JPH0640767A - 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 - Google Patents
低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法Info
- Publication number
- JPH0640767A JPH0640767A JP4276597A JP27659792A JPH0640767A JP H0640767 A JPH0640767 A JP H0640767A JP 4276597 A JP4276597 A JP 4276597A JP 27659792 A JP27659792 A JP 27659792A JP H0640767 A JPH0640767 A JP H0640767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- composition
- porcelain
- main component
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比誘電率が高く、無負荷Ｑが大きく、共振周
波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、Ａｇの融
点以下の焼成温度で焼結が可能な低温焼成用誘電体磁器
組成物の製造法を提供する。 【構成】 ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 （ＲＥは希土
類金属）から主として構成される主成分磁器組成物に対
して、副成分として、少なくともＢ2 Ｏ3 粉末またはＢ
2 Ｏ3 をガラス成分の一つとして含むガラス粉末を添加
せしめて、誘電体磁器組成物を製造するようにすると共
に、前記主成分磁器組成物を与える原料組成物を１０５
０℃以上の温度で仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼
物を平均粒径が０．８μｍ以下となるように微粉砕し
て、該主成分磁器組成物を製造した後、前記副成分を添
加する。
波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、Ａｇの融
点以下の焼成温度で焼結が可能な低温焼成用誘電体磁器
組成物の製造法を提供する。 【構成】 ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 （ＲＥは希土
類金属）から主として構成される主成分磁器組成物に対
して、副成分として、少なくともＢ2 Ｏ3 粉末またはＢ
2 Ｏ3 をガラス成分の一つとして含むガラス粉末を添加
せしめて、誘電体磁器組成物を製造するようにすると共
に、前記主成分磁器組成物を与える原料組成物を１０５
０℃以上の温度で仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼
物を平均粒径が０．８μｍ以下となるように微粉砕し
て、該主成分磁器組成物を製造した後、前記副成分を添
加する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、低温焼成用誘電体磁器組成物の
製造法に係り、特にストリップライン型フィルタ等の、
内層導体を有する誘電体共振器を製造するために好適に
用いられる、低温焼成の可能な高周波用誘電体磁器組成
物を製造する方法に関するものである。また、本発明
は、そのような誘電体磁器組成物を用いて得られる誘電
体共振器または該共振器の複数にて構成される誘電体フ
ィルター、更にはそれら誘電体共振器若しくは誘電体フ
ィルターを有利に製造する方法に関するものである。
製造法に係り、特にストリップライン型フィルタ等の、
内層導体を有する誘電体共振器を製造するために好適に
用いられる、低温焼成の可能な高周波用誘電体磁器組成
物を製造する方法に関するものである。また、本発明
は、そのような誘電体磁器組成物を用いて得られる誘電
体共振器または該共振器の複数にて構成される誘電体フ
ィルター、更にはそれら誘電体共振器若しくは誘電体フ
ィルターを有利に製造する方法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】今日、携帯電話や自動車用電話等では、高
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内装してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内装してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。
【０００３】而して、かかるストリップライン型フィル
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。特に、導体を内
部に内蔵したマイクロ波回路、中でもストリップライン
型のフィルタのデバイスでは、信号の損失を小さくする
ためには、導体抵抗の小さなＡｇやＣｕを使用する必要
があるが、Ｃｕ導体は酸化雰囲気で焼成すると酸化物に
なってしまうので、窒素などの非酸化性雰囲気中で焼成
する必要がある。しかしながら、非酸化性雰囲気下での
焼成は、焼成前の成形物に含まれる有機バインダーの除
去が困難であって、またプロセス費用が高い等の問題を
内在している。また、Ａｇ導体を使用する場合には、酸
化雰囲気で焼成することは出来るが、Ａｇはその融点が
９６２℃と低く、そのためにこの９６２℃より低い温度
で、望ましくは９５０℃以下の温度で、更に望ましくは
９００℃前後の温度で焼成し得る誘電体磁器組成物が必
要とされているのである。
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。特に、導体を内
部に内蔵したマイクロ波回路、中でもストリップライン
型のフィルタのデバイスでは、信号の損失を小さくする
ためには、導体抵抗の小さなＡｇやＣｕを使用する必要
があるが、Ｃｕ導体は酸化雰囲気で焼成すると酸化物に
なってしまうので、窒素などの非酸化性雰囲気中で焼成
する必要がある。しかしながら、非酸化性雰囲気下での
焼成は、焼成前の成形物に含まれる有機バインダーの除
去が困難であって、またプロセス費用が高い等の問題を
内在している。また、Ａｇ導体を使用する場合には、酸
化雰囲気で焼成することは出来るが、Ａｇはその融点が
９６２℃と低く、そのためにこの９６２℃より低い温度
で、望ましくは９５０℃以下の温度で、更に望ましくは
９００℃前後の温度で焼成し得る誘電体磁器組成物が必
要とされているのである。
【０００４】一方、上記のような用途に用いられる誘電
体磁器には、高い比誘電率が必要である。比誘電率が高
いと、前記デバイスに使用される共振器の長さが短くで
きるので、小型化できるからである。特に、マイクロ波
でも周波数の低い１ＧＨｚ付近では、波長が長くて共振
器長が長くなるので、比誘電率を大きくして、共振器の
長さを短くする必要があるのである。また、無負荷Ｑ値
も、デバイスの特性、例えばフィルターの挿入損失に影
響するところから、マイクロ波での高いＱ値が必要とな
るのである。更に、周波数が高くなると波長は短くなる
ところから、比誘電率は小さくてもよいが、無負荷Ｑ値
は小さくなるので、結局、用いられるセラミック誘電体
磁器のＱ値は高い方がよいのである。
体磁器には、高い比誘電率が必要である。比誘電率が高
いと、前記デバイスに使用される共振器の長さが短くで
きるので、小型化できるからである。特に、マイクロ波
でも周波数の低い１ＧＨｚ付近では、波長が長くて共振
器長が長くなるので、比誘電率を大きくして、共振器の
長さを短くする必要があるのである。また、無負荷Ｑ値
も、デバイスの特性、例えばフィルターの挿入損失に影
響するところから、マイクロ波での高いＱ値が必要とな
るのである。更に、周波数が高くなると波長は短くなる
ところから、比誘電率は小さくてもよいが、無負荷Ｑ値
は小さくなるので、結局、用いられるセラミック誘電体
磁器のＱ値は高い方がよいのである。
【０００５】ところで、従来から、誘電体磁器組成物に
関しては、種々なる組成のものが提案されており、中で
も、Ｂａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥ：希土類金
属）にて構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高
く、また無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数
が小さい材料として知られ、またＢａＯ−ＲＥ2 Ｏ3−
４ＴｉＯ2 系固溶体やＢａＯ−ＲＥ2 Ｏ3 −５ＴｉＯ2
系固溶体を主結晶相とするセラミック誘電体磁器は、比
誘電率が高い材料として知られているが、それらの焼成
温度が一般に１２５０℃以上と高いところに問題があ
り、そのために、Ｐｂ酸化物等を添加することにより、
その焼成温度の低下を図る試みが為されてきている。
関しては、種々なる組成のものが提案されており、中で
も、Ｂａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥ：希土類金
属）にて構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高
く、また無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数
が小さい材料として知られ、またＢａＯ−ＲＥ2 Ｏ3−
４ＴｉＯ2 系固溶体やＢａＯ−ＲＥ2 Ｏ3 −５ＴｉＯ2
系固溶体を主結晶相とするセラミック誘電体磁器は、比
誘電率が高い材料として知られているが、それらの焼成
温度が一般に１２５０℃以上と高いところに問題があ
り、そのために、Ｐｂ酸化物等を添加することにより、
その焼成温度の低下を図る試みが為されてきている。
【０００６】例えば、米国特許第３８１１９３７号明細
書においては、酸化バリウム、酸化チタン及び酸化レア
アースの仮焼粉砕物に、Ｂ2 Ｏ3 若しくはＳｉＯ2 をガ
ラス形成成分として用いたＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3
系ガラスを８〜３０重量％の割合で配合してなる組成物
が明らかにされており、そのような組成物は、９８２℃
〜１１５０℃程度の温度で焼成が行われている。また、
特開昭５９−２１４１０５号公報においては、ＢａＯ−
ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系組成物に対して、ＰｂＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 及びＺｎＯの各粉末を混合して、１０
５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らかにさ
れている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報に
は、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3
系組成物に対して、Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、
ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器組成
物が明らかにされ、それは、１０００℃〜１０５０℃の
焼成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更に
また、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ
3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 及びＰｂ3 Ｏ4
からなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示され、
それは、１０００℃〜１０５０℃の焼成温度で焼結する
ことが明らかにされている。
