JPS63269103A - 反射体 - Google Patents
反射体Info
- Publication number
- JPS63269103A JPS63269103A JP62105542A JP10554287A JPS63269103A JP S63269103 A JPS63269103 A JP S63269103A JP 62105542 A JP62105542 A JP 62105542A JP 10554287 A JP10554287 A JP 10554287A JP S63269103 A JPS63269103 A JP S63269103A
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- JP
- Japan
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- layer
- amorphous carbon
- reflector
- heat ray
- infrared
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、照明器具などにおいて、熱線反射を少なくし
た反射体にＩ！ｌする。
た反射体にＩ！ｌする。
（従来の技術）
店舗などにおいて、反射体を用いて売場やフロアなどを
照明する照明器具には、ランプから放射される熱線が可
視光線とともに反射して照射されるので、熱線によって
商品を変色や変形させたりするおそれがあるものがある
。そこで例えば、特開昭６０−９７５０２＠公報に記載
されているように、基体金属の表面にアルマイト層を形
成し、さらにこのアルマイト層をｔ＠光発色法より黒色
層に形成し、この黒色層の表面に赤外線を透過するダイ
ク０イック層を形成し、被照ｒＪ４面に照射されている
光線から熱線をなるべく除去するようにした反射体が提
案されている。また、基体金属の表面に黒色塗装層、黒
色染剤層などの黒色の熱吸収層を形成し、この黒色の熱
吸収層の表面に赤外線を透過し可視光線を反射するダイ
ク［ｌイック層を形成した反射体も提案されている。
照明する照明器具には、ランプから放射される熱線が可
視光線とともに反射して照射されるので、熱線によって
商品を変色や変形させたりするおそれがあるものがある
。そこで例えば、特開昭６０−９７５０２＠公報に記載
されているように、基体金属の表面にアルマイト層を形
成し、さらにこのアルマイト層をｔ＠光発色法より黒色
層に形成し、この黒色層の表面に赤外線を透過するダイ
ク０イック層を形成し、被照ｒＪ４面に照射されている
光線から熱線をなるべく除去するようにした反射体が提
案されている。また、基体金属の表面に黒色塗装層、黒
色染剤層などの黒色の熱吸収層を形成し、この黒色の熱
吸収層の表面に赤外線を透過し可視光線を反射するダイ
ク［ｌイック層を形成した反射体も提案されている。
（発明が解決しようとする問題点）
上記特開昭６０−９７５０２号公報に示される反射体は
基体金属の表面に黒色アルマイト層を形成し、かつ電解
発色させ、アルマイト層の下にｆ、色層を形成している
ため、製造工程が多く、コストアップの原因となり、さ
らに電解発色法による黒色アルマイト層、反ｍ体に黒色
塗装層および黒染剤層を形成した赤外線吸収率が４０％
程度と低く、また耐熱性にも問題が有り、劣化し易く性
能の低下などが発生する問題を有していた。
基体金属の表面に黒色アルマイト層を形成し、かつ電解
発色させ、アルマイト層の下にｆ、色層を形成している
ため、製造工程が多く、コストアップの原因となり、さ
らに電解発色法による黒色アルマイト層、反ｍ体に黒色
塗装層および黒染剤層を形成した赤外線吸収率が４０％
程度と低く、また耐熱性にも問題が有り、劣化し易く性
能の低下などが発生する問題を有していた。
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、基体の表面
に熱伝導率の高いアモルファス炭素膜層にて赤外線吸収
層を形成することにより、赤外線の吸収率が高く、熱線
吸収性能の低下のおそれがなく、熱線の反射が少ない反
射体を提供することを目的とするものである。
に熱伝導率の高いアモルファス炭素膜層にて赤外線吸収
層を形成することにより、赤外線の吸収率が高く、熱線
吸収性能の低下のおそれがなく、熱線の反射が少ない反
射体を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の反射体は、金属、ガラス、合成樹脂またはセラ
ミックなどの基体と、この基体の表面に対設された赤外
線透過性反射層と、前記基体と赤外線透過性反１１４層
との門に介在されたアモルファス炭素層とを具備したこ
とを特徴どするものである。
ミックなどの基体と、この基体の表面に対設された赤外
線透過性反射層と、前記基体と赤外線透過性反１１４層
との門に介在されたアモルファス炭素層とを具備したこ
とを特徴どするものである。
（作用）
本発明の反射体は、基体の表面にて形成されたアモルフ
ァス炭素膜層により赤外線透過性反射層を透過した赤外
線は吸収され、赤外線の反射がなく、被照射面への熱線
が良好に低下される。
ァス炭素膜層により赤外線透過性反射層を透過した赤外
線は吸収され、赤外線の反射がなく、被照射面への熱線
が良好に低下される。
（実施例）
本発明の反射体の一実施例の構成を図面について説明す
る。
る。
１はステンレス板、鉄などの金属、ガラス、合成樹脂ま
たはセラミックなどにて例えば回転二次曲面体に成型さ
れた基体で、この基体１の−・方の反射面となる表面に
は高周波（ＲＦ’ ）スパッタリング法などにより赤外
線吸収層となるアモルファス炭素層２が蒸着形成されて
いる。このアモルファス炭素膜層２は厚さは１乃￥１０
μ程度、好ましくは１乃至３μとする。そして、このア
モルファス炭素Ｍ２の表面に前記基体１の表面に対設し
て赤外線透過性反０４Ｆ１３を形成している。この赤外
線透過性反射層３は、例えばふっ化マグネシウム（ＨＯ
ｒ’２ ）と二酸化けい素（Ｓｉ０２）とを交Ｈに蒸着
積層しまたは二酸化チタン（ＴｉＯｚ＞と二酸化けい素
（ＳｉＯｚ）とを交互に蒸着積層する工程により透明な
１０乃至２０層程度の多層膜にて形成する。
たはセラミックなどにて例えば回転二次曲面体に成型さ
れた基体で、この基体１の−・方の反射面となる表面に
は高周波（ＲＦ’ ）スパッタリング法などにより赤外
線吸収層となるアモルファス炭素層２が蒸着形成されて
いる。このアモルファス炭素膜層２は厚さは１乃￥１０
μ程度、好ましくは１乃至３μとする。そして、このア
モルファス炭素Ｍ２の表面に前記基体１の表面に対設し
て赤外線透過性反０４Ｆ１３を形成している。この赤外
線透過性反射層３は、例えばふっ化マグネシウム（ＨＯ
ｒ’２ ）と二酸化けい素（Ｓｉ０２）とを交Ｈに蒸着
積層しまたは二酸化チタン（ＴｉＯｚ＞と二酸化けい素
（ＳｉＯｚ）とを交互に蒸着積層する工程により透明な
１０乃至２０層程度の多層膜にて形成する。
次にこの実施例の作用を説明する。
図示しないが光源から反射体４に入射された光の内、可
視光は多層膜の赤外線透過性反射層３にて反射されて出
射され、赤外線は基体１の熱伝導率の高いアモルファス
