JP3365612B2 - 電子装置用試験装置 - Google Patents
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07357—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with flexible bodies, e.g. buckling beams
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子装置用試験装置
に係り、特にメンブレン構造を有し、半導体素子等の電
子装置と電気的にコンタクトして試験を行なう電子装置
用試験装置に関する。近年、半導体装置の高密度化，高
速化，小型化が要求されており、この要求に対応すべ
く、複数個のパッケージに封止されていない半導体チッ
プ（いわゆるベアチップ）或いはＢＧＡ（Ball Grid Ar
ray)構造等の電子装置を回路基板上に直接搭載する実装
方法が多用されるようになってきている。
に係り、特にメンブレン構造を有し、半導体素子等の電
子装置と電気的にコンタクトして試験を行なう電子装置
用試験装置に関する。近年、半導体装置の高密度化，高
速化，小型化が要求されており、この要求に対応すべ
く、複数個のパッケージに封止されていない半導体チッ
プ（いわゆるベアチップ）或いはＢＧＡ（Ball Grid Ar
ray)構造等の電子装置を回路基板上に直接搭載する実装
方法が多用されるようになってきている。
【０００２】この実装方法においては、例えば複数個配
設される電子装置の内、一つに異常があれば装置全体が
不良品となるため、個々の電子装置に高い信頼性が要求
される。そこで、個々の電子装置が正常に機能するか否
かを調べる試験が重要な課題となってきている。
設される電子装置の内、一つに異常があれば装置全体が
不良品となるため、個々の電子装置に高い信頼性が要求
される。そこで、個々の電子装置が正常に機能するか否
かを調べる試験が重要な課題となってきている。
【０００３】
【従来の技術】従来より、下面に外部接続端子を有する
電子装置（例えば、樹脂封止されていないベアチップ，
樹脂封止された半導体装置，電子素子が搭載された回路
基板等）の試験方法として種々の試験方法が提案され、
また実施されている。従来の電子装置用試験装置として
は、例えば半導体装置を試験する半導体用テストソケッ
トが知られている。この半導体用テストソケットは、プ
ローブ（試験針）を用いて半導体装置の電気的動作を試
験する構成となっている。この試験方法は、半導体装置
の下面に形成された外部接続端子となる複数の球状接続
端子（バンプ）に対応するよう複数のプローブを試験用
基板に配設しておき、このプローブの先端をバンプに直
接接触させることにより試験を行う試験方法である。
電子装置（例えば、樹脂封止されていないベアチップ，
樹脂封止された半導体装置，電子素子が搭載された回路
基板等）の試験方法として種々の試験方法が提案され、
また実施されている。従来の電子装置用試験装置として
は、例えば半導体装置を試験する半導体用テストソケッ
トが知られている。この半導体用テストソケットは、プ
ローブ（試験針）を用いて半導体装置の電気的動作を試
験する構成となっている。この試験方法は、半導体装置
の下面に形成された外部接続端子となる複数の球状接続
端子（バンプ）に対応するよう複数のプローブを試験用
基板に配設しておき、このプローブの先端をバンプに直
接接触させることにより試験を行う試験方法である。
【０００４】しかるにこの試験法では、バンプの高さに
バラツキがあるとプローブとの接続が確実に行なわれな
いバンプが発生し、試験精度が低下してしまうおそれが
ある。また、半導体装置の高密度化によりバンプが狭ピ
ッチ化し、これに対応すべくプローブを高密度に配設す
ると、隣接するプローブ間で干渉が発生してしまい、バ
ンプの狭ピッチ化に対応することができないという問題
点もある。
バラツキがあるとプローブとの接続が確実に行なわれな
いバンプが発生し、試験精度が低下してしまうおそれが
ある。また、半導体装置の高密度化によりバンプが狭ピ
ッチ化し、これに対応すべくプローブを高密度に配設す
ると、隣接するプローブ間で干渉が発生してしまい、バ
ンプの狭ピッチ化に対応することができないという問題
点もある。
【０００５】そこで、上記の問題点を解決した電子装置
用試験装置として、図１１に示すメンブレン式コンタク
タが注目されるようになってきている。図１１は、メン
ブレン式コンタクタ１の分解図である。同図に示される
ように、メンブレン式コンタクタ１は、絶縁性樹脂より
なる可撓性ベース２に導電性の配線層４を形成した構成
とされており、また配線層４の所定位置には突起電極６
が設けられている。
用試験装置として、図１１に示すメンブレン式コンタク
タが注目されるようになってきている。図１１は、メン
ブレン式コンタクタ１の分解図である。同図に示される
ように、メンブレン式コンタクタ１は、絶縁性樹脂より
なる可撓性ベース２に導電性の配線層４を形成した構成
とされており、また配線層４の所定位置には突起電極６
が設けられている。
【０００６】また、可撓性ベース２と対向する位置に
は、シリコンゴム等の弾性材よりなる弾性体８が配設さ
れている。従来、可撓性ベース２はこの弾性体８の上面
に接着等により固定された構成とされていた。上記構成
において、電子装置である半導体素子１０は、メンブレ
ン式コンタクタ１に加圧接続される。具体的には、半導
体素子１０の下面に形成された電極部１２を配線層４に
形成された突起電極６に圧接し、これにより半導体素子
１０とメンブレン式コンタクタ１との電気的な接続を行
なう構成とされていた。
は、シリコンゴム等の弾性材よりなる弾性体８が配設さ
れている。従来、可撓性ベース２はこの弾性体８の上面
に接着等により固定された構成とされていた。上記構成
において、電子装置である半導体素子１０は、メンブレ
ン式コンタクタ１に加圧接続される。具体的には、半導
体素子１０の下面に形成された電極部１２を配線層４に
形成された突起電極６に圧接し、これにより半導体素子
１０とメンブレン式コンタクタ１との電気的な接続を行
なう構成とされていた。
【０００７】このメンブレン式コンタクタ１を用いるこ
とにより、前記した他の方式の電子装置用試験装置に比
べて遙に突起電極６の狭ピッチ化を図ることができ、狭
ピッチ化された電極部１２を有した半導体素子１０に対
応することが可能となる。
とにより、前記した他の方式の電子装置用試験装置に比
べて遙に突起電極６の狭ピッチ化を図ることができ、狭
ピッチ化された電極部１２を有した半導体素子１０に対
応することが可能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の如く
構成されたメンブレン式コンタクタ１は、突起電極６に
高さのバラツキがあったり、また半導体素子１０が傾い
て接続されたような場合であっても、弾性体８が弾性変
形することにより突起電極６と電極部１２とを確実に接
続できる構成とされている。
構成されたメンブレン式コンタクタ１は、突起電極６に
高さのバラツキがあったり、また半導体素子１０が傾い
て接続されたような場合であっても、弾性体８が弾性変
形することにより突起電極６と電極部１２とを確実に接
続できる構成とされている。
【０００９】しかるに、従来ではこの弾性体８の上面に
可撓性ベース２を直接固定した構成とされていたため、
図１２（Ａ）に示されるように、半導体素子１０がメン
ブレン式コンタクタ１に載置された後、突起電極６と電
極部１２との電気的な接続を得るために下方に向けて加
重を印加すると、図１２（Ｂ）に示されるように、弾性
体８が弾性変形することにより突起電極６がめり込んで
しまうという問題点があった。この問題点は、特に弾性
体８が軟化する加熱環境で行なう試験の場合に顕著であ
る。
可撓性ベース２を直接固定した構成とされていたため、
図１２（Ａ）に示されるように、半導体素子１０がメン
ブレン式コンタクタ１に載置された後、突起電極６と電
極部１２との電気的な接続を得るために下方に向けて加
重を印加すると、図１２（Ｂ）に示されるように、弾性
体８が弾性変形することにより突起電極６がめり込んで
しまうという問題点があった。この問題点は、特に弾性
体８が軟化する加熱環境で行なう試験の場合に顕著であ
る。
【００１０】このように、突起電極６がめり込んだ状態
となると、図１２（Ｂ）に示されるように、半導体素子
１０の下面がメンブレン式コンタクタ１に接触してしま
う。このため、半導体素子１０の下面においても加重が
受けられることとなり、突起電極６と電極部１２との間
に十分な接続加重を印加することができなくなり、よっ
て突起電極６と電極部１２とを確実に接続することがで
きないおそれがある。
となると、図１２（Ｂ）に示されるように、半導体素子
１０の下面がメンブレン式コンタクタ１に接触してしま
う。このため、半導体素子１０の下面においても加重が
受けられることとなり、突起電極６と電極部１２との間
に十分な接続加重を印加することができなくなり、よっ
て突起電極６と電極部１２とを確実に接続することがで
きないおそれがある。
【００１１】また、これを回避するには突起電極６と電
極部１２との間に所定の接続加重が印加されるよう、半
導体素子１０を押圧する加重を増大させる必要がある
が、この場合にはメンブレン式コンタクタ１の他の部位
（例えば、メンブレン式コンタクタ１が固定される固定
