JPH0684986A - 半導体装置の樹脂封止装置及び樹脂封止方法 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止装置及び樹脂封止方法

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JPH0684986A
JPH0684986A JP4233488A JP23348892A JPH0684986A JP H0684986 A JPH0684986 A JP H0684986A JP 4233488 A JP4233488 A JP 4233488A JP 23348892 A JP23348892 A JP 23348892A JP H0684986 A JPH0684986 A JP H0684986A
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resin
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末吉 田中
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純二 榊原
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康次 堤
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、半導体装置の樹脂封止装置及び
樹脂封止方法、特に、真空排気路の系統化、真空室容積
の減少等により、真空性能が良く、省スペースで樹脂封
止性能の高い半導体装置の樹脂封止装置及び樹脂封止方
法を得ることを目的とする。 【構成】 下型チェイス15、下型エジェクター機構1
7及び枠19等で囲まれたエジェクター室100内は、
第1の真空排気路25を介して真空排気される。上型チ
ェイス31、上型エジェクター機構50及び枠51等で
囲まれたエジェクター室200は、第2の真空排気路3
7を介して真空排気される。また、パーティング面回り
のパーティング室300内は、第3の真空排気路38を
介して真空排気される。真空室となる部分の容積を格段
に減少させることができ、効率的に真空排気を行うこと
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の樹脂封
止装置及び樹脂封止方法、特に、トランスファ成形プレ
スを用いて樹脂成形する半導体装置の樹脂封止装置及び
樹脂封止方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体装置の樹脂封止装置は、
トランスファ成形プレスに装着した上下2つの型板を型
締めした後、プランジャーによってトランスファポット
内のレジンタブレットをキャビティ内に圧送して成形を
行うものとして知られている。従来、この種の半導体装
置の樹脂封止装置には、その中央部にレジンタブレット
加圧用のプランジャーが進退するトランスファポット及
び一方のパッケージを形成するキャビティを有する上側
の型板と、この型板の下方に進退自在に設けられ、他方
のパッケージを形成するキャビティを有する下側の型板
と、この型板及び上側の型板内に各々収納され各キャビ
ティの内部に進退するエジェクターピンを有する突き出
し機構とを備えたものが使用されている。
【0003】このように構成されてた半導体装置の樹脂
封止装置においては、トランスファポットが外部に開口
する構造であるため、プランジャー挿入時にトランスフ
ァポット内に流入する空気がプランジャーの加圧によっ
て溶融した樹脂内に混入し、半導体チップを樹脂封止す
るパッケージ内にボイド(空隙部)が形成されていた。
そこで、この種の半導体装置の樹脂封止装置において
は、樹脂封止時に吸気装置を駆動してトランスファポッ
ト及びキャビティの内部を減圧状態にすることにより、
パッケージ内への空気混入を阻止することが行われてい
る。
【0004】図9は、従来の半導体装置の樹脂封止装置
を示す概略構成図である。図において、下チェイスブロ
ック1及び上チェイスブロック2は、それぞれ図示しな
いキャビティを有し、ヒータ(図示しない)を内蔵した
下定盤3及び上定盤4にそれぞれ固定されている。下型
5は、下チェイスブロック1、下定盤3及び下エジェク
