JPH06293511A - クロロシランおよび水素の反応器 - Google Patents
クロロシランおよび水素の反応器Info
- Publication number
- JPH06293511A JPH06293511A JP5129356A JP12935693A JPH06293511A JP H06293511 A JPH06293511 A JP H06293511A JP 5129356 A JP5129356 A JP 5129356A JP 12935693 A JP12935693 A JP 12935693A JP H06293511 A JPH06293511 A JP H06293511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reactor
- carbon fiber
- silicon carbide
- composite material
- fiber composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/02—Apparatus characterised by being constructed of material selected for its chemically-resistant properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
- B01J2219/0204—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
- B01J2219/0218—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components of ceramic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
- B01J2219/0204—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
- B01J2219/0227—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components of graphite
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
水素添加用反応器の提供。 【構成】 該反応器は、(1)炭化ケイ素をコーテイン
グした炭素繊維複合材料で成形された反応室、(2)炭
化ケイ素をコーテイングした炭素繊維複合材料で成形さ
れた発熱体、および(3)その発熱体を電気的絶縁する
窒化ケイ素絶縁体という改良点からなる。
Description
加用反応器に関するものである。該反応器は、反応室と
炭化ケイ素で被覆した炭素繊維複合材料で作った発熱体
を特徴とし、該発熱体を電気的に絶縁する窒化ケイ素を
使用している。
る典型的な寸法において、トリクロロシラン・ガスは水
素の存在下で還元されて、加熱体上に蒸着する。該方法
に供給されるトリクロロシラン・ガスのかなりの部分は
脱水素されて、副生成物のテトラクロロシランを生成す
る。この副生物のテトラクロロシランを再びトリクロロ
シランに転化して、それを蒸着プロセスへ再循環させる
ことが望ましい。
eigert)らによる米国特許第4,217,334
号は、テトラクロロシランをトリクロロシランに転化す
る優れた方法に関する。その方法はトリクロロシランと
水素を600℃〜1200℃の温度で反応させ(テトラ
クロロシランと水素の混合体はトリクロロシラン及び塩
化水素との平衡下で1:1〜1:50のモル組成を有す
る)、その混合体を300℃以下に急冷させることから
成る。そのワイゲルトらの方法は炭素で作った気密管内
で実施された。
を主成分とした材料の使用は多くの欠点をもつ。例え
ば、反応器の経験する差圧、高温および急激な温度変化
は反応器の構成要素に極端な熱応力をもたらし、しばし
ば修理のために反応器を停止しなければならない。さら
に、炭素を主成分とした材料は供給されるクロロシラン
及び水素と反応して炭化ケイ素、メタンおよび一酸化炭
素のような副産物を生成する。これらの反応は反応器の
劣化をもたらすのみならず、必要な水素添加クロロシラ
ンを炭素および微量の金属で汚染する恐れがある。
設計された構成の材料を用いる反応器である。特許請求
した炭素繊維複合材料は高強度と良好な弾性を与え、従
って反応器の圧力及び熱応力損傷に対して優れた耐性を
与える。さらに、炭素繊維複合材料の膨脹係数を炭化ケ
イ素被膜の値によく合致するように仕立てることができ
る。従って、炭素繊維複合材料の熱膨脹は炭化ケイ素被
膜の熱破損をもたらすことはない。炭素繊維複合材料上
に配置した炭化ケイ素被膜は、反応室および発熱体の劣
化および水素添加クロロシランの汚染をもたらす恐れの
ある還元性プロセスに対して保護作用をする。
vin)による米国特許第4,737,348号は、1
500℃以上の温度で水素ガスとテトラクロロシランを
反応させてケイ素を生成する反応器を記載している。そ
の反応器は壁を炭素又は黒鉛で作り、その壁に炭化ケイ
素被膜を現場で形成している。レビンはその炭化ケイ素
被膜が化学的分解に対して極めて耐性があると記載して
いる。レビンは、反応器の高温および加熱、冷却に伴う
熱衝撃の問題も差圧に起因する材料の破壊問題も取扱っ
ていない。
る発熱体を電気的に絶縁する窒化ケイ素を使用すること
もできる。クロロシランと水素を反応させる典型的な反
応器おいては、反応室を完全にシールして反応物の漏れ
を防ぐことができない。従って、発熱体を電気的に絶縁
するのに用いる材料は高温でクロロシランと水素にさら
すことができる。本発明者らは、窒化ケイ素が典型的な
プロセスの条件下で劣化しない優れた電気絶縁材料であ
ることを見出した。ウイッター(Witter)らの米
国特許第4,710,260号は、窒化ケイ素粒子上で
トリクロロシランの水素分解法を記載している。窒化ケ
イ素は絶縁材料としての使用を考えず、前記のプロセス
条件下で著しく劣化することが報告されている。従っ
て、本発明者らが窒化ケイ素は水素とクロロシランを反
応させる反応器に用いるのに適当な電気絶縁材料である
こと、およびそれは水素添加クロロシランの汚染をしな
いということを発見したことは驚くべきことである。
は、反応室および発熱体の構成材料として炭化ケイ素を
被覆した炭素繊維複合材料を使用する水素とクロロシラ
ンの反応用反応器を提供することである。この材料は還
元性プロセスに優れた耐性および高熱衝撃耐性を提供す
る。該反応器は発熱体を電気的絶縁する窒化ケイ素を使
用することもできる。窒化ケイ素は高絶縁特性および反
応器に存在する反応物質による化学的侵食に対して優れ
た耐性を提供する。
℃以上の温度におけるクロロシランの水素添加用反応器
