JPH07245282A - ウエハ洗浄装置 - Google Patents
ウエハ洗浄装置Info
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- JPH07245282A JPH07245282A JP6033437A JP3343794A JPH07245282A JP H07245282 A JPH07245282 A JP H07245282A JP 6033437 A JP6033437 A JP 6033437A JP 3343794 A JP3343794 A JP 3343794A JP H07245282 A JPH07245282 A JP H07245282A
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Abstract
なく、ウエハの上に付着している汚染物を除去する洗浄
装置を提供すること。 【構成】 当該装置は、ウエハ1を構成する部材と反応
しない液体を供給する液体供給手段23と、液体供給手
段23から供給されてくる液体を分断し、これを液滴2
1に変える液滴形成手段10を備える。当該装置は、さ
らに、液滴21をウエハ1の表面に向けて噴出する噴出
手段22を備える。
Description
置に関するものであり、より特定的には、ウエハの上に
付着している汚染物粒子を除去するウエハ洗浄装置に関
する。
により膜を形成すると、その表面にパーティクル状の汚
染物が付着する。また、レジストの残渣が、ウエハの表
面に付着することがある。これらの汚染物を除去する方
法として、高圧ジェット水洗浄、メガソニック流水洗浄
およびアイススクラバー洗浄等が提案されている。
従来の洗浄法を実現する装置の概念図である。
と、ウエハ1を支持して、これを回転させるステージ2
と、を備える。この洗浄方法においては、まず、液加圧
器3によって圧縮された純水等の液が、噴射ノズル4よ
り、ウエハ1の表面に向けて連続的に高速噴射される。
高速噴射された液がウエハ1の表面へ衝突することによ
って、ウエハ1の表面に付着している汚染物粒子が除去
され、洗浄が行なわれる。ウエハ1を、ステージ2を回
転させることによって回転させ、かつ噴射ノズル4を移
動させることによって、ウエハ1の表面全面が洗浄され
る。
ズル4から高速噴射された液は、図16を参照して、液
の柱20となって、ウエハ1の表面に衝突する。
すなわち、多量の純水等の液が、高速でウエハ1の表面
に衝突するので、ウエハ1の表面に静電気が発生し、ひ
いてはウエハ1の表面に形成されているデバイスにダメ
ージを与えてしまうという問題点がある。このダメージ
の低減対策として、純水中にCO2 ガス等を混入させ
て、純水の比抵抗を下げ、ひいては、ウエハ1の表面に
発生する静電気を低減させる方法もあるが、完全ではな
い。また、この方法によるもう1つの問題点は、1μm
以下の微小異物(パーティクル)を十分に除去できない
ということである。
る従来の洗浄方法を示す模式図である。洗浄装置は、ウ
エハ1を回転させるステージ2と、純水等の液に1.5
MHz程度の高周波を印加して、これを放出するノズル
5とを備える。この洗浄方法においては、ノズル5によ
って、垂直方向に純水を高周波振動させ、これをウエハ
1へ向けて放出することによって、ウエハの洗浄を行な
う。この方法の問題点は、次のとおりである。
μm以下の微小異物(パーティクル)を十分に除去でき
ない点である。また、ステージ2の回転を速くすること
で、洗浄効果が多少高まる。しかし、この場合、ウエハ
1の周辺部では洗浄効果が大きいが、ウエハ1の中央部
では洗浄効果が小さい。そのため、ウエハ1面内に洗浄
むらが生じるという問題点もあった。さらに、ウエハ1
の表面に形成されたデバイスの微細パターンを破壊する
という問題点もあった。デバイスの破壊と洗浄効果との
間には、相関関係が認められている。この洗浄方法で
は、デバイスの破壊および洗浄効果を制御するパラメー
タとして、印加する高周波の周波数および出力、ステー
ジ2の回転数、ノズル5とウエハ1との距離がある。し
かし、これらのパラメータの制御範囲が狭いため、これ
らを制御することが困難であった。
る従来の洗浄方法を実現する装置の模式図である。当該
洗浄装置は、氷粒子を生成する製氷ホッパー6を備え
る。製氷ホッパー6には、被凍結液である純水を製氷ホ
