JP4577964B2 - 塗布装置の洗浄方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は塗布装置の洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ガラス基板や半導体ウェーハ表面に、レジストなどの塗布液を塗布する塗布装置において、塗布液の種類を替えるときや、長時間装置を停止するときには、配管、フィルタ、バルブ、ポンプ及び塗布ノズルを含む経路内部に残っている塗布液を排出して内部を洗浄する必要がある。
【0003】
従来の洗浄方法は、配管などに残っている塗布液をエアーや窒素による加圧送液若しくはポンプを駆動する等して排出し、次いで洗浄液を排管等に送り込み、バルブをオン・オフすることで配管内などを洗浄するようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の洗浄においては洗浄液として塗布液溶媒あるいは塗布液溶媒を含む混合溶剤などを用いている。塗布液溶媒あるいは塗布液溶媒を含む混合溶剤などは洗浄能力は高いものの一般的には乾燥しにくく、新たな塗布液を供給した際に塗布液が希釈され濃度変化が起きてしまう。
一方、揮発性の高い洗浄液を用いれば容易に乾燥させることができるが、揮発性の高い洗浄液は洗浄能力に劣るという問題がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本願発明に係る塗布装置の洗浄方法は、揮発しにくいが洗浄力に優れた低揮発性の洗浄液で経路内などを洗浄した後、洗浄力は劣るものの揮発性の高い洗浄液を用いて再度経路内などを洗浄するようにした。
【0006】
高揮発性の洗浄液を経路内等に充填することで、内部に残っている低揮発性の洗浄液が除去され、新たな塗布液を供給する際には経路内などは完全に乾燥しており、濃度が変化することがない。
【0007】
前記低揮発性の洗浄液、即ち塗布液溶媒あるいは塗布液溶媒を含む混合溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、エチルエトキシプロピオネート、メチルアミルケトン、エチルラクテートなどが挙げられ、前記高揮発性の洗浄液としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、メチルエチルケトン、酢酸イソプロピル、アセトンなどが挙げられ、その25℃における蒸気圧は4×103Pa〜35×103Paの範囲である。特に酢酸エチル、酢酸プロピル、メチルエチルケトンはカラーフィルター用レジストに対して、アセトンは半導体用レジストに対して異物を生じず、溶解性も良くて有効である。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を説明する。図1〜図3は塗布装置の概略図であり、各図は第1〜第3の洗浄工程を示す。
先ず、塗布装置は塗布ノズルNと、この塗布ノズルNに塗布液を供給する供給配管1と、塗布ノズルNからのノズル内エアー抜き用配管2とを備え、塗布液の供給配管1にはフィルタF1、第1バルブV1及びポンプP、第2バルブV2及びフィルタF2を設け、ノズル内エアー抜き配管2には第3バルブV3を設け、更にこの実施例にあっては、ポンプPからポンプ内エアー抜き用配管3を導出し、このポンプ内エアー抜き用配管3に第4バルブV4を設けている。
【0009】
上記の塗布装置を洗浄するには、先ず第1バルブV1から第4バルブV4を全て開として、各配管、フィルタ、バルブ及びポンプの内部に残っている塗布液を排出する。この塗布液の排出にはエアーや窒素による加圧送液にて排出するかポンプを駆動する。
【0010】
次いで、低揮発性の洗浄液を用いた洗浄を行う。この洗浄は本実施例では3工程に分けて行う。各工程におけるバルブV1〜V4の状態を以下の(表1)に示す。
【0011】
【表1】
【0012】
(表1)に示すように、第1工程では、第2バルブV2と第3バルブV3を閉とし、第4バルブV4を開とし、この状態でエアーや窒素による加圧送液するとともに第1バルブV1に開閉動作を行わせる。この場合、エアーや窒素による加圧送液がポンプPによる送液であってもよい。
【0013】
この第1工程では、図1に示すように、塗布液の供給配管1のうちポンプPまでの部分とポンプ内エアー抜き用配管3、更にこれら配管に設けられたフィルタF1、第1バルブV1、ポンプPおよび第4バルブV4が洗浄される。なお、第1バルブV1が開閉動作を行うことで脈動が発生し、効果的に洗浄が行われる。