書においては、酸化バリウム、酸化チタン及び酸化レア
アースの仮焼粉砕物に、Ｂ2 Ｏ3 若しくはＳｉＯ2 をガ
ラス形成成分として用いたＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3
系ガラスを８〜３０重量％の割合で配合してなる組成物
が明らかにされており、そのような組成物は、９８２℃
〜１１５０℃程度の温度で焼成が行われている。また、
特開昭５９−２１４１０５号公報においては、ＢａＯ−
ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系組成物に対して、ＰｂＯ、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 及びＺｎＯの各粉末を混合して、１０
５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らかにさ
れている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報に
は、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3
系組成物に対して、Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、
ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器組成
物が明らかにされ、それは、１０００℃〜１０５０℃の
焼成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更に
また、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ
3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 及びＰｂ3 Ｏ4
からなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示され、
それは、１０００℃〜１０５０℃の焼成温度で焼結する
ことが明らかにされている。
【０００７】しかしながら、これら低温焼成が可能とさ
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は、未だ、１０００℃前後或いはそれ以上と高く、
導通抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主体とする合金材料を
内部導体として用いることが出来ないものであった。そ
して、そのために、実用上は、導通抵抗の大きなＰｄの
含有量を高めたＡｇ−Ｐｄ系合金しか用いられ得ないの
が実情である。
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は、未だ、１０００℃前後或いはそれ以上と高く、
導通抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主体とする合金材料を
内部導体として用いることが出来ないものであった。そ
して、そのために、実用上は、導通抵抗の大きなＰｄの
含有量を高めたＡｇ−Ｐｄ系合金しか用いられ得ないの
が実情である。
【０００８】このように、誘電体磁器組成物の焼成温度
を１０００℃前後まで低下させる先行技術は幾つか知ら
れているが、Ａｇの融点：９６２℃以下、望ましくは９
５０℃以下、更に望ましくは９００℃前後で焼成可能と
する技術については、未だ、知られてはいないのであ
る。
を１０００℃前後まで低下させる先行技術は幾つか知ら
れているが、Ａｇの融点：９６２℃以下、望ましくは９
５０℃以下、更に望ましくは９００℃前後で焼成可能と
する技術については、未だ、知られてはいないのであ
る。
【０００９】
【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、共振
周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、９６２
℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００
℃前後の焼成温度で焼結が可能である低温焼成用誘電体
磁器組成物の有利な製造法を提供することにある。ま
た、本発明の他の課題とするところは、そのような製造
手法に従って得られた誘電体磁器組成物を用いて得られ
る誘電体共振器または該共振器の複数にて構成される誘
電体フィルター、更にはそれら誘電体共振器若しくは誘
電体フィルターを有利に製造する方法を提供することに
ある。
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、共振
周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、９６２
℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００
℃前後の焼成温度で焼結が可能である低温焼成用誘電体
磁器組成物の有利な製造法を提供することにある。ま
た、本発明の他の課題とするところは、そのような製造
手法に従って得られた誘電体磁器組成物を用いて得られ
る誘電体共振器または該共振器の複数にて構成される誘
電体フィルター、更にはそれら誘電体共振器若しくは誘
電体フィルターを有利に製造する方法を提供することに
ある。
【００１０】そして、かかる課題を解決するために、本
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −
ＲＥ2 Ｏ3 を基本成分とする主成分磁器組成物を用いた
場合において、その焼成温度低下用の副成分として、Ｂ
2 Ｏ3 の添加が有効であり、加えて、かかる主成分磁器
組成物の仮焼を高温度で行なうようにするとともに、得
られた仮焼物を微粉砕せしめて、誘電体磁器組成物とす
ることにより、優れた誘電体磁器特性を確保しつつ、そ
の焼成温度を有利に低下せしめ得る事実を見い出したの
である。
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −
ＲＥ2 Ｏ3 を基本成分とする主成分磁器組成物を用いた
場合において、その焼成温度低下用の副成分として、Ｂ
2 Ｏ3 の添加が有効であり、加えて、かかる主成分磁器
組成物の仮焼を高温度で行なうようにするとともに、得
られた仮焼物を微粉砕せしめて、誘電体磁器組成物とす
ることにより、優れた誘電体磁器特性を確保しつつ、そ
の焼成温度を有利に低下せしめ得る事実を見い出したの
である。
【００１１】
【解決手段】すなわち、本発明は、かかる知見に基づい
て完成されたものであって、その要旨とするところは、
ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金
属を示す）から主として構成される主成分磁器組成物に
対して、副成分として、少なくともＢ2 Ｏ3 粉末または
Ｂ2 Ｏ3 をガラス成分の一つとして含むガラス粉末を添
加せしめて、誘電体磁器組成物を製造するようにすると
共に、前記主成分磁器組成物を与える原料組成物を１０
５０℃以上の温度で仮焼せしめ、次いでその得られた仮
焼物を平均粒径が０．８μｍ以下となるように微粉砕し
て、該主成分磁器組成物を製造した後、前記副成分を添
加することを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物の
製造法にある。
て完成されたものであって、その要旨とするところは、
ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金
属を示す）から主として構成される主成分磁器組成物に
対して、副成分として、少なくともＢ2 Ｏ3 粉末または
Ｂ2 Ｏ3 をガラス成分の一つとして含むガラス粉末を添
加せしめて、誘電体磁器組成物を製造するようにすると
共に、前記主成分磁器組成物を与える原料組成物を１０
５０℃以上の温度で仮焼せしめ、次いでその得られた仮
焼物を平均粒径が０．８μｍ以下となるように微粉砕し
て、該主成分磁器組成物を製造した後、前記副成分を添
加することを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物の
製造法にある。
【００１２】また、本発明にあっては、ＢａＯ、ＴｉＯ
2 、ＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金属を示す）から
主として構成される主成分磁器組成物を与える原料組成
物に対して、副成分として、少なくともＢ2 Ｏ3 粉末ま
たはＢ2 Ｏ3 をガラス成分の一つとして含むガラス粉末
を添加した後、１０５０℃以上の温度で仮焼せしめ、次
いでその得られた仮焼物を平均粒径が０．８μｍ以下と
なるように微粉砕することを特徴とする低温焼成用誘電
体磁器組成物の製造法をも、その要旨とするものであ
る。
2 、ＲＥ2 Ｏ3 （但し、ＲＥは希土類金属を示す）から
主として構成される主成分磁器組成物を与える原料組成
物に対して、副成分として、少なくともＢ2 Ｏ3 粉末ま
たはＢ2 Ｏ3 をガラス成分の一つとして含むガラス粉末
を添加した後、１０５０℃以上の温度で仮焼せしめ、次
いでその得られた仮焼物を平均粒径が０．８μｍ以下と
なるように微粉砕することを特徴とする低温焼成用誘電
体磁器組成物の製造法をも、その要旨とするものであ
る。
【００１３】なお、かくの如き本発明に従う低温焼成用
誘電体磁器組成物の製造法において、主成分磁器組成物
は、有利には、ＢａＯ：１０〜２０モル％、ＴｉＯ2 ：
６０〜７５モル％、ＲＥ2 Ｏ3 ：１０〜２５モル％（但
し、ＢａＯ＋ＴｉＯ2 ＋ＲＥ2 Ｏ3 ＝１００モル％）か
らなる組成を有するものであり、また主成分磁器組成物
の組成において、一般に、ＢａＯの４０モル％までがＳ
ｒＯ、ＣａＯ、ＰｂＯのうちの少なくとも１成分にて、
ＲＥ2 Ｏ3 の３０モル％までがＢｉ2 Ｏ3 にて、及び／
又は、ＴｉＯ2 の２５モル％までがＺｒＯ2 、ＳｎＯ2
の少なくとも１成分にて、置換され得るものである。
誘電体磁器組成物の製造法において、主成分磁器組成物
は、有利には、ＢａＯ：１０〜２０モル％、ＴｉＯ2 ：
６０〜７５モル％、ＲＥ2 Ｏ3 ：１０〜２５モル％（但
し、ＢａＯ＋ＴｉＯ2 ＋ＲＥ2 Ｏ3 ＝１００モル％）か
らなる組成を有するものであり、また主成分磁器組成物
の組成において、一般に、ＢａＯの４０モル％までがＳ
ｒＯ、ＣａＯ、ＰｂＯのうちの少なくとも１成分にて、
ＲＥ2 Ｏ3 の３０モル％までがＢｉ2 Ｏ3 にて、及び／
又は、ＴｉＯ2 の２５モル％までがＺｒＯ2 、ＳｎＯ2
の少なくとも１成分にて、置換され得るものである。
【００１４】また、前記副成分たるＢ2 Ｏ3 粉末、又は
Ｂ2 Ｏ3 をガラス成分の１つとして含むガラス粉末は、
前記主成分磁器組成物の１００重量部に対して、Ｂ2 Ｏ
3 に換算して０．１〜７．５重量部の割合にて、添加せ
しめられることが望ましく、これによって誘電体磁器特
性に悪影響をもたらすことなく、焼成温度が有利に低下
せしめられる。
Ｂ2 Ｏ3 をガラス成分の１つとして含むガラス粉末は、
前記主成分磁器組成物の１００重量部に対して、Ｂ2 Ｏ
3 に換算して０．１〜７．５重量部の割合にて、添加せ
しめられることが望ましく、これによって誘電体磁器特
性に悪影響をもたらすことなく、焼成温度が有利に低下
せしめられる。
【００１５】本発明は、また、上述の如き製造手法にて
得られる誘電体磁器組成物、換言すれば前記請求項１乃
至５の何れかに記載の製造方法にて製造された誘電体磁
器組成物を焼成して得られる誘電体磁器と、前記誘電体
磁器組成物との同時焼成により該誘電体磁器内に設けら
れた、Ａｇ単体またはＡｇを主成分とする合金材料にて
形成される導体パターンとを有する誘電体共振器若しく
は該共振器よりなる誘電体フィルターをも、その要旨と
するものである。
得られる誘電体磁器組成物、換言すれば前記請求項１乃
至５の何れかに記載の製造方法にて製造された誘電体磁
器組成物を焼成して得られる誘電体磁器と、前記誘電体
磁器組成物との同時焼成により該誘電体磁器内に設けら
れた、Ａｇ単体またはＡｇを主成分とする合金材料にて