が提供される。該反応器は、(1)炭化ケイ素をコーテ
イングした炭素繊維複合材料で成形された反応室、
(2)炭化ケイ素をコーテイングした炭素繊維複合材料
で成形された発熱体、および(3)その発熱体を電気的
絶縁する窒化ケイ素絶縁体という改良点からなる。
200℃の範囲内の温度で行って作業能率を上げること
が望ましい。これらのプロセス温度を得るために、反応
室および発熱体の壁は1600℃の高温に維持される。
る反応室の形成および反応室を加熱する発熱体の形成に
使用できることが知られている。しかしながら、必要な
高温において、高温にさらされる反応室、発熱体および
反応器の他の部分の構成材料には著しい熱応力が加わ
る。その上、水素、クロロシラン並びに塩化水素のよう
な腐食性副産物が反応器の構成材料と反応して劣化す
る。熱応力による破損および高温反応器を構成する炭素
および黒鉛材料の化学的劣化は、反応器の停止時間を増
し作業能率を下げることになる。
体の構成材料として炭化ケイ素を被覆した炭素繊維複合
材料を使用できること、そしてその炭化ケイ素を被覆し
た炭素繊維複合材料は圧力および熱応力破損、および供
給材料および腐食性副産物との反応による劣化に対して
優れた耐性を有することを見出した。
600℃までの温度で安定なマトリックス材料に固定さ
れた炭素繊維からなる。そのマトリックス材料は、例え
ば炭素、黒鉛又は炭化ケイ素にすることができる。マト
リックス材料が炭素のときが望ましい。その炭素繊維複
合材料は普通の方法で成形することができる。例えば、
マトリック材料か炭素のときには、炭素繊維にピッチや
樹脂のような適当な炭素源を含浸させ、特定の方向に巻
き又は積層することによって必要な形状に固定する、又
は型内に積層する。この材料は次に圧力下で炭化さる。
含浸工程および炭化工程は、必要な密度が得られるまで
反復すことができる。一般に、約1.5〜2.0g/c
cの範囲内の密度をもった炭素繊維複合材料が有用であ
ることがわかった。炭素繊維は該複合材料の約20〜8
0体積%にすることができるが、約50〜70体積%が
望ましい。
繊維は、約1.5〜2.0g/ccの密度、約200〜
600GN/m2 の範囲内のヤング率および約1500
〜8000N/mm2 の範囲内の引張強さを有する。
水素のような腐食性副産物にさらされための劣化から炭
素繊維複合材料を保護するために炭化ケイ素被覆をコー
テイングする。炭化ケイ素被膜は、標準の方法、例えば
オルガノクロロシランのような原料ガスを使用して化学
蒸着法によって付加することができる。炭化ケイ素被膜
の有効な厚さは約0.01〜1.0mmであるが、約
0.02〜0.13mmの範囲内の厚さをもった炭化ケ
イ素被膜が望ましい。
器の高温および供給材料および副産ぶつ反応性および腐
食性に耐えることができる有効な絶縁材料であることを
見出した。
はテトラクロロシラン、トリクロロシラン、ジクロロシ
ランおよびクロロシランを含む。
する。図1は、本発明の実施例の破断側面図である。水
素とクロロシランを反応させる反応器はステンス鋼から
なる外殻1からなる。外殻1の内表面は断熱材2よって
発熱体3から断熱される。断熱材2は標準の高温絶縁材
料、例えば炭素又は黒鉛のフエルトと一体シートから作
ることができる。断熱材2が1992年6月30日付け
のブルギイ−(Burgie)の米国特許第5,12
6,112号に記載されているものに類似の絶縁系が望
ましい。
イ素をコーテイングした炭素複合材料から作ることがで
きる。発熱体3が炭化ケイ素をコーテイングした炭素複
合材料で作るのが望ましい。発熱体3は標準の形状、例
えば、反応室の外側の回りに配置された1個以上の棒又
はストレートにすることができる。発熱体3が図2に示
したものに類似の杭垣状の設計が望ましい。発熱体3
は、外部エネルギー源に接続する手段を提供する電極へ
接続される。
の残部から電気的に絶縁される。電気絶縁体4は、標準
の高温および化学的耐性の電気絶縁材料、例えば、溶融
シリカ又は窒化ケイ素から作ることができる。電気絶縁
体4は窒化ケイ素、すなわちSiN4で作るのが望まし
いが、焼結するために熱間静水圧プレスした窒化ケイ素
粒子から成形するが一層望ましい。
応室は同心配置の2つの管によって形成された外室と内
室をもった二重室設計のものである。その外室は管6と
管7の間に形成される。内室は管7によって形成され
る。反応室の上部はダイバータ8によって形成される。
応器の標準構成材料、例えば、炭素、黒鉛、炭化ケイ素
被覆の炭素および炭化ケイ素被覆の黒鉛;又は炭化ケイ
素被膜の炭素繊維複合材料で作ることができる。管6お
よび管7を炭化ケイ素被覆の炭素繊維複合材料で作るの
が望ましい、管6、管7およびダイバータ8を炭化ケイ
素被覆の炭素繊維複合材料で作るのがさらに望ましい。
応器へ供給される水素とクロロシランは管6と管7の間
に形成された外室に通す前に予熱される。これらのガス
は別の流路を通り、そこで発熱体3によってさらに加熱
され、そしてダイバータ8によって向きを変えられて管
7によって形成される内室を逆向きに流れる。管7を排
出する加熱されたガスは次に熱交換器9を通って、熱を
流入する供給ガスに伝達する。熱交換器9は標準の設計
にすることができる。例えば、熱交換器9は、ヒラード
(Hillard)の米国特許第2,821,369
号;マッククラリー(McCrary)らの米国特許第
3,250,322号;および米国特許第3,391,
016号に開示されている設計に類似したものにでき
る。
用反応器の構成材料としての炭化ケイ素被覆の炭素繊維
組成物および窒化ケイ素の適合性を示す。これらの実施
例は、特許請求の範囲の限定を意図していない。
安定性を評価した。評価は5.1cm(2in)の水平
管炉で行った。試験する材料は管炉内で窒素パージ下7
2時間乾燥した。次にその炉に25モル%のテトラクロ
ロシランと75モル%の水素(TCS/H2 )からなる
ガス状混合体を464cc/分の流量で供給して、反応
器内に2〜3秒の滞留時間を与えた。各材料試料はTC
S/H2フイードに合計約21時間暴露した。その暴露
の中で最初の6時間は約1150℃の温度で、そして残
りの15時間は約1350℃の温度で暴露した。暴露期
間中に、フレームイオン化検出器を使用した気液クロマ
トグラフイ−(GLC−FID)によって炉から出るガ
スのメタンと一酸化炭素を監視した。それらの結果を体
積を基準にしたppmv値で示す。
国マサチュセッツ州ノースボロに在るノルトン社)の商
品名ノラライド(Noralide)NC−132/H
P;反応接合した窒素ケイ素(同じくノルトン社の商品
名NCX−5301および溶融シリカ(米国ミシガン州
ベイ・シテイに在るWYSEガラス社製)であった。そ
れらの結果を表1示す。
素被覆の炭素繊維複合材料の安定性を評価した。評価の
方法は実施例1で記載した方法と同様であった。試験し
た材料は炭化ケイ素被覆の炭素繊維複合材料で55〜6