ッパー6内に供給する供給スプレー7が設けられてい
る。製氷ホッパー6の底部には、氷粒子をウエハ1へ向
けて噴射する噴射ノズル8が設けられている。
の液化ガスを、製氷ホッパー6内へ供給する。純水等の
被凍結液を、供給スプレー7によって、製氷ホッパー6
内に微噴霧する。製氷ホッパー6内で生成した数μmか
ら数10μmの氷粒子を、ガスイジェクタ方式の噴射ノ
ズル8からウエハ1へ向けて噴射すると、ウエハ1の表
面の洗浄が行なわれる。この洗浄方法は、上述の高圧ジ
ェット水洗浄やメガソニック流水洗浄と比べて、洗浄効
果は高い。しかしながら、洗浄力を決めている氷粒子の
噴射速度が、ガスイジェクタ方式の噴射ノズル8を用い
ているため、音速を超えることができず、洗浄力に限界
があった。また、氷粒子を形成するために、多量の液体
窒素を使用しているため、液体窒素の供給設備にイニシ
ャルコストが高くつき、またランニングコストも高いと
いう問題点があった。また、上述のデバイスの破壊の問
題は、氷粒子の噴射速度を制御することによって、抑制
され得る。しかしながら、装置上の問題を考慮して、現
状、氷粒子の噴射速度は100〜330m/secの範
囲内にしか制御できず、制御幅が狭い。そのため、デバ
イスの破壊を完全に抑制することができないという問題
点があった。
上に付着している汚染物粒子を除去するウエハ洗浄装置
を提供することにある。
している、1μm以下の微小異物を除去することができ
るように改良されたウエハ洗浄装置を提供することにあ
る。
音速を超えることができるように改良されたウエハ洗浄
装置を提供することにある。
コストの安いウエハ洗浄装置を提供することにある。
損傷を与えずに、ウエハの上に付着している汚染物粒子
を除去できるように改良されたウエハ洗浄装置を提供す
ることにある。
従うウエハ洗浄装置は、ウエハの上に付着している汚染
物粒子を除去する装置に係る。当該ウエハ洗浄装置は、
上記ウエハを構成する部材と反応しない液体を供給する
液体供給手段と、上記液体供給手段から供給されてくる
液体を分断し、これを液滴に変える液滴形成手段と、を
備える。当該装置は、さらに上記液滴を上記ウエハの表
面に向けて噴出する噴出手段を備える。
該装置は、上記ウエハの表面に向けて、ガスを斜め方向
から吹き付ける手段を、さらに含む。
ば、上記液滴の粒径を制御する手段と、上記液滴が上記
ウエハに衝突する速度を制御する手段と、上記液滴が上
記ウエハへ衝突する角度を制御する手段と、をさらに備
える。
置は、ウエハの上に付着している汚染物粒子を除去する
装置に係るものである。当該ウエハ洗浄装置は、ホッパ
ーと、上記ウエハを構成する部材と反応しない液体を供
給する液体供給手段と、を備える。上記ホッパーには、
上記液体供給手段から供給されてくる上記液体を該ホッ
パー内へ噴霧することによって、該液体の液滴を形成す
るスプレーが取り付けられている。上記ホッパーには、
該ホッパー内にガスを加圧して供給するガス供給手段が
取り付けられている。
記ガス供給手段は、上記ホッパー内で上記ガスが渦巻き
状に流れるように、複数個設けられる。
置は、ウエハの上に付着している汚染物粒子を除去する
装置に係る。当該装置は、液を加圧する液加圧器と、ガ
スを加圧するガス加圧器と、を備える。当該装置は、さ
らに、上記液加圧器と上記ガス加圧器との双方が接続さ
れ、上記液と上記ガスとのどちらかを噴出する噴出ノズ
ルを備える。上記ノズル内には、上記液と上記ガスとの
切替えを行なうバルブが設けられている。
置は、ウエハの上に付着している汚染物粒子を除去する
ウエハ洗浄装置である。当該装置は、液体を加圧して、
該液体を上記ウエハに向けて連続的に噴出する噴出手段
を備える。上記ウエハと上記噴出手段との間に、上記噴
出手段から噴出されてくる液体を、上記ウエハに到達す
る前に分断する分断手段が配置されている。
記分断手段は回転スリットを含む。
がウエハの表面に向けて噴射される。ウエハ上の異物の
除去は、液滴の噴出速度に最も影響を受ける。液滴の噴
出速度は容易に音速を超えられるので、汚染物粒子の除
去力が大きくなる。
材が該異物に当たった瞬間に行なわれる。本発明におい
ては、衝突部材を液滴にしているので、当たった瞬間が
多く得られ、ひいては、異物の除去効率が高くなる。
る。
る。ウエハ洗浄装置は、微細な液滴21を形成し、該液
滴21を噴出するホッパー9を備える。ホッパー9に
