JPH07166360A - 小寸法の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法 - Google Patents
小寸法の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステップ構造の如き種々の集積回路形上に相
似形の薄膜被覆を形成する際の問題点を解消することで
ある。 【構成】 小寸法の高密度のステップ形状を有する基体
上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法におい
て、真空処理室内の陰極に基体を位置決めし、真空処理
室へ反応ガス混合物を供給し、反応ガス混合物にＲＦ電
力を加えて、基体上に膜を付着させるようにプラズマを
形成することを含み、真空処理室へ供給される反応ガス
混合物は、膜のステップ被覆外形を制御するようにその
膜の付着と同時にその膜をエッチングするエッチングガ
スを含む。
似形の薄膜被覆を形成する際の問題点を解消することで
ある。 【構成】 小寸法の高密度のステップ形状を有する基体
上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法におい
て、真空処理室内の陰極に基体を位置決めし、真空処理
室へ反応ガス混合物を供給し、反応ガス混合物にＲＦ電
力を加えて、基体上に膜を付着させるようにプラズマを
形成することを含み、真空処理室へ供給される反応ガス
混合物は、膜のステップ被覆外形を制御するようにその
膜の付着と同時にその膜をエッチングするエッチングガ
スを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一面では、マグネトロ
ン増速プラズマ補助による化学的蒸着（ＣＶＤ）反応炉
とそれに関連して誘電体、半導体ならびに導体の膜の高
率蒸着を行うための方法に関し、さらに、別の面から見
ると、現場多重集積回路処理工程を行なうための装置と
方法に関し、特に、相似被膜と平面化を行なう蒸着法に
関する。
ン増速プラズマ補助による化学的蒸着（ＣＶＤ）反応炉
とそれに関連して誘電体、半導体ならびに導体の膜の高
率蒸着を行うための方法に関し、さらに、別の面から見
ると、現場多重集積回路処理工程を行なうための装置と
方法に関し、特に、相似被膜と平面化を行なう蒸着法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】このような技術は、低温窒化と酸化に対
しても使用することができるものであり、半導体集積回
路は製造に適用されてきた初期の気体化学蒸着法は、気
体から加熱基体上へ蒸着するために熱によって活性化さ
れる化学反応を使用してきた。このように固体を表面上
に化学的に蒸着する方法（ＣＶＤ）は、表面上に吸着す
るガス分子の不均質な表面反応を伴う。薄膜の成長率と
品質は表面温度と利用可能なガス分子に依存している。
しても使用することができるものであり、半導体集積回
路は製造に適用されてきた初期の気体化学蒸着法は、気
体から加熱基体上へ蒸着するために熱によって活性化さ
れる化学反応を使用してきた。このように固体を表面上
に化学的に蒸着する方法（ＣＶＤ）は、表面上に吸着す
るガス分子の不均質な表面反応を伴う。薄膜の成長率と
品質は表面温度と利用可能なガス分子に依存している。
【０００３】最近ではプラズマ増速による低温蒸着（お
よびエッチング）法が開発されてアルミニウムやタング
ステンのような金属を含む各種材料、シリコン窒化物二
酸化シリコンの如き誘電性膜、およびシリコンのような
半導体を蒸着してきた。
よびエッチング）法が開発されてアルミニウムやタング
ステンのような金属を含む各種材料、シリコン窒化物二
酸化シリコンの如き誘電性膜、およびシリコンのような
半導体を蒸着してきた。
【０００４】プラズマ補助式ＣＶＤ法で使用されるプラ
ズマは、ＲＦ（高周波）分野で開発された低圧反応ガス
放電によるものである。プラズマは定義によって、その
内部に等しい密度の電子とイオンが存在するような電気
的に中性のイオン化ガスである。プラズマ補助式ＣＶＤ
法で使用される相対的に低圧の状態の下では、放電は、
“グロー”領域で行われ、電子エネルギーは重粒子エネ
ルギーに対してすこぶる高くすることができる。非常に
高い電子温度は（基体のような）付近の表面上に蒸着さ
せるために利用されるプラズマ内の電離ガス分子の密度
を増加させる。反応性遊離基の供給を増大させると純粋
に熱活性化方法を使用する場合に可能（一分あたり１０
０〜２００オングストローム）なよりも低温かつ高速の
蒸着率（一分あたり３００〜４００オングストローム）
で密度の高い良質の膜を蒸着させることが可能になる。
ズマは、ＲＦ（高周波）分野で開発された低圧反応ガス
放電によるものである。プラズマは定義によって、その
内部に等しい密度の電子とイオンが存在するような電気
的に中性のイオン化ガスである。プラズマ補助式ＣＶＤ
法で使用される相対的に低圧の状態の下では、放電は、
“グロー”領域で行われ、電子エネルギーは重粒子エネ
ルギーに対してすこぶる高くすることができる。非常に
高い電子温度は（基体のような）付近の表面上に蒸着さ
せるために利用されるプラズマ内の電離ガス分子の密度
を増加させる。反応性遊離基の供給を増大させると純粋
に熱活性化方法を使用する場合に可能（一分あたり１０
０〜２００オングストローム）なよりも低温かつ高速の
蒸着率（一分あたり３００〜４００オングストローム）
で密度の高い良質の膜を蒸着させることが可能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マ増速法を使用することによって手にすることのできる
蒸着率は依然相対的に低いものである。更に、その他に
化学的蒸着法とプラズマ増速によるＣＶＤ法に関連した
種々な困難がある。これらの困難は、以下に論ずる通り
である。
マ増速法を使用することによって手にすることのできる
蒸着率は依然相対的に低いものである。更に、その他に
化学的蒸着法とプラズマ増速によるＣＶＤ法に関連した
種々な困難がある。これらの困難は、以下に論ずる通り
である。
【０００６】プラズマ補助による化学蒸着法を使用する
とシラン、窒素およびアンモニア反応物質から窒化シリ
コンが以下のようにして形成される。 SiH4 ＋ NH3 ＋ N2 → Six Ny Hz ・・・ （１）
とシラン、窒素およびアンモニア反応物質から窒化シリ
コンが以下のようにして形成される。 SiH4 ＋ NH3 ＋ N2 → Six Ny Hz ・・・ （１）
【０００７】不都合なことに、蒸着した窒化シリコン内
の水素濃度は、２５−３５原子パーセントの高さとなる
可能性がある。ＩＣ製造工程で比較的初期に形成された
構造内における水素の存在とそれに続く高温製造段階中
に生じる水素の拡散は、不均一な電気特性を生じさせる
虞れがある。殊に、層厚と間隔を小さくしていっそう高
密度の集積回路構造を作るために、水素に関連した高温
キヤリヤを注入する問題はかかる高い水素含有量を受入
容れ難くしている。最終的なパッシベーション膜の場合
でさえも水素の存在は種々な問題をつくり出す虞れがあ
る。
の水素濃度は、２５−３５原子パーセントの高さとなる
可能性がある。ＩＣ製造工程で比較的初期に形成された
構造内における水素の存在とそれに続く高温製造段階中
に生じる水素の拡散は、不均一な電気特性を生じさせる
虞れがある。殊に、層厚と間隔を小さくしていっそう高
密度の集積回路構造を作るために、水素に関連した高温
キヤリヤを注入する問題はかかる高い水素含有量を受入
容れ難くしている。最終的なパッシベーション膜の場合
でさえも水素の存在は種々な問題をつくり出す虞れがあ
る。
【０００８】更に大きなデバイス密度と小さな最小特徴
寸法とＶＬＳＩ集積回路の小さな間隔は、マスキング
（蒸着もしくは成長法による）薄膜形成、ドーピングお
よびエッチングといった基本的なＩＣ製造段階に対して
益々厳格な要求を課するようになっている。例えば段階
状の表面に相似被膜を形成したり、レベル間誘電体層を
平面化することは、たといプラズマ増速によるＣＶＤ膜
を使用する場合にもますます困難になりつつある。図１
は、ＩＣステップで、その内部で導電層１１の如き第一
番目の膜が、部分的に完成した集積回路（図示せず）の
現存ステップ上に形成され終って二酸化シリコンの如き
層間誘電層１２の蒸着を受けている場合の典型的な断面
を示したものである。以上の操作は第二レベルの導電層
（図示せず）を形成する準備として行われるものであ
る。蒸着する活性ガス分子の平均自由行程がステップ寸
法と比較して長い場合には、（また急速な表面移動が見
られない場合には）ステップの底部１３、側部１４、お
よび頂部１５における蒸着率はそれに伴う到達角に比例
する。