5%の繊維体積率と1.6〜1.7g/cm3 のかさ密
度を有するもの(米国ウイスコンシン州メノモニー・フ
オールスに在るSchunk Graphite Te
chnology社製のカタログNo.CF222/P
22);および被覆しない炭素繊維複合材料(米国オレ
ゴン州ポートランドにあるTT America社製の
カタログNo.CX−21)であった。
複合材料の重量変化が最少であることを示している。し
かしながら、被覆しなかった炭素繊維複合材料は、重量
増が著しく、複合材料の炭素とテトラクロロシランと反
応して炭化ケイ素を生成することを示している。
水素およびテトラクロロシランの環境において窒化ケイ
素試料の安定性を評価した。試験する試料は炉内窒素パ
ージ下で約72時間乾燥した後、反応器へ移した。反応
器への供給材料は約25モ%のテトラクロロシランと7
5モル%の水素からなるガス混合体であった。その反応
器内で試料は約800℃の温度に暴露した。試料は表3
に示した時間で反応器から取り出して重量損失を測定し
た。次に試料を反応器に戻して、そのプロセスを続け
た。それらの結果を表3に示す。試験した試料は、全て
前に記載したSi3 N4 (NC132/HP)、Si3
N4 )NCX5301)および溶解シリカ(WYSE)
であった。
反応器内で長期間評価した。評価の方法は実施例3と類
似したが、例外は試料の暴露温度が約1200℃であっ
たことである。試験した試料は炭化ケイ素を被覆した炭
素繊維複合材料(CF222/P22)と無被覆の炭素
繊維複合材料(CF212)であった、これらは共に実
施例1で既に記載したものである。それらの結果を表4
に示す。
を囲む杭垣状発熱体を示す。
Claims (7)
- 【請求項1】 600℃以上の温度でクロロシランと水
素を接触させる反応室から成り、該反応室を炭化ケイ素
被覆の炭素繊維複合材料で作ることを特徴とする反応
器。 - 【請求項2】 600℃以上の温度でクロロシランと水
素を接触させる反応室から成り、該反応室を炭化ケイ素
被覆の炭素繊維複合材料で作った発熱体によって加熱す
ることを特徴とする反応器。 - 【請求項3】 炭化ケイ素被覆の炭素繊維複合材料が
0.02〜0.13mmの範囲内の厚さをもった炭化ケ
イ素被膜と;炭素のマトリックスと;1.5〜2.0g
/ccの範囲内の密度、200〜600GN/m2 の範
囲内のヤング率および1500〜8000N/mm2 の
範囲内の引張強さをもった炭素繊維から成ることを特徴
とする請求項1又は2の反応器。 - 【請求項4】 炭素繊維複合材料が1.5〜2.0g/
ccの範囲内の密度を有し、炭素繊維が該複合材料の5
0〜70体積%であることを特徴とする請求項3の反応
器。 - 【請求項5】 600℃以上の温度でクロロシランと水
素ガスを接触させる反応室と発熱体から成り、該反応室
と発熱体が炭化ケイ素を被覆した炭素繊維複合材料で作
られることを特徴とする反応器。 - 【請求項6】 発熱体が窒化ケイ素で電気的に絶縁され
ることを特徴とする請求項5の反応器。 - 【請求項7】 窒化ケイ素絶縁体をホット・プレスした
窒化ケイ素で作ることを特徴とする請求項6の反応器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/891132 | 1992-06-01 | ||
US07/891,132 US5906799A (en) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | Chlorosilane and hydrogen reactor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06293511A true JPH06293511A (ja) | 1994-10-21 |
JP3781439B2 JP3781439B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=25397675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12935693A Expired - Lifetime JP3781439B2 (ja) | 1992-06-01 | 1993-05-31 | クロロシランおよび水素の反応器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5906799A (ja) |
JP (1) | JP3781439B2 (ja) |
DE (1) | DE4317905C2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004262753A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Hemlock Semiconductor Corp | 高温のガスと接触するための装置 |
EP2014618A4 (en) * | 2006-10-31 | 2011-02-16 | Mitsubishi Materials Corp | APPARATUS FOR PRODUCING TRICHLOROSILANE |
JP2011173785A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-09-08 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
JP2011201767A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-10-13 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
JP2011207746A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-10-20 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
JP2011213584A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
JP2014507367A (ja) * | 2011-01-04 | 2014-03-27 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 有機クロロシランおよび四塩化ケイ素の水素化 |
TWI448429B (zh) * | 2006-11-07 | 2014-08-11 | Mitsubishi Materials Corp | 三氯矽烷之製造方法、三氯矽烷之製造裝置、以及多結晶矽之製造方法 |
