KR19980079424A - 반도체 검사 장치 및 이를 사용한 검사방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 판상 접속 단자를 갖는 반도체 칩 및 반도체 장치(피 검사 장치)의 검사에 사용하여 매우 적합한 반도체 검사 장치 및 이를 사용한 검사 방법에 관한 것으로, 판상 접속 단자를 갖는 피 검사 장치의 검사를 고 신뢰성을 갖고 실시하는 것을 과제로 한다. 이의 해결수단으로서, 장치 저면과 면이 일치하거나 또는 패인 구성의 판상 접속 단자(2)를 갖는 반도체 장치(1)(피 검사 장치)에 대해서 검사를 행하는 반도체 검사 장치에 있어서, 지지 필름 위에 판상 접속 단자(2)와 접속하는 접속부(14)가 변형 가능하게 구성된 검사 기판(39A)과, 접속부(14)와 대향하는 위치에 돌출 형성된 지지부(15)를 가짐과 동시에 검사 기판(39A)과 조합됨으로써 접속부(14)를 반도체 장치(1)의 판상 접속 단자(2)를 향해 변형 부세하고, 이에 의해 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)를 전기적으로 접속시키는 지지 기판(40)을 설치한다.

Description

반도체 검사 장치 및 이를 사용한 검사 방법

본 발명은 반도체 장치 및 그를 사용한 검사 방법에 관한 것으로서, 특히 판상 접속 단자를 갖는 반도체 칩 및 반도체 장치(피검사 장치)의 검사에 사용하기에 적합한 반도체 검사 장치 및 그를 사용한 검사 방법에 관한 것이다.

근래, 반도체 장치의 고밀도화, 고속화, 소형화가 요구되고, 이 요구에 대응하기 위해, 패키지에 실링 되어 있지 않은 반도체 칩(소위 베어 칩) 또는 BGA(Ball Grid Array) 구조의 반도체 장치를 회로 기판 위에 직접 복수개 탑재하는 실장 방법이 많이 이용되고 있다.

이 실장방법에서는, 예를 들어 복수개 배설된 베어 칩 또는 반도체 장치 내, 하나의 이상이 있으면 장치 전체가 불량품으로 되기 때문에, 개개의 베어 칩 또는 반도체 장치에 고 신뢰성이 요구된다.

그래서, 개개의 베어 칩 또는 반도체 장치가 정상으로 기능하는지의 여부를 조사하는 검사가 중요한 과제로 되어 오고 있다.

종래부터, 장치 본체 하면과 면이 일치 또는 이보다 패인 판상 접속 단자를 갖는 반도체 장치(이하, 수지 실링 되어 있지 않은 베이 칩 및 수지 실링된 반도체장치를 총칭하여 「반도체 장치」 라 한다)의 검사 방법으로서 여러 가지의 검사 방법이 제안되고 또한 실시되고 있다.

이러한 종류의 반도체 장치의 전기적 동작 검사를 행하는 경우, 판상 접속단자에 검사 장치의 검사침을 접촉시키기 위해, 판상 접속 단자를 가능한 한 변질시키지 않고 각 판상 접속 단자의 전기적 접속의 검사를 행할 필요가 있고, 또한 검사의 신뢰성이 높고 또 저 코스트인 것이 요구되고 있다.

종래의 반도체 검사 장치로서는, 프로브(probe, 검사침)를 사용한 검사 방법이 일반적이다. 이 검사 방법은, 반도체 장치의 하면에 형성된 복수의 판상 접속단자에 대응하도록 검사용 기판에 복수의 프로브를 베설하여 두고, 이 프로브의 선단을 직접 판상 접속 단자에 접촉시킴으로써 검사를 행하는 검사 방법이다.

즉, 반도체용 테스트 소켓은, 반도체 장치의 복수의 판상 접속 단자와 동일한 배열로 설치된 복수의 프로브를 갖고, 이 프로브에는 U자형으로 구부러진 굴곡부분이 설치되어 있다. 그리고, 프로브의 선단이 반도체 장치의 판상 접속 단자에 당접하여 압압되면, 굴곡 부분이 변형하여 판상 접속 단자의 손상을 경감하도록 되어 있다.

그러나, 상기한 프로브 검사법에 의한 반도체 장치의 전기적인 검사를 행하는 경우, 특히 반도체 장치의 고밀도화에 의해 단자수가 증대한 경우에는, 프로브를 근접하여 배설함이 곤란하게 되고, 프로브의 선단과 판상 접속 단자의 접속이 충분하지 않은 경우가 발생하여, 검사 정확도가 저하할 우려가 있다는 문제점이 있었다. 또한, 상기와 같이 단기수가 증대하여 프로브를 근접한 구성의 검사 프로브는 제작하기 곤란하고, 제작 코스트가 상승한다는 문제점도 있었다.

본 발명은 상기한 점에 착안한 것으로서, 판상 접속 딘자를 갖는 피검사 장치의 검사를 고 신뢰성을 갖고, 또 저 코스트로 실시할 수 있는 반도체 검사 장치 및 그를 이용한 검사 방법을 제공함을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명의 제 1실시예인 반도체 검사 장치 및 이를 사용한 검사 방법을 설명하기 위한 도면.

도 2는 접속부가 판상 접속 단자에 접속한 상태를 확대하여 나타낸 도면.

도 3은 본 발명의 제 2실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 4는 제 2실시예에서 접속부가 판상 접속 단자에 접속한 상태를 나타낸 도면.

도 5는 제 2실시예에서 접속부가 판상 접속 단자에 접속한 상태를 확대하여 나타낸 도면.

도 6은 본 발명의 제 3실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 7은 제 3실시예에서 접속부가 판상 접속 단자에 접속한 상태를 나타낸 도면.

도 8은 제 3실시예에서 접속부가 판상 접속 단자에 접속한 상태를 확대하여 나타낸 도면.

도 9는 본 발명의 제 4실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 10은 본 발명의 제 5실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 11은 본 발명의 제 6실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 12는 본 발명의 제 6실시예인 반도체 검사 장치의 제 1변형예를 설명하기 위한 도면.

도 13은 본 발명외 제 6실시예인 반도체 검사 장치의 제 2변형예를 설명하기 위한 도면.

도 14는 본 발명의 제 6실시예인 반도체 검사 장치의 제 3변형예를 설명하기 위한 도면.

도 15는 본 발명의 제 6실시예인 반도체 검사 장치의 제 4변형예를 설명하기 위한 도면.

도 16은 완충 부재의 구조예를 나타낸 도면.

도 17은, 본 발명의 제 7실시예 및 제 8실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 18은 본 발명의 제 9실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 19는 본 발명의 제 10실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 20은 본 발명외 제 11실시예 및 제 12실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 21은 본 발명의 제 13실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면

도 22는 본 발명의 제 14실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 23은 본 발명의 제 15실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 24는 본 발명의 제 16실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 25는 본 발명의 제 17실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 26은 본 발명의 제 18실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 27은 본 발명의 제 19실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 28은 본 발명의 제 20실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 29는 본 발명의 제 21실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 30은 본 발명의 제 22실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 31은 본 발명의 제 23실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 32는 본 발명의 제 24실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 33은 본 발명의 제 25실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 34는 본 발명의 제 26실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 35는 본 발명의 제 27실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 36은 본 발명의 제 28실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 37은 본 발명의 제 29실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 38은 본 발명의 제 30실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 39는 1회의 검사가 종료한 후, 검사 기판을 반전시켜 2회째의 검사를 행하는 방법을 설명하기 위한 도면.

도 40은 본 발명의 제 31실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 41은 접속 전극을 배열 기판에 장착한 상태를 나타낸 도면.

도 42는 접속 전극에 외장 피막을 형성한 구성을 나타낸 도면.

도 43은 배열 기판을 확대하여 나타낸 도면.

도 44 및 도 45는 접속 전극의 변형예를 설명하기 위한 도면.

도 46은 도 44 및 도 45에 나타낸 접속 전극을 확대하여 나타낸 도면.

도 47은 측정 단자에 돌기 단자를 설치한 구성을 나타낸 도면.

도 48은 측정 단자에 도금막을 설치한 구성을 나타낸 도면.

도 49는 측정 단자와 도금막을 일체화한 구성을 나타낸 도면.

도 50, 도 51 및 도 52는 검사 유니트를 사용한 구성예를 나타낸 도면.

도 53은 본 발명의 제 32실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 54는 본 발명의 제 33실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 55는 본 발명의 제 34실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 56은 본 발명의 제 35실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 57 및 도 58은 제 35실시예의 변형예를 나타낸 도면.

도 59는 본 발명의 제 36실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 60은 본 발명의 제 37실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 61은 본 발명의 제 38실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 62는 본 발명의 제 39실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 63은 본 발명의 제 40실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 64는 본 발명의 제 41실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 65는 본 발명의 제 42실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 66은 본 발명의 제 43실시예인 반도체 검사 장치를 설명하기 위한 도면.

도 67은 측정 단자와 접속 전극간에 도전성 수지를 끼워 넣은 구성을 나타낸 도면.

도 68은 진동을 이용하여 접속 전극을 배열 기판에 장착하는 방법을 나타낸 도면.

도 69, 도 70 및 도 71은 흡인을 이용하여 접속 전극을 배열 기판에 위치 결정하여 장착하는 방법을 나타낸 도면.

도 72 및 도 73은 경사면을 이용하여 접속 전극을 배열 기판에 위치 결정하여 장착하는 방법을 나타내는 도면.

도 74는 접속 전극으로서 연도를 갖고 또한 저 융점인 재료를 사용한 구성예를 설명하기 위한 도면.

도 75는 변형한 접속 전극을 원래의 형상으로 되돌리는 방법을 설명하기 위한 도면.

도 76은 접속 전극의 비산을 방지하는 홀더를 설치한 구성예를 나타내는 도면.

도 77은 배열 기판 위에 커버를 설치한 구성예를 나타내는 도면.

도 78 및 도 79는 배열 기판에 설치한 키버로부터 접속 전극을 노출시키는 방법을 설명하기 위한 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10A-1∼10/A-30, 10B-1∼10B-13 : 반도체 검사 장치

11 : 도체층

12A∼12D : 완충 부재

14 : 접속부

15 : 지지부

16, 16A, 16B : 스터드 범프

17 : 조화면

18 : 이종 금속막

19, 23 : 노치

20a∼20d : 분할 부재

21 : 간극부

24a∼24d : 분할 필름 부재

25 : 절연 부재

26 : 탄성 부재

36 : IC

40 : 지지 기판

45A, 45B : 스테이지

46A, 46B : 위치 맞춤 치구

47 : 삽통 구멍

50-1∼50-9 : 가이드 핀

51 : 테이퍼부

52-1∼52-7 : 위치 결정 구멍

60-1∼60-3 : 가이드 핀 부착 프레임

61 : 상자체부

63 : 공간부

64 : 프레임부

65 : 테이퍼면

66 : 엘라스토머

67 : 얼라인 기구

68 : 계합부

70 : 코일스프링

111 : 외장 피막

112A∼112D : 접속 전극

113 : 고정 치구

114 : 흡착부

115, 123 : 얼라인 기구

116, 116A∼116D : 배열 기판

117 : 위치 결정 요부

118 : 측정 기판

119 : 측정 단자

120 : 배선층

121 : 스테이지

122 : 유지부

125A : 돌기 단자

125B : 도금막

125C : 배선

126A ∼ 126D : 엘라스토머

127 : 도전성 수지

128A, 128B : 흡인 통로

129 : 제 1요부

130 : 제 2요부

132, 142 : 위치 결정부

132a, 142a : 경사면

150-1∼150-6 : 가이드 핀

152-1∼152-5 : 위치 결정 구멍

161 : 안내면

162 : 계지면

163 : 위치 결정면

180 : 검사 유니트

182 : 단자

184 : 수납케이스

185 : 코일스프링

190 : 홀더

191 : 비산 방지부

195A, 195B : 커버

197 : 연마 치구

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는 하기의 여러 가지 수단을 강구한 것을 특징으로 한다.

청구항 1에 기재한 발명에서는, 판상 접속 단자를 갖는 피검사 장치에 대하여 검사를 행하는 반도체 검사 장치에 있어서,

절연 재료로 된 지지 필름과, 상기 지지 필름 위에 형성되어 있는 상기 판상 접속 단자와 접속하는 접속부가 변형 가능하게 구성된 도체층에 의해 구성된 검사기판과, 상기 접속부와 대향하는 위치에 돌출 형성된 지기부를 갖고, 상기 검사 기판과 조합함으로써, 상기 접속부를 장착 상태에 있는 피검사 장치의 판상 접속 단자로 향하여 변형부세하여, 상기 접속부와 상기 판상 접속 단자를 전기적으로 접속시키는 지지 기판을 구비하는 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 2에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 1에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 검사 기판의 적어도 상기 지지 기판과 대향하는 측면에 완충 부재를 배설한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 3에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 1 또는 2에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 접속부에, 상기 판상 접속 단자의 장착 방향을 향하여 돌출한 스터드범프를 단층 또는 복수층 적층한 상태로 배설한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 4에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 3에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 복수층 적층한 스터드 범프를 이종 금속으로 구성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 5에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 1 또는 2에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 접속부의 표면을 거칠게 한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 6에 기재힌 발명에서는, 상기 청구항 1 또는 2에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 접속부의 표면에, 상기 접속부와 다른 재질로 된 표면 금속막을 피막 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 7에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 2 내지 5 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치애 있어서, 상기 완충 부재에 노치부를 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 8에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 2 내지 5 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 완충 부재를 복수의 분할 부재를 조합시켜 구성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 9에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 지지 필름에 노치부를 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 10에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 지지 필름을 복수의 분할 필름 부재를 조합시켜 구성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 11에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 1 내지 10중 이느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 검사 기판에, 전자 소자를 배설한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 12에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 접속 단자와 상기 접속부의 위치 결정을 행하는 위치 결정 기구를 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 13에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 12에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서, 가이드 핀을 사용한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 14에 기재한 말명에서는, 상기 청구항 12에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서. 상기 피검사 장치를 유지하는 프레임부와 가이드핀이 일체화한 가이드 핀 부착 프레임을 사용한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 15에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 14에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 가이드 핀 부착 프레임의 프레임부가, 상기 피검사 장치를 덮도록 유지하는 구성으로 함과 동시에, 상기 프레임의 내벽에 상기 피검사 장치의 위치 결정을 행하는 테이퍼면을 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 16에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 14에 기개한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 프레임부에, 상기 판상 접속 단자와 상기 접속부가 일치하도록 상기 피검사 장치의 얼라인을 행하는 얼라인 기구를 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 17에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 14에 기재한 반도체 검사 창치에 있어서, 상기 프레임부에, 장착 상태에서의 상기 피검사 장치를 상기 접속부를 행하여 부세하는 부세 기구를 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 18에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 14 내지 17 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 프레임부와 상기 검사 장치가 계합하는 부위에, 완충 효과를 갖는 탄성부재를 배설한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 19에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 1 내지 18 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법에 있어서, 상기 검사 기판에 피검사 장치를 장착함과 동시에, 상기 검사 기판과 상기 지지 기판을 조합하고, 상기 조합을 행함으로써, 상기 지지부에 의해 상기 접속부를 판상 접속 단자를 향하여 변형시키고, 상기 접속부와 상기 판상 접속 단자를 전기적으로 접속시키는 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 20에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 19에 기개한 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법에 있어서, 복수의 상기 피검사 장치에 대하여 연속하여 검사를 행할 때, 1회의 검사가 종료할 때마다 상기 검사 기판을 상하 반전시켜 사용하는 것을 특징으로 한다.

청구항 21에 기재한 발명에서는, 판상 접속 단자를 갖는 피검사 장치에 대하여 검사를 행하는 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 판상 접속 단자의 형성 위치와 대응한 위치에 측정 단자가 형성된 측정 기판과, 상기 측정 기판위에 장착됨과 동시에, 상기 판상 접속 단자의 형성 위치와 대응한 위치에 상기 측정 단자를 노출시키는 위치 결정 요부가 형성된 배열 기판과, 상기 위치 결정 요부 내에 장착되고, 하단부가 상기 측정 단자와 전기적으로 접속됨과 동시에, 상단부가 상기 판상 접속 단자와 전기적으로 접속된 접속 전극에 의해 구성되어 있고, 또한, 상기 접속 전극의 상부가 상기 배열 기판보다 돌출하도록 구성한 것을 특징으로 한다.

청구항 22에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 접속 전극의 외주에 보호막을 형성한 것을 특징으로 한다.

청구항 23에 기재한 발명에서는, 상기 청구한 21 또는 22에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 측정 단자에, 상기 접속 전극의 장착 방향을 향하여 돌출한 스터드 범프를 배설한 것을 특징으로 한다.

청구항 24에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 또는 22에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 위치 결정 요부의 내벽에, 상기 측정 단자와 전기적으로 접속한 구성으로 도전성 도금막을 형성한 것을 특징으로 한다.

청구항 25에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 24에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 측정 단자와 상기 도전성 도금막을 일체로 구성한 것을 특징으로 한다

또한, 청구항 26에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 또는 22에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 측정 단자에, 변형 가능한 도전성 수지를 배설한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 27에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 또는 22에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 하단부가 상기 측정 단자와 전기적으로 접속됨과 동시에, 상기 상단부에 상기 접속 전극이 배설되고, 내부에 상기 접속 전극을 상기 판상 접속 단자를 향하여 부세한 부세 수단을 갖는 검사 유니트를 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 28에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 또는 27에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서,

상기 접속 전극이 상기 판상 접속 단자에 접속할 때에 작용하는 압압력을 완충하는 완충 부재를 더 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 29에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 28에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서,상기 완충 부재에 노치부를 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 30에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 28에 기개한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 완충 부재를 복수의 분할 부재를 조합하여 구성한 것을 특징으로 힌다.

또한, 청구항 31에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 28에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 배열 기판을 탄성 재료에 의해 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 32에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 내지 31 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 판상 접속 단자와 상기 접속 전극이 일치하도록 위치 결정 처리를 행하는 위치 결정 기구를 설치힌 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 33에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 32에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서, 가이드 핀을 이용한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 34에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 32에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서, 상기 피검사 장치를 유지하는 고정 치구를 이용한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 35에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 32에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서, 상기 배열 기판에 위치 결정부를 형성한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 36에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 내지 35 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 판상 접속 단자와 상기 접속 전극이 일치하도록, 상기 피검사 장치의 얼라인 처리를 행하는 얼라인 기구를 더 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 37에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 내지 35 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 접속 전극의 상기 배열 기판으로의 장착시에, 상기 접속 전극의 비산을 방지하는 비산 방지부를 갖는 홀더를 더 설치한 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 38에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 내지 37 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치를 사용한검사 방법에 있어서, 상기 배열 기판에 형성된 위치 결정 요부에 상기 접속 전극을 장치시켜 각접속 전극의 위치 결정을 행하고, 상기 위치 결정이 행하여진 상태를 유지하면서, 상기 접속 전극을 상기 판상 접속 단자에 전기적으로 접속시켜 상기 피검사 장치의 검사를 행하는 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 39에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 내지 37 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법에 있어서, 상기 배열 전극을 진동시킴으로써, 상기 위치 결정 요부에 상기 접속 전극을 위치 결정하는 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 40에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 내지 37 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법에 있어서, 상기 배열 기판에 흡인 통로를 형성함과 동시에, 상기 흡인 통로에 흡인 장치를 접속하고, 상기 흡인 통로에 의해 상기 접속 전극을 흡인함으로써, 상기 배열기판에 형성된 상기 위치 결정 요부에 상기 접속 전극을 위치 결정하는 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 41에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 내지 37 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법에 있어서, 상기 배열 기판을 다공질 재료로 형성함과 동시에, 상기 배열 기판에 흡인장치를 접속하고, 상기 배열 기판에 상기 접속 전극을 흡인함으로써. 상기 위치 결정 요부에 상기 접속 전극을 위치 결정하는 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 42에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 내지 37 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법에 있어서, 상기 위치 결정 요부에 구배가 다른 제 1 및 제 2경사면을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2경사면의 구배차에 기초하여 상기 접속 전극을 상기 위치 결정 요부에 위치 결정하는 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 43에 기재한 발명에서는, 상기 청구항 21 내지 37 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법에 있어서, 상기 접속 전극의 재료로서 연질이고 또 저융점인 재료를 이용하고, 상기 피검사 장치에 대한 검사 처리기 종료한 후, 상기 접속 전극을 용융하여 원래의 형상으로 되돌리는 처리를 행하는 것을 특징으로 한다.

