JP2003302648A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2003302648A
JP2003302648A JP2002106665A JP2002106665A JP2003302648A JP 2003302648 A JP2003302648 A JP 2003302648A JP 2002106665 A JP2002106665 A JP 2002106665A JP 2002106665 A JP2002106665 A JP 2002106665A JP 2003302648 A JP2003302648 A JP 2003302648A
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counter electrode
pixel electrode
pixel
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Yoshiaki Nakayoshi
良彰 仲吉
Kazuhiko Yanagawa
和彦 柳川
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Hitachi Displays Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極および対向電極が形成されている基
板と対向する他の基板に電荷のチャージアップによる不
都合を解消する。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とこ
の画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備
えるものであって、前記画素電極に供給される電圧信号
に対して前記対向電極に供給する電圧信号を、該画素電
極と対向電極の間に発生される電界によって前記各基板
のうち他方の基板側にチャージされる電荷量を加味して
制御する制御回路と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、いわゆる横電界型と称される液晶表示装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】横電界型と称される液晶表示装置は、液
晶を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液
晶側の面の各画素領域に、互いに隣接する画素電極と対
向電極を配置させ、これら各電極の間に発生する電界の
うち基板の平行な成分によって該液晶の光透過率を制御
させるようにしている。
【0003】このような構成をアクティブ・マトリクス
型に適用させたものは、前記一方の基板の液晶側の面
に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号
線に交差して並設された複数のドレイン信号線とを形成
し、これら各信号線に囲まれた各領域を前記画素領域と
している。
【0004】そして、該画素領域には、ゲート信号線か
らの走査信号によって作動されるスイッチング素子と、
このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映
像信号が供給される前記画素電極と、対向電圧信号線か
らの基準信号が供給される前記対向電極とが形成されて
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示装置は、画素電極と対向電極と
の間の電気力線の一部が他方の透明基板側にまで至って
円弧状に発生するため、該他方の透明基板の液晶側の面
に形成されたカラーフィルタおよび他の材料層等に電荷
がチャージアップしてしまう現象が生じ、前記対向電極
に供給されるいわゆるVcom電圧であって、その最適
Vcom電圧の値が時間とともに変動することが指摘さ
れるに至った。
【0006】図2は、最適Vcom電圧の値が時間とと
もに変動することを示したグラフで、その横軸には表示
開始からの経過時間(分)を、縦軸には最適Vcom電
圧(V)をとっている。
【0007】このようなグラフは、時間毎にVcom電
圧を変動させることにより、たとえばフリッカが最低に
なる該Vcom電圧の値を計測することにより得られる
ものである。ここで、計測の対象としてサンプルA、サ
ンプルBを選定した。
【0008】同図から明らかなように、まず、この各変
動特性は表示開始からある時間経過後に収束電圧をもつ
ことが明らかになる。
【0009】そして、収束電圧に至るまでの時間はサン
プルによって異なるが、その相異は液晶材料の比抵抗の
相異に反映するものであると考えられる。
【0010】なお、上記グラフには示していないが、表
示領域面内での各点での最適Vcomのドリフト量をも
計測した結果、約20mV程度の差を有したが、全体と
してほぼ等しいことが明らかとなっている。
【0011】このことは、表示領域面内でゲート信号
線、ドレイン信号線、および対向電圧信号線の各波形遅
延の影響によって、最適Vcomの値が異なった値をと
るのに対し、特異な現象としてとらえることができる。
【0012】そして、このような現象は表示の品質を低
減させることから、その対策が望まれる。
【0013】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は、画素電極および対向電極が形
成されている基板と対向する他の基板に電荷のチャージ
アップによる不都合を解消した液晶表示装置を提供する
ことにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0015】手段1.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とこの画素
電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備えるも
のであって、前記画素電極に供給される電圧信号に対し
て前記対向電極に供給する電圧信号を、該画素電極と対
向電極の間に発生される電界によって前記各基板のうち
他方の基板側にチャージされる電荷量を加味して制御す
る制御回路と、を備えることを特徴とするものである。
【0016】手段2.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とこの画素
電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備えるも
のであって、前記画素電極に供給される電圧信号に対し
て前記対向電極に供給する電圧信号を制御する制御回路
を備え、該制御回路は、前記各基板のうち他方の基板側
にチャージされる電荷量の影響によって設定される電圧
信号を前記対向電極に供給することを特徴とするもので
ある。
【0017】手段3.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とこの画素
電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備えるも
のであって、前記画素電極に供給される電圧信号に対し
て前記対向電極に供給する電圧信号を制御する制御回路
