JPH10303057A - セラミック電子部品とその製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品とその製造方法Info
- Publication number
- JPH10303057A JPH10303057A JP9126266A JP12626697A JPH10303057A JP H10303057 A JPH10303057 A JP H10303057A JP 9126266 A JP9126266 A JP 9126266A JP 12626697 A JP12626697 A JP 12626697A JP H10303057 A JPH10303057 A JP H10303057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- electrode
- terms
- porcelain
- ceramic electronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4686—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on phases other than BaTiO3 perovskite phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4686—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on phases other than BaTiO3 perovskite phase
- C04B35/4688—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on phases other than BaTiO3 perovskite phase containing lead compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁器素体と化学反応を起こす成分を添加した
電極ペーストを用いて電極の密着強度を向上させた場
合、電極の比抵抗が上昇して高周波特性が著しく悪化
し、また、化学処理によって磁器素体と電極との密着強
度を向上させた場合、処理液との反応物が磁器素体の表
面に残り、セラミック電子部品の高周波特性が悪化す
る。 【解決手段】 この発明に係るセラミック電子部品は、
磁器素体と、該磁器素体の表面に形成された電極とを備
え、該磁器素体の表面にはアスペクト比（長軸／短軸）
にして３〜３０の棒状粒子が突出形成されている。前記
磁器素体は、Ｂａ，Ｔｉ及びＬｎ（希土類元素）と、Ｂ
ｉ及び／又はＰｂとの複合酸化物を主成分とする誘電体
磁器組成物を用いて形成することができる。
電極ペーストを用いて電極の密着強度を向上させた場
合、電極の比抵抗が上昇して高周波特性が著しく悪化
し、また、化学処理によって磁器素体と電極との密着強
度を向上させた場合、処理液との反応物が磁器素体の表
面に残り、セラミック電子部品の高周波特性が悪化す
る。 【解決手段】 この発明に係るセラミック電子部品は、
磁器素体と、該磁器素体の表面に形成された電極とを備
え、該磁器素体の表面にはアスペクト比（長軸／短軸）
にして３〜３０の棒状粒子が突出形成されている。前記
磁器素体は、Ｂａ，Ｔｉ及びＬｎ（希土類元素）と、Ｂ
ｉ及び／又はＰｂとの複合酸化物を主成分とする誘電体
磁器組成物を用いて形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁器素体と電極
との密着強度が良好な高周波用のセラミック電子部品と
その製造方法に関するものである。
との密着強度が良好な高周波用のセラミック電子部品と
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波用のセラミック電子部品の磁器素
体の材料として、Ｂａ，Ｔｉ及びＬｎ（希土類元素）
と、Ｂｉ及び／又はＰｂの複合酸化物を主成分とする誘
電体磁器組成物が提案されているが、この誘電体磁器組
成物からなる磁器素体は電極との密着強度が充分でな
く、密着強度の向上が求められている。
体の材料として、Ｂａ，Ｔｉ及びＬｎ（希土類元素）
と、Ｂｉ及び／又はＰｂの複合酸化物を主成分とする誘
電体磁器組成物が提案されているが、この誘電体磁器組
成物からなる磁器素体は電極との密着強度が充分でな
く、密着強度の向上が求められている。
【０００３】そこで、例えば、磁器素体と化学反応を起
こす成分を微量添加した電極ペーストを用いたり、ある
いは、フッ酸等を用いた化学処理によって磁器素体の表
面にアンカーポイントを形成して磁器素体と電極との密
着強度を向上させる方法が提案されている。
こす成分を微量添加した電極ペーストを用いたり、ある
