JPH10260224A - 半導体検査装置及びこれを用いた検査方法 - Google Patents
半導体検査装置及びこれを用いた検査方法Info
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- JPH10260224A JPH10260224A JP9066918A JP6691897A JPH10260224A JP H10260224 A JPH10260224 A JP H10260224A JP 9066918 A JP9066918 A JP 9066918A JP 6691897 A JP6691897 A JP 6691897A JP H10260224 A JPH10260224 A JP H10260224A
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 502
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 479
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 216
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 91
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 69
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 40
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 29
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 13
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 9
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 35
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 26
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 26
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 241000587161 Gomphocarpus Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/0613—Square or rectangular array
- H01L2224/06131—Square or rectangular array being uniform, i.e. having a uniform pitch across the array
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/11334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/81898—Press-fitting, i.e. pushing the parts together and fastening by friction, e.g. by compression of one part against the other
- H01L2224/81899—Press-fitting, i.e. pushing the parts together and fastening by friction, e.g. by compression of one part against the other using resilient parts in the bump connector or in the bonding area
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は板状接続端子を有する半導体チップ及
び半導体装置（被検査装置）の検査に用いて好適な半導
体検査装置及びこれを用いた検査方法に関し、板状接続
端子を有する被検査装置の検査を高い信頼性をもって実
施することを課題とする。 【解決手段】装置底面と面一あるいは窪んだ構成の板状
接続端子２を有する半導体装置１（被検査装置）に対し
て検査を行う半導体検査装置において、支持フィルム上
に板状接続端子２と接続する接続部１４が変形可能な構
成された検査基板３９Ａと、接続部１４と対向する位置
に突出形成された突き上げ部１５を有すると共に検査基
板３９Ａと組み合わせることにより接続部１４を半導体
装置１の板状接続端子２に向け変形付勢し、これにより
接続部１４と板状接続端子２を電気的に接続させる突き
上げ基板４０とを設ける。
び半導体装置（被検査装置）の検査に用いて好適な半導
体検査装置及びこれを用いた検査方法に関し、板状接続
端子を有する被検査装置の検査を高い信頼性をもって実
施することを課題とする。 【解決手段】装置底面と面一あるいは窪んだ構成の板状
接続端子２を有する半導体装置１（被検査装置）に対し
て検査を行う半導体検査装置において、支持フィルム上
に板状接続端子２と接続する接続部１４が変形可能な構
成された検査基板３９Ａと、接続部１４と対向する位置
に突出形成された突き上げ部１５を有すると共に検査基
板３９Ａと組み合わせることにより接続部１４を半導体
装置１の板状接続端子２に向け変形付勢し、これにより
接続部１４と板状接続端子２を電気的に接続させる突き
上げ基板４０とを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体検査装置及び
これを用いた検査方法に係り、特に板状接続端子を有す
る半導体チップ及び半導体装置（被検査装置）の検査に
用いて好適な半導体検査装置及びこれを用いた検査方法
に関する。近年、半導体装置の高密度化，高速化，小型
化が要求されており、この要求に対応すべく、パッケー
ジに封止されていない半導体チップ（いわゆるベアチッ
プ）又はＢＧＡ（Ball Grid Array)構造の半導体装置を
回路基板上に直接複数個搭載する実装方法が多用される
ようになってきている。
これを用いた検査方法に係り、特に板状接続端子を有す
る半導体チップ及び半導体装置（被検査装置）の検査に
用いて好適な半導体検査装置及びこれを用いた検査方法
に関する。近年、半導体装置の高密度化，高速化，小型
化が要求されており、この要求に対応すべく、パッケー
ジに封止されていない半導体チップ（いわゆるベアチッ
プ）又はＢＧＡ（Ball Grid Array)構造の半導体装置を
回路基板上に直接複数個搭載する実装方法が多用される
ようになってきている。
【０００２】この実装方法においては、例えば複数個配
設されるベアチップあるいは半導体装置の内、一つに異
常があれば装置全体が不良品となるため、個々のベアチ
ップあるいは半導体装置に高い信頼性が要求される。そ
こで、個々のベアチップあるいは半導体装置が正常に機
能するか否かを調べる検査が重要な課題となってきてい
る。
設されるベアチップあるいは半導体装置の内、一つに異
常があれば装置全体が不良品となるため、個々のベアチ
ップあるいは半導体装置に高い信頼性が要求される。そ
こで、個々のベアチップあるいは半導体装置が正常に機
能するか否かを調べる検査が重要な課題となってきてい
る。
【０００３】
【従来の技術】従来より、装置本体下面と面一或いはこ
れより窪んだ板状接続端子を有する半導体装置（以下、
樹脂封止されていないベアチップ及び樹脂封止された半
導体装置を総称して「半導体装置」という）の検査方法
として種々の検査方法が提案されており、また実施され
ている。
れより窪んだ板状接続端子を有する半導体装置（以下、
樹脂封止されていないベアチップ及び樹脂封止された半
導体装置を総称して「半導体装置」という）の検査方法
として種々の検査方法が提案されており、また実施され
ている。
【０００４】この種の半導体装置の電気的動作検査を行
う場合、板状接続端子に検査装置の検査針を接触させる
ため、板状接続端子をできるだけ変質させずに各板状接
続端子の電気的接続の検査を行なわなければならず、さ
らに検査の信頼性が高く、且つ低コストであることが要
求されている。従来の半導体検査装置としては、プロー
ブ（検査針）を用いた検査方法が一般的である。この検
査方法は、半導体装置の下面に形成された複数の板状接
続端子に対応するよう検査用基板に複数のプローブを配
設しておき、このプローブの先端を直接板状接続端子に
接触させることにより検査を行う検査方法である。
う場合、板状接続端子に検査装置の検査針を接触させる
ため、板状接続端子をできるだけ変質させずに各板状接
続端子の電気的接続の検査を行なわなければならず、さ
らに検査の信頼性が高く、且つ低コストであることが要
求されている。従来の半導体検査装置としては、プロー
ブ（検査針）を用いた検査方法が一般的である。この検
査方法は、半導体装置の下面に形成された複数の板状接
続端子に対応するよう検査用基板に複数のプローブを配
設しておき、このプローブの先端を直接板状接続端子に
接触させることにより検査を行う検査方法である。
【０００５】すなわち、半導体用テストソケットは、半
導体装置の複数の板状接続端子と同一の配列に設けられ
た複数のプローブを有し、このプローブにはＵ字状に曲
げられた撓み部分が設けられている。そして、プローブ
の先端が半導体装置の板状接続端子に当接して押圧され
ると、撓み部分が変形して板状接続端子の損傷を軽減す
るようになっている。
導体装置の複数の板状接続端子と同一の配列に設けられ
た複数のプローブを有し、このプローブにはＵ字状に曲
げられた撓み部分が設けられている。そして、プローブ
の先端が半導体装置の板状接続端子に当接して押圧され
ると、撓み部分が変形して板状接続端子の損傷を軽減す
るようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たプローブ検査法により半導体装置の電気的な検査を行
う場合、特に半導体装置の高密度化により端子数が増大
した場合には、プローブを近接して配設することが困難
となり、プローブの先端と板状接続端子との接続が十分
でない場合が発生し、検査精度が低下してしまうおそれ
があるという問題点があった。また、上記のように端子
数が増大しプローブを近接した構成の検査プローブは作
製するのが困難であり、作製コストが上昇してしまうと
いう問題点もあった。
たプローブ検査法により半導体装置の電気的な検査を行
う場合、特に半導体装置の高密度化により端子数が増大
した場合には、プローブを近接して配設することが困難
となり、プローブの先端と板状接続端子との接続が十分
でない場合が発生し、検査精度が低下してしまうおそれ
があるという問題点があった。また、上記のように端子
数が増大しプローブを近接した構成の検査プローブは作
製するのが困難であり、作製コストが上昇してしまうと
いう問題点もあった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、板状接続端子を有する被検査装置の検査を高い信
頼性をもって、かつ低コストで実施しうる半導体検査装
置及びこれを用いた検査方法を提供することを目的とす
る。
あり、板状接続端子を有する被検査装置の検査を高い信
頼性をもって、かつ低コストで実施しうる半導体検査装
置及びこれを用いた検査方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では下記の種々の手段を講じた事を特徴とす
るものである。請求項１記載の発明では、板状接続端子
を有する被検査装置に対して検査を行う半導体検査装置
において、絶縁材料よりなる支持フィルムと、該支持フ
ィルム上に形成されており前記板状接続端子と接続する
接続部が変形可能に構成された導体層とにより構成され
る検査基板と、前記接続部と対向する位置に突出形成さ
れた突き上げ部を有し、前記検査基板と組み合わせるこ
とにより、前記接続部を装着状態にある前記被検査装置
の板状接続端子に向け変形付勢し、前記接続部と前記板
状接続端子を電気的に接続させる突き上げ基板とを具備
することを特徴とするものである。
に、本発明では下記の種々の手段を講じた事を特徴とす
るものである。請求項１記載の発明では、板状接続端子
を有する被検査装置に対して検査を行う半導体検査装置
において、絶縁材料よりなる支持フィルムと、該支持フ
ィルム上に形成されており前記板状接続端子と接続する
接続部が変形可能に構成された導体層とにより構成され
る検査基板と、前記接続部と対向する位置に突出形成さ
れた突き上げ部を有し、前記検査基板と組み合わせるこ
とにより、前記接続部を装着状態にある前記被検査装置
の板状接続端子に向け変形付勢し、前記接続部と前記板
状接続端子を電気的に接続させる突き上げ基板とを具備
することを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体検査装置において、前記検査基板の少
なくとも前記突き上げ基板と対向する側の面に、緩衝部
材を配設したことを特徴とするものである。また、請求
項３記載の発明では、前記請求項１または２記載の半導
体検査装置において、前記接続部に、前記板状接続端子
の装着方向に向け突出したスタッドバンプを単層または
複数層積層した状態で配設したことを特徴とするもので
ある。
項１記載の半導体検査装置において、前記検査基板の少
なくとも前記突き上げ基板と対向する側の面に、緩衝部
材を配設したことを特徴とするものである。また、請求
項３記載の発明では、前記請求項１または２記載の半導
体検査装置において、前記接続部に、前記板状接続端子
の装着方向に向け突出したスタッドバンプを単層または
複数層積層した状態で配設したことを特徴とするもので
ある。
【００１０】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項３記載の半導体検査装置において、前記複数層積層し
たスタッドバンプを異種金属により構成したことを特徴
とするものである。また、請求項５記載の発明では、前
記請求項１または２記載の半導体検査装置において、前
記接続部の表面を粗化させたことを特徴とするものであ
る。
項３記載の半導体検査装置において、前記複数層積層し
たスタッドバンプを異種金属により構成したことを特徴
とするものである。また、請求項５記載の発明では、前
記請求項１または２記載の半導体検査装置において、前
記接続部の表面を粗化させたことを特徴とするものであ
る。
【００１１】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体検査装置において、前記接続
部の表面に、該接続部とは異なる材質よりなる表面金属
膜を被膜形成したことを特徴とするものである。また、
請求項７記載の発明では、前記請求項２乃至５のいずれ
か１項に記載の半導体検査装置において、前記緩衝部材
に切り込み部を形成したことを特徴とするものである。
項１または２記載の半導体検査装置において、前記接続
部の表面に、該接続部とは異なる材質よりなる表面金属
膜を被膜形成したことを特徴とするものである。また、
請求項７記載の発明では、前記請求項２乃至５のいずれ
か１項に記載の半導体検査装置において、前記緩衝部材
に切り込み部を形成したことを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項８記載の発明では、前記請求
項２乃至５のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構
成したことを特徴とするものである。また、請求項９記
載の発明では、前記請求項１乃至８のいずれか１項に記
載の半導体検査装置において、前記支持フィルムに切り
込み部を形成したことを特徴とするものである。
項２乃至５のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構
成したことを特徴とするものである。また、請求項９記
載の発明では、前記請求項１乃至８のいずれか１項に記
載の半導体検査装置において、前記支持フィルムに切り
込み部を形成したことを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項１０記載の発明では、前記請
求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体検査装置に
おいて、前記支持フィルムを複数の分割フィルム部材を
組み合わせて構成したことを特徴とするものである。ま
た、請求項１１記載の発明では、前記請求項１乃至１０
のいずれか１項に記載の半導体検査装置において、前記
検査基板に、電子素子を配設したことを特徴とするもの
である。
求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体検査装置に
おいて、前記支持フィルムを複数の分割フィルム部材を
組み合わせて構成したことを特徴とするものである。ま
た、請求項１１記載の発明では、前記請求項１乃至１０
のいずれか１項に記載の半導体検査装置において、前記
検査基板に、電子素子を配設したことを特徴とするもの
である。
【００１４】また、請求項１２記載の発明では、前記請
求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記板状接続端子と前記接続部との位置決め
を行う位置決め機構を設けたことを特徴とするものであ
る。また、請求項１３記載の発明では、前記請求項１２
記載の半導体検査装置において、前記位置決め機構とし
て、ガイドピンを用いたことを特徴とするものである。
求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記板状接続端子と前記接続部との位置決め
を行う位置決め機構を設けたことを特徴とするものであ
る。また、請求項１３記載の発明では、前記請求項１２
記載の半導体検査装置において、前記位置決め機構とし
て、ガイドピンを用いたことを特徴とするものである。
【００１５】また、請求項１４記載の発明では、前記請
求項１２記載の半導体検査装置において、前記位置決め
機構として、前記被検査装置を保持するフレーム部とガ
イドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用い
たことを特徴とするものである。また、請求項１５記載
の発明では、前記請求項１４記載の半導体検査装置にお
いて、前記ガイドピン付きフレームのフレーム部が、前
記被検査装置を覆うよう保持する構成すると共に、前記
フレームの内壁に前記被検査装置の位置決めを行うテー
パ面を形成したことを特徴とするものである。
求項１２記載の半導体検査装置において、前記位置決め
機構として、前記被検査装置を保持するフレーム部とガ
イドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用い
たことを特徴とするものである。また、請求項１５記載
の発明では、前記請求項１４記載の半導体検査装置にお
いて、前記ガイドピン付きフレームのフレーム部が、前
記被検査装置を覆うよう保持する構成すると共に、前記
フレームの内壁に前記被検査装置の位置決めを行うテー
パ面を形成したことを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項１６記載の発明では、前記請
求項１４記載の半導体検査装置において、前記フレーム
部に、前記板状接続端子と前記接続部とが一致するよう
前記被検査装置の調芯処理を行う調芯機構を設けたこと
を特徴とするものである。また、請求項１７記載の発明
では、前記請求項１４記載の半導体検査装置において、
前記フレーム部に、装着状態における前記被検査装置を
前記接続部に向け付勢する付勢機構を設けたことを特徴
とするものである。
求項１４記載の半導体検査装置において、前記フレーム
部に、前記板状接続端子と前記接続部とが一致するよう
前記被検査装置の調芯処理を行う調芯機構を設けたこと
を特徴とするものである。また、請求項１７記載の発明
では、前記請求項１４記載の半導体検査装置において、
前記フレーム部に、装着状態における前記被検査装置を
前記接続部に向け付勢する付勢機構を設けたことを特徴
とするものである。
【００１７】また、請求項１８記載の発明では、前記請
求項１４乃至請求項１７のいずれか１項に記載の半導体
検査装置において、前記フレーム部と前記被検査装置と
が係合する部位に、緩衝効果を有する弾性部材を配設し
たことを特徴とするものである。
求項１４乃至請求項１７のいずれか１項に記載の半導体
検査装置において、前記フレーム部と前記被検査装置と
が係合する部位に、緩衝効果を有する弾性部材を配設し
たことを特徴とするものである。
【００１８】また、請求項１９記載の発明では、前記請
求項１乃至１８のいずれか１項に記載の半導体検査装置
を用いた検査方法であって、前記検査基板に被検査装置
を装着すると共に、前記検査基板と前記突き上げ基板と
を組み合わせ、該組み合わせを行うことにより、前記突
き上げ部により前記接続部を板状接続端子に向け変形さ
せ、前記接続部と前記板状接続端子を電気的に接続させ
ることを特徴とするものである。
求項１乃至１８のいずれか１項に記載の半導体検査装置
を用いた検査方法であって、前記検査基板に被検査装置
を装着すると共に、前記検査基板と前記突き上げ基板と
を組み合わせ、該組み合わせを行うことにより、前記突
き上げ部により前記接続部を板状接続端子に向け変形さ
せ、前記接続部と前記板状接続端子を電気的に接続させ
ることを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項２０記載の発明では、前記請
求項１９記載の半導体検査装置を用いた検査方法におい
て、複数の前記被検査装置に対して連続して検査を行う
際、１回の検査が終了する毎に前記検査基板を上下反転
させて使用することを特徴とするものである。また、請
求項２１記載の発明では、板状接続端子を有する被検査
装置に対して検査を行う半導体検査装置において、前記
板状接続端子の形成位置と対応した位置に測定端子が形
成された測定基板と、前記測定基板上に装着されると共
に、前記板状接続端子の形成位置と対応した位置に前記
測定端子を露出させる位置決め凹部が形成された配列基
板と、前記位置決め凹部内に装着され、下端部が前記測
定端子と電気的に接続されると共に、上端部が前記板状
接続端子と電気的に接続される接続電極とにより構成さ
れており、かつ、前記接続電極の上部が前記配列基板よ
り突出するよう構成したことを特徴とするものである。
求項１９記載の半導体検査装置を用いた検査方法におい
て、複数の前記被検査装置に対して連続して検査を行う
際、１回の検査が終了する毎に前記検査基板を上下反転
させて使用することを特徴とするものである。また、請
求項２１記載の発明では、板状接続端子を有する被検査
装置に対して検査を行う半導体検査装置において、前記
板状接続端子の形成位置と対応した位置に測定端子が形
成された測定基板と、前記測定基板上に装着されると共
に、前記板状接続端子の形成位置と対応した位置に前記
測定端子を露出させる位置決め凹部が形成された配列基
板と、前記位置決め凹部内に装着され、下端部が前記測
定端子と電気的に接続されると共に、上端部が前記板状
接続端子と電気的に接続される接続電極とにより構成さ
れており、かつ、前記接続電極の上部が前記配列基板よ
り突出するよう構成したことを特徴とするものである。
【００２０】また、請求項２２記載の発明では、前記請
求項２１記載の半導体検査装置において、前記接続電極
の外周に保護膜を形成したことを特徴とするものであ
る。また、請求項２３記載の発明では、前記請求項２１
または２２記載の半導体検査装置において、前記測定端
子に、前記接続電極の装着方向に向け突出したスタッド
バンプを配設したことを特徴とするものである。
求項２１記載の半導体検査装置において、前記接続電極
の外周に保護膜を形成したことを特徴とするものであ
る。また、請求項２３記載の発明では、前記請求項２１
または２２記載の半導体検査装置において、前記測定端
子に、前記接続電極の装着方向に向け突出したスタッド
バンプを配設したことを特徴とするものである。
【００２１】また、請求項２４記載の発明では、前記請
求項２１または２２記載の半導体検査装置において、前
記位置決め凹部の内壁に、前記測定端子と電気的に接続
した構成で導電性メッキ膜を形成したことを特徴とする
ものである。また、請求項２５記載の発明では、前記請
求項２４記載の半導体検査装置において、前記測定端子
と前記導電性メッキ膜とを一体的な構成としたことを特
徴とするものである。
求項２１または２２記載の半導体検査装置において、前
記位置決め凹部の内壁に、前記測定端子と電気的に接続
した構成で導電性メッキ膜を形成したことを特徴とする
ものである。また、請求項２５記載の発明では、前記請
求項２４記載の半導体検査装置において、前記測定端子
と前記導電性メッキ膜とを一体的な構成としたことを特
徴とするものである。
【００２２】また、請求項２６記載の発明では、前記請
求項２１または２２記載の半導体検査装置において、前
記測定端子に、変形可能な導電性樹脂を配設したことを
特徴とするものである。また、請求項２７記載の発明で
は、前記請求項２１または２２記載の半導体検査装置に
おいて、前記下端部が前記測定端子と電気的に接続され
ると共に、前記上端部に前記接続電極が配設され、か
つ、内部に前記接続電極を前記板状接続端子に向け付勢
する付勢手段を有した検査ユニットを設けたことを特徴
とするものである。
求項２１または２２記載の半導体検査装置において、前
記測定端子に、変形可能な導電性樹脂を配設したことを
特徴とするものである。また、請求項２７記載の発明で
は、前記請求項２１または２２記載の半導体検査装置に
おいて、前記下端部が前記測定端子と電気的に接続され
ると共に、前記上端部に前記接続電極が配設され、か
つ、内部に前記接続電極を前記板状接続端子に向け付勢
する付勢手段を有した検査ユニットを設けたことを特徴
とするものである。
【００２３】また、請求項２８記載の発明では、前記請
求項２１乃至２７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置において、更に、前記接続電極が前記板状接続端子に
接続する時に作用する押圧力を緩衝する緩衝部材を設け
たことを特徴とするものである。また、請求項２９記載
の発明では、前記請求項２８記載の半導体検査装置にお
いて、前記緩衝部材に切り込み部を形成したことを特徴
とするものである。
求項２１乃至２７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置において、更に、前記接続電極が前記板状接続端子に
接続する時に作用する押圧力を緩衝する緩衝部材を設け
たことを特徴とするものである。また、請求項２９記載
の発明では、前記請求項２８記載の半導体検査装置にお
いて、前記緩衝部材に切り込み部を形成したことを特徴
とするものである。
【００２４】また、請求項３０記載の発明では、前記請
求項２８記載の半導体検査装置において、前記緩衝部材
を複数の分割部材を組み合わせて構成したことを特徴と
するものである。また、請求項３１記載の発明では、前
記請求項２８記載の半導体検査装置において、前記配列
基板を弾性材料により形成したことを特徴とするもので
ある。
求項２８記載の半導体検査装置において、前記緩衝部材
を複数の分割部材を組み合わせて構成したことを特徴と
するものである。また、請求項３１記載の発明では、前
記請求項２８記載の半導体検査装置において、前記配列
基板を弾性材料により形成したことを特徴とするもので
ある。
【００２５】また、請求項３２記載の発明では、前記請
求項２１乃至３１のいずれか１項に記載の半導体検査装
置において、前記板状接続端子と前記接続電極とが一致
するよう位置決め処理を行う位置決め機構を設けたこと
を特徴とするものである。また、請求項３３記載の発明
では、前記請求項３２記載の半導体検査装置において、
前記位置決め機構として、ガイドピンを用いたことを特
徴とするものである。
求項２１乃至３１のいずれか１項に記載の半導体検査装
置において、前記板状接続端子と前記接続電極とが一致
するよう位置決め処理を行う位置決め機構を設けたこと
を特徴とするものである。また、請求項３３記載の発明
では、前記請求項３２記載の半導体検査装置において、
前記位置決め機構として、ガイドピンを用いたことを特
徴とするものである。
【００２６】また、請求項３４記載の発明では、前記請
求項３２記載の半導体検査装置において、前記位置決め
機構として、前記被検査装置を保持する固定治具を用い
たことを特徴とするものである。また、請求項３５記載
の発明では、前記請求項３２記載の半導体検査装置にお
いて、前記位置決め機構として、前記配列基板に位置決
め部を形成したことを特徴とするものである。
求項３２記載の半導体検査装置において、前記位置決め
機構として、前記被検査装置を保持する固定治具を用い
たことを特徴とするものである。また、請求項３５記載
の発明では、前記請求項３２記載の半導体検査装置にお
いて、前記位置決め機構として、前記配列基板に位置決
め部を形成したことを特徴とするものである。
【００２７】また、請求項３６記載の発明では、前記請
求項２１乃至３５のいずれか１項に記載の半導体検査装
置において、更に、前記板状接続端子と前記接続電極と
が一致するよう、前記被検査装置の調芯処理を行う調芯
機構を設けたことを特徴とするものである。また、請求
項３７記載の発明では、前記請求項２１乃至３５のいず
れか１項に記載の半導体検査装置において、更に、前記
接続電極の前記配列基板への装着時に、前記接続電極の
飛散を防止する飛散防止部を有したホルダを設けたこと
を特徴とするものである。
求項２１乃至３５のいずれか１項に記載の半導体検査装
置において、更に、前記板状接続端子と前記接続電極と
が一致するよう、前記被検査装置の調芯処理を行う調芯
機構を設けたことを特徴とするものである。また、請求
項３７記載の発明では、前記請求項２１乃至３５のいず
れか１項に記載の半導体検査装置において、更に、前記
接続電極の前記配列基板への装着時に、前記接続電極の
飛散を防止する飛散防止部を有したホルダを設けたこと
を特徴とするものである。
【００２８】また、請求項３８記載の発明では、前記請
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記配列基板に形成され
た位置決め凹部に前記接続電極を装着させて各接続電極
の位置決めを行い、該位置決めが行われた状態を維持し
つつ、前記接続電極を前記板状接続端子に電気的に接続
させて前記被検査装置の検査を行うことを特徴とするも
のである。
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記配列基板に形成され
た位置決め凹部に前記接続電極を装着させて各接続電極
の位置決めを行い、該位置決めが行われた状態を維持し
つつ、前記接続電極を前記板状接続端子に電気的に接続
させて前記被検査装置の検査を行うことを特徴とするも
のである。
【００２９】また、請求項３９記載の発明では、前記請
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記配列基板を振動させ
ることにより、前記位置決め凹部に前記接続電極を位置
決めすることを特徴とするものである。
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記配列基板を振動させ
ることにより、前記位置決め凹部に前記接続電極を位置
決めすることを特徴とするものである。
【００３０】また、請求項４０記載の発明では、前記請
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記配列基板に吸引通路
を形成すると共に、前記吸引通路に吸引装置を接続し、
前記吸引通路により前記接続電極を吸引することによ
り、前記配列基板に形成された前記位置決め凹部に前記
接続電極を位置決めすることを特徴とするものである。
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記配列基板に吸引通路
を形成すると共に、前記吸引通路に吸引装置を接続し、
前記吸引通路により前記接続電極を吸引することによ
り、前記配列基板に形成された前記位置決め凹部に前記
接続電極を位置決めすることを特徴とするものである。
【００３１】また、請求項４１記載の発明では、前記請
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記配列基板を多孔質材
料により形成すると共に、前記配列基板に吸引装置を接
続し、前記配列基板に前記接続電極を吸引することによ
り、前記位置決め凹部に前記接続電極を位置決めするこ
とを特徴とするものである。
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記配列基板を多孔質材
料により形成すると共に、前記配列基板に吸引装置を接
続し、前記配列基板に前記接続電極を吸引することによ
り、前記位置決め凹部に前記接続電極を位置決めするこ
とを特徴とするものである。
【００３２】また、請求項４２記載の発明では、前記請
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記位置決め凹部に勾配
の異なる第１及び第２の傾斜面を形成し、該第１及び第
２の傾斜面の勾配差に基づき前記接続電極を前記位置決
め凹部に位置決めすることを特徴とするものである。
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記位置決め凹部に勾配
の異なる第１及び第２の傾斜面を形成し、該第１及び第
２の傾斜面の勾配差に基づき前記接続電極を前記位置決
め凹部に位置決めすることを特徴とするものである。
【００３３】更に、請求項４３記載の発明では、前記請
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記接続電極の材料とし
て軟質でかつ低融点の材料を用い、前記被検査装置に対
する検査処理が終了した後、前記接続電極を溶融し元の
形状に戻す処理を行うことを特徴とするものである。
求項２１乃至３７のいずれか１項に記載の半導体検査装
置を用いた検査方法であって、前記接続電極の材料とし
て軟質でかつ低融点の材料を用い、前記被検査装置に対
する検査処理が終了した後、前記接続電極を溶融し元の
形状に戻す処理を行うことを特徴とするものである。
【００３４】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１及び請求項１９記載の発明によれば、検査基板