【0014】
次いで、第2工程を行う。この第2工程では、第1バルブV1を開、第3バルブV3と第4バルブV4を閉とし、この状態でポンプPを駆動するとともに第2バルブV2に開閉動作を行わせる。
【0015】
この第2工程では、図2に示すように、塗布液の供給配管1、ノズルN、更にフィルタF1、第1バルブV1、ポンプP、第2バルブV2およびフィルタF2が洗浄される。
【0016】
次いで、第3工程を行う。この第3工程では、第1バルブV1及び第2バルブV2を開、第4バルブV4を閉とし、この状態でポンプPを駆動するとともに第3バルブV3に開閉動作を行わせる。
【0017】
この第3工程では、図3に示すように、塗布液の供給配管1、ノズル内エアー抜き配管2、ノズルN、更にフィルタF1、第1バルブV1、ポンプP、第2バルブV2、フィルタF2及び第3バルブV3が洗浄される。
【0018】
以上の低揮発性の洗浄液を用いた第1〜第3工程からなる前洗浄が終了したならば、高揮発性の洗浄液を用いた後洗浄を行う。この後洗浄も前記低揮発性の洗浄液による場合と同様に(表1)に示した第1〜第3工程でもって行う。
【0019】
しかしながら、洗浄する第1〜第3工程はこの順番にこだわらず、必要に応じて変えることも可能である。また、第1〜第3工程の前洗浄が全て終了してから後洗浄をするのではなく、第1洗浄の前洗浄が終わったらすぐに後洗浄を行うように各工程ごとに前洗浄と後洗浄を行ってもよい。
【0020】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明に係る塗布装置の洗浄方法によれば、揮発しにくいが洗浄力に優れた低揮発性の洗浄液で経路内などを洗浄した後、洗浄力は劣るものの揮発性の高い洗浄液を用いて再度配管内などを洗浄するようにしたので、洗浄後に塗布装置内部が短時間のうちに乾燥し、新たな塗布液を供給する際に濃度が変化することがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】洗浄の第1工程を示す図
【図2】洗浄の第2工程を示す図
【図3】洗浄の第3工程を示す図
Claims (1)
- 塗布ノズルと、この塗布ノズルへの塗布液供給配管と、塗布ノズルからのノズル内エアー抜き配管と、塗布液供給配管に設けられるポンプと、ポンプからのポンプ内エアー抜き配管とを備え、前記塗布液供給配管のポンプの上流側には第1バルブが設けられ、前記塗布液供給配管のポンプの下流側には第2バルブが設けられ、前記ノズル内エアー抜き配管には第3バルブが設けられ、前記ポンプ内エアー抜き配管には第4バルブが設けられたレジスト塗布装置の洗浄方法において、洗浄は低揮発性の洗浄液を用いた洗浄の後に高揮発性の洗浄液を用いた洗浄を行い且つ以下の第1〜第3工程を含み、前記低揮発性の洗浄は、塗布液溶媒あるいは塗布液溶媒を含む混合溶剤であり、前記高揮発性の洗浄液は、酢酸エチル、酢酸プロピル、メチルエチルケトン、酢酸イソプロピル、アセトンから選ばれることを特徴とするレジスト塗布装置の洗浄方法。
第1工程
第2バルブと第3バルブを閉とし、第4バルブを開とし、この状態でエアーや窒素による加圧送液するとともに第1バルブに開閉動作を行わせる。
第2工程
第1バルブを開、第3バルブと第4バルブを閉とし、この状態でポンプを駆動するとともに第2バルブに開閉動作を行わせる。
第3工程
第1バルブ及び第2バルブを開、第4バルブを閉とし、この状態でポンプを駆動するとともに第3バルブに開閉動作を行わせる。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06320128A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | スピンコータライン配管の洗浄液及び洗浄方法 |
JPH11102854A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
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JPH06320128A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | スピンコータライン配管の洗浄液及び洗浄方法 |
JPH11102854A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
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