JPH07114309B2 - 二重チャネル半導体レーザ及びその製造法 - Google Patents
二重チャネル半導体レーザ及びその製造法Info
- Publication number
- JPH07114309B2 JPH07114309B2 JP4191153A JP19115392A JPH07114309B2 JP H07114309 B2 JPH07114309 B2 JP H07114309B2 JP 4191153 A JP4191153 A JP 4191153A JP 19115392 A JP19115392 A JP 19115392A JP H07114309 B2 JPH07114309 B2 JP H07114309B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser
- semi
- insulating layer
- lateral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【産業上の利用分野】本発明は、二重チャネル半導体レ
ーザ及びその製造法に関する。
ーザ及びその製造法に関する。
【従来の技術】この型のレーザ構造は、“異構造に埋め
こまれたれた二重チャネル面（Ｄｏｕｂｌｅ Ｃｈａｎ
ｎｅｌ Ｐｌａｎａｒ Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ）”を表す頭文字ＤＣＰＢＨにより世
界的に公知である。これは、リン化インジウムの形の基
材と、ヒ化ガリウムをさらに含む活性材料とから製造さ
れ得る。従って、これは、エルビウム−ドープ増幅ファ
イバを含む長距離輸送ファイバ光学結合に使用され得
る、１４８０ｎｍの波長を放出するポンプレーザとして
使用され得る。この種のレーザは、以下に記載するその
機能により、従来のレーザ及び本発明のレーザと共通で
あり且つ、本発明の場合図１の縦断面図に示されるよう
な以下の要素を含む： −（通常の半導体の）ウエハ２は、内部結晶格子連続性
を特徴とし、且つ主表面４、８の間に厚みを有する。ウ
エハは、その厚み方向である垂直方向Ｚと、水平で且つ
相互に直角である縦方向Ｘ及び横方向のＹを限定する。
二つの主表面は、下方電極６により被覆された下方表面
４と、上方電極で被覆された上方表面８である。ウエハ
は、下方表面から上方表面に垂直方向に連続した層によ
り製造されている。これは、縦方向に伸び、且つ横方向
に並べた多様な領域を有している。この領域の一つは、
帯頭域ＺＲであり、この部分ではウエハは、以下の連続
層： −第１の型の導電率を有する下方注入層２５と、 −領域ＺＲ内にレーザ帯１４Ａを構築する活性層１４
と、及び −第２の型の導電率を有する上方注入層１６と を含む。これらの層は、活性系を構築する。これらは、
電極６、１０を介して接続した極性電流が、反対の型の
注入層帯電キャリヤからレーザ帯１４Ａに垂直に流れ、
帯内のレーザ光を増幅するように製造されている。この
帯は、周囲層１２、２５、１６、２６、２０及び２２よ
りも高い屈折率をしており、この光のためにガイドを構
築する。この注入層は、帯領域を越えて横方向に伸長し
ている。ウエハ２は、帯領域ＺＲの個々の側から各々伸
びる二つの側方配列を有する。このような各連続部分
は、まず近接側方領域ＺＣを具備する。該近接側方領域
ＺＣにおいては側方チャネルＣＬが上方注入層、活性層
及び下方注入層の少なくとも上方部分を置換する。この
チャネルは、第２の型の導電率を有する下方遮断層２０
と、その上に第１の型の導電率を有する上方遮断層２２
とを有するので、この二つの遮断層は、これらの間に帯
領域ＺＲ内に電流を制限する傾向のある近接電流遮断手
段を構築する極性電流用の遮断接合部分ＪＢを形成す
る。次に、領域の側方配列は、帯領域内の極性電流を制
限する近接電流遮断手段と協働する遠隔電流遮断手段を
構築する電気的に抵抗層である、遠隔側方領域ＺＤをさ
らに含む。遠隔電流遮断手段を有することは、本発明に
特異的であり、後に詳細を記載する。
こまれたれた二重チャネル面（Ｄｏｕｂｌｅ Ｃｈａｎ
ｎｅｌ Ｐｌａｎａｒ Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ）”を表す頭文字ＤＣＰＢＨにより世
界的に公知である。これは、リン化インジウムの形の基
材と、ヒ化ガリウムをさらに含む活性材料とから製造さ
れ得る。従って、これは、エルビウム−ドープ増幅ファ
イバを含む長距離輸送ファイバ光学結合に使用され得
る、１４８０ｎｍの波長を放出するポンプレーザとして
使用され得る。この種のレーザは、以下に記載するその
機能により、従来のレーザ及び本発明のレーザと共通で
あり且つ、本発明の場合図１の縦断面図に示されるよう
な以下の要素を含む： −（通常の半導体の）ウエハ２は、内部結晶格子連続性
を特徴とし、且つ主表面４、８の間に厚みを有する。ウ
エハは、その厚み方向である垂直方向Ｚと、水平で且つ
相互に直角である縦方向Ｘ及び横方向のＹを限定する。
二つの主表面は、下方電極６により被覆された下方表面
４と、上方電極で被覆された上方表面８である。ウエハ
は、下方表面から上方表面に垂直方向に連続した層によ
り製造されている。これは、縦方向に伸び、且つ横方向
に並べた多様な領域を有している。この領域の一つは、
帯頭域ＺＲであり、この部分ではウエハは、以下の連続
層： −第１の型の導電率を有する下方注入層２５と、 −領域ＺＲ内にレーザ帯１４Ａを構築する活性層１４
と、及び −第２の型の導電率を有する上方注入層１６と を含む。これらの層は、活性系を構築する。これらは、
電極６、１０を介して接続した極性電流が、反対の型の
注入層帯電キャリヤからレーザ帯１４Ａに垂直に流れ、
帯内のレーザ光を増幅するように製造されている。この
帯は、周囲層１２、２５、１６、２６、２０及び２２よ
りも高い屈折率をしており、この光のためにガイドを構
築する。この注入層は、帯領域を越えて横方向に伸長し
ている。ウエハ２は、帯領域ＺＲの個々の側から各々伸
びる二つの側方配列を有する。このような各連続部分
は、まず近接側方領域ＺＣを具備する。該近接側方領域
ＺＣにおいては側方チャネルＣＬが上方注入層、活性層
及び下方注入層の少なくとも上方部分を置換する。この
チャネルは、第２の型の導電率を有する下方遮断層２０
と、その上に第１の型の導電率を有する上方遮断層２２
とを有するので、この二つの遮断層は、これらの間に帯
領域ＺＲ内に電流を制限する傾向のある近接電流遮断手
段を構築する極性電流用の遮断接合部分ＪＢを形成す
る。次に、領域の側方配列は、帯領域内の極性電流を制
限する近接電流遮断手段と協働する遠隔電流遮断手段を
構築する電気的に抵抗層である、遠隔側方領域ＺＤをさ
らに含む。遠隔電流遮断手段を有することは、本発明に
特異的であり、後に詳細を記載する。
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザ及び本発
明のレーザに共通な特徴を参照すると、遮断層２０、２
２は、遠隔側方領域に広がるが、帯領域には伸びていな
い。これは層を成長させるべく好適なエピタキシャル成