に形成された接続部は変形可能な構成とされているた
め、検査基板と突き上げ基板とを組み合わせることによ
り、突き上げ部は接続部を被検査装置の板状接続端子に
向け変形付勢する。これにより、接続部は検査基板の他
の部分に比べて突出した構成となる。
請求項１及び請求項１９記載の発明によれば、検査基板
に形成された接続部は変形可能な構成とされているた
め、検査基板と突き上げ基板とを組み合わせることによ
り、突き上げ部は接続部を被検査装置の板状接続端子に
向け変形付勢する。これにより、接続部は検査基板の他
の部分に比べて突出した構成となる。
【００３５】よって、被検査装置に形成されている板状
接続端子が装置外面と面一の状態、或いは装置外面から
窪んだ状態で形成されていたとしても、接続部は変形し
つつ板状接続端子に押圧接続されるため、接続部と板状
接続端子との電気的接続を確実に行うことができる。ま
た、請求項２記載の発明によれば、検査基板の少なくと
も突き上げ基板と対向する側の面に緩衝部材を配設した
ことにより、突き上げ部は緩衝部材を介して接続部を変
形付勢することとなる。このため、突き上げ部と接続部
との間における摩耗の発生を抑制することができる。ま
た、接続部を緩衝部材を介して変形付勢させることによ
り、突き上げ部のみにより変形付勢される場合に比べて
接続部は大きく変形することとなり、接続部と板状接続
端子との接触面積は増大し、接続状態を良好にすること
ができる。
接続端子が装置外面と面一の状態、或いは装置外面から
窪んだ状態で形成されていたとしても、接続部は変形し
つつ板状接続端子に押圧接続されるため、接続部と板状
接続端子との電気的接続を確実に行うことができる。ま
た、請求項２記載の発明によれば、検査基板の少なくと
も突き上げ基板と対向する側の面に緩衝部材を配設した
ことにより、突き上げ部は緩衝部材を介して接続部を変
形付勢することとなる。このため、突き上げ部と接続部
との間における摩耗の発生を抑制することができる。ま
た、接続部を緩衝部材を介して変形付勢させることによ
り、突き上げ部のみにより変形付勢される場合に比べて
接続部は大きく変形することとなり、接続部と板状接続
端子との接触面積は増大し、接続状態を良好にすること
ができる。
【００３６】また、請求項３記載の発明によれば、接続
部にスタッドバンプを単層または複数層積層した状態で
配設したことにより、接続部のスタッドバンプの形成位
置は装着方向に向け突出した状態となるため、板状接続
端子との電気的接続性を向上させることができる。ま
た、スタッドバンプの積層数を適宜選定することによ
り、スタッドバンプの高さを板状接続端子との電気的接
続性が最も良好な高さに容易に設定することができる。
部にスタッドバンプを単層または複数層積層した状態で
配設したことにより、接続部のスタッドバンプの形成位
置は装着方向に向け突出した状態となるため、板状接続
端子との電気的接続性を向上させることができる。ま
た、スタッドバンプの積層数を適宜選定することによ
り、スタッドバンプの高さを板状接続端子との電気的接
続性が最も良好な高さに容易に設定することができる。
【００３７】また、スタッドバンプは半導体装置の製造
技術として一般に用いられているワイヤボンディング技
術を用いて形成することができるため、よって低コスト
でかつ作成効率よく形成することができる。また、請求
項４記載の発明によれば、複数層積層したスタッドバン
プを異種金属により構成したことにより、最先端部に配
設されるスタッドバンプの材質を板状接続端子に対し適
合性の良いものに選定できる。また、最先端部以外のス
タッドバンプの材質は、接続部或いは他のスタッドバン
プと適合性の良いものを選定することができる。
技術として一般に用いられているワイヤボンディング技
術を用いて形成することができるため、よって低コスト
でかつ作成効率よく形成することができる。また、請求
項４記載の発明によれば、複数層積層したスタッドバン
プを異種金属により構成したことにより、最先端部に配
設されるスタッドバンプの材質を板状接続端子に対し適
合性の良いものに選定できる。また、最先端部以外のス
タッドバンプの材質は、接続部或いは他のスタッドバン
プと適合性の良いものを選定することができる。
【００３８】このため、最先端部に配設されたスタッド
バンプと板状接続端子との接続性、各スタッドバンプ間
の接続性、及びスタッドバンプと接続部との接続性を共
に良好なものとすることができる。また、請求項５記載
の発明によれば、接続部の表面を粗化させたことによ
り、形成された粗化面は微細な凹凸が形成された状態と
なりその表面積は広くなり、また微細な凸部は突起電極
に食い込む状態となるため、接続部と板状接続端子との
電気的接続を確実に行なうことができる。
バンプと板状接続端子との接続性、各スタッドバンプ間
の接続性、及びスタッドバンプと接続部との接続性を共
に良好なものとすることができる。また、請求項５記載
の発明によれば、接続部の表面を粗化させたことによ
り、形成された粗化面は微細な凹凸が形成された状態と
なりその表面積は広くなり、また微細な凸部は突起電極
に食い込む状態となるため、接続部と板状接続端子との
電気的接続を確実に行なうことができる。
【００３９】また、請求項６記載の発明によれば、接続
部の表面に異種材料よりなる表面金属膜を被膜形成した
ことにより、接続部及び板状接続端子の材料が接合性の
不良なものであっても、金属膜として接続部及び板状接
続端子の双方に対し共に接合性の良好な材料を選定する
ことが可能となる。よって、表面金属膜を被膜形成する
ことにより、接続部と板状接続端子との間における電気
的接合性の向上、及び接続部の保護を図ることができ
る。
部の表面に異種材料よりなる表面金属膜を被膜形成した
ことにより、接続部及び板状接続端子の材料が接合性の
不良なものであっても、金属膜として接続部及び板状接
続端子の双方に対し共に接合性の良好な材料を選定する
ことが可能となる。よって、表面金属膜を被膜形成する
ことにより、接続部と板状接続端子との間における電気
的接合性の向上、及び接続部の保護を図ることができ
る。
【００４０】また、請求項７及び請求項８記載の発明に
よれば、緩衝部材に切り込み部を形成したことにより、
或いは緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構成し
たことにより、緩衝部材の弾性は形状の面から増大し、
これに伴い緩衝作用も増大するため、接続部の保護をよ
り確実に行うことができる。
よれば、緩衝部材に切り込み部を形成したことにより、
或いは緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構成し
たことにより、緩衝部材の弾性は形状の面から増大し、
これに伴い緩衝作用も増大するため、接続部の保護をよ
り確実に行うことができる。
【００４１】また、請求項９及び請求項１０記載の発明
によれば、支持フィルムに切り込み部を形成したことに
より、支持フィルムにも弾性を持たせることができる。
また、支持フィルムを複数の分割フィルム部材を組み合
わせて構成することにより、各分割フィルム部材間に間
隙を形成させることができる。
によれば、支持フィルムに切り込み部を形成したことに
より、支持フィルムにも弾性を持たせることができる。
また、支持フィルムを複数の分割フィルム部材を組み合
わせて構成することにより、各分割フィルム部材間に間
隙を形成させることができる。
【００４２】よって、被検査装置が装着された時に発生
する各種応力を支持フィルムが変形することにより、或
いは間隙内で分割フィルム部材が移動することにより吸
収することができ、これにより接続部と板状接続端子と
の接触位置に不要な応力が印加されることを防止するこ
とができる。また、請求項１１記載の発明によれば、検
査基板に電子素子を配設したことにより、被検査装置に
おいて実施される半導体検査処理の一部或いは全部を基
板に配設された電子素子により行わせることが可能とな
る。
する各種応力を支持フィルムが変形することにより、或
いは間隙内で分割フィルム部材が移動することにより吸
収することができ、これにより接続部と板状接続端子と
の接触位置に不要な応力が印加されることを防止するこ
とができる。また、請求項１１記載の発明によれば、検
査基板に電子素子を配設したことにより、被検査装置に
おいて実施される半導体検査処理の一部或いは全部を基
板に配設された電子素子により行わせることが可能とな
る。
【００４３】また、請求項１２記載の発明によれば、被
検査装置と接続部との位置決めを行う位置決め機構を設
けたことにより、板状接続端子と接続部との位置決めを
容易かつ正確に行うことが可能となり、板状接続端子と
接続部との接続の信頼性を向上させることができる。ま
た、請求項１３記載の発明によれば、位置決め機構とし
てガイドピンを用いたことにより、簡単な構成で板状接
続端子と接続部との位置決めを行うことが可能となる。
検査装置と接続部との位置決めを行う位置決め機構を設
けたことにより、板状接続端子と接続部との位置決めを
容易かつ正確に行うことが可能となり、板状接続端子と
接続部との接続の信頼性を向上させることができる。ま
た、請求項１３記載の発明によれば、位置決め機構とし
てガイドピンを用いたことにより、簡単な構成で板状接
続端子と接続部との位置決めを行うことが可能となる。
【００４４】また、請求項１４記載の発明によれば、位
置決め機構として、被検査装置を保持するフレーム部と
ガイドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用
いたことにより、被検査装置自体（装置の外形等）を位
置決めを行う指標として用いることができるため、精度
の高い位置決めを行うことが可能となる。
置決め機構として、被検査装置を保持するフレーム部と
ガイドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを用
いたことにより、被検査装置自体（装置の外形等）を位
置決めを行う指標として用いることができるため、精度
の高い位置決めを行うことが可能となる。
【００４５】また、請求項１５記載の発明によれば、ガ
イドピン付きフレームのフレーム部が被検査装置を覆う
よう保持する構成すると共に、このフレーム部の内壁に
被検査装置の位置決めを行うテーパ面を形成したことに
より、被検査装置をフレーム部に挿入するだけで被検査
装置はテーパ面に案内されて所定装着位置に位置決めさ
れる。よって、被検査装置の位置決め処理、換言すれば
板状接続端子と接続部との位置決めを容易に行うことが
可能となる。
イドピン付きフレームのフレーム部が被検査装置を覆う
よう保持する構成すると共に、このフレーム部の内壁に
被検査装置の位置決めを行うテーパ面を形成したことに
より、被検査装置をフレーム部に挿入するだけで被検査
装置はテーパ面に案内されて所定装着位置に位置決めさ
れる。よって、被検査装置の位置決め処理、換言すれば
板状接続端子と接続部との位置決めを容易に行うことが
可能となる。
【００４６】また、請求項１６記載の発明によれば、フ
レーム部に被検査装置の調芯処理を行う調芯機構を設
け、板状接続端子が接続部に位置するよう調芯処理を行
う構成とすることにより、フレーム部に被検査装置が挿
入された直後において板状接続端子と接続部との位置が
ずれていても、調芯機構により調芯処理を行うことによ
り、板状接続端子と接続部との位置合わせを行うことが
できる。
レーム部に被検査装置の調芯処理を行う調芯機構を設
け、板状接続端子が接続部に位置するよう調芯処理を行
う構成とすることにより、フレーム部に被検査装置が挿
入された直後において板状接続端子と接続部との位置が
ずれていても、調芯機構により調芯処理を行うことによ
り、板状接続端子と接続部との位置合わせを行うことが
できる。
【００４７】また、請求項１７記載の発明によれば、装
着状態における被検査装置を導体層に向け付勢する付勢
機構をフレーム部に設けたことにより、板状接続端子と
接続部との間には所定の付勢力が作用し、よって電気的
接続性を向上させることができると共に、検査時におい
て板状接続端子が接続部からずれることを防止すること
ができる。
着状態における被検査装置を導体層に向け付勢する付勢
機構をフレーム部に設けたことにより、板状接続端子と
接続部との間には所定の付勢力が作用し、よって電気的
接続性を向上させることができると共に、検査時におい
て板状接続端子が接続部からずれることを防止すること
ができる。
【００４８】また、請求項１８記載の発明によれば、フ
レーム部と被検査装置とが係合する部位に、緩衝効果を
有する弾性部材を配設したことにより、過剰な押圧力或
いは不要な外力が作用した場合には、この押圧力或いは
外力に起因した応力は弾性部材により吸収されるため、
板状接続端子及び接続部に損傷が発生することを防止す
ることができる。
レーム部と被検査装置とが係合する部位に、緩衝効果を
有する弾性部材を配設したことにより、過剰な押圧力或
いは不要な外力が作用した場合には、この押圧力或いは
外力に起因した応力は弾性部材により吸収されるため、
板状接続端子及び接続部に損傷が発生することを防止す
ることができる。
【００４９】また、請求項２０記載の発明によれば、複
数の前記被検査装置に対して連続して検査を行う際、１
回の検査が終了する毎に前記検査基板を上下反転させて
使用することにより、毎回の検査処理において接続部と
板状接続端子との接続を常に良好とすることができる。
即ち、例えば１回目の検査において、突き上げ部により
接続部を板状接続端子に向け変形させ接続部と板状接続
端子を電気的に接続させた際、接続部に塑性変形（即
ち、変形前の状態に戻らない状態）が発生することが考
えられる。
数の前記被検査装置に対して連続して検査を行う際、１
回の検査が終了する毎に前記検査基板を上下反転させて
使用することにより、毎回の検査処理において接続部と
板状接続端子との接続を常に良好とすることができる。
即ち、例えば１回目の検査において、突き上げ部により
接続部を板状接続端子に向け変形させ接続部と板状接続
端子を電気的に接続させた際、接続部に塑性変形（即
ち、変形前の状態に戻らない状態）が発生することが考
えられる。
【００５０】よって、このままの状態で２回目の検査を
実施すると、１回目と２回目では被検査装置の装着状態
が変化したり、また板状接続端子の窪み量に変化がある
場合には、接続部が板状接続端子に適正に接続されない
おそれがある。そこで、２回目の検査を行う際に検査基
板を上下反転させて使用することにより、反転させた時
点で接続部は突き上げ基板に向けて突出した状態とな
り、これにより接続部を再び板状接続端子に向け変形さ
せることが可能となる。よって、検査が終了する毎に検
査基板を上下反転させて使用することにより、毎回の検
査毎に接続部は変形することとなり、従って前回の接続
部の変形が履歴として残ることはなく、毎回の検査処理
において接続部と板状接続端子とを常に良好な状態で接
続させることができる。
実施すると、１回目と２回目では被検査装置の装着状態
が変化したり、また板状接続端子の窪み量に変化がある
場合には、接続部が板状接続端子に適正に接続されない
おそれがある。そこで、２回目の検査を行う際に検査基
板を上下反転させて使用することにより、反転させた時
点で接続部は突き上げ基板に向けて突出した状態とな
り、これにより接続部を再び板状接続端子に向け変形さ
せることが可能となる。よって、検査が終了する毎に検
査基板を上下反転させて使用することにより、毎回の検
査毎に接続部は変形することとなり、従って前回の接続
部の変形が履歴として残ることはなく、毎回の検査処理
において接続部と板状接続端子とを常に良好な状態で接
続させることができる。
【００５１】また、請求項２１記載の発明によれば、板
状接続端子の形成位置と対応した位置に測定端子及び位
置決め凹部が形成された測定基板と配列基板とを組み合
わせ、かつこの位置決め凹部に接続電極を装着すること
により、接続電極は板状接続端子の形成位置に対応した
位置に位置決めされた状態となる。また、位置決め凹部
に装着された状態で、接続電極の下端部は測定端子と電
気的に接続され、またその上部は配列基板より上方に向
け突出している。
状接続端子の形成位置と対応した位置に測定端子及び位
置決め凹部が形成された測定基板と配列基板とを組み合
わせ、かつこの位置決め凹部に接続電極を装着すること
により、接続電極は板状接続端子の形成位置に対応した
位置に位置決めされた状態となる。また、位置決め凹部
に装着された状態で、接続電極の下端部は測定端子と電
気的に接続され、またその上部は配列基板より上方に向
け突出している。
【００５２】よって、上記構成とされた半導体検査装置
に板状接続端子を有した被検査装置が装着されると、接
続電極は板状接続端子に押圧される。この際、被検査装
置に形成されている板状接続端子が装置外面と面一の状
態、或いは装置外面から窪んだ状態で形成されていたと
しても、接続電極は突出しているため板状接続端子に押
圧接続することができ、よって接続電極と板状接続端子
との電気的接続を確実に行うことができる。
に板状接続端子を有した被検査装置が装着されると、接
続電極は板状接続端子に押圧される。この際、被検査装
置に形成されている板状接続端子が装置外面と面一の状
態、或いは装置外面から窪んだ状態で形成されていたと
しても、接続電極は突出しているため板状接続端子に押
圧接続することができ、よって接続電極と板状接続端子
との電気的接続を確実に行うことができる。
【００５３】また、請求項２２記載の発明によれば、接
続電極の外周に保護膜を形成したことにより、接続電極
の酸化等の変質、及び板状接続電極との摺接による傷の
発生を防止することができる。また、板状接続端子の材
料とのマッチングも行い易くなる。また、請求項２３記
載の発明によれば、測定端子に接続電極の装着方向に向
け突出したスタッドバンプを配設したことにより、測定
端子のスタッドバンプの形成位置は位置決め凹部内に向
け突出した状態となるため、この位置決め凹部に装着さ
れる接続電極との電気的接続性を向上させることができ
る。
続電極の外周に保護膜を形成したことにより、接続電極
の酸化等の変質、及び板状接続電極との摺接による傷の
発生を防止することができる。また、板状接続端子の材
料とのマッチングも行い易くなる。また、請求項２３記
載の発明によれば、測定端子に接続電極の装着方向に向
け突出したスタッドバンプを配設したことにより、測定
端子のスタッドバンプの形成位置は位置決め凹部内に向
け突出した状態となるため、この位置決め凹部に装着さ
れる接続電極との電気的接続性を向上させることができ
る。
【００５４】また、請求項２４記載の発明によれば、位
置決め凹部の内壁に、測定端子と電気的に接続した構成
で導電性メッキ膜を形成したことにより、接続電極はこ
の導電性メッキ膜とも接触するため、実質的に測定端子
と接続電極との接触面積を増大させることができ、電気
的接続性を向上させることができる。また、接続電極が
位置決め凹部内で変位したような場合であっても、確実
に測定端子と接続電極との電気的接続を行うことができ
る。
置決め凹部の内壁に、測定端子と電気的に接続した構成
で導電性メッキ膜を形成したことにより、接続電極はこ
の導電性メッキ膜とも接触するため、実質的に測定端子
と接続電極との接触面積を増大させることができ、電気
的接続性を向上させることができる。また、接続電極が
位置決め凹部内で変位したような場合であっても、確実
に測定端子と接続電極との電気的接続を行うことができ
る。
【００５５】また、請求項２５記載の発明によれば、測
定端子と導電性メッキ膜とを一体的な構成としたことに
より、半導体検査装置の簡単化低コスト化を図ることが
できる。また、請求項２６記載の発明によれば、測定端
子に変形可能な導電性樹脂を配設したことにより、接続
電極を位置決め凹部内に装着することにより導電性樹脂
は広がる。導電性樹脂は電気を通すため、実質的に測定
端子と接続電極との接触面積を増大させることができ、
よって電気的接続性を向上させることができる。また、
接続電極が位置決め凹部内で変位したような場合であっ
ても、確実に測定端子と接続電極との電気的接続を行う
ことができる。
定端子と導電性メッキ膜とを一体的な構成としたことに
より、半導体検査装置の簡単化低コスト化を図ることが
できる。また、請求項２６記載の発明によれば、測定端
子に変形可能な導電性樹脂を配設したことにより、接続
電極を位置決め凹部内に装着することにより導電性樹脂
は広がる。導電性樹脂は電気を通すため、実質的に測定
端子と接続電極との接触面積を増大させることができ、
よって電気的接続性を向上させることができる。また、
接続電極が位置決め凹部内で変位したような場合であっ
ても、確実に測定端子と接続電極との電気的接続を行う
ことができる。
【００５６】また、請求項２７記載の発明によれば、検
査ユニットに設けられた付勢手段により、接続電極は板
状接続端子に向け付勢されるため、接続電極と板状接続
端子との電気的接続を確実に行うことができる。また、
請求項２８記載の発明によれば、接続電極が板状接続端
子に接続する時に作用する押圧力を緩衝する緩衝部材を
設けたことにより、過剰な押圧力が直接接続電極と板状
接続端子との接続位置に印加されることを防止でき、よ
って接続電極及び板状接続端子の保護を図ることができ
る。
査ユニットに設けられた付勢手段により、接続電極は板
状接続端子に向け付勢されるため、接続電極と板状接続
端子との電気的接続を確実に行うことができる。また、
請求項２８記載の発明によれば、接続電極が板状接続端
子に接続する時に作用する押圧力を緩衝する緩衝部材を
設けたことにより、過剰な押圧力が直接接続電極と板状
接続端子との接続位置に印加されることを防止でき、よ
って接続電極及び板状接続端子の保護を図ることができ
る。
【００５７】また、請求項２９及び請求項３０記載の発
明によれば、緩衝部材に切り込み部を形成したことによ
り、或いは緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構
成したことにより、緩衝部材の弾性は形状の面から増大
し、これに伴い緩衝作用も増大するため、接続電極及び
板状接続端子の保護をより確実に行うことができる。
明によれば、緩衝部材に切り込み部を形成したことによ
り、或いは緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構
成したことにより、緩衝部材の弾性は形状の面から増大
し、これに伴い緩衝作用も増大するため、接続電極及び
板状接続端子の保護をより確実に行うことができる。
【００５８】また、請求項３１記載の発明によれば、配
列基板を弾性材料により形成したことにより、緩衝部材
を配列基板と別個に設ける構成に比べて半導体検査装置
の構造の簡単化及び低コスト化を図ることができる。ま
た、請求項３２記載の発明によれば、板状接続端子と接
続電極とが一致するよう位置決め処理を行う位置決め機
構を設けたことにより、板状接続端子と接続電極との位
置決めを容易かつ正確に行うことが可能となり、板状接
続端子と接続電極との電気的接続の信頼性を向上させる
ことができる。
列基板を弾性材料により形成したことにより、緩衝部材
を配列基板と別個に設ける構成に比べて半導体検査装置
の構造の簡単化及び低コスト化を図ることができる。ま
た、請求項３２記載の発明によれば、板状接続端子と接
続電極とが一致するよう位置決め処理を行う位置決め機
構を設けたことにより、板状接続端子と接続電極との位
置決めを容易かつ正確に行うことが可能となり、板状接
続端子と接続電極との電気的接続の信頼性を向上させる
ことができる。
【００５９】また、請求項３３記載の発明によれば、位
置決め機構としてガイドピンを用いたことにより、簡単
な構成で板状接続端子と接続電極との間、及び各基板
間，及び各基板と板状接続端子との間の位置決めを行う
ことが可能となる。また、請求項３４記載の発明によれ
ば、位置決め機構として被検査装置を保持する固定治具
を用いたことにより、被検査装置自体を位置決めを行う
指標として用いることができるため、精度の高い位置決
めを行うことが可能となる。
置決め機構としてガイドピンを用いたことにより、簡単
な構成で板状接続端子と接続電極との間、及び各基板
間，及び各基板と板状接続端子との間の位置決めを行う
ことが可能となる。また、請求項３４記載の発明によれ
ば、位置決め機構として被検査装置を保持する固定治具
を用いたことにより、被検査装置自体を位置決めを行う
指標として用いることができるため、精度の高い位置決
めを行うことが可能となる。
【００６０】また、請求項３５記載の発明によれば、位
置決め機構として配列基板に位置決め部を形成したこと
により、被検査装置を配列基板に装着するだけで被検査
装置は位置決め部に案内されて所定装着位置に位置決め
される。よって、被検査装置の位置決め処理を容易に行
うことが可能となる。また、位置決め部と配列基板との
位置決め処理を行う必要がなくなるため、位置決め作業
の容易化を図ることもできる。
置決め機構として配列基板に位置決め部を形成したこと
により、被検査装置を配列基板に装着するだけで被検査
装置は位置決め部に案内されて所定装着位置に位置決め
される。よって、被検査装置の位置決め処理を容易に行
うことが可能となる。また、位置決め部と配列基板との
位置決め処理を行う必要がなくなるため、位置決め作業
の容易化を図ることもできる。
【００６１】また、請求項３６記載の発明によれば、板
状接続端子と接続電極とが一致するよう、被検査装置の
調芯処理を行う調芯機構を設けたことにより、配列基板
に被検査装置が挿入された直後において板状接続端子と
接続電極との位置がずれていても、調芯機構により調芯
処理を行うことにより、板状接続端子と接続電極との位
置合わせを行うことができる。
状接続端子と接続電極とが一致するよう、被検査装置の
調芯処理を行う調芯機構を設けたことにより、配列基板
に被検査装置が挿入された直後において板状接続端子と
接続電極との位置がずれていても、調芯機構により調芯
処理を行うことにより、板状接続端子と接続電極との位
置合わせを行うことができる。
【００６２】また、請求項３７記載の発明によれば、接
続電極の配列基板への装着時に、接続電極の飛散を防止
する飛散防止部を有したホルダを設けたことにより、余
剰となった接続電極の処理を容易に行うことができる。
また、請求項３８記載の発明によれば、配列基板に形成
された位置決め凹部に接続電極を装着するだけの簡単な
処理で各接続電極の位置決めを行うことができる。ま
た、この位置決めが行われた状態を維持しつつ接続電極
を板状接続端子に電気的に接続させて被検査装置の検査
を行うことにより、接続電極と板状接続端子とを精度よ
く接続することができ、検査の信頼性を向上させること
ができる。
続電極の配列基板への装着時に、接続電極の飛散を防止
する飛散防止部を有したホルダを設けたことにより、余
剰となった接続電極の処理を容易に行うことができる。
また、請求項３８記載の発明によれば、配列基板に形成
された位置決め凹部に接続電極を装着するだけの簡単な
処理で各接続電極の位置決めを行うことができる。ま
た、この位置決めが行われた状態を維持しつつ接続電極
を板状接続端子に電気的に接続させて被検査装置の検査
を行うことにより、接続電極と板状接続端子とを精度よ
く接続することができ、検査の信頼性を向上させること
ができる。
【００６３】また、請求項３９記載の発明によれば、配
列基板を振動させることにより位置決め凹部に接続電極
を位置決めすることにより、接続電極は配列基板上で相
対的に移動し、やがて配列基板に形成された位置決め凹
部に入り込み位置決めされる。よって、接続電極と位置
決め凹部との位置決め（即ち、接続電極と板状接続端子
との位置決め）を容易かつ自動的に行なうことができ
る。
列基板を振動させることにより位置決め凹部に接続電極
を位置決めすることにより、接続電極は配列基板上で相
対的に移動し、やがて配列基板に形成された位置決め凹
部に入り込み位置決めされる。よって、接続電極と位置
決め凹部との位置決め（即ち、接続電極と板状接続端子
との位置決め）を容易かつ自動的に行なうことができ
る。
【００６４】また、請求項４０及び請求項４１記載の発
明によれば、配列基板に接続電極の吸引処理を行う吸引
手段を設けたことにより、接続電極は吸引手段により吸
引されて配列基板に形成された位置決め凹部に装着す
る。このように、接続電極は吸引手段が発生する吸引力
により強制的に位置決め凹部に挿入し位置決めされるた
め、確実な位置決め処理を行うことができる。
明によれば、配列基板に接続電極の吸引処理を行う吸引
手段を設けたことにより、接続電極は吸引手段により吸
引されて配列基板に形成された位置決め凹部に装着す
る。このように、接続電極は吸引手段が発生する吸引力
により強制的に位置決め凹部に挿入し位置決めされるた
め、確実な位置決め処理を行うことができる。
【００６５】また、請求項４２記載の発明によれば、位
置決め凹部に勾配の異なる第１及び第２の傾斜面を形成
することにより、勾配の緩やかな傾斜面を接続電極を案
内する案内面として用い、勾配の急な傾斜面を接続電極
を係止する係止面として用いることができる。そして、
この第１及び第２の傾斜面の勾配差に基づき接続電極は
位置決め凹部に案内され係止されるため、簡単かつ容易
に接続電極と位置決め凹部との位置決め処理を行うこと
ができる。
置決め凹部に勾配の異なる第１及び第２の傾斜面を形成
することにより、勾配の緩やかな傾斜面を接続電極を案
内する案内面として用い、勾配の急な傾斜面を接続電極
を係止する係止面として用いることができる。そして、
この第１及び第２の傾斜面の勾配差に基づき接続電極は
位置決め凹部に案内され係止されるため、簡単かつ容易
に接続電極と位置決め凹部との位置決め処理を行うこと
ができる。
【００６６】更に、請求項４３記載の発明によれば、接
続電極の材料として軟質でかつ低融点の材料を用いるこ
とにより、例えば被検査装置に傾き或いは高さのバラツ
キがあった場合等においても、接続電極が変形すること
によりこれを吸収することができ、よって検査を行うこ
とが可能となる。また、被検査装置に対する検査処理が
終了した後は、接続電極は低融点であるために容易に溶
融させることができ、元の形状に戻すことができる。
続電極の材料として軟質でかつ低融点の材料を用いるこ
とにより、例えば被検査装置に傾き或いは高さのバラツ
キがあった場合等においても、接続電極が変形すること
によりこれを吸収することができ、よって検査を行うこ
とが可能となる。また、被検査装置に対する検査処理が
終了した後は、接続電極は低融点であるために容易に溶
融させることができ、元の形状に戻すことができる。
【００６７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の第１
実施例である半導体検査装置１０Ａ-1及びこれを用いた
検査方法を説明するための図である。本実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-1は、大略すると検査基板３９Ａと
突き上げ基板４０とにより構成されている。
て図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の第１
実施例である半導体検査装置１０Ａ-1及びこれを用いた
検査方法を説明するための図である。本実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-1は、大略すると検査基板３９Ａと
突き上げ基板４０とにより構成されている。
【００６８】この半導体検査装置１０Ａ-1は、各図に示
されるように被検査装置となる半導体装置１が装着さ
れ、この装着状態において半導体装置１に対して電気的
動作検査を行う時に用いられるものである。また、半導
体検査装置１０Ａ-1が検査の対象とする半導体装置１
は、外部接続端子として装置本体下面と面一或いは窪ん
だ構成の板状接続端子２を有した装置である。
されるように被検査装置となる半導体装置１が装着さ
れ、この装着状態において半導体装置１に対して電気的
動作検査を行う時に用いられるものである。また、半導
体検査装置１０Ａ-1が検査の対象とする半導体装置１
は、外部接続端子として装置本体下面と面一或いは窪ん
だ構成の板状接続端子２を有した装置である。
【００６９】尚、以下の説明では、被検査装置として板
状接続端子２を有した半導体装置１を用いた例を示す
が、以下各実施例で説明する半導体検査装置は、外部接
続端子として板状接続端子を有した各種装置（例えば、
回路基板装置等）の検査に適用できるものである。ま
た、以下の説明で用いる半導体装置１は、下面に絶縁膜
３が形成されているため、この膜厚分だけ板状接続端子
２は窪んだ状態となっている。
状接続端子２を有した半導体装置１を用いた例を示す
が、以下各実施例で説明する半導体検査装置は、外部接
続端子として板状接続端子を有した各種装置（例えば、
回路基板装置等）の検査に適用できるものである。ま
た、以下の説明で用いる半導体装置１は、下面に絶縁膜
３が形成されているため、この膜厚分だけ板状接続端子
２は窪んだ状態となっている。
【００７０】以下、半導体検査装置１０Ａ-1の具体的構
成について説明する。検査基板３９Ａは、導体層１１と
支持フィルム１３とにより構成されている。導体層１１
は例えば銅（Ｃｕ）膜であり、また支持フィルム１３は
ポリイミド等の絶縁樹脂材料により形成されたフィルム
である。導体層１１は支持フィルム１３上に形成されて
いる。この導体層１１及び支持フィルム１３は、通常電
子機器等に用いられているフレキシブルプリント基板
（ＦＰＣ）と同一構成であり、よってＦＰＣを利用して
本実施例に係る検査基板３９Ａを実現することも可能で
ある。
成について説明する。検査基板３９Ａは、導体層１１と
支持フィルム１３とにより構成されている。導体層１１
は例えば銅（Ｃｕ）膜であり、また支持フィルム１３は
ポリイミド等の絶縁樹脂材料により形成されたフィルム
である。導体層１１は支持フィルム１３上に形成されて
いる。この導体層１１及び支持フィルム１３は、通常電
子機器等に用いられているフレキシブルプリント基板
（ＦＰＣ）と同一構成であり、よってＦＰＣを利用して
本実施例に係る検査基板３９Ａを実現することも可能で
ある。
【００７１】また、導体層１１の板状接続端子２と接続
する部位には接続部１４が形成されている。接続部１４
の形成位置では支持フィルム１３は取り除かれた構成と
されており、この支持フィルム１３が取り除かれた部分
に導体層１１が片持ち梁状に延出することにより接続部
１４は構成されている（図１７参照）。このように、接
続部１４の形成位置では支持フィルム１３は取り除かれ
ているため、導体層１１の一部として構成される接続部
１４は容易に変形可能な構成とされている。
する部位には接続部１４が形成されている。接続部１４
の形成位置では支持フィルム１３は取り除かれた構成と
されており、この支持フィルム１３が取り除かれた部分
に導体層１１が片持ち梁状に延出することにより接続部
１４は構成されている（図１７参照）。このように、接
