JPS63271201A - 反射体 - Google Patents

反射体

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JPS63271201A
JPS63271201A JP62105544A JP10554487A JPS63271201A JP S63271201 A JPS63271201 A JP S63271201A JP 62105544 A JP62105544 A JP 62105544A JP 10554487 A JP10554487 A JP 10554487A JP S63271201 A JPS63271201 A JP S63271201A
Authority
JP
Japan
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infrared
layer
infrared absorption
reflector
reflective layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP62105544A
Other languages
English (en)
Inventor
Kosuke Kajiyama
梶山 宏介
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Toshiba Electric Equipment Corp
Original Assignee
Toshiba Electric Equipment Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Electric Equipment Corp filed Critical Toshiba Electric Equipment Corp
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Publication of JPS63271201A publication Critical patent/JPS63271201A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、照明器具などにおいて、熱線反射を少なくし
た反射体に関する。
(従来の技術) 店舗などにおいて、反射体を用いて売場やフロアなどを
照明する照明器具には、ランプから放射される熱線が可
視光線とともに反射して照射されるので、熱線によって
商品を変色や変形させたりするおそれがあるものがある
。そこで、例えば特開昭61−71502号公報に記載
されているように、基体金属の表面に赤外線吸収図とな
る黒色塗装層を形成し、この黒色塗装層の表面に赤外線
透過性反射層4層を形成した反射体、また、特開昭60
−97502号公報に記載されているように、基体金属
の表面にアルマイト層を形成し、さらにこのアルマイト
層を電解発色法により黒色層の赤外線吸収図に形成し、
この赤外線吸収図の表面に赤外線透過性反射層を形成し
た反射体など、基体の表面に形成した一層の赤外線吸収
図にて赤外線を吸収し、赤外線の反射を少なくした反射
体が提案されている。
(発明が解決しようとした問題点) 上記従来の基体金属の表面に黒色塗装層、黒色アルマイ
トF4などの−・層の赤外線吸収図を形成だ反射体では
、第4図に示すように、赤外線透過性反射層11から赤
外線吸収図12に入射した赤外線の一部aは赤外線吸収
図12の表面で反射し、残りの一部すは赤外線吸収図1
2に吸収されるが、さらに赤外線の一部tよ赤外線吸収
図12を透過し、この赤外線吸収図12を透過した赤外
線の一部CはM体13側に吸収されるともに他の一部d
は基体13の表面で赤外線吸収図12側に反射し、赤外
線吸収図12に入射した赤外線の20乃至50%が反射
成分a、dとなり、赤外線吸収図12の赤外線吸収性能
が低い問題を有している。
本発明は上記問題点に名みなされたもので、赤外線吸収
図を複数種の材質で複数層に形成し、赤外線吸収図の赤
外線吸収率を高め、赤外線の反射の少ない反則体を提供
することを目的どするものである。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明の反射体は、金属、ガラスなどの基体と、この基
体の表面に対設された赤外線透過性反射層と、前記基体
と赤外線透過性反射層との間に介在された赤外線吸収図
とを含み、前記赤外線吸収図を複数種の材質で複数層に
形成したことを特徴するものである。
(作用) 本発明の反射体は、基体の表面に対設形成された赤外線
透過性反射層を透過した赤外線は複数種の材τ1の複数
層の赤外線吸収図にて順次吸収され、赤外線の反射が少
なく、赤外線吸収図で吸収された赤外線は熱伝導で基体
側に放熱される。
(実施例) 本発明の反射体の一実浦例の構成を図面第1図および第
2図について説明する。
1はアルミニューム板、鉄板などの金属、ガラス、合成
樹脂またはセラミックなどにて例えば回転二次曲面体に
成型されたり休で、この基体1の一方の反射面となる表
面には炭化けい素(SiC)、酸化り〔1ム(Crux
 )などの第一層の赤外線吸収図2を蒸着形成する。こ
の第一層の赤外線吸収KrJ20表面に炭化ブタン(T
ie)、酸化けい素(SiOX)などの第二層の赤外線
吸収図3を蒸着形成する。この第一層および第二層の赤
外線吸収図2.3の厚みはそれぞれ1乃至10μ程度、
好ましくは1乃至3μとした。そしてこの第二層の赤外
線吸収図3の上部に前記基体1の表面に対数しC赤外線
透過性反射層4を蒸着形成づる。この赤外 ′線透過竹
反a4層4は、例えばコニ酸化けい糸(Si02)とぶ
つ化マグネシウム(M(IF2 )とを交互に蒸着積層
しまたは二酸化けい素(SiOz)と二酸化チタン(T
iOz)とを交互に蒸着積層する工程により透明な10
乃至20層程度の多層膜にて形成する。
そして前記基体1側に位置する第一層の赤外線吸収図2
は赤外線の吸収量が多く、反射率が小さく、基体1にな
じみ密着性の良い材質例えば、炭化けい素(SiC)ま
たは酸化り[]ム(Crux)にて形成し、赤外線透過
性反射層4側に位置される第二層の赤外線吸収図3は赤
外線の反射率の低い赤外線透過性反射層4と密着性の良
い材質、例えば酸化けい素(SiOx)または炭化チタ
ン(TiC)にて形成する。
次にこの実施例の作用を説明する。
図示しない光源から反射体5に入射された光の内、可視
光は多層膜の赤外i透過性反射層4にて反射されて出射