ター機構(図示しない)から構成されており、プレスを
行う下プラテン7に固定されている。また、上型6は、
上チェイスブロック2、上定盤4及び上エジェクター機
構(図示しない)から構成されており、プレスを行う上
プラテン8に固定されている。下型用密閉カバー9は、
下型5の外周に配設され、下プラテン7に固定されてい
る。また、上型用密閉カバー10は、上型6の外周に配
設され、上プラテン8に固定されている。これらの下型
用密閉カバー9及び上型用密閉カバー10の合せ面は、
シール材11によってシールされている。上型用密閉カ
バー10には、真空排気装置(図示しない)に接続され
た真空排気ダクト13が設けられており、下型用密閉カ
バー9及び上型用密閉カバー10の内側は真空室12と
なる。
【0005】従来の半導体装置の樹脂封止装置は以上の
ように構成され、半導体装置の樹脂封止は次のようにし
て行われる。すなわち、前工程でダイボンド、ワイヤー
ボンドされたリードフレーム上に載置された半導体素子
を下チェイスブロック1上に搭載する。次に、プレス機
構を駆動して型締めを行い、図9に示す状態とする。型
締め完了後、樹脂タブレットを上型6内にあるチャンバ
ー(図示しない)内に投入し、プランジャー(図示しな
い)とチャンバーを嵌合させ、チャンバーとプランジャ
ー間をシールした状態で真空排気装置を作動させ、全型
内部を真空とする。ある一定の真空度になった時点でプ
ランジャーを作動させ、樹脂タブレットを押圧して樹脂
を注入することによって、半導体素子を樹脂封止したパ
ッケージを成形することができる。なお、上述と同様な
従来の半導体樹脂封止装置としては、例えば特開昭63
−64331号公報に示すものがある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述したような樹脂封
止装置では、装置全体が大きく、また、真空室12の容
積も大きいため、真空排気に長時間を要し、真空排気装
置も大型のものが必要であるという問題点があった。さ
らに、パッケージの品種切替え時には、下型用密閉カバ
ー9及び上型用密閉カバー10を外し、1000Kg前
後ある上型6を載せ降ろしする必要があり、ヒートアッ
プする時間を加えると交換作業に約2日程度も要すると
いう問題点があった。
【0007】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、チェイスブロック部及び共用定
盤部を共に真空容器とし、パッケージの品種切替え時に
は、チェイスブロック部のみをQDC(Quick Die Chan
ge、迅速交換)方式により容易に交換することができる
半導体装置の樹脂封止装置を得ることを目的とする。ま
た、真空排気路の系統化、真空室容積の減少等により、
真空性能が良く、省スペースで樹脂封止性能の高い半導
体装置の樹脂封止装置及び樹脂封止方法を得ることを目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第1項
に係る半導体装置の樹脂封止装置は、下型チェイスブロ
ック部の内部に形成されたエジェクター室内を下型共用
定盤部から真空排気する第1の真空排気路と、上型チェ
イスブロック部の内部に形成されたエジェクター室内を
上型共用定盤部から真空排気する第2の真空排気路と、
上記下型チェイスブロック部及び上記上型チェイスブロ
ック部のパーティング面に形成されるパーティング室内
を下型共用定盤部及び上型共用定盤部のいずれか一方か
ら真空排気する第3の真空排気路とを設けたものであ
る。
【0009】この発明の請求項第2項に係る半導体装置
の樹脂封止装置は、下型チェイスブロック部及び上型チ
ェイスブロック部を、下型共用定盤部及び上型共用定盤
部にそれぞれ設けられた下型チェイスリフト機構及び上
型チェイスリフト機構を用い、迅速交換方式により交換
するものである。
【0010】この発明の請求項第3項に係る半導体装置
の樹脂封止装置は、第1の真空排気路、第2の真空排気
路又は第3の真空排気路に、複数個の排気路を連通する
マニホールドを設けたものである。
【0011】この発明の請求項第4項に係る半導体装置
の樹脂封止装置は、パーティング面に面する下型チェイ
スブロック部及び上型チェイスブロック部に、型締め状
態において圧接されるシールリングを介装したものであ
る。
