JPH06202160A - 光弁装置、立体画像表示装置および画像プロジェクタ - Google Patents

光弁装置、立体画像表示装置および画像プロジェクタ

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JPH06202160A
JPH06202160A JP23359493A JP23359493A JPH06202160A JP H06202160 A JPH06202160 A JP H06202160A JP 23359493 A JP23359493 A JP 23359493A JP 23359493 A JP23359493 A JP 23359493A JP H06202160 A JPH06202160 A JP H06202160A
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light
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electro
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Kenichi Kondo
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邦博 高橋
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敦司 桜井
Hiroaki Takasu
博昭 鷹巣
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 石英ガラス基板１、前記石英ガラス基板１上
に接着された単結晶シリコン薄膜層２に超ＬＳＩプロセ
スにより集積回路化されたＸ駆動回路６、とＹ駆動回路
８、前記Ｘ駆動回路６とＹ駆動回路８の出力信号を導く
ためマトリスク構成されている各々の駆動電極５、前記
マトリスク構成された駆動電極５の交点に配置されたト
ランジスタ９及び表示画素電極１０、前記Ｘ駆動回路６
とＹ駆動回路８にタイミング信号を供給するための制御
回路４、画素表示するための表示データを発生するため
の表示データ発生回路３を構成し、更に光源素子を駆動
するための光源素子駆動回路１９が配置されている。液
晶層１６は前記第１の透明基板との間隙に、シール剤１
５によって封止される。シール剤１５は例えば紫外線硬
化型の接着剤樹脂からなり、所定のシール領域１８に沿
って供給される。 【効果】 高信頼、利便性、超小型、高密度、高精細な
光弁装置の改良された補強構造を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【００４０】
【産業上の利用分野】本発明は単結晶半導体層を活性領
域とするアクティブマトリクス型の光弁装置、光弁装置
を両眼に各々設置し、光弁装置からの画像を見ることに
より立体視が可能な立体画像表示装置および光源部と光
弁装置と投影光学系とからなる画像プロジェクタに関す
る。
【００４１】
【従来の技術】従来、８ミリビデオカメラのビューファ
インダ等に使用されている小型画像表示装置の光弁装置
は、透明な電気絶縁性基板上に多結晶あるいは非晶質の
シリコン薄膜を真空蒸着法または、気相成長法により堆
積し、薄膜トランジスタにより各画素のスイッチング素
子群、及びこのスイッチング素子群を駆動するためのＸ
−Ｙ電極駆動回路群を形成していた。
【００４２】先ず、図４１を参照して従来のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の一般的な構成を簡単に説明
する。この型の画像表示装置は、一方の石英ガラス基板
１００１と他方のガラス基板１０１２を互いに対向配置
し、両者の間に液晶層１０１６を封入した構造を有す
る。石英ガラス基板１００１の主面にはシリコン多結晶
半導体層１００２Ｐが成膜されており活性領域を構成す
る。この石英ガラス基板１００１の内表面には画素アレ
イ部１０１７と周辺回路部とが一体的に集積形成されて
いる。周辺回路部はＸ駆動回路１００６とＹ駆動回路１
００８とからなる。画素アレイ部１０１７にはＸ方向及
びＹ軸方向に直交配列したマトリクス駆動電極１００５
が形成されている。さらに、その交点には画素電極１０
１０が形成されている。又、個々の画素電極１０１０に
対応してスイッチング素子１００９も設けられている。
スイッチング素子１００９はシリコン多結晶半導体層１
００２Ｐを活性領域とする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
からなる。そのドレイン電極は対応する画素電極１０１
０に接続されており、そのソース電極は対応するＸ軸マ
トリクス駆動電極１００５に電気接続されおり、そのゲ
ート電極は対応するＹ軸マトリクス駆動電極１００５に
電気接続されている。Ｙ駆動回路１００８はＹ軸方向の
マトリクス駆動電極１００５を線順次で選択走査する。
一方Ｘ駆動回路１００６はＸ軸方向のマトリクス駆動電
極１００５に電気接続されており、選択されたスイッチ
ング素子１００９を介して画素電極１０１０に表示信号
を供給する。なお、石英ガラス基板１００１の外表面に
は偏光板１０１１が貼着されている。
【００４３】他方のガラス基板１０１２の内表面には共
通電極１０１４が全面的に形成されている。カラー表示
を行なう場合には、ＲＧＢ三原色のカラーフィルタも同
時に形成されている。ガラス基板１０１２の外表面には
偏光板１０１３が貼着されている。上側のガラス基板１
０１２はシール剤１０１５により下側の石英ガラス基板
１００１に接着されている。シール剤１０１５は点線で
示すシール領域１０１８に沿って供給される。このシー
ル領域１０１８は画素アレイ部１０１７を囲むように設
けられており、Ｘ駆動回路１００６、Ｙ駆動回路１００
８からなる周辺回路部はシール領域１０１８から外側に
位置している。
【００４４】これら非晶質シリコン薄膜及び多結晶シリ
コン薄膜は化学気相成長法等を用いてガラス基板の上に
容易に堆積できるので、比較的大画面のアクティブマト
リクス型液晶表示装置を製造する場合に適している。非
晶質シリコン薄膜あるいは多結晶シリコン薄膜に形成さ
れるトランジスタ素子は一般に電界効果絶縁ゲート型で
ある。現在、非晶質シリコン薄膜を用いたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置は、３インチから１０インチ程
度の画面サイズが商業的に生産されている。非晶質シリ
コン薄膜は３５０℃以下の低温で形成できる為大面積液
晶パネルに適している。又、多結晶シリコン薄膜を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置は、現在２イン
チ程度の小型液晶表示パネルが商業的に生産されてい
る。
【００４５】しかし、従来の非晶質シリコン薄膜あるい
は多結晶シリコン薄膜を用いたアクティブマトリクス型
液晶表示装置は、比較的大画面サイズを必要とする直視
型表示装置に適している一方、装置の微細化及び画素の
高密度化には必ずしも適していない。最近、直視型表示
装置とは別に、微細化された高密度の画素を有する超小
型表示装置あるいは光弁装置に対する要求が高まってき
ている。かかる超小型光弁装置は例えば画像プロジェク
タの一次画像形成面として利用され、投影型のハイビジ
ョンテレビとして応用可能である。微細半導体製造技術
を適用できれば、１０μｍオーダの画素寸法を有し全体
としても数cm程度の寸法を有する超小型光弁装置が可能
になる。
【００４６】アクティブマトリクス型液晶表示装置をプ
ロジェクタの光弁装置として利用する場合には幾つかの
副次的な課題が存在する。例えば、液晶表示装置は温度
上昇に伴ない光弁機能が損われるという欠点がある。プ
ロジェクタでは、強い光源光を透過型液晶表示装置に照
明し、透過光を拡大光学系を介し前方に投影する。液晶
表示装置は強い光源光を吸収し温度が上昇する結果臨界
点を超えた場合には液晶相自体が消失してしまう。
【００４７】アクティブマトリクス型液晶表示装置を光
弁装置として用いた場合に、投影画像の明度が比較的低
いという欠点がある。液晶パネルの全表面積に占める画
素電極の割合は比較的低く開口率は十分でない。従っ
て、照明光の利用効率が悪い為投影画像の明度が上がら
ない。加えて、液晶パネルには一般に偏光板が貼着され
ており、その光吸収により透過光量は一層低下する。こ
のように、液晶パネルを光弁装置として利用する場合に
は照明光の利用効率が悪いという課題がある。
【００４８】従来、光源光は単に光弁装置の照明に供さ
れるだけであり、その他の利用が図られていなかった。
プロジェクタには強い光源光が必要とされ、大量のエネ
ルギー放射を含んでいるにも拘らず、エネルギー自体と
しては殆ど無駄に失われていたという欠点がある。この
為、プロジェクタの電源に大きな負荷が生じるという課
題がある。
【００４９】つぎに、従来、画像を立体視する方法は両
眼の視差による方法がある。例えば、１）２台のカメラ
で左と右眼用に別々に撮影した画像をモニター或は、ス
クリーン上に交互に切り替えて投影し、前記投影画像の
切り替え周期と同期して左と右眼を交互に開閉する液晶
シャッタ装置を用いることにより、左眼は左眼用の画
像、右眼は右眼用の画像をみることにより立体視する方
法がある。また、２）両眼に別々の画像表示素子を接眼
し、そこに異なった左右の画像を表示して両眼で見るこ
とにより立体視する方法がある。
【００５０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
非晶質あるいは多結晶シリコン薄膜の場合には、材料が
単結晶でないために駆動電流が低く、高速動作が困難で
あり、微細半導体技術を適用してサブミクロンオーダの
トランジスタ素子を形成することができないという問題
があった。例えば、非晶質シリコン薄膜の場合、その移
動度が１cm2 ／Vsec程度である為、高速動作が求められ
る周辺回路を同一基板上に形成できない。又、多結晶シ
リコン薄膜を用いた場合には、結晶粒子の大きさが数μ
ｍ程度である為、必然的にトランジスタ素子の微細化が
制限される等の欠点がある。したがって、従来の多結晶
あるいは非晶質のシリコン薄膜を用いた小型画像表示装
置は、通常の半導体集積回路素子と同程度の集積密度、
高速動作を実現することが極めて困難であった。
【００５１】また、ビューファインダのような透過型パ
ネルには光源素子が必要であるが、これらの駆動回路の
能動素子は、高耐圧と高電流駆動の必要性のためディス
クリート部品により構成しなければならなかった。それ
故に、表示装置として光源素子を含めて一体化すること
が困難であり、小型化及び利便性において問題とされて
いた。
【００５２】また、電気的性能の面からは高速動作が必
要な周辺回路部（例えば、駆動回路にタイミング信号を
供給するための制御回路及び、光源素子の駆動回路を同
一基板上に作り込むことができなかったり、集積密度の
点からはサイズが大きくなり他の周辺回路を内蔵できな
いなどの制約があった。そのために、画素アレイ部とそ
れの駆動回路群以外は同一基板上に作り込みができない
のが現状である。
【００５３】上述した従来の問題点に鑑み、本発明は画
素に選択給電する為のスイッチ素子群に加えて、高速動
作、及び高密度集積を要する周辺回路、且つ光源素子の
高耐圧、高電流駆動が可能な駆動回路構造とした小型画
像表示装置を同一基板上に形成して表示素子を構成し、
光源素子と表示素子を一体化構造とすることにより、高
信頼、利便性 超小型、高密度、高精細な光弁装置の改
良された補強構造を提供することを目的とする。特に、
コンパクト性、堅牢性、取り扱い性、信頼性、遮光性、
冷却性、組み込み性等に優れた光弁装置の実装構造を提
供することを目的とする。又、表示信号の減衰を防止し
画像再生品質を改善することを目的とする。さらに、回
路的に表示データ転送速度を節減しその分マトリクス駆
動電極群の本数を増加して画像の高精細化を図ることを
目的とする。加えて、フラットパネルの外形寸法を小型
化しビューファインダ等に好適な微細且つ高精細な表示
デバイスを提供することを目的とする。
【００５４】さらに、従来の技術に記した立体視の方法
１）は、画面がチラツクといった問題があり眼が疲れ易
くなる。２）の方法は、多結晶シリコン薄膜層に画素ア
レイ部及び駆動回路を形成した透明基板を使って表示素
子を構成したものである。従って、電気的性能の面から
は高速動作が必要な周辺回路部（例えば、駆動回路）に
タイミング信号を供給するための制御回路及び、光源素
子の駆動回路を同一基板上に作り込むことができなかっ
たり、集積密度の点からはサイズが大きくなり他の周辺
回路を内蔵できないなどの制約があった。そのために、
画素アレイ部とそれの駆動回路群以外は同一基板上に作
り込みができないのが現状である。それ故に、駆動回路
以外の周辺回路は、外部回路上に形成せねばならなかっ
た。さらに外部回路により発生した画像データ及び、タ
イミング信号をワイヤにより接続する必要があり、取
扱、操作上において不便であるという問題が生じてい
た。また、前記表示素子と前記表示素子の画素アレイ部
を背面から照射するための光源素子を設置するためのス
ペースが必要であり、薄型化構造上の問題が生じてい
た。
【００５５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は少なくとも透明な電気絶縁基板と該基板
表面の少なくとも一部分に配置され周辺回路区域を規定
する半導体単結晶薄膜とを具備している。該周辺回路区
域に隣接して画素アレイ区域が設けられており、画素電
極群及び各画素電極を選択給電するためのスイッチ素子
群が形成されている。このスイッチ素子群はＸ及びＹの
各々駆動回路により駆動されるように構成されている。
そしてＸ及びＹの駆動回路にタイミング信号を供給する
ための制御回路と表示データを発生するための表示デー
タ発生回路、画像データを無線により受信するための受
信回路などが同様に含まれている。これらの周辺回路及
び、駆動回路スイッチ素子群は、例えば超ＬＳＩ製造技
術を用いて集積的に形成される。
【００５６】かかる構造を有する小型画像表示装置を製
造するために、透明な電気絶縁基板上に半導体単結晶、
例えば超ＬＳＩを形成するために通常用いられる高品質
のシリコン単結晶ウェハを接着し、このウェハを機械的
或は化学的に研磨することにより半導体薄膜を全面に形
成する。次に、該半導体単結晶薄膜を超ＬＳＩ製造技術
により選択的に加工し、スイッチ素子、Ｘ及びＹ駆動回
路、制御回路と光源素子を駆動するための光源素子駆動
回路を形成した第１の透明基板を製作する。次に、第１
の透明基板上に形成された画素アレイ群に対向する領域
に共通電極を配設した透明な電気的絶縁基板からなる第
２の透明基板を対向させ、第１と第２の基板の間隙に電
気光学的物質を封入することにより表示素子を構成する
ことができる。この表示素子の光源素子としてエレクト
ロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）、蛍光ランプ素子
（ＦＬ素子）などを表示素子の背面に配設する構造にし
て、密閉封止構造の内部に実装することにより一体化す
る。
【００５７】本発明の一態様によれば、前記表示データ
発生回路はコンポジットビデオ信号をＲＧＢ表示信号に
変換するＲＧＢ変換回路と、コンポジットビデオ信号か
ら同期信号を分離する同期分離回路を含んでいる。又、
前記制御回路は該同期信号に応じてタイミング信号を発
生する。他の態様によれば、前記駆動回路部は二組のＸ
駆動回路と一組のＹ駆動回路とを含んでいる。該二組の
Ｘ駆動回路は画素アレイ部に対して上下に分かれて配置
されており、且つ互いに所定のタイミング信号に応じて
並行動作する。一方、該Ｙ駆動回路、制御回路及び表示
データ発生回路は画素アレイ部に対して左右に分かれて
配置されている。本発明の別の態様によれば、前記表示
データ発生回路はアナログ表示信号を一旦デジタル表示
データに変換するＡ／Ｄ変換回路を備えている。又、前
記駆動回路部は該デジタル表示データをアナログ表示信
号に再変換するＤ／Ａ変換回路を含んでいる。さらに別
の態様によれば、前記一対の基板はその周辺部に沿って
設けられたシール領域により互いに接着されている。こ
のシール領域は駆動回路部、制御回路、表示データ発生
回路を含む周辺回路部と平面的に重なるように配置され
ている。
【００５８】本発明は超小型、高密度、高精細な光弁装
置の改良された補強構造を提供する。特に、コンパクト
性、堅牢性、取り扱い性、信頼性、遮光性、冷却性、組
み込み性等に優れた光弁装置の実装構造を提供すること
を目的とする。かかる目的を達成する為に、ＩＣパッケ
ージ型単結晶半導体光弁装置を考案した。即ち、本発明
にかかる光弁装置は、光弁セルとコネクタ端子とパッケ
ージ部材とを一体的に成形したＩＣパッケージ構造を有
する。該パッケージ部材は前記光弁セルを内包して物理
的に補強し、画素アレイ部に整合した窓部と周辺回路部
を遮光する構造部とを有している。さらに、該コネクタ
端子は前記光弁セルの周辺回路部に電気接続された一端
と、パッケージ部材から突出した他端とを有している。
【００５９】好ましくは、前記パッケージ部材は黒色モ
ールド樹脂成形品からなる。あるいは、パッケージ部材
はセラミック成形品で構成しても良い。パッケージ部材
の窓部には保護ガラス部材が一体的に取り付けられてい
る。本発明の一態様によれば、前記パッケージ部材は該
光弁セルと略等しい肉厚を有している。又、前記パッケ
ージ部材は、その外面に放熱フィンを備えている。ある