続部１４の形成位置では支持フィルム１３は取り除かれ
ているため、導体層１１の一部として構成される接続部
１４は容易に変形可能な構成とされている。
【００７２】一方、突き上げ基板４０は絶縁性を有する
例えば硬質樹脂により形成されており、半導体装置１に
設けられた板状接続端子２と対向する位置には突き上げ
部１５が形成されている。従って、突き上げ部１５の形
成位置は、前記した検査基板３９Ａに設けられた接続部
１４の形成位置とも対応している。この突き上げ部１５
は検査基板３９Ａに向け突出形成された突起であり、図
２に示されるように、検査基板３９Ａと突き上げ基板４
０とが組み合わされた状態で、接続部１４を板状接続端
子２に向け変形付勢する機能を奏するものである。
例えば硬質樹脂により形成されており、半導体装置１に
設けられた板状接続端子２と対向する位置には突き上げ
部１５が形成されている。従って、突き上げ部１５の形
成位置は、前記した検査基板３９Ａに設けられた接続部
１４の形成位置とも対応している。この突き上げ部１５
は検査基板３９Ａに向け突出形成された突起であり、図
２に示されるように、検査基板３９Ａと突き上げ基板４
０とが組み合わされた状態で、接続部１４を板状接続端
子２に向け変形付勢する機能を奏するものである。
【００７３】続いて、上記構成とされた半導体検査装置
１０Ａ-1を用いて半導体装置１に対し検査を行う方法に
ついて説明する。半導体装置１に対して検査を行うに
は、半導体装置１に設けられている板状接続端子２、検
査基板３９Ａに形成されている接続部１４、及び突き上
げ基板４０に形成されている突き上げ部１５を位置決め
し、続いて半導体装置１，検査基板３９Ａ，及び突き上
げ基板４０を組み合わせる。
１０Ａ-1を用いて半導体装置１に対し検査を行う方法に
ついて説明する。半導体装置１に対して検査を行うに
は、半導体装置１に設けられている板状接続端子２、検
査基板３９Ａに形成されている接続部１４、及び突き上
げ基板４０に形成されている突き上げ部１５を位置決め
し、続いて半導体装置１，検査基板３９Ａ，及び突き上
げ基板４０を組み合わせる。
【００７４】この際、先に半導体装置１を検査基板３９
Ａに装着し、その後に突き上げ基板４０を組み合わせる
方法を用いても、また先に検査基板３９Ａと突き上げ基
板４０を組み合わせておき、その後に半導体装置１を装
着する方法を用いてもよい。上記のように、検査基板３
９Ａに形成された接続部１４は変形可能な構成とされて
いるため、検査基板３９Ａと突き上げ基板４０とを組み
合わせることにより、突き上げ部１５は接続部１４と係
合し、半導体装置１の板状接続端子２に向け変形付勢す
る。これにより、接続部１４は検査基板３９Ａより突出
した構成となる。
Ａに装着し、その後に突き上げ基板４０を組み合わせる
方法を用いても、また先に検査基板３９Ａと突き上げ基
板４０を組み合わせておき、その後に半導体装置１を装
着する方法を用いてもよい。上記のように、検査基板３
９Ａに形成された接続部１４は変形可能な構成とされて
いるため、検査基板３９Ａと突き上げ基板４０とを組み
合わせることにより、突き上げ部１５は接続部１４と係
合し、半導体装置１の板状接続端子２に向け変形付勢す
る。これにより、接続部１４は検査基板３９Ａより突出
した構成となる。
【００７５】これにより、半導体装置１に形成されてい
る板状接続端子２が装置外面と面一の状態、或いは装置
外面から窪んだ状態で形成されていたとしても、図２に
示されるように、接続部１４は突き上げ部１５により変
形しつつ板状接続端子２に押圧接続されるため、接続部
１４と板状接続端子２との電気的接続を確実に行うこと
ができる。よって、半導体装置１に対し高精度で信頼性
の高い検査を実施することが可能となる。
る板状接続端子２が装置外面と面一の状態、或いは装置
外面から窪んだ状態で形成されていたとしても、図２に
示されるように、接続部１４は突き上げ部１５により変
形しつつ板状接続端子２に押圧接続されるため、接続部
１４と板状接続端子２との電気的接続を確実に行うこと
ができる。よって、半導体装置１に対し高精度で信頼性
の高い検査を実施することが可能となる。
【００７６】尚、半導体検査装置１０Ａ-1には、図示し
ない半導体検査用テスターが接続されており、よって半
導体検査装置１０Ａ-1に装着された状態で半導体装置１
に対し電気的動作検査が実施される。また、上記のよう
に接続部１４が変形するためには導体層１１を薄く形成
する必要があり、よって導体層１１の機械的強度が低下
することが考えられる。しかるに、導体層１１は支持フ
ィルム１３に支持されているため（接続部１４は除
く）、導体層１１の機械的強度は維持されている。
ない半導体検査用テスターが接続されており、よって半
導体検査装置１０Ａ-1に装着された状態で半導体装置１
に対し電気的動作検査が実施される。また、上記のよう
に接続部１４が変形するためには導体層１１を薄く形成
する必要があり、よって導体層１１の機械的強度が低下
することが考えられる。しかるに、導体層１１は支持フ
ィルム１３に支持されているため（接続部１４は除
く）、導体層１１の機械的強度は維持されている。
【００７７】続いて、本発明の第２実施例について説明
する。図３乃至図５は、本発明の第２実施例である半導
体検査装置１０Ａ-2を示している。尚、以下説明する各
実施例において、図１及び図２を用いて説明した第１実
施例に係る半導体検査装置１０Ａ-1の構成と同一構成に
ついては、同一符号を付してその説明を省略する。
する。図３乃至図５は、本発明の第２実施例である半導
体検査装置１０Ａ-2を示している。尚、以下説明する各
実施例において、図１及び図２を用いて説明した第１実
施例に係る半導体検査装置１０Ａ-1の構成と同一構成に
ついては、同一符号を付してその説明を省略する。
【００７８】本実施例では、第１実施例で説明した検査
基板３９Ａに、更に緩衝部材１２Ａを設けた構成の検査
基板３９Ｂを用いたことを特徴とするものである。この
緩衝部材１２Ａは絶縁性を有する弾性部材（例えば、ゴ
ム，可撓性樹脂等）により形成されており、図３に示さ
れるように、支持フィルム１３の突き上げ基板４０と対
向する側の面に、例えば接着等により配設（固定）され
た構成とされている。
基板３９Ａに、更に緩衝部材１２Ａを設けた構成の検査
基板３９Ｂを用いたことを特徴とするものである。この
緩衝部材１２Ａは絶縁性を有する弾性部材（例えば、ゴ
ム，可撓性樹脂等）により形成されており、図３に示さ
れるように、支持フィルム１３の突き上げ基板４０と対
向する側の面に、例えば接着等により配設（固定）され
た構成とされている。
【００７９】上記構成とされた半導体検査装置１０Ａ-2
では、図４及び図５に示されるように、突き上げ部１５
は緩衝部材１２Ａを介して接続部１４を変形付勢するこ
ととなる。このため、硬質樹脂よりなる突き上げ部１５
が直接接続部１４と摺接することはなくなり、よって突
き上げ部１５と接続部１４との間における摩耗の発生を
抑制することができる。これにより、接続部１４に損傷
が発生することを防止でき、接続部１４を長寿命とする
ことが可能となる。
では、図４及び図５に示されるように、突き上げ部１５
は緩衝部材１２Ａを介して接続部１４を変形付勢するこ
ととなる。このため、硬質樹脂よりなる突き上げ部１５
が直接接続部１４と摺接することはなくなり、よって突
き上げ部１５と接続部１４との間における摩耗の発生を
抑制することができる。これにより、接続部１４に損傷
が発生することを防止でき、接続部１４を長寿命とする
ことが可能となる。
【００８０】また、緩衝部材１２Ａを介して接続部１４
を変形付勢させることにより、突き上げ部１５のみによ
り変形付勢される場合に比べ、接続部１４を大きく変形
させることが可能となる。これにより、接続部１４と板
状接続端子２との接触面積は増大し、接続部１４と板状
接続端子２との電気的接続状態を良好とすることができ
る。
を変形付勢させることにより、突き上げ部１５のみによ
り変形付勢される場合に比べ、接続部１４を大きく変形
させることが可能となる。これにより、接続部１４と板
状接続端子２との接触面積は増大し、接続部１４と板状
接続端子２との電気的接続状態を良好とすることができ
る。
【００８１】また、半導体装置１が半導体検査装置１０
Ａ-2に装着される際、或いは不測の外力が印加されたよ
うな場合でも、緩衝部材１２Ａはこれを緩衝することが
でき、よって板状接続端子２及び接続部１４の保護を図
ることができる。更に、緩衝部材１２Ａは接続部１４を
支持する機能をも奏する。即ち、接続部１４は、上記の
ように板状接続端子２との電気的接続性を向上させる面
から支持フィルム１３を除去する必要があるが、単に支
持フィルム１３を除去した構成では接続部１４Ａの機械
的強度が低下する。しかるに緩衝部材１２Ａを設けるこ
とにより、接続部１４は緩衝部材１２Ａに支持された構
成となる。よって、接続部１４の実質的な機械的強度を
緩衝部材１２Ａにより増加させることができ、常に安定
した検査を実施することが可能となる。
Ａ-2に装着される際、或いは不測の外力が印加されたよ
うな場合でも、緩衝部材１２Ａはこれを緩衝することが
でき、よって板状接続端子２及び接続部１４の保護を図
ることができる。更に、緩衝部材１２Ａは接続部１４を
支持する機能をも奏する。即ち、接続部１４は、上記の
ように板状接続端子２との電気的接続性を向上させる面
から支持フィルム１３を除去する必要があるが、単に支
持フィルム１３を除去した構成では接続部１４Ａの機械
的強度が低下する。しかるに緩衝部材１２Ａを設けるこ
とにより、接続部１４は緩衝部材１２Ａに支持された構
成となる。よって、接続部１４の実質的な機械的強度を
緩衝部材１２Ａにより増加させることができ、常に安定
した検査を実施することが可能となる。
【００８２】続いて、本発明の第３実施例について説明
する。図６乃至図８は、本発明の第３実施例である半導
体検査装置１０Ａ-3を示している。図６は半導体検査装
置１０Ａ-3の分解図であり、また図７及び図８は検査状
態の半導体検査装置１０Ａ-3を示している。前記した第
２実施例に係る半導体検査装置１０Ａ-2では、緩衝部材
１２Ａを一体化した検査基板３９Ｂを示した。これに対
し、本実施例に係る半導体検査装置１０Ａ-3は、第１実
施例で用いた検査基板３９Ａを用い、緩衝部材１２Ｂを
検査基板３９Ａと別体化したことを特徴とするものであ
る。
する。図６乃至図８は、本発明の第３実施例である半導
体検査装置１０Ａ-3を示している。図６は半導体検査装
置１０Ａ-3の分解図であり、また図７及び図８は検査状
態の半導体検査装置１０Ａ-3を示している。前記した第
２実施例に係る半導体検査装置１０Ａ-2では、緩衝部材
１２Ａを一体化した検査基板３９Ｂを示した。これに対
し、本実施例に係る半導体検査装置１０Ａ-3は、第１実
施例で用いた検査基板３９Ａを用い、緩衝部材１２Ｂを
検査基板３９Ａと別体化したことを特徴とするものであ
る。
【００８３】このように、検査基板３９Ａと緩衝部材１
２Ｂとを別構成としても、前記した第２実施例と同様の
効果を実現することができる。また、第２実施例で必要
とされた、支持フィルム１３と緩衝部材１２Ａとの接着
処理を不要とすることができる。続いて、本発明の第４
実施例について説明する。
２Ｂとを別構成としても、前記した第２実施例と同様の
効果を実現することができる。また、第２実施例で必要
とされた、支持フィルム１３と緩衝部材１２Ａとの接着
処理を不要とすることができる。続いて、本発明の第４
実施例について説明する。
【００８４】図９は、本発明の第４実施例である半導体
検査装置１０Ａ-4を示している。本実施例では、支持フ
ィルム１３と導体層１１を介して対向する部分、即ち検
査状態において半導体装置１と対向する部位（接続部１
４を除く）に、絶縁部材２５を配設したことを特徴とす
るものである。この絶縁部材２５は、絶縁性樹脂材料等
により構成されており、図９に示されるように、その高
さは検査時において半導体装置１の底面と触れるか、或
いは若干離間する寸法に設定されている。このように、
検査基板３９Ｂの半導体装置１と対向する面に絶縁部材
２５を設けることにより、導体層１１が半導体装置１と
接触することを防止することができる。
検査装置１０Ａ-4を示している。本実施例では、支持フ
ィルム１３と導体層１１を介して対向する部分、即ち検
査状態において半導体装置１と対向する部位（接続部１
４を除く）に、絶縁部材２５を配設したことを特徴とす
るものである。この絶縁部材２５は、絶縁性樹脂材料等
により構成されており、図９に示されるように、その高
さは検査時において半導体装置１の底面と触れるか、或
いは若干離間する寸法に設定されている。このように、
検査基板３９Ｂの半導体装置１と対向する面に絶縁部材
２５を設けることにより、導体層１１が半導体装置１と
接触することを防止することができる。
【００８５】一般に半導体装置１は、板状接続端子２が
形成された面に回路形成がされているため、この面（底
面）に導体層１１が接触すると誤動作を行う可能性があ
る。しかるに、上記のように検査基板３９Ｂの半導体装
置１と対向する面に絶縁部材２５を設けることにより、
導体層１１と半導体装置１とが接触することを確実に防
止でき、よって検査時において半導体装置１に誤動作等
の発生を防止でき、信頼性の高い検査を行うことが可能
となる。
形成された面に回路形成がされているため、この面（底
面）に導体層１１が接触すると誤動作を行う可能性があ
る。しかるに、上記のように検査基板３９Ｂの半導体装
置１と対向する面に絶縁部材２５を設けることにより、
導体層１１と半導体装置１とが接触することを確実に防
止でき、よって検査時において半導体装置１に誤動作等
の発生を防止でき、信頼性の高い検査を行うことが可能
となる。
【００８６】続いて、本発明の第５実施例について説明
する。図１０は、本発明の第５実施例である半導体検査
装置１０Ａ-5を示している。本実施例では、支持フィル
ム１３と導体層１１を介して対向する部分、即ち検査状
態において半導体装置１と対向する部位（接続部１４を
除く）に、弾性部材２６を配設したことを特徴とするも
のである。
する。図１０は、本発明の第５実施例である半導体検査
装置１０Ａ-5を示している。本実施例では、支持フィル
ム１３と導体層１１を介して対向する部分、即ち検査状
態において半導体装置１と対向する部位（接続部１４を
除く）に、弾性部材２６を配設したことを特徴とするも
のである。
【００８７】この弾性部材２６は、絶縁性を有しかつ弾
性変形可能な材料（例えば、シリコンゴム等９により構
成されており、図１０に示されるように、その高さは検
査時において半導体装置１の底面と触れるよう設定され
ている。このように、検査基板３９Ｂの半導体装置１と
対向する面に弾性部材２６を設けることにより、半導体
装置１を接続部１４の形成位置ばかりでなく、弾性部材
２６でも支持することができる。よって、接続部１４に
印加される押圧力は分散され、接続部１４に損傷が発生
することを防止することができる。
性変形可能な材料（例えば、シリコンゴム等９により構
成されており、図１０に示されるように、その高さは検
査時において半導体装置１の底面と触れるよう設定され
ている。このように、検査基板３９Ｂの半導体装置１と
対向する面に弾性部材２６を設けることにより、半導体
装置１を接続部１４の形成位置ばかりでなく、弾性部材
２６でも支持することができる。よって、接続部１４に
印加される押圧力は分散され、接続部１４に損傷が発生
することを防止することができる。
【００８８】また、半導体装置１に不測の外力が印加さ
れたような場合でも、緩衝部材１２Ｂに加え、弾性部材
２６でもこれを緩衝することができ、よって板状接続端
子２及び接続部１４の保護をより確実に行うことができ
る。続いて、本発明の第６実施例について説明する。図
１１は、第６２実施例に係る半導体検査装置１０Ａ-6の
接続部１４を拡大して示している。本実施例では、接続
部１４の先端部（板状接続端子２と接続する部分）にス
タッドバンプ１６（突起電極）を形成したことを特徴と
するものである。
れたような場合でも、緩衝部材１２Ｂに加え、弾性部材
２６でもこれを緩衝することができ、よって板状接続端
子２及び接続部１４の保護をより確実に行うことができ
る。続いて、本発明の第６実施例について説明する。図
１１は、第６２実施例に係る半導体検査装置１０Ａ-6の
接続部１４を拡大して示している。本実施例では、接続
部１４の先端部（板状接続端子２と接続する部分）にス
タッドバンプ１６（突起電極）を形成したことを特徴と
するものである。
【００８９】スタッドバンプ１６は、例えばワイヤボン
ディング法を用いて形成されるものである。このスタッ
ドバンプ１６をワイヤボンディング法により形成するに
は、先ずワイヤボンディング装置に設けられたキャビラ
リを用いて接続部１４の先端部に所謂ネイルヘッド部を
形成し、その後キャビラリを若干量上動させた上でワイ
ヤを切断する。これだけの簡単な処理によりスタッドバ
ンプ１６を形成することができる。
ディング法を用いて形成されるものである。このスタッ
ドバンプ１６をワイヤボンディング法により形成するに
は、先ずワイヤボンディング装置に設けられたキャビラ
リを用いて接続部１４の先端部に所謂ネイルヘッド部を
形成し、その後キャビラリを若干量上動させた上でワイ
ヤを切断する。これだけの簡単な処理によりスタッドバ
ンプ１６を形成することができる。
【００９０】このように、スタッドバンプ１６を接続部
１４の先端部に形成することにより、接続部１４の先端
部は突出した構造となる。そして、板状接続端子２が接
続部１４と接続される際、接続部１４から突出したスタ
ッドバンプ１６が板状接続端子２と接続することとな
る。この接続の際、スタッドバンプ１６は板状接続端子
２に食い込んだ状態となる。よって、接続部１４Ｂの保
護を図りつつ、接続部１４と板状接続端子２との電気接
続性を向上させることができる。
１４の先端部に形成することにより、接続部１４の先端
部は突出した構造となる。そして、板状接続端子２が接
続部１４と接続される際、接続部１４から突出したスタ
ッドバンプ１６が板状接続端子２と接続することとな
る。この接続の際、スタッドバンプ１６は板状接続端子
２に食い込んだ状態となる。よって、接続部１４Ｂの保
護を図りつつ、接続部１４と板状接続端子２との電気接
続性を向上させることができる。
【００９１】尚、図では便宜上、スタッドバンプ１６の
形状を大きく図示しているが、実際のスタッドバンプ１
６は小さく、よってスタッドバンプ１６が板状接続端子
２に食い込んでも、板状接続端子２に損傷を与えるよう
なものではない。また上記のように、スタッドバンプ１
６は半導体装置の製造技術として一般に用いられている
ワイヤボンディング技術を用いて形成することができる
ため、低コストでかつ作成効率よくスタッドバンプ１６
を形成することができる。
形状を大きく図示しているが、実際のスタッドバンプ１
６は小さく、よってスタッドバンプ１６が板状接続端子
２に食い込んでも、板状接続端子２に損傷を与えるよう
なものではない。また上記のように、スタッドバンプ１
６は半導体装置の製造技術として一般に用いられている
ワイヤボンディング技術を用いて形成することができる
ため、低コストでかつ作成効率よくスタッドバンプ１６
を形成することができる。
【００９２】また、通常スタッドバンプはその先端部に
ワイヤ切断による小突起が形成され、この小突起は尖っ
た形状となるため、これによっても接続部１４（スタッ
ドバンプ１６）と板状接続端子２との電気接続性を向上
させることができる。図１２は、前記した第６実施例の
第１の変形例である半導体検査装置の接続部１４を拡大
して示している。本変形例では、複数（本変形例では２
個）のスタッドバンプ１６を多段に積層した構成したこ
とを特徴とするものである。
ワイヤ切断による小突起が形成され、この小突起は尖っ
た形状となるため、これによっても接続部１４（スタッ
ドバンプ１６）と板状接続端子２との電気接続性を向上
させることができる。図１２は、前記した第６実施例の
第１の変形例である半導体検査装置の接続部１４を拡大
して示している。本変形例では、複数（本変形例では２
個）のスタッドバンプ１６を多段に積層した構成したこ
とを特徴とするものである。
【００９３】同図に示すように、複数個のスタッドバン
プ１６を積層することは可能であり、複数個のスタッド
バンプ１６を積層することにより、スタッドバンプ１６
全体の接続部１４からの突起量を高くすることができ
る。よって、板状接続端子２の窪み量に最適な高さのス
タッドバンプ１６を設けることができ、板状接続端子２
との電気的接続性を向上することができる。
プ１６を積層することは可能であり、複数個のスタッド
バンプ１６を積層することにより、スタッドバンプ１６
全体の接続部１４からの突起量を高くすることができ
る。よって、板状接続端子２の窪み量に最適な高さのス
タッドバンプ１６を設けることができ、板状接続端子２
との電気的接続性を向上することができる。
【００９４】図１３は、前記した第６実施例の第２の変
形例である半導体検査装置の接続部１４を拡大して示し
ている。本変形例では、異種の金属よりなるスタッドバ
ンプ１６Ａ，１６Ｂを複数個（本変形例では２個）多段
に形成したことを特徴とするものである。本変形例で
は、スタッドバンプ１６Ａ，１６Ｂを２層積層した構造
とされており、またその最先端部のスタッドバンプ１６
Ａの材料はパラジウム（Ｐｄ）とされており、また下部
のスタッドバンプ１６Ｂの材料は金（Ａｕ）とされてい
る。
形例である半導体検査装置の接続部１４を拡大して示し
ている。本変形例では、異種の金属よりなるスタッドバ
ンプ１６Ａ，１６Ｂを複数個（本変形例では２個）多段
に形成したことを特徴とするものである。本変形例で
は、スタッドバンプ１６Ａ，１６Ｂを２層積層した構造
とされており、またその最先端部のスタッドバンプ１６
Ａの材料はパラジウム（Ｐｄ）とされており、また下部
のスタッドバンプ１６Ｂの材料は金（Ａｕ）とされてい
る。
【００９５】このように、最先端部のスタッドバンプ１
６Ａの材料をパラジウム（Ｐｄ）としたのは、一般に板
状接続端子２には半田メッキがされており、半田との適
合性を考慮したものである。また、下部のスタッドバン
プ１６Ｂの材料を金（Ａｕ）にしたのは、前記のように
接続部１４の材質が銅（Ｃｕ）であり、この銅（Ｃｕ）
と先端部のスタッドバンプ１６Ａの材料であるパラジウ
ム（Ｐｄ）との双方に対する適合性を考慮したものであ
る。
６Ａの材料をパラジウム（Ｐｄ）としたのは、一般に板
状接続端子２には半田メッキがされており、半田との適
合性を考慮したものである。また、下部のスタッドバン
プ１６Ｂの材料を金（Ａｕ）にしたのは、前記のように
接続部１４の材質が銅（Ｃｕ）であり、この銅（Ｃｕ）
と先端部のスタッドバンプ１６Ａの材料であるパラジウ
ム（Ｐｄ）との双方に対する適合性を考慮したものであ
る。
【００９６】上記のように、異種の金属よりなるスタッ
ドバンプ１６Ａ，１６Ｂを複数個多段に形成したことに
より、最先端部に配設されるスタッドバンプ１６Ａの材
料を板状接続端子２に対し適合性の良いものに選定で
き、また最先端部以外のスタッドバンプ１６Ｂの材料は
接続部１４或いは最先端部に配設されスタッドバンプ１
６Ａに対し適合性の良いものに選定できる。
ドバンプ１６Ａ，１６Ｂを複数個多段に形成したことに
より、最先端部に配設されるスタッドバンプ１６Ａの材
料を板状接続端子２に対し適合性の良いものに選定で
き、また最先端部以外のスタッドバンプ１６Ｂの材料は
接続部１４或いは最先端部に配設されスタッドバンプ１
６Ａに対し適合性の良いものに選定できる。
【００９７】これにより、最先端部に配設されたスタッ
ドバンプ１６Ａと板状接続端子２との接続性、スタッド
バンプ１６Ｂと接続部１４との接続性、及び下部のスタ
ッドバンプ１６Ｂを複数個配設した場合には各スタッド
バンプ１６Ｂ間の接続性を共に良好なものとすることが
できる。図１４は、前記した第６実施例の第３の変形例
である半導体検査装置の接続部１４を拡大して示してい
る。本変形例では、接続部１４の先端表面部（板状接続
端子２と接続する部分）に粗化面１７を形成したことを
特徴とするものである。
ドバンプ１６Ａと板状接続端子２との接続性、スタッド
バンプ１６Ｂと接続部１４との接続性、及び下部のスタ
ッドバンプ１６Ｂを複数個配設した場合には各スタッド
バンプ１６Ｂ間の接続性を共に良好なものとすることが
できる。図１４は、前記した第６実施例の第３の変形例
である半導体検査装置の接続部１４を拡大して示してい
る。本変形例では、接続部１４の先端表面部（板状接続
端子２と接続する部分）に粗化面１７を形成したことを
特徴とするものである。
【００９８】この粗化面１７は、接続部１４の表面部に
ブラスト加工，或いは化学的粗化加工（例えば、強酸に
浸漬）することにより形成される。このように形成され
る粗化面１７の表面は微細な凹凸が存在した状態である
ため、その実質的な表面積は広くなる。また、板状接続
端子２が当接した時点で微細な凸部は板状接続端子２に
食い込んだ状態となる。よって、接続部１４と板状接続
端子２との電気的接続を確実に行なうことができる。
ブラスト加工，或いは化学的粗化加工（例えば、強酸に
浸漬）することにより形成される。このように形成され
る粗化面１７の表面は微細な凹凸が存在した状態である
ため、その実質的な表面積は広くなる。また、板状接続
端子２が当接した時点で微細な凸部は板状接続端子２に
食い込んだ状態となる。よって、接続部１４と板状接続
端子２との電気的接続を確実に行なうことができる。
【００９９】図１５は、前記した第６実施例の第４の変
形例である半導体検査装置の接続部１４を拡大して示し
ている。本変形例では、接続部１４の先端表面部（板状
接続端子２と接続する部分）に異種金属膜１８を形成し
たことを特徴とするものである。異種金属膜１８は、接
続部１４の材料とは異なる材料である金属膜である。具
体的には、接続部１４は銅（Ｃｕ）であり、異種金属膜
１８の材料としては接続部１４の材料とは異なる例えば
ニッケル（Ｎｉ）或いはパラジウム（Ｐｄ）が選定され
ている。
形例である半導体検査装置の接続部１４を拡大して示し
ている。本変形例では、接続部１４の先端表面部（板状
接続端子２と接続する部分）に異種金属膜１８を形成し
たことを特徴とするものである。異種金属膜１８は、接
続部１４の材料とは異なる材料である金属膜である。具
体的には、接続部１４は銅（Ｃｕ）であり、異種金属膜
１８の材料としては接続部１４の材料とは異なる例えば
ニッケル（Ｎｉ）或いはパラジウム（Ｐｄ）が選定され
ている。
【０１００】本実施例において異種金属膜１８の材料と
してニッケル（Ｎｉ）或いはパラジウム（Ｐｄ）を選定
したのは、次の理由である。即ち、一般に半導体装置１
の板状接続端子２には半田メッキがされておりこの半田
との適合性と、銅よりなる接続部１４との適合性の双方
を両立させうる材料としてニッケル（Ｎｉ）或いはパラ
ジウム（Ｐｄ）を選定している。
してニッケル（Ｎｉ）或いはパラジウム（Ｐｄ）を選定
したのは、次の理由である。即ち、一般に半導体装置１
の板状接続端子２には半田メッキがされておりこの半田
との適合性と、銅よりなる接続部１４との適合性の双方
を両立させうる材料としてニッケル（Ｎｉ）或いはパラ
ジウム（Ｐｄ）を選定している。
【０１０１】このように、接続部１４の表面部に接続部
１４及び板状接続端子２の双方に適合性を有した異種金
属膜１８を形成することにより、接続部１４と板状接続
端子２が接合性の不良なものであっても、その間に介在
する異種金属膜１８により接続部１４と板状接続端子２
との間における電気的接合性の向上を図ることができ
る。また、半導体装置１の装着時に板状接続端子２が摺
接する部位である接続部１４の表面部が異種金属膜１８
により覆われた構成となるため、接続部１４の保護を図
ることもできる。
１４及び板状接続端子２の双方に適合性を有した異種金
属膜１８を形成することにより、接続部１４と板状接続
端子２が接合性の不良なものであっても、その間に介在
する異種金属膜１８により接続部１４と板状接続端子２
との間における電気的接合性の向上を図ることができ
る。また、半導体装置１の装着時に板状接続端子２が摺
接する部位である接続部１４の表面部が異種金属膜１８
により覆われた構成となるため、接続部１４の保護を図
ることもできる。
【０１０２】図１６は、前記した緩衝部材１２Ａ，１２
Ｂの別の構成例を示している。図３及び図６に示した緩
衝部材１２Ａ，１２Ｂは偏平な板状部材であり、溝や切
り込み等は形成されていなかった。これに対し図１６
（Ａ）に示す構成例は、緩衝部材１２Ｃに多数の切り込
み部１９を形成したことを特徴としており、また図１６
（Ｂ）に示す変形例は、緩衝部材１２Ｄを複数の分割部
材２０ａ〜２０ｄを組み合わせて構成したことを特徴と
するものである。
Ｂの別の構成例を示している。図３及び図６に示した緩
衝部材１２Ａ，１２Ｂは偏平な板状部材であり、溝や切
り込み等は形成されていなかった。これに対し図１６
（Ａ）に示す構成例は、緩衝部材１２Ｃに多数の切り込
み部１９を形成したことを特徴としており、また図１６
（Ｂ）に示す変形例は、緩衝部材１２Ｄを複数の分割部
材２０ａ〜２０ｄを組み合わせて構成したことを特徴と
するものである。
【０１０３】このように、緩衝部材１２Ｃに切り込み部
１９を形成したことにより、また緩衝部材１２Ｄを複数
（本実施例では４枚）の分割部材２０ａ〜２０ｄを組み
合わせて構成したことにより、緩衝部材１２Ｃ，１２Ｄ
の弾性は形状の面から増大する。即ち、緩衝部材１２Ｃ
の場合には、切り込み部１９を設けることにより、外力
印加時にこの切り込み部１９が拡大縮小するため、緩衝
部材１２Ｃの剛性を低下させることができる。
１９を形成したことにより、また緩衝部材１２Ｄを複数
（本実施例では４枚）の分割部材２０ａ〜２０ｄを組み
合わせて構成したことにより、緩衝部材１２Ｃ，１２Ｄ
の弾性は形状の面から増大する。即ち、緩衝部材１２Ｃ
の場合には、切り込み部１９を設けることにより、外力
印加時にこの切り込み部１９が拡大縮小するため、緩衝
部材１２Ｃの剛性を低下させることができる。
【０１０４】また、緩衝部材１２Ｄの場合には、分割部
材２０ａ〜２０ｄを組み合わせることにより、各分割部
材２０ａ〜２０ｄの境界部分には間隙部２１が形成さ
れ、この間隙部２１は緩衝部材１２Ｃの切り込み部１９
と同様の機能を奏する。よって、緩衝部材１２Ｃ，１２
Ｄの緩衝作用は増大し、これにより接続部１４の保護を
より確実に行うことができる。
材２０ａ〜２０ｄを組み合わせることにより、各分割部
材２０ａ〜２０ｄの境界部分には間隙部２１が形成さ
れ、この間隙部２１は緩衝部材１２Ｃの切り込み部１９
と同様の機能を奏する。よって、緩衝部材１２Ｃ，１２
Ｄの緩衝作用は増大し、これにより接続部１４の保護を
より確実に行うことができる。
【０１０５】続いて、本発明の第７及び第８実施例につ
いて説明する。図１７（Ａ）は本発明の第７実施例であ
る半導体検査装置１０Ａ-7を示す平面図であり、また図
１７（Ｂ）は本発明の第８実施例である半導体検査装置
１０Ａ-8を示す平面図である。図１７（Ａ）に示す半導
体検査装置１０Ａ-7は、支持フィルム１３に切り込み部
２３を形成したことを特徴とするものである。また、図
１７（Ｂ）に示す半導体検査装置１０Ａ-8は、支持フィ
ルム１３を複数（本実施例では４枚）の分割フィルム部
材２４ａ〜２４ｄを組み合わせて構成したことを特徴と
するものである。図１７（Ａ）に示されるように支持フ
ィルム１３に切り込み部２３を形成したことにより、支
持フィルム１３にも弾性を持たせることができる。また
図１７（Ｂ）に示されるように支持フィルム１３を複数
の分割フィルム部材２４ａ〜２４ｄを組み合わせて構成
することにより、各分割フィルム部材間に間隙２５を形
成させることができる。
いて説明する。図１７（Ａ）は本発明の第７実施例であ
る半導体検査装置１０Ａ-7を示す平面図であり、また図
１７（Ｂ）は本発明の第８実施例である半導体検査装置
１０Ａ-8を示す平面図である。図１７（Ａ）に示す半導
体検査装置１０Ａ-7は、支持フィルム１３に切り込み部
２３を形成したことを特徴とするものである。また、図
１７（Ｂ）に示す半導体検査装置１０Ａ-8は、支持フィ
ルム１３を複数（本実施例では４枚）の分割フィルム部
材２４ａ〜２４ｄを組み合わせて構成したことを特徴と
するものである。図１７（Ａ）に示されるように支持フ
ィルム１３に切り込み部２３を形成したことにより、支
持フィルム１３にも弾性を持たせることができる。また
図１７（Ｂ）に示されるように支持フィルム１３を複数
の分割フィルム部材２４ａ〜２４ｄを組み合わせて構成
することにより、各分割フィルム部材間に間隙２５を形
成させることができる。
【０１０６】よって、半導体装置１が装着された時に発
生する各種応力（例えば、板状接続端子２が接続部１４
を押圧することにより発生する応力、或いは半導体装置
１の発熱により発生する熱応力等）を切り込み部２３が
拡大縮小変形することにより、或いは間隙２５内で分割
フィルム部材２４ａ〜２４ｄが移動することにより吸収
することができる。
生する各種応力（例えば、板状接続端子２が接続部１４
を押圧することにより発生する応力、或いは半導体装置
１の発熱により発生する熱応力等）を切り込み部２３が
拡大縮小変形することにより、或いは間隙２５内で分割
フィルム部材２４ａ〜２４ｄが移動することにより吸収
することができる。
【０１０７】これにより、接続部１４と板状接続端子２
との接触位置に不要な応力が印加されることを防止する
ことができ、接続部１４と板状接続端子２との接続状態
を良好な状態に維持することができる。続いて、本発明
の第９実施例について説明する。図１８は本発明の第９
実施例である半導体検査装置１０Ａ-9を示している。本
実施例に係る半導体検査装置１０Ａ-9は、前記した各実
施例では接続部１４毎に支持フィルム１３を除去してい
たのに対し、各接続部１４を連通する連通溝部２７を形
成したことを特徴とするものである。
との接触位置に不要な応力が印加されることを防止する
ことができ、接続部１４と板状接続端子２との接続状態
を良好な状態に維持することができる。続いて、本発明
の第９実施例について説明する。図１８は本発明の第９
実施例である半導体検査装置１０Ａ-9を示している。本
実施例に係る半導体検査装置１０Ａ-9は、前記した各実
施例では接続部１４毎に支持フィルム１３を除去してい
たのに対し、各接続部１４を連通する連通溝部２７を形
成したことを特徴とするものである。
【０１０８】このように、各接続部１４を連通する連通
溝部２７を形成したことにより、この連通溝部２７に図
１７で示した切り込み部２３と同様の機能を持たせるこ
とができる。よって、図１７の構成では切り込み部２３
を形成することにより導体層１１の配設位置の自由度に
制限が生じるが、本実施例の構成によれば、支持フィル
ム１３に弾性を持たせつつ、かつ導体層１１の配設位置
の自由度を向上させることができる。
溝部２７を形成したことにより、この連通溝部２７に図
１７で示した切り込み部２３と同様の機能を持たせるこ
とができる。よって、図１７の構成では切り込み部２３