形成される導体パターンとを有する誘電体共振器若しく
は該共振器よりなる誘電体フィルターをも、その要旨と
するものである。
【００１６】さらに、本発明は、誘電体磁器と、該誘電
体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共
振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造
するに際して、該誘電体磁器を与える、前記請求項１乃
至５の何れかの製造方法にて得られる誘電体磁器組成物
を用い、該誘電体磁器組成物と、前記導体パターンを与
える、Ａｇ単体またはＡｇを主成分とする合金材料にて
形成された導体層とを同時焼成することを特徴とする誘
電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルター
の製造方法をも、その要旨としている。
体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共
振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造
するに際して、該誘電体磁器を与える、前記請求項１乃
至５の何れかの製造方法にて得られる誘電体磁器組成物
を用い、該誘電体磁器組成物と、前記導体パターンを与
える、Ａｇ単体またはＡｇを主成分とする合金材料にて
形成された導体層とを同時焼成することを特徴とする誘
電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルター
の製造方法をも、その要旨としている。
【００１７】
【具体的構成】ところで、かかる本発明において、目的
とする誘電体磁器組成物を製造するために用いられる主
成分磁器組成物は、ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 を基
本成分として、それらから主として構成されるものであ
って、仮焼後においてＢａＯ−ＲＥ2 Ｏ3 −４ＴｉＯ2
系固溶体や、ＢａＯ−ＲＥ2 Ｏ3 −５ＴｉＯ2 系固溶体
を主結晶相とする結晶構造を与え、そしてそこにおい
て、有利には、ＢａＯは１０〜２０モル％、ＴｉＯ2 は
６０〜７５モル％、ＲＥ2 Ｏ3 は１０〜２５モル％の割
合となるようにされる（但し、ＢａＯ＋ＴｉＯ2 ＋ＲＥ
2 Ｏ3 ＝１００モル％）。
とする誘電体磁器組成物を製造するために用いられる主
成分磁器組成物は、ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 を基
本成分として、それらから主として構成されるものであ
って、仮焼後においてＢａＯ−ＲＥ2 Ｏ3 −４ＴｉＯ2
系固溶体や、ＢａＯ−ＲＥ2 Ｏ3 −５ＴｉＯ2 系固溶体
を主結晶相とする結晶構造を与え、そしてそこにおい
て、有利には、ＢａＯは１０〜２０モル％、ＴｉＯ2 は
６０〜７５モル％、ＲＥ2 Ｏ3 は１０〜２５モル％の割
合となるようにされる（但し、ＢａＯ＋ＴｉＯ2 ＋ＲＥ
2 Ｏ3 ＝１００モル％）。
【００１８】また、この主成分磁器組成物におけるＢａ
Ｏは、その４０モル％までの割合において、ＳｒＯ、Ｃ
ａＯ、ＰｂＯの少なくとも１成分にて置換され得るもの
であり、またＲＥ2 Ｏ3 は、その３０モル％までの割合
においてＢｉ2 Ｏ3 にて置換され得、更にＴｉＯ2 は、
その２５モル％までの割合において、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ
2 の少なくとも１成分にて置換され得るものである。な
お、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、
ＳｎＯ2 の上記範囲を越える置換は、得られる誘電体磁
器の無負荷Ｑ値を悪化せしめる。また、これらの置換成
分は、共振器の共振周波数の温度係数を変化させたり、
比誘電率を大きくしたりする等、誘電体磁器特性の改善
のために用いられる。特に、そのような主成分磁器組成
物に対して、無負荷Ｑの向上や共振周波数の温度係数を
補正する目的で、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化マン
ガン、酸化クロム、酸化亜鉛等の金属酸化物を添加した
りすることも、適宜に行なわれる。中でも、酸化アルミ
ニウムや酸化マンガンの添加は、無負荷Ｑの向上や、共
振周波数の温度係数の変化に有効である。
Ｏは、その４０モル％までの割合において、ＳｒＯ、Ｃ
ａＯ、ＰｂＯの少なくとも１成分にて置換され得るもの
であり、またＲＥ2 Ｏ3 は、その３０モル％までの割合
においてＢｉ2 Ｏ3 にて置換され得、更にＴｉＯ2 は、
その２５モル％までの割合において、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ
2 の少なくとも１成分にて置換され得るものである。な
お、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、
ＳｎＯ2 の上記範囲を越える置換は、得られる誘電体磁
器の無負荷Ｑ値を悪化せしめる。また、これらの置換成
分は、共振器の共振周波数の温度係数を変化させたり、
比誘電率を大きくしたりする等、誘電体磁器特性の改善
のために用いられる。特に、そのような主成分磁器組成
物に対して、無負荷Ｑの向上や共振周波数の温度係数を
補正する目的で、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化マン
ガン、酸化クロム、酸化亜鉛等の金属酸化物を添加した
りすることも、適宜に行なわれる。中でも、酸化アルミ
ニウムや酸化マンガンの添加は、無負荷Ｑの向上や、共
振周波数の温度係数の変化に有効である。
【００１９】なお、本発明において、ＲＥ2 Ｏ3 におけ
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄ又はＮｄと共
にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎｄ
と共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合に
あっては、高い比誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、共振
周波数の温度係数を制御することが出来る。また、ＲＥ
として、ＣｅやＰｒを用いる場合にあっては、三価の原
子に換算して、導入されることとなる。
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄ又はＮｄと共
にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎｄ
と共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合に
あっては、高い比誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、共振
周波数の温度係数を制御することが出来る。また、ＲＥ
として、ＣｅやＰｒを用いる場合にあっては、三価の原
子に換算して、導入されることとなる。
【００２０】また、本発明における副成分を構成する必
須成分たるＢ2 Ｏ3 は、上記主成分磁器組成物を低温焼
成、即ち９６２℃以下、望ましくは９５０℃以下で、焼
成するのに効果的な成分である。このＢ2 Ｏ3 成分の添
加の方法としては、Ｂ2 Ｏ3を単独成分として、換言す
ればＢ2 Ｏ3 粉末として添加することが出来る他、Ｚｎ
ＯやＳｉＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 等のその他の添加成分と共
に、同時添加することが出来る。特に、ＺｎＯを同時添
加することにより、高い無負荷Ｑ値を保ったまま比誘電
率を向上させる効果があり、またＳｉＯ2 やＢｉ2 Ｏ3
の添加は、焼結性を向上せしめる効果がある。なお、こ
の同時添加方式には、それぞれの成分の粉末を同時に添
加する方法の他に、後述の如く、それら成分をガラス化
して添加する方法がある。
須成分たるＢ2 Ｏ3 は、上記主成分磁器組成物を低温焼
成、即ち９６２℃以下、望ましくは９５０℃以下で、焼
成するのに効果的な成分である。このＢ2 Ｏ3 成分の添
加の方法としては、Ｂ2 Ｏ3を単独成分として、換言す
ればＢ2 Ｏ3 粉末として添加することが出来る他、Ｚｎ
ＯやＳｉＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 等のその他の添加成分と共
に、同時添加することが出来る。特に、ＺｎＯを同時添
加することにより、高い無負荷Ｑ値を保ったまま比誘電
率を向上させる効果があり、またＳｉＯ2 やＢｉ2 Ｏ3
の添加は、焼結性を向上せしめる効果がある。なお、こ
の同時添加方式には、それぞれの成分の粉末を同時に添
加する方法の他に、後述の如く、それら成分をガラス化
して添加する方法がある。
【００２１】特に、Ｂ2 Ｏ3 成分は単独では吸水し易
く、添加後の原料の保存性に問題を生じるところから、
Ｂ2 Ｏ3 をガラス成分の１つとして含むガラスにして、
添加することが望ましく、このガラス化によって、その
ような問題の解決を図ることができる。また、Ｂ2 Ｏ3
の吸水によって、原料をグリーンシートにする際、スラ
リーの状態が悪くなり、よいテープが得られなくなる問
題を内在しているが、この問題も、Ｂ2 Ｏ3 のガラス化
によって有利に解消され得るのである。なお、このＢ2
Ｏ3 を含むガラスは多数知られており、例えばＺｎＯ−
ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスや、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系
ガラス、Ｂｉ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス等を挙
げることが出来、本発明では、それらガラスの何れをも
有利に用いることが出来る。
く、添加後の原料の保存性に問題を生じるところから、
Ｂ2 Ｏ3 をガラス成分の１つとして含むガラスにして、
添加することが望ましく、このガラス化によって、その
ような問題の解決を図ることができる。また、Ｂ2 Ｏ3
の吸水によって、原料をグリーンシートにする際、スラ
リーの状態が悪くなり、よいテープが得られなくなる問
題を内在しているが、この問題も、Ｂ2 Ｏ3 のガラス化
によって有利に解消され得るのである。なお、このＢ2
Ｏ3 を含むガラスは多数知られており、例えばＺｎＯ−
ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスや、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系
ガラス、Ｂｉ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス等を挙
げることが出来、本発明では、それらガラスの何れをも
有利に用いることが出来る。
【００２２】ところで、このようなＢ2 Ｏ3 成分を必須
成分とする副成分は、前記した主成分磁器組成物たる仮
焼物に対して、添加せしめられる他、そのような仮焼物
を得るための仮焼操作に先立って、かかる主成分磁器組
成物を与える原料組成物に対して添加せしめられること
となるが、前者の添加方式、即ち主成分磁器組成物を与
える原料組成物を仮焼して得られた仮焼物に対して、上
記の副成分を添加せしめる方式の方が、誘電体磁器特性
において、より一層優れたものとなるところから、本発
明にあっては、前者の方式の採用が推奨される。
成分とする副成分は、前記した主成分磁器組成物たる仮
焼物に対して、添加せしめられる他、そのような仮焼物
を得るための仮焼操作に先立って、かかる主成分磁器組
成物を与える原料組成物に対して添加せしめられること
となるが、前者の添加方式、即ち主成分磁器組成物を与
える原料組成物を仮焼して得られた仮焼物に対して、上
記の副成分を添加せしめる方式の方が、誘電体磁器特性
において、より一層優れたものとなるところから、本発
明にあっては、前者の方式の採用が推奨される。