いは、フッ酸等を用いた化学処理によって磁器素体の表
面にアンカーポイントを形成して磁器素体と電極との密
着強度を向上させる方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、磁器素体と化
学反応を起こす成分を微量添加した電極ペーストを用い
て磁器素体と電極との密着強度を向上させた場合、電極
ペースト中に添加した微量成分が電極の比抵抗を上昇さ
せ、セラミック電子部品の高周波特性を著しく悪化させ
てしまうという問題があった。
学反応を起こす成分を微量添加した電極ペーストを用い
て磁器素体と電極との密着強度を向上させた場合、電極
ペースト中に添加した微量成分が電極の比抵抗を上昇さ
せ、セラミック電子部品の高周波特性を著しく悪化させ
てしまうという問題があった。
【０００５】また、化学処理によって磁器素体の表面に
アンカーポイントを形成して磁器素体と電極との密着強
度を向上させた場合、処理液との反応物が磁器素体の表
面に残り、充分な密着強度は得られないばかりか、セラ
ミック電子部品の高周波特性を悪化させてしまうという
問題があった。しかも、この方法では処理液としてフッ
酸等の危険な化学物質を用いなければならず、作業上の
危険を伴うという問題もあった。
アンカーポイントを形成して磁器素体と電極との密着強
度を向上させた場合、処理液との反応物が磁器素体の表
面に残り、充分な密着強度は得られないばかりか、セラ
ミック電子部品の高周波特性を悪化させてしまうという
問題があった。しかも、この方法では処理液としてフッ
酸等の危険な化学物質を用いなければならず、作業上の
危険を伴うという問題もあった。
【０００６】本発明は、これらの問題を生じさせること
なく、磁器素体と電極との密着強度を向上させたセラミ
ック電子部品を提供することを目的とする。
なく、磁器素体と電極との密着強度を向上させたセラミ
ック電子部品を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るセラミック
電子部品は、磁器素体と、該磁器素体の表面に形成され
た電極とを備え、該磁器素体の該電極側の面にアスペク
ト比（長軸／短軸）にして３〜３０の棒状粒子が突出形
成されているものである。
電子部品は、磁器素体と、該磁器素体の表面に形成され
た電極とを備え、該磁器素体の該電極側の面にアスペク
ト比（長軸／短軸）にして３〜３０の棒状粒子が突出形
成されているものである。
【０００８】ここで、前記磁器素体は、例えばＢａ，Ｔ
ｉ及びＬｎ（希土類元素）と、Ｂｉ及び／又はＰｂの複
合酸化物を主成分とする誘電体磁器組成物により形成す
ることができる。前記棒状粒子は前記磁器素体の表面に
ランダムに突出形成されているのが好ましい。副成分と
してはＹ，Ａｌ及びＳｉから選択された１種又は２種以
上の元素の化合物を用いることができる。
ｉ及びＬｎ（希土類元素）と、Ｂｉ及び／又はＰｂの複
合酸化物を主成分とする誘電体磁器組成物により形成す
ることができる。前記棒状粒子は前記磁器素体の表面に
ランダムに突出形成されているのが好ましい。副成分と
してはＹ，Ａｌ及びＳｉから選択された１種又は２種以
上の元素の化合物を用いることができる。
【０００９】前記複合酸化物としては、ＢａがＢａＯに
換算して１６．００〜１６．５０ｍｏｌ％、ＴｉがＴｉ
Ｏ2 に換算して６５．７０〜６６．９０ｍｏｌ％、希土
類元素が酸化物に換算して１４．４０〜１６．００ｍｏ
ｌ％、Ｂｉ及び／又はＰｂがＢｉ2 Ｏ3 及び／又はＰｂ
3 Ｏ4 に換算して２．００〜２．５０ｍｏｌ％の範囲で
含有されているものを用いることができる。
換算して１６．００〜１６．５０ｍｏｌ％、ＴｉがＴｉ
Ｏ2 に換算して６５．７０〜６６．９０ｍｏｌ％、希土
類元素が酸化物に換算して１４．４０〜１６．００ｍｏ
ｌ％、Ｂｉ及び／又はＰｂがＢｉ2 Ｏ3 及び／又はＰｂ
3 Ｏ4 に換算して２．００〜２．５０ｍｏｌ％の範囲で
含有されているものを用いることができる。
【００１０】また、本発明に係るセラミック電子部品の
製造方法は、Ｂａ，Ｔｉ及びＬｎ（希土類元素）と、Ｂ
ｉ及び／又はＰｂの各化合物からなる原料粉末を１０５
０〜１２００℃で１〜４時間仮焼する工程と、この仮焼
によって得られたものを成形する工程と、この成形によ
って得られた成形体を１２２０〜１３２０℃で１〜５時
間焼成する工程と、焼成された成形体に電極を形成する
工程とを備えているものである。
製造方法は、Ｂａ，Ｔｉ及びＬｎ（希土類元素）と、Ｂ
ｉ及び／又はＰｂの各化合物からなる原料粉末を１０５
０〜１２００℃で１〜４時間仮焼する工程と、この仮焼
によって得られたものを成形する工程と、この成形によ
って得られた成形体を１２２０〜１３２０℃で１〜５時
間焼成する工程と、焼成された成形体に電極を形成する
工程とを備えているものである。
【００１１】ここで、前記原料粉末としては、ＢａがＢ
