JPH07113842A - 半導体装置検査プローブ - Google Patents

半導体装置検査プローブ

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JPH07113842A JP5244385A JP24438593A JPH07113842A JP H07113842 A JPH07113842 A JP H07113842A JP 5244385 A JP5244385 A JP 5244385A JP 24438593 A JP24438593 A JP 24438593A JP H07113842 A JPH07113842 A JP H07113842A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ＬＳＩの検査工程において使用するＬＳＩ上の
接点と検査機器との導通を確保するための接触性の良好
なプローブの構造に関する。 【構成】このプローブ構造は基板上に形成されており、
その基板120は検査の対象となる半導体装置に前記プロ
ーブ構造を対向・接触させたときに前記半導体装置上に
配置されている接点パッド210と位置的に整合するよう
に形成された複数のキャビテイ140を有し、このキャビ
テイ140は弾力性を有する少なくとも一種の薄膜130で被
覆され、さらに、このキャビテイの直上に位置する薄膜
上に形成されている導電性の突出部101とその突出部に
接続された導電性のリード部110からなるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明はＬＳＩ製造の最終段階
における検査工程において検査の対象となるＬＳＩチッ
プと外部のテスト用機器との電気的な接続を実現するた
めの新たな構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】ＬＳＩの製造においてはウエハ上に複数の
チップを形成した後、その最終工程にそれらのチップが
その単体として電気的に正常に動作するかという点を検
査する必要がある。この検査工程を示すと以下のように
なる。 チップの製造工程＝＞導通試験＝＞ダイシング＝＞パッ
ケージング＝＞加速試験＝＞出荷
【０００３】ここで、検査工程は導通試験と加速試験か
らなり、その間にダイシング、パッケージングの加工工
程が挿入されている。導通試験はチップ単体で電気的に
正常に動作するかを検査する試験であり、また、その後
正常が確認されたチップについてはダイシング工程によ
って，チップごとに切断がされる。この状態をダイとい
う。次に、パケージング工程においてこれを所定のパッ
ケージにマウントして、外部との電気的な接続を行う。
ここで、初期故障を起こす可能性がある製品は排除する
必要がある。そこで、加速試験（約１５０℃の高温で回
路を動作させ、長時間の動作を模擬する試験）を行う。
【０００４】このように加速試験は従来はパッケージの
終了後にこれを行っていた。しかし、近年マルチモジュ
ールチップ（ＭＣＭ）技術が台頭し，外部機器と未接続
の段階でチップを保証する必要性が生じている。この段
階におけるチップをベアチップともいう。また、ダイシ
ング前の状態で一括してチップの導通を検査できれば検
査に関するコストという面でもメリットが生じよう。
【０００５】そこで、ウエハレベルで加速試験を行うこ
とが検討される。すなわち、この場合上の工程は以下の
ようにモデイファイされる。 チップの製造工程＝＞ウエハレベルでの導通試験＝＞ウ
エハレベルでの加速試験＝＞ダイシング・・・
【０００６】しかし、このようにウエハレベルで高温に
保持し、加速試験を行う場合には試験のための装置と試
験の対象となるウエハを電気的に接続することが従来の
接続治具であるプローブカードによれば困難である。プ
ローブカードとは、エポキシ基板にタングステンの片持
ちばりをパッド数分取付け、そこにチップと試験装置を
接触させるための針を固定し、針の先端を各々のチップ
状に接触させ導通を検査するものである。しかし、この
ようなプローブカードは高密度化には適当ではなく，ま
た、加熱したさいにウエハとの熱膨張の差によって常温
時に取付けた位置から針がずれるという欠点がある。
【０００７】かかる欠点を克服するために、プローブカ
ードの代替物としてマイクロマシニングを応用したプロ
ーブが考案されている。例えば、ガラス基板の表面にリ
ソグラフィー的な手法で接触用の電極を形成し、基板に
対するスルーホールによって外部と電気的に接続する方
法についてT.Tada らが "A Fine Pitch Probe Technolo
gy " 1990 International Test Conference , pp900-90
6 において開示している。しかし、この方法は基板に
フレキシビリテイーのないガラスを採用したために、パ
ッド上に高低差がある時は接触不能なパッドが存在した
り、構造上その製作工程が複雑でありコストがかかるな
どの欠点が認められる。
【０００８】また、基板のフレキシビリテイーの問題を
解決したものとして、B.Leslieらは"Membrane Probe Ca
rd Technology for VLSI Wafer Testing " 1988 Intern
ational Test Conference , pp.601-607 においてフレ
キシブルな膜上に接触および配線をし、パッドとの接触
面と反対側の面から圧力を作用させることによってパッ
ド−プローブ間の接触を実現するものを開示する。同様
な原理を採用したものとして、M.Beileyらの "Array P
robe Card", Multi-Chip Module Conference ,pp.28-3
1, 1992 、G.J.Leedyらの 米国特許５１０３５５７号が
ある。しかし、これらはいずれも同一膜上に接触点が形
成されているためにパッドの局所的な高低差に対して接
触圧を同一とできない、また、構造上大面積のものを作
成することが困難であり、かつ、非常に複雑な工程によ
らなければならないという共通の欠点が認められる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本願発明はこのような
従来技術における問題点に鑑みて、かかる問題点を有し
ない新しいプローブ構造を提供するものである。すなわ
ち、本願発明に係わるプローブ構造は非常に精密なピッ
チを有している。これは、近年のＬＳＩチップの微細化
に対応するものであるが、マイクロマシニング技術を応
用することによって実現されるものである。
【００１０】また、本願発明に係わるプロービング構造
は従来のプローブカードにおける問題点であった、加速
試験の実施温度に昇温した際に熱膨張の差異によって常
温において設定した針の位置がずれるという欠点をなく
したものである。
【００１１】さらに、本願発明のものは比較的単純な工
程で大面積のものが得られるので，低コストであり、ウ
エハレベルでのプロービングに非常に適しているもので
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願発明においては、半
導体装置を検査するためのプローブ構造（以下、マイク
ロプローブという）であって、基板上に形成されている
ものを開示する。このプローブ構造が形成される基板は
検査の対象となる半導体装置に前記プローブ構造を対向
・接触させたときに前記半導体装置上に配置されている
接点パッドと位置的に整合するように形成された複数の
キャビテイを有し、このキャビテイは弾力性を有する少
なくとも一種の薄膜で被覆され、さらに、このキャビテ
イの直上に位置する薄膜上に形成されている導電性の突
出部とその突出部に接続された導電性のリード部からな