【0012】この発明の請求項第5項に係る半導体装置
の樹脂封止方法は、下型チェイスブロック部の内部に形
成されたエジェクター室内を下型共用定盤部から真空排
気し、上型チェイスブロック部の内部に形成されたエジ
ェクター室内を上型共用定盤部から真空排気し、かつ、
下型チェイスブロック部及び上型チェイスブロック部の
パーティング面に形成されるパーティング室内を下型共
用定盤部及び上型共用定盤部のいずれか一方から真空排
気した後、上記下型キャビティ及び上記上型キャビティ
内に封止樹脂を注入して半導体素子を樹脂封止するもの
である。
【0013】
【作用】この発明の請求項第1項においては、下型及び
上型内部に真空排気路を設けたので、真空部分の容積を
格段に減少させることができ、効率的な真空排気を可能
とする。
【0014】この発明の請求項第2項においては、下型
チェイスリフト機構及び上型チェイスリフト機構を用
い、迅速交換方式を採用するので、下型チェイスブロッ
ク部及び上型チェイスブロック部を短時間で交換でき、
樹脂封止装置のマシン停止時間を短縮でき、生産性を大
幅に向上する。
【0015】この発明の請求項第3項においては、第
1、第2又は第3の真空排気路の長さを最短にすること
ができると共に、チェイスブロック部の真空排気路と簡
単に接続させることができる。
【0016】この発明の請求項第4項においては、型締
め状態においてパーティング面を効果的に真空シールす
ることができる。
【0017】この発明の請求項第5項においては、下型
及び上型内部に設けられた真空排気路により真空排気を
行うので、真空部分の容積が小さく、効率的にパッケー
ジのボイドの発生を防止し、製品の品質を向上する。
【0018】
【実施例】図1は、この発明の一実施例による半導体装
置の樹脂封止装置を示す断面図である。なお、各図中、
同一符号は同一又は相当部分を示している。図におい
て、まず、下型30の構成を説明する。下型チェイス1
5には下型キャビティ14が設けられており、下型キャ
ビティ14で成形されたパッケージ(図示しない)は、
エジェクターピン16によってエジェクトされる。複数
個のエジェクターピン16は、エジェクタープレート
(図示しない)により上下動される。このエジェクター
プレート、バネ(図示しない)等により、下型エジェク
ター機構17が構成される。下型チェイス15を支える
弾性ポスト22の他端は、下型バッキングプレート18
に当接されており、この下型バッキングプレート18で
プレス型締め力を受圧する。下型バッキングプレート1
8、下型チェイス15、下型エジェクター機構17の外
周に配設された環状の枠19及び枠19の両端にあるシ
ール材19a、19bによって、真空密閉構造の下型チェ
イスブロック部20が構成されている。下型チェイスブ
ロック部20には、下型チェイス15、下型エジェクタ
ー機構17及び枠19等で囲まれたエジェクター室10
0が形成される。
【0019】ヒーター(図示しない)が内蔵された下型
定盤21は、弾性ポスト22の一端で支えられており、
弾性ポスト22の他端は、下型ベース23で受けられて
いる。下型定盤21及び下型ベース23内には、上述の
ように形成されたエジェクター室100内を真空排気す
る第1の真空排気路25が設けられている。第1の真空
排気路25は、パイプ24に連通しており、パイプ24
の両端にはシール材24a、24bが介装されている。エ
ジェクター室100内は、第1の真空排気路25を介し
て図1のA部から図示しない排気装置により真空排気さ
れる。なお、A部の排気口は下型ベース23に設けられ
ているが、下型定盤21に設けても良い。
【0020】下型チェイスブロック部20は、枠19の
凹溝部19cがレール26のレール突起部26aに嵌合す
ることにより、レール26に固定されている。レール2
6の上下動は、下型チェイスリフト機構であるエアーシ
リンダー27によって駆動される。上述の下型定盤21
からエアーシリンダー27によって、下型共用定盤部2
8が構成されている。下型チェイスブロック部20は、
この下型共用定盤部28の定盤面に搭載され、第1の真
空排気路25はシール材29により真空シールされてい
る。下型チェイスブロック部20及び下型共用定盤部2
8によって、下型30が構成されている。
【0021】次に、上型41の構成も、上述した下型3
0と同様に構成されている。すなわち、上型チェイスブ