は、該ホッパー9内に液体を微噴霧するスプレー10が
設けられる。スプレー10には、該スプレー10へ、ウ
エハを構成する部材と反応しない液体を供給する液体供
給手段23が接続されている。ホッパー9には、また、
該ホッパー9内に乾燥空気あるいは窒素等のガスを加圧
して供給するガス供給手段22が設けられている。当該
装置は、さらに、ウエハ1を支持し、これを回転させる
ステージ2を備える。液滴21の粒径は、スプレー10
の形状と、液の供給圧で決定される。また、洗浄力を決
定する液滴21の噴出速度は、ホッパー9内へのガスの
供給圧と、ホッパー9の出口の径で制御される。本実施
例では、ガスの供給圧を制御することにより、液滴21
の噴出速度は、0〜330m/secの範囲で制御が可
能である。
覆われていると、洗浄力が低下するため、液滴21の噴
出量(液の供給量)とステージ2の回転速度を制御し
て、ウエハ1へ衝突した液滴を速やかに除去するのが好
ましい。
て説明する。図2(a)を参照して、液滴21がウエハ
1の上へ、V0 の速度で衝突する。その衝突の際、図2
(b)を参照して、液滴21の下部に、衝撃圧Pと呼ば
れる圧力が生じる。次の瞬間、図2(c)を参照して、
この衝撃圧Pによって、水平方向へ、放射流と呼ばれる
流れが生じる。
CL は液中の音速、CS は基板中の音速、αは次式で示
す低減係数を表わしている。式中、ρS は基板の密度を
表わしている。
る力によって除去される。
は、次式で表わされる。
Rが103 よりも大きく、かつ球形粒子の場合、抗力係
数CD は0.47となる。式中、dは粒子の粒径を表わ
している。
子として、液滴の衝突速度、液の密度、液中の音速と、
液の粘度がある。したがって、除去力を大きくするため
には、液の材料としては、その密度が大きく、また、音
速が速いものが好ましい。
ことにより、密度と音速を変化させることが可能であ
る。温度制御手段で、純水の温度を4℃に制御すると、
純水の密度と、純水中の音速を最も大きくすることがで
きる。
(静電気)を考慮して、CO2 等のガスまたは界面活性
剤を純水中に混入して、純水の比抵抗を低下させること
も、本実施例の好ましい変形例である。
重、音速、粘度が大きい液または液状物質(ゲル状物質
を含む)も好ましく用いられる。
て、液滴21の衝突角度を調節することも好ましい。液
滴21の衝突角度は、計算によれば、ウエハの表面から
56°になるのが好ましい。
ッパー9内でガスが渦巻き状に流れるように、ガス供給
手段22は複数個設けられるのが好ましい。このように
構成すると、液滴と液滴とが互いにくっつくのが防止さ
れる。
る。当該装置は、イジェクタノズル11を備える。図5
は、イジェクタノズル11の断面図である。イジェクタ
ノズル11は、液滴の生成と噴射を行なうものである。
イジェクタノズル11は、図4と図5を参照して、加圧
したガスを用いるイジェクタ方式によって、液体を吸引
し、さらにこれをちぎり、液滴化し、噴出する。
給量)によって制御される。また、液滴21の噴出量と
粒径は、液の供給圧(供給量)によって制御される。
明する。図5を参照して、純水の供給圧を7kg/cm
2 とし、純水の流量を2l/minとする。配管11の
内径を1.8mmとする。ガスの供給圧を8.5kg/
cm2 とし、ガスの流量を300l/minとする。配
管11の内径を4.35mmとする。このような条件下
で、液滴21の噴射速度を、音速(330m/sec)
に等しくすることができる。
る。当該洗浄装置は、液を加圧する液加圧器3と、ガス
を加圧するガス加圧器12とを備える。液加圧器3とガ
ス加圧器12との双方は、液とガスとのどちらかを噴出
する噴出ノズル13に接続される。噴出ノズル13内に
は、液とガスとの切替えを行なうバルブが設けられてい
る(図示せず)。液滴の大きさ、および液滴の間隔は、
このバルブの開閉時間によって制御される。液滴の噴出
速度は、液加圧器3の加圧圧力で制御される。液が噴出
していないときは、ガスが噴出ノズル13よりウエハ1
上へ噴出し、それによって、ウエハ1上に付着している
液が除去される。その結果、液滴がウエハ1上へ衝突す
る瞬間は、ウエハ1上に液が存在しないため、効果的な
洗浄が行なわれる。
開閉の様子を示す図である。水が噴出しているときはガ
スは止められ、ガスが噴出しているときには水が止めら
れている。水およびガスのそれぞれの開閉時間は、0.