を形成することにより導体層１１の配設位置の自由度に
制限が生じるが、本実施例の構成によれば、支持フィル
ム１３に弾性を持たせつつ、かつ導体層１１の配設位置
の自由度を向上させることができる。
【０１０９】続いて、本発明の第１０乃至第１２実施例
について説明する。図１９は本発明の第１０実施例であ
る半導体検査装置１０Ａ-10 を示しており、また図２０
（Ａ）は本発明の第１１実施例である半導体検査装置１
０Ａ-11 を示しており、更に図２０（Ｂ）は本発明の第
１２実施例である半導体検査装置１０Ａ-12 を示してい
る。
について説明する。図１９は本発明の第１０実施例であ
る半導体検査装置１０Ａ-10 を示しており、また図２０
（Ａ）は本発明の第１１実施例である半導体検査装置１
０Ａ-11 を示しており、更に図２０（Ｂ）は本発明の第
１２実施例である半導体検査装置１０Ａ-12 を示してい
る。
【０１１０】第１０乃至第１２実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-10 〜１０Ａ-12 は、検査基板３９Ｂ上に、
導体層１１と接続した電子素子３６〜３８を配設したこ
とを特徴とするものである。図１９に示す半導体検査装
置１０Ａ-10 は、検査基板３９Ｂ上に半導体装置３６
（ＩＣ）を配設し、このＩＣ３６と導体層１１とを電気
的に接続したものである。また、図２０（Ａ）に示す半
導体検査装置１０Ａ-11 は、検査基板３９Ｂ上にコンデ
ンサー３７を配設し、このコンデンサー３７と導体層１
１とを電気的に接続したものである。更に、図２０
（Ｂ）に示す半導体検査装置１０Ａ-12 は、検査基板３
９Ｂ上に抵抗３８を配設し、この抵抗３８と導体層１１
とを電気的に接続したものである。
装置１０Ａ-10 〜１０Ａ-12 は、検査基板３９Ｂ上に、
導体層１１と接続した電子素子３６〜３８を配設したこ
とを特徴とするものである。図１９に示す半導体検査装
置１０Ａ-10 は、検査基板３９Ｂ上に半導体装置３６
（ＩＣ）を配設し、このＩＣ３６と導体層１１とを電気
的に接続したものである。また、図２０（Ａ）に示す半
導体検査装置１０Ａ-11 は、検査基板３９Ｂ上にコンデ
ンサー３７を配設し、このコンデンサー３７と導体層１
１とを電気的に接続したものである。更に、図２０
（Ｂ）に示す半導体検査装置１０Ａ-12 は、検査基板３
９Ｂ上に抵抗３８を配設し、この抵抗３８と導体層１１
とを電気的に接続したものである。
【０１１１】上記のように、検査基板３９Ｂに電子素子
３６〜３８を配設したことにより、インピーダンス整
合，或いはインダクタンス整合を容易に行なうことがで
き、半導体検査装置１０Ａ-10 〜１０Ａ-12 に起因した
精度誤差の発生を抑制でき、精度の高い半導体検査を行
なうことが可能となる。更に、半導体検査装置１０Ａ-1
0 に能動素子として機能するＩＣ３６を配設することに
より、半導体検査装置１０Ａ-10 自体に半導体検査処理
の一部或いは全部を行なわせることが可能となり、半導
体検査用テスターで実施される検査処理の軽減を図るこ
とができる。
３６〜３８を配設したことにより、インピーダンス整
合，或いはインダクタンス整合を容易に行なうことがで
き、半導体検査装置１０Ａ-10 〜１０Ａ-12 に起因した
精度誤差の発生を抑制でき、精度の高い半導体検査を行
なうことが可能となる。更に、半導体検査装置１０Ａ-1
0 に能動素子として機能するＩＣ３６を配設することに
より、半導体検査装置１０Ａ-10 自体に半導体検査処理
の一部或いは全部を行なわせることが可能となり、半導
体検査用テスターで実施される検査処理の軽減を図るこ
とができる。
【０１１２】続いて、本発明の第１３乃至第３０実施例
について説明する。前記した各実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-1〜１０Ａ-12 では、半導体装置１に設けら
れた板状接続端子２を半導体検査装置１０Ａ-1〜１０Ａ
-12 に設けられている接続部１４に圧接して検査を行う
構成とされている。従って、板状接続端子２と接続部１
４とが精度よく位置決めされた状態でないと正確な検査
を行うことができない。
について説明する。前記した各実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-1〜１０Ａ-12 では、半導体装置１に設けら
れた板状接続端子２を半導体検査装置１０Ａ-1〜１０Ａ
-12 に設けられている接続部１４に圧接して検査を行う
構成とされている。従って、板状接続端子２と接続部１
４とが精度よく位置決めされた状態でないと正確な検査
を行うことができない。
【０１１３】そこで、次に述べる各実施例では、半導体
装置１（板状接続端子２）と接続部１４との位置決めを
行う位置決め機構を設けたことを特徴としている。以
下、各実施例について説明する。先ず、位置決め機構と
してガイドピンを用いた構成について図２１乃至図３１
を用いて説明する。尚、以下の各実施例で用いるガイド
ピンは、絶縁性を有し、かつ熱膨張係数の低い材質であ
ることが望ましい。
装置１（板状接続端子２）と接続部１４との位置決めを
行う位置決め機構を設けたことを特徴としている。以
下、各実施例について説明する。先ず、位置決め機構と
してガイドピンを用いた構成について図２１乃至図３１
を用いて説明する。尚、以下の各実施例で用いるガイド
ピンは、絶縁性を有し、かつ熱膨張係数の低い材質であ
ることが望ましい。
【０１１４】図２１に示す第１３実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-13 は、検査基板３９Ｂの上部に、ガイド
ピン５０-1を立設したことを特徴とするものである。こ
のガイドピン５０-1の配設位置は、正規に装着された半
導体装置１の外周位置と対応するよう構成されている。
よって、ガイドピン５０-1に案内されるよう半導体装置
１を半導体検査装置１０Ａ-13 に装着することにより、
板状接続端子２と接続部１４との位置決めを行うことが
できる。尚、ガイドピン５０-1の先端部には、半導体装
置１の装着を容易とするためにテーパ部５１が形成され
ている。
査装置１０Ａ-13 は、検査基板３９Ｂの上部に、ガイド
ピン５０-1を立設したことを特徴とするものである。こ
のガイドピン５０-1の配設位置は、正規に装着された半
導体装置１の外周位置と対応するよう構成されている。
よって、ガイドピン５０-1に案内されるよう半導体装置
１を半導体検査装置１０Ａ-13 に装着することにより、
板状接続端子２と接続部１４との位置決めを行うことが
できる。尚、ガイドピン５０-1の先端部には、半導体装
置１の装着を容易とするためにテーパ部５１が形成され
ている。
【０１１５】また、図２２に示す第１４実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-14 では、ガイドピン５０-2が設け
られた半導体装置１を検査対象としている。また、図２
２（Ａ）に示されるように、検査基板３９Ａ，緩衝部材
１２Ｂ，及び突き上げ基板４０には、ガイドピン５０-2
が嵌入される位置決め孔５２-1〜５２-4が形成されてい
る。また、本実施例では、突き上げ基板４０の下部位置
にステージ４５Ａが配設されており、このステージ４５
Ａにもガイドピン５０-2が嵌入される位置決め孔５２-5
が形成されている。
導体検査装置１０Ａ-14 では、ガイドピン５０-2が設け
られた半導体装置１を検査対象としている。また、図２
２（Ａ）に示されるように、検査基板３９Ａ，緩衝部材
１２Ｂ，及び突き上げ基板４０には、ガイドピン５０-2
が嵌入される位置決め孔５２-1〜５２-4が形成されてい
る。また、本実施例では、突き上げ基板４０の下部位置
にステージ４５Ａが配設されており、このステージ４５
Ａにもガイドピン５０-2が嵌入される位置決め孔５２-5
が形成されている。
【０１１６】この構成では、図２２（Ｂ）に示すよう
に、半導体装置１に設けられたガイドピン５０-2を検査
基板３９Ａ，緩衝部材１２Ｂ，突き上げ基板４０，及び
ステージ４５Ａに設けられた位置決め孔５２-1〜５２-5
に嵌入することにより、板状接続端子２と接続部１４と
の位置決め、及び接続部１４と突き上げ部１５との位置
決めが行われる。
に、半導体装置１に設けられたガイドピン５０-2を検査
基板３９Ａ，緩衝部材１２Ｂ，突き上げ基板４０，及び
ステージ４５Ａに設けられた位置決め孔５２-1〜５２-5
に嵌入することにより、板状接続端子２と接続部１４と
の位置決め、及び接続部１４と突き上げ部１５との位置
決めが行われる。
【０１１７】また、図２３に示す第１５実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-15 は、同図（Ａ）に示すように、
半導体装置１に位置決め孔５２-2を形成すると共に、ス
テージ４５Ｂにガイドピン５０-1を立設したことを特徴
とするものである。また、検査基板３９Ｂ及び突き上げ
基板４０には位置決め孔５２-1，５２-6が形成されてい
る。
導体検査装置１０Ａ-15 は、同図（Ａ）に示すように、
半導体装置１に位置決め孔５２-2を形成すると共に、ス
テージ４５Ｂにガイドピン５０-1を立設したことを特徴
とするものである。また、検査基板３９Ｂ及び突き上げ
基板４０には位置決め孔５２-1，５２-6が形成されてい
る。
【０１１８】この構成では、図２３（Ｂ）に示すよう
に、ステージ４５Ｂに立設されたガイドピン５０-1を検
査基板３９Ｂ及び突き上げ基板４０に形成された位置決
め孔５２-1，５２-6を挿通させた上で、半導体装置１に
形成された位置決め孔５２-2に嵌入させ、これにより板
状接続端子２と接続部１４との位置決め、及び接続部１
４と突き上げ部１５との位置決めが行われる。
に、ステージ４５Ｂに立設されたガイドピン５０-1を検
査基板３９Ｂ及び突き上げ基板４０に形成された位置決
め孔５２-1，５２-6を挿通させた上で、半導体装置１に
形成された位置決め孔５２-2に嵌入させ、これにより板
状接続端子２と接続部１４との位置決め、及び接続部１
４と突き上げ部１５との位置決めが行われる。
【０１１９】また、図２４に示す第１６実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-16 は、同図（Ａ）に示すように、
ステージ４５Ｂにガイドピン５０-1を立設すると共に、
半導体装置１に位置決め孔を形成することなく、検査基
板３９Ｂと突き上げ基板４０にのみ位置決め孔５２-1，
５２-6を形成したことを特徴としている。この構成で
は、図２４（Ｂ）に示すように、ステージ４５Ｂに立設
されたガイドピン５０-1を検査基板３９Ｂ及び突き上げ
基板４０に形成された位置決め孔５２-1，５２-6を挿通
させ、これにより接続部１４と突き上げ部１５との位置
決めが行われる。このように、第１５実施例と異なり、
半導体装置１に位置決め孔を形成しなかったのは、半導
体装置１は高密度化されているため、一般に位置決め孔
を形成するスペースが取れないからである。また、半導
体装置１と検査基板３９Ｂとを位置決めする手段は、他
の位置決め治具を用いて行うことも可能であるからであ
る。
導体検査装置１０Ａ-16 は、同図（Ａ）に示すように、
ステージ４５Ｂにガイドピン５０-1を立設すると共に、
半導体装置１に位置決め孔を形成することなく、検査基
板３９Ｂと突き上げ基板４０にのみ位置決め孔５２-1，
５２-6を形成したことを特徴としている。この構成で
は、図２４（Ｂ）に示すように、ステージ４５Ｂに立設
されたガイドピン５０-1を検査基板３９Ｂ及び突き上げ
基板４０に形成された位置決め孔５２-1，５２-6を挿通
させ、これにより接続部１４と突き上げ部１５との位置
決めが行われる。このように、第１５実施例と異なり、
半導体装置１に位置決め孔を形成しなかったのは、半導
体装置１は高密度化されているため、一般に位置決め孔
を形成するスペースが取れないからである。また、半導
体装置１と検査基板３９Ｂとを位置決めする手段は、他
の位置決め治具を用いて行うことも可能であるからであ
る。
【０１２０】また、図２５に示す第１７実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-17 は、検査基板３９Ａ，緩衝部材
１２Ｂ、及び突き上げ基板４０の位置決めを行うために
ガイドピン５０-4を用いている。このため、図２５
（Ａ）に示されるように、検査基板３９Ａの所定位置に
は位置決め孔５２-3が、緩衝部材１２Ｂの所定位置には
位置決め孔５２-4が、更に突き上げ基板４０の所定位置
には位置決め孔５２-7が夫々形成されている。
導体検査装置１０Ａ-17 は、検査基板３９Ａ，緩衝部材
１２Ｂ、及び突き上げ基板４０の位置決めを行うために
ガイドピン５０-4を用いている。このため、図２５
（Ａ）に示されるように、検査基板３９Ａの所定位置に
は位置決め孔５２-3が、緩衝部材１２Ｂの所定位置には
位置決め孔５２-4が、更に突き上げ基板４０の所定位置
には位置決め孔５２-7が夫々形成されている。
【０１２１】位置決め処理を行うには、図２５（Ｂ）に
示されるように、各位置決め孔５２-3，５２-4，５２-7
を貫通するようガイドピン５０-4を挿入する。これによ
り、検査基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び突き上げ基板
４０はガイドピン５０-4により位置規制され、よって接
続部１４と突き上げ部１５は相互に位置決めされた状態
となる。半導体装置１に対し精度の高い検査を行うため
には、このように検査基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び
突き上げ基板４０が相互に位置決めされることが重要で
ある。
示されるように、各位置決め孔５２-3，５２-4，５２-7
を貫通するようガイドピン５０-4を挿入する。これによ
り、検査基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び突き上げ基板
４０はガイドピン５０-4により位置規制され、よって接
続部１４と突き上げ部１５は相互に位置決めされた状態
となる。半導体装置１に対し精度の高い検査を行うため
には、このように検査基板３９、緩衝部材１２Ｄ、及び
突き上げ基板４０が相互に位置決めされることが重要で
ある。
【０１２２】また、図２６に示す第１８実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-18 は、前記した第１７実施例と同
様に、検査基板３９Ａ、緩衝部材１２Ｂ、及び突き上げ
基板４０の位置決めを行うためにガイドピン５０-5を用
いている。更に、本実施例の半導体検査装置１０Ａ-18
では、ガイドピン５０-5を半導体装置１の案内部材とし
ても機能させていることを特徴とするものである。
導体検査装置１０Ａ-18 は、前記した第１７実施例と同
様に、検査基板３９Ａ、緩衝部材１２Ｂ、及び突き上げ
基板４０の位置決めを行うためにガイドピン５０-5を用
いている。更に、本実施例の半導体検査装置１０Ａ-18
では、ガイドピン５０-5を半導体装置１の案内部材とし
ても機能させていることを特徴とするものである。
【０１２３】具体的には、ガイドピン５０-5を検査基板
３９Ａ，緩衝部材１２Ｂ，及び突き上げ基板４０に挿入
装着した状態で、ガイドピン５０-5の内側面が半導体装
置１の所定装着位置に一致するよう構成されている。上
記構成とすることにより、検査基板３９Ａ，緩衝部材１
２Ｂ，及び突き上げ基板４０に挿入装着された状態のガ
イドピン５０-5に案内されるよう半導体装置１を半導体
検査装置１０Ａ-18 に装着することにより、接続部１４
と突き上げ部１５との位置決めに加え、板状接続端子２
と接続部１４との位置決めを行うことができる。
３９Ａ，緩衝部材１２Ｂ，及び突き上げ基板４０に挿入
装着した状態で、ガイドピン５０-5の内側面が半導体装
置１の所定装着位置に一致するよう構成されている。上
記構成とすることにより、検査基板３９Ａ，緩衝部材１
２Ｂ，及び突き上げ基板４０に挿入装着された状態のガ
イドピン５０-5に案内されるよう半導体装置１を半導体
検査装置１０Ａ-18 に装着することにより、接続部１４
と突き上げ部１５との位置決めに加え、板状接続端子２
と接続部１４との位置決めを行うことができる。
【０１２４】また、図２７に示す第１９実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-19 は、図２５を用いて説明した第
１７実施例の構成にステージ４５Ａを加えたことを特徴
とするものである。このため、ステージ４５Ａには、ガ
イドピン５０-5と嵌合する位置決め孔５２-5が形成され
ている。本実施例において位置決め処理を行うには、図
２７（Ｂ）に示されるように、各位置決め孔５２-1，５
２-3，５２-4を貫通させてガイドピン５０-5をステージ
４５Ａに形成されている位置決め孔５２-5に嵌入する。
これにより、検査基板３９、緩衝部材１２Ｄ、突き上げ
基板４０、及びステージ４５Ａはガイドピン５０-5によ
り位置規制され、よって接続部１４と突き上げ部１５は
相互に位置決めされた状態となる。
導体検査装置１０Ａ-19 は、図２５を用いて説明した第
１７実施例の構成にステージ４５Ａを加えたことを特徴
とするものである。このため、ステージ４５Ａには、ガ
イドピン５０-5と嵌合する位置決め孔５２-5が形成され
ている。本実施例において位置決め処理を行うには、図
２７（Ｂ）に示されるように、各位置決め孔５２-1，５
２-3，５２-4を貫通させてガイドピン５０-5をステージ
４５Ａに形成されている位置決め孔５２-5に嵌入する。
これにより、検査基板３９、緩衝部材１２Ｄ、突き上げ
基板４０、及びステージ４５Ａはガイドピン５０-5によ
り位置規制され、よって接続部１４と突き上げ部１５は
相互に位置決めされた状態となる。
【０１２５】ステージ４５Ａは、半導体装置１の検査に
直接機能するものではないため、その厚さや大きさを任
意に設定することができる。よって、位置決め孔５２-5
の深さも任意に設定することができ、位置決め孔５２-5
に嵌入されたガイドピン５０-5にふらつきが発生するこ
とを防止することができる。よって、接続部１４と突き
上げ部１５との位置決め精度を向上させることができ
る。
直接機能するものではないため、その厚さや大きさを任
意に設定することができる。よって、位置決め孔５２-5
の深さも任意に設定することができ、位置決め孔５２-5
に嵌入されたガイドピン５０-5にふらつきが発生するこ
とを防止することができる。よって、接続部１４と突き
上げ部１５との位置決め精度を向上させることができ
る。
【０１２６】また、図２８に示す第２０実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-20 は、検査基板３９Ｂと突き上げ
基板４０との間にガイドピン５０-6を有した位置合わせ
治具４６Ａを設けたことを特徴とするものである。この
位置合わせ治具４６Ａは、図２８（Ａ）に示されるよう
に、突き上げ基板４０に設けられた突き上げ部１５と対
応する位置に、この突き上げ部１５を挿通させる挿通孔
４７を形成している。また、検査基板３９Ｂには位置決
め孔５２-6が形成されている。
導体検査装置１０Ａ-20 は、検査基板３９Ｂと突き上げ
基板４０との間にガイドピン５０-6を有した位置合わせ
治具４６Ａを設けたことを特徴とするものである。この
位置合わせ治具４６Ａは、図２８（Ａ）に示されるよう
に、突き上げ基板４０に設けられた突き上げ部１５と対
応する位置に、この突き上げ部１５を挿通させる挿通孔
４７を形成している。また、検査基板３９Ｂには位置決
め孔５２-6が形成されている。
【０１２７】上記構成において検査基板３９Ｂと突き上
げ基板４０の位置決め処理を行うには、図２８（Ｂ）に
示すように、位置合わせ治具４６Ａの挿通孔４７に突き
上げ基板４０に設けられた突き上げ部１５を挿通すると
共に、突き上げ基板４０に設けられているガイドピン５
０-6を検査基板３９Ｂに形成されている位置決め孔５２
-6に嵌入する。これにより、検査基板３９Ｂと突き上げ
基板４０は、位置合わせ治具４６Ａを介して一義的に位
置決めされた状態となり、よって接続部１４と突き上げ
部１５との位置決めを行うことができる。
げ基板４０の位置決め処理を行うには、図２８（Ｂ）に
示すように、位置合わせ治具４６Ａの挿通孔４７に突き
上げ基板４０に設けられた突き上げ部１５を挿通すると
共に、突き上げ基板４０に設けられているガイドピン５
０-6を検査基板３９Ｂに形成されている位置決め孔５２
-6に嵌入する。これにより、検査基板３９Ｂと突き上げ
基板４０は、位置合わせ治具４６Ａを介して一義的に位
置決めされた状態となり、よって接続部１４と突き上げ
部１５との位置決めを行うことができる。
【０１２８】また、図２９に示す第２１実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-21 は、前記した第２０実施例と同
様に、検査基板３９Ｂと突き上げ基板４０の位置決めを
行うために位置合わせ治具４６Ａを用いてる。更に、本
実施例の半導体検査装置１０Ａ-21 では、ガイドピン５
０-7を半導体装置１の案内部材としても機能させている
ことを特徴とするものである。
導体検査装置１０Ａ-21 は、前記した第２０実施例と同
様に、検査基板３９Ｂと突き上げ基板４０の位置決めを
行うために位置合わせ治具４６Ａを用いてる。更に、本
実施例の半導体検査装置１０Ａ-21 では、ガイドピン５
０-7を半導体装置１の案内部材としても機能させている
ことを特徴とするものである。
【０１２９】具体的には、ガイドピン５０-7を検査基板
３９Ｂに、また挿通孔４７（図２８（Ａ）参照）を突き
上げ基板４０の突き上げ部１５に挿入装着した状態で、
ガイドピン５０-7の内側面が半導体装置１の所定装着位
置に一致するよう構成されている。上記構成とすること
により、接続部１４と突き上げ部１５との位置決めに加
え、板状接続端子２と接続部１４との位置決めを行うこ
とができる。
３９Ｂに、また挿通孔４７（図２８（Ａ）参照）を突き
上げ基板４０の突き上げ部１５に挿入装着した状態で、
ガイドピン５０-7の内側面が半導体装置１の所定装着位
置に一致するよう構成されている。上記構成とすること
により、接続部１４と突き上げ部１５との位置決めに加
え、板状接続端子２と接続部１４との位置決めを行うこ
とができる。
【０１３０】また、図３０に示す第２２実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-22 は、突き上げ基板４０にガイド
ピン５０-8を立設させたことを特徴とするものである。
尚、検査基板３９Ｂには位置決め孔５２-6が形成されて
いる。上記構成において検査基板３９Ｂと突き上げ基板
４０の位置決め処理を行うには、図３０（Ｂ）に示すよ
うに、単に突き上げ基板４０に立設されているガイドピ
ン５０-8を検査基板３９Ｂの位置決め孔５２-6に嵌入す
る。これにより、検査基板３９Ｂと突き上げ基板４０は
一義的に位置決めされた状態となり、よって接続部１４
と突き上げ部１５との位置決めを行うことができる。上
記のように、本実施例によれば、半導体検査装置１０Ａ
-22 の構成を簡単化することができ、また位置決め処理
も容易となる。
導体検査装置１０Ａ-22 は、突き上げ基板４０にガイド
ピン５０-8を立設させたことを特徴とするものである。
尚、検査基板３９Ｂには位置決め孔５２-6が形成されて
いる。上記構成において検査基板３９Ｂと突き上げ基板
４０の位置決め処理を行うには、図３０（Ｂ）に示すよ
うに、単に突き上げ基板４０に立設されているガイドピ
ン５０-8を検査基板３９Ｂの位置決め孔５２-6に嵌入す
る。これにより、検査基板３９Ｂと突き上げ基板４０は
一義的に位置決めされた状態となり、よって接続部１４
と突き上げ部１５との位置決めを行うことができる。上
記のように、本実施例によれば、半導体検査装置１０Ａ
-22 の構成を簡単化することができ、また位置決め処理
も容易となる。
【０１３１】また、図３１に示す第２３実施例に係る半
導体検査装置１０Ａ-23 は、前記した第２２実施例と同
様に、検査基板３９Ｂと突き上げ基板４０の位置決めを
行うために突き上げ基板４０にガイドピン５０-9が立設
された構成とされている。更に、本実施例の半導体検査
装置１０Ａ-23 では、ガイドピン５０-9を半導体装置１
の案内部材としても機能させていることを特徴とするも
のである。
導体検査装置１０Ａ-23 は、前記した第２２実施例と同
様に、検査基板３９Ｂと突き上げ基板４０の位置決めを
行うために突き上げ基板４０にガイドピン５０-9が立設
された構成とされている。更に、本実施例の半導体検査
装置１０Ａ-23 では、ガイドピン５０-9を半導体装置１
の案内部材としても機能させていることを特徴とするも
のである。
【０１３２】具体的には、ガイドピン５０-9を検査基板
３９Ｂの位置決め孔５２-6に挿入した状態で、ガイドピ
ン５０-9の内側面が半導体装置１の所定装着位置に一致
するよう構成されている。上記構成とすることにより、
接続部１４と突き上げ部１５との位置決めに加え、板状
接続端子２と接続部１４との位置決めを行うことができ
る。
３９Ｂの位置決め孔５２-6に挿入した状態で、ガイドピ
ン５０-9の内側面が半導体装置１の所定装着位置に一致
するよう構成されている。上記構成とすることにより、
接続部１４と突き上げ部１５との位置決めに加え、板状
接続端子２と接続部１４との位置決めを行うことができ
る。
【０１３３】上記してきた第１３乃至第２３実施例によ
れば、位置決め機構としてガイドピン５０-1〜５０-9を
用いた構成としているため、簡単な構成で板状接続端子
２と接続部１４との位置決め、或いは突き上げ部１５と
接続部１４との位置決めを行うことが可能となる。続い
て、位置決め機構としてガイドピン付きフレームを用い
た構成について図３２乃至図３８を用いて説明する。
れば、位置決め機構としてガイドピン５０-1〜５０-9を
用いた構成としているため、簡単な構成で板状接続端子
２と接続部１４との位置決め、或いは突き上げ部１５と
接続部１４との位置決めを行うことが可能となる。続い
て、位置決め機構としてガイドピン付きフレームを用い
た構成について図３２乃至図３８を用いて説明する。
【０１３４】図３２は、第２４実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-24 を示している。本実施例では、検査基板
３９Ａ、緩衝部材１２Ｂ、及び突き上げ基板４０の位置
決めを行うため、枠状のフレームを有したガイドピン付
きフレーム６０-1を用いていることを特徴とするもので
ある。本実施例で用いているガイドピン付きフレーム６
０-1は、フレームとして機能する枠体部６１と、この枠
体部６１に配設されたガイドピン部６２とにより構成さ
れている。枠体部６１は、図３２（Ｂ）に示されるよう
に内部に空間部６３を有した枠形状とされており、その
空間部６３の形状は半導体装置１の外形と対応するよう
構成されている。また、ガイドピン部６２は、この枠体
部６１の四隅位置から下方に向け延出させた構成とされ
ている。
装置１０Ａ-24 を示している。本実施例では、検査基板
３９Ａ、緩衝部材１２Ｂ、及び突き上げ基板４０の位置
決めを行うため、枠状のフレームを有したガイドピン付
きフレーム６０-1を用いていることを特徴とするもので
ある。本実施例で用いているガイドピン付きフレーム６
０-1は、フレームとして機能する枠体部６１と、この枠
体部６１に配設されたガイドピン部６２とにより構成さ
れている。枠体部６１は、図３２（Ｂ）に示されるよう
に内部に空間部６３を有した枠形状とされており、その
空間部６３の形状は半導体装置１の外形と対応するよう
構成されている。また、ガイドピン部６２は、この枠体
部６１の四隅位置から下方に向け延出させた構成とされ
ている。
【０１３５】また、図３２（Ａ）に示されるように、検
査検査基板３９Ａの所定位置には位置決め孔５２-3が、
緩衝部材１２Ｂの所定位置には位置決め孔５２-4が、更
に突き上げ基板４０の所定位置には位置決め孔５２-7が
夫々形成されている。この各位置決め孔５２-3, ５２-
4, ５２-7の形成位置は、ガイドピン付きフレーム６０-
1に設けられたガイドピン部６２の形成位置と対応する
よう構成されている。
査検査基板３９Ａの所定位置には位置決め孔５２-3が、
緩衝部材１２Ｂの所定位置には位置決め孔５２-4が、更
に突き上げ基板４０の所定位置には位置決め孔５２-7が
夫々形成されている。この各位置決め孔５２-3, ５２-
4, ５２-7の形成位置は、ガイドピン付きフレーム６０-
1に設けられたガイドピン部６２の形成位置と対応する
よう構成されている。
【０１３６】上記構成とされた半導体検査装置１０Ａ-2
4 において位置決め処理を行うには、図３２（Ｃ）に示
されるように、各位置決め孔５２-3, ５２-4, ５２-7に
対しガイドピン付きフレーム６０-1のガイドピン部６２
を挿入する。これにより、検査検査基板３９Ａ、緩衝部
材１２Ｂ、及び突き上げ基板４０はガイドピン６２によ
り位置規制され、よって相互に位置決めされた状態とな
る。
4 において位置決め処理を行うには、図３２（Ｃ）に示
されるように、各位置決め孔５２-3, ５２-4, ５２-7に
対しガイドピン付きフレーム６０-1のガイドピン部６２
を挿入する。これにより、検査検査基板３９Ａ、緩衝部
材１２Ｂ、及び突き上げ基板４０はガイドピン６２によ
り位置規制され、よって相互に位置決めされた状態とな
る。
【０１３７】更に、前記したように、ガイドピン付きフ
レーム６０-1には半導体装置１の外形に対応した空間部
６３が形成された枠体部６１が形成されているため、こ
の枠体部６１により半導体装置１の位置決めを行うこと
ができる。よって、本実施例に係る半導体検査装置１０
Ａ-24 によれば、検査検査基板３９Ａ，緩衝部材１２
Ｂ，突き上げ基板４０，及び半導体装置１の位置決めを
容易に行うことができ、半導体装置１に対して精度の高
い検査を行うことが可能となる。
レーム６０-1には半導体装置１の外形に対応した空間部
６３が形成された枠体部６１が形成されているため、こ
の枠体部６１により半導体装置１の位置決めを行うこと
ができる。よって、本実施例に係る半導体検査装置１０
Ａ-24 によれば、検査検査基板３９Ａ，緩衝部材１２
Ｂ，突き上げ基板４０，及び半導体装置１の位置決めを
容易に行うことができ、半導体装置１に対して精度の高
い検査を行うことが可能となる。
【０１３８】図３３は、第２５実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-25 を示している。本実施例で用いるガイド
ピン付きフレーム６０-2は、フレーム部６４が半導体装
置１を覆うよう保持する構成とされており、かつ、この
フレーム部６４の内壁に半導体装置１の位置決めを行う
テーパ面６５を形成したことを特徴とするものである。
また、フレーム部６４の四隅下部からはガイドピン部６
２が下方に向け延出するよう配設されている。
装置１０Ａ-25 を示している。本実施例で用いるガイド
ピン付きフレーム６０-2は、フレーム部６４が半導体装
置１を覆うよう保持する構成とされており、かつ、この
フレーム部６４の内壁に半導体装置１の位置決めを行う
テーパ面６５を形成したことを特徴とするものである。
また、フレーム部６４の四隅下部からはガイドピン部６
２が下方に向け延出するよう配設されている。
【０１３９】また、本実施例においても、図３３（Ａ）
に示されるように、検査基板３９Ａの所定位置には位置
決め孔５２-3が、緩衝部材１２Ｂの所定位置には位置決
め孔５２-4が、更に突き上げ基板４０の所定位置には位
置決め孔５２-7が夫々形成されている。この各位置決め
孔５２-3, ５２-4, ５２-7の形成位置は、ガイドピン付
きフレーム６０-2に設けられたガイドピン部６２の形成
位置と対応するよう構成されている。
に示されるように、検査基板３９Ａの所定位置には位置
決め孔５２-3が、緩衝部材１２Ｂの所定位置には位置決
め孔５２-4が、更に突き上げ基板４０の所定位置には位
置決め孔５２-7が夫々形成されている。この各位置決め
孔５２-3, ５２-4, ５２-7の形成位置は、ガイドピン付
きフレーム６０-2に設けられたガイドピン部６２の形成
位置と対応するよう構成されている。
【０１４０】上記構成とされた半導体検査装置１０Ａ-2
5 において位置決め処理を行うには、図３３（Ｂ）に示
されるように、各位置決め孔５２-3, ５２-4, ５２-7に
対しガイドピン付きフレーム６０-2のガイドピン部６２
を挿入する。これにより、検査基板３９Ａ、緩衝部材１
２Ｂ、及び突き上げ基板４０はガイドピン６２により位
置規制され、よって相互に位置決めされた状態となる。
5 において位置決め処理を行うには、図３３（Ｂ）に示
されるように、各位置決め孔５２-3, ５２-4, ５２-7に
対しガイドピン付きフレーム６０-2のガイドピン部６２
を挿入する。これにより、検査基板３９Ａ、緩衝部材１
２Ｂ、及び突き上げ基板４０はガイドピン６２により位
置規制され、よって相互に位置決めされた状態となる。
【０１４１】更に、前記したようにガイドピン付きフレ
ーム６０-1を構成するフレーム部６４の内壁にはテーパ
面６５が形成されているため、ガイドピン付きフレーム
６０-2の装着動作に伴い半導体装置１の上面外周部分は
このテーパ面６５と係合し、これにより半導体装置１の
位置決め処理が行われる。よって、本実施例に係る半導
体検査装置１０Ａ-25 によれば、検査基板３９Ａ，緩衝
部材１２Ｂ，及び突き上げ基板４０の位置決めに加え、
これらと半導体装置１との位置決めを行うことができ、
半導体装置１に対して精度の高い検査を行うことが可能
となる。
ーム６０-1を構成するフレーム部６４の内壁にはテーパ
面６５が形成されているため、ガイドピン付きフレーム
６０-2の装着動作に伴い半導体装置１の上面外周部分は
このテーパ面６５と係合し、これにより半導体装置１の
位置決め処理が行われる。よって、本実施例に係る半導
体検査装置１０Ａ-25 によれば、検査基板３９Ａ，緩衝
部材１２Ｂ，及び突き上げ基板４０の位置決めに加え、
これらと半導体装置１との位置決めを行うことができ、
半導体装置１に対して精度の高い検査を行うことが可能
となる。
【０１４２】図３４は、第２６実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-26 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-26 は、上記した第２５実施例に係る半導
体検査装置１０Ａ-25 と基本構成は同一であるが、ガイ
ドピン付きフレーム６０-2を構成するフレーム部６４の
内壁で、半導体装置１の上面と対向する位置にエラスト
マー６６を配設したことを特徴とするものである。エラ
ストマー６６は可撓性を有する材質（例えば、シリコン
ゴム等）により構成されており、緩衝機能を有してい
