６−アミノ−６−デオキシ）シク
ロデキストリンと保護したα−アミノジカルボン酸との
モル比は１〜１．５であることを特徴とする請求項４〜
６の何れかに記載の方法。 - 【請求項８】 モノ（６−アミノ−６−デオキシ）シク
ロデキストリンはモノ（６−アミノ−６−デオキシ）−
β−シクロデキストリンであることを特徴とする請求項
４〜７の何れかに記載の方法。 - 【請求項９】 脱保護は式（２）においてＲ1 及びＲ2
がベンジル基を表わす時にはＰｄ／ｃ（５〜１０％）の
存在下に水添により行なうことを特徴とする請求項４〜
８の何れかに記載の方法。 - 【請求項１０】 脱保護は式（２）においてＲ1 がｔ−
ブチル基を表わす時にはトリフルオロ酢酸の存在下に行
ない、エステル官能基の脱保護は水酸化ナトリウムの存
在下にケン化により得られることを特徴とする請求項４
〜８の何れかに記載の方法。 - 【請求項１１】 保護したα−アミノジカルボン酸は ベンジル Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）アスパル
テート、ベンジル Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）
グルタメート及びメチル Ｎ−（ｔ−ブチルオキシカル
ボニル）−Ｏ−（カルボキシメチル）チロシネートから
選ばれることを特徴とする請求項４〜９の何れかに記載
の方法。 - 【請求項１２】 次式（II）： （式中Ｒは水素原子又はベンジル基を表わし、Ｒ1 はｔ
−ブチル基又はベンジル基を表わし、Ｒ2 はメチル基又
はヘンジル基を表わし、Ｚ′は から選んだ二価の基を表わす）を有する、シクロデキス
トリン誘導体の合成用中間体。 - 【請求項１３】 メチル Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニ
ル）−Ｏ−（ベンジルオキシカルボニルメチル）チロシ
ネート及びメチル Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）−
Ｏ−（カルボギシメチル）チロシネートから選ばれるこ
とを特徴とする請求項１２記載の中間体。 - 【請求項１４】 水素化リチウムの存在下に有機溶剤中
でベンジルブロモアセラートを次式（５）： （式中ＨＺ′基は 基を表わし、Ｒ1 はｔ−ブチル基又はベンジル基を表わ
し、Ｒ2 はメチル基又はベンジル基を表わす）の保護済
みω−ヒドロキシ−又はω−メルカプト−α−アミノ酸
と反応させ、しかも場合によっては次式： の得られた生成物を、対応の酸を得る目的でＰｄ／Ｃの
存在下にメタノール／塩化メチレン溶液中で水添にかけ
ることを特徴とする、請求項１２又は１３記載の中間体
の製造方法。 - 【請求項１５】 式（５）の保護したω−ヒドロキシ−
α−アミノ酸はメチル Ｎ−（ｔ−ブチルオキシカルボ
ニル）チロシネートであることを特徴とする請求項１４
記載の方法。 - 【請求項１６】 請求項１〜３による又は請求項４〜１
１により得られた少なくとも１種のシクロデキストリン
誘導体を０．１〜１０重量％の量で含有してなることを
特徴とする化粧料又は皮膚処置用組成物。 - 【請求項１７】 親油性であるか又は水性媒質中で不溶
性又は不安定性である活性物質と請求項１〜３の何れか
のシクロデキストリン誘導体との包接錯体。 - 【請求項１８】 活性物質は抗酸化剤、フリーラジカル
に対して活性である化合物、抗▲ざ▼瘡剤、老化防止
剤、抗乾癬剤、防腐剤、殺菌剤、毛髪再生促進剤、角質
層を水和及び／又は可塑化する薬剤、遮光剤、脂質遮断
層の再生剤、染髪料、脱色剤、抗炎症剤、抗ウイルス
剤、抗ガン剤及びステロイドから選ばれることを特徴と
する請求項１７記載の包接錯体。 - 【請求項１９】 請求項１〜３の何れかのシクロデキス
トリン誘導体と請求項１８に定義した如き少なくとも１
種の活性物質とを用いて形成された包接錯体を含有する
ことを特徴とする化粧料又は皮膚処置用組成物。 - 【請求項２０】 組成物の全重量に関して０．１〜３０
％の割合で包接錯体を含有することを特徴とする請求項
１９記載の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9305782A FR2705350B1 (fr) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | Nouveaux dérivés de mono(6-amino 6-désoxy) cyclodextrine substituée en position 6 par un reste d'alpha-aminoacide, leur procédé de préparation et leurs utilisations. |
| FR9305782 | 1993-05-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH072906A true JPH072906A (ja) | 1995-01-06 |
| JP2562281B2 JP2562281B2 (ja) | 1996-12-11 |
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ID=9447094
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6098820A Expired - Fee Related JP2562281B2 (ja) | 1993-05-13 | 1994-05-12 | α−アミノ酸残基により６−位で置換された新規なモノ（６−アミノ−６−デオキシ）シクロデキストリン誘導体、その製造方法及び応用 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5631244A (ja) |
| EP (1) | EP0624599B1 (ja) |
| JP (1) | JP2562281B2 (ja) |
| DE (1) | DE69404546T2 (ja) |
| FR (1) | FR2705350B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2010174105A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Fukuoka Univ | 多機能性シクロデキストリン誘導体、その包接化合物およびそれらの製造方法。 |
| JP2014177602A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 水不溶性シクロデキストリンポリマーおよびその製造方法 |
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| US5653971A (en) * | 1995-06-30 | 1997-08-05 | The Gillette Company | Shaving aid composite with an inclusion complex of a skin-soothing agent and a cyclodextrin |
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| US6316010B2 (en) | 1997-06-12 | 2001-11-13 | The Procter & Gamble Company | Cosmetic compositions |
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| GB0027180D0 (en) * | 2000-11-07 | 2000-12-27 | Unilever Plc | Cosmetic and personal care compositions |
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| WO2009001364A2 (en) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Capsutech Ltd | Targeting conjugates comprising active agents encapsulated in cyclodextrin-containing polymers |
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1994
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Cited By (2)
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| JP2014177602A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 水不溶性シクロデキストリンポリマーおよびその製造方法 |
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