1msec〜1secである。
る。当該洗浄装置は、液を加圧する液加圧器3と、液体
をウエハ1に向けて噴出する噴出手段4とを備える。ウ
エハ1と噴出手段4との間には、噴出手段4から噴出さ
れてくる液体の柱を、断続的に分断する分断手段14が
設けられている。図9は、分断手段の一例を示す模式図
である。分断手段14は、円板15を備える。円板15
には、1またはそれ以上のスリット16が設けられてい
る。分断手段14は、図中矢印で示すように、回転す
る。
を、ウエハ1へ到達する前に、この液体の柱を分断手段
14によって分断し、それによって、液滴を得る。その
後、得られた液滴は、ウエハ1へ衝突する。
説明する。図10を参照して、スリット16の幅を4m
mとする。スリット16の、円板15の中心からの距離
は10cmである。円板15の回転数は4000rpm
である。液体の柱の直径を1〜2mmとする。液体の柱
の噴射速度を330m/secとする。上述した条件下
で、長さ3cm、直径1〜2mmの柱状の液滴が形成さ
れる。スリットの数は約50個であるが、これに限定さ
れるものではない。
するために、液の柱を噴射する噴射ノズル4を複数個設
けることも好ましい。
加圧器3の加圧圧力によって制御される。この場合、ガ
スを含まない液のみが噴出されるため、液の噴出速度を
音速よりも速くすることが可能となる。すなわち、洗浄
力とデバイスの破壊を決定する、液滴の噴出速度、の制
御範囲が、非常に広くなる。また、液滴の大きさと、ウ
エハ1へ衝突する液滴の間隔は、円板15の回転速度で
制御される。
る。当該洗浄装置は、液加圧器3と噴射ノズル4を備え
る。液加圧器3と噴射ノズル4との間に、液体を断続的
に分断し、該液体を液滴化するバルブ17が設けられて
いる。液滴の大きさと、ウエハ1へ衝突する液滴の間隔
は、バルブ17の開閉の切替え時間によって制御され
る。ガスを含まない液のみが噴出されるため、液の噴出
速度を音速よりも速くすることが可能となる。
る。当該洗浄装置は、液加圧器3と噴射ノズル4とを備
える。液加圧器3には、該液加圧器3内に液を供給する
液供給手段51が接続されている。また液加圧器3に
は、該液加圧器3内に発泡性ガスを供給する発泡性ガス
供給手段52が接続されている。発泡性ガスには、CO
2 ,N2 ,O2 等が好ましく用いられる。本実施例で
は、噴出ノズル4から、発泡性ガスが溶け込んでいる液
体が、噴出される。大気圧下に戻されると、液中に溶け
込んでいた発泡性ガスが発泡し、液体が分断され、液滴
が形成される。この液滴がウエハ1の表面に衝突する。
ガスが溶け込んだ状態の液が噴出されるため、実施例5
の場合と同様に、液の噴出速度を音速よりも速くするこ
とが可能となる。
る。当該洗浄装置は、液加圧器3と噴射ノズル4と分断
手段14とを備える。分断手段14は、たとえば図9に
示す回転スリットである。当該装置は、さらに、ウエハ
1の表面に向けて、ガスを斜め方向から吹き付けるガス
噴出ノズル18を備える。ガス噴出ノズル18によっ
て、ウエハ1へ衝突した液滴が、速やかにウエハ1の表
面から除去されるので、次の理由で、洗浄効果(洗浄
力)は低下しない。すなわち、ウエハ1の上に水の膜が
あると、これがクッションの役割を果たし、図2におけ
る衝撃圧Pが和らげられる。ガス噴出ノズル18は、こ
の水の膜を除去する働きを有する。
回転させる方法では、ウエハ1の周辺部と中央部で洗浄
力に差が生じ、洗浄むらが生じる。しかしながら、本実
施例では、このような問題は解消され、均一な洗浄が可
能となる。
る。当該洗浄装置は、スプレー10を備える。当該装置
は、さらに、スプレー10で微噴霧された液滴21を帯
電させ、これを加速する加速器20を備える。スプレー
10に、正負どちらかの電荷を与える。帯電した液滴2
1は、加速器20によって加速され、ウエハ1へ衝突す
る。液滴21の衝突速度は、加速器20の印加電圧によ
って制御される。
いが、液滴21の速度を増加させるために、減圧下で行
なうのが好ましい。本実施例によると、液滴の速度は、
音速よりも速くなる。ひいては、洗浄力はより大きくな
る。
ば、液滴がウエハの表面に向けて噴射される。液滴の噴
出速度は、容易に音速を超えられるので、汚染物粒子の
除去力が大きくなる。また、液滴をウエハに衝突させる
ので、氷粒子と異なり、デバイスに損傷を与えない。さ
らに、液体窒素を用いないので、ランニングコストが安
い。
図である。
図である。
る。
の断面図である。
る。
様子を示した図である。
る。
面図である。
る。
る。
る。
る。
ある。
Claims (16)
- 【請求項1】 ウエハの上に付着している汚染物粒子を
除去するウエハ洗浄装置であって、 前記ウエハを構成する部材と反応しない液体を供給する
液体供給手段と、 前記液体供給手段から供給されてくる液体を分断し、こ
れを液滴に変える液滴形成手段と、 前記液滴を前記ウエハの表面に向けて噴出する噴出手段