寸法とＶＬＳＩ集積回路の小さな間隔は、マスキング
（蒸着もしくは成長法による）薄膜形成、ドーピングお
よびエッチングといった基本的なＩＣ製造段階に対して
益々厳格な要求を課するようになっている。例えば段階
状の表面に相似被膜を形成したり、レベル間誘電体層を
平面化することは、たといプラズマ増速によるＣＶＤ膜
を使用する場合にもますます困難になりつつある。図１
は、ＩＣステップで、その内部で導電層１１の如き第一
番目の膜が、部分的に完成した集積回路（図示せず）の
現存ステップ上に形成され終って二酸化シリコンの如き
層間誘電層１２の蒸着を受けている場合の典型的な断面
を示したものである。以上の操作は第二レベルの導電層
（図示せず）を形成する準備として行われるものであ
る。蒸着する活性ガス分子の平均自由行程がステップ寸
法と比較して長い場合には、（また急速な表面移動が見
られない場合には）ステップの底部１３、側部１４、お
よび頂部１５における蒸着率はそれに伴う到達角に比例
する。
【０００９】底面到達角は溝の深さと幅の関数であるか
ら、溝の底部１３に蒸着した層の厚さは側部１４におけ
る層厚よりも小さくなる傾向があり、後者自身は、今度
は頂部１５における層厚よりも小さくなる傾向がある。
蒸着工程において使用される圧力を増大すると活性ガス
分子の衝突率を増加させ平均自由行程を減少させること
になろう。このため、到達角の有効寸法が大きくなり、
溝の側壁１４と底部１３における蒸着率が大きくなるこ
とになろう。然しながら、図２についてみるように、こ
のことは同時にステップ隅部１６における到達角とそれ
に伴う蒸着率を大きくすることになるだろう。幅広い溝
により隔離されたステップの場合には、その結果得られ
る内側に傾斜した薄膜の形状とそれに関連した突起１７
は理想的な被覆度に満たないものしか与えない。
ら、溝の底部１３に蒸着した層の厚さは側部１４におけ
る層厚よりも小さくなる傾向があり、後者自身は、今度
は頂部１５における層厚よりも小さくなる傾向がある。
蒸着工程において使用される圧力を増大すると活性ガス
分子の衝突率を増加させ平均自由行程を減少させること
になろう。このため、到達角の有効寸法が大きくなり、
溝の側壁１４と底部１３における蒸着率が大きくなるこ
とになろう。然しながら、図２についてみるように、こ
のことは同時にステップ隅部１６における到達角とそれ
に伴う蒸着率を大きくすることになるだろう。幅広い溝
により隔離されたステップの場合には、その結果得られ
る内側に傾斜した薄膜の形状とそれに関連した突起１７
は理想的な被覆度に満たないものしか与えない。
【００１０】にもかかわらず、膜の形は従来の平面化技
法を用いて平面形にすることができ、（続く第二レベル
の導電層の形成を容易にする。）逆に、ステップが、例
えば高密度の２５６キロビットＶＬＳＩ構造において狭
い溝によって隔離されている図３についてみると、隅１
６における大きな蒸着率がボイド１８を包囲している。
該ボイドは続く平面化作業によって露出され、第二レベ
ルの導体が該ボイドを貫通し該ボイドに沿って走り、導
体とデバイスが該ボイドに沿ってショートすることを可
能にする。かくしてプラズマ補助によるＣＶＤ技術の現
在の状況は、以下のように要約することができよう。プ
ラズマ補助によるＣＶＤ反応炉はほぼ３００〜４００オ
ングストロームの最大蒸着率を与える。しかしながら、
将来のプラズマ蒸着技術の必要を満たす上で、例えば、
プラズマＣＶＤ窒化物膜における高い水素不純物水準を
除去もしくは減少させる問題とか、小寸法のＶＬＳＩデ
バイスの形状に相似的なステップ被覆度と有効な平面化
を達成するさいの困難さといった種々の問題が存在す
る。
法を用いて平面形にすることができ、（続く第二レベル
の導電層の形成を容易にする。）逆に、ステップが、例
えば高密度の２５６キロビットＶＬＳＩ構造において狭
い溝によって隔離されている図３についてみると、隅１
６における大きな蒸着率がボイド１８を包囲している。
該ボイドは続く平面化作業によって露出され、第二レベ
ルの導体が該ボイドを貫通し該ボイドに沿って走り、導
体とデバイスが該ボイドに沿ってショートすることを可
能にする。かくしてプラズマ補助によるＣＶＤ技術の現
在の状況は、以下のように要約することができよう。プ
ラズマ補助によるＣＶＤ反応炉はほぼ３００〜４００オ
ングストロームの最大蒸着率を与える。しかしながら、
将来のプラズマ蒸着技術の必要を満たす上で、例えば、
プラズマＣＶＤ窒化物膜における高い水素不純物水準を
除去もしくは減少させる問題とか、小寸法のＶＬＳＩデ
バイスの形状に相似的なステップ被覆度と有効な平面化
を達成するさいの困難さといった種々の問題が存在す
る。
【００１１】将来のプラズマ蒸着技術の成功のための条
件は幾つかある。低水素のシリコン窒化物を形成する能
力と、ステップ被覆度と平面化するうえでのステップ形
状の条件についてはすでに触れた。その他に、低水素含
有の酸窒化物膜と共にレベル間にプラズマ酸化物膜を形
成する能力が望まれる。酸窒化物膜は、酸化物と窒化物
と異なった誘電特性を持ち、揮発性および不揮発性ＩＣ
技術の双方においてゲート誘電体として使用されてい
る。更に、珪化物、アルミニウム、耐熱金属の如き材料
を相互接合し金属化する能力を備えることが望まれる。
ますます、殊に多レベルマスク導体と誘電体構造が実施
されると、ウエハを室から取除かずに単に反応ガス反応
と作業条件を変えることによって多数の行程を行うこと
ができるような現場工程を備えることが望まれることに
なる。以上の後者の論点は以下の二つの例によって実証
される。
件は幾つかある。低水素のシリコン窒化物を形成する能
力と、ステップ被覆度と平面化するうえでのステップ形
状の条件についてはすでに触れた。その他に、低水素含
有の酸窒化物膜と共にレベル間にプラズマ酸化物膜を形
成する能力が望まれる。酸窒化物膜は、酸化物と窒化物
と異なった誘電特性を持ち、揮発性および不揮発性ＩＣ
技術の双方においてゲート誘電体として使用されてい
る。更に、珪化物、アルミニウム、耐熱金属の如き材料
を相互接合し金属化する能力を備えることが望まれる。
ますます、殊に多レベルマスク導体と誘電体構造が実施
されると、ウエハを室から取除かずに単に反応ガス反応
と作業条件を変えることによって多数の行程を行うこと
ができるような現場工程を備えることが望まれることに
なる。以上の後者の論点は以下の二つの例によって実証
される。
【００１２】まず、パッシベーション層としてシリコン
窒化物を使用する場合を考えてみよう。すでに述べたよ
うに、高温キヤリヤの問題を除去するためには低水素含
有の窒化物が望ましいが低水素窒化物膜は高度に応力を
加えられる虞れがある。低水素窒化物のパッシベーショ
ン層を使用することができる一つの方法は、まず珪酸燐
ガラス（ＰＳＧ）を使用して応力を緩和して、その後、
低水素含有の窒化物を蒸着させることである。明らか
に、処理能力は増大し、もし以上の二つの蒸着行程を同
じ反応炉内で行うことができるならば欠陥密度は減少す
ることになろう。
窒化物を使用する場合を考えてみよう。すでに述べたよ
うに、高温キヤリヤの問題を除去するためには低水素含
有の窒化物が望ましいが低水素窒化物膜は高度に応力を
加えられる虞れがある。低水素窒化物のパッシベーショ
ン層を使用することができる一つの方法は、まず珪酸燐
ガラス（ＰＳＧ）を使用して応力を緩和して、その後、
低水素含有の窒化物を蒸着させることである。明らか
に、処理能力は増大し、もし以上の二つの蒸着行程を同
じ反応炉内で行うことができるならば欠陥密度は減少す
ることになろう。
【００１３】第二の例は、アルミニウムを使用すること
に関するものである。それに関連する問題点が幾つかあ
るにもかゝわらずスパッタ蒸着によるアルミニウムが、
相互接合材として好ましい金属といえる。例えば、純粋
のアルミニウムはエレクトロマイグレーションを蒙り、
そのために割れ、ボイド等が発生する危険がある。ま
た、アルミニウムは、絶縁層を貫通するような柱状物を
形成するおそれがある。アルミニウムを銅によってドー
ピングしてエレクトロマイグレーションを減らすことが
できるが、銅自体はエッチングすることが非常に困難で
ある。もっと良い解決策は、アルミニウム／タングステ
ン／アルミニウムによる多層構造を形成することであ
る。
に関するものである。それに関連する問題点が幾つかあ
るにもかゝわらずスパッタ蒸着によるアルミニウムが、
相互接合材として好ましい金属といえる。例えば、純粋
のアルミニウムはエレクトロマイグレーションを蒙り、
そのために割れ、ボイド等が発生する危険がある。ま
た、アルミニウムは、絶縁層を貫通するような柱状物を
形成するおそれがある。アルミニウムを銅によってドー
ピングしてエレクトロマイグレーションを減らすことが
できるが、銅自体はエッチングすることが非常に困難で