상기한 각 수단은, 다음과 같이 작용한다.

청구항 1 및 청구항 19에 기재한 발명에 의하면, 검사기판에 형성된 접속부는 변형 가능한 구성으로 되어 있으므로, 검사 기판과 지지 기판을 조합함으로써, 지지부는 접속부를 피검사 장치의 판상 접속 단자를 향하여 변형 부세한다. 이에 의해, 접속부는 검사 기판의 다른 부분에 비하여 돌출한 구성으로 된다.

따라서, 퍼검사 장치에 형성되어 있는 판상 접속 단자가 장치 외면과 면이 일치한 상태 또는 장착 외면으로부터 패인 상태로 형성되어 있어도, 접속부는 변형하면서 판상 접속 단자에 압압 접속되기 때문에, 접속부와 판상 접속 단자의 전기적 접속을 확실하게 행할 수 있다.

또한, 청구항 2에 기재한 발명에 의하면, 검사 기판의 적어도 지지 기판과 대향하는 측면에 완충 부재를 배설함으로써, 지지부는 완충 부재를 통하여 접속부를 변형 부세하게 된다. 이 때문에, 지지부와 접속부간에서의 마모의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 접속부를 완충 부재를 통하여 변형 부세 시킴으로써, 지지부만으로 변형 부세시킨 경우에 비하여 접속부는 크게 변형하게 되고, 접속부와 판상 접속 단자의 접촉 면적이 증대하여, 접속상태를 양호하게 할 수 있다.

또한, 청구항 3에 기재한 발명에 의하면, 접속부에 스터드 범프를 단층 또는 복수층 적층한 상태로 배설함으로써, 접속부의 스터드 범프의 형성 위치는 장착 방향을 향하여 돌출한 상태로 되므로, 판상 접속 단자와의 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다. 또한, 스터드 범프의 적층수를 적절히 선정함으로써, 스터드 범프의 높이를 판상 접속 단자와의 전기적 접속성이 제일 양호한 높이로 용이하게 설정할 수 있다.

또한, 스터드 범프는 반도체 장치의 제조 기술로서 일반적으로 사용되고 있는 와이어 본딩 기술을 사용히여 형성할 수 있으므로, 저 코스트로 작성 효율이 좋게 형성할 수 있다.

또한, 청구항 4에 기재한 발명에 의하면, 복수층 적층한 스터드 범프를 이종 금속으로 구성함으로써, 최선단부에 배설된 스터드 빔프의 재질을 판상 접속 단자에 대한 적합성이 양호한 것으로 선정할 수 있다. 또한, 최선단부 이외의 스터드 범프의 재질은 접속부 또는 다른 스터드 범프와 적합성이 좋은 것을 선정할 수 있다.

이 때문에, 최선단부에 배설된 스터드 범프와 판상 접속 단자와의 접속성, 각 스터드 범프사이의 접속성 및 스터드 범프와 접속부의 접속성을 모두 양호한 것으로 할 수 있다.

또한, 청구항 5에 기재한 발명에 의하면, 접속부의 표면을 거칠게 함으로써, 형성된 조화면(粗化面)은 미세한 요철이 형성된 상태로 되어 그 표면적이 넓어지고, 또한 미세한 철(凸)부는 돌기 전극으로 파고 들어간 상태로 되기 때문에 접속부와 판상 접속 단자의 전기적 접속을 확실하게 행할 수 있다.

또한, 청구항 6에 기재한 발명에 의하면, 접속부의 표면에 이종 재료로 된 표면 금속막을 피막 헝싱함으로써, 접속부 및 판상 접속 단자의 재료가 접합성이 불량한 것이어도 금속막으로서 접속부 및 판상 접속 단자의 쌍방에 대해 모두 접합성이 양호한 재료를 선정할 수 있게 된다.

따라서, 표면 금속막을 피막 형성함으로써, 접속부와 판상 접속 단자간의 전기적 접합성의 향상 및 접속부의 보호를 도모할 수 있다.

또한, 청구항 7 및 청구항 8에 기재한 발명에 의하면, 완충 부재에 노치부를 형성함으로써 또는 완충 부재를 복수의 분할 부재를 조합하여 구성함으로써, 완충 부재의 탄성은 형상의 면에서 증대하고, 이에 따라 완충 작용도 증대하므로, 접속부의 보호를 보다 확실하게 행할 수 있다.

또한, 청구항 9 및 청구항 10에 기재한 발명에 의하면, 지지 필름에 노치부를 형성함으로써, 지지 필름에도 탄성을 갖게 할 수 있다. 또한, 지지 필름을 복수의 분할 필름 부재를 조합하여 구성함으로써. 각 분할 필름 부재 사이에 간극을 형성시킬 수 있다.

따라서, 피검사 장치가 장착된 때에 발생하는 각 응력을 지지 필름이 변형함으로써 또는 간극 내에 분할 필름 부재가 이동함으로써 흡수할 수 있고, 이에 의해 접속부와 판상 접속 단자의 접촉 위치에 불필요한 응력이 인가되는 것을 방지할 수 있다.

또한 청구항 11에 기재한 발명에 의하면, 검사 기판에 전자 소자를 배설함으로써, 피검사 장치에서 실시되는 반도체검사 처리의 일부 또는 전부를 기판에 배설된 전자 소자에 의해 행할 수 있다.

또한, 청구항 12에 기재한 발명에 의하면, 피검사 장치와 접속부의 위치 결정을 행하는 위치 결정 기구를 설치함으로써, 판상 접속 단자와 접속부의 위치 결정을 용이하고 또한 정확하게 행할 수 있게되어, 판상 접속 단자와 접속부의 접속의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또한, 청구항 13에 기재한 발명에 의하면, 위치 결정 기구로서 가이드 핀을 이용함으로써, 간단한 구성으로 판상 접속단자와 접속부의 위치 결정을 행할 수 있개 된다.

또한, 청구항 14에 기재한 발명에 의하면, 위치 결정 기구로서, 피검사 장치를 지지하는 프레임부와 가이드핀이 일체화한 가이드 핀 부착 프레임을 이용함으로써, 피검사 장치 자체(장치의 외형 등)를 위치 결정을 행하는 지표로서 사용할 수 있으므로, 정확도가 높은 위치 결정을 행할 수 있게 된다.

또한, 청구항 15에 기재한 발명에 의하면, 가이드 핀 부착 프레임의 프레임부가 피검사 장치를 덮도록 유지하는 구성으로 함과 동시에, 이 프레임부의 내벽에 피검사 장치의 위치 결정을 행하는 테이퍼면을 형성함으로써, 피검사 장치를 프레임부에 삽입하는 것만으로 피검사 장치는 테이퍼면에 안내되어 소정의 장착 위치에 위치 결정된다. 따라서, 피검사 장치의위치 결정 처리, 환언하면 판상 접속 단자와 접속부의 위치 결정을 용이하게 행할 수 있게 된다.

또한, 청구항 16에 기재한 발명에 의하면, 프레임부에 피검사 장치의 얼라인 처리를 행하는 얼라인 기구를 설치하고, 판상 접속 단자가 접속부에 위치하도록 얼라인 처리를 행하는 구성으로 함으로써, 프레임부에 피검사 장치가 삽입된 직후에 판상 접속 단자와 접속부의 위치가 어긋나도, 얼라인 기구에 의해 얼라인 처리를 행함으로써, 판상 접속 단자와 접속부의 위치 맞춤을 행할 수 있다.

또한, 청구항 17에 기재한 발명에 의하면, 장착 상태애서의 피검사 장치를 도체층을 향하여 부세하는 부세 기구를 프레임부에 설치함으로써, 판상 접속 단자와 접속부간에는 소정의 부세력이 작용하고, 따라서 전기적 접속성을 향상시킬 수 있음과 동시에, 검사 시에 있어서 판상 접속단자가 접속부로부터 어긋남을 방지할 수 있다.

또한, 청구항 18에 기재한 발명에 의하면, 프레임부와 피검사 강치가 계합하는 부위에. 완충 효과를 갖는 탄성 부재를 배설함으로써, 과잉 압압력 또는 불필요한 외력이 작용한 경우에는, 이 압압력 또는 외력에 기인한 응력은 탄성 부재에 의헤 흡수되므로, 판상 접속 단자 및 접속부에 손상이 발생함을 방지할 수 있다.

또한 청구항 20에 기재한 발명에 의하면, 복수의 상기 피검사 장치에 대해 연속하여 검사를 행할 때, 1회의 검사가 종료할 때마다 상기 검사 기판을 상하 반전시켜 사용함으로써, 매회 검사 처리에서 접속부와 판상 접속 단자의 접속을 항상 양호하게 할 수 있다.

즉, 예를 들어 1회째의 검사에서, 지지부에 의해 접속부를 판상 접속 단자를 향하여 변형시켜 접속부와 판상 접속 단자를 전기적으로 접속시킬 때, 접속부에 소성 변형(즉, 변형전의 상태로 돌아가지 않는 상태)이 발생하는 것으로 생각된다.

따라서, 이대로의 상태에서 2회째의 검사를 실시하면, 1회째와 2회째에서는 피검사 장치의 장착 상태가 변화하거나, 또는 판상 접속 단자의 패인 양의 변화가 있는 경우에는, 접속부가 판상 접속 단자에 적정하게 접속되어 있지 않을 우려가 있다.

그래서, 2회째의 감사를 행할 때에 검사 기판을 상하 반전시켜 사용함으로써, 반전시킨 시점에서 접속부는 지지 기판을 향하여 돌출한 상태로 되고, 이에 의해 접속부를 재차 판상 접속 단자를 향하여 변형시킬 수 있게 된다. 따라서, 검사가 종료할 때마다 검사 기판을 상하 반진시켜 사용함으로써, 매회의 검사마다 접속부는 변형하게 되고, 따라서 전회의 접속부의 변형을 이력으로서 남기지 않고, 매회 검사 처리에서 접속부와 판상 접속 단자를 항상 양호한 상태로 접속시킬 수 있다.

또한, 청구항 21에 기재한 발명에 의하면, 판상 접속 단자의 형성 위치와 대응한 위치에 측정 단자 및 위치 결정 요부가 형성된 측정 기판과 배열 기판을 조합하고, 또 이 위치 결정 요부에 접속 전극을 장착함으로써, 접속 전극은 판상 접속 단자의 형성 위치에 대응한 위치에 위치 결정된 상태로 된다. 또한, 위치 결정 요부에 장착된 상태에서, 접속 전극의 하단부는 측정 단자와 전기적으로 접속되고, 또 그 상부는 배열 기판보다 상방을 향하여 돌출되어 있다.

따라서, 상기 구성으로 된 반도체 검사 장치에 판상 접속 단자를 갖는 피검사 장치가 장착되면, 접속 전극은 판상 접속 단자에 압압된다. 이 때, 피검사 장치에 형성되어 있는 판상 접속 단자가 장치 외면과 면이 일치한 상태 또는 장치 외면에서 패인 상태로 형성되어 있어도, 접속 전극은 돌출하고 있기 때문에 판상 접속단자에 압압 접속할 수 있고, 따라서 접속 전극과 판상 접속 단자의 전기적 접속을 확실하게 행할 수 있다.

또한, 청구항 22에 기재한 발명에 의하면, 접속 전극의 외주에 보호막을 형성함으로써, 접속 전극의 산화 등의 변질 및 판상 접속 전극과의 접접(sliding contact)에 의한 손상의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 판상 접속 단자의 재료와의 매칭(matching)도 행하기 쉽게 된다.

또한, 청구항 23에 기재한 발명에 의하면, 측정 단자에 접속 전극의 장착 방향을 향하여 돌출한 스터드 범프를 배실함으로써, 측정 단자의 스터드 범프의 형성 위치는 위치 결정 요부 내로 향하어 돌출한 상태로 되므로, 이 위치 결정 요부에 장착되는 접속 전극과의 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다.

또한, 청구항 24에 기재한 발명에 의하면, 위치 결정 요부의 내벽에, 측정 단자와 전기적으로 접속한 구성으로 도전성 도금막을 형성함으로써, 접속 전극은 이 도전성 도금막과도 접촉하므로, 실질적으로 측정 단자와 접속 전극과의 접촉 면적을 증대시킬 수 있고, 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다. 또한, 접속 전극이 위치 결정 요부 내에서 변위하는 경우에 있어서도, 확실하게 측정 단자와 접속 전극의 전기적 접속을 행할 수 있다.

또한, 청구항 25에 기재한 발명에 의하면, 측정 단자와 도전성 도금막을 일체적인 구성으로 함으로써, 반도체 검사 장치의 간단화 및 저 코스트화를 도모할 수 있다.

또한, 청구항 26에 기재한 발명에 의하면, 측정 단자에 변형 가능한 도전성 수지를 배설함으로써, 접속 전극을 위치 결정 요부 내에 장착함으로써 도전성 수지는 확대된다. 도전성 수지는 전기를 통하므로, 실질적으로 측정 단자와 접속 전극의 접촉 면적을 증대시킬 수 있고, 따라서 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다. 또한, 접속 전극이 위치 결정 요부 내에서 변위하는 경우에 있어서도, 확실하게 측정 단자와 접속 전극의 전기적 접속을 행할수 있다.

또한, 청구항 27에 기재한 발명에 의하면, 검사 유니트에 설치된 부세 수단에 의해, 접속 전극은 판상 접속 단자를 향하여 부세되므로, 접속 전극과 판상 접속 단자의 전기적 접속을 확실하게 행할 수있다.

또한, 청구항 28에 기재한 발명에 의하면, 접속 전극이 판상 접속 단자에 접속할 때에 작용하는 압력을 완충하는 완충부재를 설치함으로써, 과잉 압압력이 직접 접속 전극과 판상 깁속 단자와의 접속위치에 인가됨을 방지할 수 있고, 따라서 접속 전극 및 판상 접속 단자의 보호를 도모할 수 있다.

또한, 청구항 29 및 청구항 30에 기재한 발명에 의하면, 완충 부재에 노치부를 형성함으로써, 또는 완충 부재를 복수의 분할 부재를 조합하여 구성함으로써, 완충 부재의 탄성은 형상의 면에서 증대하고, 이에 따라 완충 작용도 증대하므로, 접속 전극 및 판상 접속 단자의 보호를 보다 확실하게 행할 수 있다.

또한, 청구항 31에 기재한 발명에 의하면, 배열 전극을 탄성 재료에 의해 형성함으로써, 완충 부재를 배열 기판과 별개로 설치한 구성에 비하여 반도체 검사 장치의 구조의 간단화 및 저 코스트화를 도모할 수 있다.

또한, 청구항 32에 기재한 발명에 의하면, 판상 접속 단자와 접속 전극이 일치하도록 위치 결정 처리를 행하는 위치 결정 기구를 설치함으로써, 판상 접속 단자와 접속 전극의 위치 결정을 용이하고 정확하게 행할 수 있게 되고, 판상 접속 단자와 접속 전극의 전기적 접속의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또한, 청구항 33에 기재한 발명에 의하면, 위치 결정 기구로서 가이드 핀을 이용함으로써, 간단한 구성으로 판상 접속단자와 접속 전극간 및 각 기판간 및 각 기판과 판상 접속 단자간의 위치 결정을 행할 수 있게 된다.

또한, 청구항 34에 기재한 발명에 의하면, 위치 결정 기구로서 피검사 장치를 지지하는 고정 치구를 사용함으로써, 피검사 장치 자체를 위치 결정을 행하는 지표로서 사용할 수 있으므로, 정확도가 높은 위치 결정을 행할 수 있게 된다.

또한, 청구항 35에 기재한 발명에 의하면, 위치 결정 기구로서 배열 기판에 위치 결정부를 형성함으로써, 피검사 장치를 배열 기판에 장착하는 대로 피검사 장치는 위치 결정부에 안내되어 소징 장착위치에 위치 결정된다. 따라서, 피검사 장치의 위치 결정 처리를 용이하게 행할 수 있게 된다. 또한, 위치 결정부와 배열 기판의 위치 결정 처리를 행할 필요가 없게되므로, 위치 결정 작업의 용이화를 도모할 수 있다.

또한, 청구항 36에 기재한 발명에 의하면, 판상 접속 단자와 접속 전극이 일치하도록, 피검사 장치의 얼라인 치리를 행하는 얼라인 기구를 설치함으로써, 배열 전극에 피검사 장치가 삽입된 직후에 있어서 판상 접속 단자와 접속 전극의 위치가 이긋나 있어도, 얼라인 기구에 의해 얼라인 처리를 행함으로써, 판상 접속 단자와 접속 전극의 위치를 일치시킬 수 있다.

또한, 청구항 37에 기재한 발명에 의하면, 접속 전극의 배열 기판으로의 장착시에, 접속 전극의 비산을 방지하는 비산 방지부를 갖는 홀더를 설치함으로써, 잉여로 된 접속 전극의 처리를 용이하게 행할 수 있다.

또한, 청구항 38에 기재한 발명에 의하면, 배열 기판에 형성된 위치 결정 요부에 접속 전극을 장착하는 정도의 간단한 처리로 각 접속 전극의 위치 결정을 행할 수 있다. 또한, 이 위치 결정이 행해진 상태를 유지하면서 접속 전극을 판상 접속 단자에 전기적으로 접속시켜 피검사 장치의 검사를 행함으로써, 접속 전극과 판상 접속 단자를 정확도가 좋게 접속할 수있어, 검사의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또한, 청구항 39에 기재한 발명에 의하면, 배열 기판을 진동시킴으로써 위치 결정 요부에 접속 전극을 위치 결정함으로써, 접속 전극은 배열 기판 위에서 상대적으로 진동하고, 결국 배열 기판에 형성된 위치 결정 요부로 들어가 위치 결정된다. 따라서, 접속 전극과 위치 결정 요부의위치 결정(즉, 접속 전극과 판상 접속 단자의 위치 결정)을 용이함과 동시에 자동적으로 행할 수 있다.

또한, 청구항 40 및 청구항 41에 기재한 발명에 의하면, 배열 기판에 접속 전극의 흡인 처리를 행하는 흡인 수단을 설치함으로써, 접속 전극은 흡인 수단에 의해 흡인되어 배열 기판에 형성된 위치 결정 요부에 장착된다. 이와 같이, 접속 전극은 흡인 수단이 발생하는 흡인력에 의해 강제적으로 위치 결정 요부에 삽입되어 위치 결정되므로, 확실한 위치 결정 처리를 행할 수 있다.

또한, 청구항 42에 기재한 발명에 의하면, 위치 결정 요부에 구배가 다른 제 1 및 제 2경사면을 형성함으로써, 구배가 완만한 경사면을 접속 전극을 안내하는 안내면으로서 사용하고, 구배가 급한 경사면을 접속 전극을 계지하는 계지면으로서 사용할 수 있다.

그리고, 접속 전극은, 이 제 1 및 제 2경사면의 구배차에 기초하여 접속 전극은 위치 결정 요부로 안내되어 계지되므로, 간단하면서 용이하게 접속 전극과 위치결정 요부의 위치 결정 처리를 행할 수 있다.

또한, 청구항 43에 기재한 발명에 의하면, 접속 전극의 재료로서 연질이면서 저융점인 재료를 사용함으로써, 예를 들어 피검사 장치의 경사 또는 높이의 편차가 있는 경우 등에서도, 접속 전극이 변형함으로써 이를 흡수할 수 있고, 따라서 검사를 행할 수 있게 된다. 또한, 피검사 장치에 대한 검사 처리가 종료한 후는, 접속 전극은 저융점이므로 용이하게 용융시킬수 있어, 원래의 형상으로 되돌릴 수 있다.