され、赤外線透過竹原!)1層4を透過して第二層の赤
外線吸収図3に大川された赤外線へは、第3図に示すよ
うに基体1の赤外線吸収図3にてほとんど反射されるこ
となく50%以上の赤外le1は吸収され、この第二層
の赤外線吸収図3を透過した赤外線B2は第一層の赤外
線吸収図2に入射され、反射される赤外I!;ICはほ
とんどなく、大部分の赤外IDはこの第二層の赤外線吸
収図2にて吸収され、赤外線の反)1が少なくなり、ま
た赤外線吸収図2,3にて吸収された赤外線は基体1に
熱伝導され、さらにこの基体1から放熱され、V体1の
温度上昇が低減される。
なお前記第二層の赤外線吸収図3と赤外I!i1透過性
反射層4との間に可視光反射層または透明保護層などを
介在させることもできる。
次に前記基体1と赤外線吸収図2,3および赤外線透過
性反射層4との具体的組合わせ例について説明する。
1、基体1がアルミニューム板の場合、第一・層の赤外
線吸収図2は炭化けい素(SiC)とし、第二層の赤外
線吸収図3は赤外線透過性反射層4の最下層が二酸化け
い素(SiOz)では炭化ブタン(TiC)または酸化
けい1(SiOx)とした。
2、基体1がフルミニニーム板の場合、第一層の赤外線
吸収図2は酸化クロム(Crux )とし、第二層の赤
外線吸収図3は赤外線透過性反射層4の最下層が二酸化
けい素(SiOz)では酸化けい素(SiOx)とした
3、基体1がガラス板の場合、第一・層の赤外線吸収図
2は炭化けい素(SiC)とし、第二層の赤外線吸収図
3は赤外線透過性反04層4の最下層が二酸化けい素(
SiOz)では酸化けいfi(SiOX)とした。
なお第二層の赤外線吸収図3に用いた酸化け゛い素(S
iOx)は、赤外線の反射率はほとんど0%、赤外線の
吸収率は70乃至80%、赤外線の透過率は20乃至3
0%である。
また第一層の赤外線吸収図2に用いた炭化けい素(Si
C)は、赤外線の透過率はほとんど0%、赤外線の反射
率も僅かで、大部分の赤外線は吸収される。
なお前記実施例の反射体のように、複数層の赤外線吸収
図の内、基体1側に位置する赤外線吸収図2は、赤外線
の吸収率が高く赤外線の反射、透過率の小さい材質で形
成し、赤外線透過性反射層4側に位置する赤外線吸収図
3は、赤外線の反射率が低い材質にて形成しすることに
より、より確実で有効に赤外線を吸収できる。
さらに実施例の反射体のように複数層の赤外線吸収図の
内、基体1側に位置する赤外線吸収図2は、基体との密
着性の良い材質とし、赤外I!J透過性反tA層4側に
位置する赤外線吸収図3は、赤外線透過性反射層4層4
との密着性の良い材質としたことにより、基体1、赤外
線吸収図2.3および赤外線透過性反射層4の密着性が
向上し、耐久性が高められる。
(発明の効果〕 本発明によれば、基体とこの基体の表面に対設された赤
外線透過性反射層J層との闇に、複数の材質で複数層に
形成した赤外線吸収図を介在させたので、赤外線透過性
反射層を透過した赤外線は複数の赤外線吸収図に順次吸
収され、赤外線の反射がほとんどない反射体が得られる
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す反射体の一部の拡大断
面図、第2図は同上反射体の断面図、第3図は同上説明
図、第4図は従来の反射体の説明図である。 1・・基体、2.3・・赤外線吸収図、4・・赤外線透
過性反射層。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基体と、この基体に対設された赤外線透過性反射
    層と、前記基体と赤外線透過性反射層との間に介在され
    た赤外線吸収図とを含み、前記赤外線吸収層を複数種の
    材質で複数層に形成したことを特徴とした反射体。
  2. (2)複数層の赤外線吸収層の内、基体側に位置する赤
    外線吸収層は、赤外線の吸収性が高く赤外線の反射率の
    小さい材質で形成し、赤外線透過性反射層側に位置する
    赤外線吸収層は、赤外線の反射率が小さい材質にて形成
    したことを特徴とした特許請求の範囲第1項記載の反射
    体。
  3. (3)複数層の赤外線吸収層の内、基体側に位置される
    赤外線吸収層は、基体との密着性の良い材質で形成し、
    赤外線透過性反射層側に位置する赤外線吸収層は、赤外
    線透過性反射層との密着性の良い材質で形成したことを
    特徴とした特許請求の範囲第1項または第2項に記載の
    反射体。
JP62105544A 1987-04-28 1987-04-28 反射体 Pending JPS63271201A (ja)

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JP62105544A JPS63271201A (ja) 1987-04-28 1987-04-28 反射体

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JP62105544A JPS63271201A (ja) 1987-04-28 1987-04-28 反射体

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JPS63271201A true JPS63271201A (ja) 1988-11-09

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ID=14410528

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JP62105544A Pending JPS63271201A (ja) 1987-04-28 1987-04-28 反射体

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JP (1) JPS63271201A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005043234A1 (ja) * 2003-10-31 2005-05-12 Sharp Kabushiki Kaisha リフレクタ、光源装置、及び投射型表示装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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