ある。もっと良い解決策は、アルミニウム／タングステ
ン／アルミニウムによる多層構造を形成することであ
る。
【００１４】更に、処理能力は、化学蒸着法を使用して
以上の三層を同じ反応炉内で蒸着させることによって大
きくすることができよう。恐らく、何よりも重要なのは
ＣＶＤアルミニウムがスパッタ蒸着によるアルミ膜より
もずっとすぐれたステップ被覆度を有するということで
あろう。更に、高密度の複雑なプロセス感度を備えた現
在および将来の集積回路構造を実施するうえでウエハを
カセットから降ろし処理室内へ入れて処理後に該ウエハ
をカセットへもどすという両方の目的のために自動的に
カセット間にウエハを取扱うことのできるプラズマ蒸着
技術を有することが求められているし、また将来も求め
られるであろう。最後に、搭載ロック機構を使用するこ
とによって処理能力と粒子の制御は補助されることにな
ろう。搭載ロック機構はポンプ作業時間と処理時間を減
らすだけでなく、非常に脆いＶＬＳＩの構造を汚染物質
にさらす危険を小さくする。
以上の三層を同じ反応炉内で蒸着させることによって大
きくすることができよう。恐らく、何よりも重要なのは
ＣＶＤアルミニウムがスパッタ蒸着によるアルミ膜より
もずっとすぐれたステップ被覆度を有するということで
あろう。更に、高密度の複雑なプロセス感度を備えた現
在および将来の集積回路構造を実施するうえでウエハを
カセットから降ろし処理室内へ入れて処理後に該ウエハ
をカセットへもどすという両方の目的のために自動的に
カセット間にウエハを取扱うことのできるプラズマ蒸着
技術を有することが求められているし、また将来も求め
られるであろう。最後に、搭載ロック機構を使用するこ
とによって処理能力と粒子の制御は補助されることにな
ろう。搭載ロック機構はポンプ作業時間と処理時間を減
らすだけでなく、非常に脆いＶＬＳＩの構造を汚染物質
にさらす危険を小さくする。
【００１５】本発明の目的は、前述したような従来技術
の問題点のうち、特に、ステップ構造の如き種々の集積
回路形上に相似形の薄膜被覆を形成する際の問題点を解
消し、相似被覆と平面化を形成する能力の如き薄膜特性
を選択的に最適にする目的で表面にプラズマ蒸着とエッ
チングを同時に行う方法を提供することである。
の問題点のうち、特に、ステップ構造の如き種々の集積
回路形上に相似形の薄膜被覆を形成する際の問題点を解
消し、相似被覆と平面化を形成する能力の如き薄膜特性
を選択的に最適にする目的で表面にプラズマ蒸着とエッ
チングを同時に行う方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、小寸法
の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラ
ズマから膜を付着させる方法において、真空処理室内の
陰極に前記基体を位置決めし、前記真空処理室へ反応ガ
ス混合物を供給し、前記反応ガス混合物にＲＦ電力を加
えて、前記基体上に膜を付着させるようにプラズマを形
成することを含み、前記真空処理室へ供給される反応ガ
ス混合物は、前記膜のステップ被覆外形を制御するよう
にその膜の付着と同時にその膜をエッチングするエッチ
ングガスを含むことを特徴とする。
の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラ
ズマから膜を付着させる方法において、真空処理室内の
陰極に前記基体を位置決めし、前記真空処理室へ反応ガ
ス混合物を供給し、前記反応ガス混合物にＲＦ電力を加
えて、前記基体上に膜を付着させるようにプラズマを形
成することを含み、前記真空処理室へ供給される反応ガ
ス混合物は、前記膜のステップ被覆外形を制御するよう
にその膜の付着と同時にその膜をエッチングするエッチ
ングガスを含むことを特徴とする。
【００１７】
【実施例】次に、添付図面のうちの、特に、図４から図
１５を参照して、本発明の実施例について本発明をより
詳細に説明する。
１５を参照して、本発明の実施例について本発明をより
詳細に説明する。
【００１８】図４は、本発明の方法を実施するのに使用
しうるマグネトロン反応系統３０である。同系統３０
は、円筒形のステンレススチール製の真空室３１を備
え、該室１内に帯状の陰極組成体３２が取付けられる。
該陰極３２は真空室３１内に絶縁式に取付けられ、取付
柱３３−３３を隔離することによって該室３１から絶縁
されている。望ましい態様の場合、陰極３２は、中心軸
部分３４と内側端部の反射板部分３６−３６から構成さ
れており、それらはアルミニウムその他の導電性の非磁
性材料から構成される。外側端部分３７−３７は Mayco
r （登録商標）の如き絶縁材料により構成される。プラ
ズマ作業で行うためにＲＦ電源と負荷整合網を備えるＲ
Ｆ電源系統３８により給電され、それは、絶縁給電線３
９により陰極３２に接続される。
しうるマグネトロン反応系統３０である。同系統３０
は、円筒形のステンレススチール製の真空室３１を備
え、該室１内に帯状の陰極組成体３２が取付けられる。
該陰極３２は真空室３１内に絶縁式に取付けられ、取付
柱３３−３３を隔離することによって該室３１から絶縁
されている。望ましい態様の場合、陰極３２は、中心軸
部分３４と内側端部の反射板部分３６−３６から構成さ
れており、それらはアルミニウムその他の導電性の非磁
性材料から構成される。外側端部分３７−３７は Mayco
r （登録商標）の如き絶縁材料により構成される。プラ
ズマ作業で行うためにＲＦ電源と負荷整合網を備えるＲ
Ｆ電源系統３８により給電され、それは、絶縁給電線３
９により陰極３２に接続される。
【００１９】反応ガスはガス供給系統から入口シヤフト
４２を介して一つもしくはそれ以上のガスマニホルド環
４１により真空室３１に加えられる。本系統は配管４２
を経て吸入マニホルド環４１にガスを供給する一連のガ
ス貯蔵タンクもしくは容器４３−４３を備えている。
４２を介して一つもしくはそれ以上のガスマニホルド環
４１により真空室３１に加えられる。本系統は配管４２
を経て吸入マニホルド環４１にガスを供給する一連のガ
ス貯蔵タンクもしくは容器４３−４３を備えている。
【００２０】同様に第４図に示した陰極３４と吸入マニ
ホルド環４１の断面図についてみると、例えばクリップ
の如き手段４４によって陰極側部に半導体ウエハが位置
決めされる。（あるいは陰極内の凹所（図示せず）内に
取付けもしくは保持してもよい。）望ましい態様の場
合、それぞれのウエハもしくは基体５に対してガス環４
１が設けられる。その代りとして、該ガス環を陰極上に
取付けることもできる。ガス環４１の直径は、それと関
連する基体５の径よりも僅かに大きく、ガス環の開口４
６は、リング内側方向へ形成されているため、マニホル
ドは反応ガスを僅かな角度で基体上へ向けることにな
る。このため、ガス環を経由して該ガス環とウエハと整
合した室壁内の排気口４７へと均一なガスの流れが基体
面を横切りかつ基体から去るように供給されることにな
る。排気口４７は真空バルブとルーツ型送風機を経て機
械式ポンプ（図示せず）に接続される。以上の配置のた
めに反応ガスによる基体の均一な被覆と処理が容易にな
る。以上の配置によってまた、相対的に冷たい内側室壁
上に、基体上に汚染物質として再蒸着される虞れがある
沈着物質を形成する反応室の固有の傾向もまた減殺され
ることになる。ノズルや開口の付いた平坦状マニホルド
の如きその他の入口手段を使用することもできるが、環
形のものが均一なガス分布と室壁に物質が沈着する傾向
を抑止するという点からも望ましい。系統の制御は圧力
制御系統と直流モータを介して作動し送風機の速度を制
御する容量型圧力センサを介して行われる。
ホルド環４１の断面図についてみると、例えばクリップ
の如き手段４４によって陰極側部に半導体ウエハが位置
決めされる。（あるいは陰極内の凹所（図示せず）内に
取付けもしくは保持してもよい。）望ましい態様の場
合、それぞれのウエハもしくは基体５に対してガス環４
１が設けられる。その代りとして、該ガス環を陰極上に
取付けることもできる。ガス環４１の直径は、それと関
連する基体５の径よりも僅かに大きく、ガス環の開口４
６は、リング内側方向へ形成されているため、マニホル
ドは反応ガスを僅かな角度で基体上へ向けることにな
る。このため、ガス環を経由して該ガス環とウエハと整
合した室壁内の排気口４７へと均一なガスの流れが基体
面を横切りかつ基体から去るように供給されることにな
る。排気口４７は真空バルブとルーツ型送風機を経て機
械式ポンプ（図示せず）に接続される。以上の配置のた
めに反応ガスによる基体の均一な被覆と処理が容易にな
る。以上の配置によってまた、相対的に冷たい内側室壁
上に、基体上に汚染物質として再蒸着される虞れがある
沈着物質を形成する反応室の固有の傾向もまた減殺され
ることになる。ノズルや開口の付いた平坦状マニホルド