(발명의 실시 형태)

다음에, 본 발명의 실시 헝태에 대해서 도면과 함께 설명한다.

도 1 및 도 2는, 본 발명의 제 1실시예인 반도체 검사 장치(10A-1) 및 이를 사용한 검사 방법을 설명하기 위힌 도면이다. 본 실시예에 관한 반도체 검사 징치(10A-1)는, 대략 검사 기판(39A)과 지지 기판(40)으로 구성되어 있다.

이 반도체 검사 장치(10A-1)는, 각 도면에 나타낸 바와 같이 피검사 장치로 되는 반도체 장치(1)가 장착되고, 이 장착 상태에서 반도체 장치(1)에 대하여 전기적 동작 검사를 행할 때에 사용되는 것이다. 또한, 반도체 검사 장치(10A-1)가 검사 대상으로 하는 반도체 장치(1)는, 외부 접속 단자로서 장착 본체 하면과 면이 일치하거나 패인 구성의 판상 접속 단자(2)를 갖는 장치이다.

또한, 이하의 설명에서는, 피검사 장치로서 판상 접속 단자(2)를 갖는 반도체 장치(1)를 사용한 예를 나타내지만, 이하 각 실시예에서 설명하는 반도체 검사장치는, 외부 접속 단자로서 판상 접속 단자를 갖는 각종 장치(예를 들어, 회로 기판 장착 등)의 검사에 적용할 수 있는 것이다. 또한, 이하의 설명에서 사용하는 반도체 장치(1)는, 하면에 절연막(3)이 형성되어 있으므로, 이 막 두께만큼 판상 접속 단자(2)가 패인 상태로 되어 있다.

이하, 반도체 검사 장치(10A-1)의 구체적 구성에 대해서 설명한다.

검사 기판(39A)은, 도체층(11)과 지지 필름(13)에 의해 구성되어 있다. 도체층(11)은, 예를 들어 구리(Cu)막이고, 또 지지 필름(13)은 폴리이미드 등의 절연수지 재료로 형성된 필름이다. 도체층(11)은 지지 필름(13) 위에 형성되어 있다.

이 도체층(11) 및 지지 필름(13)은, 통상 전자 기기 등에 사용되고 있는 플렉서블 프린트 기판(Fexible Printed Circuit, 이하 FPC)과 동일한 구성이고, 따라서 FPC를 사용하여 본 실시예에 관한 검사 기판(39A)을 실험함도 가능하다.

또한, 도체층(11)의 판상 접속 단자(2)와 접속하는 부위에는 접속부(14)가 형성되어 있다. 접속부(14)의 형성 위치에시는 지지 필름(13)이 제거된 구성으로 되어 있고, 이 지지 필름(13)이 제거된 부분에 도체층(11)이 칸티레버 형태로 연장되어 나옴으로써 접속부(14)가 구성되어 있다(도 17 참조). 이와 같이, 접속부(14)의 형성 위치에서는 지지 필름(13)이 제기되어 있으므로, 도체층(11)의 일부로서 구성된 접속부(14)는 용이하게 변형 가능한 구성으로 되어 있다.

한편, 지지 기판(40)은 절연성을 갖는, 예를 들어 경질 수지로 형성되어 있고 반도체 장치(1)에 설치된 판상 접속 단자(2)와 대향하는 위치에는 지지부(15)가 형성되어 있다. 따라서, 지지부(15)의 형성 위치는, 상기한 검사 기판(39A)에설치된 접속부(14)의 형성 위치와도 대응하고 있다. 이 지지부(15)는 검사 기판(39A)을 향하여 돌출 형성된 돌기이고, 도 2에 나타낸 바와 같이, 검사 기판(39A)과 지지 기판(40)이 조합된 상태에서, 접속부(14)를 판상 접속 단자(2)를 향하여 변형 부세하는 기능을 갖고 있다.

이어서, 상기 구성으로 된 반도체 검사 장치(10A-1)를 사용하여 반도체 장치(1)에 대한 검사를 행하는 방법에 대해서 설명한다.

반도체 장치(1)에 대하여 검사를 행하기 위해서는, 반도체 장치(1)에 설치되어 있는 판상 접속 단자(2), 검사 기판(39A)에 형성되어 있는 접속부(14) 및 지지기판(40)에 형성되어 있는 지지부(15)를 위치 결정하고, 이어서 반도체 장치(1), 검사 기판(39A) 및 지지 기판(40)을 조합한다.

이 때, 먼저 반도체 장치(1)를 검사 기판(39A)에 장착하고, 그 후에 지지 기판(40)을 조합하는 방법을 사용하여도, 또한 먼저 검사 기판(39A)과 지지 기판(40)을 조합시켜 두고 그 후에 반도체 장치(1)를 장착하는 방법을 사용하여도 좋다.

상기한 바와 같이, 검사 기판(39A)에 형성된 접속부(14)는 빈형 가능한 구성으로 되어 있으므로, 검사 기판(39A)과 지지 기판(40)을 조합시킴으로써, 지지부(15)는 접속부(14)와 계합하고, 반도체 장치(1)의 판상 접속 단자(2)를 향하여 변형 부세한다. 이에 의해 접속부(14)는 검사 기판(39A)보다 돌출한 구성으로 된다.

이에 의해, 반도체 장치(1)에 형성되어 있는 판상 접속 단자(2)가 장치 외면과 면이 일치한 상태 또는 장치 외면에서 패인 상태로 형성되어 있어도, 도 2에 나타낸 바와 같이, 접속부(14)는 지지부(15)에 의해 변형하면서 판상 접속 단자(2)에 압압 접속되므로, 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)의 전기적 접속을 확실하게 행할 수 있다. 따라서, 반도체 장치(1)에 대해 고 정확도로 신뢰성 높은 검사를 실시할 수 있게 된다.

또한, 반도체 검사 장치(10A-1)에는, 도시하지 않은 반도체 검사용 테스터가접속되어 있고, 따라서 반도체 검사 장치(10A-1)에 장착된 상태로 반도체 장치(1)에 대한 전기적 동작 검사가 실시된다.

또한, 상기한 바와 같이 접속부(14)가 변형하기 위헤서는 도체층(11)을 얇게 형성할 필요가 있고, 따라서 도체층(11)의 기계적 강도가 저하하는 것으로 생각된다. 그런데, 도체층(11)은 지지 필름(13)에 지지되이 있으므로(접속부(14)는 제외), 도체층(11)의 기계적 강도는 유지되고 있다.

이어서, 본 발명의 제 2실시예에 대헤서 설명한다.

도 3 내지 도 5는, 본 발명의 제 2실시예인 반도체 검사 장치(10A-2)를 나타내고 있다. 또한, 이하 설명하는 각 실시예에서, 도 1 및 도 2를 이용하여 설명한 제 1실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-1)의 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일 부호를 붙여 그 설명을 생략한다.

본 실시예에서는, 제 1실시예에서 설명한 검사 기판(39A)에 완충 부재(12A)를 더 설치한 구성의 검사 기판(39B)을 사용한 것을 특징으로 한다. 이 완충 부재(12A)는 절연성을 갖는 탄성 부재(예를 들어, 고무, 가소성 수지 등)로 형성되어있고, 도 3에 나타낸 바와 같이, 지지 필름(13)의 지지 기판(40)과 대향하는 측의 면에, 예를 들어 장착 등에 의해 배설(고정)된 구성으로 되어 있다.

상기 구성으로 된 반도체 검사 장치(10A-2)에서는, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 지지부(15)는 완충 부재(12A)를 통하여 접속부(14)를 변형 부세하게 된다. 이 때문에, 경질 수지로 된 지지부(15)가 직접 접속부(14)와 접접하지 않게 되고 따라서 지지부(15)와 접속부(14)간에서의 마모의 발생을 억제할 수 있다. 이에 의해, 접속부(14)에 손상이 발생함을 방지할 수 있고, 접속부(14)를 수명을 길게 할 수 있게 된다.

또한, 완충 부재(12A)를 통하여 접속부(14)를 변형 부세함으로써, 지지부(15)만에 의해 변형 부세된 경우에 비하여, 접속부(14)를 크게 변형시킬 수 있게 된다. 이에 의해, 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)의 접촉 면적이 증대하고, 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)의 전기적 접속 상태를 양호하게 할 수 있다. 또한, 반도체 장치(1)가 반도체 검사 장치(10A-2)에 장착될 때 또는 불측의 외력이 인가된 경우에서도, 완충 부재(12A)는 이를 완충할 수 있고, 따라서 판상 접속 단자(2) 및 접속부(14)의 보호를 도모할 수 있다.

또한, 완충 부재(12A)는 접속부(14)를 지지하는 기능을 갖는다. 즉, 접속부(14)는, 상기와 같은 판상 접속 단자(2)와의 전기적 접속성을 향상시킨다는 면에서 지지 필름(13)을 제거할 필요가 있지만, 단지 지지 필름(13)을 제거한 구성으로는 접속부(14A)의 기계적 강도가 저하한다. 그런데, 완충 부재(12A)를 설치함으로써, 접속부(14)는 완충 부재(12A)에 지지된 구성으로 된다. 따라서. 접속부(14)의 실질직인 기계적 강도를 완충 부재(12A)에 의해 증가시킬 수 있고, 항상 안정된 검사를 실시할 수 있게 된다.

이어서, 본 발명의 제 3실시예에 대해서 설명한다.

도 6 내지 도 8은, 본 발명의 제 3실시예인 반도체 검사 장치(10A-3)를 나타내고 있다. 도 6은 반도체 검사 장치(10A-3)의 분해도이고, 또한 도 7 및 도 8은 검사 상태의 반도체 검사 장치(10A-3)를 나타내고 있다.

상기한 제 2실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-2)에서는, 완충 부재(12A)를 일체화한 검사 기판(39B)을 나타내었다. 이에 대해, 본 실시예에 관한 반도체검사 장치(10A-3)는. 제 1실시예에시 사용한 검사 기판(39A)을 사용하고, 완충 부재(12B)를 검사 기판(39A)과 별개로 한 것을 특징으로 한다.

이와 같이, 검사 기판(39A)과 완충 부재(12B)를 별도로 구성하여도, 상기한 제 2실시예와 같은 효과를 실현할 수 있다. 또한, 제 2실시예에서 필요로 된, 지지필름(13)과 완충 부재(12A)의 접착 처리를 불필요하게 할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 4실시예에 대해서 설명한다.

도 9는, 븐 발명의 제 4실시예인 반도체 검사 장치(10A-4)를 나타내고 있다.

본 실시예에서는, 지지 필름(13)과 도체층(11)을 통하여 대향하는 부분, 즉 검사상태에서 반도체 장치(1)와 대향하는 부위(접속부(14)를 제외)에 절연 부재(25)를 배설한 것을 특징으로 한다.

이 절연 부재(25)는, 절연성 수지 재료 등에 의해 구성되어 있고, 도 9에 나타낸 바와 같이, 그 높이는 검사시에 있어서 반도체 장치(1)의 저면과 접촉하거나 또는 약간 이간하는 치수로 설정되어 있다. 이와 같이, 검사 기판(39B)의 반도체장치(1)와 대향하는 면에 절연 부재(25)를 설치함으로써, 도체층(11)이 반도체 장치(1)와 접촉함을 방지할 수 있다.

일반적으로 반도체 장치(1)는, 판상 접속 단자(2)가 형성된 면에 회로 형성이 되어 있으므로, 이 면(저면)에 도체층(11)이 접촉하면 오동작을 행할 가능성이 있다. 그런데, 상기와 같이 검사 기판(39B)의 반도체 장치(1)와 대향하는 면에 절연 부재(25)를 설치함으로써, 도체층(11)과 반도체 장치(1)가 접촉하는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 따라서 검사 시에 반도체 장치(1)에 오동작 등의 발생을 방지할 수 있어 신뢰성이 높은 검사를 행할 수 있게 된다.

이어서, 본 발명의 제 5실시예에 대해서 설명한다.

도 10은, 본 발명의 제 5실시예인 반도체 검사 장치(10A-5)를 나타내고 있다. 본 실시예에서는, 지지 필름(13)과 도체층(11)을 통하여 대향하는 부분, 즉 검사 상태에서 반도체 장치(1)와 대향하는 부위(접속부(14)를 제외)에, 탄성 부재(26)를 배설한 것을 특징으로 한다.

이 탄성 부재(26)는, 절연성을 갖음과 동시에 탄성 변형 가능한 재료(예를 들어, 실리콘 고무 등)로 구성되어 있고, 도 10에 나타낸 바와 같이, 그 높이는 검사 시에 반도체 장치(1)의 저면과 접촉하도록 설정되어 있다.

이와 같이, 검사 기판(39B)의 반도체 장치(1)와 대향하는 면에 탄성 부재(26)를 설치함으로써, 반도체 장치(1)를 접속부(14)의 형성 위치만이 아닌, 탄성부재(26)로도 지지할 수 있다. 따라서, 접속부(14)에 인가된 압압력은 분산되고, 접속부(14)에 손상이 발생함을 방지할 수 있다.

또한, 반도체 장치(1)에 불측의 외력이 인가되는 경우에도, 완충 부재(12B)에 대하여, 탄성 부재(26)에서도 이를 완충할 수 있고, 따라서 판상 접속 단자(2)및 접속부(14)의 보호를 보다 확실하게 할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 6실시예에 대해서 설명한다.

도 11은 제 6실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-6)의 접속부(14)를 확대하여 나타내고 있다. 본 실시예에서는, 접속부(14)의 선단부(판상 접속 단자(2)와 접속하는 부분)에 스터드 범프(16)(돌기 전극)를 형성함을 특징으로 한다.

스터드 범프(16)는, 예를 들이 와이어 본딩법을 사용하여 형성된 것이다. 이 스터드 범프(16)를 와이어 본딩법에 의해 형성함에는, 먼저 와이어 본딩 장치에 설치된 캐필러리(capillary)를 사용하여 접속부(14)의 선단부에 소위 네일 헤드(nail head)부를 형성하고, 그 후 캐필러리를 약간 위로 움직여 위에서 와이어를 절단한다. 이 정도의 간단한 처리에 의해 스터드 범프(16)를 형성할 수 있다.

이와 같이, 스터드 범프(16)를 접속부(14)의 선단부에 형성함으로써, 접속부(14)의 선단부는 돌출한 구조로 된다. 그리고, 판상 접속 단자(2)가 접속부(14)와 접속될 때, 접속부(14)에서 돌출한 스터드 범프(16)가 판상 접속 단자(2)와 접속하게 된다. 이 접속 시, 스터드 범프(16)는 판상 접속 단자(2)에 파고 들어간 상태로 된다. 따라서, 접속부(14B)의 보호를 도모하면서, 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)와의 전기 접속성을 향상시킬 수 있다.

또한, 도면에서는 편의상, 스터드 범프(16)의 형상을 크게 나타내고 있지만, 실제의 스터드 범프(16)는 작고, 따라서 스터드 범프(16)가 판상 접속 단자(2)에 파고 들어가도 판상 접속 단자(2)에 손상을 주지는 않는다.

또한, 상기한 바와 같이, 스터드 범프(16)는 반도체 장치의 제조 기술로서 일반적으로 사용되고 있는 와이어 본딩 기술을 이용하여 형성할 수 있으므로, 저 코스트이면서 작성 효율이 좋은 스터드 범프(16)를 형성할 수 있다.

또한, 통상 스터드 범프는 그 선단부에 와이어 절단에 의한 작은 돌기가 형성되고, 이 작은 돌기는 뾰족한 형상으로 되므로, 이에 의해서도 접속부(14)(스터드 범프(16))와 판상 접속 단자(2)의 전기 접속성을 향상시킬 수 있다.

도 12는, 상기한 제 6실시예의 제 1변형예인 반도체 검사 장치의 접속부(14)를 확대하여 나타내고 있다. 본 변형예에서는, 복수(본 변형예에서는 2개)의 스터드 범프(16)를, 다단으로 적층한 구성을 특징으로 한다.

이 도면에서 나타낸 바와 같이, 복수개의 스터드 범프(16)를 적층함은 가능하고, 복수개의 스터드 범프(16)를 적층함으로써, 스터드 범프(16) 전체의 접속부(14)에서의 돌기량을 높게 할 수 있다. 따라서, 판상 접속 단자(2)의 패인 양으로 최적인 높이의 스터드 범프(16)를 설치할 수 있어, 판상 접속 단자(2)의 전기적 접속성을 향상할 수 있다.

도 13은 상기한 제 6실시예의 제 2변형예인 반도체 검사 장치의 접속부(14)를 확대하여 나타내고 있다. 본 변형예에서는, 이종 금속으로 된 스터드 범프(16A, 16B)를 복수개(본 변형예에서는 2개) 다단으로 형성함을 특징으로 한다.

본 변형예에서는, 스터드 범프(16A,16B)를 2층 적층한 구조로 되어 있고, 또한 그 최선단부의 스터드 범프(16A)의 재료는 팔라듐(Pd)으로 되어 있고, 또 하부의 스터드 범프(16B)의 재료는 금(Au)으로 되어 있다.

이와 같이, 최선단부의 스터드 범프(16A)의 재료를 팔라듐(Pd)으로 함은, 일반적으로 판상 접속 단자(2)에는 땜납 도금이 되어 있고, 땜납과의 접합성을 고려한 것이다. 또한, 하부의 스터드 범프(16B)의 재료를 금(Au)으로 함은, 상기와 같이 접속부(14)의 재질이 구리(Cu)이고, 이 구리(Cu)와 선단부의 스터드 범프(16A)의 재료인 필라듐(Pd)의 쌍방에 대한 접합성을 고려한 것이다.

상기와 같이, 이종 금속으로 된 스터드 범프(16A, 16B)를 복수개 다단으로 형성함으로써, 최선단에 배설된 스터드 범프(16A)의 재료를 판상 접속 단자(2)에 대한 접합성이 좋은 것으로 선정할 수 있고, 또 최선단부 이외의 스터드 범프(16B)의 재료는 접속부(14) 또는 최선단부에 배설된 스터드 범프(16A)에 대한 접합성이 좋은 것으로 선정할 수 있다.

이에 의해, 최선단부에 배설된 스터드 범프(l6A)와 판상 접속 단자(2)의 접속성, 스터드 범프(16B)와 접속부(14)의 접속성 및 하부의 스터드 범프(16B)를 복수개 배설한 경우에는 각 스터드 범프(16B)간의 접속성을 모두 양호한 것으로 할 수 있다.

도 14는 상기한 제 6실시예의 제 3변형예인 반도체 검사 장치의 접속부(14)를 확대하여 나타내고 있다. 본 변형예에서는, 접속부(14)의 선단 표면부(판상 접속 단자(2)와 접속하는 부분)에 조화면(粗化面)(17)을 형성한 것을 특징으로 한다.

이 조화면(17)은, 접속부(14)의 표면부에 블라스트 가공 또는 화학적 조화가공(예를 들어, 강산에 침지)함으로써 형성된다. 이와 같이 형성된 조화면(17)의 표면은 미세한 요철이 존재하는 상태이므로, 그 실질적인 표면적은 넓게 된다. 또한, 판상 접속 단자(2)가 당접한 시점에서 미세한 칠부는 판상 접속 단자(2)에 파고 들어간 상태로 된다. 따라서, 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)의 전기적 접속을 확실하게 행할 수 있다.

도 15는, 상기한 제 6실시예의 제 4변형예인 반도체 검사 장치의 접속부(14)를 확대하여 나타내고 있다. 본 변형예에서는, 접속부(14)의 선단 표면부(판상 접속 단자(2)와 접속하는 부분)에 이종 금속막(18)을 형성한 것을 특징으로 한다.

이종 금속막(18)은, 접속부(14)의 재료와는 다른 재료인 금속막이다. 구체적으로는, 접속부(14)는 구리(Cu)이고, 이종 금속막(18)의 재료로서는 접속부(14)의 재료와는 다른, 예를 들어 니켈(Ni) 또는 팔라듐(Pd)이 선정되어 있다.

