JP2001129833A - 成形金型及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
成形金型及び半導体装置の製造方法Info
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S425/00—Plastic article or earthenware shaping or treating: apparatus
- Y10S425/047—Seal ring
Abstract
ないという問題があった。 【解決手段】 上金型と下金型の内、一方の金型にその
金型パーティング面34より低い位置にOリング32を
取り付け、他方の金型にその金型パーティング面34よ
り高い位置にOリング32に対応してOリング接触用凸
部38を設けた。
Description
使用する成形金型及びそれを使用した半導体装置の製造
方法に関するものである。
化性樹脂で封止する場合、表面ボイド、内部ボイドによ
る製品不良が発生することがある。その対策として、モ
ールド金型のモールドチェイスユニットを減圧(真空を
含む、以下同じ)可能な構造にすることが実施されてい
る。
のみを断面にして示している。
れ、上金型1は、中央部にカルブロック11、その両外
側にキャビティブロック12を配置し、それらをキャビ
ティホルダ13に組込んだいわゆるモールドチェイスユ
ニット等で構成されている。
4とサポートピン15によって支持され、更に成形した
後の製品を取り出すためのエジェクタピン16が各キャ
ビティ毎に設けられている。
れ、キャビティブロック12にはキャビティ18が複数
個形成され、その外側に減圧構造にするためのOリング
19が取り付けられている。
1、その両外側にキャビティブロック22を配置し、そ
れらをキャビティホルダ23に組込んだモールドチェイ
スユニット等で構成されている。
4とサポートピン25によって支持され、更にエジェク
タピン26が設けられている。
され、キャビティブロック22にはキャビティ28が複
数個形成されている。
リング19が下金型2のパーティング面と接触してモー
ルドチェイスを減圧構造にしている。
うな構造では、モールドチェイス特にキャビティ内の減
圧構造が十分でないという問題があり、その原因として
次のようなことが想定される。
シでこすって樹脂かすを除去する際、Oリングにも当た
ってしまうため、Oリングが摩耗、破損してしまい、エ
アリークにより不十分な減圧成形になってしまう。
によりキャビティ内の負圧を目的の値に維持できない。
トをあけ、そこから真空引きを行い、クランプしたとき
の面圧逃げ部からキャビティ内を負圧にするが、減圧ポ
ートの位置及び面圧逃げ部におけるエアの経路の断面積
の影響で、複数のキャビティの内部をバランス良く目的
の値の負圧にすることができない。
決するためになされたものであるが、原因の一つを解決
しただけでも成形金型を実用に耐える減圧構造にするこ
とができる。
に、その金型パーティング面より低い位置にOリングを
取り付け、他方の金型に、その金型パーティング面より
高い位置にOリングに対応してOリング接触用凸部を設
けたものである。
ールするようにOリングを取り付け、又はエジェクタピ
ンに円盤状の突起を設けて突起とキャビティホルダの間
にOリングを取り付けたものである。
れかの減圧用ポートから最も遠いキャビティまでの距離
を最小にするように複数の減圧用ポートを配置し、更に
減圧用ポートに連なる減圧経路用溝を設けたものであ
る。
示す断面図であり、金型のOリング取り付け部分だけを
図示したもので、(a)はクリーナのブラシがOリング
に接触しないことを示しており、(b)は金型をクラン
プした時の状態を示している。
シール材であるOリング32を取り付けるための溝33
が従来より深く形成されており、Oリング32は溝33
にはめ込まれた時に、金型パーティング面34より低い
位置に取り付けられる。
34から外側に露出しないので、(a)に示すようにク
リーナ35のブラシ36が接触してこすることがない。
32に対応して金型パーティング面34より高い位置に
Oリング接触用凸部38が設けられている。
た時にOリング接触用凸部38が溝33内に入り、Oリ
ング32と接触するので、Oリング32のシール能力に
も問題はない。
ク31に、Oリング接触用凸部38を下キャビティブロ
ック37に設けたが、上下を逆にしても全く同様の作用
をする。
クリーナの動作時にブラシ36がOリング32に接触し
ないので、Oリング32の摩耗、破損が発生せず、減圧
構造を実現できる。
図で、簡略にキャビティブロックの部分を示している。
金型パーティング面42より低い位置にOリング43が
取り付けられ、下金型の下キャビティブロック44に
は、金型パーティング面42より高い位置にOリング4
3に対応してOリング接触用凸部45が設けられてい
