JPS58110085A - 埋め込み形半導体レ−ザ - Google Patents
埋め込み形半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS58110085A JPS58110085A JP20878981A JP20878981A JPS58110085A JP S58110085 A JPS58110085 A JP S58110085A JP 20878981 A JP20878981 A JP 20878981A JP 20878981 A JP20878981 A JP 20878981A JP S58110085 A JPS58110085 A JP S58110085A
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- JP
- Japan
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- type inp
- type
- buried
- semiconductor laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高性能で歩留ま９の高い填め込み形半導体レ
ーずく関する。
ーずく関する。
埋め込み形半導体レーザは低い発振閾値電流、安定した
単−基本横モード発振、高温連続（ＣＷ）動作等の優れ
た特性を有する。筆者等は特願昭５６−１６６６６６に
紀し九新構造の埋め込み形半導体レーザを発明し、Ｉｎ
Ｐ基板とＩｎＧａＡｓＰ系材料を用いて、発振閾値が２
層ｍＡ１最高ＣＷｍ作温度が１１０℃程度という結果を
得た。また注入電流−光出力特性の微分量子効率が最大
７８慢、パルス注入電流で最大１００ｍＷ以上の片側光
出力を得た。しかしながら上記した様な高い微分１子効
率、高光出力を有する素子を再現性良くしかもウェハの
全面にわたって製作するためには構造及び製造法の改善
が必要であった。
単−基本横モード発振、高温連続（ＣＷ）動作等の優れ
た特性を有する。筆者等は特願昭５６−１６６６６６に
紀し九新構造の埋め込み形半導体レーザを発明し、Ｉｎ
Ｐ基板とＩｎＧａＡｓＰ系材料を用いて、発振閾値が２
層ｍＡ１最高ＣＷｍ作温度が１１０℃程度という結果を
得た。また注入電流−光出力特性の微分量子効率が最大
７８慢、パルス注入電流で最大１００ｍＷ以上の片側光
出力を得た。しかしながら上記した様な高い微分１子効
率、高光出力を有する素子を再現性良くしかもウェハの
全面にわたって製作するためには構造及び製造法の改善
が必要であった。
本発明の目的は、上記構造の埋め込み形半導体レーザを
改良し高い微分量子効率と高光出力を有する素子が良好
な歩留まりで得られる埋め込み形半導体レーザを提供す
ることにある。
改良し高い微分量子効率と高光出力を有する素子が良好
な歩留まりで得られる埋め込み形半導体レーザを提供す
ることにある。
本発明によれば、第１導電形半導体基板上に活性＋１１
１を含む半導体多層漠が形成された多層、漠半導体基板
の表面に、少なくとも活性層を突き抜ける栗さの斤いに
平行な２本の溝が形成された多ＩＩＩ半導体メサ基板の
上に、全面に亘ってほぼ均一な膜厚で噴ｊ−される第２
導電形の電流ブロック層、次に２本の溝に挟まれて形成
されたメサ領域の上の部分のみを除いて積層される第１
導電形の電流閉じ込め層、更に全面を櫟って積層される
第２導電形の埋め込み層の少くとも３ノー・が形成され
、メサ領域内の活性１−が発光再結合を行うレーザ共振
器体であることを特徴とする埋め込み形半導体レーザが
得られる。
１を含む半導体多層漠が形成された多層、漠半導体基板
の表面に、少なくとも活性層を突き抜ける栗さの斤いに
平行な２本の溝が形成された多ＩＩＩ半導体メサ基板の
上に、全面に亘ってほぼ均一な膜厚で噴ｊ−される第２
導電形の電流ブロック層、次に２本の溝に挟まれて形成
されたメサ領域の上の部分のみを除いて積層される第１
導電形の電流閉じ込め層、更に全面を櫟って積層される
第２導電形の埋め込み層の少くとも３ノー・が形成され