JP2015506834A (ja) * | 2012-01-30 | 2015-03-05 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 反応器内の表面を補修及び/又は保護する方法 |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5422088A (en) * | 1994-01-28 | 1995-06-06 | Hemlock Semiconductor Corporation | Process for hydrogenation of tetrachlorosilane |
DE10057481A1 (de) * | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularem Silizium |
US7033561B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-04-25 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of polycrystalline silicon |
US7083771B2 (en) * | 2002-07-10 | 2006-08-01 | Advanced Composite Materials Corporation | Process for producing silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers |
US20040009112A1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-15 | Advanced Composite Materials Corporation | Silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers and method for preparation thereof |
DE102005005044A1 (de) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Consortium für elektrochemische Industrie GmbH | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan mittels thermischer Hydrierung von Siliciumtetrachlorid |
DE102005046703A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Hydrierung von Chlorsilanen |
US20070235450A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Advanced Composite Materials Corporation | Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation |
JP5205906B2 (ja) | 2006-10-31 | 2013-06-05 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
JP5205910B2 (ja) | 2006-10-31 | 2013-06-05 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
JP5428146B2 (ja) | 2006-10-31 | 2014-02-26 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
JP5160181B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2013-03-13 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
JP5119856B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2013-01-16 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
JP5488777B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2014-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシランの製造装置 |
JP5397580B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2014-01-22 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造方法と製造装置および多結晶シリコンの製造方法 |
JP5083004B2 (ja) * | 2008-04-11 | 2012-11-28 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
RU2503905C2 (ru) * | 2008-04-14 | 2014-01-10 | Хемлок Семикондактор Корпорейшн | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней |
US8784565B2 (en) * | 2008-04-14 | 2014-07-22 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
AU2009236679B2 (en) * | 2008-04-14 | 2014-02-27 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
WO2010016608A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | 日本発條株式会社 | 電気接点部材およびコンタクトプローブ |
TW201031591A (en) * | 2008-10-30 | 2010-09-01 | Mitsubishi Materials Corp | Process for production of trichlorosilane and method for use thereof |
JP5633160B2 (ja) | 2009-03-11 | 2014-12-03 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造装置 |