るものである。
【００１３】また、上述した複数のキャビテイは、フォ
トリソグラフィー技術によってその位置が特定され、乾
式または湿式のエッチングによって形成される等、半導
体加工技術を駆使して形成されている点が製造上の特徴
となっている。
【００１４】
【実施例】以下、３種類の実施例を用いて本願発明を説
明する。
【００１５】（実施例１）図１に本願発明に係わるマイ
クロプローブのコンタクト部の概念図を示す。図中には
４つのコンタクト部が示されているが、これらのコンタ
クト部が図２に示すように検査の対象となるＬＳＩチッ
プに対して接触される。すなわち、このコンタクト部の
配列パターンは検査の対象となるＬＳＩチップの配列パ
ターンと同様である必要がある。
【００１６】図１をさらに詳細に説明すると、コンタク
ト部101はパッドと接触する部分であり、金、銅、およ
びそれらの合金等の抵抗の低い金属で構成されているこ
とが望ましい。そして、該コンタクト部101はこれを外
部検査機器と電気的に接続するためのリード110と接続
されている。このリード110は適当な検査機器(図示せ
ず)にその一端で接続される。このリード110についても
は導電性を有している必要があり、金、銅などの低抵抗
金属で構成されていることが望ましい。これらのコンタ
クト部とリードの全体はシリコン基板120の上に形成さ
れている。基板の材料としてＬＳＩのウエハと同様にシ
リコンを選択するのは、加速試験における加熱時に熱膨
張の差によって位置合わせがずれるのを防止するためで
ある。
【００１７】図２に本願発明に係わるマイクロプローブ
の構造断面図を示す。ここで、本願発明の対象となるの
は検査の対象となるＬＳＩチップ200を除外した部分で
あることに注意する必要がある。検査の対象となるＬＳ
Ｉチップ200はその検査時に本願発明に係わるマイクロ
プローブのコンタクト部と接触する接点パッド210を有
している。この接点パッドに本願発明のマイクロプロー
ブのコンタクト部101が接触することによって検査が可
能となる。コンタクト部101およびそれに接続されてい
る金属リード110は実際はシリコン基板120との間に介在
するポリイミド等の有機被膜層130上に形成されてい
る。また、図２には図示されていないが、有機被膜層と
シリコン基板との間に酸化シリコン等の酸化被膜が介在
することもある。そして、コンタクト部101の直下には
キャビテイ140が形成されている。
【００１８】かかる構造を採用するのはコンタクト部の
上下動のフレキシビリテイーを担保するためである。す
なわち、例えば検査対象となるＬＳＩが一定の段差250
を有していたとしても有機被膜層130の弾力性およびキ
ャビテイ140によってその段差を吸収し、一定の接触圧
でコンタクト部101と接点パッド210が接触することが可
能となる。このように本願発明はコンタクト部ごとにキ
ャビテイ140を構成しているので、ＬＳＩチップの高低
差に対して許容性の大きいプローブを実現できるという
特長を有している。もちろん、ＬＳＩチップによっては
ある面積内であればさほど高低差が生じえないものもあ
ろう。従って、かかる場合においては数個のコンタクト
部に対してその直下に一のキャビテイを形成するという
構造にしてもよい。
【００１９】本願発明に係わる構造を形成する方法の一
例について示す。まず、図３に示すようにシリコン基板
120上に数千オングストロームの厚さを有する酸化シリ
コンの被膜300を形成する。その後図４に示すように、
フォトリソグラフィとエッチング法を用いてシリコン被
膜300上に微孔310を形成する。この際に、この微孔の位
置は検査の対象となるＬＳＩと図２に示すように相互に
対向・接触させた時にＬＳＩ上の接点パッドの位置と整
合するものである必要がある。この条件を確保するため
に、フォトリソグラフィにおけるパターンは検査対象と
なるＬＳＩのパターンをそのまま用いることができる。
【００２０】その後プラズマエッチング法でシリコン基
板をエッチングする。この結果、シリコン基板は微孔31
0直下のみが選択的に等方性にエッチングされ、シリコ
ン酸化膜の微孔の直径よりも相対的に大きなキャビテイ
140が形成される。
【００２１】次に図５に示すように全体に数μｍの厚さ
を有する有機被膜層130を形成する。この有機被膜層130
はポリイミドなどを液体状態でスピンコーテイングによ
って塗布されるものであるが、その粘性が大きいために
微孔310からキャビテイ中に落下することはない。そし
て、この結果キャビテイ上に有機被膜のダイアフラムが
形成される。その後、図６に示されるように金属のリー
ド110が形成される。このリードの材質は金、銅などの
低抵抗の金属およびその合金が望ましい。そしてさら
に、図７のようにフォトレジスト層320が塗布され、パ
ターンニングし、コンタクト部が形成されるべき部分に
のみフォトレジスト層が存在しない部分330を形成す
る。最後に、図８に示すように電気めっき法によってそ
のフォトレジスト層が存在しない部分330に金属の突起
が形成される。このコンタクト部に使用される金属とし
ては抵抗の少ない金、銅などの金属が望ましい。その
後、フォトレジスト層を適当な手段で除去すれば本願発
明の構造を得る。
【００２２】（実施例２）図９に本願発明の他の態様に
よる実施例を示す。実施例１と共通な要素については同
じ参照番号で以下説明する。実施例２は断面図である図
９に示すとおり、有機被膜130の微孔を集中的に一定の
領域に複数形成し、その直下にキャビテイ140を設け、
そのキャビテイ上にコンタクト部101とそれに接続され
ているリード110を設けるものである。
【００２３】実施例２に係わるものの製造工程を図１０
から図１４において示す。なお、これらの図においては
断面図（図１０Ａ〜１４Ａ）およびそれに対応する上面
図（図１０Ｂ〜１４Ｂ）をともに示す。
【００２４】まず、図１０Ａに示すようにシリコン基板
120上に有機被膜130を均一に塗布し、ベークすることに
よって硬化し、パターンニングを経た後に、直径５μｍ
程度の微孔400を一定の領域420に集中して複数個形成す
る。次に図１１Ａのように、プラズマエッチングによっ
てシリコン基板120を等方性エッチングする。この結
果、この微孔の直下にキャビテイ140が形成される。図
１２Ａのように、この有機被膜130のダイアフラム上に
金属リード110の配線を形成する。次に図１３Ａに示す
ように、フォトレジストを塗布し、ダイアフラム上に露
出部分を形成する。最後に図１４Ａのように電気めっき
法によってコンタクト部101をダイアフラム上に形成
し、フォトレジスト層を除去することによって所望の構
造を得る。上記説明を補足するために適宜上面図である
図１０Ｂ〜１４Ｂを参照されたい。
【００２５】このような方式を採用することによって、
実施例１とは異なり微孔の上に有機被膜を塗布する代わ
りに、予め塗布した有機被膜上に微孔を形成する方式で
あるため、さらに高い歩留りが期待できる。
【００２６】（実施例３）図１５に本願発明に関する別
の実施例を示す。この構造は全体が片持ちばり構造とな
っており、実施例１，２に見られる球状のコンタクト部
の代わりに針状のコンタクト部101を採用する。また、
層の積層構造は有機被膜を用いず、酸化シリコン層120
のみで構成されている。
【００２７】この製造工程を図１６〜２０に示す。実施
例２の時と同じく、一部の図面については上面図も添付
する。図１６Ａに示すように、シリコン基板120上の所
定の位置にフォトレジスト320を残存させる。このフォ
トレジストは図１６Ｂに示すように円形を呈する。次
に、全体を図１７に示すように等方性エッチングする。
この結果、フォトレジスト部分のみがエッチングされず
突起状に残存する。その後図１８に示すように、この表