ａＯに換算して１６．００〜１６．５０ｍｏｌ％、Ｔｉ
がＴｉＯ2 に換算して６５．７０〜６６．９０ｍｏｌ
％、希土類元素がその酸化物に換算して１４．４０〜１
６．００ｍｏｌ％、Ｂｉ及び／又はＰｂがＢｉ2 Ｏ3 及
び／又はＰｂ3 Ｏ4 に換算して２．００〜２．５０ｍｏ
ｌ％の範囲で含有されているものを用いることができ
る。また、前記化合物としては、酸化物のみならず、炭
酸塩、水酸化物又は蓚酸塩を使用することができる。
ａＯに換算して１６．００〜１６．５０ｍｏｌ％、Ｔｉ
がＴｉＯ2 に換算して６５．７０〜６６．９０ｍｏｌ
％、希土類元素がその酸化物に換算して１４．４０〜１
６．００ｍｏｌ％、Ｂｉ及び／又はＰｂがＢｉ2 Ｏ3 及
び／又はＰｂ3 Ｏ4 に換算して２．００〜２．５０ｍｏ
ｌ％の範囲で含有されているものを用いることができ
る。また、前記化合物としては、酸化物のみならず、炭
酸塩、水酸化物又は蓚酸塩を使用することができる。
【００１２】
【実施例】まず、表１及び表１に示すように、Ｂａ
Ｏ，ＴｉＯ2 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｌａ2 ａＯ3 ，
Ｐｒ6 Ｏ11，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｐ
ｂ3 Ｏ4 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 の各化合物
の粉末を試料Ｎｏ．１〜４０の欄に示す割合で各々秤量
した。そして、秤量した各化合物をポリエチレン製ポッ
トに水と共に入れ、各々湿式で充分に混合し、得られた
混合物を脱水して１５０℃で乾燥させた。
Ｏ，ＴｉＯ2 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＣｅＯ2 ，Ｌａ2 ａＯ3 ，
Ｐｒ6 Ｏ11，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｐ
ｂ3 Ｏ4 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 の各化合物
の粉末を試料Ｎｏ．１〜４０の欄に示す割合で各々秤量
した。そして、秤量した各化合物をポリエチレン製ポッ
トに水と共に入れ、各々湿式で充分に混合し、得られた
混合物を脱水して１５０℃で乾燥させた。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表１】
【００１５】次に、この乾燥させた混合物を空気中にお
いて１０２０〜１２５０℃の間の温度で０．５〜５時間
仮焼した。そして、この仮焼によって得られたものをポ
リエチレン製ポットに水と共に入れ、湿式で粉砕し、得
られた粉砕物を脱水して１５０℃で乾燥させ、誘電体磁
器素体の原料粉末を得た。
いて１０２０〜１２５０℃の間の温度で０．５〜５時間
仮焼した。そして、この仮焼によって得られたものをポ
リエチレン製ポットに水と共に入れ、湿式で粉砕し、得
られた粉砕物を脱水して１５０℃で乾燥させ、誘電体磁
器素体の原料粉末を得た。
【００１６】次に、この原料粉末に有機バインダーを加
えて造粒し、この造粒物を５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で
加圧成形して、直径９．８ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板
状の成形体を得た。そして、この成形体をジルコニアセ
ッター上に載せ、空気中において１２００〜１３５０℃
の間の温度で０．５〜６時間焼成し、磁器素体を得た。
えて造粒し、この造粒物を５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で
加圧成形して、直径９．８ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板
状の成形体を得た。そして、この成形体をジルコニアセ
ッター上に載せ、空気中において１２００〜１３５０℃
の間の温度で０．５〜６時間焼成し、磁器素体を得た。
【００１７】次に、この磁器素体の表面の棒状結晶のア
スペクト比（長軸／短軸）及び表面荒さを測定した。磁
器素体の表面の棒状結晶のアスペクト比（長軸／短軸）
の測定は次のようにして行なった。
スペクト比（長軸／短軸）及び表面荒さを測定した。磁
器素体の表面の棒状結晶のアスペクト比（長軸／短軸）
の測定は次のようにして行なった。
【００１８】即ち、磁器素体の表面を鏡面研磨し、空気
中において１０００〜１１５０℃の間の温度で再び焼成
して粒界を少し溶融させた後、この磁器素体の表面を電
子顕微鏡を用いて２０００倍の倍率で観察し、棒状結晶
のアスペクト比（長軸／短軸）を測定した。ここで、ア
スペクト比は、観察像中の任意の単位円内に一部でも含