枠体等）に過剰な力が作用し、この他の部位において剥
離等の不都合が発生してしまう。
極部１２との間に所定の接続加重が印加されるよう、半
導体素子１０を押圧する加重を増大させる必要がある
が、この場合にはメンブレン式コンタクタ１の他の部位
（例えば、メンブレン式コンタクタ１が固定される固定
枠体等）に過剰な力が作用し、この他の部位において剥
離等の不都合が発生してしまう。
【００１２】また、半導体素子１０の電極部１２が形成
された面（下面）には電子回路が形成されているが、上
記のように半導体素子１０の下面がメンブレン式コンタ
クタ１に接触すると、この回路面がメンブレン式コンタ
クタ１に押圧されることとなる。よって、これに起因し
て電子回路にダメージが生じ、半導体素子１０が適正に
作動しなくなるおそれもあった。
された面（下面）には電子回路が形成されているが、上
記のように半導体素子１０の下面がメンブレン式コンタ
クタ１に接触すると、この回路面がメンブレン式コンタ
クタ１に押圧されることとなる。よって、これに起因し
て電子回路にダメージが生じ、半導体素子１０が適正に
作動しなくなるおそれもあった。
【００１３】一方、メンブレン式コンタクタ１に装着さ
れた半導体素子１０に対し加熱環境下で実施する試験
（例えば、バーンイン試験時）を行なった場合を想定す
ると、弾性体８の熱膨張率は大きく、かつ可撓性ベース
２は弾性体８に固定された構成とされていたため、加熱
により弾性体８は可撓性ベース２を引き延ばしてしま
う。このため、突起電極６と電極部１２との間に応力が
発生し、最悪の場合には突起電極６と電極部１２との間
で剥離が発生してしまうという問題点もあった。
れた半導体素子１０に対し加熱環境下で実施する試験
（例えば、バーンイン試験時）を行なった場合を想定す
ると、弾性体８の熱膨張率は大きく、かつ可撓性ベース
２は弾性体８に固定された構成とされていたため、加熱
により弾性体８は可撓性ベース２を引き延ばしてしま
う。このため、突起電極６と電極部１２との間に応力が
発生し、最悪の場合には突起電極６と電極部１２との間
で剥離が発生してしまうという問題点もあった。
【００１４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、被試験装置となる電子装置を確実に配線層に接続
することにより信頼性の高い試験を行いうる電子装置用
試験装置を提供することを目的とする。
あり、被試験装置となる電子装置を確実に配線層に接続
することにより信頼性の高い試験を行いうる電子装置用
試験装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では下記の種々の手段を講じた事を特徴とす
るものである。請求項１記載の発明では、可撓性ベース
に配線層が形成された構造を有し、被試験装置となる電
子装置の外部接続端子を前記配線層に加圧接続し、該電
子装置に対して試験を行なう構成とされており、かつ、
前記可撓性ベースの前記電子装置が接続される面に対す
る反対面に、弾性変形可能とされた弾性体が配設された
電子装置用試験装置において、前記弾性体と前記可撓性
ベースとの間に、前記可撓性ベースに対し面方向におい
てすべり可能に構成されると共に、前記弾性体よりも高
い硬度を有したポリイミド樹脂よりなる可撓性フィルム
状部材を介装したことを特徴とするものである。
に、本発明では下記の種々の手段を講じた事を特徴とす
るものである。請求項１記載の発明では、可撓性ベース
に配線層が形成された構造を有し、被試験装置となる電
子装置の外部接続端子を前記配線層に加圧接続し、該電
子装置に対して試験を行なう構成とされており、かつ、
前記可撓性ベースの前記電子装置が接続される面に対す
る反対面に、弾性変形可能とされた弾性体が配設された
電子装置用試験装置において、前記弾性体と前記可撓性
ベースとの間に、前記可撓性ベースに対し面方向におい
てすべり可能に構成されると共に、前記弾性体よりも高
い硬度を有したポリイミド樹脂よりなる可撓性フィルム
状部材を介装したことを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の電子装置用試験装置において、前記可撓性フ
ィルム状部材は、前記弾性体よりも小さな熱膨張率を有
する材質よりなることを特徴とするものである。また、
請求項３記載の発明では、前記請求項１または２記載の
電子装置用試験装置において、前記可撓性フィルム状部
材を前記弾性体と前記可撓性ベースとの間に複数枚介装
した構成としたことを特徴とするものである。
項１記載の電子装置用試験装置において、前記可撓性フ
ィルム状部材は、前記弾性体よりも小さな熱膨張率を有
する材質よりなることを特徴とするものである。また、
請求項３記載の発明では、前記請求項１または２記載の
電子装置用試験装置において、前記可撓性フィルム状部
材を前記弾性体と前記可撓性ベースとの間に複数枚介装
した構成としたことを特徴とするものである。
【００１７】また、請求項４記載の発明では、請求項３
記載の電子装置用試験装置において、前記複数の可撓性
フィルム状部材の内、少なくとも１枚は他の可撓性フィ
ルム状部材と物性の異なる、または厚さが異なるものを
用いたことを特徴とするものである。また、請求項５記
載の発明では、請求項４記載の電子装置用試験装置にお
いて、前記物性は、少なくとも前記可撓性フィルム状部
材の硬度、弾性率、熱膨張率の内の一つであることを特
徴とするものである。
記載の電子装置用試験装置において、前記複数の可撓性
フィルム状部材の内、少なくとも１枚は他の可撓性フィ
ルム状部材と物性の異なる、または厚さが異なるものを
用いたことを特徴とするものである。また、請求項５記
載の発明では、請求項４記載の電子装置用試験装置にお
いて、前記物性は、少なくとも前記可撓性フィルム状部
材の硬度、弾性率、熱膨張率の内の一つであることを特
徴とするものである。
【００１８】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項１乃至５のいずれかに記載の電子装置用試験装置にお
いて、前記弾性体を複数の弾性体層から構成すると共
に、前記弾性体層の内、少なくとも１層は他層と物性の
異なるものを用いたことを特徴とするものである。ま
た、請求項７記載の発明では、前記請求項６記載の電子
装置用試験装置において、前記物性は、少なくとも硬
度、弾性率、熱膨張率の内の一つであることを特徴とす
るものである。
項１乃至５のいずれかに記載の電子装置用試験装置にお
いて、前記弾性体を複数の弾性体層から構成すると共
に、前記弾性体層の内、少なくとも１層は他層と物性の
異なるものを用いたことを特徴とするものである。ま
た、請求項７記載の発明では、前記請求項６記載の電子
装置用試験装置において、前記物性は、少なくとも硬
度、弾性率、熱膨張率の内の一つであることを特徴とす
るものである。
【００１９】また、請求項８記載の発明では、請求項１
または２記載の電子装置用試験装置において、少なくと
も前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性ベースとの
間、前記可撓性フィルム状部材と前記弾性体との間のい
ずれかに、前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性ベー
スとの間、または前記可撓性フィルム状部材と前記弾性
体との間の摩擦係数を低減させる部材を介装したことを
特徴とするものである。
または２記載の電子装置用試験装置において、少なくと
も前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性ベースとの
間、前記可撓性フィルム状部材と前記弾性体との間のい
ずれかに、前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性ベー
スとの間、または前記可撓性フィルム状部材と前記弾性
体との間の摩擦係数を低減させる部材を介装したことを
特徴とするものである。
【００２０】また、請求項９記載の発明では、請求項３
乃至７のいずれかに記載の電子装置用試験装置におい
て、少なくとも前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性
ベースとの間、前記可撓性フィルム状部材と前記弾性体
との間、対峙する一対の可撓性フィルム状部材の間のい
ずれかに、前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性ベー
スとの間、前記可撓性フィルム状部材と前記弾性体との
間、対峙する一対の可撓性フィルム状部材の間の摩擦係
数を低減させる部材を介装したことを特徴とするもので
ある。
乃至７のいずれかに記載の電子装置用試験装置におい
て、少なくとも前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性
ベースとの間、前記可撓性フィルム状部材と前記弾性体
との間、対峙する一対の可撓性フィルム状部材の間のい
ずれかに、前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性ベー
スとの間、前記可撓性フィルム状部材と前記弾性体との
間、対峙する一対の可撓性フィルム状部材の間の摩擦係
数を低減させる部材を介装したことを特徴とするもので
ある。
【００２１】更に、請求項１０記載の発明では、請求項
１乃至７のいずれかに記載の電子装置用試験装置におい
