JPH0682521B2 - 反射体 - Google Patents
反射体Info
- Publication number
- JPH0682521B2 JPH0682521B2 JP62134517A JP13451787A JPH0682521B2 JP H0682521 B2 JPH0682521 B2 JP H0682521B2 JP 62134517 A JP62134517 A JP 62134517A JP 13451787 A JP13451787 A JP 13451787A JP H0682521 B2 JPH0682521 B2 JP H0682521B2
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- Japan
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- reflector
- metal
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- metal base
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、照明器具などにおける反射体に係り、可視光
反射赤外線吸収層を形成した反射体に関する。
反射赤外線吸収層を形成した反射体に関する。
（従来の技術） 店舗などにおいて、商品の陳列部または床面などを照明
する反射体を有する照明器具では、ランプから放射され
る熱線が可視光線とともに反射体にて反射して照射さ
れ、この照射された熱線にて商品を熱変色させ、または
熱変形させたりするおそれがあるものがある。そこで、
例えば特開昭60−97502号公報に記載されているよう
に、金属基体の表面に熱吸収層を形成し、この熱吸収層
の表面に赤外線を透過し可視光を反射するダイクロイッ
ク層といわれる多層膜層を形成し、被照射面に照射され
る熱線が少なくなるようにした反射体が提案されてい
る。
する反射体を有する照明器具では、ランプから放射され
る熱線が可視光線とともに反射体にて反射して照射さ
れ、この照射された熱線にて商品を熱変色させ、または
熱変形させたりするおそれがあるものがある。そこで、
例えば特開昭60−97502号公報に記載されているよう
に、金属基体の表面に熱吸収層を形成し、この熱吸収層
の表面に赤外線を透過し可視光を反射するダイクロイッ
ク層といわれる多層膜層を形成し、被照射面に照射され
る熱線が少なくなるようにした反射体が提案されてい
る。
またアルミニュームなどにて成型された略皿状の反射体
の表面の赤外線を透過し可視光を反射するダイクロイッ
ク層といわれる多層膜層は真空蒸着によって形成するこ
とが一般的である。この多層膜層の蒸着形成は、真空蒸
着炉内に蒸発金属の蒸発源から反射板体の金属基体を前
期蒸発源に向けて配置し、この金属基体の表面に蒸発源
から発生した蒸発金属を蒸着する方法が採られていた。
の表面の赤外線を透過し可視光を反射するダイクロイッ
ク層といわれる多層膜層は真空蒸着によって形成するこ
とが一般的である。この多層膜層の蒸着形成は、真空蒸
着炉内に蒸発金属の蒸発源から反射板体の金属基体を前
期蒸発源に向けて配置し、この金属基体の表面に蒸発源
から発生した蒸発金属を蒸着する方法が採られていた。
しかしながら反射体の深さが照射開口に比して深い場合
には、金属基体の絞り加工が困難であるばかりでなく、
蒸発源から蒸発される蒸発金属が反射体の金属基体の表
面に当たる角度は、深い部分では傾斜状となり、蒸発金
属の衝突エネルギーが小さくなるため、蒸発金属の密着
性が悪く、蒸着膜層の膜厚がばらつき易く、照射光に色
むらが生じるおそれがある問題があった。
には、金属基体の絞り加工が困難であるばかりでなく、
蒸発源から蒸発される蒸発金属が反射体の金属基体の表
面に当たる角度は、深い部分では傾斜状となり、蒸発金
属の衝突エネルギーが小さくなるため、蒸発金属の密着
性が悪く、蒸着膜層の膜厚がばらつき易く、照射光に色
むらが生じるおそれがある問題があった。
そこで、従来は第６図に示すように、真空蒸着炉１内で
反射体の金属基体２を蒸発金属の蒸発源３に対して傾斜
した回転軸４を中心として自転させながら蒸着すること
により、均等に蒸着膜が形成されるようにしている。
反射体の金属基体２を蒸発金属の蒸発源３に対して傾斜
した回転軸４を中心として自転させながら蒸着すること