の如きその他の入口手段を使用することもできるが、環
形のものが均一なガス分布と室壁に物質が沈着する傾向
を抑止するという点からも望ましい。系統の制御は圧力
制御系統と直流モータを介して作動し送風機の速度を制
御する容量型圧力センサを介して行われる。
【００２１】図４には図解しやすくするために一個の基
体５、吸入マニホルド４１と排気口４７だけが示されて
いるけれども、実際には図５に示すようにそのうちの何
れも２個（もしくはそれ以上）使用することが望まし
い。それらの使用数は具体的に陰極３２を取付ける場合
に利用できるスペースもしくは面の数による。典型的な
場合としては陰極は図４と図５に示すように二辺形か多
角形である。しかしながら、以下に述べるように、室内
の磁界は均一であり、その結果、その他の形の電極も使
用することができる。
体５、吸入マニホルド４１と排気口４７だけが示されて
いるけれども、実際には図５に示すようにそのうちの何
れも２個（もしくはそれ以上）使用することが望まし
い。それらの使用数は具体的に陰極３２を取付ける場合
に利用できるスペースもしくは面の数による。典型的な
場合としては陰極は図４と図５に示すように二辺形か多
角形である。しかしながら、以下に述べるように、室内
の磁界は均一であり、その結果、その他の形の電極も使
用することができる。
【００２２】本系統３０は、室温で、即ち、蒸着反応以
外の手段で、基体５を加熱しないで膜を蒸着させる働き
を行う。しかしながら、図５の断面図に示す通り、ある
作業態様においては、陰極体３４はその内部に例えば電
気抵抗フイラメントの如き加熱手段５２を備え、基体５
を均一に加熱し膜質を向上させる。最大限の加熱条件で
ある２５０℃はプラズマＣＶＤにおいて使用される温度
よりも低い。ＲＦエネルギーを使用して基体支持材と基
体を加熱することもできよう。例えば、窒素ガスの如き
冷却液体もまた陰極体３４の内側に供給して基体温度の
制御を容易にすることができる。
外の手段で、基体５を加熱しないで膜を蒸着させる働き
を行う。しかしながら、図５の断面図に示す通り、ある
作業態様においては、陰極体３４はその内部に例えば電
気抵抗フイラメントの如き加熱手段５２を備え、基体５
を均一に加熱し膜質を向上させる。最大限の加熱条件で
ある２５０℃はプラズマＣＶＤにおいて使用される温度
よりも低い。ＲＦエネルギーを使用して基体支持材と基
体を加熱することもできよう。例えば、窒素ガスの如き
冷却液体もまた陰極体３４の内側に供給して基体温度の
制御を容易にすることができる。
【００２３】典型的な場合として銅製コイル（図示せ
ず）により形成した電磁石５４−５４が真空室３１周辺
の頂部と底部付近に周辺を取り巻くようにして位置決め
される。該電磁石は、コイル電流を逆転することによっ
て反転しうるＮ極Ｓ極を構成する。殊に、室寸法とコイ
ルはヘルムホルツ形状をしていて、直立材５６−５６を
取付けることによって正確に維持されるコイル間隔はコ
イル径のほぼ２分の１となる。この形状の場合、電磁石
は真空室の径断面のほぼ全体にわたって均一な磁界を形
成することになる。矢印Ｂ−Ｂにより示した平行な磁界
線は円筒軸に対してほぼ平行となる。陰極３４と基体５
をシリンダ軸に対して平行に位置決めする場合（陰極は
磁界線に対して透過性をもつ）、磁界線は基体面に対し
て平行に形成される。
ず）により形成した電磁石５４−５４が真空室３１周辺
の頂部と底部付近に周辺を取り巻くようにして位置決め
される。該電磁石は、コイル電流を逆転することによっ
て反転しうるＮ極Ｓ極を構成する。殊に、室寸法とコイ
ルはヘルムホルツ形状をしていて、直立材５６−５６を
取付けることによって正確に維持されるコイル間隔はコ
イル径のほぼ２分の１となる。この形状の場合、電磁石
は真空室の径断面のほぼ全体にわたって均一な磁界を形
成することになる。矢印Ｂ−Ｂにより示した平行な磁界
線は円筒軸に対してほぼ平行となる。陰極３４と基体５
をシリンダ軸に対して平行に位置決めする場合（陰極は
磁界線に対して透過性をもつ）、磁界線は基体面に対し
て平行に形成される。
【００２４】図５と図６について述べると、反応炉系統
３０の蒸着作業中、選択されたガスが配管４２を介して
タンク４３−４３から、また、そこから入口環マニホル
ド４１を経て排気ポンプ系統により排気される反応室３
０へ導入される。
３０の蒸着作業中、選択されたガスが配管４２を介して
タンク４３−４３から、また、そこから入口環マニホル
ド４１を経て排気ポンプ系統により排気される反応室３
０へ導入される。
【００２５】電源３８からＲＦ電力を印加すると、低圧
の反応ガス放電もしくは電子、イオンおよび電離したガ
ス種のプラズマが基体５付近につくり出される。図６に
略示するように、正電位のプラズマから電極部分３４の
表面方向へ向かいプラズマシールドもしくは暗空間を横
切って電界Ｅが形成される。この電界はさやを横切り電
極面から去る方向に電子を加速し、正イオンをさやを横
切り電極３４方向に加速する。同時に、基体５に平行に
かつ電界に垂直に均一な磁界が真空室に加えられる。電
子が陰極３４から陽極３１へ容易に移動することを磁界
線が妨げるように、電子は、磁界線によって封鎖され
る。同様にして、磁界と電界は、Ｅ×Ｂドリフト速度を
電子に付与するためにそれらは陰極面に沿い点間をドリ
フトしジャンプする傾向をもつことになる。電子は陰極
と基体に沿い正味ドリフト速度を有する帯板内に集中す
る。Ｅ×Ｂドリフト速度は、端部反射器３６−３６と相
俟って電子をプラズマ内部にとじ込める傾向を有する。
電子を閉じ込める磁界の影響の理論と解説はすでに知ら
れている通りである。しかしながら、この原理を化学蒸
着法に応用することはこれまでまだ行われてはおらず、
またそれが非常に低い系統圧（最高ほぼ２００ミリト
ル）（それが磁気補助式プラズマ系統に固有の制約とな
っている）のもとで非常に高い蒸着率で行うことができ
るという点についても今日、何ら示唆されていない。
の反応ガス放電もしくは電子、イオンおよび電離したガ
ス種のプラズマが基体５付近につくり出される。図６に
略示するように、正電位のプラズマから電極部分３４の
表面方向へ向かいプラズマシールドもしくは暗空間を横
切って電界Ｅが形成される。この電界はさやを横切り電
極面から去る方向に電子を加速し、正イオンをさやを横
切り電極３４方向に加速する。同時に、基体５に平行に
かつ電界に垂直に均一な磁界が真空室に加えられる。電
子が陰極３４から陽極３１へ容易に移動することを磁界
線が妨げるように、電子は、磁界線によって封鎖され
る。同様にして、磁界と電界は、Ｅ×Ｂドリフト速度を
電子に付与するためにそれらは陰極面に沿い点間をドリ
フトしジャンプする傾向をもつことになる。電子は陰極
と基体に沿い正味ドリフト速度を有する帯板内に集中す
る。Ｅ×Ｂドリフト速度は、端部反射器３６−３６と相
俟って電子をプラズマ内部にとじ込める傾向を有する。
電子を閉じ込める磁界の影響の理論と解説はすでに知ら
れている通りである。しかしながら、この原理を化学蒸
着法に応用することはこれまでまだ行われてはおらず、
またそれが非常に低い系統圧（最高ほぼ２００ミリト
ル）（それが磁気補助式プラズマ系統に固有の制約とな
っている）のもとで非常に高い蒸着率で行うことができ
るという点についても今日、何ら示唆されていない。
【００２６】電子の密度数、従って基体５で反応させる
ために利用できる反応ガス分子の密度を増大させるうえ
で磁界と反応炉３０が驚く程有効であるという点につい
ては図７ないし図９に明示されている。これらの数字
は、異なる値の磁界のもとで窒素プラズマ中に存在する
活性窒素ガス分子の分光反応の強さを示すものである。
何れの場合にも窒素プラズマは２００ミリトルの圧力と
５００ワットのＲＦ電力とを用いて形成された。磁界の
強さは、図７、図８、および図９についてそれぞれ０Ｇ
（ガウス）、１２５Ｇおよび２５０Ｇであった。０Ｇ、
１２５Ｇと２５０Ｇの磁界値の場合に窒素の分光強度を
均等にするために必要とされた6.６６、3.０２および1.
６の計数逓減率は、それぞれ、利用できる活性窒素ガス
分子が図７に示した基礎値を超えて磁界の増大に比例し
て増加したということを示唆している。
ために利用できる反応ガス分子の密度を増大させるうえ
で磁界と反応炉３０が驚く程有効であるという点につい
ては図７ないし図９に明示されている。これらの数字
は、異なる値の磁界のもとで窒素プラズマ中に存在する
活性窒素ガス分子の分光反応の強さを示すものである。
何れの場合にも窒素プラズマは２００ミリトルの圧力と
５００ワットのＲＦ電力とを用いて形成された。磁界の
強さは、図７、図８、および図９についてそれぞれ０Ｇ
（ガウス）、１２５Ｇおよび２５０Ｇであった。０Ｇ、
１２５Ｇと２５０Ｇの磁界値の場合に窒素の分光強度を
均等にするために必要とされた6.６６、3.０２および1.