ロック部33は、上型チェイス31、上型バッキングプ
レート32等によって構成され、上型共用定盤部39
は、上型定盤34、上型ベース35等から構成されてい
る。上型チェイスブロック部33には、上型チェイス3
1、上型エジェクター機構50及び枠51等で囲まれた
エジェクター室200が形成される。上型定盤34及び
上型ベース35内には、上述のように形成されたエジェ
クター室200内を真空排気する第2の真空排気路37
が設けられている。第2の真空排気路37は、パイプ3
6に連通しており、パイプ36の両端にはシール材36
a、36bが介装されている。エジェクター室200内
は、第2の真空排気路200を介して図1のB部から図
示しない排気装置により真空排気される。上型チェイス
ブロック部33は、上型共用定盤部39の定盤面に搭載
され、真空排気路37はシール材40によりシールされ
ている。これらの上型チェイスブロック部33及び上型
共用定盤部39によって、上型41が構成されている。
【0022】下型30と上型41との間のパーティング
ラインPの真空シールは、下型チェイス15の外周に形
成された溝に介装されたシールリング42により、型締
め状態において圧接されることにより達成される。ま
た、パーティングラインPのキャビティ14を含むパー
ティング面回りには、パーティング室300が形成され
る。上型定盤34及び上型ベース35内には、パーティ
ング室300内を真空排気する第3の真空排気路38が
設けられている。第3の真空排気路38は、パイプ52
に連通しており、パイプ52の両端にはシール材52
a、52bが介装されている。パーティング室300内
は、第3の真空排気路38を介して図1のC部から図示
しない排気装置により真空排気される。なお、第3の真
空排気路38は、上型共用定盤部39から排気したが、
下型共用定盤部28から排気しても良い。また、樹脂く
ずがエジェクター室200内に入るのを防止するため
に、第2の真空排気路37と第3の真空排気路38とを
別系統とすると共に、第3の真空排気路38が上型エジ
ェクター機構50を通過する部分には、排気管53が設
けられている。以上のように、エジェクター室100、
エジェクター室200及びパーティング室300は、下
型21及び上型41内に形成された3系統の経路で真空
排気される。このような真空排気経路を構成することに
よって、従来装置に比べ真空室となる部分の容積を格段
に減少させることができ、効率的に真空排気を行うこと
ができる。
【0023】上述したように構成された樹脂樹脂封止装
置においては、次のように樹脂封止が行われる。すなわ
ち、前工程でダイボンド、ワイヤーボンドされたリード
フレーム上の半導体素子を下型チェイス15上に搭載
し、同時に下型チェイス15内に組み込まれているチャ
ンバー(図示しない)内へ樹脂タブレットを投入後、型
締めを行うことによって、図1に示した状態とする。こ
の時、プランジャー(図示しない)は、下型30に内蔵
されており、すでにチャンバーと嵌合しシールをしてい
る状態にある。型締め完了後、真空排気装置を作動さ
せ、ある一定の真空度になった時点でプランジャーを作
動させ、樹脂タブレットを押圧して封止樹脂をキャビテ
ィに注入することにより、半導体素子を樹脂封止したパ
ッケージを成形することができる。
【0024】図2及び図3は、図1に示した樹脂封止装
置の下型チェイスブロック部20を示すそれぞれ部分平
面図及び側面断面図である。これらの図において、下型
キャビティインサート15aは、下型チェイス15に分
割して組み込まれており、下型キャビティ14が形成さ
れている。このキャビティインサート15aは、パッケ
ージ及びリードフレームのサイズに応じてその大きさを
変更できるものであり、最大寸法のパッケージでも対応
できる。また、キャビティインサート15aは、リテー
ナ15bに保持されており、リテーナ15bの上部外周に
は、シールリング42を介装する溝42bが形成されて
いる。キャビティインサート15a及びリテーナ15bの
両端には、下型エンドプレート15cが配設されてお
り、下型エンドプレート15cの上面には、シールリン
グ42を介装する溝が形成されている。リテーナ15b
と下型エンドプレート15cとの合せ面は、縦シール4
3でシールされている。リテーナ15b及びエンドプレ