を備え、該制御回路は、予め設定される最適電圧信号を
示すデータを用いて、該最適電圧信号に近似する電圧信
号を前記対向電極に供給することを特徴とするものであ
る。
【0018】手段4.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、マトリクス状に配置された各画素領域に、映像
信号が供給される画素電極と、該映像信号に対して基準
となる信号が供給される対向電極とが形成され、前記画
素領域に透過される光の強度を検出する光検出手段と、
この光検出手段からの出力に応じて前記対向電極に供給
する信号の電圧値を可変する制御手段とを備えることを
特徴とするものである。
【0019】手段5.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の液晶側の
面の各画素領域に、映像信号が供給される画素電極と、
該映像信号に対して基準となる信号が供給される対向電
極とが形成され、前記液晶は、前記画素電極と対向電極
の間に電圧が印加されていない際に光透過が最小となる
ように構成されているとともに、前記画素領域に透過さ
れる光の強度を検出する光検出手段と、この光検出手段
からの出力によってその出力が最小となるように前記対
向電極に供給する信号の電圧値を可変する制御手段とを
備えることを特徴とするものである。
【0020】手段6.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の液晶側の
面の各画素領域に、映像信号が供給される画素電極と、
該映像信号に対して基準となる信号が供給される対向電
極とが形成され、前記液晶は、前記画素電極と対向電極
の間に電圧が印加されていない際に光透過が最大となる
ように構成されているとともに、前記画素領域に透過さ
れる光の強度を検出する光検出手段と、この光検出手段
からの出力によってその出力が最大となるように前記対
向電極に供給する信号の電圧値を可変する制御手段とを
備えることを特徴とするものである。
【0021】手段7.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段4、5、6のうちいずれかの構成を前提と
し、光検出手段は、前記画素領域と同様の構成を採用す
る領域に対向させて配置させ、該領域を透過する光の強
度を検出することを特徴とするものである。
【0022】手段8.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、画素電極と対向電極とが
形成され、少なくとも前記各基板のうち他方の基板の液
晶側の面に、比抵抗が1×10Ωcmから1×10
13Ωcmの間の値に設定された配向膜が形成されてい
ることを特徴とするものである。
【0023】手段9.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、画素電極と対向電極とが
形成され、前記各基板の液晶側の面にそれぞれ比抵抗が
1×10Ωcmから1×10 Ωcmの間の値に設
定された配向膜が形成され、これら各配向膜は前記液晶
の層厚を確保するスペーサの部分で導通されていること
を特徴とするものである。
【0024】手段10.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一
方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極と対向電極と
が形成され、少なくとも前記各基板のうち他方の基板の
液晶側の面に、導電性を有するカラーフィルタが形成さ
れていることを特徴とするものである。
【0025】手段11.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段10の構成を前提とし、前記カラーフィ
ルタはそれに隣接する他のカラーフィルタと電気的に接
続されていることを特徴とするものである。
【0026】手段12.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一
方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極と対向電極
と、カラーフィルタが形成され、前記各基板のうち他方
の基板の液晶側の面に、ブラックマトリクス、平坦化
膜、配向膜のうち少なくも配向膜が形成され、それらの
うちの一つが導電性を有することを特徴とするものであ
る。
【0027】なお、本発明は以上の構成に限定されず、
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
である。
【0028】手段13.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される一対の基板を有
し、前記液晶を介して電界を形成する画素電極と対向電
極とを備え、前記画素電極の電位は、映像信号駆動回路
から映像信号線に供給される映像信号が、走査信号駆動
回路から走査信号線に供給される走査信号により薄膜ト
ランジスタを介して供給されるものであり、前記映像信
号駆動回路および前記走査信号駆動回路はコントローラ
からの信号で制御され、前記コントローラからの信号に
より前記対向電極に供給される対向電圧を生成するD/
Aコンバータを有することを特徴とするものである。
【0029】手段14.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段13の構成を前提とし、前記D/Aコン
バータに供給されるLow電圧は前記映像信号駆動回路
に供給される最低電圧よりも高く、前記D/Aコンバー
タに供給されるHigh電圧は前記映像信号駆動回路に
供給される最高電圧よりも低いことを特徴とするもので
ある。
【0030】手段15.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段13あるいは14の構成を前提とし、前
記D/Aコンバータと前記対向電極の間に電流増幅回路
を有することを特徴とするものである。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例1. 《全体の構成》図3は本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す全体構成図である。同図は等価回路として示
しているが、実際の幾何学的配置に対応させた図となっ
ている。
【0032】同図において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板SUB1、SUB2があり、該
液晶は一方の透明基板SUB1に対する他方の透明基板
SUB2の固定を兼ねるシール材SLによって封入され
ている。
【0033】シール材SLによって囲まれた前記一方の
透明基板SUB1の液晶側の面には、そのX方向に延在
しy方向に並設されたゲート信号線GLとy方向に延在
しX方向に並設されたドレイン信号線DLとが形成され
ている。
【0034】各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線D
Lとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部A