る。
ング43に接触することはなく、また金型をクランプし
た時にはOリング43とOリング接触用凸部45が接触
するので、シール能力にも問題はない。
第1の実施形態と同等の効果を奏する。なお、Oリング
43及びOリング接触用凸部45を上下逆の金型に設け
ても同様な効果がある。
図で、第2の実施形態とは、Oリングの取り付け位置が
異なっている。
金型パーティング面52より低い位置でかつ側面にOリ
ング53が取り付けられ、下金型の下キャビティブロッ
ク54には、金型パーティング面52より高い位置にO
リング53に対応してOリング接触用凸部55が設けら
れている。
グ53に接触することはなく、また金型をクランプした
時にはOリング53とOリング接触用凸部55が接触す
るので、シール能力にも問題はない。
第2の実施形態と同等の効果を奏する。なお、Oリング
53及びOリング接触用凸部55を上下逆の金型に設け
ても同様である。
図で、エジェクタピン周りを示している。
金型の例で、キャビティ61を形成したキャビティブロ
ック62はキャビティホルダ63に組込まれている。
部分に設置され、エジェクタ64に駆動されるエジェク
タピン66はキャビティブロック62及びキャビティホ
ルダ63を貫通してキャビティ61に達しており、成形
時には下方向に移動していて、成形終了後、上方向に移
動し、図の位置になって成形製品を取り出すように構成
されている。
ダ63の間にはエジェクタピン66をシールするOリン
グ67が設けられている。Oリング67はキャビティホ
ルダ63に形成した凹部68に収容されているが、キャ
ビティブロック62に凹部68を形成しても同じであ
る。
エジェクタピン66をOリング67でシールしたので、
キャビティ61と外部との隙間になっていたエジェクタ
ピン66の周りを遮断してエアリークを防止することが
でき、キャビティ61内の負圧を目的の値に維持するこ
とができる。
図で、第4の実施形態とはシール方式が異なっている
が、同等の構成要素には同じ符号を付すことによって説
明を省略する。
円盤状の突起73が設けられ、キャビティホルダ63に
形成された凹部74内に突起73とキャビティホルダ6
3の間でシールするようにOリング75が設けられてい
る。
をOリング67がシールしていたが、第5の実施形態
は、エジェクタピン72の周囲にOリング75が設けら
れるが、突起73とキャビティホルダ63間をOリング
75でシールしており、いわゆる縦方向でのシール方式
である。
図の位置にあってシール状態になり、成形が終了して製
品を取り出す時に突起73が凹部74の中でキャビティ
ブロック62の位置まで上昇する。
4の実施形態と同等の効果を奏する。
図、図7は断面図で、上金型の例を示している。
央部にして、複数のキャビティ83を形成したキャビテ
ィブロック84を両側に配置し、それらをキャビティホ
ルダ85に組込んでいる。
のOリング86が取り付けられ、その内側には上下の金
型をクランプした時に圧力を逃がすための面圧逃げ部8
7があり、更にその内側にキャビティ83の周辺でかつ
減圧用ポート88に連なる減圧経路用溝89が設けられ
ている。
ィブロック84等に外部に貫通する穴をあけ、ポンプへ
接続して空気の真空引きを行うが、この実施形態の場合
は複数のキャビティ83の配置を考慮してバランス良く
複数個設置する。
央部、その数を2個で示しているが、減圧用ポート88
の位置、個数はその限りではなく、金型中央部以外のバ
ランスのとれる位置ならどこでも構わない。
の減圧用ポート88の内いずれかの減圧用ポート88か
ら最も遠いキャビティ83までの距離を最小にするよう
に配置することを意味する。
して真空引きを行う際のエアの経路となるもので、深さ
は0.1〜10mm程度が適当である。
により異なり、図では両側2本の溝を示しているが、キ
ャビティ83を囲むように4辺に設置しても良い。
のポンプで減圧用ポート88から真空引きを行って減圧
するが、減圧経路用溝89が複数のキャビティ83の周
辺に形成されているのでエアの経路の断面積が大きくな
っており、また複数の減圧用ポート88がバランス良く
配置されているので、遠い位置のキャビティ83への減
圧が不十分という課題も解決される。
あっても同様に構成することができる。
複数の減圧用ポート88をバランス良く配置して減圧経
路用溝89を設けたので、複数のキャビティ83の内部
をバランス良く目的の値の負圧にすることができる。
可能で、またそうすることによって相乗効果で成形金型
をより優れた減圧構造にすることができる。
体素子を樹脂で封止して半導体装置を製造すれば表面ボ
イド、内部ボイドによる製品不良をなくすことができ
る。
型のキャビティ内を目的の負圧にした減圧構造にするこ
とができる。
Claims (18)
- 【請求項1】 上金型と下金型とから成る成形金型にお
いて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置に
Oリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設けたこ
とを特徴とする成形金型。 - 【請求項2】 前記Oリングを、前記金型パーティング
面より低い位置でかつ側面に取り付けたことを特徴とす
る請求項1記載の成形金型。 - 【請求項3】 上金型と下金型とから成る成形金型にお
いて、 エジェクタピンをシールするように、キャビティホルダ
とキャビティブロックの間にOリングを設けたことを特
徴とする成形金型。 - 【請求項4】 上金型と下金型とから成る成形金型にお
いて、 エジェクタピンに円盤状の突起を設け、前記エジェクタ
ピンの周囲でかつ前記突起とキャビティホルダの間にO
リングを設けたことを特徴とする成形金型。 - 【請求項5】 上金型と下金型とから成る成形金型にお
いて、 一方の金型に、いずれかの減圧用ポートから最も遠いキ
ャビティまでの距離を最小にするように配置した複数の
減圧用ポートと、キャビティの周辺でかつ前記減圧用ポ
ートに連なる減圧経路用溝とを設けたことを特徴とする
成形金型。 - 【請求項6】 上金型と下金型とから成る成形金型にお
いて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置に
Oリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 エジェクタピンをシールするように、キャビティホルダ
とキャビティブロックの間にOリングを設けたことを特
徴とする成形金型。 - 【請求項7】 上金型と下金型とから成る成形金型にお
いて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置に
Oリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 エジェクタピンに円盤状の突起を設け、前記エジェクタ
ピンの周囲でかつ前記突起とキャビティホルダの間にO
リングを設けたことを特徴とする成形金型。 - 【請求項8】 上金型と下金型とから成る成形金型にお
いて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置に
Oリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 一方の金型に、いずれかの減圧用ポートから最も遠いキ
ャビティまでの距離を最小にするように配置した複数の
減圧用ポートと、キャビティの周辺でかつ前記減圧用ポ
ートに連なる減圧経路用溝とを設けたことを特徴とする
成形金型。 - 【請求項9】 上金型と下金型とから成る成形金型にお
いて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置で
かつ側面にOリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 エジェクタピンをシールするように、キャビティホルダ
とキャビティブロックの間にOリングを設けたことを特
徴とする成形金型。 - 【請求項10】 上金型と下金型とから成る成形金型に
おいて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置で
かつ側面にOリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 エジェクタピンに円盤状の突起を設け、前記エジェクタ
ピンの周囲でかつ前記突起とキャビティホルダの間にO
リングを設けたことを特徴とする成形金型。 - 【請求項11】 上金型と下金型とから成る成形金型に
おいて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置で
かつ側面にOリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 一方の金型に、いずれかの減圧用ポートから最も遠いキ
ャビティまでの距離を最小にするように配置した複数の
減圧用ポートと、キャビティの周辺でかつ前記減圧用ポ
ートに連なる減圧経路用溝とを設けたことを特徴とする
成形金型。 - 【請求項12】 上金型と下金型とから成る成形金型に
おいて、 エジェクタピンをシールするように、キャビティホルダ
とキャビティブロックの間にOリングを取り付け、 一方の金型に、いずれかの減圧用ポートから最も遠いキ
ャビティまでの距離を最小にするように配置した複数の
減圧用ポートと、キャビティの周辺でかつ前記減圧用ポ
ートに連なる減圧経路用溝とを設けたことを特徴とする
成形金型。 - 【請求項13】 上金型と下金型とから成る成形金型に
おいて、 エジェクタピンに円盤状の突起を設け、前記エジェクタ
ピンの周辺でかつ前記突起とキャビティホルダの間にO
