JPH04139822A - 半導体装置の洗浄装置 - Google Patents
半導体装置の洗浄装置Info
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- JPH04139822A JPH04139822A JP26436590A JP26436590A JPH04139822A JP H04139822 A JPH04139822 A JP H04139822A JP 26436590 A JP26436590 A JP 26436590A JP 26436590 A JP26436590 A JP 26436590A JP H04139822 A JPH04139822 A JP H04139822A
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- Pending
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 5
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の洗浄装置に関し、特に高圧純水に
より半導体表面に付着した異物を除去するジェットスク
ラブ装置に関する。
より半導体表面に付着した異物を除去するジェットスク
ラブ装置に関する。
従来のジェットスクラブ装置の配管系統は第２図に示す
ように、純水取入れ口１０１から取り入れた純水の圧力
を上げる高圧ポンプ１０２と、高圧ポンプ作動時の脈動
を防止するためのアキュームレータ１０３と、高圧純水
の圧力を調整する減圧弁１０４、高圧純水を吐出させる
ための空気弁１０５、高圧純水を半導体ウェハー上に噴
きつける高圧ノズル１０６、純水吐出終了後に配管内の
圧力を開放するための空気弁１０７、配管内の圧力を手
動で開放するための弁１０８、ならびに純水中の異物を
ろ過するためのフィルター１０９１１０．１１１とを有
している。なおフィルターは純水の入口から高圧ノズル
１０６側に近くなるにつれ、目が細かくなっている。
ように、純水取入れ口１０１から取り入れた純水の圧力
を上げる高圧ポンプ１０２と、高圧ポンプ作動時の脈動
を防止するためのアキュームレータ１０３と、高圧純水
の圧力を調整する減圧弁１０４、高圧純水を吐出させる
ための空気弁１０５、高圧純水を半導体ウェハー上に噴
きつける高圧ノズル１０６、純水吐出終了後に配管内の
圧力を開放するための空気弁１０７、配管内の圧力を手
動で開放するための弁１０８、ならびに純水中の異物を
ろ過するためのフィルター１０９１１０．１１１とを有
している。なおフィルターは純水の入口から高圧ノズル
１０６側に近くなるにつれ、目が細かくなっている。
純水取り入れ口１０１から取入れられた純水は、高圧ポ
ンプ１０２により一担数十〜百数十誌／ｃＩ０２の圧力
にまで昇圧され、その後減圧弁により適正な圧力に調整
され、高圧ノズル１０６によって半導体ウェハー表面に
噴きつけられる。この時ウェハーは回転しており、高圧
ノズル１０６もウェハーの端から端までを走査しながら
高圧純水を噴きつけるため、半導体ウェハーの全面にわ
たって異物の除去が行われる。
ンプ１０２により一担数十〜百数十誌／ｃＩ０２の圧力
にまで昇圧され、その後減圧弁により適正な圧力に調整
され、高圧ノズル１０６によって半導体ウェハー表面に
噴きつけられる。この時ウェハーは回転しており、高圧
ノズル１０６もウェハーの端から端までを走査しながら
高圧純水を噴きつけるため、半導体ウェハーの全面にわ
たって異物の除去が行われる。
なお、第２図において１２２は高圧ポンプを駆動させる
ための空気取入れ口で、空気はフィルター１２３でろ過
され、減圧弁１２４で適正な圧力に調整された後、電磁
弁１２５の開閉により高圧ポンプ１０２の駆動、停止を
行う。また、１３０は空気弁］、 ０５ならびに１０７
を駆動させるための電磁弁であり、空気は減圧弁１２８
で圧力を調整された後、電磁弁１３０の開閉により、空
気弁１０５及び１．０７の駆動を行うが、この時空気弁
１０５及び１０７のどちらか一方が開く様に構成されて
いる。
ための空気取入れ口で、空気はフィルター１２３でろ過
され、減圧弁１２４で適正な圧力に調整された後、電磁
弁１２５の開閉により高圧ポンプ１０２の駆動、停止を
行う。また、１３０は空気弁］、 ０５ならびに１０７
を駆動させるための電磁弁であり、空気は減圧弁１２８
で圧力を調整された後、電磁弁１３０の開閉により、空
気弁１０５及び１．０７の駆動を行うが、この時空気弁
１０５及び１０７のどちらか一方が開く様に構成されて
いる。
上述した純水を使用するジェットスゲラブ装置は、長時
間使用しなかったり、配管に純水の溜りがあると細菌が
発生するが、従来のジェットスゲラブ装置は細菌の発生
防止機能を備えていないため、配管内に細菌が発生した
場合、逆に半導体ウェハー表面に細菌を付着させ、半導
体装置の歩留りを低下させるという問題点があった。
間使用しなかったり、配管に純水の溜りがあると細菌が
発生するが、従来のジェットスゲラブ装置は細菌の発生
防止機能を備えていないため、配管内に細菌が発生した
場合、逆に半導体ウェハー表面に細菌を付着させ、半導
体装置の歩留りを低下させるという問題点があった。
〔課匣を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の洗浄装置は、殺菌作用を有する水
溶液の入った容器と、その水溶液を純水配管に導入する
ための空気弁と、純水入口がらの純水の流入を止めるた
めの空気弁とを備えている。この２つの空気弁は互いに
連動しており、方が開けば他方が閉じる様に構成されて
いる。
溶液の入った容器と、その水溶液を純水配管に導入する
ための空気弁と、純水入口がらの純水の流入を止めるた
めの空気弁とを備えている。この２つの空気弁は互いに