により、均等に蒸着膜が形成されるようにしている。
（発明が解決しようとする問題点） 上記第６図に示す方法で反射体の表面に可視光反射赤外
線吸収層を蒸着形成するには、真空蒸着炉にて反射体の
金属基体を自転させなくてはならず、生産性が悪く、装
置が高価となる問題を有していた。
線吸収層を蒸着形成するには、真空蒸着炉にて反射体の
金属基体を自転させなくてはならず、生産性が悪く、装
置が高価となる問題を有していた。
そこで本発明者は、蒸着可視光反射赤外線吸収層の密着
性を良好にして金属基体に可視光反射赤外線吸収層が均
等に形成されるようにするには、金属基体の照射開口の
径に対する深さをを制約することにより解決されること
に着目し、本発明者は蒸発金属が金属基体に当たる角度
が略55゜以上であると蒸着可視光反射赤外線吸収層の密
着性が良いことを経験的に知得し、反射体の成型が容易
で、金属基体を真空蒸着炉で回転させなくても可視光反
射赤外線吸収層の密着性が良好で、可視光反射赤外線吸
収層が全面均等に形成され、照射光に色むらが発生する
おそれがなく、装置が簡単になり、生産性が向上され、
安価に製造できる反射体を提供することを目的としたも
のである。
性を良好にして金属基体に可視光反射赤外線吸収層が均
等に形成されるようにするには、金属基体の照射開口の
径に対する深さをを制約することにより解決されること
に着目し、本発明者は蒸発金属が金属基体に当たる角度
が略55゜以上であると蒸着可視光反射赤外線吸収層の密
着性が良いことを経験的に知得し、反射体の成型が容易
で、金属基体を真空蒸着炉で回転させなくても可視光反
射赤外線吸収層の密着性が良好で、可視光反射赤外線吸
収層が全面均等に形成され、照射光に色むらが発生する
おそれがなく、装置が簡単になり、生産性が向上され、
安価に製造できる反射体を提供することを目的としたも
のである。
（問題点を解決するための手段） 本発明の反射体は、前面に照射開口を有する略皿状に形
成された金属基体と、この金属基体に蒸着形成され可視
光反射赤外線吸収層とからなり、上記金属基体の照射開
口の径ｒとこの照射開口から頂部までの深さｈとの関係
をh/r＝1/1.5以下としたことを特徴としたものである。
成された金属基体と、この金属基体に蒸着形成され可視
光反射赤外線吸収層とからなり、上記金属基体の照射開
口の径ｒとこの照射開口から頂部までの深さｈとの関係
をh/r＝1/1.5以下としたことを特徴としたものである。
（作用） 本発明の反射体は、反射体の照射開口の径ｒとこの照射
開口から頂部までの深さｈとの関係をh/r＝1/1.5以下と
したため、金属基体は照射開口の径に比して比較的に深
さが浅く、真空蒸着炉内で蒸発金属の蒸発源に対向させ
た金属基体の表面に当たる蒸発金属の当たる角度は略55
゜以上となり、蒸着される蒸発金属の密着性が高めら
れ、均等な厚みの可視光反射赤外線吸収層は均等とな
り、照射光は色むらが発生するおそれがなく、また反射
体の金属基体は絞りプレス加工などにて容易に成型で
き、この反射体にて反射される照射光の熱線が低下され
る。
開口から頂部までの深さｈとの関係をh/r＝1/1.5以下と
したため、金属基体は照射開口の径に比して比較的に深
さが浅く、真空蒸着炉内で蒸発金属の蒸発源に対向させ
た金属基体の表面に当たる蒸発金属の当たる角度は略55
゜以上となり、蒸着される蒸発金属の密着性が高めら
れ、均等な厚みの可視光反射赤外線吸収層は均等とな
り、照射光は色むらが発生するおそれがなく、また反射
体の金属基体は絞りプレス加工などにて容易に成型で
き、この反射体にて反射される照射光の熱線が低下され
る。
（実施例） 本発明の反射体の一実施例の構成を図面第１図および第
２図について説明する。
２図について説明する。
10はアルミニューム板、ステンレス板、鉄板などの金属
基体で例えば、略皿状の回転二次曲面体に成型され、こ
の金属基体10の板面と同一面の頂部にこの頂部を切り欠
いてこの板面と開口縁が平坦面のランプを挿入する貫通
孔11を形成し、この金属基体10の下側照射開口12の縁部
には環状の鍔部13が形成されている。そして金属基体10
の照射開口12の径ｒとこの照射開口12から頂部までの深
さｈとの関係をh/r＝1/1.5以下とし、好ましくは、その
関係をh/r＝1/1.5〜1/3の範囲とする。またこの金属基
体10の表面には例えば、熱吸収性が良好な金属の黒色の