ート15cには、図2に示すように、例えばl1=l2
1mm以上の溝が形成されており、縦シール43が挿入
される。
【0025】図4は、下型チェイスブロック部20をQ
DC方式により交換する際の動作を説明する下型30の
斜視図である。この図に基づいて、下型チェイスブロッ
ク部20を交換する場合について説明する。まず、エア
ーシリンダー27によりレール26を昇降させ、レール
突起部26aに下型チェイスブロック部20の枠19の
凹溝部19cを嵌合させて、下型共用定盤部28内に押
し込む。その後、エアーシリンダー27を下降させ、ロ
ック板(図示しない)にてロックし、下型チェイスブロ
ック部20の下型共用定盤部28への搭載は完了する。
以上のように、下型チェイスブロック部20をエアーシ
リンダー27により持ち上げて交換するため、各シール
材を損傷することなく、円滑、迅速に交換を行うことが
できる。
【0026】なお、上述した各真空排気路は、交換の終
了時には連通することになる。また、下型チェイスブロ
ック部20を外す時は、上述したセット時の逆動作を行
えばよい。上型41の場合も、上型チェイスリフト機構
例えばエアーシリンダーを用いて、上述した下型30と
基本的に同一な動作により上型チェイスブロック部33
の交換を行うことができる。なお、下型チェイスブロッ
ク部20、上型チェイスブロック部33の駆動源は、エ
アーシリンダー27でなくても良く、例えばモーター又
はプレスの型締め力を利用しても良い。
【0027】図5は、下型30を示す部分断面図であ
る。この図では、4セットの下型チェイスブロック部2
0が下型共用定盤部28上に搭載されている。下型チェ
イスブロック部20のエジェクター室を真空排気するた
めの第1の真空排気路25a、25b、25c、25dは、
パイプ24によって下型チェイスブロック部20を下型
共用定盤部28に搭載するだけで、下型共用定盤部28
の下定盤21及び下型ベース23を連通するようになっ
ている。また、第1の真空排気路25a〜25dは、マニ
ホールド45によって互いに連通している。このよう
に、下型共用定盤部28内にマニホールド45を設ける
ことによって、第1の真空排気路25a〜25dの長さを
最短にすることができ、下型チェイスブロック部20の
真空排気路をワンタッチで簡単に接続することができ
る。なお、マニホールドは第2の真空排気路37及び第
3の真空排気路38にも同様に設けることができる。
【0028】図6は、図3に示したZ部分の拡大断面図
である。図において、シールリング42の幅をS、シー
ルリング42を押す反作用面(上型チェイスブロック部
33)の幅をT、縦シール43の幅をtとすると、t<
T<Sの関係とすることにより、シールリング42及び
縦シール43に適正な押圧力が作用し、シール性能を向
上させることができる。この場合、シールリング42及
び縦シール43を下型チェイスブロック部20に配設し
ているが、下型30と上型41との関係を逆にして上型
チェイスブロック部33に配設しても、上述と同様な効
果が得られる。
【0029】図7は、図6に示した縦シール43の変形
例を示す断面図である。図において、縦シール43の代
わりに、I型断面の縦シール46が介装されている。こ
の縦シール46を使用した場合には、縦シール46のシ
ール材19aに対する面圧を高く取ることができると共
に、たわみにくいので、シール性能をさらに向上させる
ことができる。
【0030】図8は、図2に示したY部分の拡大断面図
である。図において、下型チェイスブロック部20のリ
テーナ15bと下型エンドプレート15cとを締付けるシ
ールボルト44が設けられている。このシールボルト4
4は、下型チェイスブロック部20の寸法制約上のある
部位における部品締付部のシール方法として有効であ
る。すなわち、シールボルト44の六角形又は四角形の
多角穴付きボルトの頭部に、シール材44aを介装する
ことにより、このボルト部の隙間を通り、リテーナ15
bと下型エンドプレート15cとの合せ面より洩れるエア
ーをシールすることができる。このシール方法によれ
ば、他の部品との寸法制約上の余裕がない部位であって
も、締付ボルト部のシールが可能で、シール性能の向上
を図ることができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したとおり、請求項第1項に係