と、を備えたウエハ洗浄装置。 - 【請求項2】 前記液滴形成手段および前記噴出手段
は、前記液体を吸入し、これを液滴に変え、さらに前記
ウエハの表面に向けて噴出するイジェクタノズルを含
む、請求項1に記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項3】 前記液滴形成手段は、前記液体供給手段
と前記噴出手段との間に設けられ、前記液体を断続的に
分断するバルブを含む、請求項1に記載のウエハ洗浄装
置。 - 【請求項4】 前記液滴形成手段は、前記液体供給手段
と前記噴出手段との間に設けられた液加圧器と、該液加
圧器内に発泡性ガスを供給する発泡性ガス供給手段とを
含む、請求項1に記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項5】 前記噴出手段は、前記ウエハと前記液滴
形成手段との間に配置され、前記液滴を帯電させ、これ
を加速器によって加速させて、前記ウエハに前記液滴を
衝突させる手段を含む、請求項1に記載のウエハ洗浄装
置。 - 【請求項6】 前記ウエハの表面に向けて、ガスを斜め
方向から吹き付ける手段を、さらに含む、請求項1に記
載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項7】 前記液滴の粒径を制御する手段と、 前記液滴が前記ウエハに衝突する速度を制御する手段
と、 前記液滴が前記ウエハへ衝突する角度を制御する手段
と、をさらに備える、請求項1に記載のウエハ洗浄装
置。 - 【請求項8】 前記液体は純水を含む、請求項1に記載
のウエハ洗浄装置。 - 【請求項9】 前記液体は、CO2 ガスが混入された純
水を含む、請求項8に記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項10】 前記純水を4℃に制御する手段をさら
に含む、請求項8に記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項11】 前記液体は、純水よりも比重、音速お
よび粘度の大きい液体を含む、請求項1に記載のウエハ
洗浄装置。 - 【請求項12】 ウエハの上に付着している汚染物粒子
を除去するウエハ洗浄装置であって、 ホッパーと、 前記ウエハを構成する部材と反応しない液体を供給する
液体供給手段と、 前記ホッパーに取り付けられ、前記液体供給手段から供
給されてくる前記液体を該ホッパー内へ噴霧することに
よって、該液体の液滴を形成するスプレーと、 前記ホッパーに取り付けられ、該ホッパー内にガスを加
圧して供給するガス供給手段と、を備えたウエハ洗浄装
置。 - 【請求項13】 前記ガス供給手段は、前記ホッパー内
で前記ガスが渦巻き状に流れるように、複数個設けられ
る、請求項12に記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項14】 ウエハの上に付着している汚染物粒子
を除去するウエハ洗浄装置であって、 液を加圧する液加圧器と、 ガスを加圧するガス加圧器と、 前記液加圧器と前記ガス加圧器との双方が接続され、前
記液と前記ガスとのどちらかを噴出するノズルと、 前記ノズル内に設けられ、前記液と前記ガスとの切替え
を行なうバルブと、を備えるウエハ洗浄装置。 - 【請求項15】 ウエハの上に付着している汚染物粒子
を除去するウエハ洗浄装置であって、 液体を加圧して、該液体を前記ウエハに向けて連続的に
噴出する噴出手段と、 前記ウエハと前記噴出手段との間に配置され、前記噴出
手段から噴出されてくる液体を、前記ウエハに到達する
前に分断する分断手段と、を備える、ウエハ洗浄装置。 - 【請求項16】 前記分断手段は回転スリットを含む、
請求項15に記載のウエハ洗浄装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03343794A JP3415670B2 (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | ウエハ洗浄装置 |
US08/583,582 US5873380A (en) | 1994-03-03 | 1996-01-05 | Wafer cleaning apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03343794A JP3415670B2 (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | ウエハ洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07245282A true JPH07245282A (ja) | 1995-09-19 |
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