て、前記可撓性フィルム状部材を前記弾性体と一体的な
構成としたことを特徴とするものである。
１乃至７のいずれかに記載の電子装置用試験装置におい
て、前記可撓性フィルム状部材を前記弾性体と一体的な
構成としたことを特徴とするものである。
【００２２】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、弾性体と可撓性ベースと
の間に、弾性体よりも高い硬度を有した可撓性フィルム
状部材を介装したことにより、加熱処理を伴う試験を行
なった際に弾性体が軟化しても、外部接続端子と配線層
との接続部分が弾性体内にめり込んだ状態となることを
防止することができる。
請求項１記載の発明によれば、弾性体と可撓性ベースと
の間に、弾性体よりも高い硬度を有した可撓性フィルム
状部材を介装したことにより、加熱処理を伴う試験を行
なった際に弾性体が軟化しても、外部接続端子と配線層
との接続部分が弾性体内にめり込んだ状態となることを
防止することができる。
【００２３】即ち、弾性体と可撓性ベースとの間に介装
される可撓性フィルム状部材は、弾性体よりも高い硬度
を有しているため、加熱されても弾性体よりも高い硬度
維持する。よって、電子部品を電子装置用試験装置に向
け加圧しても、電子装置の下面が電子装置用試験装置と
接触することはなく、よって電子装置にダメージが発生
することを防止することができる。
される可撓性フィルム状部材は、弾性体よりも高い硬度
を有しているため、加熱されても弾性体よりも高い硬度
維持する。よって、電子部品を電子装置用試験装置に向
け加圧しても、電子装置の下面が電子装置用試験装置と
接触することはなく、よって電子装置にダメージが発生
することを防止することができる。
【００２４】また、請求項２記載の発明によれば、弾性
体と可撓性ベースとの間に、弾性体よりも小さな熱膨張
率を有する材質よりなる可撓性フィルム状部材を介装し
たことにより、加熱処理を伴う試験を行なうことにより
弾性体が熱膨張しても、電子装置を搭載した可撓性ベー
スが直接引っ張られるようなことはない。
体と可撓性ベースとの間に、弾性体よりも小さな熱膨張
率を有する材質よりなる可撓性フィルム状部材を介装し
たことにより、加熱処理を伴う試験を行なうことにより
弾性体が熱膨張しても、電子装置を搭載した可撓性ベー
スが直接引っ張られるようなことはない。
【００２５】即ち、弾性体と可撓性ベースとの間に介装
される可撓性フィルム状部材は、弾性体よりも低い熱膨
張率を有したものが選定されているため、加熱されても
可撓性フィルム状部材の熱膨張量は小さくなる。また、
電子部品を搭載した可撓性ベースは可撓性フィルム状部
材と対峙した構成となっているため、弾性体が熱膨張し
てもこれが直接可撓性ベースに作用することはない。こ
の際、弾性体と可撓性フィルム状部材との間、及び可撓
性フィルム状部材と電子部品との間には、上記した熱膨
張差に起因した滑り（面方向への滑り）が発生する。
される可撓性フィルム状部材は、弾性体よりも低い熱膨
張率を有したものが選定されているため、加熱されても
可撓性フィルム状部材の熱膨張量は小さくなる。また、
電子部品を搭載した可撓性ベースは可撓性フィルム状部
材と対峙した構成となっているため、弾性体が熱膨張し
てもこれが直接可撓性ベースに作用することはない。こ
の際、弾性体と可撓性フィルム状部材との間、及び可撓
性フィルム状部材と電子部品との間には、上記した熱膨
張差に起因した滑り（面方向への滑り）が発生する。
【００２６】よって、弾性体が熱膨張しても、電子装置
を搭載した可撓性ベースが直接引っ張られることはな
く、外部接続端子と配線層との接続部分に応力が印加さ
れて両者が剥離することを確実に防止することができ
る。また、請求項３記載の発明によれば、可撓性フィル
ム状部材を弾性体と可撓性ベースとの間に複数枚介装し
た構成としたことにより、介装する可撓性フィルム状部
材の枚数により硬度の調整を行なうことが可能となる。
よって、全体としての可撓性フィルム状部材の硬度を所
望する最適な硬度に容易に設定することが可能となる。
を搭載した可撓性ベースが直接引っ張られることはな
く、外部接続端子と配線層との接続部分に応力が印加さ
れて両者が剥離することを確実に防止することができ
る。また、請求項３記載の発明によれば、可撓性フィル
ム状部材を弾性体と可撓性ベースとの間に複数枚介装し
た構成としたことにより、介装する可撓性フィルム状部
材の枚数により硬度の調整を行なうことが可能となる。
よって、全体としての可撓性フィルム状部材の硬度を所
望する最適な硬度に容易に設定することが可能となる。
【００２７】また、弾性体と可撓性フィルム状部材との
間、及び可撓性フィルム状部材と可撓性ベースとの間ば
かりではなく、対峙する一対の可撓性フィルム状部材間
においても滑りが発生するため、加熱時における弾性体
の熱膨張が可撓性ベースに影響することをより確実に防
止することができる。また、請求項４及び請求項５記載
の発明によれば、複数の可撓性フィルム状部材の内、少
なくとも１枚は他の可撓性フィルム状部材と物性の異な
るものを用いたことにより、可撓性フィルム状部材全体
としての物性（硬度、弾性率、熱膨張率）の調整を容易
に行なうことができる。
間、及び可撓性フィルム状部材と可撓性ベースとの間ば
かりではなく、対峙する一対の可撓性フィルム状部材間
においても滑りが発生するため、加熱時における弾性体
の熱膨張が可撓性ベースに影響することをより確実に防
止することができる。また、請求項４及び請求項５記載
の発明によれば、複数の可撓性フィルム状部材の内、少
なくとも１枚は他の可撓性フィルム状部材と物性の異な
るものを用いたことにより、可撓性フィルム状部材全体
としての物性（硬度、弾性率、熱膨張率）の調整を容易
に行なうことができる。
【００２８】また、請求項６記載及び請求項７の発明に
よれば、弾性体を複数の弾性体層から構成すると共に、
この弾性体層の内、少なくとも１層は他層と物性（硬
度、弾性率、熱膨張率）の異なるものを用いたことによ
り、弾性体に要求される外部接続端子及び配線層の高さ
バラツキの吸収機能と、電子装置をフェイスダウンした
時の傾き吸収及び衝撃吸収機能を夫々の層に分担して担
わせることが可能となる。これにより、上記の二つの機
能を確実に実現することができ、信頼性の高い試験を行
なうことが可能となる。
よれば、弾性体を複数の弾性体層から構成すると共に、
この弾性体層の内、少なくとも１層は他層と物性（硬
度、弾性率、熱膨張率）の異なるものを用いたことによ
り、弾性体に要求される外部接続端子及び配線層の高さ
バラツキの吸収機能と、電子装置をフェイスダウンした
時の傾き吸収及び衝撃吸収機能を夫々の層に分担して担
わせることが可能となる。これにより、上記の二つの機
能を確実に実現することができ、信頼性の高い試験を行
なうことが可能となる。
【００２９】また、請求項８及び請求項９記載の発明に
よれば、少なくとも可撓性フィルム状部材と可撓性ベー
スとの間、可撓性フィルム状部材と弾性体との間、或い
は対峙する一対の可撓性フィルム状部材の間のいずれか
に摩擦を低減する部材を介装したことにより、各フィル
ム及び部材間における滑りを更に滑らかに行なうことが
でき、よって加熱時における弾性体の熱膨張が可撓性ベ
ースに影響することを更に確実に防止することができ
る。
よれば、少なくとも可撓性フィルム状部材と可撓性ベー
スとの間、可撓性フィルム状部材と弾性体との間、或い
は対峙する一対の可撓性フィルム状部材の間のいずれか
に摩擦を低減する部材を介装したことにより、各フィル
ム及び部材間における滑りを更に滑らかに行なうことが
でき、よって加熱時における弾性体の熱膨張が可撓性ベ
ースに影響することを更に確実に防止することができ
る。
【００３０】また、請求項１０記載の発明によれば、可
撓性フィルム状部材を弾性体と一体的な構成としたこと
により、可撓性フィルム状部材と弾性体とを別個に形成
する構成に比べて、電子装置用試験装置の構造の簡単化
及び生産性の向上を図ることができる。更に 請求項１
１記載の発明によれば、可撓性フィルム状部材を用いる
ことなく、弾性体を複数の弾性体層から構成すると共
に、弾性体層の内、少なくとも１層を他層と物性の異な
るものを用いたことにより、弾性体層の内で可撓性ベー
スと接する層の特性を可撓性フィルム状部材と近似した
特性とすることが可能となる。
撓性フィルム状部材を弾性体と一体的な構成としたこと
により、可撓性フィルム状部材と弾性体とを別個に形成
する構成に比べて、電子装置用試験装置の構造の簡単化
及び生産性の向上を図ることができる。更に 請求項１
１記載の発明によれば、可撓性フィルム状部材を用いる
ことなく、弾性体を複数の弾性体層から構成すると共
に、弾性体層の内、少なくとも１層を他層と物性の異な
るものを用いたことにより、弾性体層の内で可撓性ベー
スと接する層の特性を可撓性フィルム状部材と近似した
特性とすることが可能となる。
【００３１】これにより、可撓性フィルム状部材を用い
ることなく、電子装置の下面が電子装置用試験装置と接
触することを防止でき、また外部接続端子と配線層との
接続部分に応力が印加されて両者が剥離することを確実
に防止することができ、更には部品点数の削減を図るこ
とができる。
ることなく、電子装置の下面が電子装置用試験装置と接
触することを防止でき、また外部接続端子と配線層との
接続部分に応力が印加されて両者が剥離することを確実
に防止することができ、更には部品点数の削減を図るこ
とができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は、本発明の第１実施例で
ある電子装置用試験装置２０Ａ（以下、単に試験装置と
いう）の要部を示す分解図である。同図に示されるよう
に、試験装置２０Ａは、大略すると可撓性ベース２２，
配線層２４，弾性体２８Ａ，及び可撓性フィルム状部材
４０Ａ（以下、フィルム部材という）等により構成され
ている。この試験装置２０Ａは電子装置である半導体素
子３０が装着され、この半導体装置３０に対し動作試
験，信頼性試験を行なう際に用いられるものである。
て図面と共に説明する。図１は、本発明の第１実施例で
ある電子装置用試験装置２０Ａ（以下、単に試験装置と
いう）の要部を示す分解図である。同図に示されるよう
に、試験装置２０Ａは、大略すると可撓性ベース２２，
配線層２４，弾性体２８Ａ，及び可撓性フィルム状部材
４０Ａ（以下、フィルム部材という）等により構成され
ている。この試験装置２０Ａは電子装置である半導体素
子３０が装着され、この半導体装置３０に対し動作試
験，信頼性試験を行なう際に用いられるものである。
【００３３】尚、以下の説明では、電子装置としてベア
チップ状の半導体素子３０を用いた例について説明する
が、以下の各実施例で説明する試験装置は、各種半導体
装置，回路基板等に対し適用できるものである。可撓性
ベース２２は、例えばポリイミド等の絶縁性樹脂により
形成されている。本実施例では、可撓性ベース２２とし
て、熱膨張率が１０〜２０ｐｐｍ程度のポリイミド樹脂
を用いている。また、この可撓性ベース２２の厚さＷ1
は、フィルム部材４０Ａの厚さをＷ2 とした場合、（Ｗ
2 ／２）≦Ｗ1 ≦Ｗ2 となる範囲で設定されている。
チップ状の半導体素子３０を用いた例について説明する
が、以下の各実施例で説明する試験装置は、各種半導体
装置，回路基板等に対し適用できるものである。可撓性
ベース２２は、例えばポリイミド等の絶縁性樹脂により
形成されている。本実施例では、可撓性ベース２２とし
て、熱膨張率が１０〜２０ｐｐｍ程度のポリイミド樹脂
を用いている。また、この可撓性ベース２２の厚さＷ1
は、フィルム部材４０Ａの厚さをＷ2 とした場合、（Ｗ
2 ／２）≦Ｗ1 ≦Ｗ2 となる範囲で設定されている。
【００３４】また、配線層２４は可撓性ベース２２上に
一体的にパターン形成されており、また半導体素子３０
が接続される位置には突起電極２６が形成されている。
この突起電極２６は例えば半田により形成されており、
またその形成位置は半導体素子３０に配設された電極部
３２の形成位置と対応するよう設定されている。尚、配
線層２４の厚さＷ3 は、フィルム部材４０Ａの厚さをＷ
2 とした場合、（Ｗ2／２）≦Ｗ3 ≦Ｗ2 となる範囲で
設定されている。
一体的にパターン形成されており、また半導体素子３０
が接続される位置には突起電極２６が形成されている。
この突起電極２６は例えば半田により形成されており、
またその形成位置は半導体素子３０に配設された電極部
３２の形成位置と対応するよう設定されている。尚、配
線層２４の厚さＷ3 は、フィルム部材４０Ａの厚さをＷ
2 とした場合、（Ｗ2／２）≦Ｗ3 ≦Ｗ2 となる範囲で
設定されている。
【００３５】弾性体２８Ａは、例えばシリコンゴム等の
弾性体により形成されている。この弾性体２８Ａは、可
撓性ベース２２の半導体素子３０が接続される面（図に
おける上面）に対する反対面（下面）に配設位置が選定
されている。本実施例では、弾性体２８Ａとして、熱膨
張率が１００ｐｐｍ以上、硬度が５０度である物性を有
したシリコンゴムを用いている。
弾性体により形成されている。この弾性体２８Ａは、可
撓性ベース２２の半導体素子３０が接続される面（図に
おける上面）に対する反対面（下面）に配設位置が選定
されている。本実施例では、弾性体２８Ａとして、熱膨
張率が１００ｐｐｍ以上、硬度が５０度である物性を有
したシリコンゴムを用いている。
【００３６】フィルム部材４０Ａは本実施例の特徴とな
るものであり、可撓性を有したフィルム状のポリイミド
樹脂により構成されている。本実施例では、フィルム部
材４０Ａとして、熱膨張率，表面摩擦係数，及び硬度が
可撓性ベース２２と同等の物性を有したポリイミド樹脂
を用いている。従って、本実施例に係る試験装置２０Ａ
は、フィルム部材４０Ａの硬度が弾性体２８Ａの硬度よ
りも大きく設定され、かつ、フィルム部材４０Ａの熱膨
張率が弾性体２８Ａの熱膨張率より小さく設定されてい
る。また、試験装置２０Ａは弾性体２８Ａの上部にフィ
ルム部材４０Ａ，配線層２４が形成された可撓性ベース
２２を順次積層することにより形成され、可撓性ベース
２２とフィルム部材４０Ａとの間、及びフィルム部材４
０Ａと弾性体２８Ａとの間は、共に固定されず相対的に
変位可能な構成となっている。
るものであり、可撓性を有したフィルム状のポリイミド
樹脂により構成されている。本実施例では、フィルム部
材４０Ａとして、熱膨張率，表面摩擦係数，及び硬度が
可撓性ベース２２と同等の物性を有したポリイミド樹脂
を用いている。従って、本実施例に係る試験装置２０Ａ
は、フィルム部材４０Ａの硬度が弾性体２８Ａの硬度よ
りも大きく設定され、かつ、フィルム部材４０Ａの熱膨
張率が弾性体２８Ａの熱膨張率より小さく設定されてい
る。また、試験装置２０Ａは弾性体２８Ａの上部にフィ
ルム部材４０Ａ，配線層２４が形成された可撓性ベース
２２を順次積層することにより形成され、可撓性ベース
２２とフィルム部材４０Ａとの間、及びフィルム部材４
０Ａと弾性体２８Ａとの間は、共に固定されず相対的に
変位可能な構成となっている。
【００３７】上記構成された試験装置２０Ａに半導体素
子３０を装着するには、半導体素子３０に形成された電
極部３２と配線層２４に形成された突起電極２６を位置
決めした上で、試験装置２０Ａに半導体素子３０を接続
する。そして、図示しない加圧機構により半導体素子３
０を試験装置２０Ａに向け加圧する。これにより、図２
に示されるように電極部３２は突起電極２６に圧接さ
れ、よって半導体素子３０と試験装置２０Ａは電気的に
接続された状態となる。そして、この状態において半導
体素子３０に対して所定の試験が実施される。
子３０を装着するには、半導体素子３０に形成された電
極部３２と配線層２４に形成された突起電極２６を位置
決めした上で、試験装置２０Ａに半導体素子３０を接続
する。そして、図示しない加圧機構により半導体素子３
０を試験装置２０Ａに向け加圧する。これにより、図２
に示されるように電極部３２は突起電極２６に圧接さ
れ、よって半導体素子３０と試験装置２０Ａは電気的に
接続された状態となる。そして、この状態において半導
体素子３０に対して所定の試験が実施される。
【００３８】上記のように半導体素子３０に対して試験
が実施される際、半導体素子３０は試験装置２０Ａに向
け加圧される。従って、試験実施時（特に、加熱処理を
伴う試験時）に弾性体２８Ａが過剰に弾性変形すると、
前記したように半導体素子３０の下面が可撓性ベース２
２に接触するおそれがある。しかるに、本実施例に係る
試験装置２０Ａは、弾性体２８Ａと可撓性ベース２２と
の間に、弾性体２８Ａよりも高い硬度を有したフィルム
部材４０Ａが介装されている。よって、加熱処理を伴う
試験を行なった際に弾性体２８Ａが軟化しても、加圧力
はこのフィルム部材４０Ａで受けられるため、突起電極
２６と電極部３２との接続部分が弾性体２８Ａの内部に
めり込んだ状態となることを防止することができる。
が実施される際、半導体素子３０は試験装置２０Ａに向
け加圧される。従って、試験実施時（特に、加熱処理を
伴う試験時）に弾性体２８Ａが過剰に弾性変形すると、
前記したように半導体素子３０の下面が可撓性ベース２
２に接触するおそれがある。しかるに、本実施例に係る
試験装置２０Ａは、弾性体２８Ａと可撓性ベース２２と
の間に、弾性体２８Ａよりも高い硬度を有したフィルム
部材４０Ａが介装されている。よって、加熱処理を伴う
試験を行なった際に弾性体２８Ａが軟化しても、加圧力
はこのフィルム部材４０Ａで受けられるため、突起電極
２６と電極部３２との接続部分が弾性体２８Ａの内部に
めり込んだ状態となることを防止することができる。
【００３９】即ち、弾性体２８Ａと可撓性ベース２２と
の間に介装されるフィルム部材４０Ａは弾性体２８Ａよ
りも高い硬度を有しているため、加熱されても弾性体２
８Ａよりも高い硬度維持する。よって、半導体素子３０
を試験装置２０Ａに向け加圧しても、半導体素子３０の
下面が試験装置２０Ａと接触することはなく、よって半
導体素子３０にダメージが発生することを防止すること
ができる。
の間に介装されるフィルム部材４０Ａは弾性体２８Ａよ
りも高い硬度を有しているため、加熱されても弾性体２
８Ａよりも高い硬度維持する。よって、半導体素子３０
を試験装置２０Ａに向け加圧しても、半導体素子３０の
下面が試験装置２０Ａと接触することはなく、よって半
導体素子３０にダメージが発生することを防止すること
ができる。
【００４０】また前記のように、フィルム部材４０Ａ
は、弾性体２８Ａよりも小さな熱膨張率を有する材質に
より構成されている。従って、加熱処理を伴う試験を行
なうことにより弾性体２８Ａが熱膨張しても、フィルム
部材４０Ａにより弾性体２８Ａの熱膨張が半導体素子３
０を搭載した可撓性ベース２２が直接印加され引っ張ら
れることを防止できる。
は、弾性体２８Ａよりも小さな熱膨張率を有する材質に
より構成されている。従って、加熱処理を伴う試験を行