る発明は、下型チェイスブロック部及び下型共用定盤部
から構成される下型と、上型チェイスブロック部及び上
型共用定盤部から構成され、上記下型に対向する上型と
を備え、上記下型チェイスブロック部及び上記上型チェ
イスブロック部に設けられたキャビティにおいて半導体
装置の樹脂封止を行う樹脂封止装置であって、上記下型
チェイスブロック部の内部に形成されたエジェクター室
内を上記下型共用定盤部から真空排気する第1の真空排
気路と、上記上型チェイスブロック部の内部に形成され
たエジェクター室内を上記上型共用定盤部から真空排気
する第2の真空排気路と、上記下型チェイスブロック部
及び上記上型チェイスブロック部のパーティング面に形
成されるパーティング室内を上記下型共用定盤部及び上
記上型共用定盤部のいずれか一方から真空排気する第3
の真空排気路とを設けたので、真空部分の容積を格段に
減少させて効率的な真空排気が可能であり、樹脂封止装
置の小型化、省スペース化、さらに、品質の向上した半
導体装置が得られるという効果を奏する。
【0032】請求項第2項に係る発明は、下型チェイス
ブロック部及び上型チェイスブロック部は、下型共用定
盤部及び上型共用定盤部にそれぞれ設けられた下型チェ
イスリフト機構及び上型チェイスリフト機構を用い、迅
速交換方式により交換するので、品種切替え時における
装置の停止時間を減少でき、生産性を大幅に向上させる
ことができるという効果を奏する。
【0033】請求項第3項に係る発明は、第1の真空排
気路、第2の真空排気路又は第3の真空排気路に、複数
個の排気路を連通するマニホールドを設けたので、第
1、第2又は第3の真空排気路の長さを最短にすること
ができると共に、チェイスブロック部の真空排気路と簡
単に接続させることができるという効果を奏する。
【0034】請求項第4項に係る発明は、パーティング
面に面する下型チェイスブロック部及び上型チェイスブ
ロック部に、型締め状態において圧接されるシールリン
グを介装したので、型締め状態においてパーティング面
を効果的に真空シールすることができるという効果を奏
する。
【0035】請求項第5項に係る発明は、リードフレー
ム上に載置された半導体素子を下型チェイスブロック部
に形成された下型キャビティと、上型チェイスブロック
部に形成された上型キャビティとの間に搭載して下型及
び上型の型締めを行い、上記下型チェイスブロック部の
内部に形成されたエジェクター室内を下型共用定盤部か
ら真空排気し、上記上型チェイスブロック部の内部に形
成されたエジェクター室内を上型共用定盤部から真空排
気し、かつ、上記下型チェイスブロック部及び上記上型
チェイスブロック部のパーティング面に形成されるパー
ティング室内を上記下型共用定盤部及び上記上型共用定
盤部のいずれか一方から真空排気し、次いで、上記下型
キャビティ及び上記上型キャビティ内に封止樹脂を注入
して上記半導体素子を樹脂封止するので、高品質な半導
体装置を迅速に製造することができるという効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体装置の樹脂封
止装置を示す側面断面図である。
【図2】図1に示した樹脂封止装置の下型チェイスブロ
ック部を示す部分平面図である。
【図3】図1に示した樹脂封止装置に下型チェイスブロ
ック部を示す側面断面図である。
【図4】下型チェイスブロック部をQDC方式により交
換する際の動作を説明する下型の斜視図である。
【図5】下型を示す部分断面図である。
【図6】図3に示した縦シールの拡大断面図である。
【図7】I型縦シールの拡大断面図である。
【図8】シールボルトの拡大断面図である。
【図9】従来の半導体装置の樹脂封止装置を示す概略構
成図である。
【符号の説明】