본 실시예에서 이종 금속막(18)의 재료로서 니켈(Ni) 또는 필라듐(Pd)을 선정함은, 다음의 이유이다. 즉, 일반적으로 반도체 장치(1)의 판상 접속 단자(2)에는 땜납 도금이 되어 있고, 이 땜납과의 접합성과, 구리로 된 접속부(14)의 접합성의 쌍방을 양립시키는 재료로서 니켈(Ni) 또는 필라듐(Pd)을 선정하고 있다.

이와 같이, 접속부(14)의 표면부에 접속부(14) 및 판상 접속 단자(2)의 쌍방에 적합성을 갖는 이종 금속막(18)을 형성함으로써, 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)가 접합성이 불량한 것이어도, 그 사이에 개재한 이종 금속막(18)에 의해 접속부(14)와 판상 접속 단자(2) 사이에서의 전기적 접합성의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 반도체 장치(1)의 장착 시에 판상 접속 단자(2)가 접접하는 부위인 접속부(14)의 표면부가 이종 금속막(18)애 의해 덮인 구성으로 되므로, 접속부(14)의 보호를 도모할 수도 있다.

도 16은 상기한 완충 부재(12A, 12B)의 다른 구성예를 나타내고 있다.

도 3 및 도 6에 나타낸 완충 부재(12A, 12B)는 편평한 판상 부재이고, 홈이나 노치 등은 형성되어 있지 않다. 이에 대해 도 16a에 나타낸 구성예는, 완충 부재(12C)에 다수의 노치부(19)를 형성한 것을 특징으로 하고 있고, 또한, 도 16b에 나타낸 변형예는, 완충 부재(12D)를 복수의 분할 부재(20a ∼ 20d)를 조합하여 구성한 것을 특징으로 한다.

이와 같이, 완충 부개(12C)에 노치부(19)를 형성함으로써, 또 완충 부재(12D)를 복수(본 실시예에서는 4매)의 분할 부재(20a ∼ 20d)를 조합하여 구성함으로써, 완충 부재(12C, 12D)의 탄성은 형상의 면에서 증대한다. 즉, 완충 부재(12C)의 경우에는, 노치부(19)를 설치함으로써. 외력 인가시에 이 노치부(19)가 확대 축소하므로, 완충 부재(12C)의 강성을 저하시킬 수 있다.

또한, 완충 부재(12D)의 경우에는, 분할 부재(20a ∼ 20d)를 조합함으로써, 각 분할 부재(20a ∼ 20d)의 경계 부분에는 간극부(21)가 형성되고, 이 간극부(21)는 완충 부재(12C)의 노치부(191)와 같은 기능을 갖는다. 따라서, 완충 부재(12C, 12D)의 완충 작용이 증대하고, 이에 의해 접속부(14)의 보호를 보다 확실하게 행할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 7및 제 8실시예에 대해서 설명한다.

도 17a는 본 발명의 제 7실시예인 반도체 검사 장치(10A-7)를 나타낸 평면도이고, 또 도 17b는 본 발명의 제 8실시예인 반도체 검사 장치(10A-8)를 나타낸 평면도이다.

도 17a에 나타낸 반도체 검사 장치(10A-7)는, 지지 필름(13)에 노치부(23)를 형성한 것을 특징으로 한다. 또한, 도 17b에 나타낸 반도체 검사 장치(10A-8)는, 지지 필름(13)을 복수(본 실시예에서는 4매)의 분할 필름 부재(24a ∼ 24d)를 조합하여 구성한 것을 특징으로 한다.

도 17a에 나타낸 바와 같이 지지 필름(13)에 노치부(23)를 형성함으로써, 지지 필름(13)에도 탄성을 줄 수 있다. 또한, 도 17b에 나타낸 바와 같이 지지 필름(13)을 복수의 분할 필름 부재(24a ∼ 24d)를 조합하여 구성함으로써. 각 분할 필름부재 사이에 간극(25)을 형성시킬 수 있다.

따라서, 반도체 장치(1)가 장착된 때에 발생하는 각종 응력(예를 들어, 판상 접속 단자(2)가 접속부(14)를 누름으로써 발생하는 응력 또는 반도체 장치(1)의 발열에 의해 발생하는 열응력 등)을 노치부(23)가 확대 축소 변형함으로써 또는 간극(25) 내에서 분할 필름 부재(24a ∼ 24d)가 이동함으로써 흡수할 수 있다.

이에 의해, 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)의 집촉 위치에 불필요한 응력이 인가됨을 방지할 수 있고, 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)의 접속 상태를 양호한 상태로 유지할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 9실시예에 대해서 설명한다.

도 18은 본 발명의 제 9실시예인 반도체 검사 장치(10A-9)를 나타내고 있다.본 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-9)는, 상기한 각 실시예에서는 접속부(14)마다 지지 필름(13)을 제거한 것에 대해, 각 접속부(14)를 연통하는 연통홈부(27)를 형성한 것을 특징으로 한다.

이와 같이, 각 접속부(14)를 연통하는 연통홈부(27)를 형성함으로써, 이 연통홈부(27)에 도 17에서 나타낸 노치부(23)와 같은 기능을 갖게 할 수 있다. 따라서, 도 17의 구성에서는 노치부(23)를 형성함으로서 도체층(11)의 배설 위치의 자유도에 제한이 생기지만, 본 실시예의 구성에 의하면, 지지 필름(13)에 탄성을 주면서, 또 도체층(11)의 배설 위치의 자유도를 향상시킬 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 10내지 제 12실시예에 대해서 설명한다.

도 19는 본 발명의 제 10실시예인 반도체 검사 장치(10A-10)를 나타내고 있고, 또한 도 20a는 본 발명의 제 11실시예인 반도체 검사 장치(10A-11)를 나타내고 있고, 또한 도 20b는 본 발명의 제 12실시예인 반도체 검사 장치(10A-12)를 나타내고 있다.

제 10내지 제 12실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-10 ∼ 10A-12)는, 검사기판(39B) 위에, 도체층(11)과 접속한 전자 소자(36 ∼ 38)를 배설한 것을 특징으로 한다.

도 19에 나타낸 반도체 검사 장치(10A-10)는, 검사 기판(39B) 위에 반도체장치(36)(IC)를 배설하고, 이 IC(36)와 도체층(11)을 전기적으로 접속한 것이다. 또한, 도 20a에 나타낸 반도체 검사 장치(10A-11)는, 검사 기판(39B) 위에 컨덴서(37)를 배설하고, 이 컨덴서(37)와 도체층(11)을 전기적으로 접속한 것이다. 또한, 도 20b에 나타낸 반도체 검사 장치(10A-12)는, 검사 기판(39B) 위에 저항(38)을 배설하고, 이 저항(38)과 도체층(11)을 전기적으로 접속한 것이다.

상기한 바와 같이, 검사 기판(39B)에 전자 소자(36 ∼ 38)를 배설함으로써, 임피던스 정합 또는 인덕턴스 정합을 용이하게 행할 수 있고, 반도체 검사 장치(10A-10 ∼ 10A-12)에 기인한 정확도 오차의 발생을 억제할 수 있어, 정확도가 높은 반도체 검사를 행할 수 있게 된다.

또한, 반도체 검사 장치(10A-10)에 능동 소자로서 기능하는 IC(36)를 배설함으로써, 반도체 검사 장치(10A-10) 자체에 반도체 검사 처리의 일부 또는 전부를 행하게 할 수 있게 되어, 반도체 검사용 테스터로 실시되는 검사 처리의 경감을 도모할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 13내지 제 30실시예에 대해서 설명한다.

상기한 각 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-10 ∼ 10A-12)에서는, 반도체장치(1)에 설치된 판상 접속 단자(2)를 반도체 검사 장치(10A-1 ∼ 10A-12)에 설치되어 있는 접속부(14)에 압접하여 검사를 행하는 구성으로 되어 있다. 따라서, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)가 징확도 좋게 위치 결정된 상태가 아니면 정확한 검사를 행할 수 없다.

그래서, 다음에 서술하는 각 실시예에서는, 반도체 장치(1)(판상 접속 단자(2))와 접속부(14)의 위치 결정을 행하는 위치 결정 기구를 설치한 것을 특징으로 하고 있다. 이하, 각 실시예에 대해서 설명한다.

먼저, 위치 결정 기구로서 가이드 핀을 사용한 구성에 대해서 도 21 내지 도 31을 사용하여 설명한다. 또한, 이하의 각 실시예에서 사용하는 가이드 핀은, 절연성을 가지면서 열팽창 계수가 낮은 재질인 것이 바람직하다.

도 21에 나타낸 제 13실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-13)는, 검사 기판(39B) 상부에, 가이드 핀(50-1)을 세워 설치한 것을 특징으로 한다. 이 가이드 핀(50-1)의 배설 위치는, 정규로 장착된 반도체 장치(1)의 외주 위치와 대응하도록 구성되어 있다.

따라서, 가이드 핀(50-1)에 안내되도록 반도체 장치(1)를 반도체 검사 장치(10A-13)에 장착함으로써, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 위치 결정을 행할 수 있다. 또한, 가이드 핀(50-1)의 선단부에는, 반도체 장치(1)의 장착을 용이하게 하기 위한 테이퍼부(51)가 형성되어 있다.

또한, 도 22에 나타낸 제 14실시예애 관한 반도체 검사 장치(10A-14)에서는,가이드 핀(50-2)이 설치된 반도체 장치(1)를 검사 대상으로 하고 있다. 또한, 도 22a에 나타낸 바와 같이, 검사 기판(39A), 완충 부재(12B) 및 지지 기판(40)에는, 가이드 핀(50-2)이 감입(嵌入)되는 위치 결정 구멍(52-1∼52-4)이 형성되어 있다. 또한, 본 실시예에서는, 지지 기판(40)의 하부 위치에 스테이지(45A)가 배설되어 있고, 이 스테이지(45A)에도 가이드 핀(50-2)가 감입되는 위치 결정 구멍(52-5)이 형성되어 있다.

이 구성에서는, 도 22b에 나타낸 바와 같이, 반도체장치(1)에 세워 설치된 가이드 핀(50-2)을 검사 기판(39A), 완충 부재(12B), 지지 기판(40) 및 스테이지(45A)에 설치된 위치 결정구멍(52-1 ∼ 52-5)에 갑입함으로써, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 위치 결정 및 접속부(14)와 지지부(15)의 위치 결정이 행하여진다.

또한, 도 23에 나타낸 제 15실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-15)는, 도23a에 나타낸 바와 같이, 반도체 장치(1)에 위치 결정 구멍(52-2)을 형성함과 동시에, 스테이지(45B)에 가이드 핀(50-1)을 입설한 것을 특징으로 한다. 또한, 검사기판(39B) 및 지지 기판(40)에는 위치 결정 구멍(52-1, 52-6)이 형성되이 있다.

이 구성에서는, 도 23b에 나타낸 바와 같이, 스테이지(45B)에 세워 설치된 가이드 핀(50-1)을 검사 기판(39B) 및 지지 기판(40)에 형성된 위치 결정 구멍(52-1,52-6)에 삽통시킨 위에서, 반도체 장치(1)에 형성된 위치 결정 구멍(52-2)에 감입시켜, 이에 의해 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 위치 결정 및 접속부(14)와 지지부(15)의 위치 결정이 행해진다.

또한, 도 24에 나타낸 제 16실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-16)는, 도 24a에 나타낸 바와 같이, 스테이지(45B)에 가이드 핀(50-1)을 설치함과 동시에, 반도체 장치(1)에 위치 결정 구멍을 형성하지 않고, 검사 기판(39B)과 지지 기판(40)에만 위치 결정 구멍(52-1,52-6)을 형성한 것을 특징으로 힌다.

이 구성에서는, 도 24b에 나타낸 바와 같이, 스테이지(45B)에 세워 설치된 가이드 핀(50-1)을 검사 기판(39B) 및 지지 기판(40)에 형성된 위치 결정 구멍(52-1, 52-6)을 삽통시켜, 이에 의해 접속부(14)와 지지부(15)의 위치 결정을 행한다. 이와 같이, 제 15실시예와 달리, 반도체 장치(1)에 위치 결정 구멍을 형성하지 않은 것은, 반도체 장치(1)가 고밀도화 되어 있기 때문에, 일반적으로 위치 결정구멍을 형성할 스페이스가 취해지지 않기 때문이다. 또한, 반도체 장치(1)와 검사기판(39B)을 위치 결정하는 수단은, 다른 위치 결정 치구를 사용하여 행함도 가능하기 때문이다.

또한, 도 25에 나타낸 제 17실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-17)는, 검사 기판(39A), 완충 부재(12B) 및 지지 기판(40)의 위치 결정을 행하기 위해 가이드 핀(50-4)을 사용하고 있다. 이 때문에. 도 25a에 나타낸 바와 같이, 검사기판(39A)의 소정 위치에는 위치 결정 구멍(52-3)이, 완충 부재(12B)의 소정위치에는 위치 결정 구멍(52-4)이, 또 지지 기판(40)의 소정 위치에는 위치 결정 구멍(52-7)이 각각 형성되어 있다.

위치 결정 처리를 행함에는, 도 25b에 나타낸 바와 같이, 각 위치 결정 구멍(52-3, 52-4, 52-7)을 관통하도록 가이드 핀(50-4)을 삽입한다. 이에 의해, 검사기판(39), 완충 부재(12D) 및 지지 기판(40)은 가이드 핀(50-4)에 의해 위치 규제되고, 따라서 접속부(14)와 지지부(15)는 상호 위치 결정된 상태로 된다. 반도체장치(1)에 대하여 정확도가 높은 검사를 행하기 위해시는, 이와 같이 검사 기판(39), 완충 부재(12D) 및 지지 기판(40)이 상호 위치 결정된 것이 중요하다.

또한, 도 26에 나타낸 제 18실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-18)는, 상기한 제 17실시예와 같이, 검사 기판(39A), 완충 부재(12B) 및 지지 기판(40)의 위치 결정을 행하기 위해 가이드 핀(50-5)을 이용하고 있다. 또한, 본 실시예의 반도체 검사 장치(10A-18)에서는, 가이드 핀(50-5)을 반도체 장치(1)의 안내 부재로서도 기능시키고 있는 것을 특징으로 한다.

구체적으로는, 가이드 핀(50-5)을 검사 기판(39A). 완충 부재(12B) 및 지지기판(40)에 삽입 장착한 상태에서, 가이드 핀(50-5)의 내측면이 반도체 장치(1)의 소정 장착 위치에 일치하도록 구성되어 있다.

상기 구성으로 함으로써, 검사 기판(39A), 완충 부재(12B) 및 지지 기판(40)에 삽입 장착된 상태의 가이드 핀(50-5)에 안내되도록 반도체 장치(1)를 반도체 검사 장치(10A-18)에 장착함으로써, 점속부(14)와 지지부(15)의 위치 결정에 더하여, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 위치 결정을 행할 수 있었다.

또한, 도 27에 나타낸 제 19실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-19)는, 도 25를 사용하여 설명한 제 17실시예의 구성에 스테이지(45A)를 더한 것을 특징으로 한다. 이 때문에, 스테이지(45A)에는 가이드 핀(50-5)과 감합(嵌合)하는 위치 결정구멍(52-5)이 형성되어 있다.

본 실시예에서 위치 결정 처리를 행함에는, 도 27b에 나타낸 바와 같이, 각 위치 결정 구멍(52-1, 52-3, 52-4)을 관통시켜 가이드 핀(50-5)을 스테이지(45A)에 형성되어 있는 위치 결정 구멍(52-5)에 감입한다. 이에 의해, 검사 기판(39), 완충부재(12D), 지지 기판(40) 및 스테이지(45A)는 가이드 핀(50-5)에 의해 위치 규제되고, 따라서 접속부(14)와 지지부(15)는 상호 위치 결정된 상태로 된다.

스테이지(45A)는, 반도체 장치(1)의 검사에 직접 기능하는 것은 아니기 때문에, 그의 두께나 크기를 임의로 설정할 수 있다. 따라서, 위치 결정 구멍(52-5)의 깊이도 임의로 설정할 수 있고, 위치 결정 구멍(52-5)에 감입된 가이드 핀(50-5)에 흔들림이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 접속부(14)와 지지부(15)의 위치 결정 정확도를 향상시킬 수 있다.

또한, 도 28에 나타낸 제 20실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-20)는, 검사 기판(39B)과 지지 기판(40) 사이에 가이드 핀(50-6)을 갖는 위치 맞춤 치구(46A)를 설치한 것을 특징으로 한다. 이 위치 맞춤 치구(46A)는, 도 28a에 나타낸 바와 같이, 지지 기판(40)에 설치된 지지부(15)에 대응하는 위치에, 이 지지부(15)를 삽통시키는 삽통 구멍(47)을 형성하고 있다. 또한, 검사 기판(39B)에는 위치 결정 구멍(52-6)이 형성되어 있다.

상기 구성에 있어서 검사 기판(39B)과 지지 기판(40)의 위치 결정 처리를 행함에는, 도 28b에 나타낸 바와 같이, 위치 맞춤 치구(46A)의 삽통 구멍(47)에 지지기판(40)에 설치된 지지부(15)를 삽통함과 동시에, 지지 기판(40)에 설치되어 있는 가이드 핀(50-6)을 검사 기판(39B)에 형성되어 있는 위치 결정 구멍(52-6)에 감입한다. 이에 의해, 검사 기판(39B)과 지지 기판(40)은, 위치 맞춤 치구(46A)를 통해서 일의적으로 위치 결정된 상태가 되고, 그에 따라 접속부(14)와 지지부(15)의 위치 결정을 행할 수 있다.

또한, 도 29에 나타낸 제 21실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-21)는, 상기한 제 20실시예와 마찬가지로, 검사 기판(39B)과 지지 기판(40)의 위치 결정을 행하기 위하여 위치 맞춤 치구(46A)를 사용하고 있다. 또한, 본 실시예의 반도체 검사 장치(10A-21)에서는, 가이드 핀(50-7)을 반도체 장치(1)의 안내 부재로서도 기능시키는 것을 특징으로 한다.

구체적으로, 가이드 핀(50-7)을 검사 기판(39B)에, 또한 삽통 구멍(47)(도 28a 참조)을 지지 기판(40)의 지지부(15)에 삽입 장착한 상태에서, 가이드 핀(50-7)의 내측면이 반도체 장치(1)의 소정 장착 위치에 일치하도록 구성시키고 있다. 상기 구성으로 함으로써, 접속부(14)와 지지부(15)의 위치 결정에 더하여, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 위치 결정을 행할 수 있다.

또한, 도 30에 나타낸 제 22실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-22)는, 지지 기판(40)에 가이드 핀(50-8)을 세워 설치시킨 것을 특징으로 한다. 또한, 검사기판(39B)에는 위치 결정 구멍(52-6)이 형성되어 있다.

상기 구성에 있어서 검사 기판(39B)과 지지 기판(40)의 위치 결정 처리를 행함에는, 도 30b에 나타낸 바와 같이, 단순히 지지 기판(40)에 세워 설치되어 있는 가이드 핀(50-8)을 검사 기판(39B)의 위치 결정 구멍(52-6)에 감입한다. 이에 의해, 검사 기판(39B)과 지지 기판(40)은 일의적으로 위치 결정된 상태로 되고, 그에 따라 접속부(14)와 지지부(15)의 위치 결정을 행할 수 있다. 상기와 같이, 본 실시예에 의하면, 반도체 검사 장치(10A-22)의 구성을 간단화할 수 있고, 또한 위치 결정 처리도 용이하게 된다.

또한, 도 31에 나타녠 제 23실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-23)는, 상기한 제 22실시예와 마찬가지로, 검사 기판(39B)과 지지 기판(40)의 위치 결정을 행하기 위하여 지지 기판(40)에 가이드 핀(50-9)이 세워 설치된 구성으로 되어 있다. 또한, 본 실시예의 반도체 검사 장치(10A-23)에서는, 가이드 핀(50-9)을 반도체 장치(1)의 안내 부재로서도 기능시키고 있는 것을 특징으로 한다.