酸化物層14を形成し、この金属酸化物層14の表面を平滑
に処理した後、この金属酸化物層14の表面に二酸化けい
素（SiO2）と二酸化チタン（TiO2）とを交互に蒸着積層
し、またはフッ化マグネシウム（MgF2）と二酸化チタン
（TiO2）とを交互に蒸着積層する工程により可視光反射
特性を有するとともに赤外線吸収特性を有する多層膜層
15を形成して、この金属基体10とこの金属基体10に形成
した熱吸収の金属酸化物層14および多層膜層15からなる
可視光反射赤外線吸収層とにて反射体16が形成される。
基体で例えば、略皿状の回転二次曲面体に成型され、こ
の金属基体10の板面と同一面の頂部にこの頂部を切り欠
いてこの板面と開口縁が平坦面のランプを挿入する貫通
孔11を形成し、この金属基体10の下側照射開口12の縁部
には環状の鍔部13が形成されている。そして金属基体10
の照射開口12の径ｒとこの照射開口12から頂部までの深
さｈとの関係をh/r＝1/1.5以下とし、好ましくは、その
関係をh/r＝1/1.5〜1/3の範囲とする。またこの金属基
体10の表面には例えば、熱吸収性が良好な金属の黒色の
酸化物層14を形成し、この金属酸化物層14の表面を平滑
に処理した後、この金属酸化物層14の表面に二酸化けい
素（SiO2）と二酸化チタン（TiO2）とを交互に蒸着積層
し、またはフッ化マグネシウム（MgF2）と二酸化チタン
（TiO2）とを交互に蒸着積層する工程により可視光反射
特性を有するとともに赤外線吸収特性を有する多層膜層
15を形成して、この金属基体10とこの金属基体10に形成
した熱吸収の金属酸化物層14および多層膜層15からなる
可視光反射赤外線吸収層とにて反射体16が形成される。
次にこの反射体16を用いた照明器具を図面第３図および
第４図について説明する。
第４図について説明する。
17は前面に照射口18を開口し例えば、金属で形成された
略円筒状の筐体で、この筐体17の背面は複数の放熱孔19
が形成されている。またこの筐体17の上面内側にねじ20
にて上端が固定される例えば、金属にて形成された取付
け枠21にはランプソケット22が取付けられ、この取付け
枠21の先端に前記筐体17内に配設される前記反射体16の
頂部が固定されている。そしてこの反射体16の貫通孔11
から前記ランプソケット22取付けたハロゲンランプなど
のランプ23の発光部が前記反射体16内に配設されるよう
になっている。またこの反射体16の鍔部13は前記筐体17
の照射口18の縁部に当接され、前記筐体17の照射口18部
に弾性的に嵌合した弾性を有するバッフル25の内周に突
設されている係止突部26にて保持されている。
略円筒状の筐体で、この筐体17の背面は複数の放熱孔19
が形成されている。またこの筐体17の上面内側にねじ20
にて上端が固定される例えば、金属にて形成された取付
け枠21にはランプソケット22が取付けられ、この取付け
枠21の先端に前記筐体17内に配設される前記反射体16の
頂部が固定されている。そしてこの反射体16の貫通孔11
から前記ランプソケット22取付けたハロゲンランプなど
のランプ23の発光部が前記反射体16内に配設されるよう
になっている。またこの反射体16の鍔部13は前記筐体17
の照射口18の縁部に当接され、前記筐体17の照射口18部
に弾性的に嵌合した弾性を有するバッフル25の内周に突
設されている係止突部26にて保持されている。
次にこの実施例の作用を説明する。
ランプ23から反射体16に入射された光の内、可視光は多
層膜層15にて反射されて出射され、この多層膜層15を透
過した赤外線は金属基体10の熱伝導率の高い酸化物層14
の熱吸収層にて吸収され、赤外線はほとんど反射される
ことなく、熱線反射が少なく、反射光は低温となり、ま
た金属基体10の酸化物層14にて吸収された赤外線は金属
基体10に熱伝導され、さらにこの金属基体10が放熱面と
なり、また反射体16には貫通孔11のみで筒状部が形成さ
れていないため、輻射熱が貫通孔11から抜け出るととも
に取付け枠21などに熱伝導により放熱するので、金属基
体10の温度上昇は低く抑えられる。
層膜層15にて反射されて出射され、この多層膜層15を透
過した赤外線は金属基体10の熱伝導率の高い酸化物層14
の熱吸収層にて吸収され、赤外線はほとんど反射される
ことなく、熱線反射が少なく、反射光は低温となり、ま
た金属基体10の酸化物層14にて吸収された赤外線は金属