リングを取り付け、 一方の金型に、いずれかの減圧用ポートから最も遠いキ
ャビティまでの距離を最小にするように配置した複数の
減圧用ポートと、キャビティの周辺でかつ前記減圧用ポ
ートに連なる減圧経路用溝とを設けたことを特徴とする
成形金型。 - 【請求項14】 上金型と下金型とから成る成形金型に
おいて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置に
Oリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 エジェクタピンをシールするように、キャビティホルダ
とキャビティブロックの間にOリングを取り付け、 一方の金型に、いずれかの減圧用ポートから最も遠いキ
ャビティまでの距離を最小にするように配置した複数の
減圧用ポートと、キャビティの周辺でかつ前記減圧用ポ
ートに連なる減圧経路用溝とを設けたことを特徴とする
成形金型。 - 【請求項15】 上金型と下金型とから成る成形金型に
おいて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置に
Oリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 エジェクタピンに円盤状の突起を設け、前記エジェクタ
ピンの周囲でかつ前記突起とキャビティホルダの間にO
リングを取り付け、 一方の金型に、いずれかの減圧用ポートから最も遠いキ
ャビティまでの距離を最小にするように配置した複数の
減圧用ポートと、キャビティの周辺でかつ前記減圧用ポ
ートに連なる減圧経路用溝とを設けたことを特徴とする
成形金型。 - 【請求項16】 上金型と下金型とから成る成形金型に
おいて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置で
かつ側面にOリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 エジェクタピンをシールするように、キャビティホルダ
とキャビティブロックの間にOリングを取り付け、 一方の金型に、いずれかの減圧用ポートから最も遠いキ
ャビティまでの距離を最小にするように配置した複数の
減圧用ポートと、キャビティの周辺でかつ前記減圧用ポ
ートに連なる減圧経路用溝とを設けたことを特徴とする
成形金型。 - 【請求項17】 上金型と下金型とから成る成形金型に
おいて、 一方の金型に、その金型パーティング面より低い位置で
かつ側面にOリングを取り付け、 他方の金型に、その金型パーティング面より高い位置に
前記Oリングに対応してOリング接触用凸部を設け、 エジェクタピンに円盤状の突起を設け、前記エジェクタ
ピンの周囲でかつ前記突起とキャビティホルダの間にO
リングを取り付け、 一方の金型に、いずれかの減圧用ポートから最も遠いキ
ャビティまでの距離を最小にするように配置した複数の
減圧用ポートと、キャビティの周辺でかつ前記減圧用ポ
ートに連なる減圧経路用溝とを設けたことを特徴とする
成形金型。 - 【請求項18】 請求項1〜17のいずれかに記載の成
形金型を使用して、半導体素子を樹脂で封止したことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP31531199A JP2001129833A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | 成形金型及び半導体装置の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP31531199A JP2001129833A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | 成形金型及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001129833A true JP2001129833A (ja) | 2001-05-15 |
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ID=18063879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31531199A Pending JP2001129833A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | 成形金型及び半導体装置の製造方法 |
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US (2) | US6491508B1 (ja) |
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