炭素層２の熱吸収層にて吸収され、赤外線はほとんど反
射されることなく、熱線反射が少なく、また基体１のア
モルファス炭素層２にて吸収された赤外線は轄体１に熱
伝導され、さらにこのｕ体１から放熱され、基体１の湿
度１胃は低くなる。
視光は多層膜の赤外線透過性反射層３にて反射されて出
射され、赤外線は基体１の熱伝導率の高いアモルファス
炭素層２の熱吸収層にて吸収され、赤外線はほとんど反
射されることなく、熱線反射が少なく、また基体１のア
モルファス炭素層２にて吸収された赤外線は轄体１に熱
伝導され、さらにこのｕ体１から放熱され、基体１の湿
度１胃は低くなる。
なお前記アモルファス炭素層２と赤外線透過性反０４層
３との間に可視光反射層または透明保護層などを介在す
ることもできる。
３との間に可視光反射層または透明保護層などを介在す
ることもできる。
本発明の反射体によれば、基体の表面に対設された赤外
線透過七反１１４層と、前記基体と赤外線透過性反射層
どの間に介在されたアモルファス炭素層とを具備してな
るので、基体の表面に形成した熱伝導率が高く、熱吸収
の良好なアモルファス炭Ｘ膜層にて赤外線透過性反射層
を透過した赤外線が吸収され、反射光は熱線の反射が少
なく、熱吸収層のアモルファス炭素層は熱伝導率が高い
ため、赤外線の吸収率が高く、熱線の反射が少なくなる
るものである。
線透過七反１１４層と、前記基体と赤外線透過性反射層
どの間に介在されたアモルファス炭素層とを具備してな
るので、基体の表面に形成した熱伝導率が高く、熱吸収
の良好なアモルファス炭Ｘ膜層にて赤外線透過性反射層
を透過した赤外線が吸収され、反射光は熱線の反射が少
なく、熱吸収層のアモルファス炭素層は熱伝導率が高い
ため、赤外線の吸収率が高く、熱線の反射が少なくなる
るものである。
第１図は本発明の一実施例を示す反射体の一部の拡大断
面図、第２図は同上反射体の断面図である。 １・・基体、２・・アモルファス炭素層、３・・赤外線
透過性反射層。
面図、第２図は同上反射体の断面図である。 １・・基体、２・・アモルファス炭素層、３・・赤外線
透過性反射層。
Claims (1)
- （１）基体と、この基体の表面に対設された赤外線透過
性反射層と、前記基体と赤外線透過性反射層との間に介
在されたアモルファス炭素層とを具備したことを特徴と
した反射体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105542A JPS63269103A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 反射体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105542A JPS63269103A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 反射体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269103A true JPS63269103A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14410473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62105542A Pending JPS63269103A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 反射体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63269103A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005043234A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | リフレクタ、光源装置、及び投射型表示装置 |
| US7388242B2 (en) * | 2002-10-25 | 2008-06-17 | Omnivision International Holding Ltd. | Image sensor having integrated thin film infrared filter |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295340A (en) * | 1976-02-03 | 1977-08-10 | Philips Nv | Selective absorbing body for radiation within range of solar spectrum and method of producing same |
| JPS58182059A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-24 | コミサリア タ レネルジー アトミック | 光熱変換用被覆 |
| JPS6097502A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-31 | 荒井 昌 | メタルベ−ス・ダイクロイツクリフレクタ− |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP62105542A patent/JPS63269103A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295340A (en) * | 1976-02-03 | 1977-08-10 | Philips Nv | Selective absorbing body for radiation within range of solar spectrum and method of producing same |
| JPS58182059A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-24 | コミサリア タ レネルジー アトミック | 光熱変換用被覆 |
| JPS6097502A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-31 | 荒井 昌 | メタルベ−ス・ダイクロイツクリフレクタ− |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7388242B2 (en) * | 2002-10-25 | 2008-06-17 | Omnivision International Holding Ltd. | Image sensor having integrated thin film infrared filter |
| WO2005043234A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | リフレクタ、光源装置、及び投射型表示装置 |
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