長法を使用することにより達成される。これらが形成す
る遮断接合部分は、その部分でこれらが十分に厚いた
め、チャネル内の電流を遮断する。他方、遠隔側方層部
分では、遮断層が薄くなっているため、遮断は完全では
ない。従って、遠隔電流遮断手段が必要となる。上方注
入層１６及びこれらの遮断層は、その上により強固にド
ープした接触層２８である、第２の型の導電率を有する
より厚い付加層２６を有する。二つの鏡（示されていな
い）は、半導体ウエハの表面を縦方向に制御し、レーザ
エミッタを構築することにより形成される。これらの共
通の特徴及び装置を有する第１の従来技術のレーザは、
ＪＡＰＡＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩ
ＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ．ｖｏｌ．２５，Ｎｏ．６，１９
８６年６月，ＰＡＲＴ ＩＩ，ＴＯＫＹＯ，ＪＰ Ｐ４
３５−４３６；Ｓ．Ｌ．ＳＨＩ．ら：“ＢＨ ＩＮＧａ
Ａｓｐ Ｌａｓｅｒｓ ｗｉｔｈ ａｎ ＬＰＥ ｇｒ
ｏｗｎ ｓｅｍｉ−ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅ
ｒ”に記載されている。このレーザに於いて、付勢電流
（ｅｎｅｒｇｉｚａｔｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ
ｃｕｒｒｅｎｔ）は、近接側方領域及び遠隔側方領域で
は、エピタキシャル成長した三つの重なった層により遮
断されている。これらの層の二つは、遮断半導体接合部
分を形成する。第３の層は、半−絶縁性であるように十
分な電気抵抗率を付与する改質不純物（コバルト）を含
んでいる。この配置は、このようにして付着された層
が、チャネルの外端部、即ち、近接及び遠隔側方領域の
間の境界部でピンチングを起こす欠点がある。このよう
なピンチングは、いずれも必要な電気的制限を阻害して
しまう。これらの共通な特徴及び配置を有する従来技術
の第２のレーザは、欧州特許出願第１６１０１６号（Ｐ
ｈｉｌｉｐｓ）に記載されている。従来技術の第２のレ
ーザでは、遠隔電流遮断手段が、記載の如くウエハが製
造された後に、基材の抵抗率を増加させる結晶欠陥をそ
の中に誘発する、遠隔側方領域に局在化されたイオン射
突により形成されている。好適な深さに貫通するために
イオン射突には、プロトンを使用している。このように
してこの領域に製造した電気抵抗率は、当初はレーザを
正しく作動させるのに十分に高くし得るが、結晶欠陥
は、ウエハの温度が高くなると、段々元に戻ってしまう
ため、レーザの信頼性及び使用範囲を減少させてしま
う。本発明の目的は、高温でも信頼性があり且つ製造時
でも操作が容易であるレーザを、簡単に製造できるよう
にすることである。
明のレーザに共通な特徴を参照すると、遮断層２０、２
２は、遠隔側方領域に広がるが、帯領域には伸びていな
い。これは層を成長させるべく好適なエピタキシャル成
長法を使用することにより達成される。これらが形成す
る遮断接合部分は、その部分でこれらが十分に厚いた
め、チャネル内の電流を遮断する。他方、遠隔側方層部
分では、遮断層が薄くなっているため、遮断は完全では
ない。従って、遠隔電流遮断手段が必要となる。上方注
入層１６及びこれらの遮断層は、その上により強固にド
ープした接触層２８である、第２の型の導電率を有する
より厚い付加層２６を有する。二つの鏡（示されていな
い）は、半導体ウエハの表面を縦方向に制御し、レーザ
エミッタを構築することにより形成される。これらの共
通の特徴及び装置を有する第１の従来技術のレーザは、
ＪＡＰＡＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩ
ＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ．ｖｏｌ．２５，Ｎｏ．６，１９
８６年６月，ＰＡＲＴ ＩＩ，ＴＯＫＹＯ，ＪＰ Ｐ４
３５−４３６；Ｓ．Ｌ．ＳＨＩ．ら：“ＢＨ ＩＮＧａ
Ａｓｐ Ｌａｓｅｒｓ ｗｉｔｈ ａｎ ＬＰＥ ｇｒ
ｏｗｎ ｓｅｍｉ−ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅ
ｒ”に記載されている。このレーザに於いて、付勢電流
（ｅｎｅｒｇｉｚａｔｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ
ｃｕｒｒｅｎｔ）は、近接側方領域及び遠隔側方領域で
は、エピタキシャル成長した三つの重なった層により遮
断されている。これらの層の二つは、遮断半導体接合部
分を形成する。第３の層は、半−絶縁性であるように十
分な電気抵抗率を付与する改質不純物（コバルト）を含
んでいる。この配置は、このようにして付着された層
が、チャネルの外端部、即ち、近接及び遠隔側方領域の
間の境界部でピンチングを起こす欠点がある。このよう
なピンチングは、いずれも必要な電気的制限を阻害して
しまう。これらの共通な特徴及び配置を有する従来技術
の第２のレーザは、欧州特許出願第１６１０１６号（Ｐ
ｈｉｌｉｐｓ）に記載されている。従来技術の第２のレ
ーザでは、遠隔電流遮断手段が、記載の如くウエハが製
造された後に、基材の抵抗率を増加させる結晶欠陥をそ
の中に誘発する、遠隔側方領域に局在化されたイオン射
突により形成されている。好適な深さに貫通するために
イオン射突には、プロトンを使用している。このように
してこの領域に製造した電気抵抗率は、当初はレーザを
正しく作動させるのに十分に高くし得るが、結晶欠陥
は、ウエハの温度が高くなると、段々元に戻ってしまう
ため、レーザの信頼性及び使用範囲を減少させてしま
う。本発明の目的は、高温でも信頼性があり且つ製造時
でも操作が容易であるレーザを、簡単に製造できるよう
にすることである。
【課題を解決するための手段】一態様に於いて、本発明
は、結晶格子が相互に連続するように相互に重なる複数
の半導体層を有し、該複数の半導体層が下方注入層と、
活性層と、上部注入層と、少なくとも前記下方注入層の
下又は前記上方注入層の上の他の半導体層とを含んでい
る二重チャネル半導体レーザであって、該レーザが、各
々が局所的に少なくとも前記上方注入層と前記活性層と
を排除し、レーザ帯の範囲の側方を限定する内部斜面
と、該内部斜面に対向する外部斜面とを有する２つの側
方チャネルと、側方チャネルに形成された近接電流遮断
手段と、前記下方注入層の下又は前記上方注入層の上で
２つの半導体層の間に位置し、各側方チャネルの前記外
部斜面から始まり横方向に延びる内部半−絶縁層とを具
備してなり、前記内部半−絶縁層が隣接する半導体層の
両者と結晶格子連続性を有し、且つ該層に含まれる改質
不純物によって与えられた真性電気抵抗率を有し、これ
により、極性電流が前記近接電流遮断手段と前記内部半
−絶縁層によって前記レーザ帯に限定されることを特徴
とする、二重チャネル半導体レーザが提供される。上記
した二重チャネル半導体レーザは、簡単に製造でき、高
温でも信頼性があり且つ製造時でも操作が容易である。