面を熱酸化して酸化被膜300を形成する。さらに、図１
９Ａのようにエッチング等の方法によって酸化層の一部
に微孔430を設ける。その後図２０Ａのように、金属リ
ード110を施し、最後にシリコン層を等方性エッチング
することによって図１５のような片持ちばり構造を得
る。
【００２８】この構造はコンタクト部が針状であるため
安定した電気的接触が実現可能となる。
【００２９】
【発明の効果】本願発明においてはプローブの構造が半
導体加工技術を用いてバッチ式で作られるため、非常に
微小な構造が比較的簡単な工程で製造可能である。そし
て、基板の材料として検査の対象となるチップの基板材
料と同一のシリコンを用いているために、加速試験の昇
温時に熱膨張による位置ずれが発生しない。また、大面
積のプローブを作成することも可能である。
【００３０】さらに、本願発明に係わるプローブ構造に
よれば、ダイ状態での品質保証が可能となるので、マル
チチップモジュールの実現が容易になるという特長があ
る。このことによって、チップの高機能化・低コスト化
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係わるマイクロプローブを上から見
た図である。
【図２】本願発明のマイクロプローブの断面図であると
ともに、検査時における被検査物との位置関係を示す。
【図３】本願発明のマイクロプローブを形成する一ステ
ップを示した図である。
【図４】本願発明のマイクロプローブを形成する一ステ
ップを示した図である。
【図５】本願発明のマイクロプローブを形成する一ステ
ップを示した図である。
【図６】本願発明のマイクロプローブを形成する一ステ
ップを示した図である。
【図７】本願発明のマイクロプローブを形成する一ステ
ップを示した図である。
【図８】本願発明のマイクロプローブを形成する一ステ
ップを示した図である。
【図９】本願発明のマイクロプローブの一実施例であ
る。
【図１０】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。
【図１１】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。
【図１２】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。
【図１３】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。
【図１４】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。
【図１５】本願発明のマイクロプローブの一実施例であ
る。
【図１６】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。
【図１７】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。
【図１８】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。
【図１９】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。
【図２０】本願発明のマイクロプローブを形成する一ス
テップを示した図である。図において、101は導電性の
コンタクト部、110はリード部、120は基板、130は有機
被膜層、140はキャビテイ、300は酸化被膜層、310は微
孔、320はフォトレジスト層をそれぞれ示す。
フロントページの続き (72)発明者 木村 惇夫 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究所 内 (72)発明者 森 新一郎 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究所 内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体装置を検査するためのプローブ構造
    であって、 基板と、 前記基板に形成されたキャビテイ上の少なくとも一部と
    前記基板とを被覆する有機被膜と、 前記有機被膜上に形成され、検査の対象となる半導体装
    置に前記プローブ構造を対向・接触させた時に前記半導
    体装置上に配置されているコンタクトパッドと接触する
    位置であって、かつ、前記キャビテイの直上に配置され
    ている導電性の突出部と、 前記突出部に接続されている導電性のリード部と、 を含むプローブ構造。
  2. 【請求項２】前記有機被膜は前記キャビテイ上に複数の
    微孔を有している請求項１のプローブ構造。
  3. 【請求項３】半導体装置を検査するためのプローブ構造
    であって、 基板と、 前記基板に形成されたキャビテイ上の少なくとも一部と
    前記基板とを被覆する酸化被膜と、 前記酸化被膜上に形成され、これを被覆する有機被膜
    と、 前記有機被膜上に形成され、検査の対象となる半導体装
    置に前記プローブ構造を対向・接触させた時に前記半導
    体装置上に配置されているコンタクトパッドと接触する
    位置であって、かつ、前記キャビテイの直上に配置され
    ている導電性の突出部と、 前記突出部に接続されている導電性のリード部と、 を含むプローブ構造。
  4. 【請求項４】前記酸化被膜は前記キャビテイ上に少なく
    とも一つの微孔を有している請求項３のプローブ構造。
  5. 【請求項５】半導体装置を検査するためのプローブ構造
    であって、 基板と、 前記基板に形成されたキャビテイ上の少なくとも一部と
    前記基板とを被覆する酸化被膜と、 前記酸化被膜上に形成され、検査の対象となる半導体装
    置に前記プローブ構造を対向・接触させた時に前記半導
    体装置上に配置されているコンタクトパッドと接触する
    位置であって、かつ、前記キャビテイの直上に配置され
    ている導電性の突出部と、 前記突出部に接続されている導電性のリード部と、 を含むプローブ構造。
  6. 【請求項６】前記酸化被膜は前記キャビテイ上に張り出
    した断面形状を有している請求項５のプローブ構造。
  7. 【請求項７】半導体装置を検査するためのプローブ構造
    であって、 基板上に形成されており、前記基板は検査の対象となる
    半導体装置に前記プローブ構造を対向・接触させたとき
    に前記半導体装置上に配置されているコンタクトパッド
    と位置的に整合するように形成された複数のキャビテイ
    を有し、前記キャビテイは弾力性を有する少なくとも一
    種の薄膜で被覆され、前記薄膜上に形成されており前記
    キャビテイの直上に位置する導電性材料による突出部を
    具備する、プローブ構造。
  8. 【請求項８】前記突出部は導電性材料によるリード部と
    接続されている、請求項７のプローブ構造。
  9. 【請求項９】前記複数のキャビテイは、フォトリソグラ
    フィー技術によってその位置が特定され、乾式または湿
    式のエッチングによって形成されることを特徴とした、
    請求項８のプローブ構造。
  10. 【請求項１０】前記基板は検査の対象となる半導体装置
    の基板と同一の材料で構成されている請求項１，２，
    ３，４，５，６，７，８または９のプローブ構造。
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EP94307096A EP0646800A1 (en) 1993-09-30 1994-09-28 Probe for testing semi-conductor chips
US08/321,503 US5625298A (en) 1993-09-30 1994-10-12 Semi-conductor chip test probe
US08/736,543 US5723347A (en) 1993-09-30 1996-10-24 Semi-conductor chip test probe and process for manufacturing the probe

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5244385A JP2710544B2 (ja) 1993-09-30 1993-09-30 プローブ構造、プローブ構造の形成方法
US08/321,503 US5625298A (en) 1993-09-30 1994-10-12 Semi-conductor chip test probe

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Publication Number Publication Date
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US (2) US5625298A (ja)
EP (1) EP0646800A1 (ja)
JP (1) JP2710544B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199552A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Aging Tesuta Kaihatsu Kyodo Kumiai 微細構造の接触部を有する回路素子のための測定用プローバ
JPH11258269A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Fujitsu Ltd 半導体装置用コンタクタ
JP2000346878A (ja) * 1999-04-30 2000-12-15 Advantest Corp 微細化工程により形成するコンタクトストラクチャ
WO2001023898A1 (en) * 1999-09-27 2001-04-05 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing semiconductor inspection
KR20010076422A (ko) * 2000-01-20 2001-08-11 가부시키가이샤 어드밴티스트 접촉 구조 및 그 생산 방법
JP2001332323A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Anritsu Corp シリコン電極及び高周波接点シート並びにシリコン電極製造方法
JP2003149293A (ja) * 2000-09-26 2003-05-21 Yukihiro Hirai スパイラルコンタクタ及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体検査装置、及び電子部品
JP2004213923A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Anritsu Corp 接点部材及び該接点部材を用いたマイクロ接点装置
JP2005037199A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Yamaha Corp プローブユニット、導通試験方法及びその製造方法
JP2017096722A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 日本電子材料株式会社 コンタクトプローブ

Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5716218A (en) * 1991-06-04 1998-02-10 Micron Technology, Inc. Process for manufacturing an interconnect for testing a semiconductor die
US6414506B2 (en) 1993-09-03 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Interconnect for testing semiconductor dice having raised bond pads
US6690186B2 (en) 1994-07-07 2004-02-10 Tessera, Inc. Methods and structures for electronic probing arrays
US6499216B1 (en) 1994-07-07 2002-12-31 Tessera, Inc. Methods and structures for electronic probing arrays
US5886877A (en) * 1995-10-13 1999-03-23 Meiko Electronics Co., Ltd. Circuit board, manufacturing method therefor, and bump-type contact head and semiconductor component packaging module using the circuit board
SE505383C2 (sv) * 1995-11-06 1997-08-18 Reinhold Strandberg Förfarande för tillverkning av kontaktplattor på mönsterkort samt adapterkort för användning vid en apparat för testning av med elektriska ledningsbanor försedda mönsterkort
KR100202998B1 (ko) * 1995-12-02 1999-06-15 남재우 마이크로 팁을 갖는 웨이퍼 프로브 카드 및 그 제조방법
US5869974A (en) * 1996-04-01 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Micromachined probe card having compliant contact members for testing semiconductor wafers
US6310484B1 (en) * 1996-04-01 2001-10-30 Micron Technology, Inc. Semiconductor test interconnect with variable flexure contacts
JP3022312B2 (ja) * 1996-04-15 2000-03-21 日本電気株式会社 プローブカードの製造方法
JP2000512065A (ja) * 1996-05-24 2000-09-12 テセラ，インコーポレイテッド 超小型電子素子のコネクタ
US5914613A (en) * 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
JP3099754B2 (ja) * 1996-10-23 2000-10-16 日本電気株式会社 プローブカードの製造方法
US5828226A (en) * 1996-11-06 1998-10-27 Cerprobe Corporation Probe card assembly for high density integrated circuits
JPH10260224A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Fujitsu Ltd 半導体検査装置及びこれを用いた検査方法
JPH10260223A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Fujitsu Ltd 半導体検査装置及びこれを用いた検査方法
US6016060A (en) * 1997-03-25 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Method, apparatus and system for testing bumped semiconductor components
US5962921A (en) * 1997-03-31 1999-10-05 Micron Technology, Inc. Interconnect having recessed contact members with penetrating blades for testing semiconductor dice and packages with contact bumps
FR2762140B1 (fr) 1997-04-10 2000-01-14 Mesatronic Procede de fabrication d'une carte a pointes de contact multiple pour le test des puces semiconductrices
US6409521B1 (en) 1997-05-06 2002-06-25 Gryphics, Inc. Multi-mode compliant connector and replaceable chip module utilizing the same
US5926029A (en) * 1997-05-27 1999-07-20 International Business Machines Corporation Ultra fine probe contacts
US5931685A (en) * 1997-06-02 1999-08-03 Micron Technology, Inc. Interconnect for making temporary electrical connections with bumped semiconductor components
US6040702A (en) * 1997-07-03 2000-03-21 Micron Technology, Inc. Carrier and system for testing bumped semiconductor components
US5973405A (en) * 1997-07-22 1999-10-26 Dytak Corporation Composite electrical contact structure and method for manufacturing the same
US6249135B1 (en) * 1997-09-19 2001-06-19 Fujitsu Limited Method and apparatus for passive optical characterization of semiconductor substrates subjected to high energy (MEV) ion implantation using high-injection surface photovoltage
JP3123483B2 (ja) * 1997-10-28 2001-01-09 日本電気株式会社 プローブカード及びプローブカード形成方法
US6018249A (en) 1997-12-11 2000-01-25 Micron Technolgoy, Inc. Test system with mechanical alignment for semiconductor chip scale packages and dice
US20010024127A1 (en) 1998-03-30 2001-09-27 William E. Bernier Semiconductor testing using electrically conductive adhesives
US6677776B2 (en) 1998-05-11 2004-01-13 Micron Technology, Inc. Method and system having switching network for testing semiconductor components on a substrate
US6246250B1 (en) 1998-05-11 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card having on-board multiplex circuitry for expanding tester resources
US6337577B1 (en) 1998-05-11 2002-01-08 Micron Technology, Inc. Interconnect and system for testing bumped semiconductor components with on-board multiplex circuitry for expanding tester resources
US6256882B1 (en) * 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6777965B1 (en) * 1998-07-28 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Interposer for electrically coupling a semiconductive device to an electrical apparatus
USRE41515E1 (en) 1998-08-12 2010-08-17 Tokyo Electron Limited Contactor and production method for contactor
US6414501B2 (en) 1998-10-01 2002-07-02 Amst Co., Ltd. Micro cantilever style contact pin structure for wafer probing
US6137297A (en) * 1999-01-06 2000-10-24 Vertest Systemsn Corp. Electronic test probe interface assembly and method of manufacture
US6242935B1 (en) 1999-01-21 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Interconnect for testing semiconductor components and method of fabrication
DE60016563T2 (de) 1999-02-02 2005-05-12 Gryphics, Inc., Plymouth Verbinder mit geringer oder niedriger einsteckkraft für leiterplatten und elektrische vorrichtungen
US6242932B1 (en) 1999-02-19 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Interposer for semiconductor components having contact balls
US6819127B1 (en) 1999-02-19 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Method for testing semiconductor components using interposer
JP4414502B2 (ja) 1999-02-25 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 プロービングカード
US6750551B1 (en) * 1999-12-28 2004-06-15 Intel Corporation Direct BGA attachment without solder reflow
US6980017B1 (en) 1999-03-10 2005-12-27 Micron Technology, Inc. Test interconnect for bumped semiconductor components and method of fabrication
US6222280B1 (en) 1999-03-22 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Test interconnect for semiconductor components having bumped and planar contacts
US6437591B1 (en) * 1999-03-25 2002-08-20 Micron Technology, Inc. Test interconnect for bumped semiconductor components and method of fabrication
US6578264B1 (en) 1999-06-04 2003-06-17 Cascade Microtech, Inc. Method for constructing a membrane probe using a depression
US6285203B1 (en) 1999-06-14 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Test system having alignment member for aligning semiconductor components
US6218203B1 (en) * 1999-06-28 2001-04-17 Advantest Corp. Method of producing a contact structure
KR100724131B1 (ko) * 1999-07-21 2007-06-04 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 멤브레인 프로빙 시스템
AU6750900A (en) * 1999-08-02 2001-02-19 Graphics Inc. Controlled compliance fine pitch interconnect
US6830460B1 (en) 1999-08-02 2004-12-14 Gryphics, Inc. Controlled compliance fine pitch interconnect
JP2001077495A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Fujitsu Ltd 電子部品用コンタクタ及び電子部品の試験方法
JP2001091543A (ja) * 1999-09-27 2001-04-06 Hitachi Ltd 半導体検査装置
DE10001117A1 (de) * 2000-01-13 2001-07-26 Infineon Technologies Ag Testvorrichtung für ein Halbleiterbauelement
US6939143B2 (en) * 2000-01-20 2005-09-06 Gryphics, Inc. Flexible compliant interconnect assembly
US6957963B2 (en) * 2000-01-20 2005-10-25 Gryphics, Inc. Compliant interconnect assembly
US6657448B2 (en) * 2000-02-21 2003-12-02 Kabushiki Kaisha Nihon Micronics Electrical connection apparatus
US6838890B2 (en) * 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6586955B2 (en) 2000-03-13 2003-07-01 Tessera, Inc. Methods and structures for electronic probing arrays
US6529027B1 (en) * 2000-03-23 2003-03-04 Micron Technology, Inc. Interposer and methods for fabricating same
JP2004503785A (ja) * 2000-06-12 2004-02-05 パイコム　コーポレイション 柔軟性プローブ装置
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech Inc Wafersonde
US6784378B2 (en) 2001-02-28 2004-08-31 Georgia Tech Research Corporation Compliant off-chip interconnects
WO2002084313A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-24 Ismeca Holding Sa Sonde et dispositif de mesure
US7115986B2 (en) * 2001-05-02 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Flexible ball grid array chip scale packages
SG122743A1 (en) * 2001-08-21 2006-06-29 Micron Technology Inc Microelectronic devices and methods of manufacture
AU2002327490A1 (en) 2001-08-21 2003-06-30 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6888256B2 (en) * 2001-10-31 2005-05-03 Infineon Technologies Ag Compliant relief wafer level packaging
SG104293A1 (en) * 2002-01-09 2004-06-21 Micron Technology Inc Elimination of rdl using tape base flip chip on flex for die stacking