US20100242352A1 (en) * | 2009-06-09 | 2010-09-30 | Sundrop Fuels, Inc. | Systems and methods for reactor and receiver control of flux profile |
US8814961B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-08-26 | Sundrop Fuels, Inc. | Various methods and apparatuses for a radiant-heat driven chemical reactor |
US9663363B2 (en) | 2009-06-09 | 2017-05-30 | Sundrop Fuels, Inc. | Various methods and apparatuses for multi-stage synthesis gas generation |
JP5316284B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2013-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
US8298490B2 (en) * | 2009-11-06 | 2012-10-30 | Gtat Corporation | Systems and methods of producing trichlorosilane |
DE102010007916B4 (de) | 2010-02-12 | 2013-11-28 | Centrotherm Sitec Gmbh | Verfahren zur Hydrierung von Chlorsilanen und Verwendung eines Konverters zur Durchführung des Verfahrens |
JP5482687B2 (ja) | 2010-02-17 | 2014-05-07 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置および製造方法 |
WO2011148581A1 (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-01 | 株式会社カネカ | グラファイトフィルムの平坦性を改善する方法、並びにグラファイトフィルム及びその製造方法 |
WO2012047658A1 (en) | 2010-09-27 | 2012-04-12 | Gtat Corporation | Heater and related methods therefor |
US20120199323A1 (en) | 2011-02-03 | 2012-08-09 | Memc Electronic Materials Spa | Shell and tube heat exchangers and methods of using such heat exchangers |
DE102011005647A1 (de) | 2011-03-16 | 2012-10-04 | Evonik Degussa Gmbh | Verbundverfahren zur Umstetzung von STC-haltigen und OCS-haltigen Nebenströmen zu wasserstoffhaltigen Chlorsilanen |
DE102011005643A1 (de) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Evonik Degussa Gmbh | Reaktorkonzept zur Umsetzung von Organochlorsilanen und Siliciumtetrachlorid zu wasserstoffhaltigen Chlorsilanen |
KR101912486B1 (ko) | 2011-06-21 | 2018-10-26 | 지티에이티 코포레이션 | 4염화규소를 3염 실란으로 변환하기 위한 장치 및 방법 |
US9168502B2 (en) | 2011-11-28 | 2015-10-27 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing trichlorosilane |
DE102012223784A1 (de) * | 2012-12-19 | 2014-06-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid in Trichlorsilan |
DE112014002332T5 (de) | 2013-05-07 | 2016-01-21 | Bruce Hazeltine | Monolithischer Wärmetauscher und Apparat und Methoden zur Hydrierung von Halogensilan |
DE102014205001A1 (de) | 2014-03-18 | 2015-09-24 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
FR3024051A1 (fr) * | 2014-07-28 | 2016-01-29 | Total Raffinage Chimie | Chambre a plaques en materiau ceramique pour unite de craquage catalytique fluide |
FR3024050A1 (fr) * | 2014-07-28 | 2016-01-29 | Total Raffinage Chimie | Element d'injection de combustible dans un regenerateur d'une unite de craquage catalytique fluide |
FR3024053B1 (fr) * | 2014-07-28 | 2020-07-24 | Total Raffinage Chimie | Element d'injection de gaz dans un regenerateur d'une unite de craquage catalytique fluide |
FR3024049A1 (fr) * | 2014-07-28 | 2016-01-29 | Total Raffinage Chimie | Dispositif de terminaison d'un reacteur d'une unite de craquage catalytique fluide |