【００２３】さらに、そのような副成分の添加量として
は、上記の何れの添加方式にあっても、主成分磁器組成
物の１００重量部に対して、一般に、Ｂ2 Ｏ3 に換算し
て、それが０．１〜７．５重量部の割合となるように添
加せしめられることとなる。Ｂ2 Ｏ3 として０．１重量
部よりも少なくなるような、かかる副成分の添加量が少
ないと、Ｂ2 Ｏ3 の添加効果を充分に発揮し得ず、焼結
性が低下するからであり、また７．５重量部を越えるよ
うな大きな割合で添加されると、マイクロ波領域での無
負荷Ｑ特性が悪化するようになるからである。なお、望
ましくは、Ｂ2Ｏ3 は０．１〜６．０重量部の割合とな
るように添加せしめられる。
は、上記の何れの添加方式にあっても、主成分磁器組成
物の１００重量部に対して、一般に、Ｂ2 Ｏ3 に換算し
て、それが０．１〜７．５重量部の割合となるように添
加せしめられることとなる。Ｂ2 Ｏ3 として０．１重量
部よりも少なくなるような、かかる副成分の添加量が少
ないと、Ｂ2 Ｏ3 の添加効果を充分に発揮し得ず、焼結
性が低下するからであり、また７．５重量部を越えるよ
うな大きな割合で添加されると、マイクロ波領域での無
負荷Ｑ特性が悪化するようになるからである。なお、望
ましくは、Ｂ2Ｏ3 は０．１〜６．０重量部の割合とな
るように添加せしめられる。
【００２４】このように、本発明は、所定の主成分磁器
組成物に対して、Ｂ2 Ｏ3 成分を副成分として添加配合
せしめるものであるが、そのような副成分を単に添加せ
しめるだけでは、得られる誘電体磁器組成物の焼成温度
を充分に低下せしめることは困難であり、そのために、
本発明にあっては、主成分磁器組成物を与える原料組成
物を１０５０℃以上の温度で高温仮焼せしめ、更にその
得られた仮焼物を、平均粒子径が０．８μｍ以下、好ま
しくは０．７μｍ以下となるように、微粉砕するように
したのである。
組成物に対して、Ｂ2 Ｏ3 成分を副成分として添加配合
せしめるものであるが、そのような副成分を単に添加せ
しめるだけでは、得られる誘電体磁器組成物の焼成温度
を充分に低下せしめることは困難であり、そのために、
本発明にあっては、主成分磁器組成物を与える原料組成
物を１０５０℃以上の温度で高温仮焼せしめ、更にその
得られた仮焼物を、平均粒子径が０．８μｍ以下、好ま
しくは０．７μｍ以下となるように、微粉砕するように
したのである。
【００２５】すなわち、先述した主成分磁器組成物を与
える原料組成物を１０５０℃以上、好適には１１５０℃
以上の温度で仮焼せしめ、それによって得られた仮焼物
（主成分磁器組成物）を充分に結晶化することにより、
低温焼成であっても、比誘電率や無負荷Ｑ特性等の誘電
体磁器特性において、その向上が有利に図られ得て、以
て充分な特性の誘電体磁器が得られるようになるのであ
る。しかしながら、仮焼温度が１３５０℃を越えるよう
になると、仮焼後に仮焼物の硬化が著しく、取り扱い上
において問題を生じるので、好ましくは１１００℃〜１
３００℃の仮焼温度が有利に採用されることとなる。
える原料組成物を１０５０℃以上、好適には１１５０℃
以上の温度で仮焼せしめ、それによって得られた仮焼物
（主成分磁器組成物）を充分に結晶化することにより、
低温焼成であっても、比誘電率や無負荷Ｑ特性等の誘電
体磁器特性において、その向上が有利に図られ得て、以
て充分な特性の誘電体磁器が得られるようになるのであ
る。しかしながら、仮焼温度が１３５０℃を越えるよう
になると、仮焼後に仮焼物の硬化が著しく、取り扱い上
において問題を生じるので、好ましくは１１００℃〜１
３００℃の仮焼温度が有利に採用されることとなる。
【００２６】そして、かかる仮焼操作により、得られる
仮焼物が充分に結晶化せしめられていないと、その後の
９６２℃以下の焼成温度で焼成された際、充分な誘電体
磁器特性が得られないのである。なお、この充分に結晶
化した仮焼物かどうかは、Ｘ線粉末回折による分析によ
り裏付けることができる。例えば、Ｘ線ターゲットにＣ
ｕを使用した場合による、Ｘ線粉末回折によると、２θ
が３０°（ＣｕＫα線）近辺に現れるピークの分離で明
らかとなる。例えば、図１に示されるように、仮焼温度
が９００℃や１０００℃の場合にあっては、ピークが未
分離であるが、１１００℃や１２００℃で仮焼したもの
は、ピークが分離しており、充分に結晶化しているのが
認められるのであり、本発明においては、このような充
分に結晶化した仮焼物が用いられるのである。尤も、以
上の主結晶以外にも、副結晶化合物の存在も認められ、
例えばＢａＴｉ4 Ｏ9 やＢａ2 Ｔｉ9 Ｏ20、Ｎｄ2 Ｔｉ
2Ｏ7 等のチタン酸化合物やＴｉＯ2 等の結晶も認めら
れるのである。
仮焼物が充分に結晶化せしめられていないと、その後の
９６２℃以下の焼成温度で焼成された際、充分な誘電体
磁器特性が得られないのである。なお、この充分に結晶
化した仮焼物かどうかは、Ｘ線粉末回折による分析によ
り裏付けることができる。例えば、Ｘ線ターゲットにＣ
ｕを使用した場合による、Ｘ線粉末回折によると、２θ
が３０°（ＣｕＫα線）近辺に現れるピークの分離で明
らかとなる。例えば、図１に示されるように、仮焼温度
が９００℃や１０００℃の場合にあっては、ピークが未
分離であるが、１１００℃や１２００℃で仮焼したもの
は、ピークが分離しており、充分に結晶化しているのが
認められるのであり、本発明においては、このような充
分に結晶化した仮焼物が用いられるのである。尤も、以
上の主結晶以外にも、副結晶化合物の存在も認められ、
例えばＢａＴｉ4 Ｏ9 やＢａ2 Ｔｉ9 Ｏ20、Ｎｄ2 Ｔｉ
2Ｏ7 等のチタン酸化合物やＴｉＯ2 等の結晶も認めら
れるのである。
【００２７】また、このようにして仮焼して得られた仮
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒径が細
かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が促
進せしめられ、比誘電率及び無負荷Ｑを向上せしめるこ
とが可能となる。従って、本発明にあっては、０．８μ
ｍ以下、望ましくは０．７μｍ以下の平均粒径となるよ
うに、仮焼物が粉砕され、これによって９６２℃以下で
の低温焼成が可能となったのである。なお、従来の如
く、１μｍ前後若しくはそれ以上の粒度の仮焼粉砕物を
用いた場合にあっては、９６２℃以下での焼成は困難で
ある。また、この仮焼粉砕物の粒径が細かくなることに
より、焼結性が向上し、副成分（Ｂ2 Ｏ3）の添加量を
減少し得るところから、焼成後の誘電体磁器のマイクロ
波特性が向上するが、仮焼粉砕物の平均粒径が０．１μ
ｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組成物の成
形性が低下し、例えば通常のドクターブレード法等によ
るテープ成形が困難となるところから、仮焼粉砕物の平
均粒子径は０．１〜０．８μｍの範囲内となるように制
御することが望ましい。なお、このような微細な粉砕物
の粒子径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定
されることとなる。
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒径が細
かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が促
進せしめられ、比誘電率及び無負荷Ｑを向上せしめるこ
とが可能となる。従って、本発明にあっては、０．８μ
ｍ以下、望ましくは０．７μｍ以下の平均粒径となるよ
うに、仮焼物が粉砕され、これによって９６２℃以下で
の低温焼成が可能となったのである。なお、従来の如
く、１μｍ前後若しくはそれ以上の粒度の仮焼粉砕物を
用いた場合にあっては、９６２℃以下での焼成は困難で
ある。また、この仮焼粉砕物の粒径が細かくなることに
より、焼結性が向上し、副成分（Ｂ2 Ｏ3）の添加量を
減少し得るところから、焼成後の誘電体磁器のマイクロ
波特性が向上するが、仮焼粉砕物の平均粒径が０．１μ
ｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組成物の成
形性が低下し、例えば通常のドクターブレード法等によ
るテープ成形が困難となるところから、仮焼粉砕物の平
均粒子径は０．１〜０．８μｍの範囲内となるように制
御することが望ましい。なお、このような微細な粉砕物
の粒子径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定
されることとなる。
【００２８】更にまた、このように微粉砕して得られた
仮焼粉砕物に対して添加せしめられる、本発明に従う副
成分たる、Ｂ2 Ｏ3 粉末や、Ｂ2 Ｏ3 をガラス成分の１
つとして含むガラス粉末の粒度については、仮焼物ほど
の微粉砕が施される必要はなく、２μｍ〜４μｍ程度の
平均粒径のものであっても、問題なく使用することが可
能である。
仮焼粉砕物に対して添加せしめられる、本発明に従う副
成分たる、Ｂ2 Ｏ3 粉末や、Ｂ2 Ｏ3 をガラス成分の１
つとして含むガラス粉末の粒度については、仮焼物ほど
の微粉砕が施される必要はなく、２μｍ〜４μｍ程度の
平均粒径のものであっても、問題なく使用することが可
能である。
【００２９】なお、そのような副成分が、仮焼操作に先
立って、主成分磁器組成物を与える原料組成物に対し
て、添加せしめられる方式にあっては、そのような副成
分を含んだ仮焼物が微粉砕せしめられ、０．８μｍ以下
の平均粒径の粉末として、本発明に従う低温焼成用誘電
体磁器組成物を構成することとなるのである。
立って、主成分磁器組成物を与える原料組成物に対し
て、添加せしめられる方式にあっては、そのような副成
分を含んだ仮焼物が微粉砕せしめられ、０．８μｍ以下
の平均粒径の粉末として、本発明に従う低温焼成用誘電
体磁器組成物を構成することとなるのである。
【００３０】
【実施例】以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは、言うまでもないところである。
また、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本
発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に
基づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るもので
あることが、理解されるべきである。
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは、言うまでもないところである。
また、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本
発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に
基づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るもので
あることが、理解されるべきである。
【００３１】実施例 １ それぞれ高純度の、炭酸バリウム、炭酸ストロンチウ
ム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化
サマリウム、酸化ランタン、酸化ビスマス及び酸化鉛を
用い、それら成分を、下記表１及び表２において示され
る各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ値を与える
ように秤量し、そして、ポリエチレン製ポットの中に、
ジルコニア玉石と共に投入して、純水を加え、湿式混合
せしめた。そして、その得られた混合物をポットから取
り出して乾燥した後、アルミナ製坩堝に入れ、９００〜
１２７０℃の各種温度で４時間、空気雰囲気下に仮焼を
行なった。次いで、その仮焼物を解砕し、再び、ポリエ
チレン製ポットの中にジルコニア玉石と共に投入して、
レーザー回折散乱法を利用して測定される平均粒子径が
０．４〜１．０μｍになるまで、粉砕を行ない、各種の
仮焼粉砕物を得た。
ム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化