、メサ領域内の活性１−が発光再結合を行うレーザ共振
器体であることを特徴とする埋め込み形半導体レーザが
得られる。
次に図面を用いて従来例と比較しながら本発明の実施例
及びその特徴を説明する。
及びその特徴を説明する。
第１ ｄハｌ１者４０発４Ｋ ヨル’ｌ？ａ昭５６−１
６６６６６に記した埋め込み形の半導体レーザ構造の断
面図である。ｎ形ＩｎＰ基板１の上にｎ形ＩｎＰバッフ
ァ層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ形ＩｎＰり？ラド
層４を積層し通常の二重へテロ構造の多層・漠ウェハを
形成し九のち、中央のｉ嘔約２μｍのメサストライプ１
０を挟むように幅約５μｍの平行な溝３０．３１をエツ
チングにょシ形成し次にｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５．
ｎ形ＩｎＰ″を流閉じ込め層６を、メサストライプ１ｏ
の上には横ノーシないように形成し、次のｐ形ＩｎＰ埋
め込み層７で全体を埋め込み最後にｐ形ＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層を形成した構造である。Ａｕ−Ｚｎを用いた
Ｐ側型ｆ４ｉｉ２０を正、Ａｕ−８ｎを用いたｎ１ｌＬ
ｔ極２１を負とするバイアス電圧を印加すると、メサス
トライプ１０の領域ではｐｎ接合に順方向バイアスが印
加されて、メサストライプ内の活性ノー先導波路３ｍで
発光再結合が生じる。メサストライプ以外の領域はｐｎ
ｐｎ接合であるため電流が流れ・ない。
６６６６６に記した埋め込み形の半導体レーザ構造の断
面図である。ｎ形ＩｎＰ基板１の上にｎ形ＩｎＰバッフ
ァ層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ形ＩｎＰり？ラド
層４を積層し通常の二重へテロ構造の多層・漠ウェハを
形成し九のち、中央のｉ嘔約２μｍのメサストライプ１
０を挟むように幅約５μｍの平行な溝３０．３１をエツ
チングにょシ形成し次にｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５．
ｎ形ＩｎＰ″を流閉じ込め層６を、メサストライプ１ｏ
の上には横ノーシないように形成し、次のｐ形ＩｎＰ埋
め込み層７で全体を埋め込み最後にｐ形ＩｎＧａＡｓＰ
キャップ層を形成した構造である。Ａｕ−Ｚｎを用いた
Ｐ側型ｆ４ｉｉ２０を正、Ａｕ−８ｎを用いたｎ１ｌＬ
ｔ極２１を負とするバイアス電圧を印加すると、メサス
トライプ１０の領域ではｐｎ接合に順方向バイアスが印
加されて、メサストライプ内の活性ノー先導波路３ｍで
発光再結合が生じる。メサストライプ以外の領域はｐｎ
ｐｎ接合であるため電流が流れ・ない。
従って効率良く活性層光導波路３ｍに電流が果申し、１
０〜２０ｎＡ程変の低い発振閾値が得られる。しかしな
がらこの構造ではｐ形ＩｎＰクラッド層４のキャリア濃
度の設定が雌しい。！４１ちこの層のキャリア濃度を下
げることにより活性ｊ−光傅波路３ｍ内を伝搬する光の
電界がｐ形１ｎＰｒ−メサ部４ｍにしみ出した部分のフ
リーキャリアによる吸収損失を低減し微分量子効率を高
くできるが反面ｐ形ＩｎＰクラッド層４におけるフェル
ミ準位が価電子端より遠くなるため１ｌＧａＡｓＰ活性
層３とｐ形ＩｎＰクラッド層４との間のへテロ障壁が小
さくな９．ヘテロ障壁を越えるキャリアの漏れが増大し
、ｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６に到達して漏洩電流とな
ってＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザの悪い温度特性を助長
する結果になる。またｐ形ＩｎＰクラッド層４のキャリ
ア濃度を増大させるとヘテロ障壁は増大するが、フリー
キャリアによる吸収損失が増大し、微分量子効率を高く
することができない。
０〜２０ｎＡ程変の低い発振閾値が得られる。しかしな
がらこの構造ではｐ形ＩｎＰクラッド層４のキャリア濃
度の設定が雌しい。！４１ちこの層のキャリア濃度を下