まれる全ての結晶粒の平均値とした。
中において１０００〜１１５０℃の間の温度で再び焼成
して粒界を少し溶融させた後、この磁器素体の表面を電
子顕微鏡を用いて２０００倍の倍率で観察し、棒状結晶
のアスペクト比（長軸／短軸）を測定した。ここで、ア
スペクト比は、観察像中の任意の単位円内に一部でも含
まれる全ての結晶粒の平均値とした。
【００１９】次に、この焼成で得られた磁器素体の両主
面に銀ペーストを塗布して焼き付けて、図１に示すよう
な、磁器素体１と、磁器素体１を挟む一対の電極２，２
とから成る磁器コンデンサを作成し、この磁器コンデン
サの比誘電率εr ，Ｑ値、比誘電率の温度係数τεr
（ｐｐｍ／℃）を測定した。
面に銀ペーストを塗布して焼き付けて、図１に示すよう
な、磁器素体１と、磁器素体１を挟む一対の電極２，２
とから成る磁器コンデンサを作成し、この磁器コンデン
サの比誘電率εr ，Ｑ値、比誘電率の温度係数τεr
（ｐｐｍ／℃）を測定した。
【００２０】ここで、比誘電率εr 及びＱ値は周波数１
ＭＨｚ、１Ｖ及び周囲温度２０℃の条件下で測定した。
また、比誘電率の温度係数τεr は、＋２０℃の比誘電
率εr を基準とした＋２０〜＋８５℃の比誘電率εr の
変化率であり、１ＭＨｚ、１Ｖで測定した。
ＭＨｚ、１Ｖ及び周囲温度２０℃の条件下で測定した。
また、比誘電率の温度係数τεr は、＋２０℃の比誘電
率εr を基準とした＋２０〜＋８５℃の比誘電率εr の
変化率であり、１ＭＨｚ、１Ｖで測定した。
【００２１】また、図２に示すように、磁器素体１１の
一方の主面に銀ペーストを塗布して焼き付けることによ
り電極１２を形成し、電極１２にφ０．５ｍｍ、長さ３
０ｍｍのリード線１３を垂直に半田付して、密着強度試
験用の試料を作成し、磁器素体１１と電極１２との密着
強度を測定した。
一方の主面に銀ペーストを塗布して焼き付けることによ
り電極１２を形成し、電極１２にφ０．５ｍｍ、長さ３
０ｍｍのリード線１３を垂直に半田付して、密着強度試
験用の試料を作成し、磁器素体１１と電極１２との密着
強度を測定した。
【００２２】試料Ｎｏ．１〜４０の析出粒子のアスペク
ト比、表面粗さＲａ（μｍ）、引張り強度（ｋｇ／ｃｍ
2 ）、比誘電率εr 、Ｑ、比誘電率の温度係数τεr
（ｐｐｍ／℃）は表２及び表２に示す通りであっ
た。
ト比、表面粗さＲａ（μｍ）、引張り強度（ｋｇ／ｃｍ
2 ）、比誘電率εr 、Ｑ、比誘電率の温度係数τεr
（ｐｐｍ／℃）は表２及び表２に示す通りであっ
た。
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表２】
【００２５】表２及び表２に示す結果から、本発明
の範囲に含まれるＮｏ．１〜９，１１，１２，１４，１
５，１８，１９，２１〜３２，３５〜３７，３９の試料
によれば、比誘電率εr が８９以上、Ｑが１２００以
上、比誘電率の温度係数が±３０ｐｐｍ／℃以内、電極
の密着強度４ｋｇ以上の特性が得られることがわかる。
の範囲に含まれるＮｏ．１〜９，１１，１２，１４，１
５，１８，１９，２１〜３２，３５〜３７，３９の試料
によれば、比誘電率εr が８９以上、Ｑが１２００以
上、比誘電率の温度係数が±３０ｐｐｍ／℃以内、電極
の密着強度４ｋｇ以上の特性が得られることがわかる。
【００２６】これに対し、本発明の範囲に含まれないＮ
ｏ．１６，２０，３４，３８の試料によれば、析出粒子
のアスペクト比が３未満になると、表面が平滑になりす
ぎ、十分なアンカー効果が得られず、電極の密着強度が
４ｋｇ以下と小さい値になってしまうことがわかる。
ｏ．１６，２０，３４，３８の試料によれば、析出粒子
のアスペクト比が３未満になると、表面が平滑になりす
ぎ、十分なアンカー効果が得られず、電極の密着強度が
４ｋｇ以下と小さい値になってしまうことがわかる。
【００２７】また、本発明の範囲に含まれないＮｏ．１
０，１３，１７，３３，４０の試料によれば、析出粒子
のアスペクト比が３０を越えてしまうと、粒子同士のパ
ッキングが崩れ、比誘電率εr ，Ｑ，比誘電率の温度係
数τεr 等の電気的特性が悪化してしまうことがわか
る。
０，１３，１７，３３，４０の試料によれば、析出粒子
のアスペクト比が３０を越えてしまうと、粒子同士のパ
ッキングが崩れ、比誘電率εr ，Ｑ，比誘電率の温度係
数τεr 等の電気的特性が悪化してしまうことがわか
る。
【００２８】上記実施例では、誘電体磁器の特性比較を
容易に行うために、円板状の磁器素体を用いて特性を測
定したが、図３に示すように、円筒状の誘電体磁器素体
２１の表面に電極２２を形成したＴＥＭモード同軸共振
器を作製し、電気特性を測定すると共に、基板２３上に
半田付けして転がり方向に力が作用した場合の電極の剥
れ強度を測定したところ、上記実施例と同様の結果が得
られた。
容易に行うために、円板状の磁器素体を用いて特性を測
定したが、図３に示すように、円筒状の誘電体磁器素体