基体10に熱伝導され、さらにこの金属基体10が放熱面と
なり、また反射体16には貫通孔11のみで筒状部が形成さ
れていないため、輻射熱が貫通孔11から抜け出るととも
に取付け枠21などに熱伝導により放熱するので、金属基
体10の温度上昇は低く抑えられる。
また前記反射体16の金属基体10は照射開口12の径ｒとこ
の照射開口12から頂部までの深さｈとの関係をh/r＝1/
1.5以下、好ましくは、h/r＝1/1.5〜1/3の範囲としたた
め、金属基体10は照射開口12の径に比して比較的に深さ
が浅く、第５図で示す真空蒸着炉25内で蒸発金属の蒸発
源26に対向させて等距離に並列に配置して金属酸化物層
14および多層膜層15を蒸着する場合、金属基体10の表面
に当たる蒸発金属の当たる金属基体10の全面に対して角
度αは略55゜以上で90゜までの範囲となり、蒸発金属が
金属基体10の表面には全面に略垂直に当り、蒸発金属が
金属基体10に当たる衝突エネルギーが大きく、蒸着され
る蒸発金属の密着性が高められ、均等な厚みの金属酸化
物層14と多層膜層15は均等となり、照射光は色むらが発
生するおそれがなく、また反射体16の金属基体10は絞り
プレス加工などにて容易に成型でき、この反射体にて反
射される照射光の熱線が低下される。
の照射開口12から頂部までの深さｈとの関係をh/r＝1/
1.5以下、好ましくは、h/r＝1/1.5〜1/3の範囲としたた
め、金属基体10は照射開口12の径に比して比較的に深さ
が浅く、第５図で示す真空蒸着炉25内で蒸発金属の蒸発
源26に対向させて等距離に並列に配置して金属酸化物層
14および多層膜層15を蒸着する場合、金属基体10の表面
に当たる蒸発金属の当たる金属基体10の全面に対して角
度αは略55゜以上で90゜までの範囲となり、蒸発金属が
金属基体10の表面には全面に略垂直に当り、蒸発金属が
金属基体10に当たる衝突エネルギーが大きく、蒸着され
る蒸発金属の密着性が高められ、均等な厚みの金属酸化
物層14と多層膜層15は均等となり、照射光は色むらが発
生するおそれがなく、また反射体16の金属基体10は絞り
プレス加工などにて容易に成型でき、この反射体にて反
射される照射光の熱線が低下される。
なお前記金属基体10の酸化物層14と多層膜層15とにて可
視光反射赤外線反射層を形成したが、多層膜層15の赤外
線吸収率が高い場合には酸化物層14は必ずしも必要では
なく、また酸化物層14と多層膜層15との間に可視光反射
層または透明保護層などを介在することもできる。
視光反射赤外線反射層を形成したが、多層膜層15の赤外
線吸収率が高い場合には酸化物層14は必ずしも必要では
なく、また酸化物層14と多層膜層15との間に可視光反射
層または透明保護層などを介在することもできる。
本発明によれば、照射開口を有する略皿状に形成された
金属基体に形成され可視光反射赤外線吸収層からなる反
射体は、この反射体の照射開口の径ｒとこの照射開口か
ら頂部までの深さｈとの関係をh/r＝1/1.5以下としたの
で、金属基体の表面に形成される可視光反射赤外線吸収
膜の密着性が良好で、層の厚みが均等に形成され、層の
形成が容易で、また反射体の深さは比較的浅く、プレス
絞り加工で容易に成型でき、安価に製造でき、金属基体
の表面に形成した可視光反射赤外線吸収層にて可視光を
反射して赤外線を透過し、反射照射光は熱線の反射が少
なく、反射体の温度上昇が抑えられる。
金属基体に形成され可視光反射赤外線吸収層からなる反
射体は、この反射体の照射開口の径ｒとこの照射開口か
ら頂部までの深さｈとの関係をh/r＝1/1.5以下としたの
で、金属基体の表面に形成される可視光反射赤外線吸収
膜の密着性が良好で、層の厚みが均等に形成され、層の
形成が容易で、また反射体の深さは比較的浅く、プレス
絞り加工で容易に成型でき、安価に製造でき、金属基体
の表面に形成した可視光反射赤外線吸収層にて可視光を
反射して赤外線を透過し、反射照射光は熱線の反射が少
なく、反射体の温度上昇が抑えられる。
第１図は本発明の一実施例を示す反射体の縦断面図、第
２図は同上反射体の一部の拡大断面図、第３図は同上反
射体を用いた照明器具の一部を切り欠いた側面図、第４
図は同上分解斜視図、第５図は同上反射体の金属基体に
多層膜層を蒸着する装置の説明図、第６図は従来の反射
体の金属基体に多層膜層を蒸着する装置の説明図であ
る。 10……金属基体、12……照射開口、15……可視光反射赤