なうことにより弾性体２８Ａが熱膨張しても、フィルム
部材４０Ａにより弾性体２８Ａの熱膨張が半導体素子３
０を搭載した可撓性ベース２２が直接印加され引っ張ら
れることを防止できる。
【００４１】即ち、弾性体２８Ａと可撓性ベース２２と
の間に介装されるフィルム部材４０Ａは、弾性体２８Ａ
よりも低い熱膨張率を有したものが選定されているた
め、加熱されてもフィルム部材４０Ａの熱膨張量は小さ
い。また、半導体素子３０を搭載した可撓性ベース２２
はフィルム部材４０Ａと対峙した（積層された）構成と
なっている。
の間に介装されるフィルム部材４０Ａは、弾性体２８Ａ
よりも低い熱膨張率を有したものが選定されているた
め、加熱されてもフィルム部材４０Ａの熱膨張量は小さ
い。また、半導体素子３０を搭載した可撓性ベース２２
はフィルム部材４０Ａと対峙した（積層された）構成と
なっている。
【００４２】よって、弾性体２８Ａが熱膨張した際、可
撓性ベース２２と同等の熱膨張率に設定されたフィルム
部材４０Ａが介在されるため、弾性体２８Ａの熱膨張に
よりフィルム部材４０Ａが変形することを防止すること
ができる。更に、フィルム部材４０Ａは低い熱膨張率を
有しているため、加熱処理によりフィルム部材４０Ａ自
体が熱膨張する量も小さくなっている。
撓性ベース２２と同等の熱膨張率に設定されたフィルム
部材４０Ａが介在されるため、弾性体２８Ａの熱膨張に
よりフィルム部材４０Ａが変形することを防止すること
ができる。更に、フィルム部材４０Ａは低い熱膨張率を
有しているため、加熱処理によりフィルム部材４０Ａ自
体が熱膨張する量も小さくなっている。
【００４３】従って、弾性体２８Ａが熱膨張しても半導
体素子３０を搭載した可撓性ベース２２が直接引っ張ら
れて変形することはなく、突起電極２６と電極部３２と
の接続部分に応力が印加されて両者２６，３２が剥離す
ることを確実に防止することができる。次に、本発明の
第２実施例について説明する。
体素子３０を搭載した可撓性ベース２２が直接引っ張ら
れて変形することはなく、突起電極２６と電極部３２と
の接続部分に応力が印加されて両者２６，３２が剥離す
ることを確実に防止することができる。次に、本発明の
第２実施例について説明する。
【００４４】図３は、第２実施例である試験装置２０Ｂ
を示す分解図である。尚、図３において、図１及び図２
に示した第１実施例に係る試験装置２０Ａと同一構成に
ついては同一符号を付してその説明を省略する。第１実
施例に係る試験装置２０Ａでは、可撓性ベース２２と弾
性体２８Ａとの間に１枚のフィルム部材４０Ａを介装し
た構成とした。これに対し、本実施例に係る試験装置２
０Ｂでは、可撓性ベース２２と弾性体２８Ａとの間に複
数枚（本実施例では２枚）のフィルム部材４０Ｂ，４０
Ｃを介装したことを特徴とするものである。
を示す分解図である。尚、図３において、図１及び図２
に示した第１実施例に係る試験装置２０Ａと同一構成に
ついては同一符号を付してその説明を省略する。第１実
施例に係る試験装置２０Ａでは、可撓性ベース２２と弾
性体２８Ａとの間に１枚のフィルム部材４０Ａを介装し
た構成とした。これに対し、本実施例に係る試験装置２
０Ｂでは、可撓性ベース２２と弾性体２８Ａとの間に複
数枚（本実施例では２枚）のフィルム部材４０Ｂ，４０
Ｃを介装したことを特徴とするものである。
【００４５】このフィルム部材４０Ｂ，４０Ｃは共にポ
リイミド樹脂により形成されたフィルム状の部材であ
り、本実施例では可撓性ベース２２と対峙するよう配設
される上側のフィルム部材４０Ｂの厚さを２０〜５０μ
ｍに設定すると共に、弾性体２８Ａと対峙するよう配設
される下側のフィルム部材４０Ｃの厚さを７５〜３００
μｍに設定している。
リイミド樹脂により形成されたフィルム状の部材であ
り、本実施例では可撓性ベース２２と対峙するよう配設
される上側のフィルム部材４０Ｂの厚さを２０〜５０μ
ｍに設定すると共に、弾性体２８Ａと対峙するよう配設
される下側のフィルム部材４０Ｃの厚さを７５〜３００
μｍに設定している。
【００４６】このように、複数枚のフィルム部材４０
Ｂ，４０Ｃを弾性体２８Ａと可撓性ベース２２との間に
介装したことにより、同一の物性（硬度、弾性率、熱膨
張率等）及び厚さを有したフィルム部材を積層する場合
には、フィルム部材４０Ｂ，４０Ｃの積層枚数によりフ
ィルム部材全体しての硬度の調整を行なうことが可能と
なる。
Ｂ，４０Ｃを弾性体２８Ａと可撓性ベース２２との間に
介装したことにより、同一の物性（硬度、弾性率、熱膨
張率等）及び厚さを有したフィルム部材を積層する場合
には、フィルム部材４０Ｂ，４０Ｃの積層枚数によりフ
ィルム部材全体しての硬度の調整を行なうことが可能と
なる。
【００４７】具体的には、介装するフィルム部材の枚数
が増えるに従いフィルム部材全体としての硬度は増大
し、図３に示す例では、フィルム部材４０Ｂのみを介装
する構成に比べ、２枚のフィルム部材４０Ｂ，４０Ｃを
介装した方が硬度は増大する。よって、単に積層するフ
ィルム部材の枚数を選定することにより、複数のフィル
ム部材の全体としての硬度を任意に設定することができ
るため、硬度の設定処理を容易に行なうことができる。
が増えるに従いフィルム部材全体としての硬度は増大
し、図３に示す例では、フィルム部材４０Ｂのみを介装
する構成に比べ、２枚のフィルム部材４０Ｂ，４０Ｃを
介装した方が硬度は増大する。よって、単に積層するフ
ィルム部材の枚数を選定することにより、複数のフィル
ム部材の全体としての硬度を任意に設定することができ
るため、硬度の設定処理を容易に行なうことができる。
【００４８】一方、本実施例のように弾性体２８Ａと可
撓性ベース２２との間に複数枚のフィルム部材４０Ｂ，
４０Ｃを介装したことにより、加熱処理を行なった際
に、フィルム部材４０Ｂと可撓性ベース２２との間ばか
りではなく、対峙する一対のフィルム部材４０Ｂ，４０
Ｃ間においても滑りを発生させることができる。これに
より、加熱時における弾性体２８Ａの熱膨張が可撓性ベ
ース２２に影響することをより確実に防止することがで
き、従って突起電極２６と電極部３２との接続部分にお
ける剥離発生をより確実に防止することができる。
撓性ベース２２との間に複数枚のフィルム部材４０Ｂ，
４０Ｃを介装したことにより、加熱処理を行なった際
に、フィルム部材４０Ｂと可撓性ベース２２との間ばか
りではなく、対峙する一対のフィルム部材４０Ｂ，４０
Ｃ間においても滑りを発生させることができる。これに
より、加熱時における弾性体２８Ａの熱膨張が可撓性ベ
ース２２に影響することをより確実に防止することがで
き、従って突起電極２６と電極部３２との接続部分にお
ける剥離発生をより確実に防止することができる。
【００４９】また、上記した実施例では、積層されるフ
ィルム部材４０Ｂ，４０Ｃの各々の物性及び厚さを等し
くした例について説明したが、積層されるフィルム部材
４０Ｂ，４０Ｃの物性を異ならせることも可能である。
即ち、積層される複数のフィルム部材の内、少なくとも
１枚を他のフィルム部材と物性，厚さの異なるものを用
いることにより、フィルム部材全体としての物性の調整
を容易に行なうことができる。ここで、フィルム部材の
物性とは、例えば硬度、弾性率、熱膨張率等をいう。
ィルム部材４０Ｂ，４０Ｃの各々の物性及び厚さを等し
くした例について説明したが、積層されるフィルム部材
４０Ｂ，４０Ｃの物性を異ならせることも可能である。
即ち、積層される複数のフィルム部材の内、少なくとも
１枚を他のフィルム部材と物性，厚さの異なるものを用
いることにより、フィルム部材全体としての物性の調整
を容易に行なうことができる。ここで、フィルム部材の
物性とは、例えば硬度、弾性率、熱膨張率等をいう。
【００５０】これを図３に示した構成を例に挙げて説明
すると、硬度に関しては可撓性ベース２２に近い上部に
位置するフィルム部材４０Ｂの硬度を、理弾性体２８Ａ
に近い下部に位置するフィルム部材４０Ｃの硬度に対し
て高く設定することが望ましい。また、弾性率に関して
は上部に位置するフィルム部材４０Ｂの弾性率を、下部
に位置するフィルム部材４０Ｃの弾性率に対して低く設
定することが望ましい。更に、熱膨張率に関しては上部
に位置するフィルム部材４０Ｂの熱膨張率を、下部に位
置するフィルム部材４０Ｃの熱膨張率対して低く設定す
ることが望ましい。
すると、硬度に関しては可撓性ベース２２に近い上部に
位置するフィルム部材４０Ｂの硬度を、理弾性体２８Ａ
に近い下部に位置するフィルム部材４０Ｃの硬度に対し
て高く設定することが望ましい。また、弾性率に関して
は上部に位置するフィルム部材４０Ｂの弾性率を、下部
に位置するフィルム部材４０Ｃの弾性率に対して低く設
定することが望ましい。更に、熱膨張率に関しては上部
に位置するフィルム部材４０Ｂの熱膨張率を、下部に位
置するフィルム部材４０Ｃの熱膨張率対して低く設定す
ることが望ましい。
【００５１】このように設定することにより、半導体素
子３０の下面が試験装置２０Ｂに接触することを確実に
防止することができると共に、突起電極２６と電極部３
２との接続部分における剥離発生を確実に防止すること
ができる。次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図４は、第３実施例である試験装置２０Ｃを示す分
解図である。尚、図４において、図１乃至図３に示した
第１及び第２実施例に係る試験装置２０Ａ，２０Ｂと同
一構成については同一符号を付してその説明を省略す
る。
子３０の下面が試験装置２０Ｂに接触することを確実に