구체적으로는, 가이드 핀(50-9)을 검사 기판(39B)의 위치 결정 구멍(52-6)에 삽입한 상태에서, 가이드 핀(50-9)외 내측면이 반도체 장치(1)의 소정 장착 위치에 일치하도록 구성되어 있다. 상기 구싱으로 함으로써, 접속부(14)와 지지부(15)의 위치 결정에 더하여, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 위치 결정을 행할수 있다.

상기한 제 13 내지 제 23실시예에 의하면, 위치 결정 기구로서 가이드 핀(50-1 ∼ 50-9)을 사용한 구성으로 하고 있으므로, 간단한 구성으로 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 워치 결정, 또는 지지부(15)와 접속부(14)의 위치 결정을 행할 수 있게 된다.

이어서, 위치 결정 기구로서, 가이드 핀 부착 프레임을 사용한 구성에 대해서 도 32내지 도 38을 사용하여 설명한다.

도 32는, 제 24실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-24)를 나타내고 있다.

본 실시예에서는, 검사 기판(39A), 완충 부재(12B), 및 지지 기판(40)의 위치 결정을 행하기 위해, 상자 형태의 프레임을 갖는 가이드 핀 부착 프레임(60-1)을 사용하고 있음을 특징으로 한다.

본 실시예에서 사용하고 있는 가이드 핀 부착 프레임(60-1)은, 프레임으로서 기능하는 상자체부(61)와, 이 상자체부(61)에 배설된 가이드 핀부(62)로 구성되어 있다. 상자체부(61)는, 도 32b에 나타낸 바와 같이 내부에 공간부(63)를 갖는 상자 형상으로 되어 있고, 그 공간부(63)의 형상은 반도체 장치(1)의 외형에 대응하도록 구성되어 있다. 또한, 가이드 핀부(62)는, 이 상자체부(61)의 사각 위치에서 하방으로 향해 뻗어 나오게 구성되어 있다.

또한, 도 32a에 나타낸 바와 같이, 검사 기판(39A)의 소정 위치에는 위치 결정 구멍(52-3)이, 완충 부재(12B)의 소정 위치에는 위치 결정 구멍(52-4)이, 또한 지지 기판(40)의 소정 위치에는 위치 결정 구멍(52-7)이 각각 형성되어 있다. 이 각 위치 결정 구멍(52-3, 52-4, 52-7)의 형성 위치는, 가이드 핀 부착 프레임(60-1)에 설치된 가이드 핀 부(62)의 형성 위치에 대응하도록 구성되어 있다.

상기 구성으로 된 반도체 검사 장치(10A-24)에 있어서 위치 결정 처리를 행함에는, 도 32c에 나타낸 바와 같이, 각 위치 결정 구멍(52-3, 52-4, 52-7)에 대해 가이드 핀 부착 프레임(60-1)의 가이드 핀부(62)를 삽입한다. 이에 의해, 검사 기판(39A), 완충 부재(12B), 및 지지 기판(40)은 가이드 핀(62)에 의해 위치 규제되고, 그에 따라 상호 위치 결정된 상태로 된다.

또한, 상기한 바와 같이, 가이드 핀 부착 프레임(60-1)에는 반도체 장치(1)의 외형에 대응한 공간부(63)가 형성된 상자체부(61)가 형성되어 있으므로, 이 상자체부(61)에 의해 반도체 장치(1)의 위치 결정을 행할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-24)에 의하면, 검사 기판(39A), 완충 부재(12B), 지지 기판(40), 및 반도체 장치(1)의 위치 결정을 용이하게 행할 수 있고, 반도체 장치(1)에 대해서 정확도가 높은 검사를 행하는 것이 가능하다.

도 33은, 제 25실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-25)를 나타내고 있다.

본 실시예에서 사용하는 가이드 핀 부착 프레임(60-2)은, 프레임부(64)가 반도체 장치(1)를 덮도록 지지하는 구성으로 되어 있고, 또한 이 프레임부(64)의 내벽에 반도체 장치(1)의 위치 결정을 행하는 테이퍼면(65)을 형성한 것을 특징으로 한다. 또한, 프레임부(64)의 네 모퉁이 하부에서는 가이드 핀부(62)가 하방으로 향해 뻗어 나오도록 배설되어 있다.

또한, 본 실시예에 있어서도, 도 33a에 나타낸 바와 같이, 검사 기판(39A)의 소정 위치에는 위치 결정 구멍(52-3)이, 완충 부재(12B)의 소정 위치에는 위치 결정 구멍(52-4)이, 또한 지지 기판(40)의 소정위치에는 위치 결정 구멍(52-7)이 각각 형성되어 있다. 이 각 위치 결정 구멍(52-3, 52-4, 52-7)의 형성 위치는, 가이드 핀 부착 프레임(60-2)에 설치된 가이드 핀부(62)의 형성 위치에 대응하도록 구성되어 있다.

상기 구성으로 된 반도체 검사 장치(10A-25)에 있어서 위치 결정 처리를 행함에는, 도 33b에 나타낸 바와 같이, 각 위치 결정 구멍(52-3, 52-4, 52-7)에 대하여 가이드 핀 부착 프레임(60-2)의 가이드 핀부(62)를 삽입한다. 이에 의해, 검사기판(39A), 완충 부재(12B), 및 지지 기판(40)은 가이드 핀(62)에 의해 위치 규제되고, 그에 따라 상호 위치 결정된 상태로 된다.

또한, 상기한 바와 같이 가이드 핀 부착 프레임(60-1)을 구성하는 프레임부(64)의 내벽에는 테이퍼면(65)이 형성되어 있으므로, 가이드 핀 부착 프레임(60-2)의 장착 동작에 따라 반도체 장치(1)의 상면 외주 부분은 이 테이퍼면(65)과 계합하고, 이에 의해 반도체 장치(1)의 위치 결정 처리가 행해진다. 따라서, 본 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-25)에 의하면, 검사 기판(39A), 완충 부재(12B), 및 지지 기판(40)의 위치 결정에 더하여, 이들과 반도체 장치(1)와의 위치 결정을 행할 수 있고, 반도체 장치(1)에 대해서 정확도 높은 검사를 행하는 것이 가능하다.

도 34는, 제 26실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-26)를 나타내고 있다.

본 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-26)는, 상기한 제 25실시예에 관한반도체 검사 장치(10A-25)와 기본 구성은 동일하지만, 가이드 핀 부착 프레임(60-2)을 구성하는 프레임부(64)의 내벽에, 반도체 장치(1)의 상면에 대향하는 위치에 엘라스토머(66)를 배설한 것을 특징으로 한다. 엘라스토머(66)는 가소성을 갖는 재질(예를 들어, 실리콘 고무 등)로 구성되어 있고, 완충 기능을 갖고 있다.

따라서, 프레임부(64)와 반도체 장치(1) 사이에 엘라스토머(66)를 개재시킴으로써, 가이드 핀 부착 프레임(60-2)이 강하게 검사 기판(39A)을 향해 압압된 경우에 있어서도, 이 압압력은 완충 부재(12B)에 가해지고 엘라스토머(66)에 의해서도 완충된다. 이로 인해, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 접속 부분에 과도한 응력이 발생함을 방지할 수 있고, 판상 접속 단자(2)의 손상 및 변형의 발생을 방지할 수 있다.

도 35는, 제 27실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-27)를 나타내고 있다.

본 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-27)는, 가이드 핀 부착 프레임(60-3)을 구성하는 프레임부(64)의 내부에 반도체 장치(1)의 얼라인 기구(67)를 설치한 것을 특징으로 한다. 이 얼라인 기구(67)는, 반도체 장치(1)의 상면과 계합하는 계합부(68)와, 이 계합부(68)를 요동 가능하게 프레임부(64)에 연결하는 요동아암(69)으로 구성되어 있다.

이 얼라인 기구(67)는, 판상 접속 단자(2)가 소정 접속부(14)에 접속하기 위해 반도체 장치(1)가 횡 방향으로 변위한 경우, 이에 추종하여 계합부(68)를 변위하는 구성으로 되어 있다. 이와 같이, 판상 접속 단자(2)가 접속부(14)에 위치하도록 얼라인 처리를 행하는 얼라인 기구(67)를 설치함으로써, 프레임부(64)에 반도체장치(1)가 삽입된 직후에 있어서 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 위치가 어긋나도, 얼라인 기구(67)가 얼라인 처리를 행함으로써, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 위치 맞춤을 행할 수 있다.

도 36은, 제 28실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-28)를 나타내고 있다.

본 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-28)는, 가이드 핀 부착 프레임(60-2)을 구성하는 프레임부(64)와, 반도체 장치(1)의 상면과 계합하는 계합부(68)사이에 코일스프링(70)을 설치한 것을 특징으로 한다. 이 코일스프링(70)은, 장착상태에서 반도체 장치(1)를 검사 기판(39A)(도체층(11))을 향해 밀어주는 부세(付勢) 기구로서 기능한다.

이와 같이 프레임부(64)와 계합부(68) 사이에 코일스프링(70)을 설치함으로써, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14) 사이에는 항상 소정 부세력(付勢力)이 작용한다. 따라서, 판상 접속 단자(2)와 접속부(14)의 전기적 접속성을 향상시킬 수 있음과 동시에, 측정시에 있어서 판상 접속 단자(2)가 접속부(14)로부터 어긋남을 방지할 수 있다.

도 37은, 제 29실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-29)를 나타내고 있다.

본 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-29)는, 도 35에 나타낸 제 27실시예의 반도체 검사 장치(10A-27)에 있어서, 계합부(68)와 반도체 장치(1)의 상면 사이에 엘라스토머(66)를 끼워 설치한 것을 특징으로 한다. 따라서 본 실시예에 의하면, 앞에 설명한 제 26실시예의 효과와 제 27실시예의 효과를 동시에 실현시킬 수 있다.

도 38은, 제 30실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-30)를 나타내고 있다.

본 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10A-30)는, 도 36에 나타낸 제 28실시예의 반도체 검사 장치(10A-28)에서, 계합부(68)와 반도체 장치(1)의 상면 사이에 엘라스토머(66)를 끼워 설치한 것을 특징으로 한다. 따라서 본 실시예에 의하면, 앞에 설명한 제 26실시예의 효과와 제 28실시예의 효과를 동시에 실현시킬 수 있다.

이어서, 도 39를 사용하여, 검사 기판(39C)을 사용하여 복수의 반도체 장치(1)에 대해서 연속하여 검사를 행하는 경우의 검사 방법에 대해서 설명한다.

본 실시예에서 사용하고 있는 검사 기판(39C)은, 도체층(11)의 양먼 각각에 지지 프레임이 배설된 구성으로 되어 있다. 즉, 검사 기판(39C)은 상하 대칭인 구성으로 되어 있다.

본 실시예에 관한 검사 방법에서는, 복수의 반도체 장치(1)에 대해서 연속하여 검사를 행할 때, 1회의 검사가 종료할 때마다 검사 기판(39C)을 상하 반전시켜 사용함을 특징으로 한다. 이와 같이, 1회의 검사가 종료할 때마다 검사 기판(39C)을 상하 반전시켜 사용함으로써, 매회의 검사 처리에시 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)의 접속을 항상 양호하게 할 수 있다.

즉, 예를 들어 1회째의 검사에서, 지지부(15)에 의해 접속부(14)를 판상 접속 단자(2)를 향해 변형시키고, 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)를 전기적으로 접속시킨 때, 도체층(11)의 일부인 박판 형태의 접속부(14)에 소성(塑,性) 변형(즉, 변형전의 상태로 돌아가지 않는 상태)이 발생함이 고려된다.

따라서, 이대로의 상태에서 2회째의 검사를 실시하면, 1회째와 2회째에서는반도체 장치(1)의 장착 상태가 변화하기도 하고, 또한 판상 접속 단자(2)의 패인 양에 변화가 있음이 고려되고, 이 경우에는 도 39b에 나타낸 바와 같이 접속부(14)가 판상 접속 단자(2)에 적정하게 접속되지 않을 우려가 있다.

그래서 2회째의 검사를 행할 때에, 도 39b에 나타낸 바와 같이, 검사 기판(39C)을 상하 반전시켜 사용한다. 이에 의해, 도 39c에 나타낸 바와 같이, 검사 기판(39C)이 반전된 시점에서 접속부(14)는 지지 기판(40)을 향해 돌출한 상태로 되고 이에 의해 접속부(14)를 다시 판상 접속 단자(2)를 향해 변형시키는 것이 가능하게 된다.

따라서, 검사가 종료할 때마다 검사 기판(39C)을 상하 반전시켜 사용함으로써, 매회의 검사마다 접속부(14)는 변형하게 되고, 따라서 전회의 접속부(14)의 변형이 이력으로서 남지 않고, 매회 검사 처리에서 접속부(14)와 판상 접속 단자(2)를 항상 양호한 상태로 접속시킬 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 31실시예에 대해서 설명한다.

도 40은, 본 발명의 제 31실시예인 반도체 검사 장치(10B-1)를 상하 방향으로 분해하여 나타낸 도면이다. 도면 중, 113은 반도체 장치(1)를 수평 상태로 지지하는 고정 치구로, 승강 가능하게 지지되어 있다. 또한, 고정 치구(113)에는, 반도체 장치(1)를 흡착하기 위한 흡착 수단으로서, 예를 들어 진공 펌프(도시하지 않음)에 접속된 흡착부(114)가 설치되어 있다.

또한, 고정 치구(113)외 상부에는, 고정 치구(113)를 요동 가능하게 지지하여 면 떨림을 얼라인하기 위한 얼라인 기구(115)가 설치되어 있다. 이 얼라인 기구(115)는, 예를 들어 고정 치구(113)를 승강시키는 승강 기구(도시하지 않음)의 로드(115a)의 단부에 설치된 구상 지지부(115b)와, 구상 지지부(115b)가 감합하는 축수부(115c)로 된다. 그로 인해, 얼라인 기구(115)는, 구상 지지부(115b)와 축수부(115c)에 의해 유니버설 커플링(universal coupling)와 동일한 구성으로 되어 있다.

예를 들어 고정 치구(113)의 하방에 대향하는 배열 기판(116)이 기울어져 있는 경우, 고정 치구(113)에 흡착된 반도체 장치(1)를 경사시키는 힘이 작용한다.

그렇지만, 얼라인 기구(115)의 구상 지지부(115b)가 그 방향으로 기울어져 반도체장치(1)가 배열 기판(116)에 추종하므로, 반도체 장치(1) 및 반도체 검사 장치(10B-1)의 손상이 방지된다.

배열 기판(116)은, 예를 들어 기계적인 세라믹 등으로 형성되어 있고, 상면에는 반도체 장치(1)의 판상 접속 단자(2)와 대응한 배열로 된 복수의 위치 결정요부(117)가 설치되어 있다. 이 위치 결정 요부(117)는, 후술하는 접속 전극(112A)의 외형에 대응한 형상을 갖는 패인 부분이고, 접속 전극(112A)을 상방으로부터 감입함으로써, 접속 전극(112A)이 배열 기판(116)에 장착된다.

접속 전극(112A)은 도전성 금속(예를 들어 땜납(solder) 또는 동 등)으로 되고, 본 실시예에서는 구 형상으로 되어 있다. 이 접속 전극(112A)은, 도 41에 나타낸 바와 같이, 배열 기판(116)에 형성된 위치 결정 요부(117) 내에 장착된다. 상기한 바와 같이, 위치 결정 요부(117)는 판상 접속 단자(2)와 대칭한 배열로 되어 있고, 또한 위치 결정 요부(117)의 형상은 접속 단자(2)의 형상에 대응하고 있으므로, 장착 상태에서 접속 단자(2)는 판상 접속 단자(2)의 배설 위치와 대응한 위치에 위치 결정된 상태로 된다.

이 접속 전극(112A)은, 배열 기판(116)에 장착된 상태에서, 그 상부가 배열기판(116)의 상면으로부터 돌출하도록 구성되어 있다. 또한, 상기한 위치 결정 요부(117)의 저부에는 구멍(117a)이 형성되어 있고, 장착된 상태에서 접속 전극(112A)의 하부는 이 구멍(117a)을 통해서 배열 기판(116)의 저면에 노출하는 구성으로 되어 있다.

한편, 배열 기판(116)의 하부에는, 측정 기판(118)이 배설되어 있다. 측정기판(118)은 절연성 베이스 필름 상에 배선층(120)이 형성된 구성으로 되어 있고, 이 배신층(120)의 판상 접속 단자(2)의 형성 위치와 대응하는 위치에는 측정 단자(119)가 형성되어 있다.

이 각 측정 단자(119)는, 각각 반도체 장치(1)의 전기적 동작을 검사하기 위한 단자이고, 도 41에 나타낸 바와 같이 배일 기판(116)의 위치 결정 요부(117)의 저부 중심에 설치된 구멍(117a)에 대향하도록 구싱되어 있다. 이 배열 기판(116)과 측정 기판(118)은, 도 40에 나타낸 바와 같이, 겹쳐 쌓인 상태에서 반도체 검사 장치(10B-1)에 장착되지만, 이 겹쳐 쌓은 상태에서, 배열 기판(116)에 장착된 접속전극(112A)의 하부는 구멍(117a)을 통해서 측정 단자(119)와 전기적으로 접속하는 구성으로 되어 있다.

이로 인해, 반도체 장치(1)가 고정 치구(113)에 지지된 상태데로 강하되면, 배열 기판(116)에 형성된 각 위치 결정 요부(117)에 장착된 접속 전극(112A)의 상단부는 반도체 장치(1)에 형성되어 있는 판상 접속 단자(2)에 당접하여 전기적으로 접속된다.

이 때, 상기와 같이 접속 전극(112A)의 상부는 배열 기판(116)으로부터 돌출한 구성으로 되어 있으므로, 판상 접속 단자(2)가 반도체 장치(1)의 저면으로부터 패인 상태로 되어 있어도, 확실하게 접속 전극(112A)과 판상 접속 단자(2)를 접속시킬 수 있다.

또한, 상기 구성으로 된 측정 기판(118)의 하부에는, 스테이지(121)가 배설되어 있다. 이 스테이지(121)는, 배열 기판(116) 및 측정 기판(118)을 지지하는 기능을 하며, 고정 치구(113)의 하방에 대향하여 설치되어 있다. 또한, 스테이지(121)의 상면에는, 배열 기판(116) 멎 측정 기판(118)을 소정 장착 위치에 지지하기 위한 지지부(122)가 설치되어 있다.

또한, 스테이지(121)의 하부에는, 반도체 장치(1)에 대한 배열 기판(116) 및 측정기판(118)의 위치를 얼라인하기 위한 얼라인 기구(123)가 설치되어 있다. 이 얼라인 기구(123)는, 상기 얼라인 기구(115)와 동일한 구성으로 되어 있고, 예를들어 스테이지(121)의 하면의 중앙에서 하방으로 돌출하는 로드(123a)의 단부에 설치된 구상 지지부(123b)와, 구상 지지부(123b)를 끼워 맞추는 축수부(123c)로 된다.

그로 인해, 얼라인 기구(123)는, 구상 지지부(123b)와 축수부(123c)에 의해 유니버설 커플링과 동일한 구성으로 되어 있다. 예를 들어, 반도체 장치(1)가 경사진 상태에서 장착된 경우, 배열 기판(116)에는 스태이지(121)를 기울게 하는 힘이 작용한다. 그렇지만, 얼라인 기구(123)의 구상 지지부(123b)가 기울어져 배열 기판(116)이 반도체 장치(1)에 추종하므로, 배열 기판(116)을 지지하는 스톄이지(121)를 고정 치구(113)와 평행한 상태로 조정한다. 이에 의해, 배열 기판(116) 및 측정기판(118)의 손상이 방지된다.

여기서, 상기와 같이 구성된 반도체 검사 장치(10B-1)를 사용하여 반도체 장치(1)를 검사하는 경우의 동작에 대해서 설명한다.