２１の表面に電極２２を形成したＴＥＭモード同軸共振
器を作製し、電気特性を測定すると共に、基板２３上に
半田付けして転がり方向に力が作用した場合の電極の剥
れ強度を測定したところ、上記実施例と同様の結果が得
られた。
【００２９】この様な共振器を用いて誘電体フィルター
を作製する場合には、パターンを形成した基板上に同軸
共振器を直接実装する必要があり、本発明に従う磁器素
体を用いれば、誘電体磁器と電極間の密着性が良好であ
るため、極めて信頼性の高いフィルターが作製可能とな
る。
を作製する場合には、パターンを形成した基板上に同軸
共振器を直接実装する必要があり、本発明に従う磁器素
体を用いれば、誘電体磁器と電極間の密着性が良好であ
るため、極めて信頼性の高いフィルターが作製可能とな
る。
【００３０】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、例えば、原料として用いた酸化物の代わり
に炭酸塩、水酸化物又は蓚酸塩を用いても同様の結果が
得られた。
のではなく、例えば、原料として用いた酸化物の代わり
に炭酸塩、水酸化物又は蓚酸塩を用いても同様の結果が
得られた。
【００３１】また、粒成長を制御するための添加物を、
例えばコーティング法によって磁器表面に配置して電極
が形成される表面のみの析出粒子アスペクト比を本発明
の範囲内としても同様の効果が得られた。もちろん、コ
ーティング法以外の方法を用いても同様であり、焼結後
に添加物を配置し、しかる後に熱処理しても同様であっ
た。
例えばコーティング法によって磁器表面に配置して電極
が形成される表面のみの析出粒子アスペクト比を本発明
の範囲内としても同様の効果が得られた。もちろん、コ
ーティング法以外の方法を用いても同様であり、焼結後
に添加物を配置し、しかる後に熱処理しても同様であっ
た。
【００３２】更に、本発明の誘電体磁器素体は、ＴＥＭ
モード同軸共振器以外の形状の誘電体共振器や、誘電体
アンテナ基板としても使用可能である。
モード同軸共振器以外の形状の誘電体共振器や、誘電体
アンテナ基板としても使用可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、磁器素体の表面にはア
スペクト比にして３〜３０の棒状粒子が突出形成されて
いるので、電極ペースト中に微量成分を添加したり、磁
器素体の表面を化学処理することなく磁器素体と電極と
の密着強度を高くすることができ、従って、高周波特性
を悪化させることなく信頼性の高いセラミック電子部品
を提供することができるという効果がある。
スペクト比にして３〜３０の棒状粒子が突出形成されて
いるので、電極ペースト中に微量成分を添加したり、磁
器素体の表面を化学処理することなく磁器素体と電極と
の密着強度を高くすることができ、従って、高周波特性
を悪化させることなく信頼性の高いセラミック電子部品
を提供することができるという効果がある。
【図１】本発明の実施例に係る磁器コンデンサを示す説
明面である。
明面である。
【図２】本発明の実施例に係る電極の密着強度測定用の
試料を示す説明面である。
試料を示す説明面である。
【図３】本発明の実施例に係るＴＥＭモード同軸共振器
と電極の密着強度測定用の試料を示す説明面である。
と電極の密着強度測定用の試料を示す説明面である。
１，１１，２１ 磁器素体 ２，１２，２２ 電極 ２３ 基板
【表１○１】
【表１○２】
【表２○１】
【表２○２】
Claims (6)
- 【請求項１】 磁器素体と、該磁器素体の表面に形成さ
れた電極とを備え、該磁器素体の該電極側の面にアスペ
クト比（長軸／短軸）にして３〜３０の棒状粒子が突出
形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項２】 前記磁器素体が、Ｂａ，Ｔｉ及びＬｎ
（希土類元素）と、Ｂｉ及び／又はＰｂの複合酸化物を
主成分とする誘電体磁器組成物からなることを特徴とす
る請求項１に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記複合酸化物は、ＢａがＢａＯに換算
して１６．００〜１６．５０ｍｏｌ％、ＴｉがＴｉＯ2
に換算して６５．７０〜６６．９０ｍｏｌ％、希土類元
素がその酸化物に換算して１４．４０〜１６．００ｍｏ
ｌ％、Ｂｉ及び／又はＰｂがＢｉ2 Ｏ3 及び／又はＰｂ
3 Ｏ4 に換算して２．００〜２．５０ｍｏｌ％の範囲で
含有されていることを特徴とする請求項２に記載のセラ
ミック電子部品。 - 【請求項４】 Ｂａ，Ｔｉ及びＬｎ（希土類元素）と、
Ｂｉ及び／又はＰｂの各化合物を主成分とする原料粉末
を１０５０〜１２００℃で１〜４時間仮焼する工程と、
この仮焼によって得られたものを成形する工程と、この
成形によって得られた成形体を１２２０〜１３２０℃で
１〜５時間焼成する工程と、焼成された成形体に電極を