る。
装置１０Ａ-26 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-26 は、上記した第２５実施例に係る半導
体検査装置１０Ａ-25 と基本構成は同一であるが、ガイ
ドピン付きフレーム６０-2を構成するフレーム部６４の
内壁で、半導体装置１の上面と対向する位置にエラスト
マー６６を配設したことを特徴とするものである。エラ
ストマー６６は可撓性を有する材質（例えば、シリコン
ゴム等）により構成されており、緩衝機能を有してい
る。
【０１４３】従って、フレーム部６４と半導体装置１と
の間にエラストマー６６を介在させることにより、ガイ
ドピン付きフレーム６０-2が強く検査基板３９Ａに向け
押圧された場合であっても、この押圧力は緩衝部材１２
Ｄに加えエラストマー６６によっても緩衝される。この
ため、板状接続端子２と接続部１４との接続部分に過剰
な応力が発生することを防止でき、板状接続端子２の損
傷及び変形の発生を防止することができる。
の間にエラストマー６６を介在させることにより、ガイ
ドピン付きフレーム６０-2が強く検査基板３９Ａに向け
押圧された場合であっても、この押圧力は緩衝部材１２
Ｄに加えエラストマー６６によっても緩衝される。この
ため、板状接続端子２と接続部１４との接続部分に過剰
な応力が発生することを防止でき、板状接続端子２の損
傷及び変形の発生を防止することができる。
【０１４４】図３５は、第２７実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-27 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-27 は、ガイドピン付きフレーム６０-3を
構成するフレーム部６４の内部に半導体装置１の調芯処
理を行う調芯機構６７を設けたことを特徴とするもので
ある。この調芯機構６７は、半導体装置１の上面と係合
する係合部６８と、この係合部６８を揺動可能にフレー
ム部６４に連結する揺動アーム６９とにより構成されて
いる。
装置１０Ａ-27 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-27 は、ガイドピン付きフレーム６０-3を
構成するフレーム部６４の内部に半導体装置１の調芯処
理を行う調芯機構６７を設けたことを特徴とするもので
ある。この調芯機構６７は、半導体装置１の上面と係合
する係合部６８と、この係合部６８を揺動可能にフレー
ム部６４に連結する揺動アーム６９とにより構成されて
いる。
【０１４５】この調芯機構６７は、板状接続端子２が所
定接続部１４に接続するために半導体装置１が横方向に
変位した場合、これに追随して係合部６８を変位しうる
構成となっている。このように、板状接続端子２が接続
部１４に位置するよう調芯処理を行う調芯機構６７を設
けることにより、フレーム部６４に半導体装置１が挿入
された直後において板状接続端子２と接続部１４との位
置がずれていても、調芯機構６７が調芯処理を行うこと
により、板状接続端子２と接続部１４との位置合わせを
行うことができる。
定接続部１４に接続するために半導体装置１が横方向に
変位した場合、これに追随して係合部６８を変位しうる
構成となっている。このように、板状接続端子２が接続
部１４に位置するよう調芯処理を行う調芯機構６７を設
けることにより、フレーム部６４に半導体装置１が挿入
された直後において板状接続端子２と接続部１４との位
置がずれていても、調芯機構６７が調芯処理を行うこと
により、板状接続端子２と接続部１４との位置合わせを
行うことができる。
【０１４６】図３６は、第２８実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-28 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-28 は、ガイドピン付きフレーム６０-2を
構成するフレーム部６４と、半導体装置１の上面と係合
する係合部６８との間にコイルスプリング７０を設けた
ことを特徴とするものである。このコイルスプリング７
０は、装着状態における半導体装置１を検査基板３９Ａ
（導体層１１）に向け付勢する付勢機構として機能す
る。
装置１０Ａ-28 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-28 は、ガイドピン付きフレーム６０-2を
構成するフレーム部６４と、半導体装置１の上面と係合
する係合部６８との間にコイルスプリング７０を設けた
ことを特徴とするものである。このコイルスプリング７
０は、装着状態における半導体装置１を検査基板３９Ａ
（導体層１１）に向け付勢する付勢機構として機能す
る。
【０１４７】このようにフレーム部６４と係合部６８と
の間にコイルスプリング７０を設けたことにより、板状
接続端子２と接続部１４との間には常に所定の付勢力が
作用する。よって、板状接続端子２と接続部１４との電
気的接続性を向上させることができると共に、測定時に
おいて板状接続端子２が接続部１４からずれることを防
止することができる。
の間にコイルスプリング７０を設けたことにより、板状
接続端子２と接続部１４との間には常に所定の付勢力が
作用する。よって、板状接続端子２と接続部１４との電
気的接続性を向上させることができると共に、測定時に
おいて板状接続端子２が接続部１４からずれることを防
止することができる。
【０１４８】図３７は、第２９実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-29 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-29 は、図３５に示した第２７実施例の半
導体検査装置１０Ａ-27 において、係合部６８と半導体
装置１の上面との間にエラストマー６６を介装したこと
を特徴とするものである。よって本実施例によれば、先
に説明した第２６実施例の効果と第２７実施例の効果と
を共に実現させることができる。
装置１０Ａ-29 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-29 は、図３５に示した第２７実施例の半
導体検査装置１０Ａ-27 において、係合部６８と半導体
装置１の上面との間にエラストマー６６を介装したこと
を特徴とするものである。よって本実施例によれば、先
に説明した第２６実施例の効果と第２７実施例の効果と
を共に実現させることができる。
【０１４９】図３８は、第３０実施例に係る半導体検査
装置１０Ａ-30 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-30 は、図３６に示した第２８実施例の半
導体検査装置１０Ａ-28 において、係合部６８と半導体
装置１の上面との間にエラストマー６６を介装したこと
を特徴とするものである。よって本実施例によれば、先
に説明した第２６実施例の効果と第２８実施例の効果と
を共に実現させることができる。
装置１０Ａ-30 を示している。本実施例に係る半導体検
査装置１０Ａ-30 は、図３６に示した第２８実施例の半
導体検査装置１０Ａ-28 において、係合部６８と半導体
装置１の上面との間にエラストマー６６を介装したこと
を特徴とするものである。よって本実施例によれば、先
に説明した第２６実施例の効果と第２８実施例の効果と
を共に実現させることができる。
【０１５０】続いて、図３９を用いて、検査基板３９Ｃ
を用いて複数の半導体装置１に対して連続して検査を行
う場合の検査方法について説明する。本実施例で用いて
いる検査基板３９Ｃは、導体層１１の両面夫々に支持フ
ィルムが配設された構成とされている。即ち、検査基板
３９Ｃは上下対称な構成とされている。
を用いて複数の半導体装置１に対して連続して検査を行
う場合の検査方法について説明する。本実施例で用いて
いる検査基板３９Ｃは、導体層１１の両面夫々に支持フ
ィルムが配設された構成とされている。即ち、検査基板
３９Ｃは上下対称な構成とされている。
【０１５１】本実施例に係る検査方法では、複数の半導
体装置１に対して連続して検査を行う際、１回の検査が
終了する毎に検査基板３９Ｃを上下反転させて使用する
ことを特徴とするものである。このように、１回の検査
が終了する毎に検査基板３９Ｃを上下反転させて使用す
ることにより、毎回の検査処理において接続部１４と板
状接続端子２との接続を常に良好とすることができる。
体装置１に対して連続して検査を行う際、１回の検査が
終了する毎に検査基板３９Ｃを上下反転させて使用する
ことを特徴とするものである。このように、１回の検査
が終了する毎に検査基板３９Ｃを上下反転させて使用す
ることにより、毎回の検査処理において接続部１４と板
状接続端子２との接続を常に良好とすることができる。
【０１５２】即ち、例えば１回目の検査において、突き
上げ部１５により接続部１４を板状接続端子２に向け変
形させ、接続部１４と板状接続端子２を電気的に接続さ
せた際、導体層１１の一部である薄板状の接続部１４に
塑性変形（即ち、変形前の状態に戻らない状態）が発生
することが考えられる。よって、このままの状態で２回
目の検査を実施すると、１回目と２回目では半導体装置
１の装着状態が変化したり、また板状接続端子２の窪み
量に変化があることが考えられ、この場合には図３９
（Ｂ）に示されるように接続部１４が板状接続端子２に
適正に接続されないおそれがある。
上げ部１５により接続部１４を板状接続端子２に向け変
形させ、接続部１４と板状接続端子２を電気的に接続さ
せた際、導体層１１の一部である薄板状の接続部１４に
塑性変形（即ち、変形前の状態に戻らない状態）が発生
することが考えられる。よって、このままの状態で２回
目の検査を実施すると、１回目と２回目では半導体装置
１の装着状態が変化したり、また板状接続端子２の窪み
量に変化があることが考えられ、この場合には図３９
（Ｂ）に示されるように接続部１４が板状接続端子２に
適正に接続されないおそれがある。
【０１５３】そこで２回目の検査を行う際に、図３９
（Ｂ）に示すように、検査基板３９Ｃを上下反転させて
使用する。これにより、図３９（Ｃ）に示されるよう
に、検査基板３９Ｃが反転させた時点で接続部１４は突
き上げ基板４０に向けて突出した状態となり、これによ
り接続部１４を再び板状接続端子２に向け変形させるこ
とが可能となる。
（Ｂ）に示すように、検査基板３９Ｃを上下反転させて
使用する。これにより、図３９（Ｃ）に示されるよう
に、検査基板３９Ｃが反転させた時点で接続部１４は突
き上げ基板４０に向けて突出した状態となり、これによ
り接続部１４を再び板状接続端子２に向け変形させるこ
とが可能となる。
【０１５４】よって、検査が終了する毎に検査基板３９
Ｃを上下反転させて使用することにより、毎回の検査毎
に接続部１４は変形することとなり、従って前回の接続
部１４の変形が履歴として残ることはなく、毎回の検査
処理において接続部１４と板状接続端子２とを常に良好
な状態で接続させることができる。続いて、本発明の第
３１実施例について説明する。
Ｃを上下反転させて使用することにより、毎回の検査毎
に接続部１４は変形することとなり、従って前回の接続
部１４の変形が履歴として残ることはなく、毎回の検査
処理において接続部１４と板状接続端子２とを常に良好
な状態で接続させることができる。続いて、本発明の第
３１実施例について説明する。
【０１５５】図４０は、本発明の第３１実施例である半
導体検査装置１０Ｂ-1を上下方向に分解して示す図であ
る。図中、１１３は半導体装置１を水平状態に保持する
固定治具で、昇降可能に支持されている。また、固定治
具１１３には、半導体装置１を吸着するための吸着手段
として、例えば真空ポンプ（図示せず）に接続された吸
着部１１４が設けられている。
導体検査装置１０Ｂ-1を上下方向に分解して示す図であ
る。図中、１１３は半導体装置１を水平状態に保持する
固定治具で、昇降可能に支持されている。また、固定治
具１１３には、半導体装置１を吸着するための吸着手段
として、例えば真空ポンプ（図示せず）に接続された吸
着部１１４が設けられている。
【０１５６】さらに、固定治具１１３の上部には、固定
治具１１３を揺動自在に支持して面振れを調整するため
の調芯機構１１５が設けられている。この調芯機構１１
１５は、例えば固定治具１１３を昇降させる昇降機構
（図示せず）のロッド１１５ａの端部に設けられた球状
支持部１１５ｂと、球状支持部１１５ｂが嵌合する軸受
部１１５ｃとよりなる。そのため、調芯機構１１５は、
球状支持部１１５ｂと軸受部１１５ｃとにより自在継手
と同様な構成とされている。
治具１１３を揺動自在に支持して面振れを調整するため
の調芯機構１１５が設けられている。この調芯機構１１
１５は、例えば固定治具１１３を昇降させる昇降機構
（図示せず）のロッド１１５ａの端部に設けられた球状
支持部１１５ｂと、球状支持部１１５ｂが嵌合する軸受
部１１５ｃとよりなる。そのため、調芯機構１１５は、
球状支持部１１５ｂと軸受部１１５ｃとにより自在継手
と同様な構成とされている。
【０１５７】例えば固定治具１１３の下方に対向する配
列基板１１６が傾いていた場合、固定治具１１３に吸着
された半導体装置１を傾斜させるような力が作用する。
しかしながら、調芯機構１１５の球状支持部１１５ｂが
その方向に傾いて半導体装置１が配列基板１１６に追従
するため、半導体装置１及び半導体検査装置１０Ｂ-1の
損傷が防止される。
列基板１１６が傾いていた場合、固定治具１１３に吸着
された半導体装置１を傾斜させるような力が作用する。
しかしながら、調芯機構１１５の球状支持部１１５ｂが
その方向に傾いて半導体装置１が配列基板１１６に追従
するため、半導体装置１及び半導体検査装置１０Ｂ-1の
損傷が防止される。
【０１５８】配列基板１１６は、例えばマシナラブルセ
ラミクッス等により形成されており、上面には半導体装
置１の板状接続端子２と対応した配列とされた複数の位
置決め凹部１１７が設けられている。この位置決め凹部
１１７は、後述する接続電極１１２Ａの外形に対応した
形状を有した窪みであり、接続電極１１２Ａが上方から
嵌入されることにより、接続電極１１２Ａは配列基板１
１６に装着される。
ラミクッス等により形成されており、上面には半導体装
置１の板状接続端子２と対応した配列とされた複数の位
置決め凹部１１７が設けられている。この位置決め凹部
１１７は、後述する接続電極１１２Ａの外形に対応した
形状を有した窪みであり、接続電極１１２Ａが上方から
嵌入されることにより、接続電極１１２Ａは配列基板１
１６に装着される。
【０１５９】接続電極１１２Ａは導電性金属（例えば、
半田，銅等）よりなり、本実施例では球形状とされてい
る。この接続電極１１２Ａは、図４１に示すように、配
列基板１１６に形成された位置決め凹部１１７内に装着
される。前記したように、位置決め凹部１１７は板状接
続端子２と対応した配列とされており、かつ位置決め凹
部１１７の形状は接続端子２の形状に対応しているた
め、装着状態において接続端子２は板状接続端子２の配
設位置と対応した位置に位置決めされた状態となる。
半田，銅等）よりなり、本実施例では球形状とされてい
る。この接続電極１１２Ａは、図４１に示すように、配
列基板１１６に形成された位置決め凹部１１７内に装着
される。前記したように、位置決め凹部１１７は板状接
続端子２と対応した配列とされており、かつ位置決め凹
部１１７の形状は接続端子２の形状に対応しているた
め、装着状態において接続端子２は板状接続端子２の配
設位置と対応した位置に位置決めされた状態となる。
【０１６０】この接続電極１１２Ａは、配列基板１１６
に装着された状態で、その上部が配列基板１１６の上面
から突出するよう構成されている。また、前記した位置
決め凹部１１７の低部には孔１１７ａが形成されてお
り、装着された状態において接続電極１１２Ａの下部は
この孔１１７ａを介して配列基板１１６の底面に露出す
る構成とされている。
に装着された状態で、その上部が配列基板１１６の上面
から突出するよう構成されている。また、前記した位置
決め凹部１１７の低部には孔１１７ａが形成されてお
り、装着された状態において接続電極１１２Ａの下部は
この孔１１７ａを介して配列基板１１６の底面に露出す
る構成とされている。
【０１６１】一方、配列基板１１６の下部には、測定基
板１１８が配設されている。測定基板１１８は絶縁性ベ
ースフイルム上に配線層１２０が形成された構成とされ
ており、この配線層１２０の板状接続端子２の形成位置
と対応する位置には測定端子１１９が形成されている。
この各測定端子１１９は、夫々半導体装置１の電気的動
作を検査するための端子であり、図４１に示されるよう
に配列基板１１６の位置決め凹部１１７の底部中心に設
けられた孔１１７ａと対向するよう構成されている。こ
の配列基板１１６と測定基板１１８は、図４０に示され
るように、積重された状態で半導体検査装置１０Ｂ-1に
装着されるが、この積重された状態において、配列基板
１１に装着さた接続電極１１２Ａの下部は孔１１７ａを
介して測定端子１１９と電気的に接続する構成とされて
いる。
板１１８が配設されている。測定基板１１８は絶縁性ベ
ースフイルム上に配線層１２０が形成された構成とされ
ており、この配線層１２０の板状接続端子２の形成位置
と対応する位置には測定端子１１９が形成されている。
この各測定端子１１９は、夫々半導体装置１の電気的動
作を検査するための端子であり、図４１に示されるよう
に配列基板１１６の位置決め凹部１１７の底部中心に設
けられた孔１１７ａと対向するよう構成されている。こ
の配列基板１１６と測定基板１１８は、図４０に示され
るように、積重された状態で半導体検査装置１０Ｂ-1に
装着されるが、この積重された状態において、配列基板
１１に装着さた接続電極１１２Ａの下部は孔１１７ａを
介して測定端子１１９と電気的に接続する構成とされて
いる。
【０１６２】このため、半導体装置１が固定治具１１３
に保持された状態のまま降下されると、配列基板１１６
に形成された各位置決め凹部１１７に装着された接続電
極１１２Ａの上端部は半導体装置１に形成されている板
状接続端子２に当接し電気的に接続される。この際、前
記のように接続電極１１２Ａの上部は配列基板１１６か
ら突出した構成とされているため、板状接続端子２が半
導体装置１の底面から窪んだ状態となっていても、確実
に接続電極１１２Ａと板状接続端子２を接続させること
ができる。
に保持された状態のまま降下されると、配列基板１１６
に形成された各位置決め凹部１１７に装着された接続電
極１１２Ａの上端部は半導体装置１に形成されている板
状接続端子２に当接し電気的に接続される。この際、前
記のように接続電極１１２Ａの上部は配列基板１１６か
ら突出した構成とされているため、板状接続端子２が半
導体装置１の底面から窪んだ状態となっていても、確実
に接続電極１１２Ａと板状接続端子２を接続させること
ができる。
【０１６３】また、上記構成とされた測定基板１１８の
下部には、ステージ１２１が配設されている。このステ
ージ１２１は、配列基板１１６及び測定基板１１８を保
持する機能を奏し、固定治具１１３の下方に対向して設
けられている。また、ステージ１２１の上面には、配列
基板１１６及び測定基板１１８を所定装着位置に保持す
るための保持部１２２が設けられている。
下部には、ステージ１２１が配設されている。このステ
ージ１２１は、配列基板１１６及び測定基板１１８を保
持する機能を奏し、固定治具１１３の下方に対向して設
けられている。また、ステージ１２１の上面には、配列
基板１１６及び測定基板１１８を所定装着位置に保持す
るための保持部１２２が設けられている。
【０１６４】さらに、ステージ１２１の下部には、半導
体装置１に対する配列基板１１６及び測定基板１１８の
位置を調整するための調芯機構１２３が設けられてい
る。この調芯機構１２３は、上記調芯機構１１５と同様
な構成とされており、例えばステージ１２１の下面の中
央から下方に突出するロッド１２３ａの端部に設けられ
た球状支持部１２３ｂと、球状支持部１２３ｂが嵌合す
る軸受部１２３ｃとよりなる。
体装置１に対する配列基板１１６及び測定基板１１８の
位置を調整するための調芯機構１２３が設けられてい
る。この調芯機構１２３は、上記調芯機構１１５と同様
な構成とされており、例えばステージ１２１の下面の中
央から下方に突出するロッド１２３ａの端部に設けられ
た球状支持部１２３ｂと、球状支持部１２３ｂが嵌合す
る軸受部１２３ｃとよりなる。
【０１６５】そのため、調芯機構１２３は、球状支持部
１２３ｂと軸受部１２３ｃとにより自在継手と同様な構
成とされている。例えば、半導体装置１が傾いた状態で
装着された場合、配列基板１１６にはステージ１２１を
傾斜させるような力が作用する。しかしながら、調芯機
構１２３の球状支持部１２３ｂが傾いて配列基板１１６
が半導体装置１に追従するため、配列基板１１６を保持
するステージ１２１を固定治具１１３と平行な状態に調
整する。これにより、配列基板１１６及び測定基板１１
８の損傷が防止される。
１２３ｂと軸受部１２３ｃとにより自在継手と同様な構
成とされている。例えば、半導体装置１が傾いた状態で
装着された場合、配列基板１１６にはステージ１２１を
傾斜させるような力が作用する。しかしながら、調芯機
構１２３の球状支持部１２３ｂが傾いて配列基板１１６
が半導体装置１に追従するため、配列基板１１６を保持
するステージ１２１を固定治具１１３と平行な状態に調
整する。これにより、配列基板１１６及び測定基板１１
８の損傷が防止される。
【０１６６】ここで、上記のように構成された半導体検
査装置１０Ｂ-1を用いて半導体装置１を検査する場合の
動作について説明する。半導体検査装置１０Ｂ-1を用い
て半導体装置１の検査を行うには、板状接続端子２の形
成位置と対応した位置に測定端子１１９が形成された測
定基板１１８と、位置決め凹部１１７が形成された配列
基板１１６とを組み合わせる。また、これに合わせて位
置決め凹部１１７に接続電極１１２Ａを装着する。
査装置１０Ｂ-1を用いて半導体装置１を検査する場合の
動作について説明する。半導体検査装置１０Ｂ-1を用い
て半導体装置１の検査を行うには、板状接続端子２の形
成位置と対応した位置に測定端子１１９が形成された測
定基板１１８と、位置決め凹部１１７が形成された配列
基板１１６とを組み合わせる。また、これに合わせて位
置決め凹部１１７に接続電極１１２Ａを装着する。
【０１６７】これにより、接続電極１１２Ａは板状接続
端子２の形成位置に対応した位置に位置決めされた状態
となる。また、位置決め凹部１１７に装着された状態
で、接続電極１１２Ａの下端部は測定端子１１９と電気
的に接続され、またその上部は配列基板１１６より上方
に向け突出している。この状態において、前記したよう
に固定治具１１３に保持された半導体装置１を接続電極
１１２Ａに向け降下させると、各位置決め凹部１１７に
装着された接続電極１１２Ａの上端部は半導体装置１に
形成されている板状接続端子２に当接し電気的に接続す
る。これにより、接続電極１１２Ａは板状接続端子２に
押圧される。
端子２の形成位置に対応した位置に位置決めされた状態
となる。また、位置決め凹部１１７に装着された状態
で、接続電極１１２Ａの下端部は測定端子１１９と電気
的に接続され、またその上部は配列基板１１６より上方
に向け突出している。この状態において、前記したよう
に固定治具１１３に保持された半導体装置１を接続電極
１１２Ａに向け降下させると、各位置決め凹部１１７に
装着された接続電極１１２Ａの上端部は半導体装置１に
形成されている板状接続端子２に当接し電気的に接続す
る。これにより、接続電極１１２Ａは板状接続端子２に
押圧される。
【０１６８】この際、接続電極１１２Ａは配列基板１１
６から情報に向け突出した構成とされているため、半導
体装置１に形成されている板状接続端子２が装置下面と
面一の状態、或いは装置下面から窪んだ状態で形成され
ていたとしても、接続電極１１２Ａは突出しているため
板状接続端子２を押圧し、よって接続電極１１２Ａと板
状接続端子２との電気的接続を確実に行うことができ
る。
６から情報に向け突出した構成とされているため、半導
体装置１に形成されている板状接続端子２が装置下面と
面一の状態、或いは装置下面から窪んだ状態で形成され
ていたとしても、接続電極１１２Ａは突出しているため
板状接続端子２を押圧し、よって接続電極１１２Ａと板
状接続端子２との電気的接続を確実に行うことができ
る。
【０１６９】続いて、接続電極１１２Ａの変形例につい
て説明する。上記した半導体検査装置１０Ｂ-1では、図
４２（Ａ）及び図４３に示すように、接続電極１１２Ａ
として半田或いは銅からなる球状体（ボール）を用いた
例を示した。しかるに、この接続電極１１２Ａの外周に
保護膜として外装被膜１１１を形成した構成としてもよ
い。この外装被膜１１１としては、例えば金（Ａｕ），
パラジウム（Ｐｄ），ニッケル（Ｎｉ）等を用いること
が考えられる。
て説明する。上記した半導体検査装置１０Ｂ-1では、図
４２（Ａ）及び図４３に示すように、接続電極１１２Ａ
として半田或いは銅からなる球状体（ボール）を用いた
例を示した。しかるに、この接続電極１１２Ａの外周に
保護膜として外装被膜１１１を形成した構成としてもよ
い。この外装被膜１１１としては、例えば金（Ａｕ），
パラジウム（Ｐｄ），ニッケル（Ｎｉ）等を用いること
が考えられる。
【０１７０】このように、接続電極１１２Ａの外周に外
装被膜１１１を形成したことにより、接続電極１１２Ａ
の酸化等の変質、及び板状接続電極との摺接による傷の
発生を防止することができ、また板状接続端子２の材料
とのマッチングも行い易くなる。また、接続電極１１２
Ａの形状は、前記した実施例のように球状に限定される
ものではなく、例えば図４４及び図４６（Ａ）に示すよ
うに、方形状の接続電極１１２Ｂを用いてもよく、また
図４５及び図４６（Ｂ）に示すように、円柱形状の接続
電極１１２Ｃとしてもよい。方形状の接続電極１１２Ｂ
を用いた場合には、その角部を板状接続端子２に押圧さ
せる構成とすることができるため、この角部を板状接続
端子２に若干食い込ませた状態で検査を行うことができ
る。また、円柱形状の接続電極１１２Ｃを用いた場合に
は、接続電極１１２Ｃと板状接続端子２は面接触となる
ため、接触面は増大し確実な電気的な接続を図ることが
できる。
装被膜１１１を形成したことにより、接続電極１１２Ａ
の酸化等の変質、及び板状接続電極との摺接による傷の
発生を防止することができ、また板状接続端子２の材料
とのマッチングも行い易くなる。また、接続電極１１２
Ａの形状は、前記した実施例のように球状に限定される
ものではなく、例えば図４４及び図４６（Ａ）に示すよ
うに、方形状の接続電極１１２Ｂを用いてもよく、また
図４５及び図４６（Ｂ）に示すように、円柱形状の接続
電極１１２Ｃとしてもよい。方形状の接続電極１１２Ｂ
を用いた場合には、その角部を板状接続端子２に押圧さ
せる構成とすることができるため、この角部を板状接続
端子２に若干食い込ませた状態で検査を行うことができ
る。また、円柱形状の接続電極１１２Ｃを用いた場合に
は、接続電極１１２Ｃと板状接続端子２は面接触となる
ため、接触面は増大し確実な電気的な接続を図ることが
できる。
【０１７１】図４７乃至図５２及び図６７は、接続電極
１１２Ａと測定端子１１９との接続構造の変形例を説明
するための図である。図４７に示す接続構造は、測定端
子１１９に接続電極１１２Ａの装着方向に向け突出した
突起端子１２５Ａを配設したことを特徴とするものであ
る。この突起電極１２５Ａは、例えばスタッドバンプに
より構成されている。
１１２Ａと測定端子１１９との接続構造の変形例を説明
するための図である。図４７に示す接続構造は、測定端
子１１９に接続電極１１２Ａの装着方向に向け突出した
突起端子１２５Ａを配設したことを特徴とするものであ
る。この突起電極１２５Ａは、例えばスタッドバンプに
より構成されている。
【０１７２】このように、測定端子１１９に突起端子１
２５Ａを配設したことにより、測定端子１１９の突起端
子１２５Ａが形成された位置は位置決め凹部１１７内に
向け突出した状態となるため、この接続電極１１２Ａと
測定端子１１９との電気的接続性を向上させることがで
きる。また、図４８に示す接続構造では、位置決め凹部
１１７の内壁に測定端子１１９と電気的に接続した構成
で導電性メッキ膜１２５Ｂを形成したことを特徴とする
ものである。このように、位置決め凹部１１７の内壁に
メッキ膜１２５Ｂを形成したことにより、接続電極１１
２Ａはこのメッキ膜１２５Ｂとも接触するため、実質的
に測定端子１１９と接続電極１１２Ａとの接触面積はを
増大し、電気的接続性を向上させることができる。ま
た、接続電極１１２Ａが位置決め凹部１１７内で変位し
たような場合であっても、確実に測定端子１１９と接続
電極１１２Ａとの電気的接続を行うことができる。
２５Ａを配設したことにより、測定端子１１９の突起端
子１２５Ａが形成された位置は位置決め凹部１１７内に
向け突出した状態となるため、この接続電極１１２Ａと
測定端子１１９との電気的接続性を向上させることがで
きる。また、図４８に示す接続構造では、位置決め凹部
１１７の内壁に測定端子１１９と電気的に接続した構成
で導電性メッキ膜１２５Ｂを形成したことを特徴とする
ものである。このように、位置決め凹部１１７の内壁に
メッキ膜１２５Ｂを形成したことにより、接続電極１１
２Ａはこのメッキ膜１２５Ｂとも接触するため、実質的
に測定端子１１９と接続電極１１２Ａとの接触面積はを
増大し、電気的接続性を向上させることができる。ま
た、接続電極１１２Ａが位置決め凹部１１７内で変位し
たような場合であっても、確実に測定端子１１９と接続
電極１１２Ａとの電気的接続を行うことができる。
【０１７３】また、図４９に示す接続構造では、図４８
に示したように位置決め凹部１１７の内壁に測定端子１
１９と電気的に接続した構成で導電性メッキ膜１２５Ｂ
を形成すると共に、測定端子１１９とメッキ膜１２５Ｂ
とを一体的な構成としたことを特徴とするものである。
このように、測定端子１１９とメッキ膜１２５Ｂとを一
体的な構成とすることにより、半導体検査装置の簡単化
低コスト化を図ることができる。
に示したように位置決め凹部１１７の内壁に測定端子１
１９と電気的に接続した構成で導電性メッキ膜１２５Ｂ
を形成すると共に、測定端子１１９とメッキ膜１２５Ｂ
とを一体的な構成としたことを特徴とするものである。
このように、測定端子１１９とメッキ膜１２５Ｂとを一
体的な構成とすることにより、半導体検査装置の簡単化
低コスト化を図ることができる。
【０１７４】また、図６７に示す接続構造では、測定端
子１１９に変形可能な導電性樹脂１２７を配設したこと
を特徴とするものである。このように、測定端子１１９
に変形可能な導電性樹脂１２７を配設したことにより、
接続電極１１２Ａを位置決め凹部１１７内に装着するこ
とにより導電性樹脂１２７は広がる。導電性樹脂１２７
は導電性を有しているため、実質的に測定端子１１９と
接続電極１１２Ａとの接触面積を増大させることがで
き、よって電気的接続性を向上させることができる。ま
た、接続電極が位置決め凹部内で変位したような場合で
あっても、確実に測定端子と接続電極との電気的接続を
行うことができる。
子１１９に変形可能な導電性樹脂１２７を配設したこと
を特徴とするものである。このように、測定端子１１９
に変形可能な導電性樹脂１２７を配設したことにより、
接続電極１１２Ａを位置決め凹部１１７内に装着するこ
とにより導電性樹脂１２７は広がる。導電性樹脂１２７
は導電性を有しているため、実質的に測定端子１１９と
接続電極１１２Ａとの接触面積を増大させることがで
き、よって電気的接続性を向上させることができる。ま
た、接続電極が位置決め凹部内で変位したような場合で
あっても、確実に測定端子と接続電極との電気的接続を
行うことができる。
【０１７５】また、図５０乃至図５２に示す接続構造
は、接続電極１１２Ａと測定端子１１９を接続するのに
検査ユニット１８０を用いたことを特徴とするものであ
る。図５０は検査ユニット１８０の分解図であり、また
図５１は検査ユニットを測定基板１１８に装着した状態
を示している。各図に示されるように、検査ユニット１
８０は、接続端子１１２Ａが装着される端子１８２、中
央部分にロッドが立設されたガイド部１８７、及び端子
１８２を図中上方に向け付勢するコイルバネ１８５、及
び上記各構成要素を収納する収納ケース１８４等により
構成されている。
は、接続電極１１２Ａと測定端子１１９を接続するのに
検査ユニット１８０を用いたことを特徴とするものであ
る。図５０は検査ユニット１８０の分解図であり、また
図５１は検査ユニットを測定基板１１８に装着した状態
を示している。各図に示されるように、検査ユニット１
８０は、接続端子１１２Ａが装着される端子１８２、中
央部分にロッドが立設されたガイド部１８７、及び端子
１８２を図中上方に向け付勢するコイルバネ１８５、及
び上記各構成要素を収納する収納ケース１８４等により
構成されている。
【０１７６】この各検査ユニット１８０は、端子１８２
の上面に接続端子１１２Ａの外観形状に対応する球状の
凹部１８３が形成されている。また、端子１８２は導電
材により形成されているため、図５１に示される検査ユ
ニット１８０が測定基板１１８に装着された状態におい
て、ガイド部１８７は測定端子１１９と電気的に接続
し、よって検査ユニット１８１と接続端子１１９は電気
的に接続された状態となる。
の上面に接続端子１１２Ａの外観形状に対応する球状の
凹部１８３が形成されている。また、端子１８２は導電
材により形成されているため、図５１に示される検査ユ
ニット１８０が測定基板１１８に装着された状態におい
て、ガイド部１８７は測定端子１１９と電気的に接続
し、よって検査ユニット１８１と接続端子１１９は電気
的に接続された状態となる。
【０１７７】更に、端子１８２は、収納ケース１８４内
に収納された状態で、コイルバネ１８５のバネ力により
上方に付勢されており、このバネ力により端子１８２に
装着された接続電極１１２Ａを半導体装置１の板状接続
端子２に向け付勢する構成とされている。尚、接続電極
１１２Ａが端子１８２に装着された状態において、接続
電極１１２Ａは、収納ケース１８４の上面より突出下構
成とされている（コイルバネ１８５が収縮した状態でも
突出するよう構成されている）。尚、収納ケース１８４
は、各接続電極１１２Ａが短絡しないよう、絶縁材によ
り形成されている。
に収納された状態で、コイルバネ１８５のバネ力により
上方に付勢されており、このバネ力により端子１８２に
装着された接続電極１１２Ａを半導体装置１の板状接続
端子２に向け付勢する構成とされている。尚、接続電極
１１２Ａが端子１８２に装着された状態において、接続
電極１１２Ａは、収納ケース１８４の上面より突出下構
成とされている（コイルバネ１８５が収縮した状態でも
突出するよう構成されている）。尚、収納ケース１８４
は、各接続電極１１２Ａが短絡しないよう、絶縁材によ
り形成されている。
【０１７８】また、端子１８２はガイド部１８７に立設