本発明のもう一つの態様では、 −第１の型の導電率を有する下方注入層を形成し、 −前記下方注入層を形成した後、反対の型の帯電キャリ
ヤの組換えによりレーザ光を増幅するために適合させた
活性材料を備えた活性層をエピタキシャル成長させ、 −前記活性層を成長後、前記第２の型の導電率を有する
上方注入層をエピタキシャル成長させ、これにより前記
二つの注入層の間に実質的に流れる極性電流が、レーザ
光を増幅するのに必要な反対の型の帯電キャリヤを前記
活性層に注入し得ようにし、 −前記活性層を成長後、同一縦方向に延びる二つのチャ
ネルをエッチングし、前記チャネル間に残っている予め
成長させた層の部分が二つの端を有するメサを構築し、
前記メサに含まれる活性層の一部がレーザ帯を構築し、
該レーザ帯に関して、各チャネルがメサから離れた外端
部を有する側方チャネルを構築するように、前記上方注
入層、前記活性層及び前記下方注入層の少なくとも上方
部分を除去し、 −前記側方チャネルをエッチング後、第２の型の導電率
を有する下方遮断層、次いで前記第１の型の導電率を有
する上方遮断層をエピタキシャル成長させ、該成長工程
は前記遮断層が前記チャネル内に形成され、前記メサの
端で停止するように且つ、前記遮断層により形成された
遮断接合部分が、前記極性電流の流れを局所的に阻止す
るための近接電流遮断手段を構築するように実施し、 −前記側方チャネルをエッチングする前に、前記レーザ
帯に前記極性電流を限定するために前記近接電流遮断手
段と協働する遠隔電流遮断手段を構築すべく、半−絶縁
層をエピタキシャル成長させ、前記半−絶縁層は、レー
ザの製造が完了時に、該半−絶縁層がレーザ帯を組み込
むレーザ表面の一部である帯領域に存在しないように、
且つ前記側方チャネルの外端部を越えて遠隔側方領域中
に横方向に広がるように局在化させる工程を具備してな
ることを特徴とする、二重チャネル半導体レーザの製造
法を提供する。上記した二重チャネル半導体レーザの製
造法によれば、二重チャネル半導体レーザを簡単に製造
でき、得られた半導体は、高温でも信頼性があり且つ製
造時でも操作が容易である。本発明の実施については、
以下の付記図面を参照とする非−限定的な実施例により
さらに説明されよう。
は、結晶格子が相互に連続するように相互に重なる複数
の半導体層を有し、該複数の半導体層が下方注入層と、
活性層と、上部注入層と、少なくとも前記下方注入層の
下又は前記上方注入層の上の他の半導体層とを含んでい
る二重チャネル半導体レーザであって、該レーザが、各
々が局所的に少なくとも前記上方注入層と前記活性層と
を排除し、レーザ帯の範囲の側方を限定する内部斜面
と、該内部斜面に対向する外部斜面とを有する２つの側
方チャネルと、側方チャネルに形成された近接電流遮断
手段と、前記下方注入層の下又は前記上方注入層の上で
２つの半導体層の間に位置し、各側方チャネルの前記外
部斜面から始まり横方向に延びる内部半−絶縁層とを具
備してなり、前記内部半−絶縁層が隣接する半導体層の
両者と結晶格子連続性を有し、且つ該層に含まれる改質
不純物によって与えられた真性電気抵抗率を有し、これ
により、極性電流が前記近接電流遮断手段と前記内部半
−絶縁層によって前記レーザ帯に限定されることを特徴
とする、二重チャネル半導体レーザが提供される。上記
した二重チャネル半導体レーザは、簡単に製造でき、高
温でも信頼性があり且つ製造時でも操作が容易である。
本発明のもう一つの態様では、 −第１の型の導電率を有する下方注入層を形成し、 −前記下方注入層を形成した後、反対の型の帯電キャリ
ヤの組換えによりレーザ光を増幅するために適合させた
活性材料を備えた活性層をエピタキシャル成長させ、 −前記活性層を成長後、前記第２の型の導電率を有する
上方注入層をエピタキシャル成長させ、これにより前記
二つの注入層の間に実質的に流れる極性電流が、レーザ
光を増幅するのに必要な反対の型の帯電キャリヤを前記
活性層に注入し得ようにし、 −前記活性層を成長後、同一縦方向に延びる二つのチャ
ネルをエッチングし、前記チャネル間に残っている予め
成長させた層の部分が二つの端を有するメサを構築し、
前記メサに含まれる活性層の一部がレーザ帯を構築し、
該レーザ帯に関して、各チャネルがメサから離れた外端
部を有する側方チャネルを構築するように、前記上方注
入層、前記活性層及び前記下方注入層の少なくとも上方
部分を除去し、 −前記側方チャネルをエッチング後、第２の型の導電率
を有する下方遮断層、次いで前記第１の型の導電率を有
する上方遮断層をエピタキシャル成長させ、該成長工程
は前記遮断層が前記チャネル内に形成され、前記メサの
端で停止するように且つ、前記遮断層により形成された
遮断接合部分が、前記極性電流の流れを局所的に阻止す
るための近接電流遮断手段を構築するように実施し、 −前記側方チャネルをエッチングする前に、前記レーザ
帯に前記極性電流を限定するために前記近接電流遮断手
段と協働する遠隔電流遮断手段を構築すべく、半−絶縁
層をエピタキシャル成長させ、前記半−絶縁層は、レー
ザの製造が完了時に、該半−絶縁層がレーザ帯を組み込
むレーザ表面の一部である帯領域に存在しないように、
且つ前記側方チャネルの外端部を越えて遠隔側方領域中
に横方向に広がるように局在化させる工程を具備してな
ることを特徴とする、二重チャネル半導体レーザの製造
法を提供する。上記した二重チャネル半導体レーザの製
造法によれば、二重チャネル半導体レーザを簡単に製造
でき、得られた半導体は、高温でも信頼性があり且つ製
造時でも操作が容易である。本発明の実施については、
以下の付記図面を参照とする非−限定的な実施例により
さらに説明されよう。
【実施例】図１を参照して、本発明のレーザは、既に記
載の共通の特徴と装置とを含んでいる。その遠隔電流遮
断手段は、その結晶格子が、下方及び上方注入層２５と
１６との間の活性層１４を含む活性系と連続している、
半−絶縁層２４により提供される。半導体ウエハ２は、
各遠隔側方領域ＺＤに、半−絶縁層２４と、活性系の各
側に一つずつあり且つレーザ領域ＺＲで、レーザ帯１４
Ａにレーザ光を限定する下方及び上方注入層と協働す
る、下方及び上方外部光学閉じ込め層１２と２６との間
の活性系と、を含む。半−絶縁層並びに、下方及び上方
注入層は、同一半導体基材から製造され、これらの層
に、抵抗率と各第１及び第２の型の導電率とを限定する
ために選択された種々の改質不純物を含んでいる。基材
は、リン化インジウムまたはヒ化ガリウムであり、半−
絶縁層の改質不純物は、鉄、コバルト、チタン及び／ま
たはクロムを含んでいる。本発明の第１及び第２のレー
ザに於いて、基材は、リン化インジウムまたはヒ化ガリ
ウムである。半−絶縁層の改質不純物は、従って１ｃｍ
３当たり１０１６〜１０１８原子、通常１ｃｍ３当たり
１０１７原子の濃度の鉄である。この層は、厚さ３００
〜３０００ｎｍ、通常約７００ｎｍである。シリコン及
び亜鉛またはベリリウムのｎ及びｐ型“ドーピング”改
質不純物は、第１及び第２の型の導電率を限定する。鉄
原子の存在により、電気抵抗率は、結晶格子の幾何学的
欠陥の形成から発生せず且つ温度の上昇により減少され
ないので、真性抵抗率と称され得る。本発明のレーザ
は、記載の機能に関して公知であり、且つ本発明の第１