FR3024054B1 (fr) * | 2014-07-28 | 2020-07-10 | Total Raffinage Chimie | Injecteur en materiau ceramique pour unite de craquage catalytique fluide |
RU206768U1 (ru) * | 2021-07-27 | 2021-09-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр «Коми научный центр Уральского отделения Российской академии наук» | Реактор для получения композитных углерод-карбидокремниевых волокон со структурой "сердцевина-оболочка" |
US11819815B2 (en) | 2021-11-19 | 2023-11-21 | Infinium Technology, Llc | Catalytic reactor for the conversion of carbon dioxide and hydrogen to syngas |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB756327A (en) * | 1952-10-14 | 1956-09-05 | Lorraine Carbone | Improvements in or relating to heat exchangers |
US3250322A (en) * | 1964-02-07 | 1966-05-10 | Texas Instruments Inc | Corrosive fluid heat exchanger |
US3391016A (en) * | 1964-02-07 | 1968-07-02 | Texas Instruments Inc | Silicon carbide coating on graphite bores of heat exchanger |
US3933985A (en) * | 1971-09-24 | 1976-01-20 | Motorola, Inc. | Process for production of polycrystalline silicon |
US4217334A (en) * | 1972-02-26 | 1980-08-12 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler | Process for the production of chlorosilanes |
US3895219A (en) * | 1973-11-23 | 1975-07-15 | Norton Co | Composite ceramic heating element |
US4373006A (en) * | 1979-08-09 | 1983-02-08 | United Technologies Corporation | Silicon carbide coated carbon fibers and composites |
US4668452A (en) * | 1980-02-26 | 1987-05-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Process for producing silicon carbide heating elements |
US4702960A (en) * | 1980-07-30 | 1987-10-27 | Avco Corporation | Surface treatment for carbon and product |
US4737348A (en) * | 1982-06-22 | 1988-04-12 | Harry Levin | Apparatus for making molten silicon |
US4668493A (en) * | 1982-06-22 | 1987-05-26 | Harry Levin | Process for making silicon |
US4560589A (en) * | 1982-09-22 | 1985-12-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for providing a coating layer of silicon carbide on substrate surface |
JPS59106572A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 炭素繊維の表面処理方法 |
US4710260A (en) * | 1982-12-22 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Deposition of silicon at temperatures above its melting point |
US4671997A (en) * | 1985-04-08 | 1987-06-09 | United Technologies Corporation | Gas turbine composite parts |
JPS6449081A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Chuo Hatsujo Kk | Pronunciation training apparatus |
DE4022707C2 (de) * | 1989-07-18 | 2002-01-31 | Hemlock Semiconductor Corp | Isolierungssystem für einen Chlorsilan- und Wasserstoff-Reaktor |
US5084606A (en) * | 1990-05-17 | 1992-01-28 | Caterpillar Inc. | Encapsulated heating filament for glow plug |
-
1992
- 1992-06-01 US US07/891,132 patent/US5906799A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-05-28 DE DE4317905A patent/DE4317905C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-05-31 JP JP12935693A patent/JP3781439B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004262753A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Hemlock Semiconductor Corp | 高温のガスと接触するための装置 |