連動しており、方が開けば他方が閉じる様に構成されて
いる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１−図は本発明の一実施例の配管系統図である。
通常は純水導入用の空気弁１１２は開いて、空気弁１１
７は閉じており、配管内は純水のみが流れる様になって
いる。純水取入れ口１０１がら取り入れられた純水は、
高圧ポンプ１０２により一担数十〜百数十ｋｇ ／ ｃ
ｍ ２の圧力にまで昇圧され、減圧弁１０４により適正
な圧力に調整される。その後、空気弁１０５を開けるこ
とにより高圧ノズル１０６から高圧純水を半導体ウェハ
ー上に吐出させる。なおアキュームレータ１．０３は高
圧ポンプ作動時の脈動を防止するために設けられている
。空気弁１０５を閉じて高圧純水の吐出を終了させた後
、空気弁１０７を開いて配管内の圧力を開放させる。次
に、空気弁１１２を閉じて純水を止め、空気弁１１７を
開け３％の過酸化水素水を容器１１３から配管に導入す
る。その後純水の場合と同様に高圧ポンプ１０２で昇圧
し、減圧弁で圧力を調整した後、高圧ノズル１０６がら
吐出させる。
７は閉じており、配管内は純水のみが流れる様になって
いる。純水取入れ口１０１がら取り入れられた純水は、
高圧ポンプ１０２により一担数十〜百数十ｋｇ ／ ｃ
ｍ ２の圧力にまで昇圧され、減圧弁１０４により適正
な圧力に調整される。その後、空気弁１０５を開けるこ
とにより高圧ノズル１０６から高圧純水を半導体ウェハ
ー上に吐出させる。なおアキュームレータ１．０３は高
圧ポンプ作動時の脈動を防止するために設けられている
。空気弁１０５を閉じて高圧純水の吐出を終了させた後
、空気弁１０７を開いて配管内の圧力を開放させる。次
に、空気弁１１２を閉じて純水を止め、空気弁１１７を
開け３％の過酸化水素水を容器１１３から配管に導入す
る。その後純水の場合と同様に高圧ポンプ１０２で昇圧
し、減圧弁で圧力を調整した後、高圧ノズル１０６がら
吐出させる。
フィルター１０９．１．１０，１１１は純水及び過酸化
水素水中の異物をろ過するために設けられており、入口
から高圧ノスル１０６側に近くなるにつれ、フィルター
の目か細かくなっている。なお第１図において１０８は
配管内の圧力を手動で開放するための弁である。また１
２２は高圧ポンプ駆動用の空気取入れ口であり、空気は
フィルター１２３でろ過され、減圧弁１２４で圧力調整
された後、電磁弁１２５の開閉により高圧ポンプ１０２
の駆動、停止を行う。また、１−２７は空気弁駆動用空
気取入れ口で、空気は減圧弁１２８で圧力調整された後
、電磁弁１２９の開閉により空気弁１１２及び１１７の
駆動を、さらに電磁弁］３０の開閉により空気弁１０５
及び１０７の駆動を行なうが、それぞれの電磁弁が駆動
する２つの空気弁はどちらか一方が開く様になっている
。
水素水中の異物をろ過するために設けられており、入口
から高圧ノスル１０６側に近くなるにつれ、フィルター
の目か細かくなっている。なお第１図において１０８は
配管内の圧力を手動で開放するための弁である。また１
２２は高圧ポンプ駆動用の空気取入れ口であり、空気は
フィルター１２３でろ過され、減圧弁１２４で圧力調整
された後、電磁弁１２５の開閉により高圧ポンプ１０２
の駆動、停止を行う。また、１−２７は空気弁駆動用空
気取入れ口で、空気は減圧弁１２８で圧力調整された後
、電磁弁１２９の開閉により空気弁１１２及び１１７の
駆動を、さらに電磁弁］３０の開閉により空気弁１０５
及び１０７の駆動を行なうが、それぞれの電磁弁が駆動
する２つの空気弁はどちらか一方が開く様になっている
。
このように構成された本実施例によれば、純水配管内に
殺菌用の過酸化水素水を導入できるので、半導体ウェハ
ーに付着する異物の数を大幅に減少させることができる
。第３図は純水配管内を過酸化水素水で殺菌した場合と
しない場合とで、半導体ウェハーのスクラブ処理を行っ
た時のウェハー上に付着する異物の数を示したものであ
る。
殺菌用の過酸化水素水を導入できるので、半導体ウェハ
ーに付着する異物の数を大幅に減少させることができる
。第３図は純水配管内を過酸化水素水で殺菌した場合と
しない場合とで、半導体ウェハーのスクラブ処理を行っ
た時のウェハー上に付着する異物の数を示したものであ
る。
これによると実施例のように配管内を殺菌するとウェハ
ーに付着する異物の数が大幅に減少するのがわかる。ジ
ェットスクラブ装置は半導体ウェハー表面に付着した異
物を除去するために用いられるため、装置自体からウェ
ハー表面に付着する異物に対して非常に厳しい基準が要
求されるが、純水配管を殺菌せずに使用すると逆にウェ
ハー上に異物を付着させることになる。従って本発明の
ように装置に配管の殺菌機能を付加することで厳しい基
準を満たすことかできる。
ーに付着する異物の数が大幅に減少するのがわかる。ジ
ェットスクラブ装置は半導体ウェハー表面に付着した異
物を除去するために用いられるため、装置自体からウェ
ハー表面に付着する異物に対して非常に厳しい基準が要
求されるが、純水配管を殺菌せずに使用すると逆にウェ
ハー上に異物を付着させることになる。従って本発明の
ように装置に配管の殺菌機能を付加することで厳しい基
準を満たすことかできる。
尚、上記実施例においては、殺菌作用を有する水溶液と
して３％の過酸化水素水を用いる場合について説明した
がこれに限定されるものではなく数％の過酸化水素水ま
たは数ｐ ｐ ｒｎの希弗酸溶液等を用いることかでき
る。純水配管の殺菌効果が大であれば、殺菌作用を有す
る水溶液の導入は、純水取入れ口のすく後からではなく
ともよい。
して３％の過酸化水素水を用いる場合について説明した
がこれに限定されるものではなく数％の過酸化水素水ま
たは数ｐ ｐ ｒｎの希弗酸溶液等を用いることかでき
る。純水配管の殺菌効果が大であれば、殺菌作用を有す
る水溶液の導入は、純水取入れ口のすく後からではなく