Rを構成するようになっている。
【0035】また、X方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線CLが形成されている。この対向電圧信号線
CLは各画素領域の後述する対向電極CTに映像信号に
対して基準となる電圧(Vcom)を供給するための信
号線となるものである。
【0036】各画素領域には、その片側のゲート信号線
GLからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して片側
のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素
電極PXが形成されている。
【0037】この画素電極PXは、前記対向電圧信号線
CLと接続された対向電極CTとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
【0038】前記ゲート信号線GLのそれぞれの一端は
前記シール材SLを超えて延在され、その延在端は走査
信号駆動回路Vの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記走査信号駆動回路Vの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
【0039】走査信号駆動回路Vは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線GLどう
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
【0040】同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞ
れの一端は前記シール材SLを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Heの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
【0041】この映像信号駆動回路Heも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
DLどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【0042】また、X方向に併設された各画素領域に共
通な前記対向電圧信号線CLは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材SLを超えて延在さ
れ、その延在端において端子CLTを構成している。こ
の端子CLTからは映像信号に対して基準となる電圧が
供給されるようになっている。
【0043】前記各ゲート信号線GLは、走査信号駆動
回路Vからの走査信号によって、その一つが順次選択さ
れるようになっている。
【0044】また、前記各ドレイン信号線DLのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Heによって、前記ゲート信
号線GLの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
【0045】また、前記対向電圧信号線CLの端子CL
TにはD/AコンバータからVcom信号が供給され、
該Vcom信号は時間によってその電圧値が時間によっ
て制御された信号となっている。
【0046】なお、D/Aコンバータ、走査信号駆動回
路V、および映像信号駆動回路Heにはそれぞれ、電源
回路、TCONによって電源および制御信号が供給され
るようになっている。
【0047】《D/Aコンバータ》対向電圧信号線CL
に供給するVcomは、TCONからのディジタルデー
タによって制御されるD/Aコンバータを介して形成さ
れるために、時間変動に対応した制御が可能となってい
る。
【0048】また、D/Aコンバータの駆動用電圧は、
映像信号駆動回路Heあるいは走査信号駆動回路Vとは
独立して形成でき、前記Vcomの制御を細かい間隔で
行なうことができるようになっている。
【0049】たとえば、D/Aコンバータの出力電圧の
分割数は、該D/Aコンバータのビット数で決まるた
め、6ビットでは64階調、8ビットでは256階調し
か分割できず、アナログ並みの微妙な制御が難しくな
る。そして、映像信号駆動回路Heは、たとえば8ビッ
トでは0Vから12Vを256分割する場合に1階調当
たり約47mVの電位差となり、微妙な制御ができなく
なる。一方、これに対し、最適Vcomに関しては、1
0mV単位での制御が要求されることになる。
【0050】このため、D/Aコンバータの駆動用電圧
を映像信号駆動回路Heあるいは走査信号駆動回路Vの
それらとは異なる値としている。
【0051】すなわち、D/Aコンバータの供給電圧
は、そのLow電圧を映像信号駆動回路Heの供給電源
のLow電圧よりも高くし、また、そのHigh電圧を
映像信号駆動回路Heの供給電源のHigh電圧よりも
低くしている。
【0052】たとえば、D/Aコンバータの供給電源の
Low電圧を4V、High電圧を5Vとすることによ
り、その間で256分割した場合、1階調当たり4mV
の出力とすることにより、精度を10倍に向上させるこ
とができる。
【0053】この場合、D/Aコンバータの供給電源の
Low電圧とHigh電圧の差は1V以下とすることが
望ましい。Vcomのドリフト量は1V以下に抑制して
設計でき、精度を向上させることができるからである。
【0054】図4は、最適Vcom電圧の制御例を示す
グラフで、細かい制御あるいは荒い制御、そしてそれら
の中間の制御もできることを示している。
【0055】なお、図5は、前記D/Aコンバータの他
の実施例として、該D/Aコンバータが映像信号駆動回
路Heに組み込まれた図を示している。この場合、D/
Aコンバータに供給する電源と映像信号駆動回路Heに
供給する電源とは別にして構成してもよい。ここで、該
D/Aコンバータはいわゆる抵抗分割型、あるいは電流
増幅型のいずれであってもよい。
【0056】また、図6は、前記D/Aコンバータの他
の実施例として、該D/AコンバータがTCONに組み
込まれた図を示している。D/Aコンバータの回路規模
は比較的小さいからである。
【0057】映像信号駆動回路Heは、通常、隣接する
複数のドレイン信号線DLに対して1個の半導体集積回
路があてがわれて構成されるため、D/Aコンバータに
TCONに組み込むことは回路設計を容易にできる。
【0058】この場合、TCON内のD/Aコンバータ
の電流供給能力を高くすると、それ以外のロジック系が
電流供給能力を必要としないのに対し、TCON全体を
電流供給能力の高くなるプロセスで作成する必要が生
じ、TCONのチップサイズの縮小化が図れなくなる。
【0059】このため、電流増幅回路AMPを外付けで
構成し、該電流増幅回路AMPを介してVcomを供給
することが望ましい。
【0060】この電流増幅回路AMPの電圧の入出力ゲ
インはほぼ1であるから、D/Aコンバータの電流増幅
能力はディスクリートの電流増幅回路AMPにより規定
されるため、電流増幅能力が改善され、Vcom電圧の
液晶表示装置の表示パターンの違いによる負荷の変動に
影響されにくくなり、該Vcomを安定化できるように