のレーザの場合の図２〜６に示されている以下の操作に
より製造され得る。 −第１の導電率を有する下方外部光学閉じ込め層１２を
支持する半導体基板１１を製造する。 −この基板を製造後、同型の導電率を有する下方注入層
２５、次いで反対型の帯電キャリヤの組換えによりレー
ザ光を増幅するために適合された活性材料を含む活性層
１４（図４参照）を、エピタキシャル成長させる。 −この活性層を成長後、一つの注入層１６からもう一つ
の注入層２５へ実質的に流れる付勢電流が、活性層１４
内にレーザ光を増幅させるのに必要な反対の型の帯電キ
ャリヤを注入できるように、第２の導電率を有する上方
注入層１６を、エピタキシャル成長させる。 −活性層を成長後、共通の縦方向Ｘに二つのチャネルＣ
Ｌ（図５）をエッチングして、上方注入層１６、活性層
１４及び下方注入層２５の少なくとも上方部分を、局所
的に除去する。予め成長させた層の一部をチャネルの間
に残し、二つの端ＢＩを有するメサＭを構築する。この
メサに取り込まれた活性層の一部は、レーザ帯１４Ａを
構築し、これに関しこれらのチャネルが側方チャネルを
構築する。これらのチャネルは各々、その上方端がメサ
から離れた外端部ＢＥを構築する外部斜面ＣＬＢと、レ
ーザの一斜面を構築する、内部斜面ＣＬＡを有する。 −側方チャネルＣＬをエッチング後、第２の型の導電率
を有する下方遮断層２０（図６）、次いで第１の型の導
電率を有する上方遮断層２２をエピタキシャル成長さ
せ、これらの成長工程は、例えば、これらの層がチャネ
ル内に形成し、メサＭの端ＢＩで停止し、且つこれらの
層により形成された遮断接合部分ＪＢが、極性電流の通
過を局所的に阻止させるための近接電流遮断装置を構築
するように、液相中で実施される。遠隔電流遮断手段
は、近接電流遮断手段ＪＢと協働し、レーザ帯１４Ａに
対し極性電流を限定する。遠隔電流遮断手段は、側方チ
ャネルがエッチングされる以前に、半−絶縁層２４のエ
ピタキシャル成長により形成される。前述の如く、半−
絶縁層は、レーザの製造の完了時、レーザ帯を組み込む
レーザ表面の一部である、帯領域中にこの層が残らない
ように極在化される。半−絶縁層は、非−局在化状態で
成長するのが好ましく、これにより、帯領域にもこの層
が形成し、半−絶縁層の局在化配置は、この層を腐食す
る第１の操作により、帯領域を含み、帯領域を越えて第
１の半−絶縁層腐食境界に広がる第１の絶縁層腐食領域
でこの層を除去することにより実施され、側方チャネル
のエッチングによりこれらの境界の近くの半−絶縁層を
さらに一部を除去する。レーザの半−絶縁層の内部境界
がこの操作により形成され、側方チャネルを腐食すると
いうことは、この層が、チャネルの外部斜面ＣＬＢから
正しく走り、この斜面とこの層の端との間の擬似電流の
危険性を防ぐということを意味する。腐食バリヤー層２
３は、半−絶縁層２４以前に成長される。これは、例え
ば、三成分の半導体材料を含む。これは、第１の半−絶
縁層腐食の深さを限定する。この腐食部の側方の広さ
は、公知のマスクにより限定される。このエッチング
は、境界ＬＧの近くで、レーザ極性電流用の擬似路を作
り易いという欠点を生じてしまう。このような欠点を生
み出す可能性のある領域は、側方チャネルＣＬを続いて
エッチングすることにより除去される。第１の半−絶縁
層２４腐食は、縦方向Ｘ、横方向Ｙ及び垂直方向Ｚが、
各々結晶学的方向（１１０）、（１−１０）及び（００
１）である場合、促進される。より詳細には、本発明の
第１のレーザに於いて、半−絶縁層２４は、腐食したバ
リヤー層２３の中継を介して、下方外部光学閉じ込め層
１２により支持され、この半−絶縁層２４の上には下方
注入層２５があり、その上には活性層１４がある。この
第１のレーザは、以下の如く製造され得る。図２より、
腐食バリヤー層２３及び半−絶縁層２４は、下方外部光
学閉じ込め層１２上にエピタキシャル成長される。後者
の不純物は、基材と同時に付着されるが、続いて例えば
イオン挿入によっても導入され得る。図３より、層２３
及び２４は、例えば、約１０，０００ｎｍの厚さに腐食
される。これは、第１の半−絶縁層腐食である。図４よ
り、約５００℃で実施した第１の気相エピタキシャル成
長工程により、下方注入層２５、活性層１４及び上方注
入層１６が成長する。図５より、二つの側方チャネルＣ
Ｌが腐食される。これらの外端部ＢＥの間の距離は、例
えば、２０，０００ｎｍである。この内端部ＢＩは、メ
サＭの端を構築する。これらの間の距離は、このメサの
広さ、例えば、約２，０００ｎｍである。図６より、液
相エピタキシャル成長の第２工程により、下方遮断層２
０及び上方遮断層２２が成長する。この操作に使用する
液体は、メサ上を流れないようにしなければならない。
この種の液体が、急な傾斜の突起、特に端ＢＩを備える
メサの斜面のような二つの近接配置された急な斜面の間
の突起を避ける傾向があるということに基づいて、本発
明の先に使用した方法は、この処理に使用される。本実
施例に於いて、メサＭの頂点は、遠隔傾域ＺＤに形成さ
れたプラトーよりも、液体が被覆しなければならない上
方注入層の分だけ低いので、この危険性は増加する。高
さの差は、先に成長し腐食させた半−絶縁層２４の厚さ
にほぼ等しい。これがこの層の厚さが限定されている理
由である。側方チャネルの広さは、先に採用されたもの
よりもやや大きい。この広さが大きくなったため、成長
時間は、以前に使用したものよりも余計にかかる。層２
６及び２８は、同一エピタキシャル成長相で成長され
る。既に記載の如く、本発明の第１のレーザの製造時、
半−絶縁層２４は、先に成長されるので、従って活性系
２５、１４及び１６の下で停止している。これから記載
する本発明の第２のレーザの製造に於いて、半−絶縁層
は、後で成長されるので、従って、活性系の上になる。
第２のレーザの各要素は、一般的な規則の通り、第１の
レーザの要素と機能的に同一であり、参照番号に１００
を加えた数で識別される。この第２のレーザは、以下の
ように製造され得る。図７より、気相エピタキシャル成
長工程により、下方光学閉じ込め層１１２上に、下方注
入層１２５、活性層１１４、上方注入層１１６、腐食バ
リヤー層１２３、半−絶縁層１２４及び半−絶縁層の被
覆層１５０と呼ばれる層１１６と同一の追加の層が成長
する。図８より、これらの層が腐食されて、上方注入層
１１６を露出する。図９より、側方チャネルＣＬが腐食
される。図１０より、単一液相エピタキシャル成長工程
により、遮断層１２０及び１２２、上方外部光学閉じ込
め層１２６並びに上方接触層１２８を成長させる。
載の共通の特徴と装置とを含んでいる。その遠隔電流遮
断手段は、その結晶格子が、下方及び上方注入層２５と
１６との間の活性層１４を含む活性系と連続している、
半−絶縁層２４により提供される。半導体ウエハ２は、
各遠隔側方領域ＺＤに、半−絶縁層２４と、活性系の各
側に一つずつあり且つレーザ領域ＺＲで、レーザ帯１４
Ａにレーザ光を限定する下方及び上方注入層と協働す
る、下方及び上方外部光学閉じ込め層１２と２６との間
の活性系と、を含む。半−絶縁層並びに、下方及び上方
注入層は、同一半導体基材から製造され、これらの層
に、抵抗率と各第１及び第２の型の導電率とを限定する