６の計数逓減率は、それぞれ、利用できる活性窒素ガス
分子が図７に示した基礎値を超えて磁界の増大に比例し
て増加したということを示唆している。
【００２７】活性窒素ガス分子の使用する可能性が大き
くなるとシリコン窒化物とシリコン酸窒化物を蒸着させ
るためにアンモニアを使用せずとも窒素ガスを使用する
ことができる。プラズマ窒化物／酸窒化物蒸着用に窒素
を使用することが望ましいのはそれが比較的低水素含有
の膜を提供することができるからである。しかしなが
ら、窒素は相対的に不活性であるため、従来プラズマＣ
ＶＤ蒸着法においては承認できない程の低さの蒸着率し
か与えなかった。そのため、窒化物／酸窒化物蒸着用に
は、そのために高水素含有の膜となるにもかゝわらず、
アンモニア NH3が使用されている。我々の知る限り、マ
グネトロン増速プラズマによる蒸着法は、優れた膜質と
相俟って低水素含有膜と高蒸着率を与えてくれる唯一の
気体化学反応法である。
くなるとシリコン窒化物とシリコン酸窒化物を蒸着させ
るためにアンモニアを使用せずとも窒素ガスを使用する
ことができる。プラズマ窒化物／酸窒化物蒸着用に窒素
を使用することが望ましいのはそれが比較的低水素含有
の膜を提供することができるからである。しかしなが
ら、窒素は相対的に不活性であるため、従来プラズマＣ
ＶＤ蒸着法においては承認できない程の低さの蒸着率し
か与えなかった。そのため、窒化物／酸窒化物蒸着用に
は、そのために高水素含有の膜となるにもかゝわらず、
アンモニア NH3が使用されている。我々の知る限り、マ
グネトロン増速プラズマによる蒸着法は、優れた膜質と
相俟って低水素含有膜と高蒸着率を与えてくれる唯一の
気体化学反応法である。
【００２８】このような方法のもう一つの利点は、低圧
下での高い蒸着率と、工程を最適にするうえでの可変磁
界の利用可能性に関している。これらは、例えば、図１
０に示したシリコン窒化物蒸着曲線７１、７２に示され
ている通りである。曲線７１、７２のデータ点は、それ
ぞれ１０％SiH4／９０％N2と５０％SiH4／５０％N2の流
量比を用いて描かれた。使用した低い１０ミリトル圧に
もかゝわらず、非常に高い蒸着率が得られ、１分あたり
０〜5,０００オングストロームの蒸着率は、それに関連
する磁界範囲０〜５００ガウスの漸近関数となった。
下での高い蒸着率と、工程を最適にするうえでの可変磁
界の利用可能性に関している。これらは、例えば、図１
０に示したシリコン窒化物蒸着曲線７１、７２に示され
ている通りである。曲線７１、７２のデータ点は、それ
ぞれ１０％SiH4／９０％N2と５０％SiH4／５０％N2の流
量比を用いて描かれた。使用した低い１０ミリトル圧に
もかゝわらず、非常に高い蒸着率が得られ、１分あたり
０〜5,０００オングストロームの蒸着率は、それに関連
する磁界範囲０〜５００ガウスの漸近関数となった。
【００２９】図１１についてのべると、曲線８１は、反
応ガス流全体の関数としてシリコン窒化物の蒸着率をプ
ロットしたものである。この数字は、低圧のもとで反応
ガス流の関数として高い蒸着率が得られるということを
示すものである。図１１のデータは５０％SiH4／５０％
N2ガス流と１０ミリトルの低圧を使用して５００ワッ
ト、２５０Ｇ、３００℃のもとで得られたものである。
１分あたりほぼ4,０００オングストロームの最大蒸着率
は、ほぼ１５０ＳＣＣＭの総ガス流量の場合に達成さ
れ、１分あたり０〜4,０００オングストロームの蒸着率
の範囲は反応ガス総流量範囲０〜１５０ＳＣＣＭと関連
している。
応ガス流全体の関数としてシリコン窒化物の蒸着率をプ
ロットしたものである。この数字は、低圧のもとで反応
ガス流の関数として高い蒸着率が得られるということを
示すものである。図１１のデータは５０％SiH4／５０％
N2ガス流と１０ミリトルの低圧を使用して５００ワッ
ト、２５０Ｇ、３００℃のもとで得られたものである。
１分あたりほぼ4,０００オングストロームの最大蒸着率
は、ほぼ１５０ＳＣＣＭの総ガス流量の場合に達成さ
れ、１分あたり０〜4,０００オングストロームの蒸着率
の範囲は反応ガス総流量範囲０〜１５０ＳＣＣＭと関連
している。
【００３０】マグネトロン増速プラズマ補助式本ＣＶＤ
技術のもう一つの有利な面は、圧力と関わりなく低い直
流バイアスでしかも蒸着膜内に欠陥密度が低い（先に述
べた）高い蒸着率を得ることができるという点である。
以上の点を説明するには、まず低い直流バイアスの結果
イオン衝撃エネルギーが相対的に低くなることは、基体
と膜の欠陥密度が低くなる結果をもたらすことになると
いう周知の事実を考えられたい。
技術のもう一つの有利な面は、圧力と関わりなく低い直
流バイアスでしかも蒸着膜内に欠陥密度が低い（先に述
べた）高い蒸着率を得ることができるという点である。
以上の点を説明するには、まず低い直流バイアスの結果
イオン衝撃エネルギーが相対的に低くなることは、基体
と膜の欠陥密度が低くなる結果をもたらすことになると
いう周知の事実を考えられたい。
【００３１】更に、磁界の関数としての直流バイアスに
関する図１２の曲線９１は、（磁界を加えることにより
生ずる）系統３０のバイアス電圧が磁界が増大するにつ
れてＢ＞１５０ガウスの場合相対的に一定の値にまで低
下するということを示している。かくして、高い蒸着率
（図１０参照）を得るために磁界を増すとそれに伴って
直流バイアス電圧レベルが低下し低欠陥の密度を得るこ
とができるという利益も得ることができる。更に、５
０、１００、２５０および５００ガウスのもとでの圧力
の関数として直流バイアスを描いた図１３と図１４の曲
線１０１、１０２、１０３、１０４は直流バイアスが調
査した室圧範囲にわたって相対的に一定となるというこ
とを示している。そのため、本反応炉系統３０と蒸着技
術により得られる相対的に高い蒸着率は低い直流バイア
スのもとでしかも低欠陥密度と共に得られ、圧力から相
対的に独立なものとなる。このことは高圧が望ましくな
いような状況において低圧を使用することを可能にする
ものである。
関する図１２の曲線９１は、（磁界を加えることにより
生ずる）系統３０のバイアス電圧が磁界が増大するにつ
れてＢ＞１５０ガウスの場合相対的に一定の値にまで低
下するということを示している。かくして、高い蒸着率
（図１０参照）を得るために磁界を増すとそれに伴って
直流バイアス電圧レベルが低下し低欠陥の密度を得るこ
とができるという利益も得ることができる。更に、５
０、１００、２５０および５００ガウスのもとでの圧力
の関数として直流バイアスを描いた図１３と図１４の曲
線１０１、１０２、１０３、１０４は直流バイアスが調
査した室圧範囲にわたって相対的に一定となるというこ
とを示している。そのため、本反応炉系統３０と蒸着技
術により得られる相対的に高い蒸着率は低い直流バイア
スのもとでしかも低欠陥密度と共に得られ、圧力から相
対的に独立なものとなる。このことは高圧が望ましくな
いような状況において低圧を使用することを可能にする
ものである。
【００３２】蒸着 本発明により得られる高い蒸着率は、優れた膜質と優れ
た相似性を伴うものである。高品質の膜を得るために設
備設計に永久磁石を使用することができるが、特定の膜
その他の条件に合致した蒸着条件を作る能力を得るうえ
では電磁石５４、５５により得ることのできる可変磁界
が重要である。
た相似性を伴うものである。高品質の膜を得るために設
備設計に永久磁石を使用することができるが、特定の膜
その他の条件に合致した蒸着条件を作る能力を得るうえ
では電磁石５４、５５により得ることのできる可変磁界
が重要である。
【００３３】以上の蒸着方法を実証するための実験計画
が作成された。上述の一般的方法と後掲第１表に示した
プロセス変数を用いて単結晶シリコン膜上にシリコン窒
化物（Six Ny) 、シリコン酸窒化物(SixOy Nz ）、およ
び二酸化シリコン（SiO2）が蒸着された。二つの異なる
寸法の反応炉３０を使用したが結果は同じであった。そ
の両方ともヘルムホルツ磁石形を使用した。最初の反応
室は径が１２インチ、高さ１２インチ、磁石寸法は径内
がほぼ１２インチで６インチの間隔であった。第二番目
の反応室３０は、内径が１８インチ、高さ１５インチ
で、磁石は内径がほぼ１８インチ、間隔がほぼ９インチ
てあった。
が作成された。上述の一般的方法と後掲第１表に示した
プロセス変数を用いて単結晶シリコン膜上にシリコン窒
化物（Six Ny) 、シリコン酸窒化物(SixOy Nz ）、およ
び二酸化シリコン（SiO2）が蒸着された。二つの異なる
寸法の反応炉３０を使用したが結果は同じであった。そ
の両方ともヘルムホルツ磁石形を使用した。最初の反応
室は径が１２インチ、高さ１２インチ、磁石寸法は径内
がほぼ１２インチで６インチの間隔であった。第二番目
の反応室３０は、内径が１８インチ、高さ１５インチ
で、磁石は内径がほぼ１８インチ、間隔がほぼ９インチ
てあった。
【００３４】先に述べた通り、アンモニア NH3を使用せ
ずにSiH4／N2を用いてシリコン窒化物膜が形成された。
それぞれSiH4／N2／N2O とSiH4／N2O を使用してシリコ