形成する工程とを備えたことを特徴とするセラミック電
子部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記原料粉末は、ＢａがＢａＯに換算し
て１６．００〜１６．５０ｍｏｌ％、ＴｉがＴｉＯ2 に
換算して６５．７０〜６６．９０ｍｏｌ％、希土類元素
がその酸化物に換算して１４．４０〜１６．００ｍｏｌ
％、Ｂｉ及び／又はＰｂがＢｉ2 Ｏ3 及び／又はＰｂ3
Ｏ4 に換算して２．００〜２．５０ｍｏｌ％の範囲で含
有されていることを特徴とする請求項４に記載のセラミ
ック電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 前記化合物が、酸化物、炭酸塩、水酸化
物又は蓚酸塩であることを特徴とする請求項４又は５に
記載のセラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9126266A JPH10303057A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | セラミック電子部品とその製造方法 |
| US09/064,833 US6103385A (en) | 1997-04-30 | 1998-04-23 | Ceramic electronic part, and method for the production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9126266A JPH10303057A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | セラミック電子部品とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303057A true JPH10303057A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14930940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9126266A Pending JPH10303057A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | セラミック電子部品とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6103385A (ja) |
| JP (1) | JPH10303057A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000067819A (ko) * | 1999-04-13 | 2000-11-25 | 가와다 마사오끼 | 도전성 세라믹스, 그 제조방법 및 정전 척 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54134902A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Hitachi Ltd | Chassis structure of electronic apparatus |
| JPS63260884A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | 日本碍子株式会社 | セラミツク基体およびその製造方法 |
| DE69004374T2 (de) * | 1989-08-09 | 1994-02-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | Dielektrische Keramik zur Anwendung im Bereich der Mikrowellen. |
| US5185304A (en) * | 1990-08-20 | 1993-02-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition of BaO, TiO2, Nd2 O3, Sm2 O3 and Bi2 O3 |
| DE69131846T2 (de) * | 1990-10-05 | 2000-05-18 | Sumitomo Electric Industries | Hartmaterial mit diamant bekleidet, wegwerfeinsatz, und methode zum herstellen dieses materials und einsatzes |