外線吸収層を形成する多層膜層。
２図は同上反射体の一部の拡大断面図、第３図は同上反
射体を用いた照明器具の一部を切り欠いた側面図、第４
図は同上分解斜視図、第５図は同上反射体の金属基体に
多層膜層を蒸着する装置の説明図、第６図は従来の反射
体の金属基体に多層膜層を蒸着する装置の説明図であ
る。 10……金属基体、12……照射開口、15……可視光反射赤
外線吸収層を形成する多層膜層。
Claims (1)
- 【請求項１】前面に照射開口を有する略皿状に形成され
た金属基体と、この金属基体に蒸着形成され可視光反射
赤外線吸収層とからなり、 上記金属基体の照射開口の径ｒとこの照射開口から頂部
までの深さｈとの関係をh/r＝1/1.5以下としたことを特
徴とした反射体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134517A JPH0682521B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 反射体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134517A JPH0682521B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 反射体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7260418A Division JPH08212819A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 照明器具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299004A JPS63299004A (ja) | 1988-12-06 |
| JPH0682521B2 true JPH0682521B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=15130175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62134517A Expired - Lifetime JPH0682521B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 反射体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682521B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5684804A (en) * | 1979-12-11 | 1981-07-10 | Toshiba Electric Equip | Illuminator |
| JPS57140001U (ja) * | 1981-02-25 | 1982-09-02 | ||
| JPS59219701A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-11 | Toshiba Corp | 光反射器 |
| JPS6010207U (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-24 | 松下電工株式会社 | 照明器具用反射鏡 |
| JPH071374B2 (ja) * | 1984-03-06 | 1995-01-11 | 株式会社ニコン | 光源装置 |
| JPS61171119U (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-23 | ||
| JPS6224409U (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-14 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62134517A patent/JPH0682521B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63299004A (ja) | 1988-12-06 |
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