サマリウム、酸化ランタン、酸化ビスマス及び酸化鉛を
用い、それら成分を、下記表１及び表２において示され
る各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ値を与える
ように秤量し、そして、ポリエチレン製ポットの中に、
ジルコニア玉石と共に投入して、純水を加え、湿式混合
せしめた。そして、その得られた混合物をポットから取
り出して乾燥した後、アルミナ製坩堝に入れ、９００〜
１２７０℃の各種温度で４時間、空気雰囲気下に仮焼を
行なった。次いで、その仮焼物を解砕し、再び、ポリエ
チレン製ポットの中にジルコニア玉石と共に投入して、
レーザー回折散乱法を利用して測定される平均粒子径が
０．４〜１．０μｍになるまで、粉砕を行ない、各種の
仮焼粉砕物を得た。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】次いで、ポリエチレン製ポットの中に、上
記各種の仮焼粉砕物を、ジルコニア玉石と共に投入し、
更に下記表３及び表４に示される如く、副成分としての
Ｂ2Ｏ3 粉末（No. ２〜４）又はＢ2 Ｏ3 を含有するガ
ラス（No. １、５〜１６、１８〜２３、２６〜３２）或
いはＢ2 Ｏ3 を含有しないガラス（No. １７）を投入せ
しめ、更に水を加えて、乾式混合せしめた。その際、バ
インダーとしてＰＶＡを１重量％加えた。得られた混合
物を乾燥した後、目開き：３５５μｍの篩を通して、造
粒した。また、No. ２４及び２５では、副成分として、
Ｂ2 Ｏ3 粉末と共にＺｎＯ、ＳｉＯ2 をも粉末で混合せ
しめた。なお、表３及び表４における副成分の添加量
は、ガラスであっても、それぞれの成分の添加量として
示されている。
記各種の仮焼粉砕物を、ジルコニア玉石と共に投入し、
更に下記表３及び表４に示される如く、副成分としての
Ｂ2Ｏ3 粉末（No. ２〜４）又はＢ2 Ｏ3 を含有するガ
ラス（No. １、５〜１６、１８〜２３、２６〜３２）或
いはＢ2 Ｏ3 を含有しないガラス（No. １７）を投入せ
しめ、更に水を加えて、乾式混合せしめた。その際、バ
インダーとしてＰＶＡを１重量％加えた。得られた混合
物を乾燥した後、目開き：３５５μｍの篩を通して、造
粒した。また、No. ２４及び２５では、副成分として、
Ｂ2 Ｏ3 粉末と共にＺｎＯ、ＳｉＯ2 をも粉末で混合せ
しめた。なお、表３及び表４における副成分の添加量
は、ガラスであっても、それぞれの成分の添加量として
示されている。
【００３５】かくして得られた造粒粉体を、プレス成形
機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ2 にて成形し、２０
ｍｍφ×１５ｍｍt の大きさの円板状の試験片を得た。
そして、この得られた試験片を、空気中において、９０
０℃の温度で２時間、焼成することにより、各種の誘電
体磁器サンプルを作製した。更に、この焼成して得られ
たサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt の大きさの円板状に
研磨し、それぞれ、その誘電体特性を測定した。なお、
比誘電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共
振器法によって測定し、また共振周波数の温度係数（τ
ｆ）は、−２５℃〜７５℃の範囲で測定した。測定周波
数は、２〜５ＧＨｚであった。得られた結果を、下記表
３及び表４に併わせ示した。
機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ2 にて成形し、２０
ｍｍφ×１５ｍｍt の大きさの円板状の試験片を得た。
そして、この得られた試験片を、空気中において、９０
０℃の温度で２時間、焼成することにより、各種の誘電
体磁器サンプルを作製した。更に、この焼成して得られ
たサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt の大きさの円板状に
研磨し、それぞれ、その誘電体特性を測定した。なお、
比誘電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共
振器法によって測定し、また共振周波数の温度係数（τ
ｆ）は、−２５℃〜７５℃の範囲で測定した。測定周波
数は、２〜５ＧＨｚであった。得られた結果を、下記表
３及び表４に併わせ示した。
【００３６】
【表３】
【００３７】
【表４】
【００３８】かかる表３及び表４の結果から明らかなよ
うに、Ｂ2 Ｏ3 の添加量の効果に関して、１２５０℃で
仮焼した後、微粉砕した仮焼粉砕物にＢ2 Ｏ3 粉末を添
加した場合において、Ｂ2 Ｏ3 の添加量が増えるに従っ
て、無負荷Ｑが小さくなってしまうことが認められる。
また、No. ２４及び２５に示されるように、Ｂ2 Ｏ3粉
末と同時に、ＺｎＯ粉末、ＳｉＯ2 粉末を添加すること
も出来る。なお、ＺｎＯをＢ2 Ｏ3 と同時に添加する
と、比誘電率が大きくなり、また、ＳｉＯ2 を同時に添
加すると、無負荷Ｑが大きくなることが認められる。ま
た、No. ７〜９及び２６〜３０の結果から明らかなよう
に、仮焼温度の効果に関して、各種温度で仮焼した後、
微粉砕した主成分組成物に、ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 系ガラスを添加したものにおいて、仮焼温度：１００
０℃と１１００℃の間で、比誘電率及び無負荷Ｑの大幅
な向上が認められる。
うに、Ｂ2 Ｏ3 の添加量の効果に関して、１２５０℃で
仮焼した後、微粉砕した仮焼粉砕物にＢ2 Ｏ3 粉末を添
加した場合において、Ｂ2 Ｏ3 の添加量が増えるに従っ
て、無負荷Ｑが小さくなってしまうことが認められる。
また、No. ２４及び２５に示されるように、Ｂ2 Ｏ3粉
末と同時に、ＺｎＯ粉末、ＳｉＯ2 粉末を添加すること
も出来る。なお、ＺｎＯをＢ2 Ｏ3 と同時に添加する
と、比誘電率が大きくなり、また、ＳｉＯ2 を同時に添
加すると、無負荷Ｑが大きくなることが認められる。ま
た、No. ７〜９及び２６〜３０の結果から明らかなよう
に、仮焼温度の効果に関して、各種温度で仮焼した後、
微粉砕した主成分組成物に、ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 系ガラスを添加したものにおいて、仮焼温度：１００
０℃と１１００℃の間で、比誘電率及び無負荷Ｑの大幅
な向上が認められる。
【００３９】加えて、平均粒径の効果に関しては、１２
００℃で仮焼した後、各種平均粒径に粉砕した主成分組
成物に、ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを添加し
たNo. １１〜１５の結果より、平均粒径が１．０μｍと
０．８μｍのものの間で、比誘電率及び無負荷Ｑの大幅
な改善が実現されることが認められる。
００℃で仮焼した後、各種平均粒径に粉砕した主成分組
成物に、ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを添加し
たNo. １１〜１５の結果より、平均粒径が１．０μｍと
０．８μｍのものの間で、比誘電率及び無負荷Ｑの大幅
な改善が実現されることが認められる。
【００４０】さらに、各種温度で仮焼した後、微粉砕し
た主成分組成物に、副成分として、各種のガラスを配合
したNo. １、５〜２３、２６〜３２の結果より、Ｂ2 Ｏ
3 添加量の効果を認めることができる。No. １７の比較
例の如く、Ｂ2 Ｏ3 を含有しないガラスを添加した場合
にあっては、焼結性が著しく悪く、一方Ｂ2 Ｏ3 を含有
する各種のガラスを添加配合せしめた場合において、優
れた効果が発揮されることが認められる。
た主成分組成物に、副成分として、各種のガラスを配合
したNo. １、５〜２３、２６〜３２の結果より、Ｂ2 Ｏ
3 添加量の効果を認めることができる。No. １７の比較
例の如く、Ｂ2 Ｏ3 を含有しないガラスを添加した場合
にあっては、焼結性が著しく悪く、一方Ｂ2 Ｏ3 を含有
する各種のガラスを添加配合せしめた場合において、優
れた効果が発揮されることが認められる。
【００４１】実施例 ２ それぞれ高純度の、炭酸バリウム、炭酸ストロンチウ
ム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化
サマリウム、酸化ランタン、酸化ビスマス、及び酸化鉛
を、主成分組成物として、下記表５に示す割合となるよ
うに秤量すると共に、副成分としての酸化ホウ素粉末
（No. ４３〜４６）又は酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化珪
素の各粉末（No. ３３、３８、３９、４７〜５０）或い
はＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス（No. ３４〜３
７、４０〜４２）を、前記主成分組成物の１００重量部
に対して下記表６に示す割合となるように秤量し、それ
ら成分の全てを、ポリエチレン製ポットの中に、ジルコ
ニア玉石と共に入れ、更に純水を加えて、湿式混合せし
めた。そして、その得られた混合物をポットから取り出
して、乾燥した後、アルミナ製坩堝に入れ、空気雰囲気
下、１０００〜１２５０℃の各種温度で、４時間、仮焼
を行なった。次いで、その仮焼物を解砕し、再びポリエ
チレン製ポットの中に、ジルコニア玉石と共に投入し
て、レーザー回折散乱法を利用して測定される平均粒径
が０．４〜１．０μｍになるまで、粉砕を行ない、各種
の仮焼粉砕物を得た。
ム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化
サマリウム、酸化ランタン、酸化ビスマス、及び酸化鉛
を、主成分組成物として、下記表５に示す割合となるよ
うに秤量すると共に、副成分としての酸化ホウ素粉末
（No. ４３〜４６）又は酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化珪
素の各粉末（No. ３３、３８、３９、４７〜５０）或い
はＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス（No. ３４〜３
７、４０〜４２）を、前記主成分組成物の１００重量部
に対して下記表６に示す割合となるように秤量し、それ
ら成分の全てを、ポリエチレン製ポットの中に、ジルコ
ニア玉石と共に入れ、更に純水を加えて、湿式混合せし
めた。そして、その得られた混合物をポットから取り出
して、乾燥した後、アルミナ製坩堝に入れ、空気雰囲気
下、１０００〜１２５０℃の各種温度で、４時間、仮焼
を行なった。次いで、その仮焼物を解砕し、再びポリエ
チレン製ポットの中に、ジルコニア玉石と共に投入し
て、レーザー回折散乱法を利用して測定される平均粒径
が０．４〜１．０μｍになるまで、粉砕を行ない、各種
の仮焼粉砕物を得た。
【００４２】
【表５】
【００４３】
【表６】
【００４４】次いで、かくして得られた各種の仮焼粉砕
物を、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石と共
に投入し、更に成形用バインダーとしてのＰＶＡを１重
量％添加し、そして純水を加えて、湿式混合せしめた。
得られた混合物を乾燥した後、目開き：３５５μｍの篩
を通して、造粒した。
物を、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石と共
に投入し、更に成形用バインダーとしてのＰＶＡを１重
量％添加し、そして純水を加えて、湿式混合せしめた。
得られた混合物を乾燥した後、目開き：３５５μｍの篩
を通して、造粒した。
【００４５】その後、この得られた各種の造粒粉体を、
プレス成形機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ2 にて成
形し、２０ｍｍφ×１５ｍｍｔの大きさの円板状の試験
片を得た。そして、この得られた試験片を、空気中にお
いて、９００℃の温度で、２時間焼成することにより、
各種の誘電体磁器サンプルを作製した。さらに、この焼
成して得られたサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍｔの大き