ために選択された種々の改質不純物を含んでいる。基材
は、リン化インジウムまたはヒ化ガリウムであり、半−
絶縁層の改質不純物は、鉄、コバルト、チタン及び／ま
たはクロムを含んでいる。本発明の第１及び第２のレー
ザに於いて、基材は、リン化インジウムまたはヒ化ガリ
ウムである。半−絶縁層の改質不純物は、従って１ｃｍ
３当たり１０１６〜１０１８原子、通常１ｃｍ３当たり
１０１７原子の濃度の鉄である。この層は、厚さ３００
〜３０００ｎｍ、通常約７００ｎｍである。シリコン及
び亜鉛またはベリリウムのｎ及びｐ型“ドーピング”改
質不純物は、第１及び第２の型の導電率を限定する。鉄
原子の存在により、電気抵抗率は、結晶格子の幾何学的
欠陥の形成から発生せず且つ温度の上昇により減少され
ないので、真性抵抗率と称され得る。本発明のレーザ
は、記載の機能に関して公知であり、且つ本発明の第１
のレーザの場合の図２〜６に示されている以下の操作に
より製造され得る。 −第１の導電率を有する下方外部光学閉じ込め層１２を
支持する半導体基板１１を製造する。 −この基板を製造後、同型の導電率を有する下方注入層
２５、次いで反対型の帯電キャリヤの組換えによりレー
ザ光を増幅するために適合された活性材料を含む活性層
１４（図４参照）を、エピタキシャル成長させる。 −この活性層を成長後、一つの注入層１６からもう一つ
の注入層２５へ実質的に流れる付勢電流が、活性層１４
内にレーザ光を増幅させるのに必要な反対の型の帯電キ
ャリヤを注入できるように、第２の導電率を有する上方
注入層１６を、エピタキシャル成長させる。 −活性層を成長後、共通の縦方向Ｘに二つのチャネルＣ
Ｌ（図５）をエッチングして、上方注入層１６、活性層
１４及び下方注入層２５の少なくとも上方部分を、局所
的に除去する。予め成長させた層の一部をチャネルの間
に残し、二つの端ＢＩを有するメサＭを構築する。この
メサに取り込まれた活性層の一部は、レーザ帯１４Ａを
構築し、これに関しこれらのチャネルが側方チャネルを
構築する。これらのチャネルは各々、その上方端がメサ
から離れた外端部ＢＥを構築する外部斜面ＣＬＢと、レ
ーザの一斜面を構築する、内部斜面ＣＬＡを有する。 −側方チャネルＣＬをエッチング後、第２の型の導電率
を有する下方遮断層２０（図６）、次いで第１の型の導
電率を有する上方遮断層２２をエピタキシャル成長さ
せ、これらの成長工程は、例えば、これらの層がチャネ
ル内に形成し、メサＭの端ＢＩで停止し、且つこれらの
層により形成された遮断接合部分ＪＢが、極性電流の通
過を局所的に阻止させるための近接電流遮断装置を構築
するように、液相中で実施される。遠隔電流遮断手段
は、近接電流遮断手段ＪＢと協働し、レーザ帯１４Ａに
対し極性電流を限定する。遠隔電流遮断手段は、側方チ
ャネルがエッチングされる以前に、半−絶縁層２４のエ
ピタキシャル成長により形成される。前述の如く、半−
絶縁層は、レーザの製造の完了時、レーザ帯を組み込む
レーザ表面の一部である、帯領域中にこの層が残らない
ように極在化される。半−絶縁層は、非−局在化状態で
成長するのが好ましく、これにより、帯領域にもこの層
が形成し、半−絶縁層の局在化配置は、この層を腐食す
る第１の操作により、帯領域を含み、帯領域を越えて第
１の半−絶縁層腐食境界に広がる第１の絶縁層腐食領域
でこの層を除去することにより実施され、側方チャネル
のエッチングによりこれらの境界の近くの半−絶縁層を
さらに一部を除去する。レーザの半−絶縁層の内部境界
がこの操作により形成され、側方チャネルを腐食すると
いうことは、この層が、チャネルの外部斜面ＣＬＢから
正しく走り、この斜面とこの層の端との間の擬似電流の
危険性を防ぐということを意味する。腐食バリヤー層２
３は、半−絶縁層２４以前に成長される。これは、例え
ば、三成分の半導体材料を含む。これは、第１の半−絶
縁層腐食の深さを限定する。この腐食部の側方の広さ
は、公知のマスクにより限定される。このエッチング
は、境界ＬＧの近くで、レーザ極性電流用の擬似路を作
り易いという欠点を生じてしまう。このような欠点を生
み出す可能性のある領域は、側方チャネルＣＬを続いて
エッチングすることにより除去される。第１の半−絶縁
層２４腐食は、縦方向Ｘ、横方向Ｙ及び垂直方向Ｚが、
各々結晶学的方向（１１０）、（１−１０）及び（００
１）である場合、促進される。より詳細には、本発明の
第１のレーザに於いて、半−絶縁層２４は、腐食したバ
リヤー層２３の中継を介して、下方外部光学閉じ込め層
１２により支持され、この半−絶縁層２４の上には下方
注入層２５があり、その上には活性層１４がある。この
第１のレーザは、以下の如く製造され得る。図２より、
腐食バリヤー層２３及び半−絶縁層２４は、下方外部光
学閉じ込め層１２上にエピタキシャル成長される。後者
の不純物は、基材と同時に付着されるが、続いて例えば
イオン挿入によっても導入され得る。図３より、層２３
及び２４は、例えば、約１０，０００ｎｍの厚さに腐食
される。これは、第１の半−絶縁層腐食である。図４よ
り、約５００℃で実施した第１の気相エピタキシャル成
長工程により、下方注入層２５、活性層１４及び上方注
入層１６が成長する。図５より、二つの側方チャネルＣ
Ｌが腐食される。これらの外端部ＢＥの間の距離は、例
えば、２０，０００ｎｍである。この内端部ＢＩは、メ
サＭの端を構築する。これらの間の距離は、このメサの
広さ、例えば、約２，０００ｎｍである。図６より、液
相エピタキシャル成長の第２工程により、下方遮断層２
０及び上方遮断層２２が成長する。この操作に使用する
液体は、メサ上を流れないようにしなければならない。
この種の液体が、急な傾斜の突起、特に端ＢＩを備える
メサの斜面のような二つの近接配置された急な斜面の間
の突起を避ける傾向があるということに基づいて、本発
明の先に使用した方法は、この処理に使用される。本実
施例に於いて、メサＭの頂点は、遠隔傾域ＺＤに形成さ
れたプラトーよりも、液体が被覆しなければならない上
方注入層の分だけ低いので、この危険性は増加する。高
さの差は、先に成長し腐食させた半−絶縁層２４の厚さ
にほぼ等しい。これがこの層の厚さが限定されている理
由である。側方チャネルの広さは、先に採用されたもの
よりもやや大きい。この広さが大きくなったため、成長
時間は、以前に使用したものよりも余計にかかる。層２
６及び２８は、同一エピタキシャル成長相で成長され
る。既に記載の如く、本発明の第１のレーザの製造時、
半−絶縁層２４は、先に成長されるので、従って活性系
２５、１４及び１６の下で停止している。これから記載
する本発明の第２のレーザの製造に於いて、半−絶縁層
は、後で成長されるので、従って、活性系の上になる。
第２のレーザの各要素は、一般的な規則の通り、第１の
レーザの要素と機能的に同一であり、参照番号に１００
を加えた数で識別される。この第２のレーザは、以下の
ように製造され得る。図７より、気相エピタキシャル成
長工程により、下方光学閉じ込め層１１２上に、下方注
入層１２５、活性層１１４、上方注入層１１６、腐食バ
リヤー層１２３、半−絶縁層１２４及び半−絶縁層の被
覆層１５０と呼ばれる層１１６と同一の追加の層が成長