14 下型キャビティ 15 下型チェイス 15a 下型キャビティインサート 15b リテーナ 15c 下型エンドプレート 16 エジェクターピン 17 下型エジェクター機構 18 下型バッキングプレート 19 枠 19a シール材 19b シール材 19c 凹溝部 20 下型チェイスブロック部 21 下型定盤 22 弾性ポスト 23 下型ベース 24 パイプ 24a シール材 24b シール材 25 第1の真空排気路 25a 第1の真空排気路 25b 第1の真空排気路 25c 第1の真空排気路 25d 第1の真空排気路 26 レール 26a レール突起部 27 エアーシリンダー 28 下型共用定盤部 29 シール材 30 下型 31 上型チェイス 32 上型バッキングプレート 33 上型チェイスブロック部 34 上型定盤 35 上型ベース 36 パイプ 36a シール材 36b シール材 37 第2の真空排気路 38 第3の真空排気路 39 上型共用定盤部 40 シール材 41 上型 42 シールリング 42b 溝 43 縦シール 44 シールボルト 44a シール材 45 マニホールド 46 縦シール 50 上型エジェクター機構 51 枠 52 パイプ 52a パイプ 52b パイプ 53 排気管 100 エジェクター室 200 エジェクター室 300 パーティング室
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年11月11日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】この発明の請求項第4項に係る半導体装置
の樹脂封止装置は、パーティング面に面する下型チェイ
スブロック部及び上型チェイスブロック部に、型締め状
態において圧接されるシールリングを介装したものであ
る。この発明の請求項第5項に係る半導体装置の樹脂封
止装置は、パーティング面と直角方向に分割された合わ
せ面のシールを縦シール材により行うものである。この
発明の請求項第6項に係る半導体装置の樹脂封止装置に
おける縦シール材の幅は、シールリングの幅より小さい
ものである。この発明の請求項第7項に係る半導体装置
の樹脂封止装置における縦シール材の断面形状は、I形
断面である。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】この発明の請求項第項に係る半導体装置
の樹脂封止方法は、下型チェイスブロック部の内部に形
成されたエジェクター室内を下型共用定盤部から真空排
気し、上型チェイスブロック部の内部に形成されたエジ
ェクター室内を上型共用定盤部から真空排気し、かつ、
下型チェイスブロック部及び上型チェイスブロック部の
パーティング面に形成されるパーティング室内を下型共
用定盤部及び上型共用定盤部のいずれか一方から真空排
気した後、上記下型キャビティ及び上記上型キャビティ
内に封止樹脂を注入して半導体素子を樹脂封止するもの
である。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正内容】
【0016】この発明の請求項第4項においては、型締
め状態においてパーティング面を効果的に真空シールす
ることができる。この発明の請求項第5項においては、
縦シール材により適正な押圧力が作用し、シール性能を
向上させる。この発明の請求項第6項においては、面圧
を高くでき、シール性能を向上させる。この発明の請求
項第7項において、I形縦シールはたわみにくく、シー
ル性能を向上させる。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】この発明の請求項第項においては、下型
及び上型内部に設けられた真空排気路により真空排気を
行うので、真空部分の容積が小さく、効率的にパッケー
ジのボイドの発生を防止し、製品の品質を向上する。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】請求項第4項に係る発明は、パーティング
面に面する下型チェイスブロック部及び上型チェイスブ
ロック部に、型締め状態において圧接されるシールリン
グを介装したので、型締め状態においてパーティング面
を効果的に真空シールすることができるという効果を奏
する。請求項第5項に係る発明におけるパーティング面
と直角方向に分割された合わせ面のシールは、縦シール
材により行われるので、シールリング及び縦シールに適
正な押圧力が作用し、シール性能を向上させることがで
きるという効果を奏する。請求項第6項に係る発明にお
ける縦シール材の幅は、シールリングの幅より小さいの
で、面圧を高く取ることができ、シール性能を向上させ
ることができるという効果を奏する。請求項第7項に係
る発明における縦シール材の断面形状は、I形断面であ
るので、たわみにくく、シール性能を向上させることが