さの円板状に研磨し、それぞれ、その誘電体特性を、実
施例１と同様にして測定し、その結果を下記表７に示し
た。
プレス成形機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ2 にて成
形し、２０ｍｍφ×１５ｍｍｔの大きさの円板状の試験
片を得た。そして、この得られた試験片を、空気中にお
いて、９００℃の温度で、２時間焼成することにより、
各種の誘電体磁器サンプルを作製した。さらに、この焼
成して得られたサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍｔの大き
さの円板状に研磨し、それぞれ、その誘電体特性を、実
施例１と同様にして測定し、その結果を下記表７に示し
た。
【００４６】
【表７】
【００４７】かかる表７において、特に、そのNo. ３４
〜３７の結果の対比から明らかなように、１１５０℃で
仮焼した後、各種粒径に粉砕した粉末の特性に関して、
平均粒径が１．０μｍのものと０．８μｍのものとの間
で、比誘電率及び無負荷Ｑの大幅な変化が認められ、ま
た仮焼温度の効果を示すNo. ４０〜４２の結果から明ら
かなように、仮焼温度が１０００℃の場合と１１００℃
の場合との間において、比誘電率及び無負荷Ｑの大幅な
向上が認められるのである。
〜３７の結果の対比から明らかなように、１１５０℃で
仮焼した後、各種粒径に粉砕した粉末の特性に関して、
平均粒径が１．０μｍのものと０．８μｍのものとの間
で、比誘電率及び無負荷Ｑの大幅な変化が認められ、ま
た仮焼温度の効果を示すNo. ４０〜４２の結果から明ら
かなように、仮焼温度が１０００℃の場合と１１００℃
の場合との間において、比誘電率及び無負荷Ｑの大幅な
向上が認められるのである。
【００４８】実施例 ３ 実施例１の表２及び表４においてＮｏ．１６として用い
られた仮焼粉砕物及びＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガ
ラス粉末と、ポリビニルブチラール（外配８重量部）、
可塑剤及び解膠剤とを、ジルコニア玉石と共に、アルミ
ナ製ポットの中に投入し、更にトルエンとイソプロピル
アルコールの混合溶液を加えて、湿式混合せしめた。
られた仮焼粉砕物及びＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガ
ラス粉末と、ポリビニルブチラール（外配８重量部）、
可塑剤及び解膠剤とを、ジルコニア玉石と共に、アルミ
ナ製ポットの中に投入し、更にトルエンとイソプロピル
アルコールの混合溶液を加えて、湿式混合せしめた。
【００４９】次いで、かかる混合物を、脱泡した後、ド
クターブレード法により厚さ：２２０μｍのグリーンテ
ープに成形した。そして、この得られたグリーンテープ
に、印刷用Ａｇペーストを用いて、９００ＭＨｚ帯３段
インターデジタル型のバンドパスフィルタの導体パター
ンを印刷した。次いで、この導体パターンを印刷したグ
リーンテープを挟み込むように、１２枚のグリーンテー
プを、温度：１００℃、圧力：１００ Kgf／ｃｍ2 の条
件で積層した。そして、その積層物を切断した後、空気
中において９００℃の温度で２時間焼成することによ
り、ストリップライン型フィルタを作製した。
クターブレード法により厚さ：２２０μｍのグリーンテ
ープに成形した。そして、この得られたグリーンテープ
に、印刷用Ａｇペーストを用いて、９００ＭＨｚ帯３段
インターデジタル型のバンドパスフィルタの導体パター
ンを印刷した。次いで、この導体パターンを印刷したグ
リーンテープを挟み込むように、１２枚のグリーンテー
プを、温度：１００℃、圧力：１００ Kgf／ｃｍ2 の条
件で積層した。そして、その積層物を切断した後、空気
中において９００℃の温度で２時間焼成することによ
り、ストリップライン型フィルタを作製した。
【００５０】かくして得られたストリップライン型フィ
ルタについて、ネットワークアナライザーを用い、その
フィルタ特性を測定した結果、中心周波数：９３０ＭＨ
ｚ、挿入損失：１．５ｄＢであった。
ルタについて、ネットワークアナライザーを用い、その
フィルタ特性を測定した結果、中心周波数：９３０ＭＨ
ｚ、挿入損失：１．５ｄＢであった。
【００５１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従う誘電体磁器組成物の製造法によれば、ＢａＯ、Ｔ
ｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 から主として構成される主成分磁器
組成物に対して、Ｂ2 Ｏ3 粉末又はＢ2 Ｏ3 をガラス成
分の１つとして含むガラス粉末が、副成分として少なく
とも添加せしめられる一方、かかる主成分磁器組成物を
与える原料組成物が１０５０℃以上の温度で仮焼せしめ
られ、且つ仮焼物が０．８μｍの平均粒径となるように
微粉砕されて、そのような微粉砕物によって誘電体磁器
組成物が構成されているところから、９６２℃以下、有
利には９５０℃以下の温度で焼成され得、特に９００℃
前後の焼成温度で焼結が可能であり、これによって、導
通抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を
内装導体として有するストリップライン型フィルター等
の誘電体フィルタを有利に製造し得ることとなったので
あり、しかも得られる誘電体磁器は、高い比誘電率を有
し、また無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数
が小さい特徴を備えているのである。
に従う誘電体磁器組成物の製造法によれば、ＢａＯ、Ｔ
ｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 から主として構成される主成分磁器
組成物に対して、Ｂ2 Ｏ3 粉末又はＢ2 Ｏ3 をガラス成
分の１つとして含むガラス粉末が、副成分として少なく
とも添加せしめられる一方、かかる主成分磁器組成物を
与える原料組成物が１０５０℃以上の温度で仮焼せしめ
られ、且つ仮焼物が０．８μｍの平均粒径となるように
微粉砕されて、そのような微粉砕物によって誘電体磁器
組成物が構成されているところから、９６２℃以下、有
利には９５０℃以下の温度で焼成され得、特に９００℃
前後の焼成温度で焼結が可能であり、これによって、導
通抵抗の低いＡｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を
内装導体として有するストリップライン型フィルター等
の誘電体フィルタを有利に製造し得ることとなったので
あり、しかも得られる誘電体磁器は、高い比誘電率を有
し、また無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数
が小さい特徴を備えているのである。
【図１】本発明において用いられる主成分磁器組成物を
与える原料組成物の仮焼温度を種々変えて得られる仮焼
物のＸ線粉末回折結果を示すグラフである。
与える原料組成物の仮焼温度を種々変えて得られる仮焼
物のＸ線粉末回折結果を示すグラフである。
Claims (7)
- 【請求項１】 ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 （但し、
ＲＥは希土類金属を示す）から主として構成される主成
分磁器組成物に対して、副成分として、少なくともＢ2
Ｏ3 粉末またはＢ2 Ｏ3 をガラス成分の一つとして含む
ガラス粉末を添加せしめて、誘電体磁器組成物を製造す
るようにすると共に、前記主成分磁器組成物を与える原
料組成物を１０５０℃以上の温度で仮焼せしめ、次いで
その得られた仮焼物を平均粒径が０．８μｍ以下となる
ように微粉砕して、該主成分磁器組成物を製造した後、
前記副成分を添加することを特徴とする低温焼成用誘電
体磁器組成物の製造法。 - 【請求項２】 ＢａＯ、ＴｉＯ2 、ＲＥ2 Ｏ3 （但し、
ＲＥは希土類金属を示す）から主として構成される主成
分磁器組成物を与える原料組成物に対して、副成分とし
て、少なくともＢ2 Ｏ3 粉末またはＢ2 Ｏ3 をガラス成
分の一つとして含むガラス粉末を添加した後、１０５０
℃以上の温度で仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物
を平均粒径が０．８μｍ以下となるように微粉砕するこ
とを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法。 - 【請求項３】 前記主成分磁器組成物が、ＢａＯ：１０
〜２０モル％、ＴｉＯ2 ：６０〜７５モル％、ＲＥ2 Ｏ
3 ：１０〜２５モル％（但し、ＢａＯ＋ＴｉＯ2 ＋ＲＥ
2 Ｏ3 ＝１００モル％）からなる請求項１または請求項
２に記載の低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法。 - 【請求項４】 前記主成分磁器組成物の組成において、
ＢａＯの４０モル％までがＳｒＯ、ＣａＯ、ＰｂＯのう
ちの少なくとも１成分にて、ＲＥ2 Ｏ3 の３０モル％ま
でがＢｉ2 Ｏ3 にて、及び／又は、ＴｉＯ2 の２５モル
％までがＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 のうちの少なくとも１成分
にて、置換されている請求項１乃至３の何れかに記載の
低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法。 - 【請求項５】 前記副成分が、前記主成分磁器組成物の
１００重量部に対して、Ｂ2 Ｏ3 に換算して０．１〜
７．５重量部の割合にて添加せしめられる請求項１乃至
４の何れかに記載の低温焼成用誘電体磁器組成物の製造
法。 - 【請求項６】 前記請求項１乃至５の何れかの方法にて
製造された誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体
磁器と、前記誘電体磁器組成物との同時焼成により該誘
電体磁器内に設けられた、Ａｇ単体またはＡｇを主成分
とする合金材料にて形成される導体パターンとを有する
誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルタ
ー。 - 【請求項７】 誘電体磁器と、該誘電体磁器内に設けら
れた導体パターンとを有する誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、該
誘電体磁器を与える、前記請求項１乃至５の何れかの方
法にて製造された誘電体磁器組成物を用い、該誘電体磁
器組成物と、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体また
はＡｇを主成分とする合金材料にて形成された導体層と
を同時焼成することを特徴とする誘電体共振器若しくは
該共振器よりなる誘電体フィルターの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276597A JP2613722B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-21 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
| US07/950,664 US5292694A (en) | 1991-09-27 | 1992-09-25 | Method of producing low temperature firing dielectric ceramic composition containing B2 O3 |
| DE69225450T DE69225450T2 (de) | 1991-09-27 | 1992-09-28 | Verfahren zur Herstellung einer bei tiefer Temperatur brennbaren dielektrischen keramischen Zusammensetzung |