なる。
【0061】《フローチャート》図1は、たとえば図2
に示したグラフのデータを比較用データテーブルとして
用い、対向電圧信号線CLに供給するVcomを時間的
制御の一実施例を示すフローチャートである。この制御
はTCONによって行なわれるようになっている。
【0062】まず、ステップ1(SP1)にて、クロッ
ク信号CLKが入力される。このクロック信号CLKは
たとえば走査信号のスタートパルス等が好適となる。こ
のスタートパルスは1画面走査に対して1回得られる。
このため60Hz駆動では、1秒間で60回、1分間で
3600回、10分間で36000回となる。
【0063】カウンタを16ビットで構成した場合、6
5536まで、すなわち10分間まで充分に対応するこ
とができるようになる。また、TCONの回路規模の増
大を回避することができる。
【0064】ステップ2(SP2)にて、前記クロック
信号CLKが最初のクロックか否かを判定する。最初の
クロックである場合、ステップ3にてカウンタの値を0
にするとともに、それ以降、ステップ2(2)を最初の
クロックでないことを設定する。そして、次のクロック
(パルスエッジ)が入力するまで待機させる。
【0065】次のクロックは、ステップ4(SP4)に
て、現在のカウント値に1を加算する。そして、ステッ
プ5(SP5)にて、現在のカウント値とテーブルの設
定値との比較を行なう。ここで、前記テーブルとは比較
用データテーブルであり、図2に示したグラフに相当す
るものとなっている。この場合、カウント値がテーブル
の設定値に満たない場合、ステップ1にて次のクロック
の入力まで待機する。
【0066】カウント値がテーブルの設定値を超えた場
合には、ステップ6(SP6)にて、D/Aコンバータ
のデジタル出力値を変更し、これによりVcom電圧の
値を変更する。
【0067】その後、ステップ1にて次のクロックの入
力まで待機し、以下、これを繰り返す。この場合、前記
カウンタの範囲を超えた段階では、図2に示すようにV
comは定常状態であり、ある時点でのオーバーフロー
は問題となることはない。
【0068】また、たとえばフレーム周波数が変わる場
合、たとえば100Hzで駆動する場合で、スタートパ
ルスでのカウントによる実経過時間が異なってしまう。
このため、テーブル比較時に、単位時間当たりのフレー
ム周波数に応じてテーブルの値を読み変えることが望ま
しくなる。
【0069】その理由は、Vcomドリフト現象は実時
間に依存するものであり、周波数依存性はほとんどみら
れないからである。電荷の蓄積の具合は液晶あるいは基
板等によって定まり、フレーム周波数への依存性は極め
て少ないためである。
【0070】《画素の構成》図7(a)は、図3に示す
液晶表示装置の画素領域の構成の一実施例を示す平面図
である。また、図7(b)は図7(a)のb−b線にお
ける断面図を、図7(c)は図7(a)のc−c線にお
ける断面図を示している。
【0071】透明基板SUB1の液晶側の面に、まず、
X方向に延在しy方向に並設される一対のゲート信号線
GLが形成されている。
【0072】これらゲート信号線GLは後述の一対のド
レイン信号線DLとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
【0073】また、各ゲート信号線GLの間にはたとえ
ばその中央部に該ゲート信号線GLと平行に対向電圧信
号線CLが形成されている。この対向電圧信号線CLは
たとえばゲート信号線GLの形成の際に同時に形成さ
れ、電気的抵抗の小さい材料で構成されるようになって
いる。
【0074】このようにゲート信号線GL、対向電圧信
号線CLが形成された透明基板SUB1の表面にはたと
えばSiNからなる絶縁膜GIが該ゲート信号線GL等
をも被って形成されている。
【0075】この絶縁膜GIは、後述のドレイン信号線
DLの形成領域においては前記ゲート信号線GL、対向
電圧信号線CLに対する層間絶縁膜としての機能を、後
述の薄膜トランジスタTFTの形成領域においてはその
ゲート絶縁膜としての機能を有するようになっている。
【0076】そして、この絶縁膜GIの表面であって、
前記ゲート信号線GLの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスSiからなる半導体層ASが形成され
ている。
【0077】この半導体層ASは、薄膜トランジスタT
FTのそれであって、その上面にドレイン電極SD1お
よびソース電極SD2を形成することにより、ゲート信
号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS(met
al insulator semiconductor)型トランジスタを構成
することができる。
【0078】ここで、前記ドイレン電極SD1およびソ
ース電極SD2はドレイン信号線DLの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
【0079】すなわち、y方向に延在されX方向に並設
されるドレイン信号線DLが形成され、その一部が前記
半導体層ASの上面にまで延在されてドレイン電極SD
1が形成され、また、このドレイン電極SD1と薄膜ト
ランジスタTFTのチャネル長分だけ離間されてソース
電極SD2が形成されている。
【0080】また、このソース電極SD2は画素領域内
に形成される画素電極PXと一体に形成されている。
【0081】すなわち、画素電極PXは画素領域内をそ
のy方向に延在しX方向に並設された複数(図では2
本)の電極群から構成されている。このうちの一つの画
素電極PXの一方の端部は前記ソース電極SD2を兼
ね、他方の端部では他の画素電極PXの対応する個所に
て互いに電気的接続が図れるようになっている。
【0082】このように薄膜トランジスタTFT、ドイ
レン信号線DL、ドレイン電極SD1、ソース電極SD
2、および画素電極PXが形成された透明基板SUB1
の表面には保護膜PASが形成されている。この保護膜
PASは前記薄膜トランジスタTFTの液晶との直接の
接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタTFTの特性
劣化を防止せんとするようになっている。
【0083】なお、この保護膜PASは樹脂等の有機材
料層、あるいはSiNのような無機材料層と樹脂等の有
機材料層の順次積層体から構成されている。このように
保護膜PASとして少なくとも有機材料層を用いている
のは保護膜自体の誘電率を低減させることにある。
【0084】保護膜PASの上面には対向電極CTが形
成されている。この対向電極CTは前述の画素電極PX
と同様にy方向に延在されX方向に並設された複数(図
では3本)の電極群から構成され、かつ、それら各電極
は、平面的に観た場合、前記画素電極PXを間にして位置
付けるようになっている。
【0085】すなわち、対向電極CTと画素電極PX
は、一方の側のドレイン信号線から他方の側のドレイン
信号線にかけて、対向電極、画素電極、対向電極、画素
電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間隔に配置され
ている。
【0086】ここで、画素領域の両側に位置付けられる
対向電極CTは、その一部がドレイン信号線DLに重畳
されて形成されているともに、隣接する画素領域の対応
する対向電極CTと共通に形成されている。
【0087】換言すれは、ドレイン信号線DL上には対
向電極CTがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該
対向電極CTの幅はドレイン信号線DLのそれよりも大
きく形成されている。ドレイン信号線DLに対して左側
の対向電極CTは左側の画素領域の各対向電極CTの一
つを構成し、右側の対向電極CTは右側の画素領域の各
対向電極CTの一つを構成するようになっている。
【0088】このようにドレイン信号線DLの上方にて
該ドレイン信号線DLよりも幅の広い対向電極CTを形
成することにより、該ドレイン信号線DLからの電気力
線が該対向電極CTに終端し画素電極PXに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線D
Lからの電気力線が画素電極PXに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。
【0089】電極群からなる各対向電極CTは、ゲート
信号線GLを充分に被って形成される同一の材料層と一
体的に形成され、さらに、前記保護膜PASおよび絶縁
膜GIを貫通するスルーホールTHを通して前記対向電
圧信号線CLに電気的に接続されている。
【0090】ここで、各対向電極CTとそれと一体とな
った前記材料層は、たとえば、ITO(Indium Tin OXid
e)、ITZO(Indium Tin Zinc OXide)、IZO(Indium Zinc
OXide)、SnO2(酸化スズ)、In2O3(酸化インジウム)
等の透光性の導電層で形成することにより画素の開口率
を向上させることができる。
【0091】ゲート信号線GLを充分に被って形成され
る対向電極CTと一体の材料層は、そのゲート信号線GL
からはみ出した部分において、その下層に前記各画素電
極PXの接続部が位置付けられ、これにより、画素電極
PXと対向電極CTとの間に保護膜PASを誘電体膜と
する容量素子Cstgが形成されている。
【0092】この容量素子Cstgは、たとえば画素電
極PXに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等
の機能をもたせるようになっている。
【0093】そして、このように対向電極CTが形成さ
れた透明基板SUB1の上面には有機材料層OPASか
らなる平坦化膜が形成されている。これにより、この有
機材料層OPASはこの上面に形成される配向膜(図示
せず)にその平坦性からラビング処理をしやすくさせて
いる。
【0094】また、図8は、画素領域の構成の他の実施
例を示す平面図で、図7(a)に対応した図となってい
る。
【0095】図7と比較して異なる構成は、対向電極C
Tが前記対向電圧信号線CLと一体に形成されているこ
とにある。
【0096】この場合、対向電極CTはドレイン信号線
DLに隣接させるものを含ませ、これにより、該ドレイ
ン信号線DLからの電界の電気力線を隣接する対向電極
CTに終端させ、画素電極PX側に終端するのを回避さ
せている。
【0097】実施例2.図9は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図3と対応した図と
なっている。また、この場合の液晶表示装置は、図7あ
るいは図8に示した画素構成に限定されることなく、各
画素領域に形成される一対の電極のうち一方の電極に基
準信号(Vcom)を供給するものに適用することがで
きる。
【0098】同図において、液晶表示部ARのたとえば
一角にたとえばホトダイオード等からなる受光素子RL
が取り付けられ、この受光素子RLはその近傍の画素の
輝度を検出し、その検出信号はA/Dコンバータを介し
てTCONに入力され、該TCONは該検出信号の値に
基づいて出力信号を創出するようになっている。この出
力信号はD/Aコンバータを介して得られる基準信号
(Vcom)を各画素領域の対向電極CTに供給するよ
うになっている。
【0099】この場合、前記TCONでは、液晶表示装
置がいわゆるノーマリブラックモードで構成されている
場合に各画素の輝度が最小となるように、また、ノーマ
リホワイトモードで構成されている場合に各画素の輝度
が最大となるように前記基準信号(Vcom)を調整す
るようになっている。
【0100】その理由は、仮にVcomが最適Vcom
値からずれてしまった場合、不要な直流電圧(DC)が
重畳され、該DC分の実効値電圧が増加し、ノーマリブ
ラックモードの場合では輝度が増大し、ノーマリホワイ
トモードの場合では輝度が減少してしまうからである。
【0101】ここで、ノーマリブラックモードとは、電
界が印加されていない場合に液晶の表示が黒となる表示
態様をいい、ノーマリホワイトモードとは、電界が印加
されていない場合に液晶の表示が白となる表示態様をい
う。
【0102】図10は、前記受光素子RLの液晶表示装
置に対する取り付け位置を示した断面図である。
【0103】該受光素子RLに照射される光は液晶表示
装置の背面に配置されるバックライトBLからの光が透
明基板SUB1に貼付された偏光板POL1および透明
基板SUB2に貼付された偏光板POL2を透過するよ
うにしている。
【0104】そして、該受光素子RLに照射される光を
透過する画素領域は液晶表示部ARを構成する画素領域
と同じパターンで構成されている。液晶表示部ARの各
画素領域における最適Vcom値を検出せんがためであ
る。このことから、該受光素子RLに照射される光を透
過する画素領域は該液晶表示部ARの周辺に形成される
いわゆるダミー画素領域であってもよく、これら画素領
域と別個に形成した他の画素領域であってもよいことは
いうまでもない。
【0105】また、図11は、液晶表示装置の観察側の
面にフレームFLMが配置されている場合における前記
受光素子の配置を示した断面図である。
【0106】該フレームFLMは、液晶表示部ARを露
呈させる開口の近傍にて、接続スペーサを介して透明基
板SUB1、SUB2のうち一方の透明基板と当接され
ている。
【0107】受光素子は、接続スペーサの厚みよりも薄
く形成され、かつ、前記接続スペーサに挟まれて配置さ
れている。
【0108】このようにした場合、フレームFLMの取
り付けの際に受光素子RLも同時に取り付けられるとい
う効果を奏する。
【0109】図12は、前記TCON内にて、最適Vc
om値を設定する制御をノーマリブラックを例に挙げて
示したタイミング図である。
【0110】最初に設定されているVcomを可変さ
せ、たとえばその最大値から最小値に(8bitの場合、
256→0)変動させる。これにともない、受光素子R
Lからの輝度を示す出力の変化を観察し、その最小値か
ら最適Vcom値を計算し、以降、対向電圧信号線CL
に該最適Vcomを供給する。
【0111】このVcom調整のタイミングは必ずしも
一定である必要はなく、たとえば横電界方式の液晶表示
装置の場合、上述したドリフトがあるため、最初のうち
は頻繁に調整を行ってその後減らすようにしてもよい。
【0112】この制御は、横電界方式の液晶表示装置に
限定して適用されるものではなく、液晶を駆動する一対
の電極のうち一方の電極にVcomを供給できる液晶表
示装置ならばどの種類のものでも適用することができ
る。
【0113】そして、液晶モニタ、液晶TV等のよう
に、駆動周波数を複数のモードに対応する必要のある液
晶表示装置に適用させることによって、モード変更にと
もなう最適Vcomの自動補正ができるようになる。
【0114】図13は、受光素子RLの配置態様の他の
実施例を示す断面図である。該受光素子RLはバックラ
イトBLと液晶パネルとの間に配置され、該バックライ
トBMからの光は該バックライトBMに近接する透明基
板を通過し、該バックライトBMから遠い透明基板面で
反射し、再びバックライトBMに近接する透明基板を通
過して該受光素子に照射されるようになっている。
【0115】該バックライトBMから遠い透明基板面の
反射部には反射効率の良好な金属層が形成されており、
ブラックマトリクスを金属層で形成する場合には、その
ブラックマトリクスに兼用させるようにしてもよい。
【0116】また、前記図14のようにした場合、バッ
クライトBMに近接する透明基板の液晶と反対側の面に
位相差板を貼付し、この位相差板にバックライトBMか
ら受光素子RLまでの光が通過するように構成してもよ
い。
【0117】偏光板POL1、POL2のそれぞれの偏
光透過軸が異なっている場合、反射光による検出では片
側の偏光板しか検出用の光が通らないため、たとえば表
示用の光がクロスニコル状態(90度偏光透過軸直交)
ではクロとなるに大使、検出用の反射光は白となるため
である。
【0118】このため、反射光の入力、出力の両方に位
相差板を介する場合、1/4波長、一方のみ通る場合は
1/2波長ずらす位相差板を設けている。
【0119】図15は、液晶表示装置の液晶表示部AR
と近接し、該液晶表示部ARとは別個の個所に専用画素
を設け、この専用画素に対向するようにして受光素子R
Lを配置させた構成としている。
【0120】この専用画素には、図16に示すように、
液晶表示部ARにおけるゲート信号線GL、ドレイン信
号線DL、対向電圧信号線CLが引き出され、液晶表示
部ARの各画素領域と同様の構成となっている。
【0121】実施例3.図17(a)は、本発明による
液晶表示装置の他の実施例を示す図で、該液晶表示装置
の画素の平面図である。また、図17(b)は図17
(a)のb−b線における断面図である。
【0122】同図(a)は図7(a)と対応した図とな
っており、該図7(a)と異なる構成は、配向膜AL
1、AL2を導電性を有するように構成したことにあ
る。そして、その比抵抗は1×10Ωcm〜1×10
13Ωcmの間の値に設定している。
【0123】前述したデータが示すようにチャージの蓄
積は分単位の事象である一方において、表示用の横電界
は1フレーム単位、すなわち10〜20ms程度で電圧
の極性自体が変化する。
【0124】このことから、それらの時間軸の差は10
00倍以上に及ぶことから、これら双方の現象のタイム
スケールの差を利用して、横電界の正常な発生とチャー
ジアップ防止を図るようにしている。
【0125】なお、図17(a)は、図7(a)と比較
して対向電圧信号線CLが形成されていないが、このこ
とは本実施例の効果と直接関係するものではない。
【0126】また、図18に示すように、透明基板SU
B2側に支柱状のスペーサSPを形成する場合には、配
向膜AL2は該スペーサSPを被うようにして形成する
ことが好ましい。これにより、該配向膜AL2は透明基
板SUB1側の配向膜AL1と一部接触するように構成
することができるからである。
【0127】すなわち、配向膜AL1、AL2はいずれ
も等電位状態に保持され、液晶LCはこの等電位面にシ
ールドされて、チャージアップの影響が存在しない状態
とすることができる。これにより、いわゆるVcomド
リフト現象の発生を回避することができるようになる。
【0128】また、この場合において、対向電極CTは
配向膜AL1に接触するようにして形成することが好ま
しい。チャージは配向膜AL1を経由して対向電極CT
に逃げるため、たとえば特開2000−147482号
公報に示すように上下各基板を画素外で接続する手間を
不要とすることができる。
【0129】なお、この実施例では、配向膜AL2はも
ちろんのこと配向膜AL1も導電性の構成としたもので
あるが、配向膜AL2のみであっても同様の効果が得ら
れる。
【0130】図19は、透明基板SUB1、SUB2の
ギャップを確保するスペーサとして導電性ビーズCBを
用いたものである。この場合においても上述したように
各配向膜AL1、AL2はいずれも等電位状態に保持さ
れるようになる。
【0131】本実施例のように横電界方式の液晶表示装
置の場合、透明基板SUB2側に電極が形成されていな
いため、導電性ビーズを用いることに何ら不都合が生じ
ない。
【0132】また、対向電極CTに対して画素電極PX
は保護膜PASを介して配置されているため、それらの
各電極は導電性ビーズCBの密集等により短絡する憂い
はない。
【0133】また、図20に示すように、透明基板SU
B2側に形成される各色のカラーフィルタCFを導電性
を有するようにして構成し、それらを互いに重畳させて
接続させるようにしてもよい。これにより、局所的なチ
ャージアップを防止することができるからである。
【0134】この場合、各カラーフィルタCFを互いに
接続させなくても、それらの間に導電性のブラックマト
リクスBMを配置させ、このブラックマトリクスBMを
介して各カラーフィルタCFを電気的に接続させるよう
にしてもよい。なお、同様の思想で、平坦化膜OCを導
電性を有するように構成してもよい。
【0135】図21は、透明基板SUB1側にカラーフ
ィルタCFを形成した場合を示す構成図である。この場
合、透明基板SUB2側にて、その透明基板SUB2中
のNaイオンの影響によって、チャージアップが生じ
る。
【0136】このため、透明基板SUB2側の配向膜A
L2に導電性を有する構成とするようにしている。ま
た、この場合、透明基板SUB1、SUB2との間に配
置されるスペーサSPとの関係で、上述した図18、図
19に示した構成を採用してもよいことはもちろんであ
る。
【0137】また、平坦化膜OCに導電性を有する構成
とするようにしてもよい。さらに、図21(c)に示す
ように、導電性のブラックマトリクスBMを配置させる
ようにしてもよい。
【0138】図22は、透明基板SUB2側に形成され
た導電性の配向膜AL1、平坦化膜OC、カラーフィル
タCF、ブラックマトリクスBMの少なくとも一つに液
晶表示部AR外から給電を行なうための構成を示したも
のである。
【0139】同図に示すように、シール材SLの近傍に
て形成した接続部材CMの一方の側にて前記配向膜AL
1等を接触させ、他方の側にて透明基板SUB1側に形
成した給電端子に接触させている。この給電端子はシー
ル材SLを超えてゲート信号線GLあるいはドレイン信
号線DLとともにシール材SLの外側に引き出されるよ
うになっている。
【0140】また、図23は、透明基板SUB1側に支
柱状のスペーサSPを形成し、このスペーサSPを被う
ようにして対向電極CTを形成していることにある。こ
の場合、透明基板SUB2側の配向膜AL2は透明基板
SUB1側の配向膜AL1を介して対向電極CTと同電
位に保持されるため、図22に示したような給電手段を
必要としない効果を奏する。さらに、人が指で触ったり
して静電気が帯電した場合、該圧力が加わった部分は該
圧力により前記スペーサSPがより透明基板SUB2に
接するため、外部からの静電気印加時に特に効率的に電
荷を除去することができる効果も奏する。
【0141】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、画素電極および対
向電極が形成されている基板と対向する他の基板に電荷
のチャージアップによる不都合を解消することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構
成図で、そのTCONの動作を示すフロー図である。
【図2】図1に示す比較用データテーブルの一実施例を
示す図で、表示開始からの経過時間と最適Vcom電圧
との関係を示す図である。
【図3】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全
体構成図である。
【図4】図3に示すTCONの制御方法の一実施例を示
す説明図である。
【図5】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
全体構成図である。
【図6】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
全体構成図である。
【図7】本発明による液晶表示装置の画素領域の構成の
一実施例を示す構成図である。
【図8】本発明による液晶表示装置の画素領域の構成の
他の実施例を示す平面図である。
【図9】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
全体構成図である。
【図10】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
【図11】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
【図12】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す回路の動作図である。
【図13】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
【図14】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
【図15】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す全体構成図である。
【図16】図15に示す専用画素の詳細構成図である。
【図17】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
【図18】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
【図19】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
【図20】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
【図21】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
【図22】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
【図23】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す構成図である。
【符号の説明】 V…走査信号駆動回路、He…映像信号駆動回路、CL
…対向電圧信号線、GL…ゲート信号線、DL…ドレイ
ン信号線、SUB1…透明基板、PX…画素電極、CT
…対向電極、AR…液晶表示部、RL…受光素子、SP
…支柱状スペーサ、CB…導電性ビーズ、CF…カラー
フィルタ。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成14年4月9日(2002.4.9)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】手段13.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される一対の基板を有
し、前記液晶を介して電界を形成する画素電極と対向電
極とを備え、前記画素電極の電位は、映像信号駆動回路
から映像信号線に供給される映像信号が、走査信号駆動
回路から走査信号線に供給される走査信号により薄膜ト
ランジスタを介して供給されるものであり、前記映像信
号駆動回路および前記走査信号駆動回路はコントローラ
からの信号で制御され、前記コントローラからの信号に
より前記対向電極に供給される対向電圧を生成するD/
Aコンバータを有することを特徴とするものである。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0028
【補正方法】変更
【補正内容】
【0028】手段14.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段13の構成を前提とし、前記D/Aコン
バータに供給されるLow電圧は前記映像信号駆動回路
に供給される最低電圧よりも高く、前記D/Aコンバー
タに供給されるHigh電圧は前記映像信号駆動回路に
供給される最高電圧よりも低いことを特徴とするもので
ある。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0029
【補正方法】変更
【補正内容】
【0029】手段15.本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段13あるいは14の構成を前提とし、前
記D/Aコンバータと前記対向電極の間に電流増幅回路
を有することを特徴とするものである。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0030
【補正方法】変更
【補正内容】
【0030】なお、本発明は以上の構成に限定されず、
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 642 G09G 3/20 642P 5C080 3/36 3/36 Fターム(参考) 2H090 HB18Y LA01 LA02 LA04 LA15 2H091 FA02Y FA34Y GA02 GA06 GA07 GA11 LA07 2H092 GA14 GA64 NA14 NA30 PA02 PA03 PA06 PA08 PA09 2H093 NC02 NC54 NC59 NC81 NC90 ND33 NE02 NE03 NE04 NE06 5C006 AA22 AC25 AF54 AF63 AF82 BB16 BF39 FA24 GA01 5C080 AA10 BB05 CC03 DD03 EE28 FF11 JJ02 JJ05 JJ06 JJ07

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とこ
    の画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備
    えるものであって、 前記画素電極に供給される電圧信号に対して前記対向電
    極に供給する電圧信号を、該画素電極と対向電極の間に
    発生される電界によって前記各基板のうち他方の基板側
    にチャージされる電荷量を加味して制御する制御回路
    と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とこ
    の画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備
    えるものであって、 前記画素電極に供給される電圧信号に対して前記対向電
    極に供給する電圧信号を制御する制御回路を備え、 該制御回路は、前記各基板のうち他方の基板側にチャー
    ジされる電荷量の影響によって設定される電圧信号を前
    記対向電極に供給することを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とこ
    の画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備
    えるものであって、 前記画素電極に供給される電圧信号に対して前記対向電
    極に供給する電圧信号を制御する制御回路を備え、 該制御回路は、予め設定される最適電圧信号を示すデー
    タを用いて、該最適電圧信号に近似する電圧信号を前記
    対向電極に供給することを特徴とする液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 マトリクス状に配置された各画素領域
    に、映像信号が供給される画素電極と、該映像信号に対
    して基準となる信号が供給される対向電極とが形成さ
    れ、 前記画素領域に透過される光の強度を検出する光検出手
    段と、この光検出手段からの出力に応じて前記対向電極
    に供給する信号の電圧値を可変する制御手段とを備える
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 液晶を介して対向配置される各基板の液
    晶側の面の各画素領域に、映像信号が供給される画素電
    極と、該映像信号に対して基準となる信号が供給される
    対向電極とが形成され、 前記液晶は、前記画素電極と対向電極の間に電圧が印加
    されていない際に光透過が最小となるように構成されて
    いるとともに、 前記画素領域に透過される光の強度を検出する光検出手
    段と、この光検出手段からの出力によってその出力が最
    小となるように前記対向電極に供給する信号の電圧値を
    可変する制御手段とを備えることを特徴とする液晶表示
    装置。
  6. 【請求項6】 液晶を介して対向配置される各基板の液
    晶側の面の各画素領域に、映像信号が供給される画素電
    極と、該映像信号に対して基準となる信号が供給される
    対向電極とが形成され、 前記液晶は、前記画素電極と対向電極の間に電圧が印加
    されていない際に光透過が最大となるように構成されて
    いるとともに、 前記画素領域に透過される光の強度を検出する光検出手
    段と、この光検出手段からの出力によってその出力が最
    大となるように前記対向電極に供給する信号の電圧値を
    可変する制御手段とを備えることを特徴とする液晶表示
    装置。
  7. 【請求項7】 光検出手段は、前記画素領域と同様の構
    成を採用する領域に対向させて配置させ、該領域を透過
    する光の強度を検出することを特徴とする請求項4、
    5、6のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項8】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極と対向電
    極とが形成され、 少なくとも前記各基板のうち他方の基板の液晶側の面
    に、比抵抗が1×10Ωcmから1×1013Ωcm
    の間の値に設定された配向膜が形成されていることを特
    徴とする液晶表示装置。
  9. 【請求項9】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極と対向電
    極とが形成され、 前記各基板の液晶側の面にそれぞれ比抵抗が1×10
    Ωcmから1×10 Ωcmの間の値に設定された配
    向膜が形成され、 これら各配向膜は前記液晶の層厚を確保するスペーサの
    部分で導通されていることを特徴とする液晶表示装置。
  10. 【請求項10】 液晶を介して対向配置される各基板の
    うち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極と対向
    電極とが形成され、 少なくとも前記各基板のうち他方の基板の液晶側の面
    に、導電性を有するカラーフィルタが形成されているこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
  11. 【請求項11】 前記カラーフィルタはそれに隣接する
    他のカラーフィルタと電気的に接続されていることを特
    徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
  12. 【請求項12】 液晶を介して対向配置される各基板の
    うち一方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極と対向
    電極と、カラーフィルタが形成され、 前記各基板のうち他方の基板の液晶側の面に、ブラック
    マトリクス、平坦化膜、配向膜のうち少なくも配向膜が
    形成され、それらのうちの一つが導電性を有することを
    特徴とする液晶表示装置。
  13. 【請求項13】 液晶を介して対向配置される一対の基
    板を有し、前記液晶を介して電界を形成する画素電極と
    対向電極とを備え、 前記画素電極の電位は、映像信号駆動回路から映像信号
    線に供給される映像信号が、走査信号駆動回路から走査
    信号線に供給される走査信号により薄膜トランジスタを
    介して供給されるものであり、 前記映像信号駆動回路および前記走査信号駆動回路はコ
    ントローラからの信号で制御され、前記コントローラか
    らの信号により前記対向電極に供給される対向電圧を生
    成するD/Aコンバータを有することを特徴とする液晶
    表示装置。
  14. 【請求項14】 前記D/Aコンバータに供給されるL
    ow電圧は前記映像信号駆動回路に供給される最低電圧
    よりも高く、前記D/Aコンバータに供給されるHig
    h電圧は前記映像信号駆動回路に供給される最高電圧よ
    りも低いことを特徴とする請求項13記載の液晶表示装
    置。
  15. 【請求項15】 前記D/Aコンバータと前記対向電極
    の間に電流増幅回路を有することを特徴とする請求項1
    3ないし14のいずれかに記載の液晶表示装置。
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