げることにより活性ｊ−光傅波路３ｍ内を伝搬する光の
電界がｐ形１ｎＰｒ−メサ部４ｍにしみ出した部分のフ
リーキャリアによる吸収損失を低減し微分量子効率を高
くできるが反面ｐ形ＩｎＰクラッド層４におけるフェル
ミ準位が価電子端より遠くなるため１ｌＧａＡｓＰ活性
層３とｐ形ＩｎＰクラッド層４との間のへテロ障壁が小
さくな９．ヘテロ障壁を越えるキャリアの漏れが増大し
、ｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層６に到達して漏洩電流とな
ってＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザの悪い温度特性を助長
する結果になる。またｐ形ＩｎＰクラッド層４のキャリ
ア濃度を増大させるとヘテロ障壁は増大するが、フリー
キャリアによる吸収損失が増大し、微分量子効率を高く
することができない。
以上の従来構造の欠点は、ｐ形Ｉｎ’Ｐクラッド層４の
キャリア濃度は低く抑え、ｐ形ＩｎＰ層りラット′層４
とｎ形ＩｎＰ閉じ込め層５との間にキャリア濃度の高い
ｐ形ＩｎＰ層を介在させ、ヘテロ障壁を越えて漏れたキ
ャリアをｐ形ＩｎＰクラッド層メサ部４ｍ内に閉じ込め
ることにより改善できる。
キャリア濃度は低く抑え、ｐ形ＩｎＰ層りラット′層４
とｎ形ＩｎＰ閉じ込め層５との間にキャリア濃度の高い
ｐ形ＩｎＰ層を介在させ、ヘテロ障壁を越えて漏れたキ
ャリアをｐ形ＩｎＰクラッド層メサ部４ｍ内に閉じ込め
ることにより改善できる。
第２図は本発、明の実施例を示す埋め込み形半導体レー
ザの断面図である。第１図に示した従来構造と異なる点
は、ｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５を全面に亘ってほぼ一
様な厚さで形成していることである。まず製造過程を示
すと、（００１）面のｎ形ＩｎＰ基板（Ｓｎドーグ）に
通常のＬＰＥ成長法によりｎ形Ｉ’ ｎ Ｐバッファ層
２（Ｓｎドーグ。
ザの断面図である。第１図に示した従来構造と異なる点
は、ｐ形ＩｎＰ電流ブロック層５を全面に亘ってほぼ一
様な厚さで形成していることである。まず製造過程を示
すと、（００１）面のｎ形ＩｎＰ基板（Ｓｎドーグ）に
通常のＬＰＥ成長法によりｎ形Ｉ’ ｎ Ｐバッファ層
２（Ｓｎドーグ。
Ｉ Ｘ １０１０１ｌ”）ＩｎＧａＡｓＰ活性層３（ノ
ンドーノ。
ンドーノ。
膜厚α１μｍ）、ｐ形ＩｎＰクラッド層４ （Ｚｎドー
プ、 ３ Ｘ １０１γｍ−１、ｇ厚α５．ａｍ）の３
層を積層させた多層膜ウェハを作製する。次に通常のフ
ォトリングラフィの手法により、＜１１０＞方向に平行
な２本の＄３０．３１をＢｒ−メタノールのエツチング
液を用いて形成する。この時の４の幅は５μｍ、２本の
溝に狭まれ九メサストライプ１０の上部幅は約２μｍに
なる様にする。埋め込みＬＰＥ成長では、最初過飽和度
を約１５＠と高くしてｐ形ＩｎＰブロック層５（Ｚｎド
ープ）を全面Ｖｃｉって１μｍのほぼ均一な厚さで積層
させる。キャリア濃度は３ ｘ １０１８ｃＷＬ−３と
高くする。
プ、 ３ Ｘ １０１γｍ−１、ｇ厚α５．ａｍ）の３
層を積層させた多層膜ウェハを作製する。次に通常のフ
ォトリングラフィの手法により、＜１１０＞方向に平行
な２本の＄３０．３１をＢｒ−メタノールのエツチング
液を用いて形成する。この時の４の幅は５μｍ、２本の
溝に狭まれ九メサストライプ１０の上部幅は約２μｍに
なる様にする。埋め込みＬＰＥ成長では、最初過飽和度
を約１５＠と高くしてｐ形ＩｎＰブロック層５（Ｚｎド
ープ）を全面Ｖｃｉって１μｍのほぼ均一な厚さで積層
させる。キャリア濃度は３ ｘ １０１８ｃＷＬ−３と
高くする。
次にｎ形ＩｎＰ閉じ込め層（Ｔｅドープ、５ＸＩＯ”Ｃ
１１′−ｓ）を過飽和度の低い２相廖液を用いて成長す
ることにより、メサストライプ１０の上部のみを除いて
積層させる。更にｐ形１ｎＰ埋め込み層７（Ｚｎドープ
、２Ｘ１０１・１１平担部模厚２＃ｍ）およびｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰキャップ層８（発光波長にして１．２μｍ組
成、Ｚｎドープ、５ＸＩＯ凰Ｍｃｍ＜−１）を平担部で
の厚さ約α５μｍで積層させると表面はほぼ平担に埋ま
る。通常のプロセスによりｐ側にＡ ｕ −Ｚ ｎを用
いたｐ側電極２０．ｎ側にＡｕ−８ｎを用いたｎ側電極
２１を形成した後骨開によプ素子を作製する。ｐ側電極
２０を正、ｎ側電極２１を負とするバイアス電圧を印加
すると、第１図に示し九従来例の埋め込み屋半導体レー
ザと同様にｐｎｐｎ層構造が注入電流をメサストライド
ブ１０の中の活性層光導波路３ｍに有効に閉じ込めるた
め２９ｍＡ程ばの低い注入電流で発振する。また活性層
厚がα１μｍと薄いため共振器内を伝搬する光の電界が
、内部吸収損失の大きな活性層へ閉じ込められる割合が
１５パ一セント糧度と小さく、又活性層以外にしみ出し
た電界は主にｐ形ＩｎＰクラッド層メサ部４ｍ中の７リ
ーキヤリアによる吸収損失を受けるが、ｐ形ＩｎＰクラ
ッド１−メサ部４ｍのキャリア濃度が３ Ｘ ｌ ０１
？ｇ−３と低いためその吸収損失量は小さい。従って、
注入電光−光出力特性における微分量子効率が８（ｌと
高い直を示した。ｐ形ｒｎＰクラッド層４のキク９フ４
度を低くし九ことにより ＩｎＧａＡｓｐ活性膚３とｐ
形ＩｎＰクラッド層のへテロ障壁は小さくなるが、ｐ形
ＩｎＰクラッド層メサ部４ｍの上にキャリア濃度の高い
ｐ形ＩｎＰブロック層５ｍを積＋１させることによりペ
テロＫｌｌを越えて漏洩したキャリアをｐ形ＩｎＰクラ
ッド層メサ部４ｍ内だけにとどめることができる。従っ
てｐ形ＩｎＰクラッド１１１４のキャリア濃度を低くし
て微分量子効率を高くしても温度特性は悪くならず、経
験的にｅｘｐ（Ｔ？））で変化するとされる発振−値電
流のＮＩｉ度依存性を示すパラメータＴｏは７５に程度
であり最高ＣＷ温度は１３０’０でありた。微分量子効
率が高い丸め２００ｍＡと低い注入電流で片側光出力５
゜ｍＷが得られ又最大２００ｍＷのパルス片側光出力を
得た。埋め込み成長において、最初過飽和度の高い醪液
でｐ形ＩｎＰブロック層５を全面に亘って積層するため
、エビタヤンヤル成長の１濡れ１が曳く、成長断面形状
はウエノ・内での均一性が良く、その結果素子特性のば
らつきが少なく高い歩留まシが得られた。
１１′−ｓ）を過飽和度の低い２相廖液を用いて成長す
ることにより、メサストライプ１０の上部のみを除いて
積層させる。更にｐ形１ｎＰ埋め込み層７（Ｚｎドープ
、２Ｘ１０１・１１平担部模厚２＃ｍ）およびｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰキャップ層８（発光波長にして１．２μｍ組
成、Ｚｎドープ、５ＸＩＯ凰Ｍｃｍ＜−１）を平担部で
の厚さ約α５μｍで積層させると表面はほぼ平担に埋ま
る。通常のプロセスによりｐ側にＡ ｕ −Ｚ ｎを用
いたｐ側電極２０．ｎ側にＡｕ−８ｎを用いたｎ側電極
２１を形成した後骨開によプ素子を作製する。ｐ側電極
２０を正、ｎ側電極２１を負とするバイアス電圧を印加
すると、第１図に示し九従来例の埋め込み屋半導体レー
ザと同様にｐｎｐｎ層構造が注入電流をメサストライド
ブ１０の中の活性層光導波路３ｍに有効に閉じ込めるた
め２９ｍＡ程ばの低い注入電流で発振する。また活性層
厚がα１μｍと薄いため共振器内を伝搬する光の電界が
、内部吸収損失の大きな活性層へ閉じ込められる割合が
１５パ一セント糧度と小さく、又活性層以外にしみ出し
た電界は主にｐ形ＩｎＰクラッド層メサ部４ｍ中の７リ
ーキヤリアによる吸収損失を受けるが、ｐ形ＩｎＰクラ
ッド１−メサ部４ｍのキャリア濃度が３ Ｘ ｌ ０１
？ｇ−３と低いためその吸収損失量は小さい。従って、
注入電光−光出力特性における微分量子効率が８（ｌと
高い直を示した。ｐ形ｒｎＰクラッド層４のキク９フ４
度を低くし九ことにより ＩｎＧａＡｓｐ活性膚３とｐ
形ＩｎＰクラッド層のへテロ障壁は小さくなるが、ｐ形
ＩｎＰクラッド層メサ部４ｍの上にキャリア濃度の高い
ｐ形ＩｎＰブロック層５ｍを積＋１させることによりペ
テロＫｌｌを越えて漏洩したキャリアをｐ形ＩｎＰクラ
ッド層メサ部４ｍ内だけにとどめることができる。従っ