| EP92308813A EP0534801B1 (en) | 1991-09-27 | 1992-09-28 | Method of producing low temperature firing dielectric ceramic composition |
| US08/148,861 US5458981A (en) | 1991-09-27 | 1993-11-08 | Method of producing low temperature firing dielectric ceramic composition containing B2 O3 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27658791 | 1991-09-27 | ||
| JP3-276587 | 1991-09-27 | ||
| JP4-92180 | 1992-03-18 | ||
| JP9218092 | 1992-03-18 | ||
| JP4276597A JP2613722B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-21 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0640767A true JPH0640767A (ja) | 1994-02-15 |
| JP2613722B2 JP2613722B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=27306957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4276597A Expired - Lifetime JP2613722B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-21 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5292694A (ja) |
| EP (1) | EP0534801B1 (ja) |
| JP (1) | JP2613722B2 (ja) |
| DE (1) | DE69225450T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10002812C2 (de) * | 1999-03-01 | 2002-11-21 | Murata Manufacturing Co | Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Glas-Keramikkörpers, der bei niedrigen Temperaturen sinterfähig ist |
| US6703336B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-03-09 | Ube Electronics, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| DE10035990B4 (de) * | 1999-08-30 | 2004-12-02 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Verfahren zur Herstellung elektronischer Bauelemente aus Keramik |
| CN101851092A (zh) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | Tdk株式会社 | 电介质陶瓷组合物 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| US5484753A (en) * | 1994-03-08 | 1996-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions |
| EP0684214B1 (en) * | 1994-05-24 | 1998-03-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US5827792A (en) | 1994-08-30 | 1998-10-27 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US6331325B1 (en) * | 1994-09-30 | 2001-12-18 | Texas Instruments Incorporated | Barium strontium titanate (BST) thin films using boron |
| JP3103296B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2000-10-30 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器およびその製造方法ならびにこれを用いた電子部品 |
| US5571767A (en) * | 1995-08-21 | 1996-11-05 | Ferro Corporation | Low fire X7R dielectric compositions and capacitors made therefrom |
| KR100209238B1 (ko) * | 1996-07-02 | 1999-07-15 | 조희재 | 저온 소결용 초고주파 유전체 조성물 |
| DE69635420T2 (de) * | 1996-08-02 | 2006-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen keramischen Zusammensetzung, dielektrische keramische Zusammensetzung und mehrschichtige Hochfrequenzvorrichtung |
| JPH10303057A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミック電子部品とその製造方法 |
| JP3275799B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2002-04-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH11310455A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-11-09 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 |
| DE19841487C2 (de) * | 1998-09-10 | 2002-03-14 | Epcos Ag | Reduktionsstabile Keramikmasse und ihre Verwendung |
| JP2000143341A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-05-23 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 |
| JP3468143B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2003-11-17 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ、誘電体ディプレクサおよび通信機 |
| WO2000051147A1 (fr) * | 1999-02-26 | 2000-08-31 | Tdk Corporation | Procede de production pour composition de porcelaine dielectrique et procede de production pour pieces electroniques contenant une couche dielectrique |
| EP1036777B1 (en) | 1999-03-16 | 2003-06-04 | TDK Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method therefor |
| DE10035172B4 (de) * | 2000-07-19 | 2004-09-16 | Epcos Ag | Keramikmasse und Kondensator mit der Keramikmasse |
| JP2002326868A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| DE10222746A1 (de) * | 2002-05-23 | 2003-12-04 | Philips Intellectual Property | Dielektrische Zusammensetzung auf Basis von Bariumtitanat |
| JP2004284941A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 低温焼成用誘電体組成物および電子部品 |
| JP4907850B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2012-04-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 低温焼成誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| JP2005289789A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミック部品 |
| JP2006265003A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 誘電体セラミック形成用組成物および誘電体セラミック材料 |
| DK1971216T4 (da) * | 2005-12-29 | 2019-07-22 | Wrigley W M Jun Co | Tyggegummi indeholdende styren-dien-blokcopolymerer |
| JP4967388B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2012-07-04 | パナソニック株式会社 | セラミック積層デバイスの製造方法およびセラミック積層デバイス |
| KR100882922B1 (ko) * | 2007-11-01 | 2009-02-10 | 한국과학기술연구원 | 고강도 및 고품질계수를 갖는 저온소성용 유전체 세라믹조성물 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3811937A (en) * | 1967-03-27 | 1974-05-21 | Sprague Electric Co | Low temperature fired electrical components and method of making same |
| GB1309058A (en) * | 1971-01-22 | 1973-03-07 | Fiat Spa | Monostable electronic circuits |
| US3775142A (en) * | 1971-01-26 | 1973-11-27 | Solid State Dielectrics Inc | Improved ceramic compositions for high stability capacitors |
| US3965552A (en) * | 1972-07-24 | 1976-06-29 | N L Industries, Inc. | Process for forming internal conductors and electrodes |