ン酸窒化物と二酸化シリコンが形成された。酸窒化物蒸
着には等流量のN2およびN2Oが使用されたが、当業者は
酸窒化物組成を制御するために流量比N2／N2O を変化さ
せることができるということが理解できるはずである。
ずにSiH4／N2を用いてシリコン窒化物膜が形成された。
それぞれSiH4／N2／N2O とSiH4／N2O を使用してシリコ
ン酸窒化物と二酸化シリコンが形成された。酸窒化物蒸
着には等流量のN2およびN2Oが使用されたが、当業者は
酸窒化物組成を制御するために流量比N2／N2O を変化さ
せることができるということが理解できるはずである。
【００３５】膜は下記の通りの特徴を備えることになっ
た。すなわち、楕円偏光測定器を用いて屈折率（Nf）を
測定することによって膜の化学量の表示が得られた。膜
厚は四点探触測定法を用いて判定された。該膜厚値はそ
の後、蒸着するごとに蒸着率を得るために用いられた。
膜応力の値は蒸着後ウエハの正味曲率半径を測定するこ
とによって判定された。同様にして膜は２５℃の緩衝弗
化水素（ＢＨＦ）エッチング溶液（１３：２ NH4：HF）
中でウエットエッチングされて膜密度と品質に関する間
接的な評価を得た。シリコン窒化物／二酸化シリコンの
ばあいのそれぞれ一分あたり約５０／９００オングスト
ロームに及ぶ相対的に低いＢＨＦエッチング率は、一般
に高品質で高密度の膜を示すものと考えられる。
た。すなわち、楕円偏光測定器を用いて屈折率（Nf）を
測定することによって膜の化学量の表示が得られた。膜
厚は四点探触測定法を用いて判定された。該膜厚値はそ
の後、蒸着するごとに蒸着率を得るために用いられた。
膜応力の値は蒸着後ウエハの正味曲率半径を測定するこ
とによって判定された。同様にして膜は２５℃の緩衝弗
化水素（ＢＨＦ）エッチング溶液（１３：２ NH4：HF）
中でウエットエッチングされて膜密度と品質に関する間
接的な評価を得た。シリコン窒化物／二酸化シリコンの
ばあいのそれぞれ一分あたり約５０／９００オングスト
ロームに及ぶ相対的に低いＢＨＦエッチング率は、一般
に高品質で高密度の膜を示すものと考えられる。
【００３６】 表 １ 膜 SiO2；SixOyNz SixN 変 数 ＲＦ電力 400 − 1000 ワット 400 − 1000 ワット 磁 界 25 − 200 ガウス 25 − 100 ガウス 直流バイアス 50 − 250 ボルト 50 − 250 ボルト 圧 力 2 − 100 ミリトル 2 − 100 ミリトル ガス系統 SiH4／N2O ；SiH4／N2／N2O SiH4／N2 総流量 100 − 800 ＳＣＣＭ 100 − 800 ＳＣＣＭ 温 度 20 − 300 ℃ 20 − 300 ℃
【００３７】表２について述べると、蒸着されたシリコ
ン窒化物、シリコン酸窒化物、および二酸化シリコン膜
の場合、測定された屈折率と膜組成値は十分に承認可能
な範囲内にある。
ン窒化物、シリコン酸窒化物、および二酸化シリコン膜
の場合、測定された屈折率と膜組成値は十分に承認可能
な範囲内にある。
【００３８】原子核反応とＩＲ分析もまた、シリコン窒
化物膜について５〜１３％という低い水素含有値を示し
た。更に、１分あたり２０〜７０オングストロームのＢ
ＨＦエッチング率は、高密度、高品質のシリコン窒化物
膜を表わす１分あたり５０オングストロームと首尾一貫
している。１分あたり２０〜７０オングストロームのエ
ッチング率は、蒸着されたシリコン窒化物膜が非常に高
品質で高密度である証拠と解釈できる。更に、シリコン
窒化物膜の付着度は良好であった。シリコン窒化物膜の
圧縮応力は１平方センチメートルにつきほぼ５×１０9
〜１×１０10ダインであった。この値は、シリコン窒化
物膜の高密度、高付着力、低水素含有量を特徴づけるも
のであると考えられている。最後に、蒸着実験は、電力
を上げて補助加熱の不足を補償することによって室温に
おいて良質のシリコン窒化物膜を蒸着させることができ
るということを示している。３０ｍトル以下の圧力と、
４００ワット以上の電力水準の場合、約１００℃以下で
高品質の膜が得られた。同様に、約１００℃以上で膜の
高い品質はプロセス変数範囲にわたって温度に対して不
感応であった。
化物膜について５〜１３％という低い水素含有値を示し
た。更に、１分あたり２０〜７０オングストロームのＢ
ＨＦエッチング率は、高密度、高品質のシリコン窒化物
膜を表わす１分あたり５０オングストロームと首尾一貫
している。１分あたり２０〜７０オングストロームのエ
ッチング率は、蒸着されたシリコン窒化物膜が非常に高
品質で高密度である証拠と解釈できる。更に、シリコン
窒化物膜の付着度は良好であった。シリコン窒化物膜の
圧縮応力は１平方センチメートルにつきほぼ５×１０9
〜１×１０10ダインであった。この値は、シリコン窒化
物膜の高密度、高付着力、低水素含有量を特徴づけるも
のであると考えられている。最後に、蒸着実験は、電力
を上げて補助加熱の不足を補償することによって室温に
おいて良質のシリコン窒化物膜を蒸着させることができ
るということを示している。３０ｍトル以下の圧力と、
４００ワット以上の電力水準の場合、約１００℃以下で
高品質の膜が得られた。同様に、約１００℃以上で膜の
高い品質はプロセス変数範囲にわたって温度に対して不
感応であった。
【００３９】 表 ２ 蒸着膜の特性 膜 SixNy SixOyNz SiO2 特 性 Ｎｆ 1.7 − 2.0 1.6 1.48 オーガー，％ Si 40 30 33 Ｏ 5 50 62 Ｎ 55 20 5 応力（ダイン／cm2) 5 × 109− 1 × 1010 1 × 1010 (4.5〜7.5)×109 蒸着率（Ａ0 ／分） 〜1000−5000 〜1000−5000 〜1000−4750 エッチング率 （Ａ0 ／分） 20−70 400 1040−1140 Ｈ含有量 5−13％ 3−8 ％ − 付着度 優 秀 優 秀 優 秀 ステップ被覆度 〃 〃 〃 厚さの均一度 ＜５％ ＜５％ ＜５％
【００４０】シリコン酸窒化物の場合、１分あたり４０
０オングストロームのエッチング率は、高密度膜に関す
る酸素含有量に応じた１分あたり多分1,０００〜2,５０
０オングストロームの値と比較しても更に相対的に低
く、膜が高品質で高密度であるということを再び示唆す
るものとなっている。蒸着率は１分あたり1,０００〜5,
０００オングストロームであった。水素含有量は低く、
約３〜８％で付着度は優秀であった。膜は割れやしわを
示すことがなかった。
０オングストロームのエッチング率は、高密度膜に関す
る酸素含有量に応じた１分あたり多分1,０００〜2,５０
０オングストロームの値と比較しても更に相対的に低
く、膜が高品質で高密度であるということを再び示唆す
るものとなっている。蒸着率は１分あたり1,０００〜5,
０００オングストロームであった。水素含有量は低く、
約３〜８％で付着度は優秀であった。膜は割れやしわを
示すことがなかった。
【００４１】最後に、蒸着された二酸化シリコン膜は、
１分あたり約1,０４０〜1,１４０オングストロームのエ
ッチング率を示し、良質の高密度膜であることを示して
いる。良質の加熱シリコン酸化膜（ゆっくりと形成さ
れ、長時間約８００〜９００℃の比較的高温にＩＣ構造
をさらすことが必要である）のＢＨＦエッチング率は１
分あたり約９００オングストロームであるということは
注目するに値する。本発明によるマグネトロン増速プラ
ズマ酸化物膜の熱酸化物の質は低温と極度に短い蒸着回
数で得ることができる。（それは、１分あたりほぼ1,０
００〜5,０００オングストロームという非常に高い蒸着
率によるものである。）その結果、現在のＩＣ構造は、
熱シリコン酸化物膜を形成する場合のように、長時間高
温にさらされることはない。
１分あたり約1,０４０〜1,１４０オングストロームのエ
ッチング率を示し、良質の高密度膜であることを示して
いる。良質の加熱シリコン酸化膜（ゆっくりと形成さ
れ、長時間約８００〜９００℃の比較的高温にＩＣ構造
をさらすことが必要である）のＢＨＦエッチング率は１
分あたり約９００オングストロームであるということは
注目するに値する。本発明によるマグネトロン増速プラ
ズマ酸化物膜の熱酸化物の質は低温と極度に短い蒸着回
数で得ることができる。（それは、１分あたりほぼ1,０
００〜5,０００オングストロームという非常に高い蒸着
率によるものである。）その結果、現在のＩＣ構造は、
熱シリコン酸化物膜を形成する場合のように、長時間高
温にさらされることはない。
【００４２】更に、シリコン酸化物膜の場合、膜は圧縮
された。圧縮応力値は１平方センチメートルにつき（4.
５〜7.５）１０9 の範囲内にあって、全体的に膜割れや
しわはみられなかった。処理圧力がほぼ５ミリトルを下
廻る場合に膜割れが幾分みられ、約５０ミリトルの場合
に気相反応の証拠がみられたということに注意された
い。最初の問題点は磁界を調節することによって避ける
ことができるが後者は室形状、重力および流量の関数と
なる。
された。圧縮応力値は１平方センチメートルにつき（4.