防止することができると共に、突起電極２６と電極部３
２との接続部分における剥離発生を確実に防止すること
ができる。次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図４は、第３実施例である試験装置２０Ｃを示す分
解図である。尚、図４において、図１乃至図３に示した
第１及び第２実施例に係る試験装置２０Ａ，２０Ｂと同
一構成については同一符号を付してその説明を省略す
る。
【００５２】第１実施例に係る試験装置２０Ａでは、弾
性体２８Ａが単層の構成とされていた。これに対し、本
実施例に係る試験装置２０Ｃでは、積層された複数（本
実施例では２層）の弾性体２８Ｂ，２８Ｃを設けたこと
を特徴とするものである。第１及び第２の弾性体２８
Ｂ，２８Ｃは共にシリコンゴムにより形成され、一体的
に積層された構造を有している。しかるに、第１の弾性
体２８Ｂと第２の弾性体２８Ｃの物性は異なるよう構成
されている。ここで、物性とは、例えば硬度、弾性率、
熱膨張率等をいう。
性体２８Ａが単層の構成とされていた。これに対し、本
実施例に係る試験装置２０Ｃでは、積層された複数（本
実施例では２層）の弾性体２８Ｂ，２８Ｃを設けたこと
を特徴とするものである。第１及び第２の弾性体２８
Ｂ，２８Ｃは共にシリコンゴムにより形成され、一体的
に積層された構造を有している。しかるに、第１の弾性
体２８Ｂと第２の弾性体２８Ｃの物性は異なるよう構成
されている。ここで、物性とは、例えば硬度、弾性率、
熱膨張率等をいう。
【００５３】本実施例では、第１の弾性体２８Ｂと第２
の弾性体２８Ｃの硬度を異なるよう設定している。具体
的には、可撓性ベース２２と対峙する第１の弾性体２８
Ｂは硬度８０とされており、その下部に位置する第２の
弾性体２８Ｃは硬度５０とされている。即ち、上部に位
置する第１の弾性体２８Ｂは硬く設定されており、下部
に位置する第２の弾性体２８Ｃは軟らかく設定されてい
る。
の弾性体２８Ｃの硬度を異なるよう設定している。具体
的には、可撓性ベース２２と対峙する第１の弾性体２８
Ｂは硬度８０とされており、その下部に位置する第２の
弾性体２８Ｃは硬度５０とされている。即ち、上部に位
置する第１の弾性体２８Ｂは硬く設定されており、下部
に位置する第２の弾性体２８Ｃは軟らかく設定されてい
る。
【００５４】この高硬度の第１の弾性体２８Ｂは突起電
極２６及び電極部３２の高さバラツキを吸収すると共に
加圧時における過剰なめり込みの発生を抑制する機能を
奏し、また低硬度の第２の弾性体２８Ｃは半導体素子３
０をフェイスダウンした時の傾き吸収及び衝撃吸収の機
能を奏する。図５は、第３実施例に係る試験装置２０Ｃ
に傾いた状態で半導体素子３０が装着され加圧された状
態を示している。この場合、半導体素子３０の傾きは低
硬度の第２の弾性体２８Ｃが弾性変形することにより吸
収されている。また、突起電極２６と電極部３２との接
合部は、高硬度の第１の弾性体２８Ｂに支持されること
により、低硬度の第２の弾性体２８Ｃに過剰にめり込ま
ないよう構成されている。
極２６及び電極部３２の高さバラツキを吸収すると共に
加圧時における過剰なめり込みの発生を抑制する機能を
奏し、また低硬度の第２の弾性体２８Ｃは半導体素子３
０をフェイスダウンした時の傾き吸収及び衝撃吸収の機
能を奏する。図５は、第３実施例に係る試験装置２０Ｃ
に傾いた状態で半導体素子３０が装着され加圧された状
態を示している。この場合、半導体素子３０の傾きは低
硬度の第２の弾性体２８Ｃが弾性変形することにより吸
収されている。また、突起電極２６と電極部３２との接
合部は、高硬度の第１の弾性体２８Ｂに支持されること
により、低硬度の第２の弾性体２８Ｃに過剰にめり込ま
ないよう構成されている。
【００５５】このように、第１及び第２の弾性体２８
Ｂ，２８Ｃの物性を異ならせることにより、弾性体に要
求される上記の各機能を夫々に分担させて担わせること
が可能となる。これにより、上記の各機能を確実に実現
することができ、信頼性の高い試験を行なうことが可能
となる。尚、上記した実施例では、第１の弾性体２８Ｂ
と第２の弾性体２８Ｃを同一材料（シリコンゴム）によ
り形成した例を示したが、第１の弾性体２８Ｂと第２の
弾性体２８Ｃの材質は必ずしも等しくする必要はなく、
別の材料により形成した構成としてもよい。
Ｂ，２８Ｃの物性を異ならせることにより、弾性体に要
求される上記の各機能を夫々に分担させて担わせること
が可能となる。これにより、上記の各機能を確実に実現
することができ、信頼性の高い試験を行なうことが可能
となる。尚、上記した実施例では、第１の弾性体２８Ｂ
と第２の弾性体２８Ｃを同一材料（シリコンゴム）によ
り形成した例を示したが、第１の弾性体２８Ｂと第２の
弾性体２８Ｃの材質は必ずしも等しくする必要はなく、
別の材料により形成した構成としてもよい。
【００５６】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。図６は、第４実施例である試験装置２０Ｄを示す分
解図である。尚、図６において、図１乃至図５に示した
第１乃至第３実施例に係る試験装置２０Ａ〜２０Ｃと同
一構成については同一符号を付してその説明を省略す
る。前記してきた第１乃至第３実施例に係る試験装置２
０Ａ〜２０Ｃでは、フィルム部材４０Ａ〜４０Ｃが弾性
体２８Ａ〜２８Ｃに対し独立した構成とされていた。こ
れに対し、本実施例に係る試験装置２０Ｄでは、フィル
ム部材４０Ｄを弾性体と一体的な構成としたことを特徴
とするものである。
る。図６は、第４実施例である試験装置２０Ｄを示す分
解図である。尚、図６において、図１乃至図５に示した
第１乃至第３実施例に係る試験装置２０Ａ〜２０Ｃと同
一構成については同一符号を付してその説明を省略す
る。前記してきた第１乃至第３実施例に係る試験装置２
０Ａ〜２０Ｃでは、フィルム部材４０Ａ〜４０Ｃが弾性
体２８Ａ〜２８Ｃに対し独立した構成とされていた。こ
れに対し、本実施例に係る試験装置２０Ｄでは、フィル
ム部材４０Ｄを弾性体と一体的な構成としたことを特徴
とするものである。
【００５７】図６に示す例では、第３実施例に本実施例
を適用した例を示しているため、フィルム部材４０Ｄは
第１の弾性体２８Ｂと一体的な構成とされている。ま
た、第１実施例に適用した場合には、フィルム部材４０
Ｄを弾性体２８Ａに一体化した構成とする。このよう
に、フィルム部材４０Ｄを第１の弾性体２８Ｂと一体的
な構成とすることにより、フィルム部材４０Ｄを弾性体
２８Ｂと別個に形成する構成に比べて、試験装置２０Ｄ
の構造の簡単化及び生産性の向上を図ることができる。
を適用した例を示しているため、フィルム部材４０Ｄは
第１の弾性体２８Ｂと一体的な構成とされている。ま
た、第１実施例に適用した場合には、フィルム部材４０
Ｄを弾性体２８Ａに一体化した構成とする。このよう
に、フィルム部材４０Ｄを第１の弾性体２８Ｂと一体的
な構成とすることにより、フィルム部材４０Ｄを弾性体
２８Ｂと別個に形成する構成に比べて、試験装置２０Ｄ
の構造の簡単化及び生産性の向上を図ることができる。
【００５８】尚、フィルム部材４０Ｄを第１の弾性体２
８Ｂに一体的とする具体的な製造方法としては、例えば
弾性体２８Ｂの成形時にフィルム部材４０Ｄを予め金型
内に装着しておく、インサート成形を用いることが考え
られる。また、接着剤を用いてフィルム部材４０Ｄを第
１の弾性体２８Ｂに接着することにより一体化する構成
としてもよい。
８Ｂに一体的とする具体的な製造方法としては、例えば
弾性体２８Ｂの成形時にフィルム部材４０Ｄを予め金型
内に装着しておく、インサート成形を用いることが考え
られる。また、接着剤を用いてフィルム部材４０Ｄを第
１の弾性体２８Ｂに接着することにより一体化する構成
としてもよい。
【００５９】次に、本発明の第５実施例について説明す
る。図７は、第５実施例である試験装置２０Ｅを示す分
解図である。尚、図７において、図１乃至図６に示した
第１乃至第４実施例に係る試験装置２０Ａ〜２０Ｄと同
一構成については同一符号を付してその説明を省略す
る。また、後に図８乃至図１０を用いて説明する第５実
施例の各変形例に係る試験装置２０Ｆ〜２０Ｈについて
も同様とする。
る。図７は、第５実施例である試験装置２０Ｅを示す分
解図である。尚、図７において、図１乃至図６に示した
第１乃至第４実施例に係る試験装置２０Ａ〜２０Ｄと同
一構成については同一符号を付してその説明を省略す
る。また、後に図８乃至図１０を用いて説明する第５実
施例の各変形例に係る試験装置２０Ｆ〜２０Ｈについて
も同様とする。
【００６０】本実施例に係る試験装置２０Ｅ〜２０Ｈで
は、少なくともフィルム部材４０Ａ，４０Ｂと可撓性ベ
ース２２との間、フィルム部材４０Ａ，４０Ｃと弾性体
２８Ａ，２８Ｂとの間、或いは対峙する一対のフィルム
部材４０Ｂ，４０Ｃの間のいずれかに低摩擦部材４２を
介装したことを特徴とするものである。図７に示す試験
装置２０Ｅでは、低摩擦部材４２を可撓性ベース２２と
フィルム部材４０Ａとの間に介装した構成とされてい
る。この低摩擦部材４２は、例えばシリコングリース等
を用いることが考えられる。即ち、シリコングリース等
よりなる低摩擦部材４２は、フィルム部材４０Ａ，４０
Ｂと可撓性ベース２２との間の摩擦、フィルム部材４０
Ａ，４０Ｃと弾性体２８Ａ，２８Ｂとの間の摩擦、或い
は対峙する一対のフィルム部材４０Ｂ，４０Ｃの間の摩
擦、及び可撓性ベース２２とフィルム部材４０Ａとの間
の摩擦を軽減する潤滑剤として機能する。尚、上記のよ
うに低摩擦部材４２はシリコングリース等の粘性体であ
るが、図７乃至図９には、図示の便宜上、低摩擦部材４
２をシート状に示している。
は、少なくともフィルム部材４０Ａ，４０Ｂと可撓性ベ
ース２２との間、フィルム部材４０Ａ，４０Ｃと弾性体
２８Ａ，２８Ｂとの間、或いは対峙する一対のフィルム
部材４０Ｂ，４０Ｃの間のいずれかに低摩擦部材４２を
介装したことを特徴とするものである。図７に示す試験
装置２０Ｅでは、低摩擦部材４２を可撓性ベース２２と
フィルム部材４０Ａとの間に介装した構成とされてい
る。この低摩擦部材４２は、例えばシリコングリース等
を用いることが考えられる。即ち、シリコングリース等
よりなる低摩擦部材４２は、フィルム部材４０Ａ，４０
Ｂと可撓性ベース２２との間の摩擦、フィルム部材４０
Ａ，４０Ｃと弾性体２８Ａ，２８Ｂとの間の摩擦、或い
は対峙する一対のフィルム部材４０Ｂ，４０Ｃの間の摩
擦、及び可撓性ベース２２とフィルム部材４０Ａとの間
の摩擦を軽減する潤滑剤として機能する。尚、上記のよ
うに低摩擦部材４２はシリコングリース等の粘性体であ
るが、図７乃至図９には、図示の便宜上、低摩擦部材４
２をシート状に示している。
【００６１】このように、可撓性ベース２２とフィルム
部材４０Ａとの間に低摩擦部材４２を介装することによ
り、可撓性ベース２２と低摩擦部材４２との間における
滑り、及びフィルム部材４０Ａと低摩擦部材４２との間
における滑りを円滑かつ滑らかに行なうことが可能とな
る。よって、加熱を伴う試験時において弾性体２８Ａが
熱膨張し、これに引きずられてフィルム部材４０Ａに変
位，変形が発生したとしても、可撓性ベース２２との間
で低摩擦部材４２による滑りが生じるため、弾性体２８
Ａの熱膨張が可撓性ベース２２に影響することを更に確
実に防止することができる。これにより、突起電極２６
と電極部３２との接続部分における剥離発生を略完全に
防止することができる。
部材４０Ａとの間に低摩擦部材４２を介装することによ
り、可撓性ベース２２と低摩擦部材４２との間における
滑り、及びフィルム部材４０Ａと低摩擦部材４２との間
における滑りを円滑かつ滑らかに行なうことが可能とな
る。よって、加熱を伴う試験時において弾性体２８Ａが
熱膨張し、これに引きずられてフィルム部材４０Ａに変
位，変形が発生したとしても、可撓性ベース２２との間
で低摩擦部材４２による滑りが生じるため、弾性体２８
Ａの熱膨張が可撓性ベース２２に影響することを更に確
実に防止することができる。これにより、突起電極２６
と電極部３２との接続部分における剥離発生を略完全に
防止することができる。
【００６２】図８乃至図１０は、図７に示した試験装置
２０Ｅの変形例を示している。図８に示す試験装置２０
Ｆは、フィルム部材４０Ａと弾性体２８Ａとの間に低摩
擦部材４２を介装したものである。図９に示す試験装置
２０Ｇは、図３を用いて説明した第２実施例に本実施例
を適用したものであり、フィルム部材４０Ｂと可撓性ベ
ース２２との間に低摩擦部材４２を介装したものであ
る。
２０Ｅの変形例を示している。図８に示す試験装置２０
Ｆは、フィルム部材４０Ａと弾性体２８Ａとの間に低摩
擦部材４２を介装したものである。図９に示す試験装置
２０Ｇは、図３を用いて説明した第２実施例に本実施例
を適用したものであり、フィルム部材４０Ｂと可撓性ベ
ース２２との間に低摩擦部材４２を介装したものであ
る。
【００６３】更に、図１０に示す試験装置２０Ｈは、フ
ィルム部材４０Ｃと弾性体２８Ａとの間に低摩擦部材４
２を介装したものである。また、図示しないが、フィル
ム部材４０Ｂとフィルム部材４０Ｃとの間に低摩擦部材
４２を介装した構成としてもよい。上記した図８乃至図
１０に示した試験装置２０Ｆ〜２０Ｈにおいても、図７
に示した試験装置２０Ｅと同等の効果を得ることがで
る。即ち、弾性体２８Ａの熱膨張が可撓性ベース２２に
影響することを更に確実に防止することができ、突起電
極２６と電極部３２との接続部分における剥離発生を略
完全に防止することができる。
ィルム部材４０Ｃと弾性体２８Ａとの間に低摩擦部材４
２を介装したものである。また、図示しないが、フィル
ム部材４０Ｂとフィルム部材４０Ｃとの間に低摩擦部材
４２を介装した構成としてもよい。上記した図８乃至図
１０に示した試験装置２０Ｆ〜２０Ｈにおいても、図７
に示した試験装置２０Ｅと同等の効果を得ることがで
る。即ち、弾性体２８Ａの熱膨張が可撓性ベース２２に
影響することを更に確実に防止することができ、突起電
極２６と電極部３２との接続部分における剥離発生を略
完全に防止することができる。
【００６４】尚、図７乃至図１０を用いて説明した試験
装置２０Ｅ〜２０Ｈでは、低摩擦部材４２としてグリー
ス状の部材を用いた例を示したが、低摩擦部材４２はこ
れに限定されるものではなく、例えば粉体，液体，粘性
体等を用いることも可能である。次に、本発明の第６実
施例について説明する。
装置２０Ｅ〜２０Ｈでは、低摩擦部材４２としてグリー
ス状の部材を用いた例を示したが、低摩擦部材４２はこ
れに限定されるものではなく、例えば粉体，液体，粘性
体等を用いることも可能である。次に、本発明の第６実
施例について説明する。
【００６５】本実施例に係る試験装置は、フィルム部材
４０Ａ〜４０Ｃを用いることなく、弾性体を複数の弾性
体層から構成したことを特徴とするものである。この構
成は、先に図４を用いて説明した試験装置２０Ｃにお
て、フィルム部材４０Ａを除去した構成となる。また、
弾性体層の内、少なくとも１層を他層と物性の異なるも
のを用いた構成としてる。具体的には、弾性体層の内で
可撓性ベースと接する層の特性を先に説明したフィルム
部材４０Ａと近似した特性に設定している。
４０Ａ〜４０Ｃを用いることなく、弾性体を複数の弾性
体層から構成したことを特徴とするものである。この構
成は、先に図４を用いて説明した試験装置２０Ｃにお
て、フィルム部材４０Ａを除去した構成となる。また、
弾性体層の内、少なくとも１層を他層と物性の異なるも
のを用いた構成としてる。具体的には、弾性体層の内で
可撓性ベースと接する層の特性を先に説明したフィルム
部材４０Ａと近似した特性に設定している。
【００６６】この構成とすることにより、フィルム部材
４０Ａを用いることなく、半導体素子の下面が試験装置
と接触することを防止でき、また突起電極と電極部との
接続部分に応力が印加されて両者が剥離することを確実
に防止することができ、更には部品点数の削減を図るこ
とも可能となる。
４０Ａを用いることなく、半導体素子の下面が試験装置
と接触することを防止でき、また突起電極と電極部との
接続部分に応力が印加されて両者が剥離することを確実
に防止することができ、更には部品点数の削減を図るこ
とも可能となる。
【００６７】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、加熱処理を伴う試験を行なった際に弾性体
が軟化しても、外部接続端子と配線層との接続部分が弾
性体内にめり込んだ状態となることを防止することがで
きる。このため、電子部品を電子装置用試験装置に向け
加圧しても、電子装置の下面が電子装置用試験装置と接
触することはなく、よって電子装置にダメージが発生す
ることを防止することができる。
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、加熱処理を伴う試験を行なった際に弾性体
が軟化しても、外部接続端子と配線層との接続部分が弾
性体内にめり込んだ状態となることを防止することがで
きる。このため、電子部品を電子装置用試験装置に向け
加圧しても、電子装置の下面が電子装置用試験装置と接
触することはなく、よって電子装置にダメージが発生す
ることを防止することができる。
【００６８】また、請求項２記載の発明によれば、弾性
体が熱膨張しても、電子装置を搭載した可撓性ベースが
直接引っ張られることはなく、外部接続端子と配線層と
の接続部分に応力が印加されて両者が剥離することを確
実に防止することができる。また、請求項３記載の発明
によれば、介装する可撓性フィルム状部材の枚数により
硬度の調整を行なうことが可能となり、よって全体とし
ての可撓性フィルム状部材の硬度を所望する最適な硬度
に容易に設定することが可能となる。
体が熱膨張しても、電子装置を搭載した可撓性ベースが
直接引っ張られることはなく、外部接続端子と配線層と
の接続部分に応力が印加されて両者が剥離することを確
実に防止することができる。また、請求項３記載の発明
によれば、介装する可撓性フィルム状部材の枚数により
硬度の調整を行なうことが可能となり、よって全体とし
ての可撓性フィルム状部材の硬度を所望する最適な硬度
に容易に設定することが可能となる。
【００６９】また、弾性体と可撓性フィルム状部材との
間、及び可撓性フィルム状部材と可撓性ベースとの間ば
かりではなく、対峙する一対の可撓性フィルム状部材間
においても滑りが発生するため、加熱時における弾性体
の熱膨張が可撓性ベースに影響することをより確実に防
止することができる。また、請求項４及び請求項５記載
の発明によれば、可撓性フィルム状部材全体としての物
性（硬度、弾性率、熱膨張率）の調整を容易に行なうこ
とができる。
間、及び可撓性フィルム状部材と可撓性ベースとの間ば
かりではなく、対峙する一対の可撓性フィルム状部材間
においても滑りが発生するため、加熱時における弾性体
の熱膨張が可撓性ベースに影響することをより確実に防
止することができる。また、請求項４及び請求項５記載