| SU692810A1 (ru) * | 1978-01-17 | 1979-10-25 | Организация П/Я А-1695 | Керамический материал |
| JPS54105113A (en) * | 1978-02-06 | 1979-08-17 | Ngk Insulators Ltd | Barium titanate base positive characteristic porcelain |
| US4283753A (en) * | 1979-09-28 | 1981-08-11 | Sprague Electric Company | Low firing monolithic ceramic capacitor with high dielectric constant |
| JPS59214105A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-04 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS6018086A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-30 | Toshiba Corp | カラ−テレビジヨン受像機 |
| DE3476993D1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-04-13 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sintered ceramic materials for use in soliddielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| CA1296880C (en) * | 1985-05-09 | 1992-03-10 | Galeb H. Maher | Method for making a bismuth doped neodymium barium titanate |
| JPH0644405B2 (ja) * | 1985-11-07 | 1994-06-08 | 株式会社住友金属セラミックス | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| DE3775855D1 (de) * | 1986-08-11 | 1992-02-20 | Tdk Corp | Keramische halbleiterzusammensetzung. |
| EP0275053B1 (en) * | 1987-01-13 | 1991-07-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition for use in multilayer ceramic capacitors |
| DD271235A3 (de) * | 1987-10-01 | 1989-08-30 | Gera Elektronik Veb | Keramische Dielektrika der Klasse 2 nach Iec |
| JPH01275466A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP2691181B2 (ja) * | 1988-08-01 | 1997-12-17 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02228016A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2800017B2 (ja) * | 1989-04-05 | 1998-09-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックスコンデンサ |
| JPH0745337B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1995-05-17 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH0717444B2 (ja) * | 1990-04-04 | 1995-03-01 | 住友金属工業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JP2526702B2 (ja) * | 1990-04-11 | 1996-08-21 | 住友金属工業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JP2515611B2 (ja) * | 1990-04-11 | 1996-07-10 | 住友金属工業株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JP2828731B2 (ja) * | 1990-05-11 | 1998-11-25 | 日本電信電話株式会社 | 像形成装置 |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP4276597A patent/JP2613722B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-25 US US07/950,664 patent/US5292694A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-28 DE DE69225450T patent/DE69225450T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-28 EP EP92308813A patent/EP0534801B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-11-08 US US08/148,861 patent/US5458981A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10002812C2 (de) * | 1999-03-01 | 2002-11-21 | Murata Manufacturing Co | Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Glas-Keramikkörpers, der bei niedrigen Temperaturen sinterfähig ist |
| DE10035990B4 (de) * | 1999-08-30 | 2004-12-02 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Verfahren zur Herstellung elektronischer Bauelemente aus Keramik |
| US6703336B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-03-09 | Ube Electronics, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| CN101851092A (zh) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | Tdk株式会社 | 电介质陶瓷组合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69225450T2 (de) | 1998-11-12 |
| EP0534801A1 (en) | 1993-03-31 |
| US5458981A (en) | 1995-10-17 |
| EP0534801B1 (en) | 1998-05-13 |
| US5292694A (en) | 1994-03-08 |
| DE69225450D1 (de) | 1998-06-18 |
| JP2613722B2 (ja) | 1997-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2613722B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 | |
| US5485132A (en) | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition | |
| WO2004094338A1 (ja) | 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法 | |
| KR100415757B1 (ko) | 유전체 자기(誘電體磁器)조성물, 유전체 자기의 제조방법 및 유전체 공진기(共振器) | |
| JP3229528B2 (ja) | 誘電体磁器及び誘電体共振器 | |
| JP2781500B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
| JP2786977B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びその製法 | |
| JP2781503B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
| JP3624405B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
| JP3002613B2 (ja) | マイクロ波用誘電体共振器若しくはフィルタ製造のための誘電体磁器組成物及びその製法並びに該誘電体磁器組成物を用いて得られるマイクロ波用誘電体共振器若しくはフィルタ及びそれらの製造方法 | |
| JP2781501B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
| JP2781502B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
| JP3552906B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器およびこれを用いた通信機器用デバイス | |
| EP0344046A1 (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JP3193157B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
| JP2501649B2 (ja) | マイクロ波誘電体セラミックス | |
| JP3624406B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
| JP3330024B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3624407B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
| JPH0669904B2 (ja) | 誘電体磁器 | |
| JP2514354B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP3359427B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3624408B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
| JPH0877828A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2005067954A (ja) | 誘電体磁器とその製造方法及び通信機器用デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 16 |