されたロッドに移動可能に配設されている。よって、端
子１８２（即ち、接続電極１１２Ａ）に下方に向け付勢
する力が作用した場合には、コイルバネ１８５が弾性変
形し、これにより端子１８２は上下方向に変移する。よ
って、装着状態の半導体装置１に傾きがあったとして
も、接続電極１１２Ａと板状接続端子２との電気的接続
を確実に行うことができる。
されたロッドに移動可能に配設されている。よって、端
子１８２（即ち、接続電極１１２Ａ）に下方に向け付勢
する力が作用した場合には、コイルバネ１８５が弾性変
形し、これにより端子１８２は上下方向に変移する。よ
って、装着状態の半導体装置１に傾きがあったとして
も、接続電極１１２Ａと板状接続端子２との電気的接続
を確実に行うことができる。
【０１７９】尚、図５０及び図５１に示す構成におい
て、接続電極１１２Ａは全ての端子１８２に装着する必
要はなく、図５２に示すように、検査に用いる板状接続
端子２に対応する端子にのみ接続電極１１２Ａを装着す
る構成としてもよい。図５３及び図５４は、本発明の第
３２及び第３３実施例である半導体検査装置１０Ｂ-2,
１０Ｂ-3を示している。
て、接続電極１１２Ａは全ての端子１８２に装着する必
要はなく、図５２に示すように、検査に用いる板状接続
端子２に対応する端子にのみ接続電極１１２Ａを装着す
る構成としてもよい。図５３及び図５４は、本発明の第
３２及び第３３実施例である半導体検査装置１０Ｂ-2,
１０Ｂ-3を示している。
【０１８０】図５３に示す本発明の第３２実施例である
半導体検査装置１０Ｂ-2は、測定基板１１８の上部にの
み調芯機構１１５を配設したことを特徴とするものであ
る。また、図５４に示す本発明の第３３実施例である半
導体検査装置１０Ｂ-3は、測定基板１１８の下部にのみ
調芯機構１２３を配設したことを特徴とするものであ
る。このように、調芯機構１１５，１２３の配設位置は
必ずしも測定基板１１８に対して上下双方に設ける必要
はなく、いずれか一方にのみ配設した構成としても半導
体装置１の装着位置を正規位置に調整することができ
る。
半導体検査装置１０Ｂ-2は、測定基板１１８の上部にの
み調芯機構１１５を配設したことを特徴とするものであ
る。また、図５４に示す本発明の第３３実施例である半
導体検査装置１０Ｂ-3は、測定基板１１８の下部にのみ
調芯機構１２３を配設したことを特徴とするものであ
る。このように、調芯機構１１５，１２３の配設位置は
必ずしも測定基板１１８に対して上下双方に設ける必要
はなく、いずれか一方にのみ配設した構成としても半導
体装置１の装着位置を正規位置に調整することができ
る。
【０１８１】続いて、図５５乃至図５８を用いて第３４
及び第３５実施例に係る半導体検査装置１０Ｂ-4, １０
Ｂ-5ついて説明する。第３４及び第３５実施例に係る半
導体検査装置１０Ｂ-4, １０Ｂ-5は、接続電極１１２Ａ
が板状接続端子２に接続する時に作用する押圧力を緩衝
する緩衝部材１２６Ａ〜１２６Ｄを設けたことを特徴と
するものである。この緩衝部材１２６Ａ〜１２６Ｄを設
けたことにより、過剰な押圧力が直接接続電極１１２Ａ
と板状接続端子２との接続位置に印加されることを防止
でき、よって接続電極１１２Ａ及び板状接続端子２の保
護を図ることができる。
及び第３５実施例に係る半導体検査装置１０Ｂ-4, １０
Ｂ-5ついて説明する。第３４及び第３５実施例に係る半
導体検査装置１０Ｂ-4, １０Ｂ-5は、接続電極１１２Ａ
が板状接続端子２に接続する時に作用する押圧力を緩衝
する緩衝部材１２６Ａ〜１２６Ｄを設けたことを特徴と
するものである。この緩衝部材１２６Ａ〜１２６Ｄを設
けたことにより、過剰な押圧力が直接接続電極１１２Ａ
と板状接続端子２との接続位置に印加されることを防止
でき、よって接続電極１１２Ａ及び板状接続端子２の保
護を図ることができる。
【０１８２】以下、具体的構成について説明する。尚、
以下の各実施例において緩衝部材１２６Ａ〜１２６Ｄと
して用いているのは、ゴム，弾性樹脂等よりなるエラス
トマーであるため、以下の説明では緩衝部材をエラスト
マー１２６Ａ〜１２６Ｄというものとする。図５５に示
す第３４実施例に係る半導体検査装置１０Ｂ-4は、エラ
ストマー１２６Ａにより形成したことを特徴とするもの
である。即ち、前記した各実施例にで用いた測定基板１
１８は、絶縁性フィルムの上部に配線層１２０を形成し
た構成とされていたが、本実施例に係る半導体検査装置
１０Ｂ-4で用いる測定基板は、エラストマー１２６Ａの
上部に配線層１２０を形成したことを特徴とするもので
ある。
以下の各実施例において緩衝部材１２６Ａ〜１２６Ｄと
して用いているのは、ゴム，弾性樹脂等よりなるエラス
トマーであるため、以下の説明では緩衝部材をエラスト
マー１２６Ａ〜１２６Ｄというものとする。図５５に示
す第３４実施例に係る半導体検査装置１０Ｂ-4は、エラ
ストマー１２６Ａにより形成したことを特徴とするもの
である。即ち、前記した各実施例にで用いた測定基板１
１８は、絶縁性フィルムの上部に配線層１２０を形成し
た構成とされていたが、本実施例に係る半導体検査装置
１０Ｂ-4で用いる測定基板は、エラストマー１２６Ａの
上部に配線層１２０を形成したことを特徴とするもので
ある。
【０１８３】このように、エラストマー１２６Ａの上部
に直接配線層１２０を形成したことにより、エラストマ
ー１２６Ａ（緩衝部材）を測定基板１１８と別個に設け
る構成に比べ、半導体検査装置１０Ｂ-4の構造の簡単化
及び低コスト化を図ることができる。図５６は、本発明
の第３５実施例である半導体検査装置１０Ｂ-5を示す図
である。この半導体検査装置１０Ｂ-5は、固定治具１１
３の下面にゲル状のエラストマー１２６Ｂを配設したこ
とを特徴とするものである。この平板状に形成されたエ
ラストマー１２６Ｂは、比較的柔らかくて変形しやすい
ため、外部からの押圧力が作用すると、その部分が押圧
方向に変形する。また、検査終了後に半導体装置１が外
されると、エラストマー１２６Ｂへの押圧力が除去され
るため、エラストマー１２６Ｂは元の平板状に戻る。
に直接配線層１２０を形成したことにより、エラストマ
ー１２６Ａ（緩衝部材）を測定基板１１８と別個に設け
る構成に比べ、半導体検査装置１０Ｂ-4の構造の簡単化
及び低コスト化を図ることができる。図５６は、本発明
の第３５実施例である半導体検査装置１０Ｂ-5を示す図
である。この半導体検査装置１０Ｂ-5は、固定治具１１
３の下面にゲル状のエラストマー１２６Ｂを配設したこ
とを特徴とするものである。この平板状に形成されたエ
ラストマー１２６Ｂは、比較的柔らかくて変形しやすい
ため、外部からの押圧力が作用すると、その部分が押圧
方向に変形する。また、検査終了後に半導体装置１が外
されると、エラストマー１２６Ｂへの押圧力が除去され
るため、エラストマー１２６Ｂは元の平板状に戻る。
【０１８４】そのため、固定治具１１３の下面に装着さ
れた半導体装置１を降下させる過程で、配列基板１１６
が半導体装置１に対して傾いている場合、配列基板１１
６が半導体装置１に傾いた状態で当接するため、エラス
トマー１２６Ｂは半導体装置１と配列基板１１６とが平
行となるように変形する。例えば配列基板１１６が傾い
ていた場合、固定治具１１３に装着された半導体装置１
を傾斜させるような力が作用する。しかしながら、エラ
ストマー１２６Ｂの変形により半導体装置１は傾いて配
列基板１１６に追従するため、配列基板１１６と半導体
装置１とを平行に保つことができる。
れた半導体装置１を降下させる過程で、配列基板１１６
が半導体装置１に対して傾いている場合、配列基板１１
６が半導体装置１に傾いた状態で当接するため、エラス
トマー１２６Ｂは半導体装置１と配列基板１１６とが平
行となるように変形する。例えば配列基板１１６が傾い
ていた場合、固定治具１１３に装着された半導体装置１
を傾斜させるような力が作用する。しかしながら、エラ
ストマー１２６Ｂの変形により半導体装置１は傾いて配
列基板１１６に追従するため、配列基板１１６と半導体
装置１とを平行に保つことができる。
【０１８５】そのため、半導体装置１の各板状接続端子
２は、配列基板１１６の各位置決め凹部１１７に装着さ
れた接続電極１１２Ａと正確に接続することとなり、よ
って半導体装置１の検査の向上を図ることができる。ま
た、各板状接続端子２が各接続電極１１２Ａと接続され
る際の衝撃は、エラストマー１２６Ｂにより緩衝される
ため、板状接続端子２及び接続電極１１２Ａの損傷が防
止される。
２は、配列基板１１６の各位置決め凹部１１７に装着さ
れた接続電極１１２Ａと正確に接続することとなり、よ
って半導体装置１の検査の向上を図ることができる。ま
た、各板状接続端子２が各接続電極１１２Ａと接続され
る際の衝撃は、エラストマー１２６Ｂにより緩衝される
ため、板状接続端子２及び接続電極１１２Ａの損傷が防
止される。
【０１８６】図５７は第３５実施例の第１の変形例であ
る半導体検査装置を示す図である。本変形例に係る半導
体検査装置は、配列基板１１６の上面にゲル状のエラス
トマー１２６Ｃを配設したことを特徴としている。この
エラストマー１２６Ｃは、外部からの押圧力が作用する
とその部分が押圧方向に変形し、また検査終了後に半導
体装置１が上方して離間するとエラストマー１２６Ｃへ
の押圧力が除去されるため、エラストマー１２６Ｃは元
の形状に戻る。
る半導体検査装置を示す図である。本変形例に係る半導
体検査装置は、配列基板１１６の上面にゲル状のエラス
トマー１２６Ｃを配設したことを特徴としている。この
エラストマー１２６Ｃは、外部からの押圧力が作用する
とその部分が押圧方向に変形し、また検査終了後に半導
体装置１が上方して離間するとエラストマー１２６Ｃへ
の押圧力が除去されるため、エラストマー１２６Ｃは元
の形状に戻る。
【０１８７】従って、例えば半導体装置１が傾いて装着
されていた場合、配列基板１１６を傾斜させるような力
が作用するが、押圧された部分のエラストマー１２６Ｃ
の変形により半導体装置１がその方向に傾いて配列基板
１１６の向きに追従するため、配列基板１１６と半導体
装置１とが平行に保たれる。よって、半導体装置１の検
査を高い信頼性を持って行うことができる。また、各接
続電極１１２Ａが板状接続端子２に接続される際の衝撃
がエラストマー１２６Ｃにより緩衝されるため、板状接
続端子２及び続電極１１２Ａの損傷を防止することがで
きる。
されていた場合、配列基板１１６を傾斜させるような力
が作用するが、押圧された部分のエラストマー１２６Ｃ
の変形により半導体装置１がその方向に傾いて配列基板
１１６の向きに追従するため、配列基板１１６と半導体
装置１とが平行に保たれる。よって、半導体装置１の検
査を高い信頼性を持って行うことができる。また、各接
続電極１１２Ａが板状接続端子２に接続される際の衝撃
がエラストマー１２６Ｃにより緩衝されるため、板状接
続端子２及び続電極１１２Ａの損傷を防止することがで
きる。
【０１８８】図５８は第３５実施例の第２の変形例であ
る半導体検査装置を示す図である。本変形例に係る半導
体検査装置は、測定基板１１８と配列基板１１６との間
にゲル状のエラストマー１２６Ｄが設けられている。こ
のエラストマー１２６Ｄは、外部からの押圧力が作用す
るとその押圧部分が変形し、また検査終了後に半導体装
置１が上方して離間すると元の形状に戻る。従って、本
変形例の構成によっても、図５６及び図５７に示した半
導体検査装置と同様に、半導体装置１の検査を高い信頼
性を持って行うことができ、また板状接続端子２及び続
電極１１２Ａの損傷を防止することができる。
る半導体検査装置を示す図である。本変形例に係る半導
体検査装置は、測定基板１１８と配列基板１１６との間
にゲル状のエラストマー１２６Ｄが設けられている。こ
のエラストマー１２６Ｄは、外部からの押圧力が作用す
るとその押圧部分が変形し、また検査終了後に半導体装
置１が上方して離間すると元の形状に戻る。従って、本
変形例の構成によっても、図５６及び図５７に示した半
導体検査装置と同様に、半導体装置１の検査を高い信頼
性を持って行うことができ、また板状接続端子２及び続
電極１１２Ａの損傷を防止することができる。
【０１８９】尚、図５５乃至図５８を用いて説明した半
導体検査装置に用いたエラストマー１２６Ａ〜１２６Ｄ
は、溝や切り欠きのない平板状の弾性部材により構成し
ていた。しかるに、エラストマー１２６Ａ〜１２６Ｄは
必ずしも溝や切り欠きのない平板状とする必要はなく、
先に図１６を用いて説明したように、エラストマー１２
６Ａ〜１２６Ｄ（緩衝部材）に切り込み部を形成して
も、或いはエラストマー１２６Ａ〜１２６Ｄを複数の分
割部材を組み合わせた構成としてもよい。この構成とす
ることにより、エラストマー１２６Ａ〜１２６Ｄの弾性
は形状の面から増大し、これに伴い緩衝作用も増大する
ため、接続電極１１２Ａ及び板状接続端子２の保護をよ
り確実に行うことができる。
導体検査装置に用いたエラストマー１２６Ａ〜１２６Ｄ
は、溝や切り欠きのない平板状の弾性部材により構成し
ていた。しかるに、エラストマー１２６Ａ〜１２６Ｄは
必ずしも溝や切り欠きのない平板状とする必要はなく、
先に図１６を用いて説明したように、エラストマー１２
６Ａ〜１２６Ｄ（緩衝部材）に切り込み部を形成して
も、或いはエラストマー１２６Ａ〜１２６Ｄを複数の分
割部材を組み合わせた構成としてもよい。この構成とす
ることにより、エラストマー１２６Ａ〜１２６Ｄの弾性
は形状の面から増大し、これに伴い緩衝作用も増大する
ため、接続電極１１２Ａ及び板状接続端子２の保護をよ
り確実に行うことができる。
【０１９０】続いて、本発明の第３６実施例について説
明する。図５９は本発明の第３６実施例である半導体検
査装置１０Ｂ-6を示してる。この半導体検査装置１０Ｂ
-6は、固定治具１１３に半導体装置１の保持位置を規制
するための位置決め部１３２が設けられていることを特
徴としている。この位置決め部１３２は、半導体装置１
の上面外周部が摺接する断面形状が三角形とされた傾斜
面１３２ａが形成されている。この傾斜面１３２ａは半
導体装置１の上面外周の各四辺に上方から当接するよう
に形成されている。
明する。図５９は本発明の第３６実施例である半導体検
査装置１０Ｂ-6を示してる。この半導体検査装置１０Ｂ
-6は、固定治具１１３に半導体装置１の保持位置を規制
するための位置決め部１３２が設けられていることを特
徴としている。この位置決め部１３２は、半導体装置１
の上面外周部が摺接する断面形状が三角形とされた傾斜
面１３２ａが形成されている。この傾斜面１３２ａは半
導体装置１の上面外周の各四辺に上方から当接するよう
に形成されている。
【０１９１】半導体装置１はハンドリング装置（図示せ
ず）により装着されたとき、傾いた状態で保持されるこ
とがある。その場合、固定治具１１３が降下して半導体
装置１の板状接続端子２が位置決め凹部１１７に装着さ
れた接続電極１１２Ａに接続する過程で、位置決め部１
３２の傾斜面１３２ａに上面外周部が摺接して均等に当
接するようにガイドされる。
ず）により装着されたとき、傾いた状態で保持されるこ
とがある。その場合、固定治具１１３が降下して半導体
装置１の板状接続端子２が位置決め凹部１１７に装着さ
れた接続電極１１２Ａに接続する過程で、位置決め部１
３２の傾斜面１３２ａに上面外周部が摺接して均等に当
接するようにガイドされる。
【０１９２】よって、半導体装置１は、上面外周部が位
置決め部１３２の傾斜面１３２ａを摺接しながら固定治
具１１３の中心位置に導かれると共に、配列基板１１６
と平行な状態となるように位置決めされる。これによ
り、半導体装置１の各板状接続端子２を接続電極１１２
Ａに正確に接続させることができ、よって半導体装置１
の検査を高い信頼性を持って実施することができる。
置決め部１３２の傾斜面１３２ａを摺接しながら固定治
具１１３の中心位置に導かれると共に、配列基板１１６
と平行な状態となるように位置決めされる。これによ
り、半導体装置１の各板状接続端子２を接続電極１１２
Ａに正確に接続させることができ、よって半導体装置１
の検査を高い信頼性を持って実施することができる。
【０１９３】続いて、本発明の第３７実施例について説
明する。図６０は本発明の第３７実施例である半導体検
査装置１０Ｂ-7を示してる。本実施例に係る半導体検査
装置１０Ｂ-7は、配列基板１１６Ａに半導体装置１の装
着位置を規制するための位置決め部１４２を設けたこと
を特徴としている。この位置決め部１４２は、断面形状
が台形とされており、半導体装置１の下面外周部と摺接
する傾斜面１４２ａを有している。この傾斜面１４２ａ
は半導体装置１の下面外周部に下方から当接するように
形成されている。
明する。図６０は本発明の第３７実施例である半導体検
査装置１０Ｂ-7を示してる。本実施例に係る半導体検査
装置１０Ｂ-7は、配列基板１１６Ａに半導体装置１の装
着位置を規制するための位置決め部１４２を設けたこと
を特徴としている。この位置決め部１４２は、断面形状
が台形とされており、半導体装置１の下面外周部と摺接
する傾斜面１４２ａを有している。この傾斜面１４２ａ
は半導体装置１の下面外周部に下方から当接するように
形成されている。
【０１９４】前記したように、半導体装置１は固定治具
１１３に吸着されたとき、傾いた状態で保持されること
がある。その場合、固定治具１１３が降下して半導体装
置１の板状接続端子２が接続電極１１２Ａと接続される
過程で、位置決め部１４２の傾斜面１４２ａに半導体装
置１の下面外周部は摺接しガイドされる。よって、半導
体装置１は、その下面外周部が位置決め部１４２の傾斜
面１４２ａを摺接しながら配設基板１１６の中心位置に
導かれると共に平行な状態となるように位置決めされ
る。これにより、半導体装置１の各板状接続端子２は、
配列基板１１６に装着されている接続電極１１２Ａに正
確に接続することができ、よって半導体装置１の検査を
高い信頼性を持って実施することができる。
１１３に吸着されたとき、傾いた状態で保持されること
がある。その場合、固定治具１１３が降下して半導体装
置１の板状接続端子２が接続電極１１２Ａと接続される
過程で、位置決め部１４２の傾斜面１４２ａに半導体装
置１の下面外周部は摺接しガイドされる。よって、半導
体装置１は、その下面外周部が位置決め部１４２の傾斜
面１４２ａを摺接しながら配設基板１１６の中心位置に
導かれると共に平行な状態となるように位置決めされ
る。これにより、半導体装置１の各板状接続端子２は、
配列基板１１６に装着されている接続電極１１２Ａに正
確に接続することができ、よって半導体装置１の検査を
高い信頼性を持って実施することができる。
【０１９５】続いて、本発明の第３８乃至第４３実施例
について説明する。図６１乃至図６６は、本発明の第３
８乃至第４３実施例である半導体検査装置１０Ｂ-8〜１
０Ｂ-13 を示している。この各実施例に示される半導体
検査装置１０Ｂ-8〜１０Ｂ-13 は、半導体装置１，配列
基板１１６，測定基板１１８の位置決めを行う位置決め
機構を設けたことを特徴としている。また、各実施例で
は位置決め機構としてガイドピンを用いてることを特徴
としている。以下、各実施例について説明する。
について説明する。図６１乃至図６６は、本発明の第３
８乃至第４３実施例である半導体検査装置１０Ｂ-8〜１
０Ｂ-13 を示している。この各実施例に示される半導体
検査装置１０Ｂ-8〜１０Ｂ-13 は、半導体装置１，配列
基板１１６，測定基板１１８の位置決めを行う位置決め
機構を設けたことを特徴としている。また、各実施例で
は位置決め機構としてガイドピンを用いてることを特徴
としている。以下、各実施例について説明する。
【０１９６】図６１に示す第３８実施例に係る半導体検
査装置１０Ｂ-8では、ガイドピン１５０-1が設けられた
半導体装置１を検査対象としている。また、配列基板１
１６，測定基板１１８，保護部１２２には、ガイドピン
１５０-1が嵌入される位置決め孔１５２-1及び１５２-2
が形成されている。この構成では、半導体装置１に設け
られたガイドピン１５０-1を配列基板１１６，測定基板
１１８及び保護部１２２に形成された位置決め孔１５２
-1及び１５２-2に嵌入することにより、板状接続端子２
と接続電極１１２Ａとの位置決め、及び接続電極１１２
Ａと測定端子１１９との位置決めが行われる。よって、
半導体検査装置１０Ｂ-8によれば、接続不良等が発生す
ることはなく、半導体装置１に対し高い信頼性を持った
検査を行うことができる。
査装置１０Ｂ-8では、ガイドピン１５０-1が設けられた
半導体装置１を検査対象としている。また、配列基板１
１６，測定基板１１８，保護部１２２には、ガイドピン
１５０-1が嵌入される位置決め孔１５２-1及び１５２-2
が形成されている。この構成では、半導体装置１に設け
られたガイドピン１５０-1を配列基板１１６，測定基板
１１８及び保護部１２２に形成された位置決め孔１５２
-1及び１５２-2に嵌入することにより、板状接続端子２
と接続電極１１２Ａとの位置決め、及び接続電極１１２
Ａと測定端子１１９との位置決めが行われる。よって、
半導体検査装置１０Ｂ-8によれば、接続不良等が発生す
ることはなく、半導体装置１に対し高い信頼性を持った
検査を行うことができる。
【０１９７】また、図６２に示す第３９実施例に係る半
導体検査装置１０Ｂ-9は、半導体装置１に位置決め孔１
５２-3を形成すると共に、配列基板１１６にガイドピン
１５０-2を上方に向け立設したことを特徴とするもので
ある。この構成では、配列基板１１６に立設されたガイ
ドピン１５０-2を半導体装置１に形成された位置決め孔
１５２-3に嵌入させ、これにより板状接続端子２と接続
電極１１２Ａの位置決めが行われる。よって、半導体検
査装置１０Ｂ-9によれば、半導体装置１と配列基板１１
６を精度よく位置決めできるため、板状接続端子２と接
続電極１１２Ａとを正確に接続させることができ、よっ
て半導体装置１に対し高い信頼性を持った検査を行うこ
とができる。
導体検査装置１０Ｂ-9は、半導体装置１に位置決め孔１
５２-3を形成すると共に、配列基板１１６にガイドピン
１５０-2を上方に向け立設したことを特徴とするもので
ある。この構成では、配列基板１１６に立設されたガイ
ドピン１５０-2を半導体装置１に形成された位置決め孔
１５２-3に嵌入させ、これにより板状接続端子２と接続
電極１１２Ａの位置決めが行われる。よって、半導体検
査装置１０Ｂ-9によれば、半導体装置１と配列基板１１
６を精度よく位置決めできるため、板状接続端子２と接
続電極１１２Ａとを正確に接続させることができ、よっ
て半導体装置１に対し高い信頼性を持った検査を行うこ
とができる。
【０１９８】また、図６３に示す第４０実施例に係る半
導体検査装置１０Ｂ-10 は、配列基板１１６にガイドピ
ン１５０-3を下方に向け延出するよう設けると共に、測
定基板１１８及びステージ１２１に位置決め孔１５２-
2, １５２-4を形成したことを特徴とするものである。
この構成では、配列基板１１６に設けられたガイドピン
１５０-3を測定基板１１８及びステージ１２１に形成さ
れた位置決め孔１５２-2, １５２-4に嵌入させ、これに
より接続電極１１２Ａと測定端子１１９との位置決めが
行われる。よって、半導体検査装置１０Ｂ-10 によれ
ば、配列基板１１６と測定基板１１８を精度よく位置決
めできるため、接続電極１１２Ａと測定端子１１９とを
正確に接続させることができ、よって半導体装置１に対
し高い信頼性を持った検査を行うことができる。
導体検査装置１０Ｂ-10 は、配列基板１１６にガイドピ
ン１５０-3を下方に向け延出するよう設けると共に、測
定基板１１８及びステージ１２１に位置決め孔１５２-
2, １５２-4を形成したことを特徴とするものである。
この構成では、配列基板１１６に設けられたガイドピン
１５０-3を測定基板１１８及びステージ１２１に形成さ
れた位置決め孔１５２-2, １５２-4に嵌入させ、これに
より接続電極１１２Ａと測定端子１１９との位置決めが
行われる。よって、半導体検査装置１０Ｂ-10 によれ
ば、配列基板１１６と測定基板１１８を精度よく位置決
めできるため、接続電極１１２Ａと測定端子１１９とを
正確に接続させることができ、よって半導体装置１に対
し高い信頼性を持った検査を行うことができる。
【０１９９】また、図６４に示す第４１実施例に係る半
導体検査装置１０Ｂ-11 は、ステージ１２１にガイドピ
ン１５０-4を上方に向け立設すると共に、配列基板１１
６及び測定基板１１８に位置決め孔１５２-1, １５２-2
を形成したことを特徴とするものである。この構成で
は、ステージ１２１に設けられたガイドピン１５０-4を
配列基板１１６及び測定基板１１８に形成された位置決
め孔１５２-1, １５２-2に嵌入させ、これにより配列基
板１１６と測定基板１１８との位置決めが行われる。よ
って、半導体検査装置１０Ｂ-11 によれば、配列基板１
１６と測定基板１１８を精度よく位置決めできるため、
接続電極１１２Ａと測定端子１１９とを正確に接続させ
ることができ、よって半導体装置１に対し高い信頼性を
持った検査を行うことができる。
導体検査装置１０Ｂ-11 は、ステージ１２１にガイドピ
ン１５０-4を上方に向け立設すると共に、配列基板１１
６及び測定基板１１８に位置決め孔１５２-1, １５２-2
を形成したことを特徴とするものである。この構成で
は、ステージ１２１に設けられたガイドピン１５０-4を
配列基板１１６及び測定基板１１８に形成された位置決
め孔１５２-1, １５２-2に嵌入させ、これにより配列基
板１１６と測定基板１１８との位置決めが行われる。よ
って、半導体検査装置１０Ｂ-11 によれば、配列基板１
１６と測定基板１１８を精度よく位置決めできるため、
接続電極１１２Ａと測定端子１１９とを正確に接続させ
ることができ、よって半導体装置１に対し高い信頼性を
持った検査を行うことができる。
【０２００】また、図６５に示す第４２実施例に係る半
導体検査装置１０Ｂ-12 は、固定治具１１３にガイドピ
ン１５０-5を下方に向け延出するよう設けると共に、配
列基板１１６及び測定基板１１８に位置決め孔１５２-
1, １５２-4を形成したことを特徴とするものである。
この構成では、固定治具１１３に設けられたガイドピン
１５０-5を配列基板１１６及び測定基板１１８に形成さ
れた位置決め孔１５２-1, １５２-4に嵌入させ、これに
より半導体装置１，配列基板１１６と測定基板１１８と
の位置決めが行われる。よって、半導体検査装置１０Ｂ
-12 によれば、半導体装置１，配列基板１１６, 及び測
定基板１１８を精度よく位置決めできるため、接続電極
１１２Ａと測定端子１１９、及び接続電極１１２Ａと板
状接続端子２とを正確に接続させることができ、よって
半導体装置１に対し高い信頼性を持った検査を行うこと
ができる。
導体検査装置１０Ｂ-12 は、固定治具１１３にガイドピ
ン１５０-5を下方に向け延出するよう設けると共に、配
列基板１１６及び測定基板１１８に位置決め孔１５２-
1, １５２-4を形成したことを特徴とするものである。
この構成では、固定治具１１３に設けられたガイドピン
１５０-5を配列基板１１６及び測定基板１１８に形成さ
れた位置決め孔１５２-1, １５２-4に嵌入させ、これに
より半導体装置１，配列基板１１６と測定基板１１８と
の位置決めが行われる。よって、半導体検査装置１０Ｂ
-12 によれば、半導体装置１，配列基板１１６, 及び測
定基板１１８を精度よく位置決めできるため、接続電極
１１２Ａと測定端子１１９、及び接続電極１１２Ａと板
状接続端子２とを正確に接続させることができ、よって
半導体装置１に対し高い信頼性を持った検査を行うこと
ができる。
【０２０１】また、図６６に示す第４３実施例に係る半
導体検査装置１０Ｂ-13 は、ステージ１２１にガイドピ
ン１５０-6を上方に向け立設すると共に、配列基板１１
６，測定基板１１８，及び固定治具１１３に位置決め孔
１５２-1, １５２-4，１５２-5を形成したことを特徴と
するものである。この構成では、ステージ１２１に設け
られたガイドピン１５０-6を配列基板１１６，測定基板
１１８，及び固定治具１１３に形成された位置決め孔１
５２-1,１５２-4，１５２-5に嵌入させ、これにより半
導体装置１，配列基板１１６，及び測定基板１１８との
位置決めが行われる。よって、半導体検査装置１０Ｂ-1
3によれば、半導体装置１，配列基板１１６, 及び測定
基板１１８を精度よく位置決めできるため、接続電極１
１２Ａと測定端子１１９、及び接続電極１１２Ａと板状
接続端子２とを正確に接続させることができ、よって半
導体装置１に対し高い信頼性を持った検査を行うことが
できる。
導体検査装置１０Ｂ-13 は、ステージ１２１にガイドピ
ン１５０-6を上方に向け立設すると共に、配列基板１１
６，測定基板１１８，及び固定治具１１３に位置決め孔
１５２-1, １５２-4，１５２-5を形成したことを特徴と
するものである。この構成では、ステージ１２１に設け
られたガイドピン１５０-6を配列基板１１６，測定基板
１１８，及び固定治具１１３に形成された位置決め孔１
５２-1,１５２-4，１５２-5に嵌入させ、これにより半
導体装置１，配列基板１１６，及び測定基板１１８との
位置決めが行われる。よって、半導体検査装置１０Ｂ-1
3によれば、半導体装置１，配列基板１１６, 及び測定
基板１１８を精度よく位置決めできるため、接続電極１
１２Ａと測定端子１１９、及び接続電極１１２Ａと板状
接続端子２とを正確に接続させることができ、よって半
導体装置１に対し高い信頼性を持った検査を行うことが
できる。
【０２０２】続いて、接続電極１１２Ａを配列基板１１
６に形成された位置決め凹部１１７に装着する方法につ
いて説明する。図６８乃至図７２は、夫々接続電極１１
２Ａを位置決め凹部１１７に装着する構造を示してい
る。以下、各図を用いて具体的な装着構造及び装着方法
について説明する。図６８では、配列基板１１６に振動
発生装置（図示せず）を接続し、この振動発生装置を駆
動して配列基板１１６を振動させることにより接続電極
１１２Ａを位置決め凹部１１７に装着することを特徴と
している。
６に形成された位置決め凹部１１７に装着する方法につ
いて説明する。図６８乃至図７２は、夫々接続電極１１
２Ａを位置決め凹部１１７に装着する構造を示してい
る。以下、各図を用いて具体的な装着構造及び装着方法
について説明する。図６８では、配列基板１１６に振動
発生装置（図示せず）を接続し、この振動発生装置を駆
動して配列基板１１６を振動させることにより接続電極
１１２Ａを位置決め凹部１１７に装着することを特徴と
している。
【０２０３】このように配列基板１１６を振動させるこ
とにより、半導体装置１は配列基板１１６上で相対的に
移動（振動）し、やがて配列基板１１６に形成されてい
る位置決め凹部１１７に接続電極１１２Ａは嵌入して位
置決めされる。よって、接続電極１１２Ａと位置決め凹
部１１７の位置決めを容易かつ自動的に行なうことがで
きる。
とにより、半導体装置１は配列基板１１６上で相対的に
移動（振動）し、やがて配列基板１１６に形成されてい
る位置決め凹部１１７に接続電極１１２Ａは嵌入して位
置決めされる。よって、接続電極１１２Ａと位置決め凹
部１１７の位置決めを容易かつ自動的に行なうことがで
きる。
【０２０４】図６９では、配列基板１１６に真空吸引装
置（真空ポンプ）に接続れさた吸引通路１２８Ａを形成
し、この吸引通路１２８Ａの端部を位置決め凹部１１７
内に開口させた構成とされている。従って、真空ポンプ
を駆動して吸引通路１２８Ａを介して接続電極１１２Ａ
を吸引することにより、接続電極１１２Ａは強制的に位
置決め凹部１１７内に吸引され、よって位置決め凹部１
１７に接続電極１１２Ａを精度良く位置決めすることが
できる。
置（真空ポンプ）に接続れさた吸引通路１２８Ａを形成
し、この吸引通路１２８Ａの端部を位置決め凹部１１７
内に開口させた構成とされている。従って、真空ポンプ
を駆動して吸引通路１２８Ａを介して接続電極１１２Ａ
を吸引することにより、接続電極１１２Ａは強制的に位
置決め凹部１１７内に吸引され、よって位置決め凹部１
１７に接続電極１１２Ａを精度良く位置決めすることが
できる。
【０２０５】図７０では、配列基板１１６に真空吸引装
置（真空ポンプ）に接続れさた吸引通路１２８Ｂを形成
し、この吸引通路１２８Ｂの端部を位置決め凹部１１７
の底部に開口させた構成とされている。従って、真空ポ
ンプを駆動して吸引通路１２８Ａを介して接続電極１１
２Ａを吸引することにより、接続電極１１２Ａは強制的
に位置決め凹部１１７に鉛直下方向に吸引され、よって
位置決め凹部１１７に接続電極１１２Ａを精度良く位置
決めすることができる。
置（真空ポンプ）に接続れさた吸引通路１２８Ｂを形成
し、この吸引通路１２８Ｂの端部を位置決め凹部１１７
の底部に開口させた構成とされている。従って、真空ポ
ンプを駆動して吸引通路１２８Ａを介して接続電極１１
２Ａを吸引することにより、接続電極１１２Ａは強制的
に位置決め凹部１１７に鉛直下方向に吸引され、よって
位置決め凹部１１７に接続電極１１２Ａを精度良く位置
決めすることができる。
【０２０６】図７１では、配列基板１１６Ｂを多孔質材
料により形成すると共にこの配列基板１１６Ｂを真空吸
引装置（真空ポンプ）に接続した構成としたことを特徴
とするものである。上記構成において真空ポンプを駆動
すると、配列基板１１６Ｂは多孔質材料により形成され
ているため、接続電極１１２Ａは窪んだ形状の位置決め
凹部１１７内に嵌入する。よって、位置決め凹部１１７
に接続電極１１２Ａを精度良く位置決めすることができ
る。
料により形成すると共にこの配列基板１１６Ｂを真空吸
引装置（真空ポンプ）に接続した構成としたことを特徴
とするものである。上記構成において真空ポンプを駆動
すると、配列基板１１６Ｂは多孔質材料により形成され
ているため、接続電極１１２Ａは窪んだ形状の位置決め
凹部１１７内に嵌入する。よって、位置決め凹部１１７
に接続電極１１２Ａを精度良く位置決めすることができ
る。
【０２０７】図７２では、配列基板１１６Ｃに形成され
る位置決め凹部１６０を勾配の異なる第１及び第２の傾
斜面により形成したことを特徴とするものである。同図
に示す例では、勾配の緩やかな第１の傾斜面を接続電極
１１２Ａを案内する案内面１６１とし、また勾配な急な
第２の傾斜面を接続電極１１２Ａを係止する係止面１６
２としている。更に、案内面１６１と係止面１６２との
間には、板状接続端子１２の位置決めを行なう位置決め
面１６３が形成されている。
る位置決め凹部１６０を勾配の異なる第１及び第２の傾
斜面により形成したことを特徴とするものである。同図
に示す例では、勾配の緩やかな第１の傾斜面を接続電極
１１２Ａを案内する案内面１６１とし、また勾配な急な
第２の傾斜面を接続電極１１２Ａを係止する係止面１６
２としている。更に、案内面１６１と係止面１６２との
間には、板状接続端子１２の位置決めを行なう位置決め
面１６３が形成されている。
【０２０８】よって、接続電極１１２Ａが位置決め凹部
１６０の形成位置に至ると、先ず接続電極１１２Ａは案
内面１６１に案内され進行し、続いて係止面１６２に係
止されて位置決めされる。そして、係止面１６２に係止
された状態で下動して位置決め面１６３に嵌入する。こ