JP2011136904A (ja) * | 2003-03-03 | 2011-07-14 | Hemlock Semiconductor Corp | 高温ガスとの接触に適した装置 |
EP2014618A4 (en) * | 2006-10-31 | 2011-02-16 | Mitsubishi Materials Corp | APPARATUS FOR PRODUCING TRICHLOROSILANE |
TWI448429B (zh) * | 2006-11-07 | 2014-08-11 | Mitsubishi Materials Corp | 三氯矽烷之製造方法、三氯矽烷之製造裝置、以及多結晶矽之製造方法 |
JP2011173785A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-09-08 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
JP2011201767A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-10-13 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
JP2011207746A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-10-20 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
JP2011213584A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置 |
JP2014507367A (ja) * | 2011-01-04 | 2014-03-27 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 有機クロロシランおよび四塩化ケイ素の水素化 |
JP2015506834A (ja) * | 2012-01-30 | 2015-03-05 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 反応器内の表面を補修及び/又は保護する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4317905A1 (de) | 1993-12-02 |
JP3781439B2 (ja) | 2006-05-31 |
US5906799A (en) | 1999-05-25 |
DE4317905C2 (de) | 2003-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3781439B2 (ja) | クロロシランおよび水素の反応器 | |
US5422088A (en) | Process for hydrogenation of tetrachlorosilane | |
JP5674527B2 (ja) | 高温ガスとの接触に適した装置 | |
KR101914535B1 (ko) | 다결정질 실리콘 과립 제조용 유동층 반응기 및 제조 방법 | |
US7442824B2 (en) | Process and apparatus for the hydrogenation of chlorosilanes | |
JP2610366B2 (ja) | 窒化物製品の製造方法及び製造装置 | |
WO2011068283A1 (ko) | 에너지 효율을 높여주는 복사열 차단막을 갖는 화학기상증착 반응기 | |
JPS58194712A (ja) | 二酸化炭素排気より酸素を再生する方法 | |
US5126112A (en) | Graphite and carbon felt insulating system for chlorosilane and hydrogen reactor | |
KR102471401B1 (ko) | 내부 열교환을 갖는 부식 보호형 개질기 튜브 | |
WO2018007021A1 (en) | Corrosion-protected reformer tube with internal heat exchange | |
US4836898A (en) | Methane conversion reactor | |
KR20130116311A (ko) | 사염화규소를 트리클로로실란으로 전환하기 위한 방법 및 장치 | |
JPH0355405B2 (ja) | ||
CA2034809C (en) | Method and apparatus for producing carbide products | |
US5250278A (en) | Method for producing a ceramic product | |
KR102553973B1 (ko) | 반응기를 위한 서셉터 배열체 및 반응기를 위한 공정 기체의 가열 방법 | |
CA2020510A1 (en) | Method for producing carbide products | |
US20220152584A1 (en) | Gas-tight, heat-permeable multilayer ceramic composite tube | |
JPH03100160A (ja) | ケイ化モリブデン多孔体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100317 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110317 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110317 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120317 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130317 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130317 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140317 Year of fee payment: 8 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |