JPH10260223A - 半導体検査装置及びこれを用いた検査方法 - Google Patents
半導体検査装置及びこれを用いた検査方法Info
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- JPH10260223A JPH10260223A JP9066912A JP6691297A JPH10260223A JP H10260223 A JPH10260223 A JP H10260223A JP 9066912 A JP9066912 A JP 9066912A JP 6691297 A JP6691297 A JP 6691297A JP H10260223 A JPH10260223 A JP H10260223A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は球状接続端子を有する半導体チップ及
び半導体装置（被検査装置）の検査に用いて好適な半導
体検査装置及びこれを用いた検査方法に関し、球状接続
端子を有する被検査装置の検査を高い信頼性をもって、
かつ球状接続端子を変形させることなく実施することを
課題とする。 【解決手段】球状接続端子２を有する半導体装置１（被
試験装置）に対して試験を行う半導体検査装置におい
て、支持フィルム１３上に形成されており、少なくとも
球状接続端子２が接続される接続部１４が変形可能に構
成された導体層１１と、弾性変形可能な絶縁材料により
形成されており、少なくとも接続部１４を支持する構成
とされた緩衝部材１２Ａとを設けた構成とする。
び半導体装置（被検査装置）の検査に用いて好適な半導
体検査装置及びこれを用いた検査方法に関し、球状接続
端子を有する被検査装置の検査を高い信頼性をもって、
かつ球状接続端子を変形させることなく実施することを
課題とする。 【解決手段】球状接続端子２を有する半導体装置１（被
試験装置）に対して試験を行う半導体検査装置におい
て、支持フィルム１３上に形成されており、少なくとも
球状接続端子２が接続される接続部１４が変形可能に構
成された導体層１１と、弾性変形可能な絶縁材料により
形成されており、少なくとも接続部１４を支持する構成
とされた緩衝部材１２Ａとを設けた構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体検査装置及び
これを用いた検査方法に係り、特に球状接続端子を有す
る半導体チップ及び半導体装置（被検査装置）の検査に
用いて好適な半導体検査装置及びこれを用いた検査方法
に関する。近年、半導体装置の高密度化，高速化，小型
化が要求されており、この要求に対応すべく、パッケー
ジに封止されていない半導体チップ（いわゆるベアチッ
プ）又はＢＧＡ（Ball Grid Array)構造の半導体装置を
回路基板上に直接複数個搭載する実装方法が多用される
ようになってきている。
これを用いた検査方法に係り、特に球状接続端子を有す
る半導体チップ及び半導体装置（被検査装置）の検査に
用いて好適な半導体検査装置及びこれを用いた検査方法
に関する。近年、半導体装置の高密度化，高速化，小型
化が要求されており、この要求に対応すべく、パッケー
ジに封止されていない半導体チップ（いわゆるベアチッ
プ）又はＢＧＡ（Ball Grid Array)構造の半導体装置を
回路基板上に直接複数個搭載する実装方法が多用される
ようになってきている。
【０００２】この実装方法においては、例えば複数個配
設されるベアチップあるいは半導体装置の内、一つに異
常があれば装置全体が不良品となるため、個々のベアチ
ップあるいは半導体装置に高い信頼性が要求される。そ
こで、個々のベアチップあるいは半導体装置が正常に機
能するか否かを調べる検査が重要な課題となってきてい
る。
設されるベアチップあるいは半導体装置の内、一つに異
常があれば装置全体が不良品となるため、個々のベアチ
ップあるいは半導体装置に高い信頼性が要求される。そ
こで、個々のベアチップあるいは半導体装置が正常に機
能するか否かを調べる検査が重要な課題となってきてい
る。
【０００３】
【従来の技術】従来より、下面に球状に突出する球状接
続端子を有する半導体装置（以下、樹脂封止されていな
いベアチップ及び樹脂封止された半導体装置を総称して
「半導体装置」という）の検査方法として種々の検査方
法が提案されており、また実施されている。
続端子を有する半導体装置（以下、樹脂封止されていな
いベアチップ及び樹脂封止された半導体装置を総称して
「半導体装置」という）の検査方法として種々の検査方
法が提案されており、また実施されている。
【０００４】この種の半導体装置の電気的動作検査を行
う場合、球状接続端子に検査装置の検査針を接触させる
ため、球状接続端子をできるだけ変質させずに各球状接
続端子の電気的接続の検査を行なわなければならず、さ
らに検査の信頼性が高く、且つ低コストであることが要
求されている。従来の半導体検査装置としては、例えば
半導体用テストソケットを使用したものがある。この半
導体用テストソケットは、プローブ（検査針）を用いて
半導体装置の電気的動作を検査する構成となっている。
この検査方法は、半導体装置の下面に形成された複数の
球状接続端子に対応するよう検査用基板に複数のプロー
ブを配設しておき、このプローブの先端を直接球状接続
端子に接触させることにより検査を行う検査方法であ
る。
う場合、球状接続端子に検査装置の検査針を接触させる
ため、球状接続端子をできるだけ変質させずに各球状接
続端子の電気的接続の検査を行なわなければならず、さ
らに検査の信頼性が高く、且つ低コストであることが要
求されている。従来の半導体検査装置としては、例えば
半導体用テストソケットを使用したものがある。この半
導体用テストソケットは、プローブ（検査針）を用いて
半導体装置の電気的動作を検査する構成となっている。
この検査方法は、半導体装置の下面に形成された複数の
球状接続端子に対応するよう検査用基板に複数のプロー
ブを配設しておき、このプローブの先端を直接球状接続
端子に接触させることにより検査を行う検査方法であ
る。
【０００５】すなわち、半導体用テストソケットは、半
導体装置の複数の球状接続端子と同一の配列に設けられ
た複数のプローブを有し、このプローブにはＵ字状に曲
げられた撓み部分が設けられている。そして、プローブ
の先端が半導体装置の球状接続端子に当接して押圧され
ると、撓み部分が変形して球状接続端子の損傷を軽減す
るようになっている。
導体装置の複数の球状接続端子と同一の配列に設けられ
た複数のプローブを有し、このプローブにはＵ字状に曲
げられた撓み部分が設けられている。そして、プローブ
の先端が半導体装置の球状接続端子に当接して押圧され
ると、撓み部分が変形して球状接続端子の損傷を軽減す
るようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たプローブ検査法により半導体装置の電気的な検査を行
う場合、球状接続端子の高さにバラツキがあるため、プ
ローブの先端との接続が十分でない場合が発生し、検査
精度が低下してしまうおそれがあるという問題点があっ
た。
たプローブ検査法により半導体装置の電気的な検査を行
う場合、球状接続端子の高さにバラツキがあるため、プ
ローブの先端との接続が十分でない場合が発生し、検査
精度が低下してしまうおそれがあるという問題点があっ
た。
【０００７】また、プローブにはＵ字状に曲げられた撓
み部分が設けられているものの、プローブの先端が球状
接続端子に当接したとき、半田により形成された球状接
続端子を変形させてしまうおそれがあった。本発明は上
記の点に鑑みてなされたものであり、球状接続端子を有
する被検査装置の検査を高い信頼性をもって、かつ球状
接続端子を変形させることなく実施しうる半導体検査装
置及びこれを用いた検査方法を提供することを目的とす
る。
み部分が設けられているものの、プローブの先端が球状
接続端子に当接したとき、半田により形成された球状接
続端子を変形させてしまうおそれがあった。本発明は上
記の点に鑑みてなされたものであり、球状接続端子を有
する被検査装置の検査を高い信頼性をもって、かつ球状
接続端子を変形させることなく実施しうる半導体検査装
置及びこれを用いた検査方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では下記の種々の手段を講じた事を特徴とす
るものである。請求項１記載の発明では、球状接続端子
を有する被検査装置に対して試験を行う半導体検査装置
において、支持フィルム上に形成されており、少なくと
も前記球状接続端子が接続される接続部が変形可能に構
成された導体層と、弾性変形可能な絶縁材料により形成
されており、少なくとも前記接続部を支持する構成とさ
れた緩衝部材とを具備したことを特徴とするものであ
る。
に、本発明では下記の種々の手段を講じた事を特徴とす
るものである。請求項１記載の発明では、球状接続端子
を有する被検査装置に対して試験を行う半導体検査装置
において、支持フィルム上に形成されており、少なくと
も前記球状接続端子が接続される接続部が変形可能に構
成された導体層と、弾性変形可能な絶縁材料により形成
されており、少なくとも前記接続部を支持する構成とさ
れた緩衝部材とを具備したことを特徴とするものであ
る。
【０００９】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体検査装置において、前記接続部に、前
記球状接続端子の装着方向に向け突出したスタッドバン
プを単層または複数層積層した状態で配設したことを特
徴とするものである。また、請求項３記載の発明では、
前記請求項２記載の半導体検査装置において、前記複数
層積層したスタッドバンプを異種金属により構成したこ
とを特徴とするものである。
項１記載の半導体検査装置において、前記接続部に、前
記球状接続端子の装着方向に向け突出したスタッドバン
プを単層または複数層積層した状態で配設したことを特
徴とするものである。また、請求項３記載の発明では、
前記請求項２記載の半導体検査装置において、前記複数
層積層したスタッドバンプを異種金属により構成したこ
とを特徴とするものである。
【００１０】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体検査装置において、前記接続部の表面
を粗化させたことを特徴とするものである。また、請求
項５記載の発明では、前記請求項１記載の半導体検査装
置において、前記接続部の表面に、この接続部とは異な
る材質よりなる表面金属膜を被膜形成したことを特徴と
するものである。
項１記載の半導体検査装置において、前記接続部の表面
を粗化させたことを特徴とするものである。また、請求
項５記載の発明では、前記請求項１記載の半導体検査装
置において、前記接続部の表面に、この接続部とは異な
る材質よりなる表面金属膜を被膜形成したことを特徴と
するものである。
【００１１】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記緩衝部材に切り込み部を形成したことを特徴
とするものである。また、請求項７記載の発明では、前
記請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体検査装
置において、前記緩衝部材を複数の分割部材を組み合わ
せて構成したことを特徴とするものである。
項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記緩衝部材に切り込み部を形成したことを特徴
とするものである。また、請求項７記載の発明では、前
記請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体検査装
置において、前記緩衝部材を複数の分割部材を組み合わ
せて構成したことを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項８記載の発明では、前記請求
項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記接続部を、環状部とこの環状部から中央部分
に向け延出した複数の延出部とにより構成したことを特
徴とするものである。また、請求項９記載の発明では、
前記請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体検査
装置において、前記接続部をヘッドネイル状の形状とし
たことを特徴とするものである。
項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記接続部を、環状部とこの環状部から中央部分
に向け延出した複数の延出部とにより構成したことを特
徴とするものである。また、請求項９記載の発明では、
前記請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体検査
装置において、前記接続部をヘッドネイル状の形状とし
たことを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項１０記載の発明では、前記請
求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体検査装置に
おいて、前記支持フィルムに切り込み部を形成したこと
を特徴とするものである。また、請求項１１記載の発明
では、前記請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導
体検査装置において、前記支持フィルムを複数の分割フ
ィルム部材を組み合わせて構成したことを特徴とするも
のである。
求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体検査装置に
おいて、前記支持フィルムに切り込み部を形成したこと
を特徴とするものである。また、請求項１１記載の発明
では、前記請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導
体検査装置において、前記支持フィルムを複数の分割フ
ィルム部材を組み合わせて構成したことを特徴とするも
のである。
【００１４】また、請求項１２記載の発明では、前記請
求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記導体層と前記支持フィルムとにより構成
される基板に、電子素子を配設したことを特徴とするも
のである。また、請求項１３記載の発明では、前記請求
項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体検査装置に
おいて、前記緩衝部材の前記接続部と対向する部位に、
前記接続部に向け突出した突起部を形成したことを特徴
とするものである。
求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記導体層と前記支持フィルムとにより構成
される基板に、電子素子を配設したことを特徴とするも
のである。また、請求項１３記載の発明では、前記請求
項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体検査装置に
おいて、前記緩衝部材の前記接続部と対向する部位に、
前記接続部に向け突出した突起部を形成したことを特徴
とするものである。
【００１５】また、請求項１４記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、更に、前記緩衝部材を支持する支持部材を設
けたことを特徴とするものである。また、請求項１５記
載の発明では、前記請求項１４記載の半導体検査装置に
おいて、前記支持部材の前記接続部と対向する位置に、
凹部または凸部を形成したことを特徴とするものであ
る。
求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、更に、前記緩衝部材を支持する支持部材を設
けたことを特徴とするものである。また、請求項１５記
載の発明では、前記請求項１４記載の半導体検査装置に
おいて、前記支持部材の前記接続部と対向する位置に、
凹部または凸部を形成したことを特徴とするものであ
る。
【００１６】また、請求項１６記載の発明では、前記請
求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記球状接続端子を有する被検査装置と、前
記接続部との位置決めを行う位置決め機構を設けたこと
を特徴とするものである。また、請求項１７記載の発明
では、前記請求項１６記載の半導体検査装置において、
前記位置決め機構として、ガイドピンを用いたことを特
徴とするものである。
求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記球状接続端子を有する被検査装置と、前
記接続部との位置決めを行う位置決め機構を設けたこと
を特徴とするものである。また、請求項１７記載の発明
では、前記請求項１６記載の半導体検査装置において、
前記位置決め機構として、ガイドピンを用いたことを特
徴とするものである。
【００１７】また、請求項１８記載の発明では、前記請
求項１６記載の半導体検査装置において、前記位置決め
機構として、前記被検査装置を保持するフレーム部とガ
イドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用い
たことを特徴とするものである。また、請求項１９記載
の発明では、前記請求項１８記載の半導体検査装置にお
いて、前記ガイドピン付きフレームのフレーム部が、前
記被検査装置を覆うよう保持する構成すると共に、前記
フレーム部の内壁に前記被検査装置の位置決めを行うテ
ーパ面を形成したことを特徴とするものである。
求項１６記載の半導体検査装置において、前記位置決め
機構として、前記被検査装置を保持するフレーム部とガ
イドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用い
たことを特徴とするものである。また、請求項１９記載
の発明では、前記請求項１８記載の半導体検査装置にお
いて、前記ガイドピン付きフレームのフレーム部が、前
記被検査装置を覆うよう保持する構成すると共に、前記
フレーム部の内壁に前記被検査装置の位置決めを行うテ
ーパ面を形成したことを特徴とするものである。
【００１８】また、請求項２０記載の発明では、前記請
求項１８記載の半導体検査装置において、前記フレーム
部に、前記球状接続端子が前記接続部に位置するよう、
前記被検査装置の調芯処理を行う調芯機構を設けたこと
を特徴とするものである。また、請求項２１記載の発明
では、前記請求項１８記載の半導体検査装置において、
前記フレーム部に、装着状態における前記被検査装置を
前記導体層に向け付勢する付勢機構を設けたことを特徴
とするものである。
求項１８記載の半導体検査装置において、前記フレーム
部に、前記球状接続端子が前記接続部に位置するよう、
前記被検査装置の調芯処理を行う調芯機構を設けたこと
を特徴とするものである。また、請求項２１記載の発明
では、前記請求項１８記載の半導体検査装置において、
前記フレーム部に、装着状態における前記被検査装置を
前記導体層に向け付勢する付勢機構を設けたことを特徴
とするものである。
【００１９】また、請求項２２記載の発明では、前記請
求項１８乃至請求項２１のいずれか１項に記載の半導体
検査装置において、前記フレーム部と前記被検査装置と
が係合する部位に、緩衝効果を有する弾性部材を配設し
たことを特徴とするものである。
求項１８乃至請求項２１のいずれか１項に記載の半導体
検査装置において、前記フレーム部と前記被検査装置と
が係合する部位に、緩衝効果を有する弾性部材を配設し
たことを特徴とするものである。
【００２０】また、請求項２３記載の発明では、前記請
求項１６記載の半導体検査装置において、前記位置決め
機構として、前記導体層上に装着される前記被検査装置
と対向するよう配設され、前記球状接続端子に対応した
形状の凹部を有する位置決め基板を用いたことを特徴と
するものである。
求項１６記載の半導体検査装置において、前記位置決め
機構として、前記導体層上に装着される前記被検査装置
と対向するよう配設され、前記球状接続端子に対応した
形状の凹部を有する位置決め基板を用いたことを特徴と
するものである。
【００２１】また、請求項２４記載の発明では、前記請
求項２３記載の半導体検査装置において、前記位置決め
基板に、前記球状接続端子の吸引処理を行う吸引機構を
設けたことを特徴とするものである。また、請求項２５
記載の発明では、前記請求項２３または２４記載の半導
体検査装置において、前記凹部と前記接続部との位置決
めを行うための基板位置決め機構を設けたことを特徴と
するものである。
求項２３記載の半導体検査装置において、前記位置決め
基板に、前記球状接続端子の吸引処理を行う吸引機構を
設けたことを特徴とするものである。また、請求項２５
記載の発明では、前記請求項２３または２４記載の半導
体検査装置において、前記凹部と前記接続部との位置決
めを行うための基板位置決め機構を設けたことを特徴と
するものである。
【００２２】また、請求項２６記載の発明では、前記請
求項１乃至２５のいずれか１項に記載の半導体検査装置
を用いた検査方法であって、前記球状接続端子を前記導
体層に形成された接続部に押圧し、この押圧により前記
導体層に形成された前記接続部及び前記緩衝部材を弾性
変形させ、この弾性変形により前記接続部及び前記緩衝
部材に発生する弾性復元力により前記接続部を前記球状
接続端子に押圧して電気的接続を図ることを特徴とする
ものである。
求項１乃至２５のいずれか１項に記載の半導体検査装置
を用いた検査方法であって、前記球状接続端子を前記導
体層に形成された接続部に押圧し、この押圧により前記
導体層に形成された前記接続部及び前記緩衝部材を弾性
変形させ、この弾性変形により前記接続部及び前記緩衝
部材に発生する弾性復元力により前記接続部を前記球状
接続端子に押圧して電気的接続を図ることを特徴とする
ものである。
【００２３】また、請求項２７記載の発明では、前記請
求項２３乃至２５のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記位置決め基板に形成
された凹部に前記球状接続端子を挿入させて各球状接続
端子の位置決めを行い、この位置決めが行われた状態を
維持しつつ、前記球状接続端子を前記接続部に電気的に
接続させて前記被検査装置の試験を行うことを特徴とす
るものである。
求項２３乃至２５のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記位置決め基板に形成
された凹部に前記球状接続端子を挿入させて各球状接続
端子の位置決めを行い、この位置決めが行われた状態を
維持しつつ、前記球状接続端子を前記接続部に電気的に
接続させて前記被検査装置の試験を行うことを特徴とす
るものである。
【００２４】また、請求項２８記載の発明では、前記請
求項２３記載の半導体検査装置を用いた検査方法であっ
て、前記位置決め基板或いは前記被検査半導体の少なく
とも一方を振動させることにより、前記位置決め基板に
形成された凹部に前記球状接続端子を位置決めすること
を特徴とするものである。
求項２３記載の半導体検査装置を用いた検査方法であっ
て、前記位置決め基板或いは前記被検査半導体の少なく
とも一方を振動させることにより、前記位置決め基板に
形成された凹部に前記球状接続端子を位置決めすること
を特徴とするものである。
【００２５】また、請求項２９記載の発明では、前記請
求項２４記載の半導体検査装置を用いた検査方法であっ
て、前記吸引機構として前記位置決め基板に吸引孔を形
成すると共に、前記吸引孔に吸引装置を接続し、前記吸
引孔により前記突起電極を吸引することにより、前記位
置決め基板に形成された凹部に前記球状接続端子を位置
決めすることを特徴とするものである。
求項２４記載の半導体検査装置を用いた検査方法であっ
て、前記吸引機構として前記位置決め基板に吸引孔を形
成すると共に、前記吸引孔に吸引装置を接続し、前記吸
引孔により前記突起電極を吸引することにより、前記位
置決め基板に形成された凹部に前記球状接続端子を位置
決めすることを特徴とするものである。
【００２６】更に、請求項３０記載の発明では、前記請
求項２４記載の半導体検査装置を用いた検査方法であっ
て、前記吸引機構として前記位置決め基板を多孔質材料
により形成すると共に、前記位置決め基板に吸引装置を
接続し、前記位置決め基板に前記突起電極を吸引するこ
とにより、前記位置決め基板に形成された凹部に前記球
状接続端子を位置決めすることを特徴とするものであ
る。
求項２４記載の半導体検査装置を用いた検査方法であっ
て、前記吸引機構として前記位置決め基板を多孔質材料
により形成すると共に、前記位置決め基板に吸引装置を
接続し、前記位置決め基板に前記突起電極を吸引するこ
とにより、前記位置決め基板に形成された凹部に前記球
状接続端子を位置決めすることを特徴とするものであ
る。
【００２７】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、球状接続端子が接続され
る導体層に形成された接続部は、変形可能な構成とされ
ている。よって、被検査装置が半導体検査装置に装着さ
れた状態において接続部は球状接続端子の外形に沿って
変形し、これにより接続部と球状接続端子との接触面積
は増大し、電気的な接続を確実に行うことができる。
請求項１記載の発明によれば、球状接続端子が接続され
る導体層に形成された接続部は、変形可能な構成とされ
ている。よって、被検査装置が半導体検査装置に装着さ
れた状態において接続部は球状接続端子の外形に沿って
変形し、これにより接続部と球状接続端子との接触面積
は増大し、電気的な接続を確実に行うことができる。
【００２８】また、上記のように導体層が変形するため
には接続部における導体層を薄く形成する必要があり、
よって導体層の機械的強度が低下することが考えられ
る。しかるに、導体層は支持フィルムに支持されている
ため、導体層の機械的強度は維持されている。一方、導
体層の接続部においては、球状接続端子との電気的接続
性を向上させる面から支持フィルムを除去する必要があ
る。従って、上記のように接続部においは導体層の機械
的強度が低下する。しかるに、接続部は緩衝部材により
支持されており、かつこの緩衝部材は弾性変形可能な絶
縁材料により形成されている。これにより、接続部に強
い力が印加されたような場合には、緩衝部材が緩衝効果
を発生させ、接続部に永久変形が発生することを防止す
ることができ、よって常に安定した検査を実施すること
が可能となる。
には接続部における導体層を薄く形成する必要があり、
よって導体層の機械的強度が低下することが考えられ
る。しかるに、導体層は支持フィルムに支持されている
ため、導体層の機械的強度は維持されている。一方、導
体層の接続部においては、球状接続端子との電気的接続
性を向上させる面から支持フィルムを除去する必要があ
る。従って、上記のように接続部においは導体層の機械
的強度が低下する。しかるに、接続部は緩衝部材により
支持されており、かつこの緩衝部材は弾性変形可能な絶
縁材料により形成されている。これにより、接続部に強
い力が印加されたような場合には、緩衝部材が緩衝効果
を発生させ、接続部に永久変形が発生することを防止す
ることができ、よって常に安定した検査を実施すること
が可能となる。
【００２９】また、請求項２記載の発明によれば、接続
部にスタッドバンプを単層または複数層積層した状態で
配設したことにより、接続部のスタッドバンプの形成位
置は装着方向に向け突出した状態となるため、球状接続
端子との電気的接続性を向上させることができる。ま
た、スタッドバンプの積層数を適宜選定することによ
り、スタッドバンプの高さを球状接続端子との電気的接
続性が最も良好な高さに容易に設定することができる。
部にスタッドバンプを単層または複数層積層した状態で
配設したことにより、接続部のスタッドバンプの形成位
置は装着方向に向け突出した状態となるため、球状接続
端子との電気的接続性を向上させることができる。ま
た、スタッドバンプの積層数を適宜選定することによ
り、スタッドバンプの高さを球状接続端子との電気的接
続性が最も良好な高さに容易に設定することができる。
【００３０】また、スタッドバンプは半導体装置の製造
技術として一般に用いられているワイヤボンディング技
術を用いて形成することができるため、よって低コスト
でかつ作成効率よく形成することができる。また、請求
項３記載の発明によれば、複数層積層したスタッドバン
プを異種金属により構成したことにより、最先端部に配
設されるスタッドバンプの材質を球状接続端子に対し適
合性の良いものに選定できる。また、最先端部以外のス
タッドバンプの材質は、接続部或いは他のスタッドバン
プと適合性の良いものを選定することができる。
技術として一般に用いられているワイヤボンディング技
術を用いて形成することができるため、よって低コスト
でかつ作成効率よく形成することができる。また、請求
項３記載の発明によれば、複数層積層したスタッドバン
プを異種金属により構成したことにより、最先端部に配
設されるスタッドバンプの材質を球状接続端子に対し適
合性の良いものに選定できる。また、最先端部以外のス
タッドバンプの材質は、接続部或いは他のスタッドバン
プと適合性の良いものを選定することができる。
【００３１】このため、最先端部に配設されたスタッド
バンプと球状接続端子との接続性、各スタッドバンプ間
の接続性、及びスタッドバンプと接続部との接続性を共
に良好なものとすることができる。また、請求項４記載
の発明によれば、接続部の表面を粗化させたことによ
り、形成された粗化面は微細な凹凸が形成された状態と
なりその表面積は広くなり、また微細な凸部は突起電極
に食い込む状態となるため、接続部と球状接続端子との
電気的接続を確実に行なうことができる。
バンプと球状接続端子との接続性、各スタッドバンプ間
の接続性、及びスタッドバンプと接続部との接続性を共
に良好なものとすることができる。また、請求項４記載
の発明によれば、接続部の表面を粗化させたことによ
り、形成された粗化面は微細な凹凸が形成された状態と
なりその表面積は広くなり、また微細な凸部は突起電極
に食い込む状態となるため、接続部と球状接続端子との
電気的接続を確実に行なうことができる。
【００３２】また、請求項５記載の発明によれば、接続
部の表面に異種材料よりなる表面金属膜を被膜形成した
ことにより、接続部及び球状接続端子の材料が接合性の
不良なものであっても、金属膜として接続部及び球状接
続端子の双方に対し共に接合性の良好な材料を選定する
ことが可能となる。よって、表面金属膜を被膜形成する
ことにより、接続部と球状接続端子との間における電気
的接合性の向上、及び接続部の保護を図ることができ
る。
部の表面に異種材料よりなる表面金属膜を被膜形成した
ことにより、接続部及び球状接続端子の材料が接合性の
不良なものであっても、金属膜として接続部及び球状接
続端子の双方に対し共に接合性の良好な材料を選定する
ことが可能となる。よって、表面金属膜を被膜形成する
ことにより、接続部と球状接続端子との間における電気
的接合性の向上、及び接続部の保護を図ることができ
る。
【００３３】また、請求項６及び請求項７記載の発明に
よれば、緩衝部材に切り込み部を形成したことにより、
或いは緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構成し
たことにより、緩衝部材の弾性は形状の面から増大し、
これに伴い緩衝作用も増大するため、接続部の保護をよ
り確実に行うことができる。
よれば、緩衝部材に切り込み部を形成したことにより、
或いは緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構成し
たことにより、緩衝部材の弾性は形状の面から増大し、
これに伴い緩衝作用も増大するため、接続部の保護をよ
り確実に行うことができる。
【００３４】また、請求項８記載の発明によれば、接続
部を環状部と複数の延出部とにより構成し、延出部が環
状部から中央部分に向け延出した構成としたことによ
り、延出部は変形し易い状態となる。よって、延出部は
球状接続端子の外形に沿って容易に変形し、軽い押圧力
により接続部と球状接続端子とを確実に接続することが
できる。
部を環状部と複数の延出部とにより構成し、延出部が環
状部から中央部分に向け延出した構成としたことによ
り、延出部は変形し易い状態となる。よって、延出部は
球状接続端子の外形に沿って容易に変形し、軽い押圧力
により接続部と球状接続端子とを確実に接続することが
できる。
【００３５】また、請求項９記載の発明によれば、接続
部をヘッドネイル状の形状としたことにより、接続部は
片持ち梁状に支持された構成となり、よって接続部は球
状接続端子の装着により容易に変形し、軽い押圧力で接
続部と球状接続端子との接続を確実に行うことが可能と
なる。また、請求項１０及び請求項１１記載の発明によ
れば、支持フィルムに切り込み部を形成したことによ
り、支持フィルムにも弾性を持たせることができる。ま
た支持フィルムを複数の分割フィルム部材を組み合わせ
て構成することにより、各分割フィルム部材間に間隙を
形成させることができる。よって、被検査装置が装着さ
れた時に発生する各種応力を支持フィルムが変形するこ
とにより、或いは間隙内で分割フィルム部材が移動する
ことにより吸収することができ、これにより接続部と球
状接続端子との接触位置に不要な応力が印加されること
を防止することができる。
部をヘッドネイル状の形状としたことにより、接続部は
片持ち梁状に支持された構成となり、よって接続部は球
状接続端子の装着により容易に変形し、軽い押圧力で接
続部と球状接続端子との接続を確実に行うことが可能と
なる。また、請求項１０及び請求項１１記載の発明によ
れば、支持フィルムに切り込み部を形成したことによ
り、支持フィルムにも弾性を持たせることができる。ま
た支持フィルムを複数の分割フィルム部材を組み合わせ
て構成することにより、各分割フィルム部材間に間隙を
形成させることができる。よって、被検査装置が装着さ
れた時に発生する各種応力を支持フィルムが変形するこ
とにより、或いは間隙内で分割フィルム部材が移動する
ことにより吸収することができ、これにより接続部と球
状接続端子との接触位置に不要な応力が印加されること
を防止することができる。
【００３６】また、請求項１２記載の発明によれば、導
体層と支持フィルムとにより構成される基板に電子素子
を配設したことにより、被検査装置において実施される
半導体検査処理の一部或いは全部を基板に配設された電
子素子により行わせることが可能となる。また、請求項
１３記載の発明によれば、緩衝部材の接続部と対向する
部位に、接続部に向け突出した突起部を形成したことに
より、接続部と突起部との離間距離は小さくなり、接続
部の保護をより確実に行うことができる。
体層と支持フィルムとにより構成される基板に電子素子
を配設したことにより、被検査装置において実施される
半導体検査処理の一部或いは全部を基板に配設された電
子素子により行わせることが可能となる。また、請求項
１３記載の発明によれば、緩衝部材の接続部と対向する
部位に、接続部に向け突出した突起部を形成したことに
より、接続部と突起部との離間距離は小さくなり、接続
部の保護をより確実に行うことができる。
【００３７】また、請求項１４記載の発明によれば、緩
衝部材を支持する支持部材を設けたことにより、弾性変
形する緩衝部材を支持部材により支持することができ
る。よって、緩衝部材が必要以上に変形したり、また所
定位置からずれることを防止することができる。また、
請求項１５記載の発明によれば、支持部材の接続部と対
向する位置に、凹部または凸部を形成したことにより、
例えば支持部材に上記の凹部を形成した場合には、過剰
な押圧力をもって球状接続端子が押圧され、これにより
緩衝部材に大きな変形が発生しても、この大きな変形は
凹部により逃がすことができるため、緩衝作用を維持さ
せることが可能となる。
衝部材を支持する支持部材を設けたことにより、弾性変
形する緩衝部材を支持部材により支持することができ
る。よって、緩衝部材が必要以上に変形したり、また所
定位置からずれることを防止することができる。また、
請求項１５記載の発明によれば、支持部材の接続部と対
向する位置に、凹部または凸部を形成したことにより、
例えば支持部材に上記の凹部を形成した場合には、過剰
な押圧力をもって球状接続端子が押圧され、これにより
緩衝部材に大きな変形が発生しても、この大きな変形は
凹部により逃がすことができるため、緩衝作用を維持さ
せることが可能となる。
【００３８】また、支持部材に上記の凸部を形成した場
合には、接続部に過剰な押圧力をもって球状接続端子が
押圧され、これにより緩衝部材が大きく変形しようとし
ても、緩衝部材は凸部と衝突してそれ以上の弾性変形が
規制されるため、緩衝部材の保護を図ることができる。
従って、所望する上記した各作用に応じて凹部または凸
部を選定すればよい。
合には、接続部に過剰な押圧力をもって球状接続端子が
押圧され、これにより緩衝部材が大きく変形しようとし
ても、緩衝部材は凸部と衝突してそれ以上の弾性変形が
規制されるため、緩衝部材の保護を図ることができる。
従って、所望する上記した各作用に応じて凹部または凸
部を選定すればよい。
【００３９】また、請求項１６記載の発明によれば、被
検査装置と接続部との位置決めを行う位置決め機構を設
けたことにより、球状接続端子と接続部との位置決めを
容易かつ正確に行うことが可能となり、球状接続端子と
接続部との接続の信頼性を向上させることができる。ま
た、請求項１７記載の発明によれば、位置決め機構とし
てガイドピンを用いたことにより、簡単な構成で球状接
続端子と接続部との位置決めを行うことが可能となる。
検査装置と接続部との位置決めを行う位置決め機構を設
けたことにより、球状接続端子と接続部との位置決めを
容易かつ正確に行うことが可能となり、球状接続端子と
接続部との接続の信頼性を向上させることができる。ま
た、請求項１７記載の発明によれば、位置決め機構とし
てガイドピンを用いたことにより、簡単な構成で球状接
続端子と接続部との位置決めを行うことが可能となる。
【００４０】また、請求項１８記載の発明によれば、位
置決め機構として、被検査装置を保持するフレーム部と
ガイドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用
いたことにより、被検査装置自体（装置の外形等）を位
置決めを行う指標として用いることができるため、精度
の高い位置決めを行うことが可能となる。
置決め機構として、被検査装置を保持するフレーム部と
ガイドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用
いたことにより、被検査装置自体（装置の外形等）を位
置決めを行う指標として用いることができるため、精度
の高い位置決めを行うことが可能となる。
【００４１】また、請求項１９記載の発明によれば、ガ
イドピン付きフレームのフレーム部が被検査装置を覆う
よう保持する構成すると共に、このフレーム部の内壁に
被検査装置の位置決めを行うテーパ面を形成したことに
より、被検査装置をフレーム部に挿入するだけで被検査
装置はテーパ面に案内されて所定装着位置に位置決めさ
れる。よって、被検査装置の位置決め処理、換言すれば
球状接続端子と接続部との位置決めを容易に行うことが
可能となる。
イドピン付きフレームのフレーム部が被検査装置を覆う
よう保持する構成すると共に、このフレーム部の内壁に
被検査装置の位置決めを行うテーパ面を形成したことに
より、被検査装置をフレーム部に挿入するだけで被検査
装置はテーパ面に案内されて所定装着位置に位置決めさ
れる。よって、被検査装置の位置決め処理、換言すれば
球状接続端子と接続部との位置決めを容易に行うことが
可能となる。
【００４２】また、請求項２０記載の発明によれば、フ
レーム部に被検査装置の調芯処理を行う調芯機構を設
け、球状接続端子が接続部に位置するよう調芯処理を行
う構成とすることにより、フレーム部に被検査装置が挿
入された直後において球状接続端子と接続部との位置が
ずれていても、調芯機構により調芯処理を行うことによ
り、球状接続端子と接続部との位置合わせを行うことが
できる。
レーム部に被検査装置の調芯処理を行う調芯機構を設
け、球状接続端子が接続部に位置するよう調芯処理を行
う構成とすることにより、フレーム部に被検査装置が挿
入された直後において球状接続端子と接続部との位置が
ずれていても、調芯機構により調芯処理を行うことによ
り、球状接続端子と接続部との位置合わせを行うことが
できる。
【００４３】また、請求項２１記載の発明によれば、装
着状態における被検査装置を導体層に向け付勢する付勢
機構をフレーム部に設けたことにより、球状接続端子と
接続部との間には所定の付勢力が作用し、よって電気的
接続性を向上させることができると共に、測定時におい
て球状接続端子が接続部からずれることを防止すること
ができる。
着状態における被検査装置を導体層に向け付勢する付勢
機構をフレーム部に設けたことにより、球状接続端子と
接続部との間には所定の付勢力が作用し、よって電気的
接続性を向上させることができると共に、測定時におい
て球状接続端子が接続部からずれることを防止すること
ができる。
【００４４】また、請求項２２記載の発明によれば、フ
レーム部と被検査装置とが係合する部位に、緩衝効果を
有する弾性部材を配設したことにより、過剰な押圧力或
いは不要な外力が作用した場合には、この押圧力或いは
外力に起因した応力は弾性部材により吸収されるため、
球状接続端子及び接続部に損傷が発生することを防止す
ることができる。
レーム部と被検査装置とが係合する部位に、緩衝効果を
有する弾性部材を配設したことにより、過剰な押圧力或
いは不要な外力が作用した場合には、この押圧力或いは
外力に起因した応力は弾性部材により吸収されるため、
球状接続端子及び接続部に損傷が発生することを防止す
ることができる。
【００４５】また、請求項２３記載の発明によれば、位
置決め機構として、装着される被検査装置と対向するよ
う導体層上に配設され、球状接続端子に対応した形状の
凹部を有する位置決め基板を用いたことにより、単に球
状接続端子を凹部に挿入するよう被検査装置を位置決め
基板に装着するだけで、球状接続端子と接続部との位置
決めを行うことができる。よって、球状接続端子と接続
部との位置決めを容易にかつ効率的に行うことができ
る。
置決め機構として、装着される被検査装置と対向するよ
う導体層上に配設され、球状接続端子に対応した形状の
凹部を有する位置決め基板を用いたことにより、単に球
状接続端子を凹部に挿入するよう被検査装置を位置決め
基板に装着するだけで、球状接続端子と接続部との位置
決めを行うことができる。よって、球状接続端子と接続
部との位置決めを容易にかつ効率的に行うことができ
る。
【００４６】また、請求項２４，請求項２９，及び請求
項３０記載の発明によれば、位置決め基板に球状接続端
子の吸引処理を行う吸引機構を設けたことにより、球状
接続端子は吸引機構により吸引されて位置決め基板に形
成された凹部に挿入される。このように、球状接続端子
は吸引機構が発生する吸引力により強制的に凹部に挿入
し位置決めされるため、確実な位置決め処理を行うこと
ができる。
項３０記載の発明によれば、位置決め基板に球状接続端
子の吸引処理を行う吸引機構を設けたことにより、球状
接続端子は吸引機構により吸引されて位置決め基板に形
成された凹部に挿入される。このように、球状接続端子
は吸引機構が発生する吸引力により強制的に凹部に挿入
し位置決めされるため、確実な位置決め処理を行うこと
ができる。
【００４７】また、請求項２５記載の発明によれば、凹
部と接続部との位置決めを行うための基板位置決め機構
を設けたことにより、基板位置決め機構により凹部と接
続部とは高精度に位置決めされるため、よって凹部に挿
入される球状接続端子と接続部との位置決めも高精度に
行うことができる。
部と接続部との位置決めを行うための基板位置決め機構
を設けたことにより、基板位置決め機構により凹部と接
続部とは高精度に位置決めされるため、よって凹部に挿
入される球状接続端子と接続部との位置決めも高精度に
行うことができる。
【００４８】また、請求項２６記載の発明に係る検査方
法によれば、球状接続端子を接続部に押圧し、この押圧
により導体層に形成された接続部及び緩衝部材を弾性変
形させることにより、接続部は球状接続端子の外形に沿
って変形するため、接触部により球状接続端子に傷が付
くことを防止できる。また、接続部が変形することによ
り、接続部と球状接続端子との接触面積を増大させるこ
とができ、接続部と球状接続端子との電気的接続性を向
上させることができる。
法によれば、球状接続端子を接続部に押圧し、この押圧
により導体層に形成された接続部及び緩衝部材を弾性変
形させることにより、接続部は球状接続端子の外形に沿
って変形するため、接触部により球状接続端子に傷が付
くことを防止できる。また、接続部が変形することによ
り、接続部と球状接続端子との接触面積を増大させるこ
とができ、接続部と球状接続端子との電気的接続性を向
上させることができる。
【００４９】更に、接続部の上記弾性変形により接続部
及び緩衝部材に発生する弾性復元力は、接続部を球状接
続端子に押圧するよう作用するため、接続部と球状接続
端子との間には接続状態において常に所定の圧力が印加
され、よって電気的接続の向上を図ることができる。ま
た、請求項２７記載の発明によれば、位置決め基板に形
成された凹部に球状接続端子を挿入するだけの簡単な処
理で各球状接続端子の位置決めを行うことができる。ま
た、この位置決めが行われた状態を維持しつつ球状接続
端子を接続部に電気的に接続させて被検査装置の試験を
行うことにより、接続部と球状接続端子とを精度よく接
続することができ、検査の信頼性を向上させることがで
きる。
及び緩衝部材に発生する弾性復元力は、接続部を球状接
続端子に押圧するよう作用するため、接続部と球状接続
端子との間には接続状態において常に所定の圧力が印加
され、よって電気的接続の向上を図ることができる。ま
た、請求項２７記載の発明によれば、位置決め基板に形
成された凹部に球状接続端子を挿入するだけの簡単な処
理で各球状接続端子の位置決めを行うことができる。ま
た、この位置決めが行われた状態を維持しつつ球状接続
端子を接続部に電気的に接続させて被検査装置の試験を
行うことにより、接続部と球状接続端子とを精度よく接
続することができ、検査の信頼性を向上させることがで
きる。
【００５０】更に、請求項２８記載の発明によれば、位
置決め基板或いは被検査半導体の少なくとも一方を振動
させることにより、位置決め基板に形成された凹部に球
状接続端子を位置決めすることにより、被検査半導体は
位置決め基板上で相対的に移動し、やがて位置決め基板
に形成された凹部に突起電極は挿入して位置決めされ
る。よって、球状接続端子と凹部の位置決め（即ち、球
状接続端子と接続部との位置決め）を容易かつ自動的に
行なうことができる。
置決め基板或いは被検査半導体の少なくとも一方を振動
させることにより、位置決め基板に形成された凹部に球
状接続端子を位置決めすることにより、被検査半導体は
位置決め基板上で相対的に移動し、やがて位置決め基板
に形成された凹部に突起電極は挿入して位置決めされ
る。よって、球状接続端子と凹部の位置決め（即ち、球
状接続端子と接続部との位置決め）を容易かつ自動的に
行なうことができる。
【００５１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は本発明の第１実施例であ
る半導体検査装置１０-1及びこれを用いた検査方法を説
明するための図である。本実施例に係る半導体検査装置
１０-1は、大略すると導体層１１と緩衝部材１２Ａとに
より構成されている。
て図面と共に説明する。図１は本発明の第１実施例であ
る半導体検査装置１０-1及びこれを用いた検査方法を説
明するための図である。本実施例に係る半導体検査装置
１０-1は、大略すると導体層１１と緩衝部材１２Ａとに
より構成されている。
【００５２】この半導体検査装置１０-1は、図１
（Ａ），図１（Ｄ）に示されるように半導体装置１が装
着され、この装着状態において被試験装置に対して電気
的動作検査を行う時に用いられるものである。また、半
導体検査装置１０-1が試験の対象とする被試験装置は、
外部接続端子としてバンプ等の球状接続端子を有した装
置である。
（Ａ），図１（Ｄ）に示されるように半導体装置１が装
着され、この装着状態において被試験装置に対して電気
的動作検査を行う時に用いられるものである。また、半
導体検査装置１０-1が試験の対象とする被試験装置は、
外部接続端子としてバンプ等の球状接続端子を有した装
置である。
【００５３】尚、以下の説明では、被試験装置として球
状接続端子２を有した半導体装置１を用いた例を示す
が、以下各実施例で説明する半導体検査装置は、外部接
続端子として球状接続端子を有した各種装置の検査に適
用できるものである。以下、半導体検査装置１０-1の具
体的構成について説明する。導体層１１は例えば銅（Ｃ
ｕ）膜であり、ポリイミド等の絶縁樹脂材料により形成
された支持フィルム１３上に形成されている。この導体
層１１及び支持フィルム１３は、通常電子機器等に用い
られているフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）と同一
構成であり、よってＦＰＣを利用して本実施例に係る導
体層１１及び支持フィルム１３を実現することも可能で
ある。
状接続端子２を有した半導体装置１を用いた例を示す
が、以下各実施例で説明する半導体検査装置は、外部接
続端子として球状接続端子を有した各種装置の検査に適
用できるものである。以下、半導体検査装置１０-1の具
体的構成について説明する。導体層１１は例えば銅（Ｃ
ｕ）膜であり、ポリイミド等の絶縁樹脂材料により形成
された支持フィルム１３上に形成されている。この導体
層１１及び支持フィルム１３は、通常電子機器等に用い
られているフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）と同一
構成であり、よってＦＰＣを利用して本実施例に係る導
体層１１及び支持フィルム１３を実現することも可能で
ある。
【００５４】また、導体層１１の球状接続端子２が接続
される部位には接続部１４Ａが形成されている。図１
（Ｂ），（Ｃ）は図１（Ａ）に矢印Ａで示す部分を拡大
して示しており、図１（Ｂ）は接続部１４Ａを平面視し
た状態を、また図１（Ｃ）はその断面を夫々示してい
る。各図に示されるように、接続部１４Ａは、環状部１
４Ａ-1と複数の延出部１４Ａ-2とにより構成されてい
る。また、接続部１４Ａの形成位置においては、支持フ
ィルム１３は取り除かれた構成とされている。
される部位には接続部１４Ａが形成されている。図１
（Ｂ），（Ｃ）は図１（Ａ）に矢印Ａで示す部分を拡大
して示しており、図１（Ｂ）は接続部１４Ａを平面視し
た状態を、また図１（Ｃ）はその断面を夫々示してい
る。各図に示されるように、接続部１４Ａは、環状部１
４Ａ-1と複数の延出部１４Ａ-2とにより構成されてい
る。また、接続部１４Ａの形成位置においては、支持フ
ィルム１３は取り除かれた構成とされている。
【００５５】環状部１４Ａ-1はその内部に球状接続端子
２が挿入されうる径寸法を有しており、また延出部１４
Ａ-2はこの環状部１４Ａ-1から中央部分に向け延出した
構成とされている。従って、各延出部１４Ａ-2の中央側
端部は自由端とされており、また上記のように接続部１
４Ａの形成位置では支持フィルム１３は取り除かれてい
るため、各延出部１４Ａ-2は容易に変形可能な構成とさ
れている。
２が挿入されうる径寸法を有しており、また延出部１４
Ａ-2はこの環状部１４Ａ-1から中央部分に向け延出した
構成とされている。従って、各延出部１４Ａ-2の中央側
端部は自由端とされており、また上記のように接続部１
４Ａの形成位置では支持フィルム１３は取り除かれてい
るため、各延出部１４Ａ-2は容易に変形可能な構成とさ
れている。
【００５６】また、図１（Ｂ）に示されるように、延出
部１４Ａ-2は中央部分から環状部１４Ａ-1に向け放射状
に延出した構成であるため、球状接続端子２が接続部１
４Ａに挿入された際、確実に球状接続端子２と接続する
ことができる。一方、緩衝部材１２Ａは絶縁性を有する
弾性部材（例えば、ゴム，可撓性樹脂等）により形成さ
れている。この緩衝部材１２Ａは、半導体装置１が半導
体検査装置１０-1に装着された際、球状接続端子２の押
圧力を緩衝すると共に、不要な外力が印加された場合に
もこれを緩衝する機能を奏するものである。
部１４Ａ-2は中央部分から環状部１４Ａ-1に向け放射状
に延出した構成であるため、球状接続端子２が接続部１
４Ａに挿入された際、確実に球状接続端子２と接続する
ことができる。一方、緩衝部材１２Ａは絶縁性を有する
弾性部材（例えば、ゴム，可撓性樹脂等）により形成さ
れている。この緩衝部材１２Ａは、半導体装置１が半導
体検査装置１０-1に装着された際、球状接続端子２の押
圧力を緩衝すると共に、不要な外力が印加された場合に
もこれを緩衝する機能を奏するものである。
【００５７】また本実施例では、緩衝部材１２Ａの接続
部１４Ａと対向する部位に、接続部１４Ａに向け突出し
た突起部１５が形成されている。上記のように接続部１
４Ａの形成位置には支持フィルム１３が配設されていな
いため、突起部１５は接続部１４Ａの背面近傍まで突出
している。このように、緩衝部材１２Ａに接続部１４Ａ
に向け突出した突起部１５を形成したことにより接続部
１４Ａと突起部１５との離間距離は小さくなり、外力印
加により接続部１４Ａ（延出部１４Ａ-2）が変形して
も、この接続部１４Ａを保護することができる。よっ
て、延出部１４Ａ-2が過剰に変形して破損することを確
実に防止することができる。
部１４Ａと対向する部位に、接続部１４Ａに向け突出し
た突起部１５が形成されている。上記のように接続部１
４Ａの形成位置には支持フィルム１３が配設されていな
いため、突起部１５は接続部１４Ａの背面近傍まで突出
している。このように、緩衝部材１２Ａに接続部１４Ａ
に向け突出した突起部１５を形成したことにより接続部
１４Ａと突起部１５との離間距離は小さくなり、外力印
加により接続部１４Ａ（延出部１４Ａ-2）が変形して
も、この接続部１４Ａを保護することができる。よっ
て、延出部１４Ａ-2が過剰に変形して破損することを確
実に防止することができる。
【００５８】続いて、上記構成とされた半導体検査装置
１０-1を用いて半導体装置１に対し検査を行う方法につ
いて説明する。半導体装置１に対して検査を行うには、
半導体装置１に設けられている球状接続端子２と、半導
体検査装置１０-1に形成されている接続部１４Ａとを位
置決めし、続いて半導体装置１を半導体検査装置１０-1
に押圧して球状接続端子２と接続部１４Ａとを接続させ
る。半導体検査装置１０-1には、図示しない半導体検査
用テスターが接続されており、よって半導体検査装置１
０-1に装着された状態で半導体装置１に対し電気的動作
検査が実施される。
１０-1を用いて半導体装置１に対し検査を行う方法につ
いて説明する。半導体装置１に対して検査を行うには、
半導体装置１に設けられている球状接続端子２と、半導
体検査装置１０-1に形成されている接続部１４Ａとを位
置決めし、続いて半導体装置１を半導体検査装置１０-1
に押圧して球状接続端子２と接続部１４Ａとを接続させ
る。半導体検査装置１０-1には、図示しない半導体検査
用テスターが接続されており、よって半導体検査装置１
０-1に装着された状態で半導体装置１に対し電気的動作
検査が実施される。
【００５９】上記のように、半導体検査装置１０-1に対
する半導体装置１の装着処理は極めて簡単である。ま
た、球状接続端子２が接続される導体層１１に形成され
た接続部１４Ａ（延出部１４Ａ-2）は、変形可能な構成
とされている。よって、半導体装置１が半導体検査装置
１０-1に装着された状態において、図１（Ｄ）に示され
るように、延出部１４Ａ-2は球状接続端子２の外形に沿
って変形する。これにより接続部１４Ａと球状接続端子
２との接触面積は増大し、電気的な接続を確実に行うこ
とができる。
する半導体装置１の装着処理は極めて簡単である。ま
た、球状接続端子２が接続される導体層１１に形成され
た接続部１４Ａ（延出部１４Ａ-2）は、変形可能な構成
とされている。よって、半導体装置１が半導体検査装置
１０-1に装着された状態において、図１（Ｄ）に示され
るように、延出部１４Ａ-2は球状接続端子２の外形に沿
って変形する。これにより接続部１４Ａと球状接続端子
２との接触面積は増大し、電気的な接続を確実に行うこ
とができる。
【００６０】また、上記のように接続部１４Ａが変形す
るためには導体層１１を薄く形成する必要があり、よっ
て導体層１１の機械的強度が低下することが考えられ
る。しかるに、導体層１１は支持フィルム１３に支持さ
れているため（接続部１４Ａは除く）、導体層１１の機
械的強度は維持されている。一方、接続部１４Ａにおい
ては、球状接続端子２との電気的接続性を向上させる面
から支持フィルム１３を除去する必要がある。しかる
に、接続部１４Ａにおいて単に支持フィルム１３を除去
した構成では、上記のように接続部１４Ａの機械的強度
が低下する。しかるに本実施例では、上記したように接
続部１４Ａは緩衝部材１２Ａに形成された突起部１５に
より支持されているため、接続部１４Ａに永久変形が発
生することを防止することができ、よって常に安定した
検査を実施することが可能となる。
るためには導体層１１を薄く形成する必要があり、よっ
て導体層１１の機械的強度が低下することが考えられ
る。しかるに、導体層１１は支持フィルム１３に支持さ
れているため（接続部１４Ａは除く）、導体層１１の機
械的強度は維持されている。一方、接続部１４Ａにおい
ては、球状接続端子２との電気的接続性を向上させる面
から支持フィルム１３を除去する必要がある。しかる
に、接続部１４Ａにおいて単に支持フィルム１３を除去
した構成では、上記のように接続部１４Ａの機械的強度
が低下する。しかるに本実施例では、上記したように接
続部１４Ａは緩衝部材１２Ａに形成された突起部１５に
より支持されているため、接続部１４Ａに永久変形が発
生することを防止することができ、よって常に安定した
検査を実施することが可能となる。
【００６１】続いて、本発明の第２実施例について説明
する。図２は、第２実施例に係る半導体検査装置の接続
部１４Ｂを拡大して示している。尚、以下説明する各実
施例において、図１に示した第１実施例に係る半導体検
査装置１０-1の構成と同一構成については同一符号を付
してその説明を省略する。
する。図２は、第２実施例に係る半導体検査装置の接続
部１４Ｂを拡大して示している。尚、以下説明する各実
施例において、図１に示した第１実施例に係る半導体検
査装置１０-1の構成と同一構成については同一符号を付
してその説明を省略する。
【００６２】本実施例では、接続部１４Ｂに形成されて
いる延出部１４Ｂ-2の先端部にスタッドバンプ１６を形
成したことを特徴とするものである。スタッドバンプ１
６は、例えばワイヤボンディング法を用いて形成される
ものである。このスタッドバンプ１６をワイヤボンディ
ング法により形成するには、先ずワイヤボンディング装
置に設けられたキャビラリを用いて延出部１４Ｂ-2の先
端部に所謂ネイルヘッド部を形成し、その後キャビラリ
を若干量上動させた上でワイヤを切断する。これだけの
簡単な処理によりスタッドバンプ１６は形成される。
いる延出部１４Ｂ-2の先端部にスタッドバンプ１６を形
成したことを特徴とするものである。スタッドバンプ１
６は、例えばワイヤボンディング法を用いて形成される
ものである。このスタッドバンプ１６をワイヤボンディ
ング法により形成するには、先ずワイヤボンディング装
置に設けられたキャビラリを用いて延出部１４Ｂ-2の先
端部に所謂ネイルヘッド部を形成し、その後キャビラリ
を若干量上動させた上でワイヤを切断する。これだけの
簡単な処理によりスタッドバンプ１６は形成される。
【００６３】このように、スタッドバンプ１６を延出部
１４Ｂ-2の先端部に形成することにより、延出部１４Ｂ
-2の先端部は突出した構造となる。そして、図２（Ｂ）
に示されるように球状接続端子２が延出部１４Ｂ-2と接
続される際、延出部１４Ｂ-2から突出したスタッドバン
プ１６が球状接続端子２と接続することとなる。この接
続の際、スタッドバンプ１６は球状接続端子２に食い込
んだ状態となる。 よって、接続部１４Ｂの保護を図り
つつ、接続部１４Ｂと球状接続端子２との電気接続性を
向上させることができる。尚、図では便宜上、スタッド
バンプ１６の形状を大きく図示しているが、実際のスタ
ッドバンプ１６は小さく、よってスタッドバンプ１６が
球状接続端子２に食い込んでも、球状接続端子２に損傷
を与えるようなものではない。
１４Ｂ-2の先端部に形成することにより、延出部１４Ｂ
-2の先端部は突出した構造となる。そして、図２（Ｂ）
に示されるように球状接続端子２が延出部１４Ｂ-2と接
続される際、延出部１４Ｂ-2から突出したスタッドバン
プ１６が球状接続端子２と接続することとなる。この接
続の際、スタッドバンプ１６は球状接続端子２に食い込
んだ状態となる。 よって、接続部１４Ｂの保護を図り
つつ、接続部１４Ｂと球状接続端子２との電気接続性を
向上させることができる。尚、図では便宜上、スタッド
バンプ１６の形状を大きく図示しているが、実際のスタ
ッドバンプ１６は小さく、よってスタッドバンプ１６が
球状接続端子２に食い込んでも、球状接続端子２に損傷
を与えるようなものではない。
【００６４】また上記のように、スタッドバンプ１６は
半導体装置の製造技術として一般に用いられているワイ
ヤボンディング技術を用いて形成することができるた
め、低コストでかつ作成効率よくスタッドバンプ１６を
形成することができる。また、通常スタッドバンプはそ
の先端部にワイヤ切断による小突起が形成され、この小
突起は尖った形状となるため、これによっても接続部１
４Ｂ（スタッドバンプ１６）と球状接続端子２との電気
接続性を向上させることができる。
半導体装置の製造技術として一般に用いられているワイ
ヤボンディング技術を用いて形成することができるた
め、低コストでかつ作成効率よくスタッドバンプ１６を
形成することができる。また、通常スタッドバンプはそ
の先端部にワイヤ切断による小突起が形成され、この小
突起は尖った形状となるため、これによっても接続部１
４Ｂ（スタッドバンプ１６）と球状接続端子２との電気
接続性を向上させることができる。
【００６５】図３は、前記した第２実施例の第１の変形
例である半導体検査装置の接続部１４Ｃを拡大して示し
ている。本変形例では、複数（本変形例では２個）のス
タッドバンプ１６を多段に積層した構成したことを特徴
とするものである。同図に示すように、複数個のスタッ
ドバンプ１６を積層することは可能であり、複数個のス
タッドバンプ１６を積層することにより、スタッドバン
プ１６全体の延出部１４Ｂ-2からの突起量を高くするこ
とができる。よって、球状接続端子２の径寸法等に最適
な高さのスタッドバンプ１６を設けることができ、球状
接続端子２との電気的接続性を向上することができる。
例である半導体検査装置の接続部１４Ｃを拡大して示し
ている。本変形例では、複数（本変形例では２個）のス
タッドバンプ１６を多段に積層した構成したことを特徴
とするものである。同図に示すように、複数個のスタッ
ドバンプ１６を積層することは可能であり、複数個のス
タッドバンプ１６を積層することにより、スタッドバン
プ１６全体の延出部１４Ｂ-2からの突起量を高くするこ
とができる。よって、球状接続端子２の径寸法等に最適
な高さのスタッドバンプ１６を設けることができ、球状
接続端子２との電気的接続性を向上することができる。
【００６６】図４は、前記した第２実施例の第２の変形
例である半導体検査装置の接続部１４Ｄを拡大して示し
ている。本変形例では、異種の金属よりなるスタッドバ
ンプ１６Ａ，１６Ｂを複数個（本変形例では２個）多段
に形成したことを特徴とするものである。本変形例で
は、スタッドバンプ１６Ａ，１６Ｂを２層積層した構造
とされており、またその最先端部のスタッドバンプ１６
Ａの材料はパラジウム（Ｐｄ）とされており、また下部
のスタッドバンプ１６Ｂの材料は金（Ａｕ）とされてい
る。
例である半導体検査装置の接続部１４Ｄを拡大して示し
ている。本変形例では、異種の金属よりなるスタッドバ
ンプ１６Ａ，１６Ｂを複数個（本変形例では２個）多段
に形成したことを特徴とするものである。本変形例で
は、スタッドバンプ１６Ａ，１６Ｂを２層積層した構造
とされており、またその最先端部のスタッドバンプ１６
Ａの材料はパラジウム（Ｐｄ）とされており、また下部
のスタッドバンプ１６Ｂの材料は金（Ａｕ）とされてい
る。
【００６７】このように、最先端部のスタッドバンプ１
６Ａの材料をパラジウム（Ｐｄ）としたのは、一般に球
状接続端子２には半田メッキがされており、半田との適
合性を考慮したものである。また、下部のスタッドバン
プ１６Ｂの材料を金（Ａｕ）にしたのは、前記のように
接続部１４Ｄの材質が銅（Ｃｕ）であり、この銅（Ｃ
ｕ）と先端部のスタッドバンプ１６Ａの材料であるパラ
ジウム（Ｐｄ）との双方に対する適合性を考慮したもの
である。
６Ａの材料をパラジウム（Ｐｄ）としたのは、一般に球
状接続端子２には半田メッキがされており、半田との適
合性を考慮したものである。また、下部のスタッドバン
プ１６Ｂの材料を金（Ａｕ）にしたのは、前記のように
接続部１４Ｄの材質が銅（Ｃｕ）であり、この銅（Ｃ
ｕ）と先端部のスタッドバンプ１６Ａの材料であるパラ
ジウム（Ｐｄ）との双方に対する適合性を考慮したもの
である。
【００６８】上記のように、異種の金属よりなるスタッ
ドバンプ１６Ａ，１６Ｂを複数個多段に形成したことに
より、最先端部に配設されるスタッドバンプ１６Ａの材
料を球状接続端子２に対し適合性の良いものに選定で
き、また最先端部以外のスタッドバンプ１６Ｂの材料は
接続部１４Ｄ或いは最先端部に配設されスタッドバンプ
１６Ａに対し適合性の良いものに選定できる。
ドバンプ１６Ａ，１６Ｂを複数個多段に形成したことに
より、最先端部に配設されるスタッドバンプ１６Ａの材
料を球状接続端子２に対し適合性の良いものに選定で
き、また最先端部以外のスタッドバンプ１６Ｂの材料は
接続部１４Ｄ或いは最先端部に配設されスタッドバンプ
１６Ａに対し適合性の良いものに選定できる。
【００６９】これにより、最先端部に配設されたスタッ
ドバンプ１６Ａと球状接続端子２との接続性、スタッド
バンプ１６Ｂと接続部１４との接続性、及び下部のスタ
ッドバンプ１６Ｂを複数個配設した場合には各スタッド
バンプ１６Ｂ間の接続性を共に良好なものとすることが
できる。続いて、本発明の第３実施例について説明す
る。
ドバンプ１６Ａと球状接続端子２との接続性、スタッド
バンプ１６Ｂと接続部１４との接続性、及び下部のスタ
ッドバンプ１６Ｂを複数個配設した場合には各スタッド
バンプ１６Ｂ間の接続性を共に良好なものとすることが
できる。続いて、本発明の第３実施例について説明す
る。
【００７０】図５は本発明の第３実施例である半導体検
査装置の接続部１４Ｅを拡大して示している。本実施例
では、接続部１４Ｅを構成する延出部１４Ｅ-2の表面部
に粗化面１７を形成したことを特徴とするものである。
この粗化面１７は、延出部１４Ｅ-2の表面部にブラスト
加工，或いは化学的粗化加工（例えば、強酸に浸漬）す
ることにより形成される。このように形成される粗化面
１７の表面は微細な凹凸が存在した状態であるため、そ
の実質的な表面積は広くなる。また、球状接続端子２が
当接した時点で微細な凸部は球状接続端子２に食い込ん
だ状態となる。よって、接続部１４Ｅ（延出部１４Ｅ-
2）と球状接続端子２との電気的接続を確実に行なうこ
とができる。
査装置の接続部１４Ｅを拡大して示している。本実施例
では、接続部１４Ｅを構成する延出部１４Ｅ-2の表面部
に粗化面１７を形成したことを特徴とするものである。
この粗化面１７は、延出部１４Ｅ-2の表面部にブラスト
加工，或いは化学的粗化加工（例えば、強酸に浸漬）す
ることにより形成される。このように形成される粗化面
１７の表面は微細な凹凸が存在した状態であるため、そ
の実質的な表面積は広くなる。また、球状接続端子２が
当接した時点で微細な凸部は球状接続端子２に食い込ん
だ状態となる。よって、接続部１４Ｅ（延出部１４Ｅ-
2）と球状接続端子２との電気的接続を確実に行なうこ
とができる。
【００７１】続いて、本発明の第４実施例について説明
する。図６は本発明の第４実施例である半導体検査装置
の接続部１４Ｆを拡大して示している。本実施例では、
接続部１４Ｆに形成されている延出部１４Ｆ-1の表面部
に異種金属膜１８を形成したことを特徴とするものであ
る。異種金属膜１８は、接続部１４Ｆの材料とは異なる
材料である金属膜である。具体的には、接続部１４Ｆは
銅（Ｃｕ）であり、異種金属膜１８の材料としては接続
部１４Ｆの材料とは異なる例えばニッケル（Ｎｉ）或い
はパラジウム（Ｐｄ）が選定されている。
する。図６は本発明の第４実施例である半導体検査装置
の接続部１４Ｆを拡大して示している。本実施例では、
接続部１４Ｆに形成されている延出部１４Ｆ-1の表面部
に異種金属膜１８を形成したことを特徴とするものであ
る。異種金属膜１８は、接続部１４Ｆの材料とは異なる
材料である金属膜である。具体的には、接続部１４Ｆは
銅（Ｃｕ）であり、異種金属膜１８の材料としては接続
部１４Ｆの材料とは異なる例えばニッケル（Ｎｉ）或い
はパラジウム（Ｐｄ）が選定されている。
【００７２】本実施例において異種金属膜１８の材料と
してニッケル（Ｎｉ）或いはパラジウム（Ｐｄ）を選定
したのは、次の理由である。即ち、一般に半導体装置１
の球状接続端子２には半田メッキがされておりこの半田
との適合性と、銅よりなる接続部１４Ｆとの適合性の双
方を両立させうる材料としてニッケル（Ｎｉ）或いはパ
ラジウム（Ｐｄ）を選定している。
してニッケル（Ｎｉ）或いはパラジウム（Ｐｄ）を選定
したのは、次の理由である。即ち、一般に半導体装置１
の球状接続端子２には半田メッキがされておりこの半田
との適合性と、銅よりなる接続部１４Ｆとの適合性の双
方を両立させうる材料としてニッケル（Ｎｉ）或いはパ
ラジウム（Ｐｄ）を選定している。
【００７３】このように、延出部１４Ｆ-1の表面部に接
続部１４Ｆ及び球状接続端子２の双方に適合性を有した
異種金属膜１８を形成することにより、接続部１４Ｆと
球状接続端子２が接合性の不良なものであっても、その
間に介在する異種金属膜１８により接続部１４Ｆ（延出
部１４Ｆ-1）と球状接続端子２との間における電気的接
合性の向上を図ることができる。
続部１４Ｆ及び球状接続端子２の双方に適合性を有した
異種金属膜１８を形成することにより、接続部１４Ｆと
球状接続端子２が接合性の不良なものであっても、その
間に介在する異種金属膜１８により接続部１４Ｆ（延出
部１４Ｆ-1）と球状接続端子２との間における電気的接
合性の向上を図ることができる。
【００７４】また、半導体装置１の装着時に球状接続端
子２が摺接する部位である延出部１４Ｆ-1の表面部が異
種金属膜１８により覆われた構成となるため、接続部１
４Ｆの保護を図ることもできる。図７は、前記した緩衝
部材１２Ａの変形例を示している。図１に示した半導体
検査装置１０-1に設けられた緩衝部材１２Ａは、前記し
た突起部１５が形成される他は偏平な板状部材であり、
溝や切り込み等は形成されていなかった。
子２が摺接する部位である延出部１４Ｆ-1の表面部が異
種金属膜１８により覆われた構成となるため、接続部１
４Ｆの保護を図ることもできる。図７は、前記した緩衝
部材１２Ａの変形例を示している。図１に示した半導体
検査装置１０-1に設けられた緩衝部材１２Ａは、前記し
た突起部１５が形成される他は偏平な板状部材であり、
溝や切り込み等は形成されていなかった。
【００７５】これに対し図７（Ａ）に示す変形例は、緩
衝部材１２Ｂに多数の切り込み部１９を形成したことを
特徴としており、また図７（Ｂ）に示す変形例は、緩衝
部材１２Ｃを複数の分割部材２０ａ〜２０ｄを組み合わ
せて構成したことを特徴とするものである。このよう
に、緩衝部材１２Ｂに切り込み部１９を形成したことに
より、また緩衝部材１２Ｃを複数（本実施例では４枚）
の分割部材２０ａ〜２０ｄを組み合わせて構成したこと
により、緩衝部材１２Ｂ，１２Ｃの弾性は形状の面から
増大する。即ち、緩衝部材１２Ｂの場合には、切り込み
部１９を設けることにより外力印加時にこの切り込み部
１９が拡大縮小するため、緩衝部材１２Ｂの剛性を低下
させることができる。
衝部材１２Ｂに多数の切り込み部１９を形成したことを
特徴としており、また図７（Ｂ）に示す変形例は、緩衝
部材１２Ｃを複数の分割部材２０ａ〜２０ｄを組み合わ
せて構成したことを特徴とするものである。このよう
に、緩衝部材１２Ｂに切り込み部１９を形成したことに
より、また緩衝部材１２Ｃを複数（本実施例では４枚）
の分割部材２０ａ〜２０ｄを組み合わせて構成したこと
により、緩衝部材１２Ｂ，１２Ｃの弾性は形状の面から
増大する。即ち、緩衝部材１２Ｂの場合には、切り込み
部１９を設けることにより外力印加時にこの切り込み部
１９が拡大縮小するため、緩衝部材１２Ｂの剛性を低下
させることができる。
【００７６】また、緩衝部材１２Ｃの場合には、分割部
材２０ａ〜２０ｄを組み合わせることにより、各分割部
材２０ａ〜２０ｄの境界部分には間隙部２１が形成さ
れ、この間隙部２１は緩衝部材１２Ｂの切り込み部１９
と同様の機能を奏する。よって、緩衝部材１２Ｂ，１２
Ｃの緩衝作用は増大し、これにより接続部１４Ａ〜１４
Ｆの保護をより確実に行うことができる。
材２０ａ〜２０ｄを組み合わせることにより、各分割部
材２０ａ〜２０ｄの境界部分には間隙部２１が形成さ
れ、この間隙部２１は緩衝部材１２Ｂの切り込み部１９
と同様の機能を奏する。よって、緩衝部材１２Ｂ，１２
Ｃの緩衝作用は増大し、これにより接続部１４Ａ〜１４
Ｆの保護をより確実に行うことができる。
【００７７】図８は前記した接続部１４Ａ〜１４Ｆの変
形例を示している。前記した各実施例で示した接続部１
４Ａ〜１４Ｆは、環状部１４Ａ-1〜１４Ｆ-1と延出部１
４Ａ-2〜１４Ｆ-2とにより構成されていた。これに対
し、図８に示す変形例では、接続部１４Ｇの形状をヘッ
ドネイル状の形状としたことを特徴とするものである。
形例を示している。前記した各実施例で示した接続部１
４Ａ〜１４Ｆは、環状部１４Ａ-1〜１４Ｆ-1と延出部１
４Ａ-2〜１４Ｆ-2とにより構成されていた。これに対
し、図８に示す変形例では、接続部１４Ｇの形状をヘッ
ドネイル状の形状としたことを特徴とするものである。
【００７８】具体的には、図８（Ａ）に示す変形例で
は、接続部１４Ｇをヘッドネイル形状とすると共に、そ
の下部の支持フィルム１３を除去した構成とされてい
る。また、図８（Ｂ）に示す変形例では、接続部１４Ｇ
をヘッドネイル形状とすると共に、支持フィルム１３に
接続部１４Ｇを囲繞する環状溝２２を形成し、接続部１
４Ｇの下部に支持フィルム１３が存在するよう構成した
ものである。図８（Ｂ）の構成では、接続部１４Ｇの下
部に支持フィルム１３が存在するが、環状溝２２の存在
により接続部１４Ｇは変形可能な構成となっている。
は、接続部１４Ｇをヘッドネイル形状とすると共に、そ
の下部の支持フィルム１３を除去した構成とされてい
る。また、図８（Ｂ）に示す変形例では、接続部１４Ｇ
をヘッドネイル形状とすると共に、支持フィルム１３に
接続部１４Ｇを囲繞する環状溝２２を形成し、接続部１
４Ｇの下部に支持フィルム１３が存在するよう構成した
ものである。図８（Ｂ）の構成では、接続部１４Ｇの下
部に支持フィルム１３が存在するが、環状溝２２の存在
により接続部１４Ｇは変形可能な構成となっている。
【００７９】上記のように接続部１４Ｇをヘッドネイル
形状とすることにより、接続部１４Ｇは片持ち梁状に支
持された構成となる。よって、接続部１４Ｇは球状接続
端子２の装着により容易に変形し、軽い押圧力で接続部
１４Ｇと球状接続端子２との接続を確実に行うことが可
能となる。また、前記した接続部１４Ａ〜１４Ｆに対し
て耐久性及び形成性において向上を図ることができる。
形状とすることにより、接続部１４Ｇは片持ち梁状に支
持された構成となる。よって、接続部１４Ｇは球状接続
端子２の装着により容易に変形し、軽い押圧力で接続部
１４Ｇと球状接続端子２との接続を確実に行うことが可
能となる。また、前記した接続部１４Ａ〜１４Ｆに対し
て耐久性及び形成性において向上を図ることができる。
【００８０】続いて、本発明の第５及び第６実施例につ
いて説明する。図９（Ａ）は本発明の第５実施例である
半導体検査装置１０-5を示す平面図であり、また図９
（Ｂ）は本発明の第６実施例である半導体検査装置１０
-6を示す平面図である。図９（Ａ）に示す半導体検査装
置１０-5は、支持フィルム１３に切り込み部２３を形成
したことを特徴とするものである。また、図９（Ｂ）に
示す半導体検査装置１０-6は、支持フィルム１３を複数
（本実施例では４枚）の分割フィルム部材２４ａ〜２４
ｄを組み合わせて構成したことを特徴とするものであ
る。
いて説明する。図９（Ａ）は本発明の第５実施例である
半導体検査装置１０-5を示す平面図であり、また図９
（Ｂ）は本発明の第６実施例である半導体検査装置１０
-6を示す平面図である。図９（Ａ）に示す半導体検査装
置１０-5は、支持フィルム１３に切り込み部２３を形成
したことを特徴とするものである。また、図９（Ｂ）に
示す半導体検査装置１０-6は、支持フィルム１３を複数
（本実施例では４枚）の分割フィルム部材２４ａ〜２４
ｄを組み合わせて構成したことを特徴とするものであ
る。
【００８１】図９（Ａ）に示されるように支持フィルム
１３に切り込み部２３を形成したことにより、支持フィ
ルム１３にも弾性を持たせることができる。また図９
（Ｂ）に示されるように複数の分割フィルム部材２４ａ
〜２４ｄを組み合わせて支持フィルム１３を構成するこ
とにより、各分割フィルム部材間に間隙２５を形成させ
ることができる。
１３に切り込み部２３を形成したことにより、支持フィ
ルム１３にも弾性を持たせることができる。また図９
（Ｂ）に示されるように複数の分割フィルム部材２４ａ
〜２４ｄを組み合わせて支持フィルム１３を構成するこ
とにより、各分割フィルム部材間に間隙２５を形成させ
ることができる。
【００８２】よって、半導体装置１が装着された時に発
生する各種応力（例えば、球状接続端子２が接続部１４
Ａ〜１４Ｇを押圧することにより発生する応力、或いは
半導体装置１の発熱により発生する熱応力等）を切り込
み部２３が拡大縮小変形することにより、或いは間隙２
５内で分割フィルム部材２４ａ〜２４ｄが移動すること
により吸収することができる。
生する各種応力（例えば、球状接続端子２が接続部１４
Ａ〜１４Ｇを押圧することにより発生する応力、或いは
半導体装置１の発熱により発生する熱応力等）を切り込
み部２３が拡大縮小変形することにより、或いは間隙２
５内で分割フィルム部材２４ａ〜２４ｄが移動すること
により吸収することができる。
【００８３】これにより、接続部１４Ｇ（１４Ａ〜１４
Ｆ）と球状接続端子２との接触位置に不要な応力が印加
されることを防止することができ、接続部１４Ｇ（１４
Ａ〜１４Ｆ）と球状接続端子２との接続状態を良好な状
態に維持することができる。続いて、本発明の第７及び
第８実施例について説明する。図１０は本発明の第７実
施例である半導体検査装置１０-7を示しており、また図
１１は本発明の第８実施例である半導体検査装置１０-8
を示している。第７及び第８実施例に係る半導体検査装
置１０-7，１０-8は、導体層１１と支持フィルム１３と
により構成される基板３９上に、導体層１１と接続した
電子素子３６〜３８を配設したことを特徴とするもので
ある。
Ｆ）と球状接続端子２との接触位置に不要な応力が印加
されることを防止することができ、接続部１４Ｇ（１４
Ａ〜１４Ｆ）と球状接続端子２との接続状態を良好な状
態に維持することができる。続いて、本発明の第７及び
第８実施例について説明する。図１０は本発明の第７実
施例である半導体検査装置１０-7を示しており、また図
１１は本発明の第８実施例である半導体検査装置１０-8
を示している。第７及び第８実施例に係る半導体検査装
置１０-7，１０-8は、導体層１１と支持フィルム１３と
により構成される基板３９上に、導体層１１と接続した
電子素子３６〜３８を配設したことを特徴とするもので
ある。
【００８４】図１０に示す半導体検査装置１０-7は、基
板３９上に半導体装置３６（ＩＣ）を配設し、このＩＣ
３６と導体層１１とを電気的に接続したものである。ま
た、図１１に示す半導体検査装置１０-8は、基板３９に
コンデンサー３７及び抵抗３８を形成し、これと導体層
１１とを電気的に接続したものである。上記のように、
半導体検査装置１０-7，１０-8を構成する基板３９（導
体層１１，支持フィルム１３）に電子素子３６〜３８を
配設したことにより、インピーダンス整合，或いはイン
ダクタンス整合を容易に行なうことができ、半導体検査
装置１０-7，１０-8に起因した精度誤差の発生を抑制で
き、精度の高い半導体検査を行なうことが可能となる。
板３９上に半導体装置３６（ＩＣ）を配設し、このＩＣ
３６と導体層１１とを電気的に接続したものである。ま
た、図１１に示す半導体検査装置１０-8は、基板３９に
コンデンサー３７及び抵抗３８を形成し、これと導体層
１１とを電気的に接続したものである。上記のように、
半導体検査装置１０-7，１０-8を構成する基板３９（導
体層１１，支持フィルム１３）に電子素子３６〜３８を
配設したことにより、インピーダンス整合，或いはイン
ダクタンス整合を容易に行なうことができ、半導体検査
装置１０-7，１０-8に起因した精度誤差の発生を抑制で
き、精度の高い半導体検査を行なうことが可能となる。
【００８５】更に、半導体検査装置１０-7に能動素子と
して機能するＩＣ３６を配設することにより、半導体検
査装置１０-7自体に半導体検査処理の一部或いは全部を
行なわせることが可能となり、半導体検査用テスターで
実施される検査処理の軽減を図ることができる。続い
て、本発明の第９実施例について説明する。
して機能するＩＣ３６を配設することにより、半導体検
査装置１０-7自体に半導体検査処理の一部或いは全部を
行なわせることが可能となり、半導体検査用テスターで
実施される検査処理の軽減を図ることができる。続い
て、本発明の第９実施例について説明する。
【００８６】図１２は第９実施例に係る半導体検査装置
１０-9を示している。同図に示されるように、本実施例
に係る半導体検査装置１０-9は、緩衝部材１２Ｄの下部
に支持部材４０を設けたことを特徴とするものである。
この支持部材４０は、例えば金属或いは硬質樹脂等の弾
性変形率の低い材料により形成されている。また、図１
２に示す実施例では、支持部材４０及び緩衝部材１２Ｄ
は共に偏平な構成とされている。この支持部材４０は緩
衝部材１２Ｄの下部に配設されるため、緩衝部材１２Ｄ
を支持する機能を奏する。
１０-9を示している。同図に示されるように、本実施例
に係る半導体検査装置１０-9は、緩衝部材１２Ｄの下部
に支持部材４０を設けたことを特徴とするものである。
この支持部材４０は、例えば金属或いは硬質樹脂等の弾
性変形率の低い材料により形成されている。また、図１
２に示す実施例では、支持部材４０及び緩衝部材１２Ｄ
は共に偏平な構成とされている。この支持部材４０は緩
衝部材１２Ｄの下部に配設されるため、緩衝部材１２Ｄ
を支持する機能を奏する。
【００８７】上記のように、緩衝部材１２Ｄを支持する
支持部材４０を設けたことにより、半導体装置１の装着
に伴い弾性変形する緩衝部材１２Ｄを支持部材４０によ
り支持することができる。よって、緩衝部材１２Ｄが必
要以上に変形したり、また所定位置からずれることを防
止することができる。これにより、接続部１４Ａ〜１４
Ｇ（以下、接続部１４Ａ〜１４Ｇの全てを対象とできる
場合には、接続部１４という）と球状接続端子２との接
続を常に安定した状態で行うことができる。
支持部材４０を設けたことにより、半導体装置１の装着
に伴い弾性変形する緩衝部材１２Ｄを支持部材４０によ
り支持することができる。よって、緩衝部材１２Ｄが必
要以上に変形したり、また所定位置からずれることを防
止することができる。これにより、接続部１４Ａ〜１４
Ｇ（以下、接続部１４Ａ〜１４Ｇの全てを対象とできる
場合には、接続部１４という）と球状接続端子２との接
続を常に安定した状態で行うことができる。
【００８８】続いて、本発明の第１０及び第１１実施例
について説明する。図１６は第１０実施例に係る半導体
検査装置１０-10 を示しており、また図１７は第１１実
施例に係る半導体検査装置１０-11 を示している。図１
６に示されるように、第１０実施例に係る半導体検査装
置１０-10 は、緩衝部材１２Ｄの下部に支持部材４０を
設ける共に、この支持部材４０に凹部４１を設けたこと
を特徴としている。
について説明する。図１６は第１０実施例に係る半導体
検査装置１０-10 を示しており、また図１７は第１１実
施例に係る半導体検査装置１０-11 を示している。図１
６に示されるように、第１０実施例に係る半導体検査装
置１０-10 は、緩衝部材１２Ｄの下部に支持部材４０を
設ける共に、この支持部材４０に凹部４１を設けたこと
を特徴としている。
【００８９】また、図１６に示される第１１実施例に係
る半導体検査装置１０-11 は、緩衝部材１２Ｄの下部に
支持部材４０を設ける共に、この支持部材４０に凸部４
２を設けたことを特徴としている。この凹部４１または
凸部４２の形成いは、前記した接続部１４と対向する位
置に選定されている。このように、支持部材４０の接続
部１４と対向する位置に、凹部４１または凸部４２を形
成したことにより、緩衝部材１２Ｄの緩衝機能を有効に
引き出すことができる。即ち、例えば支持部材４０に上
記の凹部４１を形成した場合には、過剰な押圧力をもっ
て球状接続端子２が押圧され、これにより緩衝部材１２
Ｄに大きな変形が発生しても、この大きな変形は凹部４
１により逃がすことができるため、緩衝部材１２Ｄの緩
衝作用を維持させることが可能となる。
る半導体検査装置１０-11 は、緩衝部材１２Ｄの下部に
支持部材４０を設ける共に、この支持部材４０に凸部４
２を設けたことを特徴としている。この凹部４１または
凸部４２の形成いは、前記した接続部１４と対向する位
置に選定されている。このように、支持部材４０の接続
部１４と対向する位置に、凹部４１または凸部４２を形
成したことにより、緩衝部材１２Ｄの緩衝機能を有効に
引き出すことができる。即ち、例えば支持部材４０に上
記の凹部４１を形成した場合には、過剰な押圧力をもっ
て球状接続端子２が押圧され、これにより緩衝部材１２
Ｄに大きな変形が発生しても、この大きな変形は凹部４
１により逃がすことができるため、緩衝部材１２Ｄの緩
衝作用を維持させることが可能となる。
【００９０】また、支持部材４０に凸部４２を形成した
場合には、接続部１４に過剰な押圧力をもって球状接続
端子２が押圧され、これにより緩衝部材１２Ｄが大きく
変形しようとしても、緩衝部材１２Ｄは凸部４２と衝突
してそれ以上の弾性変形が規制されるため緩衝部材１２
Ｄの保護を図ることができる。従って、所望する上記し
た各作用に応じて凹部４１または凸部４２を適宜選定す
ればよい。
場合には、接続部１４に過剰な押圧力をもって球状接続
端子２が押圧され、これにより緩衝部材１２Ｄが大きく
変形しようとしても、緩衝部材１２Ｄは凸部４２と衝突
してそれ以上の弾性変形が規制されるため緩衝部材１２
Ｄの保護を図ることができる。従って、所望する上記し
た各作用に応じて凹部４１または凸部４２を適宜選定す
ればよい。
【００９１】続いて、本発明の第１２乃至第３１実施例
について説明する。前記した各実施例に係る半導体検査
装置１０-1〜１０-11 では、半導体装置１に設けられた
球状接続端子２を半導体検査装置１０-1〜１０-11 に設
けられている接続部１４に圧接して検査を行う構成とさ
れている。従って、球状接続端子２と接続部１４とが精
度よく位置決めされた状態でないと正確な検査を行うこ
とができない。
について説明する。前記した各実施例に係る半導体検査
装置１０-1〜１０-11 では、半導体装置１に設けられた
球状接続端子２を半導体検査装置１０-1〜１０-11 に設
けられている接続部１４に圧接して検査を行う構成とさ
れている。従って、球状接続端子２と接続部１４とが精
度よく位置決めされた状態でないと正確な検査を行うこ
とができない。
【００９２】そこで、次に述べる各実施例では、半導体
装置１（球状接続端子２）と接続部１４との位置決めを
行う位置決め機構を設けたことを特徴としている。以
下、各実施例について説明する。先ず、位置決め機構と
してガイドピンを用いた構成について図１５乃至図２３
を用いて説明する。尚、以下の各実施例で用いるガイド
ピンは、絶縁性を有し、かつ熱膨張係数の低い材質であ
ることが望ましい。
装置１（球状接続端子２）と接続部１４との位置決めを
行う位置決め機構を設けたことを特徴としている。以
下、各実施例について説明する。先ず、位置決め機構と
してガイドピンを用いた構成について図１５乃至図２３
を用いて説明する。尚、以下の各実施例で用いるガイド
ピンは、絶縁性を有し、かつ熱膨張係数の低い材質であ
ることが望ましい。
【００９３】図１５に示す第１２実施例に係る半導体検
査装置１０-12 は、導体層１１及び支持フィルム１３よ
りなる基板３９の上部に、ガイドピン５０-1を立設した
ことを特徴とするものである。このガイドピン５０-1の
配設位置は、正規に装着された半導体装置１の外周位置
と対応するよう構成されている。よって、ガイドピン５
０-1に案内されるよう半導体装置１を半導体検査装置１
０-12 に装着することにより、球状接続端子２と接続部
１４との位置決めを行うことができる。尚、ガイドピン
５０-1の先端部には、半導体装置１の装着を容易とする
ためにテーパ部５１が形成されている。
査装置１０-12 は、導体層１１及び支持フィルム１３よ
りなる基板３９の上部に、ガイドピン５０-1を立設した
ことを特徴とするものである。このガイドピン５０-1の
配設位置は、正規に装着された半導体装置１の外周位置
と対応するよう構成されている。よって、ガイドピン５
０-1に案内されるよう半導体装置１を半導体検査装置１
０-12 に装着することにより、球状接続端子２と接続部
１４との位置決めを行うことができる。尚、ガイドピン
５０-1の先端部には、半導体装置１の装着を容易とする
ためにテーパ部５１が形成されている。
【００９４】また、図１６に示す第１３実施例に係る半
導体検査装置１０-13 は、半導体装置１にガイドピン５
０-2を設けると共に、基板３９上にガイドピン５０-2が
嵌入される位置決め孔５２-1を有したガイド５３-1を設
けたことを特徴とするものである。この構成では、半導
体装置１に設けられたガイドピン５０-2をガイド５３-1
に設けられた位置決め孔５２-1に嵌入することにより、
球状接続端子２と接続部１４との位置決めが行われる。
導体検査装置１０-13 は、半導体装置１にガイドピン５
０-2を設けると共に、基板３９上にガイドピン５０-2が
嵌入される位置決め孔５２-1を有したガイド５３-1を設
けたことを特徴とするものである。この構成では、半導
体装置１に設けられたガイドピン５０-2をガイド５３-1
に設けられた位置決め孔５２-1に嵌入することにより、
球状接続端子２と接続部１４との位置決めが行われる。
【００９５】また、図１７に示す第１４実施例に係る半
導体検査装置１０-14 は、半導体装置１に位置決め孔５
２-2を形成すると共に、基板３９上に配設されたガイド
５３-2にガイドピン５０-3を設けたことを特徴とするも
のである。この構成では、ガイド５３-2に立設されたガ
イドピン５０-3を半導体装置１に形成された位置決め孔
５２-2に嵌入することにより、球状接続端子２と接続部
１４との位置決めが行われる。
導体検査装置１０-14 は、半導体装置１に位置決め孔５
２-2を形成すると共に、基板３９上に配設されたガイド
５３-2にガイドピン５０-3を設けたことを特徴とするも
のである。この構成では、ガイド５３-2に立設されたガ
イドピン５０-3を半導体装置１に形成された位置決め孔
５２-2に嵌入することにより、球状接続端子２と接続部
１４との位置決めが行われる。
【００９６】また、図１８に示す第１５実施例に係る半
導体検査装置１０-15 は、基板３９（導体層１１及び支
持フィルム１３とよりなる）、緩衝部材１２Ｄ、及び支
持部材４０の位置決めを行うためにガイドピン５０-4を
用いている。このため、図１８（Ａ）に示されるよう
に、基板３９の所定位置には位置決め孔５２-3が、緩衝
部材１２Ｄの所定位置には位置決め孔５２-4が、更に支
持部材４０の所定位置には位置決め孔５２-5が夫々形成
されている。
導体検査装置１０-15 は、基板３９（導体層１１及び支
持フィルム１３とよりなる）、緩衝部材１２Ｄ、及び支
持部材４０の位置決めを行うためにガイドピン５０-4を
用いている。このため、図１８（Ａ）に示されるよう
に、基板３９の所定位置には位置決め孔５２-3が、緩衝
部材１２Ｄの所定位置には位置決め孔５２-4が、更に支
持部材４０の所定位置には位置決め孔５２-5が夫々形成
されている。
【００９７】位置決め処理を行うには、図１８（Ｂ）に
示されるように、各位置決め孔５２-3〜５２-5を貫通す
るようガイドピン５０-4を挿入する。これにより、基板
３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持部材４０はガイドピン
５０-4により位置規制され、よって相互に位置決めされ
た状態となる。半導体装置１に対し精度の高い検査を行
うためには、このように基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及
び支持部材４０が相互に位置決めされることが重要であ
る。
示されるように、各位置決め孔５２-3〜５２-5を貫通す
るようガイドピン５０-4を挿入する。これにより、基板
３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持部材４０はガイドピン
５０-4により位置規制され、よって相互に位置決めされ
た状態となる。半導体装置１に対し精度の高い検査を行
うためには、このように基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及
び支持部材４０が相互に位置決めされることが重要であ
る。
【００９８】また、図１９に示す第１６実施例に係る半
導体検査装置１０-16 は、前記した第１５実施例と同様
に、基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持部材４０の位
置決めを行うためにガイドピン５０-5を用いている。更
に、本実施例の半導体検査装置１０-16 では、ガイドピ
ン５０-5を半導体装置１の案内部材としても機能させて
いることを特徴とするものである。
導体検査装置１０-16 は、前記した第１５実施例と同様
に、基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持部材４０の位
置決めを行うためにガイドピン５０-5を用いている。更
に、本実施例の半導体検査装置１０-16 では、ガイドピ
ン５０-5を半導体装置１の案内部材としても機能させて
いることを特徴とするものである。
【００９９】具体的には、ガイドピン５０-5を基板３
９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持部材４０に挿入装着した
状態で、ガイドピン５０-5の内側面が所定装着位置に装
着された半導体装置１の外周位置に一致するよう構成さ
れている。上記構成とすることにより、基板３９、緩衝
部材１２Ｄ、及び支持部材４０に挿入装着された状態の
ガイドピン５０-5に案内されるよう半導体装置１を半導
体検査装置１０-16 に装着することにより、球状接続端
子２と接続部１４との位置決めを行うことができる。
尚、ガイドピン５０-5の先端部は、半導体装置１の装着
を容易とするために半球形状とされている。
９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持部材４０に挿入装着した
状態で、ガイドピン５０-5の内側面が所定装着位置に装
着された半導体装置１の外周位置に一致するよう構成さ
れている。上記構成とすることにより、基板３９、緩衝
部材１２Ｄ、及び支持部材４０に挿入装着された状態の
ガイドピン５０-5に案内されるよう半導体装置１を半導
体検査装置１０-16 に装着することにより、球状接続端
子２と接続部１４との位置決めを行うことができる。
尚、ガイドピン５０-5の先端部は、半導体装置１の装着
を容易とするために半球形状とされている。
【０１００】また、図２０に示す第１７実施例に係る半
導体検査装置１０-17 は、緩衝部材１２Ａと基板３９
（導体層１１及び支持フィルム１３とよりなる）が一体
化した構成において、更にステージ５４を設けると共
に、このステージ５４にガイドピン５０-6を立設させた
ことを特徴とするものである。緩衝部材１２Ａ及び基板
３９には、予め位置決め孔５２-6が形成されている。従
って、ガイドピン５０-6がこの位置決め孔５２-6を貫通
するよう半導体検査装置１０-17 をステージ５４に装着
することにより、ステージ５４に対し半導体検査装置１
０-17 を位置決めを行うことができる。
導体検査装置１０-17 は、緩衝部材１２Ａと基板３９
（導体層１１及び支持フィルム１３とよりなる）が一体
化した構成において、更にステージ５４を設けると共
に、このステージ５４にガイドピン５０-6を立設させた
ことを特徴とするものである。緩衝部材１２Ａ及び基板
３９には、予め位置決め孔５２-6が形成されている。従
って、ガイドピン５０-6がこの位置決め孔５２-6を貫通
するよう半導体検査装置１０-17 をステージ５４に装着
することにより、ステージ５４に対し半導体検査装置１
０-17 を位置決めを行うことができる。
【０１０１】尚、図２０（Ａ）は、半導体検査装置１０
-17 がステージ５４に装着される前の状態を示し、図２
０（Ｂ）は半導体検査装置１０-17 がステージ５４に装
着された後の状態を示している。また、図２１に示す第
１８実施例に係る半導体検査装置１０-18 は、前記した
第１７実施例と同様に、緩衝部材１２Ａ及び基板３９と
ステージ５４の位置決めを行うためにガイドピン５０-7
を用いている。更に、本実施例の半導体検査装置１０-1
8 では、ガイドピン５０-7を半導体装置１の案内部材と
しても機能させていることを特徴とするものである。
-17 がステージ５４に装着される前の状態を示し、図２
０（Ｂ）は半導体検査装置１０-17 がステージ５４に装
着された後の状態を示している。また、図２１に示す第
１８実施例に係る半導体検査装置１０-18 は、前記した
第１７実施例と同様に、緩衝部材１２Ａ及び基板３９と
ステージ５４の位置決めを行うためにガイドピン５０-7
を用いている。更に、本実施例の半導体検査装置１０-1
8 では、ガイドピン５０-7を半導体装置１の案内部材と
しても機能させていることを特徴とするものである。
【０１０２】具体的には、ガイドピン５０-7を緩衝部材
１２Ａ及び基板３９に挿入装着した状態で、ガイドピン
５０-7の内側面が所定装着位置に装着された半導体装置
１の外周位置に一致するよう構成されている。上記構成
とすることにより、緩衝部材１２Ａ及び基板３９に挿入
装着された状態のガイドピン５０-7に案内されるよう半
導体装置１を半導体検査装置１０-18に装着することに
より、球状接続端子２と接続部１４との位置決めを行う
ことができる。尚、ガイドピン５０-7の先端部は、半導
体装置１の装着を容易とするために半球形状とされてい
る。
１２Ａ及び基板３９に挿入装着した状態で、ガイドピン
５０-7の内側面が所定装着位置に装着された半導体装置
１の外周位置に一致するよう構成されている。上記構成
とすることにより、緩衝部材１２Ａ及び基板３９に挿入
装着された状態のガイドピン５０-7に案内されるよう半
導体装置１を半導体検査装置１０-18に装着することに
より、球状接続端子２と接続部１４との位置決めを行う
ことができる。尚、ガイドピン５０-7の先端部は、半導
体装置１の装着を容易とするために半球形状とされてい
る。
【０１０３】また、図２２に示す第１９実施例に係る半
導体検査装置１０-19 は、基板３９（導体層１１及び支
持フィルム１３とよりなる）、緩衝部材１２Ｄ、及び支
持部材４０の位置決めを行うためのガイドピン５０-8を
支持部材４０に立設したことを特徴とするものである。
このため、本実施例に係る半導体検査装置１０-19 で
は、図２２（Ａ）に示されるように、基板３９及び緩衝
部材１２Ｄにのみ位置決め孔５２-7, ５２-8が形成され
ている。
導体検査装置１０-19 は、基板３９（導体層１１及び支
持フィルム１３とよりなる）、緩衝部材１２Ｄ、及び支
持部材４０の位置決めを行うためのガイドピン５０-8を
支持部材４０に立設したことを特徴とするものである。
このため、本実施例に係る半導体検査装置１０-19 で
は、図２２（Ａ）に示されるように、基板３９及び緩衝
部材１２Ｄにのみ位置決め孔５２-7, ５２-8が形成され
ている。
【０１０４】位置決め処理を行うには、図２２（Ｂ）に
示されるように、各位置決め孔５２-7, ５２-8を貫通す
るよう支持部材４０に立設されたガイドピン５０-8を挿
入する。これにより、基板３９、緩衝部材１２Ｄはガイ
ドピン５０-8により位置規制され、よって支持部材４０
と基板３９及び緩衝部材１２Ｄとの位置決めも行われ
る。
示されるように、各位置決め孔５２-7, ５２-8を貫通す
るよう支持部材４０に立設されたガイドピン５０-8を挿
入する。これにより、基板３９、緩衝部材１２Ｄはガイ
ドピン５０-8により位置規制され、よって支持部材４０
と基板３９及び緩衝部材１２Ｄとの位置決めも行われ
る。
【０１０５】前記したように、半導体装置１に対し精度
の高い検査を行うためには、このように基板３９、緩衝
部材１２Ｄ、及び支持部材４０が相互に位置決めされる
ことが重要であり、よって本実施例の構成とすることに
よっても半導体装置１に対し精度の高い検査を行うこと
ができる。また、ガイドピン５０-8が支持部材４０に配
設された構成であるため、ガイドピン５０-8の紛失も防
止することができる。
の高い検査を行うためには、このように基板３９、緩衝
部材１２Ｄ、及び支持部材４０が相互に位置決めされる
ことが重要であり、よって本実施例の構成とすることに
よっても半導体装置１に対し精度の高い検査を行うこと
ができる。また、ガイドピン５０-8が支持部材４０に配
設された構成であるため、ガイドピン５０-8の紛失も防
止することができる。
【０１０６】また、図２３に示す第２０実施例に係る半
導体検査装置１０-20 は、前記した第１９実施例と同様
に、基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持部材４０の位
置決めを行うために支持部材４０に立設されたガイドピ
ン５０-9を用いている。更に、本実施例の半導体検査装
置１０-20 では、ガイドピン５０-9を半導体装置１の案
内部材としても機能させていることを特徴とするもので
ある。
導体検査装置１０-20 は、前記した第１９実施例と同様
に、基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持部材４０の位
置決めを行うために支持部材４０に立設されたガイドピ
ン５０-9を用いている。更に、本実施例の半導体検査装
置１０-20 では、ガイドピン５０-9を半導体装置１の案
内部材としても機能させていることを特徴とするもので
ある。
【０１０７】具体的には、ガイドピン５０-9を基板３
９、緩衝部材１２Ｄに挿入装着した状態で、ガイドピン
５０-9の内側面が所定装着位置に装着された半導体装置
１の外周位置に一致するよう構成されている。上記構成
とすることにより、ガイドピン５０-9に案内されるよう
半導体装置１を半導体検査装置１０-20 に装着すること
により、球状接続端子２と接続部１４との位置決めを行
うことができる。尚、ガイドピン５０-9の先端部は、半
導体装置１の装着を容易とするために半球形状とされて
いる。
９、緩衝部材１２Ｄに挿入装着した状態で、ガイドピン
５０-9の内側面が所定装着位置に装着された半導体装置
１の外周位置に一致するよう構成されている。上記構成
とすることにより、ガイドピン５０-9に案内されるよう
半導体装置１を半導体検査装置１０-20 に装着すること
により、球状接続端子２と接続部１４との位置決めを行
うことができる。尚、ガイドピン５０-9の先端部は、半
導体装置１の装着を容易とするために半球形状とされて
いる。
【０１０８】上記してきた第１２乃至第３０実施例によ
れば、位置決め機構としてガイドピン５０-1〜５０-9を
用いた構成としているため、簡単な構成で球状接続端子
２と接続部１４との位置決めを行うことが可能となる。
続いて、位置決め機構としてガイドピン付きフレームを
用いた構成について図２４乃至図３０を用いて説明す
る。
れば、位置決め機構としてガイドピン５０-1〜５０-9を
用いた構成としているため、簡単な構成で球状接続端子
２と接続部１４との位置決めを行うことが可能となる。
続いて、位置決め機構としてガイドピン付きフレームを
用いた構成について図２４乃至図３０を用いて説明す
る。
【０１０９】図２４は、第２１実施例に係る半導体検査
装置１０-21 を示している。本実施例では、基板３９
（導体層１１及び支持フィルム１３とよりなる）、緩衝
部材１２Ｄ、及び支持部材４０の位置決めを行うため、
枠状のフレームを有したガイドピン付きフレーム６０-1
を用いていることを特徴とするものである。本実施例で
用いているガイドピン付きフレーム６０-1は、フレーム
として機能する枠体部６１と、この枠体部６１に配設さ
れたガイドピン部６２とにより構成されている。枠体部
６１は、図２４（Ｂ），（Ｃ）に示されるように内部に
空間部６３を有した枠形状とされており、その空間部６
３の形状は半導体装置１の外形と対応するよう構成され
ている。また、ガイドピン部６２は、この枠体部６１の
四隅位置から下方に向け延出させた構成とされている。
装置１０-21 を示している。本実施例では、基板３９
（導体層１１及び支持フィルム１３とよりなる）、緩衝
部材１２Ｄ、及び支持部材４０の位置決めを行うため、
枠状のフレームを有したガイドピン付きフレーム６０-1
を用いていることを特徴とするものである。本実施例で
用いているガイドピン付きフレーム６０-1は、フレーム
として機能する枠体部６１と、この枠体部６１に配設さ
れたガイドピン部６２とにより構成されている。枠体部
６１は、図２４（Ｂ），（Ｃ）に示されるように内部に
空間部６３を有した枠形状とされており、その空間部６
３の形状は半導体装置１の外形と対応するよう構成され
ている。また、ガイドピン部６２は、この枠体部６１の
四隅位置から下方に向け延出させた構成とされている。
【０１１０】また、図２４（Ａ）に示されるように、基
板３９の所定位置には位置決め孔５２-3が、緩衝部材１
２Ｄの所定位置には位置決め孔５２-4が、更に支持部材
４０の所定位置には位置決め孔５２-5が夫々形成されて
いる。この各位置決め孔５２-3〜５２-5の形成位置は、
ガイドピン付きフレーム６０-1に設けられたガイドピン
部６２の形成位置と対応するよう構成されている。
板３９の所定位置には位置決め孔５２-3が、緩衝部材１
２Ｄの所定位置には位置決め孔５２-4が、更に支持部材
４０の所定位置には位置決め孔５２-5が夫々形成されて
いる。この各位置決め孔５２-3〜５２-5の形成位置は、
ガイドピン付きフレーム６０-1に設けられたガイドピン
部６２の形成位置と対応するよう構成されている。
【０１１１】上記構成とされた半導体検査装置１０-21
において位置決め処理を行うには、図２４（Ｄ）に示さ
れるように、各位置決め孔５２-3〜５２-5に対しガイド
ピン付きフレーム６０-1のガイドピン部６２を挿入す
る。これにより、基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持
部材４０はガイドピン６２により位置規制され、よって
相互に位置決めされた状態となる。
において位置決め処理を行うには、図２４（Ｄ）に示さ
れるように、各位置決め孔５２-3〜５２-5に対しガイド
ピン付きフレーム６０-1のガイドピン部６２を挿入す
る。これにより、基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持
部材４０はガイドピン６２により位置規制され、よって
相互に位置決めされた状態となる。
【０１１２】更に、前記したように、ガイドピン付きフ
レーム６０-1には半導体装置１の外形に対応した空間部
６３が形成された枠体部６１が形成されているため、こ
の枠体部６１により半導体装置１の位置決めを行うこと
ができる。よって、本実施例に係る半導体検査装置１０
-21 によれば、基板３９，緩衝部材１２Ｄ，支持部材４
０，及び半導体装置１の位置決めを容易に行うことがで
き、半導体装置１に対して精度の高い検査を行うことが
可能となる。
レーム６０-1には半導体装置１の外形に対応した空間部
６３が形成された枠体部６１が形成されているため、こ
の枠体部６１により半導体装置１の位置決めを行うこと
ができる。よって、本実施例に係る半導体検査装置１０
-21 によれば、基板３９，緩衝部材１２Ｄ，支持部材４
０，及び半導体装置１の位置決めを容易に行うことがで
き、半導体装置１に対して精度の高い検査を行うことが
可能となる。
【０１１３】尚、図２４では半導体装置１と接続部１４
とが既に接続された後にガイドピン付きフレーム６０-1
を装着し位置決めを行う構成を示した。しかるに、先ず
ガイドピン付きフレーム６０-1を装着することにより基
板３９，緩衝部材１２Ｄ，支持部材４０の位置決めを行
っておき、その後に枠体部６１を指標として半導体装置
１を装着して位置決めを行う構成としてもよい。
とが既に接続された後にガイドピン付きフレーム６０-1
を装着し位置決めを行う構成を示した。しかるに、先ず
ガイドピン付きフレーム６０-1を装着することにより基
板３９，緩衝部材１２Ｄ，支持部材４０の位置決めを行
っておき、その後に枠体部６１を指標として半導体装置
１を装着して位置決めを行う構成としてもよい。
【０１１４】図２５は、第２２実施例に係る半導体検査
装置１０-22 を示している。本実施例で用いるガイドピ
ン付きフレーム６０-2は、フレーム部６４が半導体装置
１を覆うよう保持する構成とされており、かつ、このフ
レーム部６４の内壁に半導体装置１の位置決めを行うテ
ーパ面６５を形成したことを特徴とするものである。ま
た、フレーム部６４の四隅下部からはガイドピン部６２
が下方に向け延出するよう配設されている。
装置１０-22 を示している。本実施例で用いるガイドピ
ン付きフレーム６０-2は、フレーム部６４が半導体装置
１を覆うよう保持する構成とされており、かつ、このフ
レーム部６４の内壁に半導体装置１の位置決めを行うテ
ーパ面６５を形成したことを特徴とするものである。ま
た、フレーム部６４の四隅下部からはガイドピン部６２
が下方に向け延出するよう配設されている。
【０１１５】また、本実施例においても、図２５（Ａ）
に示されるように、基板３９の所定位置には位置決め孔
５２-3が、緩衝部材１２Ｄの所定位置には位置決め孔５
２-4が、更に支持部材４０の所定位置には位置決め孔５
２-5が夫々形成されている。この各位置決め孔５２-3〜
５２-5の形成位置は、ガイドピン付きフレーム６０-2に
設けられたガイドピン部６２の形成位置と対応するよう
構成されている。
に示されるように、基板３９の所定位置には位置決め孔
５２-3が、緩衝部材１２Ｄの所定位置には位置決め孔５
２-4が、更に支持部材４０の所定位置には位置決め孔５
２-5が夫々形成されている。この各位置決め孔５２-3〜
５２-5の形成位置は、ガイドピン付きフレーム６０-2に
設けられたガイドピン部６２の形成位置と対応するよう
構成されている。
【０１１６】上記構成とされた半導体検査装置１０-22
において位置決め処理を行うには、図２５（Ｂ）に示さ
れるように、各位置決め孔５２-3〜５２-5に対しガイド
ピン付きフレーム６０-2のガイドピン部６２を挿入す
る。これにより、基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持
部材４０はガイドピン６２により位置規制され、よって
相互に位置決めされた状態となる。
において位置決め処理を行うには、図２５（Ｂ）に示さ
れるように、各位置決め孔５２-3〜５２-5に対しガイド
ピン付きフレーム６０-2のガイドピン部６２を挿入す
る。これにより、基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び支持
部材４０はガイドピン６２により位置規制され、よって
相互に位置決めされた状態となる。
【０１１７】更に、前記したようにガイドピン付きフレ
ーム６０-1を構成するフレーム部６４の内壁にはテーパ
面６５が形成されているため、ガイドピン付きフレーム
６０-2の装着動作に伴い半導体装置１の上面外周部分は
このテーパ面６５と係合し、これにより半導体装置１の
位置決め処理が行われる。よって、本実施例に係る半導
体検査装置１０-22 によれば、基板３９，緩衝部材１２
Ｄ，支持部材４０，及び半導体装置１の位置決めを容易
に行うことができ、半導体装置１に対して精度の高い検
査を行うことが可能となる。
ーム６０-1を構成するフレーム部６４の内壁にはテーパ
面６５が形成されているため、ガイドピン付きフレーム
６０-2の装着動作に伴い半導体装置１の上面外周部分は
このテーパ面６５と係合し、これにより半導体装置１の
位置決め処理が行われる。よって、本実施例に係る半導
体検査装置１０-22 によれば、基板３９，緩衝部材１２
Ｄ，支持部材４０，及び半導体装置１の位置決めを容易
に行うことができ、半導体装置１に対して精度の高い検
査を行うことが可能となる。
【０１１８】図２６は、第２３実施例に係る半導体検査
装置１０-23 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-23 は、上記した第２２実施例に係る半導体検
査装置１０-22 と基本構成は同一であるが、ガイドピン
付きフレーム６０-2を構成するフレーム部６４の内壁
で、半導体装置１の上面と対向する位置にエラストマー
６６を配設したことを特徴とするものである。エラスト
マー６６は可撓性を有する材質（例えば、シリコンゴム
等）により構成されており、緩衝機能を有している。
装置１０-23 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-23 は、上記した第２２実施例に係る半導体検
査装置１０-22 と基本構成は同一であるが、ガイドピン
付きフレーム６０-2を構成するフレーム部６４の内壁
で、半導体装置１の上面と対向する位置にエラストマー
６６を配設したことを特徴とするものである。エラスト
マー６６は可撓性を有する材質（例えば、シリコンゴム
等）により構成されており、緩衝機能を有している。
【０１１９】従って、フレーム部６４と半導体装置１と
の間にエラストマー６６を介在させることにより、ガイ
ドピン付きフレーム６０-2が強く基板３９に向け押圧さ
れた場合であっても、この押圧力は緩衝部材１２Ｄに加
えエラストマー６６によっても緩衝される。このため、
球状接続端子２と接続部１４との接続部分に過剰な応力
が発生することを防止でき、球状接続端子２の損傷及び
変形の発生を防止することができる。
の間にエラストマー６６を介在させることにより、ガイ
ドピン付きフレーム６０-2が強く基板３９に向け押圧さ
れた場合であっても、この押圧力は緩衝部材１２Ｄに加
えエラストマー６６によっても緩衝される。このため、
球状接続端子２と接続部１４との接続部分に過剰な応力
が発生することを防止でき、球状接続端子２の損傷及び
変形の発生を防止することができる。
【０１２０】図２７は、第２４実施例に係る半導体検査
装置１０-24 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-24 は、ガイドピン付きフレーム６０-3を構成
するフレーム部６４の内部に半導体装置１の調芯処理を
行う調芯機構６７を設けたことを特徴とするものであ
る。この調芯機構６７は、半導体装置１の上面と係合す
る係合部６８と、この係合部６８を揺動可能にフレーム
部６４に連結する揺動アーム６９とにより構成されてい
る。
装置１０-24 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-24 は、ガイドピン付きフレーム６０-3を構成
するフレーム部６４の内部に半導体装置１の調芯処理を
行う調芯機構６７を設けたことを特徴とするものであ
る。この調芯機構６７は、半導体装置１の上面と係合す
る係合部６８と、この係合部６８を揺動可能にフレーム
部６４に連結する揺動アーム６９とにより構成されてい
る。
【０１２１】この調芯機構６７は、球状接続端子２が所
定接続部１４に接続するために半導体装置１が横方向に
変位した場合、これに追随して係合部６８を変位しうる
構成となっている。このように、球状接続端子２が接続
部１４に位置するよう調芯処理を行う調芯機構６７を設
けることにより、フレーム部６４に半導体装置１が挿入
された直後において球状接続端子２と接続部１４との位
置がずれていても、調芯機構６７が調芯処理を行うこと
により、球状接続端子２と接続部１４との位置合わせを
行うことができる。
定接続部１４に接続するために半導体装置１が横方向に
変位した場合、これに追随して係合部６８を変位しうる
構成となっている。このように、球状接続端子２が接続
部１４に位置するよう調芯処理を行う調芯機構６７を設
けることにより、フレーム部６４に半導体装置１が挿入
された直後において球状接続端子２と接続部１４との位
置がずれていても、調芯機構６７が調芯処理を行うこと
により、球状接続端子２と接続部１４との位置合わせを
行うことができる。
【０１２２】図２８は、第２５実施例に係る半導体検査
装置１０-25 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-25 は、ガイドピン付きフレーム６０-2を構成
するフレーム部６４と、半導体装置１の上面と係合する
係合部６８との間にコイルスプリング７０を設けたこと
を特徴とするものである。このコイルスプリング７０
は、装着状態における半導体装置１を基板３９（導体層
１１）に向け付勢する付勢機構として機能する。
装置１０-25 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-25 は、ガイドピン付きフレーム６０-2を構成
するフレーム部６４と、半導体装置１の上面と係合する
係合部６８との間にコイルスプリング７０を設けたこと
を特徴とするものである。このコイルスプリング７０
は、装着状態における半導体装置１を基板３９（導体層
１１）に向け付勢する付勢機構として機能する。
【０１２３】このようにフレーム部６４と係合部６８と
の間にコイルスプリング７０を設けたことにより、球状
接続端子２と接続部１４との間には常に所定の付勢力が
作用する。よって、球状接続端子２と接続部１４との電
気的接続性を向上させることができると共に、測定時に
おいて球状接続端子２が接続部１４からずれることを防
止することができる。
の間にコイルスプリング７０を設けたことにより、球状
接続端子２と接続部１４との間には常に所定の付勢力が
作用する。よって、球状接続端子２と接続部１４との電
気的接続性を向上させることができると共に、測定時に
おいて球状接続端子２が接続部１４からずれることを防
止することができる。
【０１２４】図２９は、第２６実施例に係る半導体検査
装置１０-26 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-26 は、図２７に示した第２４実施例の半導体
検査装置１０-24 において、係合部６８と半導体装置１
の上面との間にエラストマー６６を介装したことを特徴
とするものである。よって本実施例によれば、先に説明
した第２３実施例の効果と第２４実施例の効果とを共に
実現させることができる。
装置１０-26 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-26 は、図２７に示した第２４実施例の半導体
検査装置１０-24 において、係合部６８と半導体装置１
の上面との間にエラストマー６６を介装したことを特徴
とするものである。よって本実施例によれば、先に説明
した第２３実施例の効果と第２４実施例の効果とを共に
実現させることができる。
【０１２５】図３０は、第２７実施例に係る半導体検査
装置１０-27 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-27 は、図２８に示した第２５実施例の半導体
検査装置１０-25 において、係合部６８と半導体装置１
の上面との間にエラストマー６６を介装したことを特徴
とするものである。よって本実施例によれば、先に説明
した第２３実施例の効果と第２５実施例の効果とを共に
実現させることができる。
装置１０-27 を示している。本実施例に係る半導体検査
装置１０-27 は、図２８に示した第２５実施例の半導体
検査装置１０-25 において、係合部６８と半導体装置１
の上面との間にエラストマー６６を介装したことを特徴
とするものである。よって本実施例によれば、先に説明
した第２３実施例の効果と第２５実施例の効果とを共に
実現させることができる。
【０１２６】続いて、位置決め機構として位置決め基板
を用いた構成について図３１乃至図３６を用いて説明す
る。図３１は本発明の第２８実施例である半導体検査装
置１０-28 を示している。本実施例では、半導体装置１
に設けられた球状接続端子２と接続部１４を位置決めす
るのに、複数の凹部８１が形成された位置決め基板８０
-1を用いたことを特徴とするものである。
を用いた構成について図３１乃至図３６を用いて説明す
る。図３１は本発明の第２８実施例である半導体検査装
置１０-28 を示している。本実施例では、半導体装置１
に設けられた球状接続端子２と接続部１４を位置決めす
るのに、複数の凹部８１が形成された位置決め基板８０
-1を用いたことを特徴とするものである。
【０１２７】図３１（Ａ）に示されるように、位置決め
基板８０-1は絶縁材料よりなる平板状の基板本体８２に
円錐台状の凹部８１が形成された構成とされており、ま
た凹部８１の形成位置は球状接続端子２と接続部１４と
が接続される規定位置に対応するよう形成されている。
また、位置決め基板８０-1は導体層１１及び支持フィル
ム１３により構成される基板３９の上部に位置決めされ
た上で配設される。
基板８０-1は絶縁材料よりなる平板状の基板本体８２に
円錐台状の凹部８１が形成された構成とされており、ま
た凹部８１の形成位置は球状接続端子２と接続部１４と
が接続される規定位置に対応するよう形成されている。
また、位置決め基板８０-1は導体層１１及び支持フィル
ム１３により構成される基板３９の上部に位置決めされ
た上で配設される。
【０１２８】上記構成とされた半導体検査装置１０-28
において、球状接続端子２と接続部１４とを位置決めす
るには、単に半導体装置１を位置決め基板８０-1上に載
置する。前記したように、位置決め基板８０-1に形成さ
れた凹部８１は球状接続端子２と接続部１４とが接続さ
れる規定位置に形成されており、かつ円錐台形状となっ
ている。よって、半導体装置１を位置決め基板８０-1上
に載置することにより、球状接続端子２は凹部８１に案
内されて接続部１４と接続する（球状接続端子２と接続
部１４とが接続された状態を図３１（Ｂ）に示す）。
において、球状接続端子２と接続部１４とを位置決めす
るには、単に半導体装置１を位置決め基板８０-1上に載
置する。前記したように、位置決め基板８０-1に形成さ
れた凹部８１は球状接続端子２と接続部１４とが接続さ
れる規定位置に形成されており、かつ円錐台形状となっ
ている。よって、半導体装置１を位置決め基板８０-1上
に載置することにより、球状接続端子２は凹部８１に案
内されて接続部１４と接続する（球状接続端子２と接続
部１４とが接続された状態を図３１（Ｂ）に示す）。
【０１２９】このように、本実施例の構成の半導体検査
装置１０-28 では、単に球状接続端子２を凹部８１に挿
入するよう半導体装置１を位置決め基板８０-1に装着す
るだけで球状接続端子２と接続部１４との位置決めを行
うことができる。よって、球状接続端子２と接続部１４
との位置決めを容易にかつ効率的に行うことが可能とな
る。
装置１０-28 では、単に球状接続端子２を凹部８１に挿
入するよう半導体装置１を位置決め基板８０-1に装着す
るだけで球状接続端子２と接続部１４との位置決めを行
うことができる。よって、球状接続端子２と接続部１４
との位置決めを容易にかつ効率的に行うことが可能とな
る。
【０１３０】図３２は本発明の第２９実施例である半導
体検査装置１０-29 を示している。本実施例では、球状
接続端子２と接続部１４との位置決めを行なうの振動を
利用したことを特徴とするものである。具体的には、本
実施例では位置決め基板８０-1には振動発生装置（図示
せず）が接続されており、この振動発生装置を駆動する
ことにより位置決め基板８０-1を振動させることができ
る構成となっている。
体検査装置１０-29 を示している。本実施例では、球状
接続端子２と接続部１４との位置決めを行なうの振動を
利用したことを特徴とするものである。具体的には、本
実施例では位置決め基板８０-1には振動発生装置（図示
せず）が接続されており、この振動発生装置を駆動する
ことにより位置決め基板８０-1を振動させることができ
る構成となっている。
【０１３１】図３２（Ａ）に示すように、位置決め基板
８０-1を振動させることにより、半導体装置１は位置決
め基板８０-1上で相対的に移動（振動）する。そしてこ
の振動により、図３２（Ｂ）示されるように球状端子部
２は位置決め基板８０-1に形成されている凹部８１に嵌
入して位置決めが行われる。よって、本実施例に係る半
導体検査装置１０-29 によれば、球状接続端子２と接続
部１４との位置決めを容易かつ自動的に行なうことがで
きる。
８０-1を振動させることにより、半導体装置１は位置決
め基板８０-1上で相対的に移動（振動）する。そしてこ
の振動により、図３２（Ｂ）示されるように球状端子部
２は位置決め基板８０-1に形成されている凹部８１に嵌
入して位置決めが行われる。よって、本実施例に係る半
導体検査装置１０-29 によれば、球状接続端子２と接続
部１４との位置決めを容易かつ自動的に行なうことがで
きる。
【０１３２】図３３は本発明の第３０実施例である半導
体検査装置１０-30 を示している。本実施例では、位置
決め基板８０-2に真空吸引装置（真空ポンプ）に接続れ
さた吸引通路８３が形成されており、この吸引通路８３
は凹部８１内に吸引口を有した構成とされている。従っ
て、真空ポンプを駆動して吸引通路８３を介して吸引口
より球状接続端子２を吸引することにより、球状接続端
子２は強制的に凹部８１内に吸引され、よって凹部８１
に球状接続端子２を精度良く位置決めすることができ
る。
体検査装置１０-30 を示している。本実施例では、位置
決め基板８０-2に真空吸引装置（真空ポンプ）に接続れ
さた吸引通路８３が形成されており、この吸引通路８３
は凹部８１内に吸引口を有した構成とされている。従っ
て、真空ポンプを駆動して吸引通路８３を介して吸引口
より球状接続端子２を吸引することにより、球状接続端
子２は強制的に凹部８１内に吸引され、よって凹部８１
に球状接続端子２を精度良く位置決めすることができ
る。
【０１３３】図３４は本発明の第３１実施例である半導
体検査装置１０-31 を示している。本実施例では、位置
決め基板８０-3を多孔質材料により形成すると共にこの
位置決め基板８０-3を真空吸引装置（真空ポンプ）に接
続した構成としたことを特徴とするものである。上記構
成において真空ポンプを駆動すると、位置決め基板８０
-3は多孔質材料により形成されているため、半導体装置
１はその全面において位置決め基板８０-3に吸引され
る。これにより、球状接続端子２は窪んだ形状の凹部８
１内に嵌入し、よって接続部１４に球状接続端子２を精
度良く位置決めすることができる。
体検査装置１０-31 を示している。本実施例では、位置
決め基板８０-3を多孔質材料により形成すると共にこの
位置決め基板８０-3を真空吸引装置（真空ポンプ）に接
続した構成としたことを特徴とするものである。上記構
成において真空ポンプを駆動すると、位置決め基板８０
-3は多孔質材料により形成されているため、半導体装置
１はその全面において位置決め基板８０-3に吸引され
る。これにより、球状接続端子２は窪んだ形状の凹部８
１内に嵌入し、よって接続部１４に球状接続端子２を精
度良く位置決めすることができる。
【０１３４】図３５及び図３６は、位置決め基板を基板
３９に位置決めする位置決め機構を有した構成を示して
いる。図３５に示す本発明の第３２実施例である半導体
検査装置１０-32 では、位置決め機構として位置決めピ
ン８５が立設されたステージ８４を用い、この位置決め
ピン８５を基板３９及び緩衝部材１２Ａに形成された位
置決め孔５２-6、及び位置決め基板８０-4に形成した位
置決め孔８６に挿通することにより位置決め基板８０-4
を基板３９に位置決めする構成としたものである。
３９に位置決めする位置決め機構を有した構成を示して
いる。図３５に示す本発明の第３２実施例である半導体
検査装置１０-32 では、位置決め機構として位置決めピ
ン８５が立設されたステージ８４を用い、この位置決め
ピン８５を基板３９及び緩衝部材１２Ａに形成された位
置決め孔５２-6、及び位置決め基板８０-4に形成した位
置決め孔８６に挿通することにより位置決め基板８０-4
を基板３９に位置決めする構成としたものである。
【０１３５】また、図３６に示す本発明の第３３実施例
である半導体検査装置１０-33 では、位置決め機構とし
て位置決めピン８７を位置決め基板８０-5に立設形成
し、この位置決めピン８７を基板３９及び緩衝部材１２
Ａに形成された位置決め孔５２-6に挿通することにより
位置決め基板８０-4を基板３９に位置決めする構成とし
たものである。
である半導体検査装置１０-33 では、位置決め機構とし
て位置決めピン８７を位置決め基板８０-5に立設形成
し、この位置決めピン８７を基板３９及び緩衝部材１２
Ａに形成された位置決め孔５２-6に挿通することにより
位置決め基板８０-4を基板３９に位置決めする構成とし
たものである。
【０１３６】上記のように位置決めピン８５，８６を用
いて位置決め基板８０-4，８０-5を基板３９に位置決め
するすることにより、接続部１４と各基板８０-4，８０
-5に形成されている凹部８１との位置決め精度を高める
ことができる。よって、球状接続端子２と接続部１４と
の位置決め精度を向上させることができる。
いて位置決め基板８０-4，８０-5を基板３９に位置決め
するすることにより、接続部１４と各基板８０-4，８０
-5に形成されている凹部８１との位置決め精度を高める
ことができる。よって、球状接続端子２と接続部１４と
の位置決め精度を向上させることができる。
【０１３７】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、被検査装置が半導体検査装置に装着された
状態において接続部は球状接続端子の外形に沿って変形
し、これにより接続部と球状接続端子との接触面積は増
大し、電気的な接続を確実に行うことができる。
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、被検査装置が半導体検査装置に装着された
状態において接続部は球状接続端子の外形に沿って変形
し、これにより接続部と球状接続端子との接触面積は増
大し、電気的な接続を確実に行うことができる。
【０１３８】また、接続部に強い力が印加されたような
場合には、緩衝部材が緩衝効果を発生させ、接続部に永
久変形が発生することを防止することができるため、常
に安定した検査を実施することが可能となる。また、請
求項２記載の発明によれば、接続部のスタッドバンプの
形成位置は装着方向に向け突出した状態となるため、球
状接続端子との電気的接続性を向上させることができ
る。また、スタッドバンプの積層数を適宜選定すること
により、スタッドバンプの高さを球状接続端子との電気
的接続性が最も良好な高さに容易に設定することができ
る。
場合には、緩衝部材が緩衝効果を発生させ、接続部に永
久変形が発生することを防止することができるため、常
に安定した検査を実施することが可能となる。また、請
求項２記載の発明によれば、接続部のスタッドバンプの
形成位置は装着方向に向け突出した状態となるため、球
状接続端子との電気的接続性を向上させることができ
る。また、スタッドバンプの積層数を適宜選定すること
により、スタッドバンプの高さを球状接続端子との電気
的接続性が最も良好な高さに容易に設定することができ
る。
【０１３９】また、請求項３記載の発明によれば、最先
端部に配設されたスタッドバンプと球状接続端子との接
続性、各スタッドバンプ間の接続性、及びスタッドバン
プと接続部との接続性を共に良好なものとすることがで
きる。また、請求項４記載の発明によれば、粗化された
接続部の表面は微細な凹凸が形成された状態となりその
表面積は広くなり、また微細な凸部は突起電極に食い込
む状態となるため、接続部と球状接続端子との電気的接
続を確実に行なうことができる。
端部に配設されたスタッドバンプと球状接続端子との接
続性、各スタッドバンプ間の接続性、及びスタッドバン
プと接続部との接続性を共に良好なものとすることがで
きる。また、請求項４記載の発明によれば、粗化された
接続部の表面は微細な凹凸が形成された状態となりその
表面積は広くなり、また微細な凸部は突起電極に食い込
む状態となるため、接続部と球状接続端子との電気的接
続を確実に行なうことができる。
【０１４０】また、請求項５記載の発明によれば、表面
金属膜を被膜形成することにより、接続部と球状接続端
子との間における電気的接合性の向上、及び接続部の保
護を図ることができる。また、請求項６及び請求項７記
載の発明によれば、緩衝部材の弾性は形状の面から増大
し、これに伴い緩衝作用も増大するため、接続部の保護
をより確実に行うことができる。
金属膜を被膜形成することにより、接続部と球状接続端
子との間における電気的接合性の向上、及び接続部の保
護を図ることができる。また、請求項６及び請求項７記
載の発明によれば、緩衝部材の弾性は形状の面から増大
し、これに伴い緩衝作用も増大するため、接続部の保護
をより確実に行うことができる。
【０１４１】また、請求項８記載の発明によれば、延出
部は球状接続端子の外形に沿って容易に変形し、軽い押
圧力により接続部と球状接続端子とを確実に接続するこ
とができる。また、請求項９記載の発明によれば、接続
部は片持ち梁状に支持された構成となり、よって接続部
は球状接続端子の装着により容易に変形するため、軽い
押圧力で接続部と球状接続端子との接続を確実に行うこ
とが可能となる。
部は球状接続端子の外形に沿って容易に変形し、軽い押
圧力により接続部と球状接続端子とを確実に接続するこ
とができる。また、請求項９記載の発明によれば、接続
部は片持ち梁状に支持された構成となり、よって接続部
は球状接続端子の装着により容易に変形するため、軽い
押圧力で接続部と球状接続端子との接続を確実に行うこ
とが可能となる。
【０１４２】また、請求項１０及び請求項１１記載の発
明によれば、被検査装置が装着された時に発生する各種
応力を支持フィルムが変形することにより、或いは間隙
内で分割フィルム部材が移動することにより吸収するこ
とができ、これにより接続部と球状接続端子との接触位
置に不要な応力が印加されることを防止することができ
る。
明によれば、被検査装置が装着された時に発生する各種
応力を支持フィルムが変形することにより、或いは間隙
内で分割フィルム部材が移動することにより吸収するこ
とができ、これにより接続部と球状接続端子との接触位
置に不要な応力が印加されることを防止することができ
る。
【０１４３】また、請求項１２記載の発明によれば、被
検査装置において実施される半導体検査処理の一部或い
は全部を基板に配設された電子素子により行わせること
が可能となる。また、請求項１３記載の発明によれば、
接続部と突起部との離間距離は小さくなり、接続部の保
護をより確実に行うことができる。
検査装置において実施される半導体検査処理の一部或い
は全部を基板に配設された電子素子により行わせること
が可能となる。また、請求項１３記載の発明によれば、
接続部と突起部との離間距離は小さくなり、接続部の保
護をより確実に行うことができる。
【０１４４】また、請求項１４記載の発明によれば、弾
性変形する緩衝部材を支持部材により支持することがで
き、よって緩衝部材が必要以上に変形したり、また所定
位置からずれることを防止することができる。また、請
求項１５記載の発明によれば、支持部材に上記の凹部を
形成した場合には、過剰な押圧力をもって球状接続端子
が押圧され、これにより緩衝部材に大きな変形が発生し
ても、この大きな変形は凹部により逃がすことができる
ため、緩衝作用を維持させることが可能となる。
性変形する緩衝部材を支持部材により支持することがで
き、よって緩衝部材が必要以上に変形したり、また所定
位置からずれることを防止することができる。また、請
求項１５記載の発明によれば、支持部材に上記の凹部を
形成した場合には、過剰な押圧力をもって球状接続端子
が押圧され、これにより緩衝部材に大きな変形が発生し
ても、この大きな変形は凹部により逃がすことができる
ため、緩衝作用を維持させることが可能となる。
【０１４５】また、支持部材に上記の凸部を形成した場
合には、接続部に過剰な押圧力をもって球状接続端子が
押圧され、これにより緩衝部材が大きく変形しようとし
ても、緩衝部材は凸部と衝突してそれ以上の弾性変形が
規制されるため、緩衝部材の保護を図ることができる。
また、請求項１６記載の発明によれば、球状接続端子と
接続部との位置決めを容易かつ正確に行うことが可能と
なり、球状接続端子と接続部との接続の信頼性を向上さ
せることができる。
合には、接続部に過剰な押圧力をもって球状接続端子が
押圧され、これにより緩衝部材が大きく変形しようとし
ても、緩衝部材は凸部と衝突してそれ以上の弾性変形が
規制されるため、緩衝部材の保護を図ることができる。
また、請求項１６記載の発明によれば、球状接続端子と
接続部との位置決めを容易かつ正確に行うことが可能と
なり、球状接続端子と接続部との接続の信頼性を向上さ
せることができる。
【０１４６】また、請求項１７記載の発明によれば、位
置決め機構としてガイドピンを用いたことにより、簡単
な構成で球状接続端子と接続部との位置決めを行うこと
が可能となる。また、請求項１８記載の発明によれば、
位置決め機構として被検査装置を保持するフレーム部と
ガイドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用
いたことにより、被検査装置自体を位置決めを行う指標
として用いることができるため、精度の高い位置決めを
行うことが可能となる。
置決め機構としてガイドピンを用いたことにより、簡単
な構成で球状接続端子と接続部との位置決めを行うこと
が可能となる。また、請求項１８記載の発明によれば、
位置決め機構として被検査装置を保持するフレーム部と
ガイドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用
いたことにより、被検査装置自体を位置決めを行う指標
として用いることができるため、精度の高い位置決めを
行うことが可能となる。
【０１４７】また、請求項１９記載の発明によれば、被
検査装置をフレーム部に挿入するだけで被検査装置はテ
ーパ面に案内されて所定装着位置に位置決めされるた
め、被検査装置の位置決め処理、換言すれば球状接続端
子と接続部との位置決めを容易に行うことが可能とな
る。また、請求項２０記載の発明によれば、フレーム部
に被検査装置が挿入された直後において球状接続端子と
接続部との位置がずれていても、調芯機構により調芯処
理を行うことにより、球状接続端子と接続部との位置合
わせを行うことができる。
検査装置をフレーム部に挿入するだけで被検査装置はテ
ーパ面に案内されて所定装着位置に位置決めされるた
め、被検査装置の位置決め処理、換言すれば球状接続端
子と接続部との位置決めを容易に行うことが可能とな
る。また、請求項２０記載の発明によれば、フレーム部
に被検査装置が挿入された直後において球状接続端子と
接続部との位置がずれていても、調芯機構により調芯処
理を行うことにより、球状接続端子と接続部との位置合
わせを行うことができる。
【０１４８】また、請求項２１記載の発明によれば、球
状接続端子と接続部との間には所定の付勢力が作用し、
よって電気的接続性を向上させることができると共に、
測定時において球状接続端子が接続部からずれることを
防止することができる。また、請求項２２記載の発明に
よれば、過剰な押圧力或いは不要な外力が作用しても、
この押圧力或いは外力に起因した応力は弾性部材により
吸収されるため、球状接続端子及び接続部に損傷が発生
することを防止することができる。
状接続端子と接続部との間には所定の付勢力が作用し、
よって電気的接続性を向上させることができると共に、
測定時において球状接続端子が接続部からずれることを
防止することができる。また、請求項２２記載の発明に
よれば、過剰な押圧力或いは不要な外力が作用しても、
この押圧力或いは外力に起因した応力は弾性部材により
吸収されるため、球状接続端子及び接続部に損傷が発生
することを防止することができる。
【０１４９】また、請求項２３記載の発明によれば、単
に球状接続端子を凹部に挿入するよう被検査装置を位置
決め基板に装着するだけで、球状接続端子と接続部との
位置決めを行うことができるため、球状接続端子と接続
部との位置決めを容易にかつ効率的に行うことができ
る。また、請求項２４，請求項２９，及び請求項３０記
載の発明によれば、球状接続端子は吸引機構が発生する
吸引力により強制的に凹部に挿入し位置決めされるた
め、確実な位置決め処理を行うことができる。
に球状接続端子を凹部に挿入するよう被検査装置を位置
決め基板に装着するだけで、球状接続端子と接続部との
位置決めを行うことができるため、球状接続端子と接続
部との位置決めを容易にかつ効率的に行うことができ
る。また、請求項２４，請求項２９，及び請求項３０記
載の発明によれば、球状接続端子は吸引機構が発生する
吸引力により強制的に凹部に挿入し位置決めされるた
め、確実な位置決め処理を行うことができる。
【０１５０】また、請求項２５記載の発明によれば、基
板位置決め機構により凹部と接続部とは高精度に位置決
めされるため、よって凹部に挿入される球状接続端子と
接続部との位置決めも高精度に行うことができる。ま
た、請求項２６記載の発明に係る検査方法によれば、接
続部は球状接続端子の外形に沿って変形するため、接触
部により球状接続端子に傷が付くことを防止できる。ま
た、接続部が変形することにより、接続部と球状接続端
子との接触面積を増大させることができ、接続部と球状
接続端子との電気的接続性を向上させることができる。
更に、接続部と球状接続端子との間には接続状態におい
て常に所定の圧力が印加されるため、電気的接続の向上
を図ることができる。
板位置決め機構により凹部と接続部とは高精度に位置決
めされるため、よって凹部に挿入される球状接続端子と
接続部との位置決めも高精度に行うことができる。ま
た、請求項２６記載の発明に係る検査方法によれば、接
続部は球状接続端子の外形に沿って変形するため、接触
部により球状接続端子に傷が付くことを防止できる。ま
た、接続部が変形することにより、接続部と球状接続端
子との接触面積を増大させることができ、接続部と球状
接続端子との電気的接続性を向上させることができる。
更に、接続部と球状接続端子との間には接続状態におい
て常に所定の圧力が印加されるため、電気的接続の向上
を図ることができる。
【０１５１】また、請求項２７記載の発明によれば、位
置決め基板に形成された凹部に球状接続端子を挿入する
だけの簡単な処理で各球状接続端子の位置決めを行うこ
とができる。また、この位置決めが行われた状態を維持
しつつ球状接続端子を接続部に電気的に接続させて被検
査装置の試験を行うことにより、接続部と球状接続端子
とを精度よく接続することができ、検査の信頼性を向上
させることができる。
置決め基板に形成された凹部に球状接続端子を挿入する
だけの簡単な処理で各球状接続端子の位置決めを行うこ
とができる。また、この位置決めが行われた状態を維持
しつつ球状接続端子を接続部に電気的に接続させて被検
査装置の試験を行うことにより、接続部と球状接続端子
とを精度よく接続することができ、検査の信頼性を向上
させることができる。
【０１５２】更に、請求項２８記載の発明によれば、振
動により被検査半導体は位置決め基板上で相対的に移動
し、やがて位置決め基板に形成された凹部に突起電極は
挿入して位置決めされるため、球状接続端子と凹部の位
置決め、即ち球状接続端子と接続部との位置決めを容易
かつ自動的に行なうことができる。
動により被検査半導体は位置決め基板上で相対的に移動
し、やがて位置決め基板に形成された凹部に突起電極は
挿入して位置決めされるため、球状接続端子と凹部の位
置決め、即ち球状接続端子と接続部との位置決めを容易
かつ自動的に行なうことができる。
【図１】本発明の第１実施例である半導体検査装置及び
これを用いた検査方法を説明するための図である。
これを用いた検査方法を説明するための図である。
【図２】本発明の第２実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３】第２実施例の第１変形例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図４】第２実施例の第２変形例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図５】本発明の第３実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
明するための図である。
【図６】本発明の第４実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
明するための図である。
【図７】緩衝部材の変形例を説明するための図である。
【図８】接続部の構成例を示す図である。
【図９】本発明の第５実施例及び第６実施例である半導
体検査装置を説明するための図である。
体検査装置を説明するための図である。
【図１０】本発明の第７実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図１１】本発明の第８実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図１２】本発明の第９実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図１３】本発明の第１０実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１４】本発明の第１１実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１５】本発明の第１２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１６】本発明の第１３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１７】本発明の第１４実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１８】本発明の第１５実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図１９】本発明の第１６実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２０】本発明の第１７実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２１】本発明の第１８実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２２】本発明の第１９実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２３】本発明の第２０実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２４】本発明の第２１実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２５】本発明の第２２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２６】本発明の第２３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２７】本発明の第２４実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２８】本発明の第２５実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２９】本発明の第２６実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３０】本発明の第２７実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３１】本発明の第２８実施例である半導体検査装置
及びこれを用いた検査方法を説明するための図である。
及びこれを用いた検査方法を説明するための図である。
【図３２】本発明の第２９実施例である半導体検査装置
及びこれを用いた検査方法を説明するための図である。
及びこれを用いた検査方法を説明するための図である。
【図３３】本発明の第３０実施例である半導体検査装置
及びこれを用いた検査方法を説明するための図である。
及びこれを用いた検査方法を説明するための図である。
【図３４】本発明の第３１実施例である半導体検査装置
及びこれを用いた検査方法を説明するための図である。
及びこれを用いた検査方法を説明するための図である。
【図３５】本発明の第３２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３６】本発明の第３３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
１０-1〜１０-33 半導体検査装置 １１ 導体層 １２Ａ〜１２Ｄ 緩衝部材 １４，１４Ａ〜１４Ｇ 接続部 １４Ａ-1〜１４Ｄ-1 環状部 １４Ａ-2〜１４Ｄ-2 延出部 １５ 突起部 １６，１６Ａ，１６Ｂ スタッドバンプ １７ 粗化面 １８ 異種金属膜 １９，２３ 切り込み ２０ａ〜２０ｄ 分割金属 ２１ 間隙部 ２４ａ〜２４ｄ 分割フィルム部材 ３６ ＩＣ ４０ 支持部材 ４１ 凹部 ４２ 凸部 ５０-1〜５０-9 ガイドピン ５１ テーパ部 ５２-1〜５２-8 位置決め孔 ５３-1，５３-2 ガイド ５４ ステージ ６０-1〜６０-3 ガイドピン付きフレーム ６１ 枠体部 ６３ 空間部 ６４ フレーム部 ６５ テーパ面 ６６ エラストマー ６７ 調芯機構 ６８ 係合部 ７０ コイルスプリング ８０-1〜８０-5 位置決め基板 ８１ 凹部 ８２ 基板本体 ８３ 吸引通路 ８４ ステージ ８５，８７ 位置決めピン ８６ 位置決め孔
Claims (30)
- 【請求項１】 球状接続端子を有する被検査装置に対し
て試験を行う半導体検査装置において、 支持フィルム上に形成されており、少なくとも前記球状
接続端子が接続される接続部が変形可能に構成された導
体層と、 弾性変形可能な絶縁材料により形成されており、少なく
とも前記接続部を支持する構成とされた緩衝部材とを具
備したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体検査装置におい
て、 前記接続部に、前記球状接続端子の装着方向に向け突出
したスタッドバンプを単層または複数層積層した状態で
配設したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体検査装置におい
て、 前記複数層積層したスタッドバンプを異種金属により構
成したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体検査装置におい
て、 前記接続部の表面を粗化させたことを特徴とする半導体
検査装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体検査装置におい
て、 前記接続部の表面に、該接続部とは異なる材質よりなる
表面金属膜を被膜形成したことを特徴とする半導体検査
装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
半導体検査装置において、 前記緩衝部材に切り込み部を形成したことを特徴とする
半導体検査装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
半導体検査装置において、 前記緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構成した
ことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の
半導体検査装置において、 前記接続部を、環状部と該環状部から中央部分に向け延
出した複数の延出部とにより構成したことを特徴とする
半導体検査装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の
半導体検査装置において、 前記接続部をヘッドネイル状の形状としたことを特徴と
する半導体検査装置。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１項に記載
の半導体検査装置において、 前記支持フィルムに切り込み部を形成したことを特徴と
する半導体検査装置。 - 【請求項１１】 請求項１乃至９のいずれか１項に記載
の半導体検査装置において、 前記支持フィルムを複数の分割フィルム部材を組み合わ
せて構成したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１のいずれか１項に記
載の半導体検査装置において、 前記導体層と前記支持フィルムとにより構成される基板
に、電子素子を配設したことを特徴とする半導体検査装
置。 - 【請求項１３】 請求項１乃至１２のいずれか１項に記
載の半導体検査装置において、 前記緩衝部材の前記接続部と対向する部位に、前記接続
部に向け突出した突起部を形成したことを特徴とする半
導体検査装置。 - 【請求項１４】 請求項１乃至１２のいずれか１項に記
載の半導体検査装置において、 更に、前記緩衝部材を支持する支持部材を設けたことを
特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の半導体検査装置にお
いて、 前記支持部材の前記接続部と対向する位置に、凹部また
は凸部を形成したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１６】 請求項１乃至１５のいずれか１項に記
載の半導体検査装置において、 前記球状接続端子を有する被検査装置と、前記接続部と
の位置決めを行う位置決め機構を設けたことを特徴とす
る半導体検査装置。 - 【請求項１７】 請求項１６記載の半導体検査装置にお
いて、 前記位置決め機構として、ガイドピンを用いたことを特
徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１８】 請求項１６記載の半導体検査装置にお
いて、 前記位置決め機構として、前記被検査装置を保持するフ
レーム部とガイドピンとが一体化したガイドピン付きフ
レームを用いたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の半導体検査装置にお
いて、 前記ガイドピン付きフレームのフレーム部が、前記被検
査装置を覆うよう保持する構成すると共に、前記フレー
ムの内壁に前記被検査装置の位置決めを行うテーパ面を
形成したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２０】 請求項１８記載の半導体検査装置にお
いて、 前記フレーム部に、前記球状接続端子が前記接続部に位
置するよう、前記被検査装置の調芯処理を行う調芯機構
を設けたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２１】 請求項１８記載の半導体検査装置にお
いて、 前記フレーム部に、装着状態における前記被検査装置を
前記導体層に向け付勢する付勢機構を設けたことを特徴
とする半導体検査装置。 - 【請求項２２】 請求項１８乃至請求項２１のいずれか
１項に記載の半導体検査装置において、 前記フレーム部と前記被検査装置とが係合する部位に、
緩衝効果を有する弾性部材を配設したことを特徴とする
半導体検査装置。 - 【請求項２３】 請求項１６記載の半導体検査装置にお
いて、 前記位置決め機構として、前記導体層上に装着される前
記被検査装置と対向するよう配設され、前記球状接続端
子に対応した形状の凹部を有する位置決め基板を用いた
ことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２４】 請求項２３記載の半導体検査装置にお
いて、 前記位置決め基板に、前記球状接続端子の吸引処理を行
う吸引機構を設けたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２５】 請求項２３または２４記載の半導体検
査装置において、 前記凹部と前記接続部との位置決めを行うための基板位
置決め機構を設けたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２６】 請求項１乃至２５のいずれか１項に記
載の半導体検査装置を用いた検査方法であって、 前記球状接続端子を前記導体層に形成された接続部に押
圧し、該押圧により前記導体層に形成された前記接続部
及び前記緩衝部材を弾性変形させ、 該弾性変形により前記接続部及び前記緩衝部材に発生す
る弾性復元力により前記接続部を前記球状接続端子に押
圧して電気的接続を図ることを特徴とする半導体検査装
置を用いた検査方法。 - 【請求項２７】 請求項２３乃至２５のいずれか１項に
記載の半導体検査装置を用いた検査方法であって、 前記位置決め基板に形成された凹部に前記球状接続端子
を挿入させて各球状接続端子の位置決めを行い、該位置
決めが行われた状態を維持しつつ、前記球状接続端子を
前記接続部に電気的に接続させて前記被検査装置の試験
を行うことを特徴とする半導体検査装置を用いた検査方
法。 - 【請求項２８】 請求項２３記載の半導体検査装置を用
いた検査方法であって、 前記位置決め基板或いは前記被検査半導体の少なくとも
一方を振動させることにより、前記位置決め基板に形成
された凹部に前記球状接続端子を位置決めすることを特
徴とする半導体検査装置を用いた検査方法。 - 【請求項２９】 請求項２４記載の半導体検査装置を用
いた検査方法であって、 前記吸引機構として前記位置決め基板に吸引孔を形成す
ると共に、前記吸引孔に吸引装置を接続し、 前記吸引孔により前記突起電極を吸引することにより、
前記位置決め基板に形成された凹部に前記球状接続端子
を位置決めすることを特徴とする半導体検査装置を用い
た検査方法。 - 【請求項３０】 請求項２４記載の半導体検査装置を用
いた検査方法であって、 前記吸引機構として前記位置決め基板を多孔質材料によ
り形成すると共に、前記位置決め基板に吸引装置を接続
し、 前記位置決め基板に前記突起電極を吸引することによ
り、前記位置決め基板に形成された凹部に前記球状接続
端子を位置決めすることを特徴とする半導体検査装置を
用いた検査方法。
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