SG115455A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Methods for assembly and packaging of flip chip configured dice with interposer
SG111935A1 (en) * 2002-03-04 2005-06-29 Micron Technology Inc Interposer configured to reduce the profiles of semiconductor device assemblies and packages including the same and methods
US6975035B2 (en) * 2002-03-04 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for dielectric filling of flip chip on interposer assembly
SG115459A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Flip chip packaging using recessed interposer terminals
SG121707A1 (en) * 2002-03-04 2006-05-26 Micron Technology Inc Method and apparatus for flip-chip packaging providing testing capability
SG115456A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures and methods for assembling the same
WO2003100445A2 (en) * 2002-05-23 2003-12-04 Cascade Microtech, Inc. Probe for testing a device under test
US20040036170A1 (en) * 2002-08-20 2004-02-26 Lee Teck Kheng Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects
US6846735B1 (en) 2002-09-05 2005-01-25 Bridge Semiconductor Corporation Compliant test probe with jagged contact surface
TW569416B (en) * 2002-12-19 2004-01-01 Via Tech Inc High density multi-chip module structure and manufacturing method thereof
US6984996B2 (en) * 2003-05-01 2006-01-10 Celerity Research, Inc. Wafer probing that conditions devices for flip-chip bonding
JP2004354369A (ja) 2003-05-01 2004-12-16 Yamaha Corp プローブユニット及びその製造方法
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
WO2005008838A1 (en) 2003-07-07 2005-01-27 Gryphics, Inc. Normally closed zero insertion force connector
US6956386B2 (en) 2003-08-01 2005-10-18 Amst Company Limited Micro-cantilever type probe card
JP4008408B2 (ja) * 2003-11-07 2007-11-14 日本電子材料株式会社 プローブカード
JP2005140677A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Japan Electronic Materials Corp プローブシート及びこれを用いたプローブシートユニット
JP2005156365A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 電気特性測定用プローブ及びその製造方法
DE202004021093U1 (de) 2003-12-24 2006-09-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler
US7282932B2 (en) * 2004-03-02 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Compliant contact pin assembly, card system and methods thereof
EP1766426B1 (en) * 2004-07-07 2013-09-11 Cascade Microtech, Inc. Probe head having a membrane suspended probe
US7348786B2 (en) * 2004-08-31 2008-03-25 Georgia Tech Research Corporation Probe module for testing chips with electrical and optical input/output interconnects, methods of use, and methods of fabrication
US7420381B2 (en) 2004-09-13 2008-09-02 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
US7249955B2 (en) * 2004-12-30 2007-07-31 Intel Corporation Connection of package, board, and flex cable
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
JP4916903B2 (ja) * 2007-02-06 2012-04-18 株式会社日本マイクロニクス プローブの製造方法
JP5207659B2 (ja) * 2007-05-22 2013-06-12 キヤノン株式会社 半導体装置
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
TWI368743B (en) * 2008-11-04 2012-07-21 King Yuan Electronics Co Ltd Probe card assembly and probes therein
US8410806B2 (en) 2008-11-21 2013-04-02 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8895358B2 (en) * 2009-09-11 2014-11-25 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming cavity in PCB containing encapsulant or dummy die having CTE similar to CTE of large array WLCSP