| US5256639A (en) * | 1991-01-21 | 1993-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| CA2060823C (en) * | 1991-02-08 | 2002-09-10 | Naoya Omori | Diamond-or diamond-like carbon-coated hard materials |
| US5244851A (en) * | 1991-02-28 | 1993-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Microwave dielectric ceramic composition |
| JP2613722B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-05-28 | 日本碍子株式会社 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
| US5479140A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| US5827792A (en) * | 1994-08-30 | 1998-10-27 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP9126266A patent/JPH10303057A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-23 US US09/064,833 patent/US6103385A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6103385A (en) | 2000-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109553406A (zh) | 电介质陶瓷组合物及电子部件 | |
| CN110317056B (zh) | 电介质组合物及电子部件 | |
| JP7021897B2 (ja) | 誘電体組成物および誘電体セラミックス | |
| JPH10303057A (ja) | セラミック電子部品とその製造方法 | |
| KR100312605B1 (ko) | 반도체 세라믹 및 반도체 세라믹 전자 소자 | |
| GB2027008A (en) | Ceramic Dielectrics | |
| JP4217337B2 (ja) | 半導体磁器の製造方法 | |
| JP2001278662A (ja) | 誘電体磁器およびその製法 | |
| US11873255B2 (en) | Dielectric composition and electronic component | |
| JPH0945581A (ja) | 積層型コンデンサ | |
| JPH0521266A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器物質の製造方法 | |
| KR100254799B1 (ko) | 저온 소결 유전체 자기조성물 | |
| JP2970405B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH07267728A (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2621478B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP3287104B2 (ja) | 焦電体材料及びそれを用いた焦電用受光素子の製造方法、及びそれを用いた赤外線センサー | |
| JP2023069307A (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP2023045881A (ja) | 誘電体組成物および電子部品 | |
| JP2734888B2 (ja) | 半導体磁器組成物の製造方法 | |
| JP2903991B2 (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP2936876B2 (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP4006655B2 (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH0757956A (ja) | 半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0426545A (ja) | 半導体磁器及びその製造方法 | |
| JPH07277818A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011120 |