JP2011201767A - トリクロロシラン製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トリクロロシランと塩化水素等とを含む反応ガスを生成する反応室101と、反応室101内に上下方向に沿って設けられ原料ガスを加熱する複数のヒータ20と、ヒータ20の基端部に接続された複数の電極23とを備え、ヒータ20は発熱部21aからなる第1ヒータ20aと、第1ヒータ20aの発熱部21aよりも短い発熱部21bの上端に非発熱部からなる輻射板24bが接続された第2ヒータ20bとを備え、第1ヒータ20aの発熱部21aの一部と、第2ヒータ20bの輻射板24bとが対向配置されており、反応室101は第2ヒータ20bの発熱部21bと輻射板24bのうち、第2ヒータ20bの発熱部21b側に原料ガスの導入口11bを備え、第2ヒータ20bの輻射板24b側に反応ガスの導出口15を備える。
【選択図】 図1
Description
すなわち、シリコンは、以下の反応式(1)(2)によるトリクロロシランの還元反応と熱分解反応で生成される。トリクロロシランは、以下の反応式(3)による転換反応で生成される。
SiHCl3+H2 →Si+3HCl ・・・(1)
4SiHCl3 → Si+3SiCl4+2H2 ・・・(2)
SiCl4+H2 →SiHCl3+HCl ・・・(3)
特許文献1,2記載の構造であると、反応室の外部に配した発熱体により反応室内を加熱するが、発熱体から半径方向外方に放射される輻射熱を有効に利用できず、熱効率が低いという不都合がある。
さらに、本発明のトリクロロシラン製造装置においては、第1ヒータに加えて、輻射板を設けた第2ヒータが第1ヒータに対向配置されているとともに、第2ヒータの輻射板が反応室内の反応ガスの導出口側に配置されているので、反応室内において低温の原料ガスにさらされる第1ヒータ及び第2ヒータの発熱部における発熱量は高いままで、原料ガスの温度を速やかに上昇させることができ、効率よく原料ガスを加熱することができる。
輻射板の範囲を前記第1ヒータの発熱部の長さの2/3を超えて設けた場合には、第2ヒータの発熱部分が小さくなり過ぎてしまい、ヒータとして非効率である。また、輻射板の範囲を1/4未満とした場合には、第1ヒータだけが設置された反応室と同様に、第1ヒータ及び第2ヒータの導出口側の表面温度が上昇し易くなり、ヒータ表面の最高温度を下げるためにヒータに供給する電力を下げざるを得ない。
第1ヒータは反応ガスの導出口側が高温となるため、第1ヒータの発熱部と第2ヒータの輻射板とを対向させることにより、ヒータ表面の最高温度の上昇を抑制することができる。
また、同じ理由から、本発明のトリクロロシラン製造装置において、前記複数のヒータは、前記反応室内に同心円状に3列以上設置されており、最内列及び最外列を除くいずれかの列に、第2ヒータ列が設置されているとよい。
本実施形態のトリクロロシラン製造装置100は、テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを加熱して、転換反応によりトリクロロシランと塩化水素等とを含む反応ガスを生成し、トリクロロシランを製造する装置であって、図1及び図2に示すように、原料ガスを供給される反応容器10と、この反応容器10の中に備えられて原料ガスを加熱する複数のヒータ20と、これらヒータ20の下端に接続された複数の電極23とを備えている。反応容器10は、断熱容器30を備えており、ヒータ20による熱が反応容器10から放出されることによる加熱効率の低下が防止されている。
壁体11は、それぞれ同心状に設けられた略筒状の内側壁体11Aと外側壁体11Bとを備えている。これら内側壁体11Aと外側壁体11Bとの間には、円筒状の空間(円筒状流路11a)が形成されている。外側壁体11Bの下端部は底板13に接続して閉塞されており、一方、内側壁体11Aは下端部が底板13に接続されているが、底板13の外周の一部は内側壁体11Aから離間し、ガス導入口11bが形成されている。ガス導入口11bは反応室内のガスの偏流が発生しないように等間隔に配置され、円筒状流路11aと内側壁体11Aの内部空間とを連通させている。
また、反応容器10の天板12は、壁体11の内側壁体11Aおよび外側壁体11Bの上端に接続されて壁体11の上端を閉じている。この天板12,壁体11(内側壁体11A)、および底板13によって囲まれて複数のヒータ20が立設している空間が、このトリクロロシラン製造装置100における反応室101である。
また、第2ヒータ20bは、図4に示すように、第1ヒータ20aの発熱部21aよりも短い発熱部21bが形成されており、この発熱部21bの先端に非発熱部からなる輻射板24bが接続されている。この輻射板24bは、発熱部21bと同じ厚さであるが、発熱部21bよりも幅が大きい板状に形成されており、その断面積が発熱部21bに比べて十分に大きいために非発熱部となる。また、輻射板24bは、第1ヒータ20aの基端部22を除く発熱部21a全体の高さH1の2/3〜1/4の長さ(図4に示すH3)に形成されている。
また、第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bは、反応室101内に、図2に示すように、三重の同心円を描くように配列されている。最内周のp1列及び最外周のp3列は、第1ヒータ20aのみで構成されており、p1列,p3列に挟まれるp2列は、第2ヒータ20bのみで構成される。
すなわち、このトリクロロシラン製造装置100によれば、反応室101内の反応ガスが排出される上部においてヒータ20の表面温度を過大にすることなく、反応室101内の原料ガスが供給される下部における発熱部21の出力を十分に得て、効率よく原料ガスを加熱することができる。
実施例1〜3においては、第1ヒータ20a及び第2ヒータ20bの基端部22を除く先端までの高さH1は同じに形成されており、第2ヒータ20bの輻射板24bの高さH3を実施例毎に表1に示すように変えて形成した。
なお、第2ヒータ20bの全体の高さH1に対する輻射板24bの高さH3の比率や、各列のヒータに通電する電流の比率は、表1に示すものとした。高さH1,H3の比率は、実施例1〜3の全体高さH1を100%とし、この全体高さに対する比率とした。また、各実施例に用いられる第2ヒータ20bは、実施例1が図4、実施例2が図5、実施例3が図6に対応しており、第2ヒータ20bの輻射板24bの高さH3はぞれぞれ、表1に示すように、H1の50%、33%、25%の高さに形成した。
また、実施例4は、図7に示すように、第2ヒータ20bの基端部22を除く先端までの高さH1を実施例1〜3の75%とし、輻射板24bの高さH3を、実施例3と同じ25%とした。
比較例6は、p1列及びp3列に第1ヒータ20aを設置し、p2列に、図8に示す第3ヒータ20cを設置してトリクロロシラン製造装置を構成した。第3ヒータ20cには、輻射板が設けられておらず、基端部22を除く全体の高さH1(発熱部21cの高さ)は、第1ヒータ20aの高さH1の50%に形成した。
比較例5及び比較例6においては、反応室内の全てのヒータを輻射板が形成されていないヒータ20a,20cとしたので、「輻射板高さ比率」を「−」で示した。
供給ガスには、モル比でトリクロロシラン:水素が1:2となるガスを500℃に加熱して反応室下部側面より供給した。
また、実施例4の第2ヒータ20bように、全体の高さH1を低くして輻射板24bを設けた場合においても、ヒータ表面温度が950°以上の領域を5%増加させることができ、ヒータの総出力に対する転換率の効率を低下させることがなかった。
たとえば、上述の実施形態においては、第1ヒータ20aのp1,p3列の間に輻射板24bを有する第2ヒータ20bのp2列を挟んで設置したが、p2列の全部を第2ヒータ20bで構成する必要はなく、その列の一部に第2ヒータ20bを設置し、残り部分に第1ヒータ20aを設置することにより構成してもよい。また、第2ヒータ20bの設置個所及び設置数、並びに輻射板24bと発熱部21bとの長さの比率を適宜に設定することにより、反応室内及びヒータ表面の温度分布を調整することができる。
さらに、第2ヒータ20bは、発熱部21bがその基端部で電極23と接続される構成としたが、例えば図9に示すように、輻射板24dをヒータ20dの基端部に配置し、輻射板24dの先に発熱部21dを設ける構成としてもよい。この場合、輻射板24dは対をなす分割された構造とされる。
また、上述の実施形態の図1に示す例では、反応室101上部のガス導出口15に、反応室101の上方に延びるように導出管16を設けたが、反応室の天板は閉塞状態とし、反応室上部の導出部から反応室の中心部を経由して、底板を貫通するように導出管を設けてもよい。
11 壁体
11a 円筒状流路
11b ガス導入口
11c 環状流路
11A 内側壁体
11B 外側壁体
12 天板
13 底板
14 原料ガス供給管
15 ガス導出口
16 導出管
20,20d ヒータ
20a 第1ヒータ
20b 第2ヒータ
20c 第3ヒータ
21,21a,21b,21c,21d 発熱部
22 基端部
23 電極
24b,24d 輻射板
30 断熱容器
40 分散板
40a 分散流路
100 トリクロロシラン製造装置
101 反応室
Claims (6)
- テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスからトリクロロシランを製造する装置であって、前記原料ガスを供給されてトリクロロシランと塩化水素等とを含む反応ガスを生成する反応室と、前記反応室内に上下方向に沿って設けられ前記原料ガスを加熱する複数のヒータと、これらヒータの基端部に接続された複数の電極とを備え、各前記ヒータは、前記電極からの通電によって発熱する発熱部からなる第1ヒータと、第1ヒータの発熱部よりも短い発熱部の上端又は下端に非発熱部からなる輻射板が接続された第2ヒータとを備え、前記第1ヒータの発熱部の一部と、前記第2ヒータの輻射板とが対向配置されており、前記反応室は、前記第2ヒータの発熱部と輻射板のうち、前記第2ヒータの発熱部が配置されている側に前記原料ガスの導入口を備え、前記第2ヒータの輻射板が配置されている側に前記反応ガスの導出口を備えることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。
- 前記輻射板は、前記第1ヒータの発熱部の長さの2/3〜1/4の長さに形成されることを特徴とする請求項1記載のトリクロロシラン製造装置。
- 前記複数のヒータは、前記第1ヒータのみで構成される複数の第1ヒータ列と、該第1ヒータ列に挟まれて設置されて、その一部又は全部に前記第2ヒータを含む第2ヒータ列とによって構成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のトリクロロシラン製造装置。
- 前記複数のヒータは、前記反応室内に同心円状に3列以上設置されており、最内列及び最外列を除くいずれかの列に、第2ヒータ列が設置されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のトリクロロシラン製造装置。
- 前記反応室内に前記原料ガスを導入する導入口が前記反応室下部又は底部に配置され、前記ヒータと前記電極とが接続される前記ヒータの基端部が前記反応室の下部に配置され、前記第2ヒータの輻射板と、前記原料ガスを前記反応室外に導出する導出口とが、前記反応室の上部に配置されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のトリクロロシラン製造装置。
- 反応室内にテトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを供給するとともに、前記反応室内に、上下方向に沿って設けられた複数のヒータに通電して発熱させることにより、トリクロロシランを製造する方法であって、前記ヒータを、その基端部に設けられた電極からの通電によって発熱する発熱部からなる第1ヒータと、前記電極からの通電によって発熱する第1ヒータの発熱部よりも短い発熱部の上端又は下端に非発熱部からなる輻射板が接続された第2ヒータとで構成し、前記第1ヒータの発熱部の一部と前記第2ヒータの輻射板とを対向配置しておき、上下方向において前記第2ヒータの発熱部と輻射板のうち前記第2ヒータの発熱部が配置されている側から前記原料ガスを供給し、前記第2ヒータの輻射板が配置されている側からトリクロロシランを含む反応ガスを導出することを特徴とするトリクロロシラン製造方法。
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