できるという効果を奏する。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0035
【補正方法】変更
【補正内容】
【0035】請求項第項に係る発明は、リードフレー
ム上に載置された半導体素子を下型チェイスブロック部
に形成された下型キャビティと、上型チェイスブロック
部に形成された上型キャビティとの間に搭載して下型及
び上型の型締めを行い、上記下型チェイスブロック部の
内部に形成されたエジェクター室内を下型共用定盤部か
ら真空排気し、上記上型チェイスブロック部の内部に形
成されたエジェクター室内を上型共用定盤部から真空排
気し、かつ、上記下型チェイスブロック部及び上記上型
チェイスブロック部のパーティング面に形成されるパー
ティング室内を上記下型共用定盤部及び上記上型共用定
盤部のいずれか一方から真空排気し、次いで、上記下型
キャビティ及び上記上型キャビティ内に封止樹脂を注入
して上記半導体素子を樹脂封止するので、高品質な半導
体装置を迅速に製造することができるという効果を奏す
る。
フロントページの続き (72)発明者 堤 康次 福岡市西区今宿東一丁目1番1号 三菱電 機株式会社福岡製作所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下型チェイスブロック部及び下型共用定
    盤部から構成される下型と、上型チェイスブロック部及
    び上型共用定盤部から構成され、上記下型に対向する上
    型とを備え、上記下型チェイスブロック部及び上記上型
    チェイスブロック部に設けられたキャビティにおいて半
    導体装置の樹脂封止を行う樹脂封止装置であって、 上記下型チェイスブロック部の内部に形成されたエジェ
    クター室内を上記下型共用定盤部から真空排気する第1
    の真空排気路と、 上記上型チェイスブロック部の内部に形成されたエジェ
    クター室内を上記上型共用定盤部から真空排気する第2
    の真空排気路と、 上記下型チェイスブロック部及び上記上型チェイスブロ
    ック部のパーティング面に形成されるパーティング室内
    を上記下型共用定盤部及び上記上型共用定盤部のいずれ
    か一方から真空排気する第3の真空排気路とを設けたこ
    とを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
  2. 【請求項2】 下型チェイスブロック部及び上型チェイ
    スブロック部は、下型共用定盤部及び上型共用定盤部に
    それぞれ設けられた下型チェイスリフト機構及び上型チ
    ェイスリフト機構を用い、迅速交換方式により交換する
    ことを特徴とする請求項第1項記載の半導体装置の樹脂
    封止装置。
  3. 【請求項3】 第1の真空排気路、第2の真空排気路又
    は第3の真空排気路に、複数個の排気路を連通するマニ
    ホールドを設けたことを特徴とする請求項第1項記載の
    半導体装置の樹脂封止装置。
  4. 【請求項4】 パーティング面に面する下型チェイスブ
    ロック部及び上型チェイスブロック部に、型締め状態に
    おいて圧接されるシールリングを介装したことを特徴と
    する請求項第1項記載の半導体装置の樹脂封止装置。
  5. 【請求項5】 リードフレーム上に載置された半導体素
    子を下型チェイスブロック部に形成された下型キャビテ
    ィと、上型チェイスブロック部に形成された上型キャビ
    ティとの間に搭載して下型及び上型の型締めを行い、 上記下型チェイスブロック部の内部に形成されたエジェ
    クター室内を下型共用定盤部から真空排気し、上記上型
    チェイスブロック部の内部に形成されたエジェクター室
    内を上型共用定盤部から真空排気し、かつ、上記下型チ
    ェイスブロック部及び上記上型チェイスブロック部のパ
    ーティング面に形成されるパーティング室内を上記下型
    共用定盤部及び上記上型共用定盤部のいずれか一方から
    真空排気し、次いで、 上記下型キャビティ及び上記上型キャビティ内に封止樹
    脂を注入して上記半導体素子を樹脂封止することを特徴
    とする半導体素子の樹脂封止方法。
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