반도체 검사 징치(10B-1)를 사용하여 반도체 장치(1)의 검사를 행함에는, 판상 접속 단자(2)의 형성 위치에 대응한 위치에 측정 단자(119)가 형성된 측정 기판(118)과, 위치 결정 요부(117)가 형성된 배열 기판(116)을 조합시킨다. 또한, 이에 덧붙여 위치 결정 요부(117)에 접속 전극(112A)을 장착한다.

이에 의해, 접속 전극(112A)은 판상 접속 단자(2)의 형성 위치에 대응한 위치에 위치 결정된 상태가 된다. 위치 결정 요부(117)에 장착된 상태에서, 접속 전극(112A)의 하단부는 측정 단자(119)와 전기적으로 접속되고, 또한 그 상부는 배일기판(116)보다 상방으로 향해 돌출하고 있다.

이 상태에서, 상기한 바와 같이 고정 치구(113)에 지지된 반도체 장치(1)를 접속 전극(112A)을 향해 강하시키면, 각 위치 결정 요부(117)에 장착된 접속 전극(112A)의 상단부는 반도체 장치(1)에 형성되어 있는 판상 접속 단자(2)에 당접하여 전기적으로 접속한다. 이에 의해, 접속 전극(112A)은 판상 접속 단자(2)에 압압된다.

이 때, 접속 전극(112A)은 배열 기판(116)으로부터 상방을 향해 돌출한 구성으로 되어 있으므로, 반도체 장치(1)에 형성되어 있는 판상 접속 단자(2)가 장치 하면과 면이 일치하는 상태, 또는 장치 하면으로부터 패인 상태에서 형성되어 있다고 하여도, 접속 전극(112A)은 돌출하고 있으므로 판상 접속 단자(2)를 압압하여, 그에 따라 접속 전극(112A)과 판상 접속 단자(2)의 전기적 접속을 확실히 행할 수 있다.

이어서, 접속 전극(112A)의 변형예에 대해서 설명한다.

상기한 반도체 검사 장치(10B-1)에서는, 도 42a 및 도 43에 나타낸 바와 같이, 접속 전극(112A)으로서 땜납 혹은 동으로 된 구상체(볼)를 사용한 예를 나타냈다. 그런데, 이 접속 전극(112A)의 외주에 보호막으로서 외장 피막(111)을 형성한 구성으로 하여도 좋다. 이 외장 피막(111)으로서는, 예를 들어 금(Au), 필라듐(Pd), 니켈(Ni) 등을 사용함이 고려된다.

이와 같이, 접속 전극(112A)의 외주에 외장 피막(111)을 형성함으로써, 접속전극(112A)의 산화 등의 변질, 및 판상 접속 전극과의 접접(sliding contact)에 의한 손상의 발생을 방지할 수 었고, 또한 판상 접속 단자(2)의 재료와의 매칭도 행하기 쉬워진다.

또한, 접속 전극(112A)의 형상은, 상기한 실시예와 같이 구상으로 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 도 44 및 도 46a에 나타낸 바와 같이, 네모 형상의 접속 전극(112B)을 사용하여도 좋고, 또한 도 45 및 도 46b에 나타낸 바와 같이, 원주형상의 접속 전극(112C)으로 하여도 좋다. 네모 형상의 접속 전극(112B)을 사용한 경우에는, 그 각부를 판상 접속 단자(2)에 압압시키는 구성으로 할 수 있으므로, 이 각부를 판상 접속 단자(2)에 약간 파먹은 상태에서 검사를 행할 수 있다. 또한, 원주 형상의 접속 전극(112C)을 사용한 경우에는, 접속 전극(112C)과 판상 접속 단자(2)는 면 접촉되므로, 접촉면이 증대하여 확실한 전기적 접속을 도모할 수 있다.

도 47 내지 도 52 및 도 67은, 접속 전극(112A)과 측정 단자(119)의 접속 구조의 변형예를 설명하기 위한 도면이다.

도 47에 나타낸 접속 구조는, 측정 단자(119)에 접속 전극(112A)의 장착 방향을 향해 돌출한 돌기 단자(125A)를 배설한 것을 특징으로 한다. 이 돌기 전극(125A)은, 예를 들어 스터드 범프(stud bump)로 구성되어 있다.

이와 같이, 측정 단자(119)에 돌기 단자(125A)를 배설함으로써, 측정 단자(119)의 돌기 단자(125A)가 형성된 위치는 위치 결정 요부(117) 내를 향해 돌출한 상태가 되므로, 이 접속 전극(112A)과 측정 단자(119)의 전기적 접속성을 향상시킬수 있다.

또한, 도 48에 나타낸 접속 구조에서는, 위치 결정 요부(117)의 내벽에 측정단자(119)와 전기적으로 접속한 구성에서 모진성 도금막(125B)을 형성한 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 위치 결정 요부(117)의 내벽에 도금막(125B)을 형성함으로써, 접속 전극(112A)은 도금막(125B)과도 집촉하므로, 실질적으로 측정 단자(119)와 접속 전극(112A)의 접촉 면적을 크게 증대하고, 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다. 또한, 접속 전극(112A)이 위치 결정 요부(117)내에서 변위한 경우이더라도, 확실히 측정 단자(119)와 접속 전극(112A)의 전기적 접속을 행할 수 있다.

또한, 도 49에 나타낸 접속 구조에서는, 도 48에 나타낸 바와같이 위치 결정 요부(117)의 내벽에 측정 단자(119)와 전기적으로 접속한 구성에서 도전성 도금막(125B)을 형성함과 동시에, 측정 단자(119)와 도금막(125B)을 일체적인 구성으로한 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 측정 단자(119)와 도금막(125B)을 일체적인 구성으로 함으로써, 반도체 검사 장치의 간단화 및 저 코스트화를 도모할 수 있다.

또한, 도 67에 나타낸 접속 구조에서는, 측정 단자(119)에 변형 가능한 도전성 수지(127)를 배설한 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 측정 단자(119)에 변형 가능한 도전성 수지(127)를 배설함으로써, 접속 전극(112A)을 위치 결정 요부(117)내에 장착함으로써 도전성 수지(127)는 넓어진다.

도전성 수지(127)는 도전성을 갖고 있으므로, 실질적으로 측정 단자(119)와 접속 전극(112A)의 접촉 면적을 증대시킬 수 있고, 그에 따라 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다. 또한, 접속 전극이 위치 결정 요부 내에서 변위한 경우이더라도, 확실히 측정 단자와 접속 전극의 전기적 접속을 행할 수 있다.

또한, 도 50 내지 도 52에 나타낸 접속 구조는, 접속 전극(112A)과 측정 단자(119)를 접속함에 검사 유니트(180)를 사용한 것을 특징으로 한다. 도 50은 검사유니트(180)의 분해도이고, 또한 도 51은 검사 유니트를 측정 기판(118)에 장착한 상태를 나타내고 있다.

각 도면에 나타낸 바와 같이, 검사 유니트(180)는, 접속 단자(112A)가 장착된 단자(182), 중앙 부분에 로드가 세워 설치된 가이드 핀부(187), 및 단자(182)가 도면 중 상방을 향해 밀어주는 코일스프링(185), 및 상기 각 구성 요소를 수납하는 수납 케이스(184) 등에 의해 구성되어 있다.

이 각 검사 유니트(180)는, 단자(182)의 상면에 접속 단자(112A)의 외관 형상에 대응하는 구상의 요부(183)가 형성되어 있다. 또한, 단자(182)는 도전재로 형성되어 있으므로, 도 51에 나타내는 검사 유니트(180)가 측정 기판(118)에 장착된상태에서, 가이드부(187)는 측정 단자(119)와 전기적으로 접속하여, 그에 따라 검사 유니트(180)와 측정 단자(119)는 전기직으로 접속된 상태가 된다.

또한, 단자(182)는, 수납 케이스(184)내에 수납된 상태에서, 코일스프링(185)의 탄성력에 의해 상방으로 밀리고, 이 탄성력에 의해 단자(182)에 장착된 접속 전극(112A)을 반도체 장치(1)의 판상 접속 단자(2)를 향해 밀어주는 구성으로 되어 있다. 또한, 접속 전극(112A)이 단자(182)에 장착된 상태에서, 접속 전극(112A)은, 수납 케이스(184)의 상면보다 돌출한 구성으로 되어 있다(코일스프링(185)이 수납한 상태에서도 돌출하도록 구성되어 있다). 또한, 수납 케이스(184)는, 각 접속 전극(112A)이 단락하지 않도록, 절연재로 형성되어 있다.

또한, 단자(182)는 가이드부(187)에 세워 설치된 로드에 이동가능하게 배설되어 있다. 따라서, 단자(182)(즉, 접속 전극(112A))에 하방을 향해 밀어주는 힘이 작용한 경우에는, 코일스프링(185)이 탄성 변형하여, 이에 의해 단자(182)는 상하방향으로 변이한다. 따라서, 장착 상태의 반도체 장치(1)에 기울기가 있더라도, 접속 전극(112A)과 판상 접속 단자(2)의 전기적 접속을 확실히 행할 수 있다.

또한, 도 50 및 도 51에 나타낸 구성에서, 접속 전극(112A)은 모든 단자(182)에 장착할 필요는 없고, 도 52에 나타낸 바와 같이, 검사에 사용하는 판상 접속 단자(2)에 대응하는 단자에만 접속 전극(112A)을 장착하는 구성으로 하여도 좋다.

도 53 및 도 54는, 본 발명의 제 32 및 제 33 실시예인 반도체 검사 장치(10B-2, 10B-3)를 나타내고 있다.

도 53에 나타낸 본 발명의 제 32실시에인 반도체 검사 장치(10B-2)는, 측정기판(118)의 상부에만 얼라인 기구(115)를 배설한 것을 특징으로 한다. 또한, 도 54에 나타낸 본 발명의 제 33실시예인 반도체 검사 장치(10B-3)는, 측정 기판(118)의 하부에만 얼라인 기구(123)를 배설한 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 얼라인기구(115,123)의 배설 위치는 반드시 측정 기판(118)에 대해서 상하 쌍방에 설치할 필요는 없고, 어느 것인가 한 쪽에만 배설한 구성으로 하여도 반도체 장치(1)의 장착 위치를 정규 위치로 조정할 수 있다.

이어서, 도 55 내지 도 58을 사용하여 제 34 및 제 35실시예에 관한 반도체 검사 장치(10B-4, 10B-5)에 대해서 설명한다.

제 34 및 제 35실시예에 관한 반도체 검사 장치(10B-4,10B-5)는, 접속 전극(112A)이 판상 접속 단자(2)에 접속할 때얘 작용하는 압압력을 완충하는 완충 부재(126A∼126D)를 설치한 것을 특징으로 한다. 이 완충 부재(126A∼126D)를 설치함으로써, 과도한 압압력이 직접 접속 전극(112A)과 판상 접속 단자(2)의 접속 위치에 인가되는 것을 방지할 수 있고, 그에 따라 접속 전극(112A) 및 판상 접속 단자(2)의 보호를 도모할 수 있다.

이하, 구체적 구성에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 각 실시예에 있어서 완충 부재(126A∼126D)로서 사용하는 것은, 고무, 탄성 수지 등으로 된 엘라스토머이므로, 이하의 설명에서는 완충 부재를 엘라스토머(126A∼126D)라 말하기로 한다.

도 55에 나타낸 제 34실시예에 관한 반도체 검사 장치(10B-4)는, 엘라스토머(126A)에 의해 형성한 것을 특징으로 한다. 즉, 상기한 각 실시예에서 사용한 측정기판(118)은, 절연성 필름의 상부에 배선충(120)을 형성한 구성으로 되어 있으나, 본 실시에에 관한 반도체 검사 장치(10B-4)에서 사용하는 측정 기판은, 엘라스토머(126A)의 상부에 배선층(120)을 형성한 것을 특징으로 한다.

이와 같이, 엘라스토머(126A)의 상부에 직접 배선층(120)을 형성함으로써, 엘라스토머(126A)(완충 부재)를 측정 기판(118)과 별개로 설치하는 구싱에 비하여, 반도체 검사 장치(10B-4)의 구조의 간단화 및 저 코스트화를 도모할 수 있다.

도 56은, 본 발명의 제 3실시예인 반도체 검사 장치(10B-5)를 나타내는 도면이다. 이 반도체 검사 장치(10B-5)는, 고정 치구(113)의 하면에 겔상의 엘라스토머(126B)를 배설한 것을 특징으로 한다. 이 평판상에 형성된 엘라스토머(126B)는, 비교적 부드러워 변형하기 쉬우므로, 외부로부터의 압압력이 작용하면, 그 부분이 압압 방향으로 변형한다. 또한, 검사 종료 후에, 반도체 장치(1)가 벗겨지면, 엘라스토머(126B)로의 압압력이 제거되므로, 엘라스토머(126B)는 원래의 평판상으로 돌아간다.

그로 인해, 고정 치구(113)외 하면에 장착된 반도체 장치(1)를 강하시키는 과정에서, 배열 기판(116)이 반도체 장치(1)에 대해서 경사진 경우, 배열 기판(116)이 반도체 장치(1)에 경사진 상태에서 당접하므로, 엘라스토머(126B)는 반도체 장치(1)와 배열 기판(116)이 평행하게 되도록 변형한다.

예를 들어 배열 기판(116)이 경사진 경우, 고정 치구(113)에 장착된 반도체장치(1)를 경사지게 하는 힘이 작용한다. 그렇지만, 엘라스토머(126B)의 변형에 의해 반도체 장치(1)는 경사져 배열 기판(116)에 추종하므로, 배열 기판(116)과 반도체 장치(1)를 평행하게 유지할 수 있다.

그로 인해, 반도체 장치(1)의 각 판상 접속 단자(2)는, 배열 기판(116)의 각위치 결정 요부(117)에 장착된 접속 전극(112A)과 정확히 접속하게 되고, 그에 따라 반도체 장치(1)의 검사의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 각 판상 접속 단자(2)가 각 접속 전극(112A)과 접속될 때의 충격은, 엘라스토머(126B)에 의해 완충되므로, 판상 접속 단자(2) 및 접속 전극(112A)의 손상이 방지된다.

도 57은 제 35실시예의 제 1변형예인 반도체 검사 장치를 나타내는 도면이다. 본 변형예에 관한 반도체 검사 장치는, 배열 기판(116)의 상면에 겔상의 엘라스토머(126C)를 배설한 것을 특징으로 한다. 이 엘라스토머(126C)는, 외부로부터의 압압력이 작용하면 그 부분이 압압 방향으로 변형하고, 또한 검사 종료 후에 반도체 장치(1)가 상방하여 이간하면 엘라스토머(126C)로의 압압력이 제거되므로, 엘라스토머(126C)는 원래의 형상으로 돌아간다.

따라서, 예를 들어 반도체 장치(1)가 경사져 장착된 경우, 배열 기판(116)을 경사시키는 힘이 작용하지만, 압압된 부분의 엘라스토머(126C)의 변형에 의해 반도체 장치(1)가 그 방향으로 경사져 배열 기판(116)의 방향에 추종하므로, 배열 기판(116)과 반도체 장치(1)가 평행하게 유지된다. 따라서, 반도체 장치(1)의 검사를 고 신뢰성을 갖고 행할 수 있다. 또한, 각 접속 전극(112A)이 판상 접속 단자(2)에 접속될 때의 충격이 엘라스토머(126C)에 의해 완충되므로, 판상 접속 단자(2) 및 접속 전극(112A)의 손상을 방지할 수 있다.

도 58은 제 35실시예의 제 2변형예인 반도체 검사 장치를 나타내는 도면이다. 본 변형예에 관한 반도체 검사 장치는, 측정 기판(118)과 배열 기판(116) 사이에 겔상의 엘라스토머(126D)가 설치되어 있다. 이 엘라스토머(126D)는, 외부로부터의 압압력이 작용하면 그 압압 부분이 변형하고, 또한 검사 종료 후에 반도체 장치(1)가 상방하여 이간하면 원래의 형상으로 돌아간다. 따라서, 본 변형예의 구성에 의해서도, 도 56 및 도 57에 나타낸 반도체 검사 장치와 마찬가지로, 반도체 장치(1)의 검사를 고 신뢰성을 갖고 행할 수 있고, 또한 판상 접속 단자(2) 및 접속 전극(112A)의 손상을 방지할 수 있다.

또한, 도 55 내지 도 58을 사용하여 설명한 반도체 검사 장치에 사용한 엘라스토머(126A∼126D)는, 홈이나 끊어짐이 없는 평판상의 탄성 부재로 구성되어 있다. 그런데, 엘라스토미(126A∼126D)는 반드시 흠이나 끊어짐이 없는 평판상으로 할 필요는 없고, 앞에 도 16을 사용하여 설명한 바와 같이, 엘라스토머(126A∼126D)(완충 부재)에 노치를 형성하거나, 또는 엘라스토머(126A∼126D)를 복수의 분할 부재를 조합시킨 구성으로 해도 좋다. 이 구성으로 함으로써, 엘라스토머(126A∼126D)의 탄성은 형상의 면에서 증대하고, 이에 따라 완충 작용도 증대하므로, 접속 전극(112A) 및 판상 접속 단자(2)의 보호를 보다 확실히 행할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 36실시예에 대해서 설명한다.

도 59는 본 발명의 제 36실시예인 반도체 검사 장치(10B-6)를 나타낸다. 이 반도체 검사 장치(10B-6)는, 고정 치구(113)에 반도체 장치(1)의 지지 위치를 규제하기 위한 위치 결정부(132)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.

이 위치 결정부(132)는, 반도체 장치(1)의 상면 외주부가 접접하는 단면 형상이 삼각형으로 된 경사면(132a)이 형성되어 있다. 이 경사면(132a)은 반도체 장치(1)의 상면 외주의 각 사변에 상방으로부터 당접하도록 형성되어 있다.

반도체 장치(1)는 핸들링 장치(도시하지 않음)에 의해 장착된 경우, 경사진 상태로 유지되고 있다. 그 경우, 고정 치구(113)가 강하하여 반도체 장치(1)의 판상 접속 단자(2)가 위치 결정 요부(117)에 장착된 접속 전극(112A)에 접속하는 과정에서, 위치 결정부(132)의 경사면(132a)에 상면 외주부가 접접하여 균등하게 당접하도록 가이드된다.

따라서, 반도체 장치(1)는, 상면 외주부가 위치 결정부(132)의 경사면(132a)을 접접하면서 고정 치구(113)의 중심 위치로 인도됨과 동시에, 배열 기판(116)과 평행한 상태가 되도록 위치 결정된다. 이에 의해, 반도체 장치(1)의 각 판상 접속단자(2)를 접속 전극(112A)에 정확히 접속시킬 수 있고, 그에 따라 반도체 장치(1)의 검사를 고 신뢰성을 갖고 실시할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 37실시예에 대해서 설멍한다.

도 60은 본 발명의 제 37실시예인 반도체 검사 장치(10B-7)를 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 반도체 검사 장치(10B-7)는, 배열 기판(116A)에 반도체 장치(1)의 장착 위치를 규제하기 위한 위치 결정부(142)를 설치한 것을 특징으로 한다. 이 위치 결정부(142)는, 단면 형상이 사다리꼴로 되어 있고, 반도체 장치(1)의 하면 외주부와 접접하는 경사면(142a)을 갖고 있다. 이 경사면(142a)은 반도체 장치(1)의 하면 외주부에 하방으로부터 당접하도록 형성되어 있다.

상기한 바와 같이, 반도체 장치(1)는 고정 치구(113)에 흡착된 경우, 경사진 상태에서 유지되고 있다. 그 경우, 고정 치구(113)가 강하하여 반도체 장치(1)의 판상 접속 단자(2)가 접속 전극(112A)과 접속되는 과정에서, 위치 결정부(142)의 경사면(142a)에 반도체 장치(1)의 하면 외주부는 접접하여 가이드된다.

따라서, 반도체 장치(1)는, 그 하면 외주부가 위치 결정부(142)의 경사면(142a)을 접접하면서 배열 기판(116)의 중심 위치로 인도됨과 동시에 평행한 상태가 되도록 위치 결정된다. 이에 의해, 반도체 장치(1)의 각 판상 접속 단자(2)는, 배열 기판(116)에 장착되어 있는 접속 전극(112A)에 정확하게 접속할 수 있고, 그에 따라 반도체 장치(1)의 검사를 고 신뢰성을 갖고 실시할 수 있다.