の発明によれば、可撓性フィルム状部材全体としての物
性（硬度、弾性率、熱膨張率）の調整を容易に行なうこ
とができる。
【００７０】また、請求項６記載及び請求項７の発明に
よれば、弾性体に要求される外部接続端子及び配線層の
高さバラツキの吸収機能と、電子装置をフェイスダウン
した時の傾き吸収及び衝撃吸収機能を夫々の層に分担し
て担わせることが可能となるため、この二つの機能を確
実に実現することができ、信頼性の高い試験を行なうこ
とができる。
よれば、弾性体に要求される外部接続端子及び配線層の
高さバラツキの吸収機能と、電子装置をフェイスダウン
した時の傾き吸収及び衝撃吸収機能を夫々の層に分担し
て担わせることが可能となるため、この二つの機能を確
実に実現することができ、信頼性の高い試験を行なうこ
とができる。
【００７１】また、請求項８及び請求項９記載の発明に
よれば、各フィルム及び部材間における滑りを更に滑ら
かに行なうことができ、よって加熱時における弾性体の
熱膨張が可撓性ベースに影響することを更に確実に防止
することができる。また、請求項１０記載の発明によれ
ば、可撓性フィルム状部材と弾性体とを別個に形成する
構成に比べて、電子装置用試験装置の構造の簡単化及び
生産性の向上を図ることができる。
よれば、各フィルム及び部材間における滑りを更に滑ら
かに行なうことができ、よって加熱時における弾性体の
熱膨張が可撓性ベースに影響することを更に確実に防止
することができる。また、請求項１０記載の発明によれ
ば、可撓性フィルム状部材と弾性体とを別個に形成する
構成に比べて、電子装置用試験装置の構造の簡単化及び
生産性の向上を図ることができる。
【００７２】
【図１】本発明の第１実施例である電子装置用試験装置
の分解図である。
の分解図である。
【図２】本発明の第１実施例である電子装置用試験装置
に電子部品を接続した状態を示す図である。
に電子部品を接続した状態を示す図である。
【図３】本発明の第２実施例である電子装置用試験装置
の分解図である。
の分解図である。
【図４】本発明の第３実施例である電子装置用試験装置
の分解図である。
の分解図である。
【図５】本発明の第３実施例である電子装置用試験装置
に電子部品を接続した状態を示す図である。
に電子部品を接続した状態を示す図である。
【図６】本発明の第４実施例である電子装置用試験装置
の分解図である。
の分解図である。
【図７】本発明の第５実施例である電子装置用試験装置
の分解図である。
の分解図である。
【図８】本発明の第５実施例の変形例である電子装置用
試験装置の分解図である（その１）。
試験装置の分解図である（その１）。
【図９】本発明の第５実施例の変形例である電子装置用
試験装置の分解図である（その２）。
試験装置の分解図である（その２）。
【図１０】本発明の第５実施例の変形例である電子装置
用試験装置の分解図である（その３）。
用試験装置の分解図である（その３）。
【図１１】従来の電子装置用試験装置の一例を説明する
ための図である。
ための図である。
【図１２】従来の電子装置用試験装置で発生する問題点
を説明するため図である。
を説明するため図である。
２０Ａ〜２０Ｈ 試験装置
２２ 可撓性ベース
２４ 配線層
２６ 突起電極
２８Ａ〜２８Ｃ 弾性体
３０ 半導体素子
３２ 電極部
４０Ａ〜４０Ｄ フィルム部材
４２ 低摩擦部材
フロントページの続き
(72)発明者 森屋 晋
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１
番１号 富士通株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−243344（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−120742（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−113539（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−36188（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01R 1/06 - 1/073
G01R 31/26
G01R 31/28
H01L 21/66
Claims (10)
- 【請求項１】 可撓性ベースに配線層が形成された構造
を有し、被試験装置となる電子装置の外部接続端子を前
記配線層に加圧接続し、該電子装置に対して試験を行な
う構成とされており、 かつ、前記可撓性ベースの前記電子装置が接続される面
に対する反対面に、弾性変形可能とされた弾性体が配設
された電子装置用試験装置において、 前記弾性体と前記可撓性ベースとの間に、前記可撓性ベ
ースに対し面方向においてすべり可能に構成されると共
に、前記弾性体よりも高い硬度を有したポリイミド樹脂
よりなる可撓性フィルム状部材を介装したことを特徴と
する電子装置用試験装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子装置用試験装置にお
いて、 前記可撓性フィルム状部材は、前記弾性体よりも小さな
熱膨張率を有する材質よりなることを特徴とする電子装
置用試験装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の電子装置用試験
装置において、 前記可撓性フィルム状部材を前記弾性体と前記可撓性ベ
ースとの間に複数枚介装した構成としたことを特徴とす
る電子装置用試験装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の電子装置用試験装置にお
いて、 前記複数の可撓性フィルム状部材の内、少なくとも１枚
は他の可撓性フィルム状部材と物性の異なる、または厚
さが異なるものを用いたことを特徴とする電子装置用試
験装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の電子装置用試験装置にお
いて、 前記物性は、少なくとも前記可撓性フィルム状部材の硬
度、弾性率、熱膨張率の内の一つであることを特徴とす
る電子装置用試験装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の電子
装置用試験装置において、 前記弾性体を複数の弾性体層から構成すると共に、前記
弾性体層の内、少なくとも１層は他層と物性の異なるも
のを用いたことを特徴とする電子装置用試験装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の電子装置用試験装置にお
いて、 前記物性は、少なくとも硬度、弾性率、熱膨張率の内の
一つであることを特徴とする電子装置用試験装置。 - 【請求項８】 請求項１または２記載の電子装置用試験
装置において、 少なくとも前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性ベー
スとの間、前記可撓性フィルム状部材と前記弾性体との
間のいずれかに、前記可撓性フィルム状部材と前記可撓
性ベースとの間、または前記可撓性フィルム状部材と前
記弾性体との間の摩擦係数を低減させる部材を介装した
ことを特徴とする電子装置用試験装置。 - 【請求項９】 請求項３乃至７のいずれかに記載の電子
装置用試験装置において、 少なくとも前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性ベー
スとの間、前記可撓性フィルム状部材と前記弾性体との
間、対峙する一対の可撓性フィルム状部材の間のいずれ
かに、前記可撓性フィルム状部材と前記可撓性ベースと
の間、前記可撓性フィルム状部材と前記弾性体との間、
対峙する一対の可撓性フィルム状部材の間の摩擦係数を
低減させる部材を介装したことを特徴とする電子装置用
試験装置。 - 【請求項１０】 請求項１乃至７のいずれかに記載の電
子装置用試験装置において、 前記可撓性フィルム状部材を前記弾性体と一体的な構成
としたことを特徴とする電子装置用試験装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01964498A JP3365612B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 電子装置用試験装置 |
| KR1019990002648A KR100345899B1 (ko) | 1998-01-30 | 1999-01-28 | 전자 장치용 시험장치 |
| US09/238,172 US6191604B1 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-28 | Integrated circuit testing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01964498A JP3365612B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 電子装置用試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211755A JPH11211755A (ja) | 1999-08-06 |
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