てｐ形ＩｎＰクラッド１１１４のキャリア濃度を低くし
て微分量子効率を高くしても温度特性は悪くならず、経
験的にｅｘｐ（Ｔ？））で変化するとされる発振−値電
流のＮＩｉ度依存性を示すパラメータＴｏは７５に程度
であり最高ＣＷ温度は１３０’０でありた。微分量子効
率が高い丸め２００ｍＡと低い注入電流で片側光出力５
゜ｍＷが得られ又最大２００ｍＷのパルス片側光出力を
得た。埋め込み成長において、最初過飽和度の高い醪液
でｐ形ＩｎＰブロック層５を全面に亘って積層するため
、エビタヤンヤル成長の１濡れ１が曳く、成長断面形状
はウエノ・内での均一性が良く、その結果素子特性のば
らつきが少なく高い歩留まシが得られた。
本発明の実施例ではＩｎＰを基板とするＩ ｎＧａＡｓ
ＰＧａＡｓ用いたが、ＧａＡｓを基板とするＡｊＧａＡ
ｓＰ系材料を用いても本発明の埋め込み形半導体レーザ
を形成できる。
ＰＧａＡｓ用いたが、ＧａＡｓを基板とするＡｊＧａＡ
ｓＰ系材料を用いても本発明の埋め込み形半導体レーザ
を形成できる。
最後に本発明の特徴をまとめると、外部微分量子効率が
８０１と高いこと、片側２００ｍｗａ度の光出力が得ら
れること、素子歩１ｉｉｔｂが高いこと等である。
８０１と高いこと、片側２００ｍｗａ度の光出力が得ら
れること、素子歩１ｉｉｔｂが高いこと等である。
第１図は従来の埋め込み形半導体レーザを示す断面図、
第２図は本発明の埋め込み形半導体シー６ザの実施例を
示す断面図である。 図中１・・・・・・ｎ形ＩｎＰ基板、２・・・・・・ｎ
形ＩｎＰバッファ層、３・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ活
性層、４・・・・・・ｐ形ＩｎＰクラッド層、５・・・
・・・ｐ形ＩｎＰブロック層、６・・・・・・ｎ形Ｉｎ
Ｐ閉じ込め層、７・・・・・・ｐ形ＩｎＰ埋め込み層、
８・・・・・・ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ、１０・・
・・・・メサストライプ、３０および３１゛・・・・・
尾いに平行な溝、３ｍ・・・・・・メサストライプ１０
中の活性層光導波路、４ｍ・・・・・・ｐ形ＴｎＰクラ
ッド嗜メサ部、２０・・・・・・ｐ側電極、２１・・・
・・・ｎｇｉ電極である。
第２図は本発明の埋め込み形半導体シー６ザの実施例を
示す断面図である。 図中１・・・・・・ｎ形ＩｎＰ基板、２・・・・・・ｎ
形ＩｎＰバッファ層、３・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ活
性層、４・・・・・・ｐ形ＩｎＰクラッド層、５・・・
・・・ｐ形ＩｎＰブロック層、６・・・・・・ｎ形Ｉｎ
Ｐ閉じ込め層、７・・・・・・ｐ形ＩｎＰ埋め込み層、
８・・・・・・ｐ形ＩｎＧａＡｓＰキャップ、１０・・
・・・・メサストライプ、３０および３１゛・・・・・
尾いに平行な溝、３ｍ・・・・・・メサストライプ１０
中の活性層光導波路、４ｍ・・・・・・ｐ形ＴｎＰクラ
ッド嗜メサ部、２０・・・・・・ｐ側電極、２１・・・
・・・ｎｇｉ電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１導電形半導体基板上に活性層を含む半導体多層模が
形成された多層模半導体基板の表面に。 少なくとも前記活性層を突き抜ける深さの互いに平行な
２本の溝が形成された多層１半導体メサ基板上に、全面
に亘ってほぼ均一な４厚で積層されるａＥ２導電形の電
流ブロック層、次に前記２本の＠ＶＣ狭まれて形成さ些
たメサ領域の上の部分のみを除いて積層される第１導電
形の電流閉じ込め層、更に全面を覆って積層される第２
導電形の填め込み層の少なくとも３層が形成され、前記
メサ領域内の活性層が発光再結合を行うレーザ共振器体
であることを特徴とする埋め込み形半導体レーザ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20878981A JPS58110085A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 埋め込み形半導体レ−ザ |
| DE8282109619T DE3277278D1 (en) | 1981-10-19 | 1982-10-18 | Double channel planar buried heterostructure laser |
| US06/434,990 US4525841A (en) | 1981-10-19 | 1982-10-18 | Double channel planar buried heterostructure laser |
| EP82109619A EP0083697B1 (en) | 1981-10-19 | 1982-10-18 | Double channel planar buried heterostructure laser |
| CA000413780A CA1196077A (en) | 1981-10-19 | 1982-10-19 | Double channel planar buried heterostructure laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20878981A JPS58110085A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 埋め込み形半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110085A true JPS58110085A (ja) | 1983-06-30 |
| JPS622720B2 JPS622720B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=16562131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20878981A Granted JPS58110085A (ja) | 1981-10-19 | 1981-12-23 | 埋め込み形半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110085A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037793A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-27 | Nec Corp | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
| US5278858A (en) * | 1991-07-19 | 1994-01-11 | Alcatel Cit | Double channel semiconductor laser and method of fabricating it |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP20878981A patent/JPS58110085A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037793A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-27 | Nec Corp | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
| US5278858A (en) * | 1991-07-19 | 1994-01-11 | Alcatel Cit | Double channel semiconductor laser and method of fabricating it |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622720B2 (ja) | 1987-01-21 |
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