이어서, 본 발명의 제 38내지 제 43실시예에 대해서 설명한다.

도 61 내지 도 66은, 본 발명의 제 38내지 제 43실시예인 반도체 검사 장치(10B-8∼10B-13)를 나타내고 있다. 이 각 실시예에 나타낸 반도체 검사 장치(10B-8∼10B-13)는, 반도체 장치(1), 배열 기판(116), 측정 기판(118)의 위치 결정을 행하는 위치 결정 기구를 설치한 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 각 실시예에서는위치 결정 기구로서 가이드 핀을 사용함을 특징으로 하고 있다. 이하, 각 실시예에 대해서 설명한다.

도 61에 나타낸 제 38실시에에 관한 반도체 검사 장치(10B-8)에서는, 가이드핀(150-1)이 설치된 반도체 장치(1)를 검사 대상으로 하고 있다. 또한, 배열 기판(116), 측정 기판(118), 보호부(122)에는, 가이드 핀(150-1)이 감입된 위치 결정구멍(152-1 및 152-2)이 형성되어 있다.

이 구성에서는, 반도체 장치(1)에 설치된 가이드 핀(150-1)을 배열 기판(116), 측정 기판(118) 및 보호부(122)에 형성된 위치 결정 구멍(152-1 및 152-2)에 감입함으로써, 판상 접속 단자(2)와 접속 전극(112A)의 위치 결정, 및 접속 전극(112A)과 측정 단자(119)의 위치 결정이 행해진다. 따라서, 반도체 검사 장치(10B-8)에 의하면, 접속 불량 등이 발생함이 없고, 반도체 장치(1)에 대해서 고 신뢰성을 지닌 검사를 행할 수 있다.

또한, 도 62에 나타낸 제 39실시예에 관한 반도체 검사 장치(10B-9)는, 반도체 장치(1)에 위치 결정 구멍(152-3)을 형성함과 동시에, 배열 기판(116)에 가이드핀(150-2)을 상방을 향해 세워 설치한 것을 특징으로 한다.

이 구성에서는, 배열 기판(116)에 세워 설치한 가이드 핀(150-2)을 반도체장치(1)에 형성된 위치 결정 구밍(152-3)에 감입하여, 이에 의해 판상 접속 단자(2)와 접속 전극(112A)의 위치 결정이 행해진다. 따라서, 반도체 검사 장치(10B-9)에 의하면, 반도체 장치(1)와 배열 기판(116)을 정확도 좋게 위치 결정할 수 있으므로, 판상 접속 단자(2)와 접속 전극(112A)을 정확히 접속시킬 수 있고, 따라서 반도체 장치(1)에 대하여 고 신뢰성을 지닌 검사를 행할 수 있다.

또한, 도 63에 나타낸 제 40실시예에 관한 반도체 검사 장치(10B-10)는, 배열 기판(116)에 가이드 핀(150-3)을 하방을 향해 뻗어 나오도록 설치함과 동시에,측정 기판(118) 및 스테이지(121)에 위치 결정 구멍(152-2, 152-4)을 형성한 것을 특징으로 한다.

이 구성에서는, 배열 기판(116)에 설치된 가이드 핀(150-3)을 측정 기판(118) 및 스테이지(121)에 형성된 위치 결정 구멍(152-2,152-4)에 감입하여, 이에의해 접속 전극(112A)과 측정 단자(119)의 위치 결정이 행해진다. 따라서, 반도체 검사 장치(10B-10)에 의하면, 배열 기판(116)과 측정 기판(118)을 정확도 좋게 위치 결정할 수 있으므로, 접속 전극(112A)과 측정 단자(119)를 정확히 접속시킬 수있고, 그에 따라 빈도체 장치(1)에 대하여 고 신뢰성을 지닌 검사를 행할 수 있다.

또한, 도 64에 나타낸 제 41실시예에 관한 반도체 검사 장치(10B-11)는, 스테이지(121)에 가이드 핀(150-4)을 상방으로 향해 세워 설치함과 동시에, 배열 기판(116) 및 측정 기판(118)에 위치 결정 구멍(152-1, 152-2)을 형성한 것을 특징으로 한다.

이 구성에서는, 스테이지(121)에 설치된 가이드 핀(150-4)을 배열 기판(116) 및 측정 기판(118)에 형성된 위치 결정 구멍(152-1,152-2)에 감입하여, 이에 의해 배열 기판(116)과 측정 기판(118)의 위치 결정이 행해진다. 따라서, 반도체 검사장치(10B-11)에 의하면, 배열 기판(116)과 측정 기판(118)을 정확도 좋게 위치 결정할 수 있으므로, 접속 전극(112A)과 측정 단자(119)를 정확히 접속시킬 수 있고, 그에 따라 반도체 장치(1)에 대하여 고 신뢰성을 지닌 검사를 행할 수 있다.

또한, 도 65에 나타낸 제 42실시예에 관한 반도체 검사 장치(10B-12)는, 고정 치구(113)에 가이드 핀(150-5)을 하방으로 향해 뻗어 나오도록 설치함과 동시에, 배열 기판(116) 및 측정 기판(118)에 위치 결정 구멍(152-1,152-4)을 형성한 것을 특징으로 한다.

이 구성에서는, 고정 치구(113)에 설치된 가이드 핀(150-5)을 배열 기판(116) 및 측정 기판(118)에 형성된 위치 결정 구멍(152-1,152-4)에 감입하여, 이에 의해 반도체 장치(1), 배열 기판(116)과 측정 기판(118)의 위치 결정이 행해진다. 따라서, 반도체 검사 장치(10B-12)에 의하면, 반도체 장치(1), 배열 기판(116), 및 측정 기판(118)을 정확도 좋게 위치 결정할 수 있으므로, 접속 전극(112A)과 측정 단자(119), 및 접속 전극(112A)과 판상 접속 단자(2)를 정확히 접속시킬 수 있고, 그에 따라 반도체 장치(1)에 대하여 고 신뢰성을 지닌 검사를 행할수 있다.

또한, 도 66에 나타낸 제 43실시예에 관한 반도체 검사 장치(10B-13)는, 스테이지(121)에 가이드 핀(150-6)을 상방을 향해 세워 설치함과 동시에, 배열 기판(116), 측정 기판(118), 및 고정 치구(113)에 위치 결정 구멍(152-1, 152-4, 152-5)을 형성한 것을 특징으로 한다.

이 구성에서는, 스테이지(121)에 설치된 가이드 핀(150-6)을 배열 기판(116), 측정 기판(118), 및 고정 치구(113)에 형성된 위치 결정 구멍(152-1, 152-4, 152-5)에 감입하여, 이에 의해 반도체 장치(1), 배열 기판(116), 및 측정기판(118)의 위치 결정이 행해진다. 따라서, 반도체 검사 장치(10B-13)에 의하면, 반도체 장치(1), 배열 기판(116), 및 측정 기판(118)을 정확도 좋게 위치 결정할수 있으므로, 접속 전극(112A)과 측정 단자(119), 및 접속 전극(112A)과 판상 접속단자(2)를 정확히 접속시킬 수 있고, 그에 따라 반도체 장치(1)에 대하여 고 신뢰성을 지닌 검사를 행할 수 있다.

이어서, 접속 전극(112A)을 배열 기판(116)에 형성된 위치 결정 요부(117)에 장착하는 방법에 대해서 설명한다. 도 68 내지 도 72는, 각각 접속 전극(112A)을 위치 결정 요부(117)에 장착하는 구조를 나타내고 있다. 이하, 각 도면을 사용하여 구체적인 장착 구조 및 장착 방법에 대해서 설명한다.

도 68에서는, 배열 기판(116)에 진동 발생 장치(도시하지 않음)를 접속하고, 이 진동 발생 장치를 구동하여 배열 기판(116)을 진동시킴으로써 접속 전극(112A)을 위치 결정 요부(117)에 장착하는 것을 특징으로 한다.

이와 같이 배열 기판(116)을 진동시킴으로써, 반도체 장치(1)는 배열 기판(116) 위에서 상대적으로 이동(진동)하여, 결국 배열 기판(116)에 형성되어 있는 위치 결정 요부(117)에 접속 전극(112A)을 감입하여 위치 결정된다. 따라서, 접속전극(112A)과 위치 결정 요부(117)의 위치 결정을 용이하고 또한 자동적으로 행할수 있다.

도 69에서는, 배열 기판(116)에 진공 흡인 장치(진공 펌프)에 접속된 흡인통로(128A)를 형성하고, 이 흠인 통로(128A)의 단부가 위치 결정 요부(117) 내로 개구된 구성으로 되어 있다. 따라서, 진공 펌프를 구동하여 흡인 통로(128A)를 통해서 접속 전극(112A)을 흡인함으로써, 접속 전극(112A)은 강제적으로 위치 결정 요부(117) 내로 흡인되고, 그에 따라 위치 결정 요부(117)에 접속 전극(112A)을 정확도 좋게 위치 결정할 수 있다.

도 70에서는, 배열 기판(116)에 진공 흡인 장치(진공 펌프)에 접속된 흡인통로(128B)를 형성하고, 이 흡인 통로(128B)의 단부가 위치 결정 요부(117)의 저부에 개구된 구성으로 되어 있다. 따라서, 진공 펌프를 구동하여 흡인 통로(128B)를 통해서 접속 전극(112A)을 흡인함으로써, 접속 전극(112A)은 강제적으로 위치 결정요부(117)에 연직하 방향으로 흡인되고, 그에 따라 위치 결정 요부(117)에 접속 전극(112A)을 정확도 좋게 위치 결정할 수 있다.

도 71에서는, 배열 기판(116B)을 다공질 재료로 형성함과 동시에 이 배열 기판(116B)을 진공 흡인 장치(진공 폄프)에 접속한 구성으로 한 것을 특징으로 한다.

상기 구성에서 진공 펌프를 구동하면, 배열 기판(116B)은 다공질 재료로 형성되어 있으므로, 접속 전극(112A)은 패인 형상의 위치 결정 요부(117)내로 감입된다. 따라서, 위치 결정 요부(117)에 접속 전극(112A)을 정확도 좋게 위치 결정할 수 있다.

도 72에서는, 배열 기판(116C)에 형성된 위치 결정 요부(160)를 구배가 다른 제 1 및 제 2경사면에 의해 형성한 것을 특징으로 한다. 이 도면에 나타낸 예에서는, 구배가 완만한 제 1경사면을 접속 전극(112A)을 안내하는 안내면(161)으로 하고, 또한 구배가 급한 제 2경사면을 접속 전극(112A)을 계지면(係止面)(162)으로 하고 있다. 또한, 안내면(161)과 계지면(162) 사이에는, 판상 접속 단자(2)의 위치 결정을 행하는 위치 결정면(163)이 형성되어 있다.

따라서, 접속 전극(112A)이 위치 결정 요부(160)의 형성 위치에 도달하면, 먼저 접속 전극(112A)은 안내면(161)으로 안내되어 진행하고, 이어서 계지면(162)에 계지되어 위치 결정된다. 그리고, 계지면(162)에 계지된 상태에서 아래로 이동하여 위치 결정면(163)에 감입된다.

이와 같이, 위치 결정 요부(160)에 안내면(161), 계지면(162) 및 위치 결정면(163)을 형성함으로써, 간단하고 또한 확실히 접속 전극(112A)과 위치 결정 요부(160)의 위치 결정 처리를 행할 수 있다.

또한, 도 73에서는, 배열 기판(116D)에 제 1요부(129)와 제 2요부(130)에 의해 구성된 위치 결정 요부를 형성한 것을 특징으로 한다. 제 1요부(129)는 배열 기판(116D)의 상부에 형성되어 있고, 또한 제 2요부(130)는 측정 기판(118)과 대향하도록 형성되어 있다. 또한, 각 요부(129, 130)는 테이퍼면을 갖는 구성으로 되어 있다.

이 구성으로 함으로써, 테이퍼면을 갖는 제 1요부(129)에 의해 접속 전극(112A)은 위치 결정 요부 내로 안내된다. 또한, 위치 결정 요부는 모두 테이퍼면을 갖는 제 1 및 제 2요부(129, 130)에 의해 구성되므로, 각 테이퍼면이 교차하는 부분은 뾰족한 상태로 되어 있다. 따라서, 접속 전극(112A)은 각 테이퍼면이 교차하는 부분의 뾰족한 부분에서 위치 결정되므로, 위치 결정 요부 내에서 접속 전극(112A)의 위치 결정을 정확도 좋게 행할 수 있다.

이어서, 도 47 및 도 75를 사용하여, 반도체 장치(1)가 경사진 상태에서 장착된 때, 엘라스토머(126A∼126D)가 아니고, 접속 전극(112A)을 사용하여 이를 흡수하는 구성예에 대해서 설명한다.

도 74에 나타낸 반도체 검사 장치에서는, 접속 전극(112D)의 재료로서 연질이고 또한 저 융점인 재료를 사용한 구성으로 되어 있다. 구체적으로는, 본 실시예에서는 접속 전극(112D)으로서 저 융점 납땜을 사용하고 있다. 이 접속 전극(112D)은, 연질이고 또한 저 융점이므로, 가압력을 인가함으로써 용이하게 변형하고. 또한 가열함으로써 비교적 저온도에서 용융하는 특성을 갖고 있다.

여기서, 상기와 같은 특성을 갖는 접속 전극(112D)을 장착한 반도체 검사 장치에, 도시된 바와 같은 형상(경사를 갖는 형상)의 반모체 장치(1)가 장착된 경우를 상정한다. 이 때, 접속 전극이 경질인 경우를 고려하면, 경질의 접속 전극은 변형하지 않으므로, 경사진 반도체 장치가 장착되면, 가장 낮은 위치에 있는 판상 접속 단자(2)와 접속 전극은 전기적 접속을 행하지만, 다른 판상 접속 단자(2)는 접속 전극과의 사이에 간극을 갖는 구성이 되므로, 전기적인 접속이 행해지지 않게 된다.

그런데, 본 실시예와 같이 연질 재료로 된 접속 전극(112D)을 사용함으로써, 고정 치구(113)에 의해 반도체 장치(1)가 배열 기판(116) 및 측정 기판(118)에 압압된 때, 도 47에 나타낸 바와 같이, 이 압압력에 의해 접속 전극(112D)은 변형한다. 이에 의해, 반도체 장치(1)의 경사는 접속 전극(112D)의 변형에 의해 흡수되고, 반도체 장치(1)에 형성된 모든 판상 접속 단자(2)를 접속 전극(112D)에 전기적으로 접속시킬 수 있다. 이에 의해, 반도체 장치(1)에 대해서 신뢰성이 높은 검사를 행할 수 있다.

또한 상기한 바와 같이, 접속 전극(112D)은 저 융점의 재질에 의해 형성되어 있다. 따라서, 1회의 검사에 의해 도 75a에 나타낸 바와 같이 접속 전극(112D)이 변형하여도, 이를 가열 처리함으로써 접속 전극(112D)은 용이하게 용융될 수 있다. 용융 상태의 접속 전극(112D)에는 표면 장력이 작용하므로, 그에 따라 가열 용융함으로써, 접속 전극(112D)은 도 75b에 나타낸 바와 같이, 자연적으로 원래의 구 형상으로 돌아간다. 따라서, 1회의 검사 종료마다 가열 처리를 행함으로써, 항상 구형상의 접속 전극(112D)을 사용하여 검사를 행할 수 있다.

또한, 도 76에 나타낸 반도체 검사 장치는, 접속 전극(112A)의 비산을 방지하기 위하여 홀더(190)를 설치한 것을 특징으로 한다. 상기한 바와 같이, 접속 전극(112A)은 배열 기판(116)에 장착된 것이고, 또한 일반적으로 장착 효율을 향상시키므로, 위치 결정 요부(117)의 형성 수 보다도 많은 수의 접속 전극(112A)을 배열기판(116) 위에 도입하여 위치 결정 요부(117)에 장착하는 방법을 사용한다. 따라서, 다수의 불필요한 접속 전극(112A)이 발생하게 된다.

접속 전극(112A)은, 고밀도화된 반도체 장치(1)에 설치된 판상 접속 단자(2)의 형상에 대응되므로, 그 지름 치수가 미세화되어 있기 때문에 비산하기 쉬운 특성을 갖고 있다. 따라서, 불필요하게 된 접속 전극(112A)을 효율 좋게 회수하는 것이 중요하게 된다.

본 실시예에서 사용하고 있는 홀더(190)는, 스테이지(121)의 하부를 덮도록 배설되어 있고, 또한 접속 전극(112A)이 비산하기 쉬운 배열 기판(116)의 측방 위치에는 테두리 형태의 비산 방지부(191)가 형성되어 있다. 따라서, 홀더(190)를 배설함으로써, 배열 기판(116)으로의 장착 시에 비산하는 접속 전극(112A)을 효율 좋게 회수할 수 있다.

또한, 도 77에 나타낸 반도체 검사 장치는, 배열 기판(116)의 상부에 커버(195A)를 설치함과 동시에, 이 커버(195A)의 접속 전극(112A)의 상단부와 대향하는 부위에 개구(196)를 형성한 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 배열 기판(116)의 상부에 접속 전극(112A)을 내부에 수납한 상태에서 커버(195A)를 설치함으로써, 접속전극(112A)의 배열 기판(116)으로부터의 이탈 및 비산을 방지할 수 있다.

또한, 커버(195A)를 탄성을 갖는 재질로 형성함으로써, 장착 상태에 있는 반도체 장치(1)에 외력이 인가된 경우, 이 커버(195A)가 완충재로서 기능한다. 이로인해, 판상 접속 단자(2)와 측정 단자(119)간에 강한 응력이 발생하는 것을 방지할수 있고, 그에 따라 판상 접속 단자(2) 및 접속 전극(112A)의 보호를 도모할 수 있다.

또한, 배열 기판(116)의 상부에 커버(195A)를 배설하여도, 접속 전극(112A)의 상부는 개구(196)를 통해서 외부로 노출되어 있으므로, 커버(195A)를 설치함으로써, 판상 접속 단자(2)와 접속 전극(112A)의 전기적 접속 상태가 불량하게 되는것은 아니다.

도 78 및 도 79는, 접속 전극(112A)의 상부에 개구(196)를 형성하는 방법을 나타내고 있다. 도 78에 나타낸 방법에시는, 도 78a에 나타낸 바와 같이, 먼저 배열 기판(116)의 상부에 접속 전극(112A)을 덮도록 커비(195B)를 형성하고, 이어서 레이저 가공 장치를 사용하여 접속 전극(112A)의 상부에 피복된 커버(195B)를 제거한다. 이에 의해, 도 78b에 나타낸 바와 같이, 커버(195B)에 개구부가 형성되고, 접속 전극(112A)의 상부는 커버(195B)로부터 노출한 상태로 된다.

또한, 도 79에 나타낸 방법에서는, 도 79a에 나타낸 바와 같이, 먼저 배열기판(116)의 상부에 접속 전극(112A)를 덮도록 커버(195B)를 형성하고, 이어서 연마 치구(197)(예를 들어 줄 등)를 사용하여 접속 전극(112A)의 상부에 피복된 커버(195B)를 제거한다. 이에 의해, 도 79b에 나타낸 바와 같이, 커버(195B)에 개구부가 형성되어, 접속 전극(112A)의 상부는 커버(195B)로부터 노출된 상태가 된다. 이와 같이, 접속 전극(112A)의 상부를 커버(195B)로부터 노출시키는 처리를 용이하게 행할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 다음에 서술하는 각종의 효과를 실현할 수 있다.

청구항 1 및 청구항 19 기재의 발명에 의하면, 피 검사 장치에 형성되어 있는 판상 접속 단자가 장치 외면과 면이 일치한 상태, 또는 장치 외면으로부터 패인 상태에서 형성되어 있어도, 접속부는 변형하면서 판상 접속 단자에 압압 접속되므로, 접속부와 판상 접속 단자의 전기적 접속을 확실히 행할 수 있다.

또한, 청구항 2 기재의 발명에 의하면, 지지부는 완충 부재를 통해서 접속부를 변형 부세하게 되므로, 지지부와 접속부 사이에서 마모의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 완충 부재에 변형 부세됨으로써, 지지부만에 의해 변형 부세되는 경우에 비해서 접속부는 크게 변형하게 되어, 접속부와 판상 접속 단자의 접촉 면적이 증대하여, 접속 상태를 양호하게 할 수 있다.

또한, 청구항 3 기재의 발명에 의하면, 접속부의 스터드 범프의 형성 위치는 장착 방향을 향해 돌출한 상태가 되므로, 판상 접속 단자와의 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다. 또한, 스터드 범프의 적층수를 적당히 선정함으로써, 스터드 범프의 높이를 판상 접속 단자와의 전기적 접속성이 가장 양호한 높이로 용이하게 설정할 수 있다.

또한, 청구항 4 기재의 발명에 의하면, 최선단부에 배설된 스터드 범프와 판상 접속 단자의 접속성, 각 스터드 범프간의 접속성, 및 스터드 범프와 접속부의 접속성을 모두 양호하게 할 수 있다.

또한, 청구항 5 기재의 발명에 의하면, 조화면은 미세한 요철이 형성된 상태로 되고 그 표면적은 넓어지고, 또한 미세한 철부(凸部)는 돌기 전극으로 파 들어간 상태가 되므로, 접속부와 판상 접속 단자의 전기적 접속을 확실히 행할 수 있다.

또한, 청구항 6 기재의 발명에 의하면, 접속부 및 판상 접속 단자의 재료가 접합성이 불량한 것이어도, 금속막으로서 접속부 및 판상 접속 단자의 쌍방에 대해서 모두 접합성이 양호한 재료를 선정함이 가능하므로, 접속부와 판상 접속 단자간에서의 전기적 접합성이 향상, 및 접속부의 보호를 도모할 수 있다.

또한, 청구항 7 및 청구항 8 기재의 발명에 의하면, 완충 부재의 탄성은 형상의 면에서 증대하고, 이에 따라 완충 작용도 증대하므로, 접속부의 보호를 보다 확실히 행할 수 있다.

또한, 청구항 9 및 청구항 10 기재의 발명에 의하면, 피 검사장치가 장착된 때에 발생하는 각종 응력을 지지 필름이 변형함으로써, 혹은 간극 내에서 분할 필름 부재가 이동함으로써 흡수할 수 있고, 이에 의해 접속부와 판상 접속 단자의 접촉위치에 불필요한 응력이 인가되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 청구항 11 기재의 발명에 의하면, 검사 기판에 전자 소자를 배설함으로써, 피 검사 장치에서 실시되는 반도체 검사 처리의 일부 또는 전부를 기판에 배설된 전자 소자에 의해 행하는 것이 가능하다.

또한, 청구항 12 기재의 발명에 의하면, 피 검사 장치와 접속부의 위치 결정을 행하는 위치 결정 기구를 설치함으로써, 판상 접속 단자와 접속부의 위치 결정을 용이하고 또한 정확히 행하는 것이 가능하게 되고, 판상 접속 단자와 접속부의 접속의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또한, 청구항 13 기재의 발명에 의하면, 위치 결정 기구로서 가이드 핀을 사용함으로써, 간단한 구성으로 판상 접속 단자와 접속부의 위치 결정을 행하는 것이 가능하게 된다.

또한, 청구항 14 기재의 발명에 의하면, 위치 결정 기구로서, 피 검사 장치를 유지하는 프레임부와 가이드 핀이 일체화한 가이드 핀 부착 프레임을 사용함으로써, 피 검사 장치 자체(장치의 외형 등)를 위치 결정을 행하는 지표로서 사용할 수 있으므로, 정확도 높은 위치 결정을 행하는 것이 가능하게 된다.

또한, 청구항 15 기재의 발명에 의하면, 피 검사 장치를 프레임부에 삽입하는 것으로 피 검사 장치는 테이퍼면으로 안내되어 소정 장착 위치에 위치 결정되므로, 피 검사 장치의 위치 결정 처리, 환언하면 판상 접속 단자와 접속부의 위치 결정을 용이하게 행하는 것이 가능하게 된다.

또한, 청구항 16 기재의 발명에 의하면, 프레임부에 피 검사 장치가 삽입된 직후에 있어서 판상 접속 단자와 접속부의 위치가 어긋나도, 얼라인 기구에 의해 얼라인 처리를 행함으로써, 판상 접속 단자와 접속부의 위치 맞춤을 행할 수 있다.

또한, 청구항 17 기재의 발명에 의하면, 장착 상태에 있어서 피 검사 장치를 도체층을 향해 부세하는 부세 기구를 프레임부에 설치함으로써, 판상 접속 단자와 접속부간에는 소정 부세력이 작용하고, 그에 따라 전기적 접속성을 향상시킬 수 있음과 동시에, 검사 시에 있어서 판상 접속 단자가 접속부로부터 어긋나는 것을 방지할 수 있다.

또한, 청구항 18 기재의 발명에 의하면, 프레임부와 피 검사 장치가 계합하는 부위에, 완충 효과를 갖는 탄성 부재를 배설함으로써, 과도한 압압력 혹은 불필요한 외력이 작용한 경우에는, 이 압압력 혹은 외력에 기인한 응력은 탄성 부재에 의해 흡수되므로, 판상 접속 단자 및 접속부에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 청구항 20 기재의 발명에 의하면, 매회의 검사 처리에 있어서 접속부와 판상 접속 단자의 접속을 항상 양호하게 할 수 있다.

또한, 청구항 21 기재의 발명에 의하면, 피 검사 장치에 형성되어 있는 판상 접속 단자가 장치 외면과 면이 일치한 상태, 혹은 장치 외면으로부터 패인 상태로 형성되어 있어도, 접속 전극은 돌출하고 있으므로 판상 접속 단자에 압압 접속할 수 있고, 그에 따라 접속 전극과 판상 접속 단자의 전기적 접속을 확실히 행할 수 있다.

또한, 청구항 22 기재의 발명에 의하면, 접속 전극의 산화 등의 변질, 및 판상 접속 단자와의 접접에 의한 손상의 발생을 방지할 수 있고, 또한 판상 접속 단자의 재료와의 매칭도 행하기 쉬워진다.

또한, 청구항 23 기재의 발명에 의하면, 측정 단자의 스터드 범프의 형성 위치는 위치 결정 요부 내로 향해 돌출한 상태로 되므로, 이 위치 결정 요부에 장착된 접속 전극과의 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다.

또한, 청구항 24 및 청구항 26 기재의 발명에 의하면, 실질적으로 측정 단자와 접속 전극의 접촉 면적을 증대시킬 수 있고, 전기적 접속성을 향상시킬 수 있다. 또한, 접속 전극이 위치 결정 요부 내에서 변위한 경우라도, 확실하게 측정 단자와 접속 전극의 전기적 접속을 행할 수 있다

또한, 청구항 25 기재의 발명에 의하면, 측정 단자와 도전성 도금막을 일체적인 구성으로 함으로써, 반도체 검사 장치의 간단화 및 저 코스트화를 도모할 수있다.

또한, 청구항 27 기재의 발명에 의하면, 검사 유니트에 설치된 부세수단에 의해 접속 전극은 판상 접속 단자를 향해 부세되므로, 접속 전극과 판상 접속 단자의 전기적 접속을 확실히 행할 수 있다.

또한, 청구항 28 기재의 발명에 의하면, 과도한 압압력이 직접 접속 전극과 판상 접속 단자의 접속 위치로 인가되는 것을 방지할 수 있고, 그에 따라 접속 전극 및 판상 접속 단자의 보호를 도모할 수 있다.

또한, 청구항 29 및 청구항 30 기재의 발명에 의하면, 완충 부재의 탄성은 형상의 면에서 증대하고, 이에 따라 완충 작용도 증대하므로, 접속 전극 및 판상 접속 단자의 보호를 보다 확실히 행할 수 있다.

또한, 청구항 31 기재의 발명에 의하면, 배열 기판을 탄성 재료에 의해 형성함으로써, 완충 부재를 배열 기판과 별개로 설치한 구성에 비해서 반도체 검사 장치의 구조의 간단화 및 저 코스트화를 도모할 수 있다.

또한, 청구항 32 기재의 발명에 의하면, 판상 접속 단자와 접속 전극이 일치하도록 위치 결정 처리를 행하는 위치 결정 기구를 설치함으로써, 판상 접속 단자와 접속 전극의 위치 결정을 용이하고 또한 징확하게 행하는 것이 가능하게 되고, 판상 접속 단자와 접속 전극의 전기적 접속의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또한, 청구항 33 기재의 발명에 의하면, 위치 결정 기구로서 가이드 핀을 사용함으로써, 간단한 구성으로 판상 접속 단자와 접속 전극간, 및 각 기판간, 및 각 기판과 판상 접속 단자간의 위치 결정을 행하는 것이 가능하게 된다.

또한, 청구항 34 기재의 발명에 의하면, 위치 결정 기구로시 피 검사 장치를 유지하는 고정 치구를 사용함으로써, 피 검사 장치 자체를 위치 결정을 행하는 지표로서 사용할 수 있으므로, 정확도 높은 위치 결정을 행하는 것이 가능하게 된다.

또한, 청구항 35 기재의 발명에 의하면, 위치 결정 기구로서 배열 기판에 위치 결정부를 형성함으로써, 피 검사 장치를 배열 기판에 장착하는 것으로 피 검사장치는 위치 결정부에 안내되어 소정 장착 위치로 위치 결정된다. 따라서, 피 검사 장치의 위치 결정 처리를 용이하게 행하는 것이 가능하게 된다.

또한, 청구항 36 기재외 발명에 의하면, 배열 기판에 피 검사 장치가 삽입된 직후에 있어서 판상 접속 단자와 접속 전극의 위치가 어긋나더라고, 얼라인 기구에 의해 얼라인 처리를 행함으로써, 판상 접속 단자와 접속 전극의 위치 맞춤을 행할수 있다.

또한, 청구항 37 기재의 발명에 의하면, 접속 전극의 배열 기판으로의 장착시에, 접속 전극의 비산을 방지하는 비산 방지부를 갖는 홀더를 설치함으로써, 잉여로 된 접속 전극의 처리를 용이하게 행할 수 있다.

또한, 청구항 38 기재의 발명에 의하면, 배열 기판에 형성된 위치 결정 요부에 접속 전극을 장착하는 것만의 간단한 처리로 각 접속 전극의 위치 결정을 행할 수 있다. 또한, 이 위치 결정이 행해진 상태를 유지하면시 접속 전극을 판상 접속단자에 전기적으로 접속시켜 피 검사 장치의 검사를 행함으로써, 접속 전극과 판상 접속 단자를 정확도 좋게 접속할 수 있고, 검사의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

또한, 청구항 39 기재의 발명에 의하면, 접속 전극은 배열 기판 위에서 상대적으로 이동하여, 결국 배열 기판에 형성된 위치 결정 요부로 집어 넣어져 위치 결정되므로, 접속 전극과 위치 결정 요부의 위치 결정을 용이하고 또한 자동적으로 행할 수 있다.

또한, 청구항 40 및 청구항 41 기재에 의하면, 접속 전극은 흡인력에 의해 강제적으로 위치 결정 요부에 삽입하여 위치 결정되므로, 확실한 위치 결정 처리를 행할 수 있다.

또한, 청구항 42 기재의 발명에 의하면, 제 1 및 제 2경사면의 구배차에 기인하여 접속 전극은 위치 결정 요부로 안내되어 계지되므로, 간단하고 용이하게 접속전극과 위치 결정 요부의 위치 결정 처리를 행할 수 있다.

또한, 청구항 43 기재의 발명에 의하면, 예를 들어 피 검사 장치에 경사 혹은 높이의 편차가 있는 경우 등에서도, 접속 전극이 변형함으로써 이를 흡수할 수 있고, 그에 따라 검사를 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 피 검사 장치에 대한 검사 처리가 종료한 후는, 접속 전극은 저 융점이므로 용이하게 용융될 수 있어, 원래의 형상으로 돌아갈 수 있다.

Claims (43)

1. 판상 접속 단자를 갖는 피검사 장치에 대하여 검사를 행하는 반도체 검사 장치에 있어서, 절연 재료로 된 지지 필름과, 상기 지지 필름 위에 형성되어 있는 상기 판상 접속 단자와 접속하는 접속부가 변형 가능하게 구성된 도체층에 의해 구성된 검사 기판과, 상기 접속부와 대향하는 위치에 돌출 형성된 지지부를 갖고, 상기 검사 기판과 조합시킴으로써, 상기 접속부를 장착 상태에 있는 피검사 장치의 판상 접속 단자를 향하여 변형 부세하여, 상기 접속부와 상기 판상접속 단자를 전기적으로 접속시키는 지지 기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 검사 기판의 적어도 상기 지지 기판과 대향하는 측면에 완층 부재를 배설한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 접속부에, 상기 판상 접속 단자의 장착 방향을 향하여 돌출한 스터드 범프를 단층 또는 복수층 적층한 상태로 배설한 것을 특징으로 하는 반도체 검사장치.
4. 제 3항에 있어서, 상기 복수층 적층한 스터드 범프를 이종 금속으로 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 접속부의 표면을 거칠게 한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 접속부의 표면에, 상기 접속부와 다른 재질로된 표면 금속막을 피막 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
7. 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 완충 부재에 노치부를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
8. 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 완충 부재를 복수의 분할 부재를 조합시켜 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 필름에 노치부를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
10. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 필름을 복수의 분할 필름 부재를 조합시켜 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 검사 기판에, 전자 소자를 배설한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속 단자와 상기 접속부의 위치 결정을 행하는 위치 결정 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
13. 제 12항에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서, 가이드 핀을 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
14. 제 12항에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서, 상기 피검사 장치를 유지하는 프레임부와 가이드핀이 일체화한 가이드 핀 부착 프레임을 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
15. 제 14항에 있어서, 상기 가이드 핀 부착 프레임의 프레임부가, 상기 피검사 장치를 덮도록 유지하는 구성으로 함과 동시에, 상기 프레임의 내벽에 상기 피검사 장치의 위치 결정을 행하는 테이퍼면을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
16. 제 14항에 있어서, 상기 프레임부에, 상기 판상 접속 단자와 상기 접속부가 일치하도록 상기 피검사 장치의 얼라인을 행하는 얼라인 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
17. 제 14항에 있어서, 상기 프레임부에, 장착 상태에서의 상기 피 검사 장치를 상기 접속부를 향하여 부세하는 부세 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
18. 제 14항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프레임부와 상기 검사 장치가 계합하는 부위에, 완충 효과를 갖는 탄성부재를 배설한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
19. 제 1항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치를 사용한 검사방법에 있어서, 상기 검사 기판에 피검사 장치를 장착함과 동시에, 상기 검사 기판과 상기 지지 기판을 조합하고, 상기 조합을 행함으로써, 상기 지지부에 의해 상기 접속부를 판상 접속 단자를 향하여 변형시키고, 상기 접속부와 상기 판상 접속 단자를 전기적으로 접속시키는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법.
20. 제 19항에 있어서, 복수의 상기 피검사 장치에 대하여 연속하여 검사를 행할 때, 1회의 검사가 종료할 때마다 상기 검사 기판을 상하 반전시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법.
21. 판상 접속 단자를 갖는 피 검사 장치에 대하여 검사를 행하는 반도체 검사 장치에 있어서, 상기 판상 접속 단자의 형성 위치와 대응한 위치에 측정 단자가 형성된 측정 기판과, 상기 측정 기판 위에 장착됨과 동시에, 상기 판상 접속 단자의 형성 위치와 대응한 위치에 상기 측정 단자를 노출시키는 위치 결정 요부가 형성된 배열 기판과, 상기 위치 결정 요부 내에 장착되고, 하단부가 상기 측정 단자와 전기적으로 접속됨과 동시에, 상단부가 상기 판상 접속 단자와 전기적으로 점속된 접속 전극에 의해 구성되어 있고, 상기 접속 전극의 상부가 상기 배열 기판보다 돌출하도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
22. 제 21항에 있어서, 상기 접속 전극의 외주에 보호막을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
23. 제 21항 또는 제 22항에 있어서, 상기 측정 단자에, 상기 접속 전극의 장착 방향을 향하여 돌출한 스터드 범프를 배설한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
24. 제 21항 또는 제 22항에 있어서, 상기 위치 결정 요부의 내벽에, 상기 측정 단자와 전기적으로 접속한 구성으로 도전성 도금막을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
25. 제 24항에 있어서, 상기 측정 단자와 상기 도전성 도금막을 일체로 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
26. 제 21항 또는 제 22항에 있어서, 상기 측정 단자에, 변형 가능한 도전성 수지를 배설한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
27. 제 21항 또는 제 22항에 있어서, 상기 하단부가 상기 측정 단자와 전기적으로 접속됨과 동시에, 상기 상단부에 상기 접속 전극이 배설되고, 내부에 상기 접속 전극을 상기 판상 접속 단자를 향하여 부세한 부세 수단을 갖는 검사 유니트를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
28. 제 21항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속 전극이 상기 판상 접속 단자에 접속할 때에 작용하는 압압력을 완충하는 완충 부재를 더 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
29. 제 28항에 있어서, 상기 완충 부재에 노치부를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
30. 제 28항에 있어서, 상기 완충 부재를 복수의 분할 부재를 조합하여 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
31. 제 28항에 있어서, 상기 배열 기판을 탄성 재료에 의해 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
32. 제 21항 내지 제 31항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 판상 접속 단자와 상기 접속 전극이 일치하도록 위치 결정 처리를 행하는 위치 결정 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
33. 제 32항에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서, 가이드 핀을 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
34. 제 32항에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서, 상기 피검사 장치를 유지하는 고정 치구를 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
35. 제 32항에 있어서, 상기 위치 결정 기구로서, 상기 배열 기판에 위치 결정부를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
36. 제 21항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 판상 접속 단자와 상기 접속 전극이 일치하도록, 상기 피검사 장치의 얼라인 처리를 행하는 얼라인 기구를 더 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
37. 제 21항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속 전극의 상기 배열 기판으로의 장착 시에, 상기 접속 전극의 비산을 방지하는 비산 방지부를 갖는 홀더를 더 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치.
38. 제 21항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 기재한 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법에 있어서, 상기 배열 기판에 형성된 위치 결정 요부에 상기 접속 전극을 장치시켜 각 접속 전극의 워치 결정을 행하고, 상기 위치 결정이 행하여진 상태를 유지하면서, 상기 접속 전극을 상기 판상 접속 단자에 전기적으로 접속시켜 상기 피 검사 장치의 검사를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법.
39. 제 21항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배열 전극을 진동시킴으로써, 상기 위치 결정 요부에 상기 접속 전극을 위치 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법.
40. 제 21항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배열 기판에 흡인 통로를 형성함과 동시에, 상기 흡인 통로에 흡인 장치를 접속하고, 상기 흡인 통로에 의해 상기 접속 전극을 흡인함으로써, 상기 배열기판에 형성된 상기 위치 결정 요부에 상기 접속 전극을 위치 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법.
41. 제 21항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배열 기판을 다공질 재료로 형성함과 동시에, 상기 배열 기판에 흡인장치를 접속하고, 상기 배열 기판에 상기 접속 전극을 흡인함으로써, 상기 위치 결정 요부에 상기 접속 전극을 위치 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법.
42. 제 21항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위치 결정 요부에 구배가 다른 제 1 및 제 2경사면을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2경사면의 구배 차에 기초하여 상기 접속 전극을 상기 위치 결정 요부에 위치 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치를 사용한 검사 방법.
43. 제 21항 내지 제 37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속 전극의 재료로서 연질이고 또 저융점인 재료를 사용하고, 상기 피검사 장치에 대한 검사 처리가 종료한 후, 상기 접속 전극을 용융하여 원래의 형상으로 되돌리는 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사 장치를 사용한 검사방법.