ともよい。
以」−説明したように本発明は、殺菌作用を有する水溶
液を純水配管Ｉ＼導入する手段を設けることにより、純
水配管内を殺菌できるため、半導体装置に付着する異物
の数を減少させ、半導体装置の歩留りを向上させること
ができるという効果がある。
液を純水配管Ｉ＼導入する手段を設けることにより、純
水配管内を殺菌できるため、半導体装置に付着する異物
の数を減少させ、半導体装置の歩留りを向上させること
ができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の配管系統図、第２図は従来
例の配管系統図、第３図は実施例と従来例におけるウェ
ハー上の異物数を示す図である。 １０１・・・純水取入れ口、１０２・・・高圧ポンプ、
１０３・・・アキュームレータ、１０４・・・減圧弁、
１０５・・・吐出用空気弁、１０６・・・高圧ノズル、
１０７・・・圧力開放用空気弁、１０８・・・圧力開放
弁、１０９．１Ｆ、０．１１ ］・・・純水用フィルタ
］。１２，１１７・・空気弁、１１３・・・容器、１２
２．１２７・・空気取入れ口、１２３・・・空気用フィ
ルター、１２４，１２８・・・減圧弁、１２５・・電磁
弁、１２９，１３０・・・空気弁駆動用電磁弁。
例の配管系統図、第３図は実施例と従来例におけるウェ
ハー上の異物数を示す図である。 １０１・・・純水取入れ口、１０２・・・高圧ポンプ、
１０３・・・アキュームレータ、１０４・・・減圧弁、
１０５・・・吐出用空気弁、１０６・・・高圧ノズル、
１０７・・・圧力開放用空気弁、１０８・・・圧力開放
弁、１０９．１Ｆ、０．１１ ］・・・純水用フィルタ
］。１２，１１７・・空気弁、１１３・・・容器、１２
２．１２７・・空気取入れ口、１２３・・・空気用フィ
ルター、１２４，１２８・・・減圧弁、１２５・・電磁
弁、１２９，１３０・・・空気弁駆動用電磁弁。
Claims (1)
- 高圧ノズルに純水を導入する純水配管と、この純水配
管に高圧を与える手段とを有する半導体装置の洗浄装置
において、前記純水配管内に殺菌作用を有する水溶液を
導入するための手段を設けたことを特徴とする半導体装
置の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26436590A JPH04139822A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 半導体装置の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26436590A JPH04139822A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 半導体装置の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139822A true JPH04139822A (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=17402144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26436590A Pending JPH04139822A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 半導体装置の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04139822A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5873380A (en) * | 1994-03-03 | 1999-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer cleaning apparatus |
| US10438818B2 (en) | 2014-03-27 | 2019-10-08 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and pipe cleaning method for substrate processing apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0297022A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄液供給方法 |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP26436590A patent/JPH04139822A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0297022A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄液供給方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5873380A (en) * | 1994-03-03 | 1999-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer cleaning apparatus |
| US10438818B2 (en) | 2014-03-27 | 2019-10-08 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and pipe cleaning method for substrate processing apparatus |
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