いは、前記パッケージ部材の窓部には熱線カット用の赤
外線フィルタが取り付けられている。この赤外線フィル
タは、場合によっては光弁セルから離間配置された偏光
板に積層されている。他の態様によれば、前記パッケー
ジ部材は冷却媒体の流路となる貫通孔を有する。特殊な
態様としては、前記パッケージ部材は、光弁セルを着脱
自在に収容する凹部が設けられている。
【００６０】一方、前記コネタク端子は、光弁セルと平
行な配置でパッケージ部材の側端面から突出して設けら
れている。あるいは、前記コネクタ端子は光弁セルと直
交する配置でパッケージ部材の主平面から突出して設け
るようにしても良い。さらに、本発明は小型で高密度高
精細なプロジェクタ用光弁装置を提供することを目的と
する。併せて、光弁装置の温度上昇を効果的に抑制する
冷却構造を提供することを目的とする。又、投影画像の
明度を改善することを目的とする。さらに、光源エネル
ギーの効率的な利用を可能とすることを目的とする。か
かる目的を達成する為に、以下の手段を講じた。即ち、
本発明にかかるプロジェクタは基本的な構成要素として
光源部と、光弁装置と、投影光学系とからなる。前記光
弁装置は、互いに対向配置された一対の透明基板と、両
者の間隙に配された電気光学物質からなる。一方の透明
基板には画素アレイ部とこれを駆動する周辺回路部が一
体的に設けられている。他方の透明基板には対向電極が
設けられている。本発明の特徴事項として、前記周辺回
路部は、一方の透明基板に設けられた単結晶半導体層に
集積形成されている。
【００６１】好ましくは、前記画素アレイ部はマトリク
ス状に配置された画素電極群と、個々の画素電極を選択
給電するスイッチング素子群からなり、少なくとも片方
の透明基板には、個々のスイッチング素子を入射光から
遮蔽する為の光反射性遮光膜を備えている。又、好まし
くは、前記単結晶半導体層には太陽電池セルが一体的に
形成されており、入射光を光電変換して直接周辺回路部
に電源電圧を供給する。さらに好ましくは、前記光弁装
置はマイクロレンズアレイを含んでおり、入射光を集光
して画素アレイ部に含まれる画素電極群を選択的に照明
する。前記マイクロレンズアレイは、それよりも屈折率
の小さい透明接着層を介して片方の透明基板に接合され
ている。加えて好ましくは、前記光弁装置は冷却手段を
備えている。具体的には、この冷却手段は光弁装置を収
納する容器からなり、圧縮気体を導入する入口と減圧気
体を排出する出口とを備えており、断熱膨張冷却を行な
う。あるいは、前記冷却手段は光弁装置に冷却気体を送
風するファンからなる。又は、前記冷却手段は光弁装置
を収納する容器と、該容器に連通し冷却気体を供給する
冷却系とからなる。前記冷却系には自動温度制御機構が
設けられている。さらに、前記冷却系の供給口と排出口
はともに容器の同一側面に設けられている。
【００６２】
【作用】上記のように構成された表示装置においては、
絶縁性の基板とその上に形成された半導体単結晶薄膜と
からなる二層構造を有する基板を用いており、且つ該半
導体単結晶薄膜層は半導体単結晶バルクからなるウェハ
と同等の品質を有している。従って、超ＬＳＩ製造技術
を使って、画素を駆動するスイッチング素子、駆動回
路、及び受信回路等の周辺回路を通常の電気的性能で且
つ、高密度、高耐圧、高電流駆動で集積化することがで
き、更に前記表示素子と光源素子を一体化した表示装置
を用いて双眼用の立体視表示装置として構成しているの
でワイヤレスで、小型の立体視画像表示装置を提供する
ことができる。
【００６３】さらに、かかるる構造によれば、ビデオ信
号処理機能等をフラットパネルデバイスに付加すること
ができ、ビデオカメラのビューファインダ等に好適であ
る。周辺回路は従来のアナログ構成と異なりデジタル構
成を採用できる。従って、アナログビデオ信号をデジタ
ル表示データに変換してデータ処理やデータ転送を行な
った後、最終段階でアナログ表示信号に再変換し画素ア
レイ部を駆動することができるので、表示信号の減衰を
防止でき優れた画像再現性を確保可能とする。又、超Ｌ
ＳＩ製造技術を駆使して、駆動回路を分割構成とし並行
動作を行なうことで駆動周波数を節減でき、その分マト
リクス駆動電極本数を増加でき画像の高精細化を達成可
能とする。さらに、周辺回路部を中央の画素アレイ部の
周囲に配設するとともに、シール領域を周辺回路部に重
ねて配置することにより、表示画面の中心がフラットパ
ネルの中心と略一致した高集積多機能コンパクト画像表
示装置を得ることができる。
【００６４】また、本発明においては、光弁セルが単結
晶半導体層を利用して構成されており、周辺回路部や画
素アレイ部を高密度で一体的に集積形成することがで
き、超小型高精細な光弁セルを得ることができる。この
光弁セルとコネクタ端子とパッケージ部材とは一体的に
成形されておりＩＣパッケージ構造を有する。従って、
通常のＩＣデバイスと同様に、その取り扱いが極めて簡
便であり回路基板等に対して容易に組み込むことが可能
である。又、モールド成形品であるので堅牢性や小型
性、信頼性に優れている。さらに、所望により遮光性や
冷却性を付与することによりプロジェクタに適用する際
好適である。
【００６５】さらに、本発明によれば、単結晶半導体層
を有する透明基板を用いてプロジェクタ用光弁装置を構
成している。この単結晶半導体層には画素アレイ部を駆
動する周辺回路部が集積形成されている。勿論、画素ア
レイ部も単結晶半導体層に形成することもできる。単結
晶半導体層は結晶の一様性に優れているとともに、熱的
に安定である為高温処理が自由に行なえ、微細な単結晶
トランジスタ素子を形成できるとともに、多結晶半導体
層や非晶質半導体層に比べて大きな電界移動度を有して
いる為、高速応答性に優れたトランジスタ素子を得るこ
とができる。この為、従来に比し、小型、高性能、高密
度、高精細なプロジェクタ用光弁装置を得ることができ
る。周辺回路部には、駆動回路に加えて、場合によって
はビデオ信号処理回路等を付加することも可能である。
【００６６】上述した基本的な作用に加えて、様々な工
夫が加えられている。例えば、透明基板には個々のスイ
ッチング素子を入射光から遮蔽する為の光反射性遮光膜
が形成されている。この光反射性遮光膜は、単にスイッ
チング素子の光リークを防止するばかりでなく、入射光
を反射するので光弁装置の温度上昇を抑止できる。又、
単結晶半導体層には太陽電池セルが一体的に形成されて
おり、周辺回路部に供給する電源電圧を自足可能とし効
率的なエネルギー利用を図っている。又、前記光弁装置
はマイクロレンズアレイを含んでおり画素電極部分のみ
を選択的に照明することにより光源光の利用効率を改善
している。さらに、前記光弁装置は冷却手段を備えてお
り温度上昇を効果的に抑制している。
【００６７】
【実施例】図１は本発明の実施例を説明するための小型
画像表示装置の透視図である。図１において、石英ガラ
ス基板１、前記石英ガラス基板１上に接着された単結晶
シリコン薄膜層２に超ＬＳＩプロセスにより集積回路化
されたＸ駆動回路６、とＹ駆動回路８、前記Ｘ駆動回路
６とＹ駆動回路８の出力信号を導くためマトリクス構成
されている各々の駆動電極５、前記マトリクス構成され
た駆動電極５の交点に配置されたトランジスタ９及び表
示画素電極１０、前記Ｘ駆動回路６とＹ駆動回路８にタ
イミング信号を供給するための制御回路４、画像表示す
るための表示データを発生するための表示データ発生回
路３を構成し、更に光源素子を駆動するための光源素子
駆動回路１９が配設されている。前記石英ガラス基板１
の裏側に偏光板１１を接着した第１の透明基板と共通電
極１４を設けたガラス基板１２の裏側に偏光板１３を接
着した第２の基板がある。前記第１の基板と第２の基板
との間に液晶層１６を介在させ、シール剤１５により前
記液晶層１６を封止した構造となっている。前記Ｙ駆動
回路８は画素アレイ部１７に対して左側に、また、制御
回路４と表示データ発生回路３は右側に配置されてい
る。
【００６８】図１において、表示データ発生回路３は物
体を撮像するＣＣＤ撮像装置等の撮像信号を入力するこ
とにより内蔵されたＡ／Ｄ変換回路によって画像表示す
るための表示データをＸ駆動回路６に出力する。また、
ＣＣＤ撮像装置からのコンポジット信号から分離された
水平同期信号、垂直同期信号は制御回路４に入力する。
【００６９】制御回路４は、水平同期信号、垂直同期信
号を受けて、表示に必要なタイミング信号をＸ駆動回路
６とＹ駆動回路８に出力する。Ｘ駆動回路６は前記表示
データ発生回路３からビデオ信号をＡ／Ｄ変換した４ビ
ットの表示データを前記制御回路４のタイミング信号
（表示データのシフトクロック信号）により、内蔵の４
ビットパラレルシフトレジスタ回路に順次シフトされデ
ータを取り込む。
【００７０】そして、１ライン分の表示データが取り込
まれた時、タイミング信号（データラッチ信号）により
内蔵のラッチ回路により前記１ライン分のデータをラッ
チする。ラッチされた前記表示データは内蔵のＤ／Ａ変
換回路によりアナログ信号に変換され前記画素アレイ部
１７のトランジスタのソースに出力される。それと同時
に、Ｙ駆動回路８は１本の走査ラインを選択するために
１本の駆動電極に選択電圧を出力し、前記トランジスタ
のゲートをオンすることにより表示画素電極に前記Ｘ駆
動回路６の出力電圧を供給する。
【００７１】液晶層１６は共通電極１４と前記表示画素
電極１０に印加された振幅電圧に応じて濃淡の画素表示
を行う。このようにして、Ｙ駆動回路８とＸ駆動回路６
はライン順次駆動により撮像された映像の信号を前記画
素アレイ部１７に表示することができる。なお、電気光
学物質としては液晶に限られるものではなく、その他の
流体材料や固体材料を適宜使用することが可能である。
又、本例ではフラットパネル構造を構成する一対の基板
１，１２はともにガラス材料から構成されており光透過
型であるが、本発明はこれに限られるものではなく、少
なくとも一方が透明であれば良い。
【００７２】ここで、前記液晶層１６は前記第１の透明
基板と第２の透明基板との間隙に、シール剤１５によっ
て封止される。シール剤１５は例えば紫外線硬化型の接
着剤樹脂からなり、点線で示すように所定のシール領域
１８に沿って供給される。このシール領域１８は、中央
の画素アレイ部１７を囲む周辺回路部と重なるように規
定されており、フラットパネルのコンパクトな実装が可
能になる。従来のように、画素アレイ部と周辺回路部と
の間に特別なシールゾーンを設ける必要がなくなり、表
面積を圧縮できる。又、画素アレイ部１７は石英ガラス
基板１の略中央部に位置する為、ケーシングやハウジン
グに組み込む場合有利である。
【００７３】図１に示した単結晶半導体型光弁セルの構
造は一例であり、本発明はこれに限られるものではな
い。一般に、単結晶半導体型光弁セルは、ワンチップ上
に単結晶半導体層を活性領域とする駆動回路その他の周
辺回路部、及び画素アレイが形成された小型高精細な光
弁装置である。画素アレイについてはアクティブマトリ
クス型と単純マトリクス型の両者が含まれる。アクティ
ブマトリクス型の場合にはスイッチング素子は、単結晶
シリコントランジスタの他に、アモルファスシリコント
ランジスタ、ポリシリコントランジスタ、ダイオード等
を利用することができ、夫々画素電極に対応して設けら
れる。単純マトリクス型の場合には、画素アレイは縦方
向と横方向にマトリクス状に交差配列した画素電極のみ
で構成されスイッチング素子は設けられない。何れにし
ても、単結晶半導体型光弁素子の特徴は、周辺回路部が
単結晶半導体層に形成されていることである。
【００７４】図２は本発明の小型画像表示装置を８ミリ
ビデオカメラのビューファインダに応用した場合の一実
施例を示す図である。図２の構成は、物体を撮像する素
子としてＣＣＤ撮像装置２７、前記ＣＣＤ撮像装置２７
の撮像信号はビデオ信号と同期信号を複合したコンポジ
ット信号であり、データ信号発生回路の同期分離回路２
６に入力される。同期分離回路２６からのビデオ信号を
Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換回路２５と、表示のためのタ
イミング信号を発生するための制御回路４、Ｘ駆動回路
６、Ｙ駆動回路８、画素アレイ部１７及び光源素子３０
を駆動するための光源素子駆動回路１９により構成され
ている。
【００７５】次に、図２の動作について説明する。ＣＣ
Ｄ撮像装置からのコンポジット信号ＣＤは前記データ信
号発生回路の同期分離回路２６に入力される。前記同期
分離回路２６はビデオ信号ＤＴをＡ／Ｄ変換回路２５に
出力する。また、前記同期分離回路２６は水平同期信号
ＨＳＹＣ、垂直同期信号ＶＳＹＣ、クロック信号ＣＫを
制御回路４に出力する。このクロック信号ＣＫは、水平
同期信号を入力とするＰＬＬ回路（図示しない。）によ
って発生された基準のクロック信号である。
【００７６】前記Ａ／Ｄ変換回路２５はビデオ信号ＤＴ
を４ビットのディジタル信号に変換してＸ駆動回路６に
出力する。前記制御回路４は前記Ｘ駆動回路６及びＹ駆
動回路８を動作させるに必要なタイミング信号（データ
シフトクロック信号ＣＬ２、データラッチ信号ＣＬ１、
フレーム信号ＦＲＭ、交流化制御信号Ｍなど）を発生す
る。前記制御回路４によるタイミング信号によりＸ駆動
回路６及び、Ｙ駆動回路８を動作させ前記画素アレイ部
１７に画像を表示させるものである。透明な画素アレイ
部の背面にはＥＬ等の光学素子３０が配設され、前記光
源素子３０を駆動するための駆動回路１９により駆動さ
れる。
【００７７】図３は前記光源素子駆動回路１９の一実施
例を示したものである。図３において、光源素子駆動回
路１９はトランス３１、電解コンデンサ３７を外部接続
している。ＥＬ光源素子３０を端子Ｔ１とＴ２間に接続
するとトランス３１のインダクダンスＬとＥＬ光源素子
３０の静電容量Ｃにより発振する。この電流変化が２次
側のコイルに逆位相の電圧が誘起される。この誘導電圧
はトランジスタ３２のベースにフィールドバックする。
従って、この誘導電圧はトランジスタ３２により増幅さ
れ位相を反転して、前記トランスのインダクランスＬと
ＥＬ光源素子の静電容量Ｃによる負荷を駆動するように
動作する。それ故に、端子Ｔ１とＴ２間に出力電圧が、
約１００Ｖで４００Ｈｚの駆動波形が出力され、ＥＬ光
源素子３０を点灯するものである。
【００７８】図４も、本発明にかかる単結晶半導体型画
像表示装置を８ミリビデオカメラのビューファインダに
応用した具体例を示すブロック図である。単結晶半導体
型画像表示装置には、外部的にＣＣＤ素子１０２１と記
録／再生回路１０２２とが接続されている。ＣＣＤ素子
１０２１は被写体を撮影し撮像信号Ｄ１を出力する。
又、記録／再生回路１０２２は撮像信号Ｄ１を記録／再
生する為のものである。
【００７９】一方、単結晶半導体型画像表示装置は、表
示データ発生回路１００３、制御回路１００４、一対の
Ｘ駆動回路１００６，１００７、Ｙ駆動回路１００８、
画素アレイ部１０１７を含んでいる。表示発生回路１０
０３は、ＣＣＤ素子１０２１から供給された影像情報を
画像表示する為に必要な表示データを発生する。制御回
路１００４は、表示データ発生回路１００３から得られ
た同期信号に基き種々のタイミング信号を発生する。Ｘ
駆動回路１００６，１００７及びＹ駆動回路１００８は
タイミング信号に応じて画素アレイ部１０１７のマトリ
クス駆動電極群に所定の駆動電圧を供給する。ここで、
画素アレイ部１０１７の共通電極上には、個々の画素電
極に整合するように、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、緑色
（Ｇ）のカラーフィルタが例えば電着法等により成膜さ
れており、カラー表示が可能である。又、前述した表示
データ発生回路１００３、制御回路１００４、一対のＸ
駆動回路１００６，１００７、Ｙ駆動回路１００８、画
素アレイ部１０１７は同一基板上に一体形成された回路
である。表示データ発生回路１００３は、サンプルホー
ルド回路１０３１、ローパスフィルタ１０３２、ビデオ
信号処理回路１０３３、タイミングパルス発生回路１０
３４、同期信号発生回路１０３５、ＲＧＢ変換回路１０
３６、クランプ回路１０３７、Ａ／Ｄ変換回路１０３
８、データ分割回路１０３９、同期分離回路１３０１、
及びＰＬＬ回路１３０２によって構成されている。
【００８０】引き続き図４を参照して、ビューファイン
ダの動作を説明する。タイミングパルス発生回路１０３
４により生成されたタイミングパルスＴＰをＣＣＤ素子
１０２１に入力することにより、当該ＣＣＤ素子１０２
１はシリアルのアナログデータとして撮像信号Ｄ１を出
力する。表示データ発生回路１００３の入力段に位置す
るサンプルホールド回路１０３１は、タイミングパルス
発生回路１０３４から供給されるサンプルホールド信号
ＳＰに応じて、撮像信号Ｄ１をサンプルホールドする。
このサンプルホールド回路１０３１は、撮像信号Ｄ１の
波形からビデオ信号Ｄ２のみを取り出し、次段のローパ
スフィルタ１０３２に入力する。ローパスフィルタ１０
３２はサンプルホールド信号ＳＰに起因するクロックノ
イズを除去したビデオ信号Ｄ３を次段のビデオ信号処理
回路１０３３に入力する。このビデオ信号処理回路１０
３３はビデオ信号Ｄ３に各種処理を施し、コンポジット
ビデオ信号ＣＢＤを出力する。各種処理には、例えばク
ランプ、Ｔ補正、ホワイトクリップ、ブランキングミッ
クス、ペデスタル、シンクミックス等が含まれる。ここ
で、同期信号発生回路１０３５は、前記タイミングパル
ス発生回路１０３４から供給されるクロック信号ＣＬＫ
を分周して同期信号ＳＹＣを生成し、これを前記ビデオ
信号処理回路１０３３に入力する。ビデオ信号処理回路
１０３３は、ビデオ信号Ｄ３にこの同期信号ＳＹＣを複
合させ、所望のコンポジットビデオ信号ＣＢＤを合成す
ることができる。
【００８１】ここで、ＣＣＤ素子１０２１により撮影さ
れた被写体像を記録あるいは表示する場合にはスイッチ
ＳＷを投入する。コンポジットビデオ信号ＣＢＤは記録
／再生回路１０２２に転送され、磁気テープに記録され
る。一方、被写体像をビューファインダに表示する為
に、先ずコンポジットビデオ信号ＣＢＤは、ＲＧＢ変換
回路１０３６に入力され、輝度信号と色信号に分離され
た後、ＲＧＢ表示信号に変換されて次段のクランプ回路
１０３７に送出される。クランプ回路１０３７はコンポ
ジットビデオ信号ＣＢＤの直流レベルをクランプする為
のものである。クランプされたＲＧＢ表示信号Ｄ４はＡ
／Ｄ変換回路１０３８により対応するデジタル表示デー
タＤ５に変換される。このデジタル表示データＤ５はデ
ータ分割回路１０３９により二分割され、各々表示デー
タＤ６，Ｄ７が第一及び第二のＸ駆動回路１００６，１
００７に転送される。
【００８２】又、前記コンポジットビデオ信号ＣＢＤは
同期分離回路１３０１にも入力される。この同期分離回
路１３０１は、コンポジットビデオ信号ＣＢＤから水平
同期信号ＨＳＣと垂直同期信号ＶＳＣを分離する。分離
された水平同期信号ＨＳＣはＰＬＬ回路１３０２に入力
される。ＰＬＬ回路１３０２は基準クロック信号ＣＫを
出力する。前記基準クロック信号ＣＫと水平同期信号Ｈ
ＳＣと垂直同期信号ＶＳＣは制御回路１００４に入力さ
れる。制御回路１００４は、これらの同期信号に基き、
前記Ｘ駆動回路１００６，１００７及びＹ駆動回路１０
０８を動作させる為に必要な種々のタイミング信号を発
生する。これらのタイミング信号には、データシフトク
ロック信号ＣＬ２、データラッチ信号ＣＬ１、フレーム
信号ＦＲＭ、交流反転信号Ｍ等が含まれる。
【００８３】一対のＸ駆動回路１００６，１００７及び
Ｙ駆動回路１００８はこれらのタイミング信号に基き動
作し、画素アレイ部１０１７にカラー画像を再生表示す
る。ここで、画素アレイ部１０１７の上下に分割配置さ
れた一対のＸ駆動回路１００６，１００７は、前記デー
タ分割回路１０３９により二系統に分離された表示デー
タＤ６，Ｄ７を互いに同期的に取り込む。上下一対のＸ
駆動回路１００６，１００７に接続されたマトリクス駆
動電極群即ち信号ラインは、Ｙ駆動回路１００８に接続
されたマトリクス駆動電極群即ちゲートラインと互いに
直交しマトリクス構成となっている。複数の信号ライン
のうち、奇数番目は第一Ｘ駆動回路１００６に接続され
ており、偶数番目は第二Ｘ駆動回路１００７に接続され
ている。マトリクス構成の各交点に配置されたスイッチ
ング素子を導通させることにより対応する画素電極に所
望の信号電圧を印加し液晶の電気光学効果を変化させて
画像表示を行なう。なお、一旦記録された影像データを
ビューファインダ上に再生する場合には、スイッチＳＷ
をオフ状態とした上で、コンポジットビデオ信号ＣＢＤ
が記録／再生回路１０２２からＲＧＢ変換回路１０３６
に供給される。従って、記録時と同様の動作により画素
アレイ部１０１７にカラー画像を再生表示することがで
きる。
【００８４】図５は、図４に示した表示データ発生回路
１００３のうちのＡ／Ｄ変換回路１０３８及びデータ分
割回路１０３９と、制御回路１００４の具体的な構成例
を示すブロック図である。図示するように、Ａ／Ｄ変換
回路１０３８は、ＲＧＢ三原色に各々対応して三個のＡ
／Ｄコンバータ１３８１，１３８２，１３８３から構成
されており、アナログ表示信号Ｄ４の各色成分を、夫々
４ビットのデジタルパラレル表示データに変換する。以
下、表示データを色毎に識別する為にＲ，Ｇ，Ｂの符号
を用いて表わすことにする。次に、データ分割回路１０
３９は、４ビットパラレルデータＲ，Ｇ，Ｂをシフトす
る為のシフトレジスタ回路１３９１，１３９２，１３９
３と、これらシフトレジスタ回路の出力を一時的にラッ
チする為のラッチ回路１３９４と、前記ラッチ回路１３
９４の出力を順次スイッチングする為のスイッチ回路１
３９５，１３９６，１３９７と、これらのスイッチ回路
を順次オン状態とする為のタイミング信号ＳＰ１，ＳＰ
２，ＳＰ３を発生させる為のリングカウンタ回路１４０
１とから構成されている。又、制御回路１００４は、１
ライン分の有効データ期間を検出する水平データ期間検
出回路１４０５、１フレームの有効データ期間を検出す
る垂直データ期間検出回路１４０６と、ＡＮＤ回路１４
０７，１４０８と、波形整形回路１４０２，１４０３
と、１／２分周回路１４０４とから構成されている。
【００８５】引き続き図５を参照して動作の説明を行な
う。水平同期信号ＨＳＣと基準クロック信号ＣＫに応じ
て、水平データ期間検出回路１４０５は、水平ブランキ
ング期間中ローレベルとなり、表示データ出力期間中ハ
イレベルとなる制御信号を出力する。又、垂直データ期
間検出回路１４０６は水平同期信号ＨＳＣと垂直同期信
号ＶＳＣの入力を受けて、垂直ブランキング期間中ロー
レベルとなり１フレーム中の有効な表示データ出力期間
中ハイレベルとなる制御信号を出力する。これら水平デ
ータ期間検出回路１４０５と垂直データ期間検出回路１
４０６から得られた制御信号はＡＮＤ回路１４０７に入
力される。ＡＮＤ回路１４０７の出力と基準クロック信
号ＣＫは次段のＡＮＤ回路１４０８に入力される。この
ＡＮＤ回路１４０８の出力信号ＣＰ１に応じて、Ａ／Ｄ
コンバータ１３８１，１３８２，１３８３に入力された
表示信号Ｄ４のＲＧＢ成分が夫々４ビットのデジタルデ
ータに変換される。当該変換されたデジタルデータは二
段の４ビットパラレルシフトレジスタ回路１３９１，１
３９２，１３９３に各々シフトされる。これらシフトレ
ジスタ回路１３９１，１３９２，１３９３の出力データ
はラッチ回路１３９４に入力されている。
【００８６】前記ＡＮＤ回路１４０８の出力信号ＣＰ１
は、１／２分周回路１３８４により１／２分周される。
この分周信号ＣＰ２はラッチ信号としてラッチ回路１３
９４に入力される。ラッチ回路１３９４の出力データは
スイッチ回路１３９５，１３９６，１３９７に入力され
る。ここで、ラッチ回路１３９４には、右から順に表示
データＲ１，Ｒ２，Ｇ１，Ｇ２，Ｂ１，Ｂ２が格納され
ている。これらの表示データが三個のスイッチ回路１３
９５，１３９６，１３９７に転送されると所定のデータ
配列順の変更が行なわれる。即ち、第一のスイッチ回路
１３９５の右側にはＲ１が格納され左側にはＧ１が格納
される。二番目のスイッチ回路１３９６の右側にはＢ１
が格納され左側にはＲ２が格納される。三番目のスイッ
チ回路１３９７の右側にはＧ２が格納され左側にはＢ２
が格納される。なお、ＲＧＢ各データに付されたサフィ
ックス１及び２は二段シフトレジスタに夫々転送された
順を表わしている。スイッチ回路１３９５，１３９６，
１３９７はリングカウンタ回路１４０１から供給される
ゲート信号ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３により夫々順次スイ
ッチオンされ、二分割された一対の表示データＤ６及び
Ｄ７を出力する。
【００８７】なお、リングカウンタ回路１４０１に供給
されるクロック信号ＣＰ３は、基準クロック信号ＣＫを
分周回路１４０９により分周した信号である。分割され
た表示データＤ６及びＤ７は、夫々第一及び第二Ｘ駆動
回路１００６，１００７に入力され、前述した分周クロ
ック信号ＣＰ３をシフトクロック信号ＣＬ２とするパル
スにより順次シフトされ、１ライン分の表示データが転
送される。第一Ｘ駆動回路１００６に転送される分割表
示データＤ６はＲ１，Ｂ１，Ｇ２を含んでおり、第二Ｘ
駆動回路１００７に転送される他方の分割表示データＤ
７はＧ１，Ｒ２，Ｂ２を含んでいる。図から明らかなよ
うに、これらの表示データは交互に上下分割されたもの
である。転送された表示データは、ラッチ信号ＣＬ１に
よりラッチされる。ラッチされた表示データは内蔵のＤ
／Ａ変換回路によりアナログ表示信号に変換されマトリ
クス駆動電極群に出力される。なおラッチ信号ＣＬ１
は、水平同期信号ＨＳＣを入力とする波形整形回路１４
０２により生成される。他の波形整形回路１４０３は垂
直同期信号ＶＳＣを入力としてフレーム信号ＦＲＭを発
生し、Ｙ駆動回路に供給され走査信号の開始データとな
る。又、フレーム信号ＦＲＭは１／２分周回路１４０４
により１／２分周され、交流反転信号Ｍとなり、液晶に
印加される駆動電圧の極性反転を制御し交流駆動を行な
う。
【００８８】上述した説明から明らかなように、アナロ
グ表示信号Ｄ４はＡ／Ｄ変換回路１０３８により一旦デ
ジタル表示データに変換された形でデータ転送が行なわ
れる。従って、データ転送中に起きる信号成分の減衰を
有効に防止することが可能である。又、表示データは二
分割され一対のＸ駆動回路１００６，１００７に供給さ
れる。従って、転送クロックの周波数は従来に比べ半分
にすることが可能である。
【００８９】図６は、第一のＸ駆動回路１００６の具体
的な構成を示すブロック図である。なお、第二のＸ駆動
回路１００７も同様な構成を有している。図示するよう
に、Ｘ駆動回路１００６は、４ビットパラレルシフトレ
ジスタ回路１０６１、ラッチ回路１０６２、Ｄ／Ａ変換
回路１０６３とから構成されている。入力された４ビッ
トパラレルデータＤ６は、シフトクロック信号ＣＬ２に
より順次シフトされる。このシフトクロック信号ＣＬ２
の周波数は従来に比し半分で良い。１ライン分のデータ
が転送されると、ラッチ信号ＣＬ１によりラッチされ
る。ラッチされたデータはレベル変換された後、Ｄ／Ａ
変換回路１０６３によりアナログ表示信号に変換され駆
動電圧を出力する。このＤ／Ａ変換回路１０６３は高電
圧ＨＶと低電圧ＬＶを駆動電圧源としており、極性反転
信号Ｍに応じてアナログ駆動電圧の極性が反転するよう
に制御している。さらに、この極性反転信号Ｍはレベル
変換された後対向基板上に配設された共通電極にも印加
され、液晶の交流化駆動を実現できる。このように、本
実施例では、最終段階でデジタルデータがアナログ信号
に変換された後液晶層に印加される。従って、中間の信
号転送段階で減衰が生じる惧れがない。
【００９０】図７も、本発明の一実施例を示す回路図で
ある。図７において、２０２０と２０２１は各々右眼及
び左眼用の画像を撮影するＣＣＤ撮像装置である。２０
２２、２０２３は前記撮像装置の画像データを記録する
ためのＶＴＲ記録装置である。２０２４は右眼及び左眼
の画像デーダを発生するためのビデオディスクのような
画像発生装置である。２０２５はどの装置を選択する
か、データを切り替えるためのスイッチである。２０２
６、２０２７は画像データを無線により送信するための
信号に変換するＲＦモジュレータである。２０２８、２
０２９は前記ＲＦモジュレータの信号を増幅するための
増幅回路である。２０３０、２０３１は送信された映像
信号を受信するための受信回路である。２０３２、２０
３３は受信した信号を変換し表示データを発生するため
の表示データ発生回路である。２０３４、２０３５は画
素アレイ部２０３６、２０３７を駆動するための駆動回
路である。
【００９１】以上のように構成されている。ここで、Ｃ
ＣＤ撮像装置により撮像された画像信号を表示素子２０
３６、２０３７により立体視する場合について説明す
る。前記スイッチをＳ１端子に接続するとＣＣＤ撮像装
置２０２０、２０２１により撮影された各々右眼と左眼
の画像信号は、前記ＲＦモジュレータ２０２６、２０２
７に入力される。前記ＲＦモジュレータ２０２６、２０
２７により搬送波とミキシングされた画像信号信号は、
増幅回路２０２８、２０２９により増幅されてアンテナ
から映像信号が送信される。前記映像信号は、受信回路
２０３０、２０３１のアンテナから受信される。受信さ
れた映像信号は、カラーデータに分離され表示データ発
生回路２０３２、２０３３により表示データを発生す
る。前記表示データ発生回路２０３２、２０３３の表示
データは駆動回路２０３４、２０３５に入力され画素ア
レイ部２０３６、２０３７を駆動することにより、右眼
の画素アレイ部と左眼の画素アレイ部に各々前記ＣＣＤ
撮像装置２０２０、２０２１により撮像された画像が表
示される。それ故に、立体的に見ることが可能になる。
【００９２】図８（ａ）及び図８（ｂ）は前記立体視表
示装置における右眼側の表示システムの送信側及び受信
側を示す回路図である。図８（ａ）において、ＲＦモジ
ュレータ２０２６はＣＣＤ撮像装置２０２０の画像信号
を増幅する増幅回路２２０６、画像信号をＡＭ変調し搬
送波信号とミキシングするためのＡＭ変調／ミキシング
回路２２０７、搬送波信号を発生するための搬送波発振
回路２２０８、音源２２０１のオーディオ信号を増幅す
るためのオーディオ信号増幅回路２２０２、オーディオ
信号をＦＭ変調するためのＦＭ変調回路２２０３、前記
ＦＭ変調回路２２０３のＦＭ変調信号を搬送波信号とミ
キシングするためのＦＭ変調／ミキシング回路２２０
４、その出力をバンドパスするための帯域フイルタ回路
２２０５、前記帯域フイルタ回路２２０５の出力と前記
前記ＡＭ変調／ミキシング回路２２０７の出力をミキシ
ングしロウパスフイルタするためのミキシング・ロウパ
スフイルタ回路２２０９により構成されている。前記ミ
キシング・ロウパスフイルタ回路２２０９の出力信号は
映像信号となりＲＦ増幅回路２０２８により増幅されア
ンテナ２２２１により送信される。
【００９３】図８（ｂ）において、受信回路２０３０の
同調回路２２１０は、受信アンテナ２２２２を使って映
像信号を受信する。同調回路２２１０により受信された
映像信号は搬送波信号処理回路２２１１に入力される。
ここで、映像信号は増幅、帯域増幅されて色デコーダ回
路２２１２に入力され色復調及び、色マトリクスを行い
カラービデオ信号を出力する。色同期回路２２１３はバ
ースト信号と水晶制御発振信号を位相検波した出力によ
り発振周波数を電圧制御して、前記搬送波信号処理回路
２２１１及び色デコーダ回路に入力することにより色同
期を行う。前記色デコーダ回路２２１２の赤、青、緑色
のカラー出力Ｒ−Ｙ、Ｂ−Ｙ、Ｇ−Ｙ表示データ発生回
路２２１４に入力されてビデオ信号をアナログ／デジタ
ル変換して出力する。前記表示データ発生回路２２１４
の出力はＸ駆動回路２２１９に入力されたデジタル値を
各々の出力段においてデジタル／アナログ変換を実行
し、アナログ量の駆動電圧を出力して画素アレイ部を２
２２０を駆動する。
【００９４】表示のタイミング信号を発生する制御回路
２２１５はＹ駆動回路２２１８及び前記Ｘ駆動回路２２
１９を駆動させるために必要な表示データシフトクロッ
ク信号、フレーム信号、データラッチ信号などのタイミ
ング信号と前記前記表示データ発生回路に交流化駆動の
反転信号を供給するための交流化反転信号を発生する。
そして、前記Ｙ駆動回路２２１８は画素アレイ部２２２
０のＹ軸の駆動電極を線順次走査により駆動して画像表
示を実行する。前記画素アレイ部の背面に配置された光
源素子２２１７は蛍光管であり、光源素子駆動回路２２
１６により駆動される。
【００９５】次に、図９及び図１０を参照して、本発明
にかかる単結晶半導体型画像表示装置の製造方法を詳細
に説明する。先ず、図９の工程Ａにおいて、石英ガラス
基板１１０１とシリコン単結晶半導体基板１１０２が用
意される。このシリコン単結晶半導体基板１１０２はＬ
ＳＩ製造に用いられる高品質のシリコンウェハを用いる
ことが望ましく、その結晶方位は〈１００〉０．０±
１．０の範囲の一様性を有し、その結晶格子欠陥密度は
５００個／cm2 以下である。用意された石英ガラス基板
１１０１の表面及びシリコン単結晶半導体基板１１０２
の表面を先ず精密に平滑仕上げする。続いて、平滑仕上
げされた両面を重ね合わせ加熱することにより両基板を
互いに熱圧着する。この熱圧着処理により両基板１１０
１，１１０２は互いに強固に固着される。
【００９６】次に工程Ｂにおいて、シリコン単結晶半導
体基板の表面を研磨する。この結果、石英ガラス基板１
１０１の表面には所望の厚みまで研磨された薄膜のシリ
コン単結晶半導体層１１０３が形成される。電気絶縁層
となる石英ガラス基板１１０１とシリコン単結晶半導体
層１１０３とにより構成される二層構造の複合基板が得
られる。なお、シリコン単結晶半導体層１１０３を得る
為に研磨処理に代えてエッチング処理を施しても良い。
このようにして得られた薄膜のシリコン単結晶半導体層
１１０３はシリコンウェハの品質がそのまま保存される
ので結晶方位の一様性や格子欠陥密度に関し極めて優れ
た複合基板材料を得ることができる。これに対して、従
来のように多結晶シリコン薄膜の再結晶化により得られ
た単結晶薄膜は格子欠陥が多く、結晶方位も一様でない
のでＬＳＩ製造には適していない。
【００９７】続いて工程Ｃにおいて、シリコン単結晶半
導体層１１０３の表面を熱酸化処理し全面にシリコン酸
化膜１１０４を堆積する。その上に、化学気相成長法を
用いてシリコン窒化膜１１０５を堆積する。さらに、そ
の上に所定の形状にパタニングされたレジスト１１０６
を被覆する。このレジスト１１０６を介してシリコン窒
化膜１１０５及びシリコン酸化膜１１０４のエッチング
を行ない、素子領域のみを残す。続いて工程Ｄにおい
て、レジスト１１０６を除去した後、素子領域を被覆す
るシリコン酸化膜１１０４及びシリコン窒化膜１１０５
をマスクとしてシリコン単結晶半導体層１１０３の熱酸
化処理を行ないフィールド酸化膜１１０７を形成する。
フィールド酸化膜１１０７によって囲まれた領域にはシ
リコン単結晶半導体層１１０３が残され、素子領域を構
成する。図示の状態では、マスクとして用いられたシリ
コン酸化膜１１０４及びシリコン窒化膜１１０５は除去
されている。
【００９８】次に図１０の工程Ｅにおいて、再び熱酸化
処理が行なわれシリコン単結晶半導体層１１０３の表面
にゲート酸化膜１１０８が形成される。次に工程Ｆにお
いて、化学気相成長法により多結晶シリコン膜が堆積さ
れる。この多結晶シリコン膜を所定の形状にパタニング
されたレジスト１１１０を介して選択的にエッチング
し、ゲート酸化膜１１０８の上に多結晶シリコンゲート
電極１１０９を形成する。
【００９９】工程Ｇにおいて、レジスト１１１０を除去
した後、多結晶シリコンゲート電極１１０９をマスクと
してゲート酸化膜１１０８を介し不純物砒素のイオン注
入を行ない、シリコン単結晶半導体層にソース領域１１
１１及びドレイン領域１１１２を形成する。この結果、
ゲート電極１１０９の下方においてソース領域１１１１
とドレイン領域１１１２の間に不純物砒素の注入されて
いないチャネル領域１１１３が形成される。
【０１００】最後に工程Ｈにおいて、ソース領域の上に
あるゲート酸化膜１１０８の一部を除去してコンタクト
ホールを開口し、ここにソース電極１１１４を接続す
る。同様に、ドレイン領域の上にあるゲート酸化膜１１
０８の一部を除去してコンタクトホールを開口し、この
部分を覆うように画素電極１１１５を形成する。この画
素電極１１１５はＩＴＯ等からなる透明導電材料によっ
て構成されている。加えて、画素電極１１１５の下側に
配置されているフィールド酸化膜１１０７も透明であ
り、さらにその下側に配置されている石英ガラス基板１
１０１も透明である。従って、画素電極１１１５、フィ
ールド酸化膜１１０７及び石英ガラス基板１１０１から
なる三層構造は光学的に透明な基板である。なお図示し
ないが、この後共通電極及びカラーフィルタの形成され
た対向基板を接着し、間隙内に液晶層を封入充填して単
結晶半導体型画像表示装置が完成する。
【０１０１】上述した実施例では、画素スイッチング素
子を構成するＴＦＴの製造のみを示しているが、同時に
駆動回路、表示データ発生回路、制御回路等から構成さ
れる周辺回路部に含まれるＴＦＴもシリコン単結晶半導
体層に形成される。本発明の特徴事項は、周辺回路部が
単結晶半導体層に形成されていることである。従って、
画素スイッチング素子については勿論単結晶半導体層に
形成しても良いが、これに代えて部分的に多結晶半導体
薄膜あるいは非晶質半導体薄膜を用いて構成しても良
い。又、上述した実施例では画素アレイ部や周辺回路部
が形成された基板表面側に対向基板を重ねて表示装置を
構成している。しかしながら、本発明はかかる構造に限
られるものではなく、画素アレイ部及び周辺回路部を他
の基板に転写した後、平坦な裏面側に対して対向基板を
接着するようにしても良い。
【０１０２】上述した実施例においては、画素アレイ部
に含まれるスイッチング素子に加えて、周辺回路部は全
てＭＯＳトランジスタで構成されていた。しかしなが
ら、場合によってはＭＯＳトランジスタとバイポーラト
ランジスタを混在させて周辺回路部を形成することが好
ましい場合もある。単結晶半導体層を利用した場合には
かかる混成構造も可能であり、図１１は、ＮＰＮバイポ
ーラトランジスタとＮ型ＭＯＳトランジスタを同一基板
上に形成した場合の断面構造を示す模式図である。図示
するように、電気絶縁性の石英ガラス基板１１０１の表
面にはシリコン単結晶半導体層１１０３が形成されてお
り、前述の複合基板を構成する。この右半分領域にはＮ
型のＭＯＳトランジスタが形成されており、左半分領域
にはＮＰＮバイポーラトランジスタ形成されている。図
から明らかなように、ＮＰＮトランジスタとＮ型ＭＯＳ
トランジスタは同時に形成することができる。先ず、Ｎ
−型のシリコン単結晶半導体層１１０３にＰ− 型のベ
ース拡散層を設ける。このベース拡散層内にＮ＋型のエ
ミッタ（Ｅ）領域を形成する。Ｐ− 型のベース拡散層
に形成される、Ｐ＋型のベース（Ｂ）領域はＣＭＯＳプ
ロセスでＮ型ＭＯＳトランジスタのＰウェルと同時に拡
散され形成できる。Ｎ＋型のエミッタ領域はＮ型ＭＯＳ
トランジスタのＮ＋型ソース（Ｓ）領域及びドレイン
（Ｄ）領域と同時に形成できる。
【０１０３】図１２は、単結晶半導体型光弁セルの構造
例を示す模式的な断面図である。図示するように、光弁
セルは、上側の基板４０４１と下側の基板４０４２とを
樹脂シール材４０４３で貼り合わせたフラットパネル構
造を有し、両基板４０４１，４０４２の間隙内には液晶
層４０４４が封入充填されている。上側の基板４０４１
の内表面には対向電極４０４５が全面的に形成されてい
る。
【０１０４】下側の基板４０４２は積層構造となってお
り、下から順に、電気絶縁基材層４０４６、接着層４０
４７、保護層４０４８、絶縁膜層４０４９が重ねられて
いる。透明な絶縁膜層４０４９の裏面側には、所定の形
状にパタニングされたシリコン単結晶半導体層４０５０
が形成されており、これを活性領域として絶縁ゲート電
界効果型トランジスタからなるスイッチング素子４０５
１が設けられている。シリコン単結晶半導体層４０５０
が除去された部分には、透明導電膜からなる画素電極４
０５２がパタニング形成されている。又、各スイッチン
グ素子４０５１及び周辺回路（図示せず）を互いに電気
接続する配線パタン４０５３も設けられており、絶縁膜
層４０４９の表面側に形成された取り出し電極４０５４
に導かれている。絶縁膜層４０４９の表面側には、スイ
ッチング素子４０５１に対応して、遮光膜４０５５がパ
タニング形成されている。図から明らかなように、本単
結晶半導体型光弁セルは転写型構造を有しており、画素
アレイ部及び周辺回路部（図示せず）は絶縁膜層４０４
９の裏面側に位置している。なお、本発明はこれに限ら
れるものではなく、画素アレイ部等が表面側に形成され
た通常の構造であっても良いことは勿論である。なお、
転写型とした場合には、絶縁膜層４０４９の露出した表
面が平坦となり、セル組み立て上好都合であるばかりで
なく、この露出面を電極取り出し領域として利用するこ
とが可能である。
【０１０５】図１３は、図１２に示した転写型光弁セル
の製造方法の一例を示す工程図である。先ず、工程Ａに
おいて、複合基板４０６１を用意する。この複合基板４
０６１は、シリコン基材４０６２とシリコン単結晶半導
体層４０６３とを二酸化シリコン等からなる絶縁膜層４
０６４で互いに貼り合わせた構造を有している。シリコ
ン単結晶半導体層４０６３は、通常のＬＳＩデバイス製
造に用いられるシリコンバルクウェハを接着した後、研
磨処理又はエッチング処理により薄膜化したものであ
り、シリコンバルクウェハと同等の高品質を備えてい
る。次に、工程ＢにおいてＩＣプロセスを行ない、スイ
ッチング素子並びに周辺回路部を同時且つ一体的に集積
形成する。なお、図示ではスイッチング素子のみを示し
ている。シリコン単結晶半導体層４０６３を所定の形状
にパタニングし、これを活性領域としてスイッチング素
子４０６５を形成する。シリコン単結晶半導体層４０６
３が除去された部分には、所定の形状にパタニングされ
た画素電極４０６６を設ける。さらに、パッシベーショ
ンとして、二酸化シリコン等からなる保護膜４０６７を
被覆する。続いて、工程Ｃにおいて二酸化シリコンペー
スト等からなる接着層４０６８を介してガラス基板４０
６９を接合する。さらに工程Ｄにおいて、下側のシリコ
ン基材４０６２をエッチングにより除去し、絶縁膜層４
０６４の下側を全面的に露出する。このようにして、画
素アレイ部及び周辺回路部は当初のシリコン基材４０６
２からガラス基板４０６９の側に転写される。最後に工
程Ｅにおいて、露出した絶縁膜層４０６４の下面に、所
定の形状にパタニングされた遮光膜４０７０を形成し、
スイッチング素子４０６３を外部入射光から遮光する。
さらに、樹脂シール材４０７１を介して対向基板４０７
２を接着し、間隙内に液晶層４０７３を封入充填して、
単結晶半導体型光弁セルを完成する。
【０１０６】図１４は、単結晶半導体型光弁の具体的な
構造例を示す断面図である。光弁は一方の透明基板５０
２１と他方の透明基板５０２２とを所定の間隙を介し互
いに接合したフラットパネル構造を有している。両基板
の間隙内には液晶層５０２８が封入充填されている。
又、この間隙は樹脂シール５０２９により封止されてい
る。下側の透明基板５０２２は例えばガラス板等からな
り、その内表面には対向電極５０３０が全面的に形成さ
れている。又外表面には偏光板５０３１が貼着されてい
る。
【０１０７】上側の透明基板５０２１は積層構造を有し
ており、最下層には透明絶縁膜５０３２が位置する。こ
の透明絶縁膜５０３２の上に画素電極５０２２、スイッ
チング素子５０２３、ＸドライバやＹドライバ等の周辺
回路（図示省略）が集積形成されている。通常の構造と
異なり、本光弁は転写型であり、その製造方法について
は後に詳細に説明する。なお、本発明は転写型の光弁に
限られるものではなく、勿論基板表面に画素アレイ部や
周辺回路が形成された通常の構造であっても良い。スイ
ッチング素子５０２３は、所定の形状にパタニングされ
たシリコン単結晶半導体層５０３３を活性領域とする絶
縁ゲート電界効果型トランジスタからなる。そのドレイ
ン電極は対応する画素電極５０２２に接続され、ゲート
電極５０３４はゲート絶縁膜を介してトランジスタのチ
ャネル形成領域の上に配置されている。さらに、透明絶
縁膜５０３２の上には金属アルミニウム等からなる配線
パタン５０３５が形成されている。この配線パタン５０
３５はスイッチング素子５０２３のソース電極に電気接
続されている。さらに、パッド取り出し部５０３６にも
接続されている。なお、図示しないが、配線パタン５０
３５は周辺回路部にも電気接続されている。透明絶縁膜
５０３２の表面には保護膜５０３７が形成され、その上
に接着剤層５０３８を介してガラス基材５０３９が接合
しており、機械的ストレスによる損傷を防止している。
その上に偏光板５０４０が貼着されている。
【０１０８】透明絶縁膜５０３２を介して、スイッチン
グ素子５０２３と整合するように遮光膜５０４１がパタ
ニング形成されている。遮光膜５０４１は入射光を遮断
しスイッチング素子５０２３の誤動作を防止するととも
に光リーク電流を抑制している。なお、この遮光膜５０
４１はスイッチング素子ばかりでなく周辺回路部も被覆
するようにしている。遮光膜５０４１は、例えば金属ア
ルミニウムや銀等からなり光反射性を備えている。従っ
て、プロジェクタに組み込んだ場合、光源光を吸収する
のではなく、反射する。この為、光吸収による加熱を抑
えることができ、光弁の温度上昇を有効に抑制できる。
なお、本例では接着材層５０３８とガラス基材５０３９
との界面にも追加の光反射性遮光膜５０４２がパタニン
グ形成されており、スイッチング素子５０２３を上下か
ら略完全に遮光するとともに、温度上昇を有効に防いで
いる。
【０１０９】以上説明したように、スイッチング素子５
０２３は電荷移動度が極めて高いシリコン単結晶半導体
層５０３３に形成されているので、高速な信号応答性を
有する光弁を構成できる。さらに、スイッチング素子５
０２３と同時に、ＸドライバやＹドライバ等の周辺回路
を同一シリコン単結晶半導体層に形成できるので、高性
能な光弁を得ることができる。なお、本実施例では、一
対の偏光板５０３１，５０４０が用いられているが、電
気光学物質として、通常のツイスト配向されたネマティ
ック液晶に代え、高分子材料中に液晶を分散したポリマ
ー分散型液晶を用いれば、偏光板を利用する必要がな
い。
【０１１０】次に、図１５を参照して、本発明にかかる
単結晶半導体型光弁の製造方法を説明する。先ず工程Ａ
において所定の積層構造を有する複合基板を用意する。
これは、シリコン基板５０５１上に二酸化シリコンから
なる透明絶縁膜５０５２を介して薄膜のシリコン単結晶
半導体層５０５３を貼り付けたものである。シリコン基
板５０５１は、単結晶半導体層５０５３の研磨加工ある
いはエッチング加工を行なう際の機械的強度を保つ為に
裏打ちされたものである。
【０１１１】次に工程ＢでＩＣプロセスを行なう。先
ず、シリコン単結晶半導体層５０５３を所定の形状にパ
タニングし素子領域を設ける。この素子領域に対してＩ
Ｃプロセスを適用しスイッチング素子５０５４や周辺の
Ｘドライバ、Ｙドライバ等を構成する絶縁ゲート電界効
果型トランジスタを集積形成する。又、シリコン単結晶
半導体層５０５３が選択的に除去された結果透明絶縁膜
５０５２の表面が露出した部分には、ＩＴＯ等の透明導
電膜をパタニング形成し画素電極５０５５を設ける。最
後に、基板全体を保護膜５０５６で被覆する。
【０１１２】続いて工程Ｃにおいて、二酸化シリコン等
からなる接着剤層５０５７を介してガラス基板５０５８
を貼り付ける。なお、この際、ガラス基板５０５８の接
着側界面にはスイッチング素子５０５４と整合するよう
に光反射性遮光膜５０５９が予めパタニング形成されて
いる。次に工程Ｄにおいて、シリコン基板５０５１をエ
ッチングにより全面的に除去し二酸化シリコンからなる
透明絶縁膜５０５２の裏面を完全に露出させる。このよ
うにして、スイッチング素子５０５４や画素電極５０５
５等の画素アレイ部及び周辺回路部（図示せず）は、シ
リコン基板５０５１側からガラス基板５０５８側に転写
される。
【０１１３】最後に工程Ｅにおいて、液晶セル組み立て
を行なう。先ず、透明絶縁膜５０５２の露出面に対し
て、スイッチング素子５０５４と整合するように光反射
性の遮光膜５０６０をパタニング形成する。次に樹脂シ
ール材５０６１を介して対向ガラス基板５０６２を貼り
付ける。最後に、対向ガラス基板５０６２と透明絶縁膜
５０５２との間に設けられた間隙内に液晶層を封入充填
する。なお、図示しないが対向ガラス基板５０６２の内
表面には対向電極が予め形成されている。又、場合によ
ってはカラーフィルタも積層形成されている。上述した
ような転写構造では、極めて平坦な透明絶縁膜５０５２
の露出面に対して液晶セル組み立てを行なうので、配向
性やギャップの均一性に優れた液晶パネルが得られる。
又、同時に平坦な露出面を利用して回路配線パタンを形
成することも可能である。
【０１１４】図１６は、本発明にかかる単結晶半導体型
光弁の第２実施例を示す模式的な断面図であり、太陽電
池セルが組み込まれた例を示している。なお、図の理解
を容易にする為に、液晶セル及び対向基板は図示を省略
している。本光弁に用いられる基板は積層構造を有して
おり、順に透明絶縁膜５０７１、シリコン単結晶半導体
層５０７２、接着剤層５０７３、ガラス基材５０７４が
重ねられている。本例も、転写型でありシリコン単結晶
半導体層５０７２には画素アレイ部や周辺回路部（図示
省略）が一体的に形成されている。加えて、本実施例の
特徴事項として、シリコン単結晶半導体層５０７２に
は、ＰＮ接合ダイオードからなる太陽電池セル５０７５
が同時に形成されている。太陽電池セル５０７５は複数
個形成されており、夫々二酸化シリコン等からなる素子
分離帯５０７６により電気的に絶縁されている。従っ
て、太陽電池セル５０７５を直列接続することが可能で
あり、所望レベルの出力電圧を直接取り出すことが可能
である。なお、個々の太陽電池セル５０７５を互いに接
続する為に、金属配線５０７７がパタニング形成されて
おり、素子分離帯５０７６の上に設けられている。光源
部（図示せず）からの入射光は太陽電池セル５０７５に
より受光され、光電変換されて所望の起電力を得ること
ができる。
【０１１５】図１７は、図１６に示した構造の等価回路
図である。ＰＮ接合ダイオードからなる太陽電池セル５
０７５は所定の個数だけ直列接続されている。１個の太
陽電池セルの起電力は、例えば０．７Ｖであり、これを
２５個〜３０個直列接続すると、１５Ｖ〜２０Ｖの電源
電圧を直接得ることができる。直列接続された太陽電池
セル５０７５の両端には定電圧回路５０７８が接続され
ている。これは、電圧検出回路５０７９と電圧調整回路
５０８０との組み合わせからなる。これらの回路も、シ
リコン単結晶半導体層に集積形成することができる。さ
らに、直列接続された太陽電池セル５０７５の両端に
は、保護用のツェナーダイオード５０８１と安定化コン
デンサ５０８２が並列接続されている。最後に、該安定
化コンデンサ５０８２の両端に、単結晶半導体型光弁の
周辺回路５０８３が内部接続されており、電源電圧の供
給を受ける。このように、本実施例では、光源光の一部
を光電変換して光弁の電源電圧を自給できる構造とし、
エネルギー利用効率の改善を図っている。
【０１１６】図１８は、シリコン単結晶半導体層に形成
された個々の太陽電池セルのパタン形状を示す模式図で
ある。図示するように、Ｐ型領域とＮ型領域は櫛歯状に
互いに整合しており、接合面積を大きくとるようにして
いる。又、電極は櫛歯パタンに沿うように設けられてい
る。かかる構造を有する太陽電池セルは、シリコン単結
晶半導体層の部分的な酸化によって設けられた素子分離
帯により、互いに完全に分離することができ、直列接続
を可能とする。
【０１１７】図１９は本発明にかかる単結晶半導体型光
弁の第３実施例を示す模式的な断面図である。光弁５０
９１に隣接してマイクロレンズアレイ５０９２が搭載さ
れている。なお、光弁５０９１は図示を容易にする為
に、光反射性遮光膜５０９３によって遮蔽された非画素
部５０９４と、画素電極が位置する画素部５０９５とを
模式的に表わしている。マイクロレンズアレイ５０９２
に含まれる個々のマイクロレンズ５０９６は画素部５０
９５に整合するように設けられている。マイクロレンズ
アレイ５０９２の表面全体に入射した光源光は、各マイ
クロレンズ５０９６によって集光され、画素部５０９５
のみを選択的に照明する。従って、光源光は非画素部５
０９４を照射することなく、全て画素部５０９５を照明
する有効光束となり、投影画像の明度が顕著に向上す
る。又、かかる構造によれば、透過光量が増大する分、
光弁５０９１により吸収される光量が少なくなるので、
温度上昇を有効に防止することも可能である。
【０１１８】図２０は、図１９に示した第３実施例の変
形例を示す模式図であり、基本的には同一の構造を有し
ている。理解を容易にする為に、図１９と対応する部分
には対応する参照番号を付してある。異なる点は、マイ
クロレンズアレイ５０９２と光弁５０９１の片方の基板
５０９７との間に透明接着層５０９８が介在しているこ
とである。この透明接着層５０９８は、マイクロレンズ
アレイ５０９２を構成する光学材料の屈折率よりも小さ
な屈折率を有しており、光源光の集光率を一層改善でき
る。なお、マイクロレンズアレイ５０９２は、射出成形
により形成することができる。あるいは、屈折率分布型
のマイクロレンズアレイを用いることも可能である。
【０１１９】図２１は本発明の小型画像表示装置の断面
図である。図２１において、単結晶シリコン薄膜層に形
成された駆動回路、周辺回路等と画素アレイ部を有する
第１の透明基板４２０と共通電極を有する第２の透明基
板４３０の間隙に封入された液晶４６０と、前記第１、
第２の透明基板４２０、４３０の上下に設置された偏光
板４４０、４１０からなる表示素子は、ＥＬ光源素子３
００及びトランス３１０と共にセラミック材からなる密
閉封止型の第１封止基板４８０の内部に設置され、接着
材により固定されている。前記第１封止基板４８０に
は、接続リード電極４９０が設けられいる。この接続リ
ード電極４９０は例えば細い金線４７０のワイヤーボン
ディングによって、前記第１の透明基板４１０上に設置
されたＡｌの入力端子電極に接続されている。前記第１
封止基板４８０に蓋をするための第２の封止基板５００
はプラスチック或は、ガラス等の透明基板をプラスチッ
ク或はセラミック材の絶縁物５１０により保持された構
造を有している。そして、この第１及び第２の封止基板
４８０、５００は、窒素雰囲気中において前記表示素子
及び、光源素子３００をシール剤５２０により密閉封止
を行っている。
【０１２０】図２２は、小型蛍光ランプ（ＦＬ光源素
子）４００を光源素子として使用した場合の断面図であ
る。前記図２１と同一の構成物は同一番号により示して
いるので、同一の説明は省略する。図２２において、金
属集光板５５０、ＦＬ光源素子４００、導光板５３０、
及び反射板５４０が、図２１の実施例と異なっている。
ＦＬ光源素子４００は、表示素子のサイドエッジに設置
されている。前記ＦＬ光源素子４００からの放射光は金
属集光板５５０により集光され導光板５３０に導かれ
る。導光板５３０により導かれた光は、反射板５４０に
より反射され、前記表示素子を照射することができる。
尚、本発明の実施例は８ミリカメラのビューファインダ
への応用に限らず、防犯用の家庭モニターあるいは、産
業用の各種モニター等への応用が可能である。
【０１２１】図２３は本発明の立体画像表示装置の実装
構造を示す断面図である。図２３において、第１の透明
基板２４０１と第２の透明基板２４２１により電気光学
的物質の液晶２０１６が封入された表示素子がセラミッ
ク材料或は、プラスチック材料のような絶縁物によって
形成された筐体２４０２の内部に設置され、接着材２４
１５により固定されている。前記筐体２４０２は電源電
圧または必要な電気信号を導入するための電極リード２
４０３が設けられ、Ａｕワイヤの細線によって前記第１
の透明基板２４０１に形成された駆動回路及び他の周辺
回路に接続されている。前記固定された表示素子の低部
には、光源素子２４０７、照射光を導くための導光板２
４０６、光を反射させるための反射板２４０８、及び光
を集光するための集光板２４２０及び、これらを保持す
るための保持板２４０９に固定されている光源素子部品
により構成されている。
【０１２２】また、前記表示素子の上部には、ガラスま
たはプラスチック材料により構成された透明なカバー材
２４１３と前記カバー材２４１３を保持し、前記表示素
子を上部から覆うことにより保護するためにセラミック
或は、プラスチックにより形成された保護枠２４１２が
ある。前記保護枠２４１２は、接着剤２４１４により接
着することにより前記筐体２４０２の内部に設置された
表示素子を保護する。また、前記光源素子部品は前記保
持板２４０９の保持穴２４１０と筐体２４０２の保持穴
２４０５をネジ２４１１により固定することにより表示
素子と光源素子の一体化構造の表示装置を構成してい
る。また、前記透明なカバー材２４１３は透明な材料で
良いが、表示を光学的に拡大して見るためにプラスチッ
ク亦は、ガラスにより形成されたレンズを使用すること
も可能である。
【０１２３】図２４は、本発明にかかるＩＣパッケージ
型単結晶半導体光弁素子の基本的な構成を示す模式図で
ある。（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図であり、
（Ｃ）は平面図である。先ず、（Ａ）に示したように、
本素子は、光弁セル４００１とコネクタ端子４００２と
パッケージ部材４００３とを一体的に成形したＩＣパッ
ケージ構造を有する。なお、光弁セル４００１について
はその画素アレイ部のみが窓部４００４から目視できる
ようになっており、他の部分はパッケージ部材４００３
の構造部により遮光されている。即ち、画素アレイ部以
外を完全に遮光モールドし、周辺回路への光入射を防止
するとともに、内部の光弁セルを物理的に補強してい
る。パッケージ部材４００３は、例えば黒色モールド樹
脂成形品からなる。あるいは、セラミック成形品を用い
ても良く、この場合には内部の光弁セル４００１に対し
て樹脂で接着し一体化する。コネクタ端子４００２は複
数の接続ピンからなり、通常のＩＣデバイス接続ピンと
同様に、回路基板に対して半田付け等により容易に実装
可能である。
【０１２４】（Ｂ）の断面図に示すように、光弁セル４
００１は、互いに対向配置された少なくとも片方が透明
な一対の基板４００５，４００６と両者の間隙に配され
た電気光学物質４００７から構成されている。この電気
光学物質４００７としては例えば液晶等を用いることが
できる。一方の基板４００６の内表面には画素アレイ部
とこれを駆動する周辺回路部が一体的に設けられてい
る。他方の基板４００５の内表面には対向電極が設けら
れている。なお、場合によっては対向電極に重ねてカラ
ーフィルタを成膜しても良い。前記周辺回路部は、電気
絶縁基材に設けられた単結晶半導体層に集積形成されて
いる。以下、かかる構成を有する光弁セルを、単結晶半
導体型光弁セルと称することにする。この光弁セル４０
０１は、パッケージ部材４００３により完全に内包され
ており物理的にコンパクトな補強構造が得られる。又パ
ッケージ部材４００３の上下両主面に開口した窓部４０
０４には、夫々保護ガラス部材４００８が一体的に嵌合
している。又コネクタ端子４００２は、前記光弁セル４
００１の周辺回路部に電気接続された一端と、パッケー
ジ部材４００３から突出した他端とを有している。
【０１２５】（Ｃ）の平面図に示すように、パッケージ
部材４００３の主表面からは、窓部４００４を介して光
弁セルの画素アレイ部４００９のみが露出しており、周
辺回路部は完全に遮光されている。この画素アレイ部４
００９は前述したように保護ガラス部材４００８によっ
てカバーされており破損等が生じる惧れはない。このよ
うに一体化あるいはソリッド化されたＩＣパッケージ型
単結晶半導体光弁素子は、極めてコンパクトであり信頼
性に優れているとともに取り扱いが容易であり実装構造
も簡便である。例えば、コネタク端子４００２をソケッ
トに組み込むことにより取り付け及び電気接続を同時に
行なうことが可能である。
【０１２６】つぎに図２５ないし図３５を参照して、本
発明にかかるＩＣパッケージ型単結晶半導体光弁素子の
様々な変形例もしくは具体例あるいは改良例を説明す
る。なお、基本的な構成は図２４に示したＩＣパッケー
ジ型光弁素子と同様であり、理解を容易にする為に対応
する部分には対応する参照番号を付してある。先ず最初
に、図２５に示す構造例では、コネクタ端子４００２
が、光弁セル４００１と平行な配置でパッケージ部材４
００３の側端面から突出して設けられている。かかるコ
ネクタ端子配列構造は、特にＩＣパッケージ型光弁素子
をソケットに直接組み込む構造に適している。コネクタ
端子４００２はリードフレームからなり、その一端はワ
イヤボンディングにより、光弁セル４００１の周辺回路
部に電気接続されている。具体的には、光弁セル４００
１の一方の基板４００６の露出した表面に設けられた取
り出し電極（図１２の参照番号４０５４参照）に結線さ
れている。光弁セル４００１とリードフレームは一体と
なって金型にセットされ、黒色モールド樹脂で射出成形
することにより、パッケージが完成する。
【０１２７】図２６の構造例では、コネクタ端子４００
２が光弁セル４００１と直交する配置でパッケージ部材
４００３の下側主表面から突出して設けられている。コ
ネクタ端子４００２の一端は光弁セル４００１の一方の
基板４００６の露出した表面に形成された取り出し電極
に溶接されている。かかるコネクタ端子配列は、例えば
パッケージを回路基板に搭載し半田付け接続する場合に
適している。なお、点線で示すように、コネクタ端子４
００２はパッケージ部材４００３の下側主表面ではな
く、上側主表面に突出して設けても良いことは勿論であ
る。
【０１２８】図２７に示す構造例では、パッケージ部材
４００３が光弁セルと略等しい肉厚を有している。先に
示した構造例に比べ、より薄型化が可能である。但し本
構造では、光弁セル４００１の一対のガラス基板４００
５，４００６はパッケージ部材４００３から露出してお
り、保護ガラス部材は取り除かれている。
【０１２９】図２８の構造例では、パッケージ部材４０
０３の表面に凹凸が施されており、表面積が先の構造例
に比べ増大している。この凹凸は放熱を目的としてお
り、パッケージ内部で発生した熱による光弁セルの劣化
を防止するために有効である。さらには、ＩＣパッケー
ジ型光弁素子を画像プロジェクタに組み込んだ場合、強
い光源光の照射によるパッケージ内部の温度上昇を有効
に防止することも可能である。
【０１３０】図２９の構造例では、さらに積極的にパッ
ケージ部材４００３の外面に冷却フィン４０１０を設け
ている。この冷却フィン４０１０は、パッケージ部材４
００３の射出成形と同時に設けることが可能である。さ
らに、パッケージ部材４００３の窓部には、保護ガラス
部材に代えて熱線カット用の赤外線フィルタ４０１１が
装着されており、パッケージ内部の温度上昇を一層効果
的に抑制することができる。
【０１３１】図３０の構造例では、前述した赤外線フィ
ルタ４０１１が偏光板４０１２に積層された構成となっ
ている。なお、この偏光板４０１２は光弁セル４００１
の両基板４００５，４００６から離間配置されており赤
外線フィルタ４０１１により吸収された熱の伝導を防い
でいる。
【０１３２】図３１に示す構造は、図３０に表わした構
造をさらに改善し冷却効果を一層高めたものである。即
ち、パッケージ部材４００３には、冷却媒体の通路とな
る貫通孔４０１３が設けられている。ファン４０１４等
により強制送風された冷却媒体は貫通孔４０１３を通過
し、光弁セル４００１と偏光板４０１２の間隙内を通り
排出される。このようにして、光弁セル４００１の空冷
を行なうことができる。
【０１３３】図３２に示す構造例では（Ａ）に示すよう
にパッケージ部材４００３に、光弁セルを着脱自在に収
容する凹部４０１５が設けられている。本構造例では、
コネクタ端子４００２及び保護ガラス部材４００８のみ
を予め樹脂で一体モールドし、パッケージ部材４００３
を用意しておく。なお、凹部４０１５の段差部所定箇所
にはコネクタ端子４００２に導通する電極パッド４０１
６が設けられている。次に、（Ｂ）に示すように、凹部
４０１５に光弁セル４００１を装着することにより極め
て簡便にパッケージが完成する。光弁セル４００１を挿
入すると、一方の基板４００６に設けられた取り出し電
極と前述したパッド４０１６が接合し電気接続が得られ
る。本構造例は、先に説明した例と異なり、パッケージ
部材４００３と光弁セル４００１が接着あるいはモール
ドにより一体化されておらず、カセット式に交換可能で
ある。
【０１３４】図３３に示す構造例も基本的に図３２と同
様である。本例では、パッケージ部材４００３の構造は
さらに簡略化されており、凹部４０１５には偏光板や保
護ガラス等を予め装着した光弁セルユニットがそのまま
挿入される。本構造例では、光弁セルあるいはパネルの
差し換えが自由であり、例えば予め表示データを書き込
んだ光弁セルを用いれば、スライドのように利用するこ
とができる。
【０１３５】最後に、電気書き込み型の単結晶半導体光
弁セルと光書き込み型光弁セルを一体的に組み込んだＩ
Ｃパッケージ構造を説明する。先ず、本構造例の理解を
容易にする為に、図４０３４を参照して光書き込み型光
弁セル４０１７を簡潔に説明する。この光書き込み型光
弁セル４０１７は、メモリ機能を有する強誘電性液晶４
１７１を、一対の透明基板４１７２，４１７３で挟持し
たフラットパネル構造を有している。一方の透明基板４
１７２の外表面には書き込み光が入射し、他方の透明基
板４１７３の外表面には読み出し光が入射する。書き込
み側基板４１７２の内表面には、順に透明電極４１７
４、アモルファスシリコン等からなる光導電膜４１７
５、誘電体ミラー膜４１７６、配向膜４１７７が積層さ
れている。一方読み出し側基板４１７３の内表面には、
順に透明電極４１７８及び配向膜４１７９が形成されて
いる。両面から配向膜４１７７，４１７９に挟持された
強誘電性液晶４１７１は双安定状態を呈する。この双安
定状態は電圧印加により切り換えることができる。
【０１３６】一対の透明電極４１７４，４１７８に所定
の電圧を印加した状態で、書き込み光を照射すると、光
導電膜４１７５の抵抗が局部的に変化し、閾値を超える
実効電圧が強誘電性液晶４１７１に印加され、安定状態
が切り換えられる。このようにして、強誘電性液晶４１
７１に画像情報が書き込まれる。この光書き込み型光弁
セルは、非常に高精細であり写真フィルムに近い分解能
を有している。一方、書き込まれた画像情報を読み出す
為には、直線偏光された読み出し光を照射する。読み出
し光は強誘電性液晶４１７１を通過し変調を受けた後誘
電体ミラー膜４１７６により反射される。この反射光は
偏光板（図示せず）を介することにより光強度の変化と
して検出することができる。
【０１３７】図３５は、上述した光書き込み型光弁セル
と電気書き込み型の単結晶半導体光弁セルとを互いに隣
接して組み込んだパッケージ構造を示している。パッケ
ージ部材４００３の略中央部には光書き込み型光弁セル
４０１７が配置している。書き込み側には単結晶半導体
光弁セル４００１が配置されている。この光弁セル４０
０１の一面側には赤外線カットフィルタ４０１１と偏光
板４０１２の積層体が配置され、他面側には偏光板４０
１２が配置されている。光書き込み型光弁セル４０１７
の読み出し側にはビームスプリッタ４０１８が組み込ま
れている。このビームスプリッタ４０１８の読み出し光
入力側及び読み出し光出力側に夫々偏光板４０１２が装
着されている。
【０１３８】電気書き込み型の光弁セル４００１と光書
き込み型の光弁セル４０１７を組み合わせることにより
様々な機能及びメリットを得ることができる。例えば、
電気信号により単結晶半導体光弁セル４００１を介し、
強誘電性液晶光弁セル４０１７に画像情報を書き込むこ
とができる。即ち、光弁セル４０１７は単体では光書き
込みしかできないにも拘らず、光弁セル４００１と組み
合わせることにより、等価的に電気書き込みを可能とし
ている。換言すると、電気信号により読み出し光の制御
を行なうことができる。強誘電性光弁セル４０１７は、
弱い書き込み光であっても画像情報を記録することがで
きる。従って、その前に配置される単結晶半導体光弁セ
ル４００１は強い光に耐えるものでなくても良い。図３
５に示す構成において、読み出し光入力に強い光を用い
れば、光強度の増幅ができる。従って、小型プロジェク
タ等に応用する場合有利である。
【０１３９】単結晶半導体光弁セル４００１に表示され
た画像と、光書き込み型光弁セル４０１７に記録された
画像との照合を取ることにより、光による並列処理が可
能になる。大量の情報を短時間で処理することができ光
コンピュータへの応用が考えられる。前述したように、
強誘電性液晶を利用した光弁セルは非常に高精細であ
り、その能力を十分引き出す為には電気書き込み型の光
弁セルとしても高精細なパネルが必要であり、画素寸法
が５〜１０μｍ以下であることが要求される。この点、
単結晶半導体型光弁セル１はこの条件を満たす唯一のデ
バイスである。
【０１４０】つぎに、図３６ないし図３９を参照し、本
発明のつぎの例として、種々の冷却手段を備えたプロジ
ェクタ用光弁を説明する。先ず、図３６に示す具体例で
は、冷却手段は、単結晶半導体型光弁５１００を収納す
る断熱容器５１０１からなる。この断熱容器５１０１
は、圧縮気体を導入する入口５１０２と、減圧気体を排
出する出口５１０３とを備えており、断熱膨張冷却を効
果的に行なう。なお、圧縮気体は例えばポンプにより供
給され、減圧気体は真空系を介して吸引される。
【０１４１】図３７に示した具体例においては、冷却手
段は、単結晶半導体型光弁５１００に冷却気体を送風す
るファン５１０４から構成されている。このファン５１
０４は光弁５１００の両側に夫々設けられており、冷却
気体を光弁５１００に向けて強制的に送風する。送風さ
れた冷却気体はガイド５１０５に沿って導かれ、光弁５
１００の上下両面を効果的に冷却する。
【０１４２】図３８に示した具体例では、冷却手段は、
光弁５１００を収納する容器５１０６と、該容器５１０
６に連通し冷却気体を供給する冷却系とから構成されて
いる。この冷却系は、ポンプ５１０７と、冷却気体を導
く配管５１０８とから構成されている。配管５１０８の
両端は容器５１０６に接続されており、夫々導入口と排
出口となる。配管５１０８の排出口側には温度センサ５
１０９が取り付けられており、フィードバック制御によ
り、冷却気体の温度調節を自動的に行なうようになって
いる。この温度センサ５１０９としては、例えばペルチ
エ素子を用いることができる。温度センサ５１０９の出
力に応じて、ポンプ５１０７による送風量を制御する。
最後に、図３９に示した具体例では、冷却手段は、図３
８に示した具体例と同様に、光弁５１００を収納する容
器５１１０と該容器５１１０に連通し冷却気体を供給す
る冷却系５１１１とから構成されている。図３８に示し
た具体例と異なる点は、冷却系５１１１の供給口と排出
口がともに容器５１１０の同一側面に設けられているこ
とである。かかる構成により光弁５１００の冷却構造を
コンパクトにすることが可能である。
【０１４３】図４０は、本発明にかかるプロジェクタの
基本的な構成を示す模式図である。プロジェクタは、光
源部５００１と光弁５００２と投影光学系５００３とか
ら構成されている。光源部５００１はランプ５００４と
リフレクタ５００５とから構成されており、コンデンサ
レンズ５００６を介して光弁５００２を照明する。投影
光学系５００３は拡大レンズ等を含んでおり、光弁５０
０２を通過した光を前方に拡大投影し、スクリーン５０
０７上に画像を表示する。
【０１４４】
【発明の効果】上述したように本発明によればガラス基
板上に形成された単結晶シリコン半導体膜層に半導体微
細化技術を用いているので、高密度に画素電極、スイッ
チングトランジスタ、駆動回路、及び周辺回路の他に光
源素子の駆動回路に至るまで同一基板上に表示素子を構
成することが可能となり、表示素子と光源素子を同一の
密閉封止型構造に一体化することが可能となった。それ
故に、周辺回路及び光源素子の駆動回路を別回路基板上
に実装する必要がなくなり、低価格化、小型化、薄型化
が飛躍的に向上したばかりでなく回路相互間の接続数の
減少と密閉封止構造による信頼性の向上、及び取扱上の
利便性等の効果を有している。この為、周辺回路部とし
ては駆動回路の他に、タイミング信号を発生する為の制
御回路や表示データを発生する為の表示データ発生回路
を同一基板上に内蔵することできるので、極めて高精細
且つ高速高性能のアクティブマトリクス型画像表示装置
を構成することができるという効果がある。
【０１４５】更に本発明は、Ｘ及びＹ駆動回路の各駆動
回路からの駆動電極間の隙間のスペースを利用して、前
記駆動回路以外の周辺回路を配設しているので第１基板
のダウンサイジングを図ることができ、１ウェハ当りの
取り個数が向上してコストダウン化ができる等の多大な
効果を有するものである。
【０１４６】また、両眼により画像を立体視するヘルメ
ット型、またはヘァバンド型の装着装置につけた場合の
立体画像表示装置のワイヤレス化が可能となり、画像信
号源との距離の問題が解消され、取扱が容易になる。更
に、表示素子と光源素子を一体化することが可能とな
り、周辺回路及び光源素子の駆動回路を別回路基板上に
実装する必要がなくなり、低価格化、小型化、薄型化が
飛躍的に向上したばかりでなく回路相互間の接続数の減
少と一体化構造による信頼性の向上、及び取扱上の利便
性等の効果を有している。
【０１４７】例えば、本発明にかかる単結晶半導体型画
像表示装置は外部のＣＣＤ撮像素子に直結可能であり、
ビデオカメラ等のビューファインダに好適である。又、
画素アレイ部に対しＸ駆動回路を上下に分割して構成配
置しているので、表示データを転送するシフトクロック
信号の転送速度を半減することが可能であり、低消費電
力化が達成できるという効果がある。又、前記Ｘ駆動回
路は、デジタル表示データを出力段においてアナログ表
示信号に変換し画素アレイ部を駆動する構成であるの
で、信号成分を減衰させることなく忠実な画像再生を行
なうことができるという効果がある。さらに、駆動回
路、制御回路、表示データ発生回路等の周辺回路部は、
中央の画素アレイ部を囲むように基板の四辺に配置され
ており、且つシール領域は画素アレイ部を取り囲む周辺
回路部上に平面的に見て重なるように規定されている。
この結果、画素アレイ部の中心位置が基板の中心位置に
略一致することとなり、構造上の取り扱いが改善され小
型化及び集積化が可能になるという効果がある。それ故
に、ビューファインダばかりでなく各種の小型モニタ用
としての応用展開が図れる等多大な効果を奏する。
【０１４８】さらに、本発明によれば、単結晶半導体型
光弁セルとコネクタ端子とパッケージ部材とを一体的に
成形しＩＣパッケージ構造としている。これにより、光
弁セルのコンパクトな実装が可能になり、十分な物理的
補強を得ることができるという効果がある。コネクタ端
子をソケット等に組み込むことにより電気的な接続が簡
便化されるという効果がある。光弁セルをパッケージ部
材で完全にシールすることにより信頼性が向上するとい
う効果がある。又、光弁セルの画素アレイ部のみを露出
し、周辺回路部をパッケージ部材で遮蔽することにより
略完全な遮光効果を得ることができる。パッケージ部材
に放冷手段を設けることにより、冷却効果を付与するこ
とができる。
【０１４９】さらに、本発明によれば、単結晶半導体型
光弁を用いて画像プロジェクタを構成している。この単
結晶半導体型光弁は、従来の多結晶半導体薄膜あるいは
非晶質半導体薄膜を用いたアクティブマトリクス型画像
表示装置に比べ、画素アレイ部及び周辺回路部の微細化
が可能であり、極めて高精細な投影画像を得ることがで
きるという効果がある。又、光弁の回路素子領域を被覆
する遮光膜として光反射性材料を用いることにより、光
源光を部分的に反射し光弁の温度上昇を有効に抑制する
ことができるという効果がある。又、単結晶半導体層中
に太陽電池セルを一体的に形成することにより、光源光
エネルギーを利用して光弁自体に電源電圧を自給できる
という効果がある。さらに、画素部に整合するマイクロ
レンズアレイを組み込むことにより、光源光を選択的に
画素部のみに集光し、投影画像の明度を改善することが
できるとともに、温度上昇も抑制可能とする効果があ
る。加えて、光弁に冷却手段を付加することにより、光
源光照射による温度上昇を有効に抑制することができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す透視図である。
【図２】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図３】光源素子駆動回路の実施例を示す回路図であ
る。
【図４】本発明にかかる単結晶半導体型画像表示装置を
用いて組み立てられたビデオカメラ用ビューファインダ
の構成を示すブロック図である。
【図５】図４に示した表示データ発生回路及び制御回路
の具体的な構成例を示すブロック図である。
【図６】図４に示した第一Ｘ駆動回路の構成例を示すブ
ロック図である。
【図７】本発明の一実施例を示す回路図。
【図８】（ａ）は送信回路を、（ｂ）は受信回路をそれ
ぞれ示す。
【図９】本発明にかかる単結晶半導体型画像表示装置の
製造方法を示す工程図である。
【図１０】同じく製造方法を示す工程図である。
【図１１】本発明にかかる単結晶半導体型画像表示装置
の変形例を示す模式的な断面図である。
【図１２】光弁セルの構造例を示す断面図である。
【図１３】光弁セルの製造方法を示す工程図である。
【図１４】単結晶半導体型光弁装置の模式的な断面図で
ある。
【図１５】単結晶半導体型光弁装置の製造方法を示す工
程図である。
【図１６】太陽電池セルが一体的に組み込まれた単結晶
半導体型光弁装置を示す模式的な断面図である。
【図１７】図５に示した光弁装置の等価回路図である。
【図１８】図５に示した光弁装置に組み込まれる太陽電
池セルを示した斜視図である。
【図１９】マイクロレンズアレイが装着された単結晶半
導体型光弁装置を示す模式図である。
【図２０】同じくマイクロレンズアレイが組み込まれた
単結晶半導体型光弁装置を示す断面図である。
【図２１】本発明の小型画像表示装置の実施例を示す断
面図である。
【図２２】本発明の小型画像表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
【図２３】本発明の立体画像表示装置を示す断面図。
【図２４】本発明にかかるＩＣパッケージ型単結晶半導
体光弁装置の基本的な構成を示す模式図である。
【図２５】ＩＣパッケージ型単結晶半導体光弁装置の第
１実施例を示す断面図である。
【図２６】同じく第２実施例を示す断面図である。
【図２７】同じく第３実施例を示す断面図である。
【図２８】同じく第４実施例を示す断面図である。
【図２９】同じく第５実施例を示す断面図である。
【図３０】同じく第６実施例を示す断面図である。
【図３１】同じく第７実施例を示す断面図である。
【図３２】同じく第８実施例を示す断面図である。
【図３３】同じく第９実施例を示す斜視図である。
【図３４】光書き込み型光弁セルを示す模式的な断面図
である。
【図３５】本発明にかかるＩＣパッケージ型単結晶半導
体光弁装置の特殊な実施例を示す断面図であり、図３４
に表わした光書き込み型光弁セルが単結晶半導体光弁セ
ルとともに組み込まれている。
【図３６】冷却手段を備えたプロジェクタ用単結晶半導
体型光弁装置を示す断面図である。
【図３７】同じく冷却手段を備えたプロジェクタ用単結
晶半導体型光弁装置を示す模式図である。
【図３８】同じく冷却手段を備えたプロジェクタ用単結
晶半導体型光弁装置を示す模式図である。
【図３９】同じく冷却手段を備えたプロジェクタ用単結
晶半導体型光弁装置を示す模式図である。
【図４０】本発明にかかる単結晶半導体型光弁装置を用
いたプロジェクタの基本的な構成を示す模式図である。
【図４１】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の一例を示す全体図である。
【符号の説明】
２１ Ｘ駆動回路 ２２ Ｙ駆動回路 ２３ 画素アレイ部 ２４ 制御回路 ２５ Ａ／Ｄ変換回路 ２６ 同期分離回路 ２７ ＣＣＤ撮像装置 ３００ ＥＬ光源素子 ４００ ＦＬ光源素子 ４８０ 第１の封止基板 ４９０ 接続リード電極 ５００ 第２の封止基板 １００１ 石英ガラス基板 １００２ シリコン単結晶半導体層 １００３ 表示データ発生回路 １００４ 制御回路 １００５ マトリクス駆動電極 １００６ 第一Ｘ駆動回路 １００７ 第二Ｘ駆動回路 １００８ Ｙ駆動回路 １００９ スイッチング素子 １０１０ 画素電極 １０１２ ガラス基板 １０１４ 共通電極 １０１５ シール剤 １０１６ 液晶層 １０１７ 画素アレイ部 １０１８ シール領域 ２０２０、２０２１ ＣＣＤ撮像装置 ２０２２、２０２３ ＶＴＲ記録装置 ２０２４ 画像発生装置 ２０２６、２０２７ ＲＦモジュレータ ２０２８、２０２９ 増幅回路 ２０３０、２０３１ 受信回路 ２０３２、２０３３ 表示データ発生回路 ２０３４、２０３５ 駆動回路 ２０３６、２０３７ 表示素子 ４００１ 光弁セル ４００２ コネタク端子 ４００３ パッケージ部材 ４００４ 窓部 ４００５ 基板 ４００６ 基板 ４００７ 電気光学物質 ４００８ 保護ガラス部材 ４００９ 画素アレイ部 ５００１ 光源部 ５００２ 単結晶半導体型光弁 ５００３ 投影光学系 ５００４ ランプ ５００５ リフレクタ ５００６ コンデンサレンズ ５００７ スクリーン ５０２１ 透明基板 ５０２２ 画素電極 ５０２３ スイッチング素子 ５０２４ Ｘ駆動回路 ５０２５ Ｙ駆動回路 ５０２６ 走査線 ５０２７ 信号線 ５０３３ シリコン単結晶半導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平4−280327 (32)優先日 平４(1992)10月19日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平4−297195 (32)優先日 平４(1992)11月６日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 桜井 敦司 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 鷹巣 博昭 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内

Claims (39)

    【特許請求の範囲】 【０００１】
  1. 【請求項１】 絶縁基板上に半導体単結晶薄膜が形成さ
    れた複合基板と、該複合基板に対向して配設された対向
    基板と、該複合基板と該対向基板間に電気光学的物質が
    配設され、 該複合基板の上には画素部と駆動回路部とが形成され、 該駆動回路部は該半導体単結晶薄膜の中に形成され、 該画素部には、Ｘ電極群と、該Ｘ電極群と交差してＹ電
    極群と、該Ｘ電極群と該Ｙ電極群の各交差部には薄膜ト
    ランジスタと画素電極とが形成され、 該駆動回路部には、該Ｘ電極群に表示データ信号を供給
    するＸ電極駆動回路と、該Ｙ電極群に走査信号を供給す
    るＹ電極駆動回路とが含まれ、 該表示データ信号と走査信号とにより該薄膜トランジス
    タを介して該画素電極に選択的に給電されて、該電気光
    学的物質が励起される電気光学セルを含むことを特徴と
    する光弁装置。 【０００２】
  2. 【請求項２】 請求項１記載の光弁装置において、該複
    合基板上にはさらに制御回路が形成され、タイミング信
    号が該制御回路から該駆動回路部に出力されることを特
    徴とする光弁装置。 【０００３】
  3. 【請求項３】 請求項２記載の光弁装置において、該Ｙ
    電極駆動回路と該制御回路とは、該画素部を中心にして
    該複合基板上の左右の位置に配設されていることを特徴
    とする光弁装置。 【０００４】
  4. 【請求項４】 請求項１記載の光弁装置において、該複
    合基板上にはさらに表示データ発生回路が形成され、該
    表示データ発生回路は映像信号を入力して該駆動回路部
    に表示信号を出力することを特徴とする光弁装置。 【０００５】
  5. 【請求項５】 請求項４記載の光弁装置において、該表
    示データ発生回路はさらにＲＧＢ変換回路、同期分離回
    路、および、制御回路とを含み、 該ＲＧＢ変換回路は該映像信号を入力してＲＧＢ表示信
    号を該駆動回路部に出力し、該同期分離回路は同期信号
    を該制御回路に出力し、該制御回路はタイミング信号を
    該駆動回路部に出力することを特徴とする光弁装置。 【０００６】
  6. 【請求項６】 請求項４記載の光弁装置において、該表
    示データ発生回路はさらにＡ／Ｄ変換回路を含み、該Ａ
    ／Ｄ変換回路は該映像信号に含まれるビデオ信号をデジ
    タルビデオ信号に変換し、 該駆動回路部はＤ／Ａ変換回路を含み、該Ｄ／Ａ変換回
    路はデジタル表示データ信号をアナログ表示データ信号
    に変換することを特徴とする光弁装置。 【０００７】
  7. 【請求項７】 請求項２記載の光弁装置において、該駆
    動回路部は２つのＸ電極駆動回路を含み、該２つのＸ電
    極駆動回路は該画素部を中心にして該複合基板の上下の
    位置に配設されていることを特徴とする光弁装置。 【０００８】
  8. 【請求項８】 請求項１記載の光弁装置において、該複
    合基板と該対向基板とは、ギャップを設けてシール部に
    より接着形成され、該ギャップに該電気光学的物質が封
    入され、 該シール部は、該複合基板上に形成された該駆動回路部
    の上に少なくとも重なるように配置されていることを特
    徴とする光弁装置。 【０００９】
  9. 【請求項９】 請求項１記載の光弁装置において、該複
    合基板にはさらに受信回路、表示データ発生回路、およ
    び、制御回路が形成され、 該受信回路は電波により送信された映像信号を受信して
    ビデオ信号と同期信号を出力し、該表示データ発生回路
    は該ビデオ信号を入力して該駆動回路部に表示信号を出
    力し、該制御回路は該同期信号を入力して該駆動回路部
    にタイミング信号を出力することを特徴とす光弁装置。 【００１０】
  10. 【請求項１０】 請求項１記載の光弁装置において、該
    電気光学セルの背面に光源素子が形成され、該電気光学
    セルを構成する複合基板上には該光源素子を駆動するた
    めの光源素子駆動回路が形成され、該光源素子駆動回路
    により該電気光学セルに照射される光の強度が制御され
    ることを特徴とする光弁装置。 【００１１】
  11. 【請求項１１】 請求項１記載の光弁装置において、該
    電気光学セルはコネクタ端子が形成されたパッケージ部
    に一体的に内包され、該電気光学セルの画素部に対応す
    るパッケージ部には窓部が形成され、該コネクタ端子と
    該電気光学セルとは電気的に接続されていることを特徴
    とする光弁装置。 【００１２】
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の光弁装置において、
    該パッケージ部にはさらに光源素子が一体的に内包され
    て形成され、該電気光学セルに該光源素子により光が照
    射されることを特徴とする光弁装置。 【００１３】
  13. 【請求項１３】 請求項１１記載の光弁装置において、
    該パッケージ部は光を透過しない材料から成り、該窓部
    は光を透過する材料から成り、該複合基板上の駆動回路
    部は、電気光学セルの周辺部に形成され、かつ、該パッ
    ケージ部により遮光されることを特徴とする光弁装置。 【００１４】
  14. 【請求項１４】 請求項１１記載の光弁装置において、
    該コネクタ端子は、該電気光学セルの表面方向に平行な
    方向を向いて該パッケージ部側面から突出して設けられ
    ていることを特徴とする光弁装置。 【００１５】
  15. 【請求項１５】 請求項１１記載の光弁装置において、
    該コネクタ端子は、該電気光学セルの表面方向に垂直な
    方向を向いて該パッケージ部主面から突出して設けられ
    ていることを特徴とする光弁装置。 【００１６】
  16. 【請求項１６】 請求項１１記載の光弁装置において、
    該パッケージ部にはその外面に放熱用のヒィンを有する
    ことを特徴とする光弁装置。 【００１７】
  17. 【請求項１７】 請求項１３記載の光弁装置において、
    該窓部には赤外線カット用の赤外線フィルターを装着し
    ていることを特徴とする光弁装置。 【００１８】
  18. 【請求項１８】 請求項１１記載の光弁装置において、
    該パッケージ部には、該電気光学セルを冷却するため
    の、冷却媒体の流入出するための貫通孔が形成されてい
    ることを特徴とする光弁装置。 【００１９】
  19. 【請求項１９】 請求項１１記載の光弁装置において、
    該パッケージ部には、該電気光学セルの着脱を自在にす
    るための凹部が形成され、該凹部に該電気光学セルが装
    着されていることを特徴とする光弁装置。 【００２０】
  20. 【請求項２０】 請求項１記載の光弁装置において、該
    電気光学セルの外部にはマイクロレンズアレイが配設さ
    れていることを特徴とする光弁装置。 【００２１】
  21. 【請求項２１】 請求項２０記載の光弁装置において、
    該マイクロセンズアレイを構成する各マイクロセンズ
    は、該画素部の各画素電極に対応して配設されて、入射
    光を該マイクロセンズにより集光して該画素電極に照射
    することを特徴とする光弁装置。 【００２２】
  22. 【請求項２２】 請求項２０記載の光弁装置において、
    該マイクロレンズアレイは該電気光学セルに透明接着剤
    により接着固定され、該透明接着剤の屈折率は該マイク
    ロレンズアレイの屈折率よりも小さいことを特徴とする
    光弁装置。 【００２３】
  23. 【請求項２３】 請求項１記載の光弁装置において、該
    光弁装置は光書き込み型光弁セルをさらに含み、 該電気光学セルに光が照射され、該電気光学セルに表示
    された画像が該光書き込み型光弁セルに投射され、該投
    射された画像が該光書き込み型光弁セルに記憶されるこ
    とを特徴とする光弁装置。 【００２４】
  24. 【請求項２４】 請求項２３記載の光弁装置において、 該光書き込み型光弁セルは、一対の透明基板間に強誘電
    性液晶が挟持され、 該一対の透明基板の少なくとも一方の透明基板の内表面
    には、基板表面から順次透明電極層、光導電膜、誘電体
    ミラー層、強誘電性液晶を配向させるための配向膜が形
    成され、 他方の基板の内表面には基板表面から、透明電極層、配
    向膜が形成されていることを特徴とする光弁装置。 【００２５】
  25. 【請求項２５】 ２つの電気光学セルと、該電気光学セ
    ルに光を照射するために該電気光学セルの後方に配置し
    た光源とから成る両眼用の立体画像表示装置において、 該電気光学セルは、 絶縁基板上に半導体単結晶薄膜が形成された複合基板
    と、該複合基板に対向して配設された対向基板と、該複
    合基板と該対向基板間に電気光学的物質が配設され、 該複合基板の上には画素部と駆動回路部とが形成され、 該駆動回路部は該半導体単結晶薄膜の中に形成され、 該画素部には、Ｘ電極群と、該Ｘ電極群と交差してＹ電
    極群と、該Ｘ電極群と該Ｙ電極群の各交差部には薄膜ト
    ランジスタと画素電極とが形成され、 該駆動回路部には、該Ｘ電極群に表示データ信号を供給
    するＸ電極駆動回路と、該Ｙ電極群に走査信号を供給す
    るＹ電極駆動回路とが含まれ、 該表示データ信号と走査信号とにより該薄膜トランジス
    タを介して該画素電極に選択的に給電し、該電気光学的
    物質が励起されることを特徴とする立体画像表示装置。 【００２６】
  26. 【請求項２６】 請求項２５記載の立体画像表示装置に
    おいて、該複合基板にはさらに受信回路、表示データ発
    生回路、および、制御回路が形成され、 該受信回路は電波により送信された映像信号を受信して
    ビデオ信号と同期信号を出力し、該表示データ発生回路
    は該ビデオ信号を入力して該駆動回路部に表示信号を出
    力し、該制御回路は該同期信号を入力して該駆動回路部
    にタイミング信号を出力することを特徴とす立体画像表
    示装置。 【００２７】
  27. 【請求項２７】 請求項２５記載の立体画像表示装置に
    おいて、該電気光学セルと該光源は、コネクタ端子が形
    成されたパッケージ部に一体的に内包され、該電気光学
    セルの画素部に対応し、該電気光学セルの前方のパッケ
    ージ部には窓部が形成され、該コネクタ端子と該電気光
    学セルとは電気的に接続されていることを特徴とする立
    体画像表示装置。 【００２８】
  28. 【請求項２８】 光源部と投影光学系と電気光学セルか
    ら成る画像プロジェクタにおいて、 該電気光学セルは、 絶縁基板上に半導体単結晶薄膜が形成された複合基板
    と、該複合基板に対向して配設された対向基板と、該複
    合基板と該対向基板間に電気光学的物質が配設され、 該複合基板の上には画素部と駆動回路部とが形成され、 該駆動回路部は該半導体単結晶薄膜の中に形成され、 該画素部には、Ｘ電極群と、該Ｘ電極群と交差してＹ電
    極群と、該Ｘ電極群と該Ｙ電極群の各交差部には薄膜ト
    ランジスタと画素電極とが形成され、 該駆動回路部には、該Ｘ電極群に表示データ信号を供給
    するＸ電極駆動回路と、該Ｙ電極群に走査信号を供給す
    るＹ電極駆動回路とが含まれ、 該表示データ信号と走査信号とにより該薄膜トランジス
    タを介して該画素電極に選択的に給電し、該電気光学的
    物質が励起されることを特徴とする画像プロジェクタ。 【００２９】
  29. 【請求項２９】 請求項２８記載の画像プロジェクタに
    おいて、該電気光学セルの外部にはマイクロレンズアレ
    イが配設されていることを特徴とする画像プロジェク
    タ。 【００３０】
  30. 【請求項３０】 請求項２９記載の画像プロジェクタに
    おいて、該マイクロセンズアレイを構成する各マイクロ
    センズは、該画素部の各画素電極に対応して配設され
    て、該光源部からの入射光を該マイクロセンズにより集
    光して該画素電極に照射することを特徴とする画像プロ
    ジェクタ。 【００３１】
  31. 【請求項３１】 請求項２８記載の画像プロジェクタに
    おいて、該光源部から該画素部の薄膜トランジスタに入
    射する光を遮蔽、かつ、反射するための光遮蔽反射手段
    を備えていることを特徴とする画像プロジェクタ。 【００３２】
  32. 【請求項３２】 請求項２８記載の画像プロジェクタに
    おいて、該電気光学セルはコネクタ端子が形成されたパ
    ッケージ部に一体的に内包され、該電気光学セルの画素
    部に対応するパッケージ部には窓部が形成され、該コネ
    クタ端子と該電気光学セルとは電気的に接続されている
    ことを特徴とする画像プロジェクタ。 【００３３】
  33. 【請求項３３】 請求項３２記載の画像プロジェクタに
    おいて、該パッケージ部は光を透過しない材料から成
    り、該窓部は光を透過し、 該複合基板上の駆動回路部は、電気光学セルの周辺部に
    形成され、かつ、該パッケージ部により遮光されること
    を特徴とする画像プロジェクタ。 【００３４】
  34. 【請求項３４】 請求項３２記載の画像プロジェクタに
    おいて、該パッケージ部には該電気光学セルを冷却する
    冷却手段を備えたことを特徴とする画像プロジェクタ。 【００３５】
  35. 【請求項３５】 請求項３４記載の画像プロジェクタに
    おいて、該パッケージ部には、冷却媒体を流入するため
    の流入貫通孔が形成され、冷却媒体を該パッケージ部に
    流入させて電気光学セルを冷却する冷却手段であること
    を特徴とする画像プロジェクタ。 【００３６】
  36. 【請求項３６】 請求項３５記載の画像プロジェクタに
    おいて、該冷却手段は、該冷却媒体を該流入貫通孔より
    圧縮して該パッケージ内に導入し、該冷却媒体を該パッ
    ケージ内にて断熱膨張して該電気光学セルを冷却するこ
    とを特徴とする画像プロジェクタ。 【００３７】
  37. 【請求項３７】 請求項２８記載の画像プロジェクタに
    おいて、該複合基板には太陽電池セルが形成され、入射
    光を光電変換して該駆動回路部に電源電圧を供給するこ
    とを特徴とする画像プロジェクタ。 【００３８】
  38. 【請求項３８】 請求項２８記載の画像プロジェクタに
    おいて、該画像プロジェクタはさらに光書き込み型光弁
    セルを含み、 該電気光学セルに光が照射され、該電気光学セルに表示
    された画像が該光書き込み型光弁セルに投射され、該投
    射された画像が該光書き込み型光弁セルに記憶され、該
    光源部から該光書き込み型光弁セルに光が照射され、該
    記憶された画像が投影されることを特徴とする画像プロ
    ジェクタ。 【００３９】
  39. 【請求項３９】 請求項３７記載の画像プロジェクタに
    おいて、該光書き込み型光弁セルは、一対の透明基板間
    に強誘電性液晶が挟持され、 該一対の透明基板の少なくとも一方の透明基板の内表面
    には、基板表面から順次透明電極層、光導電膜、透明電
    極層、誘電体ミラー層、強誘電性液晶を配向させるため
    の配向膜が形成され、 他方の基板の内表面には基板表面から、透明電極層、配
    向膜が形成されることを特徴とする画像プロジェクタ。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08211363A (ja) * 1994-10-07 1996-08-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリックスパネル
JPH08220560A (ja) * 1995-02-15 1996-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス表示装置
JPH10161157A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Sony Corp 表示用半導体装置
US6703643B2 (en) 1995-02-15 2004-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material
US6798394B1 (en) 1994-10-07 2004-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix panel
KR100440359B1 (ko) * 1995-11-06 2004-10-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 능동매트릭스표시장치및스캐닝회로
JP2006003920A (ja) * 1997-10-31 2006-01-05 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置
US7023518B1 (en) 1995-12-19 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a non-conductive material or a weakly conductive material applied to a side edge of a substrate and a method of fabricating the same
US7094665B2 (en) 1996-08-27 2006-08-22 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
JP2006251772A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Chi Mei Optoelectronics Corp 液晶ディスプレイの駆動回路
USRE40601E1 (en) 1996-11-12 2008-12-09 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US9482891B2 (en) 2014-03-28 2016-11-01 Nlt Technologies, Ltd. Liquid crystal display unit
JP2018032862A (ja) * 2012-03-28 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 駆動回路
JP2022095719A (ja) * 2009-01-16 2022-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5606436A (en) * 1994-11-21 1997-02-25 Proxima Corporation Liquid crystal projection panel construction and method of making same
WO1996024123A1 (fr) * 1995-02-01 1996-08-08 Seiko Epson Corporation Affichage a cristaux liquides et ses procedes de commande et de verification
US6388652B1 (en) * 1997-08-20 2002-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device
JP4090569B2 (ja) 1997-12-08 2008-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、液晶表示装置及びｅｌ表示装置
JP2000081848A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置を搭載した電子機器
GB9827965D0 (en) 1998-12-19 1999-02-10 Secr Defence Assembly of cells having spaced opposed substrates
US6563482B1 (en) 1999-07-21 2003-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW591584B (en) * 1999-10-21 2004-06-11 Semiconductor Energy Lab Active matrix type display device
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4700160B2 (ja) * 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4785229B2 (ja) * 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3839267B2 (ja) * 2001-03-08 2006-11-01 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及びそれを用いた通信端末装置
US6635941B2 (en) * 2001-03-21 2003-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Structure of semiconductor device with improved reliability
JP2002340989A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 測定方法、検査方法及び検査装置
JP3750734B2 (ja) * 2001-07-27 2006-03-01 セイコーエプソン株式会社 走査ライン駆動回路、電気光学装置、電子機器及び半導体装置
KR100444499B1 (ko) * 2001-09-21 2004-08-16 엘지전자 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널 및 그 구동방법
JP3630129B2 (ja) * 2001-09-28 2005-03-16 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP2003302648A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US7218300B2 (en) * 2003-03-03 2007-05-15 Victor Company Of Japan, Ltd. Liquid crystal display and method of driving liquid crystal display
TW595264B (en) * 2003-03-13 2004-06-21 Benq Corp Electronic device having brightness display driving circuit
US7071629B2 (en) * 2003-03-31 2006-07-04 Sony Corporation Image display device incorporating driver circuits on active substrate and other methods to reduce interconnects
TW595027B (en) * 2003-05-08 2004-06-21 Au Optronics Corp Recognizable flat display and recognizing system
US7505019B2 (en) * 2003-06-10 2009-03-17 Oki Semiconductor Co., Ltd. Drive circuit
US6995462B2 (en) * 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages
US7830348B2 (en) * 2003-12-11 2010-11-09 Au Optronics Corporation Integrated circuit for liquid crystal display device
US20050140634A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-30 Nec Corporation Liquid crystal display device, and method and circuit for driving liquid crystal display device
EP1557811A1 (de) * 2004-01-23 2005-07-27 Siemens Schweiz AG Übertragungseinrichtung zur drahtlosen Ankopplung eines Bildgerätes an einen Rechner
KR100728109B1 (ko) * 2004-02-25 2007-06-13 삼성에스디아이 주식회사 입체 영상 표시장치 및 그 구동 방법
KR100786862B1 (ko) * 2004-11-30 2007-12-20 삼성에스디아이 주식회사 배리어 장치, 이를 이용한 입체영상 표시장치 및 그구동방법
CN100446079C (zh) 2004-12-15 2008-12-24 日本电气株式会社 液晶显示装置、其驱动方法及其驱动电路
CN100419493C (zh) * 2005-01-19 2008-09-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光开关及其制作方法
CN102394049B (zh) * 2005-05-02 2015-04-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
US8059109B2 (en) * 2005-05-20 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US20100022833A1 (en) * 2005-09-09 2010-01-28 Olympus Medical Systems Corp. Receiving apparatus, monitor apparatus, and intra-subject information acquiring system employing the same
US7990727B1 (en) * 2006-04-03 2011-08-02 Aprolase Development Co., Llc Ball grid array stack
KR101394891B1 (ko) * 2007-05-22 2014-05-14 삼성디스플레이 주식회사 소스 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치
US7933059B2 (en) * 2007-11-16 2011-04-26 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Mirror device accommodated by liquid-cooled package
EP2412167A1 (en) * 2009-03-25 2012-02-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid crystal cell manufacture
TWI442587B (zh) * 2011-11-11 2014-06-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 外殼面板及使用該外殼面板的電子設備
TWI532032B (zh) * 2013-09-30 2016-05-01 聯詠科技股份有限公司 省電方法及其相關削角電路
WO2021035416A1 (zh) 2019-08-23 2021-03-04 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制备方法
CN105185816A (zh) 2015-10-15 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
WO2021035414A1 (zh) 2019-08-23 2021-03-04 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及驱动方法、显示基板及驱动方法、显示装置
US11600234B2 (en) 2015-10-15 2023-03-07 Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. Display substrate and driving method thereof
US10747033B2 (en) 2016-01-29 2020-08-18 Lawrence Livermore National Security, Llc Cooler for optics transmitting high intensity light
CN106412379B (zh) * 2016-09-20 2019-02-15 青岛海信电器股份有限公司 实现频率同步的控制方法、装置及液晶电视
KR102327786B1 (ko) * 2017-10-26 2021-11-17 가부시키가이샤 신가와 본딩 장치
KR102172604B1 (ko) * 2017-11-13 2020-11-02 주식회사 아스타 말디토프 질량 스펙트럼 분석을 위한 시료 전처리 장치 및 그 동작 방법
CN112840461A (zh) 2019-08-23 2021-05-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
EP4020575A4 (en) 2019-08-23 2022-12-14 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING IT
US12029065B2 (en) 2019-08-23 2024-07-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof and driving substrate
CN116994527A (zh) 2019-08-23 2023-11-03 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制备方法
CN112771674B (zh) 2019-08-27 2022-02-22 京东方科技集团股份有限公司 电子装置基板及其制作方法、电子装置
JP2023548804A (ja) * 2020-10-29 2023-11-21 シューラット テクノロジーズ，インク． 分散フラックスアレイ

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5917430B2 (ja) * 1977-10-31 1984-04-21 シャープ株式会社 マトリツクス型液晶表示装置
JPS5893221A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Toshiba Corp 半導体薄膜構造とその製造方法
JPS5910988A (ja) * 1982-07-12 1984-01-20 ホシデン株式会社 カラ−液晶表示器
JPS5961818A (ja) * 1982-10-01 1984-04-09 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
JPS6053993A (ja) * 1983-09-05 1985-03-28 シャープ株式会社 表示体駆動回路
JPS61110198A (ja) * 1984-11-05 1986-05-28 株式会社東芝 マトリクス形表示装置
JPS6218593A (ja) 1985-07-17 1987-01-27 シャープ株式会社 デ−タ処理装置
US4782340A (en) * 1986-08-22 1988-11-01 Energy Conversion Devices, Inc. Electronic arrays having thin film line drivers
KR950006457B1 (ko) * 1988-03-31 1995-06-15 주식회사Lg 입체 텔레비젼 수상기
US4924215A (en) * 1988-04-12 1990-05-08 Bell Communcations Research, Inc. Flat panel color display comprising backlight assembly and ferroelectric liquid crystal shutter assembly
EP0382567B1 (en) 1989-02-10 1996-05-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and driving method therefor
US5148301A (en) 1990-02-27 1992-09-15 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary
JP2875363B2 (ja) * 1990-08-08 1999-03-31 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6067062A (en) 1990-09-05 2000-05-23 Seiko Instruments Inc. Light valve device
JP3143493B2 (ja) * 1991-06-21 2001-03-07 キヤノン株式会社 表示制御装置
EP0536790B1 (en) * 1991-10-11 2004-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing semiconductor articles
US5550585A (en) * 1993-03-26 1996-08-27 Allan Cherri Video inter-view system
US6023253A (en) * 1993-10-29 2000-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Image displaying apparatus
JP2992464B2 (ja) * 1994-11-04 1999-12-20 キヤノン株式会社 集電電極用被覆ワイヤ、該集電電極用被覆ワイヤを用いた光起電力素子及びその製造方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08211363A (ja) * 1994-10-07 1996-08-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリックスパネル
US7864169B2 (en) 1994-10-07 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix panel
US6798394B1 (en) 1994-10-07 2004-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix panel
US7348971B2 (en) 1994-10-07 2008-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix panel
JPH08220560A (ja) * 1995-02-15 1996-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス表示装置
US6703643B2 (en) 1995-02-15 2004-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material
KR100440359B1 (ko) * 1995-11-06 2004-10-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 능동매트릭스표시장치및스캐닝회로
US7023518B1 (en) 1995-12-19 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a non-conductive material or a weakly conductive material applied to a side edge of a substrate and a method of fabricating the same
US7285476B2 (en) 1996-08-27 2007-10-23 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
US7094665B2 (en) 1996-08-27 2006-08-22 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
US7468308B2 (en) 1996-08-27 2008-12-23 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
USRE40601E1 (en) 1996-11-12 2008-12-09 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JPH10161157A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Sony Corp 表示用半導体装置
JP2006003920A (ja) * 1997-10-31 2006-01-05 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置
JP2006251772A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Chi Mei Optoelectronics Corp 液晶ディスプレイの駆動回路
JP2022095719A (ja) * 2009-01-16 2022-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11735133B2 (en) 2009-01-16 2023-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
US12027133B2 (en) 2009-01-16 2024-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
JP2018032862A (ja) * 2012-03-28 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 駆動回路
US9482891B2 (en) 2014-03-28 2016-11-01 Nlt Technologies, Ltd. Liquid crystal display unit

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