５〜7.５）１０9 の範囲内にあって、全体的に膜割れや
しわはみられなかった。処理圧力がほぼ５ミリトルを下
廻る場合に膜割れが幾分みられ、約５０ミリトルの場合
に気相反応の証拠がみられたということに注意された
い。最初の問題点は磁界を調節することによって避ける
ことができるが後者は室形状、重力および流量の関数と
なる。
【００４３】窒化物、酸窒化物、および酸化物膜の場合
の１分間あたり約1,０００〜5,０００オングストローム
の蒸着率範囲は磁界強度とガス流量の関数となり、磁界
値と（もしくは）ガス流量が高ければそれだけ高い蒸着
率が得られるという点に注意されたい。更に、今日まで
行われた研究は5,０００オングストロームの最大値は上
限値ではないということを示している。実験データは、
所与の圧力のもとで磁界を強化したりガス流量を増加さ
せると更に高い良質薄膜の蒸着率が得られるということ
を示唆している。
の１分間あたり約1,０００〜5,０００オングストローム
の蒸着率範囲は磁界強度とガス流量の関数となり、磁界
値と（もしくは）ガス流量が高ければそれだけ高い蒸着
率が得られるという点に注意されたい。更に、今日まで
行われた研究は5,０００オングストロームの最大値は上
限値ではないということを示している。実験データは、
所与の圧力のもとで磁界を強化したりガス流量を増加さ
せると更に高い良質薄膜の蒸着率が得られるということ
を示唆している。
【００４４】相似ステップ被覆 上記の通り、小寸法の高密度の形状上に相似の平面状の
薄膜を形成することができることは今日および将来のＩ
Ｃ蒸着技術にとってすこぶる重要である。マグネトロン
増速プラズマによるシリコン窒化物と二酸化シリコンの
薄膜の相似性と平面度の質を調査する実験計画が作成さ
れた。図１５についてのべると、線幅が0.５〜２ミクロ
ン、ステップの高さが１ミクロンとして形成され1.５〜
２ミクロン幅の溝により隔離されたステップ状のシリコ
ン導体膜１２１上に１ミクロンの厚さの酸化膜と窒化物
膜１２２が形成された。反応炉３０は上に述べた方法に
従って使用された。シリコン窒化物とシリコン酸化膜を
蒸着させるために表１の蒸着変数が用いられた。更に、
NF3 もしくは CF4のエッチングガスを蒸着ガスと同時に
室内に加えることによってシリコン酸化膜が形成され
た。エッチングと蒸着のプロセスの双方とも底壁１２３
と側壁１２４上で緩慢に進行する。そのため、相似膜の
形成を増進するために、すなわち、異なる面上における
蒸着率の相異を相殺することによって、したがって底部
１２３、側壁１２４および頂面１２５上の膜厚を等しく
することによってステップ被膜外形を制御するために蒸
着と同時にエッチング法が用いられた。それは蒸着率を
制御するためにも使用された。
薄膜を形成することができることは今日および将来のＩ
Ｃ蒸着技術にとってすこぶる重要である。マグネトロン
増速プラズマによるシリコン窒化物と二酸化シリコンの
薄膜の相似性と平面度の質を調査する実験計画が作成さ
れた。図１５についてのべると、線幅が0.５〜２ミクロ
ン、ステップの高さが１ミクロンとして形成され1.５〜
２ミクロン幅の溝により隔離されたステップ状のシリコ
ン導体膜１２１上に１ミクロンの厚さの酸化膜と窒化物
膜１２２が形成された。反応炉３０は上に述べた方法に
従って使用された。シリコン窒化物とシリコン酸化膜を
蒸着させるために表１の蒸着変数が用いられた。更に、
NF3 もしくは CF4のエッチングガスを蒸着ガスと同時に
室内に加えることによってシリコン酸化膜が形成され
た。エッチングと蒸着のプロセスの双方とも底壁１２３
と側壁１２４上で緩慢に進行する。そのため、相似膜の
形成を増進するために、すなわち、異なる面上における
蒸着率の相異を相殺することによって、したがって底部
１２３、側壁１２４および頂面１２５上の膜厚を等しく
することによってステップ被膜外形を制御するために蒸
着と同時にエッチング法が用いられた。それは蒸着率を
制御するためにも使用された。
【００４５】ステップ被覆率はＳＥＭ（走査電子顕微鏡
写真図）を用いて特徴づけられた。図１５の、得られた
蒸着シリコン窒化物膜およびシリコン酸化膜１２２の略
図に示す通り、ステップ被覆度は（１）型の薄膜と
（２）型の薄膜の両方とも全く相似的であった。初期の
２ミクロン成長過程では、底部１２３、側壁１２４およ
び頂面１２５における膜厚は点線１２６により示した通
り等しかった。従来のプラズマ蒸着膜に関係があるよう
な底面の突起とボイドはみられなかった。要するに、ス
テップ間の間隔が密接しているにもかゝわらず、相似形
のシリコン窒化膜と二酸化シリコン膜が得られたわけで
ある。その後、膜蒸着が継続されるにつれて、殆んど平
坦状のプレート状の上面１２７が形成された。
写真図）を用いて特徴づけられた。図１５の、得られた
蒸着シリコン窒化物膜およびシリコン酸化膜１２２の略
図に示す通り、ステップ被覆度は（１）型の薄膜と
（２）型の薄膜の両方とも全く相似的であった。初期の
２ミクロン成長過程では、底部１２３、側壁１２４およ
び頂面１２５における膜厚は点線１２６により示した通
り等しかった。従来のプラズマ蒸着膜に関係があるよう
な底面の突起とボイドはみられなかった。要するに、ス
テップ間の間隔が密接しているにもかゝわらず、相似形
のシリコン窒化膜と二酸化シリコン膜が得られたわけで
ある。その後、膜蒸着が継続されるにつれて、殆んど平
坦状のプレート状の上面１２７が形成された。
【００４６】観察された均一な膜厚は高い表面移動度の
結果であると考えられる。所与の条件の場合のピーク間
電圧と直流バイアスは、磁界を用いると零の磁界の場合
よりも低いのが典型的であり、その結果、基体５に衝突
するイオンの平均エネルギーも（基体と薄膜の欠陥密度
と共に）同様に低かった。にもかかわらず、基体面に到
達する活性化学ガス分子の非常に高い分子密度は、薄膜
を均一に成長させる高い表面移動度をもたらすものと考
えられる。相似ステップ被覆もまた促進される、すなわ
ち、ステップの頂部、底部および底部上に均一な厚さの
薄膜を形成する傾向は、圧力が少なくとも約５ミリトル
の値まで低下するにつれて増加する。圧力が変化するこ
とによって現場で薄膜を物理的にスパッタリングするこ
とにより蒸着される膜の外形を制御することができる。
基体面に到達するガス分子の平均自由行程は圧力ととも
に変化し、低圧のもとでより非指向的となり、物理的現
場スパッタリングによるステップ被覆のエッジと頂部上
の膜厚を減少させる。
結果であると考えられる。所与の条件の場合のピーク間
電圧と直流バイアスは、磁界を用いると零の磁界の場合
よりも低いのが典型的であり、その結果、基体５に衝突
するイオンの平均エネルギーも（基体と薄膜の欠陥密度
と共に）同様に低かった。にもかかわらず、基体面に到
達する活性化学ガス分子の非常に高い分子密度は、薄膜
を均一に成長させる高い表面移動度をもたらすものと考
えられる。相似ステップ被覆もまた促進される、すなわ
ち、ステップの頂部、底部および底部上に均一な厚さの
薄膜を形成する傾向は、圧力が少なくとも約５ミリトル
の値まで低下するにつれて増加する。圧力が変化するこ
とによって現場で薄膜を物理的にスパッタリングするこ
とにより蒸着される膜の外形を制御することができる。
基体面に到達するガス分子の平均自由行程は圧力ととも
に変化し、低圧のもとでより非指向的となり、物理的現
場スパッタリングによるステップ被覆のエッジと頂部上
の膜厚を減少させる。
【００４７】先に論じた種々の変数を使用して膜成長度
を制御する他に、磁界を変化させることによって相似形
被覆と各種膜特性、膜応力を制御することができる。窒
化物膜中の応力に対して磁界の変化が及ぼす影響は、す
でに調査済みである。低周波磁界（約５０〜４５０キロ
ヘルツ）は、典型的な場合付着度を増進させると共に、
高周波磁界（約１３〜２７メガヘルツ）の場合よりも高
い膜応力を与えた。低い応力の良好な付着度をもった窒
化物膜は、低周波磁界を用いて蒸着を開始し、その後高
周波磁界に切換えることによって得られた。低周波数に
よる最初の蒸着は下層材質に対して優れた付着力を与え
るが、応力は膜厚にもとづいた加重平均となる。応力利
得は初めに高周波を使用し次いで低周波磁界に切換える
ことによって得ることを期待できるが、その場合には恐
らく付着力が若干低下することになろう。
を制御する他に、磁界を変化させることによって相似形
被覆と各種膜特性、膜応力を制御することができる。窒
化物膜中の応力に対して磁界の変化が及ぼす影響は、す
でに調査済みである。低周波磁界（約５０〜４５０キロ
ヘルツ）は、典型的な場合付着度を増進させると共に、
高周波磁界（約１３〜２７メガヘルツ）の場合よりも高
い膜応力を与えた。低い応力の良好な付着度をもった窒
化物膜は、低周波磁界を用いて蒸着を開始し、その後高
周波磁界に切換えることによって得られた。低周波数に
よる最初の蒸着は下層材質に対して優れた付着力を与え
るが、応力は膜厚にもとづいた加重平均となる。応力利
得は初めに高周波を使用し次いで低周波磁界に切換える
ことによって得ることを期待できるが、その場合には恐
らく付着力が若干低下することになろう。
【００４８】高周波磁界と低周波磁界を混成して加える
ことによってもまた窒化物膜の付着度と応力は最適にさ
れた。この場合にも、良好な付着度が得られ、応力は電
力にもとづく加重平均となった。
ことによってもまた窒化物膜の付着度と応力は最適にさ
れた。この場合にも、良好な付着度が得られ、応力は電
力にもとづく加重平均となった。
【００４９】上述のステップ被覆処理によって示唆した
如く、マグネトロン増速プラズマによる膜と関連する高
い蒸着率と、蒸着とエッチングを同時に行い気体化学反
応を変化させることによって蒸着から反応イオンエッチ
ングに変化させることができるために、厚い誘電体の窒
化物もしくは酸化物の膜を成長させるという単純な方法
により、また更に同一平面化することが望まれるばあい
には、エッチングガスの組成に変え膜をなめらかなプレ
ート状の頂面にエッチングしもどすことによって同一平
面化は容易に実行することができる。
如く、マグネトロン増速プラズマによる膜と関連する高
い蒸着率と、蒸着とエッチングを同時に行い気体化学反
応を変化させることによって蒸着から反応イオンエッチ
ングに変化させることができるために、厚い誘電体の窒
化物もしくは酸化物の膜を成長させるという単純な方法
により、また更に同一平面化することが望まれるばあい
には、エッチングガスの組成に変え膜をなめらかなプレ
ート状の頂面にエッチングしもどすことによって同一平
面化は容易に実行することができる。
【００５０】当業者は、反応室３０に課せられる種々の
要求の代わりとなるものを可変磁界、高周波電力、圧
力、流量および温度によって与えられる工程の融通度を
活用するために実行することができよう。反応室３０が
平行なプレート電極形や単一もしくは二重の基体とガス
吸入マニホルドの構成に限定されるものではないことは
確かである。磁界が反応室の径断面にわたってほぼ均一
であるために、基体を磁界に対して平行に配置するもの
であればどのような陰極構成も使用できる。以上の構成
は多数の面をもった多角形の陰極構成一般を含むことに
なろう。その他に、ガス分布特性と冷却特性の双方を備
えた調節式陽極を使用することができる。
要求の代わりとなるものを可変磁界、高周波電力、圧
力、流量および温度によって与えられる工程の融通度を
活用するために実行することができよう。反応室３０が
平行なプレート電極形や単一もしくは二重の基体とガス
吸入マニホルドの構成に限定されるものではないことは
確かである。磁界が反応室の径断面にわたってほぼ均一
であるために、基体を磁界に対して平行に配置するもの
であればどのような陰極構成も使用できる。以上の構成
は多数の面をもった多角形の陰極構成一般を含むことに
なろう。その他に、ガス分布特性と冷却特性の双方を備
えた調節式陽極を使用することができる。
【００５１】先に述べたように、現在および将来のＩＣ
蒸着技術の必要条件は、ステップ被覆（形）を制御して
欠陥密度、粒子密度、ピンホール密度の低い高品質膜
を、小さな床面積しかとらず多数ステップを現場処理す
ることのできる能力を備えた自動化されたカセット間搭
載ロック系統内で高収量にて蒸着することのできるとい
う条件を含むものである。上述のマグネトロン増速プラ
ズマ室と工程は、以上の目的を達成するうえで必要な基
本的条件である低圧、単一ウエハ搭載、基体に制御可能
な低イオンで衝突させること、固有の高品質性、および
工程の選択可能性といった条件を満たすものである。
蒸着技術の必要条件は、ステップ被覆（形）を制御して
欠陥密度、粒子密度、ピンホール密度の低い高品質膜
を、小さな床面積しかとらず多数ステップを現場処理す
ることのできる能力を備えた自動化されたカセット間搭
載ロック系統内で高収量にて蒸着することのできるとい
う条件を含むものである。上述のマグネトロン増速プラ
ズマ室と工程は、以上の目的を達成するうえで必要な基
本的条件である低圧、単一ウエハ搭載、基体に制御可能
な低イオンで衝突させること、固有の高品質性、および
工程の選択可能性といった条件を満たすものである。
【図１】ステップ状の面上に例えば誘電体の如き材料層
を蒸着させる到達角を表わす集積回路の概略図断面図で
ある。
を蒸着させる到達角を表わす集積回路の概略図断面図で
ある。
【図２】溝幅が平面化に及ぼす影響を描いた図１に類似
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図３】溝幅が平面化に及ぼす影響を描いた図１に類似
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図４】本発明の方法を実施するのに使用しうるマグネ
トロン反応系統を示す部分的に破断し且つ部分的に略示
した斜視図である。
トロン反応系統を示す部分的に破断し且つ部分的に略示
した斜視図である。
【図５】図４の反応炉の断面図である。
【図６】電極面に隣接する電子を閉じ込める磁界線を略
示した図５の断面図の部分拡大図である。
示した図５の断面図の部分拡大図である。
【図７】異なる磁界値のもとでプラズマ内に存在する活
性窒素分子の分光反応の強さを示した図である。
性窒素分子の分光反応の強さを示した図である。
【図８】異なる磁界値のもとでプラズマ内に存在する活
性窒素分子の分光反応の強さを示した図である。
性窒素分子の分光反応の強さを示した図である。
【図９】異なる磁界値のもとでプラズマ内に存在する活
性窒素分子の分光反応の強さを示した図である。
性窒素分子の分光反応の強さを示した図である。
【図１０】図４の反応炉の選定作業条件の場合に磁界と
総反応ガス流量の関数としてのシリコン窒化物蒸着率を
示すグラフを示す図である。
総反応ガス流量の関数としてのシリコン窒化物蒸着率を
示すグラフを示す図である。
【図１１】図４の反応炉の選定作業条件の場合に磁界と
総反応ガス流量の関数としてのシリコン窒化物蒸着率を
示すグラフを示す図である。
総反応ガス流量の関数としてのシリコン窒化物蒸着率を
示すグラフを示す図である。
【図１２】図４の反応炉系統の選定作業条件の場合に磁
界の関数として直流バイアスを描いたグラフを示す図で
ある。
界の関数として直流バイアスを描いたグラフを示す図で
ある。
【図１３】図４の反応炉系統の選定作業条件の場合に圧
力の関数として直流バイアス電圧を描いたグラフを示す
図である。
力の関数として直流バイアス電圧を描いたグラフを示す
図である。
【図１４】図４の反応炉系統の選定作業条件の場合に圧
力の関数として直流バイアス電圧を描いたグラフを示す
図である。
力の関数として直流バイアス電圧を描いたグラフを示す
図である。
【図１５】図１と同じやり方で集積回路の表面形状の断
面図で、図４の反応炉系統を使用して蒸着された酸化物
と窒化物の膜の相似度、平面度を描いた図である。
面図で、図４の反応炉系統を使用して蒸着された酸化物
と窒化物の膜の相似度、平面度を描いた図である。
５ 基体 ３０ マグネトロン反応系統 ３１ 真空室 ３２ 陰極 ３３ 取付柱 ３４ 中心軸 ３６ 反射板 ３８ ＲＦ電源系統 ４１ 吸入マニホルド ４３ ガス貯蔵タンク ４７ 排気口
フロントページの続き (72)発明者 ディヴィッド ニン コー ワン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014クーパーチノ サンタ テレサ ド ライブ 10931 (72)発明者 サッソン ソメク アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94065レッドウッド シティ コムパス ドライブ 524 (72)発明者 ダン メイダン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94022ロス アルトス ヒルズ ムリエッ タ レーン 12000
Claims (1)
- 【請求項１】 小寸法の高密度のステップ形状を有する
基体上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法にお
いて、真空処理室内の陰極に前記基体を位置決めし、前
記真空処理室へ反応ガス混合物を供給し、前記反応ガス
混合物にＲＦ電力を加えて、前記基体上に膜を付着させ
るようにプラズマを形成することを含み、前記真空処理
室へ供給される反応ガス混合物は、前記膜のステップ被
覆外形を制御するようにその膜の付着と同時にその膜を
エッチングするエッチングガスを含むことを特徴とする
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US664657 | 1984-10-25 | ||
| US06/664,657 US4668365A (en) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60239253A Division JPH0696768B2 (ja) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | 平坦な基体上に膜を付着させるためのプラズマ反応炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07166360A true JPH07166360A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=24666897
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60239253A Expired - Lifetime JPH0696768B2 (ja) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | 平坦な基体上に膜を付着させるためのプラズマ反応炉 |
| JP6147307A Pending JPH07166360A (ja) | 1984-10-25 | 1994-06-29 | 小寸法の高密度のステップ形状を有する基体上に反応ガスプラズマから膜を付着させる方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60239253A Expired - Lifetime JPH0696768B2 (ja) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | 平坦な基体上に膜を付着させるためのプラズマ反応炉 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4668365A (ja) |
| EP (2) | EP0179665B1 (ja) |
| JP (2) | JPH0696768B2 (ja) |
| DE (1) | DE3587964T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5276437B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜の形成方法、半導体装置の製造方法、およびプラズマｃｖｄ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970210 |