する。図８より、これらの層が腐食されて、上方注入層
１１６を露出する。図９より、側方チャネルＣＬが腐食
される。図１０より、単一液相エピタキシャル成長工程
により、遮断層１２０及び１２２、上方外部光学閉じ込
め層１２６並びに上方接触層１２８を成長させる。
【図１】本発明の第１のレーザの側方断面図を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図３】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図４】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図５】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図６】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図７】本発明の第２のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図８】本発明の第２のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図９】本発明の第２のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図１０】本発明の第２のレーザの製造に於ける各段階
の横断面図を示す図である。
の横断面図を示す図である。
２ ウエハ ４，８ 主表面 ６ 下方電極 １０ 上方電極 １１ 基板 １２ 下方外部光学閉じ込め層 １４，２４ 活性層 １４Ａ レーザ帯 １６ 上方注入層 ２０，２２ 遮断層 ２５ 下方注入層 ２６ 上方外部光学閉じ込め層 ２８ 接触層 ＢＩ 端 ＣＬ 側方チャネル ＣＬＡ 内部斜面 ＣＬＢ 外部斜面 ＪＢ 近接電流遮断手段 Ｍ メサ ＺＣ 近接側方領域 ＺＤ 遠隔側方領域 ＺＲ 帯領域 Ｘ 縦方向 Ｙ 横方向 Ｚ 垂直方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フイリツプ・パグノド−ロスイオー フランス国、91180・サン・ジエルマン・ レ・アルパジヨン、プラス・フエルナン・ レジエ・４ (56)参考文献 特開 昭60−247988（ＪＰ，Ａ)
Claims (11)
- 【請求項１】 結晶格子が相互に連続するように相互に
重なる複数の半導体層を有し、該複数の半導体層が下方
注入層と、活性層と、上部注入層と、少なくとも前記下
方注入層の下又は前記上方注入層の上の他の半導体層と
を含んでいる二重チャネル半導体レーザであって、該レ
ーザが、 各々が局所的に少なくとも前記上方注入層と前記活性層
とを排除し、レーザ帯の範囲の側方を限定する内部斜面
と、該内部斜面に対向する外部斜面とを有する２つの側
方チャネルと、 側方チャネルに形成された近接電流遮断手段と、 前記下方注入層の下又は前記上方注入層の上で２つの半
導体層の間に位置し、各側方チャネルの前記外部斜面か
ら始まり横方向に延びる内部半−絶縁層とを具備してな
り、 前記内部半−絶縁層が隣接する半導体層の両者と結晶格
子連続性を有し、且つ該層に含まれる改質不純物によっ
て与えられた真性電気抵抗率を有し、 これにより、極性電流が前記近接電流遮断手段と前記内
部半−絶縁層によって前記レーザ帯に限定されることを
特徴とする、二重チャネル半導体レーザ。 - 【請求項２】 内部結晶格子連続性と二つの主表面とを
有するウエハを備えたレーザであって、 下方表面は下方電極に被覆され、上方表面は上方電極に
被覆されており、前記ウエハは、前記下方表面から前記
上方表面へ垂直上向方向と、水平で且つ相互に直角であ
る縦方向及び横方向とを限定し、前記ウエハは、前記垂
直上向方向に連続した層を備えており、前記ウエハの水
平表面は、縦方向に広がり且つ横方向に並置された多様
な領域を備えており、前記領域の一つは帯領域であっ
て、該帯領域ではウエハは、以下の連続層： −第１の型の導電率を有する下方注入層、 −前記下方注入層と接触し且つ前記領域にレーザ帯を構
築する活性層、及び −前記電極を介して接続した極性電流が、前記帯にレー
ザ光を増幅できる反対の型の帯電キャリヤを前記注入層
から前記レーザ帯に注入するために、前記活性層と接触
し且つ第２の型の導電率を有する上方注入層 を含み、前記下方及び上方注入層並びに前記活性層は活
性系を構築し、光学閉じ込め層は前記活性層の下及び上
に各々配置された上方及び下方光学閉じ込め層を含み且
つ前記活性層と光学的に相互に作用し、前記レーザ帯の
各々の側に配置された前記光学閉じ込め層及び側方光学
閉じ込め層は、前記レーザ帯が光ガイドを構築するよう
に前記活性層よりも低い屈折率を有し、前記注入層及び
光学閉じ込め層は、前記帯領域を越えて横方向に広が
り、前記ウエハは、前記帯領域の各側から各々広がる領
域の二つの横方向の連続部分を有し、各該連続部分はま
ず近接側方領域を含み、該近接側方領域においては、側
方チャネルが前記活性層と前記下方注入層の少なくとも
上方部分とを置換し、前記チャネルは、前記レーザ帯を
横方向に限定する内部斜面と前記内部斜面の反対の外部
斜面とを有し、前記チャネルは、前記第２の型の導電率
を有する下方遮断層と、該下方遮断層上の前記第１の型
の導電率を有する上方遮断層とを含み、これにより前記
二つの遮断層がこれらの間に、前記極性電流に関して、
遮断接合部分を形成し、該遮断接合部分が前記電流を局
所的に阻止する近接遮断電流手段を構築し、前記領域の
横方向の連続部分は、次ぎに前記帯領域に前記極性電流
を限定するために半−絶縁層が前記近接電流遮断手段と
協働する遠隔電流遮断手段を構築している遠隔側方領域
を備え、前記半−絶縁層は、前記側方領域の前記外部斜
面から前記遠隔側方領域に横方向に延びている請求項１
に記載のレーザ。 - 【請求項３】 前記半導体ウエハが、２つの前記光学閉
じ込め層を構築する下方及び上方外部光学閉じ込め層の
間に前記半−絶縁層と前記活性系とを備えた垂直な連続
層を各遠隔側方領域に有する請求項２に記載のレーザ。 - 【請求項４】 前記半−絶縁層並びに前記下方及び上方
注入層が、同一半導体基材から製造され且つ、前記半−
絶縁層に抵抗率を、また各前記第１及び第２の型の導電
性を与えるように選択された異なる改質不純物を含む請
求項２に記載のレーザ。 - 【請求項５】 前記基材が、リン化インジウムまたはヒ
化ガリウムであり、前記半−絶縁層の改質不純物が、
鉄、コバルト、チタン及びクロムの少なくとも１つであ
る請求項４に記載のレーザ。 - 【請求項６】 前記半−絶縁層が、前記下方外部光学閉
じ込め層と前記活性系との間にある請求項３に記載のレ
ーザ。 - 【請求項７】 前記半−絶縁層が、前記活性系と前記上
方外部光学閉じ込め層との間にある請求項３に記載のレ
ーザ。 - 【請求項８】 −第１の型の導電率を有する下方注入層
を形成し、 −前記下方注入層を形成した後、反対の型の帯電キャリ
ヤの組換えによりレーザ光を増幅するために適合させた
活性材料を備えた活性層をエピタキシャル成長させ、 −前記活性層を成長後、前記第２の型の導電率を有する
上方注入層をエピタキシャル成長させ、これにより前記