US8427186B2 (en) * 2010-01-12 2013-04-23 Formfactor, Inc. Probe element having a substantially zero stiffness and applications thereof
US8420950B2 (en) * 2010-03-02 2013-04-16 Stats Chippac Ltd. Circuit system with leads and method of manufacture thereof
KR101692956B1 (ko) * 2010-09-20 2017-01-04 삼성전자 주식회사 테이프 패키지
CN102539033B (zh) * 2012-03-09 2016-03-23 上海华虹宏力半导体制造有限公司 微机电系统压力传感器的制作方法
US10003149B2 (en) 2014-10-25 2018-06-19 ComponentZee, LLC Fluid pressure activated electrical contact devices and methods
US9577358B2 (en) * 2014-10-25 2017-02-21 ComponentZee, LLC Fluid pressure activated electrical contact devices and methods
US9679862B2 (en) * 2014-11-28 2017-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device having conductive bumps of varying heights
US10062666B2 (en) 2015-10-30 2018-08-28 Advanced Research Corporation Catch flexure systems, devices and methods

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6325564A (ja) * 1986-06-30 1988-02-03 シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト マイクロエレクトロニクスの被検査デバイス用電気的接触装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3994009A (en) * 1973-02-12 1976-11-23 Honeywell Inc. Stress sensor diaphragms over recessed substrates
US4924589A (en) * 1988-05-16 1990-05-15 Leedy Glenn J Method of making and testing an integrated circuit
US5095401A (en) * 1989-01-13 1992-03-10 Kopin Corporation SOI diaphragm sensor
US5012087A (en) * 1989-04-13 1991-04-30 General Electric Company Fiber optic safety system
US5012187A (en) * 1989-11-03 1991-04-30 Motorola, Inc. Method for parallel testing of semiconductor devices
US5264696A (en) * 1991-05-20 1993-11-23 Olympus Optical Co., Ltd. Cantilever chip for scanning probe microscope having first and second probes formed with different aspect ratios
US5351412A (en) * 1991-06-11 1994-10-04 International Business Machines Corporation Micro positioning device
US5264787A (en) * 1991-08-30 1993-11-23 Hughes Aircraft Company Rigid-flex circuits with raised features as IC test probes
DE4301420C2 (de) * 1993-01-20 2002-04-25 Advantest Corp Kontaktierungsvorrichtung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6325564A (ja) * 1986-06-30 1988-02-03 シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト マイクロエレクトロニクスの被検査デバイス用電気的接触装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199552A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Aging Tesuta Kaihatsu Kyodo Kumiai 微細構造の接触部を有する回路素子のための測定用プローバ
JPH11258269A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Fujitsu Ltd 半導体装置用コンタクタ
JP2000346878A (ja) * 1999-04-30 2000-12-15 Advantest Corp 微細化工程により形成するコンタクトストラクチャ
WO2001023898A1 (en) * 1999-09-27 2001-04-05 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing semiconductor inspection
KR20010076422A (ko) * 2000-01-20 2001-08-11 가부시키가이샤 어드밴티스트 접촉 구조 및 그 생산 방법
JP2001332323A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Anritsu Corp シリコン電極及び高周波接点シート並びにシリコン電極製造方法
JP2003149293A (ja) * 2000-09-26 2003-05-21 Yukihiro Hirai スパイラルコンタクタ及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体検査装置、及び電子部品
JP2004213923A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Anritsu Corp 接点部材及び該接点部材を用いたマイクロ接点装置
JP2005037199A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Yamaha Corp プローブユニット、導通試験方法及びその製造方法
JP2017096722A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 日本電子材料株式会社 コンタクトプローブ

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