のように、位置決め凹部１６０に案内面１６１，係止面
１６２，及び位置決め面１６３を形成することにより、
簡単かつ確実に接続電極１１２Ａと位置決め凹部１６０
との位置決め処理を行なうことができる。
１６０の形成位置に至ると、先ず接続電極１１２Ａは案
内面１６１に案内され進行し、続いて係止面１６２に係
止されて位置決めされる。そして、係止面１６２に係止
された状態で下動して位置決め面１６３に嵌入する。こ
のように、位置決め凹部１６０に案内面１６１，係止面
１６２，及び位置決め面１６３を形成することにより、
簡単かつ確実に接続電極１１２Ａと位置決め凹部１６０
との位置決め処理を行なうことができる。
【０２０９】また、図７３では、配列基板１１６Ｄに第
１の凹部１２９と第２の凹部１３０とにより構成される
位置決め凹部を形成したことを特徴とするものである。
第１の凹部１２９は配列基板１１６Ｄの上部に形成され
ており、また第２の凹部１３０は測定基板１１８と対向
するよう形成されている。更に、各凹部１２９，１３０
はテーパ面を有した構成とされている。
１の凹部１２９と第２の凹部１３０とにより構成される
位置決め凹部を形成したことを特徴とするものである。
第１の凹部１２９は配列基板１１６Ｄの上部に形成され
ており、また第２の凹部１３０は測定基板１１８と対向
するよう形成されている。更に、各凹部１２９，１３０
はテーパ面を有した構成とされている。
【０２１０】この構成とすることにより、テーパ面を有
する第１の凹部１２９により接続電極１１２Ａは位置決
め凹部内に案内される。また、位置決め凹部は共にテー
パ面を有した第１及び第２の凹部１２９，１３０により
構成されるため、各テーパ面の交錯する部分は尖った状
態となっている。よって、接続電極１１２Ａは各テーパ
面の交錯する部分この尖った部分で位置決めされること
となるため、位置決め凹部内における接続電極１１２Ａ
の位置決めを精度良く行うことができる。
する第１の凹部１２９により接続電極１１２Ａは位置決
め凹部内に案内される。また、位置決め凹部は共にテー
パ面を有した第１及び第２の凹部１２９，１３０により
構成されるため、各テーパ面の交錯する部分は尖った状
態となっている。よって、接続電極１１２Ａは各テーパ
面の交錯する部分この尖った部分で位置決めされること
となるため、位置決め凹部内における接続電極１１２Ａ
の位置決めを精度良く行うことができる。
【０２１１】続いて、図４７及び図７５を用いて、半導
体装置１が傾いた状態で装着された際、エラストマー１
２６Ａ〜１２６Ｄではなく、接続電極１１２Ａを用いて
これを吸収する構成例について説明する。図７４に示す
半導体検査装置では、接続電極１１２Ｄの材料として軟
質でかつ低融点の材料を用いた構成としている。具体的
には、本実施例では接続電極１１２Ｄとして低融点半田
をもちいている。この接続電極１１２Ｄは、軟質でかつ
低融点であるため、加圧力を印加することにより容易に
変形し、また加熱することにより比較的低温度で溶融す
る特性を有している。
体装置１が傾いた状態で装着された際、エラストマー１
２６Ａ〜１２６Ｄではなく、接続電極１１２Ａを用いて
これを吸収する構成例について説明する。図７４に示す
半導体検査装置では、接続電極１１２Ｄの材料として軟
質でかつ低融点の材料を用いた構成としている。具体的
には、本実施例では接続電極１１２Ｄとして低融点半田
をもちいている。この接続電極１１２Ｄは、軟質でかつ
低融点であるため、加圧力を印加することにより容易に
変形し、また加熱することにより比較的低温度で溶融す
る特性を有している。
【０２１２】ここで、上記のような特性を有する接続電
極１１２Ｄを装着された半導体検査装置に、図示される
ような形状（傾きを有した形状）の半導体装置１が装着
された場合を想定する。いま、接続電極が硬質である場
合を考えると、硬質の接続電極は変形しないため、傾い
た半導体装置が装着されると、最も低い位置にある板状
接続端子２と接続電極は電気的接続を行うが、他の板状
接続端子２は接続電極との間に間隙を有した構成となる
ため、電気的な接続が行えなくなってしまう。
極１１２Ｄを装着された半導体検査装置に、図示される
ような形状（傾きを有した形状）の半導体装置１が装着
された場合を想定する。いま、接続電極が硬質である場
合を考えると、硬質の接続電極は変形しないため、傾い
た半導体装置が装着されると、最も低い位置にある板状
接続端子２と接続電極は電気的接続を行うが、他の板状
接続端子２は接続電極との間に間隙を有した構成となる
ため、電気的な接続が行えなくなってしまう。
【０２１３】しかるに、本実施例のように軟質材料より
なる接続電極１１２Ｄを用いることにより、固定治具１
１３により半導体装置１が配列基板１１６及び測定基板
１１８に押圧された際、図４７に示されるように、この
押圧力により接続電極１１２Ｄは変形する。これによ
り、半導体装置１の傾きは接続電極１１２Ｄの変形によ
り吸収され、半導体装置１に形成された全ての板状接続
電極２を接続電極１１２Ｄに電気的に接続させることが
できる。これにより、半導体装置１に対し信頼性の高い
検査を行うことができる。
なる接続電極１１２Ｄを用いることにより、固定治具１
１３により半導体装置１が配列基板１１６及び測定基板
１１８に押圧された際、図４７に示されるように、この
押圧力により接続電極１１２Ｄは変形する。これによ
り、半導体装置１の傾きは接続電極１１２Ｄの変形によ
り吸収され、半導体装置１に形成された全ての板状接続
電極２を接続電極１１２Ｄに電気的に接続させることが
できる。これにより、半導体装置１に対し信頼性の高い
検査を行うことができる。
【０２１４】また上記したように、接続電極１１２Ｄは
低融点の材質により形成されている。よって、１回の検
査により図７５（Ａ）に示すように接続電極１１２Ｄが
変形しても、これを加熱処理することにより接続電極１
１２Ｄは容易に溶融させることができる。溶融状態の接
続電極１１２Ｄには表面張力が作用するため、よって加
熱溶融することにより、接続電極１１２Ｄは図７５
（Ｂ）に示されるように、自然に元の球形状に戻る。よ
って、１回の検査終了毎に加熱処理を行うことにより、
常に球状の接続電極１１２Ｄを用いて検査を行うことが
できる。
低融点の材質により形成されている。よって、１回の検
査により図７５（Ａ）に示すように接続電極１１２Ｄが
変形しても、これを加熱処理することにより接続電極１
１２Ｄは容易に溶融させることができる。溶融状態の接
続電極１１２Ｄには表面張力が作用するため、よって加
熱溶融することにより、接続電極１１２Ｄは図７５
（Ｂ）に示されるように、自然に元の球形状に戻る。よ
って、１回の検査終了毎に加熱処理を行うことにより、
常に球状の接続電極１１２Ｄを用いて検査を行うことが
できる。
【０２１５】また、図７６に示される半導体検査装置
は、接続電極１１２Ａの飛散を防止するためにホルダ１
９０を設けたことを特徴とするものである。前記したよ
うに、接続電極１１２Ａは配列基板１１６に装着される
ものであり、また一般に装着効率を向上させるため、位
置決め凹部１１７の形成数よりも多い数の接続電極１１
２Ａを配列基板１１６上に導入して位置決め凹部１１７
に装着する方法を用いてる。従って、多数の不要接続電
極１１２Ａが発生することとなる。
は、接続電極１１２Ａの飛散を防止するためにホルダ１
９０を設けたことを特徴とするものである。前記したよ
うに、接続電極１１２Ａは配列基板１１６に装着される
ものであり、また一般に装着効率を向上させるため、位
置決め凹部１１７の形成数よりも多い数の接続電極１１
２Ａを配列基板１１６上に導入して位置決め凹部１１７
に装着する方法を用いてる。従って、多数の不要接続電
極１１２Ａが発生することとなる。
【０２１６】接続電極１１２Ａは、高密度化された半導
体装置１に設けられた板状接続端子２の形状に対応させ
るため、その径寸法は微細とされているため飛散し易い
特性を有している。従って、不要となった接続電極１１
２Ａを効率よく回収することが重要となる。本実施例で
用いてるホルダ１９０は、ステージ１２１の下部を覆う
ように配設されており、かつ接続電極１１２Ａが飛散し
易い配列基板１１６の側方位置には鍔状の飛散防止部１
９１が形成されている。よって、ホルダ１９０を配設す
ることにより、配列基板１１６への装着時に飛散する接
続電極１１２Ａを効率良く回収することができる。
体装置１に設けられた板状接続端子２の形状に対応させ
るため、その径寸法は微細とされているため飛散し易い
特性を有している。従って、不要となった接続電極１１
２Ａを効率よく回収することが重要となる。本実施例で
用いてるホルダ１９０は、ステージ１２１の下部を覆う
ように配設されており、かつ接続電極１１２Ａが飛散し
易い配列基板１１６の側方位置には鍔状の飛散防止部１
９１が形成されている。よって、ホルダ１９０を配設す
ることにより、配列基板１１６への装着時に飛散する接
続電極１１２Ａを効率良く回収することができる。
【０２１７】また、図７７に示す半導体検査装置は、配
列基板１１６の上部にカバー１９５Ａを設けると共に、
このカバー１９５Ａの接続電極１１２Ａの上端部と対向
する部位に開口１９６を形成したことを特徴とするもの
である。このように、配列基板１１６の上部に接続電極
１１２Ａを内部に収納した状態でカバー１９５Ａを設け
ることにより、接続電極１１２Ａの配列基板１１６から
の離脱及び飛散を防止することができる。
列基板１１６の上部にカバー１９５Ａを設けると共に、
このカバー１９５Ａの接続電極１１２Ａの上端部と対向
する部位に開口１９６を形成したことを特徴とするもの
である。このように、配列基板１１６の上部に接続電極
１１２Ａを内部に収納した状態でカバー１９５Ａを設け
ることにより、接続電極１１２Ａの配列基板１１６から
の離脱及び飛散を防止することができる。
【０２１８】また、カバー１９５Ａを弾性を有する材質
により形成していおくことにより、装着状態にある半導
体装置１に外力が印加された場合、このカバー１９５Ａ
が緩衝材として機能する。このため、板状接続端子２と
測定端子１１９との間に強い応力が発生することを防止
でき、よって板状接続端子２及び接続電極１１２Ａの保
護を図ることができる。
により形成していおくことにより、装着状態にある半導
体装置１に外力が印加された場合、このカバー１９５Ａ
が緩衝材として機能する。このため、板状接続端子２と
測定端子１１９との間に強い応力が発生することを防止
でき、よって板状接続端子２及び接続電極１１２Ａの保
護を図ることができる。
【０２１９】尚、配列基板１１６の上部にカバー１９５
Ａを配設しても、接続電極１１２Ａの上部は開口１９６
を介して外部に露出しているため、カバー１９５Ａを設
けることにより、板状接続端子２と接続電極１１２Ａと
の電気的接続状態が不良となるようなことはない。図７
８及び図７９は、接続電極１１２Ａの上部に開口１９６
を形成する方法を示している。図７８に示す方法では、
図７８（Ａ）に示すように、先ず配列基板１１６の上部
に接続電極１１２Ａを覆うようにカバー１９５Ｂを形成
し、続いてレーザ加工装置を用いて接続電極１１２Ａの
上部に被覆されたカバー１９５Ｂを除去する。これによ
り、図７８（Ｂ）に示すように、カバー１９５Ｂに開口
部が形成され、接続電極１１２Ａの上部はカバー１９５
Ｂから露出した状態となる。
Ａを配設しても、接続電極１１２Ａの上部は開口１９６
を介して外部に露出しているため、カバー１９５Ａを設
けることにより、板状接続端子２と接続電極１１２Ａと
の電気的接続状態が不良となるようなことはない。図７
８及び図７９は、接続電極１１２Ａの上部に開口１９６
を形成する方法を示している。図７８に示す方法では、
図７８（Ａ）に示すように、先ず配列基板１１６の上部
に接続電極１１２Ａを覆うようにカバー１９５Ｂを形成
し、続いてレーザ加工装置を用いて接続電極１１２Ａの
上部に被覆されたカバー１９５Ｂを除去する。これによ
り、図７８（Ｂ）に示すように、カバー１９５Ｂに開口
部が形成され、接続電極１１２Ａの上部はカバー１９５
Ｂから露出した状態となる。
【０２２０】また、図７９に示す方法では、図７９
（Ａ）に示すように、先ず配列基板１１６の上部に接続
電極１１２Ａを覆うようにカバー１９５Ｂを形成し、続
いて研磨治具１９７（例えば、ヤスリ等）を用いて接続
電極１１２Ａの上部に被覆されたカバー１９５Ｂを除去
する。これにより、図７９（Ｂ）に示すように、カバー
１９５Ｂに開口部が形成され、接続電極１１２Ａの上部
はカバー１９５Ｂから露出した状態となる。このよう
に、接続電極１１２Ａの上部をカバー１９５Ｂから露出
させる処理は容易に行うことができる。
（Ａ）に示すように、先ず配列基板１１６の上部に接続
電極１１２Ａを覆うようにカバー１９５Ｂを形成し、続
いて研磨治具１９７（例えば、ヤスリ等）を用いて接続
電極１１２Ａの上部に被覆されたカバー１９５Ｂを除去
する。これにより、図７９（Ｂ）に示すように、カバー
１９５Ｂに開口部が形成され、接続電極１１２Ａの上部
はカバー１９５Ｂから露出した状態となる。このよう
に、接続電極１１２Ａの上部をカバー１９５Ｂから露出
させる処理は容易に行うことができる。
【０２２１】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１及び請求
項１９記載の発明によれば、被検査装置に形成されてい
る板状接続端子が装置外面と面一の状態、或いは装置外
面から窪んだ状態で形成されていたとしても、接続部は
変形しつつ板状接続端子に押圧接続されるため、接続部
と板状接続端子との電気的接続を確実に行うことができ
る。
種々の効果を実現することができる。請求項１及び請求
項１９記載の発明によれば、被検査装置に形成されてい
る板状接続端子が装置外面と面一の状態、或いは装置外
面から窪んだ状態で形成されていたとしても、接続部は
変形しつつ板状接続端子に押圧接続されるため、接続部
と板状接続端子との電気的接続を確実に行うことができ
る。
【０２２２】また、請求項２記載の発明によれば、突き
上げ部は緩衝部材を介して接続部を変形付勢することと
なるため、突き上げ部と接続部との間における摩耗の発
生を抑制することができる。また、緩衝部材に変形付勢
させることにより、突き上げ部のみにより変形付勢され
る場合に比べて接続部は大きく変形することとなり、接
続部と板状接続端子との接触面積は増大し、接続状態を
良好にすることができる。
上げ部は緩衝部材を介して接続部を変形付勢することと
なるため、突き上げ部と接続部との間における摩耗の発
生を抑制することができる。また、緩衝部材に変形付勢
させることにより、突き上げ部のみにより変形付勢され
る場合に比べて接続部は大きく変形することとなり、接
続部と板状接続端子との接触面積は増大し、接続状態を
良好にすることができる。
【０２２３】また、請求項３記載の発明によれば、接続
部のスタッドバンプの形成位置は装着方向に向け突出し
た状態となるため、板状接続端子との電気的接続性を向
上させることができる。また、スタッドバンプの積層数
を適宜選定することにより、スタッドバンプの高さを板
状接続端子との電気的接続性が最も良好な高さに容易に
設定することができる。
部のスタッドバンプの形成位置は装着方向に向け突出し
た状態となるため、板状接続端子との電気的接続性を向
上させることができる。また、スタッドバンプの積層数
を適宜選定することにより、スタッドバンプの高さを板
状接続端子との電気的接続性が最も良好な高さに容易に
設定することができる。
【０２２４】また、請求項４記載の発明によれば、最先
端部に配設されたスタッドバンプと板状接続端子との接
続性、各スタッドバンプ間の接続性、及びスタッドバン
プと接続部との接続性を共に良好なものとすることがで
きる。また、請求項５記載の発明によれば、粗化面は微
細な凹凸が形成された状態となりその表面積は広くな
り、また微細な凸部は突起電極に食い込む状態となるた
め、接続部と板状接続端子との電気的接続を確実に行な
うことができる。
端部に配設されたスタッドバンプと板状接続端子との接
続性、各スタッドバンプ間の接続性、及びスタッドバン
プと接続部との接続性を共に良好なものとすることがで
きる。また、請求項５記載の発明によれば、粗化面は微
細な凹凸が形成された状態となりその表面積は広くな
り、また微細な凸部は突起電極に食い込む状態となるた
め、接続部と板状接続端子との電気的接続を確実に行な
うことができる。
【０２２５】また、請求項６記載の発明によれば、接続
部及び板状接続端子の材料が接合性の不良なものであっ
ても、金属膜として接続部及び板状接続端子の双方に対
し共に接合性の良好な材料を選定することが可能となる
ため、接続部と板状接続端子との間における電気的接合
性の向上、及び接続部の保護を図ることができる。ま
た、請求項７及び請求項８記載の発明によれば、緩衝部
材の弾性は形状の面から増大し、これに伴い緩衝作用も
増大するため、接続部の保護をより確実に行うことがで
きる。
部及び板状接続端子の材料が接合性の不良なものであっ
ても、金属膜として接続部及び板状接続端子の双方に対
し共に接合性の良好な材料を選定することが可能となる
ため、接続部と板状接続端子との間における電気的接合
性の向上、及び接続部の保護を図ることができる。ま
た、請求項７及び請求項８記載の発明によれば、緩衝部
材の弾性は形状の面から増大し、これに伴い緩衝作用も
増大するため、接続部の保護をより確実に行うことがで
きる。
【０２２６】また、請求項９及び請求項１０記載の発明
によれば、被検査装置が装着された時に発生する各種応
力を支持フィルムが変形することにより、或いは間隙内
で分割フィルム部材が移動することにより吸収すること
ができ、これにより接続部と板状接続端子との接触位置
に不要な応力が印加されることを防止することができ
る。
によれば、被検査装置が装着された時に発生する各種応
力を支持フィルムが変形することにより、或いは間隙内
で分割フィルム部材が移動することにより吸収すること
ができ、これにより接続部と板状接続端子との接触位置
に不要な応力が印加されることを防止することができ
る。
【０２２７】また、請求項１１記載の発明によれば、検
査基板に電子素子を配設したことにより、被検査装置に
おいて実施される半導体検査処理の一部或いは全部を基
板に配設された電子素子により行わせることが可能とな
る。また、請求項１２記載の発明によれば、被検査装置
と接続部との位置決めを行う位置決め機構を設けたこと
により、板状接続端子と接続部との位置決めを容易かつ
正確に行うことが可能となり、板状接続端子と接続部と
の接続の信頼性を向上させることができる。
査基板に電子素子を配設したことにより、被検査装置に
おいて実施される半導体検査処理の一部或いは全部を基
板に配設された電子素子により行わせることが可能とな
る。また、請求項１２記載の発明によれば、被検査装置
と接続部との位置決めを行う位置決め機構を設けたこと
により、板状接続端子と接続部との位置決めを容易かつ
正確に行うことが可能となり、板状接続端子と接続部と
の接続の信頼性を向上させることができる。
【０２２８】また、請求項１３記載の発明によれば、位
置決め機構としてガイドピンを用いたことにより、簡単
な構成で板状接続端子と接続部との位置決めを行うこと
が可能となる。また、請求項１４記載の発明によれば、
位置決め機構として、被検査装置を保持するフレーム部
とガイドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを
用いたことにより、被検査装置自体（装置の外形等）を
位置決めを行う指標として用いることができるため、精
度の高い位置決めを行うことが可能となる。
置決め機構としてガイドピンを用いたことにより、簡単
な構成で板状接続端子と接続部との位置決めを行うこと
が可能となる。また、請求項１４記載の発明によれば、
位置決め機構として、被検査装置を保持するフレーム部
とガイドピンとが一体化したガイドピン付きフレームを
用いたことにより、被検査装置自体（装置の外形等）を
位置決めを行う指標として用いることができるため、精
度の高い位置決めを行うことが可能となる。
【０２２９】また、請求項１５記載の発明によれば、被
検査装置をフレーム部に挿入するだけで被検査装置はテ
ーパ面に案内されて所定装着位置に位置決めされるた
め、被検査装置の位置決め処理、換言すれば板状接続端
子と接続部との位置決めを容易に行うことが可能とな
る。また、請求項１６記載の発明によれば、フレーム部
に被検査装置が挿入された直後において板状接続端子と
接続部との位置がずれていても、調芯機構により調芯処
理を行うことにより、板状接続端子と接続部との位置合
わせを行うことができる。
検査装置をフレーム部に挿入するだけで被検査装置はテ
ーパ面に案内されて所定装着位置に位置決めされるた
め、被検査装置の位置決め処理、換言すれば板状接続端
子と接続部との位置決めを容易に行うことが可能とな
る。また、請求項１６記載の発明によれば、フレーム部
に被検査装置が挿入された直後において板状接続端子と
接続部との位置がずれていても、調芯機構により調芯処
理を行うことにより、板状接続端子と接続部との位置合
わせを行うことができる。
【０２３０】また、請求項１７記載の発明によれば、装
着状態における被検査装置を導体層に向け付勢する付勢
機構をフレーム部に設けたことにより、板状接続端子と
接続部との間には所定の付勢力が作用し、よって電気的
接続性を向上させることができると共に、検査時におい
て板状接続端子が接続部からずれることを防止すること
ができる。
着状態における被検査装置を導体層に向け付勢する付勢
機構をフレーム部に設けたことにより、板状接続端子と
接続部との間には所定の付勢力が作用し、よって電気的
接続性を向上させることができると共に、検査時におい
て板状接続端子が接続部からずれることを防止すること
ができる。
【０２３１】また、請求項１８記載の発明によれば、フ
レーム部と被検査装置とが係合する部位に、緩衝効果を
有する弾性部材を配設したことにより、過剰な押圧力或
いは不要な外力が作用した場合には、この押圧力或いは
外力に起因した応力は弾性部材により吸収されるため、
板状接続端子及び接続部に損傷が発生することを防止す
ることができる。
レーム部と被検査装置とが係合する部位に、緩衝効果を
有する弾性部材を配設したことにより、過剰な押圧力或
いは不要な外力が作用した場合には、この押圧力或いは
外力に起因した応力は弾性部材により吸収されるため、
板状接続端子及び接続部に損傷が発生することを防止す
ることができる。
【０２３２】また、請求項２０記載の発明によれば、毎
回の検査処理において接続部と板状接続端子との接続を
常に良好とすることができる。また、請求項２１記載の
発明によれば、被検査装置に形成されている板状接続端
子が装置外面と面一の状態、或いは装置外面から窪んだ
状態で形成されていたとしても、接続電極は突出してい
るため板状接続端子に押圧接続することができ、よって
接続電極と板状接続端子との電気的接続を確実に行うこ
とができる。
回の検査処理において接続部と板状接続端子との接続を
常に良好とすることができる。また、請求項２１記載の
発明によれば、被検査装置に形成されている板状接続端
子が装置外面と面一の状態、或いは装置外面から窪んだ
状態で形成されていたとしても、接続電極は突出してい
るため板状接続端子に押圧接続することができ、よって
接続電極と板状接続端子との電気的接続を確実に行うこ
とができる。
【０２３３】また、請求項２２記載の発明によれば、接
続電極の酸化等の変質、及び板状接続電極との摺接によ
る傷の発生を防止することができ、また板状接続端子の
材料とのマッチングも行い易くなる。また、請求項２３
記載の発明によれば、測定端子のスタッドバンプの形成
位置は位置決め凹部内に向け突出した状態となるため、
この位置決め凹部に装着される接続電極との電気的接続
性を向上させることができる。
続電極の酸化等の変質、及び板状接続電極との摺接によ
る傷の発生を防止することができ、また板状接続端子の
材料とのマッチングも行い易くなる。また、請求項２３
記載の発明によれば、測定端子のスタッドバンプの形成
位置は位置決め凹部内に向け突出した状態となるため、
この位置決め凹部に装着される接続電極との電気的接続
性を向上させることができる。
【０２３４】また、請求項２４及び請求項２６記載の発
明によれば、実質的に測定端子と接続電極との接触面積
を増大させることができ、電気的接続性を向上させるこ
とができる。また、接続電極が位置決め凹部内で変位し
たような場合であっても、確実に測定端子と接続電極と
の電気的接続を行うことができる。また、請求項２５記
載の発明によれば、測定端子と導電性メッキ膜とを一体
的な構成としたことにより、半導体検査装置の簡単化低
コスト化を図ることができる。
明によれば、実質的に測定端子と接続電極との接触面積
を増大させることができ、電気的接続性を向上させるこ
とができる。また、接続電極が位置決め凹部内で変位し
たような場合であっても、確実に測定端子と接続電極と
の電気的接続を行うことができる。また、請求項２５記
載の発明によれば、測定端子と導電性メッキ膜とを一体
的な構成としたことにより、半導体検査装置の簡単化低
コスト化を図ることができる。
【０２３５】また、請求項２７記載の発明によれば、検
査ユニットに設けられた付勢手段により接続電極は板状
接続端子に向け付勢されるため、接続電極と板状接続端
子との電気的接続を確実に行うことができる。また、請
求項２８記載の発明によれば、過剰な押圧力が直接接続
電極と板状接続端子との接続位置に印加されることを防
止でき、よって接続電極及び板状接続端子の保護を図る
ことができる。
査ユニットに設けられた付勢手段により接続電極は板状
接続端子に向け付勢されるため、接続電極と板状接続端
子との電気的接続を確実に行うことができる。また、請
求項２８記載の発明によれば、過剰な押圧力が直接接続
電極と板状接続端子との接続位置に印加されることを防
止でき、よって接続電極及び板状接続端子の保護を図る
ことができる。
【０２３６】また、請求項２９及び請求項３０記載の発
明によれば、緩衝部材の弾性は形状の面から増大し、こ
れに伴い緩衝作用も増大するため、接続電極及び板状接
続端子の保護をより確実に行うことができる。また、請
求項３１記載の発明によれば、配列基板を弾性材料によ
り形成したことにより、緩衝部材を配列基板と別個に設
ける構成に比べて半導体検査装置の構造の簡単化及び低
コスト化を図ることができる。
明によれば、緩衝部材の弾性は形状の面から増大し、こ
れに伴い緩衝作用も増大するため、接続電極及び板状接
続端子の保護をより確実に行うことができる。また、請
求項３１記載の発明によれば、配列基板を弾性材料によ
り形成したことにより、緩衝部材を配列基板と別個に設
ける構成に比べて半導体検査装置の構造の簡単化及び低
コスト化を図ることができる。
【０２３７】また、請求項３２記載の発明によれば、板
状接続端子と接続電極とが一致するよう位置決め処理を
行う位置決め機構を設けたことにより、板状接続端子と
接続電極との位置決めを容易かつ正確に行うことが可能
となり、板状接続端子と接続電極との電気的接続の信頼
性を向上させることができる。また、請求項３３記載の
発明によれば、位置決め機構としてガイドピンを用いた
ことにより、簡単な構成で板状接続端子と接続電極との
間、及び各基板間，及び各基板と板状接続端子との間の
位置決めを行うことが可能となる。
状接続端子と接続電極とが一致するよう位置決め処理を
行う位置決め機構を設けたことにより、板状接続端子と
接続電極との位置決めを容易かつ正確に行うことが可能
となり、板状接続端子と接続電極との電気的接続の信頼
性を向上させることができる。また、請求項３３記載の
発明によれば、位置決め機構としてガイドピンを用いた
ことにより、簡単な構成で板状接続端子と接続電極との
間、及び各基板間，及び各基板と板状接続端子との間の
位置決めを行うことが可能となる。
【０２３８】また、請求項３４記載の発明によれば、位
置決め機構として被検査装置を保持する固定治具を用い
たことにより、被検査装置自体を位置決めを行う指標と
して用いることができるため、精度の高い位置決めを行
うことが可能となる。また、請求項３５記載の発明によ
れば、位置決め機構として配列基板に位置決め部を形成
したことにより、被検査装置を配列基板に装着するだけ
で被検査装置は位置決め部に案内されて所定装着位置に
位置決めされる。よって、被検査装置の位置決め処理を
容易に行うことが可能となる。
置決め機構として被検査装置を保持する固定治具を用い
たことにより、被検査装置自体を位置決めを行う指標と
して用いることができるため、精度の高い位置決めを行
うことが可能となる。また、請求項３５記載の発明によ
れば、位置決め機構として配列基板に位置決め部を形成
したことにより、被検査装置を配列基板に装着するだけ
で被検査装置は位置決め部に案内されて所定装着位置に
位置決めされる。よって、被検査装置の位置決め処理を
容易に行うことが可能となる。
【０２３９】また、請求項３６記載の発明によれば、配
列基板に被検査装置が挿入された直後において板状接続
端子と接続電極との位置がずれていても、調芯機構によ
り調芯処理を行うことにより、板状接続端子と接続電極
との位置合わせを行うことができる。また、請求項３７
記載の発明によれば、接続電極の配列基板への装着時
に、接続電極の飛散を防止する飛散防止部を有したホル
ダを設けたことにより、余剰となった接続電極の処理を
容易に行うことができる。
列基板に被検査装置が挿入された直後において板状接続
端子と接続電極との位置がずれていても、調芯機構によ
り調芯処理を行うことにより、板状接続端子と接続電極
との位置合わせを行うことができる。また、請求項３７
記載の発明によれば、接続電極の配列基板への装着時
に、接続電極の飛散を防止する飛散防止部を有したホル
ダを設けたことにより、余剰となった接続電極の処理を
容易に行うことができる。
【０２４０】また、請求項３８記載の発明によれば、配
列基板に形成された位置決め凹部に接続電極を装着する
だけの簡単な処理で各接続電極の位置決めを行うことが
できる。また、この位置決めが行われた状態を維持しつ
つ接続電極を板状接続端子に電気的に接続させて被検査
装置の検査を行うことにより、接続電極と板状接続端子
とを精度よく接続することができ、検査の信頼性を向上
させることができる。
列基板に形成された位置決め凹部に接続電極を装着する
だけの簡単な処理で各接続電極の位置決めを行うことが
できる。また、この位置決めが行われた状態を維持しつ
つ接続電極を板状接続端子に電気的に接続させて被検査
装置の検査を行うことにより、接続電極と板状接続端子
とを精度よく接続することができ、検査の信頼性を向上
させることができる。
【０２４１】また、請求項３９記載の発明によれば、接
続電極は配列基板上で相対的に移動し、やがて配列基板
に形成された位置決め凹部に入り込み位置決めされた
め、接続電極と位置決め凹部との位置決めを容易かつ自
動的に行なうことができる。また、請求項４０及び請求
項４１記載の発明によれば、接続電極は吸引力により強
制的に位置決め凹部に挿入し位置決めされるため、確実
な位置決め処理を行うことができる。
続電極は配列基板上で相対的に移動し、やがて配列基板
に形成された位置決め凹部に入り込み位置決めされた
め、接続電極と位置決め凹部との位置決めを容易かつ自
動的に行なうことができる。また、請求項４０及び請求
項４１記載の発明によれば、接続電極は吸引力により強
制的に位置決め凹部に挿入し位置決めされるため、確実
な位置決め処理を行うことができる。
【０２４２】また、請求項４２記載の発明によれば、第
１及び第２の傾斜面の勾配差に基づき接続電極は位置決
め凹部に案内され係止されるため、簡単かつ容易に接続
電極と位置決め凹部との位置決め処理を行うことができ
る。更に、請求項４３記載の発明によれば、例えば被検
査装置に傾き或いは高さのバラツキがあった場合等にお
いても、接続電極が変形することによりこれを吸収する
ことができ、よって検査を行うことが可能となる。ま
た、被検査装置に対する検査処理が終了した後は、接続
電極は低融点であるために容易に溶融させることがで
き、元の形状に戻すことができる。
１及び第２の傾斜面の勾配差に基づき接続電極は位置決
め凹部に案内され係止されるため、簡単かつ容易に接続
電極と位置決め凹部との位置決め処理を行うことができ
る。更に、請求項４３記載の発明によれば、例えば被検
査装置に傾き或いは高さのバラツキがあった場合等にお
いても、接続電極が変形することによりこれを吸収する
ことができ、よって検査を行うことが可能となる。ま
た、被検査装置に対する検査処理が終了した後は、接続
電極は低融点であるために容易に溶融させることがで
き、元の形状に戻すことができる。
【図１】本発明の第１実施例である半導体検査装置及び
これを用いた検査方法を説明するための図である。
これを用いた検査方法を説明するための図である。
【図２】接続部が板状接続端子に接続した状態を拡大し
て示す図である。
て示す図である。
【図３】本発明の第２実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
明するための図である。
【図４】第２実施例において接続部が板状接続端子に接
続した状態を示す図である。
続した状態を示す図である。
【図５】第２実施例において接続部が板状接続端子に接
続した状態を拡大して示す図である。
続した状態を拡大して示す図である。
【図６】本発明の第３実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
明するための図である。
【図７】第３実施例において接続部が板状接続端子に接
続した状態を示す図である。
続した状態を示す図である。
【図８】第３実施例において接続部が板状接続端子に接
続した状態を拡大して示す図である。
続した状態を拡大して示す図である。
【図９】本発明の第４実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。
明するための図である。
【図１０】本発明の第５実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図１１】本発明の第６実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図１２】本発明の第６実施例である半導体検査装置の
第１の変形例を説明するための図である。
第１の変形例を説明するための図である。
【図１３】本発明の第６実施例である半導体検査装置の
第２の変形例を説明するための図である。
第２の変形例を説明するための図である。
【図１４】本発明の第６実施例である半導体検査装置の
第３の変形例を説明するための図である。
第３の変形例を説明するための図である。
【図１５】本発明の第６実施例である半導体検査装置の
第４の変形例を説明するための図である。
第４の変形例を説明するための図である。
【図１６】緩衝部材の構造例を示す図である。
【図１７】本発明の第７実施例及び第８実施例である半
導体検査装置を説明するための図である。
導体検査装置を説明するための図である。
【図１８】本発明の第９実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図１９】本発明の第１０実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２０】本発明の第１１実施例及び第１２実施例であ
る半導体検査装置を説明するための図である。
る半導体検査装置を説明するための図である。
【図２１】本発明の第１３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２２】本発明の第１４実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２３】本発明の第１５実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２４】本発明の第１６実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２５】本発明の第１７実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２６】本発明の第１８実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２７】本発明の第１９実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２８】本発明の第２０実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２９】本発明の第２１実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３０】本発明の第２２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３１】本発明の第２３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３２】本発明の第２４実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３３】本発明の第２５実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３４】本発明の第２６実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３５】本発明の第２７実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３６】本発明の第２８実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３７】本発明の第２９実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３８】本発明の第３０実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３９】１回の検査が終了した後、検査基板を反転さ
せて２回目の検査を行う方法を説明するための図であ
る。
せて２回目の検査を行う方法を説明するための図であ
る。
【図４０】本発明の第３１実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図４１】接続電極を配列基板に装着する様子を示す図
である。
である。
【図４２】接続電極に外装被膜を形成した構成を示す図
である。
である。
【図４３】配列基板を拡大して示す図である。
【図４４】接続電極の変形例を説明するための図である
（その１）。
（その１）。
【図４５】接続電極の変形例を説明するための図である
（その２）
（その２）
【図４６】図４４及び図４５に示す接続電極を拡大して
示す図である。
示す図である。
【図４７】測定端子に突起端子を設けた構成を示す図で
ある。
ある。
【図４８】測定端子にメッキ膜を設けた構成を示す図で
ある。
ある。
【図４９】測定端子とメッキ膜を一体化した構成を示す
図である。
図である。
【図５０】検査ユニットを用いた構成例を示す図である
（その１）
（その１）
【図５１】検査ユニットを用いた構成例を示す図である
（その２）
（その２）
【図５２】検査ユニットを用いた構成例を示す図である
（その３）
（その３）
【図５３】本発明の第３２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図５４】本発明の第３３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図５５】本発明の第３４実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図５６】本発明の第３５実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図５７】第３５実施例の変形例を示す図である（その
１）。
１）。
【図５８】第３５実施例の変形例を示す図である（その
２）。
２）。
【図５９】本発明の第３６実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６０】本発明の第３７実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６１】本発明の第３８実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６２】本発明の第３９実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６３】本発明の第４０実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６４】本発明の第４１実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６５】本発明の第４２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６６】本発明の第４３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６７】測定端子と接続電極との間に導電性樹脂を介
装した構成を示す図である。
装した構成を示す図である。
【図６８】振動を利用して接続電極を配列基板に装着す
る方法を示す図である。
る方法を示す図である。
【図６９】吸引を利用して接続電極を配列基板に位置決
めし装着する方法を示す図である（その１）。
めし装着する方法を示す図である（その１）。
【図７０】吸引を利用して接続電極を配列基板に位置決
めし装着する方法を示す図である（その２）。
めし装着する方法を示す図である（その２）。
【図７１】吸引を利用して接続電極を配列基板に位置決
めし装着する方法を示す図である（その３）。
めし装着する方法を示す図である（その３）。
【図７２】傾斜面を利用して接続電極を配列基板に位置
決めし装着する方法を示す図である（その１）
決めし装着する方法を示す図である（その１）
【図７３】傾斜面を利用して接続電極を配列基板に位置
決めし装着する方法を示す図である（その２）
決めし装着する方法を示す図である（その２）
【図７４】接続電極として軟度を有しかつ低融点の材料
を用いた構成例を説明するための図である。
を用いた構成例を説明するための図である。
【図７５】変形した接続電極を元の形状に戻す方法を説
明するため図である。
明するため図である。
【図７６】接続電極の飛散を防止するホルダを設けた構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図７７】配列基板上にカバーを設けた構成例を示す図
である。
である。
【図７８】配列基板に設けたカバーから接続電極を露出
させる方法を説明するための図である（その１）。
させる方法を説明するための図である（その１）。
【図７９】配列基板に設けたカバーから接続電極を露出
させる方法を説明するための図である（その２）。
させる方法を説明するための図である（その２）。
１０Ａ-1〜１０Ａ-30,１０Ｂ-1〜１０Ｂ-13 半導体検
査装置 １１ 導体層 １２Ａ〜１２Ｄ 緩衝部材 １４ 接続部 １５ 突き上げ部 １６，１６Ａ，１６Ｂ スタッドバンプ １７ 粗化面 １８ 異種金属膜 １９，２３ 切り込み ２０ａ〜２０ｄ 分割部材 ２１ 間隙部 ２４ａ〜２４ｄ 分割フィルム部材 ２５ 絶縁部材 ２６ 弾性部材 ３６ ＩＣ ４０ 突き上げ基板 ４５Ａ，４５Ｂ ステージ ４６Ａ，４６Ｂ 位置合わせ治具 ４７ 挿通孔 ５０-1〜５０-9 ガイドピン ５１ テーパ部 ５２-1〜５２-7 位置決め孔 ６０-1〜６０-3 ガイドピン付きフレーム ６１ 枠体部 ６３ 空間部 ６４ フレーム部 ６５ テーパ面 ６６ エラストマー ６７ 調芯機構 ６８ 係合部 ７０ コイルスプリング １１１ 外装被膜 １１２Ａ〜１１２Ｄ 接続電極 １１３ 固定治具 １１４ 吸着部 １１５，１２３ 調芯機構 １１６，１１６Ａ〜１１６Ｄ 配列基板 １１７ 位置決め凹部 １１８ 測定基板 １１９ 測定端子 １２０ 配線層 １２１ ステージ １２２ 保持部 １２５Ａ 突起端子 １２５Ｂ メッキ膜 １２５Ｃ 配線 １２６Ａ〜１２６Ｄ エラストマー １２７ 導電性樹脂 １２８Ａ，１２８Ｂ 吸引通路 １２９ 第１の凹部 １３０ 第２の凹部 １３２，１４２ 位置決め部 １３２ａ，１４２ａ 傾斜面 １５０-1〜１５０-6 ガイドピン １５２-1〜１５２-5 位置決め孔 １６１ 案内面 １６２ 係止面 １６３ 位置決め面 １８０ 検査ユット １８２ 端子 １８４ 収納ケース １８５ コイルバネ １９０ ホルダ １９１ 飛散防止部 １９５Ａ，１９５Ｂ カバー １９７ 研磨治具
査装置 １１ 導体層 １２Ａ〜１２Ｄ 緩衝部材 １４ 接続部 １５ 突き上げ部 １６，１６Ａ，１６Ｂ スタッドバンプ １７ 粗化面 １８ 異種金属膜 １９，２３ 切り込み ２０ａ〜２０ｄ 分割部材 ２１ 間隙部 ２４ａ〜２４ｄ 分割フィルム部材 ２５ 絶縁部材 ２６ 弾性部材 ３６ ＩＣ ４０ 突き上げ基板 ４５Ａ，４５Ｂ ステージ ４６Ａ，４６Ｂ 位置合わせ治具 ４７ 挿通孔 ５０-1〜５０-9 ガイドピン ５１ テーパ部 ５２-1〜５２-7 位置決め孔 ６０-1〜６０-3 ガイドピン付きフレーム ６１ 枠体部 ６３ 空間部 ６４ フレーム部 ６５ テーパ面 ６６ エラストマー ６７ 調芯機構 ６８ 係合部 ７０ コイルスプリング １１１ 外装被膜 １１２Ａ〜１１２Ｄ 接続電極 １１３ 固定治具 １１４ 吸着部 １１５，１２３ 調芯機構 １１６，１１６Ａ〜１１６Ｄ 配列基板 １１７ 位置決め凹部 １１８ 測定基板 １１９ 測定端子 １２０ 配線層 １２１ ステージ １２２ 保持部 １２５Ａ 突起端子 １２５Ｂ メッキ膜 １２５Ｃ 配線 １２６Ａ〜１２６Ｄ エラストマー １２７ 導電性樹脂 １２８Ａ，１２８Ｂ 吸引通路 １２９ 第１の凹部 １３０ 第２の凹部 １３２，１４２ 位置決め部 １３２ａ，１４２ａ 傾斜面 １５０-1〜１５０-6 ガイドピン １５２-1〜１５２-5 位置決め孔 １６１ 案内面 １６２ 係止面 １６３ 位置決め面 １８０ 検査ユット １８２ 端子 １８４ 収納ケース １８５ コイルバネ １９０ ホルダ １９１ 飛散防止部 １９５Ａ，１９５Ｂ カバー １９７ 研磨治具
Claims (43)
- 【請求項１】 板状接続端子を有する被検査装置に対し
て検査を行う半導体検査装置において、 絶縁材料よりなる支持フィルムと、該支持フィルム上に
形成されており前記板状接続端子と接続する接続部が変
形可能に構成された導体層とにより構成される検査基板
と、 前記接続部と対向する位置に突出形成された突き上げ部
を有し、前記検査基板と組み合わせることにより、前記
接続部を装着状態にある前記被検査装置の板状接続端子
に向け変形付勢し、前記接続部と前記板状接続端子を電
気的に接続させる突き上げ基板とを具備することを特徴
とする半導体検査装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体検査装置におい
て、 前記検査基板の少なくとも前記突き上げ基板と対向する
側の面に、緩衝部材を配設したことを特徴とする半導体
検査装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体検査装置
において、 前記接続部に、前記板状接続端子の装着方向に向け突出
したスタッドバンプを単層または複数層積層した状態で
配設したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体検査装置におい
て、 前記複数層積層したスタッドバンプを異種金属により構
成したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の半導体検査装置
において、 前記接続部の表面を粗化させたことを特徴とする半導体
検査装置。 - 【請求項６】 請求項１または２記載の半導体検査装置
において、 前記接続部の表面に、該接続部とは異なる材質よりなる
表面金属膜を被膜形成したことを特徴とする半導体検査
装置。 - 【請求項７】 請求項２乃至５のいずれか１項に記載の
半導体検査装置において、 前記緩衝部材に切り込み部を形成したことを特徴とする
半導体検査装置。 - 【請求項８】 請求項２乃至５のいずれか１項に記載の
半導体検査装置において、 前記緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構成した
ことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
半導体検査装置において、 前記支持フィルムに切り込み部を形成したことを特徴と
する半導体検査装置。 - 【請求項１０】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載
の半導体検査装置において、 前記支持フィルムを複数の分割フィルム部材を組み合わ
せて構成したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれか１項に記
載の半導体検査装置において、 前記検査基板に、電子素子を配設したことを特徴とする
半導体検査装置。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１５のいずれか１項に記
載の半導体検査装置において、 前記板状接続端子と前記接続部との位置決めを行う位置
決め機構を設けたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の半導体検査装置にお
いて、 前記位置決め機構として、ガイドピンを用いたことを特
徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１４】 請求項１２記載の半導体検査装置にお
いて、 前記位置決め機構として、前記被検査装置を保持するフ
レーム部とガイドピンとが一体化したガイドピン付きフ
レームを用いたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の半導体検査装置にお
いて、 前記ガイドピン付きフレームのフレーム部が、前記被検
査装置を覆うよう保持する構成すると共に、前記フレー
ムの内壁に前記被検査装置の位置決めを行うテーパ面を
形成したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１６】 請求項１４記載の半導体検査装置にお
いて、 前記フレーム部に、前記板状接続端子と前記接続部とが
一致するよう前記被検査装置の調芯処理を行う調芯機構
を設けたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項１７】 請求項１４記載の半導体検査装置にお
いて、 前記フレーム部に、装着状態における前記被検査装置を
前記接続部に向け付勢する付勢機構を設けたことを特徴
とする半導体検査装置。 - 【請求項１８】 請求項１４乃至請求項１７のいずれか
１項に記載の半導体検査装置において、 前記フレーム部と前記被検査装置とが係合する部位に、
緩衝効果を有する弾性部材を配設したことを特徴とする
半導体検査装置。 - 【請求項１９】 請求項１乃至１８のいずれか１項に記
載の半導体検査装置を用いた検査方法であって、 前記検査基板に被検査装置を装着すると共に、前記検査
基板と前記突き上げ基板とを組み合わせ、 該組み合わせを行うことにより、前記突き上げ部により
前記接続部を板状接続端子に向け変形させ、前記接続部
と前記板状接続端子を電気的に接続させることを特徴と
する半導体検査装置を用いた検査方法。 - 【請求項２０】 請求項１９記載の半導体検査装置を用
いた検査方法において、 複数の前記被検査装置に対して連続して検査を行う際、
１回の検査が終了する毎に前記検査基板を上下反転させ
て使用することを特徴とする半導体検査装置を用いた検
査方法。 - 【請求項２１】 板状接続端子を有する被検査装置に対
して検査を行う半導体検査装置において、 前記板状接続端子の形成位置と対応した位置に測定端子
が形成された測定基板と、 前記測定基板上に装着されると共に、前記板状接続端子
の形成位置と対応した位置に前記測定端子を露出させる
位置決め凹部が形成された配列基板と、 前記位置決め凹部内に装着され、下端部が前記測定端子
と電気的に接続されると共に、上端部が前記板状接続端
子と電気的に接続される接続電極とにより構成されてお
り、 かつ、前記接続電極の上部が前記配列基板より突出する
よう構成したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２２】 請求項２１記載の半導体検査装置にお
いて、 前記接続電極の外周に保護膜を形成したことを特徴とす
る半導体検査装置。 - 【請求項２３】 請求項２１または２２記載の半導体検
査装置において、 前記測定端子に、前記接続電極の装着方向に向け突出し
たスタッドバンプを配設したことを特徴とする半導体検
査装置。 - 【請求項２４】 請求項２１または２２記載の半導体検
査装置において、 前記位置決め凹部の内壁に、前記測定端子と電気的に接
続した構成で導電性メッキ膜を形成したことを特徴とす
る半導体検査装置。 - 【請求項２５】 請求項２４記載の半導体検査装置にお
いて、 前記測定端子と前記導電性メッキ膜とを一体的な構成と
したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２６】 請求項２１または２２記載の半導体検
査装置において、 前記測定端子に、変形可能な導電性樹脂を配設したこと
を特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項２７】 請求項２１または２２記載の半導体検
査装置において、 前記下端部が前記測定端子と電気的に接続されると共
に、前記上端部に前記接続電極が配設され、かつ、内部
に前記接続電極を前記板状接続端子に向け付勢する付勢
手段を有した検査ユニットを設けたことを特徴とする半
導体検査装置。 - 【請求項２８】 請求項２１乃至２７のいずれか１項に
記載の半導体検査装置において、 更に、前記接続電極が前記板状接続端子に接続する時に
作用する押圧力を緩衝する緩衝部材を設けたことを特徴
とする半導体検査装置。 - 【請求項２９】 請求項２８記載の半導体検査装置にお
いて、 前記緩衝部材に切り込み部を形成したことを特徴とする
半導体検査装置。 - 【請求項３０】 請求項２８記載の半導体検査装置にお
いて、 前記緩衝部材を複数の分割部材を組み合わせて構成した
ことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項３１】 請求項２８記載の半導体検査装置にお
いて、 前記配列基板を弾性材料により形成したことを特徴とす
る半導体検査装置。 - 【請求項３２】 請求項２１乃至３１のいずれか１項に
記載の半導体検査装置において、 前記板状接続端子と前記接続電極とが一致するよう位置
決め処理を行う位置決め機構を設けたことを特徴とする
半導体検査装置。 - 【請求項３３】 請求項３２記載の半導体検査装置にお
いて、 前記位置決め機構として、ガイドピンを用いたことを特
徴とする半導体検査装置。 - 【請求項３４】 請求項３２記載の半導体検査装置にお
いて、 前記位置決め機構として、前記被検査装置を保持する固
定治具を用いたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項３５】 請求項３２記載の半導体検査装置にお
いて、 前記位置決め機構として、前記配列基板に位置決め部を
形成したことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項３６】 請求項２１乃至３５のいずれか１項に
記載の半導体検査装置において、 更に、前記板状接続端子と前記接続電極とが一致するよ
う、前記被検査装置の調芯処理を行う調芯機構を設けた
ことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項３７】 請求項２１乃至３５のいずれか１項に
記載の半導体検査装置において、 更に、前記接続電極の前記配列基板への装着時に、前記
接続電極の飛散を防止する飛散防止部を有したホルダを
設けたことを特徴とする半導体検査装置。 - 【請求項３８】 請求項２１乃至３７のいずれか１項に
記載の半導体検査装置を用いた検査方法であって、 前記配列基板に形成された位置決め凹部に前記接続電極
を装着させて各接続電極の位置決めを行い、該位置決め
が行われた状態を維持しつつ、前記接続電極を前記板状
接続端子に電気的に接続させて前記被検査装置の検査を
行うことを特徴とする半導体検査装置を用いた検査方
法。 - 【請求項３９】 請求項２１乃至３７のいずれか１項に
記載の半導体検査装置を用いた検査方法であって、 前記配列基板を振動させることにより、前記位置決め凹
部に前記接続電極を位置決めすることを特徴とする半導
体検査装置を用いた検査方法。 - 【請求項４０】 請求項２１乃至３７のいずれか１項に
記載の半導体検査装置を用いた検査方法であって、 前記配列基板に吸引通路を形成すると共に、前記吸引通
路に吸引装置を接続し、前記吸引通路により前記接続電
極を吸引することにより、前記配列基板に形成された前
記位置決め凹部に前記接続電極を位置決めすることを特
徴とする半導体検査装置を用いた検査方法。 - 【請求項４１】 請求項２１乃至３７のいずれか１項に
記載の半導体検査装置を用いた検査方法であって、 前記配列基板を多孔質材料により形成すると共に、前記
配列基板に吸引装置を接続し、前記配列基板に前記接続
電極を吸引することにより、前記位置決め凹部に前記接
続電極を位置決めすることを特徴とする半導体検査装置
を用いた検査方法。 - 【請求項４２】 請求項２１乃至３７のいずれか１項に
記載の半導体検査装置を用いた検査方法であって、 前記位置決め凹部に勾配の異なる第１及び第２の傾斜面
を形成し、該第１及び第２の傾斜面の勾配差に基づき前
記接続電極を前記位置決め凹部に位置決めすることを特
徴とする半導体検査装置を用いた検査方法。 - 【請求項４３】 請求項２１乃至３７のいずれか１項に
記載の半導体検査装置を用いた検査方法であって、 前記接続電極の材料として軟質でかつ低融点の材料を用
い、前記被検査装置に対する検査処理が終了した後、前
記接続電極を溶融し元の形状に戻す処理を行うことを特
徴とする半導体検査装置を用いた検査方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9066918A JPH10260224A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 半導体検査装置及びこれを用いた検査方法 |
| US08/946,593 US6333638B1 (en) | 1997-03-19 | 1997-10-07 | Semiconductor test apparatus and test method using the same |
| KR1019970053294A KR100337588B1 (ko) | 1997-03-19 | 1997-10-17 | 반도체 검사장치 및 이를 사용한 검사방법 |
| US09/984,781 US6518784B2 (en) | 1997-03-19 | 2001-10-31 | Test method using semiconductor test apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9066918A JPH10260224A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 半導体検査装置及びこれを用いた検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10260224A true JPH10260224A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13329847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9066918A Withdrawn JPH10260224A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 半導体検査装置及びこれを用いた検査方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6333638B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10260224A (ja) |
| KR (1) | KR100337588B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005189187A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Denshi Jiki Kogyo Kk | プローブ装置 |
| JP2006525515A (ja) * | 2003-05-01 | 2006-11-09 | セレリティー・リサーチ・インコーポレイテッド | Ｂｇａパッケージの平坦化及び検査方法ならびに装置 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10260224A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Fujitsu Ltd | 半導体検査装置及びこれを用いた検査方法 |
| US6703640B1 (en) * | 1998-01-20 | 2004-03-09 | Micron Technology, Inc. | Spring element for use in an apparatus for attaching to a semiconductor and a method of attaching |
| US6456100B1 (en) | 1998-01-20 | 2002-09-24 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for attaching to a semiconductor |
| US6519649B1 (en) | 1999-11-09 | 2003-02-11 | International Business Machines Corporation | Multi-node data processing system and communication protocol having a partial combined response |
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| US7218128B2 (en) * | 2005-02-14 | 2007-05-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for locating and testing a chip |
| US7164282B1 (en) * | 2005-03-28 | 2007-01-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for determining an average electrical response to a conductive layer on a substrate |
| JP2007288755A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Optopac Co Ltd | カメラモジュール |
| US20080018350A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Clinton Chao | Test probe for integrated circuits with ultra-fine pitch terminals |
| KR101126690B1 (ko) * | 2009-07-02 | 2012-04-02 | 남재우 | Ｍｅｍｓ 기술을 이용한 테스트 소켓 및 그 제조방법 |
| KR101070022B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2011-10-04 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 회로 기판, 다층 세라믹 회로 기판 제조방법 및 이를 이용한 전자 디바이스 모듈 |
| JP5943742B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2016-07-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験治具およびそれを用いた半導体試験方法 |
| JP6706079B2 (ja) * | 2016-01-18 | 2020-06-03 | 新光電気工業株式会社 | プローブガイド板及びプローブ装置とそれらの製造方法 |
| US10901030B2 (en) | 2019-02-19 | 2021-01-26 | International Business Machines Corporation | Viscoelastic pad upon integrated circuit device contact for multipass electrical characterization probe testing |
| KR102194251B1 (ko) * | 2019-11-21 | 2020-12-22 | (재)한국나노기술원 | 반도체 디바이스를 검사하기 위한 테스트 콘택터 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5289631A (en) * | 1992-03-04 | 1994-03-01 | Mcnc | Method for testing, burn-in, and/or programming of integrated circuit chips |
| KR940001341A (ko) * | 1992-06-29 | 1994-01-11 | 디. 아이. 캐플란 | 전자 장치로의 빠른 전기 접근을 위한 순간 접속법 |
| US5329423A (en) * | 1993-04-13 | 1994-07-12 | Scholz Kenneth D | Compressive bump-and-socket interconnection scheme for integrated circuits |
| JP2710544B2 (ja) * | 1993-09-30 | 1998-02-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | プローブ構造、プローブ構造の形成方法 |
| US5629630A (en) * | 1995-02-27 | 1997-05-13 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer contact system and method for contacting a semiconductor wafer |
| JP2796070B2 (ja) | 1995-04-28 | 1998-09-10 | 松下電器産業株式会社 | プローブカードの製造方法 |
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| US6072326A (en) * | 1997-08-22 | 2000-06-06 | Micron Technology, Inc. | System for testing semiconductor components |
-
1997
- 1997-03-19 JP JP9066918A patent/JPH10260224A/ja not_active Withdrawn
- 1997-10-07 US US08/946,593 patent/US6333638B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-17 KR KR1019970053294A patent/KR100337588B1/ko not_active IP Right Cessation
-
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- 2001-10-31 US US09/984,781 patent/US6518784B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6333638B1 (en) | 2001-12-25 |
| KR19980079424A (ko) | 1998-11-25 |
| KR100337588B1 (ko) | 2002-10-09 |
| US6518784B2 (en) | 2003-02-11 |
| US20020036509A1 (en) | 2002-03-28 |
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Legal Events
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