二つの注入層の間に実質的に流れる極性電流が、レーザ
光を増幅するのに必要な反対の型の帯電キャリヤを前記
活性層に注入し得ようにし、 −前記活性層を成長後、同一縦方向に延びる二つのチャ
ネルをエッチングし、前記チャネル間に残っている予め
成長させた層の部分が二つの端を有するメサを構築し、
前記メサに含まれる活性層の一部がレーザ帯を構築し、
該レーザ帯に関して、各チャネルがメサから離れた外端
部を有する側方チャネルを構築するように、前記上方注
入層、前記活性層及び前記下方注入層の少なくとも上方
部分を除去し、 −前記側方チャネルをエッチング後、第２の型の導電率
を有する下方遮断層、次いで前記第１の型の導電率を有
する上方遮断層をエピタキシャル成長させ、該成長工程
は前記遮断層が前記チャネル内に形成され、前記メサの
端で停止するように且つ、前記遮断層により形成された
遮断接合部分が、前記極性電流の流れを局所的に阻止す
るための近接電流遮断手段を構築するように実施し、 −前記側方チャネルをエッチングする前に、前記レーザ
帯に前記極性電流を限定するために前記近接電流遮断手
段と協働する遠隔電流遮断手段を構築すべく、半−絶縁
層をエピタキシャル成長させ、前記半−絶縁層は、レー
ザの製造が完了時に、該半−絶縁層がレーザ帯を組み込
むレーザ表面の一部である帯領域に存在しないように、
且つ前記側方チャネルの外端部を越えて遠隔側方領域中
に横方向に広がるように局在化させる工程を具備してな
ることを特徴とする、二重チャネル半導体レーザの製造
法。 - 【請求項９】 前記半−絶縁層が前記帯領域にも形成さ
れる非−局在化方法で、前記半−絶縁層を成長させ、前
記半−絶縁層の局在化は、帯領域を含み且つ、帯領域を
越えて半−絶縁領域の第１の腐食境界まで側方に広がる
半−絶縁層の第１のエッチング領域の前記層を除去する
前記層の第１のエッチングにより実施され、前記側方チ
ャネルのエッチングにより、前記境界の近くの前記半−
絶縁層のさらに一部を除去する請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記半−絶縁層が、前記下方注入層よ
り前に形成される請求項８に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記半−絶縁層が、前記上方注入層よ
り後に形成される請求項８に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9109178A FR2679388B1 (fr) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | Laser semi-conducteur a double canal et son procede de realisation. |
| FR9109178 | 1991-07-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206576A JPH05206576A (ja) | 1993-08-13 |
| JPH07114309B2 true JPH07114309B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=9415336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4191153A Expired - Fee Related JPH07114309B2 (ja) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | 二重チャネル半導体レーザ及びその製造法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5278858A (ja) |
| EP (1) | EP0523587B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07114309B2 (ja) |
| AT (1) | ATE106169T1 (ja) |
| CA (1) | CA2073885C (ja) |
| DE (1) | DE69200147T2 (ja) |
| ES (1) | ES2056003T3 (ja) |
| FR (1) | FR2679388B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0639875A1 (en) * | 1993-07-12 | 1995-02-22 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Electrical barrier structure for semiconductor device |
| JPH07288361A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| KR970054972A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-31 | 김주용 | 레이저 다이오드 제조방법 |
| US5956360A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-21 | Lucent Technologies Inc. | Uncooled lasers with reduced low bias capacitance effect |
| JP2003060309A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110085A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | Nec Corp | 埋め込み形半導体レ−ザ |
| JPS59125684A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Nec Corp | 埋め込み形半導体レ−ザ |
| NL8401172A (nl) * | 1984-04-12 | 1985-11-01 | Philips Nv | Halfgeleiderlaser. |
| JPS6346790A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-27 | Nec Corp | 埋込み型半導体レ−ザおよびその製造方法 |
| NL8603009A (nl) * | 1986-11-27 | 1988-06-16 | Philips Nv | Halfgeleiderlaser en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| JPH0666526B2 (ja) * | 1988-07-28 | 1994-08-24 | 関西日本電気株式会社 | 半導体レーザダイオードとその製造方法 |
| US4947400A (en) * | 1989-06-26 | 1990-08-07 | At&T Bell Laboratories | Laser-photodetector assemblage |
| JPH03203282A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-04 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザダイオード |
-
1991
- 1991-07-19 FR FR9109178A patent/FR2679388B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-13 EP EP92111883A patent/EP0523587B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-13 ES ES92111883T patent/ES2056003T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-13 AT AT92111883T patent/ATE106169T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-07-13 DE DE69200147T patent/DE69200147T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-15 CA CA002073885A patent/CA2073885C/fr not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-17 JP JP4191153A patent/JPH07114309B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-20 US US07/915,512 patent/US5278858A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE106169T1 (de) | 1994-06-15 |
| DE69200147D1 (de) | 1994-06-30 |
| FR2679388B1 (fr) | 1995-02-10 |
| CA2073885C (fr) | 1996-07-30 |
| FR2679388A1 (fr) | 1993-01-22 |
| DE69200147T2 (de) | 1994-09-08 |
| US5278858A (en) | 1994-01-11 |
| EP0523587B1 (fr) | 1994-05-25 |
| ES2056003T3 (es) | 1994-09-01 |
| JPH05206576A (ja) | 1993-08-13 |
| CA2073885A1 (fr) | 1993-01-20 |
| EP0523587A1 (fr) | 1993-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6664605B1 (en) | Dopant diffusion blocking for optoelectronic devices using InAlAs and/or InGaAlAs | |
| JP2823476B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US5822349A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2686764B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPH04216693A (ja) | 自己安定化半導体回折格子の製作方法 | |
| US4972238A (en) | Semiconductor laser device | |
| US6556605B1 (en) | Method and device for preventing zinc/iron interaction in a semiconductor laser | |
| JPH07114309B2 (ja) | 二重チャネル半導体レーザ及びその製造法 | |
| JPH08148752A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置 | |
| US5043291A (en) | Method of manufacturing a broadband high emission power semiconductor laser from a BRS type buried stripe structure, and resulting laser | |
| JPH0864899A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法，および半導体レーザ装置 | |
| US4683574A (en) | Semiconductor laser diode with buried hetero-structure | |
| CA1215160A (en) | Stripe-geometry solid-state laser with light guidance by transverse refractive-index gradient | |
| US4731791A (en) | Buried hetero-structure laser diode | |
| JP2942404B2 (ja) | 埋込へテロ構造半導体レーザの製造方法 | |
| JP4830619B2 (ja) | 集積半導体光素子およびその製造方法 | |
| JPH0537084A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3266114B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS60137082A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JPS63129683A (ja) | 埋め込み構造半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH02246289A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0138389B2 (ja) | ||
| JPH0710019B2 (ja) | 埋